JP2004161570A - Zinc oxide nano belt and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この出願の発明は、酸化亜鉛ナノベルトとその製造方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、電気的または光学的装置に対応するのに十分な大きさを有する酸化亜鉛ナノベルトとその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、酸化亜鉛（ＺｎＯ）単結晶フィルムのエピタキシャル成長の製作技術に関する様々な試みがなされており、ナノチューブ、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノベルト等の様々な形態を有するナノ物質の製造技術の提案がこれまでになされてきた。また、線状ナノ分野の新種族である酸化物ナノベルトは、十分理解出来るディメンジョンに閉じこめられた搬送現象の理想の物質としで重要視されているとともに、ナノ装置を構成するために、これらの装置の形状寸法に良好に対応可能な有用な構成単位としでの活用が期待されている。これまでにも、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）などの透明な伝導性酸化物ナノベルトの合成が報告されている（文献１〜４）。
【０００３】
しかしながら、実際に電気的または光学的装置に適用するためには、一定以上の大きさの酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノベルトの製造の実現に期待が寄せられているが、未だに、十分な大きさを有する酸化亜鉛ナノベルトの製造が実現したという報告はなされていない。このため、電気的または光学的装置に適用するのに十分な大きさを有する酸化亜鉛ナノベルトおよびその製造方法等の方策の提案が望まれでいた。
【０００４】
【文献】
【表１】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、この出願の発明は、以上の通りの事情に鑑みてなされたものであり、電気的または光学的測定に適用するのに十分な大きさを有する酸化亜鉛ナノベルトとその製造方法を提供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この出願の発明は、上記の課題を解決するものとして、第１に、断面形状が六角形である単結晶酸化亜鉛からなることを特徴とする酸化亜鉛ナノベルトを提供する。
【０００７】
また、この出願の発明は、上記の酸化亜鉛ナノベルトとして、第２に、長さが２〜４μｍであり、幅が３０〜１５０ｎｍであり、厚さに対する幅の比率が２〜１０であることを特徴とする酸化亜鉛ナノベルトを、第３に、光を照射することにより、３７９ｎｍ近傍の波長帯域の光を発光することを特徴とする酸化亜鉛ナノベルトを、また、第４に、シリコン基板上に配向して成長することを特徴とする酸化亜鉛ナノベルトを提供する。
【０００８】
また、この出願の発明は、第５に、上記の酸化亜鉛ナノベルトを、シリコン基板上に直接調整することで複合体として形成されることを特徴とする酸化亜鉛ナノベルト複合体を提供する。
【０００９】
さらに、この出願の発明は、第６に、断面形状が六角形である単結晶からなる酸化亜鉛ナノベルトの製造方法であって、高真空赤外線照射加熱炉内に設置されたタンタル製容器内部に、鏡面仕上げされたシリコンウェーファと亜鉛を３０〜４０重量％含有する銅亜鉛合金ディスクとを離して設置する加熱ターゲット設置工程と、高真空赤外線照射加熱炉内を排気により減圧する排気行程と、排気行程終了直後から銅亜鉛合金ディスクの加熱を行う銅亜鉛合金ディスク加熱工程と、加熱工程の後に銅亜鉛合金ディスクの温度を室温まで冷却する冷却工程と、高真空赤外線照射加熱炉内を減圧しつつ酸化亜鉛の成長したシリコン基板を加熱する工程を有することを特徴とする酸化亜鉛ナノベルトの製造方法をも提供するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
この出願の発明は、上記のとおりの特徴をもつものであるが、以下に、その実施の形態について説明する。
【００１１】
この出願の発明である酸化亜鉛ナノベルトは、単結晶であり、断面形状が六角形である。酸化亜鉛ナノベルトの長さは、２〜４μｍであり、また、幅が３０〜１５０ｎｍであり、厚さに対する幅の比率は、２〜１０である。また、この出願の発明である酸化亜鉛ナノベルトは、光を照射することにより、３７９ｎｍ近傍の波長帯域の光を発光する。
【００１２】
この出願の発明の酸化亜鉛ナノベルトは、シリコン基板上に配向して、フィルム形状をなすように成長している。このとき、形成されたフィルムの厚さは２〜４μｍである。また、フィルムの表面の形状はシリコン基板と等しい。さらに、この酸化亜鉛ナノベルトを、シリコン基板上で直接調整することにより酸化亜鉛ナノベルト複合体が形成される。
【００１３】
この出願の発明の酸化亜鉛ナノベルトは、以下に示す製造方法により製造することができる。すなわち、この出願の発明の酸化亜鉛ナノベルトの製造方法は、主に、１）加熱ターゲット設置工程、２）排気行程、３）銅亜鉛合金ディスク加熱工程、４）冷却工程、５）酸化亜鉛の成長したシリコン基板の加熱工程の５工程からなるものである。
