JP2004111607A - Method of manufacturing electronic component and soldering apparatus used for the same method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic component including a solder junction part not substantially including voids by sufficiently reducing and removing an oxide contained in the lead-free solder and to provide a method of manufacturing the same component. <P>SOLUTION: The method of manufacturing the electronic component 150 comprises a substrate 110 and one or more elements 130 soldered to the surface of the same substrate. This method comprises the steps of allocating the solder 120 under the condition that it is independent of the substrate in the non-active atmosphere, irradiating in direct the almost entire surface of the solder with the reduction gas P in the plasma condition from a plasma supply source 52, and soldering the element to the substrate using the solder after irradiation of gas to form the plasma. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハンダ付けを伴う電子部品の製造方法に関し、該ハンダ付けに用いられる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】種々の素子を基板にハンダ付けする際、使用するハンダや基板の表面に含まれる酸化物を還元、除去する目的で、フラックスと呼ばれる融剤が用いられる。しかし、ハンダ付け後の基板上にフラックスの残渣があると基板の絶縁性や耐食性が低下する虞がある。そのため、かかるフラックス残渣を洗浄して除去する処理が必要である。特に、旧来の有鉛ハンダよりも酸化し易い無鉛（鉛フリー）のハンダ（例えばＳｎ−Ｃｕ系のＰｂフリーハンダ）を利用する場合には、ハロゲン系、有機酸系等の高活性フラックスが使用される。かかる高活性フラックスを用いる場合、ハンダ付け後の洗浄処理を従来よりもさらに綿密に行う必要があり、それに伴って洗浄処理に要する労力及びコストの増大が問題となっている。
【０００３】
そこで、近年、フラックスを使用しない（即ちフラックスレス）ハンダ付けが要望されており、フラックスを用いることなくハンダ及び基板の表面に含まれる酸化物を除去する技術が注目されている。
例えば、特開平６−２９１４５７号公報（特許文献１）には、基板上のハンダ付け部に、使用するハンダの融点以上の温度の水素ガスを吹き付けてハンダ表面に含まれる酸化物を還元、除去しようとする技術が記載されている。また、特開２００１−５８２５９号公報（特許文献２）には、基板上に配置された溶融状態のハンダにプラズマを照射し、ハンダ内の酸化物を還元、除去しようとする技術が記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２９１４５７号公報
【特許文献２】特開２００１−５８２５９号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の酸化物除去手段では、従前の有鉛ハンダの酸化物を除去し得るが、還元し難い酸化物を比較的多量に含有する錫−亜鉛系ハンダのような鉛フリーハンダの酸化物を十分に除去することが困難である。酸化物の除去が不十分であると、ハンダ濡れが悪くなり強固な接合の妨げとなり得る。また、ハンダ接合部（ハンダ付けによる二つの部材間の接合部分をいう。以下同じ。）にボイド（気泡）が残留する原因ともなり得る。かかる酸化物由来のボイドは、ハンダ接合部における導電性や伝熱性を低下させるため好ましくない。
【０００６】
本発明は、上述した酸化物除去に関する従来の問題点を解決すべく創出されたものであり、ハンダ（特に鉛フリーハンダ）に含まれる酸化物を十分に還元、除去し得る技術を提供することを目的とする。また、他の目的は、鉛フリーハンダその他のハンダに含まれる酸化物を十分に還元、除去することによって、ボイドの発生を抑止しつつハンダ付けを行う方法、及びその方法を実施するための装置を提供することである。また、他の目的は、かかるハンダ付けを実施することによって、導電性や伝熱性に優れるハンダ接合部を有する電子部品を製造する方法ならびに当該製造方法によって製造された電子部品を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】本発明によって、プラズマを利用してハンダの酸化物（酸化膜）を除去する処理を伴う電子部品製造方法が提供される。
この製造方法は、基板と、その基板表面にハンダ付けされた一又は二以上の素子とを備える電子部品を製造する方法であって、基板から独立した状態（即ち基板に固定されていない状態）のハンダを不活性雰囲気中に配置する工程、上記ハンダのほぼ全面にプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを直接的に照射する工程、および、上記プラズマ化ガス照射後のハンダを用いて上記素子を基板にハンダ付けする工程を包含する。
【０００８】
本明細書において「基板」とは、回路素子を取り付けるためのベース部材一般をいい、形状や材質に限定されない。例えば、一般的なプリント配線基板の他、電子材料分野でウエハ、チップと呼ばれるものも素子をハンダ付けするための対象物である限り、本明細書において定義される基板に包含される部材である。
従って、本明細書において「電子部品」とは、そのように定義される基板上に少なくとも一つの素子がハンダ付けされて成る電子材料、デバイスをいう。種々の用途に用いられる回路基板（自動車等に搭載される種々の制御回路基板）、ＩＣチップ、パワー（電源）モジュールその他のモジュール類（例えばインバータモジュール）は、本明細書において定義される電子部品の典型例である。
【０００９】
本発明の電子部品製造方法では、不活性雰囲気中に基板から独立した状態でハンダを配置すると共に、当該ハンダのほぼ全面（典型的には使用するハンダ固形物の外面全て）に対してプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを直接的に照射する（以下、単に「プラズマ照射」と略称する場合がある。）。
ここで「直接的に照射する」とは、プラズマ供給源から放出されたプラズマ化ガスがそのままダイレクトにハンダの表面に到達することをいう。換言すれば、プラズマ供給源（即ち照射源）からみてプラズマ化ガスが流れていく下流方向にハンダを配置する場所が設けられている状態を示す。
本発明の製造方法では、このプラズマ照射処理によって、ハンダ表層部に存在する酸化物（酸化膜）を隈無く還元処理することが可能となり、ハンダ酸化物に起因するボイドの発生を抑止しつつ、所謂リフローソルダリングを好適に行うことができる。従って、本発明の製造方法によると、導電性や伝熱性に優れるハンダ接合部を有する電子部品を製造することができる。典型的にはフラックスを使用することなくそのようなハンダ接合部を有する電子部品を製造することができる。
【００１０】
本発明の製造方法として好ましいものは、プラズマ化された還元性ガスが照射されている間に、上記ハンダのほぼ全ての面が一度は上記プラズマ供給源の方向に向けられるように該ハンダの向きを変える処理が行われることを特徴とする。
この方法では、ハンダの向きを変える（三次元的に向きを変えることをいう。以下同じ。）ことによってプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスをハンダの外面のほぼ全てに直接的に照射する。このため、ハンダの表層部に含まれる酸化物の除去処理を迅速に効率よく行うことができる。
【００１１】
好ましくは、上記不活性雰囲気中に基板を配置し、上記ハンダ付けを行う前に該基板の表面の少なくともハンダ付け部（ハンダ付けに用いられる部分をいう。以下同じ。）を包含する部分にプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを照射する。
ハンダと共に基板側のハンダ付け部にもプラズマ照射することによって、基板表面に形成された酸化膜を効率よく還元、除去することができる。このため、ハンダの基板表面に対する接着性が向上し、より強固なハンダ接合をおこなうことができる。
【００１２】
さらに好ましくは、上記不活性雰囲気中に上記ハンダ及び基板とは独立した状態で一又は二以上の素子を配置し、上記ハンダ付けを行う前に該素子表面の少なくともハンダ付け部を包含する部分にプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを照射する。
ハンダ及び基板と共に素子のハンダ付け部にもプラズマ照射することによって、素子表面に形成された酸化膜を効率よく還元、除去することができる。このため、ハンダと素子との接着性が向上し、より強固なハンダ接合をおこなうことができる。
【００１３】
本発明の製造方法では、上記ハンダ付けが不活性雰囲気中で行われることが好ましい。ハンダ付けを不活性雰囲気中で行うことにより、プラズマ照射後に新たな酸化膜がハンダ等に形成されることを防止することができる。
【００１４】
本発明の製造方法では、プラズマ照射に際して、ハンダの融点以下の温度でプラズマ化された還元性ガスの照射が行われることが好ましい。
このような低温プラズマ照射処理を行うことにより、ハンダを溶融させることなく酸化物を除去することができるため、リフローソルダリングを行うのに好ましい。
【００１５】
本発明の製造方法で使用するハンダとしては、いわゆる鉛フリーハンダが好適である。本製造方法によると、上記プラズマ照射によって、鉛フリーハンダ表面に存在する比較的還元し難い酸化物を隈無く除去することができる。
また、本発明の製造方法で使用する還元性ガスとしては水素が好ましい。水素のプラズマ化ガス中に含まれる水素フリーラジカルによって、ハンダ（例えば鉛フリーハンダ）に含まれる酸化物を効率よく還元することができる。
【００１６】
また、上記目的の一側面として、本発明は、基板の表面に一又は二以上の素子をハンダ付けするための装置を提供する。この装置は、基板保持部と、素子保持部と、該基板保持部及び素子保持部とは独立に設けられたハンダ保持部とを有する作業室を備えている。また、上記作業室に連通し、プラズマ化された還元性ガスを上記ハンダ保持部に保持されたハンダに直接的に照射し得る位置に設けられたプラズマ供給源を備えている。そして、上記ハンダ保持部は、その保持部に保持されたハンダのほぼ全ての面を上記プラズマ供給源の方向に向け得るように可動する形状に設けられていることを特徴とする。
上記構成のハンダ付け装置では、作業室（即ち、ハンダ付けが行われる作業領域を室内に有するチェンバーをいう。以下同じ。）に設けられたハンダ保持部に保持されたハンダのほぼ全面に対して直接的にプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを照射することができる。従って、本構成のハンダ付け装置を用いることにより、上述した本発明の製造方法を好適に実施することができる。
【００１７】
