JP2004095924A - マスク、露光装置及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数のマスクを管理して半導体リソグラフィを行う露光装置及び露光方法であって、複数のマスクの管理を効率的に行う方法を提供する。
【解決手段】マスク（パターン原版及びレチクルを含む）の表面に、該マスクの識別符号（バーコード）１４が付されている。該識別符号１４は、該識別符号１４に照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と反射散乱度の低い低散乱部から構成されている。該低散乱部は、該マスクの表面の平滑領域からなり、該高散乱部が、該マスクの表面にエッジ群、あるいは、バーコードに照射されるプローブ光の反射光を読み取る光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で形成されたＬ／Ｓまたは２次元的に配列された市松模様となるエッジ群の形成された領域からなる。
【選択図】 図２
【解決手段】マスク（パターン原版及びレチクルを含む）の表面に、該マスクの識別符号（バーコード）１４が付されている。該識別符号１４は、該識別符号１４に照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と反射散乱度の低い低散乱部から構成されている。該低散乱部は、該マスクの表面の平滑領域からなり、該高散乱部が、該マスクの表面にエッジ群、あるいは、バーコードに照射されるプローブ光の反射光を読み取る光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で形成されたＬ／Ｓまたは２次元的に配列された市松模様となるエッジ群の形成された領域からなる。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路等のリソグラフィに用いる露光装置、これに用いるマスク（パターン原版、レチクルを含む）及び露光方法に関する。特には、多数の異なるマスクを識別するための、読み取りやすい識別符号を有するマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ここでは、感応基板の量産露光に適用が可能な分割転写方式の電子線露光装置を例にとって説明する。
近年、半導体集積回路のさらなる小線幅化を追求すべく、ウェハ量産処理にも対応できるほどにスループットの高い電子線露光装置の開発が進められている。電子線を用いた露光装置としては、従来は、一筆書き方式のものが一般的である。ところが、一筆書き方式の電子線露光は量産には適さないので、原版パターンをマスク（レチクルを含む）上に形成し、このパターンをウェハ上に縮小投影転写する電子線露光装置の開発が進められている。
【０００３】
図１は、分割転写方式の電子線露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系を示す模式図である。
光学系の最上流に配置された電子銃１から図１の下方に向けて照射された電子線は、コンデンサレンズ２及び３によって収束され、プランキンク開口７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【０００４】
コンデンサレンズ３の下に配置されている矩型開口（照射ビーム形成開口）４は、マスク１０にある１つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照射する照明ビームのみを通過させ、レンズ９によってマスク１０に結像される。
【０００５】
ブランキング偏向器５は、必要時に照明ビームを偏向させて、ブランキング開口７の非開口部に当てることにより、ビームがマスク１０に当たらないようにする。
【０００６】
ブランキング開口７の下には、照明ビーム偏向器８が配置されており、この偏向器８は、主に照明ビームを図１のＸ軸方向に順次走査して、照明光学系の視野内にあるマスク１０のサブフィールドの照明を行う。偏向器８の下方に配置された照明レンズ９は、マスク１０上にビーム成形開口４を結像させる。
【０００７】
マスク１０は、光軸垂直面（Ｘ−Ｙ面）内に広がっており（図２参照、後述）、多数のサブフィールドを有する。マスク１０上には、全体として１つの半導体デバイスをなすパターン（チップパターン）が形成されている。マスク１０は、移動可能なマスクステージ１１上に保持される。マスク１０をマスクステージ１１上で光軸に垂直な方向（Ｘ、Ｙ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも、広い領域に広がるマスク上の各サブフィールドを照明することができる。
【０００８】
一般に、電子線露光装置においては、複数のマスクを用いて露光転写を行う。このため、マスク１０上には、識別符号１４が形成されている。この識別符号１４を光学系１３で読み取ることにより（詳細後述）、マスク１０の識別を行い、複数のマスクを管理しながら、転写作業を行う。
【０００９】
マスクステージ１１には、レーザー干渉計を用いた位置検出器１２が敷設されており、マスクステージ１１の位置をリアルタイムで精確に把握することができる。
【００１０】
マスクステージ１１の下方には、投影レンズ１５及び１９を含む投影光学系が設けられており、マスク１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９、偏向器１６によってウェハ２３上の所定の位置に結像される。ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、マスク１０上のパターンが縮小されてウェハ２３上に転写される。
【００１１】
マスク１０とウェハ２３の間を縮小比率で内分する点にクロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、同Ｃ．Ｏ．の位置には、コントラスト開口１８が設けられている。コントラスト開口１８は、マスク１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないように遮断する。
【００１２】
ウェハ２３の上部には反射電子検出器２２が配置されていて、ウェハ２３の被露光面や、ステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えば、マスク１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、その際マークから反射される電子を検出することにより、マスク１０とウェハ２３との相対的位置関係を知ることができる。
【００１３】
ウェハ２３は、静電チャック（図１には示されていない）を介して、Ｘ、Ｙ方向に移動可能なウェハステージ２４上に搭載されている。上記マスクステージ１１とウェハステージ２４とを互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ２４上にも、上述のマスクステージ１１と同様の位置検出器２５が装備されている。
