JP2004253643A

JP2004253643A - Method for manufacturing semiconductor chip

Info

Publication number: JP2004253643A
Application number: JP2003042945A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Izumi; 直史泉; Takashi Sugino; 野貴志杉
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2003-02-20
Filing date: 2003-02-20
Publication date: 2004-09-09

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor where a highly uniform protecting film can be easily formed on the backside and side faces of this semiconductor chip, and even when the backside of the chip is formed with any fine scar due to machine grinding, any adverse effect due to such scar can be prevented. <P>SOLUTION: This method for manufacturing a semiconductor chip comprises processes for holding a semiconductor chip in the exposed status of the backside and side faces of the chip, and for adhering a sheet for forming a hard protecting film to the backside and side faces of the semiconductor chip by a compression bonding, vacuum suction and sheet reduction means or the like, and for cutting the sheet for generating the protecting film in order to divide it into respective semiconductor chips and for curing the sheet for forming the protecting film. Thus, it is possible to provide the semiconductor chip whose backside and side faces are sealed with resin. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ裏面および側面に効率良く保護膜を形成でき、かつチップの製造効率の向上が可能な半導体チップの製造方法に関し、特にいわゆるフェースダウン（ｆａｃｅｄｏｗｎ）方式で実装される半導体チップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、いわゆるフェースダウン（ｆａｃｅｄｏｗｎ）方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式では、チップの回路面側に導通を確保するためのバンプと呼ばれる凸部が形成されてなるチップを用い、回路面側の凸部が基台に接続する構造となる。
【０００３】
このような半導体装置は、一般的には次のような工程を経て製造されている。
（１）半導体ウエハの表面にエッチング法等により回路を形成し、回路面の所定位置にバンプを形成する。
（２）半導体ウエハ裏面を所定の厚さまで研削する。
（３）リングフレームに張設されたダイシングテープに半導体ウエハ裏面を固定し、ダイシングソーにより各回路毎に切断分離し、半導体チップを得る。
（４）半導体チップをピックアップし、フェースダウン方式で所定の基台上に実装し、必要に応じチップを保護するために樹脂封止またはチップ裏面に樹脂コーティングを施し、半導体装置を得る。
【０００４】
樹脂封止は、適量の樹脂をチップ上に滴下・硬化するポッティング（ｐｏｔｔｉｎｇ）法や、金型を用いたモールド法などにより行われる。しかし、ポッティング法では適量の樹脂を滴下することが難しい。またモールド法では金型の洗浄等が必要になり、設備費、運転費が高価になる。
樹脂コーティングは、適量の樹脂を均一に塗布することが難しいため、品質にばらつきがでることがある。
【０００５】
したがって、均一性の高い保護膜を、チップ裏面に簡便に形成できる技術の開発が要望されている。
また、上記（２）工程の裏面研削では、機械研削によってチップ裏面に微小な筋状の傷が形成される。この微小な傷は、パッケージングの後に、クラック発生の原因となることがある。このため、従来は、機械研削後に、微小な傷を除くためのケミカルエッチングが必要になる場合があった。しかし、ケミカルエッチングには、もとより設備費、運転費が必要になり、コスト増の原因となる。
【０００６】
したがって、機械研削によってチップ裏面に微小な傷が形成されたとしても、かかる傷に起因する悪影響を解消する技術の開発が要望されている。
このような技術としては、既に本願出願人により、「剥離シートと、該剥離シートの剥離面上に形成された、熱硬化性成分および／またはエネルギー線硬化性成分とバインダーポリマー成分とからなる保護膜形成層とを有するチップ用保護膜形成用シート」が開示されている（特許文献１参照）。また特許文献１には、上記チップ用保護膜形成用シートを半導体ウエハの裏面側に貼付し、これをウエハとともにダイシングする工程を含む、保護膜付きチップの製造方法が開示されている。
【０００７】
しかし、該特許文献１に開示の製造方法では、チップ化する前のウエハ裏面に保護膜形成用シートを貼着しているため、チップの裏面にのみ保護膜が形成され、チップ側面までを保護することはできない。このため、チップ側面の保護を行う場合には、さらに封止樹脂の塗布、硬化を行う必要があり、プロセス的に煩雑になる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−２８０３２９号公報（請求項１，２，６，７）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、均一性の高い保護膜を、チップ裏面および側面に簡便に形成でき、しかも機械研削によってチップ裏面に微小な傷が形成されたとしても、かかる傷に起因する悪影響を解消できるプロセスを提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体チップの第１の製造方法は、
エキスパンド性を有するダイシングテープ上に半導体ウエハの回路面を貼付し、該半導体ウエハをフルカットダイシングしてチップ化する工程、
該ダイシングテープをエキスパンドして隣接するチップ同士の間隔を広げる工程、
該半導体チップ群の裏面および側面に硬化性の保護膜形成用シートを貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成用シートを切断する工程、および
保護膜形成用シートを硬化する工程からなり、
裏面および側面が樹脂封止された半導体チップを得ることを特徴としている。
