JP2004107107A

JP2004107107A - Ferrite film, its forming process and electromagnetic noise suppressor using the same

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Publication number: JP2004107107A
Application number: JP2002269009A
Authority: JP
Inventors: Koichi Kondo; 近藤　幸一; Yuji Ono; 小野　裕司; Okikuni Takahata; 高畑　興邦; Tatsuya Chiba; 千葉　龍矢; ▲吉▼田　栄▲吉▼; Eikichi Yoshida; Masanori Abe; 阿部　正紀; Masahiro Yamaguchi; 山口　正洋
Original assignee: NEC Tokin Corp; Rikogaku Shinkokai
Current assignee: Tokin Corp; Rikogaku Shinkokai
Priority date: 2002-09-13
Filing date: 2002-09-13
Publication date: 2004-04-08
Anticipated expiration: 2022-09-13
Also published as: JP4997484B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an extremely homogenous ferrite thin film formed through ferrite plating which shows no magnetic orientation (isotropic), by eliminating the conventional defects and increasing the formation speed to improve industrial productivity. <P>SOLUTION: The ferrite thin film is magnetically isotropic and comprises a crystal grain or the like as a magnetized component 1 having at least one chosen from a uniaxial anisotropy and a multiaxial anisotropy. The ferrite thin film is deposited in the presence of a rotating magnetic field. An electromagnetic noise suppressor is equipped with the ferrite thin film. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インダクタンス素子、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、及び高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられる電磁干渉抑制体などの高周波磁気デバイスに特に利用価値の高いスピネル型フェライト膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フェライトめっきとは、例えば、特許文献１に示されているように、固体表面に、金属イオンとして少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液を接触させ、固体表面にＦｅＯＨ^＋またはこれと他の水酸化金属イオンを吸着させ、続いて吸着したＦｅＯＨ^＋を酸化させることによりＦｅＯＨ^２＋を得、これが水溶液中の水酸化金属イオンとの間でフェライト結晶化反応を起こし、これによって固体表面にフェライト膜を形成することをいう。
【０００３】
従来、この技術を基にフェライト膜の均質化、反応速度の向上を図ったもの（例えば、特許文献２、参照）、固体表面に界面活性を付与して種々の固体にフェライト膜を形成しようとするもの（例えば、特許文献３、参照）、フェライト膜の形成速度の向上に関するもの（例えば、特許文献４、特許文献５、及び特許文献６、参照）がある。
【０００４】
フェライトめっきは、膜を形成しようとする固体が前述した水溶液に対して耐性があれば何でも良い。更に、水溶液を介した反応であるため、温度が常温〜水溶液の沸点以下の比較的低温でスピネル型フェライト膜を形成できるという特徴がある。そのため、他のフェライト膜作成技術に比べて、固体の限定範囲が小さい。
【０００５】
また、磁気特性を改善する方法としては、磁場中でフェライトめっきを行うことで軟磁気特性を向上させる方法が提案されている（例えば、特許文献７、参照）。また、特許文献８では、磁場中でフェライトめっきを行うことで一軸異方性膜が得られることを示している。
【０００６】
一方、フェライト薄膜の組成を特定するものとしては、例えば、特許文献９によれば、膜中の重量比Ｃｏ／Ｆｅ＝０．００１〜０．３で優れた磁気特性が得られると記載されている。
【０００７】
また、例えば、特許文献６には、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる後、次に少なくとも酸化剤を含んだ溶液を基体に接触させることを繰り返して、基体表面にフェライト膜を形成することが提案され、それによってフェライト膜の堆積速度が向上するとされている。
【０００８】
【特許文献１】
特許第１４７５８９１号公報
【０００９】
【特許文献２】
特許第１８６８７３０号公報
【００１０】
【特許文献３】
特開昭６１−０３０６７４号公報
【００１１】
【特許文献４】
特許第１７７４８６４号公報
【００１２】
【特許文献５】
特許第１９７９２９５号公報
【００１３】
【特許文献６】
特開平０２−１１６６３１号公報
【００１４】
【特許文献７】
特許第２６６８９９８号公報
【００１５】
【特許文献８】
特開平３−３８００６号公報
【００１６】
【特許文献９】
特開昭６０−２０２５２２号公報
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、インダクタンス素子、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、及び高周波領域における電磁干渉抑制体等への応用という観点からみると軟磁気特性が不十分であり、そのため、各種電子部品等への応用、あるいは適用等に関して大きな課題があった。その解決のためには、具体的には膜の化学組成の最適化、および膜の均質化が重要なポイントとなる。
【００１８】
また、一軸異方性を有する膜を上記の応用例のなかで例えばインダクタンス素子に用いる場合、例えばスパイラル状のコイルを用いると、磁性膜の異方性のために素子内部で局所的に磁束密度が低下する部分が生じ、全体としてのインダクタンスが低下するという問題があった。
【００１９】
また、前述したように、これまで膜の生成速度の向上に対して種々の改善が提案されているが、工業的な生産性という観点からみると不十分であり、そのため、各種電子部品等への応用、あるいは適用等に関して大きな課題があった。
【００２０】
しかし、上記特許文献７及び８においては、明細書の実施例中に「めっき液を別々に供給してもよい」との表記はあるものの実施例ではいずれも複数のめっき液をフェライト結晶化の前に混合してから基体に供給する方法を採用している。そのため、固体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子が結晶の成長を阻害することにより、また固体表面に吸着するＦｅＯＨ^＋の不均一性によって、均質な結晶の集合体であるフェライト膜を得ることが困難であると推定される。
【００２１】
さらに、特許文献９のフェライト膜の用途は磁気記録媒体であり、高保磁力化や高残留磁束密度化を狙った発明であり、インダクタンス素子、インピーダンス素子、磁気ヘッド、マイクロ波素子、磁歪素子、及び高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられる電磁干渉抑制体などの高周波磁気デバイスに要求される特性が明らかに異なる。
【００２２】
また、特許文献６には、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤を含んだ溶液を除去する工程については、明示されていない。
【００２３】
そこで、本発明の技術的課題は、フェライトめっき法によって形成されるフェライト膜において、懸かる従来の欠点を解消し、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、磁気的方向性を持ってない（等方性）極めて均質なフェライト膜とその製造方法とそれを用いた電磁雑音抑制体を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、種々検討の結果、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液及び酸化液の内のフェライト膜生成に寄与しない残分りうちを基体から除去する工程とを備えることによって、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、膜を構成する構成要素（結晶粒ないしはそれに類する構成要素）が規則的に配置されてなるフェライト薄膜を得、さらに前記構成要素が一軸異方性または多軸異方性を有するとともに、膜全体として薄膜の面内方向で磁気的に等方的である極めて均質なフェライト薄膜が得られることを見出した。また、前記フェライト膜はＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｏを含有するが、更にＣｏを含有する事により、軟磁気特性がさらに向上することを見出した。
【００２５】
また、フェライトめっき膜を単体で、または支持体上に形成することで電磁雑音抑制体となること、更にフェライトめっき膜を電子配線基板上または半導体集積ウェハーの少なくとも一方の面に直接成膜することで電磁雑音抑制体を実現できることを見出した。
【００２６】
即ち、本発明によれば、磁化を有する構成要素である結晶粒ないしはそれに類する構成要素が規則的に配置されてなるフェライト薄膜であって、前記構成要素が一軸異方性を有するとともに、前記フェライト薄膜が磁気的な等方性を有する事を特徴とするフェライト膜が得られる。
【００２７】
ここで、本発明において、膜を構成する要素（結晶粒）が規則的に配置されてなるフェライト膜と９は、例えば、図１（ａ）に示される柱状の結晶粒ないしは、それに類する構成要素、図１（ｂ）に示される粒状の結晶粒ないしは、それに類する構成要素、図１（ｃ）に示される層状の結晶粒ないしは、それに類する構成要素が膜内で非常に均一に分布しているフェライト膜（薄膜）を呼ぶ。
【００２８】
また、本発明によれば、磁化を有する構成要素である結晶粒ないしはそれに類する構成要素が規則的に配置されてなるフェライト膜であって、前記構成要素が多軸異方性を有し、前記フェライト薄膜が磁気的な等方性を有する事を特徴とするフェライト膜が得られる。
【００２９】
また、本発明によれば、磁化を有する構成要素である結晶粒ないしはそれに類する構成要素が規則的に配置されてなるフェライト膜であって、一軸異方性を有する構成要素と多軸異方性を有する構成要素から成り、前記フェライト膜が磁気的な等方性を有する事を特徴とするフェライト膜が得られる。
【００３０】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜において、前記構成要素の一軸異方性に起因する磁化容易軸が、前記フェライト膜の厚さ方向に略平行であることを特徴とするフェライト膜が得られる。
【００３１】
また、本発明によれば、前記いずれかのフェライト膜において、前記構成要素の一軸異方性に起因する磁化容易軸が前記フェライト膜の面内方向に略平行であることを特徴とするフェライト膜が得られる。
【００３２】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜において、前記フェライト膜が、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｏを含有する事を特徴とするフェライト膜が得られる。
【００３３】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜において、前記フェライト膜がＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、ＯおよびＣｏを含有し、その含有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３以上０．３／３以下である事を特徴とするフェライト膜が得られる。
【００３４】
また、本発明によれば、前記いずれかのフェライト膜において、前記一軸異方性を有する構成要素がＣｏを含有することを特徴とするフェライト膜が得られる。
【００３５】
また、本発明によれば、前記いずれかのフェライト膜において、前記多軸異方性を有する構成要素がＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｏを含有することを特徴とするフェライト膜が得られる。
【００３６】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜を、回転磁界の存在下で成膜することを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。
【００３７】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜を製造する方法であって、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を前記基体に接触させる工程と、前記反応液及び酸化液の内のフェライト膜生成に寄与しない残分を前記基体から除去する工程とを備えていることを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。
【００３８】
また、本発明によれば、前記フェライト膜の製造方法において、前記フェライト膜を前記各工程を繰り返すことによって成膜することを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。