【００１４】
上記各レンズ２、３、９、１５、１９及び各偏向器５、８、１６は、各々のコイル電源制御部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介してコントローラ３１により制御される。また、マスクステージ１１及びウェハステージ２４も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１によって制御される。ステージ位置検出器１２、１５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェイス１２ａ、２５ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も、同様のインターフェイス２２ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。
【００１５】
コントローラ３１は、ステージ位置の制御誤差や投影ビームの位置誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１６で補正する。これにより、マスク１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に精確に転写される。そして、ウェハ２３上で各サブフィールド像がつなぎ合わされて、マスク上のチップパターン全体がウェハに転写される。
【００１６】
次に、分割式の電子線露光に用いるマスク（図１の１０）について説明する。図２は、電子線露光用のマスクの構成例を示す模式図である。図２（Ａ）は、全体の平面図であり、図２（Ｂ）は、パターン開口領域の一部を示す斜視図であり、図２（Ｃ）は、１つの小メンブレン領域の平面図である。
【００１７】
図２（Ａ）には、マスク１０における全体のパターン分割配置状態が示されている。図２（Ａ）で多数の正方形４１で示される領域が、１つのサブフィールドに対応したパターン領域を含む小メンブレン領域である。同領域４１の厚さは、例えば、１〜２μｍである。図２（Ｃ）に示すように、小メンブレン領域４１は、中央部のパターン領域（サブフィールド）４２と、その周囲の額縁上の非パターン領域（スカート）４３とからなる。サブフィールド４２は、転写すべきパターンの形成された部分である。スカート４３は、パターンの形成されていない部分であり、照明ビームの縁の部分が当たる。パターン形成の形態としては、メンブレンに孔空き部を設けるステンシルタイプと、電子線の高散乱体からなるパターン層をメンブレン上に形成する散乱メンブレンタイプとがある。このメンブレン領域４１の下面がパターン面である。
【００１８】
小メンブレン領域４１の周囲の直交する格子状のグリレージ（マイナーストラットあるいは支持体層）４５と呼ばれる部分は、マスクの機械強度を保つためのいわば梁である。グリレージ４５の厚さは、例えば、０．７ｍｍである。上述の小メンブレン領域４１は、グリレージ４５の下端と同一のレベルで広がっている。図２（Ａ）に示すように、Ｘ方向に多数の小メンブレン領域４１が並んで１つのグループ（エレクトリカルストライプ４４）をなし、そのようなエレクトリカルストライプ４４がＹ方向に多数並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成している。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカルストライプ４９の幅）は、照明光学系の偏向可能な視野の大きさによって制限される。
【００１９】
メカニカルストライプ４９は、Ｘ方向に並列に多数存在する。隣り合うメカニカルストライプ４９の間に示されている幅の太い梁は、マスク全体のたわみを小さく保つためのストラット（メジャーストラットあるいは支持体層）４７である。ストラット４７は、グリレージ４５と一体である。マスク１０の外周縁部５０は円形であり、グリレージ４５やストラット４７と同じ厚さである。
【００２０】
図２（Ａ）に示す左端のストライプ４９のさらに左側には、Ｙ方向に延びる帯状の識別符号１４が設けられている。この識別符号１４を利用してマスクを識別することにより、複数のマスクの管理をスムースに行うことができる。上述のようなマークとしては、バーコードのようなものを用いるのが適当と考えられる。
【００２１】
この識別符号（以下、バーコードとも書く）１４を読み取る光学系（図１の１３）としては、例えば、赤色ＬＥＤなどの光源を用いてバーコード１４を照射し、その反射散乱される光をレンズでＣＣＤセンサ上に結像させ、画像処理、判別を行う装置が考えられる。
【００２２】
前述の電子線露光装置に用いられるマスク基板１０の素材としては、シリコンやＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）などが考えられる。
【００２３】
シリコンやＤＬＣを素材として用いたマスク基板上に、上述の識別符号あるいはバーコードを作成する仕方としては、マーク部とマーク部以外の部分で反射率の異なる物質を蒸着する方法がある。あるいは、基板上に段差を形成することで、バーコードを作成することが考えられる。ところが、この場合、バーコード部と他の部分とに反射率の異なる物質を蒸着する工程が増えることとなり、マスク基板の作成に余計なコストがかかる。
【００２４】
また、マスク基板上に段差を形成することにより、バーコードを作成する方法もある。図３は、マスク基板上に段差を形成することにより作成したバーコードの一例を示す図である。図３（Ａ）は、バーコードの平面図であり、図３（Ｂ）は、（Ａ）の線分Ｋ−Ｌにおけるバーコードの断面図である。さらに、図３（Ｃ）は、バーコードにプローブ光を照射して、該バーコードによって反射散乱された光を検出した際の検出信号の一例を示す図である。
【００２５】
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、バーコード７２は、マスク基板上に凸部（平坦部）７３と凹部７４とを帯状に複数配置することにより形成されている。このバーコード７２にプローブ光を照射した場合、図３（Ｂ）に示すエッジ部７５ａ、７５ｂ、…、７５ｎのみで照射光が反射散乱する。この反射光を図１の光学系１３を用いて検出することにより、図３（Ｃ）に示す検出信号が得られる。ところが、図３（Ｃ）に明らかなように、検出信号には図３（Ｂ）のエッジ部７５ａ、７５ｂ、…、７５ｎにそれぞれ対応する信号７５ａ’、７５ｂ’、…、７５ｎ’が顕れているのみである。このため、バーコードを正確に読み取るには、信号のコントラストが不十分となる畏れがある。これでは、バーコードを誤認識する可能性もあり、マスクのスムースな管理を行う上で支障をきたしてしまう。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、基板上に識別符号が付されており、複数のマスクを管理するのに適するマスクを提供することを目的とする。また、複数のマスクを使用して半導体リソグラフィを行う露光装置及び露光方法であって、複数のマスクの管理を確実に行うことが可能な露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係るマスクは、感応基板上に露光転写するデバイスパターンを有するマスク（レチクルを含む）であって、該マスクの識別符号が該マスクの表面に付されており、該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなることを特徴とする。
