JP2004022820A - Dry etching device and its reactant gas supply method - Google Patents

Dry etching device and its reactant gas supply method Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reactant gas supply method of a dry etching device which can prevent a gas composition from altering by the generation of H<SB>2</SB>, when HF or a gas containing HF is used as a reactant gas, and can prevent reaction of an etching process from altering, to conduct etching of high accuracy. <P>SOLUTION: Principally, H<SB>2</SB>included in the reactant gas is exhausted via a fluroric resin (44) which comes into contact with the reactant gas passing via a reactant gas supply path (32). An exhaust path (42) is bifurcated from the reactant gas supply path (32), and the fluroric resin (44) can be attached into this bifurcated exhaust path (42). In this case, the fluroric resin (44) is mounted so as to clog an aperture for the reactant gas supply path (32) of the exhaust path (42). A part of the reactant gas supply path (32) is formed in a double pipe structure, and its inner pipe (32A) is formed in a pipe of fluroric resin, and a space (32C) between the inner pipe and an outer pipe (32B) may be formed as a part of the exhaust pipe (42). <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、反応ガスとしてＨＦ（フッ化水素）を用いるドライエッチング装置とその反応ガス供給方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスで用いるドライエッチングにおいて、ＨＦ（フッ化水素）を用いることが検討されている。ＨＦを用いると、たとえばＳｉ（ポリシリコン）とＳｉＮ膜（絶縁膜）とのエッチング選択比を大きくすることができる。しかしこのＨＦは極めて反応性が強いために、その取扱いが面倒であり、使用することが極めて困難であった。
【０００３】
反応ガスの供給路は通常純度の高い金属、例えば酸化物を含まないステンレス鋼などのパイプを用いているが、反応ガスにＨＦが含まれているとＨＦがパイプと反応してＨ２（水素ガス）が発生する。
【０００４】
このようにＨＦがパイプと反応したＨ２が反応ガスに含まれると、反応ガスのガス組成が変化することになり、エッチングプロセスの反応が変わってしまう。このためエッチングの結果に大きな影響を及ぼすことになる。
【０００５】
この発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、反応ガスとしてＨＦやＨＦを含むガスを用いる場合に、Ｈ２の発生によりガス組成が変化するのを防ぎ、エッチングプロセスの反応が変化するのを防いで精度の良いエッチング処理を行うことが可能になるドライエッチング装置の反応ガス供給方法を提供することを第１の目的とする。またこの発明は、この方法の実施に直接使用するドライエッチング装置を提供することを第２の目的とする。
【０００６】
【発明の構成】
この発明によれば第１の目的は、反応ガスとしてＨＦを含むガスを用いるドライエッチング装置の反応ガス供給方法において、反応ガス供給路を通る反応ガスに接するフッ素樹脂を介して反応ガスに含まれる主としてＨ２を排気することを特徴とするドライエッチング装置の反応ガス供給方法、により達成される。
【０００７】
また第２の目的は、反応ガスとして、ＨＦを含むガスを用いるドライエッチング装置において、反応ガス供給路からフッ素樹脂を介して主としてＨ２を排気する排気路を前記反応ガス供給路に設けたことを特徴とするドライエッチング装置、により達成される。
【０００８】
フッ素樹脂は、Ｈ２は透過するがＨＦは透過させない寸法の微細孔を有する多孔質の樹脂、例えばテフロン（登録商標）の板あるいはブロックが適する。
