JP2004054269A - 光子発光抑制素子基盤の画像表示装置及びこれを利用した画像表示方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光子発光抑制素子基盤の画像表示装置及びこれを利用した画像表示方法を提供する。
【解決手段】互いに対向する二つの電極、及び前記電極間に介在されて励起光源から照射された光による光子発光が可能な発光層を具備したサブピクセルが一面に配列された基板を具備するが、前記発光層の光子発光は前記電極によって形成される電場によって制御可能に抑制できる光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。これにより、カラーフィルターを必要とせず、光損失、電力消費、重量、及び体積が少ない画像表示装置を得る。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光子発光抑制素子基盤の画像表示装置及びこれを利用した画像表示方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プロジェクション画像表示装置の第１世代は負極線管で具現された。前記負極線管基盤のプロジェクション画像表示装置では、電気的励起によって蛍光スクリーン上に生成される中間画像が光学ユニットを通じてスクリーンに投射された。しかし、前記負極線管に要求される光度は非常に強くて、これによって製品の寿命も制限される。また、前記負極線管基盤のプロジェクション画像表示装置は電力消耗が大きくて、かつ重量および体積が比較的大きいという短所がある。
現在には液晶基盤のプロジェクション画像表示装置が多く採択されている。この場合に必要な光源は通常的に白色光ランプで構成され、前記光は液晶マトリックスにより空間的解像度によって変調される。要求される光の色はカラーフィルターによって生成され、拡大された画像は反射スクリーンと伝達スクリーン上での色混合によって具現される。
【０００３】
さらに、投射光を配列されたマイクロ鏡により変調する方法が知られている。この場合においても必要な色の生成のためにはカラーフィルターが要求される。
さらに、特許文献１および２には、自己発光型有機発光素子をプロジェクション画像表示装置の光源として使用する場合が開示されている。要求される光強度の変調は上方に位置した液晶マトリックスによって達成される。この場合の有機発光素子は能動的な駆動要素として機能するのではなく、単に液晶表示素子のバックライトと類似した光源としてのみ機能する。この場合の短所は、偏光器及び液晶に起因する光損失が有機発光素子の輝度によって補充されねばならないという点である。
【０００４】
【特許文献１】
ＥＰ０８３８７１５Ａ１
【０００５】
【特許文献２】
ＥＰ０８６９３８８Ａ１
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記の短所を克服して、カラーフィルターを必要とせず、光損失、電力消費、重量及び体積が少ない画像表示装置及びこれを利用した画像具現方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、本発明は互いに対向する二つの電極、及び前記電極間に介在されて励起光源から照射された光による光子発光が可能な発光層を具備したサブピクセルが一面に配列された基板を具備するが、前記発光層の光子発光は前記電極によって形成される電場によって制御可能に抑制できる光子発光抑制素子基盤の画像表示装置を提供する。
【０００８】
前記励起光源は基板の前面に光を照射するように配置され、前記基板は透明な材料で形成され、前記サブピクセルは基板の背面に配列され、前記電極のうち基板の背面に隣接した電極は透明な材料で形成され、他の電極は光を反射する材料で形成される。
【０００９】
前記励起光源は基板の前面に光を照射するように配置され、前記サブピクセルは基板の前面に配列され、前記電極のうち基板の前面に隣接した電極は光を反射する材料で形成され、他の電極は透明な材料で形成される。
前記励起光源は基板の前面に光を照射するように配置され、前記基板は光を反射する材料で形成され、前記サブピクセルは基板の前面に配列され、前記電極は透明な材料で形成される。
【００１０】
前記励起光源は基板の背面に光を照射するように配置され、前記基板は透明な材料で形成され、前記サブピクセルは基板の背面に配列され、前記サブピクセル上には励起光源の光は透過されて発光層の光は反射される誘電性鏡が配置され、前記電極は透明な材料で形成される。
【００１１】
