JP2004140306A - 1チップで3色を発光する半導体白色発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】一つの基板上に3波長の発光素子を実現して、白色または多様な混合色を形成でき、かつ、組み立て工程費用を低減することのできる白色発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】共通のGaAs基板上に、GaAsに格子整合するIII−V族化合物半導体発光素子およびII−VI族化合物半導体発光素子よりなる赤、緑および青の各半導体発光素子構成部を隣接させる構成とする。
【選択図】 図1
【解決手段】共通のGaAs基板上に、GaAsに格子整合するIII−V族化合物半導体発光素子およびII−VI族化合物半導体発光素子よりなる赤、緑および青の各半導体発光素子構成部を隣接させる構成とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子(以下、発光素子という)の構造、特に一つの基板に3波長の発光素子構成部を有する半導体白色発光素子(以下、白色発光素子という)の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、色の異なる単色光の発光素子を組み合わせて他の色を合成していた。例えば、単色の赤色発光素子(R)と、単色の緑色発光素子(G)、単色の青色発光素子(B)とを組み合わせ、この3色の発光素子(R,G,B)の発光強度比を調整することにより、すべての色の発光素子光標示板を作ることができる。また、前述の全色発光可能な発光素子光標示板は白色光の合成も可能であるため、発光素子は、指示信号や情報標示板以外に照明にも応用することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、3色(赤、緑、青)発光素子を用いた白色発光素子は、各々の単色光のチップを組み立てて作るため、組み立て費用が上昇するという問題があった。又、情報標示板に使用する場合、3色の個別のチップを組み立てる方法では、これ以上の小型化が難しく、画素を細かくして表現力を高めることができなかった。
【0004】
本発明は上記した従来技術の諸問題点を解決するため、一つの基板上に3波長の発光素子構成部を形成して、白色または多様な混合色を形成することができる白色発光素子の提供を目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
第1の本発明は、図1にその一例の断面図を示すように、共通のGaAs基板1上に、GaAsに格子整合するIII−V族化合物半導体およびII−VI族化合物半導体よりなる各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bを隣接させる構成とする。
【0006】
第2の本発明は、上述の構成において、そのIII−V族化合物半導体発光素子構成部をAlGaInP系化合物半導体より構成し、II−VI族化合物半導体発光素子構成部を下記(化1)の組成によるII−VI族化合物半導体より構成する。
【0007】
【化1】Zn1−x−yMgxCdySaTebSe1−a−b(0≦x<1、0≦y<1、0≦a<1、0≦b<1)
【0008】
第3の本発明は、各赤、緑および青の各半導体発光素子構成部を、ダブルヘテロ構造とする。
【0009】
第4の本発明は、共通の基板上に、該基板にピーク波長の異なる3つの各半導体発光素子構成部が隣接する構造とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に従って説明する。
本発明は、図1にその一例の断面図を示すように、共通のGaAs基板1上に、GaAsに格子整合するIII−V族化合物半導体およびII−VI族化合物半導体よりなる赤、緑および青の3色の発光素子構成部が隣接する構造とする。
【0011】
ここで、比較的長波長の赤の半導体発光素子構成部21Rと、緑の半導体発光素子構成部21Gとは、III−V族系構成とし、短波長の青の半導体発光素子構成部21BをII−VI族系構成とする。
【0012】
III−V族化合物半導体発光素子構成部は、AlGaInP系化合物半導体により構成することが望まれ、II−VI族化合物半導体発光素子構成部は、前記(化1)の組成によるII−VI族化合物半導体より構成することが望まれる。
【0013】
そして、図1に示すように、GaAs基板1の下方側に第1電極41でオーミックコンタクトを形成し、各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bの各上方側(GaAs基板1とは反対側)にそれぞれ第2、第3および第4電極42、43および44でオーミックコンタクトを形成する。
【0014】
電極の構成は、第1電極を共通として、第2電極および第1電極間、第3電極および第1電極間、第4電極および第1電極間にそれぞれ所要の駆動電圧を供給することによって、各発光素子構成部21R、21G、21Bを独立に制御できる。したがって、これら発光素子構成部21R、21G、21Bを組み合わせ発光させることにより、カラー発光や白色発光を行うことができる。
