JP2004179383A - Substrate treating apparatus and method therefor - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating apparatus and a substrate treating method capable of supplying an inert gas to a substrate surface uniformly without any variations in a treating apparatus for performing cleaning treatment by applying ultraviolet rays. <P>SOLUTION: When a sensor 43 detects that a rear end Gb of a substrate passes nearly directly below an upstream-side nozzle 41a, the jet of the upstream-side nozzle 41a and exhaust from a downstream-side gas scavenging member 42b are stopped, and the jet of a nitrogen gas from a downstream-side nozzle 41b and exhaust from an upstream-side gas scavenging member 42a are started, thus supplying the nitrogen gas to the substrate surface without any variation. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板に付着した有機物等の付着物を除去する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）等の製造工程においては、被処理体であるＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィ工程の前には、基板に付着した有機物等の不純物を除去するために、例えば紫外線を基板に照射する洗浄処理が行われている。かかる洗浄処理が行われる洗浄装置として、例えば基板の面に対向させて紫外線照射装置を配置し、その紫外線照射装置の両側に、窒素等の不活性ガスを基板に対して供給する機構を設けている（例えば、特許文献１参照。）。不活性ガスを供給する理由は、基板上の空気に含まれる酸素の量を適量に調整して、紫外線と酸素との反応で生成されるオゾンの発生を抑えるためである。すなわち、オゾンの発生量が多い場合には、紫外線がそのオゾンに吸収され洗浄処理の能力が低下してまうからである。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−１１３１６３号公報（図１、３）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近ではガラス基板が大型化しているため、紫外線照射装置の両側から不活性ガスを供給しても基板の全面に対して均一に不活性ガスが行き渡らないという問題が生じている。その結果、紫外線照射装置と基板との間に存在する空気の量も基板の面上においてばらつきが生じる。これにより、基板の面上においてオゾンの発生を抑えることができない部位があり、その部位における洗浄能力が低下してしまう。
【０００６】
そこで、不活性ガスの供給量を極力多くして、基板の全面に不活性ガスを行き渡らせることも考えられる。しかしながら、紫外線等の照射による洗浄処理においては、酸素ラジカルの反応によって有機物を除去しているので、不活性ガスの供給量が多すぎることにより、酸素が減少しすぎても洗浄処理能力は低下する。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、紫外線を照射することで洗浄処理を行う処理装置において、基板面に対してばらつきがなく均一に不活性ガスを供給できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る基板処理装置は、基板に対し紫外線を照射する照射部と、前記照射部に対向して配置され、基板を所定の方向に搬送する搬送機構と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の上流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第１の噴出部と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の下流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第２の噴出部と、前記搬送機構による搬送される基板の位置に応じて、前記第１の噴出部と前記第２の噴出部とによるそれぞれの不活性気体の噴出の開始及び停止を制御する制御部とを具備する。
【０００９】
本発明では、制御部の制御により、例えば搬送される基板が第２の噴出部より第１の噴出部に近い位置にある場合は、第１の噴出部から不活性気体を噴出させる。また、例えば搬送される基板が第１の噴出部より第２の噴出部に近い位置にある場合は、第１の噴出部から不活性気体を噴出させる。これにより、基板の面に均一に不活性気体を行き渡らせることができ、洗浄能力を向上させることができる。特に、本発明は基板が大型である場合には有効である。
【００１０】
さらに、照射部の幅（搬送方向における幅）が、搬送方向における基板の幅より小さい場合には、なお効果的である。
【００１１】
本発明の一の形態では、前記下流側に配置され、前記第１の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第１の排気部をさらに具備する。本発明では、上流側に配置された第１の噴出部から不活性気体が噴出され、その不活性気体を下流側で排気している。したがって照射部により紫外線が照射されている間、基板に沿って均一に不活性気体が流れ、洗浄能力を向上させることができる。
【００１２】
本発明の一の形態では、前記上流側に配置され、前記第２の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第２の排気部をさらに具備する。本発明では、下流側に配置された第２の噴出部から不活性気体が噴出され、その不活性気体を上流側で排気している。したがって照射部により紫外線が照射されている間、基板に沿って均一に不活性気体が流れ、洗浄能力を向上させることができる。
【００１３】
本発明の一の形態では、前記制御部は、搬送される基板の搬送方向における後端が、前記第１の噴出部に対向する位置を過ぎた第１の時間に、または、前記照射部の上流端に対向する位置を過ぎた第２の時間に、前記第１の噴出部からの噴出を停止するとともに前記第２の噴出部からの噴出を開始するように制御する手段を具備する。本発明では、第１の噴出部から噴出される不活性気体が搬送される基板に吹付けられなくなった後に、第２の噴出部に切り替えて不活性気体を噴出させている。これにより、紫外線が照射されている間は常に基板に沿って均一に不活性気体が流れ、洗浄能力を向上させることができる。
【００１４】
本発明の一の形態では、前記制御部は、搬送される基板の搬送方向における後端が、前記照射部の下流端に対向する位置を過ぎた第３の時間に、または、前記第２の噴出部に対向する位置を過ぎた第４の時間に、前記第２の噴出部からの噴出を停止するように制御する手段を具備する。本発明では、１枚の基板の処理が終われば、次に基板が搬送されてくるまで、第２の噴出部からの噴出を停止させておく。そして、例えば次に搬送されてくる基板の搬送方向における前端が第１の噴出部の対向する位置を過ぎた時に、第１の噴出部から不活性気体の噴出を開始すればよい。あるいは、第２の噴出部からの噴出を停止した時に合わせて、つまり、前記第３の時間または前記第４の時間に、第１の噴出部から不活性気体の噴出を開始すればよい。
【００１５】
本発明の一の形態では、前記第１の時間または前記第２の時間に、前記第１の排気部による排気を停止するとともに前記第２の排気部による排気を開始するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。本発明では、上記第２の噴出部からの気体の噴出の開始に合わせて第２の排気部による排気を開始している。
【００１６】
本発明の一の形態では、前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第２の排気部による排気を停止するように制御する手段をさらに具備する。本発明では、１枚の基板の処理が終われば、次に基板が搬送されてくるまで、第２の噴出部からの噴出を停止しているので、これに合わせて第２の排気部による排気を停止させているのである。そして、このように第２の排気部による排気を停止した時に合わせて、つまり、前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第１の排気部による排気を開始すればよい。
【００１７】
本発明の第２の観点に係る基板処理装置は、基板に対し紫外線を照射する照射部と、前記照射部に対向して配置され、基板を所定の方向に搬送する搬送機構と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の上流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第１の噴出部と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の下流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第２の噴出部と、前記搬送機構による搬送される基板の位置に応じて、前記第１の噴出部及び前記第２の噴出部のうち少なくとも一方の不活性気体の噴出量を制御する制御部とを具備する。
【００１８】
本発明において、例えば、前記第１の制御部は、搬送される基板の搬送方向における前端が、前記第１の噴出部と前記第２の噴出部との間における第１の位置を過ぎるまでは、前記第１の噴出部から第１の量で噴出させ、前記基板の前端が前記第１の位置を過ぎた時以降、前記第１の噴出部から前記第１の量より少ない量で噴出させる。すなわち、例えば基板の前端が第１の噴出部を過ぎ第１の位置を過ぎるまでは、不活性気体が基板裏面側に逃げやすいので噴出量を多くすることで良好な気流を形成することができる。そして基板の前端が第１の位置を過ぎれば、不活性気体が基板裏面側に逃げにくくなるので、噴出量を少なくしても良好な気流を形成できるとともに不活性気体の使用量を削減することができる。ここで第１の位置は、第２の噴出部に対向する位置とすることが望ましいがこれに限られるものではない。
【００１９】
またあるいは、前記第１の制御部は、搬送される基板の搬送方向における後端が、前記第１の噴出部と前記第２の噴出部との間における第２の位置を過ぎるまでは、前記第２の噴出部から第２の量で噴出させ、前記基板の後端が前記第２の位置を過ぎた時以降、前記第２の噴出部から前記第２の量より多い量で噴出させる。このような制御によっても、例えば基板が搬送され後端が第２の位置を過ぎれば、不活性気体が基板裏面側に逃げやすくなるので、噴出量を多くすることで良好な気流を形成できるとともに不活性気体の使用量を削減することができる。ここで第２の位置は、第１の噴出部に対向する位置とすることが望ましいがこれに限られるものではない。
【００２０】
また、上記第１の量と第２の量は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２１】
本発明の一の形態では、前記下流側に配置され、前記第１の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第１の排気部をさらに具備する。また、前記上流側に配置され、前記第２の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第２の排気部をさらに具備する。さらに、前記第１の排気部と前記第２の排気部とによるそれぞれの排気量を制御する第２の制御部をさらに具備する。
【００２２】
本発明の一の形態では、搬送される基板の搬送方向における前端が、前記第１の排気部と前記第２の排気部との間における第３の位置を過ぎるまでは、前記第１の制御部は前記第１の噴出部から第３の量で噴出させるとともに、前記第２の制御部は前記第１の排気部から第１の量で排気させ、前記基板の前端が前記第３の位置を過ぎた時以降、前記第１の制御部は前記第１の噴出部から前記第３の量より少ない量で噴出させるとともに、前記第２の制御部は前記第１の排気部から前記第１の量より少ない量で排気させる。ここで、第３の位置は、第１の噴出部と第２の噴出部との間の中央位置とすることが望ましいがこれに限られるものではない。
【００２３】
本発明の一の形態では、搬送される基板の搬送方向における後端が、前記第１の排気部と前記第２の排気部との間における第４の位置を過ぎるまでは、前記第１の制御部は前記第２の噴出部から第４の量で噴出させるとともに、前記第２の制御部は前記第２の排気部から第２の量で排気させ、前記基板の後端が前記第４の位置を過ぎた時以降、前記第１の制御部は前記第２の噴出部から前記第４の量より多い量で噴出させるとともに、前記第２の制御部は前記第２の排気部から前記第２の量より多い量で排気させる。ここで、第４の位置は、第１の噴出部と第２の噴出部の中央位置とすることが望ましいがこれに限られるものではない。
【００２４】
また、不活性気体の噴出量に関して上記第１、第２、第３、第４の量のうち少なくとも２つは同じ量であってもよいし、異なっていてもよい。さらに排気量に関し第１及び第２の量についても同様である。
【００２５】
本発明の第１の観点に係る基板処理方法は、（ａ）所定の方向に搬送される基板に対し、照射部により紫外線を照射する工程と、（ｂ）前記紫外線を照射する位置より上流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、（ｃ）前記紫外線を照射する位置より下流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、（ｄ）搬送される基板の位置に応じて、前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）とによるそれぞれの不活性気体の噴出の開始及び停止を制御する工程とを具備する。
【００２６】
本発明では、工程（ｄ）において、例えば搬送される基板が、照射部における搬送方向中心を基準として上流側にある場合は、上流側から不活性気体を噴出させる。また、例えば搬送される基板が照射部における搬送方向中心を基準として下流側にある場合は、下流側から不活性気体を噴出させる。これにより、基板の面に均一に不活性気体を行き渡らせることができ、洗浄能力を向上させることができる。特に、本発明は基板が大型である場合には有効である。また、例えば照射部が所定の位置に固定されて配置され、この照射部に対して基板を例えば所定の方向に搬送させながら紫外線の照射を行う場合にも有効である。さらに、照射部の幅（搬送方向における幅）が、搬送方向における基板の幅より小さい場合には、なお効果的である。
【００２７】
本発明の第２の観点に係る基板処理方法は、（ａ）所定の方向に搬送される基板に対し、照射部により紫外線を照射する工程と、（ｂ）前記照射部より上流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、（ｃ）前記照射部より下流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、（ｄ）搬送される基板の位置に応じて、前記工程（ｂ）及び前記工程（ｃ）のうち少なくとも一方の不活性気体の噴出量を制御する工程とを具備する。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２９】
