JP2004071365A

JP2004071365A - Organic light emitting display device

Info

Publication number: JP2004071365A
Application number: JP2002229377A
Authority: JP
Inventors: Hajime Murakami; 村上　　元; Kenichi Kizawa; 鬼沢　賢一; Etsuko Nishimura; 西村　悦子; Takuya Takahashi; 高橋　卓也; Masahiko Ando; 安藤　正彦; Masao Shimizu; 清水　政男; Shingo Ishihara; 石原　慎吾
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2002-08-07
Filing date: 2002-08-07
Publication date: 2004-03-04
Anticipated expiration: 2022-08-07
Also published as: JP4165145B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a homogenous and eye-friendly organic light emitting display device by reducing fluctuations of brightness due to wiring resistance and preventing crosstalk between the devices. <P>SOLUTION: A light reflecting layer 130 or a light shielding layer 150 of conductive material is formed between the insulation films of the adjacent devices and electrically connected to an upper electrode 125 to reduce fluctuations of brightness due to wiring resistance, and to prevent crosstalk between the devices, providing a homogenous and eye-friendly organic light emitting display device. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光表示装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】
本格的なマルチメディア時代の到来に伴い、マン・マシンインターフェイスとして用いられる平面型の表示装置がクローズアップされている。平面型表示装置としては、従来、液晶ディスプレイが用いられている。しかしながら液晶表示装置には、狭視野角，低速応答性といった問題点が挙げられる。
【０００３】
近年、有機発光表示装置が次世代平面型表示装置として注目されている。この有機発光表示装置は、自発光，広視野角，高速応答特性といった優れた特性を有する。
【０００４】
従来の有機発光素子の構造は、ガラス基板上にＩＴＯ等の第１電極，正孔輸送層，発光層，電子輸送層等からなる有機層、及び低仕事関数の上部電極が形成されて構成されている。この両電極間に数Ｖ程度の電圧を印加すると、各電極にそれぞれ正孔，電子が注入され、輸送層を経由して発光層で結合しエキシトンが生成され、このエキシトンが基底状態に戻る際に発光するというものである。そしてこの発光光は透明性を有する第１電極を透過して基板側裏面から取出している。
【０００５】
有機発光素子を画素に用いた表示装置には、単純マトリクス有機発光表示装置とアクティブマトリクス有機発光表示装置がある。単純マトリクス有機発光表示装置は、複数の陽極ラインと陰極ラインが交差した位置に正孔輸送層，発光層，電子輸送層等の有機層が形成されており、各画素は１フレーム期間中、選択時間のみ点灯する。選択時間は、１フレーム期間を陽極ライン数で除した時間幅となる。単純マトリクス有機発光表示装置は構造が単純であるという利点を有する。
【０００６】
しかし、画素数が多くなると選択時間が短くなるので、駆動電圧を高くし、選択時間中瞬間輝度を高くし１フレーム期間中の平均輝度を所定の値にする必要がある。そのため、有機発光素子の寿命が短くなる問題がある。また、有機発光素子は電流駆動であるため、特に大画面では、配線抵抗による電圧降下が生じ、各画素に均一に電圧が印加できず、その結果表示装置内で輝度ばらつきが発生する。以上のことより、単純マトリクス有機発光表示装置では高精細，大画面化に限界がある。
【０００７】
一方、アクティブマトリクス有機発光表示装置では、各画素を構成する有機発光素子に、２〜４個の薄膜トランジスタのスイッチング素子及び容量から構成される駆動素子が接続されており１フレーム期間中の全点灯が可能となる。そのため、輝度を高くする必要がなく、有機発光素子の寿命を長くすることが可能となる。よって、高精細，大画面化において、アクティブマトリクス有機発光表示装置が有利であると考えられている。
【０００８】
従来の有機発光表示装置では、発光光を基板裏側から取出すため、基板と有機発光素子の間に駆動部を設けたアクティブマトリクス有機発光表示装置では、開口率が制限される。
【０００９】
以上の問題点を解決するために、上部電極を透明化し、発光光の取出しを上部電極側から行う試みがある。
【００１０】
上部光取出し構造では上部電極に透明導電膜を用いる。この場合、下地層となる有機層にダメージを与えないため低温製膜が必須となる。その結果、Ａｌ等の金属膜と比べて抵抗率で３００倍以上と高抵抗となってしまう。また、上部電極を通常の金属膜にした場合でも、下地有機層のダメージを減らすためには金属膜膜厚を厚くできず、パネル大型化に伴い上部電極の高抵抗が問題となる。
【００１１】
特開２００１−２３００８６号公報では、低抵抗材料の補助電極を上部電極に接続して配置することで上部電極の低抵抗化を実現した有機発光素子が開示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術においては隣り合う有機発光媒体と有機発光媒体の間、或いは有機発光媒体との問におかれた絶縁膜上に補助電極を形成することで上部電極の低抵抗化を図っている。しかし発光媒体と発光媒体の間に補助電極を配置した場合、発光素子からの発光光が横側に伝播し、隣り合う素子に影響をおよばすクロストークを防止することは可能であるが、下部電極の端部上に形成された有機発光媒体が下部電極の端部を覆いきれず、上部電極と短絡してしまうためリーク電流の発生原因となりやすく安定した素子を形成することが難しい。一方、絶縁膜上に補助電極を形成した場合には、隣り合う発光層の間は、通常、透明、あるいは半透明の絶縁膜により構成されているため、クロストークを完全に防止することは困難であった。
【００１３】
本発明の目的は、上部電極の面抵抗を低下させることで配線抵抗による輝度のばらつきを低減し、素子間のクロストークを防止することで、均質で見やすい有機発光表示装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の別の目的は、素子間のクロストークを防止することで、均質で見やすい有機発光表示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本出願の一実施態様によれば、複数の画素を有する有機発光表示装置で、複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、この有機発光素子は、有機発光層及びこの有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有して構成され、上部電極側から有機発光層から発光された光を取出すものであり、有機発光素子の下部電極の端部は絶縁膜により覆われており、複数の画素の隣り合う画素における絶縁膜と絶縁膜の間には導電性材料の光反射層が配置され、光反射層は、各画素の上部電極と電気的に接続されているというものである。
【００１６】
また、本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、上部電極は透明導電酸化物，光透過性金属薄膜，有機導電膜の少なくとも一つを有することが好ましい。
【００１７】
また、本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、反射層は上部電極よりも低抵抗材料の膜を少なくとも一層有することが望ましい。即ち、上部電極側から光を取出すために導電性のみならず透明性も高い材料であることが望ましい。上部電極の抵抗値は１０〜１ＭΩ／□の範囲内の値とすることが望ましく、また透過率は３０％以上が望ましい。
【００１８】
また本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、反射層は一種の金属または合金の層を少なくとも一層有することが望ましい。例えばＡｌ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｔａの一種または単独あるいは一種以上を含む合金の層を少なくとも一層有する事が望ましい。特に、上部電極との界面を形成する層はＭｏまたはＭｏ合金のような高抵抗の界面を形成しない材料を用いることが望ましい。
【００１９】
また本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、反射層は、下部電極とエッチング速度が異なる材料の膜であることが望ましい。即ち、反射層のエッチング速度と下部電極のエッチング速度が異なることで、光反射層をホトリソグラフィ工程で加工することが可能となるというものである。
【００２０】
また、本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、反射層は、有機層形成前に成膜，形状加工されていることが望ましい。これは、有機層をエッチング液やエッチングガスから完全に保護することは困難であるからである。よって、有機層を形成する前に導電性反射層の成膜，加工を終えることで有機層に与えるダメージを無くすことができるというものである。尚、反射層はメッキ法によって形成してもかまわない。
【００２１】
また本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、反射層は、絶縁膜の上部を覆うというものである。絶縁膜の上まで導電膜を形成することで更に上部電極の低抵抗化が可能となる。
【００２２】
また本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、反射層は、上に行くに従い細く形成することが好ましい。即ち反射層に順テーパをつけることで横に伝播した光を反射し上部に取出すことが可能となる。
【００２３】
また本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、上部電極は、反射層上に形成されていることが望ましい。反射層上を覆うように上部電極を形成することで効率的に上部電極の低抵抗化が可能となる。
【００２４】
また本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、反射層上部に光遮光層を有することが望ましい。光遮光層を配置することで、さらに視認性の良い有機発光表示装置を提供できる。
【００２５】
ここで言う、画素とは、表示装置の画面の縦横に多数配置されており、文字やグラフィックを表示する最小単位のことを指す。
【００２６】
また、サブ画素とは、カラー表示を行う表示装置において、画素をさらに分割する最小単位のものを指す。緑，赤，青の３色のサブ画素で画素が構成される構造が一般的である。
【００２７】
また、表示領域とは、表示装置において画像が表示される領域を指す。また、有機発光素子とは、基板上に下部電極，第１注入層，第１輸送層，発光層，第２輸送層，第２注入層上部電極、及び保護層或いは対向基板が形成された構造をとる。
【００２８】
有機発光素子としては、大きく分けて以下の２通りの構造をとる。
【００２９】
まず、下部電極が陽極、上部電極が陰極の構成である。この場合、第１注入層，第１輸送層は、それぞれ、正孔注入層，正孔輸送層となる。また、第２輸送層，第２注入層は、それぞれ、電子輸送層，電子注入層となる。
【００３０】
次に、下部電極が陰極，上部電極が陽極の構成である。この場合、第１注入層，第１輸送層は、それぞれ、電子注入層，電子輸送層となる。また、第２輸送層，第２注入層は、それぞれ、正孔輸送層，正孔注入層となる。
【００３１】
上記構成において、第１注入層、或いは第２注入層を有さない構造も考えられる。また、第１輸送層、或いは第２輸送層が発光層に兼ねられる構造を有する。ここで言う陽極とは、正孔の注入効率を高める仕事関数の大きな導電膜が望ましい。具体的には、金，白金が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００３２】
また、陽極として、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２　系透明導電膜，Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系透明導電膜が挙げられる。特に、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２　系透明導電膜は液晶表示装置の画素電極に用いられている。透明電極材料の製造法は、スパッタ法，ＥＢ蒸着法，イオンプレーティング法等が挙げられる。
【００３３】
Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２　系透明導電膜，Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系透明導電膜の仕事関数は、それぞれ、４．６ｅＶ，４．６ｅＶであるが、ＵＶ照射，酸素プラズマ処理等により、５．２ｅＶ　まで増大させることが可能である。
【００３４】
Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２　系透明導電膜では、スパッタ法において、基板温度を２００℃程度まで高めた条件で作製すると多結晶状態になる。多結晶状態では、結晶粒内と結晶粒界面において、エッチング速度が異なるため、アモルファス状態が望ましい。
【００３５】
また、陽極は、正孔注入層を設けることにより、仕事関数を大きい材料を用いる必要がなくなり、通常の導電膜でよくなる。具体的には、アルミニウム，インジウム，モリブテン，ニッケル等の金属等、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン，アモルファスシリコン，錫酸化物，酸化インジウム，インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の無機材料が望ましい。
【００３６】
また、形成プロセスが簡便な塗布法を用いたポリアニリン，ポリチオフェン等の有機材料，導電性インクが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００３７】
ここで言う正孔注入層とは、陽極と正孔輸送層の注入障壁を下げるため、適当なイオン化ポテンシャルを有する材料が望ましい。また、下地層の表面凹凸を埋める役割を果たすことが望ましい。異体時には、鋼フタロシアニン，スターパーストアミン化合物，ポリアニリン，ポリチオフェン，酸化バナジウム，酸化モリプテン，酸化ルテニウム，酸化アルミニウム等が挙げられるが、これらに限定される訳ではない。
【００３８】
ここで言う正孔注入層とは、正孔を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、正孔移動度が高いことが望ましい。また、化学的に安定であることが望ましい。また、イオン化ポテンシャルが小さいことが望ましい。また、電子親和力が小さいことが望ましい。また、ガラス転移温度が高いことが望ましい。具体的には、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
［１，１′−ビフェニル］−４，４′ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，
４′，４″−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００３９】
ここで言う発光層とは、注入された正孔，電子が再結合し、材料固有の波長で発光する層をさす。発光層を形成するホスト材料自体が発光する場合とホストに微量添加したドーバント材料が発光する場合がある。異体的なホスト材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ），骨格にベンゼン環を有するシロール誘導体（２ＰＳＰ），トリフェニルアミン構造を両端に有するオキソジアゾール誘導体（ＥＭ２），フェナンスレン基を有するべリノン誘導体（Ｐ１），トリフェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ），べリレン誘導体（ｔＢｕ−ＰＴＣ），トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ポリバラフェニレンビニレン誘導体，ポリチオフェン誘導体，ポリバラフェニレン誘導体，ポリシラン誘導体，ポリアセチレン誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００４０】
次に、具体的なドーバント材料としては、キナクリドン，クマリン６，ナイルレッド，ルプレン，４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ），ジカルバゾール誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００４１】
ここで言う電子輸送層とは、電子を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、電子移動度が高いことが望ましい。具体的には、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，オキサジアゾール誘導体，シロール誘導体，亜鉛ベンゾチアゾール錯体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００４２】
ここで言う電子注入層とは、陰極から電子輸送層への電子注入効率を向上させるために用いる。具体的には、弗化リチウム，弗化マグネシウム，弗化カルシウム，弗化ストロンチウム，弗化バリウム，酸化マグネシウム，酸化アルミニウムが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００４３】
ここで言う陰極は、電子の注入効率を高める仕事関数の小さな導電膜が望ましい。
【００４４】
具体的には、マグネシウム・銀合金，アルミニウム・リチウム合金，アルミニウム・カルシウム合金，アルミニウム・マグネシウム合金，金属カルシウムが挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００４５】
また、前述の電子輸送層を設ければ、陰極の条件として、低仕事関数の材料を用いる必要がなくなり、一般的な金属材料を用いることが可能となる。具体的には、アルミニウム，インジウム，モリブデン，ニッケル等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン，アモルファスシリコンが望ましい。
【００４６】
また、本発明において、陰極を上部電極として用いる場合、陰極下部に電子注入層を設けることが望ましい。電子注入層を設けることにより、仕事関数の透明導電膜を陰極に用いることが可能となる。具体的には、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２　系透明導電膜，Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ系透明導電膜が挙げられる。特に、Ｉｎ_２Ｏ_３−
ＳｎＯ_２　系透明導電膜は液晶表示装置の画素電極に用いられている。透明電極材料の製造法は、スパッタ法，ＥＢ蒸着法，イオンプレーティング法等が挙げられる。
【００４７】
ここで言う保護層とは、上部電極上に形成され、大気内Ｈ_２Ｏ　，Ｏ_２　が上部電極、或いはその下の有機層に入りこむことを防くことを目的とする。
【００４８】