本発明のハンダ付け装置として好ましい一つは、上記プラズマ供給源として、ハンダの融点以下の温度のプラズマ化された還元性ガスを発生させ得るプラズマ発生器を備えることを特徴とする。
かかるプラズマ発生器を設けることによって、外面のほぼ全体から酸化物の除去されたハンダ固形物を容易に作成し得、当該ハンダを用いて好適にリフローソルダリングを行うことができる。
【００１８】
また、本発明のハンダ付け装置として好ましい他の一つは、上記作業室に上記プラズマ供給源と連通するプラズマ照射用コンパートメントと、ハンダを溶融させる加熱手段を備えたハンダ付け用コンパートメントとが開放可能な仕切によって隔てられた状態で設けられている。そして、上記プラズマ照射用コンパートメント（区画）に収容されたハンダを、上記仕切が開放された際に上記ハンダ付け用コンパートメントに搬送する搬送手段を備えることを特徴とする。
これらコンパートメントを作業室に設けることによって、プラズマ照射処理とハンダ付け処理とを別個に行うことができる。このため、相互に影響し合うことなく、プラズマ照射処理を行うための条件設定（例えば、プラズマ照射温度、雰囲気、気圧、プラズマ化ガス供給量及び供給速度の設定）と、ハンダ付け処理を行うための条件設定（例えば、ハンダ溶融温度、雰囲気、気圧、加熱及び冷却時間の設定）とを最適化することができる。
また、上記搬送手段によって、プラズマ照射後のハンダをプラズマ処理用コンパートメントからハンダ付け用コンパートメントに移動させて、ハンダ付けを順次行っていくことができる。従って、本構成のハンダ付け装置によると、酸化物の除去されたハンダを用いて形成された導電性や伝熱性に優れる接合部を有する電子部品を効率よく製造することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を説明する。
【００２０】
本発明の製造方法は、不活性雰囲気中に基板から独立した状態のハンダを配置し、そのハンダの外面のほぼ全域にプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを照射し、当該プラズマ化ガス照射後に上記ハンダ及び素子を基板表面のハンダ付け部に配置し、そして該ハンダを溶融して該素子を該基板にハンダ付けする限りにおいて、種々の形態で実施することができる。
【００２１】
例えば、使用するハンダの形状（固形時）は特に限定されず、用途に応じて種々の形状のハンダを使用することができる。基板上に固形物を配置し、当該ハンダを基板ごと加熱して溶融させるリフローソルダリングに用いるものとしては例えば箔状、糸状、棒状、球状のハンダが挙げられる。特に糸状、箔状のハンダが好適である。
使用するハンダの組成は特に限定されない。従来の有鉛ハンダを使用することができる。環境に対する影響や従来還元し難かった酸化物を容易に除去し得るという本発明の奏する効果に鑑みて、使用するのに好ましいハンダは鉛フリーのものである。例えば、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ系ハンダのような鉛フリーハンダを好適に用いることができる。
【００２２】
本発明の製造方法では、フラックスを使用せずに、ボイドの発生を防止しつつハンダ付けを行うことができる。従って、上記目的の一側面として、本発明によると、不活性雰囲気中に基板から独立した状態のハンダを配置し、そのハンダのほぼ全面にプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを照射し、当該プラズマ化ガス照射後のハンダを使用してハンダ付けを行うことを特徴とするフラックスレスのハンダ付け方法が提供される。
但し、本発明の製造方法やハンダ付け方法の実施においてフラックスの使用を積極的に否定するものではなく、所望する場合には適当なフラックスを使用してもよく、かかる場合には従来行われていた洗浄処理を適宜加えてもよい。
【００２３】
本発明の製造方法やハンダ付け方法の実施に用いられる基板や素子に特に限定はなく、電子部品の用途、使用するはんだの材質との相性等を参考に、基板や素子の形状、サイズ或いは材質（組成）等が適当に設定され得る。例えば、自動車等に搭載されるＩＧＢＴやパワーＭＯＳ等のパワーモジュール（デバイス）を製造する場合、絶縁性と放熱性に優れたセラミックス（例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム）製或いは炭素複合材料（種々のカーボンコンポジット）製の絶縁板の両面に銅等の金属から成る導電板を貼り合わせて成る基板が好適に用いられる。
なお、本発明の実施において、材料として用いるはんだ、基板及び素子類（半導体素子等）の製造（購入を含む。）や取扱いは、電子部品製造分野において従来行われていた常法に従えばよく、本発明を何ら特徴付けるものでもないため、これ以上の詳細な説明は省略する。
【００２４】
次に、プラズマ照射処理について詳細に説明する。本発明の製造方法（又はハンダ付け方法）で用いられるプラズマ供給源（照射源）は、基板とは独立に保持されたハンダのほぼ全面にプラズマ化された還元性ガスを照射し得るものであればよく、従来公知の適当な装置を使用することができる。使用するハンダの融点（典型的には１８０〜２５０℃）又はそれ以下の温度で還元性ガスをプラズマ化し得るプラズマ供給源が好ましい。例えば、この種のプラズマ供給源としては、グロー放電、コロナ放電等によって高周波電場を形成し、当該電場に供給された還元性ガスをプラズマ化し得るものが好ましい。例えば、周波数：１〜５０ＭＨｚ（例えば１３．５６ＭＨｚ）で１〜５００Ｗ（例えば１００Ｗ）の出力が可能な高周波電源、或いは１〜１０ＧＨｚ（例えば２．４５ＧＨｚ）のマイクロ波を発生させ得る電源を備えたプラズマ発生器の利用が好ましい。
いわゆるプラズマスパッタリングを行うのに用いられている従来の低温プラズマ処理装置は、電場を作用させる方式が内部電極方式であるか外部電極方式であるかに拘わらず、本発明の製造方法を実施するのに好適に用い得る。
【００２５】
使用する還元性ガスとしては、アンモニア、水素等が挙げられるが、特に水素ガスの使用が好ましい。水素ガスをプラズマ化することによって生じる水素フリーラジカル（遊離基）によって鉛フリーハンダの酸化物を容易に還元、除去することができる。
なお、本発明の実施にあたり、水素等の還元性ガスについてプラズマ化するとは、還元性ガスの少なくとも一部を解離してラジカル、イオン等を形成することをいい、完全電離プラズマを形成する必要はない。従って、本発明の実施において用いられる「プラズマ化された還元性ガス（プラズマ化ガスと略称）」には、高周波放電等によって生じた励起分子、ラジカル、イオン等と共に、励起されていない状態の残存ガス分子を含んでいてもよい。
【００２６】
比較的低温（例えば１００〜２００℃、好ましくは１４０〜１８０℃）のプラズマ化ガスを高効率に供給してハンダ（好ましくは更に基板及び素子類）の外面に照射するには、プラズマ供給源（発生源）ならびにハンダ等を配置した場所を包含する作業空間の圧力を大気圧よりも減じておくことが望ましい。好ましくはかかる作業空間の圧力を０．１〜２００Ｐａ程度となるように減圧する。１〜１００Ｐａ程度とするのが特に好ましい。
また、上記作業空間は、プラズマ化ガスに含まれるラジカル等の減少を抑制し、ハンダ等の再酸化を防止するという観点から、不活性雰囲気としておくことが好ましい。具体的には、窒素やアルゴン等の希ガスを用いて、酸素及び他の酸化性ガスを実質的に含まない雰囲気を形成するとよい。
【００２７】
ハンダの酸化状態（酸化物の含有量）や供給されるプラズマ化ガスの内容によって異なり得るので特に限定するものではないが、プラズマ照射処理時間はトータルで０．５〜１０分程度が適当であり、１〜３分程度が好ましい。
また、プラズマ照射処理は、プラズマ供給源（照射源）の下流側に近接してハンダを配置して行ってもよいが、より低い温度のプラズマ化ガス（例えば１４０〜１５０℃）をハンダ（例えば融点が１８３〜２３０℃にある鉛フリーハンダ）に照射するには、プラズマ供給源とハンダ等の配置位置（ハンダ保持部等）との間に適当な距離を設けることが好ましい。例えば、ハンダ等の配置位置をプラズマ供給源（発生源）から５ｃｍ以上離れた位置（例えば５〜１００ｃｍ、典型的には１０〜５０ｃｍ）に設けることが好ましい。
【００２８】
本発明の実施にあたっては、ハンダのほぼ全面にプラズマ供給源からプラズマ化ガスを直接的に照射する。この処理は、例えば、作業空間に固定した状態で配置したハンダのほぼ全面に直接的にプラズマ化ガスが照射されるように、当該ハンダからみて異なる方角に複数のプラズマ供給源を設けておき、それらからプラズマ化ガスを当該ハンダに直接的に照射することによって実現し得る。
例えば箔状のハンダを用いる場合、相対する位置に設けられた二つのプラズマ供給源の間にハンダ箔の表面および裏面がそれぞれプラズマ供給源（即ちプラズマ化ガスが放射されると対向するようにして当該ハンダ箔を配置する。そして、その表面および裏面にそれぞれプラズマ化ガスを直接的に照射することによって当該ハンダ箔のほぼ全面に存在する酸化物を隈無く除去することができる。
【００２９】
あるいは、一のプラズマ供給源を用いると共にその下流側に転回可能な状態でハンダを配置しておき、当該一のプラズマ供給源からハンダにプラズマ化ガスが照射されている間に当該ハンダを転回させて向きを変える。これにより、当該ハンダのほぼ全面に対してプラズマ化ガスを直接的に照射することができる。かかる実施形態は、ハンダの形状に拘わらず、一のプラズマ供給源を用いて当該ハンダのほぼ全面に存在する酸化物を隈無く除去することが可能であるため、特に好ましい。
以下、本発明の製造方法を実施するのに好ましいハンダ付け装置の一形態を図面を参照しつつ説明する。
【００３０】
第１の実施形態として図１に示すハンダ付け装置１０は、いわゆるリフローソルダリングを行うのに好適な装置であり、減圧可能な作業室１１と、該作業室１１に連通するプラズマ発生器（プラズマ供給源）１２とを備えている。
図示するように、作業室１１には、ガス供給管１３およびガス排出管１７が接続されている。ガス供給管１３は図示しないガス供給源（例えば窒素ガスタンク及び水素ガスタンク）に接続し、ガス排出管１７は図示しない真空ポンプに接続している。この構成によって、作業室内部の作業空間１１ａを大気圧以下の圧力（典型的には１〜２００Ｐａ）の不活性雰囲気（例えば窒素ガス雰囲気）とすることができる。
プラズマ発生器１２は、図示しない高周波電源及び電極を有する。高周波電源はガス供給管１３の外周を取り巻く誘導コイル（電極）と電気的に接続されており、ガス供給管１３のコイル取り巻き部分において高周波電場を形成し得る。
【００３１】
作業室１１の内部には、基板保持部１５と、ハンダ保持部２０と、素子保持部３０とが設けられている。
基板保持部１５は、ハンダ２を溶融させてハンダ付けを行うための加熱手段（本実施形態では図示しないホットプレート型の一般的なヒータ）を有する。これにより、基板６を載置する基板保持部１５の上面１５ａをハンダ２の融点以上の温度（典型的には３００〜５００℃）まで上昇させ、その熱の伝導により基板６上に載置されたハンダ２を溶融することができる。
さらに、基板保持部１５は、上記加熱手段（ヒータ）によって溶融したハンダを固化させるための冷却手段を有する。本実施形態においては、基板保持部１５の内部に図示しない冷却水通路が設けられている。この冷却水通路に外部から冷却水を導入することにより、基板保持部１５の上面１５ａを冷却し、基板６上のハンダ２を所定の位置（ハンダ付け部）で速やかに固化させることができる。
【００３２】
本実施形態に係るハンダ保持部２０は、ハンダ２を転回させて向きを異ならせるハンド型のチャックである。図２に示すように、このハンダ保持部２０は、主軸２１と、その主軸２１の先端にジョイント部２２を介して連結された一対のグリッパー２３ａ，２３ｂとを有する。
ジョイント部２２には図示しないモータが内蔵されている。このモータを作動させて一対のグリッパー２３ａ，２３ｂを作動し、その間隔を可逆的に変動させることにより、図１及び図２に示すような薄板状や棒（糸）状のハンダ２，３を容易に把持することができる。