【００２８】
本発明のマスクの識別符号は、上記のように、マスクの基板上に付された識別符号を、低散乱部と、照射されるプローブ光に対する反射散乱度の高い高散乱部とによって構成してある。そのため、識別符号に光学系から光を照射した際に、高散乱部から同部を識別するのに十分な反射光が得られ、光学系において画像処理を行うのに十分なコントラストを得ることができ、確実な識別符号の検出が可能になる。
【００２９】
本発明のマスクにおいては、前記低散乱部が、該マスクの表面の平滑領域からなり、前記高散乱部が、該マスクの表面に形成されたエッジ群の密集領域からなるものとすることができる。
【００３０】
荷電粒子線露光装置において用いられるマスク基板１の素材としては、シリコンやＤＬＣなどが用いられる。
【００３１】
本発明に係るマスクは、該高散乱部が、該識別符号に照射されるプローブ光の反射光を読み取る光学系の解像限界以下の線幅、ピッチ間隔で配列されたライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）または市松模様となる凹凸群の形成された領域からなっていてもよい。
【００３２】
上述のＬ／Ｓや市松模様で形成された高散乱部を有するバーコードは、光学系の解像限界以下の線幅、ピッチ間隔で配列されているため、Ｌ／Ｓや市松模様の境目を該光学系は読み取ることができない。したがって、バーコード読み取り時の誤認識を予防することができる。
【００３３】
本発明に係る半導体集積回路の露光装置は、マスク（パターン原版、レチクルを含む）上のパターンを感応基板上に転写する露光装置であって、該マスクは、その識別符号が前記マスクの表面に付されており、該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなり、該低散乱部が、前記マスクの表面の平滑領域からなり、前記高散乱部が、前記マスクの表面に形成されたエッジ群の密集領域からなり、前記マスクの識別符号にプローブ光を照射する光学系と、前記識別符号から反射散乱された光を読み取る光学系と、を具備することを特徴とする。
【００３４】
本発明に係る露光装置は、前述の本発明に係るマスクを用いるため、識別符号の検出の際に、高コントラストの画像を得ることができ、確度の高い識別符号の検出が可能となる。したがって、複数のマスクの管理を確実かつ容易に行えることとなり、半導体基板の露光作業の効率化を達成することができる。
【００３５】
本発明に係る半導体集積回路の露光方法は、デバイスパターン原版である複数のマスク（レチクルを含む）の管理を行いながら、該マスク上のパターンを感応基板上に転写する露光方法であって、該複数のマスクを識別するための識別符号が前記各マスクの表面に付されており、該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなり、該低散乱部が、前記マスクの表面の平滑領域からなり、前記高散乱部が、前記マスクの表面に形成されたエッジ群の密集領域からなっており、前記識別符号に対してプローブ光を照射し、前記識別符号から反射散乱された光を読み取って、前記複数のマスクを識別することを特徴とする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００３７】
図４は、本発明に係るマスクに付されているバーコードの平面図である。図５（Ａ）及び（Ｂ）は、図４の線分Ｍ−Ｎにおけるバーコードの拡大断面図である。
【００３８】
図５に示すように、本発明のバーコード８２は、マスク基板の表面の平滑領域８３とエッジ群の密集領域８４とからなっている。前記平滑領域８３は、照射光を反射散乱するエッジ部の存在しない低散乱部８３である。前記エッジ群の密集領域８４は、照射光を良く散乱する高散乱部８４である。両領域８３及び８４は、帯状に交互に配置されてバーコード８２を構成している。
【００３９】
この高散乱部８４に形成されるエッジ群８５は、図５（Ａ）に示すように、マスクの表面から溝８６を垂直に掘り込んで形成してもよいし、図５（Ｂ）に示すように、Ｖ字状の溝８６’を掘り込んで形成してもよい。いずれにしても、照射されるプローブ光を反射散乱するエッジ８５、８５’の群が高散乱部８４に密集して多く形成されるようにする。
【００４０】
図５（Ｃ）は、図５（Ａ）に示すバーコード８２にプローブ光を照射して、該バーコード８２によって反射散乱された光を検出した際の検出信号の一例を示す図である。図５（Ｃ）に示す検出信号は、低散乱部８３に対応する信号の検出されない部分８３ｓと、高散乱部８４のエッジ８５の群に反射された反射光によって、検出信号が多く密集している部分８４ｓとに分かれている。したがって、低散乱部８３に対して、高散乱部８４が高輝度の領域として検出されることとなり、バーコード８２を検出するために十分なコントラストを得ることが可能になる。
【００４１】
本発明によると、バーコードを低散乱部８３と高散乱部８４とに分けることにより、図３の場合と比して、図４に示すバーコード画像８１のように、バーコードを検出するのに十分な、高コントラストのバーコードの画像を検出できるようになる。したがって、光学系１３によるバーコードの誤認識を招くことなく、複数のマスクの管理をスムースに行うことが可能になる。
【００４２】
さらに、図４及び図５に示すバーコードにおいては、該高散乱部８４は、バーコード８２に照射されるプローブ光の反射光を読み取る光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で配列されたライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）となるエッジ群の形成された領域からなっていてもよい。
【００４３】
この場合、エッジ群は、光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で配列されているため、該光学系はＬ／Ｓの境目を読み取ることができない。したがって、バーコード読み取り時の誤認識を予め防止することができる。
【００４４】