【０００９】
ここに排気路は反応ガス供給路から分岐させ、この分岐した排気路内にフッ素樹脂を取付けることができる。この場合フッ素樹脂は排気路の反応ガス供給路に対する開口部を塞ぐように装着するのがよい。
【００１０】
反応ガス供給路の一部を２重管構造とし、その内管をフッ素樹脂の管としてこれら内管と外管の間隙を排気管の一部としてもよい。この場合には内管と外管の間隙の圧力を監視して、この圧力の変化から反応ガスの漏れを検出することができる。すなわち内管がＨＦあるいはＨＦを含む反応ガスにより腐蝕したりして一部でも破損すれば、この圧力は急に変化するからである。
【００１１】
この装置はリモートプラズマエッチング装置に適用する場合には、プラズマ生成部の上流側でＨ２を除去するようにするのがよい。Ｈ２を除去する前の反応ガスは、その組成が設計値と異なっているから、これをプラズマ化するとその後のエッチングプロセスに大きな悪影響が及ぶからである。
【００１２】
排気管はドライポンプによって排気するのがよい。ドライポンプとしては、ターボ分子ポンプ、ゲッタポンプ、クライオソープションポンプなど種々のポンプが使用できる。
【００１３】
【実施態様】
図１は本発明に係る装置の一実施態様を示す概念図である。この実施態様は反応ガス供給路で生成したプラズマを真空容器に導くリモートプラズマ方式のエッチング装置である。この図において符号１０は真空容器である。この真空容器１０内にはヒータ付きの保持台１２が昇降可能に設けられ、その上面には被処理物としてのウェハ１４が保持されている。
【００１４】
真空容器１０の底には、圧力制御器（Ａｉｒ　Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ，ＡＰＣ）１６を介してターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）などのドライポンプ１８が接続されている。圧力制御器１６は、真空容器１０の内圧を検出する真空計（図示せず）の出力に基づいて、真空容器１６の内圧を所定圧に制御する。
【００１５】
２０はプラズマ生成部であり、マイクロ波により反応ガスを励起し、プラズマ化して真空容器１０に導く。プラズマ生成部２０は、高純度のステンレスなどで作られた放電管２２と、この放電管２２にその中央付近で交叉する導波管２４と、この導波管２４の一端からマイクロ波を供給するマイクロ波電源２６とを持つ。
【００１６】
放電管２２の一端には反応ガス供給部３０から反応ガス供給路３２を通して反応ガスが供給される。放電管２２の他端はガス導入管３４によって真空容器１０に接続されている。ここにガス導入管３４はＨＦのプラズマガスなどによる腐蝕に耐える材料、例えば高純度のステンレス鋼などのチューブで作られている。マイクロ波電源２６が供給する所定周波数のマイクロ波は、導波管２４を通り、放電管２２を透過して放電管２２内を流れる反応ガスを励起する。
【００１７】
反応ガス供給部３０は、ＨＦを含む種々のガスを供給する。ガス量は流量制御弁（Ｍａｓｓ　Ｆｌｏｗ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ，ＭＦＣ）３６で制御できる。反応ガスは放電管２２の一端に取付けた端板３８を通して放電管２２内に供給可能である。各ガスの供給量はコントローラ４０によって制御される。
【００１８】
このコントローラ４０はまた、ＡＰＣ１６により真空容器１０の内部の真空度を制御したり、マイクロ波電源２６やドライポンプ１８などを制御する。すなわちこの制御はその全体の動作がコントローラ４０により制御されるものである。
【００１９】
反応ガス供給路３２には排気路を形成する排気管４２が取付けられている。図２はその接続部付近の断面図である。この排気管４２の反応ガス供給路３２に対する開口部分には、例えばフッ素樹脂としてのテフロン（登録商標）４４が取付けられている。
【００２０】
このテフロン（登録商標）４４は、分子寸法が小さいＨ２は通すが分子寸法が大きいＨＦは通さないフィルタとして機能するものであり、所定寸法の微細孔を有する多孔質の樹脂ブロックあるいは板である。排気管４２にはターボ分子ポンプやゲッターポンプなどの排気ポンプ４６が接続されている。この排気ポンプ４６により排気管４２内（排気路）は減圧され、反応ガス供給路３２内の反応ガスに含まれるＨ２をテフロン（登録商標）４４を通して選択的に除去するものである。
【００２１】
次にこの装置の動作を説明する。通常のドライエッチング処理では、コントローラ３８はドライポンプ１８を作動させ、ＡＰＣ１６を制御することによって真空容器１０内を一定の真空度に保つ。一方反応ガス供給部３０からは、ＨＦまたはこれと他のガスを含むガスを放電管２２に供給する。この時の各ガスの流量は、ＭＦＣ３６によりコントローラ４０が制御する。
【００２２】
この時ＨＦは反応ガス供給路３２などの金属部分と反応してＨ２を発生させる。このようにＨＦ、Ｈ２その他のガスを含む反応ガスは、排気管４２の接続部に取付けたテフロン（登録商標）４４に接触して、分子寸法が小さいＨ２がテフロン（登録商標）４４を通り排気管４２に選択的に排出される。なお他のガス、例えばＣＦ４、ＮＦ３、Ａｒ、Ｏ２などはテフロン（登録商標）４４の微細孔を通過できない分子寸法であるから、これらは排気されることはない。