主軸２１にはベース側（即ち作業室１１の壁面側）に設けられた図示しないマニピュレータが接続されており、当該マニピュレータを操作することにより、ハンダ保持部（チャック）２０を作業室内１１ａで移動させるとともに主軸２１を連続的又は断続的に任意の回転角で転回させることができる（図１の矢印参照）。すなわち、本実施形態に係るグリップ形状ハンダ保持部（チャック）２０によると、作業室内においてグリッパー２３ａ，２３ｂに把持しているハンダ２，３を転回させてハンダの向きを変え、可逆的に当該ハンダのほぼ全面をプラズマ発生器（プラズマ供給源）１２が配置されている方向に向けることができる。
【００３３】
一方、本実施形態に係る素子保持部３０は、半導体チップ等の素子４をピックアップするために従来から用いられている吸着コレット３１を利用したものである。この素子保持部３０は、ベース側（即ち作業室１１の壁面側）に設けられた図示しないマニピュレータに回転可能に接続するＬ字型アーム３２の先端に、素子４を吸い着ける吸着コレット３１を連結した構造である。このマニピュレータを操作することにより、素子保持部３０を作業室内１１ａで移動させるとともにＬ字型アーム３２を連続的又は断続的に回転させることができる（図１の矢印参照）。すなわち、本実施形態に係る素子保持部３０によると、作業室内１１ａにおいてコレット３１に吸着されている素子４を任意の角度で転回させ、可逆的に当該素子４のハンダ付け部を包含する部分（図１に示す下面部）をプラズマ発生器（プラズマ供給源）１２が配置されている方向に向けることができる。
【００３４】
次に、本実施形態に係るハンダ付け装置１０の典型的な使用形態を以下に説明する。
予め、基板保持部１５の上面１５ａにセラミックや金属製の基板６を配置し、素子保持部３０のコレット（吸着部）３１に素子４を保持し、さらに鉛フリーハンダ２をハンダ保持部２０のグリッパー２３ａ，２３ｂ間に挟んでおく。
一方、作業室内１１ａには窒素ガス（Ｎ_２）を導入すると共に室内１１ａを１００Ｐａ以下（好ましくは１〜１０Ｐａ）まで減圧する。この条件下、外部のガス供給源から所定の流量で水素ガスを窒素ガスとともにガス供給管１３に導入する。一方、プラズマ発生器１２の電極（上記誘導コイル）に高周波電源より高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ）の電圧を印加する。これにより、ガス供給管１３の一部分（コイル取り巻き部分）に高周波電場が形成され、当該部分を流通する水素ガスをプラズマ化し、水素フリーラジカル（図１にＰで示す）を発生させる。発生したプラズマ化ガスは、ガス流により作業室内１１ａに導入され、ハンダ融点以下の温度でハンダ２、素子４及び基板６の表面に照射される。このプラズマ照射によって、これら被処理部材のプラズマ照射部分の表層に含まれる酸化物が容易に還元、除去される。
【００３５】
このとき、ハンダ保持部２０及び素子保持部３０を上述のマニピュレータを介して回転させてハンダ２及び素子４のほぼ全面にプラズマ化ガスを直接照射することにより、これら被処理部材のほぼ全体に亘って表層部に含まれる酸化物を隈無く還元、除去することが可能となる。
例えば、図１に示すような薄板状ハンダ２を処理する場合には、プラズマ発生器１２と向き合う表面側に対して所定の時間（例えば１分）プラズマ照射し、その後ハンダ２を反転し、その裏面側に対して所定の時間（例えば１分）プラズマ照射する。好ましくはハンダの表面側及び裏面側それぞれへのプラズマ照射時間をほぼ同じに設定する。このような方向転換操作（ここでは転回操作）を行うことによって、薄板状ハンダ（ハンダ箔）２の両面の表層部に含まれる酸化物をほぼ隈無く還元、除去することができる。
【００３６】
あるいは、プラズマ照射を行っている間にハンダ２のほぼ全ての面が一度はプラズマ発生器１２の方向に向けられるように該ハンダを連続的に徐々に転回させていってもよい。例えば５分間のプラズマ照射を行う場合、約１分でハンダが約１回転するようなペースで、ハンダ保持部２０の主軸２１を連続的又は断続的に回転させる。このような転回操作は、薄板状の他、図２に示す棒状（糸状）その他の立体形状（不定形状を含む）のハンダや素子の表層部に含まれる酸化物を外面全体に亘ってほぼ隈無く還元、除去するのに都合がよい。
【００３７】
上述のプラズマ照射処理終了後、ハンダ付け工程を行う。すなわち、マニピュレータを操作して、基板６の上面のハンダ付け部にハンダ２を載置する。一方、基板保持部１５のヒータへの通電をオンにして基板温度をハンダの融点（例えば１８３°Ｃ）以上の温度（例えば２３０°Ｃ）まで高める。これにより、基板上でハンダ２を溶融することができる。次いで、マニピュレータを操作して、溶融状態のハンダの上に素子４を載せ、摺動させつつ所定の位置に配置する。この操作の終了後、ヒータへの通電をオフにするとともに冷却水通路へ冷却水を導入する。こうして基板６が冷却され、ハンダ２が固化することによって、基板６の所定位置への素子４のハンダ付けが完了する。なお、ハンダ付けはこの形態に限定されず、例えば、ハンダ２及び素子４を予め基板６上に載置しておき、その後にハンダの溶融処理（上記加熱処理）及び再固化処理（上記冷却処理）を行ってもよい。
【００３８】
なお、上記ハンダ付け工程の際も引き続き作業室内１１ａに窒素ガスを導入し、室内１１ａを不活性雰囲気（室内１１ａの圧力は減圧状態又は大気圧のいずれでもよい）に保っておくことが好ましい。このことによって、使用する基板、ハンダ及び素子の再酸化が防止され、ハンダ接合部におけるボイドの発生を未然に防止することができる。
【００３９】
次に、第２の実施形態として、本発明の製造方法を実施するのに好適なハンダ付け装置の他の形態を図面を参照しつつ説明する。
図３に示すハンダ付け装置５０は、リフローソルダリングを行うのに好適な装置であり、作業室５３と、該作業室５３に連通するプラズマ発生器（プラズマ供給源）５２とを備えている。
図示するように、本ハンダ付け装置５０の作業室５３には、仕切部（隔壁）５４，５５，５６，５７，５８によって相互に隔てられた計４つのコンパートメント６０，７０，８０，９０が設けられている。各仕切部５４〜５８には、隣接するコンパートメント間で基板等の材料を流通可能とするための連絡口５４ｂ，５５ｂ，５６ｂ，５７ｂ，５８ｂが形成されているとともに、当該連絡口５４ｂ〜５８ｂを密閉遮断するシャッター５４ａ，５５ａ，５６ａ，５７ａ，５８ａが開閉可能に設けられている。特に限定するものではないが、本実施形態に係るシャッター５４ａ〜５８ａは、仕切部（隔壁）５４〜５８に沿って昇降可能に設置されている。各シャッター５４ａ〜５８ａの動作（即ち仕切部（隔壁）５４〜５８に沿った昇降）は、図示しない制御部によって個々別々に制御することができる。
【００４０】
また、本ハンダ付け装置５０には、作業室５３の各コンパートメント６０，７０，８０，９０を貫通するようにして本実施形態に係る搬送手段であるコンベヤ５９が設置されている。このコンベヤ５９は、駆動源となる図示しないモータに連結する一対の駆動用スプロケット５９ｂ，５９ｃと、それらに係合されたチェーンベルト５９ａとを主体に構成されている。そして、スプロケット５９ｂ，５９ｃの回転と共にチェーンベルト５９ａが作業室５３の入口に相当する連絡口５４ｂから出口に相当する連絡口５８ｂの方向へ移動する。これにより、当該チェーンベルト５９ａに載置した基板１１０、ハンダ１２０等の材料を作業室５３に搬入し、各コンパートメントを経由させて作業室５３の外に搬出することができる（図３中の矢印参照）。以下、４つのコンパートメント６０，７０，８０，９０をチェーンベルト５９ａ移動方向の上流側から第１コンパートメント６０、第２コンパートメント７０、第３コンパートメント８０、及び第４コンパートメント９０とする。
なお、図示されるように、典型的には、基板１１０、ハンダ１２０等の電子部品組立材料は、チェーンベルト５９ａに取り付けられた載置用治具１００に設けられた所定の部位にセットされた状態で、作業室５３に搬入される。
【００４１】
第１コンパートメント６０は、材料投入用のコンパートメントであり、治具１００にセットされた状態で基板１１０及びハンダ（ここではハンダ箔）１２０が外部から供給されてくる。また、第１コンパートメント６０には、ガス供給管６６およびガス排出管６８が接続されており、外部のガス供給源から不活性ガス（ここでは窒素）を導入し循環させることによって、内部空間を不活性雰囲気にしておくことができる。また、ガス排出管６８は図示しない真空ポンプに接続しており、各コンパートメントの内部空間を大気圧よりも減圧状態（典型的には０．１〜２００Ｐａ、好ましくは１〜１００Ｐａ、特に好ましくは１〜１０Ｐａ）にしておくことができる。
【００４２】
第２コンパートメント７０は、基板表面及びハンダのほぼ全面にプラズマ化ガスを照射するためのプラズマ処理用コンパートメントである。このコンパートメント７０には、第１の実施形態のハンダ付け装置１０（図１）と同様の構成のガス供給管５１が接続されており、外部のガス供給源から窒素及び水素を供給することができる。また、第１コンパートメント６０と同様のガス供給管７６が接続しており、プラズマ照射処理が行われていない間も、内部空間を不活性雰囲気（ここでは窒素雰囲気）にしておくことができる。なお、ガス供給管５１の一部に配備されるプラズマ発生器５２の構成は、上記第１の実施形態のものと同様であり、重複した説明は省略する。
第２コンパートメント７０には、治具１００に配置されたハンダ１２０をピックアップし、それを反転させてハンダ裏面側をプラズマ発生器５２方向に向けるハンダ保持部７２が設けられている。このハンダ保持部７２は、作業室５３の壁部に設けられた図示しないマニピュレータとそれに回転可能に接続する吸着コレットとを主体に構成されており、図１に示す素子保持部３０と同様の構成であるので、重複した説明は省略する。
【００４３】
第３コンパートメント８０は、プラズマ処理用コンパートメントから搬送されてきた基板１１０及びハンダ１２０に更に素子１３０を供給し、基板１１０の所定位置に当該素子１３０をハンダ付けするためのハンダ付け用コンパートメントである。このコンパートメント８０には、他のコンパートメント６０，７０と同様のガス供給管８６が接続しており、内部空間を常に不活性雰囲気（ここでは窒素雰囲気）にしておくことができる。なお、第３コンパートメント８０におけるチェーンベルト５９ａ（搬送側）の下方に相当する部位には、ハンダ１２０を溶融させるための加熱手段であるヒータ８４が設けられている。かかるヒータ８４の構成は、上記第１の実施形態のものと同様であり、重複した説明は省略する。
また、第３コンパートメント８０には、別途供給された素子１３０をピックアップし、治具１００に配置された基板１１０のハンダ付け部に搬送、載置するための吸着コレット８２が配備されている。かかるコレット８２の構造・機能は、従来のハンダ付け装置等で利用されているものと同様であり、特に本発明を特徴付けるものではないため、詳細な説明は省略する。
【００４４】
第４コンパートメント９０は、ハンダ付けが終了して得られた電子部品を取り出す前の排出用コンパートメントであり、溶融したハンダ１２０を完全に固化させるための区画である。このコンパートメント９０には、第１コンパートメント６０と同様のガス供給管９６及びガス排出管９８が接続しており、内部空間を常に不活性雰囲気（ここでは窒素雰囲気）にしておくことができるとともに、各コンパートメントの内部空間を大気圧よりも減圧状態（典型的には０．１〜２００Ｐａ）にしておくことができる。
【００４５】
次に、図３及び図４を参照しつつ本実施形態に係るハンダ付け装置５０の典型的な使用形態を説明する。なお、以下の説明では、一の載置用治具１００に載せられた基板１１０及びハンダ１２０について時系列的に各コンパートメント６０〜９０で行われる作業を説明しているが、実際には各コンパートメント６０〜９０で以下に説明する作業がほぼ同時に行われる。
【００４６】
