【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子及びホールの注入によって発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬともいう）を利用した有機ＥＬ材料の薄膜からなる発光層を備えている有機ＥＬ素子からなる複数の発光部が規則的に配置された表示配列を有する有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子の複数をマトリクス状に配列して構成される有機ＥＬ表示装置は、低消費電力及び高表示品質並びに薄型化が可能なディスプレイとして注目されている。
有機ＥＬ素子は、例えばインジウム錫酸化物いわゆるＩＴＯからなる透明電極が形成されたガラス板などの透明基板上に、有機電子輸送層、有機発光層、有機ホール輸送層などの少なくとも１層の有機材料層、及び金属電極が積層された自発光素子として知られている。透明電極の陽極に正、金属電極の陰極に負の電圧を加えることにより、電荷が蓄積され、続いて素子固有の障壁電圧または発光閾値電圧を越えると、電流が流れ初め、この直流にほぼ比例した強度で発光する。
【０００３】
有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、有機ＥＬ素子を単にマトリクス状に配置した単純マトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配置した有機ＥＬ素子の各々にトランジスタからなる駆動素子を加えたアクティブマトリクス型表示パネルがある。アクティブマトリクス型表示パネルは単純マトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力であり、また画素間のクロストークが少ないなどの利点を有し、特に大画面ディスプレイや高精細度ディスプレイに適している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
アクティブマトリクス駆動方式の表示装置は、発光部毎に、例えば低温ポリシリコンからなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いてスイッチングによって画素毎に電流を供給して有機ＥＬ素子を発光させるようにしたものである。
有機ＥＬ表示装置としては大型ディスプレイパネルに対する需要が多いので、アクティブマトリクス型表示パネルの駆動トランジスタには、低温ポリシリコンＴＦＴが有効である。
【０００５】
しかしながら、低温ポリシリコンＴＦＴを有機ＥＬ表示装置に適用する場合には次のような問題がある。例えば、大型基板上のポリシリコンＴＦＴの良品比率を極めて高く維持しないと、発光部の欠落を引き起こし、製品の歩留まりが低下する。また、ポリシリコンＴＦＴはチャネル部が多結晶であるので、単結晶シリコンＴＦＴより電気特性バラツキが大きい。よって、低温ポリシリコンＴＦＴをアクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置の大型ディスプレイパネルに用いる場合、表示装置の高価格化は避けられない。
【０００６】
そこで、本発明の解決しようとする課題には、比較的高密度で作成できる低温ポリシリコンＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を共通の基板上に形成した有機ＥＬ表示装置を提供することが一例として挙げられる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の有機ＥＬ表示装置は、基板上に形成された電源ライン、走査ライン及びデータラインの交点近傍にマトリクス状に配置された発光部毎に、対向する１対の電極及び前記１対の電極の間に積層された有機発光層を含む有機材料層を有する有機ＥＬ素子が設けられた有機ＥＬ表示装置であって、各々が前記走査ライン及びデータラインに接続されかつこれらから供給される信号に対応して前記電源ラインから前記有機ＥＬ素子へ電力を供給する２以上のスイッチ回路が、前記電源ライン及び前記有機ＥＬ素子間に、並列接続して設けられていることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明による実施形態を図面を参照しつつ説明する。
図１に、アクティブマトリクス駆動方式による実施形態の有機ＥＬ表示装置を示す。表示装置は、表示パネル１０１と、アドレスドライバ１１０と、データドライバ１２０と、コントローラ１３０と、を有している。
【０００９】
表示パネル１０１は、図１に示すように、それぞれ所定間隔で平行に形成されているｎ本の走査ラインＳＬ１〜ＳＬｎとそれぞれ所定間隔で平行に形成されているｍ本のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍとを備えており、走査ライン及びデータラインは所定間隔を隔てて互いに直角となるように形成されている。さらに、表示パネル１０１は、それぞれが走査ライン及びデータラインとの各交点に対応する部分に形成されているｎ×ｍ個の発光部１０２を備えている。各走査ラインの一端はアドレスドライバ１１０に接続され、各データラインの一端はデータドライバ１２０に接続されている。
【００１０】
アドレスドライバ１１０は、走査ラインＳＬ１〜ＳＬｎに１本ずつ順に電圧を印加する。
データドライバ１２０は、発光部１０２を発光させるためのデータ電圧を、データラインＤＬ１〜ＤＬｍに印加する。
コントローラ１３０は、アドレスドライバ１１０及びデータドライバ１２０に接続され、予め供給された画像データに従って、アドレスドライバ１１０及びデータドライバ１２０の動作を制御する。
【００１１】
発光部１０２は、図２に示すように、それぞれが走査ラインＳＬ及びデータラインＤＬにラインＳｓｕｂ及びＤｓｕｂを介して接続されかつこれら走査ラインＳＬ及びデータラインＤＬから供給される信号に対応して電源ラインＶｃｃＬからラインＶｓｕｂを介して有機ＥＬ素子１５へ電力を供給する３つのスイッチ回路ＳＷを備えている。３つのスイッチ回路ＳＷは電源ラインＶｃｃＬ及び前記有機ＥＬ素子１５の間に並列接続されている。
