JP2004250523A - Epoxy resin composition and molded article - Google Patents

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JP2004250523A
JP2004250523A JP2003040989A JP2003040989A JP2004250523A JP 2004250523 A JP2004250523 A JP 2004250523A JP 2003040989 A JP2003040989 A JP 2003040989A JP 2003040989 A JP2003040989 A JP 2003040989A JP 2004250523 A JP2004250523 A JP 2004250523A
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epoxy resin
resin composition
silicon carbide
molded article
inorganic filler
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Emi Nanjo
恵美 南条
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epoxy resin composition which has excellent moldability and high chargeability and gives cured products having high heat conductivity, and to provide a molded article molded from the epoxy resin composition. <P>SOLUTION: This epoxy resin composition is characterized by containing (A) an epoxy resin, (B) a phenolic resin, (C) silicon carbide powder, and (D) an inorganic filler as essential components, wherein (C) the silicon carbide powder is contained in an amount of 5 to 30 wt. % based on the total resin composition and (C) the silicon carbide powder and (D) the inorganic filler are contained in a total amount of 50 to 90 wt. %, and giving cured products having heat conductivity of ≥2.4 W/(m×K). The molded article is produced by molding the composition. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成形性に優れたエポキシ樹脂組成物および成形品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電気・電子機器業界においては、小型、軽量化を促進するため、電気・電子部品用の高集積化が要求されており、部品用の封止材、絶縁ペースト、放熱シート等はより高い放熱性が要求されている。そこで、溶融シリカや結晶シリカにくらべて放熱性に優れた充填剤として、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の窒化物粉末が提案されている。(特開昭60−4522号公報、同61−101522号公報、同62−43415号公報)。これら窒化物粉末を充填剤に用いた樹脂組成物は、確かに放熱性は改善されているが溶融シリカや結晶シリカを充填剤に用いた樹脂組成物と比較して成形性に劣り、また、高充填化ができないため、これら窒化物粉末のもつ放熱性を十分活かせないという欠点があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を解決し、上記要望に応えるためになされたもので、炭化ケイ素粉末とその他の無機充填剤との適当な組合せの配合により、高充填化を可能とし、十分な放熱性を付与しつつ、成形性の良いエポキシ樹脂組成物およびそれを用いて成形した成形品を提供しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の目的を達成しようと無機充填剤が熱伝導性に及ぼす効果を詳細に鋭意研究を重ねた結果、樹脂の無機充填剤をある特定範囲量の炭化ケイ素に置き換えることにより、硬化物の熱伝導率が高く、成形性の優れた樹脂組成物が得られることを見いだし、本発明を完成したものである。
【0005】
即ち、本発明は、
(A)エポキシ樹脂、
(B)フェノール樹脂、
(C)炭化ケイ素粉末および
(D)無機充填剤
を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(C)の炭化ケイ素粉末を5〜30重量%の割合で、また前記(C)の炭化ケイ素粉末及び(D)無機充填剤の合計を50〜90重量%の割合で含有し、かつ、硬化物の熱伝導率が2.4W/(m・K)以上であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物、およびそのエポキシ樹脂組成物により成形されたことを特徴とする成形品である。
【0006】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0007】
本発明に用いる(A)エポキシ樹脂としては、1分子中にエポキシ基を2個以上有する化合物である限り、分子構造、分子量等特に制限はなく、一般に封止用材料として使用されるものを広く包含することができる。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の芳香族系、シクロヘキサン誘導体等脂肪族系のエポキシ樹脂であり、また、次の一般式で示される化合物
【化1】

Figure 2004250523
(但し、式中、nは1以上の整数を表す)
が挙げられ、これらは単独もしくは2種以上混合して用いることができる。
【0008】
本発明に用いる(B)フェノール樹脂としては、1分子中に前記(A)エポキシ樹脂と反応し得るフェノール性水酸基を2個以上有するものであれば特に制限されない。具体的な化合物としては、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノール類、カテコール、レゾルシン、ナフトール類や、ジシクロペンタジエン変性、テルペン変性等のフェノール樹脂であり、また、次の一般式で示される化合物である。
