JP2004163601A

JP2004163601A - Electrooptical device, method of driving electrooptical device, and electronic equipment

Info

Publication number: JP2004163601A
Application number: JP2002328304A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Hara; 弘幸原
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-11-12
Filing date: 2002-11-12
Publication date: 2004-06-10
Anticipated expiration: 2022-11-12
Also published as: JP4244617B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrooptical device which can be reduced in power consumption and improved in aperture ratio at the same time, a method of driving the electrooptical device, and an electronic equipment. <P>SOLUTION: One of the source area and drain area of a TFT 21 for selection is connected to one of source signal lines 23 and the other is connected to the input side of an SRAM (static random access memory) 24, whose output side is connected to a light emitting element 25. Then the SRAM 24 holds a data signal inputted from the source signal line 23 to the SRAM 24 through the TFT 21 for selection until a next data signal is inputted to the SRAM 24. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気光学装置として例えば有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置のような電気光学表示装置がある。この有機ＥＬ表示装置は、画質の良さから携帯電話、ＰＤＡ（ＰｅｒｓｏｎａｌＤｉｇｉｔａｌＡｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノートパソコン等の携帯電子機器の表示装置として注目されている。
【０００３】
上記携帯電子機器は、電源に充電式バッテリーを用いることが一般的であるため、電源のないところで長時間の使用を維持できることが求められている。そのため、電子機器を構成する各装置について夫々消費電力を低減させる工夫を図る必要がある。従って、これら電子機器に実装される有機ＥＬ表示装置においても低消費電力化を図る必要がある。
【０００４】
電気光学表示装置における消費電力を低減する方法として、下記非特許文献１の欄に示した文献には、表示装置を構成する画素毎に揮発性のメモリであるＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）を設ける方法が開示されている。
【０００５】
また、より具体的に電気光学表示装置の画素にＳＲＡＭを内蔵する方法として、下記特許文献１の欄に示した文献には、図８に示すように、表示装置を構成する画素毎に選択用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、ＥＬ素子とを有し、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域のいずれか一方が前記ＳＲＡＭの入力側と接続され、前記ＳＲＡＭの出力側と前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極とが接続された電気光学装置が開示されている。
【０００６】
【非特許文献１】
「ＣｏｎｃｅｐｔｏｆａＳｙｓｔｅｍｏｎＰａｎｅｌ」（Ｙ．Ｍａｔｓｕｅｄａ，外２名，ＩＤＷ’００，ｐ．１７１−１７４）
【特許文献１】
特開２００１−２２２２５６号公報（第１頁―第２頁）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記特許文献１に記載された方法では、一般にＥＬ素子を駆動する為に必要な選択用ＴＦＴとＥＬ駆動用ＴＦＴに加え、ＳＲＡＭとして２つのｎチャネル型ＴＦＴと２つのｐチャネル型ＴＦＴを各画素に設けなければならない。このため、各画素に必要とされるＴＦＴの数は６となり、その占有面積が大きくなることから、表示装置として重要な特性である開口率が低減してしまうという問題があった。また、上記問題は表示装置の精細度を高める（画素ピッチを狭める）上での課題となっていた。
【０００８】
したがって、本発明は上述した従来の実状に鑑みて創案されたものであり、消費電力の低減と開口率の向上を同時に図ることができる電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成する本発明に係る電気光学装置は、複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数のＥＬ駆動用電源線と、複数の画素とを有する電気光学装置において、前記複数の画素は選択用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、発光素子とを夫々有しており、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側と夫々接続されており、前記ＳＲＡＭの出力側と、前記発光素子とは電気的に直接接続されており、前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記選択用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデータ信号を、次のデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする。
【００１０】
これによれば、画素毎に設けられたＳＲＡＭにより、ソース信号線より入力されたデータ信号は電源を切らない限り、次のデータが入力されるまで保持される。したがって、静止画表示中における省電力化を図ることができる。また、図８に示される従来の構成に対して、ＥＬ駆動用ＴＦＴを用いない分だけ開口率を高めることが可能となる。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学装置は、複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源供給線と、複数の画素とを有する電気光学表示装置において、前記複数の画素は選択用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、発光素子とを夫々有しており、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側と夫々接続されており、前記ＳＲＡＭの出力側と、前記発光素子とは電気的に直接接続されており、所定の画像表示を行うための１フレーム期間は個々に発光時間を指定するｎ個（ｎは自然数）のサブフレームより構成され、前記サブフレームは、前記発光期間が１階調、２階調、４階調、８階調、…、２^ｎ−１階調の輝度に夫々対応しており、前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記選択用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデータ信号を、次のデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする。
【００１２】
これによれば、低消費電力化と高開口率化を図ることができると同時に、前記１フレーム期間を構成する前記ｎ個のサブフレーム毎に発光素子の発光・非発光を制御できることから、発光させるサブフレームを適宜選択することで２^ｎ階調の中間調を表現することが可能となる。
【００１３】
また、本発明に係る電気光学装置において、前記ＳＲＡＭは、ｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとにより構成される２組のインバータ回路を有しており、前記２組のインバータ回路において、一方のインバータ回路の入力部は、他方のインバータ回路の出力部と夫々接続されており、前記２組のインバータ回路のうち、前記一方のインバータ回路の入力部は、前記データ信号が入力される入力側であり、前記他方のインバータ回路の入力部は、前記発光素子と接続される出力側であることを特徴とする。
【００１４】
これによれば、前記入力側より供給されるデータ信号は、前記２組のインバータ回路によって、電源を切らない限り、次のデータが入力されるまで保持される。したがって、静止画表示中における省電力化を図ることができる。
【００１５】
また、本発明に係る電気光学装置において、前記２組のインバータ回路のうち、前記データ信号が入力される一方のインバータ回路の駆動能力を、他方のインバータ回路の駆動能力よりも高めたことを特徴とする。
【００１６】
これによれば、前記２組のインバータ回路が保持する前記ＳＲＡＭの入力側と出力側の電位のうち、発光素子に供給される前記ＳＲＡＭの出力側を優先的に定めることができる。その結果、ＳＲＡＭ書き換え動作の安定化を図ることが可能となる。
【００１７】
また、本発明に係る電気光学装置において、前記発光素子はＥＬ素子であり、また前記電源線はＥＬ駆動用電源線であり、前記２組のインバータ回路に供給する高電圧側電源に、前記ＥＬ駆動用電源線を用いたことを特徴とする。
【００１８】
これによれば、前記インバータ回路に供給する高電位側電源を削減することができる。したがって、上記高電位側電源が占有していた面積をＥＬ素子の発光領域として活用できる為、さらなる高開口率化が可能となる。
【００１９】
また、本発明に係る電気光学装置において、前記ＥＬ素子は、発光層が有機材料で構成されていることを特徴とする。
【００２０】
これによれば、ＥＬ素子として有機材料を用いることにより、赤色、緑色、青色の各色に発光するＥＬ素子を組み合わせたフルカラーの表示装置が提供される。
【００２１】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源線と、複数の画素とを有する電気光学装置において、前記複数の画素は選択用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、発光素子とを夫々有しており、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側と夫々接続されており、前記ＳＲＡＭの出力側と、前記発光素子とは電気的に直接接続されており、前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記選択用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデータ信号を、次のデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする。
【００２２】
これによれば、画素毎に設けられたＳＲＡＭにより、ソース信号線より入力されたデータ信号は電源を切らない限り、次のデータが入力されるまで保持される。したがって、静止画表示中における省電力化を図ることができる。また、図８に示される従来の構成に対して、ＥＬ駆動用ＴＦＴを用いない分だけ開口率を高めることが可能となる。
【００２３】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源供給線と、複数の画素とを有する電気光学装置において、前記複数の画素は選択用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、発光素子とを夫々有しており、前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側と夫々接続されており、前記ＳＲＡＭの出力側と、前記発光素子とは電気的に直接接続されており、所定の画像表示を行うための１フレーム期間は個々に発光時間を指定するｎ個（ｎは自然数）のサブフレームより構成され、前記サブフレームは、前記発光期間が１階調、２階調、４階調、８階調、…、２^ｎ−１階調の輝度に夫々対応しており、前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記選択用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデータ信号を、次のデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする。
【００２４】
これによれば、低消費電力化と高開口率化を図ることができると同時に、前記１フレーム期間を構成する前記ｎ個のサブフレーム毎に発光素子の発光・非発光を制御できることから、発光させるサブフレームを適宜選択することで２^ｎ階調の中間調を表現することが可能となる。
【００２５】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法において、前記ＳＲＡＭは、ｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとにより構成される２組のインバータ回路を有しており、前記２組のインバータ回路において、一方のインバータ回路の入力部は、他方のインバータ回路の出力部と夫々接続されており、前記２組のインバータ回路のうち、前記一方のインバータ回路の入力部は、前記データ信号が入力される入力側であり、前記他方のインバータ回路の入力部は、前記発光素子と接続される出力側であることを特徴とする。
【００２６】
これによれば、前記入力側より供給されるデータ信号は、前記２組のインバータ回路によって、電源を切らない限り、次のデータが入力されるまで保持される。したがって、静止画表示中における省電力化を図ることができる。
【００２７】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法において、前記２組のインバータ回路のうち、前記データ信号が入力される一方のインバータ回路の駆動能力を、他方のインバータ回路の駆動能力よりも高めたことを特徴とする。
【００２８】
これによれば、前記２組のインバータ回路が保持する前記ＳＲＡＭの入力側と出力側の電位のうち、発光素子に供給される前記ＳＲＡＭの出力側を優先的に定めることができる。その結果、ＳＲＡＭ書き換え動作の安定化を図ることが可能となる。
【００２９】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法において、前記発光素子はＥＬ素子であり、また前記電源線はＥＬ駆動用電源線であり、前記２組のインバータ回路に供給する高電圧側電源に、前記ＥＬ駆動用電源線を用いたことを特徴とする。
【００３０】
これによれば、前記インバータ回路に供給する高電位側電源を削減することができる。したがって、上記高電位側電源が占有していた面積をＥＬ素子の発光領域として活用できる為、さらなる高開口率化が可能となる。
【００３１】
また、本発明に係る電気光学装置の駆動方法において、前記ＥＬ素子は、発光層が有機材料で構成されていることを特徴とする。
【００３２】
これによれば、ＥＬ素子として有機材料を用いることにより、赤色、緑色、青色の各色に発光するＥＬ素子を組み合わせたフルカラーの表示装置が提供される。
【００３３】