【００１１】
本発明に係る半導体チップの第２の製造方法は、
半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程、
該半導体チップをピックアップして、各チップが一定の間隔をおいて離間する配列で、各チップの裏面側が面するように硬化性の保護膜形成用シートに貼着し、該保護膜形成用シートの離間部分を各チップの側面に密着させる工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成用シートを切断する工程、および
保護膜形成用シートを硬化する工程からなり、
裏面および側面が樹脂封止された半導体チップを得ることを特徴としている。
【００１２】
本発明に係る半導体チップの第３の製造方法は、
半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程、
該半導体チップをピックアップして、各チップが一定の間隔をおいて離間する配列で、各チップの裏面側が表出するようにテーブル上に載置し、該半導体チップ群の裏面および側面に硬化性の保護膜形成用シートを貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成用シートを切断する工程、および
保護膜形成用シートを硬化する工程からなり、
裏面および側面が樹脂封止された半導体チップを得ることを特徴としている。
【００１３】
このような本発明に係る半導体チップの製造方法によれば、均一性の高い保護膜を、チップ裏面および側面に簡便に形成でき、しかも機械研削によってチップ裏面に微小な傷が形成されたとしても、かかる傷に起因する悪影響を解消できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について図面を参照しながらさらに具体的に説明する。
本発明に係る半導体チップの第１の製造方法は、図１に示すように、
エキスパンド性を有するダイシングテープ１上に半導体ウエハの回路面を貼付し、該半導体ウエハをフルカットダイシングしてチップ化する工程（ダイシング工程）、
該ダイシングテープ１をエキスパンドして隣接するチップ２同士の間隔を広げる工程（エキスパンド工程、図１Ａ参照）、
該半導体チップ２群の裏面および側面に硬化性の保護膜形成用シート１０を貼着する工程（貼付工程、図１Ｂ参照）、
個々の半導体チップ２毎に分割されるように保護膜形成用シート１０を切断する工程（切断工程、図１Ｃ参照）、および
保護膜形成用シート１０を硬化する工程からなり、
裏面および側面が樹脂封止された半導体チップを得ることを特徴としている。
【００１５】
ダイシング工程は、公知に方法により行われ、この際に用いられるエキスパンド性を有するダイシングテープとしても、種々のテープが知られている。本発明では、このような公知のダイシングテープを特に制限されることなく使用できる。
また、エキスパンド工程も、公知の手法により行うことができる。チップ間隔は、後工程である貼付工程が行える程度であれば十分であり、一般的には、０．１〜３ｍｍ、好ましくは０．２〜２ｍｍ程度である。
【００１６】
その後、図１Ｃに示すように、硬化性の保護膜形成用シート１０を、各半導体チップ２の裏面および側面に密着するように貼付する。この際、必要に応じ、半導体チップが破壊されない程度の圧力を加え、保護膜形成用シート１０を各チップに密着させてもよい。
保護膜形成用シート１０は、剥離シート１１と、該剥離シート１１の剥離面上に形成された保護膜形成層１２とからなる。
【００１７】
剥離シート１１としては、チップの側面に対する密着を確実に行えるように、可撓性、追従性に優れたフィルムが好ましく、たとえばポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等が用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。
【００１８】
さらに剥離シート１１の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下であることが望ましい。このような表面張力の低い剥離シート１１は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、またシートの表面にシリコーン樹脂等を塗布して離型処理を施すことで得ることもできる。
【００１９】
剥離シート１１の膜厚は、通常は５〜３００μｍ、好ましくは１０〜２００μｍ、特に好ましくは２０〜１５０μｍ程度である。
保護膜形成用シート１０の保護膜形成層１２は、熱硬化性成分および／またはエネルギー線硬化性成分とバインダーポリマー成分とからなる。
熱硬化性成分としては、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂等およびこれらの混合物が挙げられる。特に本発明では、エポキシ樹脂やフェノール樹脂が好ましく用いられ、さらにエポキシ樹脂とフェノール樹脂との混合系であればお互いに付加反応して、耐衝撃性の高い硬化物を形成できるため特に好ましい。
【００２０】
熱硬化性成分にエポキシ樹脂を用いる場合には、助剤として、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を併用することが好ましい。熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤とは、室温ではエポキシ樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ樹脂と反応するタイプの硬化剤である。
エネルギー線硬化性成分は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物からなる。具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどの低分子多価（メタ）アクリレートや、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシ変性アクリレートなどのオリゴマー等を用いることができる。
【００２１】
エネルギー線硬化性成分を使用する場合は、光重合開始剤を混在させることにより、重合硬化時間ならびに光線照射量を少なくすることができる。
バインダーポリマー成分は、保護膜形成層１２に適度なタックを与え、さらにシート保型性および造膜性を与え、硬化前のシートの操作性を向上するために用いられる。バインダーポリマーとしては、たとえばアクリル系ポリマー、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ゴム系ポリマー等が用いられ、特にアクリル系ポリマーが好ましく用いられる。
【００２２】
また、保護膜形成層１２は、フィラーが配合されていてもよい。フィラーとしては、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカや、アルミナ、ガラスバルーン等の無機フィラーがあげられる。保護膜形成層１２に無機フィラーを添加することにより、硬化後の層の熱膨張係数をウエハの熱膨張係数に近づけることができ、これによって加工途中のウエハの反りを低減することができるようになる。また、ダイボンド後の導電性や熱伝導性の付与を目的として、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレスのような導電性フィラーや熱伝導性物質を添加してもよい。
【００２３】
さらに、保護膜形成層１２にはカップリング剤、顔料、染料、架橋剤、帯電防止剤、難燃剤など種々の機能性を有する添加剤を、その半導体チップの要求する性能に応じて配合することができる。