【0009】
【化2】
Figure 2004250523
(但し、式中、nは1以上の整数を表す)
【化3】
Figure 2004250523
(但し、式中、nは1以上の整数を表す)
これらのフェノール樹脂は単独もしくは2種以上混合して用いる。
【0010】
これらのフェノール樹脂の配合割合は、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基(a)とフェノール樹脂のフェノール性水酸基(b)との当量比[(a)/(b)]が0.1〜10の範囲内であることが望ましい。当量比が0.1未満もしくは10を超えると、耐湿性、耐熱性、成形作業性および硬化物の電気特性が悪くなり、いずれの場合も好ましくない。従って上記範囲内に限定するのがよい。
【0011】
本発明に用いる(C)炭化ケイ素粉末は、黒色炭化ケイ素粉末または緑色炭化ケイ素粉末で、一般的に高熱伝導エポキシ封止材料は、薄肉部の厚さが0.3〜0.5mmの半導体封止パッケージに使用されていることから、平均粒径は10〜30μmが好ましく、最大粒径は150μm以下であることが好ましい。炭化ケイ素粉末の配合割合は、全体の樹脂組成物に対して5〜30重量%の割合で含有することが望ましく、この割合が5重量%未満では、熱伝導率が2.3W/(m・K)以下となって、十分な放熱効果が得られないおそれがあり、また、30重量%を超えると150℃における体積抵抗率が1012Ω・cm未満となって、絶縁性に劣るおそれがあり、実用に適さない。
【0012】
本発明に用いる(D)無機充填剤としては、一般に封止材料として用いられているものを広く使用することができる。例えば、シリカ粉末、アルミナ粉末、窒化ケイ素粉末、窒化アルミ粉末、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、クレー、マイカ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独もしくは2種以上混合して用いることができる。特にシリカ粉末が、そのなかでも結晶シリカ粉末が、その特性上よく用いられる。(C)炭化ケイ素粉末および(D)無機充填剤の配合割合は、(C)成分と(D)成分を合計して樹脂組成物全体に対して50〜90重量%の割合で含有することが望ましく、配合量が50重量%未満では、耐熱性、耐湿性、機械的特性および成形性が悪くなり、逆に配合量が90重量%を超えると、カサバリが大きくなって成形性に乏しくなり実用に適さなくなる。また、無機充填剤の平均粒径は、10〜30μmが好ましく、最大粒径は150μm以下が好ましい。
【0013】
本発明の樹脂組成物は、前述した特定のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤を成分を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度において、また必要に応じて、例えば、硬化促進剤、天然ワックス類、合成ワックス類等の離型剤、三酸化アンチモン、ブロム化エポキシ樹脂等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、ゴム系やシリコーン系ポリマーの低応力付与剤、アミン変性およびエポキシ変性シリコーンオイル等のカップリング剤等を適宜、添加配合することができる。
【0014】
本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料として調製する場合の一般的な方法としては、前述した(A)〜(D)成分、その他成分を配合し、ミキサー等によって十分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理又はニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。こうして得られた成形材料は、とくに限定されるものではない。成形の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注型等による成形も可能である。成形後、加熱して樹脂を硬化させる際、150℃以上にすることが望ましい。
【0015】
【作用】
本発明のエポキシ樹脂組成物および成形品は、前述したエポキシ樹脂組成物に、特定配合率の炭化ケイ素粉末を用いることによって、硬化物の熱伝導率が高く成形性の優れた樹脂組成物が得られるものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
次に本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。以下の実施例および比較例において「%」とは「重量%」を意味する。
【0017】
実施例1
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200、軟化点80℃)11%、ノボラック型フェノール樹脂(OH当量105、軟化点102℃)6%、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂AER−8029(旭チバ社製、商品名)2%、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が30μmの炭化ケイ素10%、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が25μmの結晶シリカ粉末67%、2−メチルイミダゾール0.2%、エステル系ワックス1%、カルナバワックス0.3%、カーボンブラック0.2%、三酸化アンチモン1.5%、およびシランカップリング剤・低応力添加剤のシリコーンオイル1%を常温で混合し、さらに90〜110℃で溶融混練した後、冷却粉砕して成形材料を製造した。
【0018】
こうして製造した成形材料を用いて、その比重、熱伝導率、150℃における体積抵抗率、TO−220半導体封止パッケージ成形について諸試験を行ったので、結果を表1に示す。本発明の効果が確認された。
【0019】
実施例2
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200、軟化点70℃)9%、ノボラック型フェノール樹脂(OH当量105、軟化点86℃)5%、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂AER−8029(旭チバ社製、商品名)2%、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が30μmの炭化ケイ素20%、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が25μmの結晶シリカ粉末61%、トリフェニルホスフィン0.2%、カルナバワックス0.1%、カーボンブラック0.2%、三酸化アンチモン1.5%、およびシランカップリング剤・低応力添加剤のシリコーンオイル1%を常温で混合し、さらに90〜110℃で溶融混練した後、冷却粉砕して成形材料を製造した。
