JP2004103954A

JP2004103954A - Laser device

Info

Publication number: JP2004103954A
Application number: JP2002265942A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Kiji; 木路　仁
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2002-09-11
Filing date: 2002-09-11
Publication date: 2004-04-02
Anticipated expiration: 2022-09-11
Also published as: JP4213436B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser device wherein the light emission amount of a laser light source and a signal outputted from the laser device do not change by the temperature variation of the laser light source of the laser device. <P>SOLUTION: The temperature of a laser light source 2 is detected by providing the laser device 1 with a temperature detection means 4. A control means 7 controls a laser driving current supply circuit body 5 and a regeneration treatment means 6 according to the detection temperature detected by the temperature detection means 4, and the light emission amount of the laser light source 2 is fixed for preventing the temperature variation of a photosensitive element 8 from affecting a signal from the photosensitive element 8 of the laser device 1 to the regeneration treatment means 6. When the temperature detection means 4 detects a temperature, a temperature detection element can be attained as a resistance element, for example, or attained as a diode or attained as a transistor. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をするためのレーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１１は従来の技術のレーザ装置５０の主要構成を示すブロック図である。レーザ装置５０は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録うち少なくともいずれか一方をする装置である。レーザ装置５０はレーザ駆動電流供給回路体５１に電気的に接続される。またレーザ装置５０は情報再生装置５２に電気的に接続される。レーザ装置５０は、レーザ光源５３および光集積回路体５４を含んで構成される。光集積回路体５４は、受光素子５５および増幅回路体５６を含んで構成される。
【０００３】
レーザ駆動電流供給回路体５１はレーザ光源５３へレーザ光５７を発するための電流を供給する。レーザ光源５３は、レーザ駆動電流供給回路体５１から供給される電流に応じた発光量を有すレーザ光５７を光記録媒体へ発し、光記録媒体に記録される情報の再生または光記録媒体への情報の記録をする。光記録媒体に記録される情報を再生する場合、レーザ光５７が光記録媒体で反射し、その反射光を受光素子５５が受光する。受光素子５５は反射光の情報に応じた電気信号を増幅回路体５６へ送る。増幅回路体５６は受光素子５５からの電気信号を増幅し、情報再生装置５２へ送る。情報再生装置５２は、光記録媒体に記録される情報を再生する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術のレーザ装置５０では、レーザ光源５３の発光量は、レーザ駆動電流供給回路体５１からレーザ光源へ供給される電流によって制御される。レーザ光源の連続発光およびレーザ光源５３の発光量の変化などによって、レーザ光源５３の温度は変化する。レーザ光源５３の温度が変化すると、レーザ光源５３の発光量が変化する。レーザ光源５３の発光量が変化した場合、発光量が一定である場合より、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録の精度が低下し、情報の欠落などが発生するおそれがある。
【０００５】
また、従来の技術のレーザ装置５０はレーザ光源５３の温度の変化により、レーザ装置５０の光集積回路体５４の温度が変化する。光集積回路体５４の温度が変化した場合、温度の変化がない場合より、情報再生装置５２へ送る電気信号が変化し再生する情報の欠落などが発生するおそれがある。
【０００６】
したがって本発明の目的は、レーザ光源の温度が変化しても、一定の精度で情報を再生することができるとともに、情報を記録することができるレーザ装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、
レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、
温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する制御手段とを含むことを特徴とするレーザ装置である。
【０００８】
本発明に従えば、レーザ光源は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録うち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生することができる。このレーザ光源の温度が温度検出手段によって検出され、検出された検出温度に基づいて、制御手段によってレーザ光源が制御され、発光量を一定にすることができる。
【０００９】
また本発明は、レーザ光源から発生されるレーザ光は、光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光であって、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子をさらに含み、
温度検出手段は、予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、
少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられることを特徴とする。
【００１０】
本発明に従えば、受光素子は光記録媒体に記録される情報を再生するために用いられ、レーザ光源が光記録媒体へレーザ光を入射し、入射されたレーザ光である入射光が光記録媒体にて反射し、反射したレーザ光である反射光を受光素子が受光する。温度検出手段は予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、レーザ装置は少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられる。このように一体の集積回路体に設けられるので、レーザ装置を構成する部品の数を減らすことができる。このため、レーザ装置をより小形にすることができる。
【００１１】
また本発明は、レーザ光源から発生されるレーザ光は、光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光であって、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子をさらに含み、
制御手段は、温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、受光素子によって受光される反射光を用いて情報を再生する再生処理手段を制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明に従えば、レーザ光源は光記録媒体へレーザ光を入射し、入射されたレーザ光である入射光は光記録媒体にて反射し、反射したレーザ光である反射光を受光素子が受光する。温度検出手段がレーザ光源の温度を検出し、検出された検出温度に基づいて、受光素子が受光した反射光によって情報を再生する再生処理手段を制御手段が制御する。これによって、レーザ光源の温度の変化による影響を再生処理手段へ与えないようにすることができる。
【００１３】
また本発明は、温度検出素子は、抵抗素子であることを特徴とする。
本発明に従えば、温度検出素子は抵抗素子であり、抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を抵抗素子は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度検出手段は温度を検出することができる。温度検出手段は簡単な構成であるので、温度検出手段を小形にすることができる。
【００１４】
また本発明は、温度検出素子は抵抗素子であり、抵抗素子の一方の端子は、集積回路体内で一定の電位が与えられることを特徴とする。
【００１５】
本発明に従えば、温度検出素子は抵抗素子であり、集積回路体内で抵抗素子の一方の端子に一定の電位が与えられている。他方の端子に一方の電位と異なる電位が与えられることによって、端子間に電位差が発生する。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する接続端子の数を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を抵抗素子は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度を検出することができる。
【００１６】
また本発明は、温度検出素子は、ダイオードであることを特徴とする。
本発明に従えば、温度検出素子はダイオードであり、ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性をダイオードは有すので、電圧値を求めることによって、温度検出手段は温度を検出することができる。温度検出手段は簡単な構成であるので、温度検出手段を小形にすることができる。
【００１７】
また本発明は、温度検出素子はダイオードであり、ダイオードの一方の端子は、集積回路体内で一定の電位が与えられることを特徴とする。
【００１８】
本発明に従えば、温度検出素子はダイオードであり、集積回路体内でダイオードの一方の端子に一定の電位が与えられている。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する接続端子の数を少なくすることができる。ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性をダイオードは有すので、ダイオードに一定の電流を与えることによって、ダイオードの電圧値を求め、温度検出手段は温度を検出することができる。
【００１９】
また本発明は、温度検出手段は、温度特性が相互に異なる２つの抵抗素子を有し、各抵抗素子は、相互に異なる電位が与えられる部位間に直列に接続されることを特徴とする。
【００２０】
本発明に従えば、温度検出素子は２つの抵抗素子であり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、２つの抵抗素子が直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置の構成要素を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を２つの抵抗素子は有し、２つの抵抗素子の温度特性は相互に異なる。２つの抵抗素子の少なくともいずれか一方の電圧値を求めることによって、温度検出手段は温度を検出することができる。
【００２１】
また本発明は、温度検出手段は、情報の再生用の前記受光素子とは異なる受光素子と抵抗素子とを有し、これら受光素子と抵抗素子とは、相互に異なる電位が与えられる部位間に直列に接続されることを特徴とする。
【００２２】
本発明に従えば、温度検出素子は受光素子と抵抗素子とであり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、受光素子と抵抗素子とが直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置の構成要素を少なくすることができる。受光素子は、情報の再生用の受光素子とは異なる受光素子である。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を抵抗素子は有し、受光素子の温度の変化にともなって受光素子の電圧値が変化する温度特性を受光素子は有す。これによって、抵抗素子の電圧値を求めることによって温度を検出することができる。
【００２３】
また本発明は、温度検出手段は、
接地電位が与えられる接地部位および正の定電位が与えられる定電位部位間に、直列に接続され、相互に同一の温度特性を有する第１〜第３抵抗素子と、
最も定電位部位寄りの第１抵抗素子および中央の第２抵抗素子間の部位にベースが接続され、定電位部位にコレクタが接続されるＮＰＮ形の第１トランジスタと、
第２抵抗素子および最も接地部位寄りの第３抵抗素子間の部位にベースが接続されるＮＰＮ形の第２トランジスタと、
定電位部位および第２トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第３抵抗素子と同一の温度特性を有する第４抵抗素子と、
第１および第２トランジスタのエミッタにコレクタが共通に接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第３トランジスタと、
第３トランジスタのベースに、ベースおよびコレクタが接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第４トランジスタと、
定電位部位および第４トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第４抵抗素子と同一の温度特性を有する第５抵抗素子とを有することを特徴とする。
【００２４】
本発明に従えば、温度検出手段は、第１〜第５抵抗素子と第１〜第４トランジスタとを含んで構成される集積回路体を有す。第１〜第５抵抗素子は温度の変化にともなって電気抵抗値が変化する温度特性を有し、第１〜第５抵抗素子の温度特性は相互に同一である。第１〜第４トランジスタはすべてＮＰＮ形である。第２トランジスタのコレクタ電流値が、温度の変化にともなって変化する。温度検出手段は、第４抵抗素子および第２トランジスタ間の部位と接地部位間の電圧値を求めることによって、温度を検出することができる。第２トランジスタのコレクタ電流値は、トランジスタの特性によって温度の変化にともなって変化するので、温度をより正確に検出することができる。
【００２５】
また本発明は、少なくとも光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子と、レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する光源制御および受光素子によって受光される反射光を用いて情報を再生する再生処理手段を制御する再生制御の少なくともいずれか一方をする制御手段とを含むレーザ装置のための集積回路体であって、
前記受光素子と温度検出手段とが一体に設けられることを特徴とする集積回路体である。
【００２６】
本発明に従えば、集積回路体は受光素子と温度検出手段とが一体に設けられ、前記集積回路体はレーザ装置に用いられる。集積回路体が受光素子と温度検出手段とを一体に有すことによって、レーザ装置を構成する部品の数を減少させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の主要構成を示すブロック図である。レーザ装置１はレーザ駆動電流供給回路体５、再生処理手段６および制御手段７に電気的に接続される。レーザ装置１はレーザ光源２と光集積回路体３とを含んで構成される。
【００２８】
レーザ駆動電流供給回路体５は、レーザ光源２へ電流を供給する電気回路体である。レーザ光源２は、たとえば半導体レーザ素子などを用いたレーザ光源２であって、レーザ駆動電流供給回路体５から供給される電流に応じた発光量を有すレーザ光１０を光記録媒体へ発し、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をする。光記録媒体は、光を用いて情報の記録および記録される情報の再生のうち少なくともいずれか一方をする記録媒体であり、たとえばコンパクトディスク（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｋ略称：ＣＤ）およびエムオー（Ｍａｇｎｅｔ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｄｉｓｋ略称：ＭＯ）などである。
【００２９】
光集積回路体３は、温度検出手段４と受光素子８と増幅回路体９とを含んで構成される集積回路体である。温度検出手段４はレーザ光源２の温度を検出し、検出した検出温度に基づく信号を制御手段７へ与える。また温度検出手段４は、予め定める温度特性を有する温度検出素子を有す。受光素子８は、光記録媒体に記録される情報を再生するために、光記録媒体からの反射光を受光して、反射光を電気信号に変換して増幅回路体９へ与える。増幅回路体９は、受光素子８から与えられる電気信号を増幅して、再生処理手段６へ与える。
【００３０】
制御手段７は、温度検出手段４から検出温度に基づく信号が与えられ、レーザ駆動電流供給回路体５および再生処理手段６を検出温度に基づいて制御する。再生処理手段６は、増幅回路体９から与えられた電気信号に基づいて映像および音声など光記録媒体に記録される情報を再生する。
【００３１】
制御手段７は、検出温度に基づいてレーザ光源２の発光量が一定になるようにレーザ光源２を制御する。制御手段７は具体的には、次式に基づいてレーザ光源２の制御を行う。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源２の温度がレーザ光源温度Ｔのときのレーザ光源２の発光量をレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）とし、レーザ光源２へ供給される電流を供給電流ＩＦとし、レーザ光源２の温度が摂氏２５度のときの供給電流ＩＦをレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）に変換する定数を変換定数βとし、摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとし、βの温度係数を温度係数αとすると次式の関係がある。
Ｐ（Ｔ）＝（β＋α×ΔＴ）×ＩＦ　　　　　　　　　　　　…（１）
【００３２】
式（１）から、αとβは定数であるので、供給電流ＩＦが一定で温度変化値ΔＴの値が変化したとき、温度変化値ΔＴの変化にともなってレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）が変化する。したがって、供給電流ＩＦの値を変化させて、レーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）を一定にする。温度検出手段４が、レーザ光源２の温度変化値ΔＴを検出することによって、α×ΔＴ×ＩＦの値を求めることができる。制御手段７は、前記値に基づく電流値を供給電流ＩＦから減らすことを指示する信号をレーザ駆動電流供給回路体５へ与える。式（１）は次式となる。
Ｐ（Ｔ）＝（β＋α×ΔＴ）×ＩＦ−α×ΔＴ×ＩＦ　　　　…（２）
【００３３】
式（２）を計算すると次式が導出される。
Ｐ（Ｔ）＝β×ＩＦ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（３）
式（３）からレーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）は、温度変化値ΔＴによる影響を受けないで、レーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）は供給電流ＩＦの変化にともなって変化し、供給電流ＩＦが一定であれば、レーザ光源発光量Ｐ（Ｔ）も一定となる。
【００３４】
また制御手段７は、増幅回路体９が再生処理手段６に与える電気信号を、検出温度に基づいて温度による影響を受けないように制御する。光集積回路体３は、レーザ装置１にレーザ光源２と一体に設けられているので、レーザ光源２の温度と同一の温度を、光集積回路体３の受光素子８と増幅回路体９は有す。
【００３５】
制御手段７は具体的には次式に基づいて、再生処理手段６を制御する。レーザ光源２の温度がレーザ光源温度Ｔのときの増幅回路体９が再生処理手段６に与える電気信号の電圧値を電圧値ＶＡ（Ｔ）とし、ＶＡの温度係数を温度係数Ｖαとし、摂氏２５度のときの電圧値ＶＡ（Ｔ）の値をＶＡ（２５）とすると次式の関係がある。
ＶＡ（Ｔ）＝（１＋Ｖα×ΔＴ）×ＶＡ（２５）　　　　　　…（４）
【００３６】
式（４）から、温度係数ＶαおよびＶＡ（２５）は定数であるので、温度変化値ΔＴの値の変化にともなって、電圧値ＶＡ（Ｔ）が変化するので、電圧値ＶＡ（Ｔ）を一定にするために、Ｖα×ΔＴ×ＶＡ（２５）の値を求める。温度検出手段４がレーザ光源２の温度変化値ΔＴを検出することによって、前記値を求めることができる。制御手段７は、前記値を式（４）の右辺から減算することを指示する信号を再生処理手段６へ与える。したがって式（４）から次式となる。
ＶＡ（Ｔ）＝（１＋Ｖα×ΔＴ）×
ＶＡ（２５）−Ｖα×ΔＴ×ＶＡ（２５）　　…（５）
【００３７】
式（５）を計算すると次式となる。
ＶＡ（Ｔ）＝ＶＡ（２５）　　　　　　　　　　　　　　　　…（６）
【００３８】
式（６）から電圧値ＶＡ（Ｔ）は、温度変化値ΔＴによる影響を受けないで、電圧値ＶＡ（Ｔ）は一定の値である電圧値ＶＡ（２５）となる。
【００３９】
レーザ光源２は、光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録うち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生することができる。このレーザ光源２の温度が温度検出手段４によって検出され、検出された検出温度に基づいて、制御手段７によってレーザ光源２が制御され、レーザ光源２の発光量を一定にすることができる。したがって光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録の精度を、発光量が一定でない場合より、高くすることができる。
【００４０】
レーザ光源２は光記録媒体へレーザ光１０を入射し、入射されたレーザ光１０である入射光は光記録媒体にて反射し、反射したレーザ光１０である反射光を受光素子８が受光する。温度検出手段４がレーザ光源２の温度を検出し、検出された検出温度に基づいて、受光素子８が受光した反射光によって情報を再生する再生処理手段６を制御手段７が制御する。これによって、レーザ光源２の温度の変化による影響を再生処理手段６へ与えないようにすることができる。したがって、再生処理手段６は、情報をより高い精度で再生することができる。
【００４１】
温度検出手段４は予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、レーザ装置１は少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられることによって、レーザ装置１を構成する部品の数を減らすことができる。このため、レーザ装置１をより小形にすることができる。またレーザ装置１を製造する場合、部品の数が少ない方が部品の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、より少ない製造工程でレーザ装置１を製造することができ、製造コストを少なくすることができる。
【００４２】
図２は、本発明の実施の他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができるので、レーザ装置１の実施の形態における対応する構成に同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００４３】
温度検出手段４は第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６と第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０とバッファ回路体２１とを含んで構成される集積回路体を有す。第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６は温度の変化にともなって電気抵抗値が変化する温度特性を有し、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性は相互に同一である。第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０はすべてＮＰＮ形トランジスタである。ＮＰＮ形トランジスタは、二つのＮ形半導体が同一のＰ形半導体に電気的に接続され、二つのＮ形半導体がＰ形半導体を介して互いに電気的に接続されるトランジスタである。Ｎ形半導体は、真性半導体に第５価の物質、たとえばりん（Ｐ）およびアンチモン（Ｓｂ）など、を混入した半導体である。Ｐ形半導体は、真性半導体に第３価の物質、たとえばガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）など、を混入した半導体である。
【００４４】
第１抵抗素子１２〜第３抵抗素子１４は、接地電位が与えられる接地部位４２および正の定電位が与えられる定電位部位４３間に、直列に接続される。接地部位４２は、面積が十分大きい導電体に接続されており、たとえばレーザ装置１の筐体に接続され接地電位が与えられる。第１トランジスタ１７は、最も定電位寄りの第１抵抗素子１２および中央の第２抵抗素子１３間の部位である第３接続部位３５に第１トランジスタ１７のベース１７ｂが接続され、定電位部位４３に第１トランジスタ１７のコレクタ１７ａが接続される。第２トランジスタ１８は、第２抵抗素子１３および最も接地部位４２寄りの第３抵抗素子１４間の部位である第４接続部位３６に第２トランジスタ１８のベース１８ｂが接続される。第４抵抗素子１５は、定電位部位４３および第２トランジスタ１８のコレクタ１８ａ間に接続される。第３トランジスタ１９は、第１トランジスタ１７のエミッタ１７ｃおよび第２トランジスタ１８のエミッタ１８ｃに第３トランジスタ１９のコレクタ１９ａが共通に接続され、第３トランジスタ１９のエミッタ１９ｃが接地部位４２に接続される。第４トランジスタ２０は、第３トランジスタ１９のベース１９ｂに、第４トランジスタ２０のベース２０ｂおよびコレクタ２０ａが接続され、第４トランジスタ２０のエミッタ２０ｃが接地部位４２に接続される。第５抵抗素子１６は、定電位部位４３および第４トランジスタ２０のコレクタ２０ａ間に接続される。
【００４５】
バッファ回路体２１は、第２トランジスタ１８のコレクタ１８ａおよび第４抵抗素子１５間の部位である第５接続部位３７にバッファ回路体２１の入力端子が接続される。電圧計２２は、光集積回路体３の外部に備えられ、光集積回路体３の外部にある外部接地部位４４およびバッファ回路体２１の出力端子４５間の電圧値を計測する。バッファ回路体２１は、利得が約１のコレクタ接地増幅回路体である。バッファ回路体２１を接続することによって出力インピーダンスが小さくなり、バッファ回路体２１の出力電圧が大きくなる。第３抵抗素子１４、第４トランジスタ２０のエミッタ２０ｃおよび第３トランジスタ１９のエミッタ１９ｃは、接地部位４２に接続される。第１抵抗素子１２、第４抵抗素子１５、第５抵抗素子１６および第１トランジスタ１７のコレクタ１７ａは、定電位部位４３に接続される。
【００４６】
温度検出手段４は、レーザ装置１にレーザ光源２と一体に設けられることによって、レーザ光源２の温度と同一の温度を温度検出手段４を構成する各素子は有す。温度検出手段４は第２トランジスタ１８の温度特性に基づいて、バッファ回路体２１の出力端子４５および外部接地部位４４間の電圧値を求めることで、レーザ光源２の温度を検出する。
【００４７】
第２抵抗素子１３の両端子間の電圧値、つまり第１トランジスタ１７のベース１７ｂと第２トランジスタ１８のベース１８ｂとの間の電圧値を差電圧値ΔＶの２倍の値とし、第１トランジスタ１７のベース１７ｂとエミッタ１７ｃとの間の電圧値を第１ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ１とし、第２トランジスタ１８のベース１８ｂとエミッタ１８ｃとの間の電圧値を第２ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ２とする。第１ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ１と第２ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ２との平均値を平均電圧値ＶＢＥ０とする。差電圧値ΔＶ、第１ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ１、第２ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ２および平均電圧値ＶＢＥ０は次式の関係がある。
ＶＢＥ１＝ＶＢＥ０＋ΔＶ　　　　　　　　　　　　　　　　…（７）
ＶＢＥ２＝ＶＢＥ０−ΔＶ　　　　　　　　　　　　　　　　…（８）
【００４８】
第１トランジスタ１７のコレクタ１７ａの電流値を第１コレクタ電流値ＩＣ１とし、第２トランジスタ１８のコレクタ１８ａの電流値を第２コレクタ電流値ＩＣ２とし、トランジスタの飽和電流値を飽和電流値ＩＳとし、熱電圧値を熱電圧値ＶＴとし、第１コレクタ電流値ＩＣ１と第２コレクタ電流値ＩＣ２との平均値を平均コレクタ電流値ＩＣ０とすると、式（７）および式（８）から次式の関係がある。ここでｅｘｐ（　）は、自然対数を底とする指数関数である。
ＩＣ０＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ０／ＶＴ）　　　　　　　　　…（９）
ＩＣ１＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ１／ＶＴ）
＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ０／ＶＴ）×ｅｘｐ（ΔＶ／ＶＴ）
＝ＩＣ０×ｅｘｐ（ΔＶ／ＶＴ）　　　　　　　　　　…（１０）
ＩＣ２＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ２／ＶＴ）
＝ＩＳ×ｅｘｐ（ＶＢＥ０／ＶＴ）×ｅｘｐ（−ΔＶ／ＶＴ）
＝ＩＣ０×ｅｘｐ（−ΔＶ／ＶＴ）　　　　　　　　　…（１１）
【００４９】
正の定電位の値を定電位ＶＣＣとし、バッファ回路体２１の出力端子４５および外部接地部位４４間の電圧値を出力電圧値ＶＯとし、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の各電気抵抗値をそれぞれ第１抵抗Ｒ１〜第５抵抗Ｒ５とし、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の両端子間の各電圧値をそれぞれ第１抵抗電圧値ＶＲ１〜第５抵抗電圧値ＶＲ５とすると、式（１１）から次式の関係がある。
ＶＯ＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ２
＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ０×ｅｘｐ（−ΔＶ／ＶＴ）　　　…（１２）
【００５０】
平均コレクタ電流値ＩＣ０は、第３トランジスタ１９のコレクタ１９ａの電流値から求められる。第３トランジスタ１９および第４トランジスタ２０はカレントミラー回路を形成しているので、第３トランジスタのコレクタ１９ａの電流値が求められる。
【００５１】
