JP2004221944A - 高周波用配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】誘電体基板の上下面に形成された第1の線路導体および第2の線路導体を貫通導体を介して伝送する高周波信号の伝送特性を向上させること。
【解決手段】高周波用配線基板は、第1および第2の同一面接地導体3a,3bは、第1および第2の線路導体2a,2bの端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、第1および第2の線路導体2a,2bの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が第1および第2の線路導体2a,2bの線路部分と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの所定間隔よりも大きくされており、かつ第1および第2の同一面接地導体3a,3b間を接続する接地貫通導体5が、第1および第2の線路導体2a,2bの両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部において貫通導体4を取り囲む円周上に4個配置されている。
【選択図】 図1
【解決手段】高周波用配線基板は、第1および第2の同一面接地導体3a,3bは、第1および第2の線路導体2a,2bの端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、第1および第2の線路導体2a,2bの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が第1および第2の線路導体2a,2bの線路部分と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの所定間隔よりも大きくされており、かつ第1および第2の同一面接地導体3a,3b間を接続する接地貫通導体5が、第1および第2の線路導体2a,2bの両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部において貫通導体4を取り囲む円周上に4個配置されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子等の高周波用電子部品に接続させて高周波信号を伝送させるための高周波用配線基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の貫通導体を介して伝送する高周波用配線基板(以下、高周波基板ともいう)の例を図2に示す。この高周波基板は、上面に搭載される高周波用半導体素子等の高周波用電子部品に電気的に接続される第1の線路導体12aとこれを一定間隔をもって取り囲むように形成された第1の同一面接地導体13aとから成る第1のコプレーナ線路と、外部電気回路基板の外部電気回路に電気的に接続される第2の線路導体12bとこれを一定間隔をもって取り囲むように形成された第2の同一面接地導体13bとから成る第2のコプレーナ線路とが、それぞれ誘電体基板11の上下面に形成されている。このような高周波基板は、高周波用回路基板、高周波用半導体素子収納用パッケージまたは高周波用半導体素子搭載用チップキャリア等に用いられる。
【0003】
また、第1の線路導体12aと第2の線路導体12bとを電気的に接続する貫通導体14、および第1の同一面接地導体13aと第2の同一面接地導体13bとを電気的に接続する接地貫通導体15とを具備しており、接地貫通導体15は第1および第2の線路導体12a,12bの両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように形成されている(例えば、下記の特許文献1参照)。これにより、外部電気回路と高周波用電子部品との高周波信号の入出力を行なうことができる。
【0004】
しかしながら、このような従来の高周波基板においては、第1および第2の線路導体12a,12bの端部と貫通導体14との接続部において、電気的な容量成分が大きくなり、接続部を伝送する高周波信号に反射損失や透過損失が発生し、高周波信号の伝送特性が劣化するという問題点があった。
【0005】
このような問題点を解決するために、図3に示すように、第1および第2の線路導体12a,12bの各端部付近の両側と第1および第2の同一面接地導体13a,13bとの間隔が線路部分よりも大きくなるように形成され、第1および第2の線路導体12a,12bの各端部付近両側の導体非形成部の形状が矩形状とされたものが提案されている(例えば、下記の特許文献2,3参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−168237号公報
【特許文献2】
特開2000−100993号公報
【特許文献3】
特開平11−186458号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献2,3に示される高周波基板は、第1および第2の線路導体12a,12bの端部と貫通導体14との接続部における容量成分を小さくすることができる。しかしながら、この構造では第1および第2の線路導体12a,12bの端部付近における接地貫通導体15を他の線路部分よりも第1および第2の線路導体12a,12bから離れた位置に形成しなければならないため電界の広がりが生じ易く、取り扱う信号の周波数がより高周波になると、第1および第2の線路導体12a,12bを伝送する高周波信号に反射損失や透過損失といった伝送損失が発生し易くなるという問題点があった。