【００３９】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造方法であって、反応液、及び酸化液を前記基体から除去する際、重力、遠心力等によって前記反応液及び前記酸化液に付与される流動性によることを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。
【００４０】
また、本発明によれば、前記フェライト膜の製造方法において、前記フェライト膜を前記各工程を繰り返すことによって成膜することを特徴とするフェライト膜の製造方法が得られる。
【００４１】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜を備えていることを特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００４２】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜が支持体上に形成されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００４３】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜が電子配線基板上に直接成膜されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００４４】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜が、半導体集積ウェハーの少なくとも一方の面に直接成膜されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００４５】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造方法によって形成されたフェライト膜を備えていることを特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００４６】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造方法によって形成されたフェライト膜が支持体上に形成されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００４７】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造方法によって形成されたフェライト膜が電子配線基板上に直接成膜されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００４８】
また、本発明によれば、前記いずれか一つのフェライト膜の製造方法によって形成されたフェライト膜が、半導体集積ウェハーの少なくとも一方の面に直接成膜されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
まず、本発明についてさらに、詳細に説明する。
【００５０】
図１は本発明に係るフェライト薄膜の模式図で、（ａ）は膜を構成する結晶粒もしくはそれに類する構成要素が柱状、（ｂ）は膜を構成する結晶粒もしくはそれに類する構成要素が粒状、（ｃ）は膜を構成する結晶粒もしくはそれに類する構成要素が層状の場合を夫々示している。図１（ａ）に示すように、フェライト薄膜は、柱状の膜を構成する結晶粒もしくはそれに類する構成要素が膜内で非常に均一に分布している。図１（ｂ）の場合においては、フェライト薄膜は、粒状の膜を構成する結晶粒もしくはそれに類する構成要素が膜内で非常に均一に分布している。図１（ｃ）の場合においては、フェライト薄膜は、層状の膜を構成する結晶粒もしくはそれに類する構成要素が膜内で非常に均一に分布している。
【００５１】
本発明においては、フェライト膜を構成する構成要素、例えば、結晶粒ないしはそれに類する構成要素が規則的に配置されてなるフェライト薄膜を得、さらに前記構成要素が一軸異方性または多軸異方性を有するとともに、膜全体として薄膜の面内方向で磁気的に等方的である極めて均質なフェライト薄膜が得られ、また前記フェライト薄膜はＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｏを含有するが、更にＣｏを含有する事により軟磁気特性を向上させるものである。
【００５２】
ここで、本発明に係わるフェライト膜中に含まれるＣｏ量はモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３以上０．３／３以下であり、０．０１／３〜０．１／３程度が最も好ましい。
【００５３】
また、本発明のフェライト膜の製造方法において、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液及び酸化液の内のフェライト膜生成に寄与しない残分りうちを基体から除去する工程とを備えることによって、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、膜を構成する構成要素が規則的に配置され、膜面内で磁気的に等方的な極めて均質なフェライト薄膜を得るための製造方法が得られる。
【００５４】
さらに本製造方法は上記の工程に加えて反応液と酸化液を基体表面に回転磁場中で接触させることによっても得られる。
【００５５】
本発明が得られた原因は以下の通りと考えられる。フェライトめっきによるフェライト膜は、前述のように固体表面を基点とした結晶成長によって形成される。その際、フェライト膜は、一軸異方性または多軸異方性を有する構成要素（結晶粒ないしはそれに類する構成要素）が規則的に配置されてなるフェライト薄膜であるが、膜全体として膜面内で磁気的に等方的であるのは、前記構成要素の一軸異方性を与える結晶的な方位がランダムであるかまたは膜面に垂直であるためであると考えられる。
【００５６】
本発明において、前記構成要素が多軸異方性を有すればよい。また、本発明において、前記構成要素が一軸異方性を有する場合、その容易軸方向は膜面に垂直であればよい。ただし、前記構成要素が一軸異方性を有し、その容易軸が膜面に垂直でない場合でも、その向きをランダムに配置できれば膜全体として磁気的に等方的な膜が得られる。また、一軸異方性を有しランダムに配置された前記構成要素と多軸異方性を有する前記構成要素が混在してもよい。
【００５７】
本発明に依れば、例えば反応液と酸化液を基体表面に回転磁場中で接触させることによって、個々が一軸異方性または多軸異方性を有する前記構成要素の異方性の方向が磁界に誘導されて膜面内でランダムに向き、膜全体として膜面内で磁気的に等方的な膜が得られると考えられる。
【００５８】
本発明における反応液、酸化液を除去する工程が、フェライトめっき膜の生成速度を向上し、かつ均質な柱状結晶とすることの原因の詳細は明らかとなっていない。しかし、反応液、酸化液を除去する工程が、固体表面以外での副次的なフェライト微粒子の形成を抑制し、また固体表面に均一にＦｅＯＨ^＋を吸着させるものと考えられる。
【００５９】
前述したように、例えば、上記特許文献７では磁場中でフェライトめっきを行うことで軟磁気特性を向上させる方法を示しており、特許文献８では磁場中でフェライトめっきを行うことで一軸異方性膜が得られることを示している。
【００６０】
しかし、特許文献の実施例中に「めっき液を別々に供給してもよい」との表記はあるものの実施例ではいずれも複数のめっき液をフェライト結晶化の前に混合してから基体に供給する方法を採用している。そのため、固体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子が結晶の成長を阻害することにより、また固体表面に吸着するＦｅＯＨ^＋の不均一性によって、均質な結晶の集合体であるフェライト膜を得ることが困難であると推定される。また、印加する磁界は一方向であるため、本発明とは異なる。
【００６１】
例えば、特許文献９によれば、膜中の重量比Ｃｏ／Ｆｅ＝０．００１〜０．３で優れた磁気特性が得られると記載されているが、用途は磁気記録媒体であり、高保磁力化や高残留磁束密度化を狙った発明であり、本発明とは用途と方向性が明らかに異なる。
【００６２】
例えば、上記特許文献６によれば、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる後、次に少なくとも酸化剤を含んだ溶液を基体に接触させることを繰り返して、基体表面にフェライト膜を形成することが提案され、それによってフェライト膜の堆積速度が向上するとされている。
【００６３】
しかし、上記特許文献６には、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤を含んだ溶液を除去する工程については明示されていない。
【００６４】
本発明者等の検討によれば、この少なくとも第一鉄イオンを含む反応液、及び少なくとも酸化剤を含んだ溶液を除去する工程が、フェライトめっき膜の生成速度を向上し、かつ均質な結晶とすることに対して極めて重要、不可欠である。
【００６５】
また、本発明によるフェライトめっき膜は高周波帯域における優れた磁気損失特性により、単体または支持体上に形成することで電磁雑音抑制体として使用でき、更にフェライトめっき膜を電子配線基板上または半導体集積ウェハーの少なくとも一方の面に直接成膜することにより、電磁雑音抑制体を兼ね備えた電子配線基板または半導体集積ウェハーを実現することができる。
【００６６】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００６７】
図２は本発明の第１の実施の形態によるめっき装置の概略構成図である。図３は図２のめっき装置を基体に垂直な方向から見たときの配置図である。
【００６８】
図２及び図３を参照すると、回転台９の上にフェライト膜を形成する基体６が設置されている。回転台９の両側には、磁石５が配置され、基体６に磁界を印加する役割を担う。また、磁石５は回転台９とは独立に固定されており、回転台９の回転に関わらず一方向に磁界が印加される。基体６の上方には、夫々にタンク７，８に貯蔵されためっき液を基体６に供給するために、これらのタンク７，８に接続されたノズル３，４が夫々設けられている。
【００６９】
前述しためっき工程における反応液、酸化液の除去を効率よく行うために必要な液は幾つかに分けて準備する方が良い。また、図２及び図３では、めっきに必要な液を二つに分けた場合を示している。
【００７０】
タンク７，８に貯蔵された溶液は、ノズル３，４を介して基体６に供給される。その際、例えば、ノズル３を介して基体６に溶液が供給された後、供給された溶液が回転による遠心力で除去され、ノズル４を介して基体６に供給された溶液が、回転による遠心力で除去されることを繰り返す。
【００７１】
図４は比較例に用いた装置構成の概略を示す正面図、図５は図４の装置の垂直上方から眺めたときの配置図である。
【００７２】
図４及び図５を参照すると、回転台９の上にはフェライト膜を形成する基体６が設置される。磁石５も同じく回転台９の上に置かれ、基体６と共に回転し、基体６に磁界を印加する役割を担う。基体６にかかる磁界は図２の場合と等しくなるように調整してある。
【００７３】
図６は本発明の第２の実施の形態によるめっき装置の構成を示す概略正面図であり、反応液、及び酸化液を基体から除去する際、重力によって反応液、酸化液に付与される流動性による場合を示している。図６においても、図２と同様に、タンク７，８に貯蔵された溶液は、ノズル３，４を介して傾斜台１０に設置された基体６に供給される。その際、例えば、ノズル３を介して基体６に溶液が供給された後、重力によって溶液に付与される流動性によって供給された溶液が除去され、ノズル４を介して基体６に溶液が供給された後、重力によって溶液に付与される流動性によって供給された溶液が除去されることを繰り返す。
【００７４】
また、本発明においては、一方の溶液が供給された後、供給された溶液が除去され、他方の溶液が供給された後、供給された溶液が除去される工程の繰り返しの例を示したが、二つの溶液が同時に供給されても構わない。
【００７５】
次に本発明のフェライト薄膜の作製の具体例について説明する。
【００７６】
（例１）
図２及び図３に示す様な装置の回転台９の上にプラズマ処理により、基体６として親水化処理をしたガラス板を設置し１５０ｒｐｍで回転させながら脱酸素イオン交換水を供給しながら９０℃まで加熱した。ついで、装置内にＮ_２ガスを導入し脱酸素雰囲気を形成した。反応液は２種類準備した。脱酸素イオン交換水中にＦｅＣｌ_２・４Ｈ_２Ｏ、ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ、ＺｎＣｌ_２、ＣｏＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏをそれぞれ３．３，　１．３，　０．０３，　０．１ｇ／Ｌ溶かしたものを反応液Ａとした。脱酸素イオン交換水中にＦｅＣｌ_２・４Ｈ_２Ｏ、ＮｉＣｌ_２・６Ｈ_２Ｏ、ＺｎＣｌ_２をそれぞれ３．３，　１．３，　０．０３　ｇ／Ｌ溶かしたものを反応液Ｂとした。前記反応液Ａ、Ｂのいずれかと脱酸素イオン交換水中にＮａＮＯ_２とＣＨ_３ＣＯＯＮＨ_４をそれぞれ０．３，　５．０ｇ／Ｌ溶かした酸化液をノズルによりそれぞれ３０ｍｌ／ｍｉｎの流量で約３０分供給した。本装置においては基体表面には約５０Ｏｅの磁界が膜面に略平行に印加されており、また、磁石は回転テーブルとは独立して固定されているため、基体は回転磁界中に置かれた場合とほぼ同じ効果を得ると考えられる。その後、取り出したガラス基板の板上には反応液Ａ、Ｂいずれを用いた場合にも黒色鏡面膜が形成されており、反応液Ａを用いた場合はＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｏ、反応液Ｂを用いた場合はＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｏからなるフェライトであることを確認した。反応液Ａを用いた場合のフェライト膜中に含まれるＣｏ量はモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．０３／３だった。作製したフェライト膜の磁化曲線を測定したところ、反応液Ａ、反応液Ｂいずれの反応液を用いた場合も膜面内のいずれの方向でも磁化曲線はほぼ同じ形状であり、薄膜の面内方向で磁気的に等方的であるフェライト薄膜が得られた。得られた膜の透磁率の実部（μ’）と虚部（μ”）を測定して以下の表１の結果が得られた。
【００７７】
【表１】

