JP2004021255A - 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents
電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電子機器 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】隣り合うドット間の境界領域と各ドットとの表面での凹凸を軽減することができる電気光学装置用基板、その電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、その電気光学装置用基板の製造方法、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を使用した電子機器を提供すること。
【解決手段】隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３又は開口部１２５を有するように下地層１１２を形成したので、着色層１１４による例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
また、凹部１２３又は開口部１２５の底部１２４に最初に、青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層１１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体としての例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【選択図】 図１
【解決手段】隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３又は開口部１２５を有するように下地層１１２を形成したので、着色層１１４による例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
また、凹部１２３又は開口部１２５の底部１２４に最初に、青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層１１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体としての例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話や携帯情報端末等に用いられる電気光学装置を構成する電気光学装置用基板及びその電気光学装置用基板を用いて構成される電気光学装置に関する。また、本発明はその電気光学装置用基板の製造方法及びその電気光学装置用基板を用いて構成される電気光学装置の製造方法に関する。更に本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型パーソナルコンピュータ等といった電子機器に電気光学装置が広く用いられるようになってきており、その電気光学装置の１つとして、部分的に反射型表示が可能な反射半透過型液晶装置が知られている。この液晶装置では、バックライト等による透過光の他、自然光や室内光等といった外部光が該液晶装置の内部へ取り込まれ、その光が該液晶装置の内部に形成された反射層で反射して、再び外部へ射出されることにより表示が行われるが、この反射させる部分の構成は、全面で反射型表示させる反射型液晶装置も同様である。
【０００３】
一方、反射型表示が可能な液晶装置（以下「反射半透過型液晶装置及反射型液晶装置」をいう。）においては、反射層の表面が鏡面状であると、観察者が視認する像に背景や室内照明が映ってしまい、表示された像が見難くなるという問題が生じる。
【０００４】
この問題を解消するため、従来、反射層の下に多数の微細な凹凸構造を表面に形成した下地層を設けて、該反射層の表面に複数の微細な山部を形成し粗面化して、反射光を適度に散乱させるという技術が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、下地層を有する液晶装置でその下地層上に反射層を形成し、更にその上に着色層を形成する構造を採る場合、隣り合うドットの境界領域に構成された光を遮蔽する層（以下「遮蔽層」と言う。）での十分な遮光性を生じさせるには、その部分の厚さが厚くなり、液晶に接する配向膜やオーバコート層によっても場所によって凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる他、ラビング処理が上手くいかなくなる等の問題が生じることとなる。
【０００６】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、隣り合うドット間の境界領域と各ドットとの表面での凹凸を軽減することができる電気光学装置用基板、その電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、その電気光学装置用基板の製造方法、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を使用した電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置用基板は、複数のドットを有する基板と、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された山部又は谷部を有する下地層と、前記下地層上に配置された反射層と、前記反射層上に配置された着色層とを具備し、前記凹部又は前記開口部には、前記着色層が入り込んでいることを特徴とする。
【０００８】
本発明のこのような構成によれば、隣り合うドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けたので、着色層による例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮蔽層の高さが高くなり、オーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように設けたので、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０００９】
また、下地層を不規則に配列された山部又は谷部を有するように設けたので、適度に反射光を散乱でき表示面での映り込みを軽減できる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記着色層上に設けられる保護層を更に備えることを特徴とする。このような構成によれば、保護層が設けられているので着色層の耐性と平滑化が図れ、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を更に確保できる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれているのでその分、例えば遮蔽層の高さを低くでき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記反射層は、一部に開口部を有していることを特徴とする。このような構成によれば、反射半透過型液晶装置においても隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けることができるので、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できセルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、重なり合う着色層により例えば遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色層の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、それぞれ前記隣り合うドットに対応して配設されていることを特徴とする。このような構成によれば、各ドットに対応する第１の着色部および第２の着色部により例えば遮蔽層を構成することができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層に設けられた凹部又は開口部に最初に形成される着色部が一番厚くなるので、可視光波長域における平均透過率のより低い着色部を下方に形成することによって、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の光の波長域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける平均透過率は、前記第２の着色部の光の波長域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層に設けられた凹部又は開口部に最初に形成される着色部が一番厚くなるので、実際に多く使用される光の波長域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける平均透過率のより低い着色部を下方に形成することによって、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の厚さが、０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下であることを特徴とする。このような構成によれば、第１の着色部が、より遮光性の良好な厚さとできると共に、他の着色部との重ね合わせによっても各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できることとなる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記着色層は、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部を少なくとも有し、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部が、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部、前記緑色系の着色部及び前記赤色系の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部又は開口部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に例えば、遮蔽層の高さも低くできることとなり平坦性も確保できる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記着色部は、前記青色系の着色部の厚さが０．７〜２．０μｍに、前記緑色系の着色部の厚さが０．８〜１．２μｍに、前記赤色系の着色部の厚さが０．７〜１．１μｍに形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性をより確保できると共に各着色部全体で最適な遮光性を確保できることとなる。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層を凹部で完全に除いてしまうと却って各ドットと隣り合うドット間の境界領域の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易とできることとなる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても第２の絶縁層を形成する際に、凹部を形成できるので、第１の絶縁層の形成における製造工程の簡略化を図れる。
【００２１】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の樹脂層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の樹脂層と前記第１の樹脂層上の前記他の領域に重置された第２の樹脂層とにより形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、第１の樹脂層の形成において凹部を形成しなくても第２の樹脂層を形成する際に、凹部を形成できるので、第１の樹脂層の形成における製造工程の簡略化を図れる。
本発明の一の形態によれば、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に重なり合う着色部により遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、下地層に設けられた凹部に最初に形成される着色部が一番厚くなるので、可視光波長域における平均透過率のより低い着色部を下方に形成することによって、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の厚さが、０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下であることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に第１の着色部が、より遮光性の良好な厚さとできると共に、他の着色部との重ね合わせによっても、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減できることとなる。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記着色層は、青色系の前記着色部と、緑色系又は赤色系の前記着色部とを有し、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部及び前記緑色系又は赤色系の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に、高さも低くできることとなり各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減できる。
本発明の電気光学装置は、電気光学装置において、対向配置された第１及び第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持された電気光学物質と、前記第１の基板に設けられた第１の表示用電極と、前記第２の基板に設けられた第２の表示用電極と、前記第１の表示用電極及び前記第２の表示用電極の重なる領域に対応して設けられた複数のドットと、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように一方の前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された複数の山部又は谷部を有する下地層と、前記下地層上に配置された反射層と、前記反射層上に配置された着色層とを具備し、前記凹部又は前記開口部には、前記着色層が入り込んでいることを特徴とする。
【００２４】
本発明のこのような構成によれば、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けたので、例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮蔽層の高さが高くなりオーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように設けたので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを軽減すると共にラビング処理が容易となり、コントラストの明瞭化を図ることができる。
【００２５】
また、下地層を不規則に配列された山部又は谷部を有するように設けたので、適度に反射光を散乱でき表示面での映り込みを軽減できる。
【００２６】
本発明の一の形態によれば、前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれているのでその分、例えば遮蔽層の厚さを軽減でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００２７】
本発明の一の形態によれば、前記反射層は、一部に開口部を有していることを特徴とする。このような構成によれば、反射半透過型液晶装置においても隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けることができるので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できセルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００２８】
本発明の一の形態によれば、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、重なり合う着色部により例えば遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
【００２９】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層に設けられた凹部又は開口部に最初に形成される着色部が一番厚くなるので、可視光波長域における平均透過率のより低い着色部を下方に形成することによって、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
本発明の一の形態によれば、前記着色層は、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部を少なくとも有し、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部が、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部、前記緑色系の着色部及び前記赤色系の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できると共に、各着色部全体で最適な遮光性を確保できることとなり、コントラストの明瞭化を図ることができると共にセルギャップのバラツキ等を軽減できる。
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層を凹部で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット間の境界領域とドットとの表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して凹凸を軽減し、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易とできることとなる。
【００３０】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても第２の絶縁層の形成において凹部を形成できるので、第１の絶縁層の製造工程を簡略化することができる。
本発明の一の形態によれば、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に重なり合う着色部により遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
本発明の一の形態によれば、前記着色層は、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とを少なくとも有し、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とが、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に青色系の前記着色部および緑色系又は赤色系の前記着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に、高さも低くできることとなり各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減できる。
本発明の電子機器は、請求項１９から請求項２８のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。このように、上述の電気光学装置は、携帯電話や携帯情報端末等のように屋外で使用することも多く、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性が確保できることによる表示画面のコントラストの明瞭化等により、より画面が見やすくなる。
【００３１】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、複数のドットを有する電気光学装置用基板の製造方法であって、前記基板に、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有しかつ不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程と、前記下地層上に反射層を形成する工程と、前記反射層上に着色層を形成する工程とを具備し、前記凹部又は前記開口部には、前記着色層が入り込んでいることを特徴とする。
【００３２】
本発明のこのような構成によれば、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を形成する工程を具備するので、例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮蔽層において高さが高くなりオーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように形成する工程を具備するので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【００３３】
また、不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程を具備することとしたので、例えば反射層での反射光を適度に散乱でき、表示面での映り込みを軽減できる。
【００３４】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記開口部の底部に前記下地層が除かれた領域を有するように形成することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれているのでその分、例えば遮蔽層の高さを低くでき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
本発明の一の形態によれば、前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、重なり合う着色部により例えば遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
本発明の一の形態によれば、前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層は、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部を少なくとも有し、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部が、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部、前記緑色系の着色部及び前記赤色系の着色部の順に積層されるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部又は開口部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に例えば、遮蔽層の高さも低くできることとなり平坦性も確保できる。
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記凹部の底部の下地層が、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、下地層を凹部で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット間の境界領域と各ドットとの表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して該境界領域と各ドットとの表面の凹凸を軽減し、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易とできることとなる。
【００３５】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上で隣り合う前記ドット間の境界領域を除く領域に第２の絶縁層を形成する工程とを具備することを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても、第２の絶縁層の形成の際に凹部を形成できるので、第１の絶縁層を形成する工程での製造工程の簡略化を図れる。
【００３６】
本発明の一の形態によれば、前記下地層上に反射層を形成する工程は、前記反射層の一部に開口部を有するように形成することを特徴とする。このような構成によれば、反射半透過型液晶装置においても凹部の底部のを他の領域の下地層よりも薄くなるように形成するので、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００３７】
本発明の一の形態によれば、前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、重なり合う着色部により例えば遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
本発明の一の形態によれば、前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層が、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とを有し、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とが、前記隣り合うドットとの境界領域において青色系の前記着色部および緑色系又は赤色系の前記着色部の順に積層されるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に高さも低くできることとなり各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減できる。
本発明の電気光学装置の製造方法は、請求項３０に記載の電気光学装置用基板の製造方法を工程として備えることを特徴とする。
【００３８】
本発明のこのような構成によれば、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を形成するので、着色層による例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を形成していたため、例えば遮蔽層において高さが高くなりオーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように設けたので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを軽減すると共にラビング処理が容易となり、コントラストの明瞭化を図ることができる。
【００３９】
また、不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程を具備することとしたので、例えば反射層での反射光を適度に散乱でき、表示面での映り込みを軽減できる。
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、以下に実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置として、まず反射半透過型のパッシブマトリックス方式、同じく反射半透過型の能動素子としてＴＦＤ（二端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式及び能動素子としてＴＦＴ（三端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式の液晶装置、また反射型のパッシブマトリックス方式の液晶装置及びそれらの液晶装置を用いた電子機器を例をあげて夫々説明する。
【００４０】
まず、本発明を反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第１実施形態について説明する。
【００４１】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図２は図１の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図、図３は該液晶パネルの部分拡大図（図３におけるＡ−Ａ´線の断面図が図１に相当する。）、図４は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図５は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及び図６は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【００４２】
液晶装置１０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル１０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００４３】
液晶パネル１０２は、図１に示すようにガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板１０３を基体とするカラーフィルタ基板１０４と、これに対向する同様の第２基板１０５を基体とする対向基板１０６とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、そのカラーフィルタ基板１０４と対向基板１０６との間に液晶が封入された液晶層１０７等により形成されている。
【００４４】
また、第１基板１０３の外面には位相差板１０８及び偏光板１０９が配置され、第２基板１０５の外面には位相差板１１０及び偏光板１１１が配置されている。
【００４５】
カラーフィルタ基板１０４は、図１、図２及び図３に示すように第１基板１０３の液晶層１０７側の表面には下地層１１２が形成され、その下地層１１２の表面に反射層１１３、反射層１１３の開口部に設けられた透過部１２２、着色層１１４（Ｒ（赤）１１４Ｒ、Ｇ（緑）１１４Ｇ、Ｂ（青）１１４Ｂ）及び隣り合う着色層１１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）１１５、更に該着色層１１４及び遮蔽層１１５を保護するオーバコート層１１６が、またオーバコート層１１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる透明電極１１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜１１８が形成されている。
【００４６】
また、対向基板１０６には、図１及び図３に示すように第２基板１０５の液晶層１０７側の表面に、透明電極１１９が第１基板側の透明電極１１７と直交する方向に（図３のＸ方向）伸びる帯状に形成され、更にその上には配向膜１２０が形成されている。
【００４７】
透明電極１１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極１１９はこれと直交する方向に、相互に並列してストライプ状に構成されている。
【００４８】
ここで、所定の第１基板側の透明電極１１７と第２基板側の透明電極１１９とで特定される領域がドット１２１となる。
【００４９】
カラーフィルタ基板１０４の下地層１１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層１１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
【００５０】
また、反射層１１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層１１２上に形成されており、下地層１１２表面の凹凸により反射層１１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層１１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【００５１】
更に反射層１１３には、例えば図３に示すようにドット１２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部１２２となる。これによって、バックライト等のカラーフィルタ基板１０４から入射した光が液晶層１０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【００５２】
着色層１１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板を通過したバックライト等による光を透過する透過部１２２と、この透過部１２２の周りの反射層１１３を覆うよう形成された原色系フィルタであって、Ｒ（赤）１１４Ｒ、Ｇ（緑）１１４Ｇ、Ｂ（青）１１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【００５３】
これによって、着色層１１４を遮蔽層１１５で他の着色層１１４と重ねることができることとなる。
【００５４】
更に、着色層１１４の配列パターンとして、図３では斜めモザイク配列（１１４Ｒ、１１４Ｇ及び１１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００５５】
遮蔽層１１５は、各ドット１２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板の透明電極１１７の長手方向（図３のＹ方向）及びこれに直交する方向（図３のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【００５６】
