JP2004246773A

JP2004246773A - プロセスの温度制御方法

Info

Publication number: JP2004246773A
Application number: JP2003038146A
Authority: JP
Inventors: Koji Toyooka; 孝司豊岡
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2003-02-17
Filing date: 2003-02-17
Publication date: 2004-09-02

Abstract

【課題】工業、化学プラントにおける製造プロセスにおいて、加熱および冷却手段により温度を精度よく制御するプロセスの温度制御方法を提供する。
【解決手段】最大加熱量の異なる加熱手段と冷却手段を２系統備え、温度偏差が大きいときには最大加熱量または最大冷却量の大きい手段のいずれか一方でＰＩＤ制御を行ない、予め設定した温度偏差に到達した時点からコントローラ切替器２２で切り替えて最大加熱量または最大冷却量の小さい手段の一方を主制御とし、他方を従制御に用いて同時にシリンダの温度制御を行う
【選択図】図３

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、工業、化学プラントで加熱および冷却処理の必要とする製造プロセスなどにおいて、加熱および冷却処理時の温度制御を精度よく行うプロセスの温度制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、工業・化学プラントなどで温度制御を行うのに、最大加熱および最大冷却能力の高い加熱・冷却手段を用いている。例えば、押出機でフィルムを製造する場合、ペレット状のプラスチックを加熱して溶融させるために、製造開始の初期時には、大きい出力を必要としている。つまり、短時間で目標温度に到達させるために最大加熱量の大きい加熱手段を用いている。（特許文献１参照）
【０００３】
また、製造対象によっては、加熱および冷却を必要とするものがある。この場合にも最大冷却量の大きい冷却手段を用いて短時間で目標温度まで到達させるようにしている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−２２０８０６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、単一の最大加熱量の大きい加熱または冷却手段を用いて温度制御を行った場合、次のような問題がある。
【０００６】
最大加熱量または最大冷却量の大きい加熱・冷却手段のそれぞれは、製造開始の初期時、制御温度の目標値に極端な高低差を持たせた変更を行う時、および冷却時においては、その目標温度に短時間で到達させることができるので有効である。しかし、製造過程における外乱の影響による微小な温度偏差に対する温度を補正する制御を行うことができない。つまり、大きい出力から即座に小さい出力に設定変更しても、装置自体の能力に限界があり、その変更に即座に追従することができないといった問題がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、製造プロセスなどにおいて、加熱および冷却による温度制御を精度よく行えるプロセスの温度制御方法を提供することを主たる目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、加熱機構を備えたプロセスの温度制御方法において、
前記加熱機構は、最大加熱量の異なる複数の加熱手段から構成され、制御対象の温度の目標値と実測値とから求まる実測偏差が予め定めた目標偏差よりも大きいときは、最大加熱量の大きい加熱手段で温度制御を行ない、実測偏差が目標偏差より小さいときは、最大加熱量が小さい加熱手段で温度制御を行うことを特徴とするものである。
【００１０】
（作用・効果）請求項１に記載の発明によれば、実測偏差と目標偏差との比較から求まる結果に応じて最大加熱量の異なる加熱手段が使い分けられる。その結果、精度よくプロセスの温度制御を実施することができる。例えば、加熱開始時のように目標値と実測値との偏差が大きく短時間で実測値を目標値まで到達させるために、大きい最大加熱量の加熱手段を利用する、結果、短時間で目標温度の近傍まで温度を上昇させることができる。また、実測値が目標値の近傍に到達したときに、最大加熱量の小さい加熱手段を利用することにより、目標値の近傍の実測偏差を小さいまま維持して安定した温度制御を行うことができる。つまり、目標値の近傍では、外乱による小さい偏差に対して精度よく温度制御ができるようになる。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のプロセスの温度制御方法において、