保護膜形成用シート１０は、剥離シート１１の剥離面上に上記成分からなる組成物をロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法にしたがって直接または転写によって塗工し、乾燥させて保護膜形成層１２を形成することによって得ることができる。なお、上記の組成物は、必要に応じ、溶剤に溶解し、若しくは分散させて塗布することができる。
【００２４】
このようにして形成される保護膜形成層１２の厚さは、通常は、３〜１００μｍ、好ましくは１０〜６０μｍであることが望ましい。
また、保護膜形成層１２は、２層以上の構成層を有していてもよい。この場合、チップに密着する側の層には、チップとの密着性に優れた層を設けることが好ましい。具体的には、バインダーポリマー成分の配合量を多めにすることで、チップとの優れた密着性が得られる。また、この場合、最上層となる層（すなわち剥離シート１１と接触する層）には、比較的硬質の硬化被膜を形成する層を設けておくことが好ましい。具体的には、フィラー成分や、熱硬化性成分および／またはエネルギー線硬化性成分の配合割合を多めにすることで、硬質の硬化被膜が得られる。また、最上層となる層には、印字適性を与えるために、凹凸を形成するようにしてもよい。具体的には、フィラーを添加したり、あるいは剥離シート１１としてエンボス処理した剥離処理面を有する剥離シートを用い、この剥離シート１１のエンボス模様を最上層に転写することで、印字適性を制御することができる。
【００２５】
上記のようにして、各半導体チップ２の裏面および側面に硬化性の保護膜形成用シート１０を貼着した後（貼付工程、図１Ｂ参照）、必要に応じ剥離シート１１を剥離し（剥離工程）、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成用シートを切断する（切断工程、図１Ｃ参照）。この切断工程は、前記したダイシング工程と同様に、公知の手法により行うことができる。
【００２６】
次いで、加熱および／エネルギー線照射により保護膜形成層１２を硬化させ（硬化工程）、半導体チップの裏面および側面に硬化被膜（保護膜）を形成する。加熱および／エネルギー線照射の条件は、保護膜形成層１２の組成により適宜に設定される。硬化性成分として、熱硬化性成分とエネルギー線硬化性成分を併用した場合は、保護膜形成層の硬化工程は加熱およびエネルギー線照射を同時に行ってもよく、また逐次行ってもよい。特にチップ上に保護膜形成層を設けてからエネルギー線照射を行い、保護膜形成層を半硬化させ、その後加熱により保護膜形成層を完全に硬化させ、保護膜とすることが好ましい。
【００２７】
なお、本発明に係る製法においては、上述した剥離工程、切断工程および硬化工程の実施は、この順に限定されない。たとえば、剥離工程の後、硬化、切断の工程を行ってもよく、切断、硬化、剥離の順、切断、剥離、硬化の順、硬化、剥離、切断の順、あるいは硬化、切断、剥離の順で行ってもよい。
次に、本発明に係る半導体チップの第２の製造方法について説明する。
【００２８】
本発明に係る半導体チップの第２の製造方法は、図２に示すように、
半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程（ダイシング工程、図２Ａ参照）、
該半導体チップ２をピックアップして、各チップ２が一定の間隔をおいて離間する配列で、各チップ２の裏面側が面するように硬化性の保護膜形成用シート１０に貼着し、該保護膜形成用シート１０の離間部分を各チップ２の側面に密着させる工程（貼付工程、図２Ｂ参照）、
個々の半導体チップ２毎に分割されるように保護膜形成用シート１０を切断する工程（切断工程、図２Ｃ参照）、および
保護膜形成用シート１０を硬化する工程（硬化工程）からなる。
【００２９】
第２の製法におけるダイシング工程は、上記第１の製法におけるダイシング工程と同様であるが、ダイシングされたチップをピックアップできる限りにおいて、チップの間隔を離間させる必要はない。したがって、エキスパンド性を有するダイシングテープのみならず、種々の公知ダイシングテープを用いることができる。
【００３０】
貼付工程は、図２Ｂに示すように、チップ２よりもやや大きなキャビティー２１を所定の間隔で有する治具２０を用いて行うことができる。キャビティー２１の大きさは、チップ２と、保護膜形成用シート１０の厚みを勘案して、適宜に決められる。
治具２０の上に、保護膜形成用シート１０を、保護膜形成層１２が上方に位置するように、載置する。なお、保護膜形成用シート１０としては、上記した第１の製法に用いられるものと同様のものが用いられる。
【００３１】
ついで、チップ２を、チップ裏面が保護膜形成層１２に面するように載置し、チップ２をキャビティー２１内に押し込むように圧力を加えると、チップ２の裏面および側面が保護膜形成用シート１０に密着する。
また、キャビティー２１の内部から真空吸引することにより、チップ２をキャビティー内に誘導し、チップ２の裏面および側面を保護膜形成用シート１０に密着させてもよい。
【００３２】
さらに、保護膜形成用シート１０の剥離シート１１として、収縮性フィルムを用いても良い。収縮性フィルムを収縮させると、保護膜形成用シート１０がチップ２を包み込むように収縮し、チップ２の裏面および側面が保護膜形成用シート１０に密着する。ここで、収縮性フィルムとしては、一軸または二軸延伸した各種の樹脂フィルムが用いられる。
【００３３】
次いで、上記第１の製造方法と同様に、剥離シート１１の剥離工程、半導体チップ毎に分割する切断工程および保護膜形成層１２の硬化工程を任意の順で行うことで裏面および側面が樹脂封止された半導体チップが得られる。
次に、本発明に係る半導体チップの第３の製造方法について説明する。
本発明に係る半導体チップの第３の製造方法は、図３に示すように、
半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程（ダイシング工程）、
該半導体チップ２をピックアップして、各チップ２が一定の間隔をおいて離間する配列で、各チップ２の裏面側が表出するようにテーブル上に載置し（図３Ａ参照）、該半導体チップ２群の裏面および側面に硬化性の保護膜形成用シート１０を貼着する工程（貼付工程、図３Ｂ参照）、
個々の半導体チップ２毎に分割されるように保護膜形成用シート１０を切断する工程（切断工程、図３Ｃ参照）、および
保護膜形成用シート１０を硬化する工程からなる。
【００３４】
第３の製法におけるダイシング工程は、前記第２の工程におけるダイシング工程と同様である。
テーブル３０としては、チップ２を保持できる機能を有するものが用いられ、真空吸引型の吸着テーブルが好ましく用いられる。テーブル３０上に、チップの表面（回路面）側を載置、保持し、チップの裏面側が表出するようにする。その後、図３Ｂに示すように、保護膜形成用シート１０の保護膜形成層１２側をチップ裏面に貼着する。その後、前述した圧着、真空吸引、あるいは収縮性剥離シートを用いる等の手段により、チップ２の裏面および側面が保護膜形成用シート１０に密着する。
【００３５】
次いで、上記第１の製造方法と同様に、剥離シート１１の剥離工程、半導体チップ毎に分割する切断工程および保護膜形成層１２の硬化工程を任意の順で行うことで裏面および側面が樹脂封止された半導体チップが得られる。
【００３６】
【発明の効果】
このような本発明によれば、均一性の高い保護膜を、チップ裏面および側面に簡便に形成でき、しかも機械研削によってチップ裏面に微小な傷が形成されたとしても、かかる傷に起因する悪影響を解消できる。
【００３７】
【実施例】