また、本発明に係るバーコードにおいては、高散乱部が、該バーコードに照射されるプローブ光の反射光を読み取る光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で、２次元的に配列された市松模様を呈するエッジ群の形成された領域からなっていてもよい。
【００４５】
図６は、本発明に係るマスクに付されているバーコードを示す平面図であり、図７は、図６に示すバーコードの高散乱部９４の一部を拡大して示す斜視図である。
この場合、高散乱部９４のエッジ群の形状は、図７（Ａ）に示すように、角柱が並んでいるように形成されていてもよいし、図７（Ｂ）に示すように、錐が並んでいるように形成されていてもよい。いずれにしても、照射されるプローブ光を反射散乱するエッジ群が高散乱部９４に密集して多く形成されるようにする。
【００４６】
図４及び図５に示すバーコードにおいては、線分Ｍ−Ｎに平行な方向（図７に示すＸ方向に相当）にエッジ群を多く形成したのに対し、上記の市松模様を形成した場合は、高散乱部９４に、図７に示すＸ方向とＹ方向の両方に多数のエッジ群を密集して形成することにより、高散乱部９４の輝度をより高めている。これにより、バーコードの検出に必要十分な、高コントラストのバーコードの画像を得ることが可能になる。
【００４７】
この場合も、エッジ群は、光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で配列されているため、該光学系は上記の市松模様の境目を読み取ることができない。したがって、バーコード読み取り時の誤認識を予め防止することができる。
【００４８】
また、この高散乱部８４及び９４に形成されるエッジ部の線幅・ピッチ間隔は、Ｌ／Ｓ及び市松模様のいずれの場合も、可能な限り細いほうが望ましい。よって、バーコードリーダの光学系の解像限界やＣＣＤの分解能を考慮して、できるだけ細かく設定するようにするとよい。
【００４９】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によると、マスク上に付されたバーコードをそのバーよりも細い線幅で、Ｌ／Ｓあるいは市松模様に分割することにより、該バーコードに照射されるプローブ光を反射散乱するエッジ部の密集した領域を形成することにより、高散乱部と低散乱部との間のコントラストを高めることができる。これにより、バーコードリーダの光学系上にバーコードの検出に十分な、高コントラストのバーコードの画像を得ることが可能になる。
【００５０】
また、該高散乱部において、エッジ群を光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で配列した場合、該光学系は上記のＬ／Ｓや市松模様の境目を読み取ることができないので、バーコード読み取り時の光学系によるバーコードの誤認識を予め防止することができる。
【００５１】
したがって、本発明によれば、確度の高いバーコードの検出を行うことができるので、複数のマスクを用いて半導体リソグラフィを行う露光装置において、該複数のマスクの管理を確実かつ容易に行うことができ、これにより、転写露光の作業の効率化を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】分割転写方式の電子線露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系を示す模式図である。
【図２】電子線露光用のマスクの構成例を示す模式図である。（Ａ）は、マスク全体の平面図である。（Ｂ）は、パターン開口領域の一部を示す斜視図である。（Ｃ）は、１つの小メンブレン領域の平面図である。
【図３】マスク基板上に段差を形成することにより作成したバーコードの一例を示す図である。（Ａ）は、バーコードの平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の線分Ｋ−Ｌにおけるバーコードの断面図である。（Ｃ）は、（Ａ）に示すバーコードにプローブ光を照射して、該バーコードによって反射散乱された光を検出した際の検出信号の一例を示す図である。
【図４】本発明に係るマスクに付されているバーコードの平面図である。
【図５】（Ａ）は、本発明に係るマスクに付されているバーコードの形状の一例を示す断面図である。（Ｂ）は、本発明に係るマスクに付されているバーコードの形状の別の例を示す断面図である。（Ｃ）は、（Ａ）に示すバーコードにプローブ光を照射して、該バーコードによって反射散乱された光を検出した際の検出信号の一例を示す図である。
【図６】本発明に係るマスクに付されているバーコードを示す平面図である。
【図７】図６に示すバーコードの高散乱部９４の一部を拡大して示す斜視図である。（Ａ）は、高散乱部の形状の一例を示す断面斜視図である。（Ｂ）は、高散乱部の形状の別の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 電子銃
２、３ コンデンサレンズ
２ａ、３ａ 各々２、３のコイル電源制御部
４ 矩型開口（照射ビーム形成開口）
５ ブランキング偏向器
５ａ ５のコイル電源制御部
７ ブランキング開口
８ 照明ビーム偏向器
８ａ ８のコイル電源制御部
９ 照明レンズ
９ａ ９のコイル電源制御部
１０ マスク
１１ マスクステージ
１１ａ １１のコイル電源制御部
１２ 位置検出器
１２ａ １２のコイル電源制御部
１３ 識別符号読み取り光学系（バーコードリーダ）
１４ 識別符号（バーコード）
１５、１９ 投影レンズ
１５ａ、１９ａ 各々１５、１９のコイル電源制御部
１６ 位置調整偏向器
１６ａ １６のコイル電源制御部
１８ コントラスト開口
２２ 反射電子検出器
２２ａ ２２のコイル電源制御部
２３ ウェハ
２４ ウェハステージ
２４ａ ２４のコイル電源制御部
２５ 位置検出器
２５ａ ２５のコイル電源制御部
３１ コントローラ
４１ 小メンブレン領域
４２ パターン領域（サブフィールド）
４３ 非パターン領域（スカート）
４４ エレクトリカルストライプ
４５ グリレージ
４７ ストラット
４９ メカニカルストライプ
５０ マスクの外周縁部
８１、９１ バーコードリーダが検出したバーコード画像
７２、８２、８２’、９２ バーコード
７３ 段差として形成されたバーコードの凸部（平坦部）
７４ 段差として形成されたバーコードの凹部
７５ａ、７５ｂ、…、７５ｎ、８５、８５’ エッジ部
７５ａ’、７５ｂ’、…７５ｎ’ エッジ部７５ａ、７５ｂ、…、７５ｎにそれぞれ対応する検出信号
８３ 低散乱部
８３ｓ 低散乱部８３に対応する検出信号の部分
８４、８４’、９４ 高散乱部
８４ｓ 高散乱部８４に対応する検出信号の部分
８６ 平坦部
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路等のリソグラフィに用いる露光装置、これに用いるマスク（パターン原版、レチクルを含む）及び露光方法に関する。特には、多数の異なるマスクを識別するための、読み取りやすい識別符号を有するマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ここでは、感応基板の量産露光に適用が可能な分割転写方式の電子線露光装置を例にとって説明する。
