JP2004014646A - 基板処理装置、基板処理方法及びノズル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】現像液が供給された基板に対し、ノズル55の主孔55bと副孔55cからリンス液を吐出すれば、基板上で攪乱作用を発生させることができ、この気泡が不純物に応力を与えることで当該不純物を除去することが可能となる。しかも、このリンス処理は従来までのように処理液を洗い流す作用も兼ねているため、処理時間を増加させることはない。
【選択図】 図8
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程において、例えば半導体基板上のレジストパターンを現像する基板処理装置、基板処理方法及びこれらに用いられるリンス処理用のノズルに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイス製造のフォトリソグラフィー工程では、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)の表面にフォトレジストを塗布し、レジスト上にマスクパターンを露光し、これを現像してウェハ表面にレジストパターンを形成している。
【0003】
このようなフォトリソグラフィー工程において、例えばパドル現像処理では、ウェハ上に現像液を供給しそのまま所定時間ウェハを放置することで現像を進行させる。そしてその後に、例えばリンス液をウェハ上に供給して現像液を洗い流す。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、現像処理の進行中に、塩析反応によってミセル(ミクロレベルの流動分子の集合状態)が形成される場合があり、このミセルが静電気力あるいはファンデルワールス力によってウェハに付着したまま残存し欠陥が発生するといった問題が生じている。また、現像液の供給により生じるpHショック(ペーハーショック)によって不溶解物が析出される場合もあり、この不溶解物も同様にウェハに付着しやすい。また、レジストのポリマー表面から不溶解物が削れてこの不溶解物が再付着することも多い。このようなミセルや不溶解物は、上記のように静電気力等の強い力によってウェハに付着するため、現状のリンス処理によっては除去できないという問題がある。
【0005】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、基板に付着したミセルや不溶解物等の不純物を除去することができる基板処理装置及び基板処理方法、またこれらに用いられるリンス処理用のノズルを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の基板処理装置は、基板を保持する保持部と、保持部に保持された基板に処理液を供給する手段と、処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに、前記処理液を洗い流すリンス手段とを具備する。
【0007】
本発明では、処理液が供給された基板に対し、リンス手段により第1の液と第2の液とを吐出することで、これら処理液と、第1の処理液と、第2の処理液とが攪乱され、この攪乱により例えば気泡が発生する。この攪乱や気泡が不純物に対し応力を与えることで当該不純物を除去することが可能となる(以下、これを攪乱効果という。)。しかも、このリンス手段は従来までのように処理液を洗い流す作用も兼ねているため、処理時間を増加させることはない。ここで処理液は例えば現像液である。また例えば、第1の液と第2の液はそれぞれ純水を用いることができる。
【0008】
本発明の一の形態は、前記保持部は基板を回転させる手段とさらに具備し、基板を回転させながら前記第1の液と第2の液とを吐出する。例えば基板の中央部に第1の液と第2の液とを吐出するようにすれば、第1の液と第2との混合液が回転の遠心力で基板上を流れる。これにより基板表面での攪乱された液の運動エネルギーが増し不純物の除去作用を高めることができる。
【0009】
本発明の一の形態は、前記リンス手段は、前記第1の液を吐出する第1の孔が形成された第1の吐出部と、前記第2の液を吐出する第2の孔が形成された第2の吐出部とを有するノズルを具備する。このような第1の孔と第2の孔とを設けることにより、攪乱作用を発生させるために第1の液と第2の液とを分けて吐出できる。そして、例えばノズルへ供給される液の供給系(ここで供給系とは例えば液を圧送するためのポンプや配管等をいう。)が同じであれば、第1の孔の大きさと第2の孔の大きさとを異なるようにすることにより、径の小さい孔から吐出される液の流量を、径の大きい孔から吐出される液の流量より少なくすることができる。これにより、例えば基板中央部に第1の孔から第1の液を吐出する場合、基板中央部から基板周縁部に向けて攪乱された液がスムーズに流れるようになり不純物の除去作用が向上する。なお、例えば第1の液の供給系と第2の液の供給系とを別個のものにする場合には、供給系のポンプ等の圧力調整等により流速を可変できる。
【0010】
本発明の一の形態は、前記第2の孔は前記第1の孔の周囲に複数設けられていることが好ましい。例えばノズルを基板の中央部上に配置させ、第1の孔から第1の液を基板の中央部に吐出し、第1の孔の周囲に複数設けられた第2の孔から第2の液を、基板上で拡散している第1の液上に円状に供給する。このようにすれば攪乱された液を基板上で均一に拡散させることができ、不純物の除去作用が向上する。特に、上記のように基板を回転させる場合に有効である。
【0011】
