JP2003531796A - サブストレート管及び光ファイバーのプリフォームを製造する方法 - Google Patents

サブストレート管及び光ファイバーのプリフォームを製造する方法

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Abstract

(57)【要約】 光学的データ伝送技術のための光ファイバーのプリフォームの製造法において、複雑な屈折率分布を製造する方法の生産性が、径方向に異なるドーピングを示す石英ガラスでできたサブストレート管を提供し、合成石英ガラスでできたコアガラスをサブストレート管の内側に導入し、サブストレート管をジャケット管で被覆することにより改善される。又、内付け成長法等を実施する際に、プリフォームを製造するのに少ないコアガラス材しか必要としない、この方法に適するサブストレート管が提供される。方法に関しては、石英ガラスの屈折率を増加させる第１のドーパントを、ＳｉＯ２ブランクの第１の径方向の部分に添加することによりコアガラス層を製造し、このコアガラス層に管状の多孔性ＳｉＯ２ブランクを設け、その多孔性ＳｉＯ２ブランクをガラス化することにより得られるサブストレート管を使用する方法を、本発明では提案している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、径方向に異なるドーパントを有する石英ガラスでできたサブストレ
ート管を用意し、合成石英ガラスでできたコア・ガラスを導入し、サブストレー
ト管をジャケット管で被覆することにより、光学的データ伝送技術のための光フ
ァイバーのプリフォームを製造する方法に関する。
【０００２】 更に、本発明は、光学的データ伝送技術のための光ファイバーのプリフォーム
を製造するための石英ガラスでできたサブストレート管であって、該プリフォー
ムがマントル部で覆われたコア・ガラスを含み、該マントル部の少なくとも一部
が径方向に異なるドーパントを有するサブストレート管の形で提供される、サブ
ストレート管に関する。
【０００３】 （背景技術） 一般的に、光ファイバーのプリフォームは、低い屈折率を有する材質でできた
クラッドに覆われたコアを有する。合成石英ガラスからプリフォーム・コアを製
造する主な製造方法には、ＶＡＤ（気相軸付け）法、ＯＶＤ（外付け気相成長）
法、ＭＣＶＤ（内付け気相成長）法、及びＰＣＶＤ（プラズマ気相成長）法と呼
ばれる方法がある。これら全ての方法において、コア部は、ＳｉＯ２粒子をサブ
ストレート上に堆積し、ガラス化して製造される。ＶＡＤ法及びＯＶＤ法におい
ては、サブストレート上の外側からコア部は堆積され、ＭＣＶＤ法及びＰＣＶＤ
法においては、いわゆるサブストレート管の内側からコア部は堆積される。サブ
ストレート管は、光学的に活性なクラッド又はその一部を形成してよい。光ファ
イバーの設計に応じて、サブストレート管は、ドープ石英ガラス又は非ドープ石
英ガラスにより構成される。更に、プリフォームの製造としては、コア・ガラス
でできたロッドをジャケット管に挿入し、ジャケット管と融合させるという、い
わゆるロッド・イン・チューブ法が知られている。光ファイバは、プリフォーム
を伸長させることにより、プリフォームから得られる。
【０００４】 方法によっては、クラッド・ガラスが別の方法（ＯＶＤ法、ＭＣＶＤ法、プラ
ズマ法、ロッド・イン・チューブ法）で製造されたり、あるいは、いわゆるＶＡ
Ｄ法では一般的であるように、クラッド・ガラス及びコア・ガラスの両者が同時
に製造されたりする。コア・ガラス及びクラッド・ガラスの比屈折率差は、適切
なドーパントを添加することにより調整される。複数のドーパント、特に、ゲル
マニウム、燐、及びチタンが屈折率を増加させるのに適切である一方、フッ素及
びホウ素は屈折率を減少させるということが知られている。
【０００５】 単純な光ファイバの設計においては、第１の屈折率を有する石英ガラスででき
たコアは、第２のより低い屈折率を有する石英ガラスでできたマントルで被覆さ
れる。しかし、光ファイバの最適化、特に、複数の波長を同時に伝送する光ファ
イバの最適化や、より高い伝送速度用の光ファイバの最適化の過程で、実質的に
より複雑な屈折率分布を有する光ファイバの設計が生み出されている。たとえば
、ＥＰ−Ａ１ ７８５，４４８では、いわゆる偏光モード分散を低減すると考え
られている“二重コア及び二重クラッド”と呼ばれるファイバ設計を有する石英
ガラスの光ファイバが記載されている。
【０００６】 プリフォーム及びそれに適した前述に記載した種類のサブストレート管の製造
方法としては、ＥＰ−Ａ２ ４３４，２３７に記載された方法が知られている。
この文献では“ディプレスド−クラッド型”と文献中で呼ばれている単一モード
光ファイバの製造方法が記載されている。このファイバのプリフォームは、内付
け成長法（ＭＣＶＤ法）により製造される。このため、フッ素ドープ処理した石
英ガラスでできた内側クラッド・ガラス層が、サブストレート管の内壁に最初に
堆積され、その後、Ｇｅドープ処理された石英ガラスでできたコア・ガラス層が