具体的に、ＳｉＯ_２　，ＳｉＮ_Ｘ　，Ａｌ_２Ｏ_３等の無機材料やポリクロロビレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリオキシメチレン，ポリビニルクロライド，ポリフッ化ビニリデン，シアノエチルプルラン，ポリメチルメタクリレート，ポリサルフォン，ポリカーボネート，ポリイミド等の有機材料が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００４９】
本出願の別の実施態様は、複数の画素を有する有機発光表示装置で、複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、有機発光素子は、有機発光層及びこの有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有して構成され、上部電極側から有機発光層から発光された光を取出すものであり、有機発光素子の下部電極の端部は絶縁膜により覆われており、複数の画素の隣り合う画素における絶縁膜と絶縁膜の間には導電性材料の光遮光層が配置され、光遮光層は、各画素の前記上部電極と電気的に接続されているというものである。
【００５０】
これは、光遮光層を配置することにより、この光反射抑止層がブラックマトリクスとして機能し視認性が向上するというものである。
【００５１】
本出願の別の実施態様によれば、複数の画素を有する有機発光表示装置で、複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、この有機発光素子は、有機発光層及びこの有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有して構成され、上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、有機発光素子の下部電極の端部は絶縁膜により覆われており、複数の画素の隣り合う画素における絶縁膜と絶縁膜の間には光遮光層が配置されているというものである。
【００５２】
この光反射抑止層がブラックマトリクスとして機能し視認性が向上するというものである。
【００５３】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
以下、本発明の有機発光表示装置の実施例について説明する。図１は本実施例の有機発光表示装置の平面図、図２は図１Ａ−Ａ′における断面図である。
【００５４】
本実施例における有機発光表示装置の特徴は、複数の画素を有する有機発光表示装置において、複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、この有機発光素子は、有機発光層１２２及びこの有機発光層１２２を挟む上部電極１２５及び下部電極１１５を有して構成され、上部電極１２５側から有機発光層１２２から発光された光を取出すものであり、有機発光素子の下部電極１１５の端部は絶縁膜（第３層間絶縁膜１２０）により覆われており、複数の画素の隣り合う画素における絶縁膜（第３層間絶縁膜１２０）と絶縁膜（第３層間絶縁膜１２０）の間には導電性材料層の光反射層１３０が配置され、光反射層１３０は、各画素の上部電極１２５と電気的に接続されているというものである。
【００５５】
以下、この実施例の有機発光表示装置の製造方法について説明する。
【００５６】
ガラス基板１１６上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。原料はＳｉ_２Ｈ_６であり、基板温度は４５０℃であった。次に、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて、膜全面をレーザアニールした。レーザアニールは２段階で行った。１回目，２回目の照射エネルギーは、それぞれ、１８８ｍＪ／ｃｍ^２，２９０ｍＪ／ｃｍ^２であった。これにより、ａ−Ｓｉが結晶化され、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となった。次に、ｐ−Ｓｉ膜を、ＣＦ_４　を用いたドライエッチングでパターン化し、第１トランジスタ１０１の活性層１０３，第２トランジスタ１０２の活性層１０３′、及び容量下部電極１０５を形成した。
【００５７】
次に、ゲート絶縁膜１１７として膜厚１００ｎｍのＳｉＯ_２　膜を形成した。
ＳｉＯ_２　膜はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料としてプラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）で形成した。
【００５８】
次に、ゲート電極１０７，１０７′として膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製し、バターニングした。併せて、走査線１０６、及び容量上部電極１０８もバターニングした。
【００５９】
次に、イオン注入法によりゲート絶縁膜１１７の上部から、パターン化されたｐ−Ｓｉ層に４×１０^１５イオン／ｃｍ^２　，エネルギー８０ｋｅＶのＰイオンを注入した。上部にゲート電極がある領域にはＰイオンが注入されず、活性層１０３及び１０３′となる。
【００６０】
次に、基板１１６を不活性Ｎ_２雰囲気下で、３００℃，３時間加熱し、イオンを活性化し、ドーピングが有効に行われるようにした。ｐ−Ｓｉのイオン注入された領域は２ｋΩ／□の面抵抗値となった。その上に、第１層間絶縁膜１１８として窒化シリコン（ＳｉＮ_Ｘ　）膜を成膜した。膜厚は２００ｎｍである。
【００６１】
次に、活性層１０３及び１０３′の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８に、コンタクトホールを形成した。さらに、第２トランジスタのゲート電極１０７′上部の第１層間絶縁膜１１８にコンタクトホールを形成した。
【００６２】
その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフティ工程により信号線１０９，第１電流供給線１１０を形成する。また、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２及びドレイン電極１１３，第２トランジスタ１０２のソース電極１１２′及びドレイン電極１１３′を形成する。
【００６３】
容量下部電極１０５と第１トランジスタ１０１のドレイン電極１１３を接続する。また、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２と信号線１０９を接続する。
【００６４】
また、第１トランジスタのドレイン電極１１３を第２トランジスタのゲート電極１０７′に接続する。また、第２トランジスタのドレイン電極１１３′を第１電流供給線１１０に接続する。また、容量１０４の上部電極１０８を第１電流供給線１１０に接続する。
【００６５】
次に、第２層間絶縁膜１１９としてＳｉＮ_Ｘ　膜を成膜した。膜厚は５００ｎｍである。第２トランジスタのドレイン電極１１２′上部にコンタクトホールを設ける。その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成し、ホトリソグラフティ法を用いて下部電極１１５を形成する。
【００６６】
次に、第３層間絶縁膜１２０として、ＪＳ　Ｒ社製ポジ型感光性保護膜
（ＰＣ４５２）を形成した。スピンコート法で１０００ｒｐｍ　／３０秒の塗布条件で成膜し、ホットプレート上に基板を置き、９０℃／２分の条件でプレベークした。
【００６７】
ＰＣ４５２で形成された第３層間絶縁膜１２０の膜厚は１μｍで、下部電極
１１５のエッジを３μｍ覆った。
【００６８】
次に、画素となる有機発光素子の構造を図２を用いて説明する。下部電極１１５まで形成したガラス基板１１６をアセトン，純水の順に、それぞれ超音波洗浄を３分間行った。洗浄後、スピン乾燥させた後、１２０℃のオーブンで３０分間乾燥させた。
【００６９】
次にスパッタリング法にて５００ｎｍのＡｌ膜１３１と２０ｎｍのＭｏ膜１３２を順次形成した。ホトリソグラフィ工程により、光反射層１３０を形成する。
【００７０】
次に、下部電極１１５上に、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス
〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル膜（以下、α−ＮＰＤ膜と略記）を形成した。
【００７１】
Ｍｏ製昇華ボートに原料を約６０ｍｇ入れ、蒸着速度を０．１５±０．０５ｎｍ／ｓｅｃ　に制御して蒸着した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。蒸着領域は第１電極の各辺の１．２　倍とした。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層１２１として機能する。
【００７２】
その上に、二元同時真空蒸着法にて、膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウムとキナクリドンの共蒸着膜（以下、それぞれ、Ａｌｑ，Ｑｃと略記）を形成した。
【００７３】
２個のＭｏ製昇華ボートにＡｌｑ，Ｑｃの原料を、それぞれ約４０ｍｇ，約１０ｍｇ入れ、蒸着速度を、それぞれ０．４０±０．０５ｎｍ／ｓｅｃ，０．０１±０．００５ｎｍ／ｓｅｃ　に制御して蒸着した。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は、発光層１２２として機能する。
【００７４】
その上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を形成した。
【００７５】
Ｍｏ製昇華ボートに原料を約４０ｍｇ入れ、蒸着速度を０．１５±０．０５ｎｍ／ｓｅｃ　に制御して蒸着した。Ａｌｑ膜は、電子輸送層１２３として機能する。
【００７６】
その上に、電子注入層１２４としてＭｇとＡｇの合金膜を形成した。二元同時真空蒸着法を用いて蒸着速度を、それぞれ０．１４±０．０５ｎｍ／ｓ　，０．０１±０．００５ｎｍ／ｓに設定し、膜厚１０ｎｍを蒸着した。
【００７７】
次に、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、
ＩＺＯ膜と略記）を形成した。同膜は上部電極１２５として機能し、非晶酸化物膜である。ターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８３であるターゲットを用いた。
【００７８】
成膜条件は、Ａｒ：Ｏ_２　混合ガスを雰囲気として真空度１Ｐａ、スパッタング出力を０．２Ｗ／ｃｍ^２とした。Ｍｇ：Ａｇ／Ｉｎ−ＺｎＯ積層膜からなる上部電極１２５は陰極として機能し、その透過率は６５％であった。
【００７９】
次に、スパッタング法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＮ_Ｘ　膜を形成した。同膜は保護層１２６として機能する。
【００８０】
本実施例の有機発光表示装置では保護層側から発光光を取出すため、上部電極１２５にＩＺＯ膜を用いた。同ＩＺＯ膜は、シート抵抗が２００Ω／□となる。
【００８１】
上部電極１２５にＩＺＯ膜を用い、この上部電極１２５と第２電流供給線１１１とを接続するに際して、図３（ａ）に示すように、各画素の上部電極１２５に対する給電点をパネルの表示額域の端部に設け、この給電点と各画素の上部電極
１２５とを第２電流供給線１１１を介して接続するとパネルの表示領域の端部に配置されたものとパネルの表示領域の中心部に配置された画素においてはＩＺＯ膜による配線抵抗値に差が生じ、画素に印加される電圧がばらつくため、パネル内の輝度ばらつきが発生してしまう。
【００８２】
これに対し、本実施例の有機発光表示装置では、図２及び図３（ｂ）に示したように、各画素と画素の間に構成された光反射層を上部電極の補助電極として用いる。
【００８３】
上部電極１２５と光反射層１３０は、トータルの配線抵抗が０．２Ω　程度となり、各画素における配線抵抗値は無視できる程小さく、パネル内輝度ばらつきが抑制される。
【００８４】
（実施例２）
次に、上部電極を陽極として用いた有機発光表示装置を図４に従って説明する。図４は図２同様画素領域Ａ−Ａ′に沿う断面図である。
【００８５】
本実施例では、実施例１と異なり上部電極１２５を陽極、下部電極１１５を陰極として構成した場合の実施例である。
【００８６】
ガラス基板１１６上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。原料はＳｉ_２Ｈ_６であり、基板温度は４５０℃であった。次に、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて、膜全面をレーザアニールした。レーザアニールは２段階で行った。１回目，２回目の照射エネルギーは、それぞれ、１８８ｍＪ／ｃｍ^２，２９０ｍＪ／ｃｍ^２であった。これにより、ａ−Ｓｉが結晶化され、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となった。
【００８７】
次に、ｐ−Ｓｉ膜を、ＣＦ_４　を用いたドライエッチングでパターン化し、第１トランジスタ１０１の活性層１０３，第２トランジスタ１０２の活性層１０３′、及び容量下部電極１０５を形成した。
【００８８】
次に、ゲート絶縁膜１１７として膜厚１００ｎｍのＳｉＯ_２　膜を形成した。
ＳｉＯ_２　膜はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料としてプラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）で形成した。
【００８９】
次に、ゲート電極１０７，１０７′として膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製し、パターニングした。併せて、走査線１０６、及び容量上部電極１０８もバターニングした。
【００９０】
次に、イオン注入法によりゲート絶縁膜１１７の上部から、パターン化されたｐ−Ｓｉ層に４×１０^１５イオン／ｃｍ^２，エネルギー８０ｋｅＶのＰイオンを注入した。上部にゲート電極がある領域にはＰイオンが注入されず、活性層１０３及び１０３′となる次に、基板１１６を不活性Ｎ_２　雰囲気下で、３００℃，３時間加熱し、イオンを活性化し、ドーピングが有効に行われるようにした。ｐ−Ｓｉのイオン注入された領域は２ｋΩ／□の面抵抗値となった。その上に、第１層間絶縁膜１１８として窒化シリコン（ＳｉＮ_Ｘ　）膜を成膜した。膜厚は２００ｎｍである。
【００９１】
次に、活性層１０３及び１０３′の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８に、コンタクトホールを形成した。さらに、第２トランジスタのゲート電極１０７′上部の第１層間絶縁膜１１８にコンタクトホールを形成した。
【００９２】
その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフィ工程により信号線１０９，第１電流供給線１１０を形成する。また、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２及びドレイン電極１１３，第２トランジスタ１０２のソース電極１１２′及びドレイン電極１１３′を形成する。容量下部電極１０５と第１トランジスタ１０１のドレイン電極１１３を接続する。また、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２と信号線１０９を接続する。また、第１トランジスタのドレイン電極１１３を第２トランジスタのゲート電極１０７′に接続する。また、第２トランジスタのドレイン電極１１３′を第１電流供給線１１０に接続する。また、容量１０４の上部電極１０８を第１電流供給線１１０に接続する。
【００９３】
次に、第２層間絶縁膜１１９としてＳｉＮ_Ｘ　膜を成膜した。膜厚は５００ｎｍである。第２トランジスタのドレイン電極１１２′上部にコンタクトホールを設ける。その上に蒸着法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＡｌ膜を形成し、ホトリソグラフティ法を用いて下部電極１１５を形成する。
【００９４】
次に、第３層間絶縁膜１２０として、ＪＳＲ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）を形成した。スピンコート法で１０００ｒｐｍ　／３０秒の塗布条件で成膜し、ホットプレート上に基板を置き、９０℃／２分の条件でプレベークした。
【００９５】
次に、ホトマスクを用いてｇｈｉ線混合で露光し、ストライプ状にコンタクトホールを形成した。次いで、ＪＳＲ社現像液ＰＤ−５２３を用いて、室温／４０秒の条件で現像し、現像後、室温／６０秒の条件で純水の流水でリンスした。リンス後、波長３６５ｎｍにおいて、３００ｍＪ／ｃｍ^２　となる強度でポスト露光し、クリーンオープンで２２０℃／１時間の条件でポストベークを行った。ＰＣ４５２で形成された第３層間絶縁膜１２０の膜厚は１μｍで、下部電極１１５のエッジを３μｍ覆った。
【００９６】
次に、画素となる有機発光素子の構造を図２を用いて説明する。下部電極１１５まで形成したガラス基板１１６をアセトン，純水の順に、それぞれ超音波洗浄を３分間行った。洗浄後、スピン乾燥させた後、１２０℃のオーブンで３０分間乾燥させた。
【００９７】
次にＥＢ蒸着法にて５００ｎｍのＡｌ膜１３１，２０ｎｍのＭｏ膜１３２を順次形成した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。Ａｌ膜１３１とＭｏ膜
１３２により構成された層は光反射層として機能する。
【００９８】
次に、下部電極１１５上に、電子注入層１２４としてＬｉＦ膜を形成した。
Ｍｏ製昇華ボートに原料を約１０ｍｇ入れ、蒸着速度を０．０５ｎｍ／ｓｅｃに制御して蒸着した。パターン形成はシャドウマスクを用い、膜厚０．５ｎｍ　を蒸着した。その上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を形成した。Ｍｏ製昇華ボートに原料を約４０ｍｇ入れ、蒸着速度を０．１５±０．０５ｎｍ／ｓｅｃ　に制御して蒸着した。Ａｌｑ膜は、電子輸送層１２３として機能する。その上に、二元同時真空蒸着法にて、膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウムとキナクリドンの共蒸着膜（以下、それぞれ、Ａｌｑ，Ｑｃと略記）を形成した。２個のＭｏ製昇華ボートにＡｌｑ，Ｑｃの原料を、それぞれ約４０ｍｇ，約１０ｍｇ入れ、蒸着速度を、それぞれ０．４０±０．０５ｎｍ／ｓｅｃ　，０．０１±０．００５ｎｍ／ｓｅｃ　に制御して蒸着した。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は、発光層１２２として機能する。
【００９９】
次に真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル膜（以下、α−ＮＰＤ膜と略記）を形成した。Ｍｏ製昇華ボートに原料を約６０ｍｇ入れ、蒸着速度を０．１５±０．０５ｎｍ／
ｓｅｃ　に制御して蒸着した。パターン形成はシャドウマスクを用いた。蒸着領域は第１電極の各辺の１．２　倍とした。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層１２１として機能する。
【０１００】
次に、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、
ＩＺＯ膜と略記）を形成した。同膜は上部電極１２５として機能し、非晶酸化物膜である。ターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８３であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ａｒ：Ｏ_２　混合ガスを雰囲気として真空度１Ｐａ、スパッタクリング出力を０．２Ｗ／ｃｍ^２とした。Ｉｎ−ＺｎＯ膜からなる上部電極１２５は陽極として機能し、その透過率は８０％であった。
【０１０１】
次に、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＮ_Ｘ　膜を形成した。同膜は保護層１２６として機能する。本実施例の有機発光表示装置では保護層側から発光光を取出すため、上部電極１２５にＩＺＯ膜を用いた。同ＩＺＯ膜は、シート抵抗が２００Ω／□となる。
【０１０２】
本実施例では、実施例１と同様各画素と画素の間に構成された光反射層を上部電極の補助電極として用いため、各画素における配線抵抗値は無視できる程小さく、パネル内輝度ばらつきが抑制される。
【０１０３】
（実施例３）
次に本発明の実施例３として、上部電極を陽極として用いた有機発光表示装置を図５に従って説明する。図５は図２同様画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。本実施例は光反射層を形成するにあたり、順テーパ形状にしたものであり、他の構成は実施例１とほぼ同様である。
【０１０４】
光反射層１３０は以下の方法で形成する。
【０１０５】