前記プロセスは、さらに冷却機構を備え、
前記冷却機構は、最大冷却量の異なる複数の冷却手段から構成され、制御対象の温度の目標値と実測値とから求まる実測偏差が予め定めた目標偏差より大きいときは、最大冷却量の大きい冷却手段で温度制御を行ない、実測偏差が目標偏差より小さいときは、最大冷却量の小さい冷却手段で温度制御を行うことを特徴とするものである。
【００１２】
（作用・効果）請求項２に記載の発明によれば、実測偏差と目標偏差との比較から求まる結果に応じて最大冷却量の異なる冷却手段が使い分けられる。その結果、精度よくプロセスの温度制御を実施することができる。例えば、目標値までの偏差が大きく高温である場合に、大きい最大冷却量の冷却手段を利用することにより、短時間で目標値の近傍まで温度を下げることができる。また、実測値が目標値の近傍に到達したときに、最大冷却量の小さい冷却手段を利用することにより、目標値の近傍の実測偏差を小さいまま維持して安定した温度制御を行うことができる。つまり、目標値の近傍では、外乱による小さい偏差に対して精度よく温度制御ができるようになる。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載のプロセスの温度制御方法において、前記目標温度の制御に用いるパラメータを前記加熱および冷却手段ごとに設定することを特徴とするものである。
【００１４】
（作用・効果）請求項３に記載の発明によれば、各加熱手段および各冷却手段のそれぞれの制御パラメータを個別に設定することにより、プロセスの温度制御をより高精度に行うことができる。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、請求項２または請求項３に記載のプロセスの温度制御方法において、前記実測値が目標値の近傍にあるときに加熱と冷却を同時に実施することを特徴とするものである。
【００１６】
（作用・効果）請求項４に記載の発明によれば、実測値が目標値の近傍に到達したときに、加熱と冷却を同時に行うことにより、より一層に安定した状態で温度制御を行うことができる。例えば、押出機などのように、シリンダの温度をヒータの加熱と冷却水の循環によって制御する場合であって、特に冷却を実施する場合において、冷却水が蒸発するときに潜熱を利用して冷却を行うのに有効である。この場合、冷却能力が高いために冷却開始と同時にシリンダの温度を即座に低温まで下げてしまうことがある。
【００１７】
したがって、冷却効果が著しい場合に小さい出力でヒータ加熱を行ないながら冷却を行うことで、安定した状態で加熱による温度制御ができる。その結果、目標値の近傍では、小さい偏差を維持した状態で安定した温度制御を行うことができる。
【００１８】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のプロセスの温度制御方法において、前記プロセスの温度制御方法を押出機に用いたことを特徴とするものである。
【００１９】
（作用・効果）請求項５に記載の発明によれば、押出機に上記請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法を実施することによって、フィルム製造のプロセスで外乱による小さい温度偏差に対応した温度制御を安定した状態で精度よく行うことができるとともに、目標値と実測値による要求偏差を小さく設定して温度制御することができる。
【００２０】
本願発明は、次のような解決手段も開示している。
（１）加熱・冷却機構を備えたプロセスの温度制御方法において、
加熱および冷却を同時に行う過程で、そのときの各制御出力の設定を変更可能にしたことを特徴とするプロセスの温度制御方法。
【００２１】
加熱および冷却を必要とするプロセスの温度制御において、例えば、初期時に制御対象を加熱して目標温度に到達させるためには、加熱出力を大きくして積極的に加熱する必要がある。また、冷却する場合にも同様に積極的に冷却する必要がある
【００２２】
しかしながら、実測値が目標値（温度）の近傍に到達しときや、加熱から冷却による温度制御に切り替える場合に次のような問題がある。
