JP2004193777A

JP2004193777A - Mixer, receiver, and transmitter

Info

Publication number: JP2004193777A
Application number: JP2002357045A
Authority: JP
Inventors: Tomotsugu Sekine; 友嗣関根; Kenji Kawakami; 憲司川上; Mitsuhiro Shimozawa; 充弘下沢; Sunao Takagi; 直高木
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2002-12-09
Filing date: 2002-12-09
Publication date: 2004-07-08
Anticipated expiration: 2022-12-09
Also published as: JP4245342B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mixer that can be downsized, and a receiver and a transmitter employing the mixer. <P>SOLUTION: In this mixer, a gate terminal 2 of a FET 1 receives a prescribed negative voltage from a gate voltage terminal 52, the gate terminal 2 receives an LO wave from an LO wave terminal 51 via a capacitor 6, a drain terminal 3 of the FET 1 receives an RF signal from an RF signal terminal 53 via a capacitor 8, a converted IF signal is outputted to an IF signal terminal 54 from the drain terminal 3 via an inductor 9, a source terminal 4 of the FET 1 is connected to ground, and the drain terminal 3 and the source terminal 4 are interconnected by a resistor 5 whose resistance is greater than an internal resistance between the drain and the source of the FET 1. The mixer is downsized by giving the LO wave to the gate terminal of the FET while applying the prescribed negative voltage thereto, applying the RF signal to the drain terminal of the FET, outputting the converted IF signal from the drain terminal, connecting the source terminal of the FET to ground, and interconnecting the drain terminal and the source terminal with the resistor whose resistance is greater than the internal resistance between the drain and the source of the FET. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、主としてマイクロ波帯の通信で使用されるミクサ、並びにこのミクサを使用した受信装置及び送信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１３は例えば非特許文献１に記載された単一のＦＥＴ（ＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたレジスティブミクサを示す図である。図において、ＦＥＴ１０１のゲート端子Ｇには、ＬＯ波端子１１１に入力された局部発振波であるＬＯ波がＬＯフィルタ１０２を介して入力されると共に、ゲート電圧端子１１２より、高周波成分を遮断するためのインダクタ１０５及びキャパシタ１０６を介して所定の負電圧が印加されている。
【０００３】
ＦＥＴ１０１のドレイン端子Ｄには、ＲＦ信号端子１１３から入力された高周波信号であるＲＦ信号がＲＦフィルタ１０３を介して入力される。ＦＥＴ１０１では、ドレイン端子Ｄに入力されたＲＦ信号が、ゲート端子Ｇに入力されたＬＯ波により、中間周波信号であるＩＦ信号に変換されてドレイン端子Ｄから出力され、ＩＦフィルタ１０４を介してＩＦ信号端子１１４から出力される。
【０００４】
このような構成のレジスティブミクサでは、ＦＥＴ１０１のドレイン端子Ｄとソース端子Ｓは直流的に接地する必要がある。すなわち、図１３では、ソース端子Ｓを直接アースに接続すると共に、図示されていないが、ドレイン端子Ｄを、ＲＦ信号やＩＦ信号にとってはインピーダンスの大きいインダクタを介して、直流的に接地する必要がある。
【０００５】
図１４は例えば非特許文献２に記載された４個のＦＥＴを使用したレジスティブリングミクサを示す接続図である。ここでは、４個のＦＥＴ２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０１ｄをリング状に接続している。ＬＯ波端子２１１に入力されたＬＯ波は、ＬＯバラン２０２により等振幅で互いに逆相のＬＯ波ＬＯ，ＬＯバーに分配されて出力される。ＬＯバラン２０２から出力されたＬＯ波ＬＯは、ＦＥＴ２０１ａ，２０１ｂのゲート端子Ｇにそれぞれ入力され、ＬＯ波ＬＯバーは、ＦＥＴ２０１ｃ，２０１ｄのゲート端子Ｇにそれぞれ入力される。
【０００６】
ＲＦ信号端子２１２に入力されたＲＦ信号は、ＲＦバラン２０３により等振幅で互いに逆相のＲＦ信号ＲＦ，ＲＦバーに分配されて出力される。ＲＦバラン２０３から出力されたＲＦ信号ＲＦは、ＦＥＴ２０１ａとＦＥＴ２０１ｂのドレイン端子Ｄの接続点に入力され、ＲＦ信号ＲＦバーは、ＦＥＴ２０１ｃとＦＥＴ２０１ｄのドレイン端子Ｄの接続点に入力される。
【０００７】
ＦＥＴ２０１ａ〜２０１ｄのドレイン端子Ｄに入力されたＲＦ信号ＲＦ，ＲＦバーは、ＦＥＴ２０１ａ〜２０１ｄのゲート端子Ｇに入力されたＬＯ波ＬＯ，ＬＯバーにより、等振幅で互いに同相のＩＦ信号ＩＦに変換されて、ＦＥＴ２０１ａとＦＥＴ２０１ｃのソース端子Ｓとの接続点から、また、ＦＥＴ２０１ｂとＦＥＴ２０１ｄのソース端子Ｓとの接続点から出力されて、ＩＦ同相合成器２０４にそれぞれ入力される。ＩＦ同相合成器２０４では、入力されたＩＦ信号ＩＦを合成してＩＦ信号端子２１３から出力する。
【０００８】
図１４では図示されていないが、ＦＥＴ２０１ａ〜２０１ｄのゲート端子Ｇには所定の負電圧が印加されている。また、ＲＦバラン２０３では、ＦＥＴ２０１ａ〜２０１ｄのドレイン端子Ｄを直流的に接地するために、ＲＦ信号ＲＦ，ＲＦバーの出力側を、内蔵しているマイクロストリップ線路を介して直流的に接地している。さらに、ＩＦ同相合成器２０４では、ＦＥＴ２０１ａ〜２０１ｄのソース端子Ｓを直流的に接地するために、ＩＦ信号ＩＦの２つの入力側を、ＩＦ信号にとってはインピーダンスの大きいインダクタを介して直流的に接地している。
【０００９】
このように、ＦＥＴを用いた図１３のレジスティブミクサ、及び４個のＦＥＴを用いた図１４のレジスティブリングミクサでは、ＦＥＴのゲート端子Ｇに所定の負電圧を印加し、ドレイン端子Ｄとソース端子Ｓとを直流的に接地する必要がある。しかし、ＦＥＴのドレイン端子Ｄやソース端子Ｓは、ＲＦ信号が入力されたり、ＩＦ信号が出力されたりするので、直流的には接地されていて、かつＲＦ信号やＩＦ信号にとっては高インピーダンスとなるインダクタで接地しなければならない。すなわち、直流電圧とＩＦ信号を分波するためには、例えば、ＲＦ信号やＩＦ信号の周波数が数ＭＨｚ以下の場合に、数ｕＨ以上のインダクタが必要となる。
【００１０】
【特許文献１】
特開昭６０−６４５０８号公報（第２ページ右上段）
【非特許文献１】
ＭｉｃｒｏｗａｖｅＭｉｘｅｒｓ，ＡｒｔｅｃｈＨｏｕｓｅ社、ｐ．３３９−３４０，１９９６年
【非特許文献２】
Ｍ．ＳＨＩＭＯＺＡＷＡｅｔ．ａｌ．，“ＡＢｒｏａｄｂａｎｄＦＥＴＲｅｓｉｓｔｉｖｅＲｉｎｇＭｉｘｅｒＵｓｉｎｇａＰａｒａｌｌｅｌＣｏｎｎｅｃｔｅｄＭａｒｃｈａｎｄＢａｌｕｎ”，ＡＰＭＣ，ＷＥ４Ａ−２，ｐ．６５１−６５４，１９９８
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従来のミクサは以上のように構成されているので、ＦＥＴを用いたレジスティブミクサやレジスティブリングミクサでは、ドレイン端子やソース端子を直流的に接地するためのインダクタを半導体基板上で作成すると、半導体基板の面積が大きくなり、ミクサを小型化することができないという課題があった。
【００１２】
上記課題に関連する技術として、特許文献１に開示された「ＦＥＴミクサ」がある。ここでは、ＦＥＴのゲート端子にゲートバイアス電圧を印加するためのＲＦチョークコイルを抵抗素子に置き換えることにより、小型のＦＥＴミクサを提供しているが、ＦＥＴのドレイン端子を直流的に接地するためのインダクタは必要となり、上記と同様の課題が存在する。
【００１３】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、小型化することができるミクサ、並びにこのミクサを使用した受信装置及び送信装置を得ることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るミクサは、ＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加してＬＯ波を入力し、ＦＥＴのドレイン端子にＲＦ信号を入力し、変換されたＩＦ信号をドレイン端子から出力すると共に、ＦＥＴのソース端子を接地し、ドレイン端子とソース端子とを、ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるミクサを示す接続図である。ここでは、ＦＥＴを使用したレジスティブミクサをマイクロ波帯で通信する受信装置に使用する場合を示しており、高周波信号であるＲＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により、ＲＦ信号やＬＯ波より低い周波数の中間周波信号であるＩＦ信号に変換するものとする。
【００１６】
図１において、ＦＥＴ１のゲート端子２は、ゲート電圧端子５２にインダクタ７を介して接続されると共に、キャパシタ６を介してＬＯ波端子５１に接続されている。ＦＥＴ１のソース端子４は接地されている。また、ＦＥＴ１のドレイン端子３は、ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して、抵抗値が十分大きい抵抗５を介してソース端子７と接続されると共に、キャパシタ８を介してＲＦ信号端子５３に接続され、インダクタ９を介してＩＦ信号端子５４に接続されている。
【００１７】
次に動作について説明する。
ＦＥＴ１のゲート端子２には、ゲート電圧端子５２より、高周波成分を遮断するためのインダクタ７を介して所定の負電圧が印加されている。ＬＯ波端子５１より入力されたＬＯ波は、キャパシタ６により直流成分が遮断されてＦＥＴ１のゲート端子２に入力される。ＲＦ信号端子５３から入力されたＲＦ信号は、ＲＦ信号のみ通過させるキャパシタ８を介してＦＥＴ１のドレイン端子３に入力される。
【００１８】
ＦＥＴ１では、ドレイン端子３から入力されたＲＦ信号は、ゲート端子２から入力されたＬＯ波により、次式で表される周波数のＩＦ信号に変換されてドレイン端子３に出力される。
Ｆｉｆ＝Ｆｒｆ−Ｆｌｏ
ここで、Ｆｉｆ，Ｆｒｆ，Ｆｌｏは、それぞれＩＦ信号、ＲＦ信号、ＬＯ波の周波数である。ドレイン端子３に出力されたＩＦ信号は、ＬＯ波とＲＦ信号を遮断してＩＦ信号のみを通過させるインダクタ９を介して、ＩＦ信号端子５４に出力される。
【００１９】
レジスティブミクサとしてＦＥＴ１が作動している間、抵抗５によってドレイン端子３とソース端子４との間は接続されているために、抵抗５による電圧降下による電位差が生じているが、抵抗５の抵抗値がＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい場合には、抵抗５に流れる電流は微弱である。このため抵抗５による電圧降下がないものとみなせ、ドレイン端子３の電位はソース端子７の電位と等しい電位である接地電位とみなすことができるので、ドレイン端子３を直流的に接地するためのインダクタが不要となる。
【００２０】
マイクロ波帯の周波数帯で動作する図１に示すミクサの回路を半導体基板上に構成する場合に、接続した抵抗５と不要となるインダクタの大きさとを比較すると、抵抗５の方がサイズが小さく、ミクサを小型化することが可能となる。
【００２１】
以上のように、この実施の形態１によれば、ＦＥＴ１のドレイン端子３とＦＥＴ１のソース端子４との間に、ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５を接続することにより、ドレイン端子３がソース端子４の接地電位と同電位となるので、ドレイン端子３を直流的に接地するためのインダクタが不要となり、ミクサを小型化することができるという効果が得られる。
【００２２】
なお、このミクサをマイクロ波帯で通信する送信装置に使用する場合には、図１において、ＩＦ信号端子５４からＦＥＴ１のドレイン端子３に入力されたＩＦ信号を、ＬＯ波端子５１からＦＥＴ１のゲート端子２に入力されたＬＯ波によりＲＦ信号に変換して、ＦＥＴ１のドレイン端子３からＲＦ信号端子５３に出力すれば良い。
【００２３】
実施の形態２．
図２はこの発明の実施の形態２によるミクサを示す接続図である。ここでは、レジスティブリングミクサを、実施の形態１の図１と同様に受信装置に使用する場合を示している。また、図２は従来の図１４と同様に、４個のＦＥＴ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄをリング状に接続し、ＬＯ波をＬＯ逆相分配器２１（図１４ではＬＯバラン２０２）で分配し、ＲＦ信号をＲＦ逆相分配器３１（図１４ではＲＦバラン２０３）で分配し、ＩＦ信号をＩＦ同相合成器４１（図１４ではＩＦ同相合成器２０４）で合成している例である。
【００２４】
なお、図２では、ＩＦ合成器としてＩＦ同相合成器４１を使用しているが、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄに入力するＬＯ波とＲＦ信号、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄから出力するＩＦ信号の位相関係によっては、ＩＦ合成器を逆相合成とし、ＬＯ逆相分配器、ＲＦ逆相分配器、ＩＦ逆相合成器を使用する場合がある。
【００２５】
図２において、ＬＯ逆相分配器２１の入力端子２２はＬＯ波端子５１に接続されている。また、ＬＯ逆相分配器２１の出力端子２３は、交流信号を遮断するために抵抗値が十分大きい抵抗２５ａを介してゲート電圧端子５２ａに接続されると共に、ＦＥＴ１ａ（第１のＦＥＴ）のゲート端子２ａとＦＥＴ１ｂ（第２のＦＥＴ）のゲート端子２ｂに接続されている。さらに、ＬＯ逆相分配器２１の出力端子２４は、交流信号を遮断するために抵抗値が十分大きい抵抗２５ｂを介してゲート電圧端子５２ｂに接続されると共に、ＦＥＴ１ｃ（第３のＦＥＴ）のゲート端子２ｃとＦＥＴ１ｄ（第４のＦＥＴ）のゲート端子２ｄに接続されている。
【００２６】
また、図２において、ＲＦ逆相分配器３１の入力端子３２はＲＦ信号端子５３に接続され、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３は端子３５ａ（第１の端子）に接続され、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３４は端子３５ｂ（第２の端子）に接続されている。端子３５ａはＦＥＴ１ａのドレイン端子３ａとＦＥＴ１ｂのドレイン端子３ｂに接続され、端子３５ｂはＦＥＴ１ｃのドレイン端子３ｃとＦＥＴ１ｄのドレイン端子３ｄに接続されている。
【００２７】
さらに、図２において、ＦＥＴ１ａのソース端子４ａとＦＥＴ１ｃのソース端子４ｃは端子４５ａ（第３の端子）に接続され、ＦＥＴ１ｂのソース端子４ｂとＦＥＴ１ｄのソース端子４ｄは端子４５ｂ（第４の端子）に接続されている。端子４５ａはＩＦ同相合成器（ＩＦ合成器）の入力端子４２に接続され、端子４５ｂはＩＦ同相合成器４１の入力端子４３に接続され、ＩＦ同相合成器４１の出力端子４４はＩＦ信号端子５４に接続されている。
【００２８】
さらに、図２において、ＦＥＴ１ａのドレイン端子３ａとソース端子４ａとの間に、ＦＥＴ１ａのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａが接続され、ＦＥＴ１ｄのドレイン端子３ｄとソース端子４ｄとの間に、ＦＥＴ１ｄのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して、十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ｄが接続されている。
【００２９】
さらに、図２に図示されていないが、ＬＯ逆相分配器２１は内部で直流電圧を遮断し、入力端子２２を介してＬＯ波端子５１に直流電圧が印加されることを防いでいる。また、ＲＦ逆相分配器３１の内部では、出力端子３３，３４をそれぞれインダクタにより直流的に接地していると共に、ＲＦ逆相分配器３１の入力端子３２を介してＲＦ信号端子５３に直流電圧が印加されることを防いでいる。ＩＦ同相合成器４１の内部では、出力端子４４への直流電圧を遮断し、ＩＦ信号端子５４に直流電圧が印加されることを防いでいる。しかし、抵抗５ａ，５ｄを接続することで、ＩＦ同相合成器４１の内部では、従来の図１４に示すＩＦ同相合成器２０４とは異なり、入力端子４２，４３をそれぞれインダクタで直流的に接地する必要がない。
【００３０】
次に動作について説明する。
ＦＥＴ１ａのゲート端子２ａ及びＦＥＴ１ｂのゲート端子２ｂには、ゲート電圧端子５２ａより、交流信号を遮断するために値が十分大きい抵抗２５ａを介して所定の負電圧が印加されている。また、ＦＥＴ１ｃのゲート端子２ｃ及びＦＥＴ１ｄのゲート端子２ｄには、ゲート電圧端子５２ｂより交流信号を遮断するために値が十分大きい抵抗２５ｂを介して所定の負電圧が印加されている。
【００３１】
ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３は直流的に接地されているので、端子３５ａが接地され、ＦＥＴ１ａ，１ｂのドレイン端子３ａ，３ｂが直流的に接地されると共に、ＦＥＴ１ａのドレイン、ソース間内部抵抗より十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａにより、ＦＥＴ１ａ，１ｃのソース端子４ａ，４ｃの電位は、ＦＥＴ１ａ，１ｂのドレイン端子３ａ，３ｂの電位と同電位の接地電位となる。
【００３２】
また、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３４は直流的に接地されているので、端子３５ｂが接地され、ＦＥＴ１ｃ，１ｄのドレイン端子３ｃ，３ｄが直流的に接地されると共に、ＦＥＴ１ｄのドレイン、ソース間内部抵抗より十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ｄにより、ＦＥＴ１ｂ，１ｄのソース端子４ｂ，４ｄの電位は、ＦＥＴ１ｃ，１ｄのドレイン端子３ｃ，３ｄの電位と同電位の接地電位となる。
【００３３】
このように、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４が直流的に接地されていれば、ＩＦ同相合成器４１の入力端子４２，４３が直流的に接地されていなくても、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄは直流的に接地された接地電位となり、レジスティブリングミクサとしての動作が可能となる。
【００３４】
ＬＯ波端子５１に入力されたＬＯ波は、ＬＯ逆相分配器２１の入力端子２２に入力され、ＬＯ逆相分配器２１の出力端子２３と出力端子２４に等振幅で互いに逆相のＬＯ波ＬＯ，ＬＯバーに分配されて出力される。ＬＯ逆相分配器２１の出力端子２３に出力されたＬＯ波ＬＯは、ＦＥＴ１ａのゲート端子２ａ及びＦＥＴ１ｂのゲート端子２ｂに入力され、ＬＯ逆相分配器２１の出力端子２４に出力されたＬＯ波ＬＯバーは、ＦＥＴ１ｃのゲート端子２ｃ及びＦＥＴ１ｄのゲート端子２ｄに入力される。
【００３５】
ＲＦ信号端子５３に入力されたＲＦ信号は、ＲＦ逆相分配器３１の入力端子３２に入力され、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３と出力端子３４に等振幅で互いに逆相のＲＦ信号ＲＦ，ＲＦバーに分配されて出力される。ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３に出力されたＲＦ信号ＲＦは、端子３５ａを介して、ＦＥＴ１ａのドレイン端子３ａ及びＦＥＴ１ｂのドレイン端子３ｂに入力され、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３４に出力されたＲＦ信号ＲＦバーは、端子３５ｂを介して、ＦＥＴ１ｃのドレイン端子３ｃ及びＦＥＴ１ｄのドレイン端子３ｄに入力される。
【００３６】
ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄに入力されたＲＦ信号ＲＦ，ＲＦバーは、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのゲート端子２ａ〜２ｄに入力されたＬＯ波ＬＯ，ＬＯバーにより、等振幅で互いに同相のＩＦ信号ＩＦに変換されて、ＦＥＴ１ａのソース端子４ａとＦＥＴ１ｃのソース端子４ｃとの接続点と、ＦＥＴ１ｂのソース端子４ｂとＦＥＴ１ｄのソース端子４ｄとの接続点から出力されて、それぞれ端子４５ａ，４５ｂを介して、ＩＦ同相合成器４１の入力端子４２，４３に入力される。ＩＦ同相合成器４１では、入力されたＩＦ信号ＩＦを合成して、出力端子４４を介してＩＦ信号端子５４から出力する。
【００３７】
この実施の形態２では、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４を内部でインダクタで直流的に接地しているが、その代わりに、端子３５ａ，３５ｂをインダクタで直流的に接地しても良く、又は端子４５ａ，４５ｂをインダクタで直流的に接地しても良く、又はＩＦ同相合成器４１の入力端子４２，４３を内部でインダクタで直流的に接地しても良い。
【００３８】
また、この実施の形態２では、ＦＥＴ１ａのドレイン端子３ａとソース端子４ａとを抵抗５ａで接続し、ＦＥＴ１ｄのドレイン端子３ｄとソース端子４ｄとを抵抗５ｄで接続しているが、ＲＦ逆相分配器３１側、すなわち、端子３５ａ，３５ｂ側をインダクタで直流的に接地した場合には、ＦＥＴ１ａとＦＥＴ１ｂ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｃとＦＥＴ１ｄのドレイン端子３とソース端子４間に、それぞれの当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５で接続しても良い。また、ＩＦ同相合成器４１側、すなわち、端子４５ａ，４５ｂ側をインダクタで直流的に接地した場合には、ＦＥＴ１ａとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｄのドレイン端子３とソース端子４間に、それぞれの当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５で接続しても良い。
【００３９】
レジスティブリングミクサでは、ＩＦ信号の周波数はＬＯ波及びＲＦ信号の周波数よりも低く、マイクロ波帯に用いられるインダクタは、半導体基板上で大きな面積を占有するために、抵抗５ａ，５ｄを追加しても、ＩＦ同相合成器４１の入力端子４２，４３を直流的に接地するためのインダクタを不要とした方が、より半導体基板を小型化できる。
【００４０】
以上のように、この実施の形態２によれば、端子３５ａ，３５ｂ側、又は端子４５ａ，４５ｂ側を直流的に接地し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのうち２個のＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に、当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５を接続することにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄを直流的に接地するためのインダクタの数を削減でき、ミクサを小型化することができるという効果が得られる。
【００４１】
実施の形態３．
図３はこの発明の実施の形態３によるミクサを示す接続図である。ここでは、実施の形態２の図２と同様に、レジスティブリングミクサを受信装置に使用する場合を示しており、図２と同じ符号は同一のものを示している。この実施の形態３では、図３に示すように、全てのＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを、それぞれＦＥＴ１ａ〜１ｄの各ドレイン・ソース間の内部抵抗に比べて十分抵抗値の大きい抵抗５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄで接続する。その他の接続は実施の形態２の図２と同じである。
【００４２】
なお、図３では、ＩＦ合成器としてＩＦ同相合成器４１を使用しているが、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄに入力するＬＯ波とＲＦ信号、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄから出力するＩＦ信号の位相関係によっては、ＩＦ合成器を逆相合成とし、ＬＯ逆相分配器、ＲＦ逆相分配器、ＩＦ逆相合成器を使用する場合がある。
【００４３】
次に動作について説明する。
４つのＦＥＴ１ａ〜１ｄをリング状に配置したレジスティブリングミクサの場合には、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄが全く同じ動作をすることが望ましい。各ＦＥＴ１ａ〜１ｄの動作がわずかに異なる場合には、それぞれのＬＯ波の振幅や位相の関係が完全に等振幅、逆相とならず、ＬＯ波が端子４５ａ，４５ｂへ漏洩する可能性があり、同様にＲＦ信号も端子４５ａ，４５ｂへ漏洩する可能性がある。
【００４４】
また、端子４５ａ，４５ｂから出力されるＩＦ信号の位相関係が完全に同相とならない場合には、ＩＦ同相合成器４１の出力端子４４におけるＩＦ信号の出力電力が低下する。実施の形態２の図２に示すように、２つのＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄとを、それぞれ抵抗５ａ，５ｄで接続した場合よりも、図３に示すように、４つの全てのＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを抵抗５ａ〜５ｄでそれぞれ接続した場合の方が、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄの動作がより近い状態となり、ＬＯ波やＲＦ信号の端子４５ａ，４５ｂへの漏洩をさらに抑圧することができ、ＩＦ信号をさらに効率良く取り出すことが可能となる。
【００４５】
以上のように、この実施の形態３によれば、端子３５ａ，３５ｂ側、又は端子４５ａ，４５ｂ側を直流的に接地し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを、それぞれ、ＦＥＴ１ａ〜１ｄの各ドレイン・ソース間の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａ〜５ｄで接続することにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄを直流的に接地するためのインダクタの数を削減でき、ミクサを小型化することができると共に、ＬＯ波やＲＦ信号の漏洩をさらに抑圧することが可能となり、ＩＦ信号をさらに効率良く取り出すことができるという効果が得られる。
【００４６】
実施の形態４．
図４はこの発明の実施の形態４によるミクサを示す接続図であり、実施の形態２の図２と同様に、レジスティブリングミクサを受信装置に使用する場合を示しており、図２と同じ符号は同一のものを示している。図４に示すように、この実施の形態４では、実施の形態２の図２におけるＲＦ逆相分配器３１として、マイクロストリップ線路３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄを使用したマーチャントバラン３１Ａを使用している。その他の接続は実施の形態２の図２と同じである。
【００４７】
なお、図４では、ＩＦ合成器としてＩＦ同相合成器４１を使用しているが、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄに入力するＬＯ波とＲＦ信号、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄから出力するＩＦ信号の位相関係によっては、ＩＦ合成器を逆相合成とし、ＬＯ逆相分配器、ＲＦ逆相分配器、ＩＦ逆相合成器を使用する場合がある。
【００４８】
次に動作について説明する。
図４に示すように、マーチャントバラン３１Ａの出力端子３３，３４は内部でマイクロストリップ線路３６ｃ，３６ｄにより直流的に接地されているため、端子３５ａ，３５ｂ側又は端子４５ａ，４５ｂ側を直流的に接地するためのインダクタが不要となり、ミクサを小型化できる。
【００４９】
この実施の形態４では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄ間に抵抗５ａ，５ｄを接続しているが、ＦＥＴ１ａとＦＥＴ１ｂ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｃとＦＥＴ１ｄのドレイン端子３とソース端子４間に、それぞれの当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５で接続しても良い。
【００５０】
また、この実施の形態４では、マーチャントバラン３１Ａを使用しているが、例えばラットレース回路等を逆相分配器として使用することも可能で、図４と同様の動作をするレジスティブリングミクサを構成可能である。
【００５１】