【0008】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、誘電体基板の上下面に形成された第1の線路導体および第2の線路導体を貫通導体を介して伝送する高周波信号の伝送損失を小さくし、その伝送特性を向上させることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波用配線基板は、複数の誘電体層が積層されて成る誘電体基板の上面の縁部から中央部にかけて形成された、第1の線路導体および該第1の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第1の同一面接地導体から成る第1のコプレーナ線路と、前記誘電体基板の下面の中央部から縁部にかけて前記第1の線路導体の延長線に対向するように形成された、第2の線路導体および該第2の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第2の同一面接地導体から成る第2のコプレーナ線路と、前記第1の線路導体の前記誘電体基板の上面の中央部側の端部および前記第2の線路導体の前記誘電体基板の下面の中央部側の端部を電気的に接続する貫通導体とを具備した高周波用配線基板において、前記第1および第2の同一面接地導体は、前記第1および第2の線路導体のそれぞれの前記端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、前記第1および第2の線路導体のそれぞれの前記中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が前記所定間隔よりも大きくされており、かつ前記第1および第2の同一面接地導体間を電気的に接続する接地貫通導体が、前記第1および第2の線路導体の両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに前記第1および第2の線路導体のそれぞれの端部において前記貫通導体を取り囲む円周上に4個配置されていることを特徴とする。
【0010】
本発明の高周波用配線基板は、第1および第2の同一面接地導体は、第1および第2の線路導体のそれぞれの端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、第1および第2の線路導体のそれぞれの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が第1および第2の線路導体の線路部分と第1および第2の同一面接地導体との所定間隔よりも大きくされており、かつ第1および第2の同一面接地導体間を電気的に接続する接地貫通導体が、第1および第2の線路導体の両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに第1および第2の線路導体のそれぞれの端部において貫通導体を取り囲む円周上に4個配置されていることから、線路導体の端部と貫通導体との接続部に生じる容量成分を小さくできるとともに貫通導体とその周囲の接地貫通導体と第1および第2の同一面接地導体とで構成される貫通導体での伝送部をより同軸構造に近いものとすることができ、その結果、高周波信号の伝送特性を良好なものとし、より高い周波数帯域の高周波信号を低損失で伝送できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の高周波用配線基板について以下に詳細に説明する。図1において、1は誘電体基板、2a,2bは、誘電体基板1の上下面にそれぞれ形成され、高周波信号が伝送される第1の線路導体,第2の線路導体、3a,3bは、誘電体基板1の上下面に第1の線路導体2aの両側および第2の線路導体2bの両側に所定間隔をもってそれぞれ形成された第1の同一面接地導体,第2の同一面接地導体である。
【0012】
そして、第1の線路導体2aと第1の同一面接地導体3aとで第1のコプレーナ線路が形成されており、また、第2の線路導体2bと第2の同一面接地導体3bとで第2のコプレーナ線路が形成されている。なお、第1の線路導体2aと第1の同一面接地導体3aとは電気的に短絡しないように、また、第2の線路導体2bと第2の同一面接地導体3bも電気的に短絡しないように形成されている。
【0013】
また、4は第1の線路導体2aの端部と第2の線路導体2bの端部とを電気的に接続する貫通導体、5は第1の同一面接地導体3aと第2の同一面接地導体3bとを接続する接地貫通導体であり、これら貫通導体4、接地貫通導体5、第1および第2のコプレーナ線路で、上面に高周波用半導体素子等の高周波用電子部品が搭載される高周波基板が構成される。
【0014】
本発明の第1および第2の同一面接地導体3a,3bは、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が第1および第2の線路導体2a,2bの線路部分と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの所定間隔よりも大きくされており、かつ第1および第2の同一面接地導体3a,3b間を電気的に接続する接地貫通導体5が、第1および第2の線路導体2a,2bの両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに第1および第2の線路導体2a,3bのそれぞれの端部において貫通導体4を取り囲む円周上に4個配置されている。
【0015】
