JP2004165391A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ＩＬＢ工程において、フィルム基材の復元力によって、一旦接合されたインナーリードと金属突起電極が引き剥がれるオープン不良を防止する。
【解決手段】半導体素子上の金属突起電極と、テープキャリア１に形成されたインナーリードとを、ボンディングステージとこれに対向するボンディングツール１０ａとの間に挟んで押圧して、金属突起電極とインナーリードとを接合する構成において、テープキャリア１は、ボンディングツール１０ａが挿入される開口部１２を有する固定部材９にて固定され、ボンディングツール１０ａは、テープキャリア１に接する接触面１７の外形の各角部が鈍角である。これにより、ボンディングツール１０ａの各点、特に角部からテープキャリア１を固定している固定部材９の開口部１２までの距離を大きく取れるため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリア１のフィルム基材２の復元力を減少させる。
【選択図】 図１
【解決手段】半導体素子上の金属突起電極と、テープキャリア１に形成されたインナーリードとを、ボンディングステージとこれに対向するボンディングツール１０ａとの間に挟んで押圧して、金属突起電極とインナーリードとを接合する構成において、テープキャリア１は、ボンディングツール１０ａが挿入される開口部１２を有する固定部材９にて固定され、ボンディングツール１０ａは、テープキャリア１に接する接触面１７の外形の各角部が鈍角である。これにより、ボンディングツール１０ａの各点、特に角部からテープキャリア１を固定している固定部材９の開口部１２までの距離を大きく取れるため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリア１のフィルム基材２の復元力を減少させる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、デバイスホールを持たないテープキャリアのインナーリードボンディングツールを備えた半導体装置の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩなどの半導体製品は低価格化、軽量化、薄型化、小型化の実現のために高密度実装が要求され続けている（特許文献１参照）。
【０００３】
一般に、半導体素子の高密度実装を実現する半導体装置としてテープキャリアパッケージ（以下ＴＣＰ）があるが、その中でもデバイスホールや折り曲げスリットが無く、半導体素子上の金属電極と接続されるインナーリード４ａがテープ基材２に密着しているものがチップ・オン・フィルム（以下ＣＯＦという）構造のＴＣＰである（図５）。ＣＯＦはデバイスホールが無く、インナーリード４ａがフィルム基材２に密着している為に、曲がりを生じやすいフライングリードが存在せず、導体リードを薄膜化することができる。これにより従来のデバイスホールがあるＴＣＰと比較すると導体リードのエッチング性が向上し、より微細な導体パターンを形成することができる。現在、４５μｍピッチのＣＯＦテープが量産されており、さらなるファイン化が現実的に期待されている。
【０００４】
次に、図５を用いて一般的なＣＯＦ構造を説明する。
【０００５】
図５（ａ）は導体リード側からみた一般的なＣＯＦの平面図であり、図５（ｂ）は一般的なＣＯＦの断面図である。フィルム１は絶縁、可撓の性質を有し、ポリイミドなどの樹脂で形成されたフィルム基材２と、銅などの金属箔で形成された導体リード４とで構成されている。導体リード４において半導体素子５に形成された金属突起電極６と接続する部分の先端からソルダーレジスト３にいたるまでのソルダーレジスト３に覆われていない領域をインナーリード４ａ、インナーリード４ａより外へフィルム基材２上に延長された導体リード４のうち、外部回路と接続される領域をアウターリード４ｂと呼ぶ。導体リード４には通常めっきが施されている。インナーリード４ａ周辺の領域は半導体素子５の表面保護や半導体装置自身の強度確保のために封止樹脂７で覆われている。
【０００６】
次に、共晶などの金属間接合によりフィルム１のインナーリード４ａと半導体素子５に形成した金属突起電極６を接合する方式の従来のＣＯＦについて、その一般的な組立工程を図６を用いて説明する。
【０００７】
フィルム１は、金属突起電極６の位置に合わせてインナーリード４ａがフィルム基材２上に形成されている（図６（ａ））。インナーリード４ａの表面にはスズや金などによってめっきが施されている。フィルム基材２は３８μｍや２５μｍなどで、従来の一般的なＴＣＰの厚みである７５μｍよりかなり薄い。半導体素子５は、金属突起電極６が半導体素子５の外周に沿う形かまたは、半導体素子５の表面全体に配置されている（図６（ａ））。フィルム１はボンディングツール１０が入出する開口部１２を有するフォーミング板８とクランパ９を用いて、フィルム１のインナーリード４ａと半導体素子５上の金属突起電極６の間に隙間を設けて固定されている（図６（ａ））。そして、半導体素子５上の金属突起電極６とフィルム１のインナーリード４ａを所定の位置に合わせて熱圧着方式により接合する（図６（ｂ））。熱圧着方式とはインナーリード４ａに施されためっき材と金属突起材を共晶融合あるいは固相拡散させるために必要な温度（３００℃〜５００℃程度）と荷重を加えながらインナーリード４ａと金属突起電極６を接合する方式である。フィルム基材２側から押さえる治具をボンディングツール１０、半導体素子５側で支える治具をボンディングステージ１１などと呼ぶ。
【０００８】
ここで、ボンディングツール１０の形状について、図７を用いて説明する。図７（ａ）は半導体素子５の表面を図示したものである。図７（ｂ）はボンディングツール１０をフィルム基材２に接する方向から見たものである。ボンディングツール１０のフィルム基材２に接触する接触面１４の外形１６は、半導体素子５の各辺に最も近い金属突起電極６の端部に接する直線を結んでできる金属突起電極外周１５と相似形状で、金属突起電極外周１５より片側で２０μｍ〜４０μｍ大きくしたものである。そのため、その形状は四角形つまり各頂角が９０度である（図７（ｂ））。
【０００９】
そして、熱圧着後、インナーリード４ａと金属突起電極６の接合部分と半導体素子５の回路が存在する表面部分を保護し、半導体装置全体の機械強度を確保するために封止樹脂７をフィルム１と半導体素子５の隙間に樹脂供給ノズル１３を使用して注入する（図６（ｃ））。封止後に捺印、検査を行ないＣＯＦ製品が完成する。インナーリード４ａと金属突起電極６を接合する工程をＩＬＢ（インナーリードボンド）工程、インナーリード４ａ及び半導体素子５の表面を封止樹脂７によって封止する工程を封止工程という。
【００１０】
【特許文献１】
特開平６−２３２２１９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例の不具合の一例を図８を用いて説明する。
【００１２】