【0015】
図2〜図4を用いて本発明による白色発光素子の製造方法を説明する。
【0016】
図2の(1)に概略的断面図を示すように、n型のGaAs基板1上に、先ず赤の発光素子構成部21Rをエピタキシーする。この赤の発光素子構成部21Rは、例えば厚さ0.5μmのn型の(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pよりなる第1のクラッド層11Rと、例えば厚さ0.3μmのアンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5Pよりなる活性層12Rと、例えば厚さ0.5μmのp型の(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pよりなる第2のクラッド層13Rとを順次エピタキシーして形成する。
【0017】
次に、図2の(2)に示すように、窒化シリコン51をCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相エピタキシー)法によりウェハー全面に1000Å(オングストローム)程度の厚さに形成する。そして、図2の(3)に示すように、穴をあけない部分に選択的にレジスト52を塗布し、これをエッチングマスクとし、図2の(4)に示すように、不要な窒化シリコンを除去し、AlGaInP系の赤の発光素子構成部21Rを例えば塩酸の水溶液、あるいは塩酸と過酸化水素水との混合液によるエッチング液による化学的エッチングを行う。
【0018】
この場合、このエッチングはAlGaInPによる発光素子構成部21Rに関しては良好にそのエッチングがなされるが、GaAs基板1に関してはそのエッチング速度が極めて遅いことから、このエッチングによって発光素子構成部21Rがパターンエッチングされ、GaAs基板1による基板が外部に露呈すると、ここで見掛け上エッチングが停止するので、この時点でエッチングを停止する。
【0019】
図2の(5)に示すように、レジストを除去する。
【0020】
そして、図2の(6)に示すように、選択エッチングによりあけた穴に緑の発光素子構成部21Gをエピタキシーする。この緑の発光素子構成部21Gは、例えば厚さ0.5μmのn型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pよりなる第1のクラッド層11Gと、例えば厚さ0.3μmのアンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pよりなる活性層12Gと、例えば厚さ0.5μmのp型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pよりなる第2のクラッド層13Gとを順次エピタキシーして形成する。このとき、窒化シリコンの上には堆積しない。したがって穴の中だけに堆積する。
【0021】
次に、緑の発光素子構成部21G以外の所に青の発光素子構成部21Bを堆積するための穴をあける。はじめに、図3の(7)に示すように、堆積した緑の発光素子構成部21Gを窒化シリコン51で塞ぎ、ウェハー全面を窒化シリコン51で覆う状態にする。次に、図3の(8)に示すように、穴をあけない部分に選択的にレジスト52を塗布し、これをエッチングマスクとし、図3の(9)に示すように、不要な窒化シリコン51を除去し、AlGaInP系の赤の発光素子構成部21Rを例えば塩酸の水溶液、あるいは塩酸と過酸化水素水との混合液によるエッチング液による化学的エッチングを行う。
【0022】
この場合、このエッチングはAlGaInPによる発光素子構成部21Rに関しては良好にそのエッチングがなされるが、GaAs基板1に関してはそのエッチング速度が極めて遅いことから、このエッチングによって発光素子構成部21Rがパターンエッチングされ、GaAs基板1による基板が外部に露呈すると、ここで見掛け上エッチングが停止するので、この時点でエッチングを停止する。
【0023】
この青の発光素子構成部21Bのための一連の穴あけ工程は、緑の発光素子構成部21Gのための穴あけ工程と同様である。
【0024】
図3の(10)に示すように、レジスト52を除去する。
【0025】
そして、図3の(11)に示すように、選択エッチングによりあけた穴に青の発光素子構成部21Bをエピタキシーする。この青の発光素子構成部21Bは、例えば厚さ0.5μmのn型のZn(S0.07Se0.93)による第1のクラッド層11Bと、例えば厚さ6nmのZnSeのバリア層と厚さ4nmの(Zn0.9Cd0.1)Seの量子井戸層との繰り返し積層によるTQW(3重量子井戸)構造の活性層12Bと、例えば厚さ0.5μmのp型の層Zn(S0.07Se0.93)による第2のクラッド層13Bとを順次エピタキシーして形成する。このとき、窒化シリコンの上には堆積しない。したがって、穴の中だけに堆積する。