カレントミラー回路は、同一のトランジスタのコレクタとベースとが接続されたトランジスタ、本実施の形態では第４トランジスタ２０、のベースと他のトランジスタ、本実施の形態では第３トランジスタ１９、のベースとが接続されて形成される。
【００５２】
第４トランジスタ２０のコレクタ２０ａとベース２０ｂとが接続された接続導通線のコレクタ寄りの接続部位を第１接続部位４０とし、ベース寄りの接続部位を第２接続部位４１とする。第５抵抗素子１６および第１接続部４０との間のコレクタ電流の値を第４コレクタ電流値ＩＣ４とする。第１接続部４０と第４トランジスタ２０のコレクタとの間の電流の値を第４コレクタ接続電流値ＩＣ４０とする。第１接続部４０および第２接続部４１間の電流の値を第４コレクタベース電流値ＩＣＢとする。次式の関係がある。
ＩＣ４＝ＩＣ４０＋ＩＣＢ　　　　　　　　　　　　　　　　…（１３）
【００５３】
第４トランジスタ２０のエミッタ電流の値を第４エミッタ電流値ＩＥ４とし、第４トランジスタ２０のベース電流の値を第４ベース電流値ＩＢ４とする。次式の関係がある。
ＩＥ４＝ＩＣ４０＋ＩＢ４　　　　　　　　　　　　　　　　…（１４）
【００５４】
第３トランジスタ１９のベース電流の値を第３ベース電流値ＩＢ３とする。次式の関係がある。
ＩＣＢ＝ＩＢ３＋ＩＢ４　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１５）
【００５５】
したがって、式（１３）に式（１４）および式（１５）を代入すると次式となる。
ＩＣ４＝ＩＢ３＋ＩＥ４　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１６）
【００５６】
また、第３トランジスタ１９のエミッタ電流の値を第３エミッタ電流値ＩＥ３とし、コレクタ電流の値を第３コレクタ電流値ＩＣ３とすると、次式の関係がある。
ＩＥ３＝ＩＣ３＋ＩＢ３　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１７）
【００５７】
第３トランジスタ１９のベース１９ｂとエミッタ１９ｃとの間の電圧値を第３ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ３とし、第４トランジスタ２０のベース２０ｂとエミッタ２０ｃとの間の電圧値を第４ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ４とする。第３ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ３と第４ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ４とは、ともに一端が接地部位４２で他端が共通な部位間の電圧値であるので、第３ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ３と第４ベースエミッタ電圧値ＶＢＥ４とは互いに等しい。したがって次式で表せる。
ＶＢＥ３＝ＶＢＥ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１８）
【００５８】
式（１８）から第３エミッタ電流値ＩＥ３と第４エミッタ電流値ＩＥ４の値は互いに等しいので、次式の関係がある。
ＩＥ３＝ＩＥ４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（１９）
【００５９】
したがって、式（１７）および式（１９）から、次式となる。
ＩＥ４＝ＩＣ３＋ＩＢ３　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２０）
【００６０】
したがって、式（１６）および式（２０）から、次式となる。
ＩＣ４＝ＩＣ３＋２×ＩＢ３　　　　　　　　　　　　　　　…（２１）
【００６１】
トランジスタの特性によって、コレクタ電流値は、ベース電流値の１００〜５００倍であるので、第４コレクタ電流値ＩＣ４と、第３コレクタ電流値ＩＣ３とはほぼ等しい。したがって次式となる。
ＩＣ４＝ＩＣ３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２２）
【００６２】
第４コレクタ電流値ＩＣ４はオームの法則から次式で表せる。
ＩＣ４＝ＶＲ５／Ｒ５　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２３）
【００６３】
式（２２）および式（２３）から次式となる。
ＩＣ３＝ＶＲ５／Ｒ５　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（２４）
【００６４】
式（２４）から平均コレクタ電流値ＩＣ０を求めることができる。
ＩＣ０＝ＩＣ３／２
＝（ＶＲ５／Ｒ５）／２
＝２×ＶＲ５／Ｒ５　　　　　　　　　　　　　　　　…（２５）
【００６５】
式（２５）の両辺に第４抵抗Ｒ４を掛けると次式となる。
Ｒ４×ＩＣ０＝２×ＶＲ５×Ｒ４／Ｒ５　　　　　　　　　　…（２６）
【００６６】
第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性を表す値である各温度係数をそれぞれ第１温度係数ＲＴ１〜第５温度係数ＲＴ５とする。レーザ光源２がレーザ光源温度ＴのときのＲ４×ＩＣ０の値を（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）とする。次式の関係がある。
（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）＝２×ＶＲ５×（（１＋ＲＴ４×ΔＴ）×Ｒ４（２５））／（（１＋ＲＴ５×ΔＴ）×Ｒ５（２５））…（２７）
【００６７】
第４抵抗素子１５および第５抵抗素子１６の温度特性は相互に同一なので、第４温度係数ＲＴ４および第５温度係数ＲＴ５の値は相互に同一である。したがって式（２７）は次式となる。
（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）＝２×ＶＲ５×Ｒ４（２５）／Ｒ５（２５）…（２８）
【００６８】
式（２８）から（Ｒ４×ＩＣ０）（Ｔ）の値はレーザ光源温度Ｔに依存しない。また２×ΔＶ（Ｔ）の値は次式で表せる。
２×ΔＶ（Ｔ）＝ＶＣＣ×（（１＋ＲＴ２×ΔＴ）×Ｒ２（２５））／（（１＋ＲＴ１×ΔＴ）×Ｒ１（２５）＋（１＋ＲＴ２×ΔＴ）×Ｒ２（２５）＋（１＋ＲＴ３×ΔＴ）×Ｒ３（２５））　　　…（２９）
【００６９】
第１抵抗素子１２〜第３抵抗素子１４の温度特性は相互に同一なので、第１温度係数ＲＴ１〜第３温度係数ＲＴ３の値は相互に同一である。したがって式（２９）は次式となる。
２×ΔＶ（Ｔ）＝ＶＣＣ×Ｒ２（２５）／（Ｒ１（２５）＋Ｒ２（２５）＋Ｒ３（２５））…（３０）
式（３０）から２×ΔＶ（Ｔ）の値はレーザ光源温度Ｔに依存しない。
【００７０】
レーザ光源温度Ｔのときの出力電圧値ＶＯの値をＶＯ（Ｔ）とする。熱電圧値ＶＴの温度特性を表す値である温度係数を熱電圧温度係数ＶＴＴとする。次式の関係がある。
ＶＯ（Ｔ）＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ２
＝ＶＣＣ−Ｒ４×ＩＣ０×ｅｘｐ（−ΔＶ／（（１＋ＶＴＴ×ΔＴ）×ＶＴ））…（３１）
【００７１】
式（３１）からＶＯ（Ｔ）の値が熱電圧値ＶＴの温度特性に依存する。ボルツマン定数をｋ、絶対温度ＴＡおよび電子の電化量をｑとする。次式の関係がある。
ＶＴ＝ｋ×ＴＡ／ｑ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　…（３２）
【００７２】
式（２８）、式（３０）および式（３２）を式（３１）に代入することによって、ＶＯ（Ｔ）から温度変化値ΔＴおよび絶対温度ＴＡを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００７３】
温度検出手段４は、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６と第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０とを含んで構成される集積回路体を有す。第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６は温度の変化にともなって電気抵抗値が変化する温度特性を有し、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性は相互に同一である。第１トランジスタ１７〜第４トランジスタ２０はすべてＮＰＮ形トランジスタである。第２トランジスタ１８のコレクタ電流値が、温度の変化にともなって変化する。温度検出手段４は、第５接続部位３７と外部接地部位４４間の電圧値を求めることによって、温度を検出することができる。第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度特性が、相互に同一であることによって、前記電圧値は、第１抵抗素子１２〜第５抵抗素子１６の温度の変化による影響を受けない。第２トランジスタ１８のコレクタ電流値は、トランジスタの特性によって温度の変化にともなって変化する。したがって、前記電圧値は、温度検出手段４を構成する素子の影響を受けないので、温度検出手段４は温度をより正確に検出することができる。
【００７４】
図３は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２の温度検出手段４と類似しているので、図１および図２に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００７５】
温度検出手段４は温度特性が相互に異なる２つの抵抗素子、本実施の形態では第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とを有す。第６抵抗素子２３および第７抵抗素子２４は、相互に異なる電位を有す第１電位４６および第２電位４７が与えられる部位間に直列に接続される。第６抵抗素子２３および第７抵抗素子２４の間の部位である第６接続部位３８と、光集積回路体３の外部で接地電位が与えられる外部接地部位４４との間の電圧値を出力電圧値ＶＯ３とし、出力電圧値ＶＯ３を電圧計２２によって求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００７６】
第６抵抗素子２３の電気抵抗値を第６抵抗Ｒ６とし、第７抵抗素子２４の電気抵抗値を第７抵抗Ｒ７とする。温度が摂氏２５度での第６抵抗Ｒ６および第７抵抗Ｒ７の値をそれぞれＲ６（２５）およびＲ７（２５）とする。第６抵抗素子２３の温度係数を第６温度係数ＲＴ６とし、第７抵抗素子２４の温度係数を第７温度係数ＲＴ７とする。第６抵抗素子２３寄りの定電位を第１定電位値Ｖ６とし、第７抵抗素子２４寄りの定電位を第２定電位値Ｖ７とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ３をＶＯ３（Ｔ）とする。ＶＯ３（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ３（Ｔ）＝Ｖ７＋（（１＋ＲＴ７×ΔＴ）×Ｒ７（２５））／（（（１＋ＲＴ６×ΔＴ）×Ｒ６（２５））＋（（１＋ＲＴ７×ΔＴ）×Ｒ７（２５）））×（Ｖ６−Ｖ７）…（３３）
【００７７】
式（３３）によって、ＶＯ３（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００７８】
温度検出素子は第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とであり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とが直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置１の構成要素を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４とは有し、第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４との温度特性は相互に異なる。第６抵抗素子２３と第７抵抗素子２４との少なくともいずれか一方の電圧値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。またレーザ装置１を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。
【００７９】
図４は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２の温度検出手段４と類似しているので、図１および図２に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００８０】
温度検出手段４は、情報の再生用の受光素子とは異なる第１受光素子２５、たとえばフォトダイオードと第８抵抗素子２６とを有す。これら第１受光素子２５と第８抵抗素子２６とは、相互に異なる電位を有す第１電位４６および第２電位４７が与えられる部位間に直列に接続される。電圧計２２は、第１受光素子２５および第８抵抗素子２６の間の部位である第７接続部位３９と、光集積回路体３の外部において接地電位が与えられる外部接地部位４４との間の電圧値を計測する。第１受光素子２５は光を受光することによって、受光した光の光度に応じた電流を流す。
【００８１】
第１受光素子２５および第８抵抗素子２６の間の部位と、光集積回路体３の外部において接地電位が与えられる外部接地部位４４との間の電圧値を出力電圧値ＶＯ４とし、出力電圧値ＶＯ４を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００８２】
第１受光素子２５の受光した光を電流に変換する効率を変換効率Ａとし、第１受光素子２５の温度が摂氏２５度のときの変換効率ＡをＡ（２５）とし、変換効率Ａの温度係数を変換温度係数ＡＴとする。第１受光素子２５の受光した光の光度を光度Ｐとする。第８抵抗素子２６の電気抵抗値を第８抵抗Ｒ８とし、第８抵抗素子２６の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ８（２５）とし、第８抵抗素子２６の温度係数を第８温度係数ＲＴ８とする。第１受光素子２５寄りの第１定電位４６を第１定電位値ＶＰ、第８抵抗素子２６寄りの第２定電位４７を第２定電位値Ｖ８とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ４をＶＯ４（Ｔ）とする。ＶＯ４（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ４（Ｔ）＝Ｐ×（１＋ＡＴ×ΔＴ）×Ａ（２５）×（１＋ＲＴ８×ΔＴ）×Ｒ８（２５）＋Ｖ８　　　…（３４）
【００８３】
式（３４）によって、ＶＯ４（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００８４】
温度検出素子は第１受光素子２５と第８抵抗素子２６とであり、集積回路体内で相互に異なる電位が与えられる部位間に、第１受光素子２５と第８抵抗素子２６とが直列に接続される。集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置１の構成要素を少なくすることができる。第１受光素子２５は、情報の再生用の受光素子とは異なる受光素子である。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第８抵抗素子２６は有し、受光素子の温度の変化にともなって受光素子の電圧値が変化する温度特性を第１受光素子２５は有す。これによって、第８抵抗素子２６の電圧値を求めることによって温度を検出することができる。レーザ装置１を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。また温度検出手段４は第１受光素子２５を有すので、第１受光素子２５がレーザ光１０を受光した場合、第１受光素子２５の電気抵抗値が変化し、温度検出手段４は温度を検出する。したがって、レーザ光源２がレーザ光１０を発生した場合のみ温度検出手段４は温度を検出し、レーザ光源２がレーザ光１０を発生していない場合は温度検出手段４は温度を検出しないので、温度検出手段４のスイッチング態様を、いわば自動的に切替えることができ、温度検出手段４に用いられる電気量を少なくすることができることによって、温度検出手段４の稼働コストを少なくすることができる。
【００８５】
図５は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２の温度検出手段４と類似しているので、図１および図２に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００８６】
温度検出素子は、第９抵抗素子２７であり、第９抵抗素子２７での両端子間に、出力接続部位４５を介して、光集積回路体３の外部から定電圧源２８によって電圧が印可される。電流計２９は、第９抵抗素子２７を流れる電流値を計測する。電流値を出力電流値ＩＯ５とし、出力電流値ＩＯ５を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００８７】
第９抵抗素子２７の電気抵抗値を第９抵抗Ｒ９とし、第９抵抗素子２７の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ９（２５）とし、第９抵抗素子２７の温度係数を第９温度係数ＲＴ９とする。定電圧源２８によって印可される電圧の電圧値を定電圧値Ｖ９とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電流値ＩＯ５をＩＯ５（Ｔ）とする。ＩＯ５（Ｔ）は次式で表せる。
ＩＯ５（Ｔ）＝Ｖ９／（（１＋ＲＴ９×ΔＴ）×Ｒ９（２５））…（３５）
【００８８】
式（３５）によって、ＩＯ５（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００８９】
温度検出素子は第９抵抗素子２７であり、抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第９抵抗素子２７は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。温度検出手段４は簡単な構成であるので、温度検出手段４を小形にすることができる。したがってレーザ装置をより小形にすることができる。
【００９０】
図６は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２および図５の温度検出手段４と類似しているので、図１、図２および図５に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００９１】
温度検出素子は、第１０抵抗素子３０であり、第１０抵抗素子３０に、光集積回路体３の外部から、出力接続部位４５を介して、定電流源３１によって電流が流される。電圧計２２は、第１０抵抗素子３０の両端子間の電圧値を計測する。電圧値を出力電圧値ＶＯ６とし、出力電圧値ＶＯ６を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００９２】
第１０抵抗素子３０の電気抵抗値を第１０抵抗Ｒ１０とし、第１０抵抗素子３０の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ１０（２５）とし、第１０抵抗素子３０の温度係数を第１０温度係数ＲＴ１０とする。定電流源３１によって流される電流の電流値を定電流値Ｉ１０とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ６をＶＯ６（Ｔ）とする。電圧値ＶＯ６（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ６（Ｔ）＝Ｉ１０×（１＋ＲＴ１０×ΔＴ）×Ｒ１０（２５）…（３６）
【００９３】
式（３６）によって、ＶＯ６（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００９４】
温度検出素子は第１０抵抗素子３０であり、抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第１０抵抗素子３０は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。温度検出手段４は簡単な構成であるので、温度検出手段４を小形にすることができる。したがってレーザ装置をより小形にすることができる。
【００９５】
図７は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図２および図５の温度検出手段４と類似しているので、図１、図２および図５に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【００９６】
温度検出素子は、第１１抵抗素子３２であり、第１１抵抗素子３２の一方の端子は光集積回路体３の内部の接地電位が与えられる接地部位４２に接続され、他端は、出力接続部位４５を介して、光集積回路体３の外部の定電圧源２８に接続される。定電圧源２８の一端は第１１抵抗素子３２に接続され、他端は外部接地部位４４に接続される。電流計２９は第１１抵抗素子３２を流れる電流値を計測する。電流値を出力電流値ＩＯ７とし、出力電流値ＩＯ７を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【００９７】
第１１抵抗素子３２の電気抵抗値を第１１抵抗Ｒ１１とし、第１１抵抗素子３２の温度が摂氏２５度のときの電気抵抗値をＲ１１（２５）とし、第１１抵抗素子３２の温度係数を第１１温度係数ＲＴ１１とする。定電圧源２８によって印可される電圧の電圧値を定電圧値Ｖ１１とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電流値ＩＯ７をＩＯ７（Ｔ）とする。ＩＯ７（Ｔ）は次式で表せる。
ＩＯ７（Ｔ）＝Ｖ１１／（（１＋ＲＴ１１×ΔＴ）×Ｒ１１（２５））　…（３７）
【００９８】
式（３７）によって、ＩＯ７（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【００９９】
温度検出素子は第１０抵抗素子３０であり、集積回路体の内部において第１０抵抗素子３０の一方の端子に一定の電位が与えられている。他方の端子に一方の電位と異なる電位が与えられることによって、端子間に電位差が発生する。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する出力接続部位４５の数を少なくすることができる。抵抗素子の温度の変化にともなって抵抗素子の電気抵抗値が変化する温度特性を第１０抵抗素子３０は有すので、電気抵抗値を求めることによって、温度を検出することができる。また出力接続部位４５の数を少なくすることによって、温度検出手段４の製造コストを少なくすることができる。
【０１００】
図８は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図６の温度検出手段４と類似しているので、図１および図６に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【０１０１】
温度検出素子は、第１ダイオード３３であり、第１ダイオード３３の順方向に、光集積回路体３の外部から、出力接続部位４５を介して、定電流源３１によって電流が流される。電圧計２２は、第１ダイオード３３の両端子間の電圧値を計測する。電圧値を出力電圧値ＶＯ８とし、出力電圧値ＶＯ８を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【０１０２】
第１ダイオード３３の電圧値の第１ダイオード電圧値ＤＶ１とし、温度が摂氏２５度のときの電圧値をＤＶ１（２５）とし、第１ダイオード電圧値ＤＶ１の温度係数を第１ダイオード温度係数ＤＴ１とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。温度変化値Ｔでの出力電圧値ＶＯ８をＶＯ８（Ｔ）とする。ＶＯ８（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ８（Ｔ）＝（１＋ＤＴ１×ΔＴ）×ＤＶ１（２５）　　　…（３８）
【０１０３】
式（３８）によって、ＶＯ８（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【０１０４】
温度検出素子は第１ダイオード３３であり、ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性を第１ダイオード３３は有すので、電圧値を求めることによって、温度検出手段４は温度を検出することができる。温度検出手段４は簡単な構成であるので、温度検出手段４を小形にすることができる。したがって、レーザ装置１をより小形にすることができる。
【０１０５】
図９は、本発明の実施のさらに他の形態であって、温度検出手段４に用いることができる電気回路図である。本実施の形態の温度検出手段４は、前述した図１のレーザ装置１の温度検出手段４に用いることができ、また図７および図８の温度検出手段４と類似しているので、図１、図７および図８に対応する構成には同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【０１０６】
温度検出素子は、第２ダイオード３４であり、第２ダイオード３４の一方の端子は光集積回路体３の内部において接地電位が与えられる接地部位４２に接続され、他端は光集積回路体３の外部に設けられる定電流源３１に、出力端子３８を介して接続される。定電流源３１の一端は第２ダイオード３４に接続され、他端は外部接地部位４４に接続される。第２ダイオード３４の順方向に、光集積回路体３の外部から定電流源３１によって電流が流される。電圧計２２は、第２ダイオード３４の両端子間の電圧値を計測する。電圧値を出力電圧値ＶＯ９とし、出力電圧値ＶＯ９を求めることで、温度検出手段４は温度を検出する。
【０１０７】
第２ダイオード３４の電圧値を第２ダイオード電圧値ＤＶ２とし、温度が摂氏２５度のときの電圧値をＤＶ２（２５）とし、第２ダイオード電圧値ＤＶ２の温度係数を第２ダイオード温度係数ＤＴ２とする。レーザ光源２の温度をレーザ光源温度Ｔとし、レーザ光源温度Ｔの摂氏２５度からの温度変化を温度変化値ΔＴとする。レーザ光源温度Ｔでの出力電圧値ＶＯ９をＶＯ９（Ｔ）とする。ＶＯ９（Ｔ）は次式で表せる。
ＶＯ９（Ｔ）＝（１＋ＤＴ２×ΔＴ）×ＤＶ２（２５）　　　…（３９）
【０１０８】
式（３９）によって、ＶＯ９（Ｔ）から温度変化値ΔＴを求め、レーザ光源温度Ｔを検出する。
【０１０９】
温度検出素子は第２ダイオード３４であり、集積回路体の内部において第２ダイオード３４の一方の端子に一定の電位が与えられている。集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する出力接続部位４５の数を少なくすることができる。ダイオードの温度の変化にともなってダイオードの電圧値が変化する温度特性を第２ダイオード３４は有すので、第２ダイオード３４に一定の電流を与えることによって、第２ダイオード３４の電圧値を求め、温度検出手段は温度を検出することができる。また温度検出手段４を小さくすることができる。また出力接続部位４５の数を少なくすることによって、温度検出手段４の製造コストを少なくすることができる。
【０１１０】
図１０は本発明の実施のさらに他の形態のレーザ装置１１の主要構成を示すブロック図である。本実施の形態のレーザ装置１１は前述した図１の実施の形態のレーザ装置１と類似しており、本実施の形態の構成には、図１の実施の形態における対応する構成に同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。
【０１１１】
本実施の形態におけるレーザ装置１１は、前述の図１の実施の形態のレーザ装置１に対して、光集積回路体３の構成が異なる。光集積回路体３は、受光素子８および増幅回路体９を含んで構成され、光集積回路体３は温度検出手段４を含まない。温度検出手段４は光集積回路体３の外部であって、レーザ装置１１の内部に配置される。レーザ装置１１も前述の図１のレーザ装置１と同様の効果を得ることができる。
【０１１２】
本発明の実施の形態のレーザ装置１は受光素子８を含んで構成されたが、レーザ装置１が光記録媒体へ情報を記録のみをする場合は、受光素子８を含まなくても本発明は実現できる。
【０１１３】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、検出温度に基づいて制御手段によってレーザ光源が制御され、レーザ光源の発光量を一定にすることができる。したがって光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録の精度を、発光量が一定でない場合より、高くすることができる。
【０１１４】
また本発明によれば、温度検出素子と受光素子とが、一体の集積回路体に設けられることによって、レーザ装置を構成する部品の数を減らすことができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることができる。またレーザ装置を製造する場合、部品の数が少ない方が部品の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、より少ない製造工程でレーザ装置を製造することができ、製造コストを少なくすることができる。
【０１１５】
また本発明によれば、温度検出手段がレーザ光源の温度を検出し、検出された検出温度に基づいて、再生処理手段を制御手段が制御し、レーザ光原の温度の変化による再生処理手段への影響を与えないようにすることができる。したがって、再生処理手段は、情報をより高い精度で再生することができる。
【０１１６】
また本発明によれば、温度検出素子は抵抗素子であり、温度検出手段は簡単な構成であるので、温度検出手段を小形にすることができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることができる。
【０１１７】
また本発明によれば、集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する接続端子の数を少なくすることができる。したがって温度検出手段を小さくすることができる。また接続端子の数を少なくすることによって、温度検出手段の製造コストを少なくすることができる。
【０１１８】
また本発明によれば、温度検出素子はダイオードであり、温度検出手段は簡単な構成であるので、温度検出手段を小形にすることができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることができる。
【０１１９】
また本発明によれば、集積回路体の外部から他方の端子に電位を与えることによって、集積回路体の外部と接続する接続端子の数を少なくすることができる。したがって温度検出手段を小さくすることができる。また接続端子の数を少なくすることによって、温度検出手段の製造コストを少なくすることができる。
【０１２０】
また本発明によれば、集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置の構成要素を少なくすることができる。レーザ装置を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。
【０１２１】
また本発明によれば、集積回路体内に電位差を有すことによって、集積回路体外のレーザ装置の構成要素を少なくすることができる。レーザ装置を製造する場合、構成要素の数が少ない方が構成要素の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造時間が短くなりかつ製造コストを少なくすることができる。また温度検出手段は受光素子を有すので、受光素子がレーザ光を受光した場合、受光素子の電気抵抗値が変化し、温度検出手段は温度を検出する。したがって、レーザ光源がレーザ光を発生した場合のみ温度検出手段は温度を検出し、レーザ光源がレーザ光を発生していない場合は温度検出手段は温度を検出しないので、温度検出手段のスイッチング態様を、いわば自動的に切替えることができ、温度検出手段に用いられる電気量を少なくすることができることによって、温度検出手段の稼働コストを少なくすることができる。
【０１２２】
また本発明によれば、温度検出手段は、第４抵抗素子および第２トランジスタ間の部位と接地部位間の電圧値を求めることによって、温度を検出することができる。第１〜第５抵抗素子の温度特性が、相互に同一であることによって、前記電圧値は、第１〜第５抵抗素子の温度の変化による影響を受けない。第２トランジスタのコレクタ電流値は、トランジスタの特性によって温度の変化にともなって変化する。したがって、前記電圧値は、温度検出手段を構成する素子の影響を受けないので、温度検出手段は温度をより正確に検出することができる。
【０１２３】