前記励起光源は基板の背面に光を照射するように配置され、前記基板は透明な材料で形成され、前記サブピクセルは基板の前面に配列され、前記サブピクセルと基板間には励起光源の光は透過されて発光層の光は反射される誘電性鏡が配置され、前記電極は透明な材料で形成される。
前記光子発光抑制素子は信号電圧を電磁波に変換する放射モードででも作動でき、光子発光による放射を抑制する放射抑制モードででも作動できる。
【００１２】
前記発光層の材料は低分子有機物または発光重合体であり、前記発光重合体はポリフェニレンビニレンとポリフルオレン系列の群から選択された発光重合体である。
前記電極のうち正極と発光層間にはホール輸送層が介在され、前記ホール輸送層はポリ（エチレンジオキシチオフェン）またはポリスチレンスルホン酸及びポリアニリンを具備する。
前記励起光源は青色光と紫外線の比率が高いランプ、例えば、水銀ランプまたはキセノンランプである。
【００１３】
前記励起光源は画像表示装置外部の外部光源である。
前記光子発光抑制素子基盤の画像表示装置は前記発光層によって放射された光を調整できる光学ユニットをさらに具備する。
前記光子発光抑制素子基盤の画像表示装置は前記発光層によって放射された光が投射されることによって画像が具現されるスクリーンをさらに具備する。
前記誘電性鏡は前記発光層から放射される光の波長より狭い帯域幅を有する誘電性鏡であり、さたに多様な屈折率を有する屈折層を具備する。
【００１４】
前記屈折層のうち低い屈折率を有する屈折層はシリコンジオキシド、シリコンナイトライド、またはマグネシウムフルオライドで形成され、高い屈折率を有する屈折層はチタンジオキシド、Ｔｉｎオキシド、ジルコニウムオキシド、またはタンタルオキシドで形成される。
【００１５】
また、前記の目的を達成するために、本発明は発光層から光子発光による光が放射されるように励起光源の光を発光層に照射する照射段階と、前記発光層に電場を生成させて光子発光を抑制することによって光子発光による光の放射を制御する制御段階と、前記光子発光によって発光層から放射された光で画像を表示する画像表示段階と、を具備した光子発光抑制素子基盤の画像表示装置を利用した画像表示方法を提供する。
【００１６】
前記照射段階は青色光と紫外線の比率が高いランプで照射する段階であるが、前記ランプは水銀ランプまたはキセノンランプである。
前記画像表示段階は、前記発光層によって放射された光を光学ユニットで調整する調整段階および前記発光層から放射された光をスクリーンに投射する投射段階を具備する。
本発明によれば、カラーフィルターを必要とせず、光損失、電力消費、重量、及び体積が少ない画像表示装置及びこれを利用した画像具現方法が提供される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次いで、図１を参照して本発明の第１実施例を詳細に説明する。本実施例による光子発光抑制素子基盤の画像表示装置はサブピクセル６、７、８が一面に配列された基板１及び、前記基板の前面１ａに光を照射できる励起光源９を具備する。
前記基板１は励起光源９によって照射される励起光が通過できる透明な材料で形成され、前記サブピクセルは基板の背面１ｂに配列される。前記サブピクセル各々は互いに対向する二つの電極２、５と、前記電極間に介在されて光子発光が可能な発光層４とを具備する。
【００１８】
前記発光層４は低分子有機物または発光重合体であるが、前記発光重合体はポリフェニレンビニレンとポリフルオレン系列の群から選択された材料である。発光層はスピンコーティング、噴霧、スクレープ・デポジッティング、及びインクジェットプリンティングなどの工程によって形成できる。
【００１９】
前記電極のうち基板の背面に隣接した電極２は励起光が通過できる透明な材料で形成され、他の電極５は発光層からの光を反射する材料で形成される。本実施例においては前記基板の背面に隣接した電極２は正極であり、他の電極５は負極であるが、極板の極性は互いに変わりうる。透明な電極のための材料としては、インジウムＴｉｎオキシド（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）が使われる。
【００２０】
前記正極２と発光層４間にはホールの移動を容易にするホール輸送層３が介在されることが望ましいが、このホール輸送層はポリエチレンジオキシチオフェンまたはポリスチレンスルホン酸及びポリアニリンをスピンコーティング、噴霧、スクレープ・デポジッティング、及びインクジェットプリンティング等によって分散させることによって形成できる。
また前記画像表示装置は、前記発光層４によって放射された光を調整できる光学ユニット１０と、前記発光層によって放射された光が投射されることによって画像が具現されるスクリーンとをさらに具備できる。
【００２１】