【００１４】
まず、加熱ターゲット設置工程においては、高真空赤外線照射加熱炉内に設置されたタンタル製容器内部に、鏡面仕上げされたシリコンウェーファと亜鉛を３０〜４０重量％含有する銅亜鉛合金ディスクとが離れて設置される。シリコンウェーファは、例えば、直径２５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ程度のものが用いられ、２ｍｍ程度の間隔を持って、タンタル製容器内部に配列される。また、銅亜鉛合金ディスクとしては、例えば、直径がシリコンウェーファと同じく２５ｍｍ程度であり、また、厚さ１ｍｍ程度のものが用いられる。
【００１５】
続く、排気行程においては、高真空赤外線照射加熱炉内が排気により減圧される。このとき、高真空赤外線照射加熱炉内は例えば３０トル以下に減圧・排気される。
【００１６】
そして、銅亜鉛合金ディスク加熱工程においては、排気行程終了直後から銅亜鉛合金ディスクの加熱が行われる。具体的には、銅亜鉛合金ディスク表面が、例えば９００℃の温度で３０分以上継続して加熱されることが好ましい。
【００１７】
さらに、冷却工程においては、加熱工程の後に、銅亜鉛合金ディスクの温度が室温まで冷却される。
【００１８】
そして、シリコン基板の加熱工程においては、シリコンの表面に生成された酸化亜鉛ナノベルトフィルムにおける亜鉛の共通の沈積物を完全に除去されるように、高真空赤外線照射加熱炉内が減圧され、加熱が行われる。このとき、高真空赤外線照射加熱炉内は例えば１０−３トル以下であり、この高真空環境において７００℃の温度で、１０分間継続してシリコン１００％ウェーファが加熱される。
【００１９】
以上の工程を経ることで、シリコン基板上には酸化亜鉛ナノベルトが生成される。生成された酸化亜鉛ナノベルトは、単結晶であり、断面形状が六角形である。酸化亜鉛ナノベルトの長さは、２〜４μｍの範囲にあり、また、幅が３０〜１５０ｎｍであり、厚さに対する幅の比率は、２〜１０の範囲である。また、この酸化亜鉛ナノベルトは、発光波長よりも低波長の光、例えば波長３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザー光を照射することにより、３７９ｎｍ近傍の波長帯域の光を発光する。そして、この酸化亜鉛ナノベルトは、シリコン基板上に配向してフィルム形状に成長している。フィルムの厚さは２〜４μｍである。また、フィルムの表面の形状は、シリコン基板と等しい。
【００２０】
以上は、この出願の発明における形態の一例であり、この出願の発明がこれらに限定されることはなく、その細部について様々な形態をとりうることが考慮されるべきであることは言うまでもない。
【００２１】
この出願の発明は、以上の特徴を持つものであるが、以下に実施例を示し、さらに具体的に説明する。
【００２２】
【実施例】
この出願の発明の酸化亜鉛ナノベルトの製造方法により、酸化亜鉛ナノベルトを製造した。
【００２３】
まず、第１の工程である加熱ターゲット設置工程においては、高真空赤外線照射加熱炉内に設置されたタンタル製容器内部に、鏡面仕上げされたシリコンウェーファと亜鉛を３０〜４０重量％含有する銅亜鉛合金ディスクとを離して設置した。シリコンウェーファとしては、直径２５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍ程度のものを用い、２ｍｍ程度の間隔を持って、タンタル製容器内部に配列した。また、銅亜鉛合金ディスクは、直径がシリコンウェーファと同じく２５ｍｍ程度であり、また、厚さ１ｍｍ程度のものを用いた。
【００２４】
続く、第２の工程である排気行程においては、高真空赤外線照射加熱炉内を排気により減圧した。このとき、高真空赤外線照射加熱炉内を、３０トル以下に減圧・排気した。
【００２５】
そして、第３の工程である銅亜鉛合金ディスク加熱工程においては、排気行程終了直後から、銅亜鉛合金ディスクの加熱を行った。銅亜鉛合金ディスク表面を９００℃で３０分継続して加熱した。
【００２６】
第４の工程である冷却工程においては、加熱工程の後に、銅亜鉛合金ディスクの温度を室温まで冷却した。
【００２７】
そして、第５の工程である酸化亜鉛の成長したシリコン加熱工程においては、シリコン表面に生成された酸化亜鉛ナノベルトフィルムにおける亜鉛の共通の沈積物を完全に除去するために、高真空赤外線照射加熱炉内を減圧しつつ、加熱を行った。このとき、高真空赤外線照射加熱炉内は１０−３トル以下であり、この高真空環境において７００℃の温度で１０分間継続して加熱した。
【００２８】
以上の工程を経て製造されたこの出願の発明である酸化亜鉛ナノベルトのＳＥＭ像を図１に示した。図１（ａ）は上方からのＳＥＭ像であり、また図１（ｂ）は斜め４０度からのＳＥＭ像である。
【００２９】
図１（ａ）より、準整列化された酸化亜鉛ナノベルトが、シリコン１００％ウェーファ上に生成されていることがわかる。また、図１（ｂ）に示す様に、酸化亜鉛ナノベルトが一方向に配向成長しフィルム形状をなしている。生成された酸化亜鉛ナノベルトは、膜厚が略２〜４μｍの範囲にあり、大きさは通常においては直径が略２５ｍｍの円形状をなしている。
【００３０】
図２は、シリコン１００％ウェーファ上に成長した酸化亜鉛ナノベルトのＸＲＤパターンである。図２より、ナノベルトの格子定数がａ＝Ｏ．３２５０ｎｍおよびｃ＝０．５２０１ｎｍで、センアエン鉱型（ウルツァイト、ｗｕｒｔｚｉｔｅ）構造を有していることがわかる。
