JP2004273911A

JP2004273911A - 極細線回路プリント配線板の製造方法。

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Publication number: JP2004273911A
Application number: JP2003064949A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Ikeguchi; 信之池口; Hiroyuki Mishima; 裕之三島
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 2003-03-11
Filing date: 2003-03-11
Publication date: 2004-09-30

Abstract

【課題】ライン／スペース＝２５／２５μｍ以下で銅箔接着力の優れた極細線回路を有するプリント配線板を得る。
【解決手段】少なくとも２層以上の銅の層を有する銅張積層板の銅箔として、キャリア金属箔付きのマット面凹凸を省く銅箔の厚さが２μｍ以下でマット面の凹凸の平均粗度Ｒｚ２〜４μｍの銅箔を貼った銅張積層板の表面のキャリア金属箔を剥離後にパターンメッキ法にて極細線回路を作製する。小径孔は銅箔を加工するに十分な炭酸ガスレーザーのパルスエネルギー、好適には３〜１９ｍＪのエネルギーから選ばれる１つのエネルギーを直接銅張積層板上に照射してブラインドビア孔及び／又は貫通孔を形成する。
【効果】銅箔表面処理を施すこともなく、直接炭酸ガスレーザーを照射することにより小径孔が形成でき、更に銅箔接着力に優れ、歩留まり良く極細線回路を形成したプリント配線板を得ることができた。

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、キャリア金属箔に付着させた厚さ２μｍ以下の薄銅箔を最外層に貼った後、表面のキャリア金属箔を剥離して得られる２層以上の銅の層を有する銅張積層板を用いた極細線回路プリント配線板の製造方法であり、極細線回路を形成し、更に炭酸ガスレーザーを直接照射してブラインドビア孔及び／又は貫通孔を形成して得られた両面プリント配線板、多層プリント配線板は、高密度の小型プリント配線板として、半導体プラスチックパッケージ、マザーボード用等に使用される。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体プラスチックパッケージ等に用いられる高密度のプリント配線板において、極細線を形成する場合、（セミ）アディティブ法にて極細線回路を作製していた（例えば、非特許文献１、２参照。）。この場合には、樹脂組成物中に薬品で溶解する成分を配合するために耐熱性、耐薬品性、信頼性等に劣り、又メッキの接着力にも劣っていた。一方、ブラインドビア孔を形成する場合、厚さ３〜７μｍの薄い銅箔の上に数〜１０μｍの凹凸の多いメッキ層を付着させ、この上にレーザー光のエネルギーを吸収させる合成樹脂で被覆した後、レーザーをこの上から照射して孔あけし（例えば、特許文献１参照。）、プリント配線板としていたが、これは孔あけ工程が長く、作業性に劣り、更に極細線回路形成において銅箔の厚みが厚く、細線幅形成に限度があった。更に表層の銅箔に予め所定の方法で所定の大きさの孔を銅箔をエッチング等で除去してあけておき、この部分に炭酸ガスレーザーを照射して絶縁層を加工してブラインドビア孔をあけていた（例えば、特許文献２、３参照。）。この場合、予め銅箔に孔をあけておく工程が必要であり、作業性が悪いなどの欠点があった。又、黒色酸化銅処理等の処理を銅箔表面に施し、この上から炭酸ガスレーザーを直接照射してブラインドビア孔をあける方法が知られている（例えば特許文献４参照。）が、この場合、表面処理をこすったりすると表面処理が取れやすく、孔形状のばらつきが発生し易い欠点があった。
【０００３】
【特許文献１】特許第２８８１５１５号公報
【特許文献２】特許第２８０５２４２号公報
【特許文献３】特開２０００−３１６４０号公報
【特許文献４】特開昭６１−１７６１８６号公報
【非特許文献１】「フルアディティブＦｉｎｅＡＴ法プリント配線板」、サーキットテクノロジー、Ｖｏｌ．６、Ｎｏ．２、Ｐ．７８−８２、プリント回路学会（１９９１）