前記励起光源９から照射された光は基板１と電極２などを通過して発光層４に到達し、発光層に到達した光は発光層を光子発光させる。発光層の光子発光によって放射された光は他の電極５によって反射されて前記基板１と電極２などを通過して基板の前面１ａが向かう方向に投射される。前記励起光源は画像表示装置内部に設置された内部光源である場合もあり、室内照明や日光などの画像表示装置外部に存在する外部光源である場合もある。
【００２２】
本実施例による画像表示装置の光子発光抑制素子は、信号電圧を電磁波に変換する放射モードででも作動でき、光子発光による放射を抑制する放射抑制モードででも作動できる。前記放射モードでは正極から注入されたホールと負極から注入された電子とが結合されることによって励起子が生成され、前記励起子のエネルギー準位が低くなりつつ光が放射される。したがって、前記電極から供給されるホール及び電子を制御することによって光子発光素子を能動的に制御できる。放射抑制モードでは、前記電極に前記放射モードで印加される電圧に対する逆電圧を印加して発光層４に電場を形成することによって発光層の光子発光による光放射の抑制を能動的に制御する。
【００２３】
前記放射抑制モードをより詳細に説明する。励起光が発光層４に照射されれば発光層（特に、発光層内の励起子）が励起されるが、このように発光層が光学的に励起された状態、すなわち、励起状態は一定時間（通常的に数ナノ秒）持続されるが、光子発光によって光を放射すると同時に衰退する。前記励起状態下で発光層に電場を形成させれば、光子発光によって光が放射される前に電荷運搬子における励起状態が部分的に分離され、それによって励起状態の集中度が落ち、したがって、光子発光の強度が弱まる。すなわち、放射抑制モードでは前記逆電圧が印加されていない時に前記光子発光の強度が最大値に到達するが、前記電極に印加される逆電圧を制御することによって前記光子発光の強度を制御する。
【００２４】
前記発光層４によって放射された光は光学ユニット１０によって調整でき、その後でスクリーンに投射されて画像が具現できる。一方、本画像表示装置は前記光学ユニットとスクリーンとを具備しないこともあるが、例えば、本画像表示装置が携帯電話などの移動通信手段に装着される場合には前記基板に具現される画像自体だけで画像具現の目的を達成できる。
【００２５】
本実施例による長所のうち一つは、前記光子発光抑制素子を駆動させる制御電流が低く維持されるという点である。これは、前記放射抑制モードが発光効率の観点で非常に有利であるからである。これを以下で具体的に説明する。放射モードの場合には前記発光層に供給されるホールと電子とが再結合することによって励起子が生成され、この励起子の一重項１つ当り三重項が３つ形成されるが、前記三重項は熱エネルギーなどに消耗されて発光に寄与できないので、画像表示装置の発光効率を悪化させる。これに対し、放射抑制モードの場合には励起光源から照射された光によって励起子が生成され、この励起子のエネルギー準位が低くなりつつ発光層が発光するが、発光層に供給される逆電流は前記発光を抑制するのに使われるので、放射モードに比べて電流が少なく所要される。
【００２６】
励起子一つに電荷運搬子一つが必要であるという前提下で算術的に計算すれば、放射モードでは発光に寄与する１つの一重項及びこれと共に形成される３つの三重項のための４つの電荷運搬子が必要である一方、放射抑制モードでは発光に寄与する励起子１つの制御のために１つの電荷運搬子だけ必要なので電流が少なく所要される。したがって、放射抑制モードの場合には低い電流で光子発光素子を駆動させて適切な輝度を有する画像を具現できる。
【００２７】
本実施例による光子発光抑制素子の場合において、光子発光によって放射される光は各発光層を形成する材料の特性によって決定される色を有するため、カラーフィルターを必要としない。
前記輝度を制御するための適切な駆動回路には薄膜トランジスタ回路があるが、これは単結晶シリコンまたは多結晶シリコンで具現され、前記薄膜トランジスタは毎サブピクセルに一つずつ必要である。前記薄膜トランジスタは前記基板に直接形成され、これを駆動するスキャン駆動回路とデータ駆動回路とは前記基板の周辺に互いに直交して配置される。前記薄膜トランジスタと駆動回路とを連結する導線は格子状に配列される。
【００２８】
図２を参照して第１実施例と相異なる事項を中心に第２実施例を説明する。本実施例においてはサブピクセル６、７、８が基板の前面１ａに配列され、電極２、５のうち基板の前面に隣接した電極２は光を反射する材料で形成され、他の電極５は透明な材料で形成される。光が前記電極２によって反射されるので、基板１は比較的透明でない材料、例えば単結晶シリコンで形成される。前記基板を単結晶シリコンで形成する場合には単結晶シリコン上での電荷運搬子の高い移動性のために高い駆動電流が得られる。これによって画像表示装置の輝度が向上する。
