JP2004023048A - Method for cleaning and drying semiconductor substrate - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハに代表される半導体基板の洗浄乾燥方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの微細化と高集積化が進むに従って、半導体基板の表面汚染が製造歩留りやデバイス特性及び信頼性に与える影響はますます大きくなってきている。半導体基板は様々なデバイス製造工程を経て最終製品に至るが、この間に基板表面は各種の汚染環境に晒される。そこで基板表面から金属不純物や微粒子等を除去するために鏡面研磨ウェーハ加工、酸化、不純物拡散、イオンインプランテーション、化学的気相成長(CVD)、リソグラフィーなど各工程の前後にはその半導体基板を洗浄して乾燥させる洗浄乾燥工程が設けられている。従来、この洗浄乾燥装置としてバッチ式のものが知られており、処理槽に貯留された処理液中に半導体基板をホルダによって立てて保持し、先ず、処理液の導入孔から処理液を導入して洗浄処理し、次に処理液を排出しながら上蓋部に設けられたガスの吐出口から揮発性有機溶剤及び不活性気体を導入して、半導体基板を乾燥させるようになっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この従来の装置では、処理すべき半導体基板がホルダにより保持された状態で処理及び乾燥されるため、半導体基板のホルダ周辺の半導体基板表面、具体的にはホルダにより実際に保持されている半導体基板表面下部は、半導体基板表面上部に比べ、乾燥状態が悪く、パーティクルが付着し易く、ウォーターマークが多く発生し易いといった問題点があった。この点を解消するために、半導体基板をホルダから一端取り外して乾燥させることも考えられるが、乾燥工程が二段階となり、その乾燥に時間がかかる問題がある。
本発明の目的は、半導体基板のホルダによる保持部付近の半導体基板表面も、半導体基板上部と同様に短時間で効率よく乾燥させ、パーティクル付着やウォーターマークの発生を抑制し得る半導体基板の洗浄乾燥方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、処理槽11に貯留された処理液13に第1ホルダ16に保持された半導体基板14を第1ホルダ16とともに浸漬して処理する工程と、第1ホルダ16を処理槽11に残したまま処理された半導体基板14のみを処理槽11から引上げながら乾燥させる工程と、引上げられた半導体基板14を移動し乾燥槽12に配置されて乾燥された第2ホルダ21に保持させて更に乾燥させる工程と、乾燥した半導体基板14を第2ホルダ21とともに乾燥槽12から取出す工程と、処理液13に浸漬された第1ホルダ16を処理槽11から引上げて移動し第1ホルダ16を乾燥槽12に配置して乾燥させ第2ホルダ21とする工程とを含む半導体基板の洗浄乾燥方法である。
【0005】
請求項1に係る発明では、半導体基板14を処理槽11から単独で引上げ、この引上げとともに乾燥させるので、ホルダにより保持された状態で半導体基板を乾燥する従来に比較してより良く乾燥させることができる。また、引上げられた半導体基板14は乾燥槽12の内部で更に乾燥させられるので、半導体基板14を確実に乾燥させることができる。ここで、乾燥槽12に配置された第2ホルダ21は予め十分に乾燥されているため、この第2ホルダ21に保持された状態で更に乾燥させられる半導体基板14のホルダ周辺の半導体基板14表面に付着残存する処理液13も有効に揮発する。このため、第2ホルダ21により実際に保持されている半導体基板14表面下部であっても、半導体基板14表面上部と同様に十分に乾燥し、パーティクル付着やウォーターマークの発生を抑制することができる。
また、乾燥槽12に配置された第2ホルダ21の乾燥は、処理槽11に貯留された処理液に半導体基板14を浸漬して処理している間にも行えるため、第2ホルダ21を乾燥させることに伴って、半導体基板14の乾燥に時間がかかることはない。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて詳しく説明する。
本発明の洗浄乾燥方法には、処理槽11と乾燥槽12が用いられ、この処理槽11と乾燥槽12の周囲にはそれぞれ図示しないヒータが設けられる。処理槽11には処理液13が貯留されて前述したヒータによりその温度が25〜70℃に保たれ、乾燥槽12の内部雰囲気温度は前述したヒータにより40〜70℃に保たれる。本発明の方法は、半導体基板14を乾燥する際に、最初処理槽11の内部で半導体基板14を処理液13により処理し、その後半導体基板14を乾燥させるものである。ここで、処理槽11に貯留される処理液13としては、純水、機能水、又はオゾン水等が挙げられる。以下に本発明の洗浄乾燥方法を各工程に分けて説明する。
【0007】
a.浸漬処理工程
先ず、半導体基板14を乾燥する際には、最初処理槽11内で半導体基板14を処理液13により処理する必要がある。この処理は、処理槽11に貯留されて所定の温度に保たれた処理液13に処理すべき半導体基板14を浸漬させることにより行われる。図1に示すように、この浸漬に際して、半導体基板14は第1ホルダ16に保持され、その第1ホルダ16とともに半導体基板14は処理槽11に貯留された処理液13中に浸漬されて処理される。ここで、第1ホルダ16は半導体基板14の底部及び側部を保持してその半導体基板14を垂直に保持するように構成され、後述する突上用ロッド17が遊挿可能な孔16aが下部中央に形成される。そして処理液13中への浸漬は、第1ホルダ16の上部を保持して移動可能に構成されたホルダアーム18により行われ、そのホルダアーム18が半導体基板14を保持した第1ホルダ16の上部を保持し、その状態で図1の実線矢印で示すように下降して、図2に示すように、半導体基板14を第1ホルダ16とともに処理液13中に浸漬させて処理する。
【0008】
b.引上げ乾燥工程