【００２３】
このようにＨ２を選択的に除去した状態でコントローラ４０がマイクロ波電源２６を作動させれば、反応ガスは励起されてプラズマ化される。このプラズマガスはガス導入管３４によって真空容器１０に導かれ、保持台１２に保持されたウェハ１４をエッチングする。
【００２４】
反応ガスはテフロン（登録商標）４４でＨ２が除去されているから、反応ガスの組成は設計値に維持され、目標とするエッチングプロセスを行わせることが可能になる。
【００２５】
図３は反応ガス供給路３２の他の実施態様を示す図である。この実施態様は、反応ガス供給路３２の少なくとも一部を２重管構造とした。すなわち互いに同軸に配置された内管３２Ａと外管３２Ｂで形成した。ここに内管３２Ａは前記したテフロン（登録商標）４４と同様な樹脂で作られたパイプである。外管３２Ｂは高純度なステンレスなどで作られている。
【００２６】
これら内管３２Ａと外管３２Ｂとの間には間隙３２Ｃが形成されている。外管３２Ｂには排気管４２が接続され、間隙３２Ｃはこの排気管４２に連通する。排気管４２は排気ポンプ４６によって排気される。間隙３２Ｃの圧力は圧力センサ５０によって検出される。この圧力センサ５０で検出した圧力はガス漏れ判別手段５２に入力される。
【００２７】
ガス漏れ判別手段５２はこのセンサ５０が検出した圧力変化から、反応ガスのガス漏れを判別する。一般にＨＦは反応性が強く金属や樹脂などを腐蝕させるので、反応ガス供給路３２の一部の金属やテフロン（登録商標）などの耐久性が著しく短くなる。センサ５０とガス漏れ判別手段５２は、腐蝕などによるガス漏れ発生を瞬時に検出してコントローラ４０に対して適切な対応を取らせる。例えば反応ガスの供給を直ちに停止させて、エッチングプロセスを中止させる。
【００２８】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、フッ素樹脂を介してＨＦあるいはＨＦを含む反応ガスからＨ２を選択的に除去することができるので、Ｈ２の発生により反応ガスの組成が変化するのを防ぎ、エッチングプロセスの反応が変化するのを防ぐことができる。このため所定のエッチング処理を精度良く行わせることが可能である。
【００２９】
請求項２〜８の発明によれば、請求項１の方法の実施に直接使用するドライエッチング装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るドライエッチング装置の概念図
【図２】反応ガス供給路と排気管との接続部付近の断面図
【図３】反応ガス供給路の他の実施態様を示す図
【符号の説明】
１０　真空容器
１４　ウェハ（被処理物）
２０　プラズマ生成部
３０　反応ガス供給部
３２　反応ガス供給路
３２Ａ　内管
３２Ｂ　外管
３２Ｃ　間隙
４０　コントローラ
４２　排気管（排気路）
４４　テフロン（登録商標）（フッ素樹脂）
４６　排気ポンプ
５０　圧力センサ
５２　ガス漏れ判別手段[0001]
[Industrial applications]
The present invention relates to a dry etching apparatus using HF (hydrogen fluoride) as a reaction gas and a method for supplying the reaction gas.
[0002]
[Prior art]
Use of HF (hydrogen fluoride) in dry etching used in a semiconductor manufacturing process has been studied. When HF is used, for example, the etching selectivity between Si (polysilicon) and SiN film (insulating film) can be increased. However, since this HF has a very high reactivity, its handling is troublesome and its use is extremely difficult.
[0003]
The supply path of the reaction gas usually uses a pipe of a high-purity metal, for example, stainless steel containing no oxide. However, if the reaction gas contains HF, HF reacts with the pipe to form H 2 (hydrogen). Gas) is generated.
[0004]
With such HF is the H 2 reacted with pipe contained in the reaction gas, the gas composition of the reaction gas will be changed, it will change the reaction of the etching process. This has a significant effect on the results of the etching.