【００２９】
前記励起光源９から照射された光は電極５などを通過して発光層４に到達し、発光層に到達した光は発光層を光子発光させる。発光層の光子発光によって放射された光は他の電極２によって反射されて電極５などを通過して基板の前面１ａが向かう方向に投射される。
【００３０】
第２実施例の変形例は、前記基板は光を反射する材料で形成され、前記電極は透明な材料で形成されることによって前記第２実施例と同等な効果を得ることができる。前記基板自体が光を反射する材料で形成されなくても、基板とサブピクセル間に光を反射する薄膜を配置することによって同等な効果を得ることができるが、この場合にはその薄膜が基板の一部として理解される必要がある。
【００３１】
図３を参照して第１実施例と相異なる事項を中心に第３実施例を説明する。本実施例においては励起光源９が基板の背面１ｂに光を照射するように配置され、基板１は透明な材料で形成され、サブピクセル６、７、８は基板の背面１ｂに配列され、前記サブピクセル上には励起光源の光は透過されて発光層の光は反射される誘電性鏡１２が配置され、電極２、５は透明な材料で形成される。
前記励起光源９は青色光と紫外線の比率が高いランプ、例えば水銀ランプ、キセノンランプであることが望ましい。
【００３２】
前記誘電性鏡１２は透明な絶縁層であって、特定範囲の波長を有する光に対しては透過性であり、他の特定範囲の波長を有する光に対しては反射性である。前記誘電性鏡は前記発光層４から放射される光の波長より狭い帯域幅を有して、かつ多様な屈折率を有する屈折層を具備することが望ましい。前記屈折層の光路長さは反射波長の４分の１に該当する。前記屈折層のうち低い屈折率を有する屈折層を形成する材料には、例えばシリコンジオキシド、シリコンナイトライド、マグネシウムフルオライド、及びこれらと関連した材料がある。高い屈折率を有する屈折層を形成する材料には、例えばチタンジオキシド、Ｔｉｎオキシド、ジルコニウムオキシド、及びタンタルオキシドがある。
【００３３】
電極５として適切な材料は、導電性の向上のためにＩＴＯのように透明でかつ導電性を有する材料で覆われて発光層上に薄膜状に積層されたベースメタルであり、前記ベースメタルにはカルシウム、マグネシウム、バリウム、及びアルミニウムなどがある。前記ベースメタルは非常に薄く形成されるために透明性を大きく阻害しないながらも相対的に劣悪なＩＴＯの導電性を補完する。
リチウムフルオライド、バリウムフルオライド、及びマグネシウムフルオライドなどの金属フルオライドが前記発光層と電極金属間に付加的に積層されることもある。ＩＴＯ層は前記誘電性鏡の第１屈折層を形成できるが、この場合にＩＴＯ層の厚さは屈折層の厚さとして好適に定められる。
【００３４】
前記励起光源９から照射された光は誘電性鏡１２、電極５などを通過して発光層４に到達し、発光層に到達した光は発光層を光子発光させる。発光層の光子発光によって放射された光は誘電性鏡１２によって反射されて電極２及び基板１などを通過して基板の前面１ａが向かう方向に投射される。
図４を参照して第３実施例と相異なる事項を中心に第４実施例を説明する。サブピクセル６、７、８は基板の前面１ａに配列され、前記サブピクセルと基板間には励起光源の光は透過されて発光層の光は反射される誘電性鏡１２が配置され、電極２、５は透明な材料で形成される。
【００３５】
前記励起光源９から照射された光は基板１、誘電性鏡１２、電極２などを通過して発光層４に到達し、発光層に到達した光は発光層を光子発光させる。発光層の光子発光によって放射された光は誘電性鏡１２によって反射されて電極５などを通過して基板の前面１ａが向かう方向に投射される。
本実施例の場合には製造の工程状態に敏感に反応する発光層４が積層される前に基板上に誘電性鏡１２および電極２を形成する工程を行えるという長所がある。また、前記誘電性鏡は導電性重合体材料で形成できる。
【００３６】
前記実施例は発光層の光子発光及び光子発光の抑制を効果的に行えるように追加的な手段によって変形できる。これは、反射−減少層だけでなく入口側及び出口側に備わったマイクロレンズも含む。また励起光源の波長範囲に該当する遮断フィルターを使用することもできる。理想的には、励起光源の光を反射させる誘電性鏡は発光効率を追加的に向上させる。
【００３７】
図３及び図４で前記フィルターは画像表示要素内に直接統合できる。図１及び図２では、励起光の発光層での注入−結合を保証するために前記画像表示要素からの十分な間隔が維持されねばならない。