これにより、第1および第2の線路導体2a,2bの端部と貫通導体4との接続部に生じる容量成分を小さくできるとともに貫通導体4とその周囲の接地貫通導体5と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとで構成される貫通導体5での伝送部を同軸構造に近いものとすることができ、その結果、高周波信号の伝送特性を良好なものとし、より高い周波数帯域の高周波信号を低損失で伝送できる。
【0016】
第1および第2の同一面接地導体3a,3bは、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が第1および第2の線路導体2a,2bの線路部分と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの所定間隔よりも大きくされており、好ましくは、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部とそれを円形状に取り囲む第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの径方向における間隔が上記の所定間隔の1.1〜5倍であるのがよい。これにより、第1および第2の線路導体2a,2bの端部と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとが接近して容量成分が大きくなるのを抑制する効果と、貫通導体4において高周波信号の伝送性が低下するのを抑制する効果とがバランスよく発揮され、高周波信号をより低損失で伝送できる。
【0017】
第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部とそれを円形状に取り囲む第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの径方向における間隔が所定間隔の1.1倍未満であると、第1および第2の線路導体2a,2bの端部と貫通導体4との接続部に生じる容量成分が大きくなり易く、高周波信号の損失が大きくなり易い。また、5倍を超えると、貫通導体4と接地貫通導体5との距離が大きくなって同軸構造に近い電気的特性が得られ難く、高周波信号の損失が大きくなり易い。
【0018】
なお、第1および第2の線路導体2a,2bの線路部分と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの所定間隔は、誘電体基板1の材質,厚みや貫通導体4の特性インピーダンス等によって異なってくるが、0.1〜0.5mm程度である。
【0019】
また、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部において、4個の接地貫通導体5が配置された、貫通導体4を取り囲む円の半径は、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部を円形状に取り囲む第1および第2の同一面接地導体3a,3bの円の半径の1.1〜2倍であるのがよい。これにより、貫通導体4を同軸構造に近い電気的特性を有するものとすることができ、その結果、高周波信号の伝送特性を良好なものとし、より高い周波数帯域の高周波信号を低損失で伝送できる。
【0020】
4個の接地貫通導体5が配置された、貫通導体4を取り囲む円の半径が第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部を円形状に取り囲む第1および第2の同一面接地導体3a,3bの円の半径の1.1倍未満であると、接地貫通導体5の上下に第1および第2の接地導体3a,3bを精度よく形成するのが困難となる。また、2倍を超えると、貫通導体4と接地貫通導体5との距離が大きくなって同軸構造に近い電気的特性が得られ難く、高周波信号の損失が大きくなり易い。
【0021】
また、接地貫通導体5の中心と第1および第2の線路導体2a,2bの中心軸との間の距離および接地貫通導体5同士間の距離は、第1および第2の線路導体2a,2bを伝送する高周波信号の波長の4分の1以下とするのがよく、これにより、第1および第2の線路導体2a,2bを伝送する高周波信号の損失を小さくすることができる。これらの距離は、第1および第2のコプレーナ線路のインピーダンスが所望の特性インピーダンス(例えば50Ω)となるように適宜設定される。
【0022】
第1および第2の線路導体2a,2b、第1および第2の同一面接地導体3a,3bは、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銅(Cu),銀(Ag),金(Au),アルミニウム(Al)等の金属から成り、例えば、W,Mo,Mn等の粉末に有機溶剤,溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、誘電体基板1となるセラミックグリーンシートに、予め従来周知のスクリーン印刷法により所望の形状に印刷塗布し、約1600℃の高温で焼成することにより形成される。
【0023】
貫通導体4および接地貫通導体5は、誘電体基板1の上下面の第1および第2の線路導体2a,2b同士、第1および第2の同一面接地導体3a,3b同士を電気的に接続する導電体であり、例えば、セラミックグリーンシートの所望の位置に打ち抜き加工やレーザ穿設加工により貫通導体4,接地貫通導体5となる貫通孔を形成し、この貫通孔に、W,Mo,Mn等の粉末に有機溶剤,溶媒を添加混合して得た金属ペーストを充填し、第1および第2の線路導体2a,2b,第1および第2の同一面接地導体3a,3bとなる金属ペーストと同時焼成することにより形成される。