また、本発明に係る電子機器は、請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学表示装置を備えていることを特徴とする。この電子機器においては、前記の特徴を有する電気光学装置を備えるため、低消費電力であり且つ高開口率の電子機器を実現することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。例えば本発明の実施の形態においては、発光素子として、自発光素子であるＥＬ素子を用いた例を示すが、非自発光素子である他の発光手段を備えた液晶素子を用いた場合にも適用が可能であることは言うまでもない。つまり本発明は、特有の回路構成により低消費電力および高開口率化を図るものであり、光を視認者へ向けて発光する発光手段としてはＥＬ素子や液晶素子等様々なものが考えれらる。
【００３５】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態では、本発明に係る電気光学装置及びその駆動方法について説明する。
【００３６】
図１に本発明の電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイのブロック図を示す。
【００３７】
図１において、有機ＥＬディスプレイ１０は、画素部１１、ソース信号線駆動回路１２、ゲート信号線駆動回路１３、制御回路１４を有している。
【００３８】
有機ＥＬディスプレイ１０の各要素１１〜１４は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていても良い。例えば、各要素１２〜１４が１チップの半導体集積回路によって構成されていても良い。また、各要素１１〜１４の全部若しくは一部が一体となった電子部品として構成されていても良い。例えば、画素部１１に、ソース信号線駆動回路１２及びゲート信号線駆動回路１３とが一体的に形成されていても良い。各構成要素１２〜１４の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されても良い。
【００３９】
なお、本実施の形態で有機ＥＬディスプレイ１０はソース信号線駆動回路１２とゲート信号線駆動回路１３とをひとつずつ有しているが、本発明において、ソース信号線駆動回路１２は２つあっても良い。また、ゲート信号線駆動回路も２つあっても良い。
【００４０】
画素部１１には、データ信号を入力するソース信号線Ｘ１〜Ｘｉ（ｉは自然数）、ゲート信号を入力するゲート信号線Ｙ１〜Ｙｊ（ｊは自然数）、ＥＬ駆動用電源線Ｖ１〜Ｖｉが設けられている。また、画素部１１にはマトリクス状に複数の画素２０が配列される。各画素内に形成される後記するトランジスタは、通常は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成している。
【００４１】
図２に画素２０の拡大図を示す。図２において、２１は選択用ＴＦＴである。選択用ＴＦＴ２１のゲート電極は、ゲート信号を入力するゲート信号線Ｙ１〜Ｙｊのうちの１つであるゲート信号線２２に接続されている。選択用ＴＦＴ２１のソース領域とドレイン領域は、一方がデータ信号を入力するソース信号線Ｘ１〜Ｘｉのうちの１つであるソース信号線２３に、他方がＳＲＡＭ２４の入力側に接続されている。ＳＲＡＭ２４の出力側はＥＬ素子２５に接続されている。
【００４２】
ＥＬ素子２５は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられたＥＬ層とからなる。なお、本実施の形態ではＥＬ素子２５は有機材料により構成されているが、無機材料により構成されても良い。また、ＥＬ層に燐光発光材料を用いても良い。
【００４３】
次に本発明において用いられるＳＲＡＭの構成について説明する。図２において、ＳＲＡＭ２４はｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴを２つずつ有しており、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域は、電源線であるＥＬ駆動用電源線２６に、ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域は低電圧側の電源Ｖｓｓにそれぞれ接続されている。ここで、ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域にＥＬ駆動用電源線２６を供給することにより、ＥＬ素子２５にＥＬ駆動用電源線２６の電位を印加することを可能としている。さらに、高電圧側の電源Ｖｄｄを用いた場合に比べ、配線領域を削減することができる。
【００４４】
上記ＳＲＡＭ２４において、１つのｐチャネル型ＴＦＴと１つのｎチャネル型ＴＦＴとが対になっており、１つのＳＲＡＭの中にｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとの対が２組存在することになる。対になったｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴは、そのドレイン領域が互いに接続されている。そして互いに、一方の、対になっているｐチャネル型ＴＦＴ及びｎチャネル型ＴＦＴのドレイン領域が、他方の、対になっているｐチャネル型ＴＦＴ及びｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極と同じ電位に保たれている。そして、一方の、対になっているｐチャネル型ＴＦＴ及びｎチャネル型ＴＦＴのドレイン領域は入力の信号Ｖｉｎが入る入力側であり、他方の、対になっているｐチャネル型ＴＦＴ及びｎチャネル型ＴＦＴのドレイン領域は出力の信号Ｖｏｕｔが出力される出力側である。
【００４５】
ＳＲＡＭ２４はＶｉｎを保持し、Ｖｉｎを反転させた信号であるＶｏｕｔを出力するように設計されている。つまり、ＶｉｎがＨｉだとＶｏｕｔはＶｓｓ相当のＬｏの信号となり、ＶｉｎがＬｏだとＶｏｕｔはＥＬ供給電源線２６相当のＨｉの信号となる。
【００４６】
次に本発明の有機ＥＬディスプレイの駆動について説明する。
【００４７】
図１において、ゲート信号線駆動回路１３は、前記複数のゲート信号線Ｙ１〜Ｙｊの中の１本を選択、即ちゲート信号を出力してその選択されたゲート信号線に接続された画素２０群を駆動するための回路である。ゲート信号線駆動回路１３は、制御回路１４からの各種信号に基づいてＹ１〜Ｙｊに対して所定のタイミングでゲート信号ＳＣ１〜ＳＣｊをそれぞれ出力する。具体的には、ゲート信号線駆動回路１３は、１フレームの画像を表示するために、１フレーム期間において、各ゲート信号線Ｙ１〜Ｙｊを順番に選択するようにゲート信号ＳＣ１〜ＳＣｊを順番に生成し出力している。
【００４８】
ソース信号線駆動回路１２は、前記各ソース信号線Ｘ１〜Ｘｉに対するデータＶＤＡＴＡ１〜ＶＤＡＴＡｉを生成し、それぞれ対応するソース信号線Ｘ１〜Ｘｉに出力する。ソース信号線駆動回路１２は、前記データＶＤＡＴＡ１〜ＶＤＡＴＡｉを前記ゲート信号ＳＣ１〜ＳＣｊに同期して出力する。つまり、前記ゲート信号線駆動回路１３が１つのゲート線にゲート信号を出力した時、ソース信号線駆動回路１２はその選択されたゲート線上の各画素２０に対するデータＶＤＡＴＡ１〜ＶＤＡＴＡｉを出力する。
【００４９】
制御回路１４は、図示しない外部装置から画像データＤを入力し、同画像データＤに基づいてデータＶＤＡＴＡ１〜ＶＤＡＴＡｉを生成する。また、制御回路１４はスタートパルス信号ＤＩＮＹ、クロック信号ＣＬＫＸ、ＣＬＫＹを生成する。スタートパルス信号ＤＩＮＹは、１フレーム期間において最初のゲート信号線の選択開始を実行させるために一定時間だけＨｉレベルに立ち上がる信号であって、前記ゲート信号線駆動回路１３及びソース信号線駆動回路１２に出力される。
【００５０】
クロック信号ＣＬＫＹは、前記ゲート信号線駆動回路１３に出力され、ゲート信号線駆動回路１３において生成されるゲート信号線を順番に選択するためのゲート信号ＳＣ１〜ＳＣｊを順番に出力させるタイミングを決定する信号である。
【００５１】
クロック信号ＣＬＫＸは、前記クロック信号ＣＬＫＹと同期した信号であって、前記ソース信号線駆動回路１２に出力される。クロック信号ＣＬＫＸは、１フレーム期間において各ゲート信号ＳＣ１〜ＳＣｊにてゲート信号線Ｙ１〜Ｙｊがそれぞれ選択される毎に、その選択されたゲート信号線上の各画素２０に対してそれぞれソース信号線Ｘ１〜Ｘｉを介してデータＶＤＡＴＡ１〜ＶＤＡＴＡｉを出力するタイミングを決定する信号である。
【００５２】
次に、上記のように構成した有機ＥＬディスプレイ１０の画素２０の作用を、図２を用いて説明する。
【００５３】
まず、ゲート信号線Ｙ１〜Ｙｊのうちの１つであるゲート信号線２２に入力されるゲート信号によって、ゲート信号線２２が選択される。よって、ゲート信号線２２にゲート電極が接続されている全ての選択用ＴＦＴ２１が、オンの状態になる。そして全てのソース信号線Ｘ１〜Ｘｉに、一斉にデータ信号が入力される。データ信号は「０」または「１」の情報を有するデジタルデータ信号であり、「０」または「１」のデータ信号がそれぞれＨｉまたはＬｏのいずれかの電圧を有する信号を意味している。
【００５４】
そして、ソース信号線Ｘ１〜Ｘｉのうちの１つであるソース信号線２３に入力されたデータ信号は、オンの状態の選択用ＴＦＴ２１を介してＳＲＡＭ２４にＶｉｎとして入力され保持される。なおＳＲＡＭに入力されるデータ信号を入力データ信号と呼ぶ。
【００５５】
ＳＲＡＭ２４において保持されたデータ信号は、ＳＲＡＭ２４からＶｏｕｔとして出力される。ＶｏｕｔとしてＳＲＡＭから出力されたデータ信号を出力データ信号と呼ぶ。出力データ信号は、入力データ信号が反転した信号である。出力データ信号はＥＬ素子２５に入力される。
【００５６】
入力データ信号が「１」の情報を有していた場合、出力データ信号は「０」の情報を有することになる。本実施の形態では「０」の情報を有する出力データ信号がＥＬ素子２５に入力すると、ＥＬ素子を構成する陽極と陰極が同電位となる。その結果、「１」の情報を有するデジタルデータ信号が印加された画素が有するＥＬ素子２５は発光しない。
【００５７】
逆に、入力データ信号が「０」の情報を有していた場合、出力データ信号は「１」の情報を有することになる。本実施の形態では「１」の情報を有する出力データ信号がＥＬ素子２５に入力すると、ＥＬ素子にＥＬ駆動用電源２６の電位が供給される。従って、ＥＬ素子を構成する陽極と陰極にＥＬ素子が発光する程度の電位差が生じる。その結果、「０」の情報を有するデジタルデータ信号が印加された画素が有するＥＬ素子２５は発光する。
【００５８】
このようにデータ信号が有する情報によって、ＥＬ素子２５の発光または非発光状態が選択される。そして、画素毎に設けられたＳＲＡＭ２４により、ソース信号線２３より入力されたデータ信号は電源を切らない限り、次のデータが入力されるまで保持される。これにより、ＥＬ素子２５の発光または非発光の状態が保持される。したがって、静止画表示中における省電力化を図ることができる。また、図８に示される従来の構成に対して、ＥＬ駆動用ＴＦＴ及び高電圧側の電源Ｖｄｄを用いない分だけ開口率を高めることが可能となる。
【００５９】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態では、第１の実施の形態の変形例であり、所定の画像表示を行うための１フレーム期間を複数のサブフレームに分割した電気光学装置及びその駆動方法について説明する。ここでは、６ビットの時分割階調方式により、２^６＝６４階調の表示を行う場合について説明する。なお、本実施の形態における電気光学装置は、図１及び図２に示される構成を有している。
【００６０】
図３に本発明の電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイの時分割階調方式におけるタイミングチャートを示す。まず、１フレーム期間を６個のサブフレーム期間ＳＦ１〜ＳＦ６に分割する。各サブフレーム期間の長さは、ＳＦ１：ＳＦ２：ＳＦ３：ＳＦ４：ＳＦ５：ＳＦ６＝１：２：４：８：１６：３２となるように設定している。
【００６１】
そして、「７」の輝度階調を得る場合には、第１〜第３サブフレームＳＦ１〜ＳＦ３の時に、上述したように、「０」の情報を有するデジタルデータ信号を画素２０に印加してＥＬ素子２５を発光させ、第４〜第６サブフレームＳＦ４〜ＳＦ６の時に、「１」の情報を有するデジタルデータ信号を画素２０に印加してＥＬ素子２５を非発光とする。
【００６２】
また、「３２」の輝度階調を得る場合には、第６サブフレームＳＦ６の時に、「０」の情報を有するデジタルデータ信号を画素２０に印加してＥＬ素子２５を発光させ、第１〜第５サブフレームＳＦ１〜ＳＦ５の時に、「１」の情報を有するデジタルデータ信号を画素２０に印加してＥＬ素子２５を非発光とする。
【００６３】
さらに、「４４」の輝度階調を得る場合には、第３、第４及び第６サブフレームＳＦ３、ＳＦ４、ＳＦ６の時に、「０」の情報を有するデジタルデータ信号を画素２０に印加してＥＬ素子２５を発光させ、第１、第２及び第５サブフレームＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ５の時に、「１」の情報を有するデジタルデータ信号を画素２０に印加してＥＬ素子２５を非発光とする。
【００６４】
このようにして、１フレーム期間を構成するサブフレーム毎にＥＬ素子の発光・非発光を制御できることから、発光させるサブフレームを適宜選択することで中間調を表現することが可能となる。また同時に、第１の実施の形態で述べた通り、低消費電力化と高開口率化も図られる。
【００６５】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態では、第１の実施の形態の変形例であり、ＳＲＡＭを構成する２組のインバータ回路の駆動能力を異ならせた電気光学装置及びその駆動方法について説明する。
【００６６】
図４に本発明において用いられているＳＲＡＭの回路図を、トランジスタレベル（図４（Ａ））及びゲートレベル（図４（Ｂ））にて示す。前述の通り、ＳＲＡＭはｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとにより構成される２組のインバータ回路を有している。そして、前記２組のインバータ回路において、一方のインバータ回路の入力部は、他方のインバータ回路の出力部と夫々接続されており、前記２組のインバータ回路のうち、一方のインバータ回路の入力部は、データ信号が入力されるＳＲＡＭの入力側（Ｖｉｎ）であり、他方のインバータ回路の入力部は、前記ＥＬ素子と接続されるＳＲＡＭの出力側（Ｖｏｕｔ）となっている。なお、図４において、前記データ信号が入力される一方のインバータ回路をＩＮＶａ４１、もう一方である他方のインバータ回路をＩＮＶｂ４２とする。
【００６７】
ここで、本発明に用いられるＳＲＡＭは単一ビット線入力であることから、データ書き込み時の安定動作を図るために、前記２組のインバータ回路のうち、データ信号が入力される一方のインバータ回路ＩＮＶａの駆動能力を、もう一方のインバータ回路ＩＮＶｂの駆動能力よりも高める構成とした。具体的には、インバータ回路ＩＮＶａを構成するＴＦＴのチャネル長Ｌとチャネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌ（ＩＮＶａ）を、インバータ回路ＩＮＶｂを構成するＴＦＴの比Ｗ／Ｌ（ＩＮＶｂ）よりも大きくした。
【００６８】
このような構成を採るとき、ＳＲＡＭへのデータ入力の際に、駆動能力を高めたインバータ回路ＩＮＶａによりＳＲＡＭの出力側Ｖｏｕｔが優先的に定まる。したがって、ＳＲＡＭが保持しているデータの書き換えに要する時間が短縮されることが期待される。
【００６９】
このことを確認するために、ＳＲＡＭを構成する前記２組のインバータ回路の駆動能力の比をＷ／Ｌ（ＩＮＶａ）：Ｗ／Ｌ（ＩＮＶｂ）＝２：１、１：１、０．５：１と異ならせて、ＳＲＡＭのデータ書き換え動作を回路シミュレーションにより計算したところ、図５に示す結果が得られた。
【００７０】
図５において、横軸は時間（μｓ）、縦軸は電圧（Ｖ）であり、ＳＲＡＭ出力部ＶｏｕｔにおいてＨｉを保持している状態において、入力データＶｉｎによりＳＲＡＭ出力部ＶｏｕｔをＬｏに書き換える場合の過渡応答を示したものである。なお、図示しないが、ゲート線信号により選択用ＴＦＴ２１が選択されている時間は、入力データＶｉｎが立ち上がってから立ち下がる前までである。図５より、ＳＲＡＭを構成する２組のインバータ回路の駆動能力が等しい場合に比べ、データ信号が入力される一方のインバータ回路ＩＮＶａの駆動能力を、もう一方のインバータ回路ＩＮＶｂの駆動能力よりも高めた場合、データの書き換えに要する時間が短縮されていることが確認される。また反対に、データ信号が入力される一方のインバータ回路ＩＮＶａの駆動能力を、もう一方のインバータ回路ＩＮＶｂの駆動能力よりも低くした場合、データの書き換えに要する時間は増大する結果となった。なお、前記駆動能力の比は、上述の値に限定されるものではなく、Ｗ／Ｌ（ＩＮＶａ）：Ｗ／Ｌ（ＩＮＶｂ）＝１０：１まで駆動能力を異ならせた場合においても、十分に安定した動作が確認された。