【００１２】
スイッチ回路ＳＷの各々は、図３に示すように、選択用トランジスタのアドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１と、駆動用トランジスタのドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴ１２と、コンデンサ１３と、有機ＥＬ素子１５と、から構成されている。
図２及び図３において、アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１のゲート電極Ｇは、アドレス信号が供給される走査ラインＳＬにラインＳｓｕｂを介して接続され、アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１のソース電極Ｓはデータ信号が供給されるデータラインＤＬにラインＤｓｕｂを介して接続されている。アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１のドレイン電極Ｄはドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴ１２のゲート電極Ｇに接続され、コンデンサ１３の一方の端子に接続されている。ドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴ１２のソース電極Ｓはコンデンサ１３の他方の端子と共に電源ラインＶｃｃＬにラインＶｓｕｂを介して接続されている。ドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴ１２のドレイン電極Ｄは有機ＥＬ素子１５の陽極にラインＯＵＴを介して接続され、有機ＥＬ素子１５の陰極は共通電極ｃｏｍに接続されている。
【００１３】
図２に示す電源ラインＶｃｃＬ及び各有機ＥＬ素子１５の陰極が接続された共通電極ｃｏｍは、これらに電力を供給する電圧源に接続されている。
この回路の発光制御動作について述べると、先ず、図１に示すアドレスドライバ１１０からスイッチ回路ＳＷのアドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１のゲート電極Ｇにオン電圧が供給されると、アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１はソース電極Ｓに供給されるデータの電圧に対応した電流をソース電極Ｓからドレイン電極Ｄへ流す。アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１のゲート電極Ｇがオフ電圧であるとアドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１はいわゆるカットオフとなり、アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１のドレイン電極Ｄはオープン状態となる。従って、アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１のゲート電極Ｇがオン電圧の期間に、コンデンサ１３は充電され、その電圧がドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴ１２のゲート電極Ｇに供給されて、ドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴ１２にはそのゲート電圧とソース電圧に基づいた電流がソース電極Ｓからドレイン電極Ｄへ流れ、ラインＯＵＴを介して有機ＥＬ素子１５を発光せしめる。また、アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１のゲート電極Ｇがオフ電圧になると、アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１はオープン状態となり、ドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴ１２はコンデンサ１３に蓄積された電荷によりゲート電極Ｇの電圧が保持され、次の走査まで駆動電流を維持し、有機ＥＬ素子１５の発光も維持される。
【００１４】
かかる実施形態によれば、有機ＥＬ素子１５を駆動するスイッチ回路ＳＷの複数をを、電源ラインＶｃｃＬ及び有機ＥＬ素子１５間に、並列接続して設けてあるので、有機ＥＬ表示装置の大型基板上にて大量のＴＦＴ作製工程途中においても、発光部あたり全てのＴＦＴが同時に不良とならない限り、残存するＴＦＴで有機ＥＬ素子１５のスイッチング駆動が可能となるので、発光部の欠落発生が減少し、製品の歩留まりが向上する。
【００１５】
有機ＥＬ表示装置の大型基板パネルを作る際に、ガラス基板にシリコン膜を塗布する工程には高温度を必要とする。アモルファスシリコンを使った通常のＴＦＴ基板では、ほぼ５００度を越える温度で行なわれるが、これがポリシリコンＴＦＴ場合、さらに高温の１０００度程度必要であり、耐熱性の高価な石英ガラスが要求されていた。
【００１６】
比較的低温でポリシリコン膜の塗布を行なって作製しているＴＦＴが低温ポリシリコンＴＦＴであるが、具体的には、シリコン膜塗布に炉などを使うのではなく、シリコン膜を形成する際に例えばエキシマレーザーを使うなど部分的加熱方法が実行される。局所加熱でシリコンを瞬時に融解、結晶化させ、すなわち、瞬間的に溶融し冷却して結晶化が起こるため、基板の温度上昇を低く抑えることができる。このように、摂氏６００度以下や４５０度以下というような低い温度でポリシリコン薄膜が形成できるようになり、その後の素子の形成方法はどんな方法でも構わないが、例えばスパッタ法、ＥＢ蒸着法、抵抗加熱蒸着法、ＣＶＤ法、印刷法、などを組み合わせて用いることができる。パターン形成法も任意の方法で構わないが、例えばフォトエッチング法、マスク蒸着法、などを用いることができる。
【００１７】