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例に用いた保護膜形成層の配合、ウエハおよび装置等を以下に示す。
（保護膜形成用シート）
アクリル系ポリマー（アクリル酸ブチル５５重量部とメタクリル酸メチル１０重量部とメタクリル酸グリシジル２０重量部とアクリル酸２−ヒドロキシエチル１５重量部とを共重合してなる重量平均分子量３０万、ガラス転移温度−２８℃の共重合体）からなるバインダーポリマー１５重量部、
エポキシ樹脂の混合物（液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０〜２００）３０重量部、固形ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量８００〜９００）４０重量部、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１０〜２３０）１０重量部）からなる熱硬化性成分８０重量部、
熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤（アミンアダクト系）０．６重量部、
黒色顔料（アゾ系）１．３重量部、
および希釈溶剤からなる配合物を、保護膜形成層用の塗料として用意した。
【００３８】
シリコーン系剥離剤で剥離処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム（リンテック（株）社製、ＳＰ−ＰＥＴ３８１１）の剥離処理面に保護膜形成層用の塗料を、溶剤除去後の厚さが３０μｍとなるように塗布乾燥した。剥離シートとしてポリエチレンフィルム（厚さ４０μｍ、表面張力３０ｍＮ／ｍ）を用意し、保護膜形成層の塗布面を該剥離シートに貼合して、保護膜形成用シートを作成した。
【００３９】
【実施例１】
２００ｍｍ径のウエハを裏面研磨して２００ｍｍ厚とした研磨ウエハを、未研磨面（鏡面）側をダイシングテープ（リンテック（株）社製、ＡｄｗｉｌｌＧ−１９）に貼付し、ダイシング装置を用いてウエハを３ｍｍ×３ｍｍのサイズのチップにダイシングした。
エキスパンドジグを用いて隣接するチップ同士の間隔を１ｍｍ以上となるように調節しながらダイシングテープのエキスパンドを行い、固定した（図１（ａ））。続いて、保護膜形成用シートから剥離処理されたポリエチレンテレフタレートフィルムを除去し、保護膜形成層をチップ（研磨面）上に貼着した。さらに、隣接するチップ同士の間を細棒でなぞり、チップの側面に保護膜形成層を接着させた（図１（ｂ））。
【００４０】
ダイシングテープおよび保護膜形成用シートの剥離シートを除去し、保護膜形成層付のチップ集合体を耐熱シート上に置替えた。耐熱シート上でカッターナイフを用いて保護膜形成層をチップ毎に切断し（図１（ｃ））、さらに加熱オーブン（１６０℃、１時間）に投入して保護膜形成層を硬化させ、裏面および側面に保護膜を有するチップを作成した。
【００４１】
【実施例２】
４ｍｍ×４ｍｍの開口で深さ１ｍｍのキャビティを有するジグを用意した。このジグの開口面に、保護膜形成用シートを保護膜形成層が露出するように静置させた。
実施例１と同様にして３ｍｍ×３ｍｍのサイズのチップを作成し、チップをピックアップして、保護膜形成層面上に研磨面を向けて対置させた（図２（ｂ））。チップ上面からチップを圧接し、チップの裏面と側面に保護膜形成層を接着させた。チップをジグから取り外し、剥離シートを除去した後、チップの側面に沿ってカッターナイフで切断し、チップ毎に分割した（図２（ｃ））。さらに、加熱オーブン（１６０℃、１時間）に投入して保護膜形成層を硬化させ、裏面および側面に保護膜を有するチップを作成した。
【００４２】
【実施例３】
実施例１と同様にして作成した３ｍｍ×３ｍｍのチップを、テーブル上に各チップが２ｍｍの間隔を有するにように研磨面を上面にして配置した（図３（ａ）。チップの上面（研磨面）に保護膜形成用シートを貼付し、隣接するチップ同士の間を細棒でなぞり、チップの側面に保護膜形成層を接着させた（図３（ｂ））。
【００４３】
剥離シートを除去した後、各チップの側面に沿ってカッターナイフで保護膜形成層を切断して、チップ毎に分割した（図３（ｃ））。さらに、加熱オーブン（１６０℃、１時間）に投入して保護膜形成層を硬化させ、裏面および側面に保護膜を有するチップを作成した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体チップの第１の製造方法の工程図を示す。
【図２】本発明に係る半導体チップの第２の製造方法の工程図を示す。
【図３】本発明に係る半導体チップの第３の製造方法の工程図を示す。
【符号の説明】
１…ダイシングテープ
２…半導体チップ
１０…保護膜形成用シート
１１…剥離シート
１２…保護膜形成層
２０…治具
２１…キャビティー
３０…吸着テーブル[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor chip manufacturing method capable of efficiently forming a protective film on the back and side surfaces of a semiconductor chip and improving the manufacturing efficiency of the chip, and more particularly to a semiconductor chip mounted by a so-called face down method. And a method for producing the same.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have been manufactured using a mounting method called a so-called face down method. In the face-down method, a chip is used in which a protrusion called a bump is formed on the circuit surface side of the chip to ensure conduction, and the protrusion on the circuit surface side is connected to a base.
[0003]
Such a semiconductor device is generally manufactured through the following steps.
(1) A circuit is formed on the surface of a semiconductor wafer by an etching method or the like, and bumps are formed at predetermined positions on the circuit surface.
(2) Grind the back surface of the semiconductor wafer to a predetermined thickness.
(3) The back surface of the semiconductor wafer is fixed to a dicing tape stretched over a ring frame, and cut and separated for each circuit by a dicing saw to obtain a semiconductor chip.