また、遮蔽層１１５には例えば、着色層１１４Ｂと着色層１１４Ｒとの間では、図４に示すように下地層１１２に開口部１２５が形成されており、開口部１２５の底部１２４は、第１基板１０３の直ぐ上に反射層１１３を介して設けられている。
【００５７】
更に開口部１２５には、遮蔽層１１５に隣り合う着色層１１４Ｂが底部１２４からｈ１１の厚さに形成されており、その上に着色層１１４Ｇがｈ１２の厚さに、更にその上に着色層１１４Ｒの張り出し部分がｈ１３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【００５８】
ここで、図４の最下方の着色層１１４Ｂの厚さｈ１１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層１１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域例えば、遮蔽層１１５との表面での平坦性を確保できることとなる。
【００５９】
更に好ましくは、図４のｈ１１を略１．７μｍに、ｈ１２を略１．０μｍ、ｈ１３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層１１４Ｒの上面からのオーバコート層１１６の厚さｈ１４を略１．８μｍに形成すると、下地層１１２の厚さｈ１５が略２．４μｍであり、ドット１２１での着色層１１４Ｂの厚さｈ１６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層１１６の厚さｈ１７が略２．０μｍであることから、遮蔽層１１５上のオーバコート層１１６の上面と着色層１１４Ｂのドット１２１上のオーバコート層１１６の上面とは一致し、平坦な面となる。
【００６０】
ここで、上述のように開口部１２５の一番下に着色層１１４Ｂを形成することによって、最も厚く形成でき厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【００６１】
更に着色層１１４Ｇと着色層１１４Ｂとの間では、図２に示すように開口部１２５の底部１２４にまず、隣り合う着色層１１４Ｂが入りこみその上に着色層１１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層１１４Ｒが重なり遮蔽層１１５が形成される。
【００６２】
また、着色層１１４Ｒと着色層１１４Ｇとの間では、図２に示すように開口部１２５の底部１２４にまず、着色層１１４Ｂが形成され、その上に着色層１１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層１１４Ｒが重なり遮蔽層１１５が形成される。
【００６３】
更に、遮蔽層１１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図５に示すように凹部１２３の底部１２４で完全には下地層１１２が除かれていないような場合においても、凹部１２３の底部１２４の深さｍ１５だけ遮蔽層１１５の着色層の重ねられた高さが低くなり、オーバコート層１１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキやラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【００６４】
ここで、図５の最下方の着色層１１４Ｂの厚さｍ１１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層１１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面での凹凸を軽減できる。
【００６５】
更に好ましくは、図５の着色層１１４Ｂの厚さｍ１１を略１．１μｍ、着色層１１４Ｇの厚さｍ１２を略１．０μｍ及び着色層１１４Ｒの厚さｍ１３を略０．９μｍとすれば、凹部１２３の底部１２４の深さｍ１５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層１１６上面の凹凸を軽減できる。これによって、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【００６６】
なお、ドット１２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層１１４からなり、遮蔽層１１５により周囲を囲まれている領域であって反射層１１３と透過部１２２を具備するものであり、１画素は着色層１１４Ｒを有するドット１２１と着色層１１４Ｇを有するドット１２１及び着色層１１４Ｂを有するドット１２１で構成される。
【００６７】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板１０５に形成されている所定の透明電極１１９に信号を供給する一方、第１基板１０３側に形成されている所定の透明電極１１７に信号を供給すると、透明電極１１９と透明電極１１７とが交差する特定のドット１２１において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【００６８】
従って、例えば対向基板１０６側から液晶層１０７に入射した外光はドット１２１毎に光変調され、着色層１１４を透過した後に反射層１１３で反射し、再び対向基板１０６を透過して射出されるが、この際例えばオーバコート層１１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【００６９】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板１０３及び透過部１２２を通過して液晶層１０７に入射した後、該液晶層１０７によってドット１２１毎に光変調されて、透明電極１１９及び第２基板１０５を通過して射出されコントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【００７０】
更に射出光は、反射層１１３及び透過部１２２を覆っている着色層１１４（１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂ）により着色される。
【００７１】
本実施形態では、隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３又は開口部１２５を有するように下地層１１２を形成したので、着色層１１４による例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【００７２】
また、凹部１２３又は開口部１２５の底部１２４に最初に、青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層１１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体としての例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【００７３】
更に例えば、開口部１２５に底部１２４の方から青色の着色層１１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層１１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層１１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層１１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【００７４】
また、凹部１２３で下地層１１２が完全には取り除かれていない場合に、図５に示すようにその下地層１１２が第１の絶縁層１１２ａと該第１の絶縁層１１２ａ上に凹部１２３を有するように設けられた第２の絶縁層１１２ｂから形成される場合にも、例えばオーバコート層１１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【００７５】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図６の製造工程図に基づいて説明する。
【００７６】
まず、図６に示すように第１基板１０３上に下地層１１２を形成する（ＳＴ１０１）。ここで遮蔽層１１５を形成するドット１２１間の境界領域では例えば、図１、図２及び図３のように下地層１１２に開口部１２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層１１２をエッチングし、形成する。
【００７７】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板１０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層１１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層１１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層１１２の下層が形成される。更に、この下地層１１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層１１２の上層が形成される。
【００７８】
次に、その下地層１１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層１１２に開口部１２５を形成し、遮蔽層１１５となる部分で下地層１１２が除かれた下地層１１２が第１基板１０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
【００７９】
次に、下地層１１２上に蒸着法やスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図３のように各ドット１２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射層１１３を形成する（ＳＴ１０２）。
【００８０】
又、形成された反射層及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層１１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層１１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層１１４Ｒを順次形成していく。
【００８１】
これによって、各ドット１２１には青色の着色層１１４Ｂ、緑色の着色層１１４Ｇ及び赤色の着色層１１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層１１５には図２のように一番下層に青色の着色層１１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層１１４Ｇ、更に赤色の着色層１１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ１０３）。
【００８２】
上述のように、一番下層に青色の着色層１１４Ｂが最も厚く形成されるので遮光性を上げながら、例えば遮蔽層１１５全体としての厚さを薄くできる。
【００８３】
更に下地層１１２に開口部１２５が形成されている分、例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層１１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【００８４】
次に、上述の着色層１１４の上にオーバコート層１１６を形成し（ＳＴ１０４）、その上に透明電極１１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図３のようにＹ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。
【００８５】
更にその上に配向膜１１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板１０４の製造が終了する（ＳＴ１０５）。これによって、配向膜１１８の液晶層１０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【００８６】
また、第２基板１０５上に透明電極１１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図３のようにＸ方向にストライプ状に、透明電極１１９を形成する（ＳＴ１０６）。
【００８７】
更にその上に配向膜１２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板１０６の製造が終了する（ＳＴ１０７）。
【００８８】
次に、対向基板１０６上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板１０４と対向基板１０６とを貼り合わせる（ＳＴ１０８）。
【００８９】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ１０９）。更に、位相差板１０８，１１０及び偏光板１０９，１１１を第１基板１０３及び第２基板１０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ１１０）。
【００９０】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図１に示すような液晶装置１０１が完成する。
【００９１】
本実施形態に係る液晶装置１０１の製造方法では、着色層１１４が重ねられる遮蔽層１１５で一番下層に青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮蔽層１１５全体としての厚さを薄くできる。
【００９２】
更に下地層１１２に開口部１２５が形成されている分、例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、オーバコート層１１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【００９３】
また、上述の液晶装置１０１の製造方法では開口部１２５は図４のように遮蔽層１１５となる領域で下地層１１２を全て取り除いたが、図５に示すように、例えばＳＴ１０１で下地層１１２を第１の絶縁層１１２ａ及び第２の絶縁層１１２ｂの２回に分けて形成し、凹部１２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層１１５となるドット１２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層１１２ａを形成し下地層１１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層１１２ｂの形成では遮蔽層１１５となるドット１２１間の境界領域を除いて、各ドット１２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
【００９４】
これによって、１回目の下地層１１２の形成でフォトレジストを用いて下地層１１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部１２５のように下地層１１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット１２１間の境界領域とドット１２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層１１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層１１５の部分で下地層１１２に凹部１２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【００９５】
更に、ハーフトーンを用いて凹部１２３を形成することも可能である。
【００９６】
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いた液晶装置に適用した第２実施形態について説明する。
【００９７】
図７は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図８は図７の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の概略断面図、図９は該液晶パネルの部分拡大図（図９におけるＢ−Ｂ´線及びＣ−Ｃ´の断面図が図７に相当する。）、図１０は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図１１は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及び図１２は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【００９８】
液晶装置２０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル２０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００９９】
液晶パネル２０２は、図７に示すように第１基板２０３とこれに対向する第２基板２０５とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その両基板間に液晶が封入された液晶層２０７等により形成されている。
【０１００】
また、第１基板２０３の外面には位相差板２０８及び偏光板２０９が配置され、第２基板２０５の外面には位相差板２１０及び偏光板２１１が配置されている。
【０１０１】
第１基板２０３の液晶層２０７側の表面には図７及び図８に示すように下地層２１２が形成され、その下地層２１２の表面に、反射層２１３、透過部２２２、着色層２１４（Ｒ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂ）及び隣り合う着色層２１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）２１５、更に該着色層２１４及び遮蔽層２１５を保護するオーバコート層２１６が、またオーバコート層２１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなるデータ線２２６が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜２１８が形成されている。
【０１０２】
また、第２基板２０５の液晶層２０７側の表面にはマトリクス状に配列する複数の画素電極２２７と、各画素電極２２７の境界領域において上述したデータ線２２６と交差する方向（図９のＹ方向）に帯状に伸びる複数の走査線２２８と、該画素電極２２７及び走査線２２８に接続されたＴＦＤ２２９が配置され、その上には配向膜２２０が形成されている。
【０１０３】
ここで、データ線２２６は所定の方向（図９のＸ方向）に伸びる帯状に形成され、複数のデータ線２２６が相互に並列してストライプ状に構成されており、該データ線２２６と画素電極２２７とによって特定される領域がドット２２１となる。
【０１０４】
また、下地層２１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層２１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
反射層２１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層２１２の上面に形成されており、下地層２１２表面の凹凸により反射層２１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層２１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０１０５】
更に反射層２１３には、例えば図９に示すようにドット２２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部２２２となる。これによって、バックライト等の第１基板２０３から入射した光が液晶層２０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【０１０６】
着色層２１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板２０３を通過したバックライト等による光を透過する透過部２２２と、この透過部２２２の周りの反射層２１３を覆うよう形成された原色系フィルタであってＲ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０１０７】
これによって、着色層２１４を遮蔽層２１５で他の着色層２１４と重ねることができる。
【０１０８】
遮蔽層２１５は、各ドット２２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第２基板の走査線２２８の長手方向（図９のＹ方向）及びこれに直交する方向（図９のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０１０９】
また、遮蔽層２１５には例えば、着色層２１４Ｂと着色層２１４Ｒとの間では、図１０に示すように下地層２１２に開口部２２５が形成されており、開口部２２５の底部２２４は、第１基板２０３の上に反射層２１３を介して形成されている。
【０１１０】
更に開口部２２５には、遮蔽層２１５に隣り合う着色層２１４Ｂが底部２２４からｈ２１の厚さに形成されており、その上に着色層２１４Ｇがｈ２２の厚さに、更にその上に着色層２１４Ｒの張り出し部分がｈ２３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【０１１１】
ここで、最下方の着色層２１４Ｂの厚さｈ２１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層２１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域との表面での平坦性を確保できることとなる。
【０１１２】
更に好ましくは、図１０のｈ２１を略１．７μｍに、ｈ２２を略１．０μｍ、ｈ２３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層２１４Ｒの上面からのオーバコート層２１６の厚さｈ２４を略１．８μｍに形成すると、下地層２１２の厚さｈ２５が略２．４μｍであり、ドット２２１での着色層２１４Ｂの厚さｈ２６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層２１６の厚さｈ２７が略２．０μｍであることから、遮蔽層２１５上のオーバコート層２１６の上面と着色層２１４Ｂのドット２２１上のオーバコート層２１６の上面とは一致し、平坦な面となる。
【０１１３】
ここで、上述のように開口部２２５の一番下に着色層２１４Ｂを形成することによって、厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【０１１４】
更に着色層２１４Ｇと着色層２１４Ｂとの間では、図７及び図８に示すように開口部２２５の底部２２４にまず、隣り合う着色層２１４Ｂが入りこみ、その上に隣り合う着色層２１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層２１４Ｒが重なり遮蔽層２１５が形成される。
【０１１５】
また、着色層２１４Ｒと着色層２１４Ｇとの間では、図７及び図８に示すように開口部２２５の底部２２４にまず、着色層２１４Ｂが形成され、その上に隣り合う着色層２１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層２１４Ｒが重なり遮蔽層２１５が形成される。
【０１１６】
更に、遮蔽層２１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図１１に示すように凹部２２３の底部２２４において完全には下地層２１２が除かれていないような場合においても、凹部２２３の底部２２４の深さｍ２５だけ例えば遮蔽層２１５の高さが低くなり、オーバコート層２１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキやラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０１１７】
ここで、図１１の最下方の着色層２１４Ｂの厚さｍ２１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層２１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域の表面での凹凸を軽減できることとなる。
【０１１８】
更に好ましくは、図１１の着色層２１４Ｂの厚さｍ２１を略１．１μｍ、着色層２１４Ｇの厚さｍ２２を略１．０μｍ及び着色層２１４Ｒの厚さｍ２３を略０．９μｍとすれば、凹部２２３の底部２２４の深さｍ２５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層２１６上面の凹凸を軽減できることとなる。
【０１１９】
この場合の着色層２１４の配列パターンとして、図９では斜めモザイク配列（２１４Ｒ、２１４Ｇ及び２１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０１２０】
なお、ドット２２１は例えば原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層２１４からなり、遮蔽層２１５により周囲を囲まれている領域であって反射層２１３と透過部２２２を具備するものであり、１画素は着色層２１４Ｒ（赤）を有するドット２２１と着色層２１４Ｇ（緑）を有するドット２２１及び着色層２１４Ｂ（青）を有するドット２２１で構成される。
【０１２１】
次に、画素電極２２７は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体により形成されており、当該画素電極２２７に隣り合う走査線２２８とは、ＴＦＤ２２９を介して接続されている。
【０１２２】
ＴＦＤ２２９は、例えば図７に示すように第２基板２０５の表面に成膜された下地層２３０の上に形成されている。
【０１２３】
また、ＴＦＤ２２９は第１金属層２３１と、該第１金属層２３１の表面に形成された絶縁膜２３２と、該絶縁膜２３２の上に形成された第２金属層２３３とによって構成されている。
【０１２４】
ここで、第１金属層２３１は例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成されており、走査線２２８に接続されている。
【０１２５】
また、絶縁膜２３２は例えば厚さが１０〜３５ｎｍ程度の酸化タンタル等によって形成されている。
【０１２６】
更に、第２金属層２３３は例えば、クロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されており、画素電極２２７に接続されている。
【０１２７】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板２０５に形成されている走査線２２８の夫々に走査信号を供給する一方、第１基板２０３側に形成されているデータ線２２６にデータ信号を供給すると、画素電極２２７とデータ線２２６とが対向する部分において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【０１２８】
従って、例えば第２基板２０５及び画素電極２２７を通過して液晶層２０７に入射した外光は、該液晶層２０７によってドット２２１毎に光変調され、反射層２１３により反射され再び画素電極２２７及び第２基板２０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層２１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０１２９】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板２０３及び透過部２２２を通過して液晶層２０７に入射した後、該液晶層２０７によってドット２２１毎に光変調され、画素電極２２７及び第２基板２０５を通過し射出されるが、この際例えばオーバコート層２１６が平坦なので、コントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【０１３０】
更に射出光は、反射層２１３及び透過部２２２を覆っている着色層２１４（２１４Ｒ、２１４Ｇ、２１４Ｂ）により着色される。
【０１３１】
本実施形態では、隣り合うドット２２１間の境界領域で凹部２２３又は開口部２２５を有するように下地層２１２を形成したので、例えば着色層２１４による遮蔽層２１５の高さを低くでき、各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域の表面の平坦性を確保できる。
【０１３２】
また、凹部２２３又は開口部２２５の底部２２４に最初に、青色系例えば青色の着色層２１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層２１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体として例えば遮蔽層２１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０１３３】
更に例えば、開口部２２５に底部２２４の方から青色の着色層２１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層２１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層２１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層２１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０１３４】
また、凹部２２３で下地層２１２が完全には取り除かれていない場合に、図１１に示すようにその下地層２１２が第１の絶縁層２１２ａと該第１の絶縁層２１２ａ上に凹部２２３を有するように設けられた第２の絶縁層２１２ｂから形成される場合にも、例えばオーバコート層２１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０１３５】
更に、本実施形態ではＴＦＤ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、消費電力及び製造コストを低く抑えられる。
【０１３６】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図１２の製造工程図に基づいて説明する。
【０１３７】
まず、図１２に示すように第１基板２０３上に下地層２１２を形成する（ＳＴ２０１）。ここで遮蔽層２１５を形成する各ドット２２１間の境界領域では例えば、図７及び図８のように下地層２１２に開口部２２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングする。
【０１３８】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板２０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層２１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層２１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層２１２の下層が形成される。更に、この下地層２１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層２１２の上層が形成される。
【０１３９】
次に、その下地層２１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層２１２に開口部２２５を形成し、遮蔽層２１５となる部分で下地層２１２が除かれた下地層２１２が第１基板２０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
次に、下地層２１２上にアルミニウム等を蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図９のように各ドット２２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射層２１３を形成する（ＳＴ２０２）。
【０１４０】
又、形成された反射層２１３及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層２１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層２１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層２１４Ｒを順次形成していく。
【０１４１】
これによって、各ドット２２１には青色の着色層２１４Ｂ、緑色の着色層２１４Ｇ及び赤色の着色層２１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層２１５には図７及び図８のように一番下層に青色の着色層２１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層２１４Ｇ、更に赤色の着色層２１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ２０３）。
【０１４２】
上述のように、一番下層に青色の着色層２１４Ｂが最も厚く形成されるので、遮光性を上げながら例えば、遮蔽層２１５全体としての厚さを薄くできる。
【０１４３】