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すなわち、目標値の近傍で加熱から冷却に切り替える場合、冷却能力の高い冷却手段、例えば冷却水の循環により冷却水が蒸発するときの潜熱を利用するような場合には、現在の温度を即座に低温まで下げてしまうことがある。つまり、目標値を超えて低下させ、ハンチングを起こすといった問題がある。
【００２３】
上記（１）に記載の発明よれば、加熱と冷却を同時に行う過程で、各制御出力を設定変更することにより、目標値の近傍での温度制御をより一層精度よく行うことができる。つまり、加熱から冷却による温度制御に切り替えるときであって、冷却能力の高い冷却手段を利用する場合に、冷却出力に応じて加熱出力を設定変更して温度制御することにより、冷却によるハンチングを抑制することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
なお、本実施例の場合、フィルムを製造の押出機においてフィルム製造時の樹脂温度をシリンダの温度制御によって調節する場合を例に採って説明する。
図１は、押出機の概略構成を示す側面図、図２はシリンダおよびその周りの概略構成を示すブロック図である。
【００２５】
本実施例に用いる押出機１は、ペレット状のプラスチックなどの材料２を供給するホッパー３と、内装したスクリュー４によって材料２を摩擦・剪断しながら搬送する搬送部５と、搬送部内の材料２を加熱または冷却するシリンダ６と、搬送部内で溶融した材料２を冷却して硬化させる冷却ロール８の表面に塗工するダイ７とから構成されている。
【００２６】
なお、押出機１からロールに塗工されてフィルム成形された材料２は、厚み調節ロール９、搬送ロール群ｒ、フィルム化された材料２の表面処理（例えばコロナ処理など）を行う表面処理部１０の順で搬送処理され、回収部であるターレット１１に巻取り回収されるようになっている。以下、各部の構成について具体的に説明する。
【００２７】
シリンダ６は、搬送部５の基端から先端に向かって略等間隔に複数個（例えば図１では５個）付設されている。各シリンダ内には、加熱手段としてのヒータ類と、冷却手段として冷却水を循環させることのできる配管（図示しない）を備えた構成をしている。また、図２に示すように、加熱手段および冷却手段を調節するための各種出力信号を送信するＰＩＤコントローラ２００が設けられている。なお、図２に示すＰＩＤコントローラ２００は、説明の便宜上、加熱用および冷却用を兼用している。このＰＩＤコントローラ２００については後述する。
【００２８】
加熱手段は、ヒータ１２と、電力を供給してヒータ１２に電力を供給する電力調節器１３と、ヒータ１２に供給される電力量を操作（オン・オフのタイミング）して加熱温度を制御する半導体リレー１４（ＳＳＲ：ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＲｅｌａｙ）とから構成されている。
【００２９】
電力調節器１３は、異なる最大加熱量をヒータ１２が出力できるようになっている。具体的には、図２に示すように、抵抗値の異なる２個の電力調整用の抵抗器Ｒ１，Ｒ２のそれぞれが抵抗切替リレー１５ａ，１５ｂと組み合わされて並列接続されている。
【００３０】
また、抵抗切替リレー１５ａ，１５ｂのそれぞれは、ＰＩＤコントローラ２００に接続されており、ＰＩＤコントローラ２００のからの信号に応じていずれか一方側がオン状態となる。例えば、抵抗値の関係がＲ１＜Ｒ２の関係にあるときに抵抗器Ｒ１がオンになると大きい電力がヒータ１２に供給され、逆に抵抗器Ｒ２がオンになると小さい電力がヒータ１２に供給される。したがって、最大加熱量の異なる２系統のヒータを構成することができるようになっている。
【００３１】
冷却手段は、上手から順に冷却水の供給源である冷却ユニット１６、冷却水供給のオン・オフ切り替えを行うメインの電磁弁１７、電磁弁１７がオンになったときに異なる量の冷却水がシリンダ内に内装された配管を循環するように第１電磁弁１８と第１手動バルブ１９からなる第１系統、および第２電磁弁２０と第２手動バルブ２１からなる第２系統から構成されている。
【００３２】
つまり、第１系統側は、第１手動バルブ１９の開度を予め大きくした状態に設定する。第２系統側の第２手動バルブ２１は、第１系統側の第１手動バルブ１９の開度よりも小さくした状態に設定している。したがって、シリンダ６に冷却水を供給する量が異なり、最大冷却量が異なった２系統の冷却手段を構成している。なお、この２系統に対する冷却水の供給切り替えは、ＰＩＤコントローラ２００から送信される信号によって、電磁弁１７をオン、第１または第２電磁弁１８，２０の一方をオン、他方をオフとすることにより行なわれている。
