JP2004013942A - 光記録再生方法及び光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光記録媒体10は、基板12上に、記録されるべき情報に応じて強度変調されたエネルギーであるレーザービームにより変態される一対の誘電体層14A、14B及びこれらに挟み込まれた記録補助層16からなる記録層18を有している。記録補助層16は、Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層14A、14Bにおける母材としての誘電体材は、ZnS、SiO2、AlN、Ta2O5等のうちのいずれか1種類の材料から構成されている。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、光記録媒体を用いた光記録再生方法及び光記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、CD(Compact Disc)やDVD(Digital Versatile Disc)に代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、CD−ROM(Read Only Memory)やDVD−ROMのようにデータの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体(ROM型光記録媒体)と、CD−R(Recordable)やDVD−Rのようにデータの追記はできるがデータの書き換えはできないタイプの光記録媒体(追記型光記録媒体)と、CD−RW(Rewritable)やDVD−RWのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒体(書き換え型光記録媒体)とに大別することができる。
【0003】
広く知られているように、ROM型光記録媒体においては、製造段階において基板に形成されるプリピットによりデータが記録されることが一般的であり、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層の材料として相変化材料が用いられ、その相状態の変化に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【0004】
これに対し、追記型光記録媒体においては、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その化学的変化(場合によっては化学的変化に加えて物理的変形を伴うことがある)に基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されることが一般的である。
【0005】
しかしながら、有機色素は日光等の照射によって劣化することから、記録層の材料として有機色素を用いた場合、長期間の保存に対する信頼性を高めることは容易ではない。追記型光記録媒体において長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、記録層を有機色素以外の材料によって構成することが望ましい。記録層を有機色素以外の材料によって構成した例としては、特開昭62−204442号公報に記載されているように、2層の反応層を積層しこれを記録層として用いる技術が知られている。
【0006】
一方、近年、データの記録密度が高められ、且つ、非常に高いデータ転送レートを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されている。このような次世代型の光記録媒体においては、大容量・高データ転送レートを実現するため、必然的に、データの記録・再生に用いるレーザービームのビームスポット径を非常に小さく絞らなければならない。ここで、ビームスポット径を小さく絞るためには、レーザービームを集束するための対物レンズの開口数(NA)を0.7以上、例えば0.85程度まで大きくすると共に、レーザービームの波長λを450nm以下、例えば400nm程度まで短くする必要がある。
【0007】
しかしながら、レーザービームを集束するための対物レンズを高NA化すると、光記録媒体の反りや傾きの許容度、即ちチルトマージンが非常に小さくなるという問題が生じる。チルトマージンTは、記録・再生に用いるレーザービームの波長λ、レーザービームの光路となる光透過層(透明基体)の厚さをdとすると、次の(1)式によって表わすことができる。
【0008】
T=λ/d・NA3 …(1)
【0009】
(1)式から明らかなように、チルトマージンは対物レンズのNAが大きいほど小さくなってしまう。又、波面収差(コマ収差)が発生する光透過層(透明基体)の屈折率をn、傾き角をθとすると、波面収差係数Wは、次の(2)式によって表わすことができる。
【0010】
W={d・(n2−1)・n2・sinθ・cosθ・(NA)2}/{2λ(n2−sin2θ)3/2 …(2)
【0011】
(1)式及び(2)式から明らかなように、チルトマージンを大きくし、且つ、コマ収差の発生を抑えるためには、記録・再生に用いるレーザービームが入射する光透過層(透明基体)の厚さdを小さくすることが非常に有効である。
【0012】