更に下地層２１２に開口部２２５が形成されている分、例えば遮蔽層２１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層２１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１４４】
次に、上述の着色層２１４の上にオーバコート層２１６を形成し（ＳＴ２０４）、その上にデータ線２２６の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図９のようにＸ方向に所定の幅をもってデータ線２２６をストライプ状に形成する。
【０１４５】
更にその上に配向膜２１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板２０３側の製造が終了する（ＳＴ２０５）。これによって、配向膜２１８の液晶層２０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０１４６】
また、第２基板２０５上にＴＦＤ、走査線及び画素電極を形成する（ＳＴ１０６）。
【０１４７】
ここで、ＴＦＤは第２基板２０５上にＴａ酸化物等を一様な厚さに成膜し下地層２３０を形成し、その上にＴａ等をスパッタリングによって一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法により走査線２２８と第１金属層２３１とを同時に形成する。このとき、走査線２２８と第１金属層２３１とはブリッジでつながっている。
【０１４８】
また、上述の第１金属層２３１に絶縁膜である酸化タンタル等を一様な厚さで成膜し絶縁膜２３２を形成して、更にその上にＣｒをスパッタリング等により一様な厚さで成膜し、フォトリソグラフィ法を利用して第２金属層２３３を形成する。
【０１４９】
次に、画素電極２２７の形成予定領域の下地層２３０を除去した後、ＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、更にフォトリソグラフィ法等によって１ドットの大きさに相当する所定形状の画素電極２２７を一部が第２金属層２３３と重なるように形成する。これら一連の処理により、ＴＦＤ２２９及び画素電極２２７が形成される。
【０１５０】
更にその上に配向膜２２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板２０５側の製造が終了する（ＳＴ２０７）。
【０１５１】
次に、第２基板２０５側の配向膜２２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板２０３側と第２基板２０５側とを貼り合わせる（ＳＴ２０８）。
【０１５２】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ２０９）。更に、位相差板２０８，２１０及び偏光板２０９，２１１を第１基板２０３及び第２基板２０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ２１０）。
【０１５３】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図７に示すような液晶装置２０１が完成する。
【０１５４】
本実施形態に係る液晶装置２０１の製造方法では、着色層２１４が重ねられる遮蔽層２１５で一番下層に青色系例えば青色の着色層２１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮蔽層２１５全体としての厚さを薄くできる。
【０１５５】
更に下地層２１２に開口部２２５が形成されている分、例えば遮蔽層２１５の高さを低くでき、オーバコート層２１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１５６】
また、上述の液晶装置２０１の製造方法では開口部２２５は図１０のように遮蔽層２１５となる領域で下地層２１２を全て取り除いたが、例えば図１１で示すようにＳＴ２０１で下地層２１２を第１の絶縁層２１２ａ及び第２の絶縁層２１２ｂの２回に分けて形成し、凹部２２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層２１５となるドット２２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層２１２ａを形成し下地層２１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層２１２ｂの形成では遮蔽層２１５となる各ドット２２１間の境界領域を除いて、各ドット２２１にフォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングして、形成することもできる。
【０１５７】
これによって、１回目の下地層２１２の形成でフォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部２２５のように下地層２１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット２２１間の境界領域とドット２２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層２１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層２１５の部分で下地層２１２に凹部２２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【０１５８】
更に、ハーフトーンを用いて凹部２２３を形成することも可能である。
【０１５９】
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として三端子型スイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた液晶装置に適用した第３実施形態について説明する。
【０１６０】
図１３は本発明の第３実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図１４は図１３の液晶パネルを構成する第１基板側の概略断面図、図１５は該液晶パネルの部分拡大図（図１５におけるＤ−Ｄ′線及びＥ−Ｅ′線の断面図が図１３に相当する。）、図１６は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図１７は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及び図１８は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【０１６１】
液晶装置３０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル３０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【０１６２】
液晶パネル３０２は、図１３に示すように第１基板３０３とこれに対向する第２基板３０５とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その両基板間に液晶が封入された液晶層３０７等により形成されている。
【０１６３】
また、第１基板３０３の外面には位相差板３０８及び偏光板３０９が配置され、第２基板３０５の外面には位相差板３１０及び偏光板３１１が配置されている。
【０１６４】
第１基板３０３の液晶層３０７側の表面には図１３及び図１４に示すように下地層３１２が形成され、その下地層３１２の表面に、反射層３１３、反射層３１３の開口部である透過部３２２、着色層３１４（Ｒ（赤）３１４Ｒ、Ｇ（緑）３１４Ｇ、Ｂ（青）３１４Ｂ）及び隣り合う着色層３１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）３１５、更に該着色層３１４及び遮蔽層３１５を保護するオーバコート層３１６が、またオーバコート層３１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる共通電極３３４が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜３１８が形成されている。
【０１６５】
次に、第２基板３０５の液晶層３０７側の表面には、マトリクス状に配列する複数の画素電極３２７と、各画素電極３２７の境界領域においてゲート配線３３５及びソース配線３３６とが直交するように配置され（ゲート配線３３５が図１５のＹ方向、ソース配線３３６がＸ方向）、その配線の交差部分付近にはＴＦＴ３３７が設けられ、更にその上には配向膜３２０が形成されている。
【０１６６】
ここで、共通電極３３４はオーバコート層３１６の表面全域に形成された面電極であり、ゲート配線３３５とソース配線３３６とによって囲まれる領域が、ドット３２１となる。
【０１６７】
また、下地層３１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層３１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
反射層３１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層３１２の上面に形成されており、下地層３１２表面の凹凸により反射層３１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層３１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０１６８】
更に反射層３１３には、例えば図１５に示すようにドット３２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部３２２となる。これによって、バックライト等の第１基板３０３から入射した光が液晶層３０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【０１６９】
着色層３１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板３０３を通過したバックライト等による光を透過する透過部３２２と、この透過部３２２の周りの反射層３１３を覆うよう形成された原色系フィルタであってＲ（赤）３１４Ｒ、Ｇ（緑）３１４Ｇ、Ｂ（青）３１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０１７０】
これによって、着色層３１４を遮蔽層３１５で他の着色層３１４と重ねることができる。
【０１７１】
遮蔽層３１５は、各ドット３２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に第２基板３０５のゲート配線３３５の長手方向（図１５のＹ方向）及びこれに直交する方向（図１５のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０１７２】
また、遮蔽層３１５は例えば、着色層３１４Ｂと着色層３１４Ｒとの間では、図１６に示すように下地層３１２に開口部３２５が形成されており、開口部３２５の底部３２４は、第１基板３０３の直ぐ上に反射層３１３を介して形成されている。
【０１７３】
更に開口部３２５には、遮蔽層３１５に隣り合う着色層３１４Ｂが底部３２４からｈ３１の厚さに形成されており、その上に着色層３１４Ｇがｈ３２の厚さに、更にその上に着色層３１４Ｒの張り出し部分がｈ３３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【０１７４】
ここで、最下方の着色層３１４Ｂの厚さｈ３１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層３１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できることとなる。
【０１７５】
更に好ましくは、図１６のｈ３１を略１．７μｍに、ｈ３２を略１．０μｍ、ｈ３３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層３１４Ｒの上面からのオーバコート層３１６の厚さｈ３４を略１．８μｍに形成すると、下地層３１２の厚さｈ３５が略２．４μｍであり、ドット３２１での着色層３１４Ｂの厚さｈ３６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層３１６の厚さｈ３７が略２．０μｍであることから、遮蔽層３１５上のオーバコート層３１６の上面と着色層３１４Ｂのドット３２１上のオーバコート層３１６の上面とは一致し、平坦な面となる。
【０１７６】
ここで、上述のように開口部３２５の一番下に着色層３１４Ｂを形成することによって、厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【０１７７】
更に着色層３１４Ｇと着色層３１４Ｂとの間では、図１３及び図１４に示すように開口部３２５の底部３２４にまず、隣り合う着色層３１４Ｂが入りこみその上に隣り合う着色層３１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層３１４Ｒが重なり遮蔽層３１５が形成される。
【０１７８】
また、着色層３１４Ｒと着色層３１４Ｇとの間では、図１３及び図１４に示すように開口部３２５の底部３２４にまず、着色層３１４Ｂが形成され、その上に隣り合う着色層３１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層３１４Ｒが重なり遮蔽層３１５が形成される。
【０１７９】
更に、遮蔽層３１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図１７に示すように凹部３２３の底部３２４において完全には下地層３１２が除かれていないような場合においても、凹部３２３の底部３２４の深さｍ３５だけ例えば遮蔽層３１５の高さが低くなり、オーバコート層３１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキやラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０１８０】
ここで、図１７の最下方の着色層３１４Ｂの厚さｍ３１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層３１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の凹凸を軽減できることとなる。
【０１８１】
更に好ましくは、図１７の着色層３１４Ｂの厚さｍ３１を略１．１μｍ、着色層３１４Ｇの厚さｍ３２を略１．０μｍ及び着色層３１４Ｒの厚さｍ３３を略０．９μｍとすれば、凹部３２３の底部３２４の深さｍ３５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層３１６上面の凹凸を軽減できることとなる。
【０１８２】
この場合の着色層３１４の配列パターンとして、図１５では斜めモザイク配列（３１４Ｒ、３１４Ｇ及び３１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０１８３】
なお、ドット３２１は例えば原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層３１４からなり、遮蔽層３１５により周囲を囲まれている領域であって反射層３１３と透過部３２２を具備するものであり、１画素は着色層３１４Ｒ（赤）を有するドット３２１と着色層３１４Ｇ（緑）を有するドット３２１及び着色層３１４Ｂ（青）を有するドット３２１で構成される。
【０１８４】
次に、ＴＦＴ３３７は、第２基板３０５上に形成されたゲート電極３３８と、このゲート電極３３８の上で第２基板３０５の全域に形成されたゲート絶縁膜３３９と、このゲート絶縁膜３３９を挟んでこのゲート電極３３８の上方位置に形成された半導体層３４０と、その半導体層３４０の一方側にコンタクト電極３４１を介して形成されたソース電極３４２と、更に半導体層３４０の他方の側にコンタクト電極３４１を介して形成されたドレイン電極３４３とを有する。
【０１８５】
ここで、ゲート電極３３８はゲート配線３３５に接続され、ソース電極３４２はソース配線３３６に接続されている。ゲート配線３３５は第２基板３０５の平面方向に伸びていて縦方向（図１５のＹ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。
【０１８６】
また、ソース配線３３６はゲート絶縁膜３３９を挟んでゲート配線３３５と交差するように第２基板３０５の平面方向に伸びていて横方向（図１５のＸ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。
【０１８７】
画素電極３２７は、互いに交差するゲート配線３３５とソース配線３３６とによって区画される方形領域のうち、ＴＦＴ３３７に対応する部分を除いた領域を覆うように構成され、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体により形成されている。
【０１８８】
更に、ゲート配線３３５とゲート電極３３８とは例えば、クロム、タンタル等によって形成され、ゲート絶縁膜３３９は例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）等によって形成される。又、ソース電極３４２及びそれと一体的なソース配線３３６並びにドレイン電極３４３は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって成形されている。
【０１８９】
以上のように構成された本実施形態において、第１基板３０３に形成されている共通電極３３４に信号を提供する一方、第２基板３０５に形成されているゲート配線３３５とソース配線３３６に信号を提供すると、ドット３２１毎に画素電極３２７が選択され、この選択された画素電極３２７と共通電極３３４との間に保持される液晶のみが、電圧が印加されることによって液晶の配向が制御され、反射光及び透過光が変調される。
【０１９０】
従って、例えば第２基板３０５及び画素電極３２７を通過して液晶層３０７に入射した外光は、該液晶層３０７によってドット３２１毎に光変調され、反射層３１３により反射され、再び画素電極３２７及び第２基板３０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層３１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０１９１】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板３０３及び透過部３２２を通過して液晶層３０７に入射した後、該液晶層３０７によってドット３２１毎に光変調され、画素電極３２７及び第２基板３０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層３１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることができる。
【０１９２】
更に射出光は、反射層３１３及び透過部３２２を覆っている着色層３１４（３１４Ｒ、３１４Ｇ、３１４Ｂ）により着色される。
【０１９３】
本実施形態では、隣り合うドット３２１間の境界領域で凹部３２３又開口部３２５を有するように下地層３１２を形成したので、着色層３１４による例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０１９４】
また、凹部３２３又開口部３２５の底部３２４の一番下方に、青色系例えば青色の着色層３１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層３１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体として例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０１９５】
更に例えば、開口部３２５に底部３２４の方から青色の着色層３１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層３１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層３１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層３１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０１９６】
また、凹部３２３で下地層３１２が図１７に示すように完全には取り除かれていない場合にも、例えば遮蔽層３１５の高さを低くできるのでオーバコート層３１６上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの解消やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０１９７】
更に、本実施形態ではＴＦＴ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、コントラストを更に強くできる。
【０１９８】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図１８の製造工程図に基づいて説明する。
【０１９９】
まず、図１８に示すように第１基板３０３上に下地層３１２を形成する（ＳＴ３０１）。ここで遮蔽層３１５を形成する各ドット３２１間の境界領域では例えば、図１３及び図１４のように下地層３１２に開口部３２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層３１２をエッチングする。
【０２００】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板３０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層３１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層３１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層３１２の下層が形成される。更に、この下地層３１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層３１２の上層が形成される。
【０２０１】
次に、その下地層３１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層３１２に開口部３２５を形成し、遮蔽層３１５となる部分で下地層３１２が除かれた下地層３１２が第１基板３０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
次に、下地層３１２上にアルミニウム等を蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図１５のように各ドット３２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射層３１３を形成する（ＳＴ３０２）。
【０２０２】
又、形成された反射層３１３及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層３１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層３１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層３１４Ｒを順次形成していく。
【０２０３】
これによって、各ドット３２１には青色の着色層３１４Ｂ、緑色の着色層３１４Ｇ及び赤色の着色層３１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層３１５には図１３及び図１４のように一番下層に青色の着色層３１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層３１４Ｇ、更に赤色の着色層３１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ３０３）。
【０２０４】
上述のように、一番下層に青色の着色層３１４Ｂが最も厚く形成されるので、遮光性を上げながら例えば、遮蔽層３１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２０５】
更に下地層３１２に開口部３２５が形成されている分、例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層３１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２０６】
次に、上述の着色層３１４の上にオーバコート層３１６を形成し（ＳＴ３０４）、その上に共通電極３３４の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングしてオーバコート層３１６の上面に共通電極３３４を形成する。
【０２０７】
更にその上に配向膜３１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板３０３側の製造が終了する（ＳＴ３０５）。これによって、配向膜３１８の液晶層３０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０２０８】
また、第２基板３０５上にＴＦＴ、ゲート配線、ソース配線及び画素電極等を形成する（ＳＴ３０６）。
【０２０９】
ここで、ＴＦＴは第２基板３０５上に例えば、スパッタリングによってクロム、タンタル等を一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法によりパターニングしてゲート配線３３５及びそれと一体的なゲート電極３３８を形成し、更に例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって窒化シリコンからなるゲート絶縁膜３３９を形成する。
【０２１０】
次に、例えば半導体層３４０となるａ−Ｓｉ層とコンタクト電極３４１となるｎ＋型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成し、更に形成されたｎ＋型ａ−Ｓｉ層及びａ−Ｓｉ層のパターニングを行って半導体層３４０及びコンタクト電極３４１とを形成すると共に、ゲート絶縁膜３３９上の画素電極３２７となる部分にＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして画素電極３２７を形成する。
【０２１１】
また、第２基板３０５の表面の全域に例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等をスパッタリングによって形成し、パターニングを行ってソース電極３４２、ドレイン電極３４３及びソース配線３３６を形成する。
【０２１２】
これら一連の処理により、ＴＦＴ３３７及び画素電極３２７が形成される。
【０２１３】
更にその上に配向膜３２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板３０５側の製造が終了する（ＳＴ３０７）。
【０２１４】
次に、第２基板３０５側の配向膜３２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板３０３側と第２基板３０５側とを貼り合わせる（ＳＴ３０８）。
【０２１５】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ３０９）。更に、位相差板３０８、３１０及び偏光板３０９、３１１を第１基板３０３及び第２基板３０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ３１０）。
【０２１６】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図１３に示すような液晶装置３０１が完成する。
【０２１７】
本実施形態に係る液晶装置３０１の製造方法では、着色層３１４が重ねられる遮蔽層３１５において一番下層に青色系例えば青色の着色層３１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮蔽層３１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２１８】
更に下地層３１２に開口部３２５が形成されている分、例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、オーバコート層３１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２１９】
また、上述の液晶装置３０１の製造方法では開口部３２５は図１６のように遮蔽層３１５となる領域で下地層３１２を全て取り除いたが、図１７に示すように、例えばＳＴ３０１で下地層３１２を第１の絶縁層３１２ａ及び第２の絶縁層３１２ｂの２回に分けて形成し、凹部３２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層３１５となるドット３２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層３１２ａを形成し下地層３１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層３１２ｂの形成では遮蔽層３１５となるドット３２１間の境界領域を除いて、各ドット３２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
これによって、１回目の下地層３１２の形成でフォトレジストを用いて下地層３１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部３２５のように下地層３１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット３２１間の境界領域とドット３２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層３１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層３１５の部分で下地層３１２に凹部３２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【０２２０】
更に、ハーフトーンを用いて凹部３２３を形成することも可能である。
【０２２１】
次に、本発明を反射型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第４実施形態について説明する。
【０２２２】
図１９は本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図２０は図１９の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図、図２１は該液晶パネルの部分拡大図（図２１におけるＦ−Ｆ´線の断面図が図１９に相当する。）、図２２は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図２３は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及図２４は本実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【０２２３】
液晶装置４０１は、いわゆる反射型の構造を有する液晶パネル４０２及びケース体等により構成される。
【０２２４】
液晶パネル４０２は、図１９に示すようにガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板４０３を基体とするカラーフィルタ基板４０４と、これに対向する同様の第２基板４０５を基体とする対向基板４０６とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、そのカラーフィルタ基板４０４と対向基板４０６との間に液晶が封入された液晶層４０７等により形成されている。
【０２２５】
また、第１基板４０３の外面には位相差板４０８及び偏光板４０９が配置され、第２基板４０５の外面には位相差板４１０及び偏光板４１１が配置されている。
【０２２６】
カラーフィルタ基板４０４は、図１９、図２０及び図２１に示すように第１基板４０３の液晶層４０７側の表面には下地層４１２が形成され、その下地層４１２の表面に反射層４１３、着色層４１４（Ｒ（赤）４１４Ｒ、Ｇ（緑）４１４Ｇ、Ｂ（青）４１４Ｂ）及び隣り合う着色層４１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）４１５、更に該着色層４１４及び遮蔽層４１５を保護するオーバコート層４１６が、またオーバコート層４１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる透明電極４１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜４１８が形成されている。
【０２２７】
また、対向基板４０６は、図１９、図２０及び図２１に示すように第２基板４０５の液晶層４０７側の表面には透明電極４１９が第１基板側の透明電極４１７と直交する方向に（図２１のＸ方向）伸びる帯状に形成され、更にその上には配向膜４２０が形成されている。
【０２２８】
透明電極４１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極４１９と直交する方向に（図２１のＹ方向）、相互に並列してストライプ状に構成されている。
【０２２９】
ここで、所定の第１基板側の透明電極４１７と第２基板側の透明電極４１９とで特定される領域がドット４２１となる。
【０２３０】