【００３３】
第１および第２手動バルブ１９，２１の開度は予め行った実験などによって適時に決定される。
【００３４】
なお、図１に示す各シリンダ６は、上述の加熱および冷却手段を個別に備えており、シリンダ６ごとに独立して温度制御可能に構成されている。
【００３５】
図１に戻って、塗工材料の厚みを調節するロール９は、例えば金属やゴム製のものが適宜に利用される。また、冷却ロール８は、そのロール内部に冷却水が循環するようになっている。つまり、溶融した材料２がロール上で均一に延伸される過程で、冷却硬化されるようになっている。
【００３６】
次に、本実施例の特徴であるプロセスの温度制御方法を、上記実施例装置を用いて図２〜図５に基づいて説明する。
【００３７】
図３に示すように、実験などによって予め求めた各シリンダ６の温度の目標値ＳＶに対する高温および低温側の目標偏差ｅｈ，ｅｌのそれぞれをコントローラ切替器２２に設定入力する。フィルム製造開始に伴ってシリンダ６の温度が温度センサなどによって逐次実測される。この実測値ＰＶと目標値ＳＶとの偏差はコントローラ切替器２２に入力される。なお、目標偏差ｅｈ，ｅｌの設定は、高温側、低温側を個別の値に設定してもよいし、閾値を設定してもよい。
【００３８】
ここでは、コントローラ切替器２２が加熱用ＰＩＤコントローラ側に切り替え（ｅ＞０）を選択し、加熱による温度制御をメインに行う場合について説明してゆく。
【００３９】
コントローラ切替器２２は、先ず目標値ＳＶと実測値ＰＶとの差分であるｅを入力し、ｅ＞０と判断すると、加熱用ＰＩＤコントローラ側を切り替え選択する。加熱用ＰＩＤコントローラ側を選択すると同時に実測偏差ｅと目標偏差ｅｌとを比較し、実測偏差ｅがｅｌ＜ｅの関係になるときは第１加熱用ＰＩＤコントローラ２３に切り替える。逆に実測偏差ｅが目標偏差ｅｌがｅｌ≧ｅの関係にあるときは、第２加熱用ＰＩＤコントローラ２５に切り替える。
【００４０】
つまり、実測偏差ｅが目標偏差ｅｌよりも大きいときには最大加熱量の大きい加熱手段をＰＩＤ制御するように選択し、実測偏差ｅが目標偏差ｅｌよりも小さいときは最大加熱量の小さい加熱手段をＰＩＤ制御するように適時に切り替えて選択する。
【００４１】
具体的に偏差がｅｌ＜ｅの関係にあるとき、コントローラ切替器２２は、第１加熱用ＰＩＤコントローラ２３を選択するとともに、第１冷却用ＰＩＤコントローラ２７を選択する。
【００４２】
第１加熱用および第１冷却用ＰＩＤコントローラ２３，２７のそれぞれは、図４に示すように、ＰＩＤ制御出力などを求める演算処理部３２と、求まるＰＩＤ制御出力を記憶するメモリ３３とを備えている。
【００４３】
第１加熱用および第１冷却用ＰＩＤコントローラ２３，２７における演算処理部３２では、先ず目標値ＳＶと実測値ＰＶとの差分である実測偏差ｅを用いて次式（１）から比例出力ＭＶｐを、次式（２）から積分出力ＭＶｉを、次式（３）から微分出力ＭＶｄをそれぞれ求めて、次式（４）に示すように、これらの総和から制御出力ＭＶを求める。
【００４４】
ＭＶｐ＝１００／ＰＢ×ｅ … （１）
ＭＶｉ＝１００／ＰＢ（１／Ｔｉ×∫ｅｄｔ） … （２）
ＭＶｄ＝１００／ＰＢ（Ｔｄ×ｄｅ／ｄｔ） … （３）
ＭＶ＝ＭＶｐ＋ＭＶｉ＋ＭＶｄ … （４）
【００４５】
ここで、ＰＢは比例帯、Ｔｉは積分時間、Ｔｄは微分時間のそれぞれを示している。
【００４６】
この求まる制御出力ＭＶに基づいて、シリンダ６の温度制御を行う。この場合、実測により求まる偏差が大きく、急速な加熱による温度制御をメインに行うので、第１冷却用ＰＩＤコントローラから求まる制御出力ＭＶをゼロとしておく。
【００４７】
つまり、シリンダ温度制御プロセス３１では、第１加熱用ＰＩＤコントローラ２３からの信号および制御出力により、図２に示す大きい電力を出力する側の抵抗切替リレー１５ａをオンにするとともに、ＳＳＲ１４のオン・オフのタイミングを操作して電力調節器１３から供給される電力量を変化させ、ヒータ１２の加熱量を調節しながらシリンダ６の温度を制御する。
【００４８】
最大加熱量の大きい加熱手段での温度制御を行う過程で、実測偏差ｅと目標偏差ｅｌの関係がｅｌ≧ｅの関係になると、コントローラ切替器２２は、最大加熱量の小さい側を制御する第２加熱用ＰＩＤ制御コントローラ２５を選択するとともに、最大冷却量の小さい側を制御する第２冷却用コントローラ２９を選択する。この場合、目標値の近傍で加熱を主制御とし、冷却を従制御として同時に温度制御が行えるようＰＩＤ制御パラメータを設定する。