近年、半導体集積回路のさらなる小線幅化を追求すべく、ウェハ量産処理にも対応できるほどにスループットの高い電子線露光装置の開発が進められている。電子線を用いた露光装置としては、従来は、一筆書き方式のものが一般的である。ところが、一筆書き方式の電子線露光は量産には適さないので、原版パターンをマスク（レチクルを含む）上に形成し、このパターンをウェハ上に縮小投影転写する電子線露光装置の開発が進められている。
【０００３】
図１は、分割転写方式の電子線露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系を示す模式図である。
光学系の最上流に配置された電子銃１から図１の下方に向けて照射された電子線は、コンデンサレンズ２及び３によって収束され、プランキンク開口７にクロスオーバーＣ．Ｏ．を結像する。
【０００４】
コンデンサレンズ３の下に配置されている矩型開口（照射ビーム形成開口）４は、マスク１０にある１つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照射する照明ビームのみを通過させ、レンズ９によってマスク１０に結像される。
【０００５】
ブランキング偏向器５は、必要時に照明ビームを偏向させて、ブランキング開口７の非開口部に当てることにより、ビームがマスク１０に当たらないようにする。
【０００６】
ブランキング開口７の下には、照明ビーム偏向器８が配置されており、この偏向器８は、主に照明ビームを図１のＸ軸方向に順次走査して、照明光学系の視野内にあるマスク１０のサブフィールドの照明を行う。偏向器８の下方に配置された照明レンズ９は、マスク１０上にビーム成形開口４を結像させる。
【０００７】
マスク１０は、光軸垂直面（Ｘ−Ｙ面）内に広がっており（図２参照、後述）、多数のサブフィールドを有する。マスク１０上には、全体として１つの半導体デバイスをなすパターン（チップパターン）が形成されている。マスク１０は、移動可能なマスクステージ１１上に保持される。マスク１０をマスクステージ１１上で光軸に垂直な方向（Ｘ、Ｙ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも、広い領域に広がるマスク上の各サブフィールドを照明することができる。
【０００８】
一般に、電子線露光装置においては、複数のマスクを用いて露光転写を行う。このため、マスク１０上には、識別符号１４が形成されている。この識別符号１４を光学系１３で読み取ることにより（詳細後述）、マスク１０の識別を行い、複数のマスクを管理しながら、転写作業を行う。
【０００９】
マスクステージ１１には、レーザー干渉計を用いた位置検出器１２が敷設されており、マスクステージ１１の位置をリアルタイムで精確に把握することができる。
【００１０】
マスクステージ１１の下方には、投影レンズ１５及び１９を含む投影光学系が設けられており、マスク１０の１つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９、偏向器１６によってウェハ２３上の所定の位置に結像される。ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、マスク１０上のパターンが縮小されてウェハ２３上に転写される。
【００１１】
マスク１０とウェハ２３の間を縮小比率で内分する点にクロスオーバーＣ．Ｏ．が形成され、同Ｃ．Ｏ．の位置には、コントラスト開口１８が設けられている。コントラスト開口１８は、マスク１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないように遮断する。
【００１２】
ウェハ２３の上部には反射電子検出器２２が配置されていて、ウェハ２３の被露光面や、ステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えば、マスク１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、その際マークから反射される電子を検出することにより、マスク１０とウェハ２３との相対的位置関係を知ることができる。
【００１３】
ウェハ２３は、静電チャック（図１には示されていない）を介して、Ｘ、Ｙ方向に移動可能なウェハステージ２４上に搭載されている。上記マスクステージ１１とウェハステージ２４とを互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ２４上にも、上述のマスクステージ１１と同様の位置検出器２５が装備されている。
【００１４】
上記各レンズ２、３、９、１５、１９及び各偏向器５、８、１６は、各々のコイル電源制御部２ａ、３ａ、９ａ、１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介してコントローラ３１により制御される。また、マスクステージ１１及びウェハステージ２４も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１によって制御される。ステージ位置検出器１２、１５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェイス１２ａ、２５ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も、同様のインターフェイス２２ａを介して、コントローラ３１に信号を送る。
【００１５】
コントローラ３１は、ステージ位置の制御誤差や投影ビームの位置誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１６で補正する。これにより、マスク１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に精確に転写される。そして、ウェハ２３上で各サブフィールド像がつなぎ合わされて、マスク上のチップパターン全体がウェハに転写される。
【００１６】
次に、分割式の電子線露光に用いるマスク（図１の１０）について説明する。図２は、電子線露光用のマスクの構成例を示す模式図である。図２（Ａ）は、全体の平面図であり、図２（Ｂ）は、パターン開口領域の一部を示す斜視図であり、図２（Ｃ）は、１つの小メンブレン領域の平面図である。
【００１７】