第３層間絶縁膜１２０を形成する際、光反射層の下地となる絶縁膜層１４０を、高さ１００ｎｍ，幅１００ｎｍの山状に形成する。次にＥＢ蒸着法にて２００ｎｍのＡｌ膜と２０ｎｍのＭｏ膜を形成することで光反射層１３０を形成する。尚、パターン形成はシャドウマスクを用いた。
【０１０６】
本実施例の有機発光表示装置では、横にもれた光は反射層により上部に反射され、クロストークを防止するとともに輝度の向上が図れる。
【０１０７】
（実施例４）
次に本発明の実施例４として、上部電極を陽極として用いた有機発光表示装置を図６に従って説明する。図６は図２同様画素領域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【０１０８】
本実施形態は光反射層１３０の上に光遮光層１３３を構成したものであり、他の構成は実施形態１とほぼ同様である。
【０１０９】
光反射層１３０および光遮光膜１３３は以下の方法で形成する。
【０１１０】
ＥＢ蒸着法にて２００ｎｍのＡｌ膜と２０ｎｍのＣｒ膜を順次形成する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。このときＣｒ膜の反射率は２０％以下であり光遮光膜１３３として機能する。Ａｌ膜は光反射層１３０として機能する。
【０１１１】
本実施例の有機発光表示装置では、横にもれた光は光反射層１３０によりクロストークを防止するとともに、光遮光膜１３３はブラックマトリクスとして機能し視認性が向上する。
【０１１２】
（実施例５）
次に本発明の実施例５として、上部電極を陽極として用いた有機発光表示装置を図７に従って説明する。図７は図２同様画素預域Ａ−Ａ′線に沿う断面図である。
【０１１３】
本実施例は光反射層１３０の代わりに光遮光層１５０を構成したものであり、他の構成は実施例１とほぼ同様である。
【０１１４】
光遮光層１５０は以下の方法で形成する。
【０１１５】
ＥＢ蒸着法で１００ｎｍのＣｒ膜１５１，１００ｎｍのＡｌ膜１５２，２０
ｎｍのＭｏ膜１５３を順次形成する。パターン形成はシャドウマスクを用いた。このときＣｒ膜の反射率は２０％以下であり、Ｃｒ／Ａｌ／Ｍｏからなる層は光遮光層１５０として機能する。
【０１１６】
本実施例の有機発光表示装置では、光遮光層１５０により横にもれた光は吸収されクロストークを防止する。このように、光遮光層がブラックマトリクスとして機能するため視認性が向上するというものである。
【０１１７】
【発明の効果】
本発明によれば、配線抵抗による輝度のばらつきを低減し、素子間のクロストークを防止する良好な表示の有機発光表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の実施例１を示す有機発光装置における画素領域の平面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ′に沿う断面図である。
【図３】（ａ）は、従来の有機発光表示装置における第２電流供給線と給電線との関係を示す模式図、（ｂ）は、本発明に係る有機発光表示装置における光反射層と給電線との関係を示す模式図である。
【図４】本発明の実施例２を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例３を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例４を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例５を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１…第１トランジスタ、１０２…第２トランジスタ、１０３…活性層、
１０４…容量、１０５…容量下部電極、１０６…走査線、１０７…ゲート電極、１０８…容量上部電極、１０９…信号線、１１０…第１電流供給線、１１１…第２電流供給線、１１２，１１２′…ソース電極、１１３…ドレイン電極、１１４…給電点、１１５…下部電極、１１６…基板、１１７…ゲート絶縁膜、１１８…第１層間絶縁膜、１１９…第２層間絶縁膜、１２０…第３層間絶縁膜、１２１…正孔輸送層、１２２…発光層、１２３…電子輸送層、１２４…電子注入層、１２５…上部電極、１２６…保護層、１３０…光反射層、１３３…光遮光膜、１４０…絶縁膜層、１５０…光遮光層。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic light emitting display.
[0002]
[Prior art]
With the advent of the full-scale multimedia era, flat-panel display devices used as man-machine interfaces have been highlighted. Conventionally, a liquid crystal display has been used as a flat display device. However, the liquid crystal display device has problems such as a narrow viewing angle and low-speed response.
[0003]
2. Description of the Related Art In recent years, organic light-emitting display devices have been receiving attention as next-generation flat display devices. This organic light-emitting display device has excellent characteristics such as self-emission, a wide viewing angle, and high-speed response characteristics.
[0004]
The structure of a conventional organic light emitting device is configured such that a first electrode such as ITO, an organic layer including a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the like, and an upper electrode having a low work function are formed on a glass substrate. ing. When a voltage of about several volts is applied between the two electrodes, holes and electrons are injected into the respective electrodes, and are combined in the light emitting layer via the transport layer to generate excitons. When the excitons return to the ground state, It emits light. The emitted light passes through the transparent first electrode and is extracted from the back surface on the substrate side.
[0005]
Display devices using organic light emitting elements for pixels include a simple matrix organic light emitting display device and an active matrix organic light emitting display device. In a simple matrix organic light emitting display, organic layers such as a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are formed at positions where a plurality of anode lines and cathode lines intersect, and each pixel is selected during one frame period. Lights only for hours. The selection time is a time width obtained by dividing one frame period by the number of anode lines. A simple matrix organic light emitting display has the advantage of a simple structure.
[0006]
However, since the selection time becomes shorter as the number of pixels increases, it is necessary to increase the driving voltage, increase the instantaneous luminance during the selection time, and set the average luminance during one frame period to a predetermined value. Therefore, there is a problem that the life of the organic light emitting element is shortened. In addition, since the organic light emitting element is driven by current, a voltage drop occurs due to wiring resistance particularly on a large screen, and a voltage cannot be uniformly applied to each pixel. As a result, luminance variation occurs in a display device. As described above, the simple matrix organic light-emitting display device has a limitation in achieving high definition and a large screen.
[0007]
On the other hand, in the active matrix organic light-emitting display device, the organic light-emitting element constituting each pixel is connected to a driving element composed of switching elements and capacitors of two to four thin film transistors, so that all lighting during one frame period is performed. It becomes possible. Therefore, it is not necessary to increase the luminance, and the life of the organic light emitting element can be extended. Therefore, an active matrix organic light-emitting display device is considered to be advantageous in achieving high definition and a large screen.
[0008]
In the conventional organic light emitting display device, since the emitted light is extracted from the back side of the substrate, the aperture ratio is limited in the active matrix organic light emitting display device in which the driving unit is provided between the substrate and the organic light emitting element.
[0009]
In order to solve the above problems, there is an attempt to make the upper electrode transparent and to take out the emitted light from the upper electrode side.
[0010]
In the upper light extraction structure, a transparent conductive film is used for the upper electrode. In this case, low-temperature film formation is essential so as not to damage the organic layer serving as the underlayer. As a result, the resistivity is 300 times or more as high as that of a metal film such as Al. Further, even when the upper electrode is formed of a normal metal film, the thickness of the metal film cannot be increased in order to reduce the damage of the underlying organic layer, and the high resistance of the upper electrode becomes a problem as the panel becomes larger.
[0011]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-23086 discloses an organic light-emitting element in which an auxiliary electrode made of a low-resistance material is connected to an upper electrode and arranged to reduce the resistance of the upper electrode.
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
In the related art, the resistance of the upper electrode is reduced by forming an auxiliary electrode between adjacent organic light emitting media or on an insulating film that is in contact with the organic light emitting medium. However, when an auxiliary electrode is arranged between the light-emitting media, the light emitted from the light-emitting element propagates to the side, and it is possible to prevent crosstalk that affects adjacent elements. The organic luminescent medium formed on the end of the electrode cannot cover the end of the lower electrode and short-circuits with the upper electrode, so that it is likely to cause a leak current, and it is difficult to form a stable element. On the other hand, when an auxiliary electrode is formed on an insulating film, it is difficult to completely prevent crosstalk because the adjacent light emitting layers are usually formed of a transparent or translucent insulating film. Met.
[0013]
An object of the present invention is to provide a uniform and easy-to-read organic light emitting display device by reducing the surface resistance of an upper electrode to reduce the variation in luminance due to wiring resistance and preventing crosstalk between elements. .
[0014]
Another object of the present invention is to provide a uniform and easy-to-see organic light-emitting display device by preventing crosstalk between elements.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
According to one embodiment of the present application, in an organic light emitting display device having a plurality of pixels, each of the plurality of pixels has an organic light emitting element, the organic light emitting element includes an organic light emitting layer and the organic light emitting layer. It is configured to have an upper electrode and a lower electrode sandwiching it, is to extract light emitted from the organic light emitting layer from the upper electrode side, the end of the lower electrode of the organic light emitting element is covered with an insulating film, A light reflecting layer of a conductive material is disposed between insulating films in adjacent pixels of the plurality of pixels, and the light reflecting layer is electrically connected to an upper electrode of each pixel. .
[0016]
Further, in constituting the organic light emitting display device of the present invention, the upper electrode preferably has at least one of a transparent conductive oxide, a light transmitting metal thin film, and an organic conductive film.