【００７１】
以上述べたように、前記２組のインバータ回路のうち、前記データ信号が入力される一方のインバータ回路の駆動能力を、もう一方のインバータ回路の駆動能力よりも高めることにより、前記２組のインバータ回路が保持する前記ＳＲＡＭの入力側と出力側の電位のうち、ＥＬ素子に供給される前記ＳＲＡＭの出力側を優先的に定めることができる。その結果、ＳＲＡＭ書き換え動作の安定化を図ることが可能となる。
【００７２】
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態では、本発明に係る電子機器について説明する。図６及び図７は、本発明に係る電子機器の具体例を示したものであり、本発明に係る電気光学装置を備えて構成されるものである。
【００７３】
図６は、本発明に係る電気光学装置が搭載された携帯型パーソナルコンピュータ６０であり、当該携帯型パーソナルコンピュータ６０は、キーボード６１、本体部６２、電気光学装置（表示パネル）６３を備えて構成されている。本発明に係る電気光学装置は、前記表示パネル６３に適用される。
【００７４】
図７は、本発明に係る電気光学装置が搭載された携帯電話７０であり、当該携帯電話７０は、複数の操作ボタン７１、受話口７２、送話口７３、電気光学装置（表示パネル）７４を備え構成されている。本発明に係る電気光学装置は、前記表示パネル７４に適用される。
【００７５】
以上のような電子機器は、本発明に係る電気光学装置を備えている。そして、この電気光学装置によれば、低消費電力であり且つ高開口率の電気光学装置が実現されている。したがって、本発明に係る電子機器においては、高品質な電子機器が実現されている。
【００７６】
なお、本発明に係る電気光学装置は、上記の電子機器に限らず、あらゆる電子機器に適用可能である。例えば、上記の他にも、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、プロジェクター、腕時計、ＩＣカード、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイなどにも適用可能であり、高品質な電子機器が実現可能である。
【００７７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、消費電力の低減と開口率の向上を同時に図ることができる電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態における有機ＥＬディスプレイのブロック図である。
【図２】第１の実施の形態における有機ＥＬディスプレイの画素の拡大図である。
【図３】第２の実施の形態における有機ＥＬディスプレイの時分割駆動方式におけるタイミングチャートである。
【図４】第３の実施の形態におけるＳＲＡＭの回路図であり、図３（ａ）はトランジスタレベル、図３（ｂ）はゲートレベルである。
【図５】第３の実施の形態におけるＳＲＡＭの書き換え動作の回路シミュレーション結果である。
【図６】第４の実施の形態における電子機器の例であり、携帯型パーソナルコンピュータを示す図である。
【図７】第４の実施の形態における電子機器の例であり、携帯電話を示す図である。
【図８】従来の有機ＥＬディスプレイの画素の構成図である。
【符号の説明】
Ｄ諧調データとしての画像データ
Ｖ１〜ＶｉＥＬ駆動用電源線
Ｙ１〜Ｙｊゲート信号線
Ｘ１〜Ｘｉソース信号線
ＳＦ１第１サブフレーム
ＳＦ２第２サブフレーム
ＳＦ３第３サブフレーム
ＳＦ４第４サブフレーム
ＳＦ５第５サブフレーム
ＳＦ６第６サブフレーム
１０電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ
１１画素部
１２ソース信号線駆動回路
１３ゲート信号線駆動回路
１４制御回路
２０画素
２１選択用ＴＦＴ
２２ゲート信号線
２３信号線
２４ＳＲＡＭ
２５ＥＬ素子
２６ＥＬ駆動用電源線
４１、４２インバータ回路
６０電子機器としての携帯型パーソナルコンピュータ
７０電子機器としての携帯電話[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electro-optical device, a driving method of the electro-optical device, and an electronic apparatus.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art Conventionally, as an electro-optical device, for example, there is an electro-optical display device such as an organic EL (Electro Luminescence) display device. This organic EL display device has attracted attention as a display device of a portable electronic device such as a mobile phone, a PDA (Personal Digital Assistant), and a notebook computer because of its high image quality.
[0003]
Since the portable electronic device generally uses a rechargeable battery as a power supply, it is required that the portable electronic device can be used for a long time without a power supply. Therefore, it is necessary to reduce the power consumption of each device constituting the electronic device. Therefore, it is necessary to reduce the power consumption of the organic EL display device mounted on these electronic devices.
[0004]
As a method for reducing power consumption in an electro-optical display device, a document shown in Non-Patent Document 1 below provides an SRAM (Static Random Access Memory) which is a volatile memory for each pixel constituting the display device. A method is disclosed.
[0005]
More specifically, as a method of incorporating an SRAM in a pixel of an electro-optical display device, as shown in FIG. A TFT, an SRAM, an EL driving TFT, and an EL element. One of a source region and a drain region of the selection TFT is connected to an input side of the SRAM, and an output side of the SRAM is connected to the output side of the SRAM. An electro-optical device in which a gate electrode of an EL driving TFT is connected is disclosed.
[0006]
[Non-patent document 1]
"Concept of a System on Panel" (Y. Matsuda, 2 others, IDW'00, p. 171-174)
[Patent Document 1]
JP 2001-222256 A (page 1 to page 2)
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the method described in Patent Document 1, generally, two n-channel TFTs and two p-channel TFTs are used as SRAMs in addition to a selection TFT and an EL driving TFT necessary for driving an EL element. Must be provided for each pixel. For this reason, the number of TFTs required for each pixel is six, and the occupied area is large. Therefore, there is a problem that the aperture ratio, which is an important characteristic for a display device, is reduced. Further, the above problem has been a problem in increasing the definition of the display device (narrowing the pixel pitch).
[0008]
Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional situation, and provides an electro-optical device, a driving method of the electro-optical device, and an electronic apparatus which can simultaneously reduce power consumption and improve an aperture ratio. The purpose is to do.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
An electro-optical device according to the present invention that achieves the above object includes an electro-optical device having a plurality of source signal lines, a plurality of gate signal lines, a plurality of EL driving power lines, and a plurality of pixels. The plurality of pixels each include a selection TFT, an SRAM, and a light emitting element. One of a source region and a drain region of the selection TFT is one of the plurality of source signal lines and the other is a source region and a drain region. The input side of the SRAM is connected to the input side of the SRAM, and the output side of the SRAM is electrically connected directly to the light emitting element. The SRAM is connected to the selection TFT from one of the plurality of source signal lines. And holds the data signal input to the SRAM through the SRAM until the next data signal is input to the SRAM.
[0010]
According to this, the data signal input from the source signal line is held by the SRAM provided for each pixel until the next data is input unless the power is turned off. Therefore, power saving during still image display can be achieved. Further, as compared with the conventional configuration shown in FIG. 8, the aperture ratio can be increased by not using the EL driving TFT.
[0011]
Further, in the electro-optical device according to the present invention, in the electro-optical display device including a plurality of source signal lines, a plurality of gate signal lines, a plurality of power supply lines, and a plurality of pixels, the plurality of pixels are selected. A source region and a drain region of the selection TFT, one of which is one of the plurality of source signal lines, and the other is a source region and a drain region of the selection TFT. The output side of the SRAM and the light emitting element are electrically connected directly to each other, and one frame period for performing a predetermined image display individually specifies n light emitting times (n Is a natural number), and in the sub-frame, the light emission period is one gradation, two gradations, four gradations, eight gradations,. ^n-1 Each of the SRAMs corresponds to a luminance of a gradation, and the SRAM transfers a data signal input from one of the plurality of source signal lines to the SRAM via the selection TFT, and a next data signal to the SRAM. It is characterized in that it is held until input.