図２（Ａ）には、マスク１０における全体のパターン分割配置状態が示されている。図２（Ａ）で多数の正方形４１で示される領域が、１つのサブフィールドに対応したパターン領域を含む小メンブレン領域である。同領域４１の厚さは、例えば、１〜２μｍである。図２（Ｃ）に示すように、小メンブレン領域４１は、中央部のパターン領域（サブフィールド）４２と、その周囲の額縁上の非パターン領域（スカート）４３とからなる。サブフィールド４２は、転写すべきパターンの形成された部分である。スカート４３は、パターンの形成されていない部分であり、照明ビームの縁の部分が当たる。パターン形成の形態としては、メンブレンに孔空き部を設けるステンシルタイプと、電子線の高散乱体からなるパターン層をメンブレン上に形成する散乱メンブレンタイプとがある。このメンブレン領域４１の下面がパターン面である。
【００１８】
小メンブレン領域４１の周囲の直交する格子状のグリレージ（マイナーストラットあるいは支持体層）４５と呼ばれる部分は、マスクの機械強度を保つためのいわば梁である。グリレージ４５の厚さは、例えば、０．７ｍｍである。上述の小メンブレン領域４１は、グリレージ４５の下端と同一のレベルで広がっている。図２（Ａ）に示すように、Ｘ方向に多数の小メンブレン領域４１が並んで１つのグループ（エレクトリカルストライプ４４）をなし、そのようなエレクトリカルストライプ４４がＹ方向に多数並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成している。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカルストライプ４９の幅）は、照明光学系の偏向可能な視野の大きさによって制限される。
【００１９】
メカニカルストライプ４９は、Ｘ方向に並列に多数存在する。隣り合うメカニカルストライプ４９の間に示されている幅の太い梁は、マスク全体のたわみを小さく保つためのストラット（メジャーストラットあるいは支持体層）４７である。ストラット４７は、グリレージ４５と一体である。マスク１０の外周縁部５０は円形であり、グリレージ４５やストラット４７と同じ厚さである。
【００２０】
図２（Ａ）に示す左端のストライプ４９のさらに左側には、Ｙ方向に延びる帯状の識別符号１４が設けられている。この識別符号１４を利用してマスクを識別することにより、複数のマスクの管理をスムースに行うことができる。上述のようなマークとしては、バーコードのようなものを用いるのが適当と考えられる。
【００２１】
この識別符号（以下、バーコードとも書く）１４を読み取る光学系（図１の１３）としては、例えば、赤色ＬＥＤなどの光源を用いてバーコード１４を照射し、その反射散乱される光をレンズでＣＣＤセンサ上に結像させ、画像処理、判別を行う装置が考えられる。
【００２２】
前述の電子線露光装置に用いられるマスク基板１０の素材としては、シリコンやＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）などが考えられる。
【００２３】
シリコンやＤＬＣを素材として用いたマスク基板上に、上述の識別符号あるいはバーコードを作成する仕方としては、マーク部とマーク部以外の部分で反射率の異なる物質を蒸着する方法がある。あるいは、基板上に段差を形成することで、バーコードを作成することが考えられる。ところが、この場合、バーコード部と他の部分とに反射率の異なる物質を蒸着する工程が増えることとなり、マスク基板の作成に余計なコストがかかる。
【００２４】
また、マスク基板上に段差を形成することにより、バーコードを作成する方法もある。図３は、マスク基板上に段差を形成することにより作成したバーコードの一例を示す図である。図３（Ａ）は、バーコードの平面図であり、図３（Ｂ）は、（Ａ）の線分Ｋ−Ｌにおけるバーコードの断面図である。さらに、図３（Ｃ）は、バーコードにプローブ光を照射して、該バーコードによって反射散乱された光を検出した際の検出信号の一例を示す図である。
【００２５】
図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、バーコード７２は、マスク基板上に凸部（平坦部）７３と凹部７４とを帯状に複数配置することにより形成されている。このバーコード７２にプローブ光を照射した場合、図３（Ｂ）に示すエッジ部７５ａ、７５ｂ、…、７５ｎのみで照射光が反射散乱する。この反射光を図１の光学系１３を用いて検出することにより、図３（Ｃ）に示す検出信号が得られる。ところが、図３（Ｃ）に明らかなように、検出信号には図３（Ｂ）のエッジ部７５ａ、７５ｂ、…、７５ｎにそれぞれ対応する信号７５ａ’、７５ｂ’、…、７５ｎ’が顕れているのみである。このため、バーコードを正確に読み取るには、信号のコントラストが不十分となる畏れがある。これでは、バーコードを誤認識する可能性もあり、マスクのスムースな管理を行う上で支障をきたしてしまう。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、基板上に識別符号が付されており、複数のマスクを管理するのに適するマスクを提供することを目的とする。また、複数のマスクを使用して半導体リソグラフィを行う露光装置及び露光方法であって、複数のマスクの管理を確実に行うことが可能な露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係るマスクは、感応基板上に露光転写するデバイスパターンを有するマスク（レチクルを含む）であって、該マスクの識別符号が該マスクの表面に付されており、該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなることを特徴とする。
【００２８】
本発明のマスクの識別符号は、上記のように、マスクの基板上に付された識別符号を、低散乱部と、照射されるプローブ光に対する反射散乱度の高い高散乱部とによって構成してある。そのため、識別符号に光学系から光を照射した際に、高散乱部から同部を識別するのに十分な反射光が得られ、光学系において画像処理を行うのに十分なコントラストを得ることができ、確実な識別符号の検出が可能になる。
【００２９】
本発明のマスクにおいては、前記低散乱部が、該マスクの表面の平滑領域からなり、前記高散乱部が、該マスクの表面に形成されたエッジ群の密集領域からなるものとすることができる。
【００３０】
荷電粒子線露光装置において用いられるマスク基板１の素材としては、シリコンやＤＬＣなどが用いられる。
【００３１】
本発明に係るマスクは、該高散乱部が、該識別符号に照射されるプローブ光の反射光を読み取る光学系の解像限界以下の線幅、ピッチ間隔で配列されたライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）または市松模様となる凹凸群の形成された領域からなっていてもよい。
【００３２】
上述のＬ／Ｓや市松模様で形成された高散乱部を有するバーコードは、光学系の解像限界以下の線幅、ピッチ間隔で配列されているため、Ｌ／Ｓや市松模様の境目を該光学系は読み取ることができない。したがって、バーコード読み取り時の誤認識を予防することができる。
【００３３】