また本発明によれば、集積回路体が受光素子と温度検出手段とを一体に有すことによって、レーザ装置を構成する部品の数を減少させることができる。したがって、レーザ装置をより小形にすることが可能である。またレーザ装置を製造する場合、部品の数が少ない方が部品の数が多い方より、製造工程を少なくすることができるので、製造コストを少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の主要構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図３】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図４】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図５】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図６】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図７】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図８】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図９】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１の温度検出手段４を示す電気回路図である。
【図１０】本発明の実施の一形態であるレーザ装置１１の主要構成を示すブロック図である。
【図１１】従来のレーザ装置５０の主要構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１，１１　レーザ装置
２　レーザ光源
３　光集積回路体
４　温度検出手段
５　レーザ駆動電流供給回路
６　再生処理手段
７　制御手段
８　受光素子
９　増幅回路体
１０　レーザ光
２２　電圧計
２８　定電圧源
２９　電流計
３１　定電流源[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a laser device for reproducing at least one of information recorded on an optical recording medium and recording information on the optical recording medium.
[0002]
[Prior art]
FIG. 11 is a block diagram showing a main configuration of a conventional laser device 50. As shown in FIG. The laser device 50 is a device that performs at least one of reproduction of information recorded on an optical recording medium and recording of information on the optical recording medium. The laser device 50 is electrically connected to the laser drive current supply circuit 51. The laser device 50 is electrically connected to the information reproducing device 52. The laser device 50 includes a laser light source 53 and an optical integrated circuit 54. The optical integrated circuit 54 includes a light receiving element 55 and an amplifier circuit 56.
[0003]
The laser drive current supply circuit 51 supplies a current for emitting a laser beam 57 to the laser light source 53. The laser light source 53 emits a laser beam 57 having a light emission amount according to the current supplied from the laser drive current supply circuit 51 to the optical recording medium, and reproduces information recorded on the optical recording medium or transmits the information to the optical recording medium. Record the information. When reproducing information recorded on the optical recording medium, the laser beam 57 is reflected by the optical recording medium, and the reflected light is received by the light receiving element 55. The light receiving element 55 sends an electric signal corresponding to the information of the reflected light to the amplifier circuit 56. The amplification circuit 56 amplifies the electric signal from the light receiving element 55 and sends it to the information reproducing device 52. The information reproducing device 52 reproduces information recorded on an optical recording medium.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional laser device 50, the amount of light emitted from the laser light source 53 is controlled by the current supplied from the laser drive current supply circuit 51 to the laser light source. The temperature of the laser light source 53 changes due to the continuous light emission of the laser light source, the change in the light emission amount of the laser light source 53, and the like. When the temperature of the laser light source 53 changes, the light emission amount of the laser light source 53 changes. When the light emission amount of the laser light source 53 changes, the accuracy of reproducing the information recorded on the optical recording medium and recording the information on the optical recording medium is reduced as compared with the case where the light emission amount is constant. May occur.
[0005]
In the conventional laser device 50, the temperature of the optical integrated circuit 54 of the laser device 50 changes due to the change of the temperature of the laser light source 53. When the temperature of the optical integrated circuit body 54 changes, the electric signal to be sent to the information reproducing apparatus 52 changes more than in the case where the temperature does not change.
[0006]
Therefore, an object of the present invention is to provide a laser device capable of reproducing information with a constant accuracy and recording information even when the temperature of a laser light source changes.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is a laser light source that generates a laser beam for at least one of reproduction of information recorded on an optical recording medium and recording of information on the optical recording medium,
Temperature detection means for detecting the temperature of the laser light source,
Control means for controlling the laser light source based on the temperature detected by the temperature detecting means.
[0008]
According to the present invention, the laser light source can generate a laser beam for at least one of reproduction of information recorded on the optical recording medium and recording of information on the optical recording medium. The temperature of the laser light source is detected by the temperature detection means, and based on the detected temperature, the laser light source is controlled by the control means, so that the light emission amount can be made constant.
[0009]
Further, according to the present invention, the laser beam generated from the laser light source is a laser beam for reproducing information recorded on the optical recording medium,
In order to reproduce information recorded on the optical recording medium, further includes a light receiving element for receiving reflected light from the optical recording medium,
The temperature detecting means has a temperature detecting element having a predetermined temperature characteristic,
At least the temperature detecting element and the light receiving element are provided on an integrated circuit body.
[0010]
According to the present invention, the light receiving element is used for reproducing information recorded on the optical recording medium, the laser light source irradiates the laser light to the optical recording medium, and the incident laser light is the optical recording medium. The light receiving element receives the reflected light that is the laser light reflected by the medium. The temperature detecting means has a temperature detecting element having a predetermined temperature characteristic, and the laser device has at least the temperature detecting element and the light receiving element provided in an integrated circuit body. As described above, since the integrated circuit is provided on the integrated circuit, the number of components constituting the laser device can be reduced. Therefore, the laser device can be made smaller.
[0011]
Further, according to the present invention, the laser beam generated from the laser light source is a laser beam for reproducing information recorded on the optical recording medium,
In order to reproduce information recorded on the optical recording medium, further includes a light receiving element for receiving reflected light from the optical recording medium,
The control means controls the reproduction processing means for reproducing information using the reflected light received by the light receiving element, based on the detected temperature detected by the temperature detection means.
[0012]
According to the invention, the laser light source emits laser light to the optical recording medium, the incident laser light is reflected by the optical recording medium, and the light receiving element receives the reflected laser light as reflected light. I do. The temperature detection means detects the temperature of the laser light source, and the control means controls the reproduction processing means for reproducing information by the reflected light received by the light receiving element based on the detected temperature. This makes it possible to prevent the influence of the change in the temperature of the laser light source from being exerted on the reproduction processing means.
[0013]
Further, the invention is characterized in that the temperature detecting element is a resistance element.
According to the present invention, the temperature detection element is a resistance element, and the resistance element has a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes with a change in the temperature of the resistance element. The temperature detecting means can detect the temperature. Since the temperature detecting means has a simple configuration, the size of the temperature detecting means can be reduced.
[0014]
Further, in the invention, the temperature detection element is a resistance element, and one terminal of the resistance element is supplied with a constant potential in the integrated circuit.
[0015]
According to the present invention, the temperature detection element is a resistance element, and a constant potential is applied to one terminal of the resistance element in the integrated circuit. When a different potential from the one potential is applied to the other terminal, a potential difference occurs between the terminals. By applying a potential to the other terminal from outside the integrated circuit body, the number of connection terminals connected to the outside of the integrated circuit body can be reduced. Since the resistance element has a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes with a change in the temperature of the resistance element, the temperature can be detected by obtaining the electric resistance value.
[0016]
Further, the invention is characterized in that the temperature detecting element is a diode.
According to the present invention, the temperature detecting element is a diode, and the diode has a temperature characteristic in which the voltage value of the diode changes with a change in the temperature of the diode. Can be detected. Since the temperature detecting means has a simple configuration, the size of the temperature detecting means can be reduced.
[0017]
Further, the invention is characterized in that the temperature detecting element is a diode, and one terminal of the diode is supplied with a constant potential in the integrated circuit.
[0018]
According to the invention, the temperature detecting element is a diode, and a constant potential is applied to one terminal of the diode in the integrated circuit. By applying a potential to the other terminal from outside the integrated circuit body, the number of connection terminals connected to the outside of the integrated circuit body can be reduced. Diodes have a temperature characteristic in which the diode voltage value changes with the temperature change of the diode.Therefore, by applying a constant current to the diode, the voltage value of the diode is determined, and the temperature detection means detects the temperature. Can be.
[0019]
Further, the invention is characterized in that the temperature detecting means has two resistance elements having mutually different temperature characteristics, and each resistance element is connected in series between portions to which mutually different potentials are applied.
[0020]
According to the present invention, the temperature detecting element is two resistance elements, and the two resistance elements are connected in series between portions to which different potentials are applied in the integrated circuit. By having a potential difference in the integrated circuit, the number of components of the laser device outside the integrated circuit can be reduced. The two resistance elements have a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes with a change in the temperature of the resistance element, and the temperature characteristics of the two resistance elements are different from each other. By obtaining the voltage value of at least one of the two resistance elements, the temperature detecting means can detect the temperature.
[0021]
Further, according to the present invention, the temperature detecting means has a light receiving element and a resistance element different from the light receiving element for reproducing information, and the light receiving element and the resistance element are located between portions where different potentials are applied. It is characterized by being connected in series.
[0022]
According to the present invention, the temperature detecting element is a light receiving element and a resistance element, and the light receiving element and the resistance element are connected in series between portions to which different potentials are applied in the integrated circuit. By having a potential difference in the integrated circuit, the number of components of the laser device outside the integrated circuit can be reduced. The light receiving element is a light receiving element different from the light receiving element for reproducing information. The resistance element has a temperature characteristic in which the electrical resistance value of the resistance element changes with a change in the temperature of the resistance element, and the temperature characteristic in which the voltage value of the light reception element changes with a change in the temperature of the light reception element. Have Thus, the temperature can be detected by determining the voltage value of the resistance element.
[0023]
Further, according to the present invention, the temperature detecting means includes:
First to third resistance elements connected in series between the ground part to which the ground potential is applied and the constant potential part to which the positive constant potential is applied, and having mutually the same temperature characteristics;
An NPN-type first transistor having a base connected to a portion between the first resistance element closest to the constant potential portion and a second resistance element at the center, and a collector connected to the constant potential portion;
An NPN-type second transistor having a base connected to a portion between the second resistor and the third resistor closest to the ground;
A fourth resistor connected between the constant potential portion and the collector of the second transistor and having the same temperature characteristics as the first to third resistors;
An NPN-type third transistor having a collector commonly connected to the emitters of the first and second transistors, and an emitter connected to a ground portion;
A fourth transistor of an NPN type having a base and a collector connected to a base of the third transistor, and an emitter connected to a ground portion;