図８（ａ）はボンディングツール１０により加圧、加熱されているボンディング中の状態をフィルム基材２の上方から見た図であり、ボンディングツール１０はフィルム基材２に接触する接触面１４のみ図示している。図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。図８（ｃ）はＩＬＢ直後のボンディングツール１０がフィルム基材２から離脱した瞬間を図示したものである。
【００１３】
ＣＯＦのＩＬＢ工程においては、フィルム１はボンディングツール１０が入出する開口部１２を有するフォーミング板８とクランパ９を用いて、フィルム１のインナーリード４ａと半導体素子５上の金属突起電極６の間に隙間を設けて固定されている（図６（ａ））。そのため、ボンディング時にはフィルム１を変形させながらボンディングツール１０が下降しインナーリード４ａと金属突起電極６を加圧、加熱する。そして、所定時間の加圧、加熱後、ボンディングツール１０が離脱し、フィルム１が室温へと温度降下する時に、加熱により伸びていたフィルム基材２がもとの形状に復元するために発生する収縮力、また、ボンディングツール１０で押し下げたフィルム基材２の変形分によって弾性による復元力が発生する。この収縮力と復元力は金属突起電極６とインナーリード４ａを引き離し、電気的に導通していないオープン不良（破線囲み部Ｓ）を発生させることが有る。クランパ９の開口部１２はボンディングツール１０の接触面１４と相似形状をしており、接触面１４より大きい。また、その開口部１２と接触面１４の重心は一致している。よって、接触面１４の外形１６の各点とその各点に一番近いクランパの開口部１２の一辺までの距離Ｘと次に近い一辺までの距離Ｙの和＝Ｘ＋Ｙ（以下、距離の和と呼ぶ）が一番小さくなるのは、接触面１４の各頂角である。ボンディングツール１０の外形１６に接するフィルム基材２の各点は全て、ボンディングツール１０によって同一距離Ｚ押し下げられる。そのため、距離の和が小さいところは、距離の和が大きいところに比べ、多く伸びなければならない。よって、フィルム基材２の変形量が最大となる所は接触面１４の各頂角である。そのため、ボンディングツール１０の離脱時に発生するフィルム基材２の復元力は、接触面１４の各頂角の接点で最大となる。そのため、この接点近傍の金属突起電極６とインナーリード４ａの接続のオープン不良発生率は他の場所に比べて高い。ＣＯＦのＩＬＢ工程の条件選定においては、この接点近傍の接合がオープン不良とならない条件を選定しなければならず、条件の選択肢を減らし、また、安定した生産ができる条件の幅を狭めてしまう問題がある。
【００１４】
したがって、この発明の目的は、チップオンフィルム（ＣＯＦ）構造である半導体装置において、製造工程中の加圧、加熱によりテープキャリアのフィルム基材が変形し、ボンディングツールの離脱時に発生するフィルム基材の復元力によって、一旦接合されたインナーリードと金属突起電極が引き剥がされてオープン不良を発生することを防止する半導体装置の製造装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためにこの発明の請求項１記載の半導体装置の製造装置は、ボンディングステージ上に載置された半導体素子上の金属突起電極と、テープキャリアに形成されたインナーリードとを、前記ボンディングステージとこれに対向するボンディングツールとの間に挟んで押圧して、前記金属突起電極と前記インナーリードとを接合する半導体装置の製造装置であって、前記テープキャリアは、前記ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、前記ボンディングツールは、前記テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が鈍角である。
【００１６】
このように、テープキャリアは、ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、ボンディングツールは、テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が鈍角であるので、ボンディングツールの各点、特に角部からテープキャリアを固定している固定部材の開口部までの距離を大きく取れる。
そのため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリアのフィルム基材の復元力を減少させることができ、インナーリードの金属突起電極からの剥がれの発生を防ぐことができる。
【００１７】
請求項２記載の半導体装置の製造装置は、請求項１記載の半導体装置の製造装置において、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を面取りして鈍角にした形状である。
【００１８】
このように、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を面取りして鈍角にした形状であるので、ボンディングツールの接触面はインナーリードと金属突起電極の接合部分の全てを含むことができ確実に接続できる。また、角部が面取りする前の従来例の角部より内側に位置するので、角部から一番近い開口部の一辺までの距離と、次に近い一辺までの距離の和が大きくなることで、テープキャリアが伸びる変形量が小さくなる。
【００１９】
請求項３記載の半導体装置の製造装置は、ボンディングステージ上に載置された半導体素子上の金属突起電極と、テープキャリアに形成されたインナーリードとを、前記ボンディングステージとこれに対向するボンディングツールとの間に挟んで押圧して、前記金属突起電極と前記インナーリードとを接合する半導体装置の製造装置であって、前記テープキャリアは、前記ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、前記ボンディングツールは、前記テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が曲線状になっている。
【００２０】
このように、テープキャリアは、ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、ボンディングツールは、テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が曲線状になっているので、ボンディングツールの各点、特に角部からテープキャリアを固定している固定部材の開口部までの距離を大きく取れる。そのため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリアのフィルム基材の復元力を減少させることができ、インナーリードの金属突起電極からの剥がれの発生を防ぐことができる。
【００２１】
請求項４記載の半導体装置の製造装置は、請求項３記載の半導体装置の製造装置において、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を円弧にした形状である。