【0020】
こうして製造した成形材料を用いて、その比重、熱伝導率、150℃における体積抵抗率、TO−220半導体封止パッケージ成形について諸試験を行ったので、結果を表1に示す。本発明の効果が確認された。
【0021】
比較例1
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200、軟化点80℃)11%、ノボラック型フェノール樹脂(OH当量105、軟化点102℃)6%、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂AER−8029(旭チバ社製、商品名)2%、最大粒子径が120μm以下で平均粒子径が22μmの結晶シリカ粉末77%、2−メチルイミダゾール0.2%、カルナバワックス0.1%、カーボンブラック0.2%、三酸化アンチモン1.5%、およびシランカップリング剤・低応力添加剤のシリコーンオイル1%を常温で混合し、さらに90〜110℃で溶融混練した後、冷却粉砕して成形材料を製造した。
【0022】
こうして製造した成形材料を用いて、その比重、熱伝導率、150℃における体積抵抗率、TO−220半導体封止パッケージ成形について諸試験を行ったので、結果を表1に示す。
【0023】
比較例2
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200、軟化点70℃)7.5%、ノボラック型フェノール樹脂(OH当量105、軟化点86℃)4.5%、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂AER−8029(旭チバ社製、商品名)2%、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が25μmの結晶シリカ粉末84%、トリフェニルホスフィン0.2%、カルナバワックス0.1%、カーボンブラック0.2%、三酸化アンチモン1.5%、およびシランカップリング剤・低応力添加剤のシリコーンオイル1%を常温で混合し、さらに90〜110℃で溶融混練した後、冷却粉砕して成形材料を製造した。
【0024】
こうして製造した成形材料を用いて、その比重、熱伝導率、150℃における体積抵抗率、TO−220半導体封止パッケージ成形について諸試験を行ったので、結果を表1に示す。
【0025】
比較例3
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200、軟化点70℃)9%、ノボラック型フェノール樹脂(OH当量105、軟化点86℃)5%、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂AER−8029(旭チバ社製、商品名)2%、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が30μmの炭化ケイ素4%、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が25μmの結晶シリカ粉末77%、トリフェニルホスフィン0.2%、カルナバワックス0.1%、カーボンブラック0.2%、三酸化アンチモン1.5%、およびシランカップリング剤・低応力添加剤のシリコーンオイル1%を常温で混合し、さらに90〜110℃で溶融混練した後、冷却粉砕して成形材料を製造した。
【0026】
こうして製造した成形材料を用いて、その比重、熱伝導率、150℃における体積抵抗率、TO−220半導体封止パッケージ成形について諸試験を行ったので、結果を表1に示す。
【0027】
比較例4
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200、軟化点70℃)9%、ノボラック型フェノール樹脂(OH当量105、軟化点86℃)5%、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂AER−8029(旭チバ社製、商品名)2%、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が30μmの炭化ケイ素50%、最大粒子径が150μm以下で平均粒子径が25μmの結晶シリカ粉末31%、トリフェニルホスフィン0.2%、カルナバワックス0.1%、カーボンブラック0.2%、三酸化アンチモン1.5%、およびシランカップリング剤・低応力添加剤のシリコーンオイル1%を常温で混合し、さらに90〜110℃で溶融混練した後、冷却粉砕して成形材料を製造した。
【0028】
こうして製造した成形材料を用いて、その比重、熱伝導率、150℃における体積抵抗率、TO−220半導体封止パッケージ成形について諸試験を行ったので、結果を表1に示す。
【0029】
【表1】
Figure 2004250523
*1:トランスファー成形によってφ50×3mmの成形品をつくり、175℃、8時間放置した後、測定した。
【0030】
*2:トランスファー成形によって成形品をつくり、迅速熱伝導率計を用いてプローブ法により測定した。
【0031】
*3:トランスファー成形によってφ100×2mmの成形品をつくり、175℃、8時間放置した後、150℃における体積抵抗率を測定した。
【0032】
*4:TO−220半導体封止パッケージを80個成形し、その充填不良パッケージの個数をカウントした。
【0033】
【発明の効果】
以上の説明および表1から明らかなように、本発明のエポキシ樹脂組成物および成形品は、炭化ケイ素粉末とその他の無機充填剤との適当な組合せの特定配合により、高充填化を可能とし、硬化物の熱伝導率が高く成形性の優れた樹脂組成物が得られるものである。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an epoxy resin composition excellent in moldability and a molded article.