さらに、例えばノズルへ供給される液の供給系が同じであれば、第2の孔の大きさを第1の孔の大きさより小さくすることにより、第2の液の流量を第1の液のそれよりも少なくすることができ、例えば気泡の発生効率等の攪乱効果を高めることができる。具体的には、前記第1の孔の径は1.5mm〜3.0mmであり、前記第2の孔の径は0.2〜1.0mmである。第1の孔の径をこのようにしたのは、所定の吐出圧で液を吐出した場合、その径を3.0mmより大きくすると液の単位時間当りの流量が多くなりすぎてしまい、そのインパクトによりレジストパターンの倒壊が発生するおそれがあるからである。また、第2の孔の径をこのようにしたのは、所定の吐出圧で液を吐出した場合、その径を1.0mm以上とすると流量が多くなりすぎてしまい、基板上に吐出された第2の液が基板中央部へも流れ、液が滞留することにより不純物が再付着する等、除去作用が低下するからである。また具体的な第1及び第2の液の流量については、第1の液の吐出流量は500ml/min〜1000ml/minであり、前記第2の液の吐出流量は100ml/min〜500ml/minであることが好ましい。このような流量とすることにより、基板中央部から周縁部へ攪乱された液がスムーズに流れ、不純物を除去することができる。
【0012】
本発明の一の形態は、前記ノズルは、前記第1の吐出部と前記第2の吐出部との間に設けられた溝部を具備する。例えば第1の吐出部と第2の吐出部の吐出面が同じである場合に比べ、このような溝部を設けることで、液の吐出の際、第1の液と第2の液との干渉の防止効果を向上させることができ、確実に基板上で攪乱効果を発生させることができる。
【0013】
本発明の一の形態は、前記第1の液の吐出方向と前記第2の液の吐出方向とが異なる。例えば第2の液の吐出方向を基板面に対して基板内側の斜め方向に向くようにした場合、第1の液が基板中央部から基板外側へ拡散する方向とは逆方向に向けて第2の液が吐出されるので、例えば気泡の発生率等の攪乱効果を高めることができる。
【0014】
本発明の一の形態は、前記リンス手段は、前記第1の液を吐出する第1の孔が形成された第1のノズルと、前記第2の液を吐出する第2の孔が形成された第2のノズルとを具備する。このように2つのノズルを用意してそれぞれのノズルから第1の液と第2の液とを吐出し例えば気泡等の攪乱効果を発生させることができる。この場合、前記第2の孔の大きさを前記第1の孔の大きさより小さくすることで、上記したように第2の液の流量を第1の液のそれより少なくすることができる。その結果、攪乱効果を発生させつつ、基板中央部から周縁部へ攪乱された液をスムーズに流し、不純物を除去することができる。
【0015】
本発明の別の観点に係る基板処理装置は、基板を保持する保持部と、保持部に保持された基板に処理液を供給する手段と、長尺形状を有し、その長手方向に第1の孔と複数の第2の孔とが列設され、前記処理液が供給された基板に対し前記第1の孔と前記第2の孔からそれぞれ第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに、前記処理液を洗い流すリンス手段とを具備する。
【0016】
本発明では、長尺形状を有するノズルの長手方向に第1の孔と複数の第2の孔とが列設されているので、基板の中央部に吐出された第1の液に対しその外側で第2の液を複数の孔から吐出させることができる。その結果、例えば基板を回転させながら吐出を行う場合、基板全面に短時間で、例えば気泡発生等の攪乱作用を与えることができ、不純物の除去効率を高めることができる。この場合、例えば前記第1の孔から基板の中央部に第1の液を吐出し、前記第2の孔からその中央部より基板外側に第2の液を吐出すればよい。
【0017】
本発明の基板処理方法は、基板に処理液を供給する工程と、前記処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに、前記処理液を洗い流す工程とを具備する。
【0018】
本発明では、処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出すれば例えば気泡発生等の攪乱作用を発生させることができ、この攪乱作用が不純物に応力を与えることで当該不純物を除去することが可能となる。しかも、従来までのように処理液を洗い流す作用も兼ねているため、処理時間を増加させることはない。
【0019】
本発明の一の形態は、前記第1の液を前記第2の液よりも先に吐出する。このように基板上に第1の液を供給し、ある程度第1の液を基板上で拡散させてから第2の液を吐出することにより、第2の液の吐出よる基板へのインパクトを軽減させることができ、パターンの倒壊を回避することができる。この場合、気泡発生率等の攪乱効果を高めるために第2の液の流速が第1の流速よりも速くした場合に特に有効である。
【0020】
本発明のノズルは、処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに、前記処理液を洗い流すためのノズルであって、前記第1の液を吐出するための孔が形成された第1の吐出部と、前記第2の液を吐出する孔が形成された第2の吐出部とを具備する。
【0021】
このようなノズルにより、処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出すれば、例えば気泡等の攪乱作用を発生させることができ、この攪乱作用が不純物に応力を与えることで当該不純物を除去することが可能となる。しかも、従来までのように処理液を洗い流す作用も兼ねているため、処理時間を増加させることはない。
【0022】
また、本発明の別の観点に係るノズルは、長尺形状を有し、処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに前記処理液を洗い流すためのノズルであって、前記第1の液を吐出するための孔が形成された第1の吐出部と、前記長尺形状の長手方向に、前記第2の液を吐出する孔が複数列設された第2の吐出部とを具備する。
【0023】
本発明では、例えば基板を回転させながら吐出を行う場合、基板全面に短時間で、例えば気泡発生等の攪乱作用を与えることができ、不純物の除去効率を高めることができる。この場合、例えば前記第1の孔から基板の中央部に第1の液を吐出し、前記第2の孔からその中央部より基板外側に第2の液を吐出すればよい。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【0025】
図1〜図3は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理装置の全体構成を示す図であって、図1は平面図、図2及び図3は正面図及び背面図である。