前記実施例を利用した画像表示方法を簡単に説明する。本画像表示方法は照射段階、制御段階、及び画像表示段階を具備するが、前記照射段階は発光層から光子発光による光が放射されるように励起光源の光を発光層に照射する段階であり、制御段階は前記発光層に電場を生成させて光子発光を抑制することによって光子発光による光の放射を制御する段階であり、画像表示段階は光子発光によって発光層から放射された光でスクリーンに画像を表示する段階である。
【００３８】
前記照射段階では青色光と紫外線の比率が高いランプで励起光を照射することが望ましく、ランプには例えば、水銀ランプまたはキセノンランプを使用できる。
前記画像表示段階は、前記発光層によって放射された光を光学ユニットで調整する調整段階を具備できる。この調整段階では光子発光素子から放射された光を拡大、縮少、屈折、反射などの方法によって変調することによって最終的に表示される画像を決定する段階である。
【００３９】
また画像表示段階は、前記発光層から放射された光をスクリーンに投射する投射段階を具備できる。
前記調整段階および投射段階は、画像観察者が見る画像が基板上に具現される画像でなく、基板上に具現される画像からスクリーンに投射された画像である場合に必要である。
【００４０】
【発明の効果】
本発明は図面に示した実施例を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、本技術分野の当業者であればこれより多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるという点が理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって決まらねばならない。
本発明によれば、カラーフィルターを必要とせず、光損失、電力消費、重量、及び体積が少ない画像表示装置及びこれを利用した画像具現方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例による光子発光抑制素子基盤の画像表示装置の概略図である。
【図２】本発明の第２実施例による光子発光抑制素子基盤の画像表示装置の概略図である。
【図３】本発明の第３実施例による光子発光抑制素子基盤の画像表示装置の概略図である。
【図４】本発明の第４実施例による光子発光抑制素子基盤の画像表示装置の概略図である。
【符号の説明】
１　基板
１ａ　基板の前面
１ｂ　基板の背面
２、５　電極
３　ホール輸送層
４　発光層
６、７、８　サブピクセル
９　励起光源
１０　光学ユニット

Claims (22)

1. 互いに対向する二つの電極、及び前記電極間に介在されて励起光源から照射された光による光子発光が可能な発光層を具備したサブピクセルが一面に配列された基板を具備するが、
   前記発光層の光子発光は前記電極によって形成される電場によって制御可能に抑制できる光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
2. 前記励起光源は基板の前面に光を照射するように配置され、前記基板は透明な材料で形成され、前記サブピクセルは基板の背面に配列され、前記電極のうち基板の背面に隣接した電極は透明な材料で形成され、他の電極は光を反射する材料で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
3. 前記励起光源は基板の前面に光を照射するように配置され、前記サブピクセルは基板の前面に配列され、前記電極のうち基板の前面に隣接した電極は光を反射する材料で形成され、他の電極は透明な材料で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
4. 前記励起光源は基板の前面に光を照射するように配置され、前記基板は光を反射する材料で形成され、前記サブピクセルは基板の前面に配列され、前記電極は透明な材料で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
5. 前記励起光源は基板の背面に光を照射するように配置され、前記基板は透明な材料で形成され、前記サブピクセルは基板の背面に配列され、前記サブピクセル上には励起光源の光は透過されて発光層の光は反射される誘電性鏡が配置され、前記電極は透明な材料で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
6. 前記励起光源は基板の背面に光を照射するように配置され、前記基板は透明な材料で形成され、前記サブピクセルは基板の前面に配列され、前記サブピクセルと基板間には励起光源の光は透過されて発光層の光は反射される誘電性鏡が配置され、前記電極は透明な材料で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