以上のように、この実施の形態４によれば、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのうち２個のＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に、当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５を接続し、ＲＦ逆相分配器３１として、出力端子３３，３４が直流的に接地されたマーチャントバラン３１Ａを使用することにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄを直流的に接地するためのインダクタを不要にすることができ、ミクサを小型化することができるという効果が得られる。
【００５２】
また、この実施の形態４では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄとを、それぞれ抵抗５ａ，５ｄで接続しているが、実施の形態３に示すように、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを、それぞれＦＥＴ１ａ〜１ｄの各ドレイン・ソース間の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａ〜５ｄで接続しても、実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００５３】
実施の形態５．
図５はこの発明の実施の形態５によるミクサを示す接続図であり、実施の形態２の図２と同様に、レジスティブリングミクサを受信装置に使用する場合を示しており、図２と同じ符号は同一のものを示している。この実施の形態５では、図５に示すように、実施の形態２の図２のＩＦ同相合成器４１を、直列接続のインダクタ４６ａ，４６ｂで入力端子４２，４３を直流的に接続したＩＦ同相合成器４１Ａとしたもので、この場合、図５では省略されているが、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４のいずれか一方がインダクタで直流的に接地されている。その他の接続は実施の形態２の図２と同じである。
【００５４】
次に動作について説明する。
図５に示すように、ＩＦ同相合成器４１Ａの入力端子４２，４３は、直列接続のインダクタ４６ａ，４６ｂにより直流的に接続されているので、直流電位は同電位となっている。すなわち、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４のいずれか一方がインダクタで直流的に接地されていれば、抵抗５ａ，５ｄにより、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄの電位とソース端子４ａ〜４ｄとが同電位の接地電位とみなせるため、直流的に接地するためのインダクタの数をさらに削減することができ、ミクサを小型化できる。
【００５５】
また、ＩＦ同相合成器４１Ａのインダクタ４６ａ，４６ｂの値を適当な値に設定すれば、ＩＦ信号よりも高い周波数のＬＯ波やＲＦ信号の漏洩波を抑圧するフィルタ機能を有するＩＦ同相合成器４１Ａを構成することもできる。
【００５６】
この実施の形態５では、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４のいずれか一方をインダクタで直流的に接地しているが、端子３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂのいずれかをインダクタで直流的に接地しても良い。
【００５７】
また、この実施の形態５では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄ間に抵抗５ａ，５ｄを接続しているが、端子３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂのいずれかをインダクタで直流的に接地した場合に、ＦＥＴ１ａとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｄのドレイン端子３とソース端子４間に、それぞれの当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５で接続しても良い。
【００５８】
以上のように、この実施の形態５によれば、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４、端子３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂのいずれかをインダクタで直流的に接地し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのうち２個のＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に、当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５を接続し、入力端子４２，４３が直流的に接続されたＩＦ同相合成器４１Ａを使用することにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄを直流的に接地するためのインダクタの数を削減でき、ミクサを小型化することができると共に、ＬＯ波やＲＦ信号の漏洩波を抑圧することができるという効果が得られる。
【００５９】
また、この実施の形態５では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄとを、それぞれ抵抗５ａ，５ｄで接続しているが、実施の形態３に示すように、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを、それぞれＦＥＴ１ａ〜１ｄの各ドレイン・ソース間の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａ〜５ｄで接続しても、実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００６０】
実施の形態６．
図６はこの発明の実施の形態６によるミクサを示す接続図であり、実施の形態２の図２と同様に、レジスティブリングミクサを受信装置に使用する場合を示しており、図２と同じ符号は同一のものを示している。この実施の形態６では、図６に示すように、実施の形態２の図２のＩＦ同相合成器４１を、抵抗４７とマイクロストリップ線路４８ａ，４８ｂで構成され、入力端子４２，４３がマイクロストリップ線路４８ａ，４８ｂにより直流的に接続された同相分配器の一種であるウィルキンソン形分配器４１Ｂとしたものである。この場合、図６では省略されているが、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４のいずれか一方がインダクタで直流的に接地されている。その他の接続は実施の形態２の図２と同じである。
【００６１】
次に動作について説明する。
図６に示すように、ウィルキンソン形分配器４１Ｂの入力端子４２，４３は、マイクロストリップ線路４８ａ，４８ｂにより直流的に接続されているので、直流電位は同電位となっている。すなわち、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４のいずれか一方がインダクタで直流的に接地されていれば、抵抗５ａ，５ｄにより、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄの電位とソース端子４ａ〜４ｄとが同電位の接地電位とみなせるため、直流的に接地するためのインダクタの数をさらに削減することができ、ミクサを小型化できる。
【００６２】
また、ウィルキンソン形分配器４１Ｂは、低域通過形のフィルタとしても動作するので、ＬＯ波やＲＦ信号の漏洩波を抑圧することが可能である。
【００６３】
この実施の形態６では、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４のいずれか一方をインダクタで直流的に接地しているが、端子３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂのいずれかを、インダクタで直流的に接地しても良い。
【００６４】
また、この実施の形態６では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄ間に抵抗５ａ，５ｄを接続しているが、端子３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂのいずれかをインダクタで直流的に接地した場合に、ＦＥＴ１ａとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｄのドレイン端子３とソース端子４間に、それぞれの当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５で接続しても良い。
【００６５】
以上のように、この実施の形態６によれば、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４、端子３５ａ，３５ｂ，４５ａ，４５ｂのいずれかをインダクタで直流的に接地し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのうち２個のＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に、当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５を接続し、入力端子４２，４３が直流的に接続されたウィルキンソン形分配器４１Ｂを使用することにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄを直流的に接地するためのインダクタの数を削減でき、ミクサを小型化することができると共に、ＬＯ波やＲＦ信号の漏洩波を抑圧することができるという効果が得られる。
【００６６】
また、この実施の形態６では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄとを、それぞれ抵抗５ａ，５ｄで接続しているが、実施の形態３に示すように、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを、それぞれＦＥＴ１ａ〜１ｄの各ドレイン・ソース間の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａ〜５ｄで接続しても、実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００６７】
なお、実施の形態２から実施の形態６に示すレジスティブリングミクサを送信装置に使用する場合は、ＩＦ信号端子５４よりＩＦ信号を入力して、ＩＦ同相合成器４１，４１Ａ，４１ＢをＩＦ同相分配器として使用し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄでは、ＩＦ同相分配器から入力されたＩＦ信号を、ＬＯ逆相分配器２１から入力されたＬＯ波によりＲＦ信号に変換し、ＲＦ逆相分配器３１，３１ＡをＲＦ逆相合成器として使用し、変換されたＲＦ信号を入力して、ＲＦ信号端子５３へＲＦ信号を出力する。
【００６８】
また、実施の形態２から実施の形態４に示すレジスティブリングミクサを送信装置に使用する場合には、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄに入力するＬＯ波とＩＦ信号、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄから出力するＲＦ信号の位相関係によっては、ＩＦ合成器を逆相合成とし、ＬＯ逆相分配器、ＲＦ逆相合成器、ＩＦ逆相分配器を使用する場合がある。
【００６９】
実施の形態７．
図７はこの発明の実施の形態７によるミクサを示す接続図であり、実施の形態２の図２と同様に、レジスティブリングミクサを受信装置に使用する場合を示しており、図２と同じ符号は同一のものを示している。実施の形態２の図２では、ＦＥＴ１ａ〜１ｄで変換されたＩＦ信号を、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのソース端子４ａ〜４ｄから取り出しＩＦ同相合成器４１に入力していたが、この実施の形態７では、図７に示すように、ＦＥＴ１ａ〜１ｄで変換されたＩＦ信号を、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄから取り出しＩＦ同相合成器４１に入力し、端子４５ａ，４５ｂを接地している。
【００７０】
この場合、ＩＦ同相合成器４１の入力端子４２，４３をインダクタで直流的に接地する必要がなく、さらに、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４もインダクタで直流的に接地する必要はない。その他の接続は、実施の形態２の図２と同じである。
【００７１】
なお、図７では、ＩＦ合成器としてＩＦ同相合成器４１を使用しているが、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄに入力するＬＯ波とＲＦ信号、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄから出力するＩＦ信号の位相関係によっては、ＩＦ合成器を逆相合成とし、ＬＯ逆相分配器、ＲＦ逆相分配器、ＩＦ逆相合成器を使用する場合がある。
【００７２】
次に動作について説明する。
この実施の形態７では、端子４５ａ，４５ｂが接地されているので、抵抗５ａ，５ｄにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄと、ソース端子４ａ〜４ｄは接地電位とみなすことができ、ＩＦ同相合成器４１の入力端子４２，４３をインダクタで直流的に接地しなくても、さらに、ＲＦ逆相分配器３１の出力端子３３，３４もインダクタで直流的に接地しなくても、レジスティブリングミキサとしての動作が可能となる。
【００７３】
ＬＯ波及びＲＦ信号は、実施の形態２と同様にＦＥＴ１ａ〜１ｄに入力され、ＦＥＴ１ａ〜１ｄで変換されたＩＦ信号が、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄから取り出されてＩＦ同相合成器４１に入力される。その他の動作は実施の形態２と同様である。
【００７４】
この実施の形態７では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄ間に抵抗５ａ，５ｄを接続しているが、ＦＥＴ１ａとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｄのドレイン端子３とソース端子４間に、それぞれの当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５で接続しても良い。
【００７５】
以上のように、この実施の形態７によれば、ＲＦ信号が入力される端子３５ａ，３５ｂ側からＩＦ信号を取り出し、端子４５ａ，４５ｂを接地し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのうち２個のＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に、当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５を接続することにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄを直流的に接地するためのインダクタを不要にすることができ、ミクサを小型化することができるという効果が得られる。
【００７６】
また、この実施の形態７では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄとを、それぞれ抵抗５ａ，５ｄで接続しているが、実施の形態３に示すように、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを、それぞれＦＥＴ１ａ〜１ｄの各ドレイン・ソース間の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａ〜５ｄで接続しても、実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００７７】
実施の形態８．
図８はこの発明の実施の形態８によるミクサを示す接続図であり、実施の形態７の図７と同様に、レジスティブリングミクサを受信装置に使用する場合を示しており、図７と同じ符号は同一のものを示している。図８に示すように、この実施の形態８では、実施の形態７の図７におけるＲＦ逆相分配器３１として、マイクロストリップ線路３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄを使用したマーチャントバラン３１Ａを使用し、端子４５ａ，４５ｂを開放としている。その他の接続は実施の形態７の図７と同じである。
【００７８】
なお、図８では、ＩＦ合成器としてＩＦ同相合成器４１を使用しているが、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄに入力するＬＯ波とＲＦ信号、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄから出力するＩＦ信号の位相関係によっては、ＩＦ合成器を逆相合成とし、ＬＯ逆相分配器、ＲＦ逆相分配器、ＩＦ逆相合成器を使用する場合がある。
【００７９】
次に動作について説明する。
図８に示すように、マーチャントバラン３１Ａの出力端子３３，３４は内部でマイクロストリップ線路３６ｃ，３６ｄにより直流的に接地されているため、端子３５ａ，３５ｂを直流的に接地するためのインダクタが不要となり、ミクサを小型化できる。
【００８０】
この実施の形態８では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄ間に抵抗５ａ，５ｄを接続しているが、ＦＥＴ１ａとＦＥＴ１ｂ、又はＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ｃ、又はＦＥＴ１ｃとＦＥＴ１ｄのドレイン端子３とソース端子４間に、それぞれの当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５で接続しても良い。
【００８１】
また、この実施の形態８ではマーチャントバラン３１Ａを使用しているが、例えばラットレース回路等を逆相分配器として使用することも可能で、図８と同様の動作をするレジスティブリングミクサを構成可能である。
【００８２】
以上のように、この実施の形態８によれば、ＲＦ信号が入力される端子３５ａ，３５ｂ側からＩＦ信号を取り出し、ＲＦ逆相分配器３１として、出力端子３３，３４が直流的に接地されたマーチャントバラン３１Ａを使用し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのうち２個のＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に、当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５を接続することにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄを直流的に接地するためのインダクタを不要にすることができ、ミクサを小型化することができるという効果が得られる。
【００８３】
また、この実施の形態８では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄとを、それぞれ抵抗５ａ，５ｄで接続しているが、実施の形態３に示すように、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを、それぞれＦＥＴ１ａ〜１ｄの各ドレイン・ソース間の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａ〜５ｄで接続しても、実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００８４】
実施の形態９．
図９はこの発明の実施の形態９によるミクサを示す接続図であり、実施の形態７の図７と同様に、レジスティブリングミクサを受信装置に使用する場合を示しており、図７と同じ符号は同一のものを示している。この実施の形態９では、図９に示すように、実施の形態７の図７のＩＦ同相合成器４１を、直列接続のインダクタ４６ａ，４６ｂで入力端子４２，４３を直流的に接続したＩＦ同相合成器４１Ａとし、ＦＥＴ１ａのドレイン端子３ａとソース端子４ａ間のみに抵抗５ａを接続している。その他の接続は実施の形態７の図７と同じである。
【００８５】
次に動作について説明する。
図９に示すように、ＩＦ同相合成器４１Ａの入力端子４２，４３は、直列接続のインダクタ４６ａ，４６ｂにより直流的に接続されているので、直流電位は同電位となっている。すなわち、端子４５ａ，４５ｂが接地されているので、抵抗５ａにより、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄの電位とソース端子４ａ〜４ｄとが同電位の接地電位とみなせるため、直流的に接地するためのインダクタを不要にすることができ、ミクサを小型化できる。
【００８６】
また、ＩＦ同相合成器４１Ａのインダクタ４６ａ，４６ｂの値を適当な値に設定すれば、ＩＦ信号よりも高い周波数のＬＯ波やＲＦ信号の漏洩波を抑圧するフィルタ機能を有するＩＦ同相合成器４１Ａを構成することもできる。
【００８７】
この実施の形態９では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａとソース端子４ａ間に抵抗５ａを接続しているが、ＦＥＴ１ｂ〜１ｄのいずれか１つのＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に抵抗５を接続しても良い。
【００８８】
以上のように、この実施の形態９によれば、ＲＦ信号が入力される端子３５ａ，３５ｂ側からＩＦ信号を取り出し、端子４５ａ，４５ｂを接地し、入力端子４２，４３が直流的に接続されたＩＦ同相合成器４１Ａを使用し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのうち１個のＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に、当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５を接続することにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄを直流的に接地するためのインダクタを不要にすることができ、ミクサを小型化することができると共に、ＬＯ波やＲＦ信号の漏洩波を抑圧することができるという効果が得られる。
【００８９】
また、この実施の形態９では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄとを、それぞれ抵抗５ａ，５ｄで接続しているが、実施の形態３に示すように、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを、それぞれＦＥＴ１ａ〜１ｄの各ドレイン・ソース間の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａ〜５ｄで接続しても、実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００９０】
実施の形態１０．
図１０はこの発明の実施の形態１０によるミクサを示す接続図であり、実施の形態７の図７と同様に、レジスティブリングミクサを受信装置に使用する場合を示しており、図７と同じ符号は同一のものを示している。この実施の形態１０では、図１０に示すように、実施の形態７の図７のＩＦ同相合成器４１を、抵抗４７とマイクロストリップ線路４８ａ，４８ｂで構成され、入力端子４２，４３が直流的に接続された同相分配器の一種であるウィルキンソン形分配器４１Ｂとし、ＦＥＴ１ａのドレイン端子３ａとソース端子４ａ間のみに抵抗５ａを接続している。その他の接続は実施の形態７の図７と同じである。
【００９１】
次に動作について説明する。
図１０に示すように、ウィルキンソン形分配器４１Ｂの入力端子４２，４３は、マイクロストリップ線路４８ａ，４８ｂにより直流的に接続されているので、直流電位は同電位となっている。すなわち、端子４５ａ，４５ｂが接地されているので、抵抗５ａにより、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄの電位とソース端子４ａ〜４ｄとが同電位の接地電位とみなせるため、直流的に接地するためのインダクタを不要にすることができ、ミクサを小型化できる。
【００９２】
また、ウィルキンソン形分配器４１Ｂは、低域通過形のフィルタとしても動作するので、ＬＯ波やＲＦ信号の漏洩波を抑圧することが可能である。
【００９３】
また、この実施の形態１０では、ＦＥＴ１ａのドレイン端子３ａとソース端子４ａ間に抵抗５ａを接続しているが、ＦＥＴ１ｂ〜１ｄのいずれか１つのＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に抵抗５を接続しても良い。
【００９４】
以上のように、この実施の形態１０によれば、ＲＦ信号が入力される端子３５ａ，３５ｂ側からＩＦ信号を取り出し、端子４５ａ，４５ｂを接地し、入力端子４２，４３が直流的に接続されたウィルキンソン形分配器４１Ｂを使用し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのうち１個のＦＥＴ１のドレイン端子３とソース端子４間に、当該ＦＥＴ１のドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して十分大きい抵抗値を持つ抵抗５を接続することにより、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄを直流的に接地するためのインダクタを不要にすることができ、ミクサを小型化できると共に、ＬＯ波やＲＦ信号の漏洩波を抑圧することができるという効果が得られる。
【００９５】
また、この実施の形態１０では、ＦＥＴ１ａ，１ｄのドレイン端子３ａ，３ｄとソース端子４ａ，４ｄとを、それぞれ抵抗５ａ，５ｄで接続しているが、実施の形態３に示すように、ＦＥＴ１ａ〜１ｄのドレイン端子３ａ〜３ｄとソース端子４ａ〜４ｄとを、それぞれＦＥＴ１ａ〜１ｄの各ドレイン・ソース間の内部抵抗に比べて十分大きい抵抗値を持つ抵抗５ａ〜５ｄで接続しても、実施の形態３と同様の効果が得られる。
【００９６】
なお、実施の形態７から実施の形態１０に示すレジスティブリングミクサを送信装置に使用する場合は、ＩＦ信号端子５４よりＩＦ信号を入力して、ＩＦ同相合成器４１，４１Ａ，４１ＢをＩＦ同相分配器として使用し、ＦＥＴ１ａ〜１ｄでは、ＩＦ同相分配器から入力されたＩＦ信号を、ＬＯ逆相分配器２１から入力されたＬＯ波によりＲＦ信号に変換し、ＲＦ逆相分配器３１，３１ＡをＲＦ逆相合成器として使用し、変換されたＲＦ信号を入力して、ＲＦ信号端子５３へＲＦ信号を出力する。
【００９７】
また、実施の形態７から実施の形態８に示すレジスティブリングミクサを送信装置に使用する場合には、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄに入力するＬＯ波とＩＦ信号、各ＦＥＴ１ａ〜１ｄから出力するＲＦ信号の位相関係によっては、ＩＦ合成器を逆相合成とし、ＬＯ逆相分配器、ＲＦ逆相合成器、ＩＦ逆相分配器を使用する場合がある。
【００９８】
実施の形態１１．
図１１はこの発明の実施の形態１１による受信装置の構成を示すブロック図である。図に示すように、電波を受信する受信アンテナ６１、受信した電波を増幅してＲＦ信号を出力する低雑音増幅回路６２、不要波除去のための帯域通過フィルタ６３、ＬＯ波を生成する局部発振回路６４、帯域通過フィルタ６３からのＲＦ信号を局部発振回路６４からのＬＯ波によりＩＦ信号に変換するミクサ６５、不要波除去のための帯域通過フィルタ６６、帯域通過フィルタ６６から出力されるＩＦ信号からデータを復調する復調回路６７により構成されている。
【００９９】
ここで、ミクサ６５としては、実施の形態１から実施の形態１０に示したいずれかのミクサを使用している。
【０１００】
以上のように、この実施の形態１１によれば、上記実施の形態１から実施の形態１０に示したいずれかのミクサを受信装置に使用することにより、受信装置を小型化することができるという効果が得られる。
【０１０１】
実施の形態１２．
図１２はこの発明の実施の形態１２による送信装置の構成を示すブロック図である。図に示すように、データを変調してＩＦ信号を出力する変調回路７１、不要波除去のための帯域通過フィルタ７２、ＬＯ波を生成する局部発振回路７３、帯域通過フィルタ７２からのＩＦ信号を局部発振回路７３からのＬＯ波によりＲＦ信号に変換するミクサ７４、不要波除去のための帯域通過フィルタ７５、ＲＦ信号を増幅する増幅回路７６、電波を送信する送信アンテナ７７により構成されている。
【０１０２】
ここで、ミクサ７４としては、上記実施の形態１から実施の形態１０に示したいずれかのミクサを使用している。
【０１０３】
以上のように、この実施の形態１２によれば、上記実施の形態１から実施の形態１０に示したいずれかのミクサを送信装置に使用することにより、送信装置を小型化することができるという効果が得られる。
【０１０４】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、ＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加してＬＯ波を入力し、ＦＥＴのドレイン端子にＲＦ信号を入力し、変換されたＩＦ信号をドレイン端子から出力すると共に、ＦＥＴのソース端子を接地し、ドレイン端子とソース端子とを、ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することにより、ミクサを小型化することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１によるミクサを示す接続図である。
【図２】この発明の実施の形態２によるミクサを示す接続図である。
【図３】この発明の実施の形態３によるミクサを示す接続図である。
【図４】この発明の実施の形態４によるミクサを示す接続図である。
【図５】この発明の実施の形態５によるミクサを示す接続図である。
【図６】この発明の実施の形態６によるミクサを示す接続図である。
【図７】この発明の実施の形態７によるミクサを示す接続図である。
【図８】この発明の実施の形態８によるミクサを示す接続図である。
【図９】この発明の実施の形態９によるミクサを示す接続図である。
【図１０】この発明の実施の形態１０によるミクサを示す接続図である。
【図１１】この発明の実施の形態１１による受信装置の構成を示すブロック図である。
【図１２】この発明の実施の形態１２による送信装置の構成を示すブロック図である。
【図１３】従来のミクサを示す接続図である。