図１は本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図２はその正面図、また図３はその背面図である。
【００３０】
この塗布現像処理システム１は、複数のガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション２と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３と、露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部４とを備えており、処理部３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインターフェース部４が配置されている。
【００３１】
カセットステーション２は、カセットＣと処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション２においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部３との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００３２】
処理部３には、カセットステーション２におけるカセットＣの配列方向（Ｙ方向）に垂直方向（Ｘ方向）に延設された主搬送部３ａと、この主搬送部３ａに沿って、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）を含む各処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）を含む各処理ユニットが並設された下流部３ｃとが設けられている。
【００３３】
主搬送部３ａには、Ｘ方向に延設された搬送路３１と、この搬送路３１に沿って移動可能に構成されガラス基板ＧをＸ方向に搬送する搬送シャトル２３とが設けられている。この搬送シャトル２３は、例えば支持ピンにより基板Ｇを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部３ａのインターフェース部４側端部には、処理部３とインターフェース部４との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット７が設けられている。
【００３４】
上流部３ｂにおいて、カセットステーション２側端部には、カセットステーション２側から、基板Ｇ上の有機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９と、基板Ｇにスクラビングブラシで洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０とが設けられている。
【００３５】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４及び２５が配置されている。これら熱処理系ブロック２４と２５との間には、垂直搬送ユニット５が配置され、搬送アーム５ａがＺ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック２４及び２５における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部３における垂直搬送ユニット７についてもこの垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００３６】
図２に示すように、熱処理系ブロック２４には、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２５には、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。
【００３７】
熱処理系ブロック２５に隣接してレジスト処理ブロック１５がＸ方向に延設されている。このレジスト処理ブロック１５は、基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）と、本発明に係る基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）とが設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック１５には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）からエッジリムーバ（ＥＲ）にかけて移動する図示しないサブアームが設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック１５内で基板Ｇが搬送されるようになっている。
【００３８】
レジスト処理ブロック１５に隣接して多段構成の熱処理系ブロック２６が配設されており、この熱処理系ブロック２６には、基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。
【００３９】
下流部３ｃにおいては、図３に示すように、インターフェース部４側端部には、熱処理系ブロック２９が設けられており、これには、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００４０】
熱処理系ブロック２９に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）がＸ方向に延設されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の隣には熱処理系ブロック２８及び２７が配置され、これら熱処理系ブロック２８と２７との間には、上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有し、両ブロック２８及び２７における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット６が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）端部の上には、ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３が設けられている。
【００４１】
熱処理系ブロック２８には、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２７も同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００４２】
インターフェース部４には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２が設けられ、垂直搬送ユニット７に隣接してエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が、また背面側にはバッファカセット３４が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２とエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４と隣接した露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット８が配置されている。この垂直搬送ユニット８も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００４３】
以上のように構成された塗布現像処理システム１の処理工程については、先ずカセットＣ内の基板Ｇが処理部３部における上流部３ｂに搬送される。上流部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０において、基板Ｇが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム５ａにより基板Ｇが取り出され、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にて、ガラス基板Ｇとレジスト膜との密着性を高めるため、基板ＧにＨＭＤＳガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック２５のクーリングユニット（ＣＯＬ）による冷却処理が行われる。
【００４４】
次に、基板Ｇは搬送アーム５ａから搬送シャトル２３に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ（ＥＲ）にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【００４５】
次に、基板Ｇは搬送シャトル２３から垂直搬送ユニット７の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。続いて基板Ｇはエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【００４６】
次に、基板Ｇは垂直搬送ユニット８及び７の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは垂直搬送ユニット７の搬送アームを介して、現像処理ユニット（ＤＥＶ）において基板Ｇは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【００４７】
次に、基板Ｇは熱処理系ブロック２８における最下段から垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａにより受け渡され、熱処理系ブロック２８又は２７におけるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは搬送機構１０に受け渡されカセットＣに収容される。
【００４８】
図４は、本発明に係るエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９を示す斜視図である。また、図５は、図４に示すエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９の断面図である。
【００４９】
このエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９には、基板Ｇを所定の方向（矢印Ａで示す方向）に搬送する搬送装置５５が設けられている。この搬送装置５５は、例えば基板Ｇの両端を支持する１対のローラ部材３６がシャフト３７に取り付けられている。これら１対のローラ部材３６とシャフト３７とでなる搬送ローラが複数配列され、これら複数の搬送ローラは同時に図示しないモータにより回転するようになっている。これにより、この搬送装置５５は基板Ｇを所定の方向に搬送できるようになっている。
【００５０】
搬送装置５５に搬送される基板Ｇの例えば上面側には、搬送装置５５に対向して、基板に紫外線を照射する照射ユニット４０が配置されている。この照射ユニット４０は、筐体４９内に例えば円筒状のエキシマＵＶランプ４８が複数設けられ、これらＵＶランプ４８の上部には紫外線を反射する反射板５１が備えられている。また、筐体４９の下端部には窓５４が取り付けられており、ＵＶランプ４８からの紫外線はこの窓５４を介して基板Ｇに照射されるようになっている。窓５４は例えば石英ガラス等からなっている。
【００５１】
照射ユニット４０の下部には、ローラ部材３６を挟んで排気用のケース５０が配置されている。このケース５０には例えば排気口５３が設けられており、この排気口５３から紫外線照射の処理により発生する例えばオゾン等のガスを排気するようになっている。オゾンガスは空気より重く下方に流れるため、このように下方で排気を行うことが好ましい。
【００５２】
照射ユニット４０より搬送上流側には、例えば不活性気体として、窒素ガス供給タンク４４から供給管５８ａを介して供給される窒素ガスを噴出するノズル４１ａが配置されている。また、同様に照射ユニット４０の下流側には、窒素ガス供給タンク４４から供給管５８ｂを介して窒素ガスを噴出するノズル４１ｂが配置されている。これらのノズル４１ａ、４１ｂは照射ユニット４０と搬送される基板Ｇとの隙間ｔに窒素ガスを噴出できるようになっている。ここで隙間ｔの距離は例えば２．５ｍｍ程度である。これらノズル４１ａ、４１ｂは、例えば円筒状をなし、隙間ｔに向けて窒素ガスを噴出できるように噴出孔５６が設けられている。これらの噴出孔５６は、例えばノズル４１ａ、４１ｂの長手方向に沿って複数設けられている。
【００５３】
なお、図５に示すように照射ユニット４０の方向Ａにおける幅は例えば７００ｍｍで、基板Ｇの方向Ａにおける幅は１２００ｍｍとされているが、これらの数値にはもちろん限定されない。照射ユニットの幅が基板Ｇより大きくてもよい。
【００５４】
ノズル４１ａ、４１ｂのそれぞれ上流側、下流側には、各ノズル４１ａ、４１ｂから噴出された窒素ガスをそれぞれ排気するための集ガス部材４２ｂ、４２ａが配置されている。これら集ガス部材４２ａ、４２ｂは例えば直方体をなし、その下部に開口５７を有している。集ガス部材４２ａ、４２ｂはそれぞれ排気管５９ａ、５９ｂに接続されており、排気管５９ａ、５９ｂは真空装置４５に接続されている。この真空装置４５により、集ガス部材４２ａ、４２ｂのそれぞれの開口５７から集められたガスを排気管５９ａ、５９ｂを介して排気されるようになっている。この真空装置４５は、例えばブロアファンや、あるいは真空ポンプ等により構成されている。
【００５５】
窒素ガス供給タンク４４と、供給管５８ａ、５８ｂとの間には、供給用切替バルブ４６が設けられている。この供給用切替バルブ４６は、制御部３８におけるバルブコントローラ３９によって制御され、窒素ガス供給タンク４４と、供給管５８ａまたは５８ｂのいずれか一方とを接続するとともに、両供給管へのガスの供給を遮断するようになっている。これにより、いずれか一方のノズル４１ａまたは４１ｂに窒素ガスを供給したり、供給を遮断したりすることができるようになっている。
【００５６】
また、真空装置４５と排気管５９ａ、５９ｂとの間には、排気用切替バルブ４７が設けられている。この排気用切替バルブ４７も、上記同様に制御部３８におけるバルブコントローラ３９によって制御され、真空装置４５と、排気管５９ａまたは５９ｂのいずれか一方とを接続するとともに、両排気管からの排気を停止するようになっている。これにより、いずれか一方の集ガス部材４２ａまたは４２ｂからガスを排気したり、排気を停止したりすることができるようになっている。
【００５７】
搬送装置５５において、例えば搬送ローラの下方部には基板の存在を検出するセンサ４３が配置されている。このセンサ４３は、自身が配置されている位置における基板の存在を検出するものである。このセンサ４３は、例えば振り子センサや反射型の光センサ等を使用することができる。
【００５８】
上記制御部３８は、このセンサ４３の検出信号を受け取り、バルブコントローラ３９はこの受信信号に基づき各切替バルブ４６、４７を制御するようになっている。
【００５９】
次に、図６を参照して、以上のように構成されたエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９の動作について説明する。
【００６０】
まず、このユニット１９に基板Ｇが搬入されてきて、図６（ａ）に示すように、上流側のノズル４１ａを通過して、基板Ｇが照射ユニット４０の下方を通過する。この時、上流側のノズル４１ａから窒素ガスを照射ユニット４０と基板Ｇとの間に向けて噴出させ、照射ユニット４０から紫外線を照射している。上流側のノズル４１ａからの窒素ガスは、下流側のノズル４１ｂから噴出させている時以外は常に噴出させておいてもよい。あるいは基板Ｇの前端Ｇａがノズル４１ａのほぼ直下を通過した時を図示しないセンサ等により検出してこれを基に噴出を開始してもよい。これにより、窒素ガスの使用量を抑えることができる。また、ノズル４１ａからの窒素ガスの噴出すると同時に、下流側の集ガス部材４２ｂより排気を開始する。これにより、このような大型のガラス基板であっても、搬送される基板Ｇの表面に沿って均一に窒素ガスが流れるので、紫外線の照射による洗浄能力を向上させることができる。