【００２２】
このように、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を円弧にした形状であるので、ボンディングツールの接触面はインナーリードと金属突起電極の接合部分の全てを含むことができ確実に接続できる。また、角部が円弧にする前の従来例の角部より内側に位置するので、角部から一番近い開口部の一辺までの距離と、次に近い一辺までの距離の和が大きくなることで、テープキャリアが伸びる変形量が小さくなる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
この発明の第１の実施の形態を図１および図２に基づいて説明する。図１（ａ）はこの発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造装置におけるボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図、（ｂ）はそのボンディングツールを用いたＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図である。なお図１（ｂ）において、ボンディングツールはフィルム基材２に接触する接触面１７のみ図示している。
【００２４】
また、ボンディングツールを除いた全体構成は図６と同様であり、ボンディングステージ１１上に載置された半導体素子５上の金属突起電極６と、テープキャリアのフィルム基材２に形成されたインナーリード４ａとを、ボンディングステージ１１とこれに対向するボンディングツール１０ａとの間に挟んで押圧して、金属突起電極６とインナーリード４ａとを接合する。
【００２５】
テープキャリア（フィルム１）は、ボンディングツール１０ａが挿入される開口部１２を有する固定部材（フォーミング板８とクランパ９）にて固定されている。また、ボンディングツール１０ａには、ヒータ（加熱手段）および熱電対が取り付けられており、本体は超硬材料とセラミックスの組み合わせでできている（図示せず）。そして、接触面には気相ダイヤモンドまたはｃＢＮ（ｃｕｂｉｃ
Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ）が蒸着されている。
【００２６】
この実施の形態によるボンディングツール１０ａでは、フィルム基材２に接する接触面の外形の各角部（各頂角）は鈍角であり、９０度より大きく１８０度未満である。また、その接触面１７は、インナーリード４ａと金属突起電極６の接合部分の全てを含んでいる。
【００２７】
図２はこの発明の第１の実施の形態におけるボンディングツールの外形と半導体素子上の金属突起電極との関係を図示した平面図である。図２を用いて、各角部の位置や角度を決定する方法を説明する。
【００２８】
第一に、従来のボンディングツール１０と同じように、半導体素子５の各辺に最も近い金属突起電極６の外側端部に接する直線を結んでできる金属突起電極外周１５と相似形状で金属突起電極外周１５より片側で２０μｍ〜４０μｍ大きくした外周１６′（従来例のボンディングツールの接触面の外形１６と同じ）を決定する。
【００２９】
第二に、外周１６′の各角部において、以下のような作業を実施する。頂点１に一番目に近い金属突起電極６の角部から、その金属突起電極６の角部に一番近い外周１６′の一辺への垂線との交点をＡとする。次に、前記の頂点１に一番目に近い金属突起電極６の角部を持つ金属突起電極６を除いて、次に頂点１に近い金属突起電極６の角部のなかで、頂点１に交わる外周１６′の二辺のうち、交点Ａが存在しない辺に一番目に近い金属突起電極６の角部から、前記の交点Ａが存在しない辺への垂線との交点をＢとする。これを、頂点２、頂点３、頂点４でそれぞれ実施し、各交点を、交点Ｃ、交点Ｄ、交点Ｅ、交点Ｆ、交点Ｇ、交点Ｈとする。
【００３０】
第三に、交点Ａから交点Ｈまでを直線で結ぶ。これによってできた外形が本発明の実施の形態によるボンディングツール１０ａの外形１８である。
【００３１】
以上のような手法により各交点が決定されるため、各角部の角度は、９０度より大きく１８０度未満となる。このように各角部を９０度より大きくすることにより、接触面１７の外形１８の各点とその各点に一番近いクランパの開口部１２の一辺までの距離Ｘと次に近い一辺までの距離Ｙ１の和＝Ｘ＋Ｙ１が、従来の各頂角が９０度の場合の距離の和＝Ｘ＋Ｙ（図８（ａ））より大きくなり、そのため、フィルム基材２の復元力を減少させることができ、インナーリード４ａの金属突起電極６からの剥れの発生を防ぐことができる。
【００３２】
この発明の第２の実施の形態を図３および図４に基づいて説明する。図３（ａ）はこの発明の第２の実施の形態の半導体装置の製造装置におけるボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図、（ｂ）はそのボンディングツールを用いたＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図である。なお図３（ｂ）において、ボンディングツールはフィルム基材２に接触する接触面１９のみ図示している。
【００３３】
また、ボンディングツールを除いた全体構成は図６と同様であり、ボンディングステージ１１上に載置された半導体素子５上の金属突起電極６と、テープキャリアのフィルム基材２に形成されたインナーリード４ａとを、ボンディングステージ１１とこれに対向するボンディングツール１０ｂとの間に挟んで押圧して、金属突起電極６とインナーリード４ａとを接合する。
【００３４】
テープキャリア（フィルム１）は、ボンディングツール１０ｂが挿入される開口部１２を有する固定部材（フォーミング板８とクランパ９）にて固定されている。また、ボンディングツール１０ｂには、ヒータ（加熱手段）および熱電対が取り付けられており、本体は超硬材料とセラミックスの組み合わせでできている（図示せず）。そして、接触面には気相ダイヤモンドまたはｃＢＮ（ｃｕｂｉｃ
Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ）が蒸着されている。
【００３５】
この実施の形態によるボンディングツール１０ｂでは、フィルム基材２に接する接触面１９の外形の各角部（各頂角）は、円弧となっている。その接触面１９は、インナーリード４ａと金属突起電極６の接合部分の全てを含んでいる。
【００３６】
図４はこの発明の第２の実施の形態におけるボンディングツールの外形と半導体素子上の金属突起電極との関係を図示した平面図である。図４を用いて、各角部の位置や角度を決定する方法を説明する。
【００３７】
第一に、従来のボンディングツール１０と同じように、半導体素子５の各辺に最も近い金属突起電極６の端部に接する直線を結んでできる金属突起電極外周１５と相似形状で金属突起電極外周１５より片側で２０μｍ〜４０μｍ大きくした外周１６′を決定する。
【００３８】