【0026】
次に、図3の(12)に示すように、窒化シリコン51を全て除去する。
【0027】
上述のIII−V族化合物半導体による各赤および緑の発光素子構成部21Rおよび21Gは、MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor Deposition:有機金属化学気相エピタキシー)によって形成し、II−VI族化合物半導体による青の発光素子構成部21Bは、MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシー)によってエピタキシーする。
【0028】
このようにして、GaAs基板1上に、赤の発光素子構成部21Rと、緑の発光素子構成部21Gと、青の発光素子構成部21Bが隣接した発光素子構成基板21が形成される。
【0029】
続いて、発光素子構成基板21の各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bに対する電極の形成を行う。
【0030】
電極を形成する方法は、はじめに、GaAs基板1の下方側に真空中でAuGe/Ni/Auを蒸着する。そして、熱処理を行う。その後、発光素子面に同様に真空中でAuGe/Ni/Auを蒸着する。GaAs基板1の下方側は全面にレジストを塗付し、発光素子面は、電極の部分だけ選択的にレジストを塗布する。これをマスクとして不要な電極は除去する。その後、レジストをすべて除去し、熱処理を行う。図4の(13)に示すように、電極が形成される。
【0031】
尚、本発明による半導体白色発光素子を構成する発光素子構成基板21は、上述した例に限られるものではなく、種々の構成をとることができ、例えば赤の半導体発光素子構成部21RのみをIII−V族、例えばAlGaInP系化合物半導体によって構成し、緑および青の半導体発光素子構成部21Gおよび21BをII−VI族化合物半導体によって構成することもできる。
【0032】
この場合の基板21の一例を図5を参照して説明する。この場合、n型のGaAs基板1上に、例えばn型のAlGaInP(例えば(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P)による第1のクラッド層11Rと、アンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の例えばAlGaInP(例えば(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P)による活性層12Rと、p型のAlGaInP(例えば(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P)による第2のクラッド層13Rとの各エピタキシー層による赤の発光素子構成部21Rを構成する。
【0033】
そして、エッチングにより赤の発光素子構成部21Rの一部に穴をあけ、その穴の中に、例えばn型のZnMgSSe(例えばZn0.9Mg0.1S0.16Se0.84)による第1のクラッド層11Gと、アンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の例えばZnCdSe(例えばZn0.8Cd0.2Se)による活性層12Gと、例えばp型のZnMgSSe(例えばZn0.9Mg0.1S0.16Se0.84)による第2のクラッド層13Gの各エピタキシー層による緑の発光素子構成部21Gを構成する。
【0034】
更に、エッチングにより赤の発光素子構成部21Rの一部に穴をあけ、その穴の中に、例えばn型の例えばZnMgSSe(例えばZn0.9Mg0.1S0.16Se0.84)の第1クラッド層11Bと、アンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の例えばZnSSe(例えばZnS0.06Se0.94)よる活性層12Bと、p型のZnMgSSe(例えばZn0.9Mg0.1S0.16Se0.84)による第2のクラッド層13Bとの各エピタキシー層による青の発光素子構成部21Bを構成する。
【0035】
このようにして、各赤、緑および青の各発光素子構成部21R、21Gおよび21Bが一つの基板に隣接して並ぶ発光素子構成基板21を構成する。
【0036】
本発明は、上記に示した材料以外を用いて構成してもよい。すなわち、基板や発光素子構成部に上記の例で示した材料以外を用いていても、一つの基板に3波長の発光素子構成部が隣接している構造であれば、本発明の範囲内とする。
【0037】
上述の本発明による複数の半導体発光素子構成部が共通のGaAs基板1上に形成された発光装置、例えば2次元配列による発光装置は、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ等のカラーディスプレイ、壁掛けカラーテレビ等の再生画面等を構成できるものであり、3色を合成することにより、白色として発光するため照明とすることができる。また、1次元配列による発光装置は、例えばレーザプリンタ等のカラー光源として構成でき、その使途は広範囲である。
