JP2004095813A

JP2004095813A - Forming method of wiring structure

Info

Publication number: JP2004095813A
Application number: JP2002254316A
Authority: JP
Inventors: Michio Morita; 森田　倫生
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2002-08-30
Filing date: 2002-08-30
Publication date: 2004-03-25

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming wiring to reduce the frequencies of short-circuiting between the wirings. <P>SOLUTION: A plasma process in which a gas including fluorine and oxygen gas are introduced is performed to a conductive metal film embedded in the cracks between the wirings or such conductive metal film is dissolved and removed by oxidation thereof with an oxidation agent solution and then using chemical solutions for selectively removing the oxide. As a result, the conductive metal film embedded in the cracks can be removed without giving damage on the metal film for wiring and generation frequency of short-circuit between the wirings can also be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置における、配線構造の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の配線構造の形成方法として、特開平１０―２１４８３４号公報に示される方法があった。この従来の配線構造の形成方法を、絶縁膜に形成された配線溝に配線を形成する場合を例にとって、図面を参照しながら説明する。
【０００３】
まず、図６（ａ）に示すように、シリコン基板の上に絶縁膜として、例えば厚さ１μｍのシリコン酸化膜１１を堆積した後、酸化膜１２の所定領域に該酸化膜１２を貫通する、例えば径が０．８μｍの配線溝１３をドライエッチング法により形成する。
【０００４】
次に、配線溝１３を含む酸化膜１２の上に全面に亘ってＰＶＤ法により、下層の導電膜としての膜厚３０ｎｍのチタン膜１４及び中間の導電膜層としての膜厚１００ｎｍの窒化チタン膜１５を順次堆積した後、窒化チタン膜１５の上に全面に亘ってＣＶＤ法により上層の導電膜としての膜厚１μｍのタングステン１６を堆積する。これにより３層構造の導電膜が堆積される。
【０００５】
その後、研磨剤を使用して化学機械研磨法を行って、図６（ｂ）に示すように、配線溝１３以外の領域に堆積されているタングステン膜１６、窒化チタン膜１５を除去することにより、配線溝１３以外の領域のチタン膜１４を完全に露出させる。
【０００６】
続いて、図６（ｃ）に示すように、化学機械研磨によりチタン膜１４を研磨し、配線溝１３以外の酸化膜１２を露出させ、配線溝１３内にタングステンからなるプラグ１７を形成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、配線パタ−ンの微細化に伴い、配線とそれと隣合う配線との間隔（配線間隔）がより狭くなったために、配線間が短絡するという問題が生じてきた。それは、配線が微細構造になるにしたがって配線間の距離も小さくなり、配線形成過程において発生した亀裂が、配線と配線の間をまたがり、擬似的な架橋構造を作ってしまう場合があるためである。
【０００８】
具体的には、図５に示すように、絶縁膜１２２には銅配線１２１が平行に形成されており、配線と配線との間の絶縁膜に亀裂１２３が存在すると、亀裂１２３が配線間の架橋となる場合がある。また、この亀裂１２３に銅が埋め込まれると、配線と配線とが短絡してしまうことがわかる。
【０００９】
そこで本発明は、金属配線間のショート発生頻度を減少させ、高性能な配線形成方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、絶縁膜に第１の配線用溝と前記第１の配線用溝に平行な第２の配線用溝を形成する工程と、第１、第２の配線用溝に配線用導電膜を堆積する工程と、第１、第２の配線用溝からはみ出した、配線用導電膜を除去する工程と、配線用導電膜の表面を酸化させる工程と、酸化させた配線用導電膜を除去する工程と、を備えた配線構造の形成方法を提供する。
【００１１】
これにより、配線間の微小な亀裂中に埋め込まれた金属を酸化することにより酸化物とし、その酸化物を選択的に除去することにより、配線間のショート発生頻度の低減を図ることが出来る。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（実施形態１）
まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板（図示せず）の上に絶縁膜として、例えば厚さ１μｍのシリコン酸化膜１０１を堆積する。次に、シリコン酸化膜１０２の所定領域に該酸化膜１０２を貫通する、例えば径が０．３μｍの配線溝１０３をドライエッチング法により形成する。
【００１４】
次に、図１（ｂ）に示すように、配線溝１０３を含む酸化膜１０２の上に全面に亘ってスパッタ法により、膜厚３０ｎｍの窒化タンタル膜１０４及び膜厚１０ｎｍのタンタル膜１０５を順次堆積した後、タンタル膜１０５の上に全面に亘ってスパッタ法により膜厚１００ｎｍのＣｕ膜１０６を堆積する。その後、メッキ法により、膜厚５００ｎｍのＣｕ膜１０７を堆積する。
【００１５】
続いて、図２（ａ）に示すように、スラリーを用いた化学機械研磨法（ＣＭＰ）を行って、配線溝以外の領域に堆積されているＣｕ膜１０７、Ｃｕ膜１０６、タンタル膜１０５、窒化タンタル膜１０４を除去することにより、Ｃｕ配線１０８を形成する。この際、シリコン酸化膜１０２表面に深さ数十ｎｍ程度の微小な亀裂が形成され、この亀裂中に導電性のＣｕ削りかす１０９が埋め込まれる。
【００１６】
次に、図２（ｂ）に示すように、例えば、酸素流量１０００ｍｌ／ｓｅｃ、マイクロ波出力１０００ｗ、チャンバー圧力２００Ｐａ、ステージ温度２５０℃の条件下で酸素プラズマ処理を、例えば５分行い、Ｃｕ配線１０８表面およびＣｕ削りかす１０９を５０ｎｍ程度酸化し、酸化銅（ＣｕＯ若しくはＣｕ_２Ｏ）１１０を形成する。本工程が、本実施形態の特徴であり、後程詳述する。
【００１７】
その後、図２（ｃ）に示すように、酸化銅を溶解し、銅をほとんど溶解しない薬液（例えば、フッ酸や有機酸）で、酸化銅１１０を溶解除去し、配線構造を完成させる。
【００１８】
ここで、本実施形態の特徴である、酸化銅を形成する工程について説明する。酸化銅を形成する方法としては、主に２つあり、酸素プラズマ処理による方法と、酸化剤等の溶液を用いる方法である。
【００１９】
まず、酸素プラズマ処理による方法について説明する。
【００２０】
本実施形態の酸素プラズマ処理は、プラズマガスとして酸素に加えて、フッ素含有ガス、例えばＣＦ_４ガスを導入する点に特徴がある。本実施形態のようにプラズマ処理時にフッ素含有ガスを導入すると、低温でも比較的速い酸化速度で表面処理（Ｃｕ表面の酸化）を行うことが出来る。
【００２１】
具体的には図３に示すように、ＣＦ_４ガスを用いた場合と用いない場合における、ステージ温度とＣｕ酸化速度（プラズマ処理５分）の関係を示したものである。この図より、Ｃｕを酸化するのに実用的な酸化速度、例えば４０ｎｍ／５ｍｉｎを得るためには、ＣＦ_４ガスを導入しない条件では、ステージ温度が２５０℃であるのに対し、ＣＦ_４ガスを導入する条件では１５０℃の温度で実用的な酸化速度を得られることが分かる。以下、フッ素含有ガスを用いることにより、用いない場合と比較して低い温度で、かつ速い酸化速度が得られる理由について説明する。