第二に、外周１６′の各角部において、以下のような作業を実施する。頂点１に一番目に近い金属突起電極６の角部から、その金属突起電極６の角部に一番近い外周１６′の一辺への垂線との交点をＡとする。次に、前記の頂点１に一番目に近い金属突起電極６の角部を持つ金属突起電極６を除いて、次に頂点１に近い金属突起電極６の角部のなかで、頂点１に交わる外周１６′の二辺のうち、交点Ａが存在しない辺に一番目に近い金属突起電極６の角部から、前記の交点Ａが存在しない辺への垂線との交点をＢとする。これを、頂点２、頂点３、頂点４でそれぞれ実施し、各交点を、交点Ｃ、交点Ｄ、交点Ｅ、交点Ｆ、交点Ｇ、交点Ｈとする。第三に、交点Ａと交点Ｂを、交点Ｃと交点Ｄを、交点Ｅと交点Ｆを、交点Ｇと交点Ｈを、それぞれ円弧で結ぶ。その円弧の直径は、その円弧が従来のボンディングツールの外形１６と交わらない大きさとする。次に、線により結ばれていない各交点を従来のボンディングツール１０の外形１６に沿って、直線で結ぶ。これによってできた外形が本発明の実施の形態によるボンディングツールの外形２０である。
【００３９】
このように各角部を円弧にすることにより、接触面１９の外周２０の各点とその各点に一番近いクランパの開口部１２の一辺までの距離Ｘと次に近い一辺までの距離Ｙ２の和＝Ｘ＋Ｙ２が、従来の各角部が９０度の場合の距離の和＝Ｘ＋Ｙ（図８（ａ））より大きくなり、そのため、フィルム基材２の復元力を減少させることができ、インナーリード４ａの金属突起電極６からの剥れの発生を防ぐことができる。
【００４０】
なお、ボンディングツール１０ｂは、テープキャリアに接する接触面１９の各角部が円弧以外の曲線状になっていてもよい。
【００４１】
【発明の効果】
この発明の請求項１記載の半導体装置の製造装置によれば、テープキャリアは、ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、ボンディングツールは、テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が鈍角であるので、ボンディングツールの各点、特に角部からテープキャリアを固定している固定部材の開口部までの距離を大きく取れる。そのため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリアのフィルム基材の復元力を小さくすることができる。これにより、インナーリードと金属突起電極がボンディング後に引き剥がれるオープン不良の発生を防止することができる。
【００４２】
請求項２では、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を面取りして鈍角にした形状であるので、ボンディングツールの接触面はインナーリードと金属突起電極の接合部分の全てを含むことができ確実に接続できる。また、角部が面取りする前の従来例の角部より内側に位置するので、角部から一番近い開口部の一辺までの距離と、次に近い一辺までの距離の和が大きくなることで、テープキャリアが伸びる変形量が小さくなる。
【００４３】
この発明の請求項３記載の半導体装置の製造装置によれば、テープキャリアは、ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、ボンディングツールは、テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が曲線状になっているので、ボンディングツールの各点、特に角部からテープキャリアを固定している固定部材の開口部までの距離を大きく取れる。そのため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリアのフィルム基材の復元力を小さくすることができる。これにより、インナーリードと金属突起電極がボンディング後に引き剥がれるオープン不良の発生を防止することができる。
【００４４】
請求項４では、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を円弧にした形状であるので、ボンディングツールの接触面はインナーリードと金属突起電極の接合部分の全てを含むことができ確実に接続できる。また、角部が円弧にする前の従来例の角部より内側に位置するので、角部から一番近い開口部の一辺までの距離と、次に近い一辺までの距離の和が大きくなることで、テープキャリアが伸びる変形量が小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）はこの発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造装置におけるボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図、（ｂ）はそのボンディングツールを用いたＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態におけるボンディングツールの外形と半導体素子上の金属突起電極との関係を図示した平面図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態の半導体装置の製造装置におけるボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図、（ｂ）はそのボンディングツールを用いたＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態におけるボンディングツールの外形と半導体素子上の金属突起電極との関係を図示した平面図である。
【図５】（ａ）は導体リード側からみた一般的なＣＯＦの平面図であり、図５（ｂ）は一般的なＣＯＦの断面図である。
【図６】一般的なＣＯＦ組立工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）は半導体素子とその上に形成された金属突起電極の配置を示す平面図、（ｂ）は従来例のボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図である。
【図８】（ａ）は従来例のＣＯＦ組立工程におけるＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図、（ｃ）はＩＬＢ直後の状態の断面図である。
【符号の説明】
１ フィルム
２ フィルム基材
３ ソルダーレジスト
４ 導体リード
４ａ インナーリード
４ｂ アウターリード
５ 半導体素子
６ 金属突起電極
７ 封止樹脂
８ フォーミング板
９ クランパ
１０ ボンディングツール
１０ａ ボンディングツール
１０ｂ ボンディングツール
１１ ボンディングステージ
１２ クランパの開口部
１３ 樹脂供給ノズル
１４ ボンディングツールのフィルム基材との接触面
１５ 金属突起電極外周
１６ ボンディングツールの接触面の外形
１７ ボンディングツールのフィルム基材との接触面
１８ ボンディングツールの接触面の外形
１９ ボンディングツールのフィルム基材との接触面