【００６１】
次に、図６（ｂ）に示すように、基板Ｇの後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａのほぼ直下を過ぎた時、この時の基板Ｇの位置をセンサ４３が検出する。センサ４３は、基板Ｇの前端Ｇａを検出することで、その後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａのほぼ直下を過ぎたことを検出している。このような検出は、基板Ｇの幅の寸法によって、センサ４３の配置させる位置を適宜変更することにより行うことができる。このように基板の後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａのほぼ直下を過ぎたことをセンサ４３が検出すると、制御部３８の判断により、上流側ノズル４１ａの噴出及び下流側の集ガス部材４２ｂからの排気が停止されるとともに、下流側ノズル４１ｂからの窒素ガスの噴出及び上流側の集ガス部材４２ａからの排気が開始される。このように図６（ｂ）に示す状態より後においては、上流側ノズル４１ａの直下に基板Ｇがないため、仮に窒素ガスを噴出してもローラ部材３６より下方に向かうだけなので効果がない。したがって、本実施の形態では、下流側ノズル４１ｂから窒素ガスを噴出して搬送される基板Ｇの表面に沿って均一に窒素ガスを行き渡らせるようにしている。これにより、洗浄能力を向上させることができる。
【００６２】
そして、次に図６（ｃ）に示すように、センサ４３により基板の後端Ｇｂを検出すると、制御部３８の判断により、各ノズル４１ａ、４１ｂからの噴出及び各集ガス部材４２ａ、４２ｂからの排気が停止される。なお、この時、上流側ノズル４１ａからの噴出を開始してもよい。またさらに、上流側ノズル４１ａから噴出を開始した場合には下流側の集ガス部材４２ｂから排気を開始してもよい。
【００６３】
図７は、本発明の他の実施の形態に係るエキシマＵＶ処理ユニットを示す断面図である。なお、図７において、図５における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。
【００６４】
このエキシマＵＶ処理ユニットでは、搬送される基板Ｇを検出するセンサ４３ａ、４３ｂが設けられている。センサ４３ａは上流側ノズル４１ａのほぼ直下の位置に配置され、センサ４３ｂは下流側ノズル４１ｂのほぼ直下の位置に配置されている。また、これらの配置に代えて、センサ４３ａ´を例えば照射ユニット４０の上流側端部のほぼ直下の位置に設けてもよい。さらに、センサ４３ｂ´を例えば照射ユニット４０の下流側端部のほぼ直下の位置に設けてもよい。
【００６５】
次に、図８を参照してこの実施の形態に係るエキシマＵＶ処理ユニットの動作について説明する。
【００６６】
まず、このエキシマＵＶ処理ユニットに基板Ｇが搬入されてきて、基板Ｇの前端が上流側のノズル４１ａのほぼ直下を過ぎた時、上流側ノズル４１ａからの窒素ガスの噴出を開始するとともに、下流側の集ガス部材４２ｂより排気を開始する。そしてその状態のまま図８（ａ）に示すように基板Ｇを搬送させる。なお、上流側のノズル４１ａからの窒素ガスは、下流側のノズル４１ｂから噴出させている時以外は常に噴出させておいてもよい。
【００６７】
次に、図８（ｂ）に示すように、基板Ｇの後端Ｇｂが上流側のノズル４１ａのほぼ直下を過ぎた時（第１の時間）、センサ４３ａがその後端Ｇｂを検出する。この検出に基づき、上記の実施の形態と同様に、制御部３８の判断により、上流側ノズル４１ａの噴出及び下流側の集ガス部材４２ｂからの排気が停止されるとともに、下流側ノズル４１ｂからの窒素ガスの噴出及び上流側の集ガス部材４２ａからの排気が開始される。このように、搬送される基板Ｇの表面に沿って均一に下流側のノズル４１ｂからの窒素ガスが行き渡り、洗浄能力を向上させることができる。
【００６８】
あるいは、センサ４３ａ´を設ける場合には、基板Ｇの後端Ｇｂが照射ユニット４０の上流側端部のほぼ直下を過ぎた時（第２の時間）、センサ４３ａ´がその後端Ｇｂを検出する。そしてこれに基づき、制御部３８の判断により、上流側ノズル４１ａの噴出及び下流側の集ガス部材４２ｂからの排気が停止されるとともに、下流側ノズル４１ｂからの窒素ガスの噴出及び上流側の集ガス部材４２ａからの排気が開始される。
【００６９】
次に、図８（ｃ）に示すように、基板Ｇの後端Ｇｂが下流側ノズル４１ｂのほぼ直下の位置を過ぎた時（第４の時間）、センサ４３ｂがその後端Ｇｂを検出する。そしてこれに基づき、制御部３８の判断により、各ノズル４１ａ、４１ｂからの噴出及び各集ガス部材４２ａ、４２ｂからの排気が停止される。
【００７０】
あるいは、センサ４３ｂ´を設ける場合には、基板Ｇの後端Ｇｂが照射ユニット４０の下流側端部のほぼ直下を過ぎた時（第３の時間）、センサ４３ｂ´がその後端Ｇｂを検出する。そしてこれに基づき、制御部３８の判断により、各ノズル４１ａ、４１ｂからの噴出及び各集ガス部材４２ａ、４２ｂからの排気が停止される。なお、この時、上流側ノズル４１ａからの噴出を開始してもよい。またさらに、上流側ノズル４１ａから噴出を開始した場合には下流側の集ガス部材４２ｂから排気を開始してもよい。
【００７１】
次に図９を参照して、窒素ガスの噴出及びその排気の制御について他の実施の形態について説明する。
【００７２】
図９（ａ）は上流側ノズル４１ａによる窒素ガスの噴出量の時間変化及び下流側集ガス部材４２ｂによる排気量の時間変化を示している。ここで、噴出量、排気量とは、例えば単位時間当りのガス量及び排気の量である。この例では、例えば搬送される基板の前端Ｇａが下流側ノズル４１ｂの直下位置を過ぎた時に、噴出量及び排気量をそれぞれそれまでより少なくしている。これにより、基板前端Ｇａがノズル４１ｂの直下位置を過ぎるまでは窒素ガスが基板Ｇの裏面側に逃げやすいので噴出量を多くすることで良好な気流を形成することができる。そして基板前端Ｇａがノズル４１ｂの直下位置を過ぎれば、窒素ガスが基板の裏面側に逃げにくくなるので、噴出量を少なくしても良好な気流を形成できるとともにガスの使用量を削減することができる。なお、噴出量及び排気量を変えるタイミングは、基板前端Ｇａがノズル４１ｂの直下位置を過ぎる時に限られず、例えば下流側集ガス部材４２ｂの直下位置や照射ユニット４０の中央の直下位置を過ぎる時であってもよい。
【００７３】
図９（ｂ）は下流側ノズル４１ｂによる窒素ガスの噴出量の時間変化及び上流側集ガス部材４２ａによる排気量の時間変化を示している。この例では、例えば搬送される基板の後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａの直下位置を過ぎた時に、噴出量及び排気量をそれぞれそれまでより少なくしている。このような制御によっても、基板後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａの直下位置を過ぎれば、窒素ガスが基板裏面側に逃げやすくなるので、噴出量を多くすることで良好な気流を形成できるとともにガスの使用量を削減することができる。なお、噴出量及び排気量を変えるタイミングは、基板後端Ｇｂがノズル４１ａの直下位置を過ぎる時に限られず、例えば上流側集ガス部材４２ａの直下位置や照射ユニット４０の中央の直下位置を過ぎる時であってもよい。
【００７４】
次に図１０を参照して、窒素ガス及びその排気の制御についてさらに他の実施の形態について説明する。
【００７５】
図１０（ａ）は上流側ノズル４１ａによる窒素ガスの噴出量の時間変化及び下流側集ガス部材４２ｂによる排気量の時間変化を示している。この例では、基板が搬送されることで照射ユニット４０により照射される基板上の領域が徐々に大きくなるので、これに合わせて噴出量及び排気量を徐々に多くしていく。そして例えば基板の前端Ｇａが照射ユニット４０の中央位置を過ぎれば、気流の形成が徐々に容易となっていくので噴出量及び排気量を徐々に少なくしていくことでガスの使用量を削減することができる。なお、噴出量及び排気量の傾きを変えるタイミングは、基板の前端Ｇａが照射ユニット４０の中央の直下位置を過ぎる時に限られない。
【００７６】
図１０（ｂ）は下流側ノズル４１ｂによる窒素ガスの噴出量の時間変化及び上流側集ガス部材４２ａによる排気量の時間変化を示している。基板が搬送されることで基板上の照射領域が徐々に小さくなるので、これに合わせて噴出量及び排気量を徐々に多くしていく。そして、例えば基板の後端Ｇｂが照射ユニット４０の中央位置を過ぎれば、気流の形成が徐々に困難となって行くので噴出量及び排気量を徐々に多くしていくことで良好な気流の形成を行うことができる。なお、噴出量及び排気量の傾きを変えるタイミングは、基板の後端Ｇｂが照射ユニット４０の中央の直下位置を過ぎる時に限られない。
【００７７】
なお、図９及び図１０で説明した噴出量及び排気量の制御は、図４における供給管５８ａ及び５８ｂ、排気管５９ａ及び５９ｂにそれぞれ例えば流量調整弁等を介在させ、この流量調整弁を制御することにより行うことができる。
【００７８】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００７９】
例えば、エキシマＵＶ処理ユニットにおいて、エキシマＵＶランプを用いたが、これに限らず、クリプトンランプやアルゴンランプ等のＵＶランプであってもよい。
【００８０】
また、上記各実施の形態では搬送装置５５を用いて基板を搬送させながら紫外線を照射する構成としたが、基板を固定させておき、照射ユニット４０及びノズル４１ａ等を一体的に基板に対して移動させながら紫外線を照射する構成としてもよい。
【００８１】
図９及び図１０で説明したガスの噴出量及び排気量の制御において、基板Ｇａの前端Ｇａが集ガス部材４２ｂの直下を過ぎれば、基板裏面側へガスが逃げにくくなるのでガスの噴出量または排気量をさらに小さくするようにしてもよい。これによりガスの使用量を削減できる。また、基板の前端Ｇａが上流側ノズル４１ａの直下を過ぎた時またはその直後に、ノズル４１ａからの窒素ガスの噴出量を一瞬多くする制御を組み合わせてもよい。これにより、処理開始時の窒素ガス供給の均一性を向上させることができる。また、同様に、基板の後端Ｇｂが下流側ノズル４１ｂの直下を過ぎた時またはその直後に、ノズル４１ｂからの窒素ガスの噴出量を一瞬多くする制御を組み合わせてもよい。さらに、図１０（ａ）、（ｂ）で示すグラフの傾きは直線状でなくとも、曲線状や階段状（段階的）あるいはこれらの組み合わせであってもよい。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板面に対してばらつきがなく均一に不活性ガスを供給でき、洗浄能力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】一実施の形態に係るエキシマＵＶ処理ユニットを示す斜視図である。
【図５】図４に示すエキシマＵＶ処理ユニットの断面図である。
【図６】図４及び図５に示すエキシマＵＶ処理ユニットの動作を示す図である。
【図７】他の実施の形態に係るエキシマＵＶ処理ユニットを示す断面図である。
【図８】図７に示すエキシマＵＶ処理ユニットの動作を示す図である。
【図９】（ａ）は上流側ノズルとによる窒素ガスの噴出量の変化及び下流側集ガス部材４２ｂによる排気量の変化を示す図であり、（ｂ）は下流側ノズルによる窒素ガスの噴出量の変化及び上流側集ガス部材による排気量の変化を示す図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図９（ａ）、図９（ｂ）に示す形態の変形例である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
ｔ…隙間
Ａ…搬送方向
Ｇｂ…基板の後端
１９…エキシマＵＶ処理ユニット
３８…制御部
４０…照射ユニット
４１ａ…上流側ノズル
４１ｂ…下流側ノズル
４２ａ…上流側集ガス部材
４２ｂ…下流側集ガス部材
４３…センサ
４４…窒素ガス供給タンク
４５…真空装置
５５…搬送装置[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for removing extraneous matter such as organic substances adhered to a glass substrate used for a liquid crystal display device or the like.
[0002]
[Prior art]
In a manufacturing process of an LCD (Liquid Crystal Display: LCD) or the like, it is used for manufacturing a semiconductor device in order to form a thin film or an electrode pattern of ITO (Indium Tin Oxide) on a glass substrate for an LCD to be processed. A similar photolithography technique is used. In the photolithography technique, a photoresist is applied to a glass substrate, which is exposed and further developed.
[0003]
Before such a photolithography process, a cleaning process of irradiating the substrate with ultraviolet rays, for example, is performed to remove impurities such as organic substances attached to the substrate. As a cleaning device in which such a cleaning process is performed, for example, an ultraviolet irradiation device is disposed opposite to the surface of the substrate, and a mechanism for supplying an inert gas such as nitrogen to the substrate is provided on both sides of the ultraviolet irradiation device. (For example, see Patent Document 1). The reason for supplying the inert gas is to adjust the amount of oxygen contained in the air on the substrate to an appropriate amount to suppress the generation of ozone generated by the reaction between ultraviolet rays and oxygen. That is, when the amount of generated ozone is large, ultraviolet rays are absorbed by the ozone and the performance of the cleaning process is reduced.
[0004]
[Patent Document 1]
JP 2001-113163 A (FIGS. 1 and 3).