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in the electric and electronic equipment industry, in order to promote miniaturization and weight reduction, high integration for electric and electronic parts is required, and sealing materials, insulating pastes, heat radiation sheets and the like for parts are higher. Heat dissipation is required. Thus, nitride powders such as silicon nitride and aluminum nitride have been proposed as fillers having better heat dissipation properties than fused silica or crystalline silica. (JP-A-60-4522, JP-A-61-101522, JP-A-62-43415). Resin compositions using these nitride powders as fillers have certainly improved heat dissipation, but are inferior in moldability compared to resin compositions using fused silica or crystalline silica as fillers, Since high filling cannot be achieved, there is a disadvantage that the heat radiation properties of these nitride powders cannot be fully utilized.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems and to meet the above-mentioned demands, and it is possible to achieve high filling by mixing an appropriate combination of silicon carbide powder and other inorganic fillers, An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition having good moldability while giving heat dissipation, and a molded article molded using the same.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have conducted intensive studies on the effects of inorganic fillers on thermal conductivity in order to achieve the above objects, and as a result, by replacing the inorganic filler of the resin with a specific range of silicon carbide, The inventors have found that a resin composition having a high thermal conductivity of a cured product and excellent moldability can be obtained, and the present invention has been completed.
[0005]
That is, the present invention
(A) epoxy resin,
(B) a phenolic resin,
(C) Silicon carbide powder and (D) an inorganic filler are essential components, and the silicon carbide powder of (C) is 5 to 30% by weight with respect to the whole resin composition. It is characterized by containing the total of silicon carbide powder and (D) inorganic filler at a ratio of 50 to 90% by weight, and having a cured product having a thermal conductivity of 2.4 W / (m · K) or more. An epoxy resin composition and a molded article characterized by being molded with the epoxy resin composition.
[0006]
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[0007]
The epoxy resin (A) used in the present invention is not particularly limited in molecular structure, molecular weight, etc., as long as it is a compound having two or more epoxy groups in one molecule. Can be included. For example, fragrances such as cresol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, etc. Aliphatic epoxy resins such as aliphatic and cyclohexane derivatives, and compounds represented by the following general formula:
Figure 2004250523
(Where n represents an integer of 1 or more)
These can be used alone or in combination of two or more.
[0008]
The phenolic resin (B) used in the present invention is not particularly limited as long as it has two or more phenolic hydroxyl groups capable of reacting with the epoxy resin (A) in one molecule. Specific compounds include, for example, phenol novolak, cresol novolak, bisphenols, catechol, resorcinol, naphthols, and dicyclopentadiene-modified, terpene-modified phenolic resins, and a compound represented by the following general formula: It is.