A fifth resistor connected between the constant potential portion and the collector of the fourth transistor and having the same temperature characteristic as the first to fourth resistors is provided.
[0024]
According to the present invention, the temperature detection means has an integrated circuit body including the first to fifth resistance elements and the first to fourth transistors. The first to fifth resistance elements have a temperature characteristic in which an electric resistance value changes with a change in temperature, and the first to fifth resistance elements have the same temperature characteristic. The first to fourth transistors are all NPN types. The collector current value of the second transistor changes as the temperature changes. The temperature detecting means can detect the temperature by obtaining a voltage value between a portion between the fourth resistance element and the second transistor and a ground portion. Since the collector current value of the second transistor changes with a change in temperature depending on the characteristics of the transistor, the temperature can be detected more accurately.
[0025]
Also, the present invention provides a laser light source for generating a laser beam for reproducing at least information recorded on an optical recording medium, and a laser light source for reflecting information recorded on the optical recording medium. A light receiving element for receiving light, a temperature detecting means for detecting the temperature of the laser light source, and a light source control for controlling the laser light source based on the detected temperature detected by the temperature detecting means; Control means for performing at least one of reproduction control for controlling reproduction processing means for reproducing information using reflected light, the integrated circuit body for a laser device,
An integrated circuit body, wherein the light receiving element and the temperature detecting means are provided integrally.
[0026]
According to the invention, the light receiving element and the temperature detecting means are integrally provided in the integrated circuit body, and the integrated circuit body is used for a laser device. Since the integrated circuit has the light receiving element and the temperature detecting means integrally, the number of components constituting the laser device can be reduced.
[0027]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of a laser device 1 according to one embodiment of the present invention. The laser device 1 is electrically connected to the laser drive current supply circuit 5, the reproduction processing means 6, and the control means 7. The laser device 1 includes a laser light source 2 and an optical integrated circuit 3.
[0028]
The laser drive current supply circuit 5 is an electric circuit that supplies a current to the laser light source 2. The laser light source 2 is, for example, a laser light source 2 using a semiconductor laser element or the like, and emits a laser beam 10 having a light emission amount corresponding to a current supplied from a laser drive current supply circuit 5 to an optical recording medium. At least one of reproduction of information recorded on the optical recording medium and recording of information on the optical recording medium is performed. The optical recording medium is a recording medium that performs at least one of recording information and reproducing recorded information by using light, and includes, for example, a compact disk (abbreviated as compact disk: CD) and an MMO (abbreviated as magneto optical disk). MO).
[0029]
The optical integrated circuit body 3 is an integrated circuit body including the temperature detecting means 4, the light receiving element 8, and the amplifier circuit body 9. The temperature detecting means 4 detects the temperature of the laser light source 2 and supplies a signal based on the detected temperature to the control means 7. The temperature detecting means 4 has a temperature detecting element having a predetermined temperature characteristic. The light receiving element 8 receives reflected light from the optical recording medium, converts the reflected light into an electric signal, and supplies the electric signal to the amplifier circuit 9 in order to reproduce information recorded on the optical recording medium. The amplifying circuit 9 amplifies the electric signal supplied from the light receiving element 8 and supplies the electric signal to the reproduction processing means 6.
[0030]
The control means 7 receives a signal based on the detected temperature from the temperature detecting means 4 and controls the laser drive current supply circuit 5 and the reproduction processing means 6 based on the detected temperature. The reproduction processing means 6 reproduces information recorded on an optical recording medium, such as video and audio, based on the electric signal provided from the amplifier circuit 9.
[0031]
The control means 7 controls the laser light source 2 based on the detected temperature so that the light emission amount of the laser light source 2 becomes constant. The control unit 7 controls the laser light source 2 based on the following equation. The temperature of the laser light source 2 is referred to as a laser light source temperature T, and the light emission amount of the laser light source 2 when the temperature of the laser light source 2 is the laser light source temperature T is referred to as a laser light emission amount P (T). Is a supply current IF, a constant for converting the supply current IF when the temperature of the laser light source 2 is 25 degrees Celsius into a laser light source light emission amount P (T) is a conversion constant β, and a temperature change from 25 degrees Celsius is a temperature change. Assuming that the value is ΔT and the temperature coefficient of β is temperature coefficient α, the following equation is established.
P (T) = (β + α × ΔT) × IF (1)
[0032]
From equation (1), since α and β are constants, when the supply current IF is constant and the temperature change value ΔT changes, the laser light source light emission amount P (T) changes with the change in temperature change value ΔT. Change. Therefore, the value of the supply current IF is changed to keep the laser light source light emission amount P (T) constant. By detecting the temperature change value ΔT of the laser light source 2 by the temperature detecting means 4, the value of α × ΔT × IF can be obtained. The control means 7 supplies a signal for instructing the laser drive current supply circuit 5 to reduce the current value based on the value from the supply current IF. Equation (1) becomes the following equation.
P (T) = (β + α × ΔT) × IF−α × ΔT × IF (2)
[0033]
When the equation (2) is calculated, the following equation is derived.
P (T) = β × IF (3)
From the equation (3), the laser light source light emission amount P (T) is not affected by the temperature change value ΔT, and the laser light source light emission amount P (T) changes with the change of the supply current IF. If it is constant, the laser light source emission amount P (T) is also constant.
[0034]
Further, the control means 7 controls the electric signal given to the reproduction processing means 6 by the amplifier circuit 9 based on the detected temperature so as not to be affected by the temperature. Since the optical integrated circuit 3 is provided integrally with the laser light source 2 in the laser device 1, the light receiving element 8 and the amplifier circuit 9 of the optical integrated circuit 3 have the same temperature as the temperature of the laser light source 2. You.
[0035]
The control means 7 controls the reproduction processing means 6 based on the following equation. When the temperature of the laser light source 2 is the laser light source temperature T, the voltage value of the electric signal given to the reproduction processing means 6 by the amplifier circuit body 9 is set to a voltage value VA (T), the temperature coefficient of VA is set to a temperature coefficient Vα, and Assuming that the value of the voltage value VA (T) at the time is VA (25), there is the following relationship.
VA (T) = (1 + Vα × ΔT) × VA (25) (4)
[0036]
From equation (4), since the temperature coefficients Vα and VA (25) are constants, the voltage value VA (T) changes with the change in the value of the temperature change value ΔT. In order to make it constant, the value of Vα × ΔT × VA (25) is obtained. The value can be obtained by detecting the temperature change value ΔT of the laser light source 2 by the temperature detecting means 4. The control means 7 supplies to the reproduction processing means 6 a signal indicating that the value is subtracted from the right side of the equation (4). Therefore, the following equation is obtained from the equation (4).
VA (T) = (1 + Vα × ΔT) ×
VA (25) −Vα × ΔT × VA (25) (5)
[0037]
Calculating equation (5) gives the following equation.
VA (T) = VA (25) (6)
[0038]
From Expression (6), the voltage value VA (T) is not affected by the temperature change value ΔT, and the voltage value VA (T) is a constant voltage value VA (25).
[0039]
The laser light source 2 can generate a laser beam for at least one of reproducing information recorded on the optical recording medium and recording information on the optical recording medium. The temperature of the laser light source 2 is detected by the temperature detection means 4, and the control means 7 controls the laser light source 2 based on the detected temperature, so that the light emission amount of the laser light source 2 can be made constant. Therefore, the accuracy of reproducing information recorded on the optical recording medium and recording information on the optical recording medium can be made higher than when the light emission amount is not constant.
[0040]
The laser light source 2 irradiates the laser beam 10 to the optical recording medium, the incident laser beam 10 is reflected by the optical recording medium, and the light receiving element 8 receives the reflected laser beam 10 as reflected light. . The temperature detecting means 4 detects the temperature of the laser light source 2, and the control means 7 controls the reproducing processing means 6 for reproducing information by the reflected light received by the light receiving element 8 based on the detected temperature. As a result, it is possible to prevent the influence of the change in the temperature of the laser light source 2 from exerting on the reproduction processing means 6. Therefore, the reproduction processing means 6 can reproduce the information with higher accuracy.
[0041]
The temperature detecting means 4 has a temperature detecting element having a predetermined temperature characteristic, and the laser device 1 is provided with at least the temperature detecting element and the light receiving element in an integrated circuit body, so that the components constituting the laser device 1 The number can be reduced. Therefore, the laser device 1 can be made smaller. Further, when manufacturing the laser device 1, the number of manufacturing steps can be reduced when the number of components is small as compared with the case where the number of components is large, so that the laser device 1 can be manufactured with fewer manufacturing processes. Costs can be reduced.
[0042]
FIG. 2 is an electric circuit diagram showing another embodiment of the present invention, which can be used for the temperature detecting means 4. Since the temperature detecting means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detecting means 4 of the laser device 1 of FIG. 1, corresponding components in the embodiment of the laser device 1 are denoted by the same reference numerals, and are different. Only the configuration will be described, and description of the same configuration will be omitted.
[0043]
The temperature detecting means 4 has an integrated circuit body including the first to fifth resistive elements 12 to 16, the first to fourth transistors 17 to 20, and the buffer circuit body 21. The first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 have a temperature characteristic in which an electric resistance value changes with a change in temperature, and the temperature characteristics of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 are the same. . The first to fourth transistors 17 to 20 are all NPN transistors. An NPN transistor is a transistor in which two N-type semiconductors are electrically connected to the same P-type semiconductor, and two N-type semiconductors are electrically connected to each other via the P-type semiconductor. An N-type semiconductor is a semiconductor in which a pentavalent substance such as phosphorus (P) and antimony (Sb) is mixed into an intrinsic semiconductor. A P-type semiconductor is a semiconductor in which a trivalent substance such as gallium (Ga) and indium (In) is mixed into an intrinsic semiconductor.
[0044]
The first to third resistance elements 12 to 14 are connected in series between a ground portion 42 to which a ground potential is applied and a constant potential portion 43 to which a positive constant potential is applied. The ground portion 42 is connected to a conductor having a sufficiently large area, and is connected to, for example, a housing of the laser device 1 and is supplied with a ground potential. In the first transistor 17, the base 17b of the first transistor 17 is connected to a third connection portion 35 which is a portion between the first resistance element 12 closest to the constant potential and the central second resistance element 13, and the constant potential portion 43 Is connected to the collector 17a of the first transistor 17. In the second transistor 18, the base 18 b of the second transistor 18 is connected to a fourth connection portion 36 which is a portion between the second resistance element 13 and the third resistance element 14 closest to the ground portion 42. The fourth resistance element 15 is connected between the constant potential part 43 and the collector 18a of the second transistor 18. In the third transistor 19, the collector 19a of the third transistor 19 is commonly connected to the emitter 17c of the first transistor 17 and the emitter 18c of the second transistor 18, and the emitter 19c of the third transistor 19 is connected to the ground part 42. . In the fourth transistor 20, the base 19b of the third transistor 19 is connected to the base 20b and the collector 20a of the fourth transistor 20, and the emitter 20c of the fourth transistor 20 is connected to the ground part 42. The fifth resistance element 16 is connected between the constant potential part 43 and the collector 20a of the fourth transistor 20.