【００２２】
まず、プラズマ処理中にＣＦ_４などのフッ素を含んだガスを添加すると、プラズマによってフッ素ラジカル若しくはイオンが発生する。このフッ素ラジカルは電気陰性度が高いため、Ｃｕから容易に電子を抜き取りイオン化し、Ｃｕ−Ｆ結合が形成される。その後、プラズマガス中のＯラジカルもしくはＯイオンがＣｕ−Ｆ結合と反応して、より結合エネルギーが高く安定なＣｕＯ、若しくはＣｕ_２Ｏが容易に形成される。
【００２３】
ここで、電気陰性度の高いフッ素が銅（Ｃｕ）をイオン化する方が、直接ＯラジカルもしくはＯイオンがＣｕ原子を攻撃してＣｕをイオン化するより、より少ないエネルギーでイオン化することが出来る。従って、低いステージ温度であっても、プラズマ処理時にフッ素含有ガスを導入することにより、まず電気陰性度の高いフッ素ラジカルがＣｕをイオン化し、イオン化されたＣｕは直ちにＯイオンと反応し、より安定なＣｕ酸化物を形成することが出来る。
【００２４】
その結果、フッ素含有ガスを用いた場合は、電気陰性度の高いＦラジカルを用いて反応時のエネルギー障壁を低下させ、Ｃｕのイオン化を促進するので、酸素ガスのみ用いた場合と比較して、低いステージ温度でＣｕの酸化速度を速くすることが出来る。例えば、ＣＦ_４ガスを１０ｍｌ／ｓｅｃ添加すると、ステージ温度にもよるが、酸化速度を約２〜５倍に増加することができる。
【００２５】
また、本実施形態によると、Ｃｕ中のＯの拡散係数は非常に大きく、Ｃｕ酸化量の制御が困難な場合においても、一度Ｃｕ−Ｆの結合を形成した後に酸素プラズマ処理により酸化させることにより、Ｃｕ酸化量の制御が可能である。具体的には、電気陰性度の高いＦと結合した部分のＣｕが優先的に酸化され、Ｆとの結合が多いＣｕ部分を制御性良く酸化することができる。
【００２６】
その結果、図２（ｃ）に示すように、Ｃｕ配線１０８の膜厚を制御することが可能であり、Ｃｕ配線の膜減りや配線抵抗のばらつきを増大するのを防ぐことが出来る。
【００２７】
次に、酸化剤等の溶液を用いる方法について説明する。
【００２８】
酸化剤溶液を用いて亀裂中に埋め込まれたＣｕ等を除去する場合は、配線溝からはみ出したＣｕ膜を除去するＣＭＰ工程後、配線表面を洗浄する工程前に行う。酸化剤としては、濃度約１％の過酸化水素水、濃度約１０ｐｐｍのオゾン水等が用いられる。
【００２９】
このように酸化剤溶液を用いて、配線間の亀裂に埋め込まれたＣｕを酸化すると、基板表面や絶縁膜に傷等の物理的なダメージを与えることなく、不要な部分の酸化を行うことが出来る。
【００３０】
また、酸化剤溶液を用いて酸化する工程は、洗浄工程とほぼ同様の仕様で行うことが出来るため、短時間かつ簡単な手順で行うことが出来る。
【００３１】
その結果、より簡便な方法で、かつ絶縁膜等にダメージを与えることなく酸化銅を形成することが出来る。
【００３２】
最後に、本実施形態と従来例を比較した結果を示す。
【００３３】
図４に、本発明の実施形態で示した方法と従来技術を用いた方法をそれぞれ用いて、０．４μｍピッチの配線テストパターンの欠陥密度を電気的に測定した結果を示す。この結果より、本発明の場合は欠陥密度が０．１個／ｃｍ^２であるのに対し、従来方法の場合は欠陥密度が、１０個／ｃｍ^２であり、本発明により大きく欠陥密度の発生を減少させられることがわかる。つまり本発明を用いると、実用上十分な歩留まりが得られる欠陥密度０．５個／ｃｍ^２以下を達成することが出来る。
【００３４】
以上実施形態によると、配線間の微小な亀裂中に埋め込まれた金属を、プラズマ若しくは酸化剤溶液を用いて酸化し、形成された酸化物を選択的に除去することにより、配線間のショート発生頻度の低減を図ることが出来る。特に配線パタ−ンの微細化に伴い、配線とその配線に平行に配置された配線との距離が近接していくにしたがって、配線間ショートの問題が顕著になる。配線間距離が０．２５μｍ以下になってくると、この問題が更に顕著となり、本実施形態の方法による配線間ショート問題への効果は大きくなる。
【００３５】
【発明の効果】
以上本発明では、配線間の亀裂に埋め込まれた導電性金属膜を酸化し、酸化した金属膜を選択的に除去する。その結果、酸化されない配線用金属膜を傷つけることなく、配線間の亀裂に埋め込まれた導電性金属膜を除去することが出来、配線間ショートの発生頻度の低減を図ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の工程断面図
【図２】本発明の実施形態の工程断面図
【図３】ＣＦ_４とステージ温度に対するＣｕ酸化速度を示す図
【図４】本発明と従来例の配線欠陥密度を示す図
【図５】配線間ショートを示す図
【図６】従来例の工程断面図
【符号の説明】
１０１　シリコン酸化膜
１０２　シリコン酸化膜
１０３　配線溝
１０４　窒化タンタル膜
１０５　タンタル膜
１０６　Ｃｕ膜
１０７　Ｃｕ膜
１０８　Ｃｕ配線
１０９　Ｃｕ削りかす
１１０　酸化銅[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for forming a wiring structure in a semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
As a conventional method for forming a wiring structure, there is a method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-214834. This conventional method for forming a wiring structure will be described with reference to the drawings, taking as an example a case where a wiring is formed in a wiring groove formed in an insulating film.
[0003]
First, as shown in FIG. 6A, a silicon oxide film 11 having a thickness of, for example, 1 μm is deposited as an insulating film on a silicon substrate, and then penetrates the oxide film 12 in a predetermined region of the oxide film 12. For example, a wiring groove 13 having a diameter of 0.8 μm is formed by a dry etching method.
[0004]
Next, a 30 nm-thick titanium film 14 as a lower conductive film and a 100 nm-thick titanium nitride film as an intermediate conductive film are entirely formed on the oxide film 12 including the wiring groove 13 by PVD. After sequentially depositing the tungsten, a 1 μm-thick tungsten 16 as an upper conductive film is deposited over the entire surface of the titanium nitride film 15 by a CVD method. Thus, a conductive film having a three-layer structure is deposited.
[0005]
Thereafter, a chemical mechanical polishing method is performed using an abrasive to remove the tungsten film 16 and the titanium nitride film 15 deposited in the region other than the wiring groove 13 as shown in FIG. Then, the titanium film 14 in the region other than the wiring groove 13 is completely exposed.