【0038】
【発明の効果】
本発明構成による半導体発光素子は、3原色の赤、緑および青の発光素子構成部が隣接された構成を採るので、これらを個別に駆動発光させることによって、これらの光の合成によるフルカラー発光を行うことができる。
【0039】
これらが互いに接近して構成されるので、これら各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bの発光をその端面から出射させるいわゆる水平型構成とする場合においても、これらの光を容易に合成できフルカラー発光を行うことができるものである。また、これら各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bの発光をその面方向と交叉する方向とするいわゆる面発光型構成とする場合においてもすぐれたフルカラー発光を行うことができる。
【0040】
そして、特に本発明構成においては、結晶性にすぐれ廉価に入手でき、またこれの上に、III−V族およびII−VI族化合物半導体を整合性良くエピタキシーできるGaAs基板1を用い、これの上に形成する各色の半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bを、III−V族およびII−VI族化合物半導体によって構成したことにより、各発光素子構成部21R、21Gおよび21Bに関して共に結晶性にすぐれた発光素子を構成することができるので、安定して目的とする半導体発光素子を確実に、再現性良く、高い歩留りをもって製造できるものである。
【0041】
そして、このようにIII−V族およびII−VI族の各半導体発光素子構成部の組み合わせ構成をとることから、例えば、比較的波長が長い赤の発光、更に或る場合は緑の発光を行う発光素子構成部に関しては、III−V族系化合物半導体によって構成し、波長の短い少なくとも青、更に或る場合は緑の発光を行う発光素子構成部に関しては、II−VI族系化合物半導体によって構成することにより、全発光素子構成部21R、21Gおよび21Bに関してともに発光効率の高い発光素子として構成することができ、広範囲の色相にわたるフルカラー発光を行うことのできる発光半導体カラー発光素子を構成できる。
【0042】
また、III−V族化合物半導体発光素子を、AlGaInP系化合物半導体によって構成し、II−VI族系化合物半導体発光素子を、ZnSeを含むII−VI族系化合物半導体によって構成することによって、GaAs基板1に対して良く格子整合された目的とする半導体発光素子を得ることができることから、発光効率が高い半導体発光素子をより安定して再現性良く、高い歩留りをもって製造することができるものである。
【0043】
上述したように、本発明構成によれば、半導体発光素子を、高い発光効率をもって、再現性良く、高い歩留りをもって製造することができ、またこの発光素子構成部を、共通の基板に容易に複数同時に配列形成することができることから、例えばTVカラー表示を行うとか、パーソナルコンピュータ,ワードロセッサ等のディスプレイ装置を構成することができる。また、3色を合成することにより、白色として発光するため照明とすることができる。1次元配列によって例えばレーザプリンタの光源として用いることができるなど多くの利益を有するものである。
【0044】
更に、従来のように、各々の単色光のチップを組み立てて作るのに比較して、組み立て費用が下降する。また、情報標示板に使用する場合、3色の個別のチップを組み立てる方法に比較して、小型化が容易になり、その結果、画素を細かくすることができるので表現力を高めることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体白色発光素子を構成する発光素子構成基板の一例の概略断面図である。
【図2】本発明による半導体白色発光素子の一例の製造工程の概略断面図である。
【図3】本発明による半導体白色発光素子の一例の製造工程の概略断面図である。
【図4】本発明による半導体白色発光素子の一例の製造工程の概略断面図である。
【図5】本発明による半導体白色発光素子を構成する発光素子構成基板の他の一例の概略断面図である。
【符号の説明】
1GaAs基板
11R,11G,11B第1のクラッド層
12R,12G,12B活性層
13R,13G,13B第2のクラッド層
21発光素子構成基板
21R赤の発光素子構成部
21G緑の発光素子構成部
21B青の発光素子構成部
41第1の電極
42第2の電極
43第3の電極
44第4の電極
51窒化シリコン
52レジスト