このような理由から、次世代型の光記録媒体においては、充分なチルトマージンを確保しつつ、コマ収差の発生を抑えるために、光透過層(透明基体)の厚さを100μm程度まで薄くすることが要求される。このため、次世代型の光記録媒体においては、CDやDVD等、現行の光記録媒体のように光透過層(透明基体)上に記録層等を形成することは困難であり、基体上に形成した記録層等の上にスピンコート法等により薄い樹脂層を光透過層(透明基体)として形成する方法が検討されている。従って、次世代型の光記録媒体の作製においては、光入射面側から順次成膜が行なわれる現行の光記録媒体とは異なり、光入射面とは反対側から順次成膜が行なわれることになる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、次世代型光記録媒体のように基体上に形成される記録層を2層の反応層によって構成した場合、CDやDVD等、現行の光記録媒体のように、光透過層(透明基体)に形成される記録層を2層の反応層によって構成した場合に比べて、信号再生時に生じるノイズのレベルが大きくなり易い(C/N比が小さくなり易い)という問題が明らかとなった。
【0014】
他方、近年における地球環境への関心の高まりから、光記録媒体の記録層の材料としても、より環境負荷の小さい材料を選択することが望ましい。更に、長期間の保存に対する信頼性を高めるためには、光記録媒体の記録層の材料としては、腐食・変質等に対して十分な耐性を有する材料を選択することが望ましい。
【0015】
本発明は、次世代型光記録媒体の記録再生システムにおいて、特に有用となる新たな光記録再生方法及び光記録媒体を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意研究の結果、SnやZnS等の環境配慮型材料を用いて簡単な膜構成で良好な光記録・再生が可能であることを見出した。
【0017】
即ち、以下の本発明により、上記目的を達成するものである。
【0018】
(1)基板上に、少なくとも記録補助層と誘電体層とを隣接して存在させて形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記誘電体層の少なくとも一部を状態変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
【0019】
(2)前記誘電体層の状態変化が結晶成長であることを特徴とする(1)の光記録再生方法。
【0020】
(3)基板と、少なくとも前記基板上に隣接して設けられた記録補助層及び誘電体層を含む記録層と、を有してなり、前記誘電体層は、状態変化を起こす母材を含み、前記記録補助層は状態変化促進材を含んでなり、ここに、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、該母材が状態変化することによりレーザービームにより読み取り可能に反射率が変化され、前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
【0021】
(4)前記記録補助層は、Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Agのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分として含むことを特徴とする(3)の光記録媒体。
【0022】
(5)前記誘電体層は、Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、SiN、Ta2O5及びSiCからなる群より選択される少なくとも1種の誘電体材を主成分とすることを特徴とする(3)又は(4)の光記録媒体。
【0023】
(6)基板と、少なくとも前記基板上に隣接して設けられた記録補助層及び誘電体層を含む記録層と、を有してなり、前記記録補助層は、Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Agのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分として含むことを特徴とする光記録媒体。
【0024】
(7)前記誘電体層は、Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、SiN、Ta2O5及びSiCからなる群より選択される少なくとも1種の誘電体材を主成分とすることを特徴とする(6)の光記録媒体。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態の例を図面を参照して詳細に説明する。
【0026】
この実施の形態の例に係る光記録媒体10は、追記型であり、図1に示されるように、基板12と、基板12上に、記録補助層14及びその両側に隣接する誘電体層16A、16Bを有して記録層18が設けられ、その上に光透過層20が設けられることによって構成されている。又、光記録媒体10の中央部分には孔が設けられている。このような構造を有する光記録媒体10に対しては、光透過層20側からレーザービームLBを照射することによってデータの記録/再生が行なわれる。なお、記録補助層14の一方のみに誘電体層16A又は16Bを設けてもよい。
【0027】
基板12は、光記録媒体10に求められる機械的強度を確保するための基体としての役割を果たし、その表面にはグルーブ22及び/又はランド24が設けられている。これらグルーブ22及びランド24は、データの記録及び再生を行なう場合におけるレーザービームのガイドトラックとしての役割を果たす。
【0028】
基板12の厚さは約1.1mmに設定され、その材料としては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性等の点からポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
【0029】
前記誘電体層16A、16Bは、母材として、レーザービーム照射等のエネルギーにより、光反射率等の光学特性が変化される状態変化材料を含んで構成されている。