カラーフィルタ基板４０４の下地層４１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層４１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
また、反射層４１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層４１２上に形成されており、下地層４１２表面の凹凸により反射層４１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層４１３によって反射された反射光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０２３１】
着色層４１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、反射層４１３を覆うよう形成された原色系フィルタであって、Ｒ（赤）４１４Ｒ、Ｇ（緑）４１４Ｇ、Ｂ（青）４１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０２３２】
これによって、着色層４１４を遮蔽層４１５で他の着色層４１４と重ねることができることとなる。
【０２３３】
更に、着色層４１４の配列パターンとして、図２１では斜めモザイク配列（４１４Ｒ、４１４Ｇ及び４１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０２３４】
遮蔽層４１５は、各ドット４２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板の透明電極４１７の長手方向（図２１のＹ方向）及びこれに直交する方向（図２１のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０２３５】
また、遮蔽層４１５には例えば、着色層４１４Ｂと着色層４１４Ｒとの間では、図２２に示すように下地層４１２に開口部４２５が形成されており、開口部４２５の底部４２４は、第１基板４０３の直ぐ上に反射層４１３を介して設けられている。
【０２３６】
更に開口部４２５には、遮蔽層４１５に隣り合う着色層４１４Ｂが底部４２４からｈ４１の厚さに形成されており、その上に着色層４１４Ｇがｈ４２の厚さに、更にその上に着色層４１４Ｒの張り出し部分がｈ４３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【０２３７】
ここで、図２２の最下方の着色層４１４Ｂの厚さｈ４１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層４１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との表面での平坦性を確保できることとなる。
【０２３８】
更に好ましくは、図２２のｈ４１を略１．７μｍに、ｈ４２を略１．０μｍ、ｈ４３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層４１４Ｒの上面からのオーバコート層４１６の厚さｈ４４を略１．８μｍに形成すると、下地層４１２の厚さｈ４５が略２．４μｍであり、ドット４２１での着色層４１４Ｂの厚さｈ４６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層４１６の厚さｈ４７が略２．０μｍであることから、遮蔽層４１５上のオーバコート層４１６の上面と着色層４１４Ｂのドット４２１上のオーバコート層４１６の上面とは、第１基板４０３からの高さが一致し平坦な面となる。
【０２３９】
ここで、上述のように開口部４２５の一番下に着色層４１４Ｂを形成することによって、最も厚く形成でき厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【０２４０】
更に着色層４１４Ｇと着色層４１４Ｂとの間では、図１９及び図２０に示すように開口部４２５の底部４２４にまず隣り合う着色層４１４Ｂが入りこみ、その上に着色層４１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層４１４Ｒが重なり遮蔽層４１５が形成される。
【０２４１】
また、着色層４１４Ｒと着色層４１４Ｇとの間では、図１９及び図２０に示すように開口部４２５の底部４２４にまず、着色層４１４Ｂが形成され、その上に着色層４１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層４１４Ｒが重なり遮蔽層４１５が形成される。
【０２４２】
更に、遮蔽層４１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図２３に示すように凹部４２３の底部４２４において完全には下地層４１２が除かれていないような場合においても、凹部４２３の底部４２４の深さｍ４５だけ例えば、遮蔽層４１５の着色層４１４の重ねられた高さが低くなり、オーバコート層４１６上面の凹凸を軽減することができる。これによって、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０２４３】
ここで、図２３の最下方の着色層４１４Ｂの厚さｍ４１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層４１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との表面での凹凸を軽減できることとなる。
【０２４４】
更に好ましくは、図２３の着色層４１４Ｂの厚さｍ４１を略１．１μｍ、着色層４１４Ｇの厚さｍ４２を略１．０μｍ及び着色層４１４Ｒの厚さｍ４３を略０．９μｍとすれば、凹部４２３の底部４２４の深さｍ４５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層４１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０２４５】
なお、ドット４２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層４１４からなり、遮蔽層４１５により周囲を囲まれている領域であって反射層４１３を具備するものであり、１画素は着色層４１４Ｒを有するドット４２１と着色層４１４Ｇを有するドット４２１及び着色層４１４Ｂを有するドット４２１で構成される。
【０２４６】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板４０５に形成されている所定の透明電極４１９に信号を供給する一方、第１基板４０３側に形成されている所定の透明電極４１７に信号を供給すると、透明電極４１９と透明電極４１７とが交差する特定のドット４２１において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【０２４７】
従って、例えば対向基板４０６側から液晶層４０７に入射した外光はドット４２１毎に光変調され、着色層４１４を透過した後に反射層４１３で反射し、再び対向基板４０６を透過して射出されるが、この際例えばオーバコート層４１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０２４８】
更に射出光は、反射層４１３を覆っている着色層４１４（４１４Ｒ、４１４Ｇ、４１４Ｂ）により着色される。
【０２４９】
本実施形態では、隣り合うドット４２１間の境界領域で凹部４２３又は開口部４２５を有するように下地層４１２を形成したので、例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、第１基板側のオーバコート層の平坦性を確保できる。
【０２５０】
また、凹部４２３又は開口部４２５の底部４２４に最初に、青色系例えば青色の着色層４１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層４１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体として例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０２５１】
更に例えば、開口部４２５に底部４２４の方から青色の着色層４１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層４１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層４１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層４１６の平坦性をより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０２５２】
また、凹部４２３で下地層４１２が完全には取り除かれていない場合に、図２３に示すようにその下地層４１２が第１の絶縁層４１２ａと該第１の絶縁層４１２ａ上に凹部４２３を有するように設けられた第２の絶縁層４１２ｂから形成される場合にも、例えばオーバコート層４１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０２５３】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図２４の製造工程図に基づいて説明する。
【０２５４】
まず、図２４に示すように第１基板４０３上に下地層４１２を形成する（ＳＴ４０１）。ここで遮蔽層４１５を形成するドット４２１間の境界領域では例えば、図１９、図２０及び図２１のように下地層４１２に開口部４２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層４１２をエッチングし、形成する。
【０２５５】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板４０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布し、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層４１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層４１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層４１２の下層が形成される。更に、この下地層４１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層４１２の上層が形成される。
【０２５６】
次に、その下地層４１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層４１２に開口部４２５を形成し、遮蔽層４１５となる部分で下地層４１２が除かれた下地層４１２が第１基板４０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
次に、下地層４１２上に蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図１９及び図２０のように各ドット４２１及び遮蔽層４１５の領域に反射層４１３を形成する（ＳＴ４０２）。
【０２５７】
又、形成された反射層の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光し、レジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層４１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層４１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層部材４１４Ｒを順次形成していく。
【０２５８】
これによって、各ドット４２１には青色の着色層４１４Ｂ、緑色の着色層４１４Ｇ及び赤色の着色層４１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層４１５には図１９及び図２０のように一番下層に青色の着色層４１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層４１４Ｇ、更に赤色の着色層４１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ４０３）。
【０２５９】
上述のように、一番下層に青色の着色層４１４Ｂが最も厚く形成されるので遮光性を上げながら例えば、遮蔽層４１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２６０】
更に下地層４１２に開口部４２５が形成されている分、例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層４１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２６１】
次に、上述の着色層４１４の上にオーバコート層４１６を形成し（ＳＴ４０４）、その上に透明電極４１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２１のようにＹ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。
【０２６２】
更にその上に配向膜４１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板４０４の製造が終了する（ＳＴ４０５）。これによって、配向膜４１８の液晶層４０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０２６３】
また、第２基板４０５上に透明電極４１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２１のようにＸ方向にストライプ状に、透明電極４１９を形成する（ＳＴ４０６）。
【０２６４】
更にその上に配向膜４２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板４０６の製造が終了する（ＳＴ４０７）。
【０２６５】
次に、対向基板４０６上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板４０４と対向基板４０６とを貼り合わせる（ＳＴ４０８）。
【０２６６】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ４０９）。更に、位相差板４０８，４１０及び偏光板４０９，４１１を第１基板４０３及び第２基板４０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ４１０）。
【０２６７】
最後に必要な配線及びケース体等を取り付けて、図１９に示すような液晶装置４０１が完成する。
【０２６８】
本実施形態に係る液晶装置４０１の製造方法では、着色層４１４が重ねられる遮蔽層４１５において一番下層に青色系例えば青色の着色層４１４Ｂを配置したので、最も厚く形成され遮光性を上げがら、例えば遮蔽層４１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２６９】
更に下地層４１２に開口部４２５が形成されている分、例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、オーバコート層４１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２７０】
また、上述の液晶装置４０１の製造方法では開口部４２５は図２２のように遮蔽層４１５となる領域で下地層４１２を全て取り除いたが、図２３に示すように、例えばＳＴ４０１で下地層４１２を第１の絶縁層４１２ａ及び第２の絶縁層４１２ｂの２回に分けて形成し、凹部４２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層４１５となるドット４２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層４１２ａを形成し下地層４１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層４１２ｂの形成では遮蔽層４１５となるドット４２１間の境界領域を除いて、各ドット４２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
これによって、１回目の下地層４１２の形成でフォトレジストを用いて下地層４１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部４２５のように下地層４１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット４２１間の境界領域とドット４２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層４１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層４１５の部分で下地層４１２に凹部４２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【０２７１】
更に、ハーフトーンを用いて凹部４２３を形成することも可能である。
【０２７２】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置１０１、２０１、３０１及び４０１を備えた本発明の第５の実施形態に係る電子機器について説明する。
【０２７３】
図２５から図２８は本発明の第５の実施形態に係る電子機器の各例の外観概略図である。
【０２７４】
例えば、携帯電話機５００は、図２５に示すように複数の操作ボタン５００ａの他、受話口５００ｂ、送話口５００ｃを有する外枠に例えば、液晶装置１０１を備えている。
【０２７５】
また、パーソナルコンピュータ５０１は、図２６に示すようにキーボード５０１ａを備えた本体部５０１ｂと、液晶表示ユニット５０１ｃとから構成されており、液晶表示ユニット５０１ｃは外枠に例えば、液晶装置１０１を備えている。
【０２７６】
更に通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ５０２は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等といった撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。
【０２７７】
ここで、図２７のようにデジタルスチルカメラ５０２のケース５０２ａの背面には、例えば液晶装置１０１が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成となっている。このため、液晶装置１０１は、被写体を表示するファインダとして機能する。
【０２７８】
また、ケース５０２ａの前面側には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット５０２ｂが設けられている。撮影者は、液晶装置１０１に表示された被写体を確認して、シャッタボタン５０２ｃを押下して撮影を行うことができる。
【０２７９】
また、腕時計５０３は、図２８のように本体の前面中央に例えば、液晶装置１０１を用いた表示部が設けられている。
【０２８０】
これらの電子機器は、液晶装置１０１の他に図示しないが表示情報出力源、表示情報処理回路等の様々な回路及びそれらの回路に電力を供給する電源回路等からなる表示信号生成部等を含んで構成される。
【０２８１】
更に液晶装置１０１には例えば、パーソナルコンピュータ５０１の場合にあってはキーボード５０１ａから入力された情報等に基づき表示信号生成部によって生成された表示信号が供給されることによって、表示画像が液晶装置１０１に表示される。
【０２８２】
本実施形態では、図１から図４に示すように隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３又は開口部１２５を有するように下地層１１２を形成したので、着色層１１４による例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０２８３】
また、開口部１２５の底部１２４にまず、青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層１１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体としての例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０２８４】
更に例えば、開口部１２５に底部１２４の方から青色の着色層１１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層１１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層１１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層１１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０２８５】
また、凹部１２３で下地層１１２が図５に示すように完全には取り除かれていない場合にも、例えばオーバコート層１１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０２８６】
特に上述したような携帯可能な電子機器にあっては、室外で使用しても画面表示が鮮明であることが求められており、例えばオーバコート層１１６の平坦性がより確保でき、表示画面のコントラストの明瞭化が図れる本発明の意義は大きいといえる。
【０２８７】
なお、電子機器としては、他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１０１が適用可能なのは言うまでもない。
【０２８８】
また、上述した電子機器に用いられる液晶装置としては反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置１０１に限られるものではなく、反射半透過型のスイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤを用いた液晶装置２０１、反射半透過型のスイッチング素子として三端子型スイッチング素子であるＴＦＴを用いた液晶装置３０１及び反射型のパッシブマトリックス方式の液晶装置４０１であっても良い。
更に、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などにも上述した例えば液晶装置１０１が適用可能である。
【０２８９】
以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。
【０２９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図２】図１の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図４】図１の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図５】図１の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図８】図７の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図１０】図７の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１１】図７の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図１４】図１３の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図１６】図１３の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１７】図１３の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図１９】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図２０】図１９の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図２１】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図２２】図１９の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図２３】図１９の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図２４】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図２５】本発明の第５の実施形態に係る電子機器である携帯電話機の外観概略図である。
【図２６】本発明の第５の実施形態に係る電子機器であるパーソナルコンピュータの外観概略図である。
【図２７】本発明の第５の実施形態に係る電子機器であるデジタルスチルカメラの外観概略図である。
【図２８】本発明の第５の実施形態に係る電子機器である腕時計の外観概略図である。
【符号の説明】
１０１、２０１、３０１、４０１ 液晶装置
１０２、２０２、３０２、４０２ 液晶パネル
１０３、２０３、３０３、４０３ 第１基板
１０４、４０４ カラーフィルタ基板
１０５、２０５、３０５、４０５ 第２基板
１０６，４０６ 対向基板
１０７、２０７、３０７、４０７ 液晶層
１１２、２１２、３１２、４１２ 下地層
１１３、２１３、３１３、４１３ 反射層
１１４、２１４、３１４、４１４ 着色層
１１５、２１５、３１５、４１５ 遮蔽層
１１６、２１６、３１６、４１６ オーバコート層
１２１、２２１、３２１、４２１ ドット
１２２、２２２、３２２、 透過部
１２３、２２３、３２３、４２３ 凹部
１２４、２２４、３２４、４２４ 底部
１２５、２２５、３２５、４２５ 開口部
２２９ ＴＦＤ
３３７ ＴＦＴ
５００ 携帯電話機
５０１ パーソナルコンピュータ
５０２ デジタルスチルカメラ
５０３ 腕時計
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話や携帯情報端末等に用いられる電気光学装置を構成する電気光学装置用基板及びその電気光学装置用基板を用いて構成される電気光学装置に関する。また、本発明はその電気光学装置用基板の製造方法及びその電気光学装置用基板を用いて構成される電気光学装置の製造方法に関する。更に本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型パーソナルコンピュータ等といった電子機器に電気光学装置が広く用いられるようになってきており、その電気光学装置の１つとして、部分的に反射型表示が可能な反射半透過型液晶装置が知られている。この液晶装置では、バックライト等による透過光の他、自然光や室内光等といった外部光が該液晶装置の内部へ取り込まれ、その光が該液晶装置の内部に形成された反射層で反射して、再び外部へ射出されることにより表示が行われるが、この反射させる部分の構成は、全面で反射型表示させる反射型液晶装置も同様である。
【０００３】
一方、反射型表示が可能な液晶装置（以下「反射半透過型液晶装置及反射型液晶装置」をいう。）においては、反射層の表面が鏡面状であると、観察者が視認する像に背景や室内照明が映ってしまい、表示された像が見難くなるという問題が生じる。
【０００４】
この問題を解消するため、従来、反射層の下に多数の微細な凹凸構造を表面に形成した下地層を設けて、該反射層の表面に複数の微細な山部を形成し粗面化して、反射光を適度に散乱させるという技術が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、下地層を有する液晶装置でその下地層上に反射層を形成し、更にその上に着色層を形成する構造を採る場合、隣り合うドットの境界領域に構成された光を遮蔽する層（以下「遮蔽層」と言う。）での十分な遮光性を生じさせるには、その部分の厚さが厚くなり、液晶に接する配向膜やオーバコート層によっても場所によって凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる他、ラビング処理が上手くいかなくなる等の問題が生じることとなる。
【０００６】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、隣り合うドット間の境界領域と各ドットとの表面での凹凸を軽減することができる電気光学装置用基板、その電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、その電気光学装置用基板の製造方法、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を使用した電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置用基板は、複数のドットを有する基板と、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された山部又は谷部を有する下地層と、前記下地層上に配置された反射層と、前記反射層上に配置された着色層とを具備し、前記凹部又は前記開口部には、前記着色層が入り込んでいることを特徴とする。
【０００８】
本発明のこのような構成によれば、隣り合うドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けたので、着色層による例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮蔽層の高さが高くなり、オーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように設けたので、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０００９】
また、下地層を不規則に配列された山部又は谷部を有するように設けたので、適度に反射光を散乱でき表示面での映り込みを軽減できる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記着色層上に設けられる保護層を更に備えることを特徴とする。このような構成によれば、保護層が設けられているので着色層の耐性と平滑化が図れ、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を更に確保できる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれているのでその分、例えば遮蔽層の高さを低くでき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記反射層は、一部に開口部を有していることを特徴とする。このような構成によれば、反射半透過型液晶装置においても隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けることができるので、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できセルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、重なり合う着色層により例えば遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色層の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、それぞれ前記隣り合うドットに対応して配設されていることを特徴とする。このような構成によれば、各ドットに対応する第１の着色部および第２の着色部により例えば遮蔽層を構成することができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層に設けられた凹部又は開口部に最初に形成される着色部が一番厚くなるので、可視光波長域における平均透過率のより低い着色部を下方に形成することによって、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の光の波長域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける平均透過率は、前記第２の着色部の光の波長域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層に設けられた凹部又は開口部に最初に形成される着色部が一番厚くなるので、実際に多く使用される光の波長域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける平均透過率のより低い着色部を下方に形成することによって、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の厚さが、０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下であることを特徴とする。このような構成によれば、第１の着色部が、より遮光性の良好な厚さとできると共に、他の着色部との重ね合わせによっても各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できることとなる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記着色層は、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部を少なくとも有し、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部が、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部、前記緑色系の着色部及び前記赤色系の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部又は開口部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に例えば、遮蔽層の高さも低くできることとなり平坦性も確保できる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記着色部は、前記青色系の着色部の厚さが０．７〜２．０μｍに、前記緑色系の着色部の厚さが０．８〜１．２μｍに、前記赤色系の着色部の厚さが０．７〜１．１μｍに形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性をより確保できると共に各着色部全体で最適な遮光性を確保できることとなる。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層を凹部で完全に除いてしまうと却って各ドットと隣り合うドット間の境界領域の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易とできることとなる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても第２の絶縁層を形成する際に、凹部を形成できるので、第１の絶縁層の形成における製造工程の簡略化を図れる。