予め、各ガス供給管６６，７６，８６，９６から窒素を導入して作業室５３内を窒素雰囲気にする。次いで、全てのシャッター５４ａ〜５８ａを上げて連絡口５４ｂ〜５８ｂを開放し、チェーンベルト５９ａを移動させて第１コンパートメント６０に基板及びハンダを載せた治具１００を搬入する。搬入後、先ず、作業室と外部を仕切る二つのシャッター５４ａ，５８ａを下ろして、作業室５３を外部から密閉遮断するとともに、ガス排出管６８，９８からガスを排出し、不活性雰囲気を維持しつつ作業室５３（全コンパートメント６０〜９０）内を例えば１００Ｐａ以下に減圧する。次いで、隣接するコンパートメント間にある３つのシャッター５５ａ，５６ａ，５７ａを下ろしてコンパートメント間を遮断し、かかる減圧条件下で各コンパートメントにおいて後述する処理がそれぞれ行われる。
【００４７】
所定時間後、全てのシャッター５４ａ〜５８ａを上げて連絡口５４ｂ〜５８ｂを開放し、チェーンベルト５９ａを移動させる。これにより、第１コンパートメントにあった治具１００（基板１１０及びハンダ１２０）が第２コンパートメントに搬送される。上記と同様のシャッター開閉操作及び減圧操作を行った後、プラズマ照射処理が行われる。
典型的には、図４（Ａ）に模式的に示すように、先ず、第１コンパートメント６０から搬送されてきたままの状態、すなわち治具１００に載置された状態の基板１１０の表面及びハンダ１２０の表面に水素フリーラジカルＰを含むプラズマ化ガスが照射される。これにより、基板表面及びハンダ表面の酸化物を還元し、取り除くことができる。
所定時間（例えば１〜５分）のプラズマ照射後、図４（Ｂ）に模式的に示すように、ハンダ保持部（コレット）７２を操作し、ハンダ１２０を治具１００からピックアップする。
次いで、図４（Ｃ）に模式的に示すように、ハンダ保持部（コレット）７２を反転操作し、その先端に保持（吸着）されているハンダ１２０を１８０度転回させる（即ちひっくり返して上下逆さまとなるように向きを変える）。
この状態で、再度、所定時間（例えば１〜５分）のプラズマ照射処理を行う。これにより、ハンダ１２０の裏面側にプラズマ化ガスが照射され、裏面側の表層部に含まれる酸化物も還元、除去され、結果、使用するハンダ１２０の両面（即ちハンダ箔の全面）の酸化物の除去を行うことができる。
而して、図４（Ｄ）に模式的に示すように、プラズマ照射終了後、ハンダ保持部（コレット）７２を操作して基板表面にある所定のハンダ付け部（図示せず）にハンダ１２０を載置する。
【００４８】
所定時間後、全てのシャッター５４ａ〜５８ａを上げて連絡口５４ｂ〜５８ｂを開放し、チェーンベルト５９ａを移動させる。これにより、第２コンパートメントにあった治具１００（基板１１０及びハンダ１２０）が第３コンパートメントに搬送される。そして、上記と同様のシャッター開閉操作及び減圧操作を行った後、ハンダ付け処理が行われる。ハンダ付けは不活性雰囲気中で行われる。
すなわち、コレット８２を操作し、基板１１０のハンダ付け部に載せられたハンダ１２０の上に更に所定の素子（半導体チップ等）１３０を載置する（図３該当部分の矢印参照）。
この状態でヒータ８４に通電して基板１１０を治具１００ごと加熱することにより、ハンダ１２０を溶融させる。これによってリフローソルダリングが実現される。
或いは、先にヒータ８４をオンにしてハンダ１２０を溶融させた後に素子１３０を当該溶融ハンダ上に載置してハンダ付けを行ってもよい。
【００４９】
所定時間後、全てのシャッター５４ａ〜５８ａを上げて連絡口５４ｂ〜５８ｂを開放し、チェーンベルト５９ａを移動させる。これにより、第３コンパートメントにあった治具１００ならびに基板１１０、ハンダ１２０及び素子１３０から構成される電子部品１５０が第４コンパートメントに搬送される。そして、上記と同様のシャッター開閉操作及び減圧操作を行った後、ハンダの固化を完了させる。基板１１０の温度がハンダ１２０の溶融温度（ハンダの融点以上例えば２００℃）から室温まで１〜５分程度で戻るように、第４コンパートメントに種々の冷却手段を設けることが好ましい。例えば、チェーンベルト５９ａ（搬送側）の下方（治具１００に近接する部位が好ましい。）に冷却水を循環させるための水冷ユニットを設けたり、或いは第４コンパートメントに供給する窒素ガスを予め冷却させておくための冷却器をガス供給管９６の一部に配備してもよい。
【００５０】
而して、所定時間後、全てのシャッター５４ａ〜５８ａを上げて連絡口５４ｂ〜５８ｂを開放し、チェーンベルト５９ａを移動させる。このことにより、第４コンパートメント９０（作業室５３）から治具１００ならびにハンダ１２０が固化した状態の電子部品１５０を搬出することができる。
【００５１】
以上、本発明のハンダ付け装置の好適な実施形態を図面を参照しつつ説明したが、これら図面に示した形態に本発明のハンダ付け装置が限定されるものではない。例えば、ハンダ保持部２０，７２及び素子保持部３０，８２は、図示される形状のものに限られず、工作機械及びロボット分野において用いられるチャック類（ハンド型のものが好ましい）から適宜選択されたものをそのまま或いはハンダの形状に応じて適宜改変したものを使用し得る。
また、図３に示すように、ハンダ付け装置の作業室をいくつかのコンパートメントに区分けする場合、上述したような４つのコンパートメントに区分する必要はない。例えば、上記第１コンパートメント及び第４コンパートメントを省き、作業室をプラズマ処理用コンパートメントとハンダ付け用コンパートメントに二分したものであっても良い。この場合、好ましくは、ハンダ付け用コンパートメントに加熱手段（ホットプレート型のヒータ等）の他、溶融ハンダを迅速に固化するための冷却手段が配備される。
【００５２】
【実施例】以下に説明する実施例によって、本発明を更に詳細に説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。
【００５３】
上記第１実施形態に係るハンダ付け装置１０（図１参照）および市販の鉛フリーハンダ（Ｓｎ−Ｃｕ系）を用いてセラミック基板に半導体素子をハンダ付けして成る電子部品を製造し、当該ハンダ付け部分におけるボイド発生の有無を調べた。
すなわち、サイズが１６×３０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍ程度のアルミナ製基板６上に、サイズが１３×１３ｍｍ、厚さが０．４ｍｍ程度の半導体素子４をＳｎ／Ｃｕ系の鉛フリーハンダ箔２を用いてハンダ付けした。具体的には、先ず、密閉された作業室１１内を窒素雰囲気とし、１００Ｐａ以下に減圧した。次いで、かかる減圧状態を維持しつつ、水素と窒素の混合ガスを作業室１１に導入した。このとき、プラズマ発生器１２の電極（上記誘導コイル）に高周波電源より周波数１３．５６ＭＨｚ、出力１００Ｗで高周波電圧を印加し、水素ガスをプラズマ化した。かかるプラズマ化ガスは作業室内１１ａに導入され、予め作業室内１１ａに配置されているＳｎ／Ｃｕ系鉛フリーハンダ箔２、半導体素子４及びアルミナ基板６の表面（即ちプラズマ発生器１２に対向する側の表面）に照射される。このプラズマ照射を２分間継続して行った後、ハンダ保持部（チャック）２０を操作してハンダ箔２を反転させる。そして、さらに２分間プラズマ照射を継続する。
プラズマ照射処理の終了後、基板６表面のハンダ付け部（図示せず）にハンダ２及びその上に更に半導体素子４を載置した。次いで、ヒータへの通電をオンにして基板６と共にハンダ２を加熱し、当該ハンダ２を溶融させた。その後、ヒータへの通電をオフにすると共に、図示しない冷却水通路に冷却水を導入して溶融ハンダを固化させ、本実施例に係る電子製品（モジュール）８を製造した（図５）。
また、比較例として、ハンダ箔２を反転させずにハンダ箔の一面にのみプラズマ照射（４分間）したことを除き、上記と同様の材料・手順によって電子製品（モジュール）を製造した。
【００５４】
次いで、市販のＸ線検査装置（（株）島津製作所製品、型式：ＳＭＸ３０ＣＴ）を用いて、上記実施例及び比較例の電子部品に対して素子接合面側からＸ線（図５の矢印参照）を照射し、ハンダ接合部におけるボイドの有無を調べた。なお、かかるＸ線照射試験は管電圧４０ｋＶ、管電流０．１５ｍＡの条件で行った。
本試験の結果を図６及び図７に示す。図６及び図７は、それぞれ、本実施例及び比較例に係る電子部品のＸ線断層撮影結果（Ｘ線ＣＴ像）を示す写真である。
これら写真から明らかなように、実施例に係る電子部品のハンダ接合部では、ボイドの存在は認められなかった（図６）。一方、比較例に係る電子部品のハンダ接合部では、ボイド（写真で白抜きの部分）の存在が顕著であった（図７）。
【００５５】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態に係る本発明のハンダ付け装置の構成を模式的に示す概略図である。
【図２】一実施形態に係る本発明のハンダ付け装置に装備されるハンダ保持部の構成を模式的に示す概略図である。
【図３】一実施形態に係る本発明のハンダ付け装置の構成を模式的に示す概略図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ、図３に示すハンダ付け装置の第２コンパートメントで行われるプラズマ照射処理の状態を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明の製造方法によって得られる電子部品の一典型例を模式的に示す側面図である。
【図６】実施例に係る電子部品の接合部のボイド発生状況を示すＣＴ像の写真である。
【図７】比較例に係る電子部品の接合部のボイド発生状況を示すＣＴ像の写真である。
【符号の説明】
２，３，１２０　ハンダ
４，１３０　素子
６，１１０　基板
８，１５０　電子部品
１０，５０　ハンダ付け装置
１１，５３　作業室
１２，５２　プラズマ発生器
１５　基板保持部
２０，７２　ハンダ保持部
３０，８２　素子保持部
５４，５５，５６，５７，５８　仕切部
５４ａ，５５ａ，５６ａ，５７ａ，５８ａ　シャッター
５４ｂ，５５ｂ，５６ｂ，５７ｂ，５８ｂ　連絡口
５９　搬送手段（コンベヤ）
６０，７０，８０，９０　コンパートメント[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component involving soldering, and to an apparatus used for the soldering.
[0002]
2. Description of the Related Art When soldering various elements to a substrate, a flux called a flux is used for the purpose of reducing and removing the solder used and oxides contained in the surface of the substrate. However, if there is a flux residue on the substrate after soldering, the insulation and corrosion resistance of the substrate may be reduced. Therefore, a process for washing and removing such flux residue is required. In particular, when using a lead-free (lead-free) solder (for example, Sn-Cu-based Pb-free solder) that is more easily oxidized than a conventional leaded solder, a highly active flux such as a halogen-based or organic acid-based flux is used. Is done. When such a high activity flux is used, the cleaning process after soldering needs to be performed more carefully than before, and the labor and cost required for the cleaning process increase accordingly.