【0026】
この塗布現像処理装置1は、半導体ウェハWをウェハカセットCRで複数枚たとえば25枚単位で外部から装置1に搬入し又は装置1から搬出したり、ウェハカセットCRに対してウェハWを搬入・搬出したりするためのカセットステーション10と、塗布現像工程の中で1枚ずつウェハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション12と、この処理ステーション12と隣接して設けられる露光装置100との間でウェハWを受け渡しするためのインターフェース部14とを一体に接続した構成を有している。
【0027】
カセットステーション10では、図1に示すように、カセット載置台20上の突起20aの位置に複数、例えば5個のウェハカセットCRがそれぞれのウェハ出入口を処理ステーション12側に向けてX方向一列に載置され、カセット配列方向(X方向)およびウェハカセットCR内に収納されたウェハのウェハ配列方向(Z方向)に移動可能なウェハ搬送体22が各ウェハカセットCRに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウェハ搬送体22は、θ方向に回転可能に構成されており、図3に示すように後述する多段構成とされた第3の処理ユニット部G3に属する熱処理系ユニットにもアクセスできるようになっている。
【0028】
図1に示すように処理ステーション12は、装置背面側(図中上方)において、カセットステーション10側から第3の処理ユニット部G3、第4の処理ユニット部G4及び第5の処理ユニット部G5がそれぞれ配置され、これら第3の処理ユニット部G3と第4の処理ユニット部G4との間には、第1の主ウェハ搬送装置A1が設けられている。この第1の主ウェハ搬送装置A1は、この第1の主ウェハ搬送体16が第1の処理ユニット部G1、第3の処理ユニット部G3及び第4の処理ユニット部G4等に選択的にアクセスできるように設置されている。また、第4の処理ユニット部G4と第5の処理ユニット部G5との間には第2の主ウェハ搬送装置A2が設けられ、第2の主ウェハ搬送装置A2は、第1と同様に、第2の主ウェハ搬送体17が第2の処理ユニット部G2、第4の処理ユニット部G4及び第5の処理ユニット部G5等に選択的にアクセスできるように設置されている。
【0029】
また、第1の主ウェハ搬送装置A1の背面側には熱処理ユニットが設置されており、例えばウェハWを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット(AD)110、ウェハWを加熱する加熱ユニット(HP)113が図3に示すように多段に重ねられている。なお、アドヒージョンユニット(AD)はウェハWを温調する機構を更に有する構成としてもよい。第2の主ウェハ搬送装置A2の背面側には、ウェハWのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置(WEE)120、ウェハWに塗布されたレジスト膜厚を検査する膜厚検査装置119及びレジストパターンの線幅を検査する線幅検査装置118が多段に設けられている。これら膜厚検査装置119及び線幅検査装置118は、このように塗布現像処理装置1内に設けなくても装置外に設けるようにしてよい。また、第2の主ウェハ搬送装置A2の背面側は、第1の主ウェハ搬送装置A1の背面側と同様に熱処理ユニット(HP)113が配置構成される場合もある。
【0030】
図3に示すように、第3の処理ユニット部G3では、ウェハWを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えばウェハWに所定の加熱処理を施す高温度加熱処理ユニット(BAKE)、ウェハWに精度の良い温度管理化で冷却処理を施す冷却処理ユニット(CPL)、ウェハ搬送体22から主ウェハ搬送体16へのウェハWの受け渡し部となるトランジションユニット(TRS)、上下2段にそれぞれ受け渡し部と冷却部とに分かれて配設された受け渡し・冷却処理ユニット(TCP)が上から順に例えば10段に重ねられている。なお、第3の処理ユニット部G3において、本実施形態では下から3段目はスペアの空間として設けられている。第4の処理ユニット部G4でも、例えばポストベーキングユニット(POST)、ウェハ受け渡し部となるトランジションユニット(TRS)、レジスト膜形成後のウェハWに加熱処理を施すプリベーキングユニット(PAB)、冷却処理ユニット(CPL)が上から順に例えば10段に重ねられている。更に第5の処理ユニット部G5でも、例えば、熱的処理手段として、露光後のウェハWに加熱処理を施すためのポストエクスポージャーベーキングユニット(PEB)、冷却処理ユニット(CPL)、ウェハWの受け渡し部となるトランジションユニット(TRS)が例えば上から順に10段に重ねられている。
【0031】
加熱処理系のユニットは、例えば図1の第4の処理ユニット部G4に示すように、ウェハWを温調するための温調プレートCが正面側に配置され、ウェハWを加熱するための加熱プレートHが背面側に配置されている。
【0032】
図1において処理ステーション12の装置正面側(図中下方)には、第1の処理ユニット部G1と第2の処理ユニット部G2とがY方向に併設されている。この第1の処理ユニット部G1とカセットステーション10との間及び第2の処理ユニット部G2とインターフェース部14との間には、各処理ユニット部G1及びG2で供給する処理液の温調に使用される液温調ポンプ24,25がそれぞれ設けられており、更に、この塗布現像処理装置1外に設けられた図示しない空調器からの清浄な空気を各処理ユニット部G1〜G5内部に供給するためのダクト31、32が設けられている。
【0033】