[0005]
The present invention has been made in view of such circumstances, and when HF or a gas containing HF is used as a reaction gas, the gas composition is prevented from changing due to generation of H 2 , and the reaction of the etching process is changed. It is a first object of the present invention to provide a method of supplying a reactive gas of a dry etching apparatus, which can perform an etching process with high accuracy while preventing the occurrence of the etching gas. A second object of the present invention is to provide a dry etching apparatus used directly for carrying out this method.
[0006]
Configuration of the Invention
According to the present invention, a first object is to provide a method for supplying a reactive gas of a dry etching apparatus using a gas containing HF as a reactive gas, the reactive gas being contained in the reactive gas via a fluororesin in contact with the reactive gas passing through the reactive gas supply passage. how the reaction gas supply dry etching apparatus characterized by primarily exhausting the H 2, is achieved by.
[0007]
A second object is that in a dry etching apparatus using a gas containing HF as a reaction gas, an exhaust path for mainly exhausting H 2 from a reaction gas supply path via a fluorine resin is provided in the reaction gas supply path. This is achieved by a dry etching apparatus characterized in that:
[0008]
Fluororesin, H 2 is transmitted HF porous resin having fine pores of size does not transmit, for example, a plate or a block of Teflon is suitable.
[0009]
Here, the exhaust path is branched from the reaction gas supply path, and a fluororesin can be mounted in the branched exhaust path. In this case, it is preferable to mount the fluororesin so as to cover the opening of the exhaust path to the reaction gas supply path.
[0010]
A part of the reaction gas supply path may have a double pipe structure, and the inner pipe may be made of a fluororesin pipe, and the gap between the inner pipe and the outer pipe may be made a part of the exhaust pipe. In this case, the pressure in the gap between the inner pipe and the outer pipe is monitored, and a change in the pressure can be used to detect the leakage of the reaction gas. That is, if the inner tube is corroded by HF or a reaction gas containing HF or even a part of the inner tube is damaged, this pressure changes suddenly.
[0011]
The device when applied to a remote plasma etching apparatus, it is preferable to be removed of H 2 on the upstream side of the plasma generator. This is because the composition of the reaction gas before the removal of H 2 is different from the design value, and if the reaction gas is turned into a plasma, the subsequent etching process will be adversely affected.
[0012]
The exhaust pipe is preferably exhausted by a dry pump. Various pumps such as a turbo molecular pump, a getter pump, and a cryosorption pump can be used as the dry pump.
[0013]
Embodiment
FIG. 1 is a conceptual diagram showing one embodiment of the device according to the present invention. This embodiment is a remote plasma type etching apparatus for guiding plasma generated in a reaction gas supply path to a vacuum vessel. In this figure, reference numeral 10 denotes a vacuum vessel. A holding table 12 with a heater is provided in the vacuum vessel 10 so as to be able to move up and down, and a wafer 14 as an object to be processed is held on the upper surface thereof.
[0014]
A dry pump 18 such as a turbo molecular pump (TMP) is connected to the bottom of the vacuum vessel 10 via a pressure controller (Air Pressure Controller, APC) 16. The pressure controller 16 controls the internal pressure of the vacuum vessel 16 to a predetermined pressure based on the output of a vacuum gauge (not shown) that detects the internal pressure of the vacuum vessel 10.
[0015]
Reference numeral 20 denotes a plasma generation unit that excites a reaction gas by microwaves, converts the gas into plasma, and guides the plasma to the vacuum vessel 10. The plasma generating section 20 supplies a discharge tube 22 made of high-purity stainless steel or the like, a waveguide 24 intersecting the discharge tube 22 near its center, and a microwave from one end of the waveguide 24. And a microwave power supply 26.
[0016]
One end of the discharge tube 22 is supplied with a reaction gas from a reaction gas supply unit 30 through a reaction gas supply path 32. The other end of the discharge tube 22 is connected to the vacuum vessel 10 by a gas introduction tube 34. Here, the gas introduction pipe 34 is made of a material resistant to corrosion by HF plasma gas or the like, for example, a tube of high-purity stainless steel or the like. The microwave of a predetermined frequency supplied by the microwave power supply 26 passes through the waveguide 24, passes through the discharge tube 22, and excites the reaction gas flowing in the discharge tube 22.