【００７８】
いずれの膜も優れた軟磁気特性を示しているが、反応液Ａを用いた方がμ’の値が高く、かつμ”も非常に広い周波数範囲で高い値を保ち優れた特性を示した。
【００７９】
（例２）
図２及び図３に示す様な装置の磁石を取り外し、上記本発明の例１と同じ条件で製膜した。作製したフェライト膜の磁化曲線を測定したところ、反応液Ａ、反応液Ｂいずれの反応液を用いた場合も膜面内のいずれの方向でも磁化曲線はほぼ同じ形状であり、薄膜の面内方向で磁気的に等方的であるフェライト薄膜が得られた。得られた膜の透磁率の実部（μ’）と虚部（μ”）を測定して以下の表２の結果が得られた。
【００８０】
【表２】

【００８１】
いずれの膜も優れた軟磁気特性を示しているが、反応液Ａを用いた方がμ’の値が高く、かつμ”も非常に広い周波数範囲で高い値を保ち優れた特性を示した。
【００８２】
（比較例１）
比較のため図４及び図５に示す様な装置を用いて、上記本発明の例１と同じ条件で製膜した。基体表面には約５０Ｏｅの磁界が印加されていることを確認した。その後、取り出したガラス基板の板上には反応液Ａ、Ｂいずれを用いた場合にも黒色鏡面膜が形成されており、反応液Ａを用いた場合はＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｏ、反応液Ｂを用いた場合はＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｏからなるフェライトであることを確認した。反応液Ａを用いた場合のフェライト膜中に含まれるＣｏ量はモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．０３／３だった。反応液Ａ、反応液Ｂいずれの反応液を用いた場合も磁場方向に平行な方向の磁化曲線は磁化容易方向である形状であった。また、反応液Ａ、反応液Ｂいずれの反応液を用いた場合も磁場に垂直な方向の磁化曲線は磁化困難方向のヒステリシスループを描き、特定の方向に磁化容易方向を有する一軸異方性のフェライト膜であった。ただし、反応液Ａを用いた膜の方が磁化困難方向と磁化容易方向のヒステリシスループの形状の違いが顕著であった。
【００８３】
（例３）
図６に示すような装置の傾斜台１０の上にプラズマ処理により親水化処理をした基体６としてガラス板を設置し脱酸素イオン交換水を供給しながら９０℃まで加熱した。ついで、装置内にＮ_２ガスを導入し脱酸素雰囲気を形成した。反応液と酸化液は、本発明の例１と同じものを準備した。反応液、酸化液の流量を３０ｍｌ／ｍｉｎに調整後、反応液Ａ、Ｂのいずれかをノズルより０．５ｓ供給した後、重力によって反応液に付与される流動性によって反応液を除去し、酸化液をノズルより０．５ｓ供給した後、重力によって反応液に付与される流動性によって反応液を除去することを１サイクルとして、２０００サイクル繰り返した。その後、取り出したガラス基板の板上には反応液Ａ、Ｂいずれを用いた場合にも黒色鏡面膜が形成されており、反応液Ａを用いた場合はＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｏ、反応液Ｂを用いた場合はＮｉ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｏからなるフェライトであることを確認した。反応液Ａを用いた場合のフェライト膜中に含まれるＣｏ量はモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０．０３／３だった。作製したフェライト膜の磁化曲線を測定したところ、反応液Ａ、反応液Ｂいずれの反応液を用いた場合も膜面内のいずれの方向でも磁化曲線はほぼ同じ形状であり、薄膜の面内方向で磁気的に等方的であるフェライト薄膜が得られた。得られた膜の透磁率の実部（μ’）と虚部（μ”）を測定して以下の表３の結果が得られた。
【００８４】
【表３】