図2に示すように、第1の処理ユニット部G1では、カップCP内でウェハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う5台のスピナ型処理ユニット、例えば、レジスト膜形成部としてのレジスト塗布処理ユニット(COT)が3段及び露光時の光の反射を防止するために反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット(BARC)が2段、下方から順に5段に重ねられている。また第2の処理ユニット部G2でも同様に、5台のスピナ型処理ユニット、例えば現像処理部としての現像処理ユニット(DEV)が5段に重ねられている。レジスト塗布処理ユニット(COT)ではレジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて上段に配置することも可能である。
【0034】
また、第1及び第2の処理ユニット部G1及びG2の最下段には、各処理ユニット部G1及びG2に上述した所定の処理液を供給するケミカル室(CHM)26,28がそれぞれ設けられている。
【0035】
インターフェース部14の正面部には可搬性のピックアップカセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、中央部にはウェハ搬送体27が設けられている。このウェハ搬送体27は、X,Z方向に移動して両カセットCR,BRにアクセスするようになっている。また、ウェハ搬送体27は、θ方向に回転可能に構成され、第5の処理ユニット部G5にもアクセスできるようになっている。更に、図3に示すようにインターフェース部14の背面部には、高精度冷却処理ユニット(CPL)が複数設けられ、例えば上下2段とされている。ウェハ搬送体27はこの冷却処理ユニット(CPL)にもアクセス可能になっている。
【0036】
次に、本発明に係る現像処理ユニット(DEV)について詳細に説明する。図4及び図5は、本発明の一実施形態に係る現像処理ユニット(DEV)を示す平面図及び断面図である。
【0037】
このユニットでは、筐体41の上方に清浄空気を筐体41内に供給するためのファン・フィルタユニットFが取り付けられている。そして下方においては筐体41のY方向の幅より小さいユニット底板51の中央付近に環状のカップCPが配設され、その内側にスピンチャック42が配置されている。このスピンチャック42は真空吸着によってウェハWを固定保持した状態で、モータ43の回転駆動力で回転するように構成されている。
【0038】
カップCPの中には、ウェハWを受け渡しする際のピン48がエアシリンダ等の駆動装置47により昇降可能に設けられている。これにより、開閉可能に設けられたシャッタ52が開いている間に、開口部41aを介して主ウェハ搬送体17との間でウェハの受け渡しが可能となる。またカップCP底部には、廃液用のドレイン口45が設けられている。このドレイン口45に廃液管33が接続され、この廃液管33はユニット底板51と筐体41との間の空間Nを利用して下方の図示しない廃液口へ通じている。
【0039】
ウェハWの表面に現像液を供給するための現像液ノズル53は、例えばウェハWの直径とほぼ同一の長さの長尺状に形成されており、供給管34を介してケミカル室(CHM)28(図2)内の現像液タンク(図示せず)に接続されている。現像液ノズル53は、ノズルスキャンアーム36のノズル保持部材60に着脱自在とされている。ノズルスキャンアーム36は、ユニット底板51の上に一方向(Y方向)に敷設されたガイドレール44上で水平移動可能な垂直支持部材49の上端部に取り付けられており、例えばベルト駆動機構によって垂直支持部材49と一体にY方向に移動するようになっている。これにより、現像液ノズル53は現像液の供給時以外はカップCPの外側に配設された現像液ノズルバス46で待機するようになっており、現像液の供給時にはウェハW上まで移送されるようになっている。なお、現像液ノズル53は、その下端部に例えば複数の吐出孔(図示せず)が形成されており、これら複数の吐出孔から現像液が吐出されるようになっている。
【0040】
さらにカップCPの側方には、リンス液を吐出するリンスノズル55がリンスノズルアーム54に取り付けられている。リンスノズルアーム54は、図6に示すように、例えば支持部材57に支持されたステッピングモータ56の駆動によってθ方向に回動可能に設けられている。これにより、図5における破線で示すようにリンス処理時にはリンスノズル55がカップCP内に収容されたウェハWの中心部上まで移動するようになっている。また、リンスノズル55は、図7に示すようにリンス処理時にスピンチャック42に保持されたウェハWの表面から例えば高さt=15mmの位置に配置されるようになっている。なお、図5ではリンスノズル55等を省略している。
【0041】
以上のノズルスキャンアーム36の移動機構とリンスノズルアーム54の移動機構であるステッピングモータ56の駆動は制御部40によって電気的に制御されるようになっている。
【0042】
図8及び図9は、第1の実施形態に係るリンスノズル55の断面図及び平面図である。このリンスノズル55は、リンス液を貯留する図示しないタンクや圧送ポンプ等を含むリンス液供給源59に供給管58を介して接続されている。このリンス液は例えば純水を用いるが、パターン倒壊の防止の観点から純水の表面張力を低下させるために純水に界面活性剤等が混入される場合もある。ノズル内部にはリンス液が流れる流路55aが設けられ、この流路55aの中心からノズルの下端面55eの中心にかけて貫通されたリンス液を吐出する主孔55bが設けられている。また、主孔55bの周囲には、この主孔55bよりも径の小さい例えば8個の副孔55cが流路55aから下端面55eにかけて貫通されて形成されている。この主孔55bの直径は例えば1.5mm〜3.0mmであって、好ましくは2.0mmである。また副孔55cの径は例えば0.2〜1.0mmであって、好ましくは0.4mmである。また、図9において8つの副孔55cで構成される破線で示した円の直径は、例えば8mmとしている。
【0043】
このように構成されたリンスノズル55によりリンス液をウェハW上に吐出することで、主孔55bから吐出される液と副孔55cから吐出される液とが混合し、ウェハ上で攪乱作用を発生させることができる。この攪乱作用により例えば気泡を発生させることができる。特に、本実施形態では、主孔55bの大きさと副孔55cの大きさとを異なるように形成されているので、副孔55cから吐出される液の流量を、主孔55bから吐出される液の流量より少なくすることができる。その結果、例えばウェハ中央部から周縁部に向けて攪乱された液がスムーズに流れるようになり不純物の除去作用を高めることができる。