【００４９】
つまり、第２加熱用および第２冷却用ＰＩＤコントローラ２５，２９もまた、図４に示すように、ＰＩＤ制御出力などを求める演算処理部３２と、求まるＰＩＤ制御出力を記憶するメモリ３３とを備えている。
【００５０】
したがって、第２加熱用および第２冷却用ＰＩＤコントローラ２５，２９の演算処理部のそれぞれでは、同時に加熱と冷却を実行するときの出力関係を決定する。具体的には、図５に示すように、実測値ＰＶが目標値ＳＶに到達した時点で加熱制御出力ＭＶｈと冷却制御出力ＭＶｃとが同時に出力可能である出力領域を決定する。このときの加熱制御出力側のａ値と冷却制御出力側のｂ値は実験などによって予め求めた値であって、任意に設定変更ができるようになっている。このときの両制御出力ＭＶｈ，ＭＶｃは、次式（５），（６）により求められる。
【００５１】
ＭＶｈ＝（ＭＶ＋ａ）×１００／（１００＋ａ） … （５）
ＭＶｃ＝−１×｛（ＭＶ＋ｂ）×１００／（１００＋ｂ）｝ … （６）
【００５２】
この求まる加熱側の制御出力ＭＶｈは、第２ヒータ加熱温度制御プロセス２６に入力される。そして、シリンダ温度制御プロセス３１では、第２加熱用ＰＩＤコントローラ２５からの信号および制御出力により、図２に示す小さい電力を出力する側の抵抗切替リレー１５ｂをオンにするとともに、ＳＳＲ１４をオン・オフのタイミングを操作して電力調節器１３から供給される電力量を変化させ、ヒータ１２の最大加熱量を調節しながらシリンダ６の温度を制御する。
【００５３】
また同時に、第２チラー冷却温度制御プロセス３０は、第２冷却用ＰＩＤコントローラ２９からの信号により、電磁弁１７がオンになるとともに、最大冷却量の小さい第２電磁弁２０をオンとし、開度を全開にして冷却水をシリンダ内に供給循環させるタイミングを調節しながらシリンダ６の温度制御を開始する。
【００５４】
したがって、目標値ＳＶの近傍では加熱および冷却による温度制御を同時に実施すことになり、冷却または加熱が極端に作用して目標値ＳＶの近傍でハンチングするのを抑えることができ、外乱による小さい偏差に対して安定した温度制御を行うことができる。
【００５５】
上記実施例では、目標偏差ｅに到達した時点からは加熱を主制御とし、冷却を従制御としてシリンダ６の温度制御を行っていたが、冷却を主制御にし、加熱を従制御としてシリンダ６の温度制御を行ってもよい。
【００５６】
以上のように、最大加熱量および最大冷却量の異なる加熱手段および冷却手段のそれぞれが、個別のＰＩＤ制御パラメータに基づいてシリンダ６の温度が制御されることにより、精度の高い温度制御が可能となる。つまり、急速に加熱が必要な場合においては、大きい最大加熱量となるようにヒータ１２の設定を行うことにより、実測値ＰＶを目標値ＳＶに短時間で到達させるようにできる。また、実測偏差ｅが目標偏差ｅｌに到達した時点であって目標値ＳＶの近傍においては、小さい加熱量となるようにヒータ１２を設定し、かつ、小さい最大冷却量となるようにシリンダ６への冷却水の供給を設定し、加熱および冷却を同時作動させてシリンダ６の温度制御を行うことにより、外乱による小さい偏差に対応した温度制御を行うことができる。
【００５７】
なお、上述のプロセスの温度制御方法を用いた押出機１により、フィルムを製造した場合、以下のような結果が得られた。
【００５８】
最大加熱量の大きい単一の加熱手段を用いてＰＩＤ制御する従来装置では、シリンダ６の目標値と実測値による偏差の要求値が最高で４℃までしか管理しきれなかったが、本実施例装置では、偏差の要求値を１℃以下に設定してフィルムの製造を可能とすることが確認できた。したがって、高品質なフィルムの製造が可能となった。
【００５９】
本発明は上述した実施例のものに限らず、次のように変形実施することができる。
【００６０】
（１）上述実施例装置では、図５に示すように、加熱側および冷却側の両方が温度偏差に応じた２系統ごとのＰＩＤコントローラをそれぞれ備えていたが、図６に示すように、加熱側および冷却側のそれぞれ２系統が同一のＰＩＤコントローラ４０，４１によりＰＩＤ制御を行えるように構成してもよい。この場合、ＰＩＤコントローラ４０，４１のそれぞれが、加熱および冷却の最大能力ごとのＰＩＤ制御パラメータを設定可能とし、個別に制御するように構成すればよい。
【００６１】