半導体基板14は処理後に乾燥させられる。この場合、第1ホルダ16を処理槽11に残したまま処理された半導体基板14のみを処理槽11から引上げながら乾燥させる。この引上げに関しては、処理槽11の下部に設けられた突上用ロッド17を上方に突出させることにより行われる。この実施の形態におけるロッド17は、図示しないエアシリンダにおけるロッド17であり、そのロッド17を上方に突出させるとその上端縁が半導体基板14の下縁に当接し、図3に示すように、そのロッド17を更に上方に突出することによりその半導体基板14を処理液13から引上げるように構成される。このロッド17は毎秒1ないし5mmの速度で突出し、このような比較的緩やかな速度で突出するロッド17により半導体基板14は処理液13の液面から緩やかに出現して乾燥させられる。このとき、液面から出現する半導体基板14の乾燥を促すための不活性ガスをその出現した半導体基板14に吹き付けることもできる。本発明の方法では、半導体基板14のみを引上げるので、ホルダにより保持された状態で乾燥する従来に比較してより良く乾燥させることができる。
【0009】
c.移動乾燥工程
引上げられた半導体基板14はその後移動させられて第2ホルダ21に保持される。半導体基板14の移動は、その半導体基板14を保持して移動可能に構成された基板用アーム19により行われ、その基板用アーム19が突上用ロッド17により引上げられた半導体基板14の両側部を保持し、その状態で図3の実線矢印で示すように移動することによりその半導体基板14を移動させる。図4に示すように、基板用アーム19は、乾燥槽12の上方で一旦停止し、実線矢印で示すように半導体基板14を下降させ、図5に示すように、その乾燥槽12に予め配置された第2ホルダ21に半導体基板14を保持させる。ここで、その乾燥槽12に予め配置された第2ホルダ21は、第1ホルダ16と同様に、半導体基板14の底部及び側部を保持してその半導体基板14を垂直に保持するものであり、第1ホルダ16と同形同大に構成される。そして、この第2ホルダ21に保持された半導体基板14は、所定の温度に保たれた乾燥槽12の内部で表面に残存する処理液13が揮発することにより更に乾燥させられる。
【0010】
ここで、半導体基板14を保持する第2ホルダ21は、乾燥槽12に予め配置されて十分に乾燥されているため、半導体基板14のホルダ周辺の半導体基板14表面に付着残存した処理液13も揮発し、第2ホルダ21により実際に保持されている半導体基板14表面下部であっても、半導体基板14表面上部と同様に十分に乾燥させることができる。なお、半導体基板14を乾燥させると同時に、上方に突出した突上用ロッド17は下降し、次に洗浄乾燥する半導体基板14を処理槽11に浸漬可能な状態にされる。
【0011】
d.取出し工程
乾燥した半導体基板14は第2ホルダ21とともに乾燥槽12から取出される。その取出しは、前述したホルダアーム18により行われ、第2ホルダ21は第1ホルダ16と同形同大であるので、図6に示すようにホルダアーム18は第2ホルダ21の上部を保持し、図7に示すように乾燥された半導体基板14とともにその第2ホルダ21を上方に引上げる。これにより半導体基板14は乾燥槽12から取出され、洗浄乾燥された半導体基板14として第2ホルダ21から取り外されて次工程に移される。一方、半導体基板14が取り外された第2ホルダ21は、次に処理する半導体基板14を処理液13中に浸漬させる図1に示す第1ホルダ16として使用される。
【0012】
e.ホルダ乾燥工程
処理液13に浸漬された状態で残された第1ホルダ16は、乾燥槽12から半導体基板14が第2ホルダ21とともに取出された段階で処理槽11から引上げられて移動し、乾燥槽12に配置される。この第1ホルダ16の引上げ及び移動は前述したホルダアーム18により行われ、図8に示すようにホルダアーム18は第1ホルダ16の上部を保持し、実線矢印で示すようにその第1ホルダ16を上方に引上げる。これにより第1ホルダ16は処理槽11から引上げられ、その状態で水平に移動し、乾燥槽12の上方から下降して、図9に示すように第1ホルダ16を乾燥槽12に配置した後所定の待機場所まで移動する。乾燥槽12に配置された第1ホルダ16は、所定の温度に保たれた乾燥槽12の内部で表面に付着した処理液13が揮発することにより乾燥され、次に処理する半導体基板14における図1に示す第2ホルダ21として使用される。乾燥槽12に配置された第2ホルダ21の乾燥は、処理槽11に貯留された処理液に半導体基板14を浸漬して処理している間にもできるため、第2ホルダ21を乾燥させることに伴って、半導体基板14の乾燥に時間がかかることはない。
【0013】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、処理槽に貯留された処理液に第1ホルダに保持された半導体基板を第1ホルダとともに浸漬して処理し、第1ホルダを処理槽に残したまま処理された半導体基板のみを処理槽から引上げながら乾燥させるので、ホルダにより保持された状態で乾燥する従来に比較してその半導体基板をより良く乾燥させることができる。また、本発明では、引上げられた半導体基板を移動し乾燥槽に配置されて乾燥された第2ホルダに半導体基板を保持させて更に乾燥させるので、半導体基板を確実に乾燥させることができる。ここで、乾燥槽に配置された第2ホルダは予め十分に乾燥されているため、この第2ホルダに保持された状態で乾燥させられる半導体基板のホルダ周辺の半導体基板表面に付着した処理液も有効に揮発する。このため、第2ホルダにより実際に保持されている半導体基板表面下部であっても、半導体基板表面上部と同様に十分に乾燥し、パーティクル付着やウォーターマークの発生を従来より十分に抑制することができる。
【0014】
また、乾燥した半導体基板を第2ホルダとともに乾燥槽から取出す工程と、処理液に浸漬された第1ホルダを処理槽から引上げて移動し第1ホルダを乾燥槽に配置して乾燥させ第2ホルダとする工程とを含むので、乾燥槽に配置された第2ホルダの乾燥は、処理槽に貯留された処理液に半導体基板を浸漬して処理している間にもできる。このため、第2ホルダを乾燥させることに伴って、半導体基板の乾燥に時間がかかることはなく、半導体基板を比較的短時間で効率よく乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】処理槽に貯留された処理液に半導体基板を浸漬させる状態を示す図。