本発明に係る半導体集積回路の露光装置は、マスク（パターン原版、レチクルを含む）上のパターンを感応基板上に転写する露光装置であって、該マスクは、その識別符号が前記マスクの表面に付されており、該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなり、該低散乱部が、前記マスクの表面の平滑領域からなり、前記高散乱部が、前記マスクの表面に形成されたエッジ群の密集領域からなり、前記マスクの識別符号にプローブ光を照射する光学系と、前記識別符号から反射散乱された光を読み取る光学系と、を具備することを特徴とする。
【００３４】
本発明に係る露光装置は、前述の本発明に係るマスクを用いるため、識別符号の検出の際に、高コントラストの画像を得ることができ、確度の高い識別符号の検出が可能となる。したがって、複数のマスクの管理を確実かつ容易に行えることとなり、半導体基板の露光作業の効率化を達成することができる。
【００３５】
本発明に係る半導体集積回路の露光方法は、デバイスパターン原版である複数のマスク（レチクルを含む）の管理を行いながら、該マスク上のパターンを感応基板上に転写する露光方法であって、該複数のマスクを識別するための識別符号が前記各マスクの表面に付されており、該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなり、該低散乱部が、前記マスクの表面の平滑領域からなり、前記高散乱部が、前記マスクの表面に形成されたエッジ群の密集領域からなっており、前記識別符号に対してプローブ光を照射し、前記識別符号から反射散乱された光を読み取って、前記複数のマスクを識別することを特徴とする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して説明を省略する。
【００３７】
図４は、本発明に係るマスクに付されているバーコードの平面図である。図５（Ａ）及び（Ｂ）は、図４の線分Ｍ−Ｎにおけるバーコードの拡大断面図である。
【００３８】
図５に示すように、本発明のバーコード８２は、マスク基板の表面の平滑領域８３とエッジ群の密集領域８４とからなっている。前記平滑領域８３は、照射光を反射散乱するエッジ部の存在しない低散乱部８３である。前記エッジ群の密集領域８４は、照射光を良く散乱する高散乱部８４である。両領域８３及び８４は、帯状に交互に配置されてバーコード８２を構成している。
【００３９】
この高散乱部８４に形成されるエッジ群８５は、図５（Ａ）に示すように、マスクの表面から溝８６を垂直に掘り込んで形成してもよいし、図５（Ｂ）に示すように、Ｖ字状の溝８６’を掘り込んで形成してもよい。いずれにしても、照射されるプローブ光を反射散乱するエッジ８５、８５’の群が高散乱部８４に密集して多く形成されるようにする。
【００４０】
図５（Ｃ）は、図５（Ａ）に示すバーコード８２にプローブ光を照射して、該バーコード８２によって反射散乱された光を検出した際の検出信号の一例を示す図である。図５（Ｃ）に示す検出信号は、低散乱部８３に対応する信号の検出されない部分８３ｓと、高散乱部８４のエッジ８５の群に反射された反射光によって、検出信号が多く密集している部分８４ｓとに分かれている。したがって、低散乱部８３に対して、高散乱部８４が高輝度の領域として検出されることとなり、バーコード８２を検出するために十分なコントラストを得ることが可能になる。
【００４１】
本発明によると、バーコードを低散乱部８３と高散乱部８４とに分けることにより、図３の場合と比して、図４に示すバーコード画像８１のように、バーコードを検出するのに十分な、高コントラストのバーコードの画像を検出できるようになる。したがって、光学系１３によるバーコードの誤認識を招くことなく、複数のマスクの管理をスムースに行うことが可能になる。
【００４２】
さらに、図４及び図５に示すバーコードにおいては、該高散乱部８４は、バーコード８２に照射されるプローブ光の反射光を読み取る光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で配列されたライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）となるエッジ群の形成された領域からなっていてもよい。
【００４３】
この場合、エッジ群は、光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で配列されているため、該光学系はＬ／Ｓの境目を読み取ることができない。したがって、バーコード読み取り時の誤認識を予め防止することができる。
【００４４】
また、本発明に係るバーコードにおいては、高散乱部が、該バーコードに照射されるプローブ光の反射光を読み取る光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で、２次元的に配列された市松模様を呈するエッジ群の形成された領域からなっていてもよい。
【００４５】
図６は、本発明に係るマスクに付されているバーコードを示す平面図であり、図７は、図６に示すバーコードの高散乱部９４の一部を拡大して示す斜視図である。
この場合、高散乱部９４のエッジ群の形状は、図７（Ａ）に示すように、角柱が並んでいるように形成されていてもよいし、図７（Ｂ）に示すように、錐が並んでいるように形成されていてもよい。いずれにしても、照射されるプローブ光を反射散乱するエッジ群が高散乱部９４に密集して多く形成されるようにする。
【００４６】
図４及び図５に示すバーコードにおいては、線分Ｍ−Ｎに平行な方向（図７に示すＸ方向に相当）にエッジ群を多く形成したのに対し、上記の市松模様を形成した場合は、高散乱部９４に、図７に示すＸ方向とＹ方向の両方に多数のエッジ群を密集して形成することにより、高散乱部９４の輝度をより高めている。これにより、バーコードの検出に必要十分な、高コントラストのバーコードの画像を得ることが可能になる。
【００４７】
この場合も、エッジ群は、光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で配列されているため、該光学系は上記の市松模様の境目を読み取ることができない。したがって、バーコード読み取り時の誤認識を予め防止することができる。
【００４８】
また、この高散乱部８４及び９４に形成されるエッジ部の線幅・ピッチ間隔は、Ｌ／Ｓ及び市松模様のいずれの場合も、可能な限り細いほうが望ましい。よって、バーコードリーダの光学系の解像限界やＣＣＤの分解能を考慮して、できるだけ細かく設定するようにするとよい。
【００４９】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によると、マスク上に付されたバーコードをそのバーよりも細い線幅で、Ｌ／Ｓあるいは市松模様に分割することにより、該バーコードに照射されるプローブ光を反射散乱するエッジ部の密集した領域を形成することにより、高散乱部と低散乱部との間のコントラストを高めることができる。これにより、バーコードリーダの光学系上にバーコードの検出に十分な、高コントラストのバーコードの画像を得ることが可能になる。