（２）上記実施例装置では、加熱および冷却のそれぞれを２系統有していたが、２系統以上であってもよい。２系統以上にすることによって、温度偏差の幅を細かく分割し、各偏差に応じて温度制御することができるので、より精度の高い温度制御を行うことができる。
【００６２】
（３）上記実施例装置では、目標値の近傍で加熱と冷却を同時に行える１パターンのＰＩＤ制御パラメータを用いてシリンダ６の温度制御を行っていたが、各ＰＩＤコントローラが２パターンのＰＩＤ制御パラメータを用いてもよい。
【００６３】
例えば、製造開始時のように急速な加熱が必要な場合や、製造終了前に急速な冷却が必要な場合は、図７に示すよう、加熱制御出力ＭＶｈと冷却制御出力ＭＶｃの出力の大きなＰＩＤ制御パラメータを利用し、予め設定した目標偏差ｅに到達してからは外乱の影響による小さい偏差に対応可能なように、図５に示す加熱と冷却を同時に行うＰＩＤ制御パラメータを利用してシリンダ６の温度制御を行ってもよい。
【００６４】
（４）上記実施例装置では、実測偏差ｅが目標偏差ｅｌに到達するまでは、第１冷却用ＰＩＤコントローラ２７の制御出力ＭＶをゼロに設定していたが、その加熱過程で適時にシリンダ６を冷却しながら温度の微調整を行うように温度制御してもよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、目標温度に対して予め定めた目標偏差に応じて最大加熱量の異なる加熱手段を用いることにより、終始安定した状態でプロセスの温度制御を行うことができる。つまり、製造プロセスにおいて、その開始時は最大加熱量の大きい加熱手段を用いることにより、所定の目標温度まで短時間で到達させることができる。また、予め定めた目標偏差以下からは最大加熱量の小さい加熱手段を用いることにより、外乱による小さい偏差に対して細かい温度調節が可能となる。したがって、従来のように最大加熱量の大きい単一の加熱手段を用いて温度制御するのに比べ、外乱による小さな温度偏差に対応できるので、温度管理の厳しい製品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に用いる押出機およびその周辺の概略構成を示す側面図である。
【図２】シリンダの構成を示すブロック図である。
【図３】シリンダの制御プロセスを示したブロック図である。
【図４】各ＰＩＤコントローラの内部構成を示したブロック図である。
【図５】温度制御プロセスにおける加熱制御出力と冷却制御出力との関係を示した図である。
【図６】シリンダの制御プロセスの変形例を示したブロック図である。
【図７】変形例の温度制御プロセスにおける加熱制御出力と冷却制御出力との関係を示した図である。
【符号の説明】
１ … 押出機
６ … シリンダ
１２ … ヒータ
１３ … 電力調節器
１４ … ＳＳＲ
１５ａ，ｂ … 抵抗切替リレー
１６ … 冷却ユニット
１７，１８，２０ … 電磁弁
１９，２１ … 手動バルブ
Ｒ１，Ｒ２ … 抵抗器

Claims

加熱機構を備えたプロセスの温度制御方法において、
前記加熱機構は、最大加熱量の異なる複数の加熱手段から構成され、制御対象の温度の目標値と実測値とから求まる実測偏差が予め定めた目標偏差よりも大きいときは、最大加熱量の大きい加熱手段で温度制御を行ない、実測偏差が目標偏差より小さいときは、最大加熱量が小さい加熱手段で温度制御を行うことを特徴とするプロセスの温度制御方法。
請求項１に記載のプロセスの温度制御方法において、
前記プロセスは、さらに冷却機構を備え、
前記冷却機構は、最大冷却量の異なる複数の冷却手段から構成され、制御対象の温度の目標値と実測値とから求まる実測偏差が予め定めた目標偏差より大きいときは、最大冷却量の大きい冷却手段で温度制御を行ない、実測偏差が目標偏差より小さいときは、最大冷却量の小さい冷却手段で温度制御を行うことを特徴とするプロセスの温度制御方法。
請求項１または請求項２に記載のプロセスの温度制御方法において、
前記目標温度の制御に用いるパラメータを前記加熱および冷却手段ごとに設定することを特徴とするプロセスの温度制御方法。
請求項２または請求項３に記載のプロセスの温度制御方法において、
前記実測値が目標値の近傍にあるときに加熱と冷却を同時に実施することを特徴とするプロセスの温度制御方法。
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のプロセスの温度制御方法において、
前記プロセスの温度制御方法を押出機に用いたことを特徴とするプロセスの温度制御方法。