[0006]
Subsequently, as shown in FIG. 6C, the titanium film 14 is polished by chemical mechanical polishing to expose the oxide film 12 other than the wiring groove 13, and a plug 17 made of tungsten is formed in the wiring groove 13.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, with the miniaturization of the wiring pattern, the distance between the wiring and the wiring adjacent thereto (the wiring distance) has become narrower, so that a problem has arisen that the wiring is short-circuited. This is because the distance between the wirings becomes smaller as the wiring becomes finer, and the cracks generated in the wiring formation process may straddle between the wirings and form a pseudo bridge structure. .
[0008]
Specifically, as shown in FIG. 5, a copper wiring 121 is formed in parallel with the insulating film 122, and if a crack 123 exists in the insulating film between the wirings, the crack 123 is formed between the wirings. It may be cross-linked. Further, it can be seen that when copper is buried in the crack 123, the wiring is short-circuited.
[0009]
Therefore, an object of the present invention is to provide a high-performance wiring forming method by reducing the frequency of occurrence of short circuits between metal wirings.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problem, in the present invention, a step of forming a first wiring groove and a second wiring groove parallel to the first wiring groove in an insulating film; Depositing a wiring conductive film in the wiring groove, removing the wiring conductive film protruding from the first and second wiring grooves, oxidizing the surface of the wiring conductive film, And a step of removing the wiring conductive film that has been made.
[0011]
This makes it possible to reduce the frequency of short-circuits between the wirings by oxidizing the metal embedded in the minute cracks between the wirings to form oxides and selectively removing the oxides.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0013]
(Embodiment 1)
First, as shown in FIG. 1A, a silicon oxide film 101 having a thickness of, for example, 1 μm is deposited as an insulating film on a silicon substrate (not shown). Next, a wiring groove 103 having a diameter of, for example, 0.3 μm penetrating the oxide film 102 is formed in a predetermined region of the silicon oxide film 102 by a dry etching method.
[0014]
Next, as shown in FIG. 1B, a 30 nm-thick tantalum nitride film 104 and a 10 nm-thick tantalum film 105 are sequentially formed on the entire surface of the oxide film 102 including the wiring groove 103 by a sputtering method. After the deposition, a 100 nm-thick Cu film 106 is deposited over the entire surface of the tantalum film 105 by sputtering. Thereafter, a Cu film 107 having a thickness of 500 nm is deposited by plating.
[0015]
Subsequently, as shown in FIG. 2A, a chemical mechanical polishing method (CMP) using a slurry is performed to deposit a Cu film 107, a Cu film 106, a tantalum film 105, By removing the tantalum nitride film 104, a Cu wiring 108 is formed. At this time, minute cracks having a depth of about several tens of nm are formed on the surface of the silicon oxide film 102, and conductive Cu shavings 109 are embedded in the cracks.
[0016]
Next, as shown in FIG. 2B, oxygen plasma processing is performed, for example, for 5 minutes under the conditions of an oxygen flow rate of 1000 ml / sec, a microwave output of 1000 w, a chamber pressure of 200 Pa, and a stage temperature of 250 ° C., for example, for 5 minutes. The surface 108 and the Cu shavings 109 are oxidized by about 50 nm to form copper oxide (CuO or Cu ₂ O) 110. This step is a feature of the present embodiment, and will be described later in detail.