【００５０】
また、該高散乱部において、エッジ群を光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で配列した場合、該光学系は上記のＬ／Ｓや市松模様の境目を読み取ることができないので、バーコード読み取り時の光学系によるバーコードの誤認識を予め防止することができる。
【００５１】
したがって、本発明によれば、確度の高いバーコードの検出を行うことができるので、複数のマスクを用いて半導体リソグラフィを行う露光装置において、該複数のマスクの管理を確実かつ容易に行うことができ、これにより、転写露光の作業の効率化を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】分割転写方式の電子線露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系を示す模式図である。
【図２】電子線露光用のマスクの構成例を示す模式図である。（Ａ）は、マスク全体の平面図である。（Ｂ）は、パターン開口領域の一部を示す斜視図である。（Ｃ）は、１つの小メンブレン領域の平面図である。
【図３】マスク基板上に段差を形成することにより作成したバーコードの一例を示す図である。（Ａ）は、バーコードの平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の線分Ｋ−Ｌにおけるバーコードの断面図である。（Ｃ）は、（Ａ）に示すバーコードにプローブ光を照射して、該バーコードによって反射散乱された光を検出した際の検出信号の一例を示す図である。
【図４】本発明に係るマスクに付されているバーコードの平面図である。
【図５】（Ａ）は、本発明に係るマスクに付されているバーコードの形状の一例を示す断面図である。（Ｂ）は、本発明に係るマスクに付されているバーコードの形状の別の例を示す断面図である。（Ｃ）は、（Ａ）に示すバーコードにプローブ光を照射して、該バーコードによって反射散乱された光を検出した際の検出信号の一例を示す図である。
【図６】本発明に係るマスクに付されているバーコードを示す平面図である。
【図７】図６に示すバーコードの高散乱部９４の一部を拡大して示す斜視図である。（Ａ）は、高散乱部の形状の一例を示す断面斜視図である。（Ｂ）は、高散乱部の形状の別の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１ 電子銃
２、３ コンデンサレンズ
２ａ、３ａ 各々２、３のコイル電源制御部
４ 矩型開口（照射ビーム形成開口）
５ ブランキング偏向器
５ａ ５のコイル電源制御部
７ ブランキング開口
８ 照明ビーム偏向器
８ａ ８のコイル電源制御部
９ 照明レンズ
９ａ ９のコイル電源制御部
１０ マスク
１１ マスクステージ
１１ａ １１のコイル電源制御部
１２ 位置検出器
１２ａ １２のコイル電源制御部
１３ 識別符号読み取り光学系（バーコードリーダ）
１４ 識別符号（バーコード）
１５、１９ 投影レンズ
１５ａ、１９ａ 各々１５、１９のコイル電源制御部
１６ 位置調整偏向器
１６ａ １６のコイル電源制御部
１８ コントラスト開口
２２ 反射電子検出器
２２ａ ２２のコイル電源制御部
２３ ウェハ
２４ ウェハステージ
２４ａ ２４のコイル電源制御部
２５ 位置検出器
２５ａ ２５のコイル電源制御部
３１ コントローラ
４１ 小メンブレン領域
４２ パターン領域（サブフィールド）
４３ 非パターン領域（スカート）
４４ エレクトリカルストライプ
４５ グリレージ
４７ ストラット
４９ メカニカルストライプ
５０ マスクの外周縁部
８１、９１ バーコードリーダが検出したバーコード画像
７２、８２、８２’、９２ バーコード
７３ 段差として形成されたバーコードの凸部（平坦部）
７４ 段差として形成されたバーコードの凹部
７５ａ、７５ｂ、…、７５ｎ、８５、８５’ エッジ部
７５ａ’、７５ｂ’、…７５ｎ’ エッジ部７５ａ、７５ｂ、…、７５ｎにそれぞれ対応する検出信号
８３ 低散乱部
８３ｓ 低散乱部８３に対応する検出信号の部分
８４、８４’、９４ 高散乱部
８４ｓ 高散乱部８４に対応する検出信号の部分
８６ 平坦部
Claims (5)
- 感応基板上に露光転写するデバイスパターンを有するマスク（レチクルを含む）であって、
前記マスクの識別符号が前記マスクの表面に付されており、
該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなることを特徴とするマスク。 - 感応基板上に露光転写するデバイスパターンを有するマスク（レチクルを含む）であって、
前記マスクの識別符号が前記マスクの表面に付されており、
該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなり、
前記低散乱部が、前記マスクの表面の平滑領域からなり、
前記高散乱部が、前記マスクの表面に形成されたエッジ群の密集領域からなることを特徴とするマスク。 - 前記高散乱部に、前記プローブ光の反射光を読み取る光学系の解像限界以下の線幅・ピッチ間隔で配列されたライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）、又は、市松模様を呈する凹凸群が形成されていることを特徴とする請求項２記載のマスク。
- マスク（パターン原版、レチクルを含む）上のパターンを感応基板上に転写する露光装置であって、
該マスクは、その識別符号が前記マスクの表面に付されており、該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなり、該低散乱部が、前記マスクの表面の平滑領域からなり、前記高散乱部が、前記マスクの表面に形成されたエッジ群の密集領域からなり、
前記マスクの識別符号にプローブ光を照射する光学系と、
前記識別符号から反射散乱された光を読み取る光学系と、
を具備することを特徴とする露光装置。 - デバイスパターン原版である複数のマスク（レチクルを含む）の管理を行いながら、該マスク上のパターンを感応基板上に転写する露光方法であって、
該複数のマスクを識別するための識別符号が前記各マスクの表面に付されており、ここで、該識別符号が、照射されるプローブ光の反射散乱度の高い高散乱部と、反射散乱度の低い低散乱部とからなり、該低散乱部が、前記マスクの表面の平滑領域からなり、前記高散乱部が、前記マスクの表面に形成されたエッジ群の密集領域からなっており、
前記識別符号に対してプローブ光を照射し、
前記識別符号から反射散乱された光を読み取って、前記複数のマスクを識別することを特徴とする露光方法。
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