[0009]
Embedded image
Figure 2004250523
(Where n represents an integer of 1 or more)
Embedded image
Figure 2004250523
(Where n represents an integer of 1 or more)
These phenol resins are used alone or in combination of two or more.
[0010]
The mixing ratio of these phenol resins is such that the equivalent ratio [(a) / (b)] between the epoxy group (a) of the epoxy resin and the phenolic hydroxyl group (b) of the phenol resin is in the range of 0.1 to 10. It is desirable to be within. If the equivalent ratio is less than 0.1 or exceeds 10, the moisture resistance, heat resistance, molding workability, and electrical properties of the cured product are deteriorated, and any case is not preferable. Therefore, it is better to limit to the above range.
[0011]
The silicon carbide powder (C) used in the present invention is a black silicon carbide powder or a green silicon carbide powder. Generally, a high thermal conductive epoxy encapsulating material is a semiconductor encapsulant having a thin portion having a thickness of 0.3 to 0.5 mm. The average particle size is preferably from 10 to 30 μm, and the maximum particle size is preferably 150 μm or less, since it is used for a package. The compounding ratio of the silicon carbide powder is desirably 5 to 30% by weight based on the whole resin composition, and when the ratio is less than 5% by weight, the thermal conductivity is 2.3 W / (m · K) or less, there is a possibility that a sufficient heat radiation effect may not be obtained, and if it exceeds 30% by weight, the volume resistivity at 150 ° C. becomes less than 10 12 Ω · cm, which may result in poor insulation. Yes, not practical.
[0012]
As the inorganic filler (D) used in the present invention, those generally used as a sealing material can be widely used. For example, silica powder, alumina powder, silicon nitride powder, aluminum nitride powder, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, talc, calcium carbonate, titanium white, clay, mica, glass fiber, etc., and these may be used alone or in combination. They can be used in combination. Particularly, silica powder, and among them, crystalline silica powder is often used due to its characteristics. The mixing ratio of the (C) silicon carbide powder and the (D) inorganic filler may be 50 to 90% by weight of the total of the resin composition in total of the (C) component and the (D) component. Desirably, if the amount is less than 50% by weight, heat resistance, moisture resistance, mechanical properties, and moldability are deteriorated. If the amount is more than 90% by weight, burrs are increased and moldability is poor, resulting in poor practical use. Not suitable for The average particle size of the inorganic filler is preferably 10 to 30 μm, and the maximum particle size is preferably 150 μm or less.
[0013]
The resin composition of the present invention contains the above-mentioned specific epoxy resin, phenol resin, and inorganic filler as essential components, but as long as it does not contradict the purpose of the present invention, and if necessary, for example, accelerates curing. Agents, release agents such as natural waxes and synthetic waxes, flame retardants such as antimony trioxide and brominated epoxy resins, coloring agents such as carbon black, low stress imparting agents for rubber and silicone polymers, amine modification and A coupling agent such as an epoxy-modified silicone oil or the like can be appropriately added and blended.
[0014]
As a general method for preparing the epoxy resin composition of the present invention as a molding material, the above-mentioned components (A) to (D) and other components are blended, sufficiently mixed by a mixer or the like, and then further mixed. A melt-mixing process using a hot roll or a mixing process using a kneader or the like is performed, followed by cooling and solidification, and pulverization into an appropriate size to obtain a molding material. The molding material thus obtained is not particularly limited. The most common molding method is a low pressure transfer molding method, but molding by injection molding, compression molding, casting or the like is also possible. When the resin is cured by heating after molding, the temperature is desirably 150 ° C. or higher.
[0015]
[Action]
The epoxy resin composition and the molded article of the present invention can obtain a resin composition having a high thermal conductivity of a cured product and excellent moldability by using a silicon carbide powder having a specific compounding ratio in the epoxy resin composition described above. It is something that can be done.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, the present invention will be described specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following Examples and Comparative Examples, “%” means “% by weight”.