[0017]
Further, in constituting the organic light emitting display device of the present invention, it is desirable that the reflection layer has at least one film of a material having a lower resistance than the upper electrode. That is, it is desirable that the material be highly transparent as well as conductive in order to extract light from the upper electrode side. The resistance value of the upper electrode is desirably in the range of 10 to 1 MΩ / □, and the transmittance is desirably 30% or more.
[0018]
In constituting the organic light-emitting display device of the present invention, it is desirable that the reflective layer has at least one kind of metal or alloy layer. For example, it is desirable to have at least one layer of an alloy containing one or more of Al, Au, Pt, Cu, Ag, Ni, Mo, W, Cr and Ta. In particular, it is desirable to use a material that does not form a high-resistance interface, such as Mo or a Mo alloy, for the layer forming the interface with the upper electrode.
[0019]
Further, in constituting the organic light emitting display device of the present invention, it is desirable that the reflective layer is a film made of a material having an etching rate different from that of the lower electrode. That is, when the etching rate of the reflection layer is different from the etching rate of the lower electrode, the light reflection layer can be processed by the photolithography process.
[0020]
In forming the organic light-emitting display device of the present invention, it is preferable that the reflective layer is formed and processed before the organic layer is formed. This is because it is difficult to completely protect the organic layer from an etching solution or an etching gas. Therefore, damage to the organic layer can be eliminated by completing the formation and processing of the conductive reflective layer before forming the organic layer. Incidentally, the reflection layer may be formed by a plating method.
[0021]
In configuring the organic light-emitting display device of the present invention, the reflection layer covers the upper part of the insulating film. By forming the conductive film up to the insulating film, the resistance of the upper electrode can be further reduced.
[0022]
In constituting the organic light-emitting display device of the present invention, it is preferable that the reflection layer is formed to be thinner as going upward. That is, by making the reflection layer have a forward taper, it is possible to reflect the light propagated sideways and to take it out to the upper part.
[0023]
In constituting the organic light emitting display device of the present invention, it is preferable that the upper electrode is formed on the reflective layer. By forming the upper electrode so as to cover the reflective layer, the resistance of the upper electrode can be efficiently reduced.
[0024]
In configuring the organic light-emitting display device of the present invention, it is desirable to have a light-shielding layer above the reflective layer. By disposing the light-shielding layer, an organic light-emitting display device with even better visibility can be provided.
[0025]
Here, the pixels are arranged in a large number in the vertical and horizontal directions on the screen of the display device, and indicate a minimum unit for displaying characters and graphics.
[0026]
In addition, a sub-pixel refers to a minimum unit that further divides a pixel in a display device that performs color display. A structure in which a pixel is composed of sub-pixels of three colors of green, red, and blue is general.
[0027]
The display area indicates an area where an image is displayed on the display device. In addition, the organic light emitting device is a structure in which a lower electrode, a first injection layer, a first transport layer, a light emitting layer, a second transport layer, a second injection layer upper electrode, and a protective layer or a counter substrate are formed on a substrate. Take.
[0028]
The organic light emitting device has the following two main structures.
[0029]
First, the lower electrode has an anode and the upper electrode has a cathode. In this case, the first injection layer and the first transport layer become a hole injection layer and a hole transport layer, respectively. Further, the second transport layer and the second injection layer become an electron transport layer and an electron injection layer, respectively.
[0030]
Next, the lower electrode has a cathode configuration and the upper electrode has an anode configuration. In this case, the first injection layer and the first transport layer become an electron injection layer and an electron transport layer, respectively. Further, the second transport layer and the second injection layer become a hole transport layer and a hole injection layer, respectively.
[0031]
In the above structure, a structure without the first injection layer or the second injection layer may be considered. Further, it has a structure in which the first transport layer or the second transport layer also serves as a light emitting layer. The term “anode” as used herein is preferably a conductive film having a large work function that increases hole injection efficiency. Specific examples include gold and platinum, but are not limited to these materials.
[0032]
In addition, as an anode, In ₂ O ₃ -SnO ₂ Based transparent conductive film, In ₂ O ₃ -A ZnO-based transparent conductive film. In particular, In ₂ O ₃ -SnO ₂ The system transparent conductive film is used for a pixel electrode of a liquid crystal display device. Examples of the method for producing the transparent electrode material include a sputtering method, an EB vapor deposition method, and an ion plating method.
[0033]
In ₂ O ₃ -SnO ₂ Based transparent conductive film, In ₂ O ₃ The work functions of the -ZnO-based transparent conductive film are 4.6 eV and 4.6 eV, respectively, but can be increased to 5.2 eV by UV irradiation, oxygen plasma treatment or the like.
[0034]
In ₂ O ₃ -SnO ₂ The system transparent conductive film becomes a polycrystalline state when it is produced by sputtering with the substrate temperature increased to about 200 ° C. In the polycrystalline state, the etching rate is different between the inside of the crystal grain and the interface between the crystal grains. Therefore, the amorphous state is preferable.
[0035]
Further, by providing a hole injection layer for the anode, it is not necessary to use a material having a large work function, and a normal conductive film can be used. Specifically, alloys using these metals, such as metals such as aluminum, indium, molybdenum and nickel, and inorganic materials such as polysilicon, amorphous silicon, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), etc. Is desirable.
[0036]
Further, an organic material such as polyaniline or polythiophene using a coating method whose formation process is simple, and a conductive ink are preferable. Of course, the materials are not limited to these materials, and two or more of these materials may be used in combination.
[0037]
The hole injection layer referred to herein is preferably a material having an appropriate ionization potential in order to lower the injection barrier between the anode and the hole transport layer. Further, it is desirable to play a role of filling the surface irregularities of the underlayer. At the time of the variant, steel phthalocyanine, star perstamine compound, polyaniline, polythiophene, vanadium oxide, molyptene oxide, ruthenium oxide, aluminum oxide, and the like, but are not limited thereto.
[0038]
The hole injection layer referred to here has a role of transporting holes and injecting them into the light emitting layer. Therefore, it is desirable that the hole mobility be high. Further, it is desirable that it is chemically stable. It is desirable that the ionization potential be small. It is desirable that the electron affinity is small. Further, it is desirable that the glass transition temperature is high. Specifically, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-diphenyl-
[1,1′-biphenyl] -4,4 ′ diamine (TPD), 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (α-NPD), 4,
4 ', 4 "-tri (N-carbazolyl) triphenylamine (TCTA) and 1,3,5-tris [N- (4-diphenylaminophenyl) phenylamino] benzene (p-DPA-TDAB) are desirable. Of course, the materials are not limited to these materials, and two or more of these materials may be used in combination.
[0039]
The light emitting layer referred to here is a layer in which injected holes and electrons are recombined to emit light at a wavelength unique to the material. There is a case where the host material itself forming the light emitting layer emits light, and a case where the dopant material added to the host in a small amount emits light. Distinct host materials include distyryl arylene derivatives (DPVBi), silole derivatives having a benzene ring in the skeleton (2PSP), oxodiazole derivatives having a triphenylamine structure at both ends (EM2), and verinone having a phenanthrene group Derivative (P1), oligothiophene derivative (BMA-3T) having a triphenylamine structure at both ends, berylene derivative (tBu-PTC), tris (8-quinolinol) aluminum, polybaraphenylenevinylene derivative, polythiophene derivative, polybara Phenylene derivatives, polysilane derivatives and polyacetylene derivatives are preferred. Of course, the materials are not limited to these materials, and two or more of these materials may be used in combination.