[0045]
In the buffer circuit body 21, an input terminal of the buffer circuit body 21 is connected to a fifth connection portion 37 which is a portion between the collector 18a of the second transistor 18 and the fourth resistance element 15. The voltmeter 22 is provided outside the optical integrated circuit body 3, and measures a voltage value between an external ground portion 44 outside the optical integrated circuit body 3 and the output terminal 45 of the buffer circuit body 21. The buffer circuit 21 is a common-collector amplifier having a gain of about 1. By connecting the buffer circuit body 21, the output impedance is reduced, and the output voltage of the buffer circuit body 21 is increased. The third resistance element 14, the emitter 20c of the fourth transistor 20, and the emitter 19c of the third transistor 19 are connected to the ground part 42. The first resistance element 12, the fourth resistance element 15, the fifth resistance element 16, and the collector 17a of the first transistor 17 are connected to the constant potential part 43.
[0046]
The temperature detecting means 4 is provided integrally with the laser light source 2 in the laser device 1, so that each element constituting the temperature detecting means 4 has the same temperature as the temperature of the laser light source 2. The temperature detecting means 4 detects the temperature of the laser light source 2 by obtaining a voltage value between the output terminal 45 of the buffer circuit body 21 and the external grounding part 44 based on the temperature characteristics of the second transistor 18.
[0047]
The voltage value between both terminals of the second resistance element 13, that is, the voltage value between the base 17 b of the first transistor 17 and the base 18 b of the second transistor 18 is set to twice the difference voltage value ΔV, and the first transistor The voltage value between the base 17b and the emitter 17c of the transistor 17 is defined as a first base-emitter voltage value VBE1, and the voltage value between the base 18b and the emitter 18c of the second transistor 18 is defined as a second base-emitter voltage value VBE2. An average value of the first base-emitter voltage value VBE1 and the second base-emitter voltage value VBE2 is defined as an average voltage value VBE0. The difference voltage value ΔV, the first base-emitter voltage value VBE1, the second base-emitter voltage value VBE2, and the average voltage value VBE0 have the following relationship.
VBE1 = VBE0 + ΔV (7)
VBE2 = VBE0−ΔV (8)
[0048]
The current value of the collector 17a of the first transistor 17 is defined as a first collector current value IC1, the current value of the collector 18a of the second transistor 18 is defined as a second collector current value IC2, and the saturation current value of the transistor is defined as a saturation current value IS. Assuming that the heat voltage value is the heat voltage value VT and the average value of the first collector current value IC1 and the second collector current value IC2 is the average collector current value IC0, the following equation is obtained from the equations (7) and (8). There is. Here, exp () is an exponential function based on natural logarithm.
IC0 = IS × exp (VBE0 / VT) (9)
IC1 = IS × exp (VBE1 / VT)
= IS × exp (VBE0 / VT) × exp (ΔV / VT)
= IC0 × exp (ΔV / VT) (10)
IC2 = IS × exp (VBE2 / VT)
= IS × exp (VBE0 / VT) × exp (−ΔV / VT)
= IC0 × exp (-ΔV / VT) (11)
[0049]
The value of the positive constant potential is set to the constant potential VCC, the voltage value between the output terminal 45 of the buffer circuit body 21 and the external grounding portion 44 is set to the output voltage value VO, and the electric resistance of each of the first to fifth resistance elements 12 to 16 is set. The resistance values are respectively referred to as a first resistance R1 to a fifth resistance R5, and the respective voltage values between both terminals of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 are respectively referred to as a first resistance voltage value VR1 to a fifth resistance voltage value VR5. Then, from equation (11), the following equation is obtained.
VO = VCC-R4 × IC2
= VCC−R4 × IC0 × exp (−ΔV / VT) (12)
[0050]
The average collector current value IC0 is obtained from the current value of the collector 19a of the third transistor 19. Since the third transistor 19 and the fourth transistor 20 form a current mirror circuit, the current value of the collector 19a of the third transistor is obtained.
[0051]
The current mirror circuit includes a transistor in which the collector and the base of the same transistor are connected, in this embodiment, the base of the fourth transistor 20 and another transistor, and in this embodiment, the base of the third transistor 19. Connected and formed.
[0052]
A connection portion near the collector of the connection conductive line connecting the collector 20a and the base 20b of the fourth transistor 20 is referred to as a first connection portion 40, and a connection portion near the base is referred to as a second connection portion 41. The value of the collector current between the fifth resistance element 16 and the first connection portion 40 is defined as a fourth collector current value IC4. The value of the current between the first connection part 40 and the collector of the fourth transistor 20 is referred to as a fourth collector connection current value IC40. The value of the current between the first connection portion 40 and the second connection portion 41 is defined as a fourth collector-base current value ICB. There is the following relationship:
IC4 = IC40 + ICB (13)
[0053]
The value of the emitter current of the fourth transistor 20 is referred to as a fourth emitter current value IE4, and the value of the base current of the fourth transistor 20 is referred to as a fourth base current value IB4. There is the following relationship:
IE4 = IC40 + IB4 (14)
[0054]
The value of the base current of the third transistor 19 is defined as a third base current value IB3. There is the following relationship:
ICB = IB3 + IB4 (15)
[0055]
Therefore, the following equation is obtained by substituting equation (14) and equation (15) into equation (13).
IC4 = IB3 + IE4 (16)
[0056]
If the value of the emitter current of the third transistor 19 is a third emitter current value IE3 and the value of the collector current is a third collector current value IC3, the following equation is established.
IE3 = IC3 + IB3 (17)
[0057]
The voltage value between the base 19b and the emitter 19c of the third transistor 19 is referred to as a third base-emitter voltage value VBE3, and the voltage value between the base 20b and the emitter 20c of the fourth transistor 20 is referred to as a fourth base-emitter voltage value VBE4. And Since the third base-emitter voltage value VBE3 and the fourth base-emitter voltage value VBE4 are both voltage values between one end at the ground portion 42 and the other end at the common portion, the third base-emitter voltage value VBE3 and the fourth The emitter voltage value VBE4 is equal to each other. Therefore, it can be expressed by the following equation.
VBE3 = VBE4 (18)
[0058]
From the equation (18), since the third emitter current value IE3 and the fourth emitter current value IE4 are equal to each other, the following equation is established.
IE3 = IE4 (19)
[0059]
Therefore, from Expressions (17) and (19), the following expression is obtained.
IE4 = IC3 + IB3 (20)
[0060]
Therefore, from Expressions (16) and (20), the following expression is obtained.
IC4 = IC3 + 2 × IB3 (21)
[0061]
Since the collector current value is 100 to 500 times the base current value depending on the characteristics of the transistor, the fourth collector current value IC4 is substantially equal to the third collector current value IC3. Therefore, the following equation is obtained.
IC4 = IC3 (22)
[0062]
The fourth collector current value IC4 can be expressed by the following equation from Ohm's law.
IC4 = VR5 / R5 (23)
[0063]
The following expression is obtained from Expression (22) and Expression (23).
IC3 = VR5 / R5 (24)
[0064]
The average collector current value IC0 can be obtained from Expression (24).
IC0 = IC3 / 2
= (VR5 / R5) / 2
= 2 × VR5 / R5 (25)
[0065]
By multiplying both sides of the equation (25) by the fourth resistor R4, the following equation is obtained.
R4 × IC0 = 2 × VR5 × R4 / R5 (26)
[0066]
Temperature coefficients which are values representing the temperature characteristics of the first to fifth resistance elements 12 to 16 are referred to as first to fifth temperature coefficients RT1 to RT5, respectively. The value of R4 × IC0 when the laser light source 2 is at the laser light source temperature T is (R4 × IC0) (T). There is the following relationship:
(R4 × IC0) (T) = 2 × VR5 × ((1 + RT4 × ΔT) × R4 (25)) / ((1 + RT5 × ΔT) × R5 (25)) (27)
[0067]
Since the temperature characteristics of the fourth resistance element 15 and the fifth resistance element 16 are the same, the values of the fourth temperature coefficient RT4 and the fifth temperature coefficient RT5 are the same. Therefore, equation (27) becomes the following equation.
(R4 × IC0) (T) = 2 × VR5 × R4 (25) / R5 (25) (28)
[0068]
From equation (28), the value of (R4 × IC0) (T) does not depend on the laser light source temperature T. The value of 2 × ΔV (T) can be expressed by the following equation.
2 × ΔV (T) = VCC × ((1 + RT2 × ΔT) × R2 (25)) / ((1 + RT1 × ΔT) × R1 (25) + (1 + RT2 × ΔT) × R2 (25) + (1 + RT3 × ΔT) × R3 (25))… (29)
[0069]
Since the temperature characteristics of the first to third resistance elements 12 to 14 are the same, the values of the first to third temperature coefficients RT1 to RT3 are the same. Therefore, equation (29) becomes the following equation.
2 × ΔV (T) = VCC × R2 (25) / (R1 (25) + R2 (25) + R3 (25)) (30)
From equation (30), the value of 2 × ΔV (T) does not depend on the laser light source temperature T.
[0070]
The value of the output voltage value VO at the laser light source temperature T is VO (T). A temperature coefficient which is a value representing a temperature characteristic of the heat voltage value VT is defined as a heat voltage temperature coefficient VTT. There is the following relationship:
VO (T) = VCC-R4 × IC2
= VCC-R4 × IC0 × exp (−ΔV / ((1 + VTT × ΔT) × VT)) (31)
[0071]
From equation (31), the value of VO (T) depends on the temperature characteristics of the thermal voltage value VT. The Boltzmann constant is k, the absolute temperature TA and the amount of electron charge are q. There is the following relationship:
VT = k × TA / q (32)
[0072]
By substituting the equations (28), (30) and (32) into the equation (31), the temperature change value ΔT and the absolute temperature TA are obtained from VO (T), and the laser light source temperature T is detected.
[0073]
The temperature detection means 4 has an integrated circuit body including the first to fifth resistance elements 12 to 16 and the first to fourth transistors 17 to 20. The first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 have a temperature characteristic in which an electric resistance value changes with a change in temperature, and the temperature characteristics of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 are the same. . The first to fourth transistors 17 to 20 are all NPN transistors. The collector current value of the second transistor 18 changes as the temperature changes. The temperature detecting means 4 can detect the temperature by obtaining a voltage value between the fifth connection portion 37 and the external grounding portion 44. Since the temperature characteristics of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16 are the same, the voltage value is not affected by the change in the temperature of the first resistance element 12 to the fifth resistance element 16. The collector current value of the second transistor 18 changes with the temperature due to the characteristics of the transistor. Therefore, the voltage value is not affected by the elements constituting the temperature detecting means 4, so that the temperature detecting means 4 can more accurately detect the temperature.
[0074]
FIG. 3 is an electric circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, which can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detecting means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detecting means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detecting means 4 of FIG. Are denoted by the same reference numerals, and only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0075]
The temperature detecting means 4 has two resistance elements having mutually different temperature characteristics, in this embodiment, a sixth resistance element 23 and a seventh resistance element 24. The sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24 are connected in series between portions to which a first potential 46 and a second potential 47 having different potentials are applied. A voltage value between a sixth connection portion 38, which is a portion between the sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24, and an external ground portion 44 to which a ground potential is applied outside the optical integrated circuit body 3, is output voltage. The temperature detection means 4 detects the temperature by determining the output voltage value VO3 with the voltmeter 22 as the value VO3.
[0076]
The electric resistance of the sixth resistance element 23 is referred to as a sixth resistance R6, and the electric resistance of the seventh resistance element 24 is referred to as a seventh resistance R7. The values of the sixth resistor R6 and the seventh resistor R7 at a temperature of 25 degrees Celsius are R6 (25) and R7 (25), respectively. The temperature coefficient of the sixth resistance element 23 is referred to as a sixth temperature coefficient RT6, and the temperature coefficient of the seventh resistance element 24 is referred to as a seventh temperature coefficient RT7. The constant potential near the sixth resistance element 23 is a first constant potential value V6, and the constant potential near the seventh resistance element 24 is a second constant potential value V7. The temperature of the laser light source 2 is defined as a laser light source temperature T, and a temperature change of the temperature T from 25 degrees Celsius is defined as a temperature change value ΔT. The output voltage value VO3 at the laser light source temperature T is defined as VO3 (T). VO3 (T) can be expressed by the following equation.