[0017]
Example 1
Cresol novolak epoxy resin (epoxy equivalent 200, softening point 80 ° C) 11%, novolak phenol resin (OH equivalent 105, softening point 102 ° C) 6%, tetrabromobisphenol A epoxy resin AER-8029 (Asahi Ciba) (Trade name) 2%, silicon carbide 10% having a maximum particle size of 150 μm or less and an average particle size of 30 μm, crystalline silica powder 67% having a maximum particle size of 150 μm or less and an average particle size of 25 μm, 2-methylimidazole 0.1%. 2%, ester wax 1%, carnauba wax 0.3%, carbon black 0.2%, antimony trioxide 1.5%, and silane coupling agent / low stress additive silicone oil 1% mixed at room temperature After melt-kneading at 90 to 110 ° C., the mixture was cooled and pulverized to produce a molding material.
[0018]
Various tests were conducted on the specific gravity, thermal conductivity, volume resistivity at 150 ° C., and TO-220 semiconductor encapsulation package molding using the molding material thus produced. The results are shown in Table 1. The effect of the present invention was confirmed.
[0019]
Example 2
Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 200, softening point 70 ° C) 9%, novolak type phenol resin (OH equivalent 105, softening point 86 ° C) 5%, tetrabromobisphenol A type epoxy resin AER-8029 (Asahi Ciba) (Trade name) 2%, silicon carbide 20% having a maximum particle diameter of 150 μm or less and an average particle diameter of 30 μm, 61% of crystalline silica powder having a maximum particle diameter of 150 μm or less and an average particle diameter of 25 μm, triphenylphosphine 0.2 %, Carnauba wax 0.1%, carbon black 0.2%, antimony trioxide 1.5%, and 1% of a silane coupling agent / low stress additive silicone oil 1% at room temperature. , And then cooled and pulverized to produce a molding material.
[0020]
Various tests were conducted on the specific gravity, thermal conductivity, volume resistivity at 150 ° C., and TO-220 semiconductor encapsulation package molding using the molding material thus produced. The results are shown in Table 1. The effect of the present invention was confirmed.
[0021]
Comparative Example 1
Cresol novolak epoxy resin (epoxy equivalent 200, softening point 80 ° C) 11%, novolak phenol resin (OH equivalent 105, softening point 102 ° C) 6%, tetrabromobisphenol A epoxy resin AER-8029 (Asahi Ciba) (Trade name) 2%, crystalline silica powder 77% having a maximum particle diameter of 120 μm or less and an average particle diameter of 22 μm, 2-methylimidazole 0.2%, carnauba wax 0.1%, carbon black 0.2%, 1.5% of antimony oxide and 1% of a silane coupling agent / low stress additive silicone oil were mixed at room temperature, melt-kneaded at 90 to 110 ° C., and then cooled and pulverized to produce a molding material.
[0022]
Various tests were conducted on the specific gravity, thermal conductivity, volume resistivity at 150 ° C., and TO-220 semiconductor encapsulation package molding using the molding material thus produced. The results are shown in Table 1.
[0023]
Comparative Example 2
Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 200, softening point 70 ° C) 7.5%, novolak type phenol resin (OH equivalent 105, softening point 86 ° C) 4.5%, tetrabromobisphenol A type epoxy resin AER-8029 ( 2%, 84% of crystalline silica powder having a maximum particle diameter of 150 μm or less and an average particle diameter of 25 μm, triphenylphosphine 0.2%, carnauba wax 0.1%, carbon black 0.2 %, 1.5% antimony trioxide, and 1% silicone oil, a silane coupling agent and a low stress additive, are mixed at room temperature, melt-kneaded at 90-110 ° C, and then cooled and pulverized to produce a molding material. did.
[0024]
Various tests were conducted on the specific gravity, thermal conductivity, volume resistivity at 150 ° C., and TO-220 semiconductor encapsulation package molding using the molding material thus produced. The results are shown in Table 1.