[0040]
Next, specific dovant materials include quinacridone, coumarin 6, nile red, ruprene, 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (para-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM), Carbazole derivatives are preferred. Of course, the materials are not limited to these materials, and two or more of these materials may be used in combination.
[0041]
Here, the electron transport layer has a role of transporting electrons and injecting them into the light emitting layer. Therefore, it is desirable that the electron mobility be high. Specifically, tris (8-quinolinol) aluminum, oxadiazole derivatives, silole derivatives, and zinc benzothiazole complexes are desirable. Of course, the materials are not limited to these materials, and two or more of these materials may be used in combination.
[0042]
Here, the electron injection layer is used to improve the efficiency of electron injection from the cathode to the electron transport layer. Specifically, lithium fluoride, magnesium fluoride, calcium fluoride, strontium fluoride, barium fluoride, magnesium oxide, and aluminum oxide are desirable. Of course, the materials are not limited to these materials, and two or more of these materials may be used in combination.
[0043]
The cathode referred to here is desirably a conductive film having a small work function to increase the electron injection efficiency.
[0044]
Specific examples include a magnesium-silver alloy, an aluminum-lithium alloy, an aluminum-calcium alloy, an aluminum-magnesium alloy, and metallic calcium, but are not limited to these materials.
[0045]
In addition, if the above-described electron transport layer is provided, it is not necessary to use a material having a low work function as a cathode condition, and a general metal material can be used. Specifically, metals such as aluminum, indium, molybdenum and nickel, alloys using these metals, polysilicon and amorphous silicon are desirable.
[0046]
In the present invention, when a cathode is used as an upper electrode, it is desirable to provide an electron injection layer below the cathode. By providing the electron injection layer, a transparent conductive film having a work function can be used for the cathode. Specifically, In ₂ O ₃ -SnO ₂ Based transparent conductive film, In ₂ O ₃ -A ZnO-based transparent conductive film. In particular, In ₂ O ₃ −
SnO ₂ The system transparent conductive film is used for a pixel electrode of a liquid crystal display device. Examples of the method for producing the transparent electrode material include a sputtering method, an EB vapor deposition method, and an ion plating method.
[0047]
The protective layer referred to here is formed on the upper electrode, and has ₂ O, O ₂ To prevent intrusion into the upper electrode or the organic layer thereunder.
[0048]
Specifically, SiO ₂ , SiN _X , Al ₂ O ₃ And inorganic materials such as polychlorovinylene, polyethylene terephthalate, polyoxymethylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene fluoride, cyanoethyl pullulan, polymethyl methacrylate, polysulfone, polycarbonate, polyimide and the like, but are not limited to these materials. Not necessarily.
[0049]
Another embodiment of the present application is an organic light emitting display device having a plurality of pixels, wherein each of the plurality of pixels has an organic light emitting element, and the organic light emitting element sandwiches the organic light emitting layer and the organic light emitting layer. It is configured to have an upper electrode and a lower electrode, is to extract light emitted from the organic light emitting layer from the upper electrode side, the end of the lower electrode of the organic light emitting element is covered with an insulating film, a plurality of A light-shielding layer made of a conductive material is disposed between the insulating films in the pixels adjacent to the pixel, and the light-shielding layer is electrically connected to the upper electrode of each pixel.
[0050]
This means that by arranging the light shielding layer, the light reflection suppressing layer functions as a black matrix and the visibility is improved.
[0051]
According to another embodiment of the present application, in an organic light emitting display device having a plurality of pixels, each of the plurality of pixels has an organic light emitting element, the organic light emitting element includes an organic light emitting layer and the organic light emitting layer. It is configured to have an upper electrode and a lower electrode sandwiching the layer, and extracts light emitted from the organic light emitting layer from the upper electrode side, and an end of the lower electrode of the organic light emitting element is covered with an insulating film, A light-shielding layer is disposed between insulating films in adjacent pixels of a plurality of pixels.
[0052]
The light reflection suppressing layer functions as a black matrix to improve the visibility.
[0053]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(Example 1)
Hereinafter, examples of the organic light emitting display device of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view of an organic light-emitting display device according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG.
[0054]
The feature of the organic light emitting display device according to the present embodiment is that, in the organic light emitting display device having a plurality of pixels, each of the plurality of pixels has an organic light emitting element. It is configured to have an upper electrode 125 and a lower electrode 115 sandwiching the organic light emitting layer 122, and takes out light emitted from the organic light emitting layer 122 from the upper electrode 125 side. Is covered with an insulating film (third interlayer insulating film 120), and between the insulating film (third interlayer insulating film 120) and the insulating film (third interlayer insulating film 120) in the pixels adjacent to the plurality of pixels. A light reflection layer 130 of a conductive material layer is disposed, and the light reflection layer 130 is electrically connected to the upper electrode 125 of each pixel.
[0055]
Hereinafter, a method for manufacturing the organic light emitting display device of this embodiment will be described.
[0056]
An amorphous silicon (a-Si) film having a thickness of 50 nm is formed over the glass substrate 116 by using a low pressure chemical vapor deposition method (LPCVD method). The raw material is Si ₂ H ₆ And the substrate temperature was 450 ° C. Next, the entire surface of the film was laser-annealed using a XeCl excimer laser. Laser annealing was performed in two stages. The first and second irradiation energies were 188 mJ / cm, respectively. ² , 290mJ / cm ² Met. Thereby, a-Si was crystallized to be polycrystalline silicon (p-Si). Next, the p-Si film is converted to CF. ₄ Then, the active layer 103 of the first transistor 101, the active layer 103 'of the second transistor 102, and the capacitor lower electrode 105 were formed.
[0057]
Next, a 100-nm-thick SiO ₂ A film was formed.
SiO ₂ The film was formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using tetraethoxysilane (TEOS) as a raw material.
[0058]
Next, a TiW film having a thickness of 50 nm was formed as the gate electrodes 107 and 107 'by a sputtering method, and was patterned. At the same time, the scanning line 106 and the capacitor upper electrode 108 were also patterned.
[0059]
Next, the ion-implantation method is used to form a 4 × 10 4 layer on the patterned p-Si layer from above the gate insulating film 117. ^Fifteen Ion / cm ² P ions with an energy of 80 keV were implanted. No P ions are implanted into the region where the gate electrode is located above, and the active layers 103 and 103 'are formed.
[0060]
Next, an inert N ₂ Heating was performed at 300 ° C. for 3 hours in an atmosphere to activate the ions so that doping was performed effectively. The region into which the p-Si ions were implanted had a sheet resistance of 2 kΩ / □. A silicon nitride (SiN) is formed thereon as a first interlayer insulating film 118. _X ) A film was formed. The thickness is 200 nm.
[0061]
Next, contact holes were formed in the gate insulating film 117 and the first interlayer insulating film 118 above both ends of the active layers 103 and 103 '. Further, a contact hole was formed in the first interlayer insulating film 118 above the gate electrode 107 'of the second transistor.
[0062]
An Al film having a thickness of 500 nm is formed thereon by a sputtering method. The signal line 109 and the first current supply line 110 are formed by a photolithography process. Further, a source electrode 112 and a drain electrode 113 of the first transistor 101 and a source electrode 112 'and a drain electrode 113' of the second transistor 102 are formed.
[0063]