VO3 (T) = V7 + ((1 + RT7 × ΔT) × R7 (25)) / (((1 + RT6 × ΔT) × R6 (25)) + ((1 + RT7 × ΔT) × R7 (25))) × (V6- V7) ... (33)
[0077]
The temperature change value ΔT is obtained from VO3 (T) by equation (33), and the laser light source temperature T is detected.
[0078]
The temperature detecting elements are the sixth resistive element 23 and the seventh resistive element 24, and the sixth resistive element 23 and the seventh resistive element 24 are connected in series between portions where different potentials are applied in the integrated circuit. Is done. By providing a potential difference in the integrated circuit, the number of components of the laser device 1 outside the integrated circuit can be reduced. The sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24 have a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes according to the change in the temperature of the resistance element, and the sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24 The temperature characteristics are different from each other. By determining the voltage value of at least one of the sixth resistance element 23 and the seventh resistance element 24, the temperature detecting means 4 can detect the temperature. In the case of manufacturing the laser device 1, the number of manufacturing steps can be reduced when the number of components is smaller than when the number of components is large, so that the manufacturing time can be shortened and the manufacturing cost can be reduced. .
[0079]
FIG. 4 is an electric circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, which can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detecting means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detecting means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detecting means 4 of FIG. Are denoted by the same reference numerals, and only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0080]
The temperature detecting means 4 has a first light receiving element 25 different from a light receiving element for reproducing information, for example, a photodiode and an eighth resistance element 26. The first light receiving element 25 and the eighth resistance element 26 are connected in series between portions to which a first potential 46 and a second potential 47 having different potentials are applied. The voltmeter 22 is connected between a seventh connection portion 39 which is a portion between the first light receiving element 25 and the eighth resistance element 26, and an external ground portion 44 to which a ground potential is applied outside the optical integrated circuit body 3. Measure the voltage value. By receiving the light, the first light receiving element 25 causes a current to flow according to the luminous intensity of the received light.
[0081]
A voltage value between a portion between the first light receiving element 25 and the eighth resistance element 26 and an external ground portion 44 to which a ground potential is applied outside the optical integrated circuit body 3 is referred to as an output voltage value VO4. By obtaining VO4, the temperature detecting means 4 detects the temperature.
[0082]
The conversion efficiency A is the efficiency of converting the light received by the first light receiving element 25 into a current, the conversion efficiency A when the temperature of the first light receiving element 25 is 25 degrees Celsius is A (25), and the temperature of the conversion efficiency A Let the coefficient be the conversion temperature coefficient AT. The luminous intensity of the light received by the first light receiving element 25 is defined as luminous intensity P. The electrical resistance of the eighth resistor 26 is an eighth resistor R8, the electrical resistance when the temperature of the eighth resistor 26 is 25 degrees Celsius is R8 (25), and the temperature coefficient of the eighth resistor 26 is 8 is a temperature coefficient RT8. The first constant potential 46 near the first light receiving element 25 is a first constant potential value VP, and the second constant potential 47 near the eighth resistance element 26 is a second constant potential value V8. The temperature of the laser light source 2 is defined as a laser light source temperature T, and a temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is defined as a temperature change value ΔT. The output voltage value VO4 at the laser light source temperature T is VO4 (T). VO4 (T) can be expressed by the following equation.
VO4 (T) = P × (1 + AT × ΔT) × A (25) × (1 + RT8 × ΔT) × R8 (25) + V8 (34)
[0083]
The temperature change value ΔT is obtained from VO4 (T) by equation (34), and the laser light source temperature T is detected.
[0084]
The temperature detecting elements are a first light receiving element 25 and an eighth resistive element 26, and the first light receiving element 25 and the eighth resistive element 26 are connected in series between the parts to which different potentials are applied in the integrated circuit. Is done. By providing a potential difference in the integrated circuit, the number of components of the laser device 1 outside the integrated circuit can be reduced. The first light receiving element 25 is a light receiving element different from a light receiving element for reproducing information. The eighth resistance element 26 has a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes with a change in the temperature of the resistance element, and a temperature characteristic in which the voltage value of the light reception element changes with a change in the temperature of the light reception element. The first light receiving element 25 is provided. Thus, the temperature can be detected by determining the voltage value of the eighth resistance element 26. In the case of manufacturing the laser device 1, the number of manufacturing steps can be reduced when the number of components is smaller than when the number of components is large, so that the manufacturing time can be shortened and the manufacturing cost can be reduced. Further, since the temperature detecting means 4 has the first light receiving element 25, when the first light receiving element 25 receives the laser beam 10, the electric resistance value of the first light receiving element 25 changes, and the temperature detecting means 4 detects the temperature. To detect. Accordingly, the temperature detecting means 4 detects the temperature only when the laser light source 2 generates the laser light 10, and the temperature detecting means 4 does not detect the temperature when the laser light source 2 does not generate the laser light 10. The switching mode of the detecting means 4 can be automatically switched, so to speak, and the amount of electricity used for the temperature detecting means 4 can be reduced, so that the operating cost of the temperature detecting means 4 can be reduced.
[0085]
FIG. 5 is an electric circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, which can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detecting means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detecting means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detecting means 4 of FIG. Are denoted by the same reference numerals, and only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0086]
The temperature detection element is a ninth resistance element 27, and a voltage is applied between both terminals of the ninth resistance element 27 from outside the optical integrated circuit body 3 via an output connection part 45 by a constant voltage source 28. You. The ammeter 29 measures the value of the current flowing through the ninth resistance element 27. The temperature detecting means 4 detects the temperature by determining the current value as the output current value IO5 and obtaining the output current value IO5.
[0087]
The electric resistance of the ninth resistance element 27 is set to a ninth resistance R9, the electric resistance when the temperature of the ninth resistance element 27 is 25 degrees Celsius is set to R9 (25), and the temperature coefficient of the ninth resistance element 27 is set to 9 is a temperature coefficient RT9. The voltage value of the voltage applied by the constant voltage source 28 is defined as a constant voltage value V9. The temperature of the laser light source 2 is defined as a laser light source temperature T, and a temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is defined as a temperature change value ΔT. The output current value IO5 at the laser light source temperature T is defined as IO5 (T). IO5 (T) can be expressed by the following equation.
IO5 (T) = V9 / ((1 + RT9 × ΔT) × R9 (25)) (35)
[0088]
The temperature change value ΔT is obtained from IO5 (T) by equation (35), and the laser light source temperature T is detected.
[0089]
The ninth resistance element 27 is a temperature detecting element, and the ninth resistance element 27 has a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes with a change in the temperature of the resistance element. The temperature detecting means 4 can detect the temperature. Since the temperature detecting means 4 has a simple configuration, the temperature detecting means 4 can be downsized. Therefore, the laser device can be made smaller.
[0090]
FIG. 6 is an electric circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, which can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detecting means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detecting means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detecting means 4 of FIGS. 2 and FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0091]
The temperature detecting element is the tenth resistance element 30, and a current is supplied to the tenth resistance element 30 from the outside of the optical integrated circuit 3 via the output connection part 45 by the constant current source 31. The voltmeter 22 measures a voltage value between both terminals of the tenth resistance element 30. The temperature detection unit 4 detects the temperature by determining the voltage value as the output voltage value VO6 and obtaining the output voltage value VO6.
[0092]
The electric resistance value of the tenth resistance element 30 is set to a tenth resistance R10, the electric resistance value when the temperature of the tenth resistance element 30 is 25 degrees Celsius is set to R10 (25), and the temperature coefficient of the tenth resistance element 30 is set to the tenth resistance R10. It is assumed that the temperature coefficient is 10 in RT10. The current value of the current flowing by the constant current source 31 is defined as a constant current value I10. Let the temperature of the laser light source 2 be a laser light source temperature T, and let the temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius be a temperature change value ΔT. The output voltage value VO6 at the laser light source temperature T is VO6 (T). Voltage value VO6 (T) can be expressed by the following equation.
VO6 (T) = I10 × (1 + RT10 × ΔT) × R10 (25) (36)
[0093]
The temperature change value ΔT is obtained from VO6 (T) by equation (36), and the laser light source temperature T is detected.
[0094]
The temperature detecting element is the tenth resistance element 30, and the tenth resistance element 30 has a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes as the temperature of the resistance element changes. The temperature detecting means 4 can detect the temperature. Since the temperature detecting means 4 has a simple configuration, the temperature detecting means 4 can be downsized. Therefore, the laser device can be made smaller.
[0095]
FIG. 7 is an electric circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, which can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detecting means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detecting means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detecting means 4 of FIGS. 2 and FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0096]
The temperature detecting element is an eleventh resistance element 32. One terminal of the eleventh resistance element 32 is connected to a ground part 42 to which a ground potential is provided inside the optical integrated circuit body 3, and the other end is an output connection part. Through 45, it is connected to a constant voltage source 28 outside the optical integrated circuit body 3. One end of the constant voltage source 28 is connected to the eleventh resistance element 32, and the other end is connected to the external ground part 44. The ammeter 29 measures a current value flowing through the eleventh resistance element 32. The current value is set as the output current value IO7, and the temperature detection means 4 detects the temperature by obtaining the output current value IO7.
[0097]
The eleventh resistance element 32 has an eleventh resistance R11, the eleventh resistance element 32 has an electric resistance value of R11 (25) when the temperature is 25 degrees Celsius, and the eleventh resistance element 32 has a temperature coefficient 11 is a temperature coefficient RT11. The voltage value of the voltage applied by the constant voltage source 28 is defined as a constant voltage value V11. The temperature of the laser light source 2 is defined as a laser light source temperature T, and a temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is defined as a temperature change value ΔT. The output current value IO7 at the laser light source temperature T is defined as IO7 (T). IO7 (T) can be expressed by the following equation.
IO7 (T) = V11 / ((1 + RT11 × ΔT) × R11 (25)) (37)
[0098]
The temperature change value ΔT is obtained from IO7 (T) by equation (37), and the laser light source temperature T is detected.
[0099]
The temperature detecting element is a tenth resistance element 30, and a constant potential is applied to one terminal of the tenth resistance element 30 inside the integrated circuit body. When a different potential from the one potential is applied to the other terminal, a potential difference occurs between the terminals. By applying a potential to the other terminal from outside the integrated circuit body, the number of output connection portions 45 connected to the outside of the integrated circuit body can be reduced. Since the tenth resistance element 30 has a temperature characteristic in which the electric resistance value of the resistance element changes with the change of the temperature of the resistance element, the temperature can be detected by obtaining the electric resistance value. Further, by reducing the number of the output connection portions 45, the manufacturing cost of the temperature detection means 4 can be reduced.