２０ ボンディングツールの接触面の外形
【発明の属する技術分野】
この発明は、デバイスホールを持たないテープキャリアのインナーリードボンディングツールを備えた半導体装置の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩなどの半導体製品は低価格化、軽量化、薄型化、小型化の実現のために高密度実装が要求され続けている（特許文献１参照）。
【０００３】
一般に、半導体素子の高密度実装を実現する半導体装置としてテープキャリアパッケージ（以下ＴＣＰ）があるが、その中でもデバイスホールや折り曲げスリットが無く、半導体素子上の金属電極と接続されるインナーリード４ａがテープ基材２に密着しているものがチップ・オン・フィルム（以下ＣＯＦという）構造のＴＣＰである（図５）。ＣＯＦはデバイスホールが無く、インナーリード４ａがフィルム基材２に密着している為に、曲がりを生じやすいフライングリードが存在せず、導体リードを薄膜化することができる。これにより従来のデバイスホールがあるＴＣＰと比較すると導体リードのエッチング性が向上し、より微細な導体パターンを形成することができる。現在、４５μｍピッチのＣＯＦテープが量産されており、さらなるファイン化が現実的に期待されている。
【０００４】
次に、図５を用いて一般的なＣＯＦ構造を説明する。
【０００５】
図５（ａ）は導体リード側からみた一般的なＣＯＦの平面図であり、図５（ｂ）は一般的なＣＯＦの断面図である。フィルム１は絶縁、可撓の性質を有し、ポリイミドなどの樹脂で形成されたフィルム基材２と、銅などの金属箔で形成された導体リード４とで構成されている。導体リード４において半導体素子５に形成された金属突起電極６と接続する部分の先端からソルダーレジスト３にいたるまでのソルダーレジスト３に覆われていない領域をインナーリード４ａ、インナーリード４ａより外へフィルム基材２上に延長された導体リード４のうち、外部回路と接続される領域をアウターリード４ｂと呼ぶ。導体リード４には通常めっきが施されている。インナーリード４ａ周辺の領域は半導体素子５の表面保護や半導体装置自身の強度確保のために封止樹脂７で覆われている。
【０００６】
次に、共晶などの金属間接合によりフィルム１のインナーリード４ａと半導体素子５に形成した金属突起電極６を接合する方式の従来のＣＯＦについて、その一般的な組立工程を図６を用いて説明する。
【０００７】
フィルム１は、金属突起電極６の位置に合わせてインナーリード４ａがフィルム基材２上に形成されている（図６（ａ））。インナーリード４ａの表面にはスズや金などによってめっきが施されている。フィルム基材２は３８μｍや２５μｍなどで、従来の一般的なＴＣＰの厚みである７５μｍよりかなり薄い。半導体素子５は、金属突起電極６が半導体素子５の外周に沿う形かまたは、半導体素子５の表面全体に配置されている（図６（ａ））。フィルム１はボンディングツール１０が入出する開口部１２を有するフォーミング板８とクランパ９を用いて、フィルム１のインナーリード４ａと半導体素子５上の金属突起電極６の間に隙間を設けて固定されている（図６（ａ））。そして、半導体素子５上の金属突起電極６とフィルム１のインナーリード４ａを所定の位置に合わせて熱圧着方式により接合する（図６（ｂ））。熱圧着方式とはインナーリード４ａに施されためっき材と金属突起材を共晶融合あるいは固相拡散させるために必要な温度（３００℃〜５００℃程度）と荷重を加えながらインナーリード４ａと金属突起電極６を接合する方式である。フィルム基材２側から押さえる治具をボンディングツール１０、半導体素子５側で支える治具をボンディングステージ１１などと呼ぶ。
【０００８】
ここで、ボンディングツール１０の形状について、図７を用いて説明する。図７（ａ）は半導体素子５の表面を図示したものである。図７（ｂ）はボンディングツール１０をフィルム基材２に接する方向から見たものである。ボンディングツール１０のフィルム基材２に接触する接触面１４の外形１６は、半導体素子５の各辺に最も近い金属突起電極６の端部に接する直線を結んでできる金属突起電極外周１５と相似形状で、金属突起電極外周１５より片側で２０μｍ〜４０μｍ大きくしたものである。そのため、その形状は四角形つまり各頂角が９０度である（図７（ｂ））。
【０００９】
そして、熱圧着後、インナーリード４ａと金属突起電極６の接合部分と半導体素子５の回路が存在する表面部分を保護し、半導体装置全体の機械強度を確保するために封止樹脂７をフィルム１と半導体素子５の隙間に樹脂供給ノズル１３を使用して注入する（図６（ｃ））。封止後に捺印、検査を行ないＣＯＦ製品が完成する。インナーリード４ａと金属突起電極６を接合する工程をＩＬＢ（インナーリードボンド）工程、インナーリード４ａ及び半導体素子５の表面を封止樹脂７によって封止する工程を封止工程という。
【００１０】
【特許文献１】
特開平６−２３２２１９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来例の不具合の一例を図８を用いて説明する。
【００１２】
図８（ａ）はボンディングツール１０により加圧、加熱されているボンディング中の状態をフィルム基材２の上方から見た図であり、ボンディングツール１０はフィルム基材２に接触する接触面１４のみ図示している。図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ′断面図である。図８（ｃ）はＩＬＢ直後のボンディングツール１０がフィルム基材２から離脱した瞬間を図示したものである。
【００１３】
ＣＯＦのＩＬＢ工程においては、フィルム１はボンディングツール１０が入出する開口部１２を有するフォーミング板８とクランパ９を用いて、フィルム１のインナーリード４ａと半導体素子５上の金属突起電極６の間に隙間を設けて固定されている（図６（ａ））。そのため、ボンディング時にはフィルム１を変形させながらボンディングツール１０が下降しインナーリード４ａと金属突起電極６を加圧、加熱する。そして、所定時間の加圧、加熱後、ボンディングツール１０が離脱し、フィルム１が室温へと温度降下する時に、加熱により伸びていたフィルム基材２がもとの形状に復元するために発生する収縮力、また、ボンディングツール１０で押し下げたフィルム基材２の変形分によって弾性による復元力が発生する。この収縮力と復元力は金属突起電極６とインナーリード４ａを引き離し、電気的に導通していないオープン不良（破線囲み部Ｓ）を発生させることが有る。クランパ９の開口部１２はボンディングツール１０の接触面１４と相似形状をしており、接触面１４より大きい。また、その開口部１２と接触面１４の重心は一致している。よって、接触面１４の外形１６の各点とその各点に一番近いクランパの開口部１２の一辺までの距離Ｘと次に近い一辺までの距離Ｙの和＝Ｘ＋Ｙ（以下、距離の和と呼ぶ）が一番小さくなるのは、接触面１４の各頂角である。ボンディングツール１０の外形１６に接するフィルム基材２の各点は全て、ボンディングツール１０によって同一距離Ｚ押し下げられる。そのため、距離の和が小さいところは、距離の和が大きいところに比べ、多く伸びなければならない。よって、フィルム基材２の変形量が最大となる所は接触面１４の各頂角である。そのため、ボンディングツール１０の離脱時に発生するフィルム基材２の復元力は、接触面１４の各頂角の接点で最大となる。そのため、この接点近傍の金属突起電極６とインナーリード４ａの接続のオープン不良発生率は他の場所に比べて高い。ＣＯＦのＩＬＢ工程の条件選定においては、この接点近傍の接合がオープン不良とならない条件を選定しなければならず、条件の選択肢を減らし、また、安定した生産ができる条件の幅を狭めてしまう問題がある。