【非特許文献２】「高密度配線形成のためのアディティブ技術（２）」、サーキットテクノロジー、Ｖｏｌ．７、Ｎｏ．６、Ｐ．３８６−４０１、プリント回路学会（１９９２）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、以上の問題点を解決した、サブトラクティブ法にて極細線を形成し、更に小径のブラインドビア孔及び／又は貫通孔を直接銅張積層板の上に炭酸ガスレーザーを照射して形成した極細線回路を有する高密度プリント配線板を製造する方法を提供するものである。
【０００５】
【発明が解決するための手段】
キャリア金属箔を付着させた厚さが２μｍ以下の一般の銅箔を少なくとも最外層に張ってから、キャリア金属箔を剥離後、この銅張積層板の表面から、銅箔を加工するに十分な炭酸ガスレーザーのパルスエネルギーから選ばれる１つのエネルギー、好適には３〜１９ｍＪのエネルギーを銅箔上に直接照射して孔径６０〜１８０μｍのブラインドビア孔及び／又は貫通孔を形成する。又、この上にパターンメッキ用レジストを形成して銅メッキを施してからレジストを剥離し、フラッシュエッチングにてライン幅２５μｍ以下の極細線回路を形成し、高密度プリント配線板とする。従来の公知の厚さ３〜５μｍの極薄銅箔の場合、マット面の凹凸が２μｍ未満と小さく、極細線とした場合には接着力が低い等の欠点が見られたが、本発明ではマット面の凹凸をＲｚで２〜４μｍとすることにより、極細線回路でも接着力の高いものが得られる。なお、銅箔の厚みはマット面の凹凸を除いた厚みとする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明は、銅張積層板としてキャリア金属箔を付着させた厚さが２μｍ以下で、好適にはマット面の凹凸がＲｚで２〜４μｍとした一般の銅箔を少なくとも最外層に張った両面銅張積層板、多層銅張積層板を使用する。小径孔あけはレーザー、特に炭酸ガスレーザーを用い、少なくとも表層のキャリア金属箔を剥離後、この銅張積層板の表面から、銅箔を加工するに十分な炭酸ガスレーザーのパルスエネルギーから選ばれる１つのエネルギー、好適には３〜１９ｍＪのエネルギーを銅箔上に直接照射して孔径６０〜１８０μｍのブラインドビア孔及び／又は貫通孔を形成する。又、極細線回路を形成する場合、銅張積層板上にパターンメッキ用レジストを形成して銅メッキをしてからレジストを剥離し、フラッシュエッチングにてライン幅２５μｍ以下の極細線回路を形成し、高密度プリント配線板とする。
【０００７】
厚さの薄い銅箔を少なくとも最外層に張った銅張積層板の銅箔表面には炭酸ガスレーザー孔あけ用の処理、例えば黒色酸化銅処理等は施さなくても孔あけ可能であるが、必要に応じて処理しても良い。２μｍ以下の薄い銅箔は、キャリアとなる金属箔に薄い銅箔を接着させたものを使用し、積層成形後に、少なくとも炭酸ガスレーザーを照射する表面はキャリア金属箔を剥離後に、この上から銅箔を加工するに十分なエネルギーの炭酸ガスレーザーを直接照射してブラインドビア孔及び／又は貫通孔を形成する。貫通孔を形成する場合は表面のキャリア金属箔は除去するが、裏面のキャリア金属箔は除去しても、除去しなくても貫通孔を形成可能である。この際は、表面の薄銅箔を貫通して、絶縁層を加工後に裏面の薄銅箔を貫通し、裏面銅箔のキャリア金属箔で炭酸ガスレーザービームが止まった時点でレーザーの照射を止め、その後に裏面の金属キャリア箔を除去することにより、裏面にバックアップシートを使用しないで済む。もちろん、表面のキャリア金属箔を張ったまま孔あけ可能であり、この場合は特に金属としてアルミニウムを使用するのが好ましい。孔あけ後は、表層のキャリア金属箔は物理的または化学的に除去する。
【０００８】
キャリア金属箔は一般に公知のものが使用でき、例えばアルミニウム、銅箔等が好適に使用される。この金属箔は積層してからエッチングして溶解除去する方法、手で剥離する方法等、手段は選ばない。
【０００９】
本発明で使用する、キャリア金属箔に接着した銅箔は、一般に公知の方法で製造されたものが使用できる。例えば、三井金属鉱業（株）のＭｉｃｒｏ−ｔｈｉｎ箔（５μｍ）、Ｍｉｃｒｏ−ｔｈｉｎ箔（３μｍ）等を作製する手法で製造できる。
【００１０】
本発明で使用する銅張積層板は、２層以上の銅の層を有する銅張積層板であり、熱硬化性樹脂銅張積層板としては、無機、有機基材の公知の熱硬化性銅張積層板、その多層銅張積層板、表層に樹脂付き銅箔シートを使用した多層銅張積層板等、一般に公知の構成の多層銅張積層板、また、ポリイミドフィルム、ポレエステルフィルム、ポリパラバン酸フィルム、全芳香族ポリアミドフィルム、液晶ポリエステルフィルム等の基材の銅張積層板が挙げられる。