【図１４】従来のミクサを示す接続図である。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄＦＥＴ、２，２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄゲート端子、３，３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄドレイン端子、４，４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄソース端子、５，５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ抵抗、６キャパシタ、７インダクタ、８キャパシタ、９インダクタ、２１ＬＯ逆相分配器、２２入力端子、２３，２４出力端子、２５ａ，２５ｂ抵抗、３１ＲＦ逆相分配器、３１Ａマーチャントバラン、３２入力端子、３３，３４出力端子、３５ａ，３５ｂ端子、３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄマイクロストリップ線路、４１，４１ＡＩＦ同相合成器、４１Ｂウィルキンソン形分配器、４２，４３入力端子、４４出力端子、４５ａ，４５ｂ端子、４６ａ，４６ｂインダクタ、４７抵抗、４８ａ，４８ｂマイクロストリップ線路、５１ＬＯ波端子、５２，５２ａ，５２ｂゲート電圧端子、５３ＲＦ信号端子、５４ＩＦ信号端子、６１受信アンテナ、６２低雑音増幅回路、６３帯域通過フィルタ、６４局部発振回路、６５ミクサ、６６帯域通過フィルタ、６７復調回路、７１変調回路、７２帯域通過フィルタ、７３局部発振回路、７４ミクサ、７５帯域通過フィルタ、７６増幅回路、７７送信アンテナ。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a mixer mainly used for communication in a microwave band, and a receiving device and a transmitting device using the mixer.
[0002]
[Prior art]
FIG. 13 is a diagram showing a resistive mixer using a single FET (Field Effect Transistor) described in Non-Patent Document 1, for example. In the figure, a LO wave, which is a local oscillation wave input to a LO wave terminal 111, is input to a gate terminal G of an FET 101 via an LO filter 102, and a high frequency component is cut off from a gate voltage terminal 112. A predetermined negative voltage is applied via the inductor 105 and the capacitor 106.
[0003]
An RF signal which is a high-frequency signal input from the RF signal terminal 113 is input to the drain terminal D of the FET 101 via the RF filter 103. In the FET 101, the RF signal input to the drain terminal D is converted into an IF signal as an intermediate frequency signal by the LO wave input to the gate terminal G, output from the drain terminal D, and output through the IF filter 104. The signal is output from the signal terminal 114.
[0004]
In the resistive mixer having such a configuration, the drain terminal D and the source terminal S of the FET 101 need to be DC grounded. That is, in FIG. 13, it is necessary to connect the source terminal S directly to the ground and to connect the drain terminal D to a DC ground via an inductor having a large impedance for an RF signal and an IF signal (not shown). is there.
[0005]
FIG. 14 is a connection diagram showing a resistive ring mixer using four FETs described in Non-Patent Document 2, for example. Here, four FETs 201a, 201b, 201c, and 201d are connected in a ring shape. The LO wave input to the LO wave terminal 211 is distributed by the LO balun 202 to LO waves LO and LO bars having the same amplitude and opposite phases to each other and output. The LO wave LO output from the LO balun 202 is input to the gate terminals G of the FETs 201a and 201b, and the LO wave LO bar is input to the gate terminals G of the FETs 201c and 201d.
[0006]
The RF signal input to the RF signal terminal 212 is distributed by the RF balun 203 to RF signals RF and RF bars having the same amplitude and opposite phases to each other and output. The RF signal RF output from the RF balun 203 is input to the connection point between the drain terminal D of the FET 201a and the FET 201b, and the RF signal RF bar is input to the connection point between the drain terminal D of the FET 201c and the FET 201d.
[0007]
The RF signals RF and RF bars input to the drain terminals D of the FETs 201a to 201d are converted into IF signals IF having the same amplitude and in phase with each other by the LO waves LO and LO bars input to the gate terminals G of the FETs 201a to 201d. Then, the signal is output from the connection point between the source terminal S of the FET 201a and the FET 201c and from the connection point between the source terminal S of the FET 201b and the FET 201d, and is input to the IF in-phase combiner 204. The IF in-phase combiner 204 combines the input IF signals IF and outputs the result from the IF signal terminal 213.
[0008]
Although not shown in FIG. 14, a predetermined negative voltage is applied to the gate terminals G of the FETs 201a to 201d. In the RF balun 203, in order to ground the drain terminals D of the FETs 201a to 201d in a DC manner, the output sides of the RF signals RF and RF bar are grounded in a DC manner via a built-in microstrip line. I have. Further, in the IF common mode combiner 204, in order to ground the source terminals S of the FETs 201a to 201d in a DC manner, two input sides of the IF signal IF are grounded in a DC manner through an inductor having a large impedance for the IF signal. are doing.
[0009]
As described above, in the resistive mixer of FIG. 13 using FETs and the resistive ring mixer of FIG. 14 using four FETs, a predetermined negative voltage is applied to the gate terminal G of the FET, and the drain terminal D It is necessary to ground the source terminal S in a DC manner. However, since the RF signal is input and the IF signal is output to the drain terminal D and the source terminal S of the FET, they are DC grounded and have high impedance for the RF signal and the IF signal. Must be grounded with an inductor. That is, in order to separate the DC voltage and the IF signal, for example, when the frequency of the RF signal or the IF signal is several MHz or less, an inductor of several uH or more is required.
[0010]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-64508 (top right of page 2)
[Non-patent document 1]
Microwave Mixers, Arttech House, p. 339-340, 1996
[Non-patent document 2]
M. SHIMOZAWA et. al. , "A Broadband FET Resistive Ring Mixer Using a Parallel Connected March Balun", APMC, WE4A-2, p. 651-654, 1998
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
Since a conventional mixer is configured as described above, in a resistive mixer or a resistive ring mixer using an FET, when an inductor for grounding a drain terminal and a source terminal in a DC manner is formed on a semiconductor substrate, There has been a problem that the area of the semiconductor substrate becomes large and the mixer cannot be downsized.
[0012]
As a technique related to the above problem, there is a “FET mixer” disclosed in Patent Document 1. Here, a small FET mixer is provided by replacing the RF choke coil for applying a gate bias voltage to the gate terminal of the FET with a resistive element. An inductor is required, and there is a similar problem as described above.
[0013]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and has as its object to provide a mixer that can be reduced in size, and a receiving device and a transmitting device that use the mixer.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The mixer according to the present invention applies a predetermined negative voltage to the gate terminal of the FET, inputs a LO wave, inputs an RF signal to the drain terminal of the FET, and outputs a converted IF signal from the drain terminal. The source terminal of the FET is grounded, and the drain terminal and the source terminal are connected by a resistor having a larger resistance value than the internal resistance between the drain and the source of the FET.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described.
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a connection diagram showing a mixer according to Embodiment 1 of the present invention. Here, a case is shown in which a resistive mixer using an FET is used for a receiving device that communicates in the microwave band, and an RF signal that is a high-frequency signal is converted into an RF signal or LO wave by a LO wave that is a local oscillation wave. It is assumed that the signal is converted into an IF signal which is an intermediate frequency signal having a lower frequency.
[0016]
In FIG. 1, the gate terminal 2 of the FET 1 is connected to a gate voltage terminal 52 via an inductor 7 and to a LO wave terminal 51 via a capacitor 6. The source terminal 4 of the FET 1 is grounded. Further, the drain terminal 3 of the FET 1 is connected to the source terminal 7 via the resistor 5 having a sufficiently large resistance value as compared with the internal resistance between the drain and the source of the FET 1, and the RF signal terminal via the capacitor 8. It is connected to the IF signal terminal 54 via the inductor 9.
[0017]
Next, the operation will be described.
A predetermined negative voltage is applied to a gate terminal 2 of the FET 1 from a gate voltage terminal 52 via an inductor 7 for cutting off high frequency components. The DC component of the LO wave input from the LO wave terminal 51 is cut off by the capacitor 6 and input to the gate terminal 2 of the FET 1. The RF signal input from the RF signal terminal 53 is input to the drain terminal 3 of the FET 1 via the capacitor 8 that allows only the RF signal to pass.
[0018]
In the FET 1, the RF signal input from the drain terminal 3 is converted into an IF signal having a frequency represented by the following equation by the LO wave input from the gate terminal 2 and output to the drain terminal 3.
Fif = Frf-Flo
Here, Fif, Frf, and Flo are the frequencies of the IF signal, the RF signal, and the LO wave, respectively. The IF signal output to the drain terminal 3 is output to the IF signal terminal 54 via the inductor 9 that blocks the LO wave and the RF signal and passes only the IF signal.
[0019]
While the FET 1 is operating as a resistive mixer, the drain 5 is connected between the drain terminal 3 and the source terminal 4 by the resistor 5, so that a potential difference due to a voltage drop due to the resistor 5 occurs. When the value is sufficiently larger than the internal resistance between the drain and the source of the FET 1, the current flowing through the resistor 5 is weak. For this reason, it can be considered that there is no voltage drop due to the resistor 5, and the potential of the drain terminal 3 can be regarded as the ground potential which is the same potential as the potential of the source terminal 7, so that the inductor for DC-grounding the drain terminal 3 is provided. Becomes unnecessary.
[0020]
When the mixer circuit shown in FIG. 1 operating in the microwave frequency band is formed on a semiconductor substrate, the size of the resistor 5 is smaller when comparing the connected resistor 5 with the size of the unnecessary inductor. , The size of the mixer can be reduced.
[0021]
As described above, according to the first embodiment, the resistance between the drain terminal 3 of the FET 1 and the source terminal 4 of the FET 1 having a sufficiently large resistance value as compared with the internal resistance between the drain and the source of the FET 1 5, the drain terminal 3 has the same potential as the ground potential of the source terminal 4, so that an inductor for DC-grounding the drain terminal 3 is not required, and the mixer can be downsized. Is obtained.
[0022]
When this mixer is used in a transmitting device that communicates in the microwave band, in FIG. 1, the IF signal input from the IF signal terminal 54 to the drain terminal 3 of the FET 1 is transmitted from the LO signal terminal 51 to the gate of the FET 1 The signal may be converted into an RF signal by the LO wave input to the terminal 2 and output from the drain terminal 3 of the FET 1 to the RF signal terminal 53.
[0023]
Embodiment 2 FIG.
FIG. 2 is a connection diagram showing a mixer according to Embodiment 2 of the present invention. Here, a case is shown in which the resistive ring mixer is used for the receiving device as in FIG. 1 of the first embodiment. In FIG. 2, similarly to the conventional FIG. 14, four FETs 1a, 1b, 1c, and 1d are connected in a ring shape, and the LO wave is distributed by the LO reverse-phase distributor 21 (the LO balun 202 in FIG. 14). In this example, the RF signal is distributed by the RF reverse phase distributor 31 (the RF balun 203 in FIG. 14), and the IF signal is synthesized by the IF in-phase combiner 41 (the IF in-phase combiner 204 in FIG. 14).
[0024]
In FIG. 2, the IF in-phase synthesizer 41 is used as the IF synthesizer. However, depending on the phase relationship between the LO wave input to each of the FETs 1a to 1d and the RF signal, and the IF signal output from each of the FETs 1a to 1d, The IF combiner may be a reverse-phase combiner, and a LO reverse-phase distributor, an RF reverse-phase distributor, and an IF reverse-phase combiner may be used.
[0025]
In FIG. 2, the input terminal 22 of the LO reverse-phase distributor 21 is connected to the LO wave terminal 51. The output terminal 23 of the LO negative-phase distributor 21 is connected to a gate voltage terminal 52a via a resistor 25a having a sufficiently large resistance value to cut off an AC signal, and a gate of the FET 1a (first FET). The terminal 2a is connected to the gate terminal 2b of the FET 1b (second FET). Further, the output terminal 24 of the LO negative-phase distributor 21 is connected to the gate voltage terminal 52b via a resistor 25b having a sufficiently large resistance to cut off the AC signal, and the gate of the FET 1c (third FET). The terminal 2c is connected to the gate terminal 2d of the FET 1d (fourth FET).
[0026]
In FIG. 2, the input terminal 32 of the RF reverse phase distributor 31 is connected to the RF signal terminal 53, the output terminal 33 of the RF reverse phase distributor 31 is connected to the terminal 35a (first terminal), The output terminal 34 of the phase distributor 31 is connected to a terminal 35b (second terminal). The terminal 35a is connected to the drain terminal 3a of the FET 1a and the drain terminal 3b of the FET 1b, and the terminal 35b is connected to the drain terminal 3c of the FET 1c and the drain terminal 3d of the FET 1d.
[0027]