【0044】
また、主孔55bの径をこのようにしたのは、その直径を3.0mmより大きくすると液の単位時間当りの流量が多くなりすぎてしまい、そのインパクトによりレジストパターンの倒壊が発生するおそれがあるからである。また、副孔55cの径をこのようにしたのは、その径を1.0mm以上とすると副孔55cからの流量多くなりすぎてしまい、副孔55cから吐出された液が基板中心方向にも流れ、基板上での液の滞留時間が長くなる。その結果、不純物が再付着し除去作用が低下するからである。具体的には、例えばリンス液の流量が1リットル/分であるとき、流量については、主孔55bからの純水の吐出流量は500ml/min〜1000ml/minであり、副孔55cからの純水の吐出流量は100ml/min〜500ml/minとすることが好ましい。
【0045】
次に、以上のように構成された塗布現像処理装置1における処理工程の一例について説明する。
【0046】
まず、カセットステーション10において、ウェハ搬送体22がカセット載置台20上の処理前のウェハWを収容しているカセットCRにアクセスして、そのカセットCRから1枚のウェハWを取り出す。ウェハWは受け渡し・冷却処理ユニット(TCP)を介して第1の主搬送装置A1に受け渡され、例えばアドヒージョンユニット(AD)110に搬入され疎水化処理が行われる。次に、例えばボトムコーティングユニット(BARC)へ搬送され、ここで露光時においてウェハからの露光光の反射を防止するために反射防止膜が形成される場合もある。
【0047】
次に、ウェハWは、そしてウェハWは、レジスト塗布処理ユニット(COT)に搬入され、レジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されると、第1の主搬送装置A1によりウェハWはプリベーキングユニット(PAB)に搬送される。ここでは先ず、温調プレートCにウェハWが載置され、ウェハWは温調されながら加熱プレートH側へ移動され、加熱プレートHに載置されて加熱処理される。加熱処理が行われた後、ウェハWは再び温調プレートCを介して第1の主搬送装置A1に受け渡される。その後ウェハWは冷却処理ユニット(CPL)で所定の温度で冷却処理される。
【0048】
次に、ウェハWは第2の主搬送装置A2により取り出され、膜厚検査装置119へ搬送されレジスト膜厚の測定が行われる場合もある。そしてウェハWは、第5の処理ユニット部G5におけるトランジションユニット(TRS)及びインターフェース部14を介して露光装置100に受け渡されここで露光処理される。露光処理が終了すると、ウェハWはインターフェース部14及び第5の処理ユニット部G5におけるトランジションユニット(TRS)を介して第2の主搬送装置A2に受け渡された後、ポストエクスポージャーベーキングユニット(PEB)に搬送され、温調及び加熱処理が行われる。露光処理終了後、ウェハWはインターフェース部14において一旦バッファカセットBRに収容される場合もある。
【0049】
そしてウェハWは現像処理ユニット(DEV)に搬送され現像処理が行われる。この現像処理後は、所定の加熱処理(ポストベーキング)が行われることもある。現像処理終了後、ウェハWはクーリングユニット(COL)で所定の冷却処理が行われ、エクステンションユニット(EXT)を介してカセットCRに戻される。
【0050】
次に、現像処理ユニット(DEV)の動作について説明する。
【0051】
まず、図10(a),(b)に示すように、現像液ノズル53が静止したウェハW上を矢印Aで示す方向に移動しながら現像液を吐出し、ウェハW上に現像液が盛られる。そして、現像液がウェハ全面に盛られた状態のまま所定の時間例えば60秒間の現像処理が行われる。
【0052】
そして、リンスノズル55が図7に示すようにウェハWの中心位置に配置され、リンス液を吐出する。このとき主孔55bと副孔55cとからリンス液が吐出されウェハW上で攪乱される。この攪乱された状態のリンス液がウェハ上を拡散し、ウェハ上に静電気力やファンデルワールス力で付着したミセル等の不純物に応力を与えることで当該不純物を除去する。また同時に、リンス液を吐出することにより現像液を洗い流す。このとき、ウェハWを例えば500rpmで回転させながらリンス液を吐出するようにしてもよい。これにより、攪乱された状態のリンス液が回転の遠心力でウェハ上を流れ、攪乱された状態のリンス液が運動エネルギーを増し不純物の除去作用を高めることができる。なお、本実施形態では、リンス液供給源59から供給されるリンス液の流量を1リットル/分としている。
【0053】
また、本実施形態のリンスノズル55は主孔55bの周囲に副孔55cを複数設ける構成としたので、主孔55bからリンス液をウェハWの中央部に吐出するとともに、その周囲に副孔55cからリンス液を円状に吐出できる。これにより、攪乱された状態のリンス液をウェハW上で均一に拡散させることができ、不純物の除去作用が向上する。特に、上記のようにウェハを回転させる場合に有効である。
【0054】
さらに本実施形態のリンス処理は、従来までのように現像液を洗い流す作用も兼ねているため、処理時間を増加させることはない。
【0055】
なお、リンスノズル55の副孔55cは、必ずしも円形上でなくても、図11に示すように、例えば主孔55bより小さい孔であれば長い形状の副孔55cを設けるようにしてもよい。また主孔55bについても同様に矩形とすることもできる。
【0056】
図12は、第2の実施形態に係るリンスノズルの下部の拡大断面図である。このリンスノズルの下端面55eにおいて、主孔55bと副孔55cとの間には環状の溝55dが形成されている。このような溝55dを設けることにより、リンス液の吐出の際、下端面55eが平坦面である場合に比べ、主孔55bから吐出される液と副孔55cから吐出される液との干渉を抑えることができ、ウェハ上で確実に攪乱効果を発生させることができる。
【0057】