[0017]
Thereafter, as shown in FIG. 2C, the copper oxide 110 is dissolved and removed with a chemical solution (for example, hydrofluoric acid or an organic acid) that hardly dissolves copper, thereby completing the wiring structure.
[0018]
Here, a process of forming copper oxide, which is a feature of the present embodiment, will be described. There are mainly two methods for forming copper oxide, a method using oxygen plasma treatment and a method using a solution such as an oxidizing agent.
[0019]
First, a method using oxygen plasma processing will be described.
[0020]
The oxygen plasma treatment of this embodiment is characterized in that a fluorine-containing gas, for example, a CF ₄ gas is introduced as a plasma gas in addition to oxygen. When a fluorine-containing gas is introduced during the plasma treatment as in this embodiment, the surface treatment (oxidation of the Cu surface) can be performed at a relatively high oxidation rate even at a low temperature.
[0021]
Specifically, as shown in FIG. 3, the relationship between the stage temperature and the Cu oxidation rate (plasma treatment for 5 minutes) is shown when CF ₄ gas is used and when it is not used. From this figure, in order to obtain a practical oxidation rate for oxidizing Cu, for example, 40 nm / 5 min, under the condition that CF ₄ gas is not introduced, the stage temperature is 250 ° C. and the CF ₄ gas is It can be seen that a practical oxidation rate can be obtained at a temperature of 150 ° C. under the conditions of introduction. Hereinafter, the reason why a higher oxidation rate can be obtained at a lower temperature by using a fluorine-containing gas than when not using the gas will be described.
[0022]
First, when a gas containing fluorine such as CF ₄ is added during the plasma processing, fluorine radicals or ions are generated by the plasma. Since the fluorine radical has a high electronegativity, electrons are easily extracted from Cu and ionized, and a Cu—F bond is formed. Thereafter, O radicals or O ions in the plasma gas react with the Cu—F bond, and stable CuO or Cu ₂ O having higher binding energy is easily formed.
[0023]
Here, it is possible to ionize Cu (Cu) with less energy when fluorine having a high electronegativity ionizes copper (Cu) than when ionizing Cu by directly attacking Cu atoms by O radicals or O ions. Therefore, even when the stage temperature is low, by introducing a fluorine-containing gas during plasma processing, first, fluorine radicals having a high electronegativity ionize Cu, and the ionized Cu immediately reacts with O ions, and becomes more stable. Cu oxide can be formed.
[0024]
As a result, when the fluorine-containing gas is used, the energy barrier at the time of the reaction is lowered by using F radicals having a high electronegativity, and the ionization of Cu is promoted. The oxidation rate of Cu can be increased at a low stage temperature. For example, when CF ₄ gas is added at 10 ml / sec, the oxidation rate can be increased about 2 to 5 times, depending on the stage temperature.
[0025]
Further, according to the present embodiment, the diffusion coefficient of O in Cu is very large, and even when it is difficult to control the amount of Cu oxidation, it is possible to oxidize by oxygen plasma treatment after forming a Cu-F bond once. And the amount of Cu oxidation can be controlled. Specifically, Cu in a portion bonded to F having a high electronegativity is preferentially oxidized, and a Cu portion having many bonds to F can be oxidized with good controllability.
[0026]