【００８５】
いずれの膜も優れた軟磁気特性を示しているが、反応液Ａを用いた方がμ’の値が高く、かつμ”も非常に広い周波数範囲で高い値を保ち優れた特性を示した。
【００８６】
本発明の実施例において、反応液、酸化液の除去は遠心力または基体の傾斜により付与したが、反応液、酸化液が均一に除去できるのであれば、不活性ガス、もしくは酸素を含有した不活性ガスを供給する等によって付与される流動性によって行っても構わない。
【００８７】
また、本発明の例１において、膜の構成要素（結晶粒）の異方性の向きをランダムにする手段として回転磁界を用いたが、たとえば基体に用いる物質の結晶配向性や表面粗さの最適化など、その他の手段を用いても構わない。
【００８８】
（例４）
本発明により得られたフェライト薄膜の電磁雑音抑制効果を図７に示す評価系を用いて確認した。図７を参照すると、マイクロストリップライン（ＭＳＬ）１２を、フェライト薄膜形成時の基体および伝送線路として用いている。このＭＳＬ１２は、厚さ１．６ｍｍ、８０ｍｍ角のガラスエポキシ基板１２ａの表面中央部に幅約３ｍｍの中心導体１２ｂを全幅８０ｍｍに渡って形成し、裏面はグラウンド導体１２ｃをなし、その特性インピーダンスは５０Ωである。さらにＭＳＬ１２の表面には、略全面に渡り本発明の例１において反応液Ｂにより得られたフェライト薄膜１４を直接形成してある。
【００８９】
測定は、ＭＳＬ１２の両端を、同軸ケーブル１５を介してネットワークアナライザ１１に接続し、ＭＳＬ１２単体での伝送特性を基準にＭＳＬ１２上に試料を配置した場合の伝送特性を求めたものである。
【００９０】
図８は得られた伝送特性を示す図であり、図８（ａ）は反射特性（Ｓ１１）、図８（ｂ）はＭＳＬ１２自体の透過損失分を差し引いた透過特性（ΔＳ２１）を示している。図８（ａ）に示すように、反射特性（Ｓ１１）は、フェライト薄膜試料を大面積に形成したにもかかわらず十分に低い値であり、例えば実際の電子回路に用いても伝送信号に悪影響を及ぼすことは無いレベルだと考えられる。
【００９１】
図８（ｂ）に示すように、ＭＳＬ１２自体の透過損失分を差し引いた透過特性（ΔＳ２１）においては、高周波側での大きな減衰が確認できる。これらの結果より、本発明によるフェライト薄膜を伝送線路に形成することで、電子機器内で生じる高周波のノイズを減衰させる電磁雑音抑制体として有効であることがわかる。さらにこの特性は薄膜試料の面積、膜厚やその組成を変えることで所望の特性に調整することが可能である。
【００９２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、フェライト膜を構成する構成要素（結晶粒ないしはそれに類する構成要素）が規則的に配置されてなるフェライト薄膜を得、さらに前記構成要素が一軸異方性または多軸異方性を有するとともに、膜全体として薄膜の面内方向で磁気的に等方的である極めて均質なフェライト膜が得られる。
【００９３】
また、本発明によれば、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を基体に接触させる工程と、前記反応液及び酸化液の内のフェライト膜生成に寄与しない残分りうちを基体から除去する工程とを備えることによって、生成速度を向上して工業的な生産性を増し、膜を構成する構成要素が規則的に配置され、膜面内で磁気的に等方的な極めて均質なフェライト膜を得るための製造方法が得られ、工業的な利用価値は大である。
【００９４】
また、本発明によるフェライトめっき膜を単体または支持体上に形成することで、あるいは、電子配線基板上または半導体集積ウェハーの少なくとも一方の面に直接成膜することで電磁雑音抑制体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るフェライト薄膜の模式図で、（ａ）は膜を構成する結晶粒もしくはそれに類する構成要素が柱状、（ｂ）は膜を構成する結晶粒もしくはそれに類する構成要素が粒状、（ｃ）は膜を構成する結晶粒もしくはそれに類する構成要素が層状の場合を夫々示している。
【図２】本発明の第１の実施の形態による装置の概略正面図である。
【図３】図２の装置を基体に垂直な方向から見たときの配置図である。
【図４】比較例に用いた装置の正面概略図である。
【図５】図４の装置を基体に垂直な方向から見たときの配置図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による装置の概略図である。
【図７】本発明の実施の形態により得られたフェライト薄膜の電磁雑音抑制効果の評価系の概略図である。
【図８】本発明の実施の形態によるフェライト薄膜の電磁雑音抑制効果の評価例である。
【符号の説明】
１　　膜を構成する構成要素
２　　基体
３，４　　ノズル
５　　磁石
６　　基体
７、８　　タンク
９　　回転台
１０　　傾斜台
１１　　磁石支持台
１２　　マイクロストリップライン（ＭＳＬ）
１３　　ネットワークアナライザ
１４　　フェライト薄膜
１５　　同軸ケーブル[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention is particularly applicable to high-frequency magnetic devices such as an inductance element, an impedance element, a magnetic head, a microwave element, a magnetostrictive element, and an electromagnetic interference suppressor used for suppressing electromagnetic interference caused by interference of unnecessary electromagnetic waves in a high-frequency region. The present invention relates to a spinel-type ferrite film having high utility value.
[0002]
[Prior art]
Ferrite plating is, for example, as described in Patent Document 1, by bringing an aqueous solution containing at least ferrous ion as a metal ion into contact with a solid surface, and contacting the solid surface with FeOH ⁺ Or adsorbing this and other metal hydroxide ions followed by adsorbed FeOH ⁺ By oxidizing FeOH ²⁺ This means that a ferrite crystallization reaction occurs with metal hydroxide ions in an aqueous solution, thereby forming a ferrite film on a solid surface.
[0003]
Conventionally, ferrite films have been homogenized and the reaction rate has been improved based on this technique (see, for example, Patent Document 2), and attempts have been made to form ferrite films on various solids by imparting surface activity to solid surfaces. (See, for example, Patent Document 3) and a method related to improving the formation speed of a ferrite film (see, for example, Patent Document 4, Patent Document 5, and Patent Document 6).
[0004]
Any ferrite plating may be used as long as the solid to be formed into a film has resistance to the above-mentioned aqueous solution. Furthermore, since the reaction is carried out via an aqueous solution, a spinel type ferrite film can be formed at a relatively low temperature at a temperature between room temperature and the boiling point of the aqueous solution. Therefore, the limited range of the solid is smaller than that of other ferrite film forming techniques.
[0005]
As a method for improving magnetic properties, a method for improving soft magnetic properties by performing ferrite plating in a magnetic field has been proposed (for example, see Patent Document 7). Patent Document 8 discloses that a uniaxial anisotropic film can be obtained by performing ferrite plating in a magnetic field.
[0006]
On the other hand, for specifying the composition of a ferrite thin film, for example, according to Patent Document 9, it is described that excellent magnetic properties can be obtained when the weight ratio Co / Fe in the film is 0.001 to 0.3. I have.
[0007]
Further, for example, Patent Document 6 discloses that a ferrite film is formed on the surface of a substrate by repeatedly contacting a substrate containing a reaction solution containing at least ferrous ion and then a solution containing at least an oxidizing agent. It is proposed to increase the deposition rate of the ferrite film.
[0008]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 1475891
[0009]
[Patent Document 2]
Japanese Patent No. 1868730
[0010]
[Patent Document 3]
JP-A-61-030674
[0011]
[Patent Document 4]
Japanese Patent No. 1774864
[0012]
[Patent Document 5]
Japanese Patent No. 1979295
[0013]
[Patent Document 6]
JP-A-02-116631
[0014]
[Patent Document 7]
Japanese Patent No. 2668998
[0015]
[Patent Document 8]
JP-A-3-38006
[0016]
[Patent Document 9]
JP-A-60-202522
[0017]
[Problems to be solved by the invention]
However, from the viewpoint of application to an inductance element, an impedance element, a magnetic head, a microwave element, a magnetostrictive element, and an electromagnetic interference suppressor in a high-frequency region, the soft magnetic properties are insufficient. There was a major problem with regard to application or application. To solve the problem, specifically, optimization of the chemical composition of the film and homogenization of the film are important points.
[0018]
Further, when a film having uniaxial anisotropy is used in, for example, an inductance element in the above-described application examples, for example, when a spiral coil is used, the magnetic flux density is locally generated inside the element due to the anisotropy of the magnetic film. There is a problem that a portion where the resistance is reduced occurs, and the inductance as a whole is lowered.
[0019]
Also, as described above, various improvements have been proposed for the improvement of the film formation rate, but are insufficient from the viewpoint of industrial productivity, and therefore, are not suitable for various electronic components. There was a major problem regarding the application or application.
[0020]
However, in the above Patent Documents 7 and 8, although there is a description in the examples of the specification that “the plating solution may be supplied separately”, in each of the examples, a plurality of plating solutions are used for ferrite crystallization. A method is employed in which mixing is performed before the mixture is supplied to the substrate. Therefore, the fine particles of ferrite formed secondarily on the surface other than the solid surface inhibit the growth of the crystal, and the FeOH adsorbed on the solid surface also ⁺ It is presumed that it is difficult to obtain a ferrite film which is an aggregate of homogeneous crystals due to the non-uniformity.
[0021]
Further, the use of the ferrite film of Patent Document 9 is a magnetic recording medium, and is an invention aiming at a high coercive force and a high residual magnetic flux density, and includes an inductance element, an impedance element, a magnetic head, a microwave element, a magnetostrictive element, Characteristics required for a high-frequency magnetic device such as an electromagnetic interference suppressor used for suppressing electromagnetic interference caused by interference of unnecessary electromagnetic waves in a high-frequency region are clearly different.
[0022]
Further, Patent Document 6 does not specify a step of removing a reaction solution containing at least ferrous ions and a solution containing at least an oxidizing agent.
[0023]
Therefore, a technical problem of the present invention is to solve the conventional drawbacks involved in a ferrite film formed by a ferrite plating method, improve the production rate, increase industrial productivity, and have a magnetic directivity. An object of the present invention is to provide a ferrite film which is not homogeneous (isotropic), a method for producing the same, and an electromagnetic noise suppressor using the same.
[0024]
[Means for Solving the Problems]
As a result of various studies, the present inventors have found that a step of bringing a reaction solution containing at least ferrous ion into contact with a substrate, a step of bringing an oxidizing solution containing at least an oxidizing agent into contact with the substrate, A step of removing a residue that does not contribute to the formation of a ferrite film from the substrate, thereby increasing the rate of formation and increasing industrial productivity, and increasing the constituent elements (crystal grains or the like thereof) constituting the film. Component) are regularly arranged to obtain a ferrite thin film, wherein the component has uniaxial or multiaxial anisotropy, and the film as a whole is magnetically isotropic in the in-plane direction of the thin film. It was found that an extremely homogeneous ferrite thin film was obtained. In addition, it has been found that the ferrite film contains Ni, Zn, Fe, and O, but further contains Co to further improve soft magnetic properties.
[0025]
In addition, the ferrite plating film may be used alone or on a support to provide an electromagnetic noise suppressor, and the ferrite plating film may be directly formed on an electronic wiring substrate or at least one surface of a semiconductor integrated wafer. It has been found that an electromagnetic noise suppressor can be realized by the method.
[0026]
That is, according to the present invention, there is provided a ferrite thin film in which crystal grains, which are components having magnetization, or components similar thereto are regularly arranged, wherein the components have uniaxial anisotropy, and A ferrite film characterized in that the thin film has magnetic isotropy is obtained.
[0027]
Here, in the present invention, the ferrite film 9 in which elements (crystal grains) constituting the film are regularly arranged is, for example, a columnar crystal grain shown in FIG. 1 (a) or a component similar thereto. 1 (b), and the layered crystal grains or similar components shown in FIG. 1 (c) are very uniformly distributed in the film. A ferrite film (thin film) is called.
[0028]
According to the present invention, there is provided a ferrite film in which crystal grains or components similar thereto, which are components having magnetization, are regularly arranged, wherein the components have multiaxial anisotropy, A ferrite film characterized in that the ferrite thin film has magnetic isotropy is obtained.
[0029]
Further, according to the present invention, there is provided a ferrite film in which crystal grains which are components having magnetization or components similar thereto are regularly arranged, wherein the ferrite film has uniaxial anisotropy and polyaxial anisotropy. And a ferrite film characterized in that the ferrite film has magnetic isotropy.
[0030]
Further, according to the present invention, in any one of the ferrite films, an easy axis of magnetization caused by uniaxial anisotropy of the constituent element is substantially parallel to a thickness direction of the ferrite film. A ferrite film is obtained.
[0031]
Further, according to the present invention, in any one of the ferrite films, an axis of easy magnetization caused by uniaxial anisotropy of the component is substantially parallel to an in-plane direction of the ferrite film. Is obtained.
[0032]
Further, according to the present invention, in any one of the ferrite films, a ferrite film characterized in that the ferrite film contains Ni, Zn, Fe, and O is obtained.
[0033]