図13は、本発明の第3の実施形態に係る現像処理ユニット(DEV)を示す平面図である。図13において、図4における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。この現像処理ユニット(DEV)におけるリンスノズル75は、長尺形状を有しておりリンスノズルアーム63によって支持されている。リンスノズルアーム63はノズルスキャンアーム36と同様にガイドレール44上をY方向に制御部40の制御により移動可能に設けられている。これにより、リンスノズル75がカップCP内に収容されたウェハWの上部位置まで移動されるようになっている。
【0058】
図14は、そのリンスノズル75を示しており、(a)は断面図であり、(b)は平面図である。このリンスノズル75は、例えばウェハの半径とほぼ同じ長さの長尺状に形成され、内部にリンス液を一旦貯留するバッファ室75aと、このバッファ75aから下端面に貫通されたリンス液吐出する複数の孔が設けられている。これらの孔はノズルの一端に1つの主孔55bが形成されており、この主孔55b以外の副孔55cはこれよりも径の小さく形成されている。これにより、副孔55cから吐出されるリンス液の流量を主孔55bからの流量よりも少なくすることができ、上記した実施形態と同様の効果が得られる。この場合、主孔55bの直径は例えば1.5mm〜3.0mmであって、好ましくは2.0mmである。また副孔55cの径は例えば0.2〜1.0mmであって、好ましくは0.4mmである。また、リンス処理時の流量は、
なお、リンス液としては例えば純水を用いることができるが、パターン倒壊の防止の観点から純水の表面を低下させるために、純水に界面活性剤等を混入してもよい。
【0059】
このように構成されたリンスノズル75により、例えば図15に示すように、リンスノズル75を主孔75bからウェハWの中心部にリンス液が吐出されるように配置させる。そしてウェハWを回転させながら主孔75b及び副孔75cからリンス液を吐出することで、ウェハ上でリンス液が混合され攪乱し不純物を除去する。このような長尺形状のノズル75からリンス液を吐出することによりウェハ表面の全体に短時間で攪乱作用を発生させることができ、不純物の除去作用を向上させることができる。
【0060】
なお、上記実施形態では、リンスノズル75はウェハWの半径とほぼ同じ長さの長尺形状としたが、この長さをウェハの半径より短く、例えば半径より40mm短くし、ウェハ周縁部にはリンス液を吐出しないような形状にしてもよい。これにより、ウェハ周縁部でのパターン倒れの発生を抑制することができる。これは、ウェハ周縁部の周速度が中心部のそれよりも速いことを考慮し、そのように周縁部に吐出しないようにすることにより、周縁部に吐出されたリンス液がウェハ表面に与えるダメージを軽減できるからである。さらに、周縁部に吐出されたリンス液の周速度の影響によるミストの発生を抑止でき、ウェハ表面の汚染を防止できる。
【0061】
また、図16に示すように、リンスノズル85をウェハの直径とほぼ同じ長さの長尺形状として、このノズルの中心位置に主孔85bを設け、さらに主孔85bからノズル外側方向に副孔85cを複数設けるようにしてもよい。これによりウェハ全面へのリンス処理時間をさらに短縮することができる。
【0062】
また、リンスノズルの各副孔の径のそれぞれ大きさを変えてもよい。例えばウェハ中心に近い副孔の径を大きくし、ウェハ周縁部に近づくに従い小さくすることにより、リンスノズルの副孔から吐出されるリンス液の流量を段階的に変える。その結果、リンス液がウェハ表面に与える衝撃をウェハ周速度に対応させて均一となるように制御することが可能となる。
【0063】
図17では、リンス液供給源59に2つの供給管82A及び82Bを接続し、さらにリンス液を気体で圧送するポンプ76A及び76Bをそれぞれの供給管に別個に接続して、上記リンスノズル75の主孔75bと副孔75cとへのリンス液の供給系統を別々にしている。このようにポンプ76A及び76Bを別個に制御して吐出圧に差を持たせることで吐出されるリンス液の流速を変えることができる。これにより、ウェハの周速による影響によるウェハ表面に与える衝撃を軽減させることができる。また、このような実施形態は、図16に示したリンスノズル85にも適用できる。
【0064】
図18は、従来のリンスノズルと、第1の実施形態に係るリンスノズル55及び第3の実施形態に係るリンスノズル75で実際にリンス処理した場合の析出系欠陥の発生率を比較したグラフである。ここで発生率とは、従来のリンスノズルでリンス処理した際に発生する欠陥の個数を100%とした場合の、本実施形態に係る各リンスノズルでリンス処理した際の欠陥の個数の割合である。このグラフから分かるように、本実施形態に係るリンスノズルを用いた場合、明らかに欠陥個数の減少が見られた。
【0065】
次に、図19及び図20を参照してさらに他の実施形態について説明する。図19では、例えば2つのリンスノズル55A及び55Bが、供給管58を介してリンス液供給源59に接続されている。供給管58にはリンス液を気体で圧送するポンプ61が接続されている。リンスノズル55Aには例えばリンス液の吐出孔(図示せず)が1つ設けられ、リンスノズル55Bには、ノズル55Aに設けられている吐出孔より大きさの小さい、リンス液を吐出する吐出孔(図示せず)が例えば1つ設けられている。リンスノズル55AをウェハWの中心部上に配置させており、その中心部より基板の外側にリンスノズル55Bを配置させている。このような構成によっても、ウェハWを回転させながらそれぞれのノズル55A及び55Bからリンス液を吐出し、攪乱作用を効率良く発生させ不純物を除去することができる。
【0066】
図20では、リンス液供給源59からそれぞれ独立した供給管58A及び58Bが延び、それぞれの供給管58A及び58Bに図19で示したものと同一のリンスノズル55A及び55Bが各々接続されている。また、それぞれの供給管58A及び58Bには、別個の圧送ポンプ61A及び61Bが各々設置されている。本実施形態では、例えば別個のポンプ61A及び61Bを制御して、両ノズルで同じ吐出圧にしてもよいし、それぞれ違う吐出圧にしてもよい。これにより気泡の発生率等の攪乱状態をより精密にコントロールすることができる。また、両ノズルの吐出のタイミングも別個に制御できるように供給管58A及び58Bに独立した開閉弁をそれぞれ設けてもよい。