【００３１】
図３は、製造された酸化亜鉛ナノベルトのＴＥＭ顕微鏡写真である。図３（ａ）より、酸化亜鉛ナノベルトが長さ方向に沿って成長していることがわかる。図３（ｂ）は、高倍率におけるＴＥＭ顕微鏡写真である。また、図３（ｂ）の差込図は、［１０１０］方向に沿って撮影した電子回折図である。ほとんどの酸化亜鉛ナノベルトが［０００１］方向に沿って調製されていることがわかる。また、寸法としては、長さが２〜４μｍの範囲にあり、厚い切断面の幅が１００〜１５０ｎｍの範囲で薄い切断面の幅約３０〜５０ｎｍの範囲にある。そして、厚み寸法に対する幅寸法の比率が５以上であることがわかる。
【００３２】
図４は、製造された酸化亜鉛ナノベルトの室温フォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトラムである。図４に示すとおり、波長が３７９ｎｍの強い発光を呈し、発光量は全幅の中間点の最大量で１０６ｍｅＶであった。
【００３３】
【発明の効果】
この出願の発明によって、以上詳しく説明したとおり、電気的または光学的測定に適用するのに十分な大きさを有する酸化亜鉛ナノベルトとその製造方法が提供される。
【００３４】
この出願の発明である酸化亜鉛ナノベルトおよび酸化亜鉛ナノベルト複合体は、電気的または光学的測定に適用するのに十分な大きさを有するとともに、波長が３７９ｎｍの近傍の波長帯域であり、最大発光量が１０６ｍｅＶの強い発光を呈する。この出願の発明である酸化亜鉛ナノベルトおよび酸化亜鉛ナノベルト複合体は、光学電子装置等への応用が可能であるだけでなく、シリコン電子工学と結合したナノテクノロジーの発展に寄与するものであるから、その実用化が強く期待される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この出願の発明の実施例において製造された酸化亜鉛ナノベルトのＳＥＭ像である。
【図２】この出願の発明の実施例において、リコン１００％ウェーファ上に成長した酸化亜鉛ナノベルトのＸＲＤパターンである。
【図３】この出願の発明の実施例において製造された酸化亜鉛ナノベルトのＴＥＭ顕微鏡写真である。
【図４】この出願の発明の実施例において製造された酸化亜鉛ナノベルトの室温フォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトラムである[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The invention of this application relates to a zinc oxide nanobelt and a method for producing the same. More specifically, the invention of this application relates to a zinc oxide nanobelt having a size sufficient to accommodate an electric or optical device and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, various attempts have been made with respect to a manufacturing technique of epitaxial growth of a zinc oxide (ZnO) single crystal film, and a proposal of a manufacturing technique of a nano material having various forms such as a nanotube, a nanowire, a nanorod, and a nanobelt has been made. Has been done. In addition, oxide nanobelts, which are a new species in the field of linear nanotechnology, are regarded as important as ideal materials for transport phenomena confined in dimensions that can be easily understood, and these devices are used to construct nanodevices. It is expected to be used as a useful constituent unit that can favorably cope with the shape and dimensions of. Up to now, transparent conductive oxide nanobelts such as zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), cadmium oxide (CdO), indium oxide (In 2 O 3 ), and gallium oxide (Ga 2 O 3 ) Has been reported (References 1 to 4).
