JP2004272056A

JP2004272056A - アクティブマトリクスｅｌｄの画素駆動回路

Info

Publication number: JP2004272056A
Application number: JP2003064748A
Authority: JP
Inventors: Wei-Chieh Hsueh; ▲うぇい▼傑薛
Original assignee: Toppoly Optoelectronics Corp
Current assignee: TPO Displays Corp
Priority date: 2003-03-11
Filing date: 2003-03-11
Publication date: 2004-09-30

Abstract

【課題】アクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路において、記憶状態時と放出状態時の有機発光ダイオードを流れる電流がほぼ等しくなるようにして発光強度が変わらないようにする。
【解決手段】記憶状態時に駆動電流がコンデンサ上に特定の電圧を発生し、放出状態時にはコンデンサ上の特定電圧を利用してトランジスタと有機発光ダイオード上にバイアスを印加する。有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造を利用すると、記憶状態時または放出状態時に有機発光ダイオードを流れる電流はほぼ等しくなる。
【選択図】図４

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明はディスプレイパネルの駆動回路に関するものであり、特にアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
製造工程が複雑で、それ自身は発光せず、背景光源を必要とする液晶ディスプレイ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）と比較した場合、有機発光ダイオード（ＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）ディスプレイには、製造工程は簡単で、視覚は広く、コストは低く、厚さは薄く、操作温度範囲は広く、それ自身が発光することができるなどの利点が備わっている。そのため、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイはアクティブマトリクスＥＬＤ中の画素とすることができ、すでに徐々に液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に取って代わっている。
【０００３】
図１に示されているのは、公知の有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造である。公知の有機発光ダイオードディスプレイの各画素は２個のトランジスタと１個のコンデンサ（２Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている。そのうち、トランジスタＭ１のゲート電極はゲート制御ライン１０に接続しており、別の二端はそれぞれデータライン２０とトランジスタＭ２のゲート電極に接続している。トランジスタＭ２のソース電極は電圧源（Ｖｄｄ）に接続し、ドレイン電極は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のＰ極端に接続している。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のＮ極端は接地電圧（ＧＮＤ）に接続している。コンデンサＣｓはトランジスタＭ２のソース電極とゲート電極との間に接続している。
【０００４】
ゲート制御ライン１０が作動時、トランジスタＭ１は一つのスイッチをオンとし、その際に駆動電圧はデータライン２０から入力されるとともに急速にコンデンサＣｓ中に蓄積される。駆動電圧がコンデンサＣｓに入力されると同時に、当該駆動電圧はトランジスタＭ２に対してバイアスを発生するため、固定電流Ｉｄが有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を通過して、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を発光させる。
【０００５】
前記によれば、図１の有機発光ダイオード画素駆動回路は電圧駆動である。駆動電圧を利用することによりトランジスタＭ２にバイアスを発生させるとともに、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を発光させる。周辺回路をディスプレイ中に整合させるため、大部分の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ画素駆動回路のトランジスタは低温多結晶シリコン（ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＰｏｌｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ：ＬＴＰＳ）製造工程を利用して完成された薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）である。しかし、この種の薄膜トランジスタは製造工程の問題により、その閾値電圧と移動度（Ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が一定程度で変動する。そのためコンデンサＣｓに入力される駆動電圧は同一であるが大きさが異なる電流が生成される。従って、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を流れる電流が異なるため、発光強度も異なる結果となる。