2, the source terminal 4a of the FET 1a and the source terminal 4c of the FET 1c are connected to a terminal 45a (third terminal), and the source terminal 4b of the FET 1b and the source terminal 4d of the FET 1d are connected to a terminal 45b (fourth terminal). It is connected to the. The terminal 45a is connected to the input terminal 42 of the IF in-phase combiner (IF combiner), the terminal 45b is connected to the input terminal 43 of the IF in-phase combiner 41, and the output terminal 44 of the IF in-phase combiner 41 is connected to the IF signal terminal 54. It is connected to the.
[0028]
Further, in FIG. 2, a resistor 5a having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and source of the FET 1a is connected between the drain terminal 3a and the source terminal 4a of the FET 1a, and the drain terminal 3d of the FET 1d is connected. A resistor 5d having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of the FET 1d is connected between the resistor 5d and the source terminal 4d.
[0029]
Further, although not shown in FIG. 2, the LO negative-phase distributor 21 cuts off the DC voltage internally, thereby preventing the DC voltage from being applied to the LO wave terminal 51 via the input terminal 22. In the RF antiphase distributor 31, the output terminals 33 and 34 are DC grounded by inductors, respectively, and the DC voltage is applied to the RF signal terminal 53 via the input terminal 32 of the RF antiphase distributor 31. Is prevented from being applied. Inside the IF in-phase synthesizer 41, the DC voltage to the output terminal 44 is cut off to prevent the DC voltage from being applied to the IF signal terminal 54. However, by connecting the resistors 5a and 5d, the input terminals 42 and 43 are DC-grounded inside the IF common mode combiner 41 by inductors, respectively, unlike the IF common mode combiner 204 shown in FIG. No need.
[0030]
Next, the operation will be described.
A predetermined negative voltage is applied from the gate voltage terminal 52a to the gate terminal 2a of the FET 1a and the gate terminal 2b of the FET 1b via the resistor 25a having a sufficiently large value to cut off the AC signal. Further, a predetermined negative voltage is applied to the gate terminal 2c of the FET 1c and the gate terminal 2d of the FET 1d via the resistor 25b whose value is large enough to cut off the AC signal from the gate voltage terminal 52b.
[0031]
Since the output terminal 33 of the RF antiphase distributor 31 is DC grounded, the terminal 35a is grounded, the drain terminals 3a and 3b of the FETs 1a and 1b are DC grounded, and the drain and source of the FET 1a are connected. Due to the resistor 5a having a resistance value sufficiently larger than the internal resistance, the potentials of the source terminals 4a and 4c of the FETs 1a and 1c become the same as the potentials of the drain terminals 3a and 3b of the FETs 1a and 1b.
[0032]
Further, since the output terminal 34 of the RF reverse-phase distributor 31 is DC-grounded, the terminal 35b is grounded, and the drain terminals 3c and 3d of the FETs 1c and 1d are DC-grounded. The potential of the source terminals 4b and 4d of the FETs 1b and 1d becomes a ground potential equal to the potential of the drain terminals 3c and 3d of the FETs 1c and 1d by the resistor 5d having a resistance value sufficiently larger than the internal resistance between the sources.
[0033]
As described above, if the output terminals 33 and 34 of the RF antiphase distributor 31 are DC grounded, even if the input terminals 42 and 43 of the IF in-phase combiner 41 are not DC grounded, each FET 1 a The drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d have a ground potential which is DC-grounded, and can operate as a resistive ring mixer.
[0034]
The LO wave input to the LO wave terminal 51 is input to the input terminal 22 of the LO anti-phase distributor 21, and is output to the output terminal 23 and the output terminal 24 of the LO anti-phase distributor 21 with equal amplitudes and opposite phases. The output is distributed to LO and LO bar. The LO wave LO output to the output terminal 23 of the LO negative-phase distributor 21 is input to the gate terminal 2a of the FET 1a and the gate terminal 2b of the FET 1b, and is output to the output terminal 24 of the LO negative-phase distributor 21. The LO bar is input to the gate terminal 2c of the FET 1c and the gate terminal 2d of the FET 1d.
[0035]
The RF signal input to the RF signal terminal 53 is input to the input terminal 32 of the RF anti-phase distributor 31, and is output to the output terminal 33 and the output terminal 34 of the RF anti-phase distributor 31 with equal amplitudes and opposite phases. It is distributed to RF and RF bars and output. The RF signal RF output to the output terminal 33 of the RF negative-phase distributor 31 is input to the drain terminal 3a of the FET 1a and the drain terminal 3b of the FET 1b via the terminal 35a. The RF signal RF bar output to is supplied to the drain terminal 3c of the FET 1c and the drain terminal 3d of the FET 1d via the terminal 35b.
[0036]
The RF signals RF and RF bar input to the drain terminals 3a to 3d of the FETs 1a to 1d are IF signals having the same amplitude and the same phase by the LO waves LO and LO bars input to the gate terminals 2a to 2d of the FETs 1a to 1d. The signal is converted into an IF signal, and is output from a connection point between the source terminal 4a of the FET 1a and the source terminal 4c of the FET 1c and a connection point between the source terminal 4b of the FET 1b and the source terminal 4d of the FET 1d, via the terminals 45a and 45b, respectively. Then, it is input to the input terminals 42 and 43 of the IF in-phase synthesizer 41. The IF in-phase combiner 41 combines the input IF signals IF and outputs the combined IF signals from an IF signal terminal 54 via an output terminal 44.
[0037]
In the second embodiment, the output terminals 33 and 34 of the RF antiphase distributor 31 are internally DC grounded by inductors. Instead, the terminals 35a and 35b are DC grounded by inductors. Alternatively, the terminals 45a and 45b may be DC grounded with inductors, or the input terminals 42 and 43 of the IF in-phase combiner 41 may be internally DC grounded with inductors.
[0038]
In the second embodiment, the drain terminal 3a and the source terminal 4a of the FET 1a are connected by a resistor 5a, and the drain terminal 3d and the source terminal 4d of the FET 1d are connected by a resistor 5d. In the case where the device 31 side, that is, the terminals 35a and 35b sides are DC-grounded by inductors, the respective terminals are connected between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of the FET1a and the FET1b, or the FET1b and the FET1c, or the FET1c and the FET1d. The connection may be made by a resistor 5 having a resistance value sufficiently larger than the internal resistance between the drain and the source of the FET 1. When the IF in-phase combiner 41, that is, the terminals 45a and 45b are DC-grounded by inductors, the drain terminal 3 and the source terminal 4 of the FET 1a and the FET 1c, or the FET 1b and the FET 1c, or the FET 1b and the FET 1d. Alternatively, the FETs 1 may be connected by a resistor 5 having a sufficiently large resistance value as compared with the internal resistance between the drain and the source.
[0039]
In the resistive ring mixer, the frequency of the IF signal is lower than the frequency of the LO wave and the frequency of the RF signal, and the inductor used for the microwave band occupies a large area on the semiconductor substrate, so that the resistors 5a and 5d are added. However, the size of the semiconductor substrate can be further reduced by eliminating the need for an inductor for DC grounding the input terminals 42 and 43 of the IF in-phase synthesizer 41.
[0040]
As described above, according to the second embodiment, the terminals 35a and 35b or the terminals 45a and 45b are DC grounded, and the drain terminal 3 and the source terminal 4 of two of the FETs 1a to 1d. By connecting a resistor 5 having a resistance value sufficiently larger than the internal resistance between the drain and the source of the FET 1, the drain terminals 3 a to 3 d and the source terminals 4 a to 4 d of the FETs 1 a to 1 d The effect that the number of inductors for grounding can be reduced and the size of the mixer can be reduced is obtained.
[0041]
Embodiment 3 FIG.
FIG. 3 is a connection diagram showing a mixer according to Embodiment 3 of the present invention. Here, as in FIG. 2 of the second embodiment, the case where the resistive ring mixer is used for the receiving apparatus is shown, and the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same parts. In the third embodiment, as shown in FIG. 3, the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of all the FETs 1a to 1d are compared with the respective internal resistances between the drains and sources of the FETs 1a to 1d. The connection is made by resistors 5a, 5b, 5c and 5d having sufficiently large resistance values. Other connections are the same as in FIG. 2 of the second embodiment.
[0042]
In FIG. 3, the IF in-phase combiner 41 is used as an IF combiner. However, depending on the phase relationship between the LO wave input to each of the FETs 1a to 1d and the RF signal, and the IF signal output from each of the FETs 1a to 1d, The IF combiner may be a reverse-phase combiner, and a LO reverse-phase distributor, an RF reverse-phase distributor, and an IF reverse-phase combiner may be used.
[0043]
Next, the operation will be described.
In the case of a resistive ring mixer in which four FETs 1a to 1d are arranged in a ring, it is desirable that each of the FETs 1a to 1d performs exactly the same operation. If the operations of the FETs 1a to 1d are slightly different, the relationship between the amplitudes and phases of the LO waves does not become completely equal and opposite phases, and the LO waves may leak to the terminals 45a and 45b. Similarly, the RF signal may leak to the terminals 45a and 45b.
[0044]
If the IF signals output from the terminals 45a and 45b are not completely in phase, the output power of the IF signal at the output terminal 44 of the IF in-phase synthesizer 41 decreases. As shown in FIG. 2 of the second embodiment, the drain terminals 3a, 3d and the source terminals 4a, 4d of the two FETs 1a, 1d are connected to the resistors 5a, 5d, respectively, as shown in FIG. When the drain terminals 3a to 3d of all four FETs 1a to 1d and the source terminals 4a to 4d are connected by resistors 5a to 5d, respectively, the operation of each of the FETs 1a to 1d becomes closer, and the LO wave and the Leakage of the RF signal to the terminals 45a and 45b can be further suppressed, and the IF signal can be extracted more efficiently.
[0045]
As described above, according to the third embodiment, the terminals 35a and 35b or the terminals 45a and 45b are DC grounded, and the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d are connected. The drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d are connected by resistances 5a to 5d each having a resistance value sufficiently larger than the internal resistance between each drain and source of the FETs 1a to 1d. The number of inductors for DC grounding can be reduced, the size of the mixer can be reduced, LO waves and RF signal leakage can be further suppressed, and IF signals can be extracted more efficiently. The effect is obtained.
[0046]
Embodiment 4 FIG.
FIG. 4 is a connection diagram showing a mixer according to a fourth embodiment of the present invention, and shows a case where a resistive ring mixer is used in a receiving device, as in FIG. 2 of the second embodiment, and is the same as FIG. The reference numerals indicate the same components. As shown in FIG. 4, in the fourth embodiment, a Marchand balun 31A using microstrip lines 36a, 36b, 36c, and 36d is used as the RF negative-phase distributor 31 in FIG. 2 of the second embodiment. I have. Other connections are the same as in FIG. 2 of the second embodiment.
[0047]
In FIG. 4, the IF in-phase combiner 41 is used as the IF combiner. However, depending on the phase relationship between the LO wave input to each of the FETs 1a to 1d and the RF signal, and the IF signal output from each of the FETs 1a to 1d, The IF combiner may be a reverse-phase combiner, and a LO reverse-phase distributor, an RF reverse-phase distributor, and an IF reverse-phase combiner may be used.
[0048]
Next, the operation will be described.
As shown in FIG. 4, the output terminals 33 and 34 of the merchant balun 31A are DC grounded internally by the microstrip lines 36c and 36d, so that the terminals 35a and 35b or the terminals 45a and 45b are An inductor for grounding is not required, and the size of the mixer can be reduced.
[0049]
In the fourth embodiment, although the resistors 5a and 5d are connected between the drain terminals 3a and 3d and the source terminals 4a and 4d of the FETs 1a and 1d, the drains of the FETs 1a and 1b, the FETs 1b and 1c, or the FETs 1c and 1d are connected. A resistor 5 having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each FET 1 may be connected between the terminal 3 and the source terminal 4.
[0050]
In the fourth embodiment, the merchant balun 31A is used. However, for example, a rat race circuit or the like can be used as an antiphase distributor, and a resistive ring mixer that operates in the same manner as in FIG. Configurable.
[0051]
As described above, according to the fourth embodiment, between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of two of the FETs 1a to 1d, the internal resistance between the drain and the source of the FET 1 is sufficiently large. By connecting a resistor 5 having a resistance value and using a Marchand balun 31A whose output terminals 33 and 34 are DC grounded as the RF antiphase distributor 31, the drain terminals 3a to 3d of the FETs 1a to 1d are connected to the source. It is possible to eliminate the need for an inductor for grounding the terminals 4a to 4d in a DC manner, and to obtain an effect that the size of the mixer can be reduced.
[0052]