[0003]
However, in order to actually apply the method to an electric or optical device, it is expected that a zinc oxide (ZnO) nanobelt having a certain size or more will be manufactured. However, it is still large enough. There has been no report that the production of zinc oxide nanobelts has been realized. Therefore, there has been a demand for a proposal of a zinc oxide nanobelt having a size sufficient to be applied to an electric or optical device and a method of manufacturing the same.
[0004]
[Literature]
[Table 1]
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, the invention of this application has been made in view of the above circumstances, and provides a zinc oxide nanobelt having a size sufficient to be applied to electrical or optical measurement and a method for producing the same. Is an issue.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention provides a zinc oxide nanobelt characterized by being made of single-crystal zinc oxide having a hexagonal cross section, as a solution to the above-mentioned problems.
[0007]
Secondly, the invention of the present application relates to the above zinc oxide nanobelt, in which the length is 2 to 4 μm, the width is 30 to 150 nm, and the ratio of the width to the thickness is 2 to 10. Third, a zinc oxide nanobelt characterized by emitting light in a wavelength band near 379 nm by irradiating light, and fourthly, oriented on a silicon substrate. Provided is a zinc oxide nanobelt characterized by being grown by growth.
[0008]
Fifth, the invention of this application provides a zinc oxide nanobelt composite, which is formed as a composite by directly adjusting the zinc oxide nanobelt on a silicon substrate.
[0009]
Furthermore, the invention of this application is, sixthly, a method for producing a zinc oxide nanobelt made of a single crystal having a hexagonal cross-sectional shape, wherein a tantalum container installed in a high vacuum infrared irradiation heating furnace has A heating target installation step of separately installing a mirror-finished silicon wafer and a copper-zinc alloy disk containing 30 to 40% by weight of zinc, an exhausting step of depressurizing the inside of a high vacuum infrared irradiation heating furnace, and an exhausting step Immediately after the end of the process, a copper-zinc alloy disc heating step of heating the copper-zinc alloy disc, a cooling step of cooling the temperature of the copper-zinc alloy disc to room temperature after the heating step, and depressurizing the inside of the high vacuum infrared irradiation heating furnace Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a zinc oxide nanobelt, comprising a step of heating a silicon substrate on which zinc oxide has been grown.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The invention of this application has the features as described above, and embodiments thereof will be described below.
[0011]
The zinc oxide nanobelt of the invention of this application is a single crystal and has a hexagonal cross section. The length of the zinc oxide nanobelt is 2-4 μm, the width is 30-150 nm, and the ratio of the width to the thickness is 2-10. The zinc oxide nanobelt of the invention of this application emits light in a wavelength band near 379 nm by irradiating light.
[0012]
The zinc oxide nanobelt of the invention of this application is oriented on a silicon substrate and grows into a film shape. At this time, the thickness of the formed film is 2 to 4 μm. The shape of the surface of the film is equal to that of the silicon substrate. Further, the zinc oxide nanobelt composite is formed by directly adjusting the zinc oxide nanobelt on a silicon substrate.
[0013]
The zinc oxide nanobelt of the invention of this application can be manufactured by the following manufacturing method. That is, the method for producing a zinc oxide nanobelt of the invention of this application mainly includes 1) a heating target setting step, 2) an exhaust step, 3) a copper-zinc alloy disk heating step, 4) a cooling step, and 5) growth of zinc oxide. It consists of five steps of heating the silicon substrate.