(4) A semiconductor chip is picked up, mounted on a predetermined base in a face-down manner, and resin-sealed or resin-coated on the back surface of the chip as necessary to protect the chip, thereby obtaining a semiconductor device.
[0004]
Resin sealing is performed by a potting method of dropping and curing an appropriate amount of resin on a chip, a molding method using a mold, or the like. However, it is difficult to drop an appropriate amount of resin by the potting method. Further, in the molding method, cleaning of a mold or the like is required, so that equipment costs and operation costs are high.
Since it is difficult to apply an appropriate amount of resin uniformly to the resin coating, the quality may vary.
[0005]
Therefore, there is a need for the development of a technology that can easily form a highly uniform protective film on the back surface of a chip.
Further, in the back surface grinding in the step (2), minute streak-like scratches are formed on the back surface of the chip by mechanical grinding. These minute scratches may cause cracking after packaging. For this reason, conventionally, after mechanical grinding, chemical etching for removing minute scratches was sometimes required. However, chemical etching requires equipment costs and operation costs as well, which causes an increase in cost.
[0006]
Therefore, even if minute scratches are formed on the back surface of the chip by mechanical grinding, there is a demand for the development of a technique for eliminating the adverse effects caused by such scratches.
As such a technique, the applicant of the present application has already described, "a protective sheet comprising a release sheet and a thermosetting component and / or an energy ray-curable component and a binder polymer component formed on the release surface of the release sheet. A sheet for forming a protective film for a chip having a film forming layer "is disclosed (see Patent Document 1). Patent Document 1 discloses a method of manufacturing a chip with a protective film, which includes a step of attaching the above-mentioned sheet for forming a protective film for a chip to the back side of a semiconductor wafer and dicing the same with the wafer.
[0007]
However, in the manufacturing method disclosed in Patent Document 1, since the protective film forming sheet is adhered to the back surface of the wafer before chipping, the protective film is formed only on the back surface of the chip, and the chip side surface is protected. I can't. Therefore, when protecting the side surface of the chip, it is necessary to further apply and cure the sealing resin, which complicates the process.
[0008]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-280329 (Claims 1, 2, 6, 7)
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the prior art as described above, and a highly uniform protective film can be easily formed on the back and side surfaces of a chip, and minute scratches are formed on the back surface of the chip by mechanical grinding. The goal is to provide a process that, if done, can eliminate the adverse effects caused by such a wound.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
A first method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention includes:
Affixing the circuit surface of the semiconductor wafer on a dicing tape having expandability, a step of chipping the semiconductor wafer by full-cut dicing,
Expanding the dicing tape to increase the distance between adjacent chips,
A step of attaching a curable protective film forming sheet to the back and side surfaces of the semiconductor chip group,
A step of cutting the protective film forming sheet so as to be divided into individual semiconductor chips, and a step of curing the protective film forming sheet,
It is characterized in that a semiconductor chip whose back and side surfaces are sealed with resin is obtained.
[0011]
A second method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention includes:
Dicing a semiconductor wafer into chips,
The semiconductor chip is picked up and attached to a curable protective film forming sheet so that the back surface side of each chip faces in an array in which each chip is spaced apart at a fixed interval, and the protective film forming sheet A step of closely contacting the separated portion with the side surface of each chip,
A step of cutting the protective film forming sheet so as to be divided into individual semiconductor chips, and a step of curing the protective film forming sheet,
It is characterized in that a semiconductor chip whose back and side surfaces are sealed with resin is obtained.
[0012]
A third method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention includes:
Dicing a semiconductor wafer into chips,
The semiconductor chips are picked up and placed on a table so that the back side of each chip is exposed in an arrangement in which the chips are spaced apart at a fixed interval, and the backside and side surfaces of the semiconductor chip group are hardened. Attaching a protective film forming sheet of
A step of cutting the protective film forming sheet so as to be divided into individual semiconductor chips, and a step of curing the protective film forming sheet,
It is characterized in that a semiconductor chip whose back and side surfaces are sealed with resin is obtained.
[0013]
According to such a method of manufacturing a semiconductor chip according to the present invention, a protective film having high uniformity can be easily formed on the back surface and side surfaces of the chip, and even if minute scratches are formed on the back surface of the chip by mechanical grinding. In addition, the adverse effects caused by such scratches can be eliminated.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to the drawings.
A first method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention includes, as shown in FIG.
A step of attaching a circuit surface of a semiconductor wafer to a dicing tape 1 having expandability, and dicing the semiconductor wafer into chips by full-cut dicing (dicing step);
A step of expanding the dicing tape 1 to widen the space between adjacent chips 2 (expanding step, see FIG. 1A);
A step of sticking a curable protective film forming sheet 10 to the back and side surfaces of the group of semiconductor chips 2 (sticking step, see FIG. 1B);
A step of cutting the protective film forming sheet 10 so as to be divided into individual semiconductor chips 2 (cutting step, see FIG. 1C), and a step of curing the protective film forming sheet 10;
It is characterized in that a semiconductor chip whose back and side surfaces are sealed with resin is obtained.
[0015]
The dicing step is carried out by a known method, and various tapes are also known as dicing tapes having expandability used at this time. In the present invention, such a known dicing tape can be used without any particular limitation.
The expanding step can also be performed by a known method. It is sufficient that the chip interval is such that the sticking step, which is a subsequent step, can be performed, and is generally about 0.1 to 3 mm, preferably about 0.2 to 2 mm.
[0016]
Thereafter, as shown in FIG. 1C, a curable protective film forming sheet 10 is adhered to the back and side surfaces of each semiconductor chip 2 so as to be in close contact with each other. At this time, if necessary, a pressure such that the semiconductor chip is not broken may be applied to bring the protective film forming sheet 10 into close contact with each chip.
The protective film forming sheet 10 includes a release sheet 11 and a protective film forming layer 12 formed on a release surface of the release sheet 11.