【００１１】
基材補強銅張積層板は、まず補強基材に熱硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥させてＢステージとし、プリプレグを作製する。次に、このプリプレグを所定枚数重ね、その外側にキャリア金属箔付き銅箔を配置して、加熱、加圧下に積層成形し、銅張積層板とする。多層銅張積層板は、この両面銅張積層板の銅箔を加工して回路を形成し、銅箔表面を化学処理して内層板を作製し、この外側にプリプレグ、またはＢステージ樹脂シート等を置いて、キャリア金属箔付き薄銅箔をその外側に配置し、積層成形するか、或いはキャリア金属箔付き薄銅箔付きＢステージ樹脂シートを内層板の外側に配置し、積層成形して多層銅張積層板とする。
【００１２】
基材としては、一般に公知の、有機、無機の織布、不織布が使用できる。具体的には、無機の繊維としては、具体的にはＥ、Ｓ、Ｄ、Ｍ、ＮＥガラス等の繊維等が挙げられる。又、有機繊維としては、全芳香族ポリアミド、液晶ポリエステル等一般に公知の繊維等が挙げられる。これらは、混抄でも良い。また、フィルム基材も挙げられる。
【００１３】
本発明で使用される熱硬化性樹脂組成物の樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用される。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エステル樹脂、多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられ、１種或いは２種類以上が組み合わせて使用される。出力の高い炭酸ガスレーザー照射による加工でのスルーホール形状の点からは、ガラス転移温度が１５０℃以上の熱硬化性樹脂組成物が好ましく、耐湿性、耐マイグレーション性、吸湿後の電気的特性等の点から多官能性シアン酸エステル樹脂組成物が好適である。
【００１４】
本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に２個以上のシアナト基を有する化合物である。具体的に例示すると、１，３−又は１，４−ジシアナトベンゼン、１，３，５−トリシアナトベンゼン、１，３−、１，４−、１，６−、１，８−、２，６−又は２，７−ジシアナトナフタレン、１，３，６−トリシアナトナフタレン、４，４−ジシアナトビフェニル、ビス（４−ジシアナトフェニル）メタン、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモー４−シアナトフェニル）プロパン、ビス（４−シアナトフェニル）エーテル、ビス（４−シアナトフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアナトフェニル）スルホン、トリス（４−シアナトフェニル）ホスファイト、トリス（４−シアナトフェニル）ホスフェート、およびノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られるシアネート類、シアナト化ポリフェニレンエーテル樹脂等である。これらの公知のＢｒ付加化合物も挙げられる。
【００１５】
これらのほかに特公昭４１−１９２８、同４３−１８４６８、同４４−４７９１、同４５−１１７１２、同４６−４１１１２、同４７−２６８５３及び特開昭５１−６３１４９等に記載の多官能性シアン酸エステル化合物類も用いられ得る。また、これら多官能性シアン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって形成されるトリアジン環を有する分子量４００〜６，０００のプレポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ルイス酸等の酸類；ナトリウムアルコラート等、第三級アミン類等の塩基；炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒として重合させることにより得られる。このプレポリマー中には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーとプレポリマーとの混合物の形態をしており、このような原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶な有機溶剤に溶解させて使用する。