[0017]
The reaction gas supply unit 30 supplies various gases including HF. The amount of gas can be controlled by a flow control valve (Mass Flow Controller, MFC) 36. The reaction gas can be supplied into the discharge tube 22 through an end plate 38 attached to one end of the discharge tube 22. The supply amount of each gas is controlled by the controller 40.
[0018]
The controller 40 also controls the degree of vacuum inside the vacuum vessel 10 by the APC 16, and controls the microwave power supply 26, the dry pump 18, and the like. That is, in this control, the entire operation is controlled by the controller 40.
[0019]
An exhaust pipe 42 that forms an exhaust path is attached to the reaction gas supply path 32. FIG. 2 is a sectional view of the vicinity of the connection portion. For example, Teflon (registered trademark) 44 as a fluorine resin is attached to an opening portion of the exhaust pipe 42 with respect to the reaction gas supply passage 32.
[0020]
The Teflon (registered trademark) 44 functions as a filter that allows H 2 having a small molecular size to pass through but does not allow HF having a large molecular size to pass, and is a porous resin block or plate having micropores of a predetermined size. . The exhaust pipe 42 is connected to an exhaust pump 46 such as a turbo molecular pump or a getter pump. The pressure inside the exhaust pipe 42 (exhaust passage) is reduced by the exhaust pump 46, and H 2 contained in the reaction gas in the reaction gas supply passage 32 is selectively removed through Teflon (registered trademark) 44.
[0021]
Next, the operation of this device will be described. In a normal dry etching process, the controller 38 operates the dry pump 18 and controls the APC 16 to maintain the inside of the vacuum vessel 10 at a constant vacuum level. On the other hand, a gas containing HF or another gas is supplied to the discharge tube 22 from the reaction gas supply unit 30. At this time, the flow rate of each gas is controlled by the controller 40 by the MFC 36.
[0022]
In this case HF generates and H 2 react with metal parts such as the reaction gas supply passage 32. As described above, the reaction gas including HF, H 2, and other gases comes into contact with Teflon (registered trademark) 44 attached to the connection portion of the exhaust pipe 42, and H 2 having a small molecular size causes Teflon (registered trademark) 44 to move. The gas is selectively discharged to the exhaust pipe 42 as shown in FIG. Note that other gases, for example, CF 4 , NF 3 , Ar, O 2, etc., have molecular sizes that cannot pass through the fine pores of Teflon (registered trademark) 44, and therefore are not exhausted.
[0023]
If ask Thus the controller 40 while selective removal of H 2 is operating the microwave power supply 26, the reaction gas is being excited plasma. This plasma gas is guided to the vacuum vessel 10 by the gas introduction pipe 34 and etches the wafer 14 held on the holding table 12.
[0024]
Since the reaction gas is H 2 of Teflon (registered trademark) 44 is removed, the composition of the reaction gas is maintained at the design value, it is possible to perform the etching process to a target.
[0025]
FIG. 3 is a view showing another embodiment of the reaction gas supply path 32. In this embodiment, at least a part of the reaction gas supply passage 32 has a double pipe structure. That is, the inner tube 32A and the outer tube 32B are coaxially arranged. Here, the inner tube 32A is a pipe made of the same resin as the Teflon (registered trademark) 44 described above. The outer tube 32B is made of high-purity stainless steel or the like.
[0026]
A gap 32C is formed between the inner tube 32A and the outer tube 32B. An exhaust pipe 42 is connected to the outer pipe 32B, and the gap 32C communicates with the exhaust pipe 42. The exhaust pipe 42 is exhausted by an exhaust pump 46. The pressure in the gap 32C is detected by the pressure sensor 50. The pressure detected by the pressure sensor 50 is input to the gas leak determination means 52.
[0027]
The gas leak determining means 52 determines a gas leak of the reaction gas from the pressure change detected by the sensor 50. Generally, HF is highly reactive and corrodes metals, resins, and the like, so that the durability of a part of the reaction gas supply path 32 such as metal and Teflon (registered trademark) is significantly reduced. The sensor 50 and the gas leakage determination means 52 instantly detect the occurrence of gas leakage due to corrosion or the like, and cause the controller 40 to take an appropriate action. For example, the supply of the reaction gas is immediately stopped to stop the etching process.