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子(以下、発光素子という)の構造、特に一つの基板に3波長の発光素子構成部を有する半導体白色発光素子(以下、白色発光素子という)の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、色の異なる単色光の発光素子を組み合わせて他の色を合成していた。例えば、単色の赤色発光素子(R)と、単色の緑色発光素子(G)、単色の青色発光素子(B)とを組み合わせ、この3色の発光素子(R,G,B)の発光強度比を調整することにより、すべての色の発光素子光標示板を作ることができる。また、前述の全色発光可能な発光素子光標示板は白色光の合成も可能であるため、発光素子は、指示信号や情報標示板以外に照明にも応用することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、3色(赤、緑、青)発光素子を用いた白色発光素子は、各々の単色光のチップを組み立てて作るため、組み立て費用が上昇するという問題があった。又、情報標示板に使用する場合、3色の個別のチップを組み立てる方法では、これ以上の小型化が難しく、画素を細かくして表現力を高めることができなかった。
【0004】
本発明は上記した従来技術の諸問題点を解決するため、一つの基板上に3波長の発光素子構成部を形成して、白色または多様な混合色を形成することができる白色発光素子の提供を目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
第1の本発明は、図1にその一例の断面図を示すように、共通のGaAs基板1上に、GaAsに格子整合するIII−V族化合物半導体およびII−VI族化合物半導体よりなる各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bを隣接させる構成とする。
【0006】
第2の本発明は、上述の構成において、そのIII−V族化合物半導体発光素子構成部をAlGaInP系化合物半導体より構成し、II−VI族化合物半導体発光素子構成部を下記(化1)の組成によるII−VI族化合物半導体より構成する。
【0007】
【化1】Zn1−x−yMgxCdySaTebSe1−a−b(0≦x<1、0≦y<1、0≦a<1、0≦b<1)
【0008】
第3の本発明は、各赤、緑および青の各半導体発光素子構成部を、ダブルヘテロ構造とする。
【0009】
第4の本発明は、共通の基板上に、該基板にピーク波長の異なる3つの各半導体発光素子構成部が隣接する構造とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に従って説明する。
本発明は、図1にその一例の断面図を示すように、共通のGaAs基板1上に、GaAsに格子整合するIII−V族化合物半導体およびII−VI族化合物半導体よりなる赤、緑および青の3色の発光素子構成部が隣接する構造とする。
【0011】
ここで、比較的長波長の赤の半導体発光素子構成部21Rと、緑の半導体発光素子構成部21Gとは、III−V族系構成とし、短波長の青の半導体発光素子構成部21BをII−VI族系構成とする。
【0012】
III−V族化合物半導体発光素子構成部は、AlGaInP系化合物半導体により構成することが望まれ、II−VI族化合物半導体発光素子構成部は、前記(化1)の組成によるII−VI族化合物半導体より構成することが望まれる。
【0013】
そして、図1に示すように、GaAs基板1の下方側に第1電極41でオーミックコンタクトを形成し、各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bの各上方側(GaAs基板1とは反対側)にそれぞれ第2、第3および第4電極42、43および44でオーミックコンタクトを形成する。
【0014】
電極の構成は、第1電極を共通として、第2電極および第1電極間、第3電極および第1電極間、第4電極および第1電極間にそれぞれ所要の駆動電圧を供給することによって、各発光素子構成部21R、21G、21Bを独立に制御できる。したがって、これら発光素子構成部21R、21G、21Bを組み合わせ発光させることにより、カラー発光や白色発光を行うことができる。
【0015】
図2〜図4を用いて本発明による白色発光素子の製造方法を説明する。
【0016】
図2の(1)に概略的断面図を示すように、n型のGaAs基板1上に、先ず赤の発光素子構成部21Rをエピタキシーする。この赤の発光素子構成部21Rは、例えば厚さ0.5μmのn型の(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pよりなる第1のクラッド層11Rと、例えば厚さ0.3μmのアンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5Pよりなる活性層12Rと、例えば厚さ0.5μmのp型の(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pよりなる第2のクラッド層13Rとを順次エピタキシーして形成する。
【0017】