The capacitance lower electrode 105 and the drain electrode 113 of the first transistor 101 are connected. Further, the source electrode 112 of the first transistor 101 and the signal line 109 are connected.
[0064]
Also, the drain electrode 113 of the first transistor is connected to the gate electrode 107 'of the second transistor. Further, the drain electrode 113 ′ of the second transistor is connected to the first current supply line 110. Also, the upper electrode 108 of the capacitor 104 is connected to the first current supply line 110.
[0065]
Next, SiN is used as the second interlayer insulating film 119. _X A film was formed. The thickness is 500 nm. A contact hole is provided above the drain electrode 112 'of the second transistor. An ITO film with a thickness of 150 nm is formed thereon by using a sputtering method, and the lower electrode 115 is formed by using a photolithography method.
[0066]
Next, as the third interlayer insulating film 120, a positive photosensitive protective film manufactured by JSR Corporation
(PC452) was formed. A film was formed by a spin coating method under a coating condition of 1000 rpm / 30 seconds, the substrate was placed on a hot plate, and prebaked at 90 ° C./2 minutes.
[0067]
The thickness of the third interlayer insulating film 120 formed by the PC 452 is 1 μm, and the lower electrode
115 edges were covered by 3 μm.
[0068]
Next, the structure of the organic light-emitting element serving as a pixel will be described with reference to FIG. The glass substrate 116 formed up to the lower electrode 115 was subjected to ultrasonic cleaning for three minutes in the order of acetone and pure water. After washing, spin drying was performed, followed by drying in an oven at 120 ° C. for 30 minutes.
[0069]
Next, a 500 nm Al film 131 and a 20 nm Mo film 132 were sequentially formed by a sputtering method. The light reflection layer 130 is formed by a photolithography process.
[0070]
Next, a 50 nm thick 4,4-bis
[N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl film (hereinafter abbreviated as α-NPD film) was formed.
[0071]
About 60 mg of the raw material was placed in a Mo sublimation boat, and the vapor deposition was performed at a vapor deposition rate of 0.15 ± 0.05 nm / sec. The pattern was formed using a shadow mask. The deposition area was 1.2 times each side of the first electrode. This α-NPD film functions as the hole transport layer 121.
[0072]
A co-evaporated film of tris (8-quinolinol) aluminum and quinacridone having a thickness of 20 nm (hereinafter, abbreviated as Alq and Qc, respectively) was formed thereon by a dual simultaneous vacuum evaporation method.
[0073]
About 40 mg and about 10 mg of Alq and Qc raw materials were put into two Mo sublimation boats, respectively, and the deposition rates were controlled to 0.40 ± 0.05 nm / sec and 0.01 ± 0.005 nm / sec, respectively. Deposited. The Alq + Qc co-deposited film functions as the light emitting layer 122.
[0074]
An Alq film having a thickness of 20 nm was formed thereon by a vacuum evaporation method.
[0075]
About 40 mg of the raw material was placed in a Mo sublimation boat, and the vapor deposition was performed at a vapor deposition rate of 0.15 ± 0.05 nm / sec. The Alq film functions as the electron transport layer 123.
[0076]
An alloy film of Mg and Ag was formed thereon as the electron injection layer 124. The deposition rate was set to 0.14 ± 0.05 nm / s and 0.01 ± 0.005 nm / s, respectively, using a dual simultaneous vacuum deposition method, and a 10 nm-thick film was deposited.
[0077]
Next, an In-Zn-O film (hereinafter, referred to as a 50 nm-thick film) is formed by a sputtering method.
(Abbreviated as IZO film). This film functions as the upper electrode 125 and is an amorphous oxide film. The target used was In / (In + Zn) = 0.83.
[0078]
The deposition conditions are Ar: O ₂ Using a mixed gas as an atmosphere, the degree of vacuum is 1 Pa, and the sputtering output is 0.2 W / cm. ² And The upper electrode 125 made of the Mg: Ag / In-ZnO laminated film functioned as a cathode, and had a transmittance of 65%.
[0079]
Next, a 50 nm-thick SiN film is formed by sputtering. _X A film was formed. The film functions as a protective layer 126.
[0080]
In the organic light emitting display device of this embodiment, an IZO film was used for the upper electrode 125 in order to extract light emitted from the protective layer side. The IZO film has a sheet resistance of 200Ω / □.
[0081]
When an IZO film is used for the upper electrode 125 and the upper electrode 125 and the second current supply line 111 are connected, as shown in FIG. Power supply point and the upper electrode of each pixel
125 is connected via the second current supply line 111, the difference in the wiring resistance value of the IZO film between the pixel disposed at the end of the display area of the panel and the pixel disposed at the center of the display area of the panel. As a result, the voltage applied to the pixels varies, which causes luminance variations in the panel.
[0082]
On the other hand, in the organic light emitting display device of the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3B, the light reflection layer formed between each pixel is used as an auxiliary electrode of the upper electrode.
[0083]
The total wiring resistance of the upper electrode 125 and the light reflecting layer 130 is about 0.2Ω, the wiring resistance value of each pixel is so small as to be negligible, and the variation in luminance in the panel is suppressed.
[0084]
(Example 2)
Next, an organic light emitting display using the upper electrode as an anode will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the pixel area AA ′ as in FIG.
[0085]
In the present embodiment, unlike the first embodiment, the upper electrode 125 is configured as an anode and the lower electrode 115 is configured as a cathode.
[0086]
An amorphous silicon (a-Si) film having a thickness of 50 nm is formed over the glass substrate 116 by using a low pressure chemical vapor deposition method (LPCVD method). The raw material is Si ₂ H ₆ And the substrate temperature was 450 ° C. Next, the entire surface of the film was laser-annealed using a XeCl excimer laser. Laser annealing was performed in two stages. The first and second irradiation energies were 188 mJ / cm, respectively. ² , 290mJ / cm ² Met. Thereby, a-Si was crystallized to be polycrystalline silicon (p-Si).
[0087]
Next, the p-Si film is converted to CF. ₄ Then, the active layer 103 of the first transistor 101, the active layer 103 'of the second transistor 102, and the capacitor lower electrode 105 were formed.
[0088]
Next, a 100-nm-thick SiO ₂ A film was formed.
SiO ₂ The film was formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using tetraethoxysilane (TEOS) as a raw material.
[0089]
Next, a TiW film having a thickness of 50 nm was formed as the gate electrodes 107 and 107 'by a sputtering method and patterned. At the same time, the scanning line 106 and the capacitor upper electrode 108 were also patterned.
[0090]
Next, the ion-implantation method is used to form a 4 × 10 4 layer on the patterned p-Si layer from above the gate insulating film 117. ^Fifteen Ion / cm ² P ions with an energy of 80 keV were implanted. No P ions are implanted into the region where the gate electrode is located above, and the active layers 103 and 103 'are formed. ₂ Heating was performed at 300 ° C. for 3 hours in an atmosphere to activate the ions so that doping was performed effectively. The region into which the p-Si ions were implanted had a sheet resistance of 2 kΩ / □. A silicon nitride (SiN) is formed thereon as a first interlayer insulating film 118. _X ) A film was formed. The thickness is 200 nm.
[0091]
Next, contact holes were formed in the gate insulating film 117 and the first interlayer insulating film 118 above both ends of the active layers 103 and 103 '. Further, a contact hole was formed in the first interlayer insulating film 118 above the gate electrode 107 'of the second transistor.
[0092]
An Al film having a thickness of 500 nm is formed thereon by a sputtering method. The signal line 109 and the first current supply line 110 are formed by a photolithography process. Further, a source electrode 112 and a drain electrode 113 of the first transistor 101 and a source electrode 112 'and a drain electrode 113' of the second transistor 102 are formed. The capacitance lower electrode 105 and the drain electrode 113 of the first transistor 101 are connected. Further, the source electrode 112 of the first transistor 101 and the signal line 109 are connected. Also, the drain electrode 113 of the first transistor is connected to the gate electrode 107 'of the second transistor. Further, the drain electrode 113 ′ of the second transistor is connected to the first current supply line 110. Also, the upper electrode 108 of the capacitor 104 is connected to the first current supply line 110.
[0093]
Next, SiN is used as the second interlayer insulating film 119. _X A film was formed. The thickness is 500 nm. A contact hole is provided above the drain electrode 112 'of the second transistor. An Al film having a thickness of 150 nm is formed thereon by using an evaporation method, and the lower electrode 115 is formed by using photolithography.
[0094]