【００２１】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の樹脂層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の樹脂層と前記第１の樹脂層上の前記他の領域に重置された第２の樹脂層とにより形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、第１の樹脂層の形成において凹部を形成しなくても第２の樹脂層を形成する際に、凹部を形成できるので、第１の樹脂層の形成における製造工程の簡略化を図れる。
本発明の一の形態によれば、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に重なり合う着色部により遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、下地層に設けられた凹部に最初に形成される着色部が一番厚くなるので、可視光波長域における平均透過率のより低い着色部を下方に形成することによって、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の厚さが、０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下であることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に第１の着色部が、より遮光性の良好な厚さとできると共に、他の着色部との重ね合わせによっても、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減できることとなる。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記着色層は、青色系の前記着色部と、緑色系又は赤色系の前記着色部とを有し、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部及び前記緑色系又は赤色系の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に、高さも低くできることとなり各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減できる。
本発明の電気光学装置は、電気光学装置において、対向配置された第１及び第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持された電気光学物質と、前記第１の基板に設けられた第１の表示用電極と、前記第２の基板に設けられた第２の表示用電極と、前記第１の表示用電極及び前記第２の表示用電極の重なる領域に対応して設けられた複数のドットと、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように一方の前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された複数の山部又は谷部を有する下地層と、前記下地層上に配置された反射層と、前記反射層上に配置された着色層とを具備し、前記凹部又は前記開口部には、前記着色層が入り込んでいることを特徴とする。
【００２４】
本発明のこのような構成によれば、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けたので、例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮蔽層の高さが高くなりオーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように設けたので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを軽減すると共にラビング処理が容易となり、コントラストの明瞭化を図ることができる。
【００２５】
また、下地層を不規則に配列された山部又は谷部を有するように設けたので、適度に反射光を散乱でき表示面での映り込みを軽減できる。
【００２６】
本発明の一の形態によれば、前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれているのでその分、例えば遮蔽層の厚さを軽減でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００２７】
本発明の一の形態によれば、前記反射層は、一部に開口部を有していることを特徴とする。このような構成によれば、反射半透過型液晶装置においても隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を設けることができるので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できセルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００２８】
本発明の一の形態によれば、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、重なり合う着色部により例えば遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
【００２９】
本発明の一の形態によれば、前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層に設けられた凹部又は開口部に最初に形成される着色部が一番厚くなるので、可視光波長域における平均透過率のより低い着色部を下方に形成することによって、より遮光性が大きくなり、コントラストを明瞭にさせることができる。
本発明の一の形態によれば、前記着色層は、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部を少なくとも有し、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部が、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部、前記緑色系の着色部及び前記赤色系の着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できると共に、各着色部全体で最適な遮光性を確保できることとなり、コントラストの明瞭化を図ることができると共にセルギャップのバラツキ等を軽減できる。
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層を凹部で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット間の境界領域とドットとの表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して凹凸を軽減し、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易とできることとなる。
【００３０】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても第２の絶縁層の形成において凹部を形成できるので、第１の絶縁層の製造工程を簡略化することができる。
本発明の一の形態によれば、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に重なり合う着色部により遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
本発明の一の形態によれば、前記着色層は、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とを少なくとも有し、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とが、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に青色系の前記着色部および緑色系又は赤色系の前記着色部の順に積層されていることを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に、高さも低くできることとなり各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減できる。
本発明の電子機器は、請求項１９から請求項２８のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。このように、上述の電気光学装置は、携帯電話や携帯情報端末等のように屋外で使用することも多く、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性が確保できることによる表示画面のコントラストの明瞭化等により、より画面が見やすくなる。
【００３１】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、複数のドットを有する電気光学装置用基板の製造方法であって、前記基板に、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有しかつ不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程と、前記下地層上に反射層を形成する工程と、前記反射層上に着色層を形成する工程とを具備し、前記凹部又は前記開口部には、前記着色層が入り込んでいることを特徴とする。
【００３２】
本発明のこのような構成によれば、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を形成する工程を具備するので、例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮蔽層において高さが高くなりオーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように形成する工程を具備するので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【００３３】
また、不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程を具備することとしたので、例えば反射層での反射光を適度に散乱でき、表示面での映り込みを軽減できる。
【００３４】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記開口部の底部に前記下地層が除かれた領域を有するように形成することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれているのでその分、例えば遮蔽層の高さを低くでき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
本発明の一の形態によれば、前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、重なり合う着色部により例えば遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
本発明の一の形態によれば、前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層は、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部を少なくとも有し、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部が、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部、前記緑色系の着色部及び前記赤色系の着色部の順に積層されるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部又は開口部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に例えば、遮蔽層の高さも低くできることとなり平坦性も確保できる。
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記凹部の底部の下地層が、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、下地層を凹部で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット間の境界領域と各ドットとの表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して該境界領域と各ドットとの表面の凹凸を軽減し、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易とできることとなる。
【００３５】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上で隣り合う前記ドット間の境界領域を除く領域に第２の絶縁層を形成する工程とを具備することを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても、第２の絶縁層の形成の際に凹部を形成できるので、第１の絶縁層を形成する工程での製造工程の簡略化を図れる。
【００３６】
本発明の一の形態によれば、前記下地層上に反射層を形成する工程は、前記反射層の一部に開口部を有するように形成することを特徴とする。このような構成によれば、反射半透過型液晶装置においても凹部の底部のを他の領域の下地層よりも薄くなるように形成するので、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００３７】
本発明の一の形態によれば、前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、重なり合う着色部により例えば遮蔽層を構成し、入射光が漏れるのを防ぐことができるのでコントラストの向上を図ることができる。着色部の色の例としては赤、青及び緑の組み合わせ、或はシアン、マゼンダ及びイエローの組み合わせ等が考えられる。
本発明の一の形態によれば、前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層が、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とを有し、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とが、前記隣り合うドットとの境界領域において青色系の前記着色部および緑色系又は赤色系の前記着色部の順に積層されるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、例えば製造工程の簡略化を図れると共に、３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の低い青色系の着色部を最も厚くなる凹部の一番下方に形成し、その上が次に厚くなるので２番目に可視光波長域における平均透過率が低い緑色系を形成し、更に３色系のなかで一番可視光波長域における平均透過率の高い赤色系を一番上に形成することによって、全体で遮光性を向上できると共に高さも低くできることとなり各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の凹凸を軽減できる。
本発明の電気光学装置の製造方法は、請求項３０に記載の電気光学装置用基板の製造方法を工程として備えることを特徴とする。
【００３８】
本発明のこのような構成によれば、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように下地層を形成するので、着色層による例えば遮蔽層の高さを低くでき、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を形成していたため、例えば遮蔽層において高さが高くなりオーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層をドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように設けたので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを軽減すると共にラビング処理が容易となり、コントラストの明瞭化を図ることができる。
【００３９】
また、不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程を具備することとしたので、例えば反射層での反射光を適度に散乱でき、表示面での映り込みを軽減できる。
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、以下に実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置として、まず反射半透過型のパッシブマトリックス方式、同じく反射半透過型の能動素子としてＴＦＤ（二端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式及び能動素子としてＴＦＴ（三端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式の液晶装置、また反射型のパッシブマトリックス方式の液晶装置及びそれらの液晶装置を用いた電子機器を例をあげて夫々説明する。
【００４０】
まず、本発明を反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第１実施形態について説明する。
【００４１】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図２は図１の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図、図３は該液晶パネルの部分拡大図（図３におけるＡ−Ａ´線の断面図が図１に相当する。）、図４は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図５は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及び図６は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【００４２】
液晶装置１０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル１０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００４３】
液晶パネル１０２は、図１に示すようにガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板１０３を基体とするカラーフィルタ基板１０４と、これに対向する同様の第２基板１０５を基体とする対向基板１０６とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、そのカラーフィルタ基板１０４と対向基板１０６との間に液晶が封入された液晶層１０７等により形成されている。
【００４４】
また、第１基板１０３の外面には位相差板１０８及び偏光板１０９が配置され、第２基板１０５の外面には位相差板１１０及び偏光板１１１が配置されている。
【００４５】
カラーフィルタ基板１０４は、図１、図２及び図３に示すように第１基板１０３の液晶層１０７側の表面には下地層１１２が形成され、その下地層１１２の表面に反射層１１３、反射層１１３の開口部に設けられた透過部１２２、着色層１１４（Ｒ（赤）１１４Ｒ、Ｇ（緑）１１４Ｇ、Ｂ（青）１１４Ｂ）及び隣り合う着色層１１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）１１５、更に該着色層１１４及び遮蔽層１１５を保護するオーバコート層１１６が、またオーバコート層１１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる透明電極１１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜１１８が形成されている。
【００４６】
また、対向基板１０６には、図１及び図３に示すように第２基板１０５の液晶層１０７側の表面に、透明電極１１９が第１基板側の透明電極１１７と直交する方向に（図３のＸ方向）伸びる帯状に形成され、更にその上には配向膜１２０が形成されている。
【００４７】
透明電極１１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極１１９はこれと直交する方向に、相互に並列してストライプ状に構成されている。
【００４８】
ここで、所定の第１基板側の透明電極１１７と第２基板側の透明電極１１９とで特定される領域がドット１２１となる。
【００４９】
カラーフィルタ基板１０４の下地層１１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層１１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
【００５０】
また、反射層１１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層１１２上に形成されており、下地層１１２表面の凹凸により反射層１１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層１１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【００５１】
更に反射層１１３には、例えば図３に示すようにドット１２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部１２２となる。これによって、バックライト等のカラーフィルタ基板１０４から入射した光が液晶層１０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【００５２】
着色層１１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板を通過したバックライト等による光を透過する透過部１２２と、この透過部１２２の周りの反射層１１３を覆うよう形成された原色系フィルタであって、Ｒ（赤）１１４Ｒ、Ｇ（緑）１１４Ｇ、Ｂ（青）１１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【００５３】
これによって、着色層１１４を遮蔽層１１５で他の着色層１１４と重ねることができることとなる。
【００５４】
更に、着色層１１４の配列パターンとして、図３では斜めモザイク配列（１１４Ｒ、１１４Ｇ及び１１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００５５】
遮蔽層１１５は、各ドット１２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板の透明電極１１７の長手方向（図３のＹ方向）及びこれに直交する方向（図３のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【００５６】
また、遮蔽層１１５には例えば、着色層１１４Ｂと着色層１１４Ｒとの間では、図４に示すように下地層１１２に開口部１２５が形成されており、開口部１２５の底部１２４は、第１基板１０３の直ぐ上に反射層１１３を介して設けられている。
【００５７】
更に開口部１２５には、遮蔽層１１５に隣り合う着色層１１４Ｂが底部１２４からｈ１１の厚さに形成されており、その上に着色層１１４Ｇがｈ１２の厚さに、更にその上に着色層１１４Ｒの張り出し部分がｈ１３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【００５８】
ここで、図４の最下方の着色層１１４Ｂの厚さｈ１１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層１１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域例えば、遮蔽層１１５との表面での平坦性を確保できることとなる。
【００５９】
更に好ましくは、図４のｈ１１を略１．７μｍに、ｈ１２を略１．０μｍ、ｈ１３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層１１４Ｒの上面からのオーバコート層１１６の厚さｈ１４を略１．８μｍに形成すると、下地層１１２の厚さｈ１５が略２．４μｍであり、ドット１２１での着色層１１４Ｂの厚さｈ１６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層１１６の厚さｈ１７が略２．０μｍであることから、遮蔽層１１５上のオーバコート層１１６の上面と着色層１１４Ｂのドット１２１上のオーバコート層１１６の上面とは一致し、平坦な面となる。
【００６０】
ここで、上述のように開口部１２５の一番下に着色層１１４Ｂを形成することによって、最も厚く形成でき厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【００６１】
更に着色層１１４Ｇと着色層１１４Ｂとの間では、図２に示すように開口部１２５の底部１２４にまず、隣り合う着色層１１４Ｂが入りこみその上に着色層１１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層１１４Ｒが重なり遮蔽層１１５が形成される。
【００６２】
また、着色層１１４Ｒと着色層１１４Ｇとの間では、図２に示すように開口部１２５の底部１２４にまず、着色層１１４Ｂが形成され、その上に着色層１１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層１１４Ｒが重なり遮蔽層１１５が形成される。
【００６３】
更に、遮蔽層１１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図５に示すように凹部１２３の底部１２４で完全には下地層１１２が除かれていないような場合においても、凹部１２３の底部１２４の深さｍ１５だけ遮蔽層１１５の着色層の重ねられた高さが低くなり、オーバコート層１１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキやラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【００６４】
ここで、図５の最下方の着色層１１４Ｂの厚さｍ１１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層１１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面での凹凸を軽減できる。
【００６５】
更に好ましくは、図５の着色層１１４Ｂの厚さｍ１１を略１．１μｍ、着色層１１４Ｇの厚さｍ１２を略１．０μｍ及び着色層１１４Ｒの厚さｍ１３を略０．９μｍとすれば、凹部１２３の底部１２４の深さｍ１５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層１１６上面の凹凸を軽減できる。これによって、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【００６６】
なお、ドット１２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層１１４からなり、遮蔽層１１５により周囲を囲まれている領域であって反射層１１３と透過部１２２を具備するものであり、１画素は着色層１１４Ｒを有するドット１２１と着色層１１４Ｇを有するドット１２１及び着色層１１４Ｂを有するドット１２１で構成される。
【００６７】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板１０５に形成されている所定の透明電極１１９に信号を供給する一方、第１基板１０３側に形成されている所定の透明電極１１７に信号を供給すると、透明電極１１９と透明電極１１７とが交差する特定のドット１２１において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【００６８】
従って、例えば対向基板１０６側から液晶層１０７に入射した外光はドット１２１毎に光変調され、着色層１１４を透過した後に反射層１１３で反射し、再び対向基板１０６を透過して射出されるが、この際例えばオーバコート層１１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【００６９】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板１０３及び透過部１２２を通過して液晶層１０７に入射した後、該液晶層１０７によってドット１２１毎に光変調されて、透明電極１１９及び第２基板１０５を通過して射出されコントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【００７０】
更に射出光は、反射層１１３及び透過部１２２を覆っている着色層１１４（１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂ）により着色される。
【００７１】
本実施形態では、隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３又は開口部１２５を有するように下地層１１２を形成したので、着色層１１４による例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【００７２】
また、凹部１２３又は開口部１２５の底部１２４に最初に、青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層１１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体としての例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【００７３】
更に例えば、開口部１２５に底部１２４の方から青色の着色層１１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層１１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層１１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層１１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【００７４】
また、凹部１２３で下地層１１２が完全には取り除かれていない場合に、図５に示すようにその下地層１１２が第１の絶縁層１１２ａと該第１の絶縁層１１２ａ上に凹部１２３を有するように設けられた第２の絶縁層１１２ｂから形成される場合にも、例えばオーバコート層１１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【００７５】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図６の製造工程図に基づいて説明する。
【００７６】
まず、図６に示すように第１基板１０３上に下地層１１２を形成する（ＳＴ１０１）。ここで遮蔽層１１５を形成するドット１２１間の境界領域では例えば、図１、図２及び図３のように下地層１１２に開口部１２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層１１２をエッチングし、形成する。
【００７７】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板１０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層１１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層１１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層１１２の下層が形成される。更に、この下地層１１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層１１２の上層が形成される。
【００７８】