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, recently, the size of the glass substrate has been increased, so that even if the inert gas is supplied from both sides of the ultraviolet irradiation device, there is a problem that the inert gas does not spread uniformly over the entire surface of the substrate. As a result, the amount of air existing between the ultraviolet irradiation device and the substrate also varies on the surface of the substrate. As a result, there is a portion on the surface of the substrate where generation of ozone cannot be suppressed, and the cleaning ability at that portion is reduced.
[0006]
Therefore, it is conceivable to increase the supply amount of the inert gas as much as possible to spread the inert gas over the entire surface of the substrate. However, in the cleaning treatment by irradiation with ultraviolet rays or the like, the organic matter is removed by the reaction of oxygen radicals, so that the supply of the inert gas is too large. .
[0007]
In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing apparatus capable of uniformly supplying an inert gas to a substrate surface without variation in a processing apparatus that performs a cleaning process by irradiating ultraviolet rays. It is to provide a method.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to a first aspect of the present invention includes an irradiation unit that irradiates a substrate with ultraviolet light, and is disposed to face the irradiation unit, and transports the substrate in a predetermined direction. A first ejection unit that ejects an inert gas toward the space between the irradiation unit and the substrate, and a first ejection unit that is disposed on the upstream side of the conveyance by the conveyance mechanism from the irradiation unit and the irradiation unit, A second ejection unit that is disposed downstream of the conveyance by the conveyance mechanism and ejects an inert gas toward between the irradiation unit and the substrate, and according to a position of the substrate conveyed by the conveyance mechanism, A control unit that controls start and stop of the ejection of the inert gas by the first ejection unit and the second ejection unit.
[0009]
According to the present invention, under the control of the control unit, for example, when the substrate to be conveyed is at a position closer to the first ejection unit than the second ejection unit, the inert gas is ejected from the first ejection unit. Further, for example, when the substrate to be conveyed is located closer to the second ejection part than the first ejection part, the inert gas is ejected from the first ejection part. As a result, the inert gas can be uniformly spread over the surface of the substrate, and the cleaning ability can be improved. In particular, the present invention is effective when the substrate is large.
[0010]
Further, when the width of the irradiation section (width in the transport direction) is smaller than the width of the substrate in the transport direction, it is still more effective.
[0011]
In one embodiment of the present invention, the apparatus further includes a first exhaust unit that is disposed on the downstream side and exhausts the inert gas ejected from the first ejection unit. In the present invention, the inert gas is ejected from the first ejection portion disposed on the upstream side, and the inert gas is exhausted on the downstream side. Therefore, the inert gas flows uniformly along the substrate while the irradiation section is irradiating the ultraviolet rays, so that the cleaning ability can be improved.
[0012]
In one embodiment of the present invention, the apparatus further includes a second exhaust unit that is disposed on the upstream side and exhausts the inert gas ejected from the second ejection unit. In the present invention, the inert gas is ejected from the second ejection portion arranged on the downstream side, and the inert gas is exhausted on the upstream side. Therefore, the inert gas flows uniformly along the substrate while the irradiation section is irradiating the ultraviolet rays, so that the cleaning ability can be improved.
[0013]
In one embodiment of the present invention, the control unit may be configured to control the rear end of the substrate to be conveyed in a conveyance direction at a first time after a position facing the first ejection unit, or for the irradiation unit. Means are provided for controlling so as to stop jetting from the first jetting portion and start jetting from the second jetting portion at a second time after passing a position facing the upstream end. In the present invention, after the inert gas ejected from the first ejection unit is no longer sprayed on the substrate to be conveyed, the inert gas is ejected by switching to the second ejection unit. This allows the inert gas to flow uniformly along the substrate at all times during the irradiation with the ultraviolet light, thereby improving the cleaning ability.
[0014]
In one embodiment of the present invention, the control unit is configured such that a rear end of the conveyed substrate in the conveyance direction passes a position facing a downstream end of the irradiation unit at a third time or the second time. There is provided a means for controlling so as to stop the ejection from the second ejection portion at a fourth time after the position facing the ejection portion. In the present invention, after the processing of one substrate is completed, the ejection from the second ejection unit is stopped until the next substrate is transported. Then, for example, when the front end of the next substrate to be transported in the transport direction has passed the position facing the first ejection portion, the ejection of the inert gas may be started from the first ejection portion. Alternatively, the ejection of the inert gas from the first ejection portion may be started at the same time as the ejection from the second ejection portion is stopped, that is, at the third time or the fourth time.
[0015]
In one embodiment of the present invention, a means for controlling so as to stop the exhaust by the first exhaust unit and to start the exhaust by the second exhaust unit at the first time or the second time. A substrate processing apparatus further provided. In the present invention, the exhaust by the second exhaust unit is started at the same time as the start of the ejection of the gas from the second ejecting unit.
[0016]
In one embodiment of the present invention, the apparatus further includes means for controlling the second exhaust unit to stop the exhaust at the third time or the fourth time. In the present invention, after the processing of one substrate is completed, the ejection from the second ejection unit is stopped until the next substrate is transported. Is stopped. Then, the evacuation by the first evacuation unit may be started at the time when the evacuation by the second evacuation unit is stopped, that is, at the third time or the fourth time.