Next, a positive photosensitive protective film (PC452) manufactured by JSR was formed as the third interlayer insulating film 120. A film was formed by a spin coating method under a coating condition of 1000 rpm / 30 seconds, the substrate was placed on a hot plate, and prebaked at 90 ° C./2 minutes.
[0095]
Next, exposure was performed by ghi-line mixing using a photomask to form a contact hole in a stripe shape. Next, using a developer PD-523 from JSR, development was performed at room temperature / 40 seconds, and after development, rinsing was performed with running pure water at room temperature / 60 seconds. After rinsing, at a wavelength of 365 nm, 300 mJ / cm ² Post-exposure was performed at the following intensity, and post-baking was performed at 220 ° C. for 1 hour in a clean open state. The thickness of the third interlayer insulating film 120 formed of the PC 452 was 1 μm, and covered the edge of the lower electrode 115 by 3 μm.
[0096]
Next, the structure of the organic light-emitting element serving as a pixel will be described with reference to FIG. The glass substrate 116 formed up to the lower electrode 115 was subjected to ultrasonic cleaning for three minutes in the order of acetone and pure water. After washing, spin drying was performed, followed by drying in an oven at 120 ° C. for 30 minutes.
[0097]
Next, a 500 nm Al film 131 and a 20 nm Mo film 132 were sequentially formed by EB evaporation. The pattern was formed using a shadow mask. Al film 131 and Mo film
The layer constituted by 132 functions as a light reflection layer.
[0098]
Next, a LiF film was formed as the electron injection layer 124 on the lower electrode 115.
About 10 mg of the raw material was placed in a Mo sublimation boat, and vapor deposition was performed while controlling the vapor deposition rate at 0.05 nm / sec. The pattern was formed using a shadow mask by vapor deposition to a thickness of 0.5 nm. An Alq film having a thickness of 20 nm was formed thereon by a vacuum evaporation method. About 40 mg of the raw material was placed in a Mo sublimation boat, and the vapor deposition was performed at a vapor deposition rate of 0.15 ± 0.05 nm / sec. The Alq film functions as the electron transport layer 123. A co-evaporated film of tris (8-quinolinol) aluminum and quinacridone having a thickness of 20 nm (hereinafter, abbreviated as Alq and Qc, respectively) was formed thereon by a dual simultaneous vacuum evaporation method. About 40 mg and about 10 mg of Alq and Qc raw materials were put into two Mo sublimation boats, respectively, and the deposition rates were controlled to 0.40 ± 0.05 nm / sec and 0.01 ± 0.005 nm / sec, respectively. Deposited. The Alq + Qc co-deposited film functions as the light emitting layer 122.
[0099]
Next, a 4,4-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl film (hereinafter abbreviated as α-NPD film) having a thickness of 50 nm was formed by a vacuum evaporation method. Approximately 60 mg of the raw material was put into a Mo sublimation boat, and the deposition rate was 0.15 ± 0.05 nm /
The deposition was performed in a controlled manner in sec. The pattern was formed using a shadow mask. The deposition area was 1.2 times each side of the first electrode. This α-NPD film functions as the hole transport layer 121.
[0100]
Next, an In-Zn-O film (hereinafter, referred to as a 50 nm-thick film) is formed by a sputtering method.
(Abbreviated as IZO film). This film functions as the upper electrode 125 and is an amorphous oxide film. The target used was In / (In + Zn) = 0.83. The deposition conditions are Ar: O ₂ Vacuum degree 1 Pa, sputter cling output 0.2 W / cm with mixed gas as atmosphere ² And The upper electrode 125 made of an In-ZnO film functioned as an anode, and had a transmittance of 80%.
[0101]
Next, a 50 nm-thick SiN film is formed by sputtering. _X A film was formed. The film functions as a protective layer 126. In the organic light emitting display device of this embodiment, an IZO film was used for the upper electrode 125 in order to extract light emitted from the protective layer side. The IZO film has a sheet resistance of 200Ω / □.
[0102]
In this embodiment, as in the first embodiment, the light reflection layer formed between each pixel is used as an auxiliary electrode of the upper electrode. Therefore, the wiring resistance value in each pixel is so small as to be negligible, and the luminance variation in the panel is small. Be suppressed.
[0103]
(Example 3)
Next, as a third embodiment of the present invention, an organic light-emitting display device using an upper electrode as an anode will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view along the line AA 'of FIG. In the present embodiment, a light reflection layer is formed in a forward tapered shape, and other configurations are almost the same as those in the first embodiment.
[0104]
The light reflecting layer 130 is formed by the following method.
[0105]
When forming the third interlayer insulating film 120, the insulating film layer 140 serving as a base of the light reflecting layer is formed in a mountain shape with a height of 100 nm and a width of 100 nm. Next, a 200 nm Al film and a 20 nm Mo film are formed by EB evaporation to form the light reflection layer 130. The pattern was formed using a shadow mask.
[0106]
In the organic light-emitting display device of this embodiment, the light spilled sideways is reflected upward by the reflection layer, thereby preventing crosstalk and improving the luminance.
[0107]
(Example 4)
Next, as Embodiment 4 of the present invention, an organic light-emitting display device using an upper electrode as an anode will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA 'of FIG.
[0108]
In the present embodiment, a light-shielding layer 133 is formed on a light-reflecting layer 130, and other configurations are almost the same as those in the first embodiment.
[0109]
The light reflecting layer 130 and the light shielding film 133 are formed by the following method.
[0110]
A 200 nm Al film and a 20 nm Cr film are sequentially formed by EB evaporation. The pattern was formed using a shadow mask. At this time, the reflectance of the Cr film is 20% or less and functions as the light shielding film 133. The Al film functions as the light reflection layer 130.
[0111]
In the organic light-emitting display device of this embodiment, the light reflected sideways prevents crosstalk by the light reflection layer 130, and the light-shielding film 133 functions as a black matrix to improve visibility.
[0112]
(Example 5)
Next, as a fifth embodiment of the present invention, an organic light-emitting display device using an upper electrode as an anode will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG.
[0113]
This embodiment is different from the first embodiment in that a light-shielding layer 150 is used instead of the light-reflecting layer 130.
[0114]
The light shielding layer 150 is formed by the following method.
[0115]
100 nm Cr film 151, 100 nm Al film 152, 20 by EB evaporation
A Mo film 153 having a thickness of nm is sequentially formed. The pattern was formed using a shadow mask. At this time, the reflectance of the Cr film is 20% or less, and the layer made of Cr / Al / Mo functions as the light shielding layer 150.
[0116]
In the organic light emitting display device according to the present embodiment, light leaked laterally by the light shielding layer 150 is absorbed to prevent crosstalk. As described above, since the light shielding layer functions as a black matrix, visibility is improved.
[0117]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic light-emitting display device of favorable display which reduces the variation of the brightness | luminance by wiring resistance and prevents crosstalk between elements can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG.
FIG. 2 is a plan view of a pixel region in the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view along AA 'shown in FIG.
FIG. 3A is a schematic diagram showing a relationship between a second current supply line and a power supply line in a conventional organic light emitting display device, and FIG. It is a schematic diagram which shows the relationship with a feeder line.
FIG. 4 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a sectional view showing a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a sectional view showing a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a sectional view showing Embodiment 5 of the present invention.
[Explanation of symbols]
101: first transistor, 102: second transistor, 103: active layer,
104: capacitance, 105: capacitance lower electrode, 106: scanning line, 107: gate electrode, 108: capacitance upper electrode, 109: signal line, 110: first current supply line, 111: second current supply line, 112, 112 'Source electrode, 113 drain electrode, 114 feeding point, 115 lower electrode, 116 substrate, 117 gate insulating film, 118 first interlayer insulating film, 119 second interlayer insulating film, 120 third Interlayer insulating film, 121: hole transport layer, 122: light emitting layer, 123: electron transport layer, 124: electron injection layer, 125: upper electrode, 126: protective layer, 130: light reflecting layer, 133: light shielding film, 140: an insulating film layer; 150: a light shielding layer.