次に、その下地層１１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層１１２に開口部１２５を形成し、遮蔽層１１５となる部分で下地層１１２が除かれた下地層１１２が第１基板１０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
【００７９】
次に、下地層１１２上に蒸着法やスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図３のように各ドット１２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射層１１３を形成する（ＳＴ１０２）。
【００８０】
又、形成された反射層及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層１１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層１１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層１１４Ｒを順次形成していく。
【００８１】
これによって、各ドット１２１には青色の着色層１１４Ｂ、緑色の着色層１１４Ｇ及び赤色の着色層１１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層１１５には図２のように一番下層に青色の着色層１１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層１１４Ｇ、更に赤色の着色層１１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ１０３）。
【００８２】
上述のように、一番下層に青色の着色層１１４Ｂが最も厚く形成されるので遮光性を上げながら、例えば遮蔽層１１５全体としての厚さを薄くできる。
【００８３】
更に下地層１１２に開口部１２５が形成されている分、例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層１１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【００８４】
次に、上述の着色層１１４の上にオーバコート層１１６を形成し（ＳＴ１０４）、その上に透明電極１１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図３のようにＹ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。
【００８５】
更にその上に配向膜１１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板１０４の製造が終了する（ＳＴ１０５）。これによって、配向膜１１８の液晶層１０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【００８６】
また、第２基板１０５上に透明電極１１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図３のようにＸ方向にストライプ状に、透明電極１１９を形成する（ＳＴ１０６）。
【００８７】
更にその上に配向膜１２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板１０６の製造が終了する（ＳＴ１０７）。
【００８８】
次に、対向基板１０６上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板１０４と対向基板１０６とを貼り合わせる（ＳＴ１０８）。
【００８９】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ１０９）。更に、位相差板１０８，１１０及び偏光板１０９，１１１を第１基板１０３及び第２基板１０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ１１０）。
【００９０】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図１に示すような液晶装置１０１が完成する。
【００９１】
本実施形態に係る液晶装置１０１の製造方法では、着色層１１４が重ねられる遮蔽層１１５で一番下層に青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮蔽層１１５全体としての厚さを薄くできる。
【００９２】
更に下地層１１２に開口部１２５が形成されている分、例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、オーバコート層１１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【００９３】
また、上述の液晶装置１０１の製造方法では開口部１２５は図４のように遮蔽層１１５となる領域で下地層１１２を全て取り除いたが、図５に示すように、例えばＳＴ１０１で下地層１１２を第１の絶縁層１１２ａ及び第２の絶縁層１１２ｂの２回に分けて形成し、凹部１２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層１１５となるドット１２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層１１２ａを形成し下地層１１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層１１２ｂの形成では遮蔽層１１５となるドット１２１間の境界領域を除いて、各ドット１２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
【００９４】
これによって、１回目の下地層１１２の形成でフォトレジストを用いて下地層１１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部１２５のように下地層１１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット１２１間の境界領域とドット１２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層１１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層１１５の部分で下地層１１２に凹部１２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【００９５】
更に、ハーフトーンを用いて凹部１２３を形成することも可能である。
【００９６】
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）を用いた液晶装置に適用した第２実施形態について説明する。
【００９７】
図７は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図８は図７の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の概略断面図、図９は該液晶パネルの部分拡大図（図９におけるＢ−Ｂ´線及びＣ−Ｃ´の断面図が図７に相当する。）、図１０は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図１１は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及び図１２は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【００９８】
液晶装置２０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル２０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００９９】
液晶パネル２０２は、図７に示すように第１基板２０３とこれに対向する第２基板２０５とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その両基板間に液晶が封入された液晶層２０７等により形成されている。
【０１００】
また、第１基板２０３の外面には位相差板２０８及び偏光板２０９が配置され、第２基板２０５の外面には位相差板２１０及び偏光板２１１が配置されている。
【０１０１】
第１基板２０３の液晶層２０７側の表面には図７及び図８に示すように下地層２１２が形成され、その下地層２１２の表面に、反射層２１３、透過部２２２、着色層２１４（Ｒ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂ）及び隣り合う着色層２１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）２１５、更に該着色層２１４及び遮蔽層２１５を保護するオーバコート層２１６が、またオーバコート層２１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなるデータ線２２６が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜２１８が形成されている。
【０１０２】
また、第２基板２０５の液晶層２０７側の表面にはマトリクス状に配列する複数の画素電極２２７と、各画素電極２２７の境界領域において上述したデータ線２２６と交差する方向（図９のＹ方向）に帯状に伸びる複数の走査線２２８と、該画素電極２２７及び走査線２２８に接続されたＴＦＤ２２９が配置され、その上には配向膜２２０が形成されている。
【０１０３】
ここで、データ線２２６は所定の方向（図９のＸ方向）に伸びる帯状に形成され、複数のデータ線２２６が相互に並列してストライプ状に構成されており、該データ線２２６と画素電極２２７とによって特定される領域がドット２２１となる。
【０１０４】
また、下地層２１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層２１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
反射層２１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層２１２の上面に形成されており、下地層２１２表面の凹凸により反射層２１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層２１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０１０５】
更に反射層２１３には、例えば図９に示すようにドット２２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部２２２となる。これによって、バックライト等の第１基板２０３から入射した光が液晶層２０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【０１０６】
着色層２１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板２０３を通過したバックライト等による光を透過する透過部２２２と、この透過部２２２の周りの反射層２１３を覆うよう形成された原色系フィルタであってＲ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０１０７】
これによって、着色層２１４を遮蔽層２１５で他の着色層２１４と重ねることができる。
【０１０８】
遮蔽層２１５は、各ドット２２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第２基板の走査線２２８の長手方向（図９のＹ方向）及びこれに直交する方向（図９のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０１０９】
また、遮蔽層２１５には例えば、着色層２１４Ｂと着色層２１４Ｒとの間では、図１０に示すように下地層２１２に開口部２２５が形成されており、開口部２２５の底部２２４は、第１基板２０３の上に反射層２１３を介して形成されている。
【０１１０】
更に開口部２２５には、遮蔽層２１５に隣り合う着色層２１４Ｂが底部２２４からｈ２１の厚さに形成されており、その上に着色層２１４Ｇがｈ２２の厚さに、更にその上に着色層２１４Ｒの張り出し部分がｈ２３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【０１１１】
ここで、最下方の着色層２１４Ｂの厚さｈ２１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層２１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域との表面での平坦性を確保できることとなる。
【０１１２】
更に好ましくは、図１０のｈ２１を略１．７μｍに、ｈ２２を略１．０μｍ、ｈ２３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層２１４Ｒの上面からのオーバコート層２１６の厚さｈ２４を略１．８μｍに形成すると、下地層２１２の厚さｈ２５が略２．４μｍであり、ドット２２１での着色層２１４Ｂの厚さｈ２６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層２１６の厚さｈ２７が略２．０μｍであることから、遮蔽層２１５上のオーバコート層２１６の上面と着色層２１４Ｂのドット２２１上のオーバコート層２１６の上面とは一致し、平坦な面となる。
【０１１３】
ここで、上述のように開口部２２５の一番下に着色層２１４Ｂを形成することによって、厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【０１１４】
更に着色層２１４Ｇと着色層２１４Ｂとの間では、図７及び図８に示すように開口部２２５の底部２２４にまず、隣り合う着色層２１４Ｂが入りこみ、その上に隣り合う着色層２１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層２１４Ｒが重なり遮蔽層２１５が形成される。
【０１１５】
また、着色層２１４Ｒと着色層２１４Ｇとの間では、図７及び図８に示すように開口部２２５の底部２２４にまず、着色層２１４Ｂが形成され、その上に隣り合う着色層２１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層２１４Ｒが重なり遮蔽層２１５が形成される。
【０１１６】
更に、遮蔽層２１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図１１に示すように凹部２２３の底部２２４において完全には下地層２１２が除かれていないような場合においても、凹部２２３の底部２２４の深さｍ２５だけ例えば遮蔽層２１５の高さが低くなり、オーバコート層２１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキやラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０１１７】
ここで、図１１の最下方の着色層２１４Ｂの厚さｍ２１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層２１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域の表面での凹凸を軽減できることとなる。
【０１１８】
更に好ましくは、図１１の着色層２１４Ｂの厚さｍ２１を略１．１μｍ、着色層２１４Ｇの厚さｍ２２を略１．０μｍ及び着色層２１４Ｒの厚さｍ２３を略０．９μｍとすれば、凹部２２３の底部２２４の深さｍ２５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層２１６上面の凹凸を軽減できることとなる。
【０１１９】
この場合の着色層２１４の配列パターンとして、図９では斜めモザイク配列（２１４Ｒ、２１４Ｇ及び２１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０１２０】
なお、ドット２２１は例えば原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層２１４からなり、遮蔽層２１５により周囲を囲まれている領域であって反射層２１３と透過部２２２を具備するものであり、１画素は着色層２１４Ｒ（赤）を有するドット２２１と着色層２１４Ｇ（緑）を有するドット２２１及び着色層２１４Ｂ（青）を有するドット２２１で構成される。
【０１２１】
次に、画素電極２２７は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体により形成されており、当該画素電極２２７に隣り合う走査線２２８とは、ＴＦＤ２２９を介して接続されている。
【０１２２】
ＴＦＤ２２９は、例えば図７に示すように第２基板２０５の表面に成膜された下地層２３０の上に形成されている。
【０１２３】
また、ＴＦＤ２２９は第１金属層２３１と、該第１金属層２３１の表面に形成された絶縁膜２３２と、該絶縁膜２３２の上に形成された第２金属層２３３とによって構成されている。
【０１２４】
ここで、第１金属層２３１は例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成されており、走査線２２８に接続されている。
【０１２５】
また、絶縁膜２３２は例えば厚さが１０〜３５ｎｍ程度の酸化タンタル等によって形成されている。
【０１２６】
更に、第２金属層２３３は例えば、クロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されており、画素電極２２７に接続されている。
【０１２７】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板２０５に形成されている走査線２２８の夫々に走査信号を供給する一方、第１基板２０３側に形成されているデータ線２２６にデータ信号を供給すると、画素電極２２７とデータ線２２６とが対向する部分において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【０１２８】
従って、例えば第２基板２０５及び画素電極２２７を通過して液晶層２０７に入射した外光は、該液晶層２０７によってドット２２１毎に光変調され、反射層２１３により反射され再び画素電極２２７及び第２基板２０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層２１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０１２９】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板２０３及び透過部２２２を通過して液晶層２０７に入射した後、該液晶層２０７によってドット２２１毎に光変調され、画素電極２２７及び第２基板２０５を通過し射出されるが、この際例えばオーバコート層２１６が平坦なので、コントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【０１３０】
更に射出光は、反射層２１３及び透過部２２２を覆っている着色層２１４（２１４Ｒ、２１４Ｇ、２１４Ｂ）により着色される。
【０１３１】
本実施形態では、隣り合うドット２２１間の境界領域で凹部２２３又は開口部２２５を有するように下地層２１２を形成したので、例えば着色層２１４による遮蔽層２１５の高さを低くでき、各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域の表面の平坦性を確保できる。
【０１３２】
また、凹部２２３又は開口部２２５の底部２２４に最初に、青色系例えば青色の着色層２１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層２１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体として例えば遮蔽層２１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０１３３】
更に例えば、開口部２２５に底部２２４の方から青色の着色層２１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層２１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層２１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット２２１と隣り合うドット２２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層２１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０１３４】
また、凹部２２３で下地層２１２が完全には取り除かれていない場合に、図１１に示すようにその下地層２１２が第１の絶縁層２１２ａと該第１の絶縁層２１２ａ上に凹部２２３を有するように設けられた第２の絶縁層２１２ｂから形成される場合にも、例えばオーバコート層２１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０１３５】
更に、本実施形態ではＴＦＤ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、消費電力及び製造コストを低く抑えられる。
【０１３６】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図１２の製造工程図に基づいて説明する。
【０１３７】
まず、図１２に示すように第１基板２０３上に下地層２１２を形成する（ＳＴ２０１）。ここで遮蔽層２１５を形成する各ドット２２１間の境界領域では例えば、図７及び図８のように下地層２１２に開口部２２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングする。
【０１３８】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板２０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層２１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層２１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層２１２の下層が形成される。更に、この下地層２１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層２１２の上層が形成される。
【０１３９】
次に、その下地層２１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層２１２に開口部２２５を形成し、遮蔽層２１５となる部分で下地層２１２が除かれた下地層２１２が第１基板２０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
次に、下地層２１２上にアルミニウム等を蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図９のように各ドット２２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射層２１３を形成する（ＳＴ２０２）。
【０１４０】
又、形成された反射層２１３及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層２１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層２１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層２１４Ｒを順次形成していく。
【０１４１】
これによって、各ドット２２１には青色の着色層２１４Ｂ、緑色の着色層２１４Ｇ及び赤色の着色層２１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層２１５には図７及び図８のように一番下層に青色の着色層２１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層２１４Ｇ、更に赤色の着色層２１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ２０３）。
【０１４２】
上述のように、一番下層に青色の着色層２１４Ｂが最も厚く形成されるので、遮光性を上げながら例えば、遮蔽層２１５全体としての厚さを薄くできる。
【０１４３】
更に下地層２１２に開口部２２５が形成されている分、例えば遮蔽層２１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層２１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１４４】
次に、上述の着色層２１４の上にオーバコート層２１６を形成し（ＳＴ２０４）、その上にデータ線２２６の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図９のようにＸ方向に所定の幅をもってデータ線２２６をストライプ状に形成する。
【０１４５】
更にその上に配向膜２１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板２０３側の製造が終了する（ＳＴ２０５）。これによって、配向膜２１８の液晶層２０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０１４６】
また、第２基板２０５上にＴＦＤ、走査線及び画素電極を形成する（ＳＴ１０６）。
【０１４７】
ここで、ＴＦＤは第２基板２０５上にＴａ酸化物等を一様な厚さに成膜し下地層２３０を形成し、その上にＴａ等をスパッタリングによって一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法により走査線２２８と第１金属層２３１とを同時に形成する。このとき、走査線２２８と第１金属層２３１とはブリッジでつながっている。
【０１４８】
また、上述の第１金属層２３１に絶縁膜である酸化タンタル等を一様な厚さで成膜し絶縁膜２３２を形成して、更にその上にＣｒをスパッタリング等により一様な厚さで成膜し、フォトリソグラフィ法を利用して第２金属層２３３を形成する。
【０１４９】
次に、画素電極２２７の形成予定領域の下地層２３０を除去した後、ＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、更にフォトリソグラフィ法等によって１ドットの大きさに相当する所定形状の画素電極２２７を一部が第２金属層２３３と重なるように形成する。これら一連の処理により、ＴＦＤ２２９及び画素電極２２７が形成される。
【０１５０】
更にその上に配向膜２２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板２０５側の製造が終了する（ＳＴ２０７）。
【０１５１】
次に、第２基板２０５側の配向膜２２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板２０３側と第２基板２０５側とを貼り合わせる（ＳＴ２０８）。
【０１５２】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ２０９）。更に、位相差板２０８，２１０及び偏光板２０９，２１１を第１基板２０３及び第２基板２０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ２１０）。
【０１５３】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図７に示すような液晶装置２０１が完成する。
【０１５４】
本実施形態に係る液晶装置２０１の製造方法では、着色層２１４が重ねられる遮蔽層２１５で一番下層に青色系例えば青色の着色層２１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮蔽層２１５全体としての厚さを薄くできる。
【０１５５】
更に下地層２１２に開口部２２５が形成されている分、例えば遮蔽層２１５の高さを低くでき、オーバコート層２１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１５６】
また、上述の液晶装置２０１の製造方法では開口部２２５は図１０のように遮蔽層２１５となる領域で下地層２１２を全て取り除いたが、例えば図１１で示すようにＳＴ２０１で下地層２１２を第１の絶縁層２１２ａ及び第２の絶縁層２１２ｂの２回に分けて形成し、凹部２２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層２１５となるドット２２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層２１２ａを形成し下地層２１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層２１２ｂの形成では遮蔽層２１５となる各ドット２２１間の境界領域を除いて、各ドット２２１にフォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングして、形成することもできる。
【０１５７】
これによって、１回目の下地層２１２の形成でフォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部２２５のように下地層２１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット２２１間の境界領域とドット２２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層２１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層２１５の部分で下地層２１２に凹部２２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【０１５８】
更に、ハーフトーンを用いて凹部２２３を形成することも可能である。
【０１５９】
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として三端子型スイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた液晶装置に適用した第３実施形態について説明する。
【０１６０】
図１３は本発明の第３実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図１４は図１３の液晶パネルを構成する第１基板側の概略断面図、図１５は該液晶パネルの部分拡大図（図１５におけるＤ−Ｄ′線及びＥ−Ｅ′線の断面図が図１３に相当する。）、図１６は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図１７は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及び図１８は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【０１６１】
液晶装置３０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル３０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【０１６２】
液晶パネル３０２は、図１３に示すように第１基板３０３とこれに対向する第２基板３０５とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その両基板間に液晶が封入された液晶層３０７等により形成されている。
【０１６３】
また、第１基板３０３の外面には位相差板３０８及び偏光板３０９が配置され、第２基板３０５の外面には位相差板３１０及び偏光板３１１が配置されている。
【０１６４】
第１基板３０３の液晶層３０７側の表面には図１３及び図１４に示すように下地層３１２が形成され、その下地層３１２の表面に、反射層３１３、反射層３１３の開口部である透過部３２２、着色層３１４（Ｒ（赤）３１４Ｒ、Ｇ（緑）３１４Ｇ、Ｂ（青）３１４Ｂ）及び隣り合う着色層３１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）３１５、更に該着色層３１４及び遮蔽層３１５を保護するオーバコート層３１６が、またオーバコート層３１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる共通電極３３４が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜３１８が形成されている。
【０１６５】
次に、第２基板３０５の液晶層３０７側の表面には、マトリクス状に配列する複数の画素電極３２７と、各画素電極３２７の境界領域においてゲート配線３３５及びソース配線３３６とが直交するように配置され（ゲート配線３３５が図１５のＹ方向、ソース配線３３６がＸ方向）、その配線の交差部分付近にはＴＦＴ３３７が設けられ、更にその上には配向膜３２０が形成されている。
【０１６６】
ここで、共通電極３３４はオーバコート層３１６の表面全域に形成された面電極であり、ゲート配線３３５とソース配線３３６とによって囲まれる領域が、ドット３２１となる。
【０１６７】
また、下地層３１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層３１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