[0003]
Therefore, in recent years, there has been a demand for soldering that does not use flux (that is, fluxless), and attention has been paid to a technique for removing oxides contained in solder and the surface of a substrate without using flux.
For example, JP-A-6-291457 (Patent Document 1) discloses that a hydrogen gas having a temperature equal to or higher than the melting point of the solder to be used is sprayed on a soldering portion on a substrate to reduce and remove oxides contained in the solder surface. The technique to be attempted is described. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-58259 (Patent Document 2) describes a technique for irradiating molten solder placed on a substrate with plasma to reduce and remove oxides in the solder. I have.
[0004]
[Patent Document 1] JP-A-6-291457
[Patent Document 2] JP-A-2001-58259
[0005]
However, the oxide removing means described in Patent Documents 1 and 2 can remove conventional leaded solder oxides, but relatively large amounts of oxides that are difficult to reduce. It is difficult to sufficiently remove oxides of lead-free solder such as tin-zinc based solder contained in iron. Insufficient removal of oxides may result in poor solder wetting and hinder strong bonding. Further, it may cause voids (bubbles) to remain at a solder joint (joint between two members by soldering; the same applies hereinafter). Such voids derived from oxides are not preferred because they lower the conductivity and heat conductivity at the solder joint.
[0006]
The present invention has been created in order to solve the above-mentioned conventional problems relating to oxide removal, and to provide a technique capable of sufficiently reducing and removing oxides contained in solder (particularly, lead-free solder). With the goal. Another object is to provide a method for performing soldering while suppressing the generation of voids by sufficiently reducing and removing lead-free solder and other oxides contained in solder, and an apparatus for performing the method. It is to provide. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic component having a solder joint having excellent conductivity and heat conductivity by performing such soldering, and to provide an electronic component manufactured by the manufacturing method. .
[0007]
According to the present invention, there is provided a method for manufacturing an electronic component, which includes a process for removing an oxide (oxide film) of solder using plasma.
This manufacturing method is a method of manufacturing an electronic component including a substrate and one or more elements soldered to the surface of the substrate, and is independent of the substrate (that is, not fixed to the substrate). Placing the solder in an inert atmosphere, directly irradiating almost the entire surface of the solder with a reducing gas that has been turned into plasma from a plasma supply source, and using the solder after irradiation with the plasma gas. Soldering the device to a substrate.
[0008]
In this specification, the term “substrate” refers to a general base member for mounting a circuit element, and is not limited to a shape or a material. For example, besides a general printed wiring board, a wafer or chip in the field of electronic materials is a member included in the board defined in this specification as long as it is an object for soldering an element. .
Therefore, in this specification, the “electronic component” refers to an electronic material or device in which at least one element is soldered on a substrate defined as such. Circuit boards (various control circuit boards mounted on automobiles and the like), IC chips, power (power) modules and other modules (for example, inverter modules) used for various applications are electronic components defined in this specification. This is a typical example.
[0009]
According to the electronic component manufacturing method of the present invention, the solder is arranged in an inert atmosphere in a state independent of the substrate, and plasma is supplied to almost the entire surface of the solder (typically, the entire outer surface of the used solid solder). A reducing gas converted into plasma is directly irradiated from a source (hereinafter, may be simply referred to as “plasma irradiation”).
Here, "direct irradiation" means that the plasma gas released from the plasma supply source directly reaches the surface of the solder as it is. In other words, a state is shown in which a place for disposing solder is provided in the downstream direction in which the plasma gas flows when viewed from the plasma supply source (that is, the irradiation source).
According to the manufacturing method of the present invention, the plasma irradiation treatment makes it possible to reduce the oxide (oxide film) existing in the surface layer of the solder all over, and to suppress the generation of voids caused by the solder oxide. So-called reflow soldering can be suitably performed. Therefore, according to the manufacturing method of the present invention, it is possible to manufacture an electronic component having a solder joint having excellent conductivity and heat conductivity. Typically, an electronic component having such a solder joint can be manufactured without using a flux.
[0010]
A preferred method of the present invention is that the solder is oriented such that almost all surfaces of the solder are once directed toward the plasma supply source while the plasma-forming reducing gas is being irradiated. Is performed.
In this method, almost all of the outer surface of the solder is directly irradiated with a reducing gas converted into plasma from a plasma supply source by changing the direction of the solder (this means changing the direction in three dimensions; the same applies hereinafter). I do. For this reason, it is possible to quickly and efficiently remove the oxide contained in the surface layer of the solder.
[0011]
Preferably, the substrate is placed in the inert atmosphere, and before the soldering, plasma is applied to at least a portion of the surface of the substrate including a soldered portion (a portion used for soldering; the same applies hereinafter). Irradiating a plasma-forming reducing gas from a supply source.
By irradiating the soldering portion on the substrate side with the plasma together with the solder, the oxide film formed on the substrate surface can be reduced and removed efficiently. For this reason, the adhesiveness of the solder to the substrate surface is improved, and stronger solder bonding can be performed.
[0012]
More preferably, one or two or more elements are arranged in the inert atmosphere independently of the solder and the substrate, and at least a portion of the element surface including at least a soldered portion before the soldering is performed. Irradiating a plasma-forming reducing gas from a plasma supply source.
By irradiating the soldering portion of the device with the plasma together with the solder and the substrate, the oxide film formed on the device surface can be reduced and removed efficiently. For this reason, the adhesion between the solder and the element is improved, and stronger solder bonding can be performed.
[0013]
In the manufacturing method of the present invention, the soldering is preferably performed in an inert atmosphere. By performing the soldering in an inert atmosphere, it is possible to prevent a new oxide film from being formed on the solder or the like after the plasma irradiation.
[0014]
In the manufacturing method of the present invention, it is preferable that the plasma irradiation be performed with a reducing gas that has been turned into plasma at a temperature equal to or lower than the melting point of the solder.
By performing such a low-temperature plasma irradiation treatment, an oxide can be removed without melting solder, which is preferable for performing reflow soldering.
[0015]
As the solder used in the manufacturing method of the present invention, a so-called lead-free solder is suitable. According to the present manufacturing method, the oxide which is relatively hard to reduce and exists on the surface of the lead-free solder can be completely removed by the plasma irradiation.
In addition, hydrogen is preferable as the reducing gas used in the production method of the present invention. Oxides contained in solder (eg, lead-free solder) can be efficiently reduced by hydrogen free radicals contained in the hydrogen plasma gas.
[0016]
According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for soldering one or more elements to a surface of a substrate. This apparatus includes a work chamber having a substrate holding unit, an element holding unit, and a solder holding unit provided independently of the substrate holding unit and the element holding unit. In addition, there is provided a plasma supply source which is communicated with the working chamber and is provided at a position where the reducing gas in the form of plasma can be directly irradiated to the solder held by the solder holding section. The solder holding portion is characterized by being provided in a movable shape so that substantially all surfaces of the solder held by the holding portion can be directed toward the plasma supply source.
In the soldering apparatus having the above-described configuration, the soldering device provided in a work chamber (that is, a chamber having a work area in which soldering is performed in the room; the same applies hereinafter) is applied to substantially the entire surface of the solder held by the solder holding unit. It is possible to directly irradiate the reducing gas converted into plasma from the plasma supply source. Therefore, by using the soldering device having this configuration, the above-described manufacturing method of the present invention can be suitably performed.
[0017]
A preferred one of the soldering apparatus of the present invention is characterized in that a plasma generator capable of generating a plasma-forming reducing gas having a temperature equal to or lower than a melting point of solder is provided as the plasma supply source.
By providing such a plasma generator, it is possible to easily prepare a solder solid from which oxide is removed from almost the entire outer surface, and it is possible to suitably perform reflow soldering using the solder.
[0018]
Another preferred embodiment of the soldering apparatus of the present invention is that a compartment for plasma irradiation that communicates with the plasma supply source in the working chamber and a soldering compartment that includes heating means for melting the solder can be opened. It is provided in a state separated by a proper partition. And it is characterized by comprising a transfer means for transferring the solder contained in the plasma irradiation compartment (compartment) to the soldering compartment when the partition is opened.
By providing these compartments in the work room, the plasma irradiation process and the soldering process can be performed separately. Therefore, conditions for performing plasma irradiation processing (for example, setting of plasma irradiation temperature, atmosphere, atmospheric pressure, supply amount of plasma gas, and supply rate) and performing soldering processing without affecting each other. (For example, setting of solder melting temperature, atmosphere, pressure, heating and cooling time) can be optimized.
Further, the soldering can be sequentially performed by moving the solder after plasma irradiation from the plasma processing compartment to the soldering compartment by the above-described transporting means. Therefore, according to the soldering apparatus of the present configuration, it is possible to efficiently manufacture an electronic component having a junction having excellent conductivity and heat conductivity formed using the solder from which the oxide has been removed.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below.
[0020]
In the production method of the present invention, a solder in a state independent of a substrate is placed in an inert atmosphere, and almost the entire outer surface of the solder is irradiated with a reducing gas converted into plasma from a plasma supply source, and the plasma-forming gas is applied. The present invention can be implemented in various modes as long as the solder and the element are arranged at the soldering portion on the substrate surface after the irradiation, and the solder is melted and the element is soldered to the substrate.
[0021]
For example, the shape of the solder to be used (when solid) is not particularly limited, and various shapes of solder can be used depending on the application. As a material used for reflow soldering in which a solid substance is arranged on a substrate and the solder is heated and melted together with the substrate, for example, a foil-like, thread-like, rod-like, or spherical solder is used. In particular, thread-shaped or foil-shaped solder is preferable.
The composition of the solder used is not particularly limited. Conventional leaded solder can be used. In view of the effect of the present invention that the effect on the environment and the oxides that have been difficult to reduce conventionally can be easily removed, the preferred solder to be used is lead-free. For example, a lead-free solder such as a Sn-Cu-based, Sn-Ag-based, Sn-Sb-based, Sn-Ag-Cu-based, Sn-Cu-Ni-based, or Sn-Bi-Ag-Cu-based solder is preferably used. be able to.
[0022]
According to the manufacturing method of the present invention, soldering can be performed without using a flux while preventing generation of voids. Therefore, as one aspect of the above object, according to the present invention, a solder in a state independent of the substrate is placed in an inert atmosphere, and almost the entire surface of the solder is irradiated with a reducing gas converted into plasma from a plasma supply source. In addition, there is provided a fluxless soldering method, characterized in that soldering is performed using the solder after irradiation of the plasma gas.
However, the use of the flux in the production method and the soldering method of the present invention is not positively denied, and an appropriate flux may be used if desired. Cleaning treatment may be added as appropriate.
[0023]
There is no particular limitation on the substrate or element used for carrying out the manufacturing method or the soldering method of the present invention, and the shape, size or material of the substrate or element is determined by referring to the application of the electronic component, compatibility with the solder material used, and the like. (Composition) and the like can be appropriately set. For example, when manufacturing power modules (devices) such as IGBTs and power MOSs mounted on automobiles and the like, ceramics (eg, silicon nitride, aluminum nitride) or carbon composite materials (various carbon materials) having excellent insulation and heat dissipation properties are used. A substrate formed by bonding a conductive plate made of a metal such as copper to both surfaces of an insulating plate made of composite is preferably used.