[0017]
The release sheet 11 is preferably a film having excellent flexibility and conformability so as to ensure the close contact with the side surface of the chip. For example, a polyethylene film, a polypropylene film, a polybutene film, a polybutadiene film, a polymethylpentene film, Vinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, etc. are used. . These crosslinked films can also be used. Further, these laminated films may be used.
[0018]
Further, the surface tension of the release sheet 11 is preferably 40 mN / m or less, more preferably 37 mN / m or less, and particularly preferably 35 mN / m or less. Such a release sheet 11 having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting the material, or can be obtained by applying a silicone resin or the like to the surface of the sheet and performing a release treatment. .
[0019]
The thickness of the release sheet 11 is usually about 5 to 300 μm, preferably about 10 to 200 μm, and particularly preferably about 20 to 150 μm.
The protective film forming layer 12 of the protective film forming sheet 10 includes a thermosetting component and / or an energy ray-curable component and a binder polymer component.
Examples of the thermosetting component include an epoxy resin, a phenol resin, a melamine resin, a urea resin, a polyester resin, a urethane resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a benzoxazine resin, and a mixture thereof. Particularly, in the present invention, an epoxy resin or a phenol resin is preferably used, and a mixed system of an epoxy resin and a phenol resin is particularly preferable because a reaction product can be added to each other to form a cured product having high impact resistance.
[0020]
When an epoxy resin is used as the thermosetting component, it is preferable to use a heat-active latent epoxy resin curing agent as an auxiliary agent. The heat-active latent epoxy resin curing agent is a type of curing agent that does not react with the epoxy resin at room temperature, is activated by heating at a certain temperature or higher, and reacts with the epoxy resin.
The energy ray-curable component is composed of a compound that is polymerized and cured when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. Specifically, low molecular polyvalent (meth) acrylates such as trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, and dipentaerythritol hexaacrylate, and oligomers such as oligoester acrylate, urethane acrylate, and epoxy-modified acrylate are used. Can be.
[0021]
When an energy ray-curable component is used, by mixing a photopolymerization initiator, the polymerization curing time and the amount of light irradiation can be reduced.
The binder polymer component is used for imparting an appropriate tack to the protective film forming layer 12, imparting sheet shape retention and film forming properties, and improving the operability of the sheet before curing. As the binder polymer, for example, an acrylic polymer, a polyester resin, a urethane resin, a silicone resin, a rubber-based polymer, or the like is used, and an acrylic polymer is particularly preferably used.
[0022]
The protective film forming layer 12 may contain a filler. Examples of the filler include silica such as crystalline silica and synthetic silica, and inorganic filler such as alumina and glass balloon. By adding an inorganic filler to the protective film forming layer 12, the coefficient of thermal expansion of the cured layer can be made closer to the coefficient of thermal expansion of the wafer, thereby reducing the warpage of the wafer during processing. Become. In addition, a conductive filler such as gold, silver, copper, nickel, aluminum, and stainless steel or a heat conductive substance may be added for the purpose of imparting conductivity or heat conductivity after die bonding.
[0023]
Further, additives having various functions such as a coupling agent, a pigment, a dye, a cross-linking agent, an antistatic agent, and a flame retardant may be added to the protective film forming layer 12 according to the performance required of the semiconductor chip. Can be.
The protective film forming sheet 10 is formed by applying a composition comprising the above components on a release surface of the release sheet 11 by direct or transfer according to a generally known method such as a roll knife coater, a gravure coater, a die coater, and a reverse coater, It can be obtained by drying to form the protective film forming layer 12. The above composition can be applied by dissolving or dispersing in a solvent as necessary.
[0024]
It is desirable that the thickness of the protective film forming layer 12 thus formed is usually 3 to 100 μm, preferably 10 to 60 μm.
Further, the protective film forming layer 12 may have two or more constituent layers. In this case, it is preferable to provide a layer having excellent adhesion to the chip on the layer on the side in close contact with the chip. Specifically, by increasing the blending amount of the binder polymer component, excellent adhesion to the chip can be obtained. In this case, it is preferable that a layer that forms a relatively hard cured film is provided as the uppermost layer (that is, the layer that comes into contact with the release sheet 11). Specifically, a hard cured film can be obtained by increasing the mixing ratio of the filler component, the thermosetting component and / or the energy ray-curable component. In addition, unevenness may be formed on the uppermost layer in order to provide printability. Specifically, printing suitability is controlled by adding a filler or using a release sheet having an embossed release surface as the release sheet 11, and transferring the embossed pattern of the release sheet 11 to the uppermost layer. be able to.
[0025]
As described above, after the curable protective film forming sheet 10 is attached to the back surface and the side surface of each semiconductor chip 2 (attachment step, see FIG. 1B), the release sheet 11 is peeled off as necessary (peeling step). ),
The protective film forming sheet is cut so as to be divided into individual semiconductor chips (cutting step, see FIG. 1C). This cutting step can be performed by a known method, similarly to the dicing step described above.
[0026]
Next, the protective film forming layer 12 is cured by heating and / or energy beam irradiation (curing step), and a cured film (protective film) is formed on the back and side surfaces of the semiconductor chip. The conditions of the heating and / or the irradiation of the energy beam are appropriately set according to the composition of the protective film forming layer 12. When a thermosetting component and an energy ray-curable component are used in combination as the curable component, the step of curing the protective film forming layer may be performed by heating and irradiation with energy rays simultaneously or sequentially. In particular, it is preferable to form a protective film by irradiating an energy beam after providing the protective film forming layer on the chip, semi-curing the protective film forming layer, and then completely curing the protective film forming layer by heating.
[0027]
In the manufacturing method according to the present invention, the above-described peeling step, cutting step, and curing step are not limited to these steps. For example, after the peeling step, the steps of curing and cutting may be performed, and the order of cutting, curing, peeling, cutting, peeling, curing, curing, peeling, cutting, or curing, cutting, peeling May be performed.