[0028]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, H 2 can be selectively removed from HF or a reaction gas containing HF through a fluororesin, so that the composition of the reaction gas is prevented from changing due to generation of H 2. In addition, it is possible to prevent the reaction of the etching process from changing. For this reason, it is possible to perform a predetermined etching process accurately.
[0029]
According to the second to eighth aspects of the present invention, a dry etching apparatus used directly for carrying out the method of the first aspect is obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a conceptual view of a dry etching apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view near a connection portion between a reaction gas supply path and an exhaust pipe. FIG. 3 is a view showing another embodiment of a reaction gas supply path. Explanation of code]
10 Vacuum container 14 Wafer (workpiece)
Reference Signs List 20 plasma generation unit 30 reaction gas supply unit 32 reaction gas supply passage 32A inner tube 32B outer tube 32C gap 40 controller 42 exhaust pipe (exhaust path)
44 Teflon (registered trademark) (fluororesin)
46 exhaust pump 50 pressure sensor 52 gas leak determination means

Claims (8)

反応ガスとしてＨＦを含むガスを用いるドライエッチング装置の反応ガス供給方法において、
反応ガス供給路を通る反応ガスに接するフッ素樹脂を介して反応ガスに含まれる主としてＨ２を排気することを特徴とするドライエッチング装置の反応ガス供給方法。In a reactive gas supply method of a dry etching apparatus using a gas containing HF as a reactive gas,
Reaction gas supply method of a dry etching apparatus mainly characterized by evacuating with H 2 in the reaction gas through the fluororesin in contact with the reaction gas through the reaction gas supply path. 反応ガスとして、ＨＦを含むガスを用いるドライエッチング装置において、
反応ガス供給路からフッ素樹脂を介して主としてＨ２を排気する排気路を前記反応ガス供給路に設けたことを特徴とするドライエッチング装置。In a dry etching apparatus using a gas containing HF as a reaction gas,
Dry etching apparatus for an exhaust passage for exhausting mainly H 2 via a fluororesin from the reaction gas supply passage, characterized in that provided on the reactive gas supply path. フッ素樹脂は、Ｈ２を透過させるがＨＦは透過させない微細孔を有する多孔質の樹脂である請求項２のドライエッチング装置。Fluororesin is to transmit and H 2 dry etching apparatus according to claim 2 is a resin porous with micropores HF does not transmit. 排気路は反応ガス供給路から分岐し、この排気路内にフッ素樹脂が取付けられている請求項２のドライエッチング装置。3. The dry etching apparatus according to claim 2, wherein the exhaust path branches off from the reaction gas supply path, and a fluorine resin is mounted in the exhaust path. 反応ガス供給路の少なくとも一部は内管と外管との２重管構造であり、前記内管をフッ素樹脂としてこれら内管と外管の間隙を排気路の一部とした請求項２のドライエッチング装置。3. The exhaust gas passage according to claim 2, wherein at least a part of the reaction gas supply passage has a double tube structure of an inner tube and an outer tube, and the inner tube is made of fluorine resin and a gap between the inner tube and the outer tube is part of an exhaust passage. Dry etching equipment. 排気路内の圧力を検出する圧力センサと、この圧力センサで検出した排気路内圧を監視することによって内管からの反応ガスの漏れを検出するガス漏れ判別手段とを備える請求項５のドライエッチング装置。6. The dry etching according to claim 5, further comprising: a pressure sensor for detecting a pressure in the exhaust path; and gas leak determination means for detecting a leak of the reaction gas from the inner pipe by monitoring the internal pressure of the exhaust path detected by the pressure sensor. apparatus. エッチング装置は、反応ガス供給路の一部に設けたプラズマ生成部で生成したプラズマを真空容器に導いて真空容器内でエッチングを行うリモートプラズマエッチング装置であり、排気路は前記プラズマ生成部の上流側に設けられている請求項２〜６のいずれかのエッチング装置。The etching device is a remote plasma etching device that conducts plasma generated in a plasma generation unit provided in a part of the reaction gas supply path to a vacuum vessel to perform etching in the vacuum vessel, and an exhaust path is provided upstream of the plasma generation unit. The etching apparatus according to any one of claims 2 to 6, which is provided on the side. 排気路はドライポンプによって排気される請求項２のエッチング装置。3. The etching apparatus according to claim 2, wherein the exhaust path is exhausted by a dry pump.
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