[0017]
A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention includes an irradiating unit configured to irradiate a substrate with ultraviolet light, a transfer mechanism disposed to face the irradiating unit, and configured to transfer the substrate in a predetermined direction; A first ejection unit that is disposed upstream of the conveyance by the conveyance mechanism and ejects an inert gas toward between the irradiation unit and the substrate; and a downstream of the conveyance by the conveyance mechanism from the irradiation unit. And a second ejection unit that ejects an inert gas toward between the irradiation unit and the substrate, and the first ejection unit and the first ejection unit according to a position of the substrate that is transferred by the transfer mechanism. A control unit for controlling the amount of at least one inert gas to be ejected among the second ejection units.
[0018]
In the present invention, for example, the first control unit may be configured so that the front end in the transport direction of the substrate to be transported passes a first position between the first ejection unit and the second ejection unit. Ejecting a first amount from the first ejecting portion, and ejecting the substrate from the first ejecting portion in an amount smaller than the first amount after the front end of the substrate has passed the first position. . That is, for example, until the front end of the substrate passes through the first ejection portion and passes through the first position, the inert gas easily escapes to the back surface of the substrate, so that a good airflow can be formed by increasing the ejection amount. . When the front end of the substrate passes the first position, it becomes difficult for the inert gas to escape to the back surface of the substrate, so that a good airflow can be formed even with a small amount of ejection and the amount of the inert gas used can be reduced. Can be. Here, it is desirable that the first position is a position facing the second ejection portion, but the first position is not limited to this.
[0019]
Alternatively, the first control unit may be configured so that the rear end of the substrate to be transported in the transport direction passes the second position between the first ejection unit and the second ejection unit. A second amount is ejected from a second ejection portion, and after the rear end of the substrate has passed the second position, an ejection is performed from the second ejection portion in an amount larger than the second amount. Even with such control, for example, if the substrate is conveyed and the rear end passes the second position, the inert gas can easily escape to the substrate back side, so that a good airflow can be formed by increasing the ejection amount and The amount of inert gas used can be reduced. Here, the second position is desirably a position facing the first ejection portion, but is not limited thereto.
[0020]
Further, the first amount and the second amount may be the same or different.
[0021]
In one embodiment of the present invention, the apparatus further includes a first exhaust unit that is disposed on the downstream side and exhausts the inert gas ejected from the first ejection unit. In addition, the apparatus further includes a second exhaust unit that is disposed on the upstream side and exhausts the inert gas ejected from the second ejection unit. Further, the apparatus further includes a second control unit that controls respective exhaust amounts of the first exhaust unit and the second exhaust unit.
[0022]
In one embodiment of the present invention, the first control is performed until the front end of the substrate to be transported in the transport direction passes a third position between the first exhaust unit and the second exhaust unit. The second controller ejects the first amount from the first ejection unit at a third amount, and the second controller exhausts the first amount from the first exhaust unit at a third amount. After the time has passed, the first control unit causes the first ejection unit to eject the gas in an amount smaller than the third amount, and the second control unit causes the first exhaust unit to emit the first gas from the first exhaust unit. Evacuate with less than the amount of. Here, the third position is desirably a central position between the first ejection portion and the second ejection portion, but is not limited thereto.
[0023]
In one embodiment of the present invention, the first end of the substrate to be conveyed in the conveyance direction passes through the first position until the rear end passes a fourth position between the first exhaust unit and the second exhaust unit. The control unit causes the second ejection unit to eject the fourth amount, and the second control unit causes the second exhaust unit to exhaust the second amount. After passing the position, the first control unit causes the second ejection unit to eject a larger amount than the fourth amount, and the second control unit sends the second ejection unit from the second exhaust unit. Evacuate in an amount greater than the second amount. Here, it is desirable that the fourth position is the center position between the first ejection part and the second ejection part, but it is not limited to this.
[0024]
In addition, at least two of the first, second, third, and fourth amounts of the inert gas ejection amount may be the same amount or may be different. Further, the same applies to the first and second exhaust gas amounts.
[0025]
A substrate processing method according to a first aspect of the present invention includes: (a) a step of irradiating a substrate conveyed in a predetermined direction with ultraviolet light by an irradiation unit; and (b) an upstream side from a position where the ultraviolet light is irradiated. Ejecting an inert gas between the irradiation unit and the substrate, and (c) an inert gas flowing between the irradiation unit and the substrate from a downstream side of the position where the ultraviolet light is irradiated. And (d) controlling the start and stop of the respective inert gas jets in the steps (b) and (c) according to the position of the substrate to be transferred. I do.
[0026]
In the present invention, in the step (d), for example, when the substrate to be transferred is on the upstream side with respect to the center of the irradiation section in the transfer direction, the inert gas is ejected from the upstream side. Further, for example, when the substrate to be transferred is on the downstream side with respect to the center of the irradiation section in the transfer direction, the inert gas is ejected from the downstream side. As a result, the inert gas can be uniformly spread over the surface of the substrate, and the cleaning ability can be improved. In particular, the present invention is effective when the substrate is large. Further, the present invention is also effective when, for example, an irradiation unit is fixedly arranged at a predetermined position, and the irradiation unit is irradiated with ultraviolet rays while transporting the substrate in a predetermined direction. Further, when the width of the irradiation section (width in the transport direction) is smaller than the width of the substrate in the transport direction, it is still more effective.
[0027]
A substrate processing method according to a second aspect of the present invention includes: (a) irradiating a substrate conveyed in a predetermined direction with an ultraviolet ray by an irradiating unit; and (b) from the upstream side of the irradiating unit. (C) ejecting an inert gas between the irradiation unit and the substrate from a downstream side of the irradiation unit; (D) controlling at least one of the step (b) and the step (c), in accordance with the position of the substrate to be transferred, of the amount of the inert gas to be ejected.
[0028]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0029]
FIG. 1 is a plan view showing a system for coating and developing an LCD substrate to which the present invention is applied, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a rear view thereof.
[0030]
The coating and developing system 1 includes a cassette station 2 on which a cassette C containing a plurality of glass substrates G is placed, and a plurality of processing units for performing a series of processes including resist coating and developing on the substrates G. The processing unit 3 includes an interface unit 4 for transferring a substrate G between the exposure unit 32 and the cassette unit 2 and the interface unit 4 at both ends of the processing unit 3.
[0031]
The cassette station 2 includes a transport mechanism 10 for transporting an LCD substrate between the cassette C and the processing unit 3. Then, the cassette C is loaded and unloaded at the cassette station 2. The transport mechanism 10 includes a transport arm 11 that can move on a transport path 12 provided along the direction in which the cassettes are arranged. The transport arm 11 transports the substrate G between the cassette C and the processing unit 3. Done.
[0032]
The processing section 3 includes a main transport section 3a extending in a direction (X direction) perpendicular to the arrangement direction (Y direction) of the cassettes C in the cassette station 2, and a resist coating unit along the main transport section 3a. An upstream section 3b in which processing units including (CT) are arranged in parallel and a downstream section 3c in which processing units including a development processing unit (DEV) are arranged in parallel are provided.
[0033]
The main transport section 3a is provided with a transport path 31 extending in the X direction and a transport shuttle 23 configured to be movable along the transport path 31 and transport the glass substrate G in the X direction. The transport shuttle 23 transports the substrate G while holding the substrate G by, for example, support pins. Further, a vertical transfer unit 7 that transfers the substrate G between the processing unit 3 and the interface unit 4 is provided at an end of the main transfer unit 3a on the interface unit 4 side.
[0034]
In the upstream portion 3b, an excimer UV processing unit (e-UV) 19 for removing organic substances on the substrate G from the cassette station 2 side and a cleaning process on the substrate G with a scrubbing brush are provided at the end of the cassette station 2 side. And a scrubber cleaning processing unit (SCR) 20 for performing the following.
[0035]
Adjacent to the scrubber cleaning processing unit (SCR) 20, heat treatment system blocks 24 and 25 in which units for performing thermal processing on the glass substrate G are stacked in multiple stages are arranged. The vertical transfer unit 5 is disposed between the heat treatment system blocks 24 and 25, and the transfer arm 5a is movable in the Z direction and the horizontal direction, and is rotatable in the θ direction. The substrate G is transported by accessing each heat treatment system unit in the blocks 24 and 25. The vertical transport unit 7 in the processing section 3 has the same configuration as the vertical transport unit 5.
[0036]
As shown in FIG. 2, the heat treatment system block 24 includes a two-stage baking unit (BAKE) for performing a heat treatment before applying a resist to the substrate G, and an adhesion unit (AD) for performing a hydrophobic treatment with an HMDS gas. They are stacked in order from the bottom. On the other hand, in the heat treatment system block 25, two stages of cooling units (COL) for performing a cooling process on the substrate G, and adhesion units (AD) are stacked in order from the bottom.
[0037]
A resist processing block 15 extends in the X direction adjacent to the heat treatment system block 25. The resist processing block 15 includes a resist coating processing unit (CT) for applying a resist to the substrate G, a reduced-pressure drying unit (VD) for drying the applied resist under reduced pressure, and a peripheral portion of the substrate G according to the present invention. And an edge remover (ER) for removing the resist. The resist processing block 15 is provided with a sub-arm (not shown) that moves from the resist coating processing unit (CT) to the edge remover (ER), and the substrate G is transported in the resist processing block 15 by the sub-arm. Has become.
[0038]
A heat treatment system block 26 having a multi-stage configuration is disposed adjacent to the resist processing block 15. In this heat treatment system block 26, a pre-baking unit (PREBAKE) for performing a heat treatment after applying a resist to the substrate G has three stages. It is laminated.
[0039]
In the downstream portion 3c, as shown in FIG. 3, a heat treatment system block 29 is provided at the end portion on the interface portion 4 side, which includes a cooling unit (COL), a heat treatment after exposure and before development. Are stacked in two stages from the bottom, in order from the bottom.