【０００６】
図２に示されているのは、また別の公知の有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造である。当該回路は電流駆動の画素駆動回路である。当該有機発光ダイオードディスプレイの各画素は４個のトランジスタと１個のコンデンサ（４Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている。そのうち、トランジスタＭ１のゲート電極は第一走査ライン（Ｓｃａｎ１）３０に接続し、別の二端はそれぞれデータライン５０とトランジスタＭ３のドレイン電極に接続している。トランジスタＭ２のゲート電極は第一走査ライン３０に接続し、別の二端はそれぞれデータライン５０とトランジスタＭ３のゲート電極に接続している。トランジスタＭ３のソース電極は電源（Ｖｄｄ）に接続し、ドレイン電極はトランジスタＭ４のソース電極に接続している。トランジスタＭ４のゲート電極は第二走査ライン（Ｓｃａｎ２）４０に接続し、ドレイン電極は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のＰ極端に接続している。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のＮ極端は接地電圧（ＧＮＤ）に接続している。コンデンサＣｓはトランジスタＭ３のソース電極とゲート電極との間に接続している。
【０００７】
当該回路構造は二つの状態に分けることができ、それぞれ第一走査ライン３０と第二走査ライン４０とにより制御される。そのうち第一走査ライン３０と第二走査ライン４０の信号は同一クロック信号である。高レベルの際には、第一走査ライン３０が作動して、トランジスタＭ１、Ｍ２がオンとなり、低レベルの際には、第二走査ライン４０が作動し、Ｍ４がオンとなる。
【０００８】
第一状態は記憶状態（ＭｅｍｏｒｉｚｉｎｇＳｔａｔｅ）であり、第一走査ライン３０が作動し、第二走査ライン４０は作動していない場合、トランジスタＭ１、Ｍ２はスイッチがオンとなり、トランジスタＭ４はオフとなる。その際、駆動電流は電圧源（Ｖｄｄ）からコンデンサＣｓに対して充電するとともに、電圧を発生する。駆動電流がコンデンサＣｓに充電すると同時に、コンデンサＣｓ上の電圧がトランジスタＭ３に対してバイアスを発生するため、駆動電流Ｉｄ１（Ｉｄ２はゼロ）がトランジスタＭ３、Ｍ１を介してデータライン５０まで流れる。
【０００９】
第二状態は放出状態（ＥｍｉｓｓｉｏｎＳｔａｔｅ）であり、第一走査ライン３０は作動せず、第二走査ライン４０が作動している場合、トランジスタＭ１、Ｍ２はオフとなり、トランジスタＭ４はスイッチがオンとなる。その際、コンデンサＣｓに蓄積された電圧によりトランジスタＭ３にバイアスが印加されて電流Ｉｄ２（Ｉｄ１はゼロ）が生成され、併せてトランジスタＭ４を介して有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を流れて、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を発光させる。
【００１０】
前記によれば、図２の有機発光ダイオードの画素駆動回路は第一走査ライン３０の作動により駆動電流を利用してコンデンサＣｓに充電されて電圧が生成されるとともにトランジスタＭ４にバイアスが印加されることにより、駆動電流（Ｉｄ１）がトランジスタＭ１を介してデータライン５０まで出力される。その際は記憶状態である。そして第二走査ライン４０の作動時が放出状態であり、トランジスタＭ１、Ｍ２はすでにオフとなっているため、電流（Ｉｄ２）はトランジスタＭ４と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とを流れる。
【００１１】
前記の４個のトランジスタと１個のコンデンサ（４Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている有機発光ダイオード画素駆動回路を２個のトランジスタと１個のコンデンサ（２Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている有機発光ダイオード画素駆動回路と比較した場合、その利点は閾値電圧と移動度の問題を補償することができることにある。ところで、図３に示されているのは４個のトランジスタと１個のコンデンサ（４Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている有機発光ダイオード画素駆動回路が両状態にある場合の電流曲線図であるが、記憶状態と放出状態とにある際、トランジスタＭ３のドレイン電極端（ノードａ）の等価抵抗が異なるため、当該両状態における電流（Ｉｄ１とＩｄ２）は大きさが異なる結果となる。