次に、図2の(2)に示すように、窒化シリコン51をCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相エピタキシー)法によりウェハー全面に1000Å(オングストローム)程度の厚さに形成する。そして、図2の(3)に示すように、穴をあけない部分に選択的にレジスト52を塗布し、これをエッチングマスクとし、図2の(4)に示すように、不要な窒化シリコンを除去し、AlGaInP系の赤の発光素子構成部21Rを例えば塩酸の水溶液、あるいは塩酸と過酸化水素水との混合液によるエッチング液による化学的エッチングを行う。
【0018】
この場合、このエッチングはAlGaInPによる発光素子構成部21Rに関しては良好にそのエッチングがなされるが、GaAs基板1に関してはそのエッチング速度が極めて遅いことから、このエッチングによって発光素子構成部21Rがパターンエッチングされ、GaAs基板1による基板が外部に露呈すると、ここで見掛け上エッチングが停止するので、この時点でエッチングを停止する。
【0019】
図2の(5)に示すように、レジストを除去する。
【0020】
そして、図2の(6)に示すように、選択エッチングによりあけた穴に緑の発光素子構成部21Gをエピタキシーする。この緑の発光素子構成部21Gは、例えば厚さ0.5μmのn型(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pよりなる第1のクラッド層11Gと、例えば厚さ0.3μmのアンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pよりなる活性層12Gと、例えば厚さ0.5μmのp型の(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pよりなる第2のクラッド層13Gとを順次エピタキシーして形成する。このとき、窒化シリコンの上には堆積しない。したがって穴の中だけに堆積する。
【0021】
次に、緑の発光素子構成部21G以外の所に青の発光素子構成部21Bを堆積するための穴をあける。はじめに、図3の(7)に示すように、堆積した緑の発光素子構成部21Gを窒化シリコン51で塞ぎ、ウェハー全面を窒化シリコン51で覆う状態にする。次に、図3の(8)に示すように、穴をあけない部分に選択的にレジスト52を塗布し、これをエッチングマスクとし、図3の(9)に示すように、不要な窒化シリコン51を除去し、AlGaInP系の赤の発光素子構成部21Rを例えば塩酸の水溶液、あるいは塩酸と過酸化水素水との混合液によるエッチング液による化学的エッチングを行う。
【0022】
この場合、このエッチングはAlGaInPによる発光素子構成部21Rに関しては良好にそのエッチングがなされるが、GaAs基板1に関してはそのエッチング速度が極めて遅いことから、このエッチングによって発光素子構成部21Rがパターンエッチングされ、GaAs基板1による基板が外部に露呈すると、ここで見掛け上エッチングが停止するので、この時点でエッチングを停止する。
【0023】
この青の発光素子構成部21Bのための一連の穴あけ工程は、緑の発光素子構成部21Gのための穴あけ工程と同様である。
【0024】
図3の(10)に示すように、レジスト52を除去する。
【0025】
そして、図3の(11)に示すように、選択エッチングによりあけた穴に青の発光素子構成部21Bをエピタキシーする。この青の発光素子構成部21Bは、例えば厚さ0.5μmのn型のZn(S0.07Se0.93)による第1のクラッド層11Bと、例えば厚さ6nmのZnSeのバリア層と厚さ4nmの(Zn0.9Cd0.1)Seの量子井戸層との繰り返し積層によるTQW(3重量子井戸)構造の活性層12Bと、例えば厚さ0.5μmのp型の層Zn(S0.07Se0.93)による第2のクラッド層13Bとを順次エピタキシーして形成する。このとき、窒化シリコンの上には堆積しない。したがって、穴の中だけに堆積する。
【0026】
次に、図3の(12)に示すように、窒化シリコン51を全て除去する。
【0027】
上述のIII−V族化合物半導体による各赤および緑の発光素子構成部21Rおよび21Gは、MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor Deposition:有機金属化学気相エピタキシー)によって形成し、II−VI族化合物半導体による青の発光素子構成部21Bは、MBE(Molecular Beam Epitaxy:分子線エピタキシー)によってエピタキシーする。
【0028】
このようにして、GaAs基板1上に、赤の発光素子構成部21Rと、緑の発光素子構成部21Gと、青の発光素子構成部21Bが隣接した発光素子構成基板21が形成される。
【0029】
続いて、発光素子構成基板21の各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bに対する電極の形成を行う。
【0030】
電極を形成する方法は、はじめに、GaAs基板1の下方側に真空中でAuGe/Ni/Auを蒸着する。そして、熱処理を行う。その後、発光素子面に同様に真空中でAuGe/Ni/Auを蒸着する。GaAs基板1の下方側は全面にレジストを塗付し、発光素子面は、電極の部分だけ選択的にレジストを塗布する。これをマスクとして不要な電極は除去する。その後、レジストをすべて除去し、熱処理を行う。図4の(13)に示すように、電極が形成される。
