JP2004123518A - 半導電性釉薬、その釉薬の製造方法、および、その釉薬を使用した碍子 - Google Patents
半導電性釉薬、その釉薬の製造方法、および、その釉薬を使用した碍子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004123518A JP2004123518A JP2003310137A JP2003310137A JP2004123518A JP 2004123518 A JP2004123518 A JP 2004123518A JP 2003310137 A JP2003310137 A JP 2003310137A JP 2003310137 A JP2003310137 A JP 2003310137A JP 2004123518 A JP2004123518 A JP 2004123518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glaze
- semiconductive
- oxide
- insulator
- knao
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Insulators (AREA)
Abstract
【解決手段】ゼーゲル式で表して、塩基性成分が、KNaO:0.1〜0.4、MgO:0.2〜0.6、CaO:残部からなるKNaO−MgO−CaO−Al2O3−SiO2系基礎釉と、酸化スズ、酸化アンチモンからなる金属酸化物と、からなる釉薬組成物100wt%に対し、10wt%以下の溶融剤を添加する。
【選択図】なし
Description
酸化スズ94wt%、酸化アンチモン5wt%、酸化ニオブ1wt%を混合して金属酸化物を準備した。また、化学組成が、ゼーゲル式で表して、以下の表1に示す値となるよう混合したKNaO、MgO、CaO、さらに、0.7Al2O3、5.0SiO2を含む基礎釉を準備した。次に、準備した金属酸化物30wt%、基礎釉70wt%を混合して釉薬組成物を準備した。その後、釉薬組成物100wt%に対し、溶融剤としての酸化硼素を以下の表1に示す値となるよう添加し、さらに水65wt%を加えて、ボールミルで粉砕、混合し、以下の表1に示すように本発明例および比較例の半導電性釉薬の泥漿を作製した。
また、表面状態も良好なため、耐電蝕性の良好な碍子を得ることができる。
なお、この碍子は汚損時の電気絶縁特性、コロナ特性、熱安定性も良好である。
Claims (9)
- ゼーゲル式で表して、塩基性成分が、KNaO:0.1〜0.4、MgO:0.2〜0.6、CaO:残部からなるKNaO−MgO−CaO−Al2O3−SiO2系基礎釉と、酸化スズ、酸化アンチモンからなる金属酸化物と、からなる釉薬組成物100wt%に対し、10wt%以下の溶融剤を添加してなることを特徴とする半導電性釉薬。
- 前記溶融剤が酸化硼素である請求項1記載の半導電性釉薬。
- ゼーゲル式で表して、前記基礎釉が、さらに、Al2O3:0.5〜0.9、SiO2:4〜7である請求項1または2記載の半導電性釉薬。
- 前記釉薬組成物が、60〜80wt%の基礎釉と、40〜20wt%の金属酸化物と、からなる請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導電性釉薬。
- 前記金属酸化物中の酸化アンチモン量が2〜15wt%である請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導電性釉薬。
- 前記金属酸化物中の5wt%以下が酸化ニオブである請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導電性釉薬。
- 基礎釉と金属酸化物とからなる釉薬組成物および溶融剤の原料を所定量混合し、混合物に水を加えて泥漿化して釉薬を製造する半導電性釉薬の製造方法において、釉薬組成物および溶融剤の原料粒子を、粒径10μm以上の粗大粒子が15wt%以下となるよう微細化することを特徴とする半導電性釉薬の製造方法。
- Ca源として珪灰石を使用する請求項7記載の半導電性釉薬の製造方法。
- 請求項1〜6記載の半導電性釉薬を碍子本体の表面に施したことを特徴とする碍子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003310137A JP2004123518A (ja) | 2002-09-13 | 2003-09-02 | 半導電性釉薬、その釉薬の製造方法、および、その釉薬を使用した碍子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002268765 | 2002-09-13 | ||
JP2003310137A JP2004123518A (ja) | 2002-09-13 | 2003-09-02 | 半導電性釉薬、その釉薬の製造方法、および、その釉薬を使用した碍子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004123518A true JP2004123518A (ja) | 2004-04-22 |
Family
ID=32301625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003310137A Pending JP2004123518A (ja) | 2002-09-13 | 2003-09-02 | 半導電性釉薬、その釉薬の製造方法、および、その釉薬を使用した碍子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004123518A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103489540A (zh) * | 2013-10-15 | 2014-01-01 | 句容市睿远科技有限公司 | 一种电气化铁路接触网用绝缘子 |
-
2003
- 2003-09-02 JP JP2003310137A patent/JP2004123518A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103489540A (zh) * | 2013-10-15 | 2014-01-01 | 句容市睿远科技有限公司 | 一种电气化铁路接触网用绝缘子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9902646B2 (en) | Lead-free sealing glass and manufacture method thereof | |
JP2007103594A (ja) | 抵抗体組成物並びに厚膜抵抗体 | |
KR102580922B1 (ko) | 극고온 내화 케이블 | |
JP2008251324A (ja) | 導電性ペースト | |
JP6293735B2 (ja) | 絶縁層形成用材料、絶縁層形成用ペースト | |
CN101217067B (zh) | Ptc热敏电阻器用无铅铝电极浆料及其制备方法 | |
JP5594682B2 (ja) | 耐酸性を有する無鉛低融点ガラス | |
US7262143B2 (en) | Semiconductive glaze product, method for producing the glaze product, and insulator coated with the glaze product | |
WO2006083161A1 (en) | Enamel composition, assembly and use thereof on a substrate surface | |
CN109153595B (zh) | 金属密封用玻璃管以及金属密封用玻璃 | |
CN107188417A (zh) | 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 | |
JPS631262B2 (ja) | ||
WO2001090012A1 (fr) | Composition de verre et materiau de formation de verre comprenant cette composition | |
JPH0378726B2 (ja) | ||
JP2004123518A (ja) | 半導電性釉薬、その釉薬の製造方法、および、その釉薬を使用した碍子 | |
JP2008303076A (ja) | 無鉛絶縁性被膜材料 | |
JP2000313681A (ja) | アルミナ用無鉛グレーズ組成物およびグレーズド・アルミナ | |
JPH0416551A (ja) | 低温焼結磁器組成物 | |
WO2010013692A1 (ja) | 無鉛ガラス組成物 | |
JPH03170346A (ja) | ガラス組成物およびそれを用いた絶縁体 | |
JPH03176905A (ja) | 導電性ペースト | |
JP2941002B2 (ja) | 導体組成物 | |
JPH09227221A (ja) | アルミナ磁器、及びスパークプラグ用の絶縁碍子 | |
SU1058912A1 (ru) | Полупровод ща глазурь | |
CN108046590A (zh) | 一种高强度有色玻璃绝缘子材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081017 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090331 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090804 |