図３によれば、トランジスタＭ３の異なるバイアス（Ｖ_Ｃｓ１〜Ｖ_Ｃｓ１０）は両状態において異なる電流（Ｉｄ１とＩｄ２）を生成する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造を提供することにあり、記憶状態と放出状態において有機発光ダイオードを流れる電流がほぼ等しくなるようにして発光強度が変わらないようにすることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明ではアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路が提供されており、そこでは第一走査ラインと第二走査ラインとの作動に基づきデータラインから駆動電圧が入力される。当該駆動回路には、トランジスタと、一端が当該トランジスタのゲート電極に接続し、別の一端が接地電圧に接続しているコンデンサと、Ｐ極端が当該トランジスタのソース電極に接続し、Ｎ極端が接地電圧に接続している有機発光ダイオードとが備わり、そのうち、記憶状態時には、駆動電流がコンデンサを充電して特定電圧を生成することによりトランジスタと有機発光ダイオードとにバイアスを印加し、放出状態時には、当該特定電圧を利用して当該トランジスタと当該有機発光ダイオードとにバイアスが印加される。
【００１４】
また本発明では別のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路が提供されており、そこでは第一走査ラインと第二走査ラインとの作動に基づきデータラインから駆動電圧が入力される。当該駆動回路には、トランジスタと、一端が当該トランジスタのゲート電極に接続し、別の一端が電圧源に接続しているコンデンサと、Ｐ極端が当該電圧源に接続し、Ｎ極端がトランジスタのソース電極に接続している有機発光ダイオードとが備わり、記憶状態時には、駆動電流がコンデンサを充電して特定電圧を生成することによりトランジスタと有機発光ダイオードとにバイアスを印加し、放出状態時には、当該特定電圧を利用して当該トランジスタと当該有機発光ダイオードとにバイアスが印加される。
【００１５】
更に本発明ではアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動方法が提供されており、それには第一走査ラインが作動時に、電流経路を形成して駆動電流によりコンデンサに特定電圧を発生させる段階と、第二走査ラインが作動時に、当該特定電圧を利用してバイアス電流を充電するとともに有機発光ダイオードに流通させる段階とが備わり、そのうち、当該特定電圧は直列接続しているトランジスタのゲート電極と有機発光ダイオードとの間にバイアスを印加し、駆動電流とバイアス電流はほぼ等しくなる。
【００１６】
審査官各位に本発明の特徴と技術的内容をより一層理解して頂くために、以下では添付図に基づき本発明について詳細に説明する。しかし図面は参考並びに説明用であり、本発明を制限するものではない。
【００１７】
【発明の実施の形態】
公知のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路に備わる問題点を改善するため、本発明では有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造が提供されている。
【００１８】
図４に示されているのは、本発明における有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の実施例１である。当該有機発光ダイオードディスプレイの各画素は４個のトランジスタと１個のコンデンサ（４Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている。そのうち、トランジスタＭ１のゲート電極は第一走査ライン（Ｓｃａｎ１）１３０に接続し、別の二端はそれぞれデータライン１５０とトランジスタＭ３のドレイン電極に接続している。トランジスタＭ２のゲート電極は第一走査ライン（Ｓｃａｎ１）１３０に接続し、別の二端はそれぞれトランジスタＭ３のドレイン電極とトランジスタＭ４のゲート電極に接続している。トランジスタＭ３のソース電極は電圧源（Ｖｄｄ）に接続し、ゲート電極は第二走査ライン１４０に接続している。トランジスタＭ４のゲート電極以外の二端はトランジスタＭ３のドレイン電極と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のＰ極端に接続している。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のＮ極端は接地電圧（ＧＮＤ）に接続している。コンデンサＣｓはトランジスタＭ４のゲート電極と接地電圧との間に接続している。
【００１９】
当該回路構造は二つの状態に分けることができ、それぞれ第一走査ラインと第二走査ラインとにより制御される。そのうち第一走査ライン１３０と第二走査ライン１４０の信号は同一クロック信号である。高レベルの際には、第一走査ライン１３０が作動して、トランジスタＭ１、Ｍ２がオンとなり、低レベルの際には、第二走査ライン１４０が作動し、Ｍ３がオンとなる。
【００２０】