[0012]
According to this, it is possible to achieve low power consumption and high aperture ratio, and at the same time, it is possible to control light emission / non-light emission of the light emitting element for each of the n sub-frames constituting the one frame period. By appropriately selecting the subframe to be ⁿ It is possible to express a halftone of a gradation.
[0013]
In the electro-optical device according to the present invention, the SRAM has two sets of inverter circuits each including a p-channel TFT and an n-channel TFT. An input section of the inverter circuit is connected to an output section of the other inverter circuit, and an input section of the one of the two sets of inverter circuits is connected to an input side to which the data signal is input. The input section of the other inverter circuit is an output side connected to the light emitting element.
[0014]
According to this, the data signal supplied from the input side is held by the two sets of inverter circuits until the next data is input unless the power is turned off. Therefore, power saving during still image display can be achieved.
[0015]
Further, in the electro-optical device according to the present invention, a driving capability of one of the two sets of inverter circuits to which the data signal is input is higher than a driving capability of the other inverter circuit. And
[0016]
According to this, the output side of the SRAM supplied to the light emitting element can be preferentially determined from the potentials on the input side and output side of the SRAM held by the two sets of inverter circuits. As a result, the SRAM rewrite operation can be stabilized.
[0017]
Further, in the electro-optical device according to the present invention, the light emitting element is an EL element, the power supply line is an EL drive power supply line, and the high voltage side power supply supplied to the two sets of inverter circuits includes the EL element. A driving power supply line is used.
[0018]
According to this, it is possible to reduce the power supply on the high potential side supplied to the inverter circuit. Therefore, the area occupied by the high-potential-side power supply can be used as a light-emitting region of the EL element, so that a higher aperture ratio can be achieved.
[0019]
Further, in the electro-optical device according to the present invention, the EL element is characterized in that the light emitting layer is made of an organic material.
[0020]
According to this, by using an organic material as the EL element, a full-color display device in which EL elements emitting red, green, and blue light are combined is provided.
[0021]
Further, in the electro-optical device driving method according to the present invention, in the electro-optical device including a plurality of source signal lines, a plurality of gate signal lines, a plurality of power lines, and a plurality of pixels, the plurality of pixels are A selection TFT, an SRAM, and a light-emitting element are respectively provided. One of a source region and a drain region of the selection TFT is one of the plurality of source signal lines and the other is an input side of the SRAM. Respectively, and the output side of the SRAM and the light emitting element are electrically connected directly, and the SRAM is connected to the source signal line from one of the plurality of source signal lines via the selection TFT. The data signal input to the SRAM is held until the next data signal is input to the SRAM.
[0022]
According to this, the data signal input from the source signal line is held by the SRAM provided for each pixel until the next data is input unless the power is turned off. Therefore, power saving during still image display can be achieved. Further, as compared with the conventional configuration shown in FIG. 8, the aperture ratio can be increased by not using the EL driving TFT.
[0023]
Further, in the electro-optical device driving method according to the present invention, the electro-optical device includes a plurality of source signal lines, a plurality of gate signal lines, a plurality of power supply lines, and a plurality of pixels. Has a selection TFT, an SRAM, and a light emitting element. One of a source region and a drain region of the selection TFT has one of the plurality of source signal lines and the other has an input of the SRAM. The output side of the SRAM and the light emitting element are electrically connected directly to each other, and one frame period for performing a predetermined image display is n times each individually specifying a light emitting time. (N is a natural number), and in the sub-frame, the light emission period is one gradation, two gradations, four gradations, eight gradations,. ^n-1 Each of the SRAMs corresponds to a luminance of a gradation, and the SRAM transfers a data signal input from one of the plurality of source signal lines to the SRAM via the selection TFT, and a next data signal to the SRAM. It is characterized in that it is held until input.
[0024]
According to this, it is possible to achieve low power consumption and high aperture ratio, and at the same time, it is possible to control light emission / non-light emission of the light emitting element for each of the n sub-frames constituting the one frame period. By appropriately selecting the subframe to be ⁿ It is possible to express a halftone of a gradation.
[0025]
In the method of driving an electro-optical device according to the present invention, the SRAM has two sets of inverter circuits each including a p-channel TFT and an n-channel TFT. The input section of one of the inverter circuits is connected to the output section of the other inverter circuit, and the input section of the one of the two inverter circuits receives the data signal. It is an input side, and an input part of the other inverter circuit is an output side connected to the light emitting element.
[0026]
According to this, the data signal supplied from the input side is held by the two sets of inverter circuits until the next data is input unless the power is turned off. Therefore, power saving during still image display can be achieved.
[0027]
Further, in the driving method of the electro-optical device according to the present invention, the driving capability of one of the two sets of inverter circuits to which the data signal is input is higher than the driving capability of the other inverter circuit. It is characterized by the following.
[0028]
According to this, the output side of the SRAM supplied to the light emitting element can be preferentially determined from the potentials on the input side and output side of the SRAM held by the two sets of inverter circuits. As a result, the SRAM rewrite operation can be stabilized.
[0029]
Further, in the driving method of the electro-optical device according to the present invention, the light emitting element is an EL element, and the power supply line is a power supply line for EL driving, and the power supply line is a high voltage side power supply supplied to the two sets of inverter circuits. , Wherein the EL drive power supply line is used.
[0030]