【0030】
この母材としての誘電体材は、状態変化を起こす材料であれば特に限定されず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み合わせを主成分として用いることができる。より具体的には、Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、SiN、Ta2O5及びSiCからなる群より選択される少なくとも1種の誘電体材を主成分とすることが好ましく、ZnS−SiO2からなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。
【0031】
なお、「誘電体材を主成分とする」とは、上記誘電体材の含有率が最も大きいことを言う。又、「ZnS−SiO2」とは、ZnSとSiO2との混合物を意味する。
【0032】
又、誘電体材の層厚は特に限定されないが、5〜200nmであることが好ましい。この層厚が5nm未満であると、母材の充分な状態変化があったとしても、層全体としての光反射率等の光学特性の充分な変化が望めないことに加え、信号としてのC/Nが不十分となる。一方、層厚が200nmを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下する恐れがあり、更に、誘電体層16A、16Bのもつ応力によってクラックが発生する恐れがある。又、前記記録補助層14の影響が及ばない部分が残ることも考えられる。
【0033】
前記記録補助層14は、母材の反応を促進させる層であり、上記のように少なくともその一方に誘電体層16A、16Bが隣接して構成されるが、所定以上のパワーを持つレーザービームが照射されると、その熱によって、記録補助層14を構成する元素が誘電体層16A、16Bに影響を与え、誘電体層16A、16Bを構成する層が部分的又は全体的に状態変化(例えばアモルファスが結晶化へ移行)することにより記録マークとなる。このとき、記録層18において記録マークの形成された部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する光学特性が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行なうことができる。
【0034】
又、記録補助層に含まれる記録補助材自身の状態変化(例えば結晶成長)を伴ってもよい。この場合、この変化によってC/Nの向上が期待できる。
【0035】
前記記録補助層14は、Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Agのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分とする。
【0036】
ここで言う主成分は、記録補助層14を構成する元素の50%以上を占めることが好ましく、より好ましくは80原子%である。
【0037】
50原子%以下になると誘電体材料を変化させる効果が不十分となり、C/Nが小さくなってしまう。更には記録感度が悪くなり、高いレーザーパワーで記録することで膜自身の破壊等が起こりやすくなり、保存信頼性が悪化する。
【0038】
更に、誘電体層の状態変化を良好に行うために必要となるレーザービームのパワーをある程度低く抑えるためには、80原子%以上であることが好ましい。
【0039】
前記記録補助層14の層厚は、レーザービームのビームスポットが照射されることによって誘電体層16A、16Bを変化させるために充分な層厚であり、なお且つ必要以上に積層すると、より多くの熱量が必要となるため1〜50nmであることが好ましく、2〜30nmであることがより好ましい。
【0040】
光透過層20は、レーザービームの入射面を構成すると共にレーザービームの光路となる層であり、その厚さとしては10〜300μmに設定することが好ましく、50〜150μmに設定することが特に好ましい。光透過層20の材料としては特に限定されないが、アクリル系やエポキシ系等の紫外線硬化型樹脂を用いることが好ましい。又、紫外線硬化型樹脂を硬化させてなる膜の代わりに、光透過性樹脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用いて光透過層20を形成してもよい。
【0041】
次に、上記光記録媒体10の製造方法の一例について説明する。
【0042】
まずグルーブ22及びランド24が形成された基板12上に第2(光入射側からは2番目となる)の誘電体層16Bを形成する。第2の誘電体層16Bの形成には、例えば第2の誘電体層16Bの構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いることができる。このような気相成長法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【0043】
次に、第2の誘電体層16B上に記録補助層14を形成する。この記録補助層14も、第2の誘電体層16Bと同様にして、記録補助層14の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。更に、記録補助層14上に第1(光入射側からは1番目となる)の誘電体層16Aを形成する。この第1の誘電体層16Aも、第1の誘電体層16Aの構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用いて形成することができる。
【0044】