【００１４】
したがって、この発明の目的は、チップオンフィルム（ＣＯＦ）構造である半導体装置において、製造工程中の加圧、加熱によりテープキャリアのフィルム基材が変形し、ボンディングツールの離脱時に発生するフィルム基材の復元力によって、一旦接合されたインナーリードと金属突起電極が引き剥がされてオープン不良を発生することを防止する半導体装置の製造装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためにこの発明の請求項１記載の半導体装置の製造装置は、ボンディングステージ上に載置された半導体素子上の金属突起電極と、テープキャリアに形成されたインナーリードとを、前記ボンディングステージとこれに対向するボンディングツールとの間に挟んで押圧して、前記金属突起電極と前記インナーリードとを接合する半導体装置の製造装置であって、前記テープキャリアは、前記ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、前記ボンディングツールは、前記テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が鈍角である。
【００１６】
このように、テープキャリアは、ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、ボンディングツールは、テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が鈍角であるので、ボンディングツールの各点、特に角部からテープキャリアを固定している固定部材の開口部までの距離を大きく取れる。
そのため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリアのフィルム基材の復元力を減少させることができ、インナーリードの金属突起電極からの剥がれの発生を防ぐことができる。
【００１７】
請求項２記載の半導体装置の製造装置は、請求項１記載の半導体装置の製造装置において、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を面取りして鈍角にした形状である。
【００１８】
このように、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を面取りして鈍角にした形状であるので、ボンディングツールの接触面はインナーリードと金属突起電極の接合部分の全てを含むことができ確実に接続できる。また、角部が面取りする前の従来例の角部より内側に位置するので、角部から一番近い開口部の一辺までの距離と、次に近い一辺までの距離の和が大きくなることで、テープキャリアが伸びる変形量が小さくなる。
【００１９】
請求項３記載の半導体装置の製造装置は、ボンディングステージ上に載置された半導体素子上の金属突起電極と、テープキャリアに形成されたインナーリードとを、前記ボンディングステージとこれに対向するボンディングツールとの間に挟んで押圧して、前記金属突起電極と前記インナーリードとを接合する半導体装置の製造装置であって、前記テープキャリアは、前記ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、前記ボンディングツールは、前記テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が曲線状になっている。
【００２０】
このように、テープキャリアは、ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、ボンディングツールは、テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が曲線状になっているので、ボンディングツールの各点、特に角部からテープキャリアを固定している固定部材の開口部までの距離を大きく取れる。そのため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリアのフィルム基材の復元力を減少させることができ、インナーリードの金属突起電極からの剥がれの発生を防ぐことができる。
【００２１】
請求項４記載の半導体装置の製造装置は、請求項３記載の半導体装置の製造装置において、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を円弧にした形状である。
【００２２】
このように、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を円弧にした形状であるので、ボンディングツールの接触面はインナーリードと金属突起電極の接合部分の全てを含むことができ確実に接続できる。また、角部が円弧にする前の従来例の角部より内側に位置するので、角部から一番近い開口部の一辺までの距離と、次に近い一辺までの距離の和が大きくなることで、テープキャリアが伸びる変形量が小さくなる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
この発明の第１の実施の形態を図１および図２に基づいて説明する。図１（ａ）はこの発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造装置におけるボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図、（ｂ）はそのボンディングツールを用いたＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図である。なお図１（ｂ）において、ボンディングツールはフィルム基材２に接触する接触面１７のみ図示している。
【００２４】
また、ボンディングツールを除いた全体構成は図６と同様であり、ボンディングステージ１１上に載置された半導体素子５上の金属突起電極６と、テープキャリアのフィルム基材２に形成されたインナーリード４ａとを、ボンディングステージ１１とこれに対向するボンディングツール１０ａとの間に挟んで押圧して、金属突起電極６とインナーリード４ａとを接合する。
【００２５】