Further, in the fourth embodiment, the drain terminals 3a, 3d of the FETs 1a, 1d and the source terminals 4a, 4d are connected by resistors 5a, 5d, respectively. Even if the drain terminals 3a to 3d of 1d and the source terminals 4a to 4d are connected by the resistors 5a to 5d each having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each of the FETs 1a to 1d. The same effect as in the third mode can be obtained.
[0053]
Embodiment 5 FIG.
FIG. 5 is a connection diagram showing a mixer according to a fifth embodiment of the present invention, and shows a case where a resistive ring mixer is used in a receiving device, as in FIG. 2 of the second embodiment, and is the same as FIG. The reference numerals indicate the same components. In the fifth embodiment, as shown in FIG. 5, the IF in-phase synthesizer 41 of the second embodiment shown in FIG. 2 is connected to the input terminals 42 and 43 by inductors 46a and 46b connected in series. Although not shown in FIG. 5 in this case, one of the output terminals 33 and 34 of the RF reverse-phase distributor 31 is DC-grounded by an inductor. Other connections are the same as in FIG. 2 of the second embodiment.
[0054]
Next, the operation will be described.
As shown in FIG. 5, since the input terminals 42 and 43 of the IF in-phase combiner 41A are connected in a DC manner by the series-connected inductors 46a and 46b, the DC potentials are the same. That is, if one of the output terminals 33 and 34 of the RF reverse-phase distributor 31 is DC-grounded by an inductor, the potentials of the drain terminals 3a to 3d of the FETs 1a to 1d and the source are controlled by the resistors 5a and 5d. Since the terminals 4a to 4d can be regarded as the same ground potential, the number of inductors for DC grounding can be further reduced, and the size of the mixer can be reduced.
[0055]
If the values of the inductors 46a and 46b of the IF in-phase synthesizer 41A are set to appropriate values, the IF in-phase synthesizer 41A having a filter function of suppressing LO waves having a higher frequency than the IF signal and leaky waves of the RF signal. Can also be configured.
[0056]
In the fifth embodiment, one of the output terminals 33 and 34 of the RF anti-phase distributor 31 is DC grounded with an inductor, but one of the terminals 35a, 35b, 45a and 45b is DC grounded with an inductor. It may be grounded.
[0057]
In the fifth embodiment, although the resistors 5a and 5d are connected between the drain terminals 3a and 3d and the source terminals 4a and 4d of the FETs 1a and 1d, one of the terminals 35a, 35b, 45a, and 45b is connected to an inductor. When the DC is grounded, the voltage between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of the FET 1a and the FET 1c, or the FET 1b and the FET 1c, or the FET 1b and the FET 1d is sufficiently compared with the internal resistance between the drain and the source of the FET 1. The connection may be made by a resistor 5 having a large resistance value.
[0058]
As described above, according to the fifth embodiment, one of the output terminals 33 and 34 and the terminals 35a, 35b, 45a and 45b of the RF reverse-phase distributor 31 is DC-grounded by the inductor, and the FETs 1a to 1d A resistor 5 having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of the FET 1 is connected between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of the two FETs 1, and the input terminals 42 and 43 By using the IF in-phase combiner 41A which is electrically connected, the number of inductors for DC-grounding the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d can be reduced, and the size of the mixer can be reduced. And the effect of suppressing the LO wave and the leakage wave of the RF signal can be obtained.
[0059]
In the fifth embodiment, the drain terminals 3a, 3d and the source terminals 4a, 4d of the FETs 1a, 1d are connected by resistors 5a, 5d, respectively. Even if the drain terminals 3a to 3d of 1d and the source terminals 4a to 4d are connected by the resistors 5a to 5d each having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each of the FETs 1a to 1d. The same effect as in the third mode can be obtained.
[0060]
Embodiment 6 FIG.
FIG. 6 is a connection diagram showing a mixer according to a sixth embodiment of the present invention, and shows a case where a resistive ring mixer is used in a receiving device, as in FIG. 2 of the second embodiment, and is the same as FIG. The reference numerals indicate the same components. In the sixth embodiment, as shown in FIG. 6, the IF in-phase combiner 41 of the second embodiment shown in FIG. 2 includes a resistor 47 and microstrip lines 48a and 48b. This is a Wilkinson-type distributor 41B which is a kind of an in-phase distributor connected in a DC manner by lines 48a and 48b. In this case, although omitted in FIG. 6, one of the output terminals 33 and 34 of the RF antiphase distributor 31 is DC grounded by an inductor. Other connections are the same as in FIG. 2 of the second embodiment.
[0061]
Next, the operation will be described.
As shown in FIG. 6, since the input terminals 42 and 43 of the Wilkinson distributor 41B are DC-connected by the microstrip lines 48a and 48b, the DC potentials are the same. That is, if one of the output terminals 33 and 34 of the RF reverse-phase distributor 31 is DC-grounded by an inductor, the potentials of the drain terminals 3a to 3d of the FETs 1a to 1d and the source are controlled by the resistors 5a and 5d. Since the terminals 4a to 4d can be regarded as the same ground potential, the number of inductors for DC grounding can be further reduced, and the size of the mixer can be reduced.
[0062]
Further, the Wilkinson-type distributor 41B also operates as a low-pass filter, so that it is possible to suppress LO waves and leaky waves of RF signals.
[0063]
In the sixth embodiment, one of the output terminals 33 and 34 of the RF reverse-phase distributor 31 is DC-grounded by an inductor, but one of the terminals 35a, 35b, 45a and 45b is connected by an inductor. It may be DC grounded.
[0064]
In the sixth embodiment, the resistors 5a and 5d are connected between the drain terminals 3a and 3d and the source terminals 4a and 4d of the FETs 1a and 1d. However, any one of the terminals 35a, 35b, 45a, and 45b is connected to an inductor. When the DC is grounded, the voltage between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of the FET 1a and the FET 1c, or the FET 1b and the FET 1c, or the FET 1b and the FET 1d is sufficiently compared with the internal resistance between the drain and the source of the FET 1. The connection may be made by a resistor 5 having a large resistance value.
[0065]
As described above, according to the sixth embodiment, one of the output terminals 33 and 34 and the terminals 35a, 35b, 45a and 45b of the RF antiphase distributor 31 is DC-grounded by the inductor, and the FETs 1a to 1d A resistor 5 having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of the FET 1 is connected between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of the two FETs 1, and the input terminals 42 and 43 By using the Wilkinson-type distributor 41B which is electrically connected, the number of inductors for DC grounding the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d can be reduced, and the mixer can be downsized. And the effect of suppressing the LO wave and the leakage wave of the RF signal can be obtained.
[0066]
In the sixth embodiment, the drain terminals 3a, 3d and the source terminals 4a, 4d of the FETs 1a, 1d are connected by resistors 5a, 5d, respectively. Even if the drain terminals 3a to 3d of 1d and the source terminals 4a to 4d are connected by the resistors 5a to 5d each having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each of the FETs 1a to 1d. The same effect as in the third mode can be obtained.
[0067]
When the resistive ring mixer described in the second to sixth embodiments is used for the transmission device, an IF signal is input from the IF signal terminal 54 and the IF in-phase combiners 41, 41A, and 41B are connected to the IF in-phase combiners. In the FETs 1a to 1d, the IF signals input from the IF in-phase distributor are converted into RF signals by the LO waves input from the LO negative-phase distributor 21, and the RF negative-phase distributors 31 and 31A are used. Is used as an RF reverse-phase combiner, the converted RF signal is input, and the RF signal is output to the RF signal terminal 53.
[0068]
Further, when the resistive ring mixer described in Embodiments 2 to 4 is used for the transmission device, the LO signal and the IF signal input to each of the FETs 1a to 1d and the RF signal output from each of the FETs 1a to 1d are used. Depending on the phase relationship, the IF combiner may be of opposite-phase combining and a LO reverse-phase distributor, an RF reverse-phase combiner, or an IF reverse-phase distributor may be used.
[0069]
Embodiment 7 FIG.
FIG. 7 is a connection diagram showing a mixer according to a seventh embodiment of the present invention, and shows a case where a resistive ring mixer is used in a receiving device, as in FIG. 2 of the second embodiment, and is the same as FIG. The reference numerals indicate the same components. In FIG. 2 of the second embodiment, the IF signals converted by the FETs 1a to 1d are taken out from the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d and input to the IF in-phase synthesizer 41. As shown in FIG. 7, IF signals converted by the FETs 1a to 1d are taken out from the drain terminals 3a to 3d of the FETs 1a to 1d and input to the IF in-phase combiner 41, and the terminals 45a and 45b are grounded.
[0070]
In this case, it is not necessary to ground the input terminals 42 and 43 of the IF in-phase synthesizer 41 by DC with an inductor, and further, it is necessary to ground the output terminals 33 and 34 of the RF antiphase distributor 31 with DC by an inductor. Absent. Other connections are the same as in FIG. 2 of the second embodiment.
[0071]
In FIG. 7, the IF in-phase combiner 41 is used as the IF combiner. However, depending on the phase relationship between the LO wave input to each of the FETs 1a to 1d and the RF signal, and the IF signal output from each of the FETs 1a to 1d, The IF combiner may be a reverse-phase combiner, and a LO reverse-phase distributor, an RF reverse-phase distributor, and an IF reverse-phase combiner may be used.
[0072]
Next, the operation will be described.
In the seventh embodiment, since the terminals 45a and 45b are grounded, the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d can be regarded as ground potentials by the resistors 5a and 5d. Even if the input terminals 42 and 43 of the in-phase combiner 41 are not DC grounded by the inductor, and the output terminals 33 and 34 of the RF antiphase distributor 31 are not DC grounded by the inductor, The operation as a ring mixer becomes possible.
[0073]
The LO wave and the RF signal are input to the FETs 1a to 1d in the same manner as in the second embodiment, and the IF signals converted by the FETs 1a to 1d are taken out from the drain terminals 3a to 3d of the FETs 1a to 1d, and the IF in-phase combiner 41 Is input to Other operations are the same as in the second embodiment.
[0074]
In the seventh embodiment, the resistors 5a and 5d are connected between the drain terminals 3a and 3d and the source terminals 4a and 4d of the FETs 1a and 1d. A resistor 5 having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each FET 1 may be connected between the terminal 3 and the source terminal 4.
[0075]
As described above, according to the seventh embodiment, the IF signals are extracted from the terminals 35a and 35b to which the RF signals are input, the terminals 45a and 45b are grounded, and the drains of two FETs 1 out of the FETs 1a to 1d are drained. By connecting a resistor 5 having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and source of the FET 1 between the terminal 3 and the source terminal 4, the drain terminals 3a to 3d and the source terminal 4a of the FETs 1a to 1d are connected. 4d can be made unnecessary, and an effect that the size of the mixer can be reduced can be obtained.
[0076]
In the seventh embodiment, the drain terminals 3a, 3d and the source terminals 4a, 4d of the FETs 1a, 1d are connected by resistors 5a, 5d, respectively. Even if the drain terminals 3a to 3d of 1d and the source terminals 4a to 4d are connected by the resistors 5a to 5d each having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each of the FETs 1a to 1d. The same effect as in the third mode can be obtained.
[0077]
Embodiment 8 FIG.
FIG. 8 is a connection diagram showing a mixer according to an eighth embodiment of the present invention, and shows a case where a resistive ring mixer is used for a receiving device, as in FIG. 7 of the seventh embodiment, and is the same as FIG. The reference numerals indicate the same components. As shown in FIG. 8, in the eighth embodiment, a Marchand balun 31A using microstrip lines 36a, 36b, 36c and 36d is used as the RF negative-phase distributor 31 in FIG. 7 of the seventh embodiment. The terminals 45a and 45b are open. Other connections are the same as in FIG. 7 of the seventh embodiment.
[0078]
In FIG. 8, the IF in-phase synthesizer 41 is used as the IF synthesizer. However, depending on the phase relationship between the LO wave input to each of the FETs 1a to 1d and the RF signal, and the IF signal output from each of the FETs 1a to 1d, The IF combiner may be a reverse-phase combiner, and a LO reverse-phase distributor, an RF reverse-phase distributor, and an IF reverse-phase combiner may be used.
[0079]
Next, the operation will be described.
As shown in FIG. 8, since the output terminals 33 and 34 of the Marchand balun 31A are internally DC grounded by the microstrip lines 36c and 36d, there is no need for an inductor for DC grounding the terminals 35a and 35b. And the size of the mixer can be reduced.