【００１６】
エポキシ樹脂としては、一般に公知のものが使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂；ブタジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシクロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリエポキシ化合物類；ポリオール、エポキシ化ポリフェニレンエーテル樹脂、水酸基含有シリコン樹脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリグリシジル化合物類等が挙げられる。また、これらの公知のＢｒ付加樹脂、リン含有エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種或いは２種類以上が組み合わせて使用され得る。
【００１７】
ポリイミド樹脂としては、一般に公知のものが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類とポリアミン類との反応物、特公昭５７−００５４０６に記載の末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。
【００１８】
これらの熱硬化性樹脂は、単独でも使用されるが、特性のバランスを考え、適宜組み合わせて使用するのが良い。
【００１９】
本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の添加物を配合することができる。これらの添加物としては、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマー類及びそのプレポリマー類；ポリブタジエン、エポキシ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量のｅｌａｓｔｉｃなゴム類；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリ−４−メチルペンテン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、スチレン−イソプレンゴム、アクリルゴム、これらのコアシェルゴム、ポリエチレン−プロピレン共重合体、４−フッ化エチレン−６−フッ化エチレン共重合体類；ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド等の高分子量プレポリマー若しくはオリゴマー；ポリウレタン等が例示され、適宜使用される。また、その他、公知の有機、無機の充填剤、染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリング剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チキソ性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み合わせて用いられる。必要により、反応基を有する化合物は硬化剤、触媒が適宜配合される。
【００２０】
特に孔形状を良好にするためは無機の充填剤が好適に添加される。例えば、シリカ、球状シリカ、アルミナ、タルク、焼成タルク、ウォラストナイト、合成雲母、水酸化アルミニウム等の一般に公知のものが使用される。更に、これらの針状のもの等、公知の形状のものも使用できる。
【００２１】
本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱硬化触媒を用いる。使用量は、熱硬化性樹脂１００重量部に対して０．００５〜１０重量部、好ましくは０．０１〜５重量部である。
【００２２】
炭酸ガスレーザーは、赤外線波長域にある９．３〜１０．６μｍの波長が一般に使用される。エネルギーは特に限定は無く銅箔の厚さにより適宜選択する。好適には３〜１９ｍＪ、更に好適には４〜１５ｍＪにてパルス発振で銅箔を加工し、孔径６０〜１８０μｍのブラインドビア孔及び／又は貫通孔をあける。エネルギーは孔あけの途中で変えることも可能である。もちろんＵＶレーザー、ＹＡＧレーザーも使用可能であり、孔径２０〜８０μｍを好適にあける。