反射層３１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層３１２の上面に形成されており、下地層３１２表面の凹凸により反射層３１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層３１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０１６８】
更に反射層３１３には、例えば図１５に示すようにドット３２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部３２２となる。これによって、バックライト等の第１基板３０３から入射した光が液晶層３０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【０１６９】
着色層３１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板３０３を通過したバックライト等による光を透過する透過部３２２と、この透過部３２２の周りの反射層３１３を覆うよう形成された原色系フィルタであってＲ（赤）３１４Ｒ、Ｇ（緑）３１４Ｇ、Ｂ（青）３１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０１７０】
これによって、着色層３１４を遮蔽層３１５で他の着色層３１４と重ねることができる。
【０１７１】
遮蔽層３１５は、各ドット３２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に第２基板３０５のゲート配線３３５の長手方向（図１５のＹ方向）及びこれに直交する方向（図１５のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０１７２】
また、遮蔽層３１５は例えば、着色層３１４Ｂと着色層３１４Ｒとの間では、図１６に示すように下地層３１２に開口部３２５が形成されており、開口部３２５の底部３２４は、第１基板３０３の直ぐ上に反射層３１３を介して形成されている。
【０１７３】
更に開口部３２５には、遮蔽層３１５に隣り合う着色層３１４Ｂが底部３２４からｈ３１の厚さに形成されており、その上に着色層３１４Ｇがｈ３２の厚さに、更にその上に着色層３１４Ｒの張り出し部分がｈ３３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【０１７４】
ここで、最下方の着色層３１４Ｂの厚さｈ３１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層３１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できることとなる。
【０１７５】
更に好ましくは、図１６のｈ３１を略１．７μｍに、ｈ３２を略１．０μｍ、ｈ３３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層３１４Ｒの上面からのオーバコート層３１６の厚さｈ３４を略１．８μｍに形成すると、下地層３１２の厚さｈ３５が略２．４μｍであり、ドット３２１での着色層３１４Ｂの厚さｈ３６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層３１６の厚さｈ３７が略２．０μｍであることから、遮蔽層３１５上のオーバコート層３１６の上面と着色層３１４Ｂのドット３２１上のオーバコート層３１６の上面とは一致し、平坦な面となる。
【０１７６】
ここで、上述のように開口部３２５の一番下に着色層３１４Ｂを形成することによって、厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【０１７７】
更に着色層３１４Ｇと着色層３１４Ｂとの間では、図１３及び図１４に示すように開口部３２５の底部３２４にまず、隣り合う着色層３１４Ｂが入りこみその上に隣り合う着色層３１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層３１４Ｒが重なり遮蔽層３１５が形成される。
【０１７８】
また、着色層３１４Ｒと着色層３１４Ｇとの間では、図１３及び図１４に示すように開口部３２５の底部３２４にまず、着色層３１４Ｂが形成され、その上に隣り合う着色層３１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層３１４Ｒが重なり遮蔽層３１５が形成される。
【０１７９】
更に、遮蔽層３１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図１７に示すように凹部３２３の底部３２４において完全には下地層３１２が除かれていないような場合においても、凹部３２３の底部３２４の深さｍ３５だけ例えば遮蔽層３１５の高さが低くなり、オーバコート層３１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキやラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０１８０】
ここで、図１７の最下方の着色層３１４Ｂの厚さｍ３１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層３１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の凹凸を軽減できることとなる。
【０１８１】
更に好ましくは、図１７の着色層３１４Ｂの厚さｍ３１を略１．１μｍ、着色層３１４Ｇの厚さｍ３２を略１．０μｍ及び着色層３１４Ｒの厚さｍ３３を略０．９μｍとすれば、凹部３２３の底部３２４の深さｍ３５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層３１６上面の凹凸を軽減できることとなる。
【０１８２】
この場合の着色層３１４の配列パターンとして、図１５では斜めモザイク配列（３１４Ｒ、３１４Ｇ及び３１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０１８３】
なお、ドット３２１は例えば原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層３１４からなり、遮蔽層３１５により周囲を囲まれている領域であって反射層３１３と透過部３２２を具備するものであり、１画素は着色層３１４Ｒ（赤）を有するドット３２１と着色層３１４Ｇ（緑）を有するドット３２１及び着色層３１４Ｂ（青）を有するドット３２１で構成される。
【０１８４】
次に、ＴＦＴ３３７は、第２基板３０５上に形成されたゲート電極３３８と、このゲート電極３３８の上で第２基板３０５の全域に形成されたゲート絶縁膜３３９と、このゲート絶縁膜３３９を挟んでこのゲート電極３３８の上方位置に形成された半導体層３４０と、その半導体層３４０の一方側にコンタクト電極３４１を介して形成されたソース電極３４２と、更に半導体層３４０の他方の側にコンタクト電極３４１を介して形成されたドレイン電極３４３とを有する。
【０１８５】
ここで、ゲート電極３３８はゲート配線３３５に接続され、ソース電極３４２はソース配線３３６に接続されている。ゲート配線３３５は第２基板３０５の平面方向に伸びていて縦方向（図１５のＹ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。
【０１８６】
また、ソース配線３３６はゲート絶縁膜３３９を挟んでゲート配線３３５と交差するように第２基板３０５の平面方向に伸びていて横方向（図１５のＸ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。
【０１８７】
画素電極３２７は、互いに交差するゲート配線３３５とソース配線３３６とによって区画される方形領域のうち、ＴＦＴ３３７に対応する部分を除いた領域を覆うように構成され、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体により形成されている。
【０１８８】
更に、ゲート配線３３５とゲート電極３３８とは例えば、クロム、タンタル等によって形成され、ゲート絶縁膜３３９は例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）等によって形成される。又、ソース電極３４２及びそれと一体的なソース配線３３６並びにドレイン電極３４３は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって成形されている。
【０１８９】
以上のように構成された本実施形態において、第１基板３０３に形成されている共通電極３３４に信号を提供する一方、第２基板３０５に形成されているゲート配線３３５とソース配線３３６に信号を提供すると、ドット３２１毎に画素電極３２７が選択され、この選択された画素電極３２７と共通電極３３４との間に保持される液晶のみが、電圧が印加されることによって液晶の配向が制御され、反射光及び透過光が変調される。
【０１９０】
従って、例えば第２基板３０５及び画素電極３２７を通過して液晶層３０７に入射した外光は、該液晶層３０７によってドット３２１毎に光変調され、反射層３１３により反射され、再び画素電極３２７及び第２基板３０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層３１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０１９１】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板３０３及び透過部３２２を通過して液晶層３０７に入射した後、該液晶層３０７によってドット３２１毎に光変調され、画素電極３２７及び第２基板３０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層３１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることができる。
【０１９２】
更に射出光は、反射層３１３及び透過部３２２を覆っている着色層３１４（３１４Ｒ、３１４Ｇ、３１４Ｂ）により着色される。
【０１９３】
本実施形態では、隣り合うドット３２１間の境界領域で凹部３２３又開口部３２５を有するように下地層３１２を形成したので、着色層３１４による例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０１９４】
また、凹部３２３又開口部３２５の底部３２４の一番下方に、青色系例えば青色の着色層３１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層３１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体として例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０１９５】
更に例えば、開口部３２５に底部３２４の方から青色の着色層３１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層３１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層３１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層３１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０１９６】
また、凹部３２３で下地層３１２が図１７に示すように完全には取り除かれていない場合にも、例えば遮蔽層３１５の高さを低くできるのでオーバコート層３１６上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの解消やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０１９７】
更に、本実施形態ではＴＦＴ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、コントラストを更に強くできる。
【０１９８】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図１８の製造工程図に基づいて説明する。
【０１９９】
まず、図１８に示すように第１基板３０３上に下地層３１２を形成する（ＳＴ３０１）。ここで遮蔽層３１５を形成する各ドット３２１間の境界領域では例えば、図１３及び図１４のように下地層３１２に開口部３２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層３１２をエッチングする。
【０２００】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板３０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層３１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層３１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層３１２の下層が形成される。更に、この下地層３１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層３１２の上層が形成される。
【０２０１】
次に、その下地層３１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層３１２に開口部３２５を形成し、遮蔽層３１５となる部分で下地層３１２が除かれた下地層３１２が第１基板３０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
次に、下地層３１２上にアルミニウム等を蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図１５のように各ドット３２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射層３１３を形成する（ＳＴ３０２）。
【０２０２】
又、形成された反射層３１３及び開口部の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層３１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層３１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層３１４Ｒを順次形成していく。
【０２０３】
これによって、各ドット３２１には青色の着色層３１４Ｂ、緑色の着色層３１４Ｇ及び赤色の着色層３１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層３１５には図１３及び図１４のように一番下層に青色の着色層３１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層３１４Ｇ、更に赤色の着色層３１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ３０３）。
【０２０４】
上述のように、一番下層に青色の着色層３１４Ｂが最も厚く形成されるので、遮光性を上げながら例えば、遮蔽層３１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２０５】
更に下地層３１２に開口部３２５が形成されている分、例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層３１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２０６】
次に、上述の着色層３１４の上にオーバコート層３１６を形成し（ＳＴ３０４）、その上に共通電極３３４の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングしてオーバコート層３１６の上面に共通電極３３４を形成する。
【０２０７】
更にその上に配向膜３１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板３０３側の製造が終了する（ＳＴ３０５）。これによって、配向膜３１８の液晶層３０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０２０８】
また、第２基板３０５上にＴＦＴ、ゲート配線、ソース配線及び画素電極等を形成する（ＳＴ３０６）。
【０２０９】
ここで、ＴＦＴは第２基板３０５上に例えば、スパッタリングによってクロム、タンタル等を一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法によりパターニングしてゲート配線３３５及びそれと一体的なゲート電極３３８を形成し、更に例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって窒化シリコンからなるゲート絶縁膜３３９を形成する。
【０２１０】
次に、例えば半導体層３４０となるａ−Ｓｉ層とコンタクト電極３４１となるｎ＋型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成し、更に形成されたｎ＋型ａ−Ｓｉ層及びａ−Ｓｉ層のパターニングを行って半導体層３４０及びコンタクト電極３４１とを形成すると共に、ゲート絶縁膜３３９上の画素電極３２７となる部分にＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして画素電極３２７を形成する。
【０２１１】
また、第２基板３０５の表面の全域に例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等をスパッタリングによって形成し、パターニングを行ってソース電極３４２、ドレイン電極３４３及びソース配線３３６を形成する。
【０２１２】
これら一連の処理により、ＴＦＴ３３７及び画素電極３２７が形成される。
【０２１３】
更にその上に配向膜３２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板３０５側の製造が終了する（ＳＴ３０７）。
【０２１４】
次に、第２基板３０５側の配向膜３２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板３０３側と第２基板３０５側とを貼り合わせる（ＳＴ３０８）。
【０２１５】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ３０９）。更に、位相差板３０８、３１０及び偏光板３０９、３１１を第１基板３０３及び第２基板３０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ３１０）。
【０２１６】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図１３に示すような液晶装置３０１が完成する。
【０２１７】
本実施形態に係る液晶装置３０１の製造方法では、着色層３１４が重ねられる遮蔽層３１５において一番下層に青色系例えば青色の着色層３１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮蔽層３１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２１８】
更に下地層３１２に開口部３２５が形成されている分、例えば遮蔽層３１５の高さを低くでき、オーバコート層３１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２１９】
また、上述の液晶装置３０１の製造方法では開口部３２５は図１６のように遮蔽層３１５となる領域で下地層３１２を全て取り除いたが、図１７に示すように、例えばＳＴ３０１で下地層３１２を第１の絶縁層３１２ａ及び第２の絶縁層３１２ｂの２回に分けて形成し、凹部３２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層３１５となるドット３２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層３１２ａを形成し下地層３１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層３１２ｂの形成では遮蔽層３１５となるドット３２１間の境界領域を除いて、各ドット３２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
これによって、１回目の下地層３１２の形成でフォトレジストを用いて下地層３１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部３２５のように下地層３１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット３２１間の境界領域とドット３２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層３１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層３１５の部分で下地層３１２に凹部３２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【０２２０】
更に、ハーフトーンを用いて凹部３２３を形成することも可能である。
【０２２１】
次に、本発明を反射型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第４実施形態について説明する。
【０２２２】
図１９は本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図２０は図１９の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図、図２１は該液晶パネルの部分拡大図（図２１におけるＦ−Ｆ´線の断面図が図１９に相当する。）、図２２は完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図、図２３は一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分断面拡大図及図２４は本実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【０２２３】
液晶装置４０１は、いわゆる反射型の構造を有する液晶パネル４０２及びケース体等により構成される。
【０２２４】
液晶パネル４０２は、図１９に示すようにガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板４０３を基体とするカラーフィルタ基板４０４と、これに対向する同様の第２基板４０５を基体とする対向基板４０６とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、そのカラーフィルタ基板４０４と対向基板４０６との間に液晶が封入された液晶層４０７等により形成されている。
【０２２５】
また、第１基板４０３の外面には位相差板４０８及び偏光板４０９が配置され、第２基板４０５の外面には位相差板４１０及び偏光板４１１が配置されている。
【０２２６】
カラーフィルタ基板４０４は、図１９、図２０及び図２１に示すように第１基板４０３の液晶層４０７側の表面には下地層４１２が形成され、その下地層４１２の表面に反射層４１３、着色層４１４（Ｒ（赤）４１４Ｒ、Ｇ（緑）４１４Ｇ、Ｂ（青）４１４Ｂ）及び隣り合う着色層４１４が境界領域で相互に重なり合っている部分（以下遮蔽層という）４１５、更に該着色層４１４及び遮蔽層４１５を保護するオーバコート層４１６が、またオーバコート層４１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる透明電極４１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜４１８が形成されている。
【０２２７】
また、対向基板４０６は、図１９、図２０及び図２１に示すように第２基板４０５の液晶層４０７側の表面には透明電極４１９が第１基板側の透明電極４１７と直交する方向に（図２１のＸ方向）伸びる帯状に形成され、更にその上には配向膜４２０が形成されている。
【０２２８】
透明電極４１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極４１９と直交する方向に（図２１のＹ方向）、相互に並列してストライプ状に構成されている。
【０２２９】
ここで、所定の第１基板側の透明電極４１７と第２基板側の透明電極４１９とで特定される領域がドット４２１となる。
【０２３０】
カラーフィルタ基板４０４の下地層４１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成されている。この下地層４１２は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、更にこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸が形成される。これによって、透過光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題を解消できる。
また、反射層４１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層４１２上に形成されており、下地層４１２表面の凹凸により反射層４１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射層４１３によって反射された反射光を散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０２３１】
着色層４１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、反射層４１３を覆うよう形成された原色系フィルタであって、Ｒ（赤）４１４Ｒ、Ｇ（緑）４１４Ｇ、Ｂ（青）４１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０２３２】
これによって、着色層４１４を遮蔽層４１５で他の着色層４１４と重ねることができることとなる。
【０２３３】
更に、着色層４１４の配列パターンとして、図２１では斜めモザイク配列（４１４Ｒ、４１４Ｇ及び４１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０２３４】
遮蔽層４１５は、各ドット４２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板の透明電極４１７の長手方向（図２１のＹ方向）及びこれに直交する方向（図２１のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０２３５】
また、遮蔽層４１５には例えば、着色層４１４Ｂと着色層４１４Ｒとの間では、図２２に示すように下地層４１２に開口部４２５が形成されており、開口部４２５の底部４２４は、第１基板４０３の直ぐ上に反射層４１３を介して設けられている。
【０２３６】
更に開口部４２５には、遮蔽層４１５に隣り合う着色層４１４Ｂが底部４２４からｈ４１の厚さに形成されており、その上に着色層４１４Ｇがｈ４２の厚さに、更にその上に着色層４１４Ｒの張り出し部分がｈ４３の厚さで夫々重なり合って形成されている。
【０２３７】
ここで、図２２の最下方の着色層４１４Ｂの厚さｈ４１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層４１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との表面での平坦性を確保できることとなる。
【０２３８】
更に好ましくは、図２２のｈ４１を略１．７μｍに、ｈ４２を略１．０μｍ、ｈ４３を略０．９μｍ及び重ねられた着色層の一番上に有る着色層４１４Ｒの上面からのオーバコート層４１６の厚さｈ４４を略１．８μｍに形成すると、下地層４１２の厚さｈ４５が略２．４μｍであり、ドット４２１での着色層４１４Ｂの厚さｈ４６が略１．０μｍ、この部分のオーバコート層４１６の厚さｈ４７が略２．０μｍであることから、遮蔽層４１５上のオーバコート層４１６の上面と着色層４１４Ｂのドット４２１上のオーバコート層４１６の上面とは、第１基板４０３からの高さが一致し平坦な面となる。
【０２３９】
ここで、上述のように開口部４２５の一番下に着色層４１４Ｂを形成することによって、最も厚く形成でき厚さを略１．７μｍに形成することができるようになる。
【０２４０】
更に着色層４１４Ｇと着色層４１４Ｂとの間では、図１９及び図２０に示すように開口部４２５の底部４２４にまず隣り合う着色層４１４Ｂが入りこみ、その上に着色層４１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に着色層４１４Ｒが重なり遮蔽層４１５が形成される。
【０２４１】
また、着色層４１４Ｒと着色層４１４Ｇとの間では、図１９及び図２０に示すように開口部４２５の底部４２４にまず、着色層４１４Ｂが形成され、その上に着色層４１４Ｇの張り出し部分が重なり、更にその上に隣り合う着色層４１４Ｒが重なり遮蔽層４１５が形成される。
【０２４２】
更に、遮蔽層４１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図２３に示すように凹部４２３の底部４２４において完全には下地層４１２が除かれていないような場合においても、凹部４２３の底部４２４の深さｍ４５だけ例えば、遮蔽層４１５の着色層４１４の重ねられた高さが低くなり、オーバコート層４１６上面の凹凸を軽減することができる。これによって、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０２４３】
ここで、図２３の最下方の着色層４１４Ｂの厚さｍ４１を０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下とすれば青色系例えば青色の着色層４１４Ｂの遮光性が良好となり、他の着色層との組み合わせで、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との表面での凹凸を軽減できることとなる。
【０２４４】
更に好ましくは、図２３の着色層４１４Ｂの厚さｍ４１を略１．１μｍ、着色層４１４Ｇの厚さｍ４２を略１．０μｍ及び着色層４１４Ｒの厚さｍ４３を略０．９μｍとすれば、凹部４２３の底部４２４の深さｍ４５を略１．３μｍのときに、例えばよりオーバコート層４１６上面の凹凸を軽減できることとなる。これによって、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり画面表示のコントラストが良くなる。
【０２４５】
なお、ドット４２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色層４１４からなり、遮蔽層４１５により周囲を囲まれている領域であって反射層４１３を具備するものであり、１画素は着色層４１４Ｒを有するドット４２１と着色層４１４Ｇを有するドット４２１及び着色層４１４Ｂを有するドット４２１で構成される。
【０２４６】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板４０５に形成されている所定の透明電極４１９に信号を供給する一方、第１基板４０３側に形成されている所定の透明電極４１７に信号を供給すると、透明電極４１９と透明電極４１７とが交差する特定のドット４２１において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【０２４７】
従って、例えば対向基板４０６側から液晶層４０７に入射した外光はドット４２１毎に光変調され、着色層４１４を透過した後に反射層４１３で反射し、再び対向基板４０６を透過して射出されるが、この際例えばオーバコート層４１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０２４８】
更に射出光は、反射層４１３を覆っている着色層４１４（４１４Ｒ、４１４Ｇ、４１４Ｂ）により着色される。
【０２４９】
本実施形態では、隣り合うドット４２１間の境界領域で凹部４２３又は開口部４２５を有するように下地層４１２を形成したので、例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、第１基板側のオーバコート層の平坦性を確保できる。
【０２５０】
また、凹部４２３又は開口部４２５の底部４２４に最初に、青色系例えば青色の着色層４１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層４１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体として例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０２５１】
更に例えば、開口部４２５に底部４２４の方から青色の着色層４１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層４１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層４１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層４１６の平坦性をより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０２５２】
また、凹部４２３で下地層４１２が完全には取り除かれていない場合に、図２３に示すようにその下地層４１２が第１の絶縁層４１２ａと該第１の絶縁層４１２ａ上に凹部４２３を有するように設けられた第２の絶縁層４１２ｂから形成される場合にも、例えばオーバコート層４１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０２５３】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図２４の製造工程図に基づいて説明する。