[0100]
FIG. 8 is an electric circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, which can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detecting means 4 of this embodiment can be used for the temperature detecting means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detecting means 4 of FIG. Are denoted by the same reference numerals, and only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0101]
The temperature detecting element is the first diode 33, and a current flows from the outside of the optical integrated circuit body 3 through the output connection part 45 by the constant current source 31 in the forward direction of the first diode 33. The voltmeter 22 measures a voltage value between both terminals of the first diode 33. The temperature detection unit 4 detects the temperature by determining the voltage value as the output voltage value VO8 and obtaining the output voltage value VO8.
[0102]
A first diode voltage value DV1 of the voltage value of the first diode 33, a voltage value when the temperature is 25 degrees Celsius is DV1 (25), and a temperature coefficient of the first diode voltage value DV1 is a first diode temperature coefficient DT1. I do. The temperature of the laser light source 2 is defined as a laser light source temperature T, and a temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is defined as a temperature change value ΔT. The output voltage value VO8 at the temperature change value T is defined as VO8 (T). VO8 (T) can be expressed by the following equation.
VO8 (T) = (1 + DT1 × ΔT) × DV1 (25) (38)
[0103]
The temperature change value ΔT is obtained from VO8 (T) by equation (38), and the laser light source temperature T is detected.
[0104]
The temperature detecting element is the first diode 33, and the first diode 33 has a temperature characteristic in which the voltage value of the diode changes with a change in the temperature of the diode. Temperature can be detected. Since the temperature detecting means 4 has a simple configuration, the temperature detecting means 4 can be downsized. Therefore, the laser device 1 can be made smaller.
[0105]
FIG. 9 is an electric circuit diagram showing still another embodiment of the present invention, which can be used for the temperature detecting means 4. The temperature detecting means 4 of the present embodiment can be used for the temperature detecting means 4 of the laser device 1 of FIG. 1 described above, and is similar to the temperature detecting means 4 of FIGS. 7 and 8 are denoted by the same reference numerals, and only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0106]
The temperature detecting element is a second diode 34. One terminal of the second diode 34 is connected to a ground portion 42 to which a ground potential is applied inside the optical integrated circuit body 3, and the other end is connected to the optical integrated circuit body 3. It is connected to a constant current source 31 provided outside via an output terminal 38. One end of the constant current source 31 is connected to the second diode 34, and the other end is connected to the external ground part 44. A current flows from the outside of the optical integrated circuit body 3 by the constant current source 31 in the forward direction of the second diode 34. The voltmeter 22 measures a voltage value between both terminals of the second diode 34. The temperature detection unit 4 detects the temperature by determining the voltage value as the output voltage value VO9 and obtaining the output voltage value VO9.
[0107]
The voltage value of the second diode 34 is a second diode voltage value DV2, the voltage value when the temperature is 25 degrees Celsius is DV2 (25), and the temperature coefficient of the second diode voltage value DV2 is a second diode temperature coefficient DT2. I do. The temperature of the laser light source 2 is defined as a laser light source temperature T, and a temperature change of the laser light source temperature T from 25 degrees Celsius is defined as a temperature change value ΔT. The output voltage value VO9 at the laser light source temperature T is defined as VO9 (T). VO9 (T) can be expressed by the following equation.
VO9 (T) = (1 + DT2 × ΔT) × DV2 (25) (39)
[0108]
The temperature change value ΔT is obtained from VO9 (T) by equation (39), and the laser light source temperature T is detected.
[0109]
The temperature detecting element is a second diode 34, and a constant potential is applied to one terminal of the second diode 34 inside the integrated circuit body. By applying a potential to the other terminal from outside the integrated circuit body, the number of output connection portions 45 connected to the outside of the integrated circuit body can be reduced. Since the second diode 34 has a temperature characteristic in which the voltage value of the diode changes with the change in the temperature of the diode, the voltage value of the second diode 34 is obtained by applying a constant current to the second diode 34. The temperature detecting means can detect the temperature. Further, the size of the temperature detecting means 4 can be reduced. Further, by reducing the number of the output connection portions 45, the manufacturing cost of the temperature detection means 4 can be reduced.
[0110]
FIG. 10 is a block diagram showing a main configuration of a laser device 11 according to still another embodiment of the present invention. The laser device 11 of the present embodiment is similar to the laser device 1 of the embodiment of FIG. 1 described above, and the configuration of the present embodiment has the same reference as the corresponding configuration in the embodiment of FIG. Reference numerals are used, and only different configurations will be described, and description of similar configurations will be omitted.
[0111]
The laser device 11 according to the present embodiment is different from the laser device 1 according to the above-described embodiment of FIG. 1 in the configuration of the optical integrated circuit 3. The optical integrated circuit 3 includes a light receiving element 8 and an amplifier circuit 9, and the optical integrated circuit 3 does not include the temperature detecting unit 4. The temperature detecting means 4 is disposed outside the optical integrated circuit body 3 and inside the laser device 11. The laser device 11 can also obtain the same effects as those of the laser device 1 of FIG.
[0112]
Although the laser device 1 according to the embodiment of the present invention includes the light receiving element 8, the present invention does not include the light receiving element 8 when the laser device 1 only records information on an optical recording medium. realizable.
[0113]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the laser light source is controlled by the control unit based on the detected temperature, and the light emission amount of the laser light source can be made constant. Therefore, the accuracy of reproducing information recorded on the optical recording medium and recording information on the optical recording medium can be made higher than when the light emission amount is not constant.
[0114]
Further, according to the present invention, since the temperature detecting element and the light receiving element are provided on an integrated circuit body, the number of components constituting the laser device can be reduced. Therefore, the laser device can be made smaller. Also, when manufacturing a laser device, the number of manufacturing steps can be reduced when the number of components is small as compared with the case where the number of components is large, so that the laser device can be manufactured with fewer manufacturing processes and the manufacturing cost can be reduced. Can be reduced.
[0115]
Further, according to the present invention, the temperature detection means detects the temperature of the laser light source, and the control means controls the reproduction processing means based on the detected temperature. Can be avoided. Therefore, the reproduction processing means can reproduce the information with higher accuracy.
[0116]
Further, according to the present invention, since the temperature detecting element is a resistance element and the temperature detecting means has a simple configuration, the temperature detecting means can be downsized. Therefore, the laser device can be made smaller.
[0117]
Further, according to the present invention, by applying a potential to the other terminal from outside the integrated circuit body, the number of connection terminals connected to the outside of the integrated circuit body can be reduced. Therefore, the size of the temperature detecting means can be reduced. Also, by reducing the number of connection terminals, the manufacturing cost of the temperature detecting means can be reduced.
[0118]
Further, according to the present invention, since the temperature detecting element is a diode and the temperature detecting means has a simple configuration, the temperature detecting means can be downsized. Therefore, the laser device can be made smaller.
[0119]
Further, according to the present invention, by applying a potential to the other terminal from outside the integrated circuit body, the number of connection terminals connected to the outside of the integrated circuit body can be reduced. Therefore, the size of the temperature detecting means can be reduced. Also, by reducing the number of connection terminals, the manufacturing cost of the temperature detecting means can be reduced.
[0120]
Further, according to the present invention, by providing a potential difference in the integrated circuit, the number of components of the laser device outside the integrated circuit can be reduced. In the case of manufacturing a laser device, the manufacturing process can be shortened when the number of components is smaller than when the number of components is large, so that the manufacturing time can be shortened and the manufacturing cost can be reduced.
[0121]
Further, according to the present invention, by providing a potential difference in the integrated circuit, the number of components of the laser device outside the integrated circuit can be reduced. In the case of manufacturing a laser device, the manufacturing process can be shortened when the number of components is smaller than when the number of components is large, so that the manufacturing time can be shortened and the manufacturing cost can be reduced. Further, since the temperature detecting means has the light receiving element, when the light receiving element receives the laser beam, the electric resistance value of the light receiving element changes, and the temperature detecting means detects the temperature. Therefore, the temperature detecting means detects the temperature only when the laser light source generates the laser light, and the temperature detecting means does not detect the temperature when the laser light source does not generate the laser light. In other words, switching can be performed automatically, so that the amount of electricity used for the temperature detecting means can be reduced, so that the operating cost of the temperature detecting means can be reduced.
[0122]
Further, according to the present invention, the temperature detecting means can detect the temperature by obtaining a voltage value between a portion between the fourth resistance element and the second transistor and a ground portion. Since the temperature characteristics of the first to fifth resistance elements are the same, the voltage value is not affected by a change in the temperature of the first to fifth resistance elements. The collector current value of the second transistor changes with the temperature due to the characteristics of the transistor. Therefore, the voltage value is not affected by the elements constituting the temperature detecting means, so that the temperature detecting means can detect the temperature more accurately.
[0123]
Further, according to the present invention, the number of parts constituting the laser device can be reduced by integrating the light receiving element and the temperature detecting means in the integrated circuit body. Therefore, it is possible to make the laser device more compact. Further, in the case of manufacturing a laser device, the number of manufacturing steps can be reduced when the number of components is small as compared to when the number of components is large, so that the manufacturing cost can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of a laser device 1 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an electric circuit diagram showing a temperature detecting means 4 of the laser device 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is an electric circuit diagram showing a temperature detecting means 4 of the laser device 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an electric circuit diagram showing a temperature detecting means 4 of the laser device 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an electric circuit diagram showing a temperature detecting means 4 of the laser device 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an electric circuit diagram showing a temperature detecting means 4 of the laser device 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 7 is an electric circuit diagram showing a temperature detecting means 4 of the laser device 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an electric circuit diagram showing a temperature detecting means 4 of the laser device 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 9 is an electric circuit diagram showing a temperature detecting means 4 of the laser device 1 according to one embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a block diagram illustrating a main configuration of a laser device 11 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a block diagram showing a main configuration of a conventional laser device 50.
[Explanation of symbols]
1,11 Laser device
2 Laser light source
3 Optical integrated circuit
4 Temperature detection means
5 Laser drive current supply circuit
6 Reproduction processing means
7 control means
8 Light receiving element
9 Amplifier circuit
10 Laser light
22 Voltmeter
28 constant voltage source
29 ammeter
31 constant current source