【0024】
また、誘電体基板1は、アルミナ(Al2O3)質焼結体や窒化アルミニウム(AlN)質焼結体等のセラミックスや樹脂等の誘電体から成り、その誘電率や熱膨張係数等の特性に応じて適宜選定される。
【0025】
この誘電体基板1は、例えば、セラミックスから成る場合、原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成し、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートとし、これらを複数積層し、約1600℃の高温で焼成することにより形成される。
【0026】
かくして、本発明の高周波基板は、例えば上面の第1の線路導体2aおよび第1の同一面接地導体3a以外の部位にIC,LSI,半導体レーザ(LD)等の高周波用電子部品が半田等の接着剤を介して搭載されるか、または、外部電気回路基板等に高周波用電子部品を搭載し、高周波用電子部品の電極パッドと第1の線路導体2aとがボンディングワイヤにより電気的に接続され、さらに高周波基板の下面の第2の線路導体2b,第2の同一面接地導体3bが、それぞれ外部電気回路基板の接続用線路導体,接地導体に半田等の接着剤を介して接続されることにより、高周波用電子部品と外部電気回路基板とをより高い周波数帯域の高周波信号で入出力させることができる。
【0027】
本発明でいう高周波帯域とは1〜100GHz(ギガヘルツ)程度の高周波帯域であり、1〜80GHz程度の帯域が好ましい。80GHzを超える高周波帯域では高周波信号が外部磁場の影響を受け易くなり、高周波信号にノイズが発生したり伝送損失が増大し易くなる。より好ましくは、1〜40GHz程度が良い。
【0028】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で変更や改良を施すことは何等差し支えない。例えば、本発明の高周波基板を半導体素子収納用パッケージの高周波信号入出力部としての入出力端子に用いても良い。また、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部において貫通導体4を取り囲む円周上に接地貫通導体5が4個だけ配置されているだけでなく、同一面接地導体3a,3bの上記円周上に位置する部位に接地貫通導体5がさらに形成されていてもよい。
【0029】
【発明の効果】
本発明の高周波用配線基板は、複数の誘電体層が積層されて成る誘電体基板の上面の縁部から中央部にかけて形成された、第1の線路導体および第1の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第1の同一面接地導体から成る第1のコプレーナ線路と、誘電体基板の下面の中央部から縁部にかけて第1の線路導体の延長線に対向するように形成された、第2の線路導体および第2の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第2の同一面接地導体から成る第2のコプレーナ線路と、第1の線路導体の誘電体基板の上面の中央部側の端部および第2の線路導体の誘電体基板の下面の中央部側の端部を電気的に接続する貫通導体とを具備した高周波用配線基板において、第1および第2の同一面接地導体は、第1および第2の線路導体のそれぞれの端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、第1および第2の線路導体のそれぞれの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が所定間隔よりも大きくされており、かつ第1および第2の同一面接地導体間を電気的に接続する接地貫通導体が、第1および第2の線路導体の両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに第1および第2の線路導体のそれぞれの端部において貫通導体を取り囲む円周上に4個配置されていることから、線路導体の端部と貫通導体との接続部に生じる容量成分を小さくできるとともに貫通導体とその周囲の接地貫通導体と第1および第2の同一面接地導体とで構成される貫通導体での伝送部をより同軸構造に近いものとすることができ、その結果、高周波信号の伝送特性を良好なものとし、より高い周波数帯域の高周波信号を低損失で伝送できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の高周波用配線基板の上面図であり、(b)は(a)のX−X’線における断面図、(c)は(a)の下面図である。
【図2】(a)は従来の高周波用配線基板の上面図であり、(b)は(a)のY−Y’線における断面図、(c)は(a)の下面図である。
【図3】(a)は従来の高周波用配線基板の他の例を示す上面図であり、(b)は(a)のZ−Z’線における断面図、(c)は(a)の下面図である。
【符号の説明】
1:誘電体基板
2a:第1の線路導体
2b:第2の線路導体
3a:第1の同一面接地導体
3b:第2の同一面接地導体
4:貫通導体
5:接地貫通導体