[0025]
Comparative Example 3
Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 200, softening point 70 ° C) 9%, novolak type phenol resin (OH equivalent 105, softening point 86 ° C) 5%, tetrabromobisphenol A type epoxy resin AER-8029 (Asahi Ciba) (Trade name) 2%, silicon carbide 4% having a maximum particle size of 150 μm or less and an average particle size of 30 μm, 77% of crystalline silica powder having a maximum particle size of 150 μm or less and an average particle size of 25 μm, triphenylphosphine 0.2 %, Carnauba wax 0.1%, carbon black 0.2%, antimony trioxide 1.5%, and 1% of a silane coupling agent / low stress additive silicone oil 1% at room temperature. , And then cooled and pulverized to produce a molding material.
[0026]
Various tests were conducted on the specific gravity, thermal conductivity, volume resistivity at 150 ° C., and TO-220 semiconductor encapsulation package molding using the molding material thus produced. The results are shown in Table 1.
[0027]
Comparative Example 4
Cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 200, softening point 70 ° C) 9%, novolak type phenol resin (OH equivalent 105, softening point 86 ° C) 5%, tetrabromobisphenol A type epoxy resin AER-8029 (Asahi Ciba) (Trade name) 2%, silicon carbide 50% having a maximum particle size of 150 μm or less and an average particle size of 30 μm, crystalline silica powder 31% having a maximum particle size of 150 μm or less and an average particle size of 25 μm, triphenylphosphine 0.2 %, Carnauba wax 0.1%, carbon black 0.2%, antimony trioxide 1.5%, and 1% of a silane coupling agent / low stress additive silicone oil 1% at room temperature. , And then cooled and pulverized to produce a molding material.
[0028]
Various tests were conducted on the specific gravity, thermal conductivity, volume resistivity at 150 ° C., and TO-220 semiconductor encapsulation package molding using the molding material thus produced. The results are shown in Table 1.
[0029]
[Table 1]
Figure 2004250523
* 1: A molded product of φ50 × 3 mm was prepared by transfer molding, left at 175 ° C. for 8 hours, and measured.
[0030]
* 2: A molded article was prepared by transfer molding and measured by a probe method using a rapid thermal conductivity meter.
[0031]
* 3: A molded article having a diameter of 100 × 2 mm was prepared by transfer molding, left at 175 ° C. for 8 hours, and the volume resistivity at 150 ° C. was measured.
[0032]
* 4: 80 TO-220 semiconductor sealed packages were molded, and the number of defectively filled packages was counted.
[0033]
【The invention's effect】
As apparent from the above description and Table 1, the epoxy resin composition and the molded article of the present invention can be highly filled by a specific combination of an appropriate combination of silicon carbide powder and another inorganic filler, A resin composition having a high thermal conductivity of a cured product and excellent moldability can be obtained.

Claims (4)

(A)エポキシ樹脂、
(B)フェノール樹脂、
(C)炭化ケイ素粉末および
(D)無機充填剤
を必須成分とし、全体の樹脂組成物に対して前記(C)の炭化ケイ素粉末を5〜30重量%の割合で、また前記(C)の炭化ケイ素粉末及び(D)無機充填剤の合計を50〜90重量%の割合で含有し、かつ、硬化物の熱伝導率が2.4W/(m・K)以上であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
(A) epoxy resin,
(B) a phenolic resin,
(C) Silicon carbide powder and (D) an inorganic filler are essential components, and the silicon carbide powder of (C) is 5 to 30% by weight based on the whole resin composition. It is characterized by containing the total of silicon carbide powder and (D) inorganic filler at a ratio of 50 to 90% by weight, and having a cured product having a thermal conductivity of 2.4 W / (m · K) or more. Epoxy resin composition.
(D)無機充填剤がシリカ粉末である請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。The epoxy resin composition according to claim 1, wherein (D) the inorganic filler is a silica powder. (D)無機充填剤が結晶シリカ粉末である請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。The epoxy resin composition according to claim 1, wherein (D) the inorganic filler is a crystalline silica powder. 請求項1〜3記載のエポキシ樹脂組成物により成形されたことを特徴とする成形品。A molded article formed by the epoxy resin composition according to claim 1.
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