テープキャリア（フィルム１）は、ボンディングツール１０ａが挿入される開口部１２を有する固定部材（フォーミング板８とクランパ９）にて固定されている。また、ボンディングツール１０ａには、ヒータ（加熱手段）および熱電対が取り付けられており、本体は超硬材料とセラミックスの組み合わせでできている（図示せず）。そして、接触面には気相ダイヤモンドまたはｃＢＮ（ｃｕｂｉｃ
Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ）が蒸着されている。
【００２６】
この実施の形態によるボンディングツール１０ａでは、フィルム基材２に接する接触面の外形の各角部（各頂角）は鈍角であり、９０度より大きく１８０度未満である。また、その接触面１７は、インナーリード４ａと金属突起電極６の接合部分の全てを含んでいる。
【００２７】
図２はこの発明の第１の実施の形態におけるボンディングツールの外形と半導体素子上の金属突起電極との関係を図示した平面図である。図２を用いて、各角部の位置や角度を決定する方法を説明する。
【００２８】
第一に、従来のボンディングツール１０と同じように、半導体素子５の各辺に最も近い金属突起電極６の外側端部に接する直線を結んでできる金属突起電極外周１５と相似形状で金属突起電極外周１５より片側で２０μｍ〜４０μｍ大きくした外周１６′（従来例のボンディングツールの接触面の外形１６と同じ）を決定する。
【００２９】
第二に、外周１６′の各角部において、以下のような作業を実施する。頂点１に一番目に近い金属突起電極６の角部から、その金属突起電極６の角部に一番近い外周１６′の一辺への垂線との交点をＡとする。次に、前記の頂点１に一番目に近い金属突起電極６の角部を持つ金属突起電極６を除いて、次に頂点１に近い金属突起電極６の角部のなかで、頂点１に交わる外周１６′の二辺のうち、交点Ａが存在しない辺に一番目に近い金属突起電極６の角部から、前記の交点Ａが存在しない辺への垂線との交点をＢとする。これを、頂点２、頂点３、頂点４でそれぞれ実施し、各交点を、交点Ｃ、交点Ｄ、交点Ｅ、交点Ｆ、交点Ｇ、交点Ｈとする。
【００３０】
第三に、交点Ａから交点Ｈまでを直線で結ぶ。これによってできた外形が本発明の実施の形態によるボンディングツール１０ａの外形１８である。
【００３１】
以上のような手法により各交点が決定されるため、各角部の角度は、９０度より大きく１８０度未満となる。このように各角部を９０度より大きくすることにより、接触面１７の外形１８の各点とその各点に一番近いクランパの開口部１２の一辺までの距離Ｘと次に近い一辺までの距離Ｙ１の和＝Ｘ＋Ｙ１が、従来の各頂角が９０度の場合の距離の和＝Ｘ＋Ｙ（図８（ａ））より大きくなり、そのため、フィルム基材２の復元力を減少させることができ、インナーリード４ａの金属突起電極６からの剥れの発生を防ぐことができる。
【００３２】
この発明の第２の実施の形態を図３および図４に基づいて説明する。図３（ａ）はこの発明の第２の実施の形態の半導体装置の製造装置におけるボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図、（ｂ）はそのボンディングツールを用いたＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図である。なお図３（ｂ）において、ボンディングツールはフィルム基材２に接触する接触面１９のみ図示している。
【００３３】
また、ボンディングツールを除いた全体構成は図６と同様であり、ボンディングステージ１１上に載置された半導体素子５上の金属突起電極６と、テープキャリアのフィルム基材２に形成されたインナーリード４ａとを、ボンディングステージ１１とこれに対向するボンディングツール１０ｂとの間に挟んで押圧して、金属突起電極６とインナーリード４ａとを接合する。
【００３４】
テープキャリア（フィルム１）は、ボンディングツール１０ｂが挿入される開口部１２を有する固定部材（フォーミング板８とクランパ９）にて固定されている。また、ボンディングツール１０ｂには、ヒータ（加熱手段）および熱電対が取り付けられており、本体は超硬材料とセラミックスの組み合わせでできている（図示せず）。そして、接触面には気相ダイヤモンドまたはｃＢＮ（ｃｕｂｉｃ
Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ）が蒸着されている。
【００３５】
この実施の形態によるボンディングツール１０ｂでは、フィルム基材２に接する接触面１９の外形の各角部（各頂角）は、円弧となっている。その接触面１９は、インナーリード４ａと金属突起電極６の接合部分の全てを含んでいる。
【００３６】
図４はこの発明の第２の実施の形態におけるボンディングツールの外形と半導体素子上の金属突起電極との関係を図示した平面図である。図４を用いて、各角部の位置や角度を決定する方法を説明する。
【００３７】
第一に、従来のボンディングツール１０と同じように、半導体素子５の各辺に最も近い金属突起電極６の端部に接する直線を結んでできる金属突起電極外周１５と相似形状で金属突起電極外周１５より片側で２０μｍ〜４０μｍ大きくした外周１６′を決定する。
【００３８】
第二に、外周１６′の各角部において、以下のような作業を実施する。頂点１に一番目に近い金属突起電極６の角部から、その金属突起電極６の角部に一番近い外周１６′の一辺への垂線との交点をＡとする。次に、前記の頂点１に一番目に近い金属突起電極６の角部を持つ金属突起電極６を除いて、次に頂点１に近い金属突起電極６の角部のなかで、頂点１に交わる外周１６′の二辺のうち、交点Ａが存在しない辺に一番目に近い金属突起電極６の角部から、前記の交点Ａが存在しない辺への垂線との交点をＢとする。これを、頂点２、頂点３、頂点４でそれぞれ実施し、各交点を、交点Ｃ、交点Ｄ、交点Ｅ、交点Ｆ、交点Ｇ、交点Ｈとする。第三に、交点Ａと交点Ｂを、交点Ｃと交点Ｄを、交点Ｅと交点Ｆを、交点Ｇと交点Ｈを、それぞれ円弧で結ぶ。その円弧の直径は、その円弧が従来のボンディングツールの外形１６と交わらない大きさとする。次に、線により結ばれていない各交点を従来のボンディングツール１０の外形１６に沿って、直線で結ぶ。これによってできた外形が本発明の実施の形態によるボンディングツールの外形２０である。
【００３９】
このように各角部を円弧にすることにより、接触面１９の外周２０の各点とその各点に一番近いクランパの開口部１２の一辺までの距離Ｘと次に近い一辺までの距離Ｙ２の和＝Ｘ＋Ｙ２が、従来の各角部が９０度の場合の距離の和＝Ｘ＋Ｙ（図８（ａ））より大きくなり、そのため、フィルム基材２の復元力を減少させることができ、インナーリード４ａの金属突起電極６からの剥れの発生を防ぐことができる。
【００４０】
なお、ボンディングツール１０ｂは、テープキャリアに接する接触面１９の各角部が円弧以外の曲線状になっていてもよい。
【００４１】
【発明の効果】