第一状態は記憶状態であり、第一走査ライン１３０が作動し、第二走査ライン１４０は作動していない場合、トランジスタＭ１、Ｍ２はスイッチがオンとなり、トランジスタＭ３はオフとなる。その際、駆動電流がデータライン１５０を介して入力されるとともにトランジスタＭ１、Ｍ２を経由して急速にコンデンサＣｓに特定電圧を充電する。コンデンサＣｓに充電すると同時に、当該特定電圧が同時にトランジスタＭ４と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とに対してバイアスを発生するため、駆動電流Ｉｄ１（Ｉｄ２はゼロ）がデータライン１５０を介して有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）まで流れ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を発光させる。
【００２１】
第二状態は放出状態であり、第一走査ライン１３０は作動せず、第二走査ライン１４０が作動している場合、トランジスタＭ１、Ｍ２はオフとなり、トランジスタＭ３はスイッチがオンとなる。その際、コンデンサＣｓに蓄積された特定電圧によりすでにトランジスタＭ４と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に対してバイアスが生成されているため、トランジスタＭ３が電流Ｉｄ２（Ｉｄ１はゼロ）を生成し、トランジスタＭ４を介して有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を流れ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を発光させる。
【００２２】
本発明の実施例によれば、記憶状態であるか放出状態であるかに拘らず、コンデンサＣｓ上の特定電圧が常にトランジスタＭ４と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のバイアスとなる。そのため、当該両状態において有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を流れる電流はほぼ等しくなる。つまりＩｄ１＝Ｉｄ２となる。従って公知の有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路における記憶状態と放出状態とでは大きさが異なる電流が生成されるという問題は、完全に解決されている。
【００２３】
図５に示されているのは、本発明における４個のトランジスタと１個のコンデンサ（４Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている有機発光ダイオード画素駆動回路が両状態にある場合のバイアス電流曲線図である。記憶状態と放出状態において、駆動電圧は常にトランジスタＭ４と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とに対するバイアスとなっているため、当該両状態におけるバイアス電流（Ｉｄ１とＩｄ２）の大きさは非常に接近する。図５によれば、トランジスタＭ４と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の各種異なるバイアスについて、両状態の変化時にもＩｄ１とＩｄ２との相互差はあまり大きくはない。
【００２４】
図６に示されているのは、本発明における本発明における有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の実施例２である。実施例１と比較した場合、トランジスタＭ２’のゲート電極は第一走査ライン（Ｓｃａｎ１）１３０に接続し、別の二端はそれぞれデータライン１５０とトランジスタＭ４のゲート電極に接続している。実施例２の両状態においても実施例１と同一の結果となり、特定電圧が同時にトランジスタＭ４と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とにバイアスを印加するため、両状態変化時のＩｄ１とＩｄ２はほぼ等しくなる。
【００２５】
図７に示されているのは、本発明における有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の実施例３である。当該有機発光ダイオードディスプレイの各画素は４個のトランジスタと１個のコンデンサ（４Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている。そのうち、トランジスタＭ５のゲート電極は第一走査ライン（Ｓｃａｎ１）１３０に接続し、別の二端はそれぞれデータライン１５０とトランジスタＭ７のドレイン電極に接続している。トランジスタＭ６のゲート電極は第一走査ライン（Ｓｃａｎ１）１３０に接続し、別の二端はそれぞれデータライン１５０とトランジスタＭ７のゲート電極に接続している。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のＰ極端は電圧源（Ｖｄｄ）に接続している。コンデンサＣｓはトランジスタＭ７のゲート電極と電圧源（Ｖｄｄ）との間に接続している。トランジスタＭ７のソース電極は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のＮ極端に接続している。トランジスタＭ８のゲート電極は第二走査ラインに接続し、別の二端はトランジスタＭ７のドレイン電極と接地電圧（ＧＮＤ）に接続している。
【００２６】