In the practice of the present invention, the manufacture (including purchase) and handling of solders, substrates, and elements (semiconductor elements and the like) used as materials may be in accordance with conventional methods conventionally performed in the field of manufacturing electronic components. Since the present invention is not characterized at all, further detailed description will be omitted.
[0024]
Next, the plasma irradiation processing will be described in detail. The plasma supply source (irradiation source) used in the manufacturing method (or the soldering method) of the present invention may be one capable of irradiating almost the entire surface of the solder held independently of the substrate with the plasma-forming reducing gas. What is necessary is just to use a conventionally well-known suitable apparatus. A plasma source that can convert the reducing gas into a plasma at the melting point of the solder used (typically 180 to 250 ° C.) or lower is preferable. For example, as this kind of plasma supply source, a source that can form a high-frequency electric field by glow discharge, corona discharge, or the like and convert the reducing gas supplied to the electric field into plasma is preferable. For example, a high frequency power supply capable of outputting 1 to 500 W (for example, 100 W) at a frequency of 1 to 50 MHz (for example, 13.56 MHz) or a power supply capable of generating a microwave of 1 to 10 GHz (for example, 2.45 GHz) is provided. The use of a plasma generator is preferred.
Conventional low-temperature plasma processing apparatuses used for performing so-called plasma sputtering perform the manufacturing method of the present invention regardless of whether the method of applying an electric field is an internal electrode method or an external electrode method. Can be suitably used.
[0025]
Examples of the reducing gas to be used include ammonia, hydrogen and the like, and the use of hydrogen gas is particularly preferable. Oxides of lead-free solder can be easily reduced and removed by hydrogen free radicals (free radicals) generated by converting hydrogen gas into plasma.
In the practice of the present invention, converting a reducing gas such as hydrogen into plasma means that at least a part of the reducing gas is dissociated to form radicals, ions, and the like, and it is not necessary to form a completely ionized plasma. Absent. Therefore, the “plasmaized reducing gas (abbreviated as“ plasmaized gas ”)” used in the embodiment of the present invention includes, in addition to excited molecules, radicals, ions, and the like generated by high-frequency discharge or the like, the remaining unexcited state. It may contain gas molecules.
[0026]
In order to efficiently supply a plasma gas at a relatively low temperature (for example, 100 to 200 ° C., preferably 140 to 180 ° C.) and irradiate the outer surface of the solder (preferably further with the substrate and elements), a plasma supply source ( It is desirable that the pressure in the working space including the place where the source) and the solder and the like are arranged be reduced below the atmospheric pressure. Preferably, the pressure in the working space is reduced to about 0.1 to 200 Pa. It is particularly preferable to set the pressure to about 1 to 100 Pa.
In addition, the working space is preferably set to an inert atmosphere from the viewpoint of suppressing reduction of radicals and the like contained in the plasma gas and preventing reoxidation of solder and the like. Specifically, an atmosphere substantially free of oxygen and other oxidizing gases is preferably formed using a rare gas such as nitrogen or argon.
[0027]
Although it is not particularly limited since it may vary depending on the oxidation state of the solder (content of the oxide) and the content of the supplied plasma gas, the plasma irradiation treatment time is preferably about 0.5 to 10 minutes in total. , About 1 to 3 minutes is preferable.
In addition, the plasma irradiation process may be performed by arranging solder near the downstream side of the plasma supply source (irradiation source). However, a plasma gas (for example, 140 to 150 ° C.) at a lower temperature is soldered (for example, In order to irradiate a lead-free solder having a melting point of 183 to 230 ° C., it is preferable to provide an appropriate distance between a plasma supply source and an arrangement position of a solder or the like (a solder holding portion or the like). For example, it is preferable to dispose the solder or the like at a position (for example, 5 to 100 cm, typically 10 to 50 cm) separated from the plasma supply source (generation source) by 5 cm or more.
[0028]
In practicing the present invention, almost the entire surface of the solder is directly irradiated with a plasma gas from a plasma supply source. In this process, for example, a plurality of plasma supply sources are provided in different directions as viewed from the solder so that the plasma gas is directly irradiated to almost the entire surface of the solder arranged in a fixed state in the working space, It can be realized by directly irradiating the soldering gas with a plasma gas therefrom.
For example, when a foil-shaped solder is used, the front and back surfaces of the solder foil are placed between two plasma supply sources provided at opposing positions so that the front surface and the back surface of the solder foil face each other (that is, when the plasma gas is emitted). By arranging the solder foil and directly irradiating the front surface and the back surface with the plasma gas, oxides present on almost the entire surface of the solder foil can be completely removed.
[0029]
Alternatively, using one plasma supply source and disposing the solder in a rotatable state on the downstream side thereof, and turning the solder while the plasma gas is being irradiated from the one plasma supply source to the solder. Change direction. This makes it possible to directly irradiate the entire surface of the solder with the plasma gas. This embodiment is particularly preferable because it is possible to completely remove oxides existing on almost the entire surface of the solder using one plasma supply source regardless of the shape of the solder.
Hereinafter, an embodiment of a preferred soldering apparatus for carrying out the manufacturing method of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0030]
As a first embodiment, a soldering device 10 shown in FIG. 1 is a device suitable for performing so-called reflow soldering, and includes a work chamber 11 capable of reducing pressure and a plasma generator (plasma) communicating with the work chamber 11. Supply source) 12.
As shown in the drawing, a gas supply pipe 13 and a gas discharge pipe 17 are connected to the work chamber 11. The gas supply pipe 13 is connected to a gas supply source (not shown) (for example, a nitrogen gas tank and a hydrogen gas tank), and the gas discharge pipe 17 is connected to a vacuum pump (not shown). With this configuration, the working space 11a inside the working chamber can be set to an inert atmosphere (for example, a nitrogen gas atmosphere) at a pressure lower than the atmospheric pressure (typically 1 to 200 Pa).
The plasma generator 12 has a high-frequency power supply and electrodes (not shown). The high-frequency power supply is electrically connected to an induction coil (electrode) surrounding the outer periphery of the gas supply pipe 13, and can form a high-frequency electric field in the coil-surrounding portion of the gas supply pipe 13.
[0031]
Inside the work chamber 11, a substrate holding part 15, a solder holding part 20, and an element holding part 30 are provided.
The substrate holding unit 15 has a heating unit (a hot plate type general heater not shown in the present embodiment) for melting and soldering the solder 2. As a result, the upper surface 15a of the substrate holding unit 15 on which the substrate 6 is mounted is raised to a temperature (typically 300 to 500 ° C.) higher than the melting point of the solder 2, and is mounted on the substrate 6 by conduction of the heat. Solder 2 can be melted.
Further, the substrate holding unit 15 has a cooling unit for solidifying the solder melted by the heating unit (heater). In the present embodiment, a cooling water passage (not shown) is provided inside the substrate holding unit 15. By introducing cooling water from the outside into the cooling water passage, the upper surface 15a of the substrate holding portion 15 is cooled, and the solder 2 on the substrate 6 can be rapidly solidified at a predetermined position (solder portion).
[0032]
The solder holding unit 20 according to the present embodiment is a hand-type chuck that turns the solder 2 to change the direction. As shown in FIG. 2, the solder holding unit 20 has a main shaft 21 and a pair of grippers 23 a and 23 b connected to a distal end of the main shaft 21 via a joint 22.
A motor (not shown) is built in the joint section 22. By actuating this motor to actuate the pair of grippers 23a and 23b and reversibly change the distance therebetween, the thin plate-like or rod-like solders 2 and 3 as shown in FIGS. It can be easily gripped.
A manipulator (not shown) provided on the base side (that is, the wall surface side of the work chamber 11) is connected to the main shaft 21, and the solder holding unit (chuck) 20 is moved in the work room 11a by operating the manipulator. At the same time, the main shaft 21 can be rotated continuously or intermittently at an arbitrary rotation angle (see the arrow in FIG. 1). That is, according to the grip-shaped solder holding portion (chuck) 20 according to the present embodiment, the solders 2 and 3 gripped by the grippers 23a and 23b are rotated in the work room to change the direction of the solder, and the solder is reversibly reversible. Can be directed to the direction in which the plasma generator (plasma supply source) 12 is arranged.
[0033]
On the other hand, the element holding section 30 according to the present embodiment utilizes a suction collet 31 conventionally used for picking up an element 4 such as a semiconductor chip. The element holding section 30 is connected to a suction collet 31 for adsorbing the element 4 to an end of an L-shaped arm 32 rotatably connected to a manipulator (not shown) provided on a base side (that is, a wall side of the work chamber 11). It is the structure which did. By operating this manipulator, the element holding unit 30 can be moved in the work room 11a and the L-shaped arm 32 can be rotated continuously or intermittently (see the arrow in FIG. 1). That is, according to the element holding unit 30 according to the present embodiment, the element 4 adsorbed to the collet 31 in the work room 11a is turned at an arbitrary angle, and the portion including the soldering part of the element 4 reversibly ( The lower surface shown in FIG. 1 can be directed to the direction in which the plasma generator (plasma supply source) 12 is arranged.
[0034]
Next, a typical use mode of the soldering device 10 according to the present embodiment will be described below.
The ceramic or metal substrate 6 is disposed on the upper surface 15a of the substrate holding unit 15 in advance, the element 4 is held on the collet (adsorption unit) 31 of the element holding unit 30, and the lead-free solder 2 is further attached to the solder holding unit 20. It is sandwiched between the grippers 23a and 23b.
On the other hand, nitrogen gas (N ₂ ) And reduce the pressure in the chamber 11a to 100 Pa or less (preferably 1 to 10 Pa). Under these conditions, hydrogen gas is introduced into the gas supply pipe 13 together with nitrogen gas at a predetermined flow rate from an external gas supply source. On the other hand, a high frequency (for example, 13.56 MHz) voltage is applied from a high frequency power supply to an electrode (the induction coil) of the plasma generator 12. As a result, a high-frequency electric field is formed in a part of the gas supply pipe 13 (the part surrounding the coil), and the hydrogen gas flowing through the part is turned into plasma to generate hydrogen free radicals (indicated by P in FIG. 1). The generated plasma gas is introduced into the working chamber 11a by a gas flow, and is irradiated on the surfaces of the solder 2, the element 4, and the substrate 6 at a temperature lower than the solder melting point. By this plasma irradiation, the oxides contained in the surface layer of the plasma irradiated portion of the member to be processed are easily reduced and removed.
[0035]
At this time, by rotating the solder holding unit 20 and the element holding unit 30 via the above-described manipulator and directly irradiating the entire surface of the solder 2 and the element 4 with the plasma gas, almost all of the members to be processed are covered. Thus, oxides contained in the surface layer can be reduced and removed all over.
For example, when processing the thin plate-shaped solder 2 as shown in FIG. 1, the surface side facing the plasma generator 12 is irradiated with plasma for a predetermined time (for example, one minute), and then the solder 2 is inverted. Plasma irradiation is performed on the back side for a predetermined time (for example, 1 minute). Preferably, the plasma irradiation time on each of the front side and the back side of the solder is set substantially equal. By performing such a direction change operation (here, a turning operation), oxides contained in the surface layer portions on both surfaces of the thin plate-like solder (solder foil) 2 can be reduced and removed almost completely.