As a result, as shown in FIG. 2C, it is possible to control the thickness of the Cu wiring 108, and it is possible to prevent a reduction in the thickness of the Cu wiring and an increase in wiring resistance variation.
[0027]
Next, a method using a solution such as an oxidizing agent will be described.
[0028]
When Cu or the like embedded in the crack is removed using an oxidizing agent solution, the removal is performed after the CMP step of removing the Cu film protruding from the wiring groove and before the step of cleaning the wiring surface. As the oxidizing agent, aqueous hydrogen peroxide having a concentration of about 1%, ozone water having a concentration of about 10 ppm, or the like is used.
[0029]
By oxidizing Cu embedded in cracks between wirings using an oxidizing agent solution, unnecessary portions can be oxidized without physically damaging the substrate surface or the insulating film. I can do it.
[0030]
In addition, the step of oxidizing using the oxidizing agent solution can be performed with almost the same specifications as the cleaning step, and thus can be performed in a short time and with a simple procedure.
[0031]
As a result, copper oxide can be formed by a simpler method and without damaging the insulating film or the like.
[0032]
Finally, a result of comparison between the present embodiment and a conventional example will be described.
[0033]
FIG. 4 shows the results of electrically measuring the defect density of a wiring test pattern having a pitch of 0.4 μm by using the method shown in the embodiment of the present invention and the method using the conventional technique. From these results, the defect density is 0.1 defects / cm ² in the case of the present invention, while the defect density is 10 defects / cm ² in the case of the conventional method. It can be seen that can be reduced. That is, when the present invention is used, a defect density of 0.5 / cm ² or less at which a practically sufficient yield can be obtained can be achieved.
[0034]
According to the above embodiment, the metal embedded in the minute cracks between the wirings is oxidized by using plasma or an oxidizing agent solution, and the formed oxide is selectively removed, thereby causing a short circuit between the wirings. Frequency can be reduced. In particular, with the miniaturization of wiring patterns, the problem of short-circuiting between wirings becomes more prominent as the distance between wirings and wirings arranged in parallel to the wirings becomes closer. When the inter-wiring distance becomes 0.25 μm or less, this problem becomes more remarkable, and the effect of the method of the present embodiment on the inter-wiring short problem increases.
[0035]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, the conductive metal film embedded in the cracks between the wirings is oxidized, and the oxidized metal film is selectively removed. As a result, the conductive metal film embedded in the cracks between the wirings can be removed without damaging the wiring metal film that is not oxidized, and the frequency of short-circuits between the wirings can be reduced.
[Brief description of the drawings]
Figure 4 shows the Figure 1 shows the Cu oxidation rate for the process cross-sectional view [FIG 3] CF ₄ and the stage temperature embodiment of process cross-sectional view the present invention; FIG embodiment of the present invention present invention and the conventional FIG. 5 is a diagram showing an example of a wiring defect density. FIG. 5 is a diagram showing a short circuit between wirings. FIG. 6 is a process sectional view of a conventional example.
Reference Signs List 101 silicon oxide film 102 silicon oxide film 103 wiring groove 104 tantalum nitride film 105 tantalum film 106 Cu film 107 Cu film 108 Cu wiring 109 Cu shavings 110 copper oxide