[0040]
A development processing unit (DEV) for performing the development processing is provided adjacent to the heat treatment system block 29 and extends in the X direction. Heat processing system blocks 28 and 27 are disposed adjacent to the development processing unit (DEV). Between the heat processing system blocks 28 and 27, the same structure as the vertical transport unit 5 is provided. And a vertical transport unit 6 accessible to each heat treatment system unit in 27. An i-line processing unit (i-UV) 33 is provided on an end of the development processing unit (DEV).
[0041]
In the heat treatment system block 28, a cooling unit (COL) and a post-baking unit (POBAKE) for performing a heat treatment after development on the substrate G are stacked in two stages from the bottom. On the other hand, in the heat treatment system block 27, similarly, a cooling unit (COL) and a post-baking unit (POBAKE) are stacked in two stages from the bottom.
[0042]
The interface unit 4 is provided with a titler and a peripheral exposure unit (Titler / EE) 22 on the front side, an extension cooling unit (EXTCOL) 35 adjacent to the vertical transport unit 7, and a buffer cassette 34 on the back side. And a vertical transport unit 8 for transferring the substrate G between the titler / peripheral exposure unit (Titler / EE) 22, the extension cooling unit (EXTCOL) 35, and the exposure device 32 adjacent to the buffer cassette 34. Are located. The vertical transport unit 8 has the same configuration as the vertical transport unit 5.
[0043]
In the processing steps of the coating and developing processing system 1 configured as described above, first, the substrate G in the cassette C is transported to the upstream section 3b in the processing section 3. In the upstream portion 3b, surface modification and organic substance removal processing are performed in an excimer UV processing unit (e-UV) 19, and then, in a scrubber cleaning processing unit (SCR) 20, a cleaning process is performed while the substrate G is transported substantially horizontally. And a drying process. Subsequently, the substrate G is taken out by the transfer arm 5a of the vertical transfer unit at the lowermost part of the heat treatment system block 24, heated by the baking unit (BAKE) of the heat treatment system block 24, and heated by the adhesion unit (AD). In order to enhance the adhesion between the glass substrate G and the resist film, a process of spraying the substrate G with HMDS gas is performed. Thereafter, a cooling process by the cooling unit (COL) of the heat treatment system block 25 is performed.
[0044]
Next, the substrate G is transferred from the transfer arm 5a to the transfer shuttle 23. Then, the wafer is conveyed to a resist coating unit (CT), where a resist coating process is performed, and then a reduced pressure drying process is performed by a reduced pressure drying unit (VD), and a resist removal process of the substrate periphery is sequentially performed by an edge remover (ER). Done.
[0045]
Next, the substrate G is transferred from the transfer shuttle 23 to the transfer arm of the vertical transfer unit 7, subjected to heat treatment in the prebaking unit (PREBAKE) in the heat treatment system block 26, and then cooled in the heat treatment system block 29. A cooling process is performed at (COL). Subsequently, the substrate G is cooled by an extension cooling unit (EXTCOL) 35 and is exposed by an exposure device.
[0046]
Next, the substrate G is transferred to the post-exposure baking unit (PEBAKE) of the heat treatment system block 29 via the transfer arms of the vertical transfer units 8 and 7, where the heat treatment is performed, and then the cooling unit (COL). The cooling process is performed. Then, the development processing, rinsing processing and drying processing are performed while the substrate G is transported substantially horizontally in the development processing unit (DEV) via the transport arm of the vertical transport unit 7.
[0047]
Next, the substrate G is transferred from the lowermost stage in the heat treatment system block 28 by the transfer arm 6a of the vertical transfer unit 6, and is subjected to heat treatment in the post baking unit (POBAKE) in the heat treatment system block 28 or 27, and the cooling unit A cooling process is performed at (COL). Then, the substrate G is delivered to the transport mechanism 10 and stored in the cassette C.
[0048]
FIG. 4 is a perspective view showing an excimer UV processing unit (e-UV) 19 according to the present invention. FIG. 5 is a sectional view of the excimer UV processing unit (e-UV) 19 shown in FIG.
[0049]
The excimer UV processing unit (e-UV) 19 is provided with a transfer device 55 that transfers the substrate G in a predetermined direction (the direction indicated by the arrow A). In the transfer device 55, for example, a pair of roller members 36 that support both ends of the substrate G are attached to the shaft 37. A plurality of transport rollers composed of a pair of roller members 36 and a shaft 37 are arranged, and these transport rollers are simultaneously rotated by a motor (not shown). Thus, the transfer device 55 can transfer the substrate G in a predetermined direction.
[0050]
An irradiation unit 40 for irradiating the substrate with ultraviolet light is disposed, for example, on the upper surface side of the substrate G transferred to the transfer device 55, facing the transfer device 55. In the irradiation unit 40, for example, a plurality of cylindrical excimer UV lamps 48 are provided in a housing 49, and a reflecting plate 51 that reflects ultraviolet light is provided above the UV lamps 48. A window 54 is attached to the lower end of the housing 49, and the ultraviolet light from the UV lamp 48 is applied to the substrate G through the window 54. The window 54 is made of, for example, quartz glass.
[0051]
An exhaust case 50 is disposed below the irradiation unit 40 with the roller member 36 interposed therebetween. The case 50 is provided with, for example, an exhaust port 53, and a gas such as ozone generated by a process of ultraviolet irradiation is exhausted from the exhaust port 53. Since ozone gas flows heavier and lower than air, it is preferable to exhaust gas in this manner.
[0052]
A nozzle 41a that ejects a nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply tank 44 via a supply pipe 58a as an inert gas, for example, is disposed upstream of the irradiation unit 40 in the transport direction. Similarly, a nozzle 41b for ejecting nitrogen gas from the nitrogen gas supply tank 44 via a supply pipe 58b is disposed downstream of the irradiation unit 40. These nozzles 41a and 41b can eject nitrogen gas into a gap t between the irradiation unit 40 and the substrate G to be transferred. Here, the distance of the gap t is, for example, about 2.5 mm. Each of the nozzles 41a and 41b has, for example, a cylindrical shape, and is provided with an ejection hole 56 so that nitrogen gas can be ejected toward the gap t. A plurality of these ejection holes 56 are provided, for example, along the longitudinal direction of the nozzles 41a and 41b.
[0053]
In addition, as shown in FIG. 5, the width of the irradiation unit 40 in the direction A is, for example, 700 mm and the width of the substrate G in the direction A is 1200 mm. The width of the irradiation unit may be larger than the substrate G.
[0054]
Gas collecting members 42b, 42a for exhausting nitrogen gas ejected from the nozzles 41a, 41b, respectively, are disposed on the upstream side and the downstream side of the nozzles 41a, 41b, respectively. Each of the gas collecting members 42a and 42b has, for example, a rectangular parallelepiped shape, and has an opening 57 at a lower portion thereof. The gas collecting members 42a and 42b are connected to exhaust pipes 59a and 59b, respectively, and the exhaust pipes 59a and 59b are connected to a vacuum device 45. The gas collected from the openings 57 of the gas collecting members 42a and 42b is exhausted by the vacuum device 45 through the exhaust pipes 59a and 59b. The vacuum device 45 is constituted by, for example, a blower fan or a vacuum pump.
[0055]
A supply switching valve 46 is provided between the nitrogen gas supply tank 44 and the supply pipes 58a and 58b. The supply switching valve 46 is controlled by a valve controller 39 in the control unit 38 to connect the nitrogen gas supply tank 44 to one of the supply pipes 58a or 58b and to supply gas to both supply pipes. It is designed to shut off. As a result, it is possible to supply the nitrogen gas to one of the nozzles 41a or 41b or to shut off the supply.
[0056]
An exhaust switching valve 47 is provided between the vacuum device 45 and the exhaust pipes 59a and 59b. The exhaust switching valve 47 is also controlled by the valve controller 39 of the control unit 38 in the same manner as described above, and connects the vacuum device 45 to one of the exhaust pipes 59a and 59b and stops the exhaust from both exhaust pipes. It is supposed to. As a result, the gas can be exhausted from one of the gas collecting members 42a or 42b, or the exhaust can be stopped.
[0057]
In the transport device 55, for example, a sensor 43 that detects the presence of a substrate is disposed below the transport roller. The sensor 43 detects the presence of the substrate at the position where the sensor 43 is located. As the sensor 43, for example, a pendulum sensor or a reflection-type optical sensor can be used.
[0058]
The control section 38 receives the detection signal of the sensor 43, and the valve controller 39 controls the switching valves 46 and 47 based on the received signal.
[0059]
Next, the operation of the excimer UV processing unit (e-UV) 19 configured as described above will be described with reference to FIG.
[0060]
First, the substrate G is carried into the unit 19, passes through the nozzle 41a on the upstream side, and passes below the irradiation unit 40, as shown in FIG. At this time, nitrogen gas is ejected from the nozzle 41a on the upstream side toward between the irradiation unit 40 and the substrate G, and the irradiation unit 40 emits ultraviolet rays. The nitrogen gas from the upstream nozzle 41a may always be jetted except when jetting from the downstream nozzle 41b. Alternatively, the time when the front end Ga of the substrate G has passed almost immediately below the nozzle 41a may be detected by a sensor (not shown) or the like, and the ejection may be started based on this. Thereby, the usage amount of the nitrogen gas can be suppressed. At the same time as the nitrogen gas is ejected from the nozzle 41a, the exhaust is started from the downstream gas collecting member 42b. Thus, even with such a large-sized glass substrate, the nitrogen gas flows uniformly along the surface of the substrate G to be conveyed, so that the cleaning ability by irradiation with ultraviolet rays can be improved.