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子等の高周波用電子部品に接続させて高周波信号を伝送させるための高周波用配線基板に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の貫通導体を介して伝送する高周波用配線基板(以下、高周波基板ともいう)の例を図2に示す。この高周波基板は、上面に搭載される高周波用半導体素子等の高周波用電子部品に電気的に接続される第1の線路導体12aとこれを一定間隔をもって取り囲むように形成された第1の同一面接地導体13aとから成る第1のコプレーナ線路と、外部電気回路基板の外部電気回路に電気的に接続される第2の線路導体12bとこれを一定間隔をもって取り囲むように形成された第2の同一面接地導体13bとから成る第2のコプレーナ線路とが、それぞれ誘電体基板11の上下面に形成されている。このような高周波基板は、高周波用回路基板、高周波用半導体素子収納用パッケージまたは高周波用半導体素子搭載用チップキャリア等に用いられる。
【0003】
また、第1の線路導体12aと第2の線路導体12bとを電気的に接続する貫通導体14、および第1の同一面接地導体13aと第2の同一面接地導体13bとを電気的に接続する接地貫通導体15とを具備しており、接地貫通導体15は第1および第2の線路導体12a,12bの両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように形成されている(例えば、下記の特許文献1参照)。これにより、外部電気回路と高周波用電子部品との高周波信号の入出力を行なうことができる。
【0004】
しかしながら、このような従来の高周波基板においては、第1および第2の線路導体12a,12bの端部と貫通導体14との接続部において、電気的な容量成分が大きくなり、接続部を伝送する高周波信号に反射損失や透過損失が発生し、高周波信号の伝送特性が劣化するという問題点があった。
【0005】
このような問題点を解決するために、図3に示すように、第1および第2の線路導体12a,12bの各端部付近の両側と第1および第2の同一面接地導体13a,13bとの間隔が線路部分よりも大きくなるように形成され、第1および第2の線路導体12a,12bの各端部付近両側の導体非形成部の形状が矩形状とされたものが提案されている(例えば、下記の特許文献2,3参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開2001−168237号公報
【特許文献2】
特開2000−100993号公報
【特許文献3】
特開平11−186458号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献2,3に示される高周波基板は、第1および第2の線路導体12a,12bの端部と貫通導体14との接続部における容量成分を小さくすることができる。しかしながら、この構造では第1および第2の線路導体12a,12bの端部付近における接地貫通導体15を他の線路部分よりも第1および第2の線路導体12a,12bから離れた位置に形成しなければならないため電界の広がりが生じ易く、取り扱う信号の周波数がより高周波になると、第1および第2の線路導体12a,12bを伝送する高周波信号に反射損失や透過損失といった伝送損失が発生し易くなるという問題点があった。
【0008】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、誘電体基板の上下面に形成された第1の線路導体および第2の線路導体を貫通導体を介して伝送する高周波信号の伝送損失を小さくし、その伝送特性を向上させることである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波用配線基板は、複数の誘電体層が積層されて成る誘電体基板の上面の縁部から中央部にかけて形成された、第1の線路導体および該第1の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第1の同一面接地導体から成る第1のコプレーナ線路と、前記誘電体基板の下面の中央部から縁部にかけて前記第1の線路導体の延長線に対向するように形成された、第2の線路導体および該第2の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第2の同一面接地導体から成る第2のコプレーナ線路と、前記第1の線路導体の前記誘電体基板の上面の中央部側の端部および前記第2の線路導体の前記誘電体基板の下面の中央部側の端部を電気的に接続する貫通導体とを具備した高周波用配線基板において、前記第1および第2の同一面接地導体は、前記第1および第2の線路導体のそれぞれの前記端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、前記第1および第2の線路導体のそれぞれの前記中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が前記所定間隔よりも大きくされており、かつ前記第1および第2の同一面接地導体間を電気的に接続する接地貫通導体が、前記第1および第2の線路導体の両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに前記第1および第2の線路導体のそれぞれの端部において前記貫通導体を取り囲む円周上に4個配置されていることを特徴とする。
【0010】