7. 前記光子発光抑制素子は信号電圧を電磁波に変換する放射モードででも作動でき、光子発光による放射を抑制する放射抑制モードででも作動できることを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
8. 前記発光層の材料は低分子有機物または発光重合体であり、前記発光重合体はポリフェニレンビニレンとポリフルオレン系列の群から選択された発光重合体であることを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
9. 前記電極のうち正極と発光層間にはホール輸送層が介在され、前記ホール輸送層はポリ（エチレンジオキシチオフェン）またはポリスチレンスルホン酸及びポリアニリンを具備したことを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
10. 前記励起光源は青色光と紫外線の比率が高いランプであることを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
11. 前記励起光源は水銀ランプまたはキセノンランプであることを特徴とする請求項１０に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
12. 前記励起光源は画像表示装置外部の外部光源であることを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
13. 前記発光層によって放射された光を調整できる光学ユニットをさらに具備したことを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
14. 前記発光層によって放射された光が投射されることによって画像が具現されるスクリーンをさらに具備したことを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
15. 前記誘電性鏡は前記発光層から放射される光の波長より狭い帯域幅を有する誘電性鏡であることを特徴とする請求項５または６に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
16. 前記誘電性鏡は多様な屈折率を有する屈折層を具備したことを特徴とする請求項５または６に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
17. 前記屈折層のうち低い屈折率を有する屈折層はシリコンジオキシド、シリコンナイトライド、またはマグネシウムフルオライドで形成され、高い屈折率を有する屈折層はチタンジオキシド、Ｔｉｎオキシド、ジルコニウムオキシド、またはタンタルオキシドで形成されたことを特徴とする請求項１６に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置。
18. 発光層から光子発光による光が放射されるように励起光源の光を発光層に照射する照射段階と、
    前記発光層に電場を生成させて光子発光を抑制することによって光子発光による光の放射を制御する制御段階と、
    前記光子発光によって発光層から放射された光で画像を表示する画像表示段階と、を具備した光子発光抑制素子基盤の画像表示装置を利用した画像表示方法。
19. 前記照射段階は青色光と紫外線の比率が高いランプで照射する段階であることを特徴とする請求項１８に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置を利用した画像表示方法。
20. 前記ランプは水銀ランプまたはキセノンランプであることを特徴とする請求項１９に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置を利用した画像表示方法。
21. 前記画像表示段階は、前記発光層によって放射された光を光学ユニットで調整する調整段階を具備したことを特徴とする請求項１８ないし２０のうちいずれか１項に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置を利用した画像表示方法。
22. 前記画像表示段階は前記発光層から放射された光をスクリーンに投射する投射段階を具備したことを特徴とする請求項１８ないし２０のうちいずれか１項に記載の光子発光抑制素子基盤の画像表示装置を利用した画像表示方法。

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