Next, a second method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention will be described.
[0028]
The second method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention, as shown in FIG.
A step of dicing the semiconductor wafer into chips (dicing step, see FIG. 2A);
The semiconductor chips 2 are picked up and affixed to a curable protective film forming sheet 10 such that the back surfaces of the chips 2 face each other in an arrangement in which the chips 2 are spaced apart from each other at a predetermined interval. A step of adhering the separated portion of the film forming sheet 10 to the side surface of each chip 2 (sticking step, see FIG. 2B);
The method includes a step of cutting the protective film forming sheet 10 so as to be divided into individual semiconductor chips 2 (cutting step, see FIG. 2C), and a step of curing the protective film forming sheet 10 (curing step).
[0029]
The dicing step in the second manufacturing method is the same as the dicing step in the first manufacturing method, but it is not necessary to keep the distance between the chips as long as the diced chips can be picked up. Therefore, not only a dicing tape having expandability but also various known dicing tapes can be used.
[0030]
The attaching step can be performed using a jig 20 having cavities 21 slightly larger than the chip 2 at predetermined intervals, as shown in FIG. 2B. The size of the cavity 21 is appropriately determined in consideration of the thickness of the chip 2 and the thickness of the protective film forming sheet 10.
The protective film forming sheet 10 is placed on the jig 20 so that the protective film forming layer 12 is positioned above. As the protective film forming sheet 10, the same sheet as that used in the above-described first manufacturing method is used.
[0031]
Next, the chip 2 is placed so that the back surface of the chip faces the protective film forming layer 12 and pressure is applied so as to push the chip 2 into the cavity 21. Adhere to the sheet 10.
Further, the chip 2 may be guided into the cavity by vacuum suction from the inside of the cavity 21, and the back surface and the side surface of the chip 2 may be brought into close contact with the protective film forming sheet 10.
[0032]
Furthermore, a shrinkable film may be used as the release sheet 11 of the protective film forming sheet 10. When the shrinkable film is shrunk, the protective film forming sheet 10 shrinks so as to enclose the chip 2, and the back and side surfaces of the chip 2 adhere to the protective film forming sheet 10. Here, various resin films that are uniaxially or biaxially stretched are used as the shrinkable film.
[0033]
Next, in the same manner as in the first manufacturing method, the peeling step of the peeling sheet 11, the cutting step of dividing the semiconductor chips into individual chips, and the curing step of the protective film forming layer 12 are performed in any order, so that the back surface and the side surfaces are sealed with resin. A stopped semiconductor chip is obtained.
Next, a third method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention will be described.
A third method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention, as shown in FIG.
A process of dicing a semiconductor wafer into chips (dicing process),
The semiconductor chips 2 are picked up and placed on a table so that the back surface of each chip 2 is exposed in an arrangement in which the chips 2 are spaced apart at a fixed interval (see FIG. 3A). A step of sticking the curable protective film forming sheet 10 to the back and side surfaces of the two groups (sticking step, see FIG. 3B);
The method includes a step of cutting the protective film forming sheet 10 so as to be divided into individual semiconductor chips 2 (cutting step, see FIG. 3C), and a step of curing the protective film forming sheet 10.
[0034]
The dicing step in the third manufacturing method is the same as the dicing step in the second step.
A table having a function of holding the chip 2 is used as the table 30, and a vacuum suction type suction table is preferably used. The front surface (circuit surface) of the chip is placed and held on the table 30 so that the back surface of the chip is exposed. Thereafter, as shown in FIG. 3B, the protective film forming layer 12 side of the protective film forming sheet 10 is attached to the back surface of the chip. Thereafter, the back surface and the side surface of the chip 2 are brought into close contact with the protective film forming sheet 10 by means such as the above-mentioned press bonding, vacuum suction, or use of a shrinkable release sheet.
[0035]
Next, in the same manner as in the first manufacturing method, the peeling step of the peeling sheet 11, the cutting step of dividing the semiconductor chips into individual chips, and the curing step of the protective film forming layer 12 are performed in any order, so that the back surface and the side surfaces are sealed with resin. A stopped semiconductor chip is obtained.
[0036]
【The invention's effect】
According to the present invention, a protective film with high uniformity can be easily formed on the back surface and side surface of the chip, and even if minute scratches are formed on the back surface of the chip by mechanical grinding, adverse effects caused by such scratches Can be eliminated.
[0037]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. The composition of the protective film forming layer, the wafer, the apparatus, and the like used in the examples are shown below.
(Protective film forming sheet)
Acrylic polymer (weight average molecular weight 300,000 obtained by copolymerizing 55 parts by weight of butyl acrylate, 10 parts by weight of methyl methacrylate, 20 parts by weight of glycidyl methacrylate, and 15 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, glass transition temperature 15 parts by weight of a binder polymer comprising -28 ° C. copolymer)
Mixture of epoxy resins (30 parts by weight of liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180 to 200), 40 parts by weight of solid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 800 to 900), o-cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 210 To 230) 10 parts by weight of the thermosetting component 80 parts by weight,
0.6 parts by weight of a heat-activated latent epoxy resin curing agent (amine adduct type)
1.3 parts by weight of a black pigment (azo type),
And a composition comprising a diluent solvent were prepared as a paint for the protective film forming layer.
[0038]
A coating for a protective film forming layer is applied to the release-treated surface of a polyethylene terephthalate film (SP-PET3811, manufactured by Lintec Corporation) that has been subjected to a release treatment with a silicone-based release agent so that the thickness after removing the solvent is 30 μm. The coating was dried. A polyethylene film (thickness: 40 μm, surface tension: 30 mN / m) was prepared as a release sheet, and the coated surface of the protective film forming layer was bonded to the release sheet to prepare a protective film forming sheet.