本発明の高周波用配線基板は、第1および第2の同一面接地導体は、第1および第2の線路導体のそれぞれの端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、第1および第2の線路導体のそれぞれの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が第1および第2の線路導体の線路部分と第1および第2の同一面接地導体との所定間隔よりも大きくされており、かつ第1および第2の同一面接地導体間を電気的に接続する接地貫通導体が、第1および第2の線路導体の両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに第1および第2の線路導体のそれぞれの端部において貫通導体を取り囲む円周上に4個配置されていることから、線路導体の端部と貫通導体との接続部に生じる容量成分を小さくできるとともに貫通導体とその周囲の接地貫通導体と第1および第2の同一面接地導体とで構成される貫通導体での伝送部をより同軸構造に近いものとすることができ、その結果、高周波信号の伝送特性を良好なものとし、より高い周波数帯域の高周波信号を低損失で伝送できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の高周波用配線基板について以下に詳細に説明する。図1において、1は誘電体基板、2a,2bは、誘電体基板1の上下面にそれぞれ形成され、高周波信号が伝送される第1の線路導体,第2の線路導体、3a,3bは、誘電体基板1の上下面に第1の線路導体2aの両側および第2の線路導体2bの両側に所定間隔をもってそれぞれ形成された第1の同一面接地導体,第2の同一面接地導体である。
【0012】
そして、第1の線路導体2aと第1の同一面接地導体3aとで第1のコプレーナ線路が形成されており、また、第2の線路導体2bと第2の同一面接地導体3bとで第2のコプレーナ線路が形成されている。なお、第1の線路導体2aと第1の同一面接地導体3aとは電気的に短絡しないように、また、第2の線路導体2bと第2の同一面接地導体3bも電気的に短絡しないように形成されている。
【0013】
また、4は第1の線路導体2aの端部と第2の線路導体2bの端部とを電気的に接続する貫通導体、5は第1の同一面接地導体3aと第2の同一面接地導体3bとを接続する接地貫通導体であり、これら貫通導体4、接地貫通導体5、第1および第2のコプレーナ線路で、上面に高周波用半導体素子等の高周波用電子部品が搭載される高周波基板が構成される。
【0014】
本発明の第1および第2の同一面接地導体3a,3bは、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が第1および第2の線路導体2a,2bの線路部分と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの所定間隔よりも大きくされており、かつ第1および第2の同一面接地導体3a,3b間を電気的に接続する接地貫通導体5が、第1および第2の線路導体2a,2bの両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに第1および第2の線路導体2a,3bのそれぞれの端部において貫通導体4を取り囲む円周上に4個配置されている。
【0015】
これにより、第1および第2の線路導体2a,2bの端部と貫通導体4との接続部に生じる容量成分を小さくできるとともに貫通導体4とその周囲の接地貫通導体5と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとで構成される貫通導体5での伝送部を同軸構造に近いものとすることができ、その結果、高周波信号の伝送特性を良好なものとし、より高い周波数帯域の高周波信号を低損失で伝送できる。
【0016】
第1および第2の同一面接地導体3a,3bは、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が第1および第2の線路導体2a,2bの線路部分と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの所定間隔よりも大きくされており、好ましくは、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部とそれを円形状に取り囲む第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの径方向における間隔が上記の所定間隔の1.1〜5倍であるのがよい。これにより、第1および第2の線路導体2a,2bの端部と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとが接近して容量成分が大きくなるのを抑制する効果と、貫通導体4において高周波信号の伝送性が低下するのを抑制する効果とがバランスよく発揮され、高周波信号をより低損失で伝送できる。
【0017】
第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部とそれを円形状に取り囲む第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの径方向における間隔が所定間隔の1.1倍未満であると、第1および第2の線路導体2a,2bの端部と貫通導体4との接続部に生じる容量成分が大きくなり易く、高周波信号の損失が大きくなり易い。また、5倍を超えると、貫通導体4と接地貫通導体5との距離が大きくなって同軸構造に近い電気的特性が得られ難く、高周波信号の損失が大きくなり易い。
【0018】
なお、第1および第2の線路導体2a,2bの線路部分と第1および第2の同一面接地導体3a,3bとの所定間隔は、誘電体基板1の材質,厚みや貫通導体4の特性インピーダンス等によって異なってくるが、0.1〜0.5mm程度である。