【図2】半導体基板を処理液中に浸漬させて処理している状態を示す図。
【図3】ロッドを突出させて半導体基板を処理液から引上げる状態を示す図。
【図4】基板用アームが半導体基板を保持した状態で下降する状態を示す図。
【図5】乾燥槽に配置された第2ホルダに半導体基板を保持させた状態を示す図。
【図6】ホルダアームが乾燥槽12に配置された第2ホルダの上部を保持した状態を示す図。
【図7】
そのホルダアームが半導体基板とともに第2ホルダを引上げる状態を示す図。
【図8】
ホルダアームが処理槽に残された第1ホルダの上部を保持して引上げる状態を
示す図。
【図9】
ホルダアームがその第1ホルダを乾燥槽に配置する状態を示す図。
【符号の説明】
11 処理槽
12 乾燥槽
13 処理液
14 半導体基板
16 第1ホルダ
21 第2ホルダ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for cleaning and drying a semiconductor substrate typified by a silicon wafer.
[0002]
[Prior art]
As semiconductor devices are miniaturized and highly integrated, the influence of surface contamination of semiconductor substrates on manufacturing yield, device characteristics, and reliability is increasing. A semiconductor substrate passes through various device manufacturing processes to reach a final product. During this time, the substrate surface is exposed to various contaminated environments. Therefore, in order to remove metal impurities and fine particles from the substrate surface, the semiconductor substrate is cleaned before and after each process such as mirror polishing wafer processing, oxidation, impurity diffusion, ion implantation, chemical vapor deposition (CVD), lithography, etc. Then, a washing / drying step for drying is provided. Conventionally, a batch type apparatus is known as this cleaning / drying apparatus. A semiconductor substrate is held upright and held in a processing liquid stored in a processing tank by first introducing a processing liquid from a processing liquid introduction hole. Then, the semiconductor substrate is dried by introducing a volatile organic solvent and an inert gas from a gas discharge port provided in the upper lid while discharging the treatment liquid.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in this conventional apparatus, since the semiconductor substrate to be processed is processed and dried while being held by the holder, the surface of the semiconductor substrate around the holder of the semiconductor substrate, specifically, the holder is actually held by the holder. The lower part of the surface of the semiconductor substrate has a problem that the dry state is poor, particles are likely to adhere, and a lot of watermarks are likely to occur as compared with the upper part of the surface of the semiconductor substrate. In order to solve this problem, it is conceivable to remove the semiconductor substrate from the holder and dry it, but there is a problem that the drying process takes two steps and the drying takes time.