【００２３】
フラッシュエッチングで使用する薬液は特に限定はないが、例えば、特開平０２−２２８８７、同０２−２２８９６、同０２−２５０８９、同０２−２５０９０、同０２−５９３３７、同０２−６０１８９、同０２−１６６７８９、同０３−２５９９５、同０３−６０１８３、同０３−９４４９１、同０４−１９９５９２、同０４−２６３４８８で開示された、薬品で金属表面を溶解除去する方法（ＳＵＥＰ法と呼ぶ）による。エッチング速度は、一般には０．０２〜１．０μｍ／秒で行う。
【００２４】
【実施例】
以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表す。
（実施例１）
２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン９００部、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン１００部を１５０℃に溶融させ、撹拌しながら４時間反応させ、プレポリマーを得た。これをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解した。これにビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：エピコート１００１、ジャパンエポキシレジン＜株＞製）４００部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＥＳＣＮ−２２０Ｆ、住友化学工業＜株＞製）６００部を加え、均一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛０．４部を加え、溶解混合し、これに無機充填剤（商品名：タルク、日本タルク＜株＞製）１０００部を加え、均一撹拌混合してワニスＡを得た。このワニスを厚さ１００μｍのガラス織布に含浸し１５０℃で乾燥して、ゲル化時間（ａｔ１７０℃）１００秒、樹脂組成物の含有量が５０重量％のプリプレグ（プリプレグＢ）を作成した。厚さ３５μｍのキャリア銅箔の片面に２μｍの電解銅箔を付着させた銅箔（マット面平均粗度Ｒｚ３．４μｍ）を密着させて張ったものを上記プリプレグＢ２枚の両面に配置し、２００℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ^２、３０ｍｍＨｇ以下の真空下で２時間積層成形し、両面銅張積層板Ｃを得た。
【００２５】
この銅張積層板Ｃの表面の３５μｍのキャリア銅箔を剥離し、裏面の保護銅板はそのままにして、表面から炭酸ガスレーザーパルスエネルギー１０ｍＪで２ショット照射して孔径１００μｍの貫通孔をあけた。裏面に張ってあるキャリア銅箔を剥離し、デスミア処理を行い、厚さ２０μｍのメッキレジストを付着させ、露光、現像を行って幅１４μｍ、スペース２６μｍのレジストを残した後、無電解銅メッキ０．３μｍ、電解銅メッキ１９μｍ付着させた後、メッキレジストを剥離除去し、全体をＳＵＥＰ法にてフラッシュエッチングしてライン／スペース＝２０／２０μｍの回路を形成し、プリント配線板とした。評価結果を表１に示す。
【００２６】
（実施例２）
エポキシ樹脂（商品名：エピコート５０４５、ジャパンエポキシレジン＜株＞製）７００部、及びエポキシ樹脂（商品名：ＥＳＣＮ２２０Ｆ）３００部、ジシアンジアミド３５部、２−エチル−４−メチルイミダゾール１部をメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解し、さらに実施例１の焼成タルクを８００部を加え、強制撹拌して均一分散し、ワニスＤを得た。これを厚さ２０μｍのガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間１５０秒、樹脂組成物含有量７０重量％のプリプレグ（プリプレグＥ）及びゲル化時間１７８秒、樹脂組成物含有量８０重量％のプリプレグ（プリプレグＦ）を作成した。このプリプレグＥを４枚使用し、厚さ１２μｍの一般の電解銅箔を両面に置き、１９０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ^２、３０ｍｍＨｇ以下の真空下で２時間積層成形して両面銅張積層板Ｇを作製した。