Claims

絶縁膜に第１の配線用溝と前記第１の配線用溝に平行な第２の配線用溝を形成する工程と、
前記第１、第２の配線用溝に配線用導電膜を堆積する工程と、
前記第１、第２の配線用溝からはみ出した、前記配線用導電膜を除去する工程と、
前記配線用導電膜の表面を酸化する工程と、
酸化させた前記配線用導電膜を除去する工程と、を備えた配線構造の形成方法。Forming a first wiring groove and a second wiring groove parallel to the first wiring groove in the insulating film;
Depositing a wiring conductive film in the first and second wiring grooves;
Removing the conductive film for wiring protruding from the first and second wiring grooves;
Oxidizing the surface of the conductive film for wiring;
Removing the oxidized conductive film for wiring, the method comprising forming a wiring structure.

前記配線用導電膜の表面を酸化する工程において、酸素プラズマ処理を用いることを特徴とする、請求項１記載の配線構造の形成方法。2. The method for forming a wiring structure according to claim 1, wherein in the step of oxidizing the surface of the wiring conductive film, an oxygen plasma treatment is used.

前記配線用導電膜の表面を酸化する工程において、酸素ガスにフッ素含有ガスを添加したプラズマ処理を行うことを特徴とする、請求項２記載の配線構造の形成方法。3. The method for forming a wiring structure according to claim 2, wherein in the step of oxidizing the surface of the wiring conductive film, a plasma treatment is performed by adding a fluorine-containing gas to an oxygen gas.

前記フッ素含有ガスとして、ＣＦ_４，ＣＨＦ_３，を用いることを特徴とする、請求項３記載の配線構造の形成方法。The method for forming a wiring structure according to claim ₃ , wherein CF ₄ or CHF ₃ is used as the fluorine-containing gas.

前記配線用導電膜の表面を酸化する工程において、酸化剤を用いて行うことを特徴とする、請求項１記載の配線構造の形成方法。2. The method according to claim 1, wherein the step of oxidizing the surface of the wiring conductive film is performed using an oxidizing agent.

前記酸化剤として、過酸化水素水、もしくはオゾン水を用いて行うことを特徴とする、請求項５記載の配線構造の形成方法。6. The method for forming a wiring structure according to claim 5, wherein the method is performed using hydrogen peroxide water or ozone water as the oxidizing agent.

前記第１の配線用溝と前記第２の配線用溝の間の距離が、０．２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線構造の形成方法。2. The method according to claim 1, wherein a distance between the first wiring groove and the second wiring groove is 0.25 [mu] m or less.