低温ポリシリコンＴＦＴであれば、例えば光学ガラス、ガラス板とプラスチック板の張り合わせたものを基板として用いることができる。例えば、図４に示すように光透過性ガラス基板１上に、データラインＤＬ及び走査ラインＳＬを埋設して配線し、それぞれに接続するラインＤｓｕｂ及びＳｓｕｂをビア又はスルーホールとして配線し、その上に４つのスイッチ回路ＳＷをそれぞれ図３に示す回路にて作製する。有機ＥＬ素子１５の基板１側の電極は光透過性の材料例えばＩＴＯからなり、スイッチ回路ＳＷの各々は基板１上の有機ＥＬ素子１５の周囲に配置されている。このようにして、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００１８】
なお、アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ１１及びドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴ１２の各々は、例えばボトムゲート型の場合、基板１上にゲート電極が成膜され、その上にゲート絶縁膜が成膜され、その上に低温ポリシリコン膜が成膜され、その上に対向離間するようにソース電極及びドレイン電極がフォトリソグラフィやエッチング技術により形成され、その上に保護膜などが成膜される。ゲート電極によりソース電極及びドレイン電極の間に電界を印加せしめると、その間にチャネルを形成できるように構成されている。
【００１９】
有機ＥＬ素子１５は画素電極、有機材料層及び共通電極から構成される。有機材料層は、通常、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層など複数の層で構成されるが、少なくとも発光層を含んでいればよい。有機材料層はその発光色により画素毎に塗り分けられる。
図５に本発明の他の実施形態、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を示す。図示のように、有機ＥＬ素子１５へ電力を供給する２つのスイッチ回路ＳＷを基板１側に設け、その上に有機ＥＬ素子１５を重ねて配置することもできる。図５と先の図１から図４で同一符号で示される部材は同一なので説明は省略する。この場合、共通電極ｃｏｍを光透過性材料で形成することが望ましい。この構造では、有機ＥＬ素子１５の面積を大きくできるので開口率が高まるというメリットがある。
【００２０】
コンデンサ、アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ及びドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴからなるスイッチ回路ＳＷを形成後、画素電極１５ａとの接続部１９を除き、保護絶縁膜を兼ねた平坦化層２０を形成する。スイッチ回路ＳＷのポリシリコンＴＦＴによる凹凸があると、有機ＥＬ素子の画素電極と共通電極ｃｏｍが短絡しやすくなるため、平坦化層２０はこの凹凸を滑らかに覆う必要がある。
【００２１】
平坦化層２０を形成後、スイッチ回路ＳＷと接続して基板側の画素電極を形成、更に有機材料層、共通電極ｃｏｍを形成し、本発明による有機ＥＬ表示装置の表示パネルが完成する。
上記例では、有機ＥＬ素子を駆動するために最も単純な構成である２、３及び４トランジスタの場合を示したが、本発明は５以上のトランジスタを用いた素子にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの構成を示すブロック図。
【図２】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光部を示すブロック回路図。
【図３】本発明による実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光部におけるスイッチ回路を示す回路図。
【図４】本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光部を示す概略斜視図。
【図５】本発明による他の実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光部を示す概略一部切欠斜視図。
【符号の説明】
１１ アドレス用低温ポリシリコンＴＦＴ
１２ ドライブ用低温ポリシリコンＴＦＴ
１３ コンデンサ
１５ 有機ＥＬ素子
１０１ 表示パネル
１０２ 発光部
１１０ アドレスドライバ
１２０ データドライバ
１３０ コントローラ
ｃｏｍ 共通電極
Ｄ ドレイン電極
ＤＬ、ＤＬ１〜ＤＬｍ データライン
Ｇ ゲート電極
Ｓ ソース電極
ＳＬ、ＳＬ１〜ＳＬｎ 走査ライン
ＶｃｃＬ 電源ライン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a plurality of light-emitting portions including an organic EL element having a light-emitting layer formed of a thin film of an organic EL material utilizing electroluminescence (hereinafter, also referred to as EL) of an organic compound material which emits light by injection of electrons and holes. Is related to an organic EL display device having a display array arranged regularly.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art An organic EL display device configured by arranging a plurality of organic EL elements in a matrix has attracted attention as a display capable of achieving low power consumption, high display quality, and thinness.