[0061]
Next, as shown in FIG. 6B, when the rear end Gb of the substrate G has passed almost immediately below the upstream side nozzle 41a, the sensor 43 detects the position of the substrate G at this time. By detecting the front end Ga of the substrate G, the sensor 43 detects that the rear end Gb has passed almost immediately below the upstream nozzle 41a. Such detection can be performed by appropriately changing the position where the sensor 43 is arranged according to the width of the substrate G. When the sensor 43 detects that the rear end Gb of the substrate has passed almost immediately below the upstream side nozzle 41a, the control unit 38 determines that the ejection of the upstream side nozzle 41a and the gas from the downstream side gas collecting member 42b are determined. The exhaust is stopped, and the ejection of the nitrogen gas from the downstream nozzle 41b and the exhaust from the upstream gas collecting member 42a are started. As described above, after the state shown in FIG. 6B, there is no substrate G directly below the upstream side nozzle 41a. Therefore, even if the nitrogen gas is jetted, the nitrogen gas only goes downward from the roller member 36, so that there is no effect. Therefore, in the present embodiment, the nitrogen gas is ejected from the downstream side nozzle 41b so that the nitrogen gas can be uniformly distributed along the surface of the substrate G being conveyed. Thereby, the cleaning ability can be improved.
[0062]
Then, as shown in FIG. 6C, when the rear end Gb of the substrate is detected by the sensor 43, the ejection from each of the nozzles 41a and 41b and the gas from each of the gas collecting members 42a and 42b are determined by the control unit 38. Is stopped. At this time, the ejection from the upstream nozzle 41a may be started. Further, when the ejection is started from the upstream nozzle 41a, the exhaust may be started from the downstream gas collecting member 42b.
[0063]
FIG. 7 is a sectional view showing an excimer UV processing unit according to another embodiment of the present invention. In FIG. 7, the same components as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0064]
In the excimer UV processing unit, sensors 43a and 43b for detecting the substrate G to be transported are provided. The sensor 43a is arranged almost directly below the upstream nozzle 41a, and the sensor 43b is arranged almost immediately below the downstream nozzle 41b. Instead of these arrangements, the sensor 43a 'may be provided, for example, at a position substantially immediately below the upstream end of the irradiation unit 40. Further, the sensor 43b ′ may be provided, for example, at a position substantially immediately below the downstream end of the irradiation unit 40.
[0065]
Next, the operation of the excimer UV processing unit according to this embodiment will be described with reference to FIG.
[0066]
First, when the substrate G is carried into the excimer UV processing unit, and when the front end of the substrate G has passed almost immediately below the upstream nozzle 41a, the ejection of nitrogen gas from the upstream nozzle 41a is started and the downstream is started. Exhaust is started from the gas collecting member 42b on the side. Then, in this state, the substrate G is transported as shown in FIG. The nitrogen gas from the upstream nozzle 41a may always be jetted except when jetting from the downstream nozzle 41b.
[0067]
Next, as shown in FIG. 8B, when the rear end Gb of the substrate G has passed almost immediately below the upstream nozzle 41a (first time), the sensor 43a detects the rear end Gb. Based on this detection, the ejection of the upstream nozzle 41a and the exhaust from the downstream gas collecting member 42b are stopped, and the discharge from the downstream nozzle 41b is stopped by the determination of the control unit 38, as in the above-described embodiment. The ejection of the nitrogen gas and the exhaust from the upstream gas collecting member 42a are started. As described above, the nitrogen gas from the nozzle 41b on the downstream side is uniformly distributed along the surface of the substrate G to be conveyed, and the cleaning ability can be improved.
[0068]
Alternatively, when the sensor 43a 'is provided, when the rear end Gb of the substrate G passes almost immediately below the upstream end of the irradiation unit 40 (second time), the sensor 43a' detects the rear end Gb. . Based on this, the ejection of the upstream nozzle 41a and the exhaust from the downstream gas collection member 42b are stopped, and the ejection of nitrogen gas from the downstream nozzle 41b and the collection of the upstream Exhaust from the gas member 42a is started.
[0069]
Next, as shown in FIG. 8C, when the rear end Gb of the substrate G has passed a position substantially immediately below the downstream nozzle 41b (fourth time), the sensor 43b detects the rear end Gb. Then, based on this, the ejection from each of the nozzles 41a and 41b and the exhaust from each of the gas collecting members 42a and 42b are stopped by the judgment of the control unit 38.
[0070]
Alternatively, when the sensor 43b 'is provided, the sensor 43b' detects the rear end Gb when the rear end Gb of the substrate G passes almost immediately below the downstream end of the irradiation unit 40 (third time). . Then, based on this, the ejection from each of the nozzles 41a and 41b and the exhaust from each of the gas collecting members 42a and 42b are stopped by the judgment of the control unit 38. At this time, the ejection from the upstream nozzle 41a may be started. Further, when the ejection is started from the upstream nozzle 41a, the exhaust may be started from the downstream gas collecting member 42b.
[0071]
Next, with reference to FIG. 9, another embodiment of the control of the ejection of the nitrogen gas and the exhaust thereof will be described.
[0072]
FIG. 9A shows a temporal change in the amount of nitrogen gas ejected by the upstream nozzle 41a and a temporal change in the exhaust amount by the downstream gas collecting member 42b. Here, the ejection amount and the exhaust amount are, for example, the gas amount and the exhaust amount per unit time. In this example, for example, when the front end Ga of the conveyed substrate has passed the position immediately below the downstream nozzle 41b, the ejection amount and the exhaust amount are each smaller than before. Thus, the nitrogen gas easily escapes to the back side of the substrate G until the front end Ga of the substrate passes directly below the nozzle 41b, so that a good air flow can be formed by increasing the ejection amount. When the front end Ga of the substrate passes directly below the nozzle 41b, it becomes difficult for the nitrogen gas to escape to the back side of the substrate. Therefore, even if the amount of gas ejected is reduced, a good airflow can be formed and the amount of gas used can be reduced. it can. Note that the timing of changing the ejection amount and the exhaust amount is not limited to when the substrate front end Ga passes immediately below the nozzle 41b, but when the substrate front end Ga passes, for example, immediately below the downstream gas collecting member 42b or immediately below the center of the irradiation unit 40. There may be.
[0073]
FIG. 9B illustrates a temporal change in the amount of nitrogen gas ejected by the downstream nozzle 41b and a temporal change in the exhaust amount by the upstream gas collecting member 42a. In this example, when, for example, the rear end Gb of the substrate to be conveyed passes immediately below the upstream side nozzle 41a, the ejection amount and the exhaust amount are respectively reduced. Even with such control, when the rear end Gb of the substrate passes directly below the upstream nozzle 41a, the nitrogen gas can easily escape to the back surface of the substrate. Can be reduced. Note that the timing of changing the ejection amount and the exhaust amount is not limited to when the substrate rear end Gb passes immediately below the nozzle 41a, but when the substrate rear end Gb passes immediately below the upstream gas collecting member 42a or immediately below the center of the irradiation unit 40, for example. It may be.
[0074]
Next, still another embodiment of the control of the nitrogen gas and the exhaust thereof will be described with reference to FIG.
[0075]
FIG. 10A shows a temporal change in the amount of nitrogen gas ejected by the upstream nozzle 41a and a temporal change in the exhaust amount by the downstream gas collecting member 42b. In this example, since the region on the substrate irradiated by the irradiation unit 40 gradually increases as the substrate is transported, the ejection amount and the exhaust amount are gradually increased accordingly. Then, for example, when the front end Ga of the substrate passes through the center position of the irradiation unit 40, the formation of the air current becomes gradually easier, so that the amount of gas consumption is reduced by gradually reducing the ejection amount and the exhaust amount. be able to. The timing of changing the inclination of the ejection amount and the exhaust amount is not limited to when the front end Ga of the substrate passes immediately below the center of the irradiation unit 40.
[0076]
FIG. 10B shows a temporal change in the amount of nitrogen gas ejected by the downstream nozzle 41b and a temporal change in the exhaust amount by the upstream gas collecting member 42a. Since the irradiation area on the substrate is gradually reduced as the substrate is transported, the ejection amount and the exhaust amount are gradually increased accordingly. Then, for example, when the rear end Gb of the substrate passes through the center position of the irradiation unit 40, the formation of an airflow gradually becomes difficult. It can be performed. Note that the timing of changing the inclination of the ejection amount and the exhaust amount is not limited to when the rear end Gb of the substrate passes immediately below the center of the irradiation unit 40.
[0077]
The control of the ejection amount and the exhaust amount described with reference to FIGS. 9 and 10 is performed by interposing, for example, a flow control valve or the like in the supply pipes 58a and 58b and the exhaust pipes 59a and 59b in FIG. Can be performed.
[0078]
The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications are possible.
[0079]
For example, although an excimer UV lamp is used in the excimer UV processing unit, the present invention is not limited to this, and a UV lamp such as a krypton lamp or an argon lamp may be used.
[0080]
Further, in each of the above-described embodiments, the ultraviolet irradiation is performed while the substrate is transported by using the transport device 55. However, the substrate is fixed, and the irradiation unit 40 and the nozzle 41a are integrated with the substrate. It may be configured to irradiate ultraviolet rays while moving.
[0081]
In the control of the gas ejection amount and the exhaust amount described with reference to FIGS. 9 and 10, if the front end Ga of the substrate Ga passes directly below the gas collecting member 42 b, it becomes difficult for the gas to escape to the substrate rear surface side. The displacement may be further reduced. This can reduce the amount of gas used. Further, when the front end Ga of the substrate passes immediately below the upstream nozzle 41a or immediately thereafter, control for instantaneously increasing the amount of nitrogen gas ejected from the nozzle 41a may be combined. Thereby, the uniformity of the supply of the nitrogen gas at the start of the processing can be improved. Similarly, when the rear end Gb of the substrate passes immediately below the downstream nozzle 41b or immediately thereafter, control for momentarily increasing the amount of nitrogen gas ejected from the nozzle 41b may be combined. Further, the slopes of the graphs shown in FIGS. 10A and 10B need not be linear, but may be curved, stepwise (stepwise), or a combination thereof.
[0082]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the inert gas can be uniformly supplied to the substrate surface without variation, and the cleaning ability can be improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a coating and developing system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front view of the coating and developing system shown in FIG.
FIG. 3 is a rear view of the coating and developing system shown in FIG. 1;
FIG. 4 is a perspective view showing an excimer UV processing unit according to one embodiment.
5 is a cross-sectional view of the excimer UV processing unit shown in FIG.
FIG. 6 is a diagram showing the operation of the excimer UV processing unit shown in FIGS. 4 and 5.
FIG. 7 is a sectional view showing an excimer UV processing unit according to another embodiment.