この両面に回路を形成し、黒色酸化銅処理を施し、この両面に上記プリプレグＦを各１枚配置し、その外側に厚さ１．０μｍの一般の電解銅箔のシャイニー面側に３５μｍのキャリア電解銅箔を接着して張った銅箔（マット面平均粗度Ｒｚ３．０μｍ）を配置して同様に積層成形し、４層板を作製した。キャリア銅箔を剥離後、炭酸ガスレーザーエネルギー７ｍＪで１ショット照射して、孔径１００μｍのブラインドビア孔をあけた。デスミア処理後に、無電解銅メッキ０．３μｍ、更に電解銅メッキ１μｍ付着させてから、この上にパターンメッキ用レジストを厚さ２０μｍ付着させ、露光、現像して幅１０μｍ、スペース２０μｍとし、これに電解銅メッキ０．４μｍ、電解銅メッキを厚さ１９μｍ付着させ、メッキレジストを除去後にＳＵＥＰ法にてフラッシュエッチングして、ライン／スペース＝１５／１５μｍの回路を作製し、プリント配線板とした。評価結果を表１に示す。
【００２７】
（比較例１）
実施例１のプリプレグＢ２枚を用い、この両面に厚さ３５μｍの銅箔をキャリアとして使用した厚さ５μｍの極薄銅箔（商品名：Ｍｉｃｒｏ−ｔｈｉｎ箔、三井金属鉱業＜株＞製）を配置し、同様に積層して銅張積層板Ｈを作製し、この表層のキャリア銅箔を剥離除去後、同様に炭酸ガスレーザーで孔あけし、メッキレジストを付着させて同様に加工し、ライン／スペース＝２０／２０μｍの回路を作製した。評価結果を表１に示す。
【００２８】
（比較例２）
実施例２において、内層板の両面に厚さ３５μｍの銅箔をキャリアとして使用した厚さ３μｍの極薄銅箔（商品名：Ｓｕｐｅｒ−ｔｈｉｎ箔、三井金属鉱業＜株＞製）を配置し、同様に積層して４層板Ｉを作製し、この表層のキャリア銅箔を剥離除去後、同様に炭酸ガスレーザーで孔あけし、メッキレジストを付着させて同様に加工し、ライン／スペース＝１５／１５μｍの回路を作製した。評価結果を表１に示す。
【００２９】
（比較例３）
実施例２において、４層板の表層に１２μｍの一般の電解銅箔を使用して得られたサイズ５００ｘ５００ｍｍの４層銅張積層板を塩化第二鉄溶液にて銅箔の厚さ１．０μｍまでエッチングしたところ、中央部は１．０±０．３μｍであったが、端部の方は銅箔がエッチング除去されて絶縁層が露出していた。これを用いて同様にプリント配線板とした。評価結果を表１に示す。
【００３０】
（比較例４）
２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパンモノマーを４００部１５０℃に溶融させ、撹拌しながら４時間反応させ、平均分子量１，９００のプレポリマーを得た。これをメチルエチルケトンに溶解し、ワニスＪとした。これに室温で液状のエポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：エピコート８２８、ジャパンエポキシレジン＜株＞製）１５０部、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＥＸＡ８３０ＬＶＰ、大日本インキ化学工業＜株＞製）１００部、ノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＤＥＮ４３８、ダウケミカル＜株＞製）１００部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＥＳＣＮ２２０Ｆ、住友化学工業＜株＞製）１００部を配合し、熱硬化触媒としてアセチルアセトン鉄０．３部をメチルエチルケトンに溶解して加えた。これに液状のエポキシ化ポリブタジエン樹脂（商品名：Ｅ−１０００−８．０、日本石油化学＜株＞製）１００部、エポキシ基変性アクリル多層構造粉体（商品名：スタフィロイドＩＭ−２０３、平均粒子径０．３μｍ）５０部、球状シリカ（平均粒径：０．８μｍ）２００部を加え、良く攪拌混合して均一なワニスＫにした。
【００３１】