[0080]
In the eighth embodiment, the resistors 5a and 5d are connected between the drain terminals 3a and 3d and the source terminals 4a and 4d of the FETs 1a and 1d. A resistor 5 having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each FET 1 may be connected between the terminal 3 and the source terminal 4.
[0081]
Although the merchant balun 31A is used in the eighth embodiment, for example, a rat race circuit or the like can be used as an antiphase distributor, and a resistive ring mixer that operates in the same manner as in FIG. It is possible.
[0082]
As described above, according to the eighth embodiment, the IF signals are extracted from the terminals 35a and 35b to which the RF signals are input, and the output terminals 33 and 34 are DC grounded as the RF antiphase distributor 31. Between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of two of the FETs 1a to 1d, the resistor 5 having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of the FET1. Is connected, the need for an inductor for DC grounding the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d can be eliminated, and the effect of reducing the size of the mixer can be obtained. Can be
[0083]
In the eighth embodiment, the drain terminals 3a and 3d of the FETs 1a and 1d are connected to the source terminals 4a and 4d by resistors 5a and 5d, respectively. Even if the drain terminals 3a to 3d of 1d and the source terminals 4a to 4d are connected by the resistors 5a to 5d each having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each of the FETs 1a to 1d. The same effect as in the third mode can be obtained.
[0084]
Embodiment 9 FIG.
FIG. 9 is a connection diagram showing a mixer according to a ninth embodiment of the present invention, and shows a case where a resistive ring mixer is used in a receiving device, as in FIG. 7 of the seventh embodiment, and is the same as FIG. The reference numerals indicate the same components. In the ninth embodiment, as shown in FIG. 9, the IF common mode combiner 41 of the seventh embodiment shown in FIG. 7 is connected to the input common terminals 42 and 43 in series by inductors 46a and 46b. A resistor 5a is connected only between the drain terminal 3a and the source terminal 4a of the FET 1a. Other connections are the same as in FIG. 7 of the seventh embodiment.
[0085]
Next, the operation will be described.
As shown in FIG. 9, since the input terminals 42 and 43 of the IF in-phase combiner 41A are DC-connected by the series-connected inductors 46a and 46b, the DC potentials are the same. That is, since the terminals 45a and 45b are grounded, the potential of the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d can be regarded as the same ground potential by the resistor 5a. This eliminates the need for an inductor to reduce the size of the mixer.
[0086]
If the values of the inductors 46a and 46b of the IF in-phase synthesizer 41A are set to appropriate values, the IF in-phase synthesizer 41A having a filter function of suppressing LO waves having a higher frequency than the IF signal and leaky waves of the RF signal. Can also be configured.
[0087]
In the ninth embodiment, although the resistor 5a is connected between the drain terminal 3a and the source terminal 4a of the FETs 1a and 1d, the resistor 5 is connected between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of any one of the FETs 1b to 1d. May be connected.
[0088]
As described above, according to the ninth embodiment, the IF signals are taken out from the terminals 35a and 35b to which the RF signals are input, the terminals 45a and 45b are grounded, and the input terminals 42 and 43 are DC-connected. Of the FET 1a to 1d, and has a sufficiently large resistance value between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of the FET 1 as compared with the internal resistance between the drain and the source of the FET 1 By connecting the resistor 5, an inductor for DC-grounding the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d can be eliminated, and the mixer can be downsized. The effect of being able to suppress the LO wave and the leakage wave of the RF signal can be obtained.
[0089]
In the ninth embodiment, the drain terminals 3a, 3d and the source terminals 4a, 4d of the FETs 1a, 1d are connected by resistors 5a, 5d, respectively. Even if the drain terminals 3a to 3d of 1d and the source terminals 4a to 4d are connected by the resistors 5a to 5d each having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each of the FETs 1a to 1d. The same effect as in the third mode can be obtained.
[0090]
Embodiment 10 FIG.
FIG. 10 is a connection diagram showing a mixer according to a tenth embodiment of the present invention, and shows a case where a resistive ring mixer is used in a receiving device, as in FIG. 7 of the seventh embodiment, and is the same as FIG. The reference numerals indicate the same components. In the tenth embodiment, as shown in FIG. 10, the IF in-phase combiner 41 of the seventh embodiment shown in FIG. 7 includes a resistor 47 and microstrip lines 48a and 48b. , A Wilkinson-type distributor 41B, which is a kind of common-mode distributor, and has a resistor 5a connected only between the drain terminal 3a and the source terminal 4a of the FET 1a. Other connections are the same as in FIG. 7 of the seventh embodiment.
[0091]
Next, the operation will be described.
As shown in FIG. 10, the input terminals 42 and 43 of the Wilkinson distributor 41B are DC-connected by the microstrip lines 48a and 48b, and thus have the same DC potential. That is, since the terminals 45a and 45b are grounded, the potential of the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d can be regarded as the same ground potential by the resistor 5a. This eliminates the need for an inductor to reduce the size of the mixer.
[0092]
Further, the Wilkinson-type distributor 41B also operates as a low-pass filter, so that it is possible to suppress LO waves and leaky waves of RF signals.
[0093]
Further, in the tenth embodiment, although the resistor 5a is connected between the drain terminal 3a and the source terminal 4a of the FET 1a, the resistor 5 is connected between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of any one of the FETs 1b to 1d. May be connected.
[0094]
As described above, according to the tenth embodiment, the IF signals are extracted from the terminals 35a and 35b to which the RF signals are input, the terminals 45a and 45b are grounded, and the input terminals 42 and 43 are DC-connected. Using a Wilkinson-type distributor 41B having a sufficiently large resistance value between the drain terminal 3 and the source terminal 4 of one of the FETs 1a to 1d as compared with the internal resistance between the drain and the source of the FET 1 By connecting the resistor 5, an inductor for grounding the drain terminals 3a to 3d and the source terminals 4a to 4d of the FETs 1a to 1d in a DC manner can be eliminated, and the mixer can be downsized, and the LO wave and the like can be reduced. The effect that the leakage wave of the RF signal can be suppressed can be obtained.
[0095]
In the tenth embodiment, the drain terminals 3a, 3d and the source terminals 4a, 4d of the FETs 1a, 1d are connected by resistors 5a, 5d, respectively. Even if the drain terminals 3a to 3d of 1d and the source terminals 4a to 4d are connected by the resistors 5a to 5d each having a sufficiently large resistance value compared to the internal resistance between the drain and the source of each of the FETs 1a to 1d. The same effect as in the third mode can be obtained.
[0096]
When the resistive ring mixer described in the seventh to tenth embodiments is used for the transmission device, an IF signal is input from the IF signal terminal 54 and the IF in-phase synthesizers 41, 41A, and 41B are connected to the IF in-phase combiners. In the FETs 1a to 1d, the IF signals input from the IF in-phase distributor are converted into RF signals by the LO waves input from the LO negative-phase distributor 21, and the RF negative-phase distributors 31 and 31A are used. Is used as an RF reverse-phase combiner, the converted RF signal is input, and the RF signal is output to the RF signal terminal 53.
[0097]
When the resistive ring mixer described in Embodiments 7 to 8 is used for a transmission device, the LO signal and the IF signal input to each of the FETs 1a to 1d and the RF signal output from each of the FETs 1a to 1d are used. Depending on the phase relationship, the IF combiner may be of opposite-phase combining and a LO reverse-phase distributor, an RF reverse-phase combiner, or an IF reverse-phase distributor may be used.
[0098]
Embodiment 11 FIG.
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a receiving apparatus according to Embodiment 11 of the present invention. As shown in the figure, a receiving antenna 61 for receiving a radio wave, a low-noise amplifier circuit 62 for amplifying the received radio wave and outputting an RF signal, a band-pass filter 63 for removing unnecessary waves, and a local oscillator for generating an LO wave A circuit 64, a mixer 65 for converting an RF signal from the band-pass filter 63 into an IF signal by the LO wave from the local oscillation circuit 64, a band-pass filter 66 for removing unnecessary waves, and an IF signal output from the band-pass filter 66 And a demodulation circuit 67 for demodulating data from the data.
[0099]
Here, as mixer 65, any of the mixers described in the first to tenth embodiments is used.
[0100]
As described above, according to the eleventh embodiment, it is possible to reduce the size of the receiving device by using any of the mixers described in the first to tenth embodiments for the receiving device. The effect is obtained.
[0101]
Embodiment 12 FIG.
FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of a transmitting apparatus according to Embodiment 12 of the present invention. As shown in the figure, a modulation circuit 71 for modulating data and outputting an IF signal, a band-pass filter 72 for removing unnecessary waves, a local oscillation circuit 73 for generating LO waves, and an IF signal from the band-pass filter 72 It comprises a mixer 74 for converting an LO signal from the local oscillator circuit 73 into an RF signal, a band-pass filter 75 for removing unnecessary waves, an amplifier circuit 76 for amplifying the RF signal, and a transmission antenna 77 for transmitting radio waves.
[0102]
Here, as the mixer 74, any of the mixers described in the first to tenth embodiments is used.
[0103]
As described above, according to the twelfth embodiment, it is possible to reduce the size of the transmission device by using any of the mixers described in the first to tenth embodiments for the transmission device. The effect is obtained.
[0104]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a predetermined negative voltage is applied to the gate terminal of the FET, an LO wave is input, an RF signal is input to the drain terminal of the FET, and the converted IF signal is input from the drain terminal. Outputs are grounded, the source terminal of the FET is grounded, and the drain terminal and the source terminal are connected with a resistor whose resistance is larger than the internal resistance between the drain and source of the FET, thereby reducing the size of the mixer. There is an effect that can be.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a connection diagram showing a mixer according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a connection diagram showing a mixer according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a connection diagram showing a mixer according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a connection diagram showing a mixer according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a connection diagram showing a mixer according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a connection diagram showing a mixer according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a connection diagram showing a mixer according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a connection diagram showing a mixer according to an eighth embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a connection diagram showing a mixer according to a ninth embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a connection diagram showing a mixer according to a tenth embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of a receiving apparatus according to Embodiment 11 of the present invention.
FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of a transmitting apparatus according to Embodiment 12 of the present invention.
FIG. 13 is a connection diagram showing a conventional mixer.
FIG. 14 is a connection diagram showing a conventional mixer.
[Explanation of symbols]
1, 1a, 1b, 1c, 1d FET, 2, 2a, 2b, 2c, 2d Gate terminal, 3, 3a, 3b, 3c, 3d Drain terminal, 4, 4a, 4b, 4c, 4d Source terminal, 5, 5a , 5b, 5c, 5d resistor, 6 capacitor, 7 inductor, 8 capacitor, 9 inductor, 21 LO negative phase distributor, 22 input terminal, 23, 24 output terminal, 25a, 25b resistor, 31 RF reverse phase distributor, 31A Merchant balun, 32 input terminals, 33, 34 output terminals, 35a, 35b terminals, 36a, 36b, 36c, 36d microstrip lines, 41, 41A IF in-phase synthesizer, 41B Wilkinson distributor, 42, 43 input terminals, 44 Output terminal, 45a, 45b terminal, 46a, 46b inductor, 47 resistor, 48a, 48b microstrip line , 51 LO wave terminal, 52, 52a, 52b Gate voltage terminal, 53 RF signal terminal, 54 IF signal terminal, 61 receiving antenna, 62 low noise amplifier circuit, 63 bandpass filter, 64 local oscillation circuit, 65 mixer, 66 band Pass filter, 67 demodulation circuit, 71 modulation circuit, 72 band pass filter, 73 local oscillation circuit, 74 mixer, 75 band pass filter, 76 amplifying circuit, 77 transmitting antenna.