The organic EL element is formed by forming at least one organic material such as an organic electron transporting layer, an organic light emitting layer, and an organic hole transporting layer on a transparent substrate such as a glass plate on which a transparent electrode made of indium tin oxide (ITO) is formed. It is known as a self-luminous element in which layers and metal electrodes are stacked. When a positive voltage is applied to the anode of the transparent electrode and a negative voltage is applied to the cathode of the metal electrode, electric charge is accumulated.When the voltage exceeds the barrier voltage or light emission threshold voltage inherent to the device, a current starts to flow, and is approximately proportional to the direct current. Emit light at the specified intensity.
[0003]
As a display panel using organic EL elements, a simple matrix type display panel in which organic EL elements are simply arranged in a matrix, and an active matrix type display in which a driving element including a transistor is added to each of the organic EL elements arranged in a matrix. There is a panel. Active matrix display panels have advantages such as lower power consumption and less crosstalk between pixels than simple matrix display panels, and are particularly suitable for large-screen displays and high-definition displays.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the display device of the active matrix driving system, a current is supplied to each pixel by switching using a thin film transistor (TFT) made of, for example, low-temperature polysilicon for each light emitting unit, and the organic EL element emits light.
Since there is a great demand for a large display panel as an organic EL display device, a low-temperature polysilicon TFT is effective as a drive transistor of an active matrix display panel.
[0005]
However, when a low-temperature polysilicon TFT is applied to an organic EL display device, there are the following problems. For example, if the non-defective product ratio of polysilicon TFTs on a large-sized substrate is not maintained extremely high, the light emitting portion will be dropped, and the product yield will be reduced. In addition, since the polysilicon TFT has a polycrystalline channel portion, the variation in electrical characteristics is larger than that of a single-crystal silicon TFT. Therefore, when a low-temperature polysilicon TFT is used for a large-sized display panel of an organic EL display device of an active matrix drive system, an increase in the price of the display device cannot be avoided.
[0006]
Therefore, an object of the present invention is to provide, as an example, an organic EL display device in which a low-temperature polysilicon TFT and an organic EL element that can be formed at a relatively high density are formed on a common substrate.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
2. The organic EL display device according to claim 1, wherein each of the light-emitting portions arranged in a matrix near the intersection of a power supply line, a scan line, and a data line formed on a substrate and a pair of electrodes facing each other. An organic EL display device provided with an organic EL element having an organic material layer including an organic light emitting layer stacked between the electrodes, each of which is connected to and supplied from the scanning line and the data line. Two or more switch circuits for supplying power from the power supply line to the organic EL element in response to a signal are provided in parallel between the power supply line and the organic EL element.
[0008]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows an organic EL display device according to an embodiment using an active matrix driving method. The display device includes a display panel 101, an address driver 110, a data driver 120, and a controller 130.
[0009]
As shown in FIG. 1, the display panel 101 includes n scan lines SL1 to SLn formed in parallel at a predetermined interval and m data lines DL1 to DLm formed in parallel at a predetermined interval. The scanning line and the data line are formed so as to be perpendicular to each other at a predetermined interval. Further, the display panel 101 includes n × m light emitting units 102 formed at portions corresponding to respective intersections with the scanning lines and the data lines. One end of each scanning line is connected to the address driver 110, and one end of each data line is connected to the data driver 120.
[0010]
The address driver 110 sequentially applies voltages to the scanning lines SL1 to SLn one by one.