【0067】
なお、図19及び図20におけるリンスノズル55Bは、吐出孔を複数設けるようにしてももちろんかまわない。また、リンスノズル55Bのみをウェハ上でウェハの径方向にスキャンさせる機構を設けるようにしてもよい。
【0068】
図21は、図19及び図20においてリンスノズル55A及び55Bからリンス液が吐出されるタイミングを示す図である。例えばノズル55Aからの吐出を先に行い、その後にノズル55Bから吐出する。吐出のタイミングとしては、ノズル55Aから吐出されたリンス液が、少なくともノズル55Bからリンス液が吐出されるウェハ上の位置まで拡散しているときに吐出する。従って、ノズル55Bからリンス液を吐出するタイミングはウェハの回転数、吐出量、両ノズル間の距離等に依存する。このように、ノズル55Bからの吐出のタイミングをノズル55Aより遅らせることで、ノズル55Bからの吐出は、ノズル55Aからのリンス液を拡散させてから行うことができる。これにより、ノズル55Bからのリンス液の吐出よるウェハへのインパクトを軽減させることができ、パターンの倒壊を回避することができる。この場合、攪乱作用を高めるためにノズル55Bの流速を速くすればするほど有効なものとなる。
【0069】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【0070】
例えば、上記各実施形態ではリンス液を吐出する孔として主孔と副孔を設けるようにしたが、必ずしも径を異ならせなくても全ての孔の径を同じにしてもよい。
【0071】
また、主孔と副孔のウェハ面に対するリンス液の吐出角度を異なるようにしてもよい。例えば、図8で示すノズル55の副孔55cの角度を下端面55eに向かうほど主孔に近づくように形成する。そうすると副孔からリンス液が吐出される向きは、主孔55bから吐出されるリンス液がウェハ上でウェハ中央部から外側へ拡散する方向とは逆方向に向くので、気泡の発生率等の攪乱作用を高めることができる。
【0072】
さらに、以上各実施形態で開示した構成を適宜合理的な範囲で組み合わせて実施することも可能である。
【0073】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、現像液とリンス液とを効率良く攪乱し基板に付着したミセルや不溶解物等の不純物を除去することができ、基板の欠陥発生を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用される塗布現像処理装置の平面図である。
【図2】図1に示す塗布現像処理装置の正面図である。
【図3】図1に示す塗布現像処理装置の背面図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る現像処理ユニットの平面図である。
【図5】図5に示す現像処理ユニットの断面図である。
【図6】リンスノズルアームによって移動可能なリンスノズルを示す斜視図である。
【図7】リンスノズルとウェハとの位置関係を示す側面図である。
【図8】第1の実施形態に係るリンスノズルの断面図である。
【図9】図8に示すリンスノズルの平面図である。
【図10】現像液の供給動作を示す図である。
【図11】別の実施形態に係るリンスノズルの平面図である。
【図12】第2の実施形態に係るリンスノズルの拡大断面図である。
【図13】別の実施形態に係る現像処理ユニットの平面図である。
【図14】第3の実施形態に係るリンスノズルの断面図及び平面図である。
【図15】図14に示すリンスノズルを用いてリンス処理を行うときの動作を示す平面図である。
【図16】図14に示すリンスノズルの変形例を示す平面図である。
【図17】図14に示すリンスノズルの供給系の変形例を示す図である。
【図18】従来と本発明とのリンスノズルを用いた場合の欠陥の発生率を比較したグラフである。
【図19】他の実施形態に係るリンス液の供給機構を示す構成図である。
【図20】さらに他の実施形態に係るリンス液の供給機構を示す構成図である。
【図21】2つのリンスノズルからリンス液が吐出されるタイミングを示す図である。
【符号の説明】
W...半導体ウェハ
42…スピンチャック
43…モータ
54…リンスノズルアーム
55,55A,55B,75,85…リンスノズル
55a…流路
55e…下端面
55b…主孔
55c…副孔
55d…溝
Claims (30)
- 基板を保持する保持部と、
保持部に保持された基板に処理液を供給する手段と、
処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに、前記処理液を洗い流すリンス手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記保持部は基板を回転させる手段とさらに具備し、基板を回転させながら前記第1の液と第2の液とを吐出する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記リンス手段は、前記第1の液を吐出する第1の孔が形成された第1の吐出部と、前記第2の液を吐出する第2の孔が形成された第2の吐出部とを有するノズル
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記第2の孔は前記第1の孔の周囲に複数設けられている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記第2の孔の大きさは前記第1の孔の大きさより小さい
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記第1の孔の径は1.5mm〜3.0mmであり、前記第2の孔の径は0.2〜1.0mmである
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記第1の液の吐出流量は500ml/min〜1000ml/minであり、前記第2の液の吐出流量は100ml/min〜500ml/minである