最後に、第1の誘電体層16A上に光透過層20を形成する。光透過層20は、例えば、粘度調整されたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化型樹脂をスピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化する等の方法により形成することができる。以上により、光記録媒体の製造が完了する。
【0045】
なお、上記光記録媒体の製造方法は、上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることができる。
【0046】
次に、上記光記録媒体10を用いた光記録再生方法について説明する。
【0047】
光記録媒体10に対して、所定の出力を有するレーザービームLBを光透過層20側から入射し記録補助層14に照射する。このとき、レーザービームLBを集束するための対物レンズ26の開口数(NA)は0.7以上、特に0.85程度であることが好ましく、レーザービームLBの波長λは450nm以下、特に405nm程度であることが好ましい。このようにして、λ/NA<640nmとすることが好ましい。
【0048】
このようなレーザービームLBの照射により、記録補助層14を構成する元素がレーザービームLBにより加熱され、これら元素が隣接する誘電体層16A、16Bに影響を与えて、部分的又は全体的に状態変化(例えばアモルファスから結晶への移行)して、記録マークが形成される。記録マークの形成された部分の光学特性は、それ以外の部分(未記録領域)の光学特性と十分に異なった値となる。従って、読取り用のレーザービームを照射したときの、記録マーク部分とそれ以外の部分とでの反射率の相違により、データの再生をすることができる。すなわち、光学特性の変調を利用してデータの記録・再生を行なうことが可能となる。
【0049】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることは言うまでもない。
【0050】
例えば、上記実施態様に係る光記録媒体10においては、記録補助層14が第1及び第2の誘電体層16A、16B間に挟持されているが、図2に示される実施の形態の第2例の光記録媒体30のように、誘電体層16A又は16Bの一方を省略して記録層32を構成しても構わない。
【0051】
又、上記実施態様に係る光記録媒体10、30においては、記録補助層14が単層で構成されているが、本発明の光記録媒体はこれに限定されるものではなく、同様の効果を有するものであれば、2層以上の層から構成されたものであってもよい。
【0052】
更に、上記実施態様に用いる光記録媒体10、30において、基板12上には反射層が備えられていないが、記録マークが形成された領域における反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベルを充分大きくするために、図3に示される光記録媒体50のように、反射層52を設けてもよい。
【0053】
反射層52は、光透過層20側から入射されるレーザービームを反射し、再び光透過層20から出射させる役割を果たし、その厚さとしては5〜300nmに設定することが好ましく、10〜200nmに設定することが特に好ましい。反射層52の材料はレーザービームを反射可能である限り特に制限されず、例えば、Mg、Al、Ti、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Ag、Pt、Au等を用いることができる。これらのうち、高い反射率を有することから、Al、Au、Ag、Cu又はこれらの合金(AlとTiとの合金等)などの金属材料を用いることが好ましい。反射層52を設けることにより、光記録後において多重干渉効果により高い再生信号(C/N比)が得られ易くなる。
【0054】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明について更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【0055】
[光記録媒体の準備]
(実施例1〜3)
以下に示す手順により、光記録媒体を作製した。
【0056】
まず、厚さ:1.1mm、直径:120mmのポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、このポリカーボネート基板の光反射層(実施例2のみ)上に、ZnSとSiO2の混合物からなる第2の誘電体層、Snからなる状態変化促進層、ZnSとSiO2の混合物からなる第1の誘電体層(実施例1、2のみ)を順次スパッタ法により形成した。
【0057】
次に、第1の誘電体層上に、アクリル系紫外線硬化型樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光透過層(層厚:100μm)を形成した。
【0058】
なお、第1の誘電体層及び第2の誘電体層においてZnSとSiO2のモル比率は、ZnS:SiO2=80:20となるようにした。
【0059】
(実施例4〜14)
誘電体層、基板、光透過層は、実施例1と同一で、記録補助層をSn以外の各種金属又は半金属として光記録媒体を作製した。
【0060】
(比較例1〜3)
実施例4〜14に対して記録補助層の材料を変えたのみで、他は同一条件として光記録媒体を作製した。
【0061】
(実施例15〜18)
記録補助層をSnとし、誘電体層の材料を変えて光記録媒体を作製した。
【0062】
[記録・再生]
上記の光記録媒体をそれぞれ作製し、それぞれを光ディスク評価装置(商品名:DDU1000、パルステック社製)にセットした。そして、各光記録媒体に対し、記録に用いるレーザービームの波長を青色波長域(405nm)、対物レンズのNA(開口数)を0.85とし、このレーザービームを記録ヘッド内の集光レンズで光透過層側から光記録媒体に集光し、光記録を行なった。