The data driver 120 applies a data voltage for causing the light emitting unit 102 to emit light to the data lines DL1 to DLm.
The controller 130 is connected to the address driver 110 and the data driver 120, and controls operations of the address driver 110 and the data driver 120 according to image data supplied in advance.
[0011]
As shown in FIG. 2, the light emitting unit 102 is connected to the scanning line SL and the data line DL via the lines Ssub and Dsub, respectively, and supplies a power corresponding to signals supplied from the scanning line SL and the data line DL. Three switch circuits SW for supplying power from the line VccL to the organic EL element 15 via the line Vsub are provided. The three switch circuits SW are connected in parallel between the power supply line VccL and the organic EL element 15.
[0012]
Each of the switch circuits SW includes, as shown in FIG. 3, a low-temperature polysilicon TFT 11 for address of a selection transistor, a low-temperature polysilicon TFT 12 for drive of a drive transistor, a capacitor 13, and an organic EL element 15. Have been.
2 and 3, a gate electrode G of the low-temperature polysilicon TFT 11 for address is connected to a scan line SL to which an address signal is supplied via a line Ssub, and a source electrode S of the low-temperature polysilicon TFT 11 for address is connected to a data signal. Is supplied via a line Dsub to a data line DL to which the data is supplied. The drain electrode D of the low-temperature polysilicon TFT 11 for address is connected to the gate electrode G of the low-temperature polysilicon TFT 12 for drive, and is connected to one terminal of the capacitor 13. The source electrode S of the driving low-temperature polysilicon TFT 12 is connected to the power supply line VccL via the line Vsub together with the other terminal of the capacitor 13. The drain electrode D of the driving low-temperature polysilicon TFT 12 is connected to the anode of the organic EL element 15 via the line OUT, and the cathode of the organic EL element 15 is connected to the common electrode com.
[0013]
The common electrode com to which the power supply line VccL and the cathode of each organic EL element 15 shown in FIG. 2 are connected is connected to a voltage source that supplies power to them.
Describing the light emission control operation of this circuit, first, when an ON voltage is supplied from the address driver 110 shown in FIG. 1 to the gate electrode G of the addressing low-temperature polysilicon TFT 11 of the switch circuit SW, the addressing low-temperature polysilicon TFT 11 is turned on. A current corresponding to the voltage of the data supplied to the source electrode S flows from the source electrode S to the drain electrode D. When the gate electrode G of the low-temperature polysilicon TFT 11 for address is at an off-state voltage, the low-temperature polysilicon TFT 11 for address is cut off, and the drain electrode D of the low-temperature polysilicon TFT 11 for address is opened. Therefore, the capacitor 13 is charged during the period when the gate electrode G of the addressing low-temperature polysilicon TFT 11 is in the ON voltage, and the voltage is supplied to the gate electrode G of the driving low-temperature polysilicon TFT 12, and the voltage is supplied to the driving low-temperature polysilicon TFT 12. The current based on the gate voltage and the source voltage flows from the source electrode S to the drain electrode D, causing the organic EL element 15 to emit light through the line OUT. When the gate electrode G of the addressing low-temperature polysilicon TFT 11 is turned off, the addressing low-temperature polysilicon TFT 11 is in an open state. The driving current is maintained until the next scan, and the light emission of the organic EL element 15 is also maintained.
[0014]
According to this embodiment, a plurality of switch circuits SW for driving the organic EL element 15 are provided in parallel between the power supply line VccL and the organic EL element 15, so that a large number of switch circuits SW are provided on the large substrate of the organic EL display device. In the middle of a large number of TFT manufacturing steps, the switching driving of the organic EL element 15 can be performed with the remaining TFTs unless all the TFTs per light emitting portion are simultaneously defective, so that the occurrence of missing light emitting portions is reduced, Product yield is improved.
[0015]
When manufacturing a large-sized substrate panel of an organic EL display device, a process of applying a silicon film to a glass substrate requires a high temperature. In the case of a normal TFT substrate using amorphous silicon, it is performed at a temperature exceeding approximately 500 degrees C. However, in the case of a polysilicon TFT, a higher temperature of about 1000 degrees is required, and expensive heat-resistant quartz glass has been required. .