According to this, it is possible to reduce the power supply on the high potential side supplied to the inverter circuit. Therefore, the area occupied by the high-potential-side power supply can be used as a light-emitting region of the EL element, so that a higher aperture ratio can be achieved.
[0031]
Further, in the driving method of the electro-optical device according to the present invention, the EL element is characterized in that the light emitting layer is made of an organic material.
[0032]
According to this, by using an organic material as the EL element, a full-color display device in which EL elements emitting red, green, and blue light are combined is provided.
[0033]
Further, an electronic apparatus according to the present invention includes the electro-optical display device according to any one of claims 1 to 6. Since this electronic device includes the electro-optical device having the above-described features, it is possible to realize an electronic device with low power consumption and a high aperture ratio.
[0034]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to the following description, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention. For example, in the embodiments of the present invention, an example in which an EL element which is a self-luminous element is used as a light-emitting element is shown. However, a liquid crystal element including another light-emitting means which is a non-self-luminous element is also used. It goes without saying that the application is possible. That is, the present invention achieves low power consumption and high aperture ratio by a specific circuit configuration, and various light emitting means such as an EL element and a liquid crystal element can be considered as light emitting means for emitting light toward a viewer. .
[0035]
(First Embodiment)
In the first embodiment, an electro-optical device according to the present invention and a driving method thereof will be described.
[0036]
FIG. 1 shows a block diagram of an organic EL display as an electro-optical device of the present invention.
[0037]
In FIG. 1, an organic EL display 10 includes a pixel section 11, a source signal line drive circuit 12, a gate signal line drive circuit 13, and a control circuit 14.
[0038]
Each of the elements 11 to 14 of the organic EL display 10 may be configured by an independent electronic component. For example, each of the elements 12 to 14 may be configured by a one-chip semiconductor integrated circuit. Further, all or a part of each of the elements 11 to 14 may be configured as an integrated electronic component. For example, the source signal line drive circuit 12 and the gate signal line drive circuit 13 may be formed integrally with the pixel portion 11. All or a part of each of the constituent elements 12 to 14 may be configured by a programmable IC chip, and the functions thereof may be realized in software by a program written in the IC chip.
[0039]
In the present embodiment, the organic EL display 10 has one source signal line drive circuit 12 and one gate signal line drive circuit 13, but in the present invention, there are two source signal line drive circuits 12. Is also good. Further, there may be two gate signal line driving circuits.
[0040]
The pixel portion 11 includes source signal lines X1 to Xi (i is a natural number) for inputting data signals, gate signal lines Y1 to Yj (j is a natural number) for inputting gate signals, and power supply lines V1 to Vi for EL driving. Have been. In the pixel section 11, a plurality of pixels 20 are arranged in a matrix. The later-described transistor formed in each pixel is usually constituted by a thin film transistor (TFT).
[0041]
FIG. 2 shows an enlarged view of the pixel 20. In FIG. 2, reference numeral 21 denotes a selection TFT. The gate electrode of the selection TFT 21 is connected to a gate signal line 22, which is one of the gate signal lines Y1 to Yj for inputting a gate signal. One of the source region and the drain region of the selection TFT 21 is connected to the source signal line 23 which is one of the source signal lines X1 to Xi for inputting the data signal, and the other is connected to the input side of the SRAM 24. The output side of the SRAM 24 is connected to the EL element 25.
[0042]
The EL element 25 includes an anode and a cathode, and an EL layer provided between the anode and the cathode. In this embodiment, the EL element 25 is made of an organic material, but may be made of an inorganic material. Further, a phosphorescent material may be used for the EL layer.
[0043]
Next, the configuration of the SRAM used in the present invention will be described. In FIG. 2, the SRAM 24 has two p-channel TFTs and two n-channel TFTs, and the source region of the p-channel TFT is connected to an EL driving power supply line 26 which is a power supply line. The source regions are connected to the low-voltage side power supply Vss. Here, the potential of the EL drive power supply line 26 can be applied to the EL element 25 by supplying the EL drive power supply line 26 to the source region of the p-channel TFT. Furthermore, the wiring area can be reduced as compared with the case where the power supply Vdd on the high voltage side is used.
[0044]
In the SRAM 24, one p-channel TFT and one n-channel TFT are paired, and two pairs of a p-channel TFT and an n-channel TFT exist in one SRAM. Become. The drain regions of the paired p-channel TFT and n-channel TFT are connected to each other. The drain region of one pair of the p-channel TFT and the n-channel TFT is kept at the same potential as the gate electrode of the other pair of the p-channel TFT and the n-channel TFT. I'm dripping. The drain region of one pair of the p-channel TFT and the n-channel TFT is an input side to which an input signal Vin enters, and the other pair of the p-channel TFT and the n-channel TFT The drain region of the TFT is on the output side where the output signal Vout is output.
[0045]
The SRAM 24 is designed to hold Vin and output Vout which is a signal obtained by inverting Vin. That is, when Vin is Hi, Vout becomes a Lo signal corresponding to Vss, and when Vin is Lo, Vout becomes a Hi signal corresponding to the EL supply power line 26.
[0046]
Next, driving of the organic EL display of the present invention will be described.
[0047]
In FIG. 1, a gate signal line driving circuit 13 selects one of the plurality of gate signal lines Y1 to Yj, that is, outputs a gate signal and outputs a group of pixels 20 connected to the selected gate signal line. Is a circuit for driving. The gate signal line drive circuit 13 outputs gate signals SC1 to SCj at predetermined timings for Y1 to Yj based on various signals from the control circuit 14. Specifically, the gate signal line drive circuit 13 sequentially outputs the gate signals SC1 to SCj so as to sequentially select the gate signal lines Y1 to Yj in one frame period in order to display an image of one frame. Generated and output.
[0048]
The source signal line drive circuit 12 generates data VDATA1 to VDATAi for each of the source signal lines X1 to Xi and outputs the data to the corresponding source signal lines X1 to Xi. The source signal line drive circuit 12 outputs the data VDATA1 to VDATAi in synchronization with the gate signals SC1 to SCj. That is, when the gate signal line drive circuit 13 outputs a gate signal to one gate line, the source signal line drive circuit 12 outputs data VDATA1 to VDATAi for each pixel 20 on the selected gate line.