Claims

複数の画素を有する有機発光表示装置において、
前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、
該有機発光素子は、有機発光層及び該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、
前記有機発光素子の下部電極の端部は絶縁膜により覆われており、
複数の画素の隣り合う画素における前記絶縁膜と絶縁膜の間には導電性材料層が配置され、
該導電性材料層は、各画素の前記上部電極と電気的に接続されている有機発光表示装置。In an organic light emitting display device having a plurality of pixels,
Each of the plurality of pixels has an organic light emitting element,
The organic light-emitting element is configured to include an organic light-emitting layer and an upper electrode and a lower electrode sandwiching the organic light-emitting layer, and to extract light emitted from the organic light-emitting layer from the upper electrode side.
An end of the lower electrode of the organic light emitting device is covered with an insulating film,
A conductive material layer is disposed between the insulating film and the insulating film in a pixel adjacent to a plurality of pixels,
The organic light emitting display device, wherein the conductive material layer is electrically connected to the upper electrode of each pixel.

前記導電性材料層は、前記下部電極上に配置した有機発光層とほぼ同じ層の位置の深さまで配置されていることを特徴とする請求項１の有機発光表示装置。2. The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the conductive material layer is disposed to a depth substantially equal to a position of the organic light emitting layer disposed on the lower electrode.

前記導電性材料層は、前記絶縁膜と絶縁膜の間の少なくとも前記下部電極上に配置されている有機発光層からの発光光を反射するように配置されていることを特徴とする請求項２の有機発光表示装置。3. The device according to claim 2, wherein the conductive material layer is arranged to reflect light emitted from an organic light emitting layer disposed at least on the lower electrode between the insulating films. Organic light-emitting display device.

前記導電性材料層は、Ａｌ膜を含む層で構成されていることを特徴とする請求項２の有機発光表示装置。3. The organic light emitting display device according to claim 2, wherein the conductive material layer includes a layer including an Al film.

前記導電性材料層は、前記絶縁膜と絶縁膜の間の少なくとも前記下部電極上に配置されている有機発光層からの発光光を遮光するように配置されていることを特徴とする請求項１の有機発光表示装置。2. The device according to claim 1, wherein the conductive material layer is arranged so as to block light emitted from an organic light emitting layer disposed at least on the lower electrode between the insulating films. Organic light-emitting display device.

前記導電性材料層は、Ｃｒ膜を含む層で構成されていることを特徴とする請求項２の有機発光表示装置。3. The organic light-emitting display device according to claim 2, wherein the conductive material layer includes a layer including a Cr film.

前記上部電極は、透明導電酸化物，光透過性金属薄膜，有機導電膜の少なくとも一つにより構成されていることを特徴とする請求項１の有機発光表示装置。2. The organic light emitting display as claimed in claim 1, wherein the upper electrode is made of at least one of a transparent conductive oxide, a light transmitting metal thin film, and an organic conductive film.

光反射層として機能する前記導電性材料層は、上部電極の抵抗よりも低い抵抗の材料の膜を少なくとも一層有することを特徴とする請求項３又は４の有機発光表示装置。5. The organic light-emitting display device according to claim 3, wherein the conductive material layer functioning as a light reflection layer has at least one film of a material having a lower resistance than the resistance of the upper electrode.

光反射層として機能する前記導電性材料層は、ＭｏまたはＭｏを含む合金を有する膜を少なくとも一層有することを特徴とする請求項３又は４の有機発光表示装置。The organic light-emitting display device according to claim 3, wherein the conductive material layer functioning as a light reflection layer has at least one film containing Mo or an alloy containing Mo.

光反射層として機能する前記導電性材料層は、前記下部電極のエッチング速度と異なるエッチング速度の材料であることを特徴とする請求項３又は４の有機発光表示装置。5. The organic light emitting display device according to claim 3, wherein the conductive material layer functioning as a light reflecting layer is made of a material having an etching rate different from an etching rate of the lower electrode.

光反射層として機能する前記導電性材料層は、前記絶縁膜の上部を覆って形成されていることを特徴とする請求項３又は４の有機発光表示装置。The organic light emitting display device according to claim 3, wherein the conductive material layer functioning as a light reflection layer is formed to cover an upper part of the insulating film.

前記上部電極は、光反射層として機能する前記導電性材料層の上に形成されていることを特徴とする請求項３又は４の有機発光表示装置。5. The organic light emitting display device according to claim 3, wherein the upper electrode is formed on the conductive material layer functioning as a light reflection layer.

光遮光層として機能する前記導電性材料層は、前記上部電極の材料の抵抗よりも低い抵抗の材料の膜を少なくとも一層有することを特徴とする請求項５又は６の有機発光表示装置。7. The organic light-emitting display device according to claim 5, wherein the conductive material layer functioning as a light-shielding layer has at least one film made of a material having a lower resistance than the material of the upper electrode.

光遮光層として機能する前記導電性材料層は、ＭｏまたはＭｏを含む合金を有する膜を少なくとも一層有することを特徴とする請求項５又は６の有機発光表示装置。7. The organic light emitting display device according to claim 5, wherein the conductive material layer functioning as a light shielding layer has at least one film containing Mo or an alloy containing Mo.

光遮光層として機能する前記導電性材料層は、前記下部電極のエッチング速度と異なるエッチング速度の材料により構成されていることを特徴とする請求項５又は６の有機発光表示装置。7. The organic light emitting display device according to claim 5, wherein the conductive material layer functioning as a light shielding layer is made of a material having an etching rate different from an etching rate of the lower electrode.

光遮光層として機能する前記導電性材料層は、前記絶縁膜の上部を覆って形成されていることを特徴とする請求項５又は６の有機発光表示装置。7. The organic light emitting display device according to claim 5, wherein the conductive material layer functioning as a light shielding layer is formed to cover an upper part of the insulating film.

前記上部電極は、光遮光層として機能する前記導電性反射層上に形成されていることを特徴とする請求項５又は６の有機発光表示装置。7. The organic light emitting display device according to claim 5, wherein the upper electrode is formed on the conductive reflection layer functioning as a light shielding layer.

複数の画素を有する有機発光表示装置において、
前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、
該有機発光素子は、有機発光層及び該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有して構成され、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、
前記有機発光素子の下部電極の端部は絶縁膜により覆われており、
複数の画素の隣り合う画素における前記絶縁膜と絶縁膜の間には光遮光層として機能する導電性材料層が配置されている有機発光表示装置。In an organic light emitting display device having a plurality of pixels,
Each of the plurality of pixels has an organic light emitting element,
The organic light-emitting element is configured to include an organic light-emitting layer and an upper electrode and a lower electrode sandwiching the organic light-emitting layer, and to extract light emitted from the organic light-emitting layer from the upper electrode side.
An end of the lower electrode of the organic light emitting device is covered with an insulating film,
An organic light-emitting display device, wherein a conductive material layer functioning as a light-shielding layer is arranged between the insulating films in pixels adjacent to a plurality of pixels.

前記導電性材料層は、前記下部電極上に配置した有機発光層とほぼ同じ層の位置の深さまで配置されていることを特徴とする請求項１９の有機発光表示装置。20. The organic light-emitting display device according to claim 19, wherein the conductive material layer is disposed to a depth substantially equal to a position of the organic light-emitting layer disposed on the lower electrode.

前記導電性材料層は、Ｃｒ膜を含む層で構成されていることを特徴とする請求項１７の有機発光表示装置。18. The organic light emitting display device according to claim 17, wherein the conductive material layer includes a layer including a Cr film.