[0014]
First, in the heating target setting step, a mirror-finished silicon wafer and a copper-zinc alloy disk containing 30 to 40% by weight of zinc are separated in a tantalum container installed in a high vacuum infrared irradiation heating furnace. Installed. For example, silicon wafers having a diameter of about 25 mm and a thickness of about 0.5 mm are used, and are arranged inside a tantalum container with an interval of about 2 mm. Further, as the copper-zinc alloy disk, for example, a disk having a diameter of about 25 mm like the silicon wafer and a thickness of about 1 mm is used.
[0015]
In the evacuation process, the inside of the high vacuum infrared irradiation heating furnace is depressurized by evacuation. At this time, the inside of the high vacuum infrared irradiation heating furnace is evacuated and evacuated to, for example, 30 Torr or less.
[0016]
Then, in the copper-zinc alloy disk heating step, the copper-zinc alloy disk is heated immediately after the end of the exhaust stroke. Specifically, it is preferable that the surface of the copper-zinc alloy disk is continuously heated at a temperature of, for example, 900 ° C. for 30 minutes or more.
[0017]
Further, in the cooling step, after the heating step, the temperature of the copper-zinc alloy disk is cooled to room temperature.
[0018]
Then, in the heating step of the silicon substrate, the inside of the high vacuum infrared irradiation heating furnace is decompressed and heated so that common deposits of zinc in the zinc oxide nanobelt film generated on the surface of silicon are completely removed. Is performed. At this time, the inside of the high vacuum infrared irradiation heating furnace is, for example, 10 −3 Torr or less, and a 100% silicon wafer is continuously heated at 700 ° C. for 10 minutes in this high vacuum environment.
[0019]
Through the above steps, a zinc oxide nanobelt is generated on the silicon substrate. The generated zinc oxide nanobelt is a single crystal and has a hexagonal cross section. The length of the zinc oxide nanobelt is in the range of 2-4 μm, the width is 30-150 nm, and the ratio of the width to the thickness is in the range of 2-10. The zinc oxide nanobelt emits light in a wavelength band near 379 nm by irradiating light having a wavelength lower than the emission wavelength, for example, He-Cd laser light having a wavelength of 325 nm. The zinc oxide nanobelt is oriented on the silicon substrate and grows into a film shape. The thickness of the film is 2-4 μm. The shape of the surface of the film is equal to that of the silicon substrate.
[0020]
The above is an example of the mode in the invention of this application, and it is needless to say that the invention of this application is not limited to these, and that various details can be taken in detail.
[0021]
The invention of this application has the above-mentioned features, and will be described in more detail with reference to examples below.
[0022]
【Example】
A zinc oxide nanobelt was manufactured by the method for manufacturing a zinc oxide nanobelt of the invention of this application.
[0023]
First, in a heating target setting step which is a first step, a mirror-finished silicon wafer and copper containing 30 to 40% by weight of zinc are placed inside a tantalum container installed in a high vacuum infrared irradiation heating furnace. It was set apart from the zinc alloy disk. Silicon wafers having a diameter of about 25 mm and a thickness of about 0.5 mm were arranged inside a tantalum container with an interval of about 2 mm. The copper-zinc alloy disk used had a diameter of about 25 mm as in the case of the silicon wafer and a thickness of about 1 mm.
[0024]
In the subsequent evacuation step, which is the second step, the inside of the high-vacuum infrared irradiation heating furnace was depressurized by evacuation. At this time, the inside of the high vacuum infrared irradiation heating furnace was evacuated and evacuated to 30 Torr or less.
[0025]
Then, in the copper-zinc alloy disk heating step, which is the third step, the copper-zinc alloy disk was heated immediately after the end of the exhaust stroke. The surface of the copper-zinc alloy disk was continuously heated at 900 ° C. for 30 minutes.
[0026]
In the cooling step, which is the fourth step, the temperature of the copper-zinc alloy disk was cooled to room temperature after the heating step.