Further, according to the present invention, in any one of the ferrite films, the ferrite film contains Ni, Zn, Fe, O, and Co, and the content thereof is 0 in a molar ratio of Co / (Fe + Ni + Zn + Co). A ferrite film characterized by being at least / 3 and at most 0.3 / 3 is obtained.
[0034]
Further, according to the present invention, in any one of the ferrite films, a ferrite film is obtained in which the component having uniaxial anisotropy contains Co.
[0035]
Further, according to the present invention, in any one of the ferrite films, a ferrite film is obtained in which the component having multiaxial anisotropy contains Ni, Zn, Fe, and O.
[0036]
Further, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a ferrite film, characterized in that any one of the ferrite films is formed in the presence of a rotating magnetic field.
[0037]
Further, according to the present invention, there is provided a method for producing any one of the above ferrite films, wherein the step of contacting a reaction solution containing at least ferrous ions with a substrate, the oxidizing solution containing at least an oxidizing agent, A method for producing a ferrite film, comprising: contacting the substrate with a substrate; and removing a residue of the reaction solution and the oxidizing solution that does not contribute to ferrite film formation from the substrate.
[0038]
Further, according to the present invention, in the method for producing a ferrite film, a method for producing a ferrite film, characterized in that the ferrite film is formed by repeating the above steps, is obtained.
[0039]
Further, according to the present invention, in the method for producing any one of the ferrite films, when removing the reaction solution and the oxidizing solution from the substrate, the reaction solution and the oxidizing solution may be subjected to gravity, centrifugal force, or the like. A method for producing a ferrite film, which is characterized by the flowability imparted, is obtained.
[0040]
Further, according to the present invention, in the method for producing a ferrite film, a method for producing a ferrite film is provided, wherein the ferrite film is formed by repeating the above steps.
[0041]
Further, according to the present invention, there is provided an electromagnetic noise suppressor including any one of the ferrite films described above.
[0042]
According to the present invention, there is provided an electromagnetic noise suppressor characterized in that any one of the ferrite films is formed on a support.
[0043]
According to the present invention, there is provided an electromagnetic noise suppressor characterized in that any one of the ferrite films is formed directly on an electronic wiring substrate.
[0044]
According to the present invention, there is provided an electromagnetic noise suppressor characterized in that any one of the ferrite films is formed directly on at least one surface of a semiconductor integrated wafer.
[0045]
According to the present invention, there is provided an electromagnetic noise suppressor comprising a ferrite film formed by any one of the above-described methods for producing a ferrite film.
[0046]
Further, according to the present invention, there is provided an electromagnetic noise suppressor characterized in that a ferrite film formed by any one of the above ferrite film manufacturing methods is formed on a support.
[0047]
Further, according to the present invention, there is provided an electromagnetic noise suppressor characterized in that a ferrite film formed by any one of the above-described methods for producing a ferrite film is formed directly on an electronic wiring substrate.
[0048]
According to the present invention, there is provided an electromagnetic noise suppressor characterized in that the ferrite film formed by any one of the ferrite film manufacturing methods is directly formed on at least one surface of a semiconductor integrated wafer. Is obtained.
[0049]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
First, the present invention will be described in more detail.
[0050]
FIGS. 1A and 1B are schematic diagrams of a ferrite thin film according to the present invention. FIG. 1A shows a crystal grain constituting the film or a component similar thereto, and FIG. 1B shows a crystal grain constituting the film or a similar component. (C) shows the case where the crystal grains constituting the film or the components similar thereto are layered. As shown in FIG. 1A, in the ferrite thin film, crystal grains constituting a columnar film or components similar thereto are very uniformly distributed in the film. In the case of FIG. 1B, in the ferrite thin film, crystal grains constituting a granular film or components similar thereto are very uniformly distributed in the film. In the case of FIG. 1 (c), in the ferrite thin film, crystal grains constituting the layered film or components similar thereto are very uniformly distributed in the film.
[0051]
In the present invention, the components constituting the ferrite film, for example, a crystal grain or a ferrite thin film in which components similar thereto are regularly arranged, and the component is uniaxially anisotropic or multiaxially anisotropic And a very homogeneous ferrite thin film that is magnetically isotropic in the in-plane direction of the thin film as a whole is obtained, and the ferrite thin film contains Ni, Zn, Fe, O, and further contains Co. The inclusion improves the soft magnetic properties.
[0052]
Here, the amount of Co contained in the ferrite film according to the present invention is such that the molar ratio of Co / (Fe + Ni + Zn + Co) is 0/3 or more and 0.3 / 3 or less, and 0.01 / 3 to 0.1 /. About 3 is most preferable.
[0053]
Further, in the method for producing a ferrite film of the present invention, a step of bringing a reaction solution containing at least ferrous ion into contact with a substrate; a step of bringing an oxidizing solution containing at least an oxidizing agent into contact with the substrate; Removing from the substrate a residue that does not contribute to the formation of a ferrite film in the liquid, thereby increasing the production speed and increasing industrial productivity, and the components constituting the film are regularly arranged. As a result, a manufacturing method for obtaining a very homogeneous ferrite thin film which is magnetically isotropic in the film plane is obtained.
[0054]
Further, the present production method can also be obtained by bringing the reaction solution and the oxidizing solution into contact with the substrate surface in a rotating magnetic field in addition to the above steps.
[0055]
The reason why the present invention was obtained is considered as follows. A ferrite film formed by ferrite plating is formed by crystal growth from the solid surface as described above. At this time, the ferrite film is a ferrite thin film in which components having uniaxial anisotropy or polyaxial anisotropy (crystal grains or components similar thereto) are regularly arranged. Is considered to be magnetically isotropic because the crystal orientation giving the uniaxial anisotropy of the component is random or perpendicular to the film surface.
[0056]
In the present invention, the constituent elements only have to have multiaxial anisotropy. Further, in the present invention, when the component has uniaxial anisotropy, its easy axis direction may be perpendicular to the film surface. However, even if the component has uniaxial anisotropy and its easy axis is not perpendicular to the film surface, if its orientation can be randomly arranged, a magnetically isotropic film can be obtained as a whole film. Further, the components having uniaxial anisotropy and arranged randomly and the components having multiaxial anisotropy may be mixed.
[0057]
According to the present invention, for example, by contacting the reaction solution and the oxidizing solution with the substrate surface in a rotating magnetic field, the direction of the anisotropy of each of the components having a uniaxial or multiaxial anisotropy can be changed. It is considered that a film is induced randomly by the magnetic field and randomly oriented in the film surface, and a magnetically isotropic film is obtained in the film surface as a whole film.
[0058]
The details of the reason why the step of removing the reaction solution and the oxidizing solution in the present invention improves the generation rate of the ferrite plating film and forms a homogeneous columnar crystal have not been clarified. However, the step of removing the reaction solution and the oxidizing solution suppresses the formation of secondary ferrite fine particles other than on the solid surface, and uniformly removes FeOH on the solid surface. ⁺ Is considered to be adsorbed.
[0059]
As described above, for example, Patent Literature 7 discloses a method for improving soft magnetic properties by performing ferrite plating in a magnetic field, and Patent Literature 8 discloses performing uniaxial anisotropy by performing ferrite plating in a magnetic field. This shows that a film is obtained.
[0060]
However, although there is a description in the examples of the patent document that "plating solutions may be supplied separately", in each of the examples, a plurality of plating solutions are mixed before ferrite crystallization and then supplied to the substrate. Adopt a method to do. Therefore, the fine particles of ferrite formed secondarily on the surface other than the solid surface inhibit the growth of the crystal, and the FeOH adsorbed on the solid surface also ⁺ It is presumed that it is difficult to obtain a ferrite film which is an aggregate of homogeneous crystals due to the non-uniformity. Further, the applied magnetic field is unidirectional, which is different from the present invention.
[0061]
For example, Patent Document 9 describes that excellent magnetic properties can be obtained when the weight ratio Co / Fe in the film is 0.001 to 0.3, but is used for a magnetic recording medium and has a high coercive force. It is an invention aiming at high density and high residual magnetic flux density, and the application and directionality are clearly different from the present invention.
[0062]
For example, according to Patent Document 6, after a reaction solution containing at least ferrous ion is brought into contact with a substrate, and then a solution containing at least an oxidizing agent is brought into contact with the substrate, and a ferrite film is formed on the surface of the substrate. It is proposed to increase the deposition rate of the ferrite film.
[0063]
However, Patent Document 6 does not disclose a step of removing a reaction solution containing at least ferrous ions and a solution containing at least an oxidizing agent.
[0064]
According to the study of the present inventors, the step of removing the reaction solution containing at least ferrous ions and the solution containing at least an oxidizing agent improves the generation rate of the ferrite plating film, and produces a uniform crystal. Is crucial and essential to
[0065]
In addition, the ferrite plating film according to the present invention can be used as an electromagnetic noise suppressor by forming it alone or on a support because of its excellent magnetic loss characteristics in a high frequency band. By directly forming a film on at least one surface of the above, it is possible to realize an electronic wiring substrate or a semiconductor integrated wafer also having an electromagnetic noise suppressor.
[0066]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
[0067]
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the plating apparatus according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is an arrangement diagram when the plating apparatus of FIG. 2 is viewed from a direction perpendicular to the substrate.
[0068]
Referring to FIGS. 2 and 3, a base 6 for forming a ferrite film is provided on a turntable 9. The magnets 5 are arranged on both sides of the turntable 9 and play a role of applying a magnetic field to the base 6. The magnet 5 is fixed independently of the turntable 9, and a magnetic field is applied in one direction regardless of the rotation of the turntable 9. Above the substrate 6,