The object of the present invention is to dry the semiconductor substrate surface near the holding portion by the holder of the semiconductor substrate efficiently in a short time in the same manner as the upper part of the semiconductor substrate, and to prevent the adhesion of particles and watermarks. It is to provide a method.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
The invention according to
[0005]
In the invention according to
In addition, the
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
In the cleaning and drying method of the present invention, a
[0007]
a. Immersion treatment process First, when the
[0008]
b. Pull-up drying process The
[0009]
c. The
[0010]
Here, since the
[0011]
d. Extraction Process The dried
[0012]
e. The
[0013]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the semiconductor substrate held in the first holder is immersed in the processing liquid stored in the processing tank together with the first holder, and the first holder is left in the processing tank. Since only the semiconductor substrate that has been processed as it is is dried while being pulled up from the processing tank, the semiconductor substrate can be better dried as compared with the conventional case where the semiconductor substrate is dried while being held by the holder. Further, in the present invention, the semiconductor substrate that has been pulled up is moved, and the semiconductor substrate is held and dried by the second holder that is placed in the drying tank and dried, so that the semiconductor substrate can be reliably dried. Here, since the 2nd holder arrange | positioned in a drying tank is fully dried beforehand, the process liquid adhering to the semiconductor substrate surface of the holder periphery of the semiconductor substrate dried in the state hold | maintained at this 2nd holder is also Volatilizes effectively. For this reason, even the lower part of the surface of the semiconductor substrate actually held by the second holder is sufficiently dried in the same manner as the upper part of the surface of the semiconductor substrate, and it is possible to sufficiently suppress the occurrence of particle adhesion and watermarks. it can.
[0014]
In addition, the step of taking out the dried semiconductor substrate together with the second holder from the drying tank, the first holder immersed in the processing liquid is lifted from the processing tank and moved, and the first holder is placed in the drying tank and dried. Therefore, the second holder disposed in the drying tank can be dried while the semiconductor substrate is immersed in the processing liquid stored in the processing tank. For this reason, with drying the second holder, it does not take time to dry the semiconductor substrate, and the semiconductor substrate can be efficiently dried in a relatively short time.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a state in which a semiconductor substrate is immersed in a processing solution stored in a processing tank.
FIG. 2 is a view showing a state in which a semiconductor substrate is processed by being immersed in a processing solution.
FIG. 3 is a view showing a state in which a rod is protruded to pull up a semiconductor substrate from a processing solution.
FIG. 4 is a view showing a state in which the substrate arm is lowered while holding the semiconductor substrate.
FIG. 5 is a view showing a state where a semiconductor substrate is held by a second holder arranged in a drying tank.
6 is a view showing a state in which a holder arm holds an upper part of a second holder arranged in a
[Fig. 7]
The figure which shows the state which the holder arm pulls up a 2nd holder with a semiconductor substrate.
[Fig. 8]
The figure which shows the state which a holder arm hold | maintains and pulls up the upper part of the 1st holder left in the processing tank.
FIG. 9
The figure which shows the state which a holder arm arrange | positions the 1st holder in a drying tank.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記第1ホルダ(16)を前記処理槽(11)に残したまま処理された前記半導体基板(14)のみを前記処理槽(11)から引上げながら乾燥させる工程と、
引上げられた前記半導体基板(14)を移動し乾燥槽(12)に配置されて乾燥された第2ホルダ(21)に前記半導体基板(14)を保持させて更に乾燥させる工程と、
乾燥した前記半導体基板(14)を前記第2ホルダ(21)とともに前記乾燥槽(12)から取出す工程と、
前記処理液(13)に浸漬された前記第1ホルダ(16)を前記処理槽(11)から引上げて移動し前記第1ホルダ(16)を前記乾燥槽(12)に配置して乾燥させ第2ホルダ(21)とする工程と
を含む半導体基板の洗浄乾燥方法。A step of immersing the semiconductor substrate (14) held in the first holder (16) in the processing liquid (13) stored in the processing tank (11) together with the first holder (16);
Drying only the semiconductor substrate (14) processed while leaving the first holder (16) in the processing tank (11) while pulling up from the processing tank (11);
Moving the pulled-up semiconductor substrate (14), placing the semiconductor substrate (14) in a second holder (21) placed in a drying tank (12) and drying, and further drying the semiconductor substrate (14);
Removing the dried semiconductor substrate (14) from the drying tank (12) together with the second holder (21);
The first holder (16) immersed in the treatment liquid (13) is lifted from the treatment tank (11) and moved, and the first holder (16) is placed in the drying tank (12) and dried. A method of cleaning and drying a semiconductor substrate, including a step of forming two holders (21).
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