【0031】
尚、本発明による半導体白色発光素子を構成する発光素子構成基板21は、上述した例に限られるものではなく、種々の構成をとることができ、例えば赤の半導体発光素子構成部21RのみをIII−V族、例えばAlGaInP系化合物半導体によって構成し、緑および青の半導体発光素子構成部21Gおよび21BをII−VI族化合物半導体によって構成することもできる。
【0032】
この場合の基板21の一例を図5を参照して説明する。この場合、n型のGaAs基板1上に、例えばn型のAlGaInP(例えば(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P)による第1のクラッド層11Rと、アンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の例えばAlGaInP(例えば(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P)による活性層12Rと、p型のAlGaInP(例えば(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P)による第2のクラッド層13Rとの各エピタキシー層による赤の発光素子構成部21Rを構成する。
【0033】
そして、エッチングにより赤の発光素子構成部21Rの一部に穴をあけ、その穴の中に、例えばn型のZnMgSSe(例えばZn0.9Mg0.1S0.16Se0.84)による第1のクラッド層11Gと、アンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の例えばZnCdSe(例えばZn0.8Cd0.2Se)による活性層12Gと、例えばp型のZnMgSSe(例えばZn0.9Mg0.1S0.16Se0.84)による第2のクラッド層13Gの各エピタキシー層による緑の発光素子構成部21Gを構成する。
【0034】
更に、エッチングにより赤の発光素子構成部21Rの一部に穴をあけ、その穴の中に、例えばn型の例えばZnMgSSe(例えばZn0.9Mg0.1S0.16Se0.84)の第1クラッド層11Bと、アンドープあるいは低濃度のn型もしくはp型の例えばZnSSe(例えばZnS0.06Se0.94)よる活性層12Bと、p型のZnMgSSe(例えばZn0.9Mg0.1S0.16Se0.84)による第2のクラッド層13Bとの各エピタキシー層による青の発光素子構成部21Bを構成する。
【0035】
このようにして、各赤、緑および青の各発光素子構成部21R、21Gおよび21Bが一つの基板に隣接して並ぶ発光素子構成基板21を構成する。
【0036】
本発明は、上記に示した材料以外を用いて構成してもよい。すなわち、基板や発光素子構成部に上記の例で示した材料以外を用いていても、一つの基板に3波長の発光素子構成部が隣接している構造であれば、本発明の範囲内とする。
【0037】
上述の本発明による複数の半導体発光素子構成部が共通のGaAs基板1上に形成された発光装置、例えば2次元配列による発光装置は、パーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ等のカラーディスプレイ、壁掛けカラーテレビ等の再生画面等を構成できるものであり、3色を合成することにより、白色として発光するため照明とすることができる。また、1次元配列による発光装置は、例えばレーザプリンタ等のカラー光源として構成でき、その使途は広範囲である。
【0038】
【発明の効果】
本発明構成による半導体発光素子は、3原色の赤、緑および青の発光素子構成部が隣接された構成を採るので、これらを個別に駆動発光させることによって、これらの光の合成によるフルカラー発光を行うことができる。
【0039】
これらが互いに接近して構成されるので、これら各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bの発光をその端面から出射させるいわゆる水平型構成とする場合においても、これらの光を容易に合成できフルカラー発光を行うことができるものである。また、これら各半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bの発光をその面方向と交叉する方向とするいわゆる面発光型構成とする場合においてもすぐれたフルカラー発光を行うことができる。
【0040】
そして、特に本発明構成においては、結晶性にすぐれ廉価に入手でき、またこれの上に、III−V族およびII−VI族化合物半導体を整合性良くエピタキシーできるGaAs基板1を用い、これの上に形成する各色の半導体発光素子構成部21R、21Gおよび21Bを、III−V族およびII−VI族化合物半導体によって構成したことにより、各発光素子構成部21R、21Gおよび21Bに関して共に結晶性にすぐれた発光素子を構成することができるので、安定して目的とする半導体発光素子を確実に、再現性良く、高い歩留りをもって製造できるものである。