nozzles

3 and 4 connected to the tanks 7 and 8 are provided to supply the plating solution stored in the tanks 7 and 8 to the substrate 6, respectively.
[0069]
It is better to separately prepare several solutions necessary for efficiently removing the reaction solution and the oxidizing solution in the plating step described above. FIG. 2 and FIG. 3 show a case where the solution required for plating is divided into two.
[0070]
The solution stored in the tanks 7 and 8 is supplied to the base 6 via the

nozzles

3 and 4. At this time, for example, after the solution is supplied to the substrate 6 via the nozzle 3, the supplied solution is removed by centrifugal force due to rotation, and the solution supplied to the substrate 6 via the nozzle 4 is centrifuged by rotation. Repeat to be removed by force.
[0071]
FIG. 4 is a front view schematically showing the structure of the apparatus used in the comparative example, and FIG. 5 is a layout view of the apparatus shown in FIG.
[0072]
Referring to FIGS. 4 and 5, a base 6 for forming a ferrite film is installed on the turntable 9. The magnet 5 is also placed on the turntable 9, rotates with the base 6, and plays a role of applying a magnetic field to the base 6. The magnetic field applied to the base 6 is adjusted to be equal to that in FIG.
[0073]
FIG. 6 is a schematic front view showing the configuration of a plating apparatus according to a second embodiment of the present invention. When the reaction solution and the oxidizing solution are removed from the substrate, the flow applied to the reaction solution and the oxidizing solution by gravity. The case according to sex is shown. In FIG. 6, as in FIG. 2, the solutions stored in the tanks 7 and 8 are supplied to the base 6 provided on the inclined table 10 via the

nozzles

3 and 4. At this time, for example, after the solution is supplied to the substrate 6 via the nozzle 3, the solution supplied by the fluidity given to the solution by gravity is removed, and the solution is supplied to the substrate 6 via the nozzle 4. After that, the solution supplied by the fluidity imparted to the solution by gravity is repeatedly removed.
[0074]
Further, in the present invention, an example of repeating a process in which the supplied solution is removed after one of the solutions is supplied, and the supplied solution is removed after the other solution is supplied, Alternatively, the two solutions may be supplied simultaneously.
[0075]
Next, a specific example of the production of the ferrite thin film of the present invention will be described.
[0076]
(Example 1)
A glass plate that has been subjected to a hydrophilization treatment as a substrate 6 by plasma treatment is placed on a turntable 9 of an apparatus as shown in FIGS. 2 and 3, and 90 ° C. while supplying deoxygenated ion-exchanged water while rotating at 150 rpm. Until heated. Then, N ₂ Gas was introduced to form a deoxygenated atmosphere. Two kinds of reaction solutions were prepared. FeCl in deoxygenated ion-exchanged water ₂ ・ 4H ₂ O, NiCl ₂ ・ 6H ₂ O, ZnCl ₂ , CoCl ₂ ・ 6H ₂ Reaction solution A was prepared by dissolving O in 3.3, 1.3, 0.03, and 0.1 g / L, respectively. FeCl in deoxygenated ion-exchanged water ₂ ・ 4H ₂ O, NiCl ₂ ・ 6H ₂ O, ZnCl ₂ Was dissolved in 3.3, 1.3, and 0.03 g / L, respectively, to obtain a reaction solution B. NaNO is added to either of the reaction solutions A and B and deoxygenated ion-exchanged water. ₂ And CH ₃ COONH ₄ Was dissolved in 0.3 and 5.0 g / L, respectively, and supplied through a nozzle at a flow rate of 30 ml / min for about 30 minutes. In this apparatus, a magnetic field of about 50 Oe was applied to the surface of the base substantially parallel to the film surface, and the base was placed in the rotating magnetic field because the magnet was fixed independently of the rotary table. It is considered that the same effect as in the case is obtained. Thereafter, a black specular film was formed on the glass substrate taken out when the reaction solution A or B was used, and when the reaction solution A was used, Ni, Zn, Fe, Co, O, When the reaction solution B was used, it was confirmed that the ferrite was composed of Ni, Zn, Fe, and O. When the reaction solution A was used, the amount of Co contained in the ferrite film was 0.03 / 3 in terms of molar ratio of Co / (Fe + Ni + Zn + Co). When the magnetization curve of the prepared ferrite film was measured, the magnetization curve was almost the same in any direction on the film surface when using either reaction solution A or reaction solution B. Thus, a ferrite thin film which was magnetically isotropic was obtained. The real part (μ ′) and the imaginary part (μ ″) of the magnetic permeability of the obtained film were measured, and the results in Table 1 below were obtained.
[0077]
[Table 1]