[0027]
Then, in the fifth step of heating the silicon on which the zinc oxide has grown, in order to completely remove the common deposit of zinc in the zinc oxide nanobelt film formed on the silicon surface, high vacuum infrared irradiation heating is performed. Heating was performed while reducing the pressure in the furnace. At this time, the inside of the high-vacuum infrared irradiation heating furnace was 10 −3 torr or less, and heating was continued at 700 ° C. for 10 minutes in this high vacuum environment.
[0028]
FIG. 1 shows an SEM image of the zinc oxide nanobelt of the present invention manufactured through the above steps. FIG. 1A is an SEM image from above, and FIG. 1B is an SEM image from an oblique angle of 40 degrees.
[0029]
FIG. 1A shows that the quasi-aligned zinc oxide nanobelts are formed on a 100% silicon wafer. Further, as shown in FIG. 1B, the zinc oxide nanobelts are oriented and grown in one direction to form a film. The generated zinc oxide nanobelt has a thickness in the range of about 2 to 4 μm, and usually has a circular shape with a diameter of about 25 mm.
[0030]
FIG. 2 is an XRD pattern of a zinc oxide nanobelt grown on a 100% silicon wafer. 2, the lattice constant of the nanobelt is a = O. At 3250 nm and c = 0.201 nm, it can be seen that it has a senaenite type (wurtzite) structure.
[0031]
FIG. 3 is a TEM micrograph of the manufactured zinc oxide nanobelt. FIG. 3A shows that the zinc oxide nanobelts are growing along the length direction. FIG. 3B is a TEM micrograph at a high magnification. The inset in FIG. 3B is an electron diffraction diagram taken along the [1010] direction. It can be seen that most of the zinc oxide nanobelts are prepared along the [0001] direction. The dimensions are in the range of 2 to 4 μm in length, the width of the thick cut surface is in the range of 100 to 150 nm, and the width of the thin cut surface is in the range of about 30 to 50 nm. And it turns out that the ratio of the width dimension to the thickness dimension is 5 or more.
[0032]
FIG. 4 is a room temperature photoluminescence (PL) spectrum of the manufactured zinc oxide nanobelt. As shown in FIG. 4, strong light emission with a wavelength of 379 nm was exhibited, and the amount of light emission was 10 6 meV at the maximum amount at the midpoint of the full width.
[0033]
【The invention's effect】
According to the invention of this application, as described in detail above, a zinc oxide nanobelt having a size sufficient for application to electrical or optical measurement and a method for producing the same are provided.
[0034]
The zinc oxide nanobelt and the zinc oxide nanobelt composite according to the invention of the present application have a size sufficient to be applied to electrical or optical measurement, and have a wavelength band near 379 nm, and a maximum emission amount. Exhibit strong light emission of 10 6 meV. The zinc oxide nanobelt and zinc oxide nanobelt composite of the invention of this application are not only applicable to optoelectronic devices and the like, but also contribute to the development of nanotechnology combined with silicon electronics, Its practical application is strongly expected.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an SEM image of a zinc oxide nanobelt manufactured in an example of the present invention.
FIG. 2 is an XRD pattern of a zinc oxide nanobelt grown on a 100% silicon wafer in an example of the present invention.
FIG. 3 is a TEM micrograph of a zinc oxide nanobelt manufactured in an example of the present invention.
FIG. 4 is a room temperature photoluminescence (PL) spectrum of a zinc oxide nanobelt manufactured in an example of the invention of this application.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002331408A JP3893457B2 (en) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | Method for producing zinc oxide nanobelts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002331408A JP3893457B2 (en) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | Method for producing zinc oxide nanobelts |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004161570A true JP2004161570A (en) | 2004-06-10 |
| JP3893457B2 JP3893457B2 (en) | 2007-03-14 |
Family
ID=32808772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002331408A Expired - Lifetime JP3893457B2 (en) | 2002-11-14 | 2002-11-14 | Method for producing zinc oxide nanobelts |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3893457B2 (en) |
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| CN109423642A (en) * | 2017-08-31 | 2019-03-05 | 青岛海尔智能技术研发有限公司 | A kind of Cu-Zn-ZnO composite material and preparation method and application |
| CN109423642B (en) * | 2017-08-31 | 2021-03-02 | 青岛海尔智能技术研发有限公司 | Cu-Zn-ZnO composite material and preparation method and application thereof |
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| JP3893457B2 (en) | 2007-03-14 |
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Legal Events
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| S533 | Written request for registration of change of name |
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