Claims

光記録媒体に記録される情報の再生および光記録媒体への情報の記録のうち少なくともいずれか一方をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、
レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、
温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する制御手段とを含むことを特徴とするレーザ装置。A laser light source that generates a laser beam for performing at least one of reproduction of information recorded on the optical recording medium and recording of information on the optical recording medium,
Temperature detection means for detecting the temperature of the laser light source,
A control unit for controlling the laser light source based on the detected temperature detected by the temperature detecting unit.

レーザ光源から発生されるレーザ光は、光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光であって、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子をさらに含み、
温度検出手段は、予め定める温度特性を有する温度検出素子を有し、
少なくとも温度検出素子と受光素子とが一体の集積回路体に設けられることを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。The laser light generated from the laser light source is a laser light for reproducing information recorded on the optical recording medium,
In order to reproduce information recorded on the optical recording medium, further includes a light receiving element for receiving reflected light from the optical recording medium,
The temperature detecting means has a temperature detecting element having a predetermined temperature characteristic,
2. The laser device according to claim 1, wherein at least the temperature detecting element and the light receiving element are provided on an integrated circuit.

レーザ光源から発生されるレーザ光は、光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光であって、
光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子をさらに含み、
制御手段は、温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、受光素子によって受光される反射光を用いて情報を再生する再生処理手段を制御することを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。The laser light generated from the laser light source is a laser light for reproducing information recorded on the optical recording medium,
In order to reproduce information recorded on the optical recording medium, further includes a light receiving element for receiving reflected light from the optical recording medium,
2. The laser device according to claim 1, wherein the control unit controls the reproduction processing unit that reproduces information using the reflected light received by the light receiving element based on the detected temperature detected by the temperature detection unit. .

温度検出素子は、抵抗素子であることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。The laser device according to claim 2, wherein the temperature detection element is a resistance element.

温度検出素子は抵抗素子であり、抵抗素子の一方の端子は、集積回路体内で一定の電位が与えられることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。4. The laser device according to claim 2, wherein the temperature detection element is a resistance element, and one terminal of the resistance element is supplied with a constant potential in the integrated circuit.

温度検出素子は、ダイオードであることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。The laser device according to claim 2, wherein the temperature detection element is a diode.

温度検出素子はダイオードであり、ダイオードの一方の端子は、集積回路体内で一定の電位が与えられることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。4. The laser device according to claim 2, wherein the temperature detecting element is a diode, and one terminal of the diode is supplied with a constant potential in the integrated circuit.

温度検出手段は、温度特性が相互に異なる２つの抵抗素子を有し、各抵抗素子は、相互に異なる電位が与えられる部位間に直列に接続されることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。The temperature detecting means includes two resistance elements having mutually different temperature characteristics, and each resistance element is connected in series between portions to which mutually different electric potentials are applied. 3. The laser device according to 3.

温度検出手段は、情報の再生用の前記受光素子とは異なる受光素子と抵抗素子とを有し、これら受光素子と抵抗素子とは、相互に異なる電位が与えられる部位間に直列に接続されることを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。The temperature detecting means has a light receiving element and a resistance element different from the light receiving element for reproducing information, and the light receiving element and the resistance element are connected in series between portions to which different potentials are applied. The laser device according to claim 2 or 3, wherein:

温度検出手段は、
接地電位が与えられる接地部位および正の定電位が与えられる定電位部位間に、直列に接続され、相互に同一の温度特性を有する第１〜第３抵抗素子と、
最も定電位部位寄りの第１抵抗素子および中央の第２抵抗素子間の部位にベースが接続され、定電位部位にコレクタが接続されるＮＰＮ形の第１トランジスタと、
第２抵抗素子および最も接地部位寄りの第３抵抗素子間の部位にベースが接続されるＮＰＮ形の第２トランジスタと、
定電位部位および第２トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第３抵抗素子と同一の温度特性を有する第４抵抗素子と、
第１および第２トランジスタのエミッタにコレクタが共通に接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第３トランジスタと、
第３トランジスタのベースに、ベースおよびコレクタが接続され、エミッタが接地部位に接続されるＮＰＮ形の第４トランジスタと、
定電位部位および第４トランジスタのコレクタ間に接続され、第１〜第４抵抗素子と同一の温度特性を有する第５抵抗素子とを有することを特徴とする請求項２または請求項３記載のレーザ装置。The temperature detecting means is
First to third resistance elements connected in series between the ground part to which the ground potential is applied and the constant potential part to which the positive constant potential is applied, and having mutually the same temperature characteristics;
An NPN-type first transistor having a base connected to a portion between the first resistance element closest to the constant potential portion and a second resistance element at the center, and a collector connected to the constant potential portion;
An NPN-type second transistor having a base connected to a portion between the second resistor and the third resistor closest to the ground;
A fourth resistor connected between the constant potential portion and the collector of the second transistor and having the same temperature characteristics as the first to third resistors;
An NPN-type third transistor having a collector commonly connected to the emitters of the first and second transistors, and an emitter connected to a ground portion;
A fourth transistor of an NPN type having a base and a collector connected to a base of the third transistor, and an emitter connected to a ground portion;
4. The laser according to claim 2, further comprising: a fifth resistor connected between the constant potential portion and a collector of the fourth transistor, the fifth resistor having the same temperature characteristic as the first to fourth resistors. apparatus.

少なくとも光記録媒体に記録される情報の再生をするためのレーザ光を発生するレーザ光源と、光記録媒体に記録される情報の再生をするために、光記録媒体からの反射光を受光するための受光素子と、レーザ光源の温度を検出するための温度検出手段と、温度検出手段によって検出される検出温度に基づいて、レーザ光源を制御する光源制御および受光素子によって受光される反射光を用いて情報を再生する再生処理手段を制御する再生制御の少なくともいずれか一方をする制御手段とを含むレーザ装置のための集積回路体であって、
前記受光素子と温度検出手段とが一体に設けられることを特徴とする集積回路体。A laser light source for generating a laser beam for reproducing at least information recorded on the optical recording medium, and a light source for receiving reflected light from the optical recording medium for reproducing information recorded on the optical recording medium A light receiving element, a temperature detecting means for detecting a temperature of the laser light source, and a light source control for controlling the laser light source based on the detected temperature detected by the temperature detecting means, and a reflected light received by the light receiving element. Control means for performing at least one of reproduction control for controlling reproduction processing means for reproducing the information in the integrated circuit body for a laser device,
An integrated circuit body, wherein the light receiving element and the temperature detecting means are provided integrally.