[0036]
Alternatively, the solder may be continuously and gradually turned so that almost all surfaces of the solder 2 are once directed toward the plasma generator 12 during the plasma irradiation. For example, when performing plasma irradiation for 5 minutes, the main shaft 21 of the solder holding unit 20 is rotated continuously or intermittently at a pace at which the solder rotates about 1 minute in about 1 minute. Such a turning operation involves not only a thin plate, but also a rod-shaped (thread-shaped) or other three-dimensional (including indefinite-shaped) solder or oxide contained in the surface layer of the element shown in FIG. It is convenient for reduction and removal without any treatment.
[0037]
After the above-described plasma irradiation processing, a soldering step is performed. That is, the manipulator is operated to place the solder 2 on the soldering portion on the upper surface of the substrate 6. On the other hand, the power supply to the heater of the substrate holding unit 15 is turned on to increase the substrate temperature to a temperature (for example, 230 ° C.) higher than the melting point of solder (for example, 183 ° C.). Thereby, the solder 2 can be melted on the substrate. Next, by operating the manipulator, the element 4 is placed on the solder in the molten state, and is placed at a predetermined position while sliding. After this operation is completed, the power supply to the heater is turned off and the cooling water is introduced into the cooling water passage. Thus, the substrate 6 is cooled and the solder 2 is solidified, so that the soldering of the element 4 to a predetermined position of the substrate 6 is completed. The soldering is not limited to this mode. For example, the solder 2 and the element 4 are placed on the substrate 6 in advance, and then the solder is melted (the above-described heating process) and re-solidified (the above-described cooling process). ) May be performed.
[0038]
During the soldering step, it is preferable that nitrogen gas is continuously introduced into the working chamber 11a to keep the chamber 11a in an inert atmosphere (the pressure in the chamber 11a may be a reduced pressure or an atmospheric pressure). As a result, reoxidation of the substrate, solder, and element used can be prevented, and the occurrence of voids at the solder joint can be prevented beforehand.
[0039]
Next, another embodiment of a soldering device suitable for carrying out the manufacturing method of the present invention will be described as a second embodiment with reference to the drawings.
The soldering device 50 shown in FIG. 3 is a device suitable for performing reflow soldering, and includes a working chamber 53 and a plasma generator (plasma supply source) 52 communicating with the working chamber 53.
As shown in the drawing, a work chamber 53 of the soldering device 50 is provided with a total of four compartments 60, 70, 80, 90 separated from each other by partitions (partitions) 54, 55, 56, 57, 58. Have been. In each of the partition portions 54 to 58, communication ports 54b, 55b, 56b, 57b, 58b for allowing a material such as a substrate to flow between adjacent compartments are formed, and the communication ports 54b to 58b are formed. Shutters 54a, 55a, 56a, 57a, 58a for hermetically closing and closing are provided to be openable and closable. Although not particularly limited, the shutters 54a to 58a according to the present embodiment are installed so as to be able to move up and down along partitions (partitions) 54 to 58. The operation of each of the shutters 54a to 58a (i.e., the elevation along the partitioning portions (partitions) 54 to 58) can be individually controlled by a control unit (not shown).
[0040]
Further, the soldering device 50 is provided with a conveyor 59 as a transport unit according to the present embodiment so as to penetrate the compartments 60, 70, 80, 90 of the work room 53. The conveyor 59 mainly includes a pair of driving sprockets 59b and 59c connected to a motor (not shown) serving as a driving source, and a chain belt 59a engaged with them. Then, with rotation of the sprockets 59b and 59c, the chain belt 59a moves from the communication port 54b corresponding to the entrance of the working chamber 53 to the communication port 58b corresponding to the exit. Thereby, the materials such as the substrate 110 and the solder 120 placed on the chain belt 59a can be carried into the work chamber 53, and can be carried out of the work chamber 53 via each compartment (arrows in FIG. 3). reference). Hereinafter, the four compartments 60, 70, 80, and 90 are referred to as a first compartment 60, a second compartment 70, a third compartment 80, and a fourth compartment 90 from the upstream side in the moving direction of the chain belt 59a.
Note that, as shown in the figure, typically, electronic component assembly materials such as the substrate 110 and the solder 120 are set at predetermined portions provided on the mounting jig 100 attached to the chain belt 59a. In this state, it is carried into the work room 53.
[0041]
The first compartment 60 is a compartment for charging a material, and a substrate 110 and a solder (here, a solder foil) 120 are supplied from the outside while being set on the jig 100. Further, a gas supply pipe 66 and a gas discharge pipe 68 are connected to the first compartment 60, and an internal gas is introduced and circulated from an external gas supply source to circulate the internal space. An active atmosphere can be maintained. The gas exhaust pipe 68 is connected to a vacuum pump (not shown) to reduce the internal space of each compartment to a pressure lower than the atmospheric pressure (typically 0.1 to 200 Pa, preferably 1 to 100 Pa, particularly preferably 1 to 100 Pa). -10 Pa).
[0042]
The second compartment 70 is a plasma processing compartment for irradiating almost the entire surface of the substrate and the solder with a plasma gas. The gas supply pipe 51 having the same configuration as that of the soldering device 10 (FIG. 1) of the first embodiment is connected to the compartment 70, so that nitrogen and hydrogen can be supplied from an external gas supply source. . Further, the same gas supply pipe 76 as the first compartment 60 is connected, and the internal space can be kept in an inert atmosphere (here, nitrogen atmosphere) even when the plasma irradiation processing is not performed. The configuration of the plasma generator 52 provided in a part of the gas supply pipe 51 is the same as that of the first embodiment, and a duplicate description will be omitted.
The second compartment 70 is provided with a solder holding portion 72 that picks up the solder 120 arranged on the jig 100, turns the picked-up solder 120, and turns the solder back side toward the plasma generator 52. The solder holding section 72 mainly includes a manipulator (not shown) provided on the wall of the working chamber 53 and a suction collet rotatably connected thereto, and has the same configuration as the element holding section 30 shown in FIG. Therefore, duplicate description will be omitted.
[0043]
The third compartment 80 is a soldering compartment for further supplying the element 130 to the substrate 110 and the solder 120 transported from the plasma processing compartment, and soldering the element 130 to a predetermined position on the substrate 110. A gas supply pipe 86 similar to the other compartments 60 and 70 is connected to the compartment 80, and the internal space can always be kept in an inert atmosphere (here, a nitrogen atmosphere). Note that a heater 84 serving as a heating unit for melting the solder 120 is provided in a portion corresponding to a portion below the chain belt 59a (transport side) in the third compartment 80. The configuration of the heater 84 is the same as that of the first embodiment, and a duplicate description will be omitted.
Further, the third compartment 80 is provided with a suction collet 82 for picking up the separately supplied element 130 and transporting and placing the element 130 on a soldering portion of the substrate 110 arranged on the jig 100. The structure and function of the collet 82 are the same as those used in a conventional soldering device and the like, and do not particularly characterize the present invention, and thus a detailed description is omitted.
[0044]
The fourth compartment 90 is a discharge compartment before taking out the electronic component obtained after the soldering is completed, and is a section for completely solidifying the molten solder 120. A gas supply pipe 96 and a gas discharge pipe 98 similar to the first compartment 60 are connected to the compartment 90, so that the internal space can always be kept in an inert atmosphere (here, a nitrogen atmosphere). The internal space of the compartment can be kept at a pressure lower than the atmospheric pressure (typically 0.1 to 200 Pa).
[0045]
Next, a typical use form of the soldering device 50 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. In the following description, the work performed in each of the compartments 60 to 90 on the substrate 110 and the solder 120 mounted on one mounting jig 100 in a time series is described. At 60 to 90, the operations described below are performed almost simultaneously.
[0046]
In advance, nitrogen is introduced from each of the gas supply pipes 66, 76, 86, and 96 to make the inside of the working chamber 53 a nitrogen atmosphere. Next, all the shutters 54a to 58a are raised to open the communication ports 54b to 58b, and the chain belt 59a is moved to carry the jig 100 on which the substrate and the solder are placed in the first compartment 60. After loading, first, the two shutters 54a and 58a that separate the working chamber from the outside are lowered to hermetically close and shut off the working chamber 53 from the outside, and the gas is discharged from the gas discharge pipes 68 and 98 to maintain the inert atmosphere. The pressure inside the working chamber 53 (all the compartments 60 to 90) is reduced to, for example, 100 Pa or less. Next, the three shutters 55a, 56a, and 57a between the adjacent compartments are lowered to shut off the compartments, and the processing described later is performed in each compartment under the reduced pressure condition.
[0047]
After a predetermined time, all the shutters 54a to 58a are raised to open the communication ports 54b to 58b, and the chain belt 59a is moved. As a result, the jig 100 (substrate 110 and solder 120) in the first compartment is transferred to the second compartment. After performing the same shutter opening / closing operation and pressure reducing operation as described above, plasma irradiation processing is performed.
Typically, as schematically shown in FIG. 4A, first, the surface of the substrate 110 and the solder and the surface of the substrate 110 in a state of being transported from the first compartment 60, that is, in a state of being mounted on the jig 100. The surface of 120 is irradiated with a plasma gas containing hydrogen free radicals P. Thereby, oxides on the substrate surface and the solder surface can be reduced and removed.
After the plasma irradiation for a predetermined time (for example, 1 to 5 minutes), the solder holding section (collet) 72 is operated to pick up the solder 120 from the jig 100 as schematically shown in FIG.
Next, as schematically shown in FIG. 4C, the solder holding section (collet) 72 is turned over, and the solder 120 held (adsorbed) at the tip thereof is turned 180 degrees (ie, turned upside down and up and down). Turn around to be upside down).
In this state, the plasma irradiation process is performed again for a predetermined time (for example, 1 to 5 minutes). As a result, the backside of the solder 120 is irradiated with the plasma gas, and the oxide contained in the surface layer on the backside is also reduced and removed. Can be removed.
Thus, as schematically shown in FIG. 4D, after the plasma irradiation is completed, the solder holding section (collet) 72 is operated to move the solder 120 to a predetermined soldering section (not shown) on the substrate surface. Is placed.
[0048]
After a predetermined time, all the shutters 54a to 58a are raised to open the communication ports 54b to 58b, and the chain belt 59a is moved. As a result, the jig 100 (substrate 110 and solder 120) in the second compartment is transferred to the third compartment. Then, after performing the same shutter opening / closing operation and pressure reducing operation as described above, a soldering process is performed. Soldering is performed in an inert atmosphere.
That is, by operating the collet 82, a predetermined element (semiconductor chip or the like) 130 is further placed on the solder 120 placed on the soldering portion of the substrate 110 (see an arrow in a corresponding portion in FIG. 3).
In this state, the heater 120 is energized to heat the substrate 110 together with the jig 100, thereby melting the solder 120. Thereby, reflow soldering is realized.
Alternatively, after heating the heater 84 to melt the solder 120, the element 130 may be placed on the molten solder to perform soldering.