[0016]
The TFT manufactured by applying a polysilicon film at a relatively low temperature is a low-temperature polysilicon TFT. Specifically, when a silicon film is formed instead of using a furnace for coating the silicon film, A partial heating method is performed, for example, using an excimer laser. Since silicon is instantaneously melted and crystallized by local heating, that is, instantaneously melted and cooled to cause crystallization, the temperature rise of the substrate can be suppressed low. As described above, a polysilicon thin film can be formed at a low temperature of 600 degrees Celsius or less or 450 degrees Celsius or less, and any method of forming a device thereafter may be used. For example, a sputtering method, an EB vapor deposition method, A combination of a resistance heating evaporation method, a CVD method, a printing method, and the like can be used. The pattern formation method may be an arbitrary method, and for example, a photo etching method, a mask evaporation method, or the like can be used.
[0017]
In the case of a low-temperature polysilicon TFT, for example, an optical glass or a laminate of a glass plate and a plastic plate can be used as the substrate. For example, as shown in FIG. 4, the data line DL and the scanning line SL are buried and wired on the light transmissive glass substrate 1, and the lines Dsub and Ssub connected thereto are wired as vias or through holes, respectively. Next, four switch circuits SW are manufactured by the circuits shown in FIG. The electrode on the substrate 1 side of the organic EL element 15 is made of a light transmissive material, for example, ITO, and each of the switch circuits SW is arranged around the organic EL element 15 on the substrate 1. Thus, a so-called bottom emission type organic EL display device is obtained.
[0018]
For example, in the case of a bottom gate type, each of the low-temperature polysilicon TFT 11 for address and the low-temperature polysilicon TFT 12 for drive has a gate electrode formed on the substrate 1, a gate insulating film formed thereon, and a A low-temperature polysilicon film is formed thereon, and a source electrode and a drain electrode are formed thereon by photolithography or an etching technique so as to be opposed to each other, and a protective film or the like is formed thereon. When an electric field is applied between the source electrode and the drain electrode by the gate electrode, a channel can be formed therebetween.
[0019]
The organic EL element 15 includes a pixel electrode, an organic material layer, and a common electrode. The organic material layer is usually composed of a plurality of layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, but it is sufficient that at least the light-emitting layer is included. The organic material layer is separately applied to each pixel according to its emission color.
FIG. 5 shows another embodiment of the present invention, that is, a so-called top emission type organic EL display device. As shown in the figure, two switch circuits SW for supplying power to the organic EL element 15 may be provided on the substrate 1 side, and the organic EL element 15 may be overlaid thereon. The members denoted by the same reference numerals in FIG. 5 and FIGS. 1 to 4 described above are the same and will not be described. In this case, it is desirable that the common electrode com be formed of a light transmissive material. This structure has the advantage that the area of the organic EL element 15 can be increased, so that the aperture ratio is increased.
[0020]
After forming a switch circuit SW including a capacitor, a low-temperature polysilicon TFT for addressing, and a low-temperature polysilicon TFT for driving, a flattening layer 20 also serving as a protective insulating film is formed except for a connection portion 19 with the pixel electrode 15a. If there is unevenness due to the polysilicon TFT of the switch circuit SW, the pixel electrode of the organic EL element and the common electrode com are easily short-circuited. Therefore, the flattening layer 20 needs to cover the unevenness smoothly.
[0021]
After forming the flattening layer 20, it is connected to the switch circuit SW to form a pixel electrode on the substrate side, and further, an organic material layer and a common electrode com are formed, thereby completing the display panel of the organic EL display device according to the present invention.
In the above example, the case of two, three, and four transistors, which are the simplest configurations for driving an organic EL element, has been described. However, the present invention can also be applied to an element using five or more transistors.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a display panel of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block circuit diagram showing a light emitting unit of the organic EL display device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a switch circuit in a light emitting unit of the organic EL display device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic perspective view showing a light emitting unit of an organic EL display device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic partially cutaway perspective view showing a light emitting portion of an organic EL display device according to another embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
11 Low temperature polysilicon TFT for address
12 Low temperature polysilicon TFT for drive
13 Capacitor 15 Organic EL element 101 Display panel 102 Light emitting unit 110 Address driver 120 Data driver 130 Controller com Common electrode D Drain electrode DL, DL1 to DLm Data line G Gate electrode S Source electrode SL, SL1 to SLn Scan line VccL Power supply line