[0078]
All of the films exhibited excellent soft magnetic properties, but the use of the reaction solution A resulted in a higher value of μ ′ and a higher value of μ ″ over a very wide frequency range. .
[0079]
(Example 2)
The magnet of the apparatus as shown in FIGS. 2 and 3 was removed, and a film was formed under the same conditions as in Example 1 of the present invention. When the magnetization curve of the prepared ferrite film was measured, the magnetization curve was almost the same in any direction on the film surface when using either reaction solution A or reaction solution B. Thus, a ferrite thin film which was magnetically isotropic was obtained. The real part (μ ′) and the imaginary part (μ ″) of the magnetic permeability of the obtained film were measured, and the results in Table 2 below were obtained.
[0080]
[Table 2]

[0081]
All of the films exhibited excellent soft magnetic properties, but the use of the reaction solution A resulted in a higher value of μ ′ and a higher value of μ ″ over a very wide frequency range. .
[0082]
(Comparative Example 1)
For comparison, a film was formed using the apparatus shown in FIGS. 4 and 5 under the same conditions as in Example 1 of the present invention. It was confirmed that a magnetic field of about 50 Oe was applied to the substrate surface. Thereafter, a black specular film was formed on the glass substrate taken out when the reaction solution A or B was used, and when the reaction solution A was used, Ni, Zn, Fe, Co, O, When the reaction solution B was used, it was confirmed that the ferrite was composed of Ni, Zn, Fe, and O. When the reaction solution A was used, the amount of Co contained in the ferrite film was 0.03 / 3 in terms of molar ratio of Co / (Fe + Ni + Zn + Co). Regardless of which reaction solution A or reaction solution B was used, the magnetization curve in the direction parallel to the direction of the magnetic field was in the shape of the easy magnetization direction. In addition, in the case of using either the reaction solution A or the reaction solution B, the magnetization curve in the direction perpendicular to the magnetic field draws a hysteresis loop in the hard magnetization direction, and has a uniaxial anisotropy having an easy magnetization direction in a specific direction. It was a ferrite film. However, the difference in the shape of the hysteresis loop between the hard magnetization direction and the easy magnetization direction was more remarkable in the film using the reaction solution A.
[0083]
(Example 3)
As shown in FIG. 6, a glass plate was placed as a substrate 6 subjected to a hydrophilic treatment by a plasma treatment on an inclined table 10 of a device as shown in FIG. Then, N ₂ Gas was introduced to form a deoxygenated atmosphere. The same reaction solution and oxidizing solution as those in Example 1 of the present invention were prepared. After adjusting the flow rates of the reaction solution and the oxidizing solution to 30 ml / min, any one of the reaction solutions A and B was supplied from the nozzle for 0.5 s, and then the reaction solution was removed by the fluidity given to the reaction solution by gravity. After supplying the oxidizing solution for 0.5 s from the nozzle and removing the reaction solution by the fluidity imparted to the reaction solution by gravity, 2000 cycles were repeated as one cycle. Thereafter, a black specular film was formed on the glass substrate taken out when the reaction solution A or B was used, and when the reaction solution A was used, Ni, Zn, Fe, Co, O, When the reaction solution B was used, it was confirmed that the ferrite was composed of Ni, Zn, Fe, and O. When the reaction solution A was used, the amount of Co contained in the ferrite film was 0.03 / 3 in terms of molar ratio of Co / (Fe + Ni + Zn + Co). When the magnetization curve of the prepared ferrite film was measured, the magnetization curve was almost the same in any direction on the film surface when using either reaction solution A or reaction solution B. Thus, a ferrite thin film which was magnetically isotropic was obtained. The real part (μ ′) and the imaginary part (μ ″) of the magnetic permeability of the obtained film were measured, and the results in Table 3 below were obtained.
[0084]
[Table 3]

[0085]
All of the films exhibited excellent soft magnetic properties, but the use of the reaction solution A resulted in a higher value of μ ′ and a higher value of μ ″ over a very wide frequency range. .
[0086]
In the embodiments of the present invention, the reaction solution and the oxidizing solution are removed by centrifugal force or the inclination of the substrate. However, if the reaction solution and the oxidizing solution can be uniformly removed, an inert gas or an oxygen-containing inert gas or an oxidizing solution may be removed. It may be performed by the fluidity provided by supplying an active gas or the like.
[0087]
Further, in Example 1 of the present invention, a rotating magnetic field was used as a means for randomizing the anisotropic direction of the constituents (crystal grains) of the film, but for example, the crystal orientation and the surface roughness of the substance used for the base were used. Other means such as optimization may be used.
[0088]
(Example 4)
The electromagnetic noise suppression effect of the ferrite thin film obtained by the present invention was confirmed using an evaluation system shown in FIG. Referring to FIG. 7, a microstrip line (MSL) 12 is used as a base and a transmission line when forming a ferrite thin film. This MSL 12 has a 1.6 mm thick, 80 mm square glass epoxy substrate 12 a formed with a central conductor 12 b having a width of about 3 mm over a total width of 80 mm at the center of the surface, a back surface forming a ground conductor 12 c, and a characteristic impedance thereof. It is 50Ω. Further, on almost the entire surface of the MSL 12, the ferrite thin film 14 obtained by the reaction solution B in Example 1 of the present invention is directly formed.
[0089]
In the measurement, both ends of the MSL 12 are connected to the network analyzer 11 via the coaxial cable 15, and the transmission characteristics when the sample is placed on the MSL 12 are determined based on the transmission characteristics of the MSL 12 alone.
[0090]
FIG. 8 is a diagram showing the obtained transmission characteristics. FIG. 8A shows the reflection characteristics (S11), and FIG. 8B shows the transmission characteristics (ΔS21) obtained by subtracting the transmission loss of the MSL 12 itself. . As shown in FIG. 8A, the reflection characteristic (S11) is a sufficiently low value even though the ferrite thin film sample is formed in a large area. Is considered to be a level that does not affect
[0091]
As shown in FIG. 8B, in the transmission characteristic (ΔS21) obtained by subtracting the transmission loss of the MSL 12 itself, a large attenuation on the high frequency side can be confirmed. From these results, it can be seen that forming a ferrite thin film according to the present invention on a transmission line is effective as an electromagnetic noise suppressor that attenuates high-frequency noise generated in an electronic device. Further, these characteristics can be adjusted to desired characteristics by changing the area, film thickness, and composition of the thin film sample.
[0092]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a ferrite thin film in which components (crystal grains or similar components) constituting a ferrite film are regularly arranged is obtained, and further, the components are uniaxially anisotropic. Alternatively, an extremely homogeneous ferrite film having multiaxial anisotropy and being magnetically isotropic in the in-plane direction of the thin film as a whole is obtained.
[0093]
Further, according to the present invention, a step of bringing a reaction solution containing at least ferrous ion into contact with a substrate, a step of bringing an oxidizing solution containing at least an oxidizing agent into contact with the substrate, Removing the residue that does not contribute to the formation of the ferrite film from the substrate, thereby increasing the production rate and increasing industrial productivity, and the components constituting the film are regularly arranged, and the film surface A production method for obtaining a magnetically isotropic ferrite film which is magnetically isotropic is obtained, and the industrial utility value is great.
[0094]
Further, the electromagnetic noise suppressor can be obtained by forming the ferrite plating film according to the present invention on a simple substance or on a support, or by directly forming a film on an electronic wiring substrate or at least one surface of a semiconductor integrated wafer.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of a ferrite thin film according to the present invention, wherein (a) shows crystal grains constituting the film or components similar thereto are columnar, and (b) shows crystal grains constituting the film or components similar thereto are granular. , (C) show the case where the crystal grains constituting the film or the constituent elements similar thereto are layered.
FIG. 2 is a schematic front view of the device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a layout view of the apparatus of FIG. 2 when viewed from a direction perpendicular to a base.
FIG. 4 is a schematic front view of an apparatus used in a comparative example.
FIG. 5 is a layout view of the device of FIG. 4 when viewed from a direction perpendicular to a base.
FIG. 6 is a schematic diagram of an apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a schematic diagram of an evaluation system for an electromagnetic noise suppression effect of a ferrite thin film obtained according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an evaluation example of the electromagnetic noise suppression effect of the ferrite thin film according to the embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1. Components that make up the membrane
2 Substrate
3,4 nozzle
5 magnet
6 Substrate
7, 8 tank
9 Turntable
10 Inclined table
11 Magnet support
12 Microstrip line (MSL)
13 Network Analyzer
14 Ferrite thin film
15 Coaxial cable

Claims

磁化を有する構成要素である結晶粒ないしはそれに類する構成要素が規則的に配置されてなるフェライト膜であって、前記構成要素が一軸異方性を有するとともに、前記フェライト薄膜が磁気的な等方性を有する事を特徴とするフェライト膜。A ferrite film in which crystal grains which are components having magnetization or components similar thereto are regularly arranged, wherein the components have uniaxial anisotropy and the ferrite thin film has magnetic isotropy. A ferrite film characterized by having:

磁化を有する構成要素である結晶粒ないしはそれに類する構成要素が規則的に配置されてなるフェライト膜であって、前記構成要素が多軸異方性を有し、前記フェライト膜が磁気的な等方性を有する事を特徴とするフェライト膜。A ferrite film in which crystal grains which are components having magnetization or components similar thereto are regularly arranged, wherein the components have multiaxial anisotropy, and the ferrite film is magnetically isotropic. Ferrite film characterized by having properties.