この発明の請求項１記載の半導体装置の製造装置によれば、テープキャリアは、ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、ボンディングツールは、テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が鈍角であるので、ボンディングツールの各点、特に角部からテープキャリアを固定している固定部材の開口部までの距離を大きく取れる。そのため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリアのフィルム基材の復元力を小さくすることができる。これにより、インナーリードと金属突起電極がボンディング後に引き剥がれるオープン不良の発生を防止することができる。
【００４２】
請求項２では、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を面取りして鈍角にした形状であるので、ボンディングツールの接触面はインナーリードと金属突起電極の接合部分の全てを含むことができ確実に接続できる。また、角部が面取りする前の従来例の角部より内側に位置するので、角部から一番近い開口部の一辺までの距離と、次に近い一辺までの距離の和が大きくなることで、テープキャリアが伸びる変形量が小さくなる。
【００４３】
この発明の請求項３記載の半導体装置の製造装置によれば、テープキャリアは、ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、ボンディングツールは、テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が曲線状になっているので、ボンディングツールの各点、特に角部からテープキャリアを固定している固定部材の開口部までの距離を大きく取れる。そのため、ＩＬＢ工程で加圧、加熱された後のテープキャリアのフィルム基材の復元力を小さくすることができる。これにより、インナーリードと金属突起電極がボンディング後に引き剥がれるオープン不良の発生を防止することができる。
【００４４】
請求項４では、ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を円弧にした形状であるので、ボンディングツールの接触面はインナーリードと金属突起電極の接合部分の全てを含むことができ確実に接続できる。また、角部が円弧にする前の従来例の角部より内側に位置するので、角部から一番近い開口部の一辺までの距離と、次に近い一辺までの距離の和が大きくなることで、テープキャリアが伸びる変形量が小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）はこの発明の第１の実施の形態の半導体装置の製造装置におけるボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図、（ｂ）はそのボンディングツールを用いたＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態におけるボンディングツールの外形と半導体素子上の金属突起電極との関係を図示した平面図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態の半導体装置の製造装置におけるボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図、（ｂ）はそのボンディングツールを用いたＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態におけるボンディングツールの外形と半導体素子上の金属突起電極との関係を図示した平面図である。
【図５】（ａ）は導体リード側からみた一般的なＣＯＦの平面図であり、図５（ｂ）は一般的なＣＯＦの断面図である。
【図６】一般的なＣＯＦ組立工程を示す断面図である。
【図７】（ａ）は半導体素子とその上に形成された金属突起電極の配置を示す平面図、（ｂ）は従来例のボンディングツールのフィルムと接する側から見た平面図である。
【図８】（ａ）は従来例のＣＯＦ組立工程におけるＩＬＢ中の状態をフィルム側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図、（ｃ）はＩＬＢ直後の状態の断面図である。
【符号の説明】
１ フィルム
２ フィルム基材
３ ソルダーレジスト
４ 導体リード
４ａ インナーリード
４ｂ アウターリード
５ 半導体素子
６ 金属突起電極
７ 封止樹脂
８ フォーミング板
９ クランパ
１０ ボンディングツール
１０ａ ボンディングツール
１０ｂ ボンディングツール
１１ ボンディングステージ
１２ クランパの開口部
１３ 樹脂供給ノズル
１４ ボンディングツールのフィルム基材との接触面
１５ 金属突起電極外周
１６ ボンディングツールの接触面の外形
１７ ボンディングツールのフィルム基材との接触面
１８ ボンディングツールの接触面の外形
１９ ボンディングツールのフィルム基材との接触面
２０ ボンディングツールの接触面の外形
Claims (4)
- ボンディングステージ上に載置された半導体素子上の金属突起電極と、テープキャリアに形成されたインナーリードとを、前記ボンディングステージとこれに対向するボンディングツールとの間に挟んで押圧して、前記金属突起電極と前記インナーリードとを接合する半導体装置の製造装置であって、前記テープキャリアは、前記ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、前記ボンディングツールは、前記テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が鈍角であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
- ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を面取りして鈍角にした形状である請求項１記載の半導体装置の製造装置。
- ボンディングステージ上に載置された半導体素子上の金属突起電極と、テープキャリアに形成されたインナーリードとを、前記ボンディングステージとこれに対向するボンディングツールとの間に挟んで押圧して、前記金属突起電極と前記インナーリードとを接合する半導体装置の製造装置であって、前記テープキャリアは、前記ボンディングツールが挿入される開口部を有する固定部材にて固定され、前記ボンディングツールは、前記テープキャリアに接する接触面の外形の各角部が曲線状になっていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
- ボンディングツールの接触面の外形は、半導体素子の各辺に近接した位置にある金属突起電極の外側端部に接する直線からなる金属突起電極外周と相似形状でかつ大きくした外周の各角部を円弧にした形状である請求項３記載の半導体装置の製造装置。
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2002
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