[0049]
The control circuit 14 receives image data D from an external device (not shown) and generates data VDATA1 to VDATAi based on the image data D. Further, the control circuit 14 generates a start pulse signal DINY and clock signals CLKX and CLKY. The start pulse signal DINY is a signal that rises to a Hi level for a predetermined time in order to start the selection of the first gate signal line in one frame period, and is supplied to the gate signal line drive circuit 13 and the source signal line drive circuit 12 Is output.
[0050]
The clock signal CLKY is output to the gate signal line driving circuit 13, and determines the timing for sequentially outputting the gate signals SC1 to SCj for sequentially selecting the gate signal lines generated in the gate signal line driving circuit 13. Signal.
[0051]
The clock signal CLKX is a signal synchronized with the clock signal CLKY and is output to the source signal line drive circuit 12. Each time the gate signal lines Y1 to Yj are selected by the gate signals SC1 to SCj during one frame period, the clock signal CLKX is applied to the source signal line X1 for each pixel 20 on the selected gate signal line. To determine the timing of outputting data VDATA1 to VDATAi via.
[0052]
Next, the operation of the pixel 20 of the organic EL display 10 configured as described above will be described with reference to FIG.
[0053]
First, the gate signal line 22 is selected by a gate signal input to the gate signal line 22, which is one of the gate signal lines Y1 to Yj. Therefore, all the selection TFTs 21 whose gate electrodes are connected to the gate signal line 22 are turned on. Then, the data signals are simultaneously input to all the source signal lines X1 to Xi. The data signal is a digital data signal having information of “0” or “1”, and the data signal of “0” or “1” means a signal having a voltage of either Hi or Lo, respectively.
[0054]
The data signal input to the source signal line 23, which is one of the source signal lines X1 to Xi, is input to the SRAM 24 via the ON-selection TFT 21 as Vin and is held. Note that a data signal input to the SRAM is called an input data signal.
[0055]
The data signal held in the SRAM 24 is output from the SRAM 24 as Vout. The data signal output from the SRAM as Vout is called an output data signal. The output data signal is a signal obtained by inverting the input data signal. The output data signal is input to the EL element 25.
[0056]
If the input data signal has information of “1”, the output data signal will have information of “0”. In this embodiment, when an output data signal having information of “0” is input to the EL element 25, the anode and the cathode constituting the EL element have the same potential. As a result, the EL element 25 of the pixel to which the digital data signal having the information “1” is applied does not emit light.
[0057]
Conversely, if the input data signal has information of "0", the output data signal will have information of "1". In the present embodiment, when an output data signal having information “1” is input to the EL element 25, the potential of the EL driving power supply 26 is supplied to the EL element. Therefore, a potential difference is generated between the anode and the cathode constituting the EL element such that the EL element emits light. As a result, the EL element 25 of the pixel to which the digital data signal having the information of “0” is applied emits light.
[0058]
As described above, the light emitting state or the non-light emitting state of the EL element 25 is selected according to the information included in the data signal. The data signal input from the source signal line 23 is held by the SRAM 24 provided for each pixel until the next data is input unless the power is turned off. Thus, the light emitting or non-light emitting state of the EL element 25 is maintained. Therefore, power saving during still image display can be achieved. Further, as compared with the conventional configuration shown in FIG. 8, the aperture ratio can be increased by not using the EL driving TFT and the power supply Vdd on the high voltage side.
[0059]
(Second embodiment)
The second embodiment is a modification of the first embodiment, and describes an electro-optical device in which one frame period for displaying a predetermined image is divided into a plurality of sub-frames, and a driving method thereof. Here, a 2-bit time-division gray scale method is used. ⁶ The case where display of = 64 gradations is performed will be described. Note that the electro-optical device according to the present embodiment has the configuration shown in FIGS.
[0060]
FIG. 3 shows a timing chart of the organic EL display as the electro-optical device of the present invention in the time division gray scale method. First, one frame period is divided into six sub-frame periods SF1 to SF6. The length of each subframe period is set to be SF1: SF2: SF3: SF4: SF5: SF6 = 1: 2: 4: 8: 16: 32.
[0061]
To obtain the luminance gradation of “7”, the digital data signal having the information of “0” is applied to the pixel 20 during the first to third sub-frames SF1 to SF3 as described above. The EL element 25 is caused to emit light, and during the fourth to sixth sub-frames SF4 to SF6, a digital data signal having information of “1” is applied to the pixel 20 to make the EL element 25 emit no light.
[0062]
When a luminance gradation of “32” is obtained, a digital data signal having information of “0” is applied to the pixel 20 to cause the EL element 25 to emit light at the time of the sixth sub-frame SF6, thereby causing the EL element 25 to emit light. At the time of the fifth sub-frames SF1 to SF5, a digital data signal having information of “1” is applied to the pixel 20 to make the EL element 25 emit no light.
[0063]
Further, when obtaining the luminance gradation of “44”, a digital data signal having information of “0” is applied to the pixel 20 at the time of the third, fourth, and sixth sub-frames SF3, SF4, and SF6. The EL element 25 emits light, and in the first, second, and fifth sub-frames SF1, SF2, and SF5, a digital data signal having information of "1" is applied to the pixel 20 to make the EL element 25 emit no light. .
[0064]
In this manner, emission / non-emission of the EL element can be controlled for each sub-frame constituting one frame period, so that halftone can be expressed by appropriately selecting a sub-frame to emit light. At the same time, as described in the first embodiment, lower power consumption and higher aperture ratio can be achieved.
[0065]
(Third embodiment)
The third embodiment is a modification of the first embodiment, and describes an electro-optical device in which the driving capabilities of two sets of inverter circuits constituting an SRAM are different and a driving method thereof.
[0066]