[0049]
After a predetermined time, all the shutters 54a to 58a are raised to open the communication ports 54b to 58b, and the chain belt 59a is moved. As a result, the jig 100 and the electronic component 150 including the substrate 110, the solder 120, and the element 130 in the third compartment are transported to the fourth compartment. Then, after performing the same shutter opening / closing operation and pressure reducing operation as described above, the solidification of the solder is completed. It is preferable to provide various cooling means in the fourth compartment so that the temperature of the substrate 110 returns from the melting temperature of the solder 120 (above the melting point of the solder, for example, 200 ° C.) to room temperature in about 1 to 5 minutes. For example, a water-cooling unit for circulating cooling water is provided below the chain belt 59a (conveying side) (preferably a part close to the jig 100), or nitrogen gas supplied to the fourth compartment is cooled in advance. A cooler for storage may be provided in a part of the gas supply pipe 96.
[0050]
After a predetermined time, all the shutters 54a to 58a are raised to open the communication ports 54b to 58b, and the chain belt 59a is moved. Thus, the electronic component 150 in a state in which the jig 100 and the solder 120 are solidified can be carried out from the fourth compartment 90 (the working chamber 53).
[0051]
As described above, the preferred embodiments of the soldering device of the present invention have been described with reference to the drawings. However, the soldering device of the present invention is not limited to the embodiments shown in the drawings. For example, the solder holding portions 20 and 72 and the element holding portions 30 and 82 are not limited to those having the shapes shown in the figure, and are appropriately selected from chucks (preferably hand type) used in the field of machine tools and robots. It is possible to use the one as it is or appropriately modified according to the shape of the solder.
In addition, as shown in FIG. 3, when the work chamber of the soldering device is divided into several compartments, it is not necessary to divide the work chamber into the four compartments as described above. For example, the first compartment and the fourth compartment may be omitted, and the working chamber may be divided into a plasma processing compartment and a soldering compartment. In this case, preferably, in addition to a heating means (a hot plate type heater or the like), a cooling means for rapidly solidifying the molten solder is provided in the soldering compartment.
[0052]
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but it is not intended to limit the present invention to those shown in the examples.
[0053]
Using the soldering device 10 (see FIG. 1) according to the first embodiment and a commercially available lead-free solder (Sn—Cu-based), an electronic component is manufactured by soldering a semiconductor element to a ceramic substrate. The presence or absence of voids in the attachment portion was examined.
That is, a semiconductor element 4 having a size of about 13 × 13 mm and a thickness of about 0.4 mm is mounted on an alumina substrate 6 having a size of about 16 × 30 mm and a thickness of about 0.6 mm by using a Sn / Cu-based lead-free solder foil. 2 and soldered. Specifically, first, the inside of the closed working chamber 11 was set to a nitrogen atmosphere, and the pressure was reduced to 100 Pa or less. Next, a mixed gas of hydrogen and nitrogen was introduced into the working chamber 11 while maintaining the reduced pressure state. At this time, a high frequency voltage of 13.56 MHz and an output of 100 W was applied from a high frequency power source to the electrode (the induction coil) of the plasma generator 12 to convert the hydrogen gas into plasma. Such a plasma gas is introduced into the working chamber 11a, and the surfaces of the Sn / Cu-based lead-free solder foil 2, the semiconductor element 4, and the alumina substrate 6 (that is, the side facing the plasma generator 12) previously disposed in the working chamber 11a. Surface). After the plasma irradiation is continuously performed for 2 minutes, the solder holding section (chuck) 20 is operated to invert the solder foil 2. Then, the plasma irradiation is continued for another 2 minutes.
After the plasma irradiation process, the solder 2 and the semiconductor element 4 were further mounted on a soldering portion (not shown) on the surface of the substrate 6. Next, the power supply to the heater was turned on, and the solder 2 was heated together with the substrate 6 to melt the solder 2. Thereafter, the power supply to the heater was turned off, and cooling water was introduced into a cooling water passage (not shown) to solidify the molten solder, thereby manufacturing an electronic product (module) 8 according to the present example (FIG. 5).
Further, as a comparative example, an electronic product (module) was manufactured by the same material and procedure as described above, except that only one surface of the solder foil was irradiated with plasma (4 minutes) without inverting the solder foil 2.
[0054]
Then, using a commercially available X-ray inspection apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation, model: SMX30CT), X-rays were obtained from the element bonding surface side of the electronic components of the above Examples and Comparative Examples (see arrows in FIG. 5). And the presence or absence of voids in the solder joint was examined. The X-ray irradiation test was performed under the conditions of a tube voltage of 40 kV and a tube current of 0.15 mA.
The results of this test are shown in FIGS. 6 and 7 are photographs showing X-ray tomography results (X-ray CT images) of the electronic components according to the present example and the comparative example, respectively.
As is clear from these photographs, no voids were observed in the solder joints of the electronic components according to the examples (FIG. 6). On the other hand, in the solder joints of the electronic component according to the comparative example, the presence of voids (white portions in the photograph) was remarkable (FIG. 7).
[0055]
As mentioned above, although the specific example of this invention was demonstrated in detail, these are only illustrations and do not limit a claim. The technology described in the claims includes various modifications and alterations of the specific examples illustrated above.
In addition, the technical elements described in the present specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. The technology illustrated in the present specification or the drawings achieves a plurality of objects at the same time, and has technical utility by achieving one of the objects.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view schematically showing a configuration of a soldering device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view schematically showing a configuration of a solder holding section provided in the soldering device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic diagram schematically showing a configuration of a soldering device of the present invention according to one embodiment.
FIGS. 4A to 4D are explanatory views schematically showing states of a plasma irradiation process performed in a second compartment of the soldering device shown in FIG. 3;
FIG. 5 is a side view schematically showing a typical example of an electronic component obtained by the manufacturing method of the present invention.
FIG. 6 is a photograph of a CT image showing a state of occurrence of voids at a joint portion of an electronic component according to an example.
FIG. 7 is a photograph of a CT image showing a state of occurrence of voids in a joint portion of an electronic component according to a comparative example.
[Explanation of symbols]
2,3,120 solder
4,130 elements
6,110 substrate
8,150 Electronic components
10,50 Soldering equipment
11,53 Work room
12,52 Plasma generator
15 Substrate holder
20,72 Solder holder
30, 82 element holding unit
54, 55, 56, 57, 58 Partition
54a, 55a, 56a, 57a, 58a Shutter
54b, 55b, 56b, 57b, 58b Contact
59 Conveying means (conveyor)
60, 70, 80, 90 compartments

Claims (12)

基板と、その基板表面にハンダ付けされた一又は二以上の素子とを備える電子部品を製造する方法であって、
基板から独立した状態のハンダを不活性雰囲気中に配置する工程、
前記ハンダのほぼ全面にプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを直接的に照射する工程、および、
前記プラズマ化ガス照射後のハンダを用いて前記素子を前記基板にハンダ付けする工程、
を包含する製造方法。A method for manufacturing an electronic component including a substrate and one or more elements soldered to the substrate surface,
A step of placing solder in a state independent of the substrate in an inert atmosphere,
A step of directly irradiating the entire surface of the solder with a plasma-forming reducing gas from a plasma supply source, and
Soldering the element to the substrate using the solder after the plasma gas irradiation,
A production method comprising: プラズマ化された還元性ガスが照射されている間に、前記ハンダのほぼ全ての面が一度は前記プラズマ供給源の方向に向けられるように該ハンダの向きを変える処理が行われる、請求項１に記載の製造方法。2. The process of changing the orientation of the solder such that substantially all surfaces of the solder are once directed to the plasma supply source while the plasma-forming reducing gas is being irradiated. Production method described in 1. 前記不活性雰囲気中に基板を配置し、前記ハンダ付けを行う前に該基板の表面の少なくともハンダ付け部を包含する部分にプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを照射する、請求項１又は２に記載の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the substrate is placed in the inert atmosphere, and before the soldering, at least a portion of the surface of the substrate including the soldering portion is irradiated with a reducing gas converted into plasma from a plasma supply source. 3. Or the production method according to 2. 前記不活性雰囲気中に前記ハンダ及び基板とは独立した状態で一又は二以上の素子を配置し、前記ハンダ付けを行う前に該素子表面の少なくともハンダ付け部を包含する部分にプラズマ供給源からプラズマ化された還元性ガスを照射する、請求項３に記載の製造方法。In the inert atmosphere, one or two or more elements are arranged independently of the solder and the substrate, and before performing the soldering, a portion of the element surface including at least a soldered portion is supplied from a plasma supply source. The production method according to claim 3, wherein the plasma-forming reducing gas is irradiated. 前記ハンダ付け工程が不活性雰囲気中で行われる、請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。The method according to claim 1, wherein the soldering step is performed in an inert atmosphere. 前記ハンダの融点以下の温度でプラズマ化された還元性ガスの照射が行われる、請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。The manufacturing method according to any one of claims 1 to 5, wherein the irradiation of the reducing gas converted into plasma at a temperature equal to or lower than the melting point of the solder is performed. 前記ハンダが鉛フリーハンダである、請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法。The method according to claim 1, wherein the solder is a lead-free solder. 前記還元性ガスが水素である、請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法The method according to claim 1, wherein the reducing gas is hydrogen. 基板の表面に一又は二以上の素子をハンダ付けするための装置であって、
基板保持部と、素子保持部と、該基板保持部及び素子保持部とは独立に設けられたハンダ保持部とを有する作業室と、
プラズマ化された還元性ガスを前記ハンダ保持部に保持されたハンダに直接的に照射し得る位置に設けられたプラズマ供給源とを備えており、
前記ハンダ保持部は、該ハンダ保持部に保持されたハンダの全ての面を前記プラズマ供給源の方向に向け得るように可動する形状に設けられている、ハンダ付け装置。An apparatus for soldering one or more elements to a surface of a substrate,
A work space having a substrate holding part, an element holding part, and a solder holding part provided independently of the substrate holding part and the element holding part,
A plasma supply source provided at a position capable of directly irradiating the solder held by the solder holding unit with the reducing gas converted into plasma,
The soldering device, wherein the solder holding portion is provided in a movable shape so that all surfaces of the solder held by the solder holding portion can be directed toward the plasma supply source. 前記プラズマ供給源として、ハンダの融点以下の温度のプラズマ化された還元性ガスを発生させ得るプラズマ発生器を備える、請求項９に記載のハンダ付け装置。The soldering apparatus according to claim 9, further comprising a plasma generator capable of generating a plasma-forming reducing gas having a temperature equal to or lower than a melting point of the solder, as the plasma supply source. 前記作業室には、前記プラズマ供給源と連通するプラズマ照射用コンパートメントと、ハンダを溶融させる加熱手段を備えたハンダ付け用コンパートメントとが開放可能な仕切によって隔てられた状態で設けられており、
前記プラズマ処理用コンパートメントに収容されたハンダを、前記仕切が開放された際に前記ハンダ付け用コンパートメントに搬送する搬送手段を備える、請求項９又は１０に記載のハンダ付け装置。In the working chamber, a plasma irradiation compartment that communicates with the plasma supply source, and a soldering compartment that includes a heating unit that melts solder are provided in a state separated by an openable partition,
The soldering apparatus according to claim 9, further comprising a transport unit configured to transport the solder stored in the plasma processing compartment to the soldering compartment when the partition is opened. 請求項１〜８のいずれかに記載の方法を用いて製造された電子部品。An electronic component manufactured by using the method according to claim 1.

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