Claims

高周波信号であるＲＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により中間周波信号であるＩＦ信号に変換するＦＥＴ（ＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を使用したミクサにおいて、
上記ＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加して上記ＬＯ波を入力し、上記ＦＥＴのドレイン端子に上記ＲＦ信号を入力し、変換された上記ＩＦ信号を上記ドレイン端子から出力すると共に、上記ＦＥＴのソース端子を接地し、上記ドレイン端子と上記ソース端子とを、上記ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とするミクサ。In a mixer using an FET (Field Effect Transistor) that converts an RF signal that is a high-frequency signal into an IF signal that is an intermediate frequency signal using an LO wave that is a local oscillation wave,
Applying a predetermined negative voltage to the gate terminal of the FET, inputting the LO wave, inputting the RF signal to the drain terminal of the FET, outputting the converted IF signal from the drain terminal, A mixer characterized in that a source terminal of an FET is grounded, and the drain terminal and the source terminal are connected by a resistor having a larger resistance value than an internal resistance between a drain and a source of the FET.

中間周波信号であるＩＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により高周波信号であるＲＦ信号に変換するＦＥＴを使用したミクサにおいて、
上記ＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加して上記ＬＯ波を入力し、上記ＦＥＴのドレイン端子に上記ＩＦ信号を入力し、変換された上記ＲＦ信号を上記ドレイン端子から出力すると共に、上記ＦＥＴのソース端子を接地し、上記ドレイン端子と上記ソース端子とを、上記ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とするミクサ。In a mixer using an FET that converts an IF signal that is an intermediate frequency signal into an RF signal that is a high frequency signal by using a LO wave that is a local oscillation wave,
Applying a predetermined negative voltage to the gate terminal of the FET, inputting the LO wave, inputting the IF signal to the drain terminal of the FET, outputting the converted RF signal from the drain terminal, A mixer characterized in that a source terminal of an FET is grounded, and the drain terminal and the source terminal are connected by a resistor having a larger resistance value than an internal resistance between a drain and a source of the FET.

高周波信号であるＲＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により中間周波信号であるＩＦ信号に変換する、第１のＦＥＴ、第２のＦＥＴ、第３のＦＥＴ及び第４のＦＥＴをリング状に接続したミクサにおいて、
上記第１から第４のＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加して上記ＬＯ波を入力し、上記第１のＦＥＴのドレイン端子と上記第２のＦＥＴのドレイン端子を接続した第１の端子、及び上記第３のＦＥＴのドレイン端子と上記第４のＦＥＴのドレイン端子を接続した第２の端子に上記ＲＦ信号を入力し、上記第１のＦＥＴのソース端子と上記第３のＦＥＴのソース端子を接続した第３の端子、及び上記第２のＦＥＴのソース端子と上記第４のＦＥＴのソース端子を接続した第４の端子から、変換された上記ＩＦ信号を出力すると共に、
上記第１から第４の端子のうち少なくとも１つの端子を直流的に接地し、上記第１から第４のＦＥＴのうち少なくとも２つのＦＥＴのドレイン端子とソース端子とを、当該ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とするミクサ。A first FET, a second FET, a third FET, and a fourth FET, which convert an RF signal that is a high-frequency signal into an IF signal that is an intermediate frequency signal by using a LO wave that is a local oscillation wave, are formed in a ring shape. In the connected mixer,
A first negative voltage is applied to the gate terminals of the first to fourth FETs to input the LO wave, and a first terminal connecting the drain terminal of the first FET and the drain terminal of the second FET is connected. The RF signal is input to a terminal, and a second terminal connecting the drain terminal of the third FET and the drain terminal of the fourth FET, and the source terminal of the first FET and the third terminal are connected to each other. Outputting the converted IF signal from a third terminal to which a source terminal is connected, and a fourth terminal to which a source terminal of the second FET is connected to a source terminal of the fourth FET,
At least one of the first to fourth terminals is DC grounded, and the drain and source terminals of at least two of the first to fourth FETs are connected to the drain and source of the FET. A mixer characterized by being connected by a resistor having a larger resistance value than an internal resistance between the mixers.