従って、記憶状態の際、トランジスタＭ５、Ｍ６はスイッチがオンとなり、トランジスタＭ８はオフとなる。その際、駆動電流が電圧源（Ｖｄｄ）から入力されるとともにトランジスタＭ６を介して急速にコンデンサＣｓに特定電圧を充電する。駆動電流がコンデンサＣｓに充電するとともに、当該特定電圧が同時にトランジスタＭ７と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とに対してバイアスを発生するため、駆動電流Ｉｄ１（Ｉｄ２はゼロ）が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）からデータライン１５０に流れ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を発光させる。放出状態の際には、トランジスタＭ５、Ｍ６はオフとなり、トランジスタＭ８はスイッチがオンとなる。その際、コンデンサＣｓに蓄積された特定電圧によりすでにトランジスタＭ７と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に対してバイアスが生成されているため、トランジスタＭ７が電流Ｉｄ２（Ｉｄ１はゼロ）を生成し、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を流れて、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を発光させる。当該両状態において有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を流れる電流はほぼ等しくなる。つまりＩｄ１＝Ｉｄ２となる。
【００２７】
図８に示されているのは、本発明における有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の実施例４である。実施例３と比較した場合、トランジスタＭ６’のゲート電極は第一走査ライン（Ｓｃａｎ１）１３０に接続し、別の二端はそれぞれトランジスタＭ５のドレイン電極とトランジスタＭ７のゲート電極に接続している。実施例４の両状態においても実施例３と同一の結果となり、特定電圧が同時にトランジスタＭ７と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とにバイアスを印加するため、両状態変化時のＩｄ１とＩｄ２はほぼ等しくなる。
【００２８】
従って、本発明の利点は前記の通り有機発光ダイオードディスプレイの駆動回路構造が提供されていることにある。本発明では記憶状態であるか放出状態であるかに拘らず、特定電圧が常にトランジスタと有機発光ダイオード上にバイアスを印加する。そのため、記憶状態または放出状態において有機発光ダイオードを流れる電流はほぼ等しくなる。
【００２９】
以上の通り、本発明ではすでに適正な実施例が披露されているが、それは決して本発明を限定するものではなく、当該技術に習熟しているものであれば、本発明の精神と範囲を離脱することなく、各種の変更と修飾を施すことが可能である。従って本発明の保護範囲については後半に添付の特許請求項を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】公知の有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の図。
【図２】公知のまた別の有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の図。
【図３】４個のトランジスタと１個のコンデンサ（４Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている有機発光ダイオード画素駆動回路が２種類の状態にある場合の電流曲線図。
【図４】本発明における有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の実施例１の図。
【図５】本発明において４個のトランジスタと１個のコンデンサ（４Ｔ１Ｃ）とが組み合わされて構成されている有機発光ダイオード画素駆動回路が２種類の状態にある場合の電流曲線図。
【図６】本発明における有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の実施例２の図。
【図７】本発明における有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の実施例３の図。
【図８】本発明における有機発光ダイオードディスプレイの画素駆動回路構造の実施例４の図。
【符号の説明】
１３０第一走査ライン
１４０第二走査ライン
１５０データライン
Ｍ４，Ｍ７トランジスタ
Ｃｓコンデンサ
ＯＬＥＤ有機発光ダイオード
Ｍ１，Ｍ５第一スイッチ
Ｍ２，Ｍ２’，Ｍ６，Ｍ６’ 第二スイッチ
Ｍ３，Ｍ８第三スイッチ

Claims

第一走査ラインと第二走査ラインの作動に基づきデータラインから駆動電流が入力されるアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路であり、
トランジスタと、
一端が当該トランジスタのゲート電極に接続し、別の一端が接地電圧に接続しているコンデンサと、
Ｐ極端が当該トランジスタのソース電極に接続し、Ｎ極端が当該接地電圧に接続している有機発光ダイオードとを備え、
記憶状態時には、当該駆動電流が当該コンデンサを充電して特定電圧を生成することにより当該トランジスタと当該有機発光ダイオードとにバイアスを印加し、放出状態時には、当該特定電圧を利用して当該トランジスタと当該有機発光ダイオードとにバイアスが印加されることを特徴とするアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