[0039]
Embodiment 1
A 200 mm thick wafer is polished on the back surface to a 200 mm thick polished wafer, and the unpolished surface (mirror surface) side is affixed to a dicing tape (Adwill G-19, manufactured by Lintec Corporation), and the wafer is diced using a dicing apparatus. Was diced into chips having a size of 3 mm × 3 mm.
The dicing tape was expanded and fixed while adjusting the distance between adjacent chips to be 1 mm or more using an expanding jig (FIG. 1A). Subsequently, the peeled polyethylene terephthalate film was removed from the protective film forming sheet, and the protective film forming layer was adhered on the chip (polished surface). Furthermore, the adjacent chips were traced with a thin rod, and a protective film forming layer was adhered to the side surfaces of the chips (FIG. 1B).
[0040]
The dicing tape and the release sheet of the protective film forming sheet were removed, and the chip assembly with the protective film forming layer was replaced with a heat-resistant sheet. The protective film forming layer is cut into chips using a cutter knife on the heat-resistant sheet (FIG. 1 (c)), and then put into a heating oven (160 ° C., 1 hour) to cure the protective film forming layer, And a chip having a protective film on the side surface was prepared.
[0041]
Embodiment 2
A jig having a 4 mm × 4 mm opening and a 1 mm deep cavity was prepared. The protective film forming sheet was allowed to stand on the opening surface of the jig such that the protective film forming layer was exposed.
A chip having a size of 3 mm × 3 mm was prepared in the same manner as in Example 1, and the chip was picked up and opposed to the protective film forming layer surface with the polished surface facing (FIG. 2B). The chip was pressed from above the chip, and a protective film forming layer was adhered to the back and side surfaces of the chip. After removing the chip from the jig and removing the release sheet, the chip was cut along the side surface of the chip with a cutter knife and divided into chips (FIG. 2 (c)). Furthermore, it was put into a heating oven (160 ° C., 1 hour) to cure the protective film forming layer, and a chip having a protective film on the back and side surfaces was prepared.
[0042]
Embodiment 3
3 mm × 3 mm chips prepared in the same manner as in Example 1 were placed on a table with the polished surface facing upward such that each chip had an interval of 2 mm (FIG. 3 (a). A sheet for forming a protective film was adhered to the (surface), and the adjacent chips were traced with a thin bar, and a protective film forming layer was adhered to the side surface of the chip (FIG. 3 (b)).
[0043]
After removing the release sheet, the protective film forming layer was cut along the side surface of each chip with a cutter knife, and divided into chips (FIG. 3C). Furthermore, it was put into a heating oven (160 ° C., 1 hour) to cure the protective film forming layer, and a chip having a protective film on the back and side surfaces was prepared.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows a process chart of a first method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention.
FIG. 2 shows a process chart of a second method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention.
FIG. 3 shows a process chart of a third method for manufacturing a semiconductor chip according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Dicing tape 2 ... Semiconductor chip 10 ... Protective film forming sheet 11 ... Release sheet 12 ... Protective film forming layer 20 ... Jig 21 ... Cavity 30 ... Suction table

Claims

エキスパンド性を有するダイシングテープ上に半導体ウエハの回路面を貼付し、該半導体ウエハをフルカットダイシングしてチップ化する工程、
該ダイシングテープをエキスパンドして隣接するチップ同士の間隔を広げる工程、
該半導体チップ群の裏面および側面に硬化性の保護膜形成用シートを貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成用シートを切断する工程、および
保護膜形成用シートを硬化する工程からなる、
裏面および側面が樹脂封止された半導体チップの製造方法。Affixing the circuit surface of the semiconductor wafer on a dicing tape having expandability, a step of chipping the semiconductor wafer by full-cut dicing,
Expanding the dicing tape to increase the distance between adjacent chips,
A step of attaching a curable protective film forming sheet to the back and side surfaces of the semiconductor chip group,
A step of cutting the protective film forming sheet so as to be divided for each individual semiconductor chip, and a step of curing the protective film forming sheet
A method of manufacturing a semiconductor chip in which a back surface and side surfaces are resin-sealed.

半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程、
該半導体チップをピックアップして、各チップが一定の間隔をおいて離間する配列で、各チップの裏面側が面するように硬化性の保護膜形成用シートに貼着し、該保護膜形成用シートの離間部分を各チップの側面に密着させる工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成用シートを切断する工程、および
保護膜形成用シートを硬化する工程からなる、
裏面および側面が樹脂封止された半導体チップの製造方法。Dicing a semiconductor wafer into chips,
The semiconductor chip is picked up and attached to a curable protective film forming sheet so that the back surface side of each chip faces in an array in which each chip is spaced apart at a fixed interval, and the protective film forming sheet A step of closely contacting the separated portion with the side surface of each chip,
A step of cutting the protective film forming sheet so as to be divided for each individual semiconductor chip, and a step of curing the protective film forming sheet
A method of manufacturing a semiconductor chip in which a back surface and side surfaces are resin-sealed.

半導体ウエハをダイシングしてチップ化する工程、
該半導体チップをピックアップして、各チップが一定の間隔をおいて離間する配列で、各チップの裏面側が表出するようにテーブル上に載置し、該半導体チップ群の裏面および側面に硬化性の保護膜形成用シートを貼着する工程、
個々の半導体チップ毎に分割されるように保護膜形成用シートを切断する工程、および
保護膜形成用シートを硬化する工程からなる、
裏面および側面が樹脂封止された半導体チップの製造方法。Dicing a semiconductor wafer into chips,
The semiconductor chips are picked up and placed on a table so that the back side of each chip is exposed in an arrangement in which the chips are spaced apart at a fixed interval, and the backside and side surfaces of the semiconductor chip group are hardened. Attaching a protective film forming sheet of
A step of cutting the protective film forming sheet so as to be divided for each individual semiconductor chip, and a step of curing the protective film forming sheet
A method of manufacturing a semiconductor chip in which a back surface and side surfaces are resin-sealed.