【0041】
そして、このようにIII−V族およびII−VI族の各半導体発光素子構成部の組み合わせ構成をとることから、例えば、比較的波長が長い赤の発光、更に或る場合は緑の発光を行う発光素子構成部に関しては、III−V族系化合物半導体によって構成し、波長の短い少なくとも青、更に或る場合は緑の発光を行う発光素子構成部に関しては、II−VI族系化合物半導体によって構成することにより、全発光素子構成部21R、21Gおよび21Bに関してともに発光効率の高い発光素子として構成することができ、広範囲の色相にわたるフルカラー発光を行うことのできる発光半導体カラー発光素子を構成できる。
【0042】
また、III−V族化合物半導体発光素子を、AlGaInP系化合物半導体によって構成し、II−VI族系化合物半導体発光素子を、ZnSeを含むII−VI族系化合物半導体によって構成することによって、GaAs基板1に対して良く格子整合された目的とする半導体発光素子を得ることができることから、発光効率が高い半導体発光素子をより安定して再現性良く、高い歩留りをもって製造することができるものである。
【0043】
上述したように、本発明構成によれば、半導体発光素子を、高い発光効率をもって、再現性良く、高い歩留りをもって製造することができ、またこの発光素子構成部を、共通の基板に容易に複数同時に配列形成することができることから、例えばTVカラー表示を行うとか、パーソナルコンピュータ,ワードロセッサ等のディスプレイ装置を構成することができる。また、3色を合成することにより、白色として発光するため照明とすることができる。1次元配列によって例えばレーザプリンタの光源として用いることができるなど多くの利益を有するものである。
【0044】
更に、従来のように、各々の単色光のチップを組み立てて作るのに比較して、組み立て費用が下降する。また、情報標示板に使用する場合、3色の個別のチップを組み立てる方法に比較して、小型化が容易になり、その結果、画素を細かくすることができるので表現力を高めることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体白色発光素子を構成する発光素子構成基板の一例の概略断面図である。
【図2】本発明による半導体白色発光素子の一例の製造工程の概略断面図である。
【図3】本発明による半導体白色発光素子の一例の製造工程の概略断面図である。
【図4】本発明による半導体白色発光素子の一例の製造工程の概略断面図である。
【図5】本発明による半導体白色発光素子を構成する発光素子構成基板の他の一例の概略断面図である。
【符号の説明】
1GaAs基板
11R,11G,11B第1のクラッド層
12R,12G,12B活性層
13R,13G,13B第2のクラッド層
21発光素子構成基板
21R赤の発光素子構成部
21G緑の発光素子構成部
21B青の発光素子構成部
41第1の電極
42第2の電極
43第3の電極
44第4の電極
51窒化シリコン
52レジスト
Claims (4)
- 共通のGaAs基板上に、該GaAs基板に格子整合するIII−V族化合物半導体発光素子およびII−VI族化合物半導体発光素子よりなる赤、緑および青の各半導体発光素子構成部が隣接することを特徴とする半導体白色発光素子。
- 上記III−V族化合物半導体発光素子が、AlGaInP系化合物半導体よりなり、上記II−VI族化合物半導体発光素子が、Zn1−x−yMgxCdySaTebSe1−a−b(0≦x<1、0≦y<1、0≦a<1、0≦b<1)によるII−VI族化合物半導体よりなることを特徴とする請求項1に記載の半導体白色発光素子。
- 上記各赤、緑および青の各半導体発光素子構成部が、ダブルヘテロ構造とされたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体白色発光素子。
- 共通の基板上に、該基板に格子整合する赤、緑および青の各半導体発光素子構成部が隣接することを特徴とする半導体白色発光素子。
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KR100600373B1 (ko) | 2005-06-16 | 2006-07-18 | 엘지전자 주식회사 | 백색 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
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-
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- 2002-10-15 JP JP2002335805A patent/JP2004140306A/ja active Pending
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