更に、当該第一走査ライン、当該データライン、当該トランジスタのゲート電極と当該トランジスタのドレイン電極とに接続している記憶状態回路が備わり、当該第一走査ラインが作動時に、当該駆動電流が当該データラインから入力されて当該コンデンサに当該特定電圧を充電することにより、当該駆動電流が当該データラインから当該トランジスタと当該有機発光ダイオードとに流れることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
当該記憶状態回路には、一端が当該データラインに接続し、別の一端が当該トランジスタのドレイン電極に接続し、制御端が当該第一走査ラインに接続している第一スイッチと、
一端が当該トランジスタのドレイン電極に接続し、別の一端が当該トランジスタのゲート電極に接続し、制御端が当該第一走査ラインに接続している第二スイッチとが備わっていること
を特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
当該記憶状態回路には、一端が当該データラインに接続し、別の一端が当該トランジスタのドレイン電極に接続し、制御端が当該第一走査ラインに接続している第一スイッチと、
一端が当該データラインに接続し、別の一端が当該トランジスタのゲート電極に接続し、制御端が当該第一走査ラインに接続している第二スイッチとが備わっていること
を特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
更に、電圧源、当該トランジスタのドレイン電極と当該第二走査ラインとに接続している放出状態回路が備わり、当該第二走査ラインが作動時には、当該特定電圧に基づき電流が生成されて当該電圧源から当該トランジスタと当該有機発光ダイオードとに流れることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
当該放出状態回路には、一端が当該電圧源に接続し、別の一端が当該トランジスタのドレイン電極に接続し、制御端が当該第二走査ラインに接続している第三スイッチが備わっていることを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
第一走査ラインと第二走査ラインの作動に基づきデータラインから駆動電流が出力されるアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路であり、
トランジスタと、
一端が当該トランジスタのゲート電極に接続し、別の一端が電圧源に接続しているコンデンサと、
Ｐ極端が当該電圧源に接続し、Ｎ極端が当該トランジスタのソース電極圧に接続している有機発光ダイオードとを備え、
記憶状態時には、当該駆動電流が当該コンデンサを充電して特定電圧を生成することにより当該トランジスタと当該有機発光ダイオードとにバイアスを印加し、放出状態時には、当該特定電圧を利用して当該トランジスタと当該有機発光ダイオードとにバイアスが印加されることを特徴とするアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
更に、当該第一走査ライン、当該データライン、当該トランジスタのゲート電極と当該トランジスタのドレイン電極とに接続している記憶状態回路が備わり、当該第一走査ラインが作動時に、当該駆動電流が当該電圧源から当該コンデンサに当該駆動電圧を充電して特定電圧を生成するとともに、当該駆動電流が当該電圧源から当該トランジスタ、当該有機発光ダイオードと当該データラインとに流れることを特徴とする請求項７記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
当該記憶状態回路には、一端が当該データラインに接続し、別の一端が当該トランジスタのドレイン電極に接続し、制御端が当該第一走査ラインに接続している第一スイッチと、
一端が当該トランジスタのドレイン電極に接続し、別の一端が当該トランジスタのゲート電極に接続し、制御端が当該第一走査ラインに接続している第二スイッチとが備わっていること
を特徴とする請求項８記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
当該記憶状態回路には、一端が当該データラインに接続し、別の一端が当該トランジスタのドレイン電極に接続し、制御端が当該第一走査ラインに接続している第一スイッチと、
一端が当該データラインに接続し、別の一端が当該トランジスタのゲート電極に接続し、制御端が当該第一走査ラインに接続している第二スイッチとが備わっていること
を特徴とする請求項８記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
更に、接地電圧、当該トランジスタのドレイン電極と当該第二走査ラインとに接続している放出状態回路が備わり、当該第二走査ラインが作動時には、当該特定電圧に基づきバイアス電流が生成されて当該電圧源から当該トランジスタと当該有機発光ダイオードとに流れることを特徴とする請求項７記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。
当該放出状態回路には、一端が当該接地電圧に接続し、別の一端が当該トランジスタのドレイン電極に接続し、制御端が当該第二走査ラインに接続している第三スイッチが備わっていることを特徴とする請求項１１記載のアクティブマトリクスＥＬＤの画素駆動回路。