堆積される。ここで使用される石英ガラスでできたサブストレート管は、管の壁
の肉厚方向に様々なレベルにフッ素ドーピングされた領域を有してよい。内側が
このようにコーティングされたサブストレート管は潰され、続いて、ジャケット
・ガラスでできたいわゆる“ジャケット管”で被覆され、プリフォームが形成さ
れる。
【０００７】 分散シフト光ファイバ又は、いわゆる分散補償光ファイバは、公知の方法で製
造可能であるが、公知のサブストレート管においては、複数の内層を積層する必
要がある。
【０００８】 ＭＣＶＤ成長法の実施中、層の数や層の厚みが増加するにつれて、サブストレ
ート管の内径が減少し、それと同時に内側の表面も減少する。したがって、ＭＣ
ＤＶ法の工程の進行につれて、成長効率が減少する。この成長効率の減少は、内
径を増加させることにより、ある程度であれば食い止めることができる。なぜな
ら、成長に必要な温度は、通常、外からの加熱により創出されるからである。し
かし、サブストレート管の内側の成長状態を維持するためには、サブストレート
管の内径を増加させることが必要であり、又は、サブストレート管の壁厚を増加
させるには、外気温を上昇させる必要がある。しかし、サブストレート管の軟化
や塑性変形がないように、外気温の上昇は制限される。それ故更に、サブストレ
ート管内径の潰れにより、肉厚の又は、厚い内層を持った大きなサブストレート
管の形成が困難になる。
【０００９】 （発明の開示） したがって、本発明の目的は、複雑な屈折率分布が非常に生産的な方法で製造
され得る、効果的かつ経済的なプリフォームの製造方法を提供すること、及び、
プリフォームに適した、内付け成長法又はロッド・イン・チューブ法のいずれの
方法においてもコア・ガラス・ロッドに少ないコア・ガラス材しか必要としない
サブストレート管を提供することである。
【００１０】 方法に関して、本発明の目的は、石英ガラスの屈折率を増加させる第１のドーパ
ントを、ＳｉＯ２ブランクの第１の径方向の部分にガラス化の前に添加すること
によりコア・ガラス層を形成し、このコア・ガラス層を生ずる管状の多孔質Ｓｉ
Ｏ２ブランクをガラス化することにより得られるサブストレート管を使用した、
前記に記載の方法に基づき達成される。
【００１１】 上記の方法で使用されるサブストレート管は、コア・ガラス層を含む。このコ
ア・ガラス層とは、サブストレート管の全肉厚の径方向の一部分で、一般的には
、石英ガラスの屈折率を増加させるドーパントを含む、サブストレート管の径方
向の外側に向かって広がる厚みを有する環状の断面の円筒部を意味する。このよ
うなドーパントとしては、例えば、ゲルマニウム、燐、塩素、エルビウム、又は
チタンを含む。したがって、一般的には、コア・ガラス層の屈折率は、非ドープ
石英ガラスの屈折率よりも高い。非ドープ石英ガラスの屈折率は、５８９．３
ｎｍ（ナトリウムランプのＤ−ｌｉｎｅ）の測定波長で、ｎＤ＝１．４５８５〜
１．４５８９であると文献中には示されている。サブストレート管は、一又は複
数のコア・ガラス層を有してよい。コア・ガラス層に加えて、ドーピングがコア
・ガラス層とは異なる少なくとも一つの層が設けられる。したがって、サブスト
レート管の肉厚を径方向に見ると、サブストレート管には異なるドーピングを有
する複数の層がある。これらの層は、例えば、複数の異なるドープ処理が施され
た管を接合することにより、又は、石英ガラス管の表面上にガラス層を堆積させ
ることによっては製造されないが、多孔質ＳｉＯ２ブランクの製造中又はその後
処理において直接製造される。サブストレート管は、ＳｉＯ２ブランクをガラス
化することにより得られる。
【００１２】 コア・ガラス層は、ガラス化する前に石英ガラスの屈折率を増加させる第１のド
ーパントが添加された、多孔質ブランクの径方向の部分から生じる。ＳｉＯ２ブ
ランクは、一般的に、シリコン含有化合物を火炎加水分解し、いわゆる“すす法
”によりサブストレート上にＳｉＯ２粒子を堆積させて製造される。多孔質Ｓｉ
Ｏ２ブランクは、いわゆる直接ガラス化法と違った、別の焼成方法でガラス化さ
れる。ＳｉＯ２ブランクは多孔質であるため、ガラス化の前に、例えば洗浄、乾
燥、ドーピングの添加などの処理が容易に行われる。多孔質ＳｉＯ２ブランクを
乾燥することにより、ＯＨ基含有率の低いコア・ガラス層を製造することが可能
となる。
【００１３】 選択した部分をドーピングする代わりに、ＳｉＯ２ブランクは最初、サブスト
レート管の肉厚全体に均一に分布した第１のドーパントを有することもできる。
この第１のドーパントは、後の工程で、少なくとも部分的に径方向の部分から除
去され、又は、第１のドーパントにより生じた屈折率の増加が、全体的に又は部
分的に補償され、又は第２のドーパントにより過補償される。コア・ガラス層に
おいて、ドーパントの分布は均一にすることもできるが、徐々に変化していく分
布部や、最大分布部、または最小分布部を有することもできる。
【００１４】 ガラス化されたブランクを最終的に所定の寸法に伸長するだけでなく、化学