【０２５４】
まず、図２４に示すように第１基板４０３上に下地層４１２を形成する（ＳＴ４０１）。ここで遮蔽層４１５を形成するドット４２１間の境界領域では例えば、図１９、図２０及び図２１のように下地層４１２に開口部４２５が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層４１２をエッチングし、形成する。
【０２５５】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板４０３上に均一に樹脂材料をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布し、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層４１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層４１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層４１２の下層が形成される。更に、この下地層４１２の凹凸が滑らかになるように同じ樹脂材料を薄く塗布し、下地層４１２の上層が形成される。
【０２５６】
次に、その下地層４１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層４１２に開口部４２５を形成し、遮蔽層４１５となる部分で下地層４１２が除かれた下地層４１２が第１基板４０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
次に、下地層４１２上に蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図１９及び図２０のように各ドット４２１及び遮蔽層４１５の領域に反射層４１３を形成する（ＳＴ４０２）。
【０２５７】
又、形成された反射層の上に各色の着色層をスピンコートによりを塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光し、レジストを現像処理する。その後、エッチングして青色系例えば青色の着色層４１４Ｂ、緑色系例えば緑色の着色層４１４Ｇ及び赤色系例えば赤色の着色層部材４１４Ｒを順次形成していく。
【０２５８】
これによって、各ドット４２１には青色の着色層４１４Ｂ、緑色の着色層４１４Ｇ及び赤色の着色層４１４Ｒが夫々単独で形成され、遮蔽層４１５には図１９及び図２０のように一番下層に青色の着色層４１４Ｂが最も厚く形成され、その上に緑色の着色層４１４Ｇ、更に赤色の着色層４１４Ｒが重ねられて形成される（ＳＴ４０３）。
【０２５９】
上述のように、一番下層に青色の着色層４１４Ｂが最も厚く形成されるので遮光性を上げながら例えば、遮蔽層４１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２６０】
更に下地層４１２に開口部４２５が形成されている分、例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層４１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２６１】
次に、上述の着色層４１４の上にオーバコート層４１６を形成し（ＳＴ４０４）、その上に透明電極４１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２１のようにＹ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。
【０２６２】
更にその上に配向膜４１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板４０４の製造が終了する（ＳＴ４０５）。これによって、配向膜４１８の液晶層４０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０２６３】
また、第２基板４０５上に透明電極４１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２１のようにＸ方向にストライプ状に、透明電極４１９を形成する（ＳＴ４０６）。
【０２６４】
更にその上に配向膜４２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板４０６の製造が終了する（ＳＴ４０７）。
【０２６５】
次に、対向基板４０６上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板４０４と対向基板４０６とを貼り合わせる（ＳＴ４０８）。
【０２６６】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ４０９）。更に、位相差板４０８，４１０及び偏光板４０９，４１１を第１基板４０３及び第２基板４０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ４１０）。
【０２６７】
最後に必要な配線及びケース体等を取り付けて、図１９に示すような液晶装置４０１が完成する。
【０２６８】
本実施形態に係る液晶装置４０１の製造方法では、着色層４１４が重ねられる遮蔽層４１５において一番下層に青色系例えば青色の着色層４１４Ｂを配置したので、最も厚く形成され遮光性を上げがら、例えば遮蔽層４１５全体としての厚さを薄くできる。
【０２６９】
更に下地層４１２に開口部４２５が形成されている分、例えば遮蔽層４１５の高さを低くでき、オーバコート層４１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２７０】
また、上述の液晶装置４０１の製造方法では開口部４２５は図２２のように遮蔽層４１５となる領域で下地層４１２を全て取り除いたが、図２３に示すように、例えばＳＴ４０１で下地層４１２を第１の絶縁層４１２ａ及び第２の絶縁層４１２ｂの２回に分けて形成し、凹部４２３を設けてもよい。例えば１回目では遮蔽層４１５となるドット４２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層４１２ａを形成し下地層４１２の下層と同様に凹凸を設け、２回目の第２の絶縁層４１２ｂの形成では遮蔽層４１５となるドット４２１間の境界領域を除いて、各ドット４２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
これによって、１回目の下地層４１２の形成でフォトレジストを用いて下地層４１２をエッチングする工程を省略できコストの削減が図れ、製造も速くできる。また、開口部４２５のように下地層４１２を完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット４２１間の境界領域とドット４２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層４１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのばらつきを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。なお、遮蔽層４１５の部分で下地層４１２に凹部４２３を形成する方を上述と逆に第１回目にしても良い。
【０２７１】
更に、ハーフトーンを用いて凹部４２３を形成することも可能である。
【０２７２】
（電子機器）
次に、上述した液晶装置１０１、２０１、３０１及び４０１を備えた本発明の第５の実施形態に係る電子機器について説明する。
【０２７３】
図２５から図２８は本発明の第５の実施形態に係る電子機器の各例の外観概略図である。
【０２７４】
例えば、携帯電話機５００は、図２５に示すように複数の操作ボタン５００ａの他、受話口５００ｂ、送話口５００ｃを有する外枠に例えば、液晶装置１０１を備えている。
【０２７５】
また、パーソナルコンピュータ５０１は、図２６に示すようにキーボード５０１ａを備えた本体部５０１ｂと、液晶表示ユニット５０１ｃとから構成されており、液晶表示ユニット５０１ｃは外枠に例えば、液晶装置１０１を備えている。
【０２７６】
更に通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ５０２は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等といった撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。
【０２７７】
ここで、図２７のようにデジタルスチルカメラ５０２のケース５０２ａの背面には、例えば液晶装置１０１が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成となっている。このため、液晶装置１０１は、被写体を表示するファインダとして機能する。
【０２７８】
また、ケース５０２ａの前面側には、光学レンズやＣＣＤ等を含んだ受光ユニット５０２ｂが設けられている。撮影者は、液晶装置１０１に表示された被写体を確認して、シャッタボタン５０２ｃを押下して撮影を行うことができる。
【０２７９】
また、腕時計５０３は、図２８のように本体の前面中央に例えば、液晶装置１０１を用いた表示部が設けられている。
【０２８０】
これらの電子機器は、液晶装置１０１の他に図示しないが表示情報出力源、表示情報処理回路等の様々な回路及びそれらの回路に電力を供給する電源回路等からなる表示信号生成部等を含んで構成される。
【０２８１】
更に液晶装置１０１には例えば、パーソナルコンピュータ５０１の場合にあってはキーボード５０１ａから入力された情報等に基づき表示信号生成部によって生成された表示信号が供給されることによって、表示画像が液晶装置１０１に表示される。
【０２８２】
本実施形態では、図１から図４に示すように隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３又は開口部１２５を有するように下地層１１２を形成したので、着色層１１４による例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０２８３】
また、開口部１２５の底部１２４にまず、青色系例えば青色の着色層１１４Ｂを形成することとしたので、可視光波長域における平均透過率の低い青色が他の緑色系例えば緑色及び赤色系例えば赤色の着色層１１４に比べ最も厚く形成され、遮光性をより高くしながら全体としての例えば遮蔽層１１５の高さを低くでき、コントラストを良くすることができる。
【０２８４】
更に例えば、開口部１２５に底部１２４の方から青色の着色層１１４Ｂを略１．７μｍの厚さに形成し、その上に緑色の着色層１１４Ｇを略１．０μｍ、又その上に赤色の着色層１１４Ｒを略０．９μｍに形成すれば、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との上面の例えば、オーバコート層１１６の平坦性がより確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０２８５】
また、凹部１２３で下地層１１２が図５に示すように完全には取り除かれていない場合にも、例えばオーバコート層１１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０２８６】
特に上述したような携帯可能な電子機器にあっては、室外で使用しても画面表示が鮮明であることが求められており、例えばオーバコート層１１６の平坦性がより確保でき、表示画面のコントラストの明瞭化が図れる本発明の意義は大きいといえる。
【０２８７】
なお、電子機器としては、他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１０１が適用可能なのは言うまでもない。
【０２８８】
また、上述した電子機器に用いられる液晶装置としては反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置１０１に限られるものではなく、反射半透過型のスイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤを用いた液晶装置２０１、反射半透過型のスイッチング素子として三端子型スイッチング素子であるＴＦＴを用いた液晶装置３０１及び反射型のパッシブマトリックス方式の液晶装置４０１であっても良い。
更に、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）装置、薄型のブラウン管、液晶シャッター等を用いた小型テレビ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を用いた装置などにも上述した例えば液晶装置１０１が適用可能である。
【０２８９】
以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。
【０２９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図２】図１の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図４】図１の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図５】図１の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図８】図７の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図１０】図７の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１１】図７の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図１４】図１３の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図１６】図１３の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１７】図１３の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図１９】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図２０】図１９の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図２１】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図２２】図１９の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図２３】図１９の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮蔽層の部分拡大図である。
【図２４】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図２５】本発明の第５の実施形態に係る電子機器である携帯電話機の外観概略図である。
【図２６】本発明の第５の実施形態に係る電子機器であるパーソナルコンピュータの外観概略図である。
【図２７】本発明の第５の実施形態に係る電子機器であるデジタルスチルカメラの外観概略図である。
【図２８】本発明の第５の実施形態に係る電子機器である腕時計の外観概略図である。
【符号の説明】
１０１、２０１、３０１、４０１ 液晶装置
１０２、２０２、３０２、４０２ 液晶パネル
１０３、２０３、３０３、４０３ 第１基板
１０４、４０４ カラーフィルタ基板
１０５、２０５、３０５、４０５ 第２基板
１０６，４０６ 対向基板
１０７、２０７、３０７、４０７ 液晶層
１１２、２１２、３１２、４１２ 下地層
１１３、２１３、３１３、４１３ 反射層
１１４、２１４、３１４、４１４ 着色層
１１５、２１５、３１５、４１５ 遮蔽層
１１６、２１６、３１６、４１６ オーバコート層
１２１、２２１、３２１、４２１ ドット
１２２、２２２、３２２、 透過部
１２３、２２３、３２３、４２３ 凹部
１２４、２２４、３２４、４２４ 底部
１２５、２２５、３２５、４２５ 開口部
２２９ ＴＦＤ
３３７ ＴＦＴ
５００ 携帯電話機
５０１ パーソナルコンピュータ
５０２ デジタルスチルカメラ
５０３ 腕時計
Claims (39)
- 複数のドットを有する基板と、
隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された山部又は谷部を有する下地層と、
前記下地層上に配置された反射層と、
前記反射層上に配置された着色層と
を具備し、
前記凹部又は前記開口部には、前記着色層が入り込んでいることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 前記着色層上に設けられる保護層を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
- 前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置用基板。
- 前記反射層は、一部に開口部を有していることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。
- 前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、
前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。 - 前記第１の着色部および前記第２の着色部は、それぞれ前記隣り合うドットに対応して配設されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置用基板。
- 前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、
前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置用基板。 - 前記第１の着色部の光の波長域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける平均透過率は、前記第２の着色部の光の波長域４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける平均透過率よりも低く、
前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置用基板。 - 前記第１の着色部の厚さが、０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電気光学装置用基板。
- 前記着色層は、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部を少なくとも有し、
青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部が、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部、前記緑色系の着色部及び前記赤色系の着色部の順に積層されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。 - 前記着色部は、前記青色系の着色部の厚さが０．７〜２．０μｍに、前記緑色系の着色部の厚さが０．８〜１．２μｍに、前記赤色系の着色部の厚さが０．７〜１．１μｍに形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置用基板。
- 前記凹部の底部の下地層は、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置用基板。
- 前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２、請求項１２のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。
- 前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の樹脂層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の樹脂層と前記第１の樹脂層上の前記他の領域に重置された第２の樹脂層とにより形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２、請求項１２のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。
- 前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、
前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項１２から請求項１４項のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板。 - 前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、
前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする請求項１５に記載の電気光学装置用基板。 - 前記第１の着色部の厚さが、０．７μｍ以上であって２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置用基板。
- 前記着色層は、青色系の前記着色部と、緑色系又は赤色系の前記着色部とを有し、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部及び前記緑色系又は赤色系の着色部の順に積層されていることを特徴とする請求項１５に記載の電気光学装置用基板。
- 電気光学装置において、
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持された電気光学物質と、
前記第１の基板に設けられた第１の表示用電極と、
前記第２の基板に設けられた第２の表示用電極と、
前記第１の表示用電極及び前記第２の表示用電極の重なる領域に対応して設けられた複数のドットと、
隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように一方の前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された複数の山部又は谷部を有する下地層と、
前記下地層上に配置された反射層と、
前記反射層上に配置された着色層と
を具備し、
前記凹部又は前記開口部には、前記着色層が入り込んでいることを特徴とする電気光学装置。 - 前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする請求項１９に記載の電気光学装置。
- 前記反射層は、一部に開口部を有していることを特徴とする請求項１９又は請求項２０に記載の電気光学装置。
- 前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、
前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする請求項１９から請求項２１のいずれか１項に記載の電気光学装置。 - 前記第１の着色部の可視光波長域における平均透過率は、前記第２の着色部の可視光波長域における平均透過率よりも低く、
前記第１の着色部および前記第２の着色部は、前記基板に前記第１の着色部及び前記第２の着色部の順に積層されていることを特徴とする請求項２２に記載の電気光学装置。 - 前記着色層は、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部を少なくとも有し、
青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部が、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部、前記緑色系の着色部及び前記赤色系の着色部の順に積層されていることを特徴とする請求項１９から請求項２１のいずれか１項に記載の電気光学装置。 - 前記凹部の底部の下地層は、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項１９に記載の電気光学装置。
- 前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする請求項１９又は請求項２５に記載の電気光学装置。
- 前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、
前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成されていることを特徴とする請求項１９又は請求項２５、請求項２６のいずれか１項に記載の電気光学装置。 - 前記着色層は、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とを少なくとも有し、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とが、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に青色系の前記着色部および緑色系又は赤色系の前記着色部の順に積層されていることを特徴とする請求項１９又は請求項２５から請求項２７に記載の電気光学装置。
- 請求項１９から請求項２８のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
- 複数のドットを有する電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記基板に、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有しかつ不規則に配列された山部又は谷部を有するように下地層を形成する工程と、
前記下地層上に反射層を形成する工程と、
前記反射層上に着色層を形成する工程と
を具備し、前記凹部又は前記開口部には、前記着色層が入り込んでいることを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。 - 前記下地層を形成する工程は、前記開口部の底部に前記下地層が除かれた領域を有するように形成することを特徴とする請求項３０に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
- 前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、
前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成することを特徴とする請求項３０又は請求項３１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。 - 前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層は、青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部を少なくとも有し、
青色系の前記着色部、緑色系の前記着色部及び赤色系の前記着色部が、前記隣り合うドットとの境界領域において前記基板に前記青色系の着色部、前記緑色系の着色部及び前記赤色系の着色部の順に積層されるように形成することを特徴とする請求項３０又は請求項３１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。 - 前記下地層を形成する工程は、前記凹部の底部の下地層が、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成することを特徴とする請求項３０に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
- 前記下地層を形成する工程は、
前記基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上で隣り合う前記ドット間の境界領域を除く領域に第２の絶縁層を形成する工程と
を具備することを特徴とする請求項３０又は請求項３４に記載の電気光学装置用基板の製造方法。 - 前記下地層上に反射層を形成する工程は、前記反射層の一部に開口部を有するように形成することを特徴とする請求項３０、請求項３４、請求項３５のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
- 前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層が、第１の色の第１の着色部と、第２の色の第２の着色部とを少なくとも有し、
前記第１の着色部と前記第２の着色部とは、前記隣り合うドットとの境界領域において重なるように形成することを特徴とする請求項３０又は請求項３４から請求項３６のいずれか１項に記載の電気光学装置用基板の製造方法。 - 前記反射層上に着色層を形成する工程は、前記着色層が、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とを有し、青色系の前記着色部と緑色系又は赤色系の前記着色部とが、前記隣り合うドットとの境界領域において青色系の前記着色部および緑色系又は赤色系の前記着色部の順に積層されるように形成することを特徴とする請求項３７に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
- 請求項３０に記載の電気光学装置用基板の製造方法を工程として備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002323931A JP4207535B2 (ja) | 2002-11-07 | 2002-11-07 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002323931A JP4207535B2 (ja) | 2002-11-07 | 2002-11-07 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002180404 Division | 2001-12-11 | 2002-06-20 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004021255A true JP2004021255A (ja) | 2004-01-22 |
| JP2004021255A5 JP2004021255A5 (ja) | 2005-10-20 |
| JP4207535B2 JP4207535B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=31185265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002323931A Expired - Lifetime JP4207535B2 (ja) | 2002-11-07 | 2002-11-07 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4207535B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005338645A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| JP2006011238A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| JP2006184379A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、カラーフィルタ基板および電子機器 |
| JP2007225848A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
-
2002
- 2002-11-07 JP JP2002323931A patent/JP4207535B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005338645A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| JP4511248B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-07-28 | 京セラ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2006011238A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| JP2006184379A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、カラーフィルタ基板および電子機器 |
| JP4600036B2 (ja) * | 2004-12-27 | 2010-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
| JP2007225848A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
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|---|---|
| JP4207535B2 (ja) | 2009-01-14 |
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