磁化を有する構成要素である結晶粒ないしはそれに類する構成要素が規則的に配置されてなるフェライト膜であって、一軸異方性を有する構成要素と多軸異方性を有する構成要素から成り、前記フェライト膜が磁気的な等方性を有する事を特徴とするフェライト膜。A crystal grain that is a component having magnetization or a ferrite film in which components similar thereto are regularly arranged, comprising a component having uniaxial anisotropy and a component having multiaxial anisotropy, A ferrite film characterized in that the ferrite film has magnetic isotropy.

請求項１又は３に記載のフェライト膜において、前記構成要素の一軸異方性に起因する磁化容易軸が、前記フェライト薄膜の厚さ方向に略平行であることを特徴とするフェライト膜。4. The ferrite film according to claim 1, wherein an axis of easy magnetization caused by uniaxial anisotropy of the component is substantially parallel to a thickness direction of the ferrite thin film.

請求項１又は３に記載のフェライト膜において、前記構成要素の一軸異方性に起因する磁化容易軸が前記フェライト薄膜の面内方向に略平行であることを特徴とするフェライト膜。4. The ferrite film according to claim 1, wherein an axis of easy magnetization caused by uniaxial anisotropy of the constituent element is substantially parallel to an in-plane direction of the ferrite thin film.

請求項１乃至５の内のいずれか一つに記載のフェライト膜において、前記フェライト膜が、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｏを含有する事を特徴とするフェライト膜。The ferrite film according to any one of claims 1 to 5, wherein the ferrite film contains Ni, Zn, Fe, and O.

請求項１、３、４および５の内のいずれか一つに記載のフェライト膜において、前記フェライト膜がＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、ＯおよびＣｏを含有し、その含有量がモル比でＣｏ／（Ｆｅ＋Ｎｉ＋Ｚｎ＋Ｃｏ）の値が０／３以上０．３／３以下である事を特徴とするフェライト膜。The ferrite film according to any one of claims 1, 3, 4, and 5, wherein the ferrite film contains Ni, Zn, Fe, O, and Co, and the content of the ferrite film is Co / (by molar ratio. A ferrite film, wherein the value of (Fe + Ni + Zn + Co) is 0/3 or more and 0.3 / 3 or less.

請求項１又は３に記載のフェライト膜において、前記一軸異方性を有する構成要素がＣｏを含有することを特徴とするフェライト膜。4. The ferrite film according to claim 1, wherein the component having uniaxial anisotropy contains Co.

請求項２又は３に記載のフェライト膜において、前記多軸異方性を有する構成要素がＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｏを含有することを特徴とするフェライト膜。The ferrite film according to claim 2, wherein the component having multiaxial anisotropy contains Ni, Zn, Fe, and O. 5.

請求項１、３、４、５、７、８及び９の内のいずれか一つに記載のフェライト膜を、回転磁界の存在下で成膜することを特徴とするフェライト膜の製造方法。A method for producing a ferrite film, comprising: forming the ferrite film according to any one of claims 1, 3, 4, 5, 7, 8, and 9 in the presence of a rotating magnetic field.

請求項１乃至９の内のいずれか一つに記載のフェライト膜を製造する方法であって、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を前記基体に接触させる工程と、前記反応液及び酸化液の内のフェライト膜生成に寄与しない残分を前記基体から除去する工程とを備えている事を特徴とするフェライト膜の製造方法。A method for producing a ferrite film according to any one of claims 1 to 9, wherein a step of bringing a reaction solution containing at least ferrous ions into contact with a substrate; and an oxidizing solution containing at least an oxidizing agent. Contacting the substrate with the substrate, and removing a residue of the reaction solution and the oxidizing solution that does not contribute to the formation of the ferrite film from the substrate.

請求項１１記載のフェライト膜の製造方法において、前記フェライト膜を前記各工程を繰り返すことによって成膜することを特徴とするフェライト膜の製造方法。12. The method for producing a ferrite film according to claim 11, wherein the ferrite film is formed by repeating each of the steps.

請求項１乃至９の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造方法であって、反応液、及び酸化液を前記基体から除去する際、重力、遠心力等によって前記反応液及び前記酸化液に付与される流動性によることを特徴とするフェライト膜の製造方法。The method for producing a ferrite film according to any one of claims 1 to 9, wherein the reaction solution and the oxidizing solution are removed from the substrate by gravity, centrifugal force, or the like. A method for producing a ferrite film, which depends on fluidity given to a liquid.

請求項１０記載のフェライト膜の製造方法において、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液を基体に接触させる工程と、少なくとも酸化剤を含んだ酸化液を前記基体に接触させる工程と、前記反応液及び酸化液の内のフェライト膜生成に寄与しない残分を前記基体から除去する工程とを備えている事を特徴とするフェライト膜の製造方法。The method for producing a ferrite film according to claim 10, wherein a step of contacting a reaction solution containing at least ferrous ions with the substrate, a step of contacting the substrate with an oxidizing solution containing at least an oxidizing agent, Removing a residue of the oxidizing solution that does not contribute to the formation of the ferrite film from the substrate.

請求項１３記載のフェライト膜の製造方法において、前記フェライト膜を前記各工程を繰り返すことによって成膜することを特徴とするフェライト膜の製造方法。14. The method for producing a ferrite film according to claim 13, wherein the ferrite film is formed by repeating each of the steps.

請求項１０，１４，及び１５の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造方法において、反応液、及び酸化液を前記基体から除去する際、重力、遠心力等によって前記反応液及び前記酸化液に付与される流動性によることを特徴とするフェライト膜の製造方法。The method for producing a ferrite film according to any one of claims 10, 14, and 15, wherein the reaction solution and the oxidizing solution are removed from the substrate by gravity, centrifugal force, or the like. A method for producing a ferrite film, which depends on fluidity imparted to an oxidizing solution.

請求項１乃至９の内のいずれか一つに記載のフェライト膜を備えていることを特徴とする電磁雑音抑制体。An electromagnetic noise suppressor comprising the ferrite film according to any one of claims 1 to 9.

請求項１乃至９の内のいずれか一つに記載のフェライト膜が支持体上に形成されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体。An electromagnetic noise suppressor comprising the ferrite film according to any one of claims 1 to 9 formed on a support.

請求項１乃至９の内のいずれか一つに記載のフェライト膜が電子配線基板上に直接成膜されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体。An electromagnetic noise suppressor, wherein the ferrite film according to any one of claims 1 to 9 is formed directly on an electronic wiring substrate.

請求項１乃至９の内のいずれか一つに記載のフェライト膜が、半導体集積ウェハーの少なくとも一方の面に直接成膜されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体。An electromagnetic noise suppressor, wherein the ferrite film according to any one of claims 1 to 9 is formed directly on at least one surface of a semiconductor integrated wafer.

請求項１０乃至１６の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造方法によって形成されたフェライト膜を備えていることを特徴とする電磁雑音抑制体。An electromagnetic noise suppressor comprising a ferrite film formed by the method for producing a ferrite film according to claim 10.

請求項１０乃至１６の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造方法によって形成されたフェライト膜が支持体上に形成されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体。An electromagnetic noise suppressor comprising a ferrite film formed by the method for producing a ferrite film according to any one of claims 10 to 16 formed on a support.

請求項１０乃至１６の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造方法によって形成されたフェライト膜が電子配線基板上に直接成膜されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体。An electromagnetic noise suppressor, wherein a ferrite film formed by the method for producing a ferrite film according to any one of claims 10 to 16 is formed directly on an electronic wiring substrate.

請求項１０乃至１６の内のいずれか一つに記載のフェライト膜の製造方法によって形成されたフェライト膜が、半導体集積ウェハーの少なくとも一方の面に直接成膜されてなる事を特徴とする電磁雑音抑制体。An electromagnetic noise, wherein a ferrite film formed by the method for manufacturing a ferrite film according to any one of claims 10 to 16 is directly formed on at least one surface of a semiconductor integrated wafer. Suppressor.