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、前記第1の吐出部と前記第2の吐出部との間に設けられた溝部
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記第1の液の吐出方向と前記第2の液の吐出方向とが異なる
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記リンス手段は、
前記第1の液を吐出する第1の孔が形成された第1のノズルと、
前記第2の液を吐出する第2の孔が形成された第2のノズルと
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置であって、
前記第2の孔の大きさは前記第1の孔の大きさより小さい
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項11に記載の基板処理装置であって、
前記第2のノズルは長尺形状を有し、その長手方向に複数の前記第2の孔が列設されている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10に記載の基板処理装置であって、
前記第1のノズルは基板の中央部に第1の液を吐出し、前記第2のノズルはその中央部より基板外側に第2の液を吐出する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を保持する保持部と、
保持部に保持された基板に処理液を供給する手段と、
長尺形状を有し、その長手方向に第1の孔と複数の第2の孔とが列設され、前記処理液が供給された基板に対し前記第1の孔と前記第2の孔からそれぞれ第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに、前記処理液を洗い流すリンス手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14に記載の基板処理装置であって、
前記ノズルは、前記第1の孔から基板の中央部に第1の液を吐出し、前記第2の孔からその中央部より基板外側に第2の液を吐出する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14に記載の基板処理装置であって、
前記保持部は基板を回転させる手段とさらに具備し、基板を回転させながら前記第1の液と第2の液とを吐出する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14に記載の基板処理装置であって、
前記第1の孔の径は1.5mm〜3.0mmであり、前記第2の孔の径は0.2〜1.0mmである
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項14に記載の基板処理装置であって、
前記第1の液の吐出流量は500ml/min〜1000ml/minであり、前記第2の液の吐出流量は100ml/min〜500ml/minである
ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板に処理液を供給する工程と、
前記処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに、前記処理液を洗い流す工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項19に記載の基板処理方法であって、
前記第1の液を前記第2の液よりも先に吐出する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項19に記載の基板処理方法であって、
前記第1の液を基板の中央部に吐出し、前記第2の液をその中央部より基板外側に吐出する
ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項19に記載の基板処理方法であって、
前記第1の液の吐出流量は500ml/min〜1000ml/minであり、前記第2の液の吐出流量は100ml/min〜500ml/minである
ことを特徴とする基板処理方法。 - 処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに前記処理液を洗い流すためのノズルであって、
前記第1の液を吐出するための孔が形成された第1の吐出部と、
前記第2の液を吐出する孔が形成された第2の吐出部と
を具備することを特徴とするノズル。 - 請求項23に記載のノズルであって、
前記第2の孔は前記第1の孔の周囲に複数設けられている
ことを特徴とするノズル。 - 請求項23に記載のノズルであって、
前記第2の孔の大きさは前記第1の孔の大きさより小さい
ことを特徴とするノズル。 - 請求項25に記載のノズルであって、
前記第1の孔の径は1.5mm〜3.0mmであり、前記第2の孔の径は0.2〜1.0mmである
ことを特徴とするノズル。 - 請求項23に記載のノズルであって、
前記第1の吐出部と前記第2の吐出部との間に設けられた溝部
をさらに具備することを特徴とするノズル。 - 長尺形状を有し、処理液が供給された基板に対し第1の液と第2の液とを吐出して前記処理液を攪乱し基板に付着した不純物を除去するとともに前記処理液を洗い流すためのノズルであって、
前記第1の液を吐出するための孔が形成された第1の吐出部と、
前記長尺形状の長手方向に、前記第2の液を吐出する孔が複数列設された第2の吐出部と
を具備することを特徴とするノズル。 - 請求項28に記載のノズルであって、
前記第2の孔の大きさは前記第1の孔の大きさより小さい
ことを特徴とするノズル。 - 請求項29に記載のノズルであって、
前記第1の孔の径は1.5mm〜3.0mmであり、前記第2の孔の径は0.2〜1.0mmである
ことを特徴とするノズル。
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