FIG. 4 shows a circuit diagram of the SRAM used in the present invention at a transistor level (FIG. 4A) and a gate level (FIG. 4B). As described above, the SRAM has two sets of inverter circuits each including a p-channel TFT and an n-channel TFT. In the two sets of inverter circuits, the input part of one of the inverter circuits is connected to the output part of the other inverter circuit, and the input part of one of the two sets of inverter circuits is , The input side (Vin) of the SRAM to which the data signal is input, and the input part of the other inverter circuit is the output side (Vout) of the SRAM connected to the EL element. In FIG. 4, one inverter circuit to which the data signal is input is referred to as INVa41, and the other inverter circuit is referred to as INVb42.
[0067]
Here, since the SRAM used in the present invention has a single bit line input, one of the two sets of inverter circuits to which a data signal is input is used in order to achieve a stable operation during data writing. The drive capability of INVa is configured to be higher than the drive capability of the other inverter circuit INVb. Specifically, the ratio W / L (INVa) of the channel length L and the channel width W of the TFT forming the inverter circuit INVa is set to be larger than the ratio W / L (INVb) of the TFT forming the inverter circuit INVb.
[0068]
In such a configuration, when data is input to the SRAM, the output side Vout of the SRAM is preferentially determined by the inverter circuit INVa having improved driving capability. Therefore, it is expected that the time required for rewriting the data held in the SRAM is reduced.
[0069]
In order to confirm this, the ratio of the driving capability of the two sets of inverter circuits constituting the SRAM is calculated by setting W / L (INVa): W / L (INVb) = 2: 1, 1: 1, 0.5: When the data rewriting operation of the SRAM was calculated by circuit simulation differently from the result of FIG. 1, the result shown in FIG. 5 was obtained.
[0070]
In FIG. 5, the horizontal axis represents time (μs) and the vertical axis represents voltage (V). When the SRAM output unit Vout holds Hi in the SRAM output unit Vout, the SRAM output unit Vout is rewritten to Lo by the input data Vin. It shows a transient response. Although not shown, the time during which the selection TFT 21 is selected by the gate line signal is from when the input data Vin rises to before it falls. As shown in FIG. 5, the driving capability of one inverter circuit INVa to which a data signal is input is higher than the driving capability of the other inverter circuit INVb, as compared with the case where the driving capabilities of the two inverter circuits constituting the SRAM are equal. In this case, it is confirmed that the time required for rewriting data is reduced. Conversely, when the driving capability of one inverter circuit INVa to which a data signal is input is set lower than the driving capability of the other inverter circuit INVb, the time required for data rewriting increases. Note that the ratio of the driving abilities is not limited to the above-described value. Even when the driving abilities are varied up to W / L (INVa): W / L (INVb) = 10: 1, the ratio is sufficient. Stable operation was confirmed.
[0071]
As described above, by increasing the driving capability of one of the two inverter circuits to which the data signal is input, than the driving capability of the other of the two inverter circuits, Of the potentials on the input side and output side of the SRAM held by the circuit, the output side of the SRAM supplied to the EL element can be preferentially determined. As a result, the SRAM rewrite operation can be stabilized.
[0072]
(Fourth embodiment)
In a fourth embodiment, an electronic device according to the present invention will be described. 6 and 7 show specific examples of the electronic apparatus according to the present invention, and include an electro-optical device according to the present invention.
[0073]
FIG. 6 shows a portable personal computer 60 equipped with an electro-optical device according to the present invention. The portable personal computer 60 includes a keyboard 61, a main body 62, and an electro-optical device (display panel) 63. Have been. The electro-optical device according to the invention is applied to the display panel 63.
[0074]
FIG. 7 shows a mobile phone 70 on which the electro-optical device according to the present invention is mounted. The mobile phone 70 includes a plurality of operation buttons 71, an earpiece 72, a mouthpiece 73, and an electro-optical device (display panel) 74. It is comprised comprising. The electro-optical device according to the invention is applied to the display panel 74.
[0075]
The electronic apparatus as described above includes the electro-optical device according to the present invention. According to this electro-optical device, an electro-optical device with low power consumption and a high aperture ratio is realized. Therefore, in the electronic device according to the present invention, a high-quality electronic device is realized.
[0076]
In addition, the electro-optical device according to the invention is not limited to the above-described electronic device, and is applicable to any electronic device. For example, in addition to the above, video cameras, head mounted displays, projectors, watches, IC cards, fax machines with display functions, viewfinders for digital cameras, portable TVs, electronic organizers, electronic bulletin boards, displays for advertising, etc. It is applicable and high quality electronic equipment can be realized.
[0077]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, an electro-optical device, a driving method of an electro-optical device, and an electronic apparatus capable of simultaneously reducing power consumption and improving an aperture ratio are provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram of an organic EL display according to a first embodiment.
FIG. 2 is an enlarged view of a pixel of the organic EL display according to the first embodiment.
FIG. 3 is a timing chart in a time-division driving method of an organic EL display according to a second embodiment.
FIG. 4 is a circuit diagram of an SRAM according to a third embodiment, in which FIG. 3A shows a transistor level, and FIG. 3B shows a gate level.
FIG. 5 is a circuit simulation result of a rewriting operation of the SRAM according to the third embodiment;
FIG. 6 is an example of an electronic device according to a fourth embodiment, illustrating a portable personal computer.
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus according to a fourth embodiment, illustrating a mobile phone.
FIG. 8 is a configuration diagram of a pixel of a conventional organic EL display.
[Explanation of symbols]
D Image data as gradation data
V1-Vi EL drive power supply line
Y1 to Yj gate signal line
X1 to Xi source signal line
SF1 first subframe
SF2 second subframe
SF3 third subframe
SF4 fourth subframe
SF5 5th subframe
SF6 sixth subframe
10. Organic EL display as electro-optical device
11 Pixel section
12 Source signal line drive circuit
13 Gate signal line drive circuit
14 Control circuit
20 pixels
21 Selection TFT
22 Gate signal line
23 signal line
24 SRAM
25 EL element
26 EL drive power supply line
41, 42 Inverter circuit
60 Portable Personal Computer as Electronic Equipment
70 Mobile phones as electronic devices