8 is a diagram showing the operation of the excimer UV processing unit shown in FIG.
9A is a diagram illustrating a change in the amount of nitrogen gas ejected by an upstream nozzle and a change in an exhaust amount by a downstream gas collecting member 42b, and FIG. 9B is a diagram illustrating ejection of nitrogen gas by a downstream nozzle. It is a figure which shows the change of the amount and the change of the exhaust amount by the upstream gas collection member.
FIGS. 10A and 10B are modifications of the embodiment shown in FIGS. 9A and 9B, respectively.
[Explanation of symbols]
G ... Glass substrate
t ... gap
A: Transport direction
Gb: Rear end of substrate
19 ... Excimer UV processing unit
38 ... Control unit
40 ... Irradiation unit
41a ... upstream nozzle
41b ... downstream nozzle
42a ... upstream side gas collecting member
42b ... downstream gas collecting member
43 ... Sensor
44 ... Nitrogen gas supply tank
45 ... Vacuum equipment
55 ... Conveying device

Claims (20)

基板に対し紫外線を照射する照射部と、
前記照射部に対向して配置され、基板を所定の方向に搬送する搬送機構と、
前記照射部より、前記搬送機構による搬送の上流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第１の噴出部と、
前記照射部より、前記搬送機構による搬送の下流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第２の噴出部と、
前記搬送機構による搬送される基板の位置に応じて、前記第１の噴出部と前記第２の噴出部とによるそれぞれの不活性気体の噴出の開始及び停止を制御する制御部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。An irradiation unit that irradiates the substrate with ultraviolet light,
A transport mechanism that is disposed to face the irradiation unit and transports the substrate in a predetermined direction,
A first ejection unit that is arranged on the upstream side of the conveyance by the conveyance mechanism from the irradiation unit and that jets an inert gas toward between the irradiation unit and the substrate;
From the irradiation unit, a second ejection unit that is disposed downstream of the conveyance by the conveyance mechanism and ejects an inert gas toward between the irradiation unit and the substrate,
A control unit that controls start and stop of the ejection of the inert gas by the first ejection unit and the second ejection unit according to the position of the substrate transferred by the transfer mechanism. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記下流側に配置され、前記第１の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第１の排気部をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus further comprising a first exhaust unit disposed on the downstream side and exhausting inert gas ejected from the first ejection unit. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記上流側に配置され、前記第２の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第２の排気部をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 2,
The substrate processing apparatus further comprising a second exhaust unit disposed on the upstream side and exhausting an inert gas ejected from the second ejection unit. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、
搬送される基板の搬送方向における後端が、前記第１の噴出部に対向する位置を過ぎた第１の時間に、または、前記照射部の上流端に対向する位置を過ぎた第２の時間に、
前記第１の噴出部からの噴出を停止するとともに前記第２の噴出部からの噴出を開始するように制御する手段を具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The control unit includes:
A first time when a rear end of the conveyed substrate in the conveyance direction has passed a position facing the first ejection section, or a second time when a rear end has passed a position facing the upstream end of the irradiation section. To
A substrate processing apparatus, comprising: means for controlling so as to stop jetting from the first jetting part and start jetting from the second jetting part. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、
搬送される基板の搬送方向における後端が、前記照射部の下流端に対向する位置を過ぎた第３の時間に、または、前記第２の噴出部に対向する位置を過ぎた第４の時間に、
前記第２の噴出部からの噴出を停止するように制御する手段を具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The control unit includes:
A third time when a rear end of the transferred substrate in the transfer direction passes a position facing the downstream end of the irradiation unit, or a fourth time when a rear end passes a position facing the second ejection unit. To
A substrate processing apparatus, comprising: means for controlling so as to stop ejection from the second ejection unit. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第１の噴出部からの噴出を開始するように制御する手段を具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein
The control unit includes:
A substrate processing apparatus, comprising: means for controlling so as to start jetting from the first jetting unit at the third time or the fourth time. 請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記第１の時間または前記第２の時間に、前記第１の排気部による排気を停止するとともに前記第２の排気部による排気を開始するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein:
The apparatus further comprises means for controlling to stop the exhaust by the first exhaust unit and start the exhaust by the second exhaust unit at the first time or the second time. Substrate processing equipment. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第２の排気部による排気を停止するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein
The substrate processing apparatus further comprising: means for controlling so as to stop the exhaust by the second exhaust unit at the third time or the fourth time. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第１の排気部による排気を開始するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 5, wherein
The substrate processing apparatus further comprising: means for controlling the first exhaust unit to start exhausting at the third time or the fourth time. 基板に対し紫外線を照射する照射部と、
前記照射部に対向して配置され、基板を所定の方向に搬送する搬送機構と、
前記照射部より、前記搬送機構による搬送の上流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第１の噴出部と、
前記照射部より、前記搬送機構による搬送の下流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第２の噴出部と、
前記搬送機構による搬送される基板の位置に応じて、前記第１の噴出部及び前記第２の噴出部のうち少なくとも一方の不活性気体の噴出量を制御する制御部とを具備することを特徴とする基板処理装置。An irradiation unit that irradiates the substrate with ultraviolet light,
A transport mechanism that is disposed to face the irradiation unit and transports the substrate in a predetermined direction,
A first ejection unit that is arranged on the upstream side of the conveyance by the conveyance mechanism from the irradiation unit and that jets an inert gas toward between the irradiation unit and the substrate;
From the irradiation unit, a second ejection unit that is disposed downstream of the conveyance by the conveyance mechanism and ejects an inert gas toward between the irradiation unit and the substrate,
A control unit that controls a discharge amount of at least one inert gas of the first discharge unit and the second discharge unit according to a position of the substrate transferred by the transfer mechanism. Substrate processing apparatus. （ａ）所定の方向に搬送される基板に対し、照射部により紫外線を照射する工程と、
（ｂ）前記照射部より上流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、
（ｃ）前記照射部より下流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、
（ｄ）搬送される基板の位置に応じて、前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）とによるそれぞれの不活性気体の噴出の開始及び停止を制御する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。(A) irradiating the substrate conveyed in a predetermined direction with ultraviolet rays by an irradiation unit;
(B) injecting an inert gas from between the irradiation unit and the substrate from an upstream side of the irradiation unit;
(C) a step of ejecting an inert gas from a downstream side of the irradiation unit toward between the irradiation unit and the substrate;
(D) a step of controlling the start and stop of the ejection of the respective inert gas in the step (b) and the step (c) according to the position of the substrate to be transferred. Substrate processing method. 請求項１１に記載の基板処理方法であって、
（ｅ）前記下流側で、前記工程（ｂ）で噴出される不活性気体を排気する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 11, wherein
(E) The substrate processing method further comprising a step of exhausting the inert gas ejected in the step (b) on the downstream side. 請求項１２に記載の基板処理方法であって、
（ｆ）前記上流側で、前記工程（ｃ）で噴出される不活性気体を排気する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 12, wherein
(F) The substrate processing method further comprising exhausting the inert gas ejected in the step (c) on the upstream side. 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｄ）は、
搬送される基板の搬送方向における後端が、前記工程（ｂ）で不活性気体を噴出する第１の噴出部に対向する位置を過ぎた第１の時間に、または、前記照射部の上流端に対向する位置を過ぎた第２の時間に、
前記工程（ｂ）での噴出を停止するとともに前記工程（ｃ）での噴出を開始する工程を具備することを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 13, wherein
The step (d) includes:
At a first time after a position where the rear end of the substrate to be conveyed in the conveying direction is opposed to the first jetting portion for jetting the inert gas in the step (b), or at the upstream end of the irradiation unit At a second time past the position facing
A substrate processing method comprising the steps of stopping the ejection in the step (b) and starting the ejection in the step (c). 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｄ）は、
搬送される基板の搬送方向における後端が、前記照射部の下流端に対向する位置を過ぎた第３の時間に、または、前記工程（ｃ）で不活性気体を噴出する第２の噴出部に対向する位置を過ぎた第４の時間に、
前記工程（ｃ）での噴出を停止する工程を具備することを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 13, wherein
The step (d) includes:
A second ejection unit that ejects an inert gas at a third time after a position where the rear end of the transferred substrate in the conveyance direction is opposed to the downstream end of the irradiation unit, or at the step (c). At a fourth time past the position facing
A method of processing a substrate, comprising a step of stopping the ejection in the step (c). 請求項１５に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｄ）は、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記工程（ｂ）での噴出を開始する工程を具備することを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 15, wherein
The step (d) includes:
A method of processing a substrate, comprising a step of starting the ejection in the step (b) at the third time or the fourth time. 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
前記第１の時間または前記第２の時間に、前記工程（ｅ）での排気を停止するとともに前記工程（ｆ）での排気を開始する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 13, wherein
The substrate processing method further comprising: stopping the evacuation in the step (e) and starting the evacuation in the step (f) during the first time or the second time. 請求項１５に記載の基板処理方法であって、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記工程（ｆ）での排気を停止する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 15, wherein
The substrate processing method further comprising a step of stopping the evacuation in the step (f) at the third time or the fourth time. 請求項１５に記載の基板処理方法であって、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記工程（ｅ）での排気を開始する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。The substrate processing method according to claim 15, wherein
The substrate processing method further comprising a step of starting the evacuation in the step (e) at the third time or the fourth time. （ａ）所定の方向に搬送される基板に対し、照射部により紫外線を照射する工程と、
（ｂ）前記照射部より上流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、
（ｃ）前記照射部より下流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、
（ｄ）搬送される基板の位置に応じて、前記工程（ｂ）及び前記工程（ｃ）のうち少なくとも一方の不活性気体の噴出量を制御する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。(A) irradiating the substrate conveyed in a predetermined direction with ultraviolet rays by an irradiation unit;
(B) injecting an inert gas from between the irradiation unit and the substrate from an upstream side of the irradiation unit;
(C) a step of ejecting an inert gas from a downstream side of the irradiation unit toward between the irradiation unit and the substrate;
(D) a step of controlling at least one of the step (b) and the step (c) in accordance with the position of the substrate to be conveyed, in which the amount of the inert gas ejected is controlled. Method.

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