このワニスＫを連続して厚さ２５μｍの凹凸が付いたＰＥＴフィルムＣの凹凸面（凹凸１．０〜４．３μｍ、平均粗度Ｒｚ：３．５μｍ）に塗布、乾燥して離型フィルムのＭａｘ．凸部の先端から３０μｍの高さのＢステージ樹脂組成物層（１７０℃でのゲル化時間４６秒）を形成し、乾燥ゾーンから出てきた時点で樹脂側に厚さ２０μｍの保護ポリロピレンフィルムを配置し、１００℃、４ｋｇｆ／ｃｍの線圧でラミネートして離型フィルム付きＢステージ樹脂組成物シートＬを作製した。一方、内層板として絶縁層厚さ０．２ｍｍ、１２μｍ両面銅箔のＢＴレジン銅張積層板（商品名：ＣＣＬ−ＨＬ８３０、三菱ガス化学＜株＞製）に回路を形成し、黒色酸化銅処理を銅箔に施した板の両面に、上記離型フィルム付きＢステージ樹脂組成物シートＭを、保護フィルムを剥離しながら樹脂層が内層板側を向くように両面に配置し、プレス装置に仕込んだ後、室温から１７０℃まで２５分で温度を上げ、圧力は最初から１５ｋｇｆ／ｃｍ^２とし、真空度は０．５Ｔｏｒｒで１７０℃にて３０分保持した後、冷却して取り出し、４層の多層板Ｎを得た。この表面の離型ＰＥＴフィルムを除去後、過マンガン酸カリウム系デスミア溶液（日本マクダーミッド＜株＞）で膨潤、デスミア（溶解）、中和して、表層からの凹凸合計で２．０〜４．７μｍ（平均粗度Ｒｚ：３．０μｍ）、とした。次に、この粗化表面に無電解銅メッキ層を１．０μｍ付着させ、この上から炭酸ガスレーザー出力６ｍＪで１ショット照射して孔径１００μｍのブラインドビア孔をあけた。これを再度デスミア処理を行い、ブラインドビア孔底部に残存している樹脂層を溶解除去した後、無電解銅メッキを０．５μｍ付着させ、加熱炉に入れて１００℃から徐々に温度を３０分で１５０℃まで上げ、更に徐々に温度を上げて１９０℃で６０分加熱硬化した。この上にパターンメッキ用レジストを厚さ２０μｍ付着させ、露光、現像して幅１０μｍ、スペース２０μｍとし、これに電解銅メッキを厚さ１９μｍ付着させ、メッキレジストを除去後にＳＵＥＰ法にてフラッシュエッチングして、ライン／スペース＝１５／１５μｍの回路を作製し、プリント配線板とした。評価結果を表１に示す。
【００３２】

【００３３】
＜測定方法＞
１）表層銅箔の厚み公差：銅箔断面より測定した。銅箔の厚みはマット面の凹凸を除いた厚みとした。
２）銅箔接着力：幅を１０ｍｍとし、ＪＩＳＣ６４８１に準じて測定した。
３）回路の不良率：実施例、比較例において作製したライン／スペース＝２０／２０μ、または１５／１５μを持つプリント配線板１００枚を作製し、回路のショート、切断のある数を不良率で示した。
４）ガラス転移温度：ＪＩＳＣ６４８１のＤＭＡ法に準じて測定した。
５）耐マイグレーション性：各実施例、比較例において、ライン／スペース＝２０／２０μｍの櫛形回路を５０個作製してこれを接続し、この上に黒色酸化銅処理を施した後、この上にそれぞれの実施例、比較例で使用したプリプレグ、樹脂シートを配置して積層し、同様に硬化させた。これを用いて、８５℃・８５％ＲＨ・５０ＶＤＣ印加し、絶縁抵抗値を測定した。
【００３４】
【発明の効果】
キャリア金属箔付きの厚さ２μｍ以下で、好適にはマット面の平均粗度Ｒｚ２〜４μｍの一般銅箔を貼った銅張積層板の少なくともレーザー照射側の表面のキャリア金属箔を剥離後、この銅表面に銅箔を加工するに十分な炭酸ガスレーザーのパルスエネルギー、好適には３〜１９ｍＪから選ばれる１つのエネルギーを直接照射してブラインドビア孔及び／又は貫通孔を形成することにより、表面の銅箔の表面処理を施す必要もないために作業性に優れ、且つ得られた孔は信頼性に優れたものが得られた。又、これを用いてパターンメッキ法にてライン／スペース＝２５／２５μｍ以下の銅箔接着力に優れた細線回路を不良率なく形成でき、高密度のプリント配線板を製造することができた。

Claims

キャリア金属箔付きの厚さ２μｍ以下の薄銅箔を最外層に貼って得られた銅張積層板のキャリア金属箔を剥離後、パターンメッキ法にて極細線回路を作製することを特徴とする極細線回路プリント配線板の製造方法。
該極細線回路幅が２５μｍ以下である請求項１記載の極細線回路プリント配線板の製造方法。
該キャリア金属箔を剥離した銅張積層板の表面から、銅箔を加工するに十分なパルスエネルギーから選ばれる１つの炭酸ガスレーザーエネルギーをパルス発振により直接照射し、少なくとも２層以上の銅張積層板にブラインドビア孔及び／又は貫通孔を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の極細線回路プリント配線板の製造方法。
該炭酸ガスレーザーパルスエネルギーが３〜１９ｍＪである請求項１、２又は３記載の極細線回路プリント配線板の製造方法。
該薄銅箔の厚さが１〜２μｍであり、マット面の平均粗度Ｒｚが２〜４μｍであることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の極細線回路プリント配線板の製造方法。