Claims

複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源線と、複数の画素とを有する電気光学装置において、
前記複数の画素は選択用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、発光素子とを夫々有しており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側と夫々接続されており、
前記ＳＲＡＭの出力側と、前記発光素子とは電気的に直接接続されており、
前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記選択用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデータ信号を、次のデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする電気光学装置。In an electro-optical device including a plurality of source signal lines, a plurality of gate signal lines, a plurality of power supply lines, and a plurality of pixels,
The plurality of pixels have a selection TFT, an SRAM, and a light emitting element, respectively.
One of the source region and the drain region of the selection TFT is connected to one of the plurality of source signal lines, and the other is connected to the input side of the SRAM.
The output side of the SRAM and the light emitting element are electrically directly connected,
The SRAM holds a data signal input to the SRAM from one of the plurality of source signal lines via the selection TFT until a next data signal is input to the SRAM. Electro-optical device.

複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源供給線と、複数の画素とを有する電気光学装置において、
前記複数の画素は選択用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、発光素子とを夫々有しており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側と夫々接続されており、
前記ＳＲＡＭの出力側と、前記発光素子とは電気的に直接接続されており、
所定の画像表示を行うための１フレーム期間は個々に発光時間を指定するｎ個（ｎは自然数）のサブフレームより構成され、前記サブフレームは、前記発光期間が１階調、２階調、４階調、８階調、…、２^ｎ−１階調の輝度に夫々対応しており、
前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記選択用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデータ信号を、次のデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする電気光学装置。In an electro-optical device having a plurality of source signal lines, a plurality of gate signal lines, a plurality of power supply lines, and a plurality of pixels,
The plurality of pixels have a selection TFT, an SRAM, and a light emitting element, respectively.
One of the source region and the drain region of the selection TFT is connected to one of the plurality of source signal lines, and the other is connected to the input side of the SRAM.
The output side of the SRAM and the light emitting element are electrically directly connected,
One frame period for performing a predetermined image display is composed of n (n is a natural number) sub-frames each individually designating a light-emitting time. .., 2 ^n-1 levels of luminance, respectively.
The SRAM holds a data signal input to the SRAM from one of the plurality of source signal lines via the selection TFT until a next data signal is input to the SRAM. Electro-optical device.

請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
前記ＳＲＡＭは、ｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとにより構成される２組のインバータ回路を有しており、
前記２組のインバータ回路において、一方のインバータ回路の入力部は、他方のインバータ回路の出力部と夫々接続されており、
前記２組のインバータ回路のうち、前記一方のインバータ回路の入力部は、前記データ信号が入力される入力側であり、前記他方のインバータ回路の入力部は、前記発光素子と接続される出力側であることを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein
The SRAM has two sets of inverter circuits each including a p-channel TFT and an n-channel TFT.
In the two sets of inverter circuits, an input part of one inverter circuit is connected to an output part of the other inverter circuit, respectively,
Of the two sets of inverter circuits, the input part of the one inverter circuit is an input side to which the data signal is input, and the input part of the other inverter circuit is an output side connected to the light emitting element. An electro-optical device, characterized in that:

請求項３に記載の電気光学装置において、
前記２組のインバータ回路のうち、前記データ信号が入力される一方のインバータ回路の駆動能力を、他方のインバータ回路の駆動能力よりも高めたことを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device according to claim 3,
An electro-optical device, wherein a driving capability of one of the two inverter circuits to which the data signal is input is higher than a driving capability of the other inverter circuit.

請求項１乃至４に記載の電気光学装置において、
前記発光素子はＥＬ素子であり、また前記電源線はＥＬ駆動用電源線であり、
前記２組のインバータ回路に供給する高電圧側電源に、前記ＥＬ駆動用電源線を用いたことを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein
The light emitting element is an EL element, and the power supply line is a power supply line for driving an EL;
An electro-optical device, wherein the EL drive power supply line is used as a high voltage side power supply supplied to the two sets of inverter circuits.

請求項５に記載の電気光学装置において、
前記ＥＬ素子は、発光層が有機材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。The electro-optical device according to claim 5,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the light emitting layer of the EL element is made of an organic material.

複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源線と、複数の画素とを有する電気光学装置の駆動方法において、
前記複数の画素は選択用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、発光素子とを夫々有しており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側と夫々接続されており、
前記ＳＲＡＭの出力側と、前記発光素子とは電気的に直接接続されており、
前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記選択用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデータ信号を、次のデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。In a method for driving an electro-optical device including a plurality of source signal lines, a plurality of gate signal lines, a plurality of power supply lines, and a plurality of pixels,
The plurality of pixels have a selection TFT, an SRAM, and a light emitting element, respectively.
One of the source region and the drain region of the selection TFT is connected to one of the plurality of source signal lines, and the other is connected to the input side of the SRAM.
The output side of the SRAM and the light emitting element are electrically directly connected,
The SRAM holds a data signal input to the SRAM from one of the plurality of source signal lines via the selection TFT until a next data signal is input to the SRAM. Driving method of the electro-optical device.

複数のソース信号線と、複数のゲート信号線と、複数の電源供給線と、複数の画素とを有する電気光学装置の駆動方法において、
前記複数の画素は選択用ＴＦＴと、ＳＲＡＭと、発光素子とを夫々有しており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域とは、一方が前記複数のソース信号線の１つと、他方が前記ＳＲＡＭの入力側と夫々接続されており、
前記ＳＲＡＭの出力側と、前記発光素子とは電気的に直接接続されており、
所定の画像表示を行うための１フレーム期間は個々に発光時間を指定するｎ個（ｎは自然数）のサブフレームより構成され、前記サブフレームは、前記発光期間が１階調、２階調、４階調、８階調、…、２^ｎ−１階調の輝度に夫々対応しており、
前記ＳＲＡＭは、前記複数のソース信号線の１つから前記選択用ＴＦＴを介して前記ＳＲＡＭに入力されたデータ信号を、次のデータ信号が前記ＳＲＡＭに入力されるまで保持していることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。In a method for driving an electro-optical device including a plurality of source signal lines, a plurality of gate signal lines, a plurality of power supply lines, and a plurality of pixels,
The plurality of pixels have a selection TFT, an SRAM, and a light emitting element, respectively.
One of the source region and the drain region of the selection TFT is connected to one of the plurality of source signal lines, and the other is connected to the input side of the SRAM.
The output side of the SRAM and the light emitting element are electrically directly connected,
One frame period for performing a predetermined image display is composed of n (n is a natural number) sub-frames each individually designating a light-emitting time. .., 2 ^n-1 levels of luminance, respectively.
The SRAM holds a data signal input to the SRAM from one of the plurality of source signal lines via the selection TFT until a next data signal is input to the SRAM. Driving method of the electro-optical device.

請求項７又は８に記載の電気光学装置の駆動方法において、
前記ＳＲＡＭは、ｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴとにより構成される２組のインバータ回路を有しており、
前記２組のインバータ回路において、一方のインバータ回路の入力部は、他方のインバータ回路の出力部と夫々接続されており、
前記２組のインバータ回路のうち、前記一方のインバータ回路の入力部は、前記データ信号が入力される入力側であり、前記他方のインバータ回路の入力部は、前記発光素子と接続される出力側であることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。The driving method of an electro-optical device according to claim 7 or 8,
The SRAM has two sets of inverter circuits each including a p-channel TFT and an n-channel TFT.
In the two sets of inverter circuits, an input part of one inverter circuit is connected to an output part of the other inverter circuit, respectively,
Of the two sets of inverter circuits, an input of the one inverter is an input to which the data signal is input, and an input of the other inverter is an output connected to the light emitting element. A method for driving an electro-optical device, the method comprising:

請求項９に記載の電気光学装置の駆動方法において、
前記２組のインバータ回路のうち、前記データ信号が入力される一方のインバータ回路の駆動能力を、他方のインバータ回路の駆動能力よりも高めたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。The method for driving an electro-optical device according to claim 9,
A method of driving an electro-optical device, wherein a driving capability of one of the two sets of inverter circuits to which the data signal is input is higher than a driving capability of the other inverter circuit.

請求項７乃至１０に記載の電気光学装置の駆動方法において、
前記発光素子はＥＬ素子であり、また前記電源線はＥＬ駆動用電源線であり、
前記２組のインバータ回路に供給する高電圧側電源に、前記ＥＬ駆動用電源線を用いたことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。The method for driving an electro-optical device according to claim 7, wherein
The light emitting element is an EL element, and the power supply line is a power supply line for driving an EL;
A method for driving an electro-optical device, wherein the EL drive power supply line is used as a high-voltage power supply supplied to the two sets of inverter circuits.

請求項１１に記載の電気光学装置の駆動方法において、
前記ＥＬ素子は、発光層が有機材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。The method for driving an electro-optical device according to claim 11,
The method of driving an electro-optical device, wherein the EL element has a light-emitting layer made of an organic material.

請求項１乃至６に記載の電気光学装置を実装したことを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.