【0063】
このときの記録信号の条件は、変調方式:(1,7)RLL、チャンネルビット長:0.12μm、記録線速度:5.3m/s、チャンネルクロック:66MHz、記録信号:8Tとした。
【0064】
続いて、各実施例及び各比較例毎に作製した状態変化促進材層の材料や層厚及び誘電体層の材料や層厚が異なる光記録媒体について、先に述べた光ディスク評価装置を用いて記録した情報を再生し、そのときの再生信号のC/N比の値を測定した。ここで、再生装置においては、再生に用いたレーザービームの波長は405nm、対物レンズのNA(開口数)を0.85とし、レーザービーム出力は0.3Wとした。
【0065】
その結果を表1〜表4に示す。
【0066】
【表1】
【0067】
【表2】
【0068】
【表3】
【0069】
【表4】
【0070】
これらの表に示す結果から明らかなように、実施例1〜18では、C/N比が30dB以上と良好な構成が得られ、これらの光記録媒体を用いて光記録・再生が充分可能である結果が得られた。
【0071】
実施例1、4の光記録媒体の、記録・未記録部分を透過型電子顕微鏡にて観察したところ、記録部分にZnS及びSnの結晶化がみられた。又、X線回析でも記録後にZnS及びSnの結晶化が確認できた。
【0072】
前記X線回折では、X線はCu−Kαを使用した管電圧=50kV、管電流=300mAである。回折ピークの同定はJCPDSカードを照合した。例えば、β−Snは、04−0673の番号の材料であり、これを照合することでβ−Snの回折の位置が分かる。
【0073】
実施例1(80:20/Sn/80:20 積層型)の構造にて記録部分と未記録部分をX線回折によって解析を行った(図4A、4B参照)。
【0074】
未記録時(図4A)にはβ−Snの回折ピークとZnSのブロードな回折ピークが見られ、このことからSnは結晶であり、ZnSはアモルファスであることが分かる。記録後(図4B)はZnSの鋭い回折ピークが強く見られるようになり、結晶化が起きていることが分かる。又、Snに関しては、β−Snの回折ピークも観察され、SnO2、SnSの回折ピークは観察されなかった。
【0075】
実施例4(80:20/Ti/80:20 積層型)の構造にて記録部分と未記録部分をX線回折によって解析を行った(図5A、5B参照)。
【0076】
未記録時(図5A)には、わずかにZnSのブロードな回折ピークが見られ、Tiについては、回折ピークは見られなかった。このことからZnSはアモルファスであることが分かる。記録後(図5B)は複数のZnSの回折ピークが見られるようになり、結晶化が起きていることが分かる。又、Znの回折ピークが現れており、記録によって、ZnSとZnの結晶化が進行することが分かる。
【0077】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の光記録再生方法及び光記録媒体によれば、環境に与える負荷を小さくしながら単純な構成で、なお且つ今までにない新規な方法によりデータを記録・再生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の第1例に係る光記録媒体を示す模式図
【図2】本発明の実施の形態の第2例に係る光記録媒体を示す模式図
【図3】本発明の実施の形態の第3例に係る光記録媒体を示す模式図
【図4A】実施例1の光記録媒体での未記録部分のX線回折結果を示す線図
【図4B】実施例1の光記録媒体での記録部分のX線回折結果を示す線図
【図5A】実施例4の光記録媒体での未記録部分のX線回折結果を示す線図
【図5B】実施例4の光記録媒体での記録部分のX線回折結果を示す線図
【符号の説明】
10、30、50…光記録媒体
12…基板
14…記録補助層
16A、16B…誘電体層
18、32…記録層
20…光透過層
52…反射層
LB…レーザービーム
Claims (5)
- 基板上に、少なくとも記録補助層と誘電体層とを隣接して存在させて形成した記録層に、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームを照射して、前記誘電体層の少なくとも一部を状態変化させることにより光学特性を変化させて情報を記録し、且つ、この光学特性の変化に伴う反射率の変化を読み取って、前記情報を再生することを特徴とする光記録再生方法。
- 請求項1において、前記誘電体層の状態変化が結晶成長であることを特徴とする光記録再生方法。
- 基板と、少なくとも前記基板上に隣接して設けられた記録補助層及び誘電体層を含む記録層と、を有してなり、前記誘電体層は、状態変化を起こす母材を含み、前記記録補助層は状態変化促進材を含んでなり、ここに、外部から記録されるべき情報に応じて強度変調されたレーザービームが照射されて、該母材が状態変化することによりレーザービームにより読み取り可能に反射率が変化され、前記情報の再生が可能とされたことを特徴とする光記録媒体。
- 基板と、少なくとも前記基板上に隣接して設けられた記録補助層及び誘電体層を含む記録層と、を有してなり、前記記録補助層は、Sn、Ti、Si、Bi、Ge、C、V、W、Zr、Zn、Mg、Mn、Agのうちの少なくとも一つから選択される元素を主成分として含むことを特徴とする光記録媒体。
- 請求項4において、前記誘電体層は、Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、SiN、Ta2O5及びSiCからなる群より選択される少なくとも1種の誘電体材を主成分とすることを特徴とする光記録媒体。
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