【0019】
また、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部において、4個の接地貫通導体5が配置された、貫通導体4を取り囲む円の半径は、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部を円形状に取り囲む第1および第2の同一面接地導体3a,3bの円の半径の1.1〜2倍であるのがよい。これにより、貫通導体4を同軸構造に近い電気的特性を有するものとすることができ、その結果、高周波信号の伝送特性を良好なものとし、より高い周波数帯域の高周波信号を低損失で伝送できる。
【0020】
4個の接地貫通導体5が配置された、貫通導体4を取り囲む円の半径が第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部を円形状に取り囲む第1および第2の同一面接地導体3a,3bの円の半径の1.1倍未満であると、接地貫通導体5の上下に第1および第2の接地導体3a,3bを精度よく形成するのが困難となる。また、2倍を超えると、貫通導体4と接地貫通導体5との距離が大きくなって同軸構造に近い電気的特性が得られ難く、高周波信号の損失が大きくなり易い。
【0021】
また、接地貫通導体5の中心と第1および第2の線路導体2a,2bの中心軸との間の距離および接地貫通導体5同士間の距離は、第1および第2の線路導体2a,2bを伝送する高周波信号の波長の4分の1以下とするのがよく、これにより、第1および第2の線路導体2a,2bを伝送する高周波信号の損失を小さくすることができる。これらの距離は、第1および第2のコプレーナ線路のインピーダンスが所望の特性インピーダンス(例えば50Ω)となるように適宜設定される。
【0022】
第1および第2の線路導体2a,2b、第1および第2の同一面接地導体3a,3bは、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銅(Cu),銀(Ag),金(Au),アルミニウム(Al)等の金属から成り、例えば、W,Mo,Mn等の粉末に有機溶剤,溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、誘電体基板1となるセラミックグリーンシートに、予め従来周知のスクリーン印刷法により所望の形状に印刷塗布し、約1600℃の高温で焼成することにより形成される。
【0023】
貫通導体4および接地貫通導体5は、誘電体基板1の上下面の第1および第2の線路導体2a,2b同士、第1および第2の同一面接地導体3a,3b同士を電気的に接続する導電体であり、例えば、セラミックグリーンシートの所望の位置に打ち抜き加工やレーザ穿設加工により貫通導体4,接地貫通導体5となる貫通孔を形成し、この貫通孔に、W,Mo,Mn等の粉末に有機溶剤,溶媒を添加混合して得た金属ペーストを充填し、第1および第2の線路導体2a,2b,第1および第2の同一面接地導体3a,3bとなる金属ペーストと同時焼成することにより形成される。
【0024】
また、誘電体基板1は、アルミナ(Al2O3)質焼結体や窒化アルミニウム(AlN)質焼結体等のセラミックスや樹脂等の誘電体から成り、その誘電率や熱膨張係数等の特性に応じて適宜選定される。
【0025】
この誘電体基板1は、例えば、セラミックスから成る場合、原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成し、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートとし、これらを複数積層し、約1600℃の高温で焼成することにより形成される。
【0026】
かくして、本発明の高周波基板は、例えば上面の第1の線路導体2aおよび第1の同一面接地導体3a以外の部位にIC,LSI,半導体レーザ(LD)等の高周波用電子部品が半田等の接着剤を介して搭載されるか、または、外部電気回路基板等に高周波用電子部品を搭載し、高周波用電子部品の電極パッドと第1の線路導体2aとがボンディングワイヤにより電気的に接続され、さらに高周波基板の下面の第2の線路導体2b,第2の同一面接地導体3bが、それぞれ外部電気回路基板の接続用線路導体,接地導体に半田等の接着剤を介して接続されることにより、高周波用電子部品と外部電気回路基板とをより高い周波数帯域の高周波信号で入出力させることができる。
【0027】
本発明でいう高周波帯域とは1〜100GHz(ギガヘルツ)程度の高周波帯域であり、1〜80GHz程度の帯域が好ましい。80GHzを超える高周波帯域では高周波信号が外部磁場の影響を受け易くなり、高周波信号にノイズが発生したり伝送損失が増大し易くなる。より好ましくは、1〜40GHz程度が良い。
【0028】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で変更や改良を施すことは何等差し支えない。例えば、本発明の高周波基板を半導体素子収納用パッケージの高周波信号入出力部としての入出力端子に用いても良い。また、第1および第2の線路導体2a,2bのそれぞれの端部において貫通導体4を取り囲む円周上に接地貫通導体5が4個だけ配置されているだけでなく、同一面接地導体3a,3bの上記円周上に位置する部位に接地貫通導体5がさらに形成されていてもよい。
【0029】
【発明の効果】