中間周波信号であるＩＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により高周波信号であるＲＦ信号に変換する、第１のＦＥＴ、第２のＦＥＴ、第３のＦＥＴ及び第４のＦＥＴをリング状に接続したミクサにおいて、
上記第１から第４のＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加して上記ＬＯ波を入力し、上記第１のＦＥＴのソース端子と上記第３のＦＥＴのソース端子を接続した第３の端子、及び上記第２のＦＥＴのソース端子と上記第４のＦＥＴのソース端子を接続した第４の端子に上記ＩＦ信号を入力し、上記第１のＦＥＴのドレイン端子と上記第２のＦＥＴのドレイン端子を接続した第１の端子、及び上記第３のＦＥＴのドレイン端子と上記第４のＦＥＴのドレイン端子を接続した第２の端子から、変換された上記ＲＦ信号を出力すると共に、
上記第１から第４の端子のうち少なくとも１つの端子を直流的に接地し、上記第１から第４のＦＥＴのうち少なくとも２つのＦＥＴのドレイン端子とソース端子とを、当該ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とするミクサ。A first FET, a second FET, a third FET, and a fourth FET, which convert an IF signal that is an intermediate frequency signal into an RF signal that is a high frequency signal using a LO wave that is a local oscillation wave, are formed in a ring shape. In the connected mixer,
A third negative terminal in which a predetermined negative voltage is applied to the gate terminals of the first to fourth FETs to input the LO wave and that the source terminal of the first FET is connected to the source terminal of the third FET. The IF signal is input to a terminal and a fourth terminal connecting the source terminal of the second FET and the source terminal of the fourth FET, and the drain terminal of the first FET is connected to the drain terminal of the second FET. Outputting the converted RF signal from the first terminal to which the drain terminal is connected, and the second terminal to which the drain terminal of the third FET is connected to the drain terminal of the fourth FET,
At least one of the first to fourth terminals is DC grounded, and the drain and source terminals of at least two of the first to fourth FETs are connected to the drain and source of the FET. A mixer characterized by being connected by a resistor having a larger resistance value than an internal resistance between the mixers.

第１の端子及び第２の端子、又は第３の端子及び第４の端子を直流的に接地し、第１から第４のＦＥＴのドレイン端子とソース端子とを、当該ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とする請求項３又は請求項４記載のミクサ。The first terminal and the second terminal, or the third terminal and the fourth terminal are DC grounded, and the drain terminal and the source terminal of the first to fourth FETs are connected between the drain and the source of the FET. The mixer according to claim 3 or 4, wherein the connection is made with a resistor having a resistance value larger than the internal resistance of the mixer.

第１及び第２の端子にＲＦ信号を入力する際に、又は上記第１及び第２の端子から変換されたＲＦ信号を出力する際に、マイクロストリップ線路で構成されたマーチャントバランを使用し、上記マイクロストリップ線路により上記第１及び第２の端子を直流的に接地することを特徴とする請求項３又は請求項４記載のミクサ。When inputting an RF signal to the first and second terminals or outputting an RF signal converted from the first and second terminals, a merchant balun configured with a microstrip line is used; 5. The mixer according to claim 3, wherein the first and second terminals are DC-grounded by the microstrip line.

第３及び第４の端子から変換されたＩＦ信号を出力する際に、又は上記第３及び第４の端子にＩＦ信号を入力する際に、インダクタで構成されたＩＦ合成器又はＩＦ分配器を使用し、上記インダクタにより上記第３及び第４の端子を直流的に接続し、第１から第４の端子のいずれかを直流的に接地することを特徴とする請求項３又は請求項４記載のミクサ。When outputting the converted IF signal from the third and fourth terminals, or when inputting the IF signal to the third and fourth terminals, an IF synthesizer or an IF distributor constituted by an inductor is used. 5. The method according to claim 3, wherein the inductor is used to connect the third and fourth terminals in a DC manner, and one of the first to fourth terminals is grounded in a DC manner. Mixer.

第３及び第４の端子から変換されたＩＦ信号を出力する際に、又は上記第３及び第４の端子にＩＦ信号を入力する際に、抵抗とマイクロストリップ線路で構成されたウィルソン型分配器を使用し、上記マイクロストリップ線路により上記第３及び第４の端子を直流的に接続し、第１から第４の端子のいずれかを直流的に接地することを特徴とする請求項３又は請求項４記載のミクサ。When outputting the IF signal converted from the third and fourth terminals or when inputting the IF signal to the third and fourth terminals, a Wilson-type distributor constituted by a resistor and a microstrip line The third and fourth terminals are DC-connected by the microstrip line, and one of the first to fourth terminals is DC-grounded. Item 4. A mixer according to Item 4.

高周波信号であるＲＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により中間周波信号であるＩＦ信号に変換する、第１のＦＥＴ、第２のＦＥＴ、第３のＦＥＴ及び第４のＦＥＴをリング状に接続したミクサにおいて、
上記第１から第４のＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加して上記ＬＯ波を入力し、上記第１のＦＥＴのドレイン端子と上記第２のＦＥＴのドレイン端子を接続した第１の端子、及び上記第３のＦＥＴのドレイン端子と上記第４のＦＥＴのドレイン端子を接続した第２の端子に上記ＲＦ信号を入力し、上記第１及び第２の端子から変換された上記ＩＦ信号を出力すると共に、
上記第１のＦＥＴのソース端子と上記第３のＦＥＴのソース端子を接続した第３の端子、及び上記第２のＦＥＴのソース端子と上記第４のＦＥＴのソース端子を接続した第４の端子を接地し、上記第１から第４のＦＥＴのうち少なくとも１つのＦＥＴのドレイン端子とソース端子とを、当該ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とするミクサ。A first FET, a second FET, a third FET, and a fourth FET, which convert an RF signal that is a high-frequency signal into an IF signal that is an intermediate frequency signal by using a LO wave that is a local oscillation wave, are formed in a ring shape. In the connected mixer,
A first negative voltage is applied to the gate terminals of the first to fourth FETs to input the LO wave, and a first terminal connecting the drain terminal of the first FET and the drain terminal of the second FET is connected. A terminal, and a second terminal connecting the drain terminal of the third FET and the drain terminal of the fourth FET, the RF signal being input, and the IF signal converted from the first and second terminals. And output
A third terminal connecting the source terminal of the first FET and the source terminal of the third FET, and a fourth terminal connecting the source terminal of the second FET and the source terminal of the fourth FET. And connecting the drain terminal and the source terminal of at least one of the first to fourth FETs with a resistor having a resistance value larger than the internal resistance between the drain and the source of the FET. Mixer characterized by:

中間周波信号であるＩＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により高周波信号であるＲＦ信号に変換する、第１のＦＥＴ、第２のＦＥＴ、第３のＦＥＴ及び第４のＦＥＴをリング状に接続したミクサにおいて、
上記第１から第４のＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加して上記ＬＯ波を入力し、上記第１のＦＥＴのドレイン端子と上記第２のＦＥＴのドレイン端子を接続した第１の端子、及び上記第３のＦＥＴのドレイン端子と上記第４のＦＥＴのドレイン端子を接続した第２の端子に上記ＩＦ信号を入力し、上記第１及び第２の端子から変換された上記ＲＦ信号を出力すると共に、
上記第１のＦＥＴのソース端子と上記第３のＦＥＴのソース端子を接続した第３の端子、及び上記第２のＦＥＴのソース端子と上記第４のＦＥＴのソース端子を接続した第４の端子を接地し、上記第１から第４のＦＥＴのうち少なくとも１つのＦＥＴのドレイン端子とソース端子とを、当該ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とするミクサ。A first FET, a second FET, a third FET, and a fourth FET, which convert an IF signal that is an intermediate frequency signal into an RF signal that is a high frequency signal using a LO wave that is a local oscillation wave, are formed in a ring shape. In the connected mixer,
A first negative voltage is applied to the gate terminals of the first to fourth FETs to input the LO wave, and a first terminal connecting the drain terminal of the first FET and the drain terminal of the second FET is connected. A second terminal connecting a drain terminal of the third FET and a drain terminal of the fourth FET, the RF signal converted from the first and second terminals; And output
A third terminal connecting the source terminal of the first FET and the source terminal of the third FET, and a fourth terminal connecting the source terminal of the second FET and the source terminal of the fourth FET. And connecting the drain terminal and the source terminal of at least one of the first to fourth FETs with a resistor having a resistance value larger than the internal resistance between the drain and the source of the FET. Mixer characterized by:

第１から第４のＦＥＴのドレイン端子とソース端子とを、当該ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とする請求項９又は請求項１０記載のミクサ。The drain terminal and the source terminal of the first to fourth FETs are connected by a resistor having a resistance value larger than the internal resistance between the drain and the source of the FET. The mixer described.

第１及び第２の端子から変換されたＩＦ信号を出力する際に、又は上記第１及び第２の端子にＩＦ信号を入力する際に、インダクタで構成されたＩＦ合成器又はＩＦ分配器を使用し、上記インダクタにより上記第１及び第２の端子を直流的に接続することを特徴とする請求項９又は請求項１０記載のミクサ。When outputting the converted IF signal from the first and second terminals, or when inputting the IF signal to the first and second terminals, an IF synthesizer or an IF distributor constituted by an inductor is used. The mixer according to claim 9 or 10, wherein the first and second terminals are connected in a DC manner by the inductor.

第１及び第２の端子から変換されたＩＦ信号を出力する際に、又は上記第１及び第２の端子にＩＦ信号を入力する際に、抵抗とマイクロストリップ線路で構成されたウィルソン型分配器を使用し、上記マイクロストリップ線路により上記第１及び第２の端子を直流的に接続することを特徴とする請求項９又は請求項１０記載のミクサ。When outputting IF signals converted from the first and second terminals or when inputting IF signals to the first and second terminals, a Wilson-type distributor constituted by a resistor and a microstrip line The mixer according to claim 9 or 10, wherein the first and second terminals are connected in a DC manner by the microstrip line.

高周波信号であるＲＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により中間周波信号であるＩＦ信号に変換する、第１のＦＥＴ、第２のＦＥＴ、第３のＦＥＴ及び第４のＦＥＴをリング状に接続したミクサにおいて、
上記第１から第４のＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加して上記ＬＯ波を入力し、上記第１のＦＥＴのドレイン端子と上記第２のＦＥＴのドレイン端子を接続した第１の端子、及び上記第３のＦＥＴのドレイン端子と上記第４のＦＥＴのドレイン端子を接続した第２の端子に上記ＲＦ信号を入力し、上記第１及び第２の端子から変換された上記ＩＦ信号を出力すると共に、
上記第１のＦＥＴのソース端子と上記第３のＦＥＴのソース端子を接続し、上記第２のＦＥＴのソース端子と上記第４のＦＥＴのソース端子を接続し、上記第１及び第２の端子に上記ＲＦ信号を入力する際に、マイクロストリップ線路で構成されたマーチャントバランを使用し、上記マイクロストリップ線路により上記第１及び第２の端子を直流的に接地し、上記第１から第４のＦＥＴのうちの少なくとも２つのＦＥＴのドレイン端子とソース端子とを、当該ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とするミクサ。A first FET, a second FET, a third FET, and a fourth FET, which convert an RF signal that is a high-frequency signal into an IF signal that is an intermediate frequency signal by using a LO wave that is a local oscillation wave, are formed in a ring shape. In the connected mixer,
A first negative voltage is applied to the gate terminals of the first to fourth FETs to input the LO wave, and a first terminal connecting the drain terminal of the first FET and the drain terminal of the second FET is connected. A terminal, and a second terminal connecting the drain terminal of the third FET and the drain terminal of the fourth FET, the RF signal being input, and the IF signal converted from the first and second terminals. And output
A source terminal of the first FET is connected to a source terminal of the third FET, a source terminal of the second FET is connected to a source terminal of the fourth FET, and the first and second terminals are connected. When the RF signal is input to the first and second terminals, the first and second terminals are grounded in a DC manner by using a Marchand balun constituted by microstrip lines. A mixer characterized in that a drain terminal and a source terminal of at least two of the FETs are connected by a resistor having a resistance value larger than an internal resistance between a drain and a source of the FET.

中間周波信号であるＩＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により高周波信号であるＲＦ信号に変換する、第１のＦＥＴ、第２のＦＥＴ、第３のＦＥＴ及び第４のＦＥＴをリング状に接続したミクサにおいて、
上記第１から第４のＦＥＴのゲート端子に所定の負電圧を印加して上記ＬＯ波を入力し、上記第１のＦＥＴのドレイン端子と上記第２のＦＥＴのドレイン端子を接続した第１の端子、及び上記第３のＦＥＴのドレイン端子と上記第４のＦＥＴのドレイン端子を接続した第２の端子に上記ＩＦ信号を入力し、上記第１及び第２の端子から変換された上記ＲＦ信号を出力すると共に、
上記第１のＦＥＴのソース端子と上記第３のＦＥＴのソース端子を接続し、上記第２のＦＥＴのソース端子と上記第４のＦＥＴのソース端子を接続し、上記第１及び第２の端子から変換されたＲＦ信号を出力する際に、マイクロストリップ線路で構成されたマーチャントバランを使用し、上記マイクロストリップ線路により上記第１及び第２の端子を直流的に接地し、上記第１から第４のＦＥＴのうちの少なくとも２つのＦＥＴのドレイン端子とソース端子とを、当該ＦＥＴのドレイン、ソース間の内部抵抗と比較して抵抗値の大きい抵抗で接続することを特徴とするミクサ。A first FET, a second FET, a third FET, and a fourth FET, which convert an IF signal that is an intermediate frequency signal into an RF signal that is a high frequency signal using a LO wave that is a local oscillation wave, are formed in a ring shape. In the connected mixer,
A first negative voltage is applied to the gate terminals of the first to fourth FETs to input the LO wave, and a first terminal connecting the drain terminal of the first FET and the drain terminal of the second FET is connected. A second terminal connecting a drain terminal of the third FET and a drain terminal of the fourth FET, the RF signal converted from the first and second terminals; And output
A source terminal of the first FET is connected to a source terminal of the third FET, a source terminal of the second FET is connected to a source terminal of the fourth FET, and the first and second terminals are connected. When outputting an RF signal converted from the above, the first and second terminals are grounded in a direct current manner by the microstrip line using a Marchand balun constituted by a microstrip line, and the first to the second A mixer characterized in that a drain terminal and a source terminal of at least two of the four FETs are connected by a resistor having a larger resistance value than an internal resistance between the drain and the source of the FET.

受信した高周波信号であるＲＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により中間周波信号であるＩＦ信号に変換してデータを復調する受信装置において、
請求項１、請求項３、請求項９、又は請求項１４のいずれか１項記載のミクサを使用することを特徴とする受信装置。In a receiving device that converts an RF signal that is a received high-frequency signal into an IF signal that is an intermediate frequency signal by an LO wave that is a local oscillation wave and demodulates data,
A receiving apparatus using the mixer according to any one of claims 1, 3, 9, and 14.

データを変調した中間周波信号であるＩＦ信号を、局部発振波であるＬＯ波により高周波信号であるＲＦ信号に変換して送信する送信装置において、
請求項２、請求項４、請求項１０、又は請求項１５のいずれか１項記載のミクサを使用することを特徴とする送信装置。In a transmitting apparatus for converting an IF signal, which is an intermediate frequency signal obtained by modulating data, into an RF signal, which is a high frequency signal, by using a LO wave, which is a local oscillation wave, and transmitting the RF signal;
A transmission device using the mixer according to any one of claims 2, 4, 10, and 15.