本発明の高周波用配線基板は、複数の誘電体層が積層されて成る誘電体基板の上面の縁部から中央部にかけて形成された、第1の線路導体および第1の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第1の同一面接地導体から成る第1のコプレーナ線路と、誘電体基板の下面の中央部から縁部にかけて第1の線路導体の延長線に対向するように形成された、第2の線路導体および第2の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第2の同一面接地導体から成る第2のコプレーナ線路と、第1の線路導体の誘電体基板の上面の中央部側の端部および第2の線路導体の誘電体基板の下面の中央部側の端部を電気的に接続する貫通導体とを具備した高周波用配線基板において、第1および第2の同一面接地導体は、第1および第2の線路導体のそれぞれの端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、第1および第2の線路導体のそれぞれの中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が所定間隔よりも大きくされており、かつ第1および第2の同一面接地導体間を電気的に接続する接地貫通導体が、第1および第2の線路導体の両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに第1および第2の線路導体のそれぞれの端部において貫通導体を取り囲む円周上に4個配置されていることから、線路導体の端部と貫通導体との接続部に生じる容量成分を小さくできるとともに貫通導体とその周囲の接地貫通導体と第1および第2の同一面接地導体とで構成される貫通導体での伝送部をより同軸構造に近いものとすることができ、その結果、高周波信号の伝送特性を良好なものとし、より高い周波数帯域の高周波信号を低損失で伝送できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の高周波用配線基板の上面図であり、(b)は(a)のX−X’線における断面図、(c)は(a)の下面図である。
【図2】(a)は従来の高周波用配線基板の上面図であり、(b)は(a)のY−Y’線における断面図、(c)は(a)の下面図である。
【図3】(a)は従来の高周波用配線基板の他の例を示す上面図であり、(b)は(a)のZ−Z’線における断面図、(c)は(a)の下面図である。
【符号の説明】
1:誘電体基板
2a:第1の線路導体
2b:第2の線路導体
3a:第1の同一面接地導体
3b:第2の同一面接地導体
4:貫通導体
5:接地貫通導体
Claims (1)
- 複数の誘電体層が積層されて成る誘電体基板の上面の縁部から中央部にかけて形成された、第1の線路導体および該第1の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第1の同一面接地導体から成る第1のコプレーナ線路と、前記誘電体基板の下面の中央部から縁部にかけて前記第1の線路導体の延長線に対向するように形成された、第2の線路導体および該第2の線路導体の両側に所定間隔をもって形成された第2の同一面接地導体から成る第2のコプレーナ線路と、前記第1の線路導体の前記誘電体基板の上面の中央部側の端部および前記第2の線路導体の前記誘電体基板の下面の中央部側の端部を電気的に接続する貫通導体とを具備した高周波用配線基板において、前記第1および第2の同一面接地導体は、前記第1および第2の線路導体のそれぞれの前記端部の周囲を円形状に取り囲むように延設されているとともに、前記第1および第2の線路導体のそれぞれの前記中央部側の端部を円形状に取り囲む間隔が前記所定間隔よりも大きくされており、かつ前記第1および第2の同一面接地導体間を電気的に接続する接地貫通導体が、前記第1および第2の線路導体の両側にそれらに平行に一定間隔で並ぶように複数個配置されるとともに前記第1および第2の線路導体のそれぞれの端部において前記貫通導体を取り囲む円周上に4個配置されていることを特徴とする高周波用配線基板。
Priority Applications (1)
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JP2003007008A JP2004221944A (ja) | 2003-01-15 | 2003-01-15 | 高周波用配線基板 |
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Cited By (3)
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KR100710820B1 (ko) | 2006-04-13 | 2007-04-25 | 한국과학기술원 | 평면형 헬리컬 공진기와 이를 이용한 초고주파 발진기 |
JP2009218544A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Hynix Semiconductor Inc | 回路基板およびこれを利用した半導体パッケージ |
JP2009267319A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Jiaotong Univ | 高周波遷移線の垂直遷移構造 |
-
2003
- 2003-01-15 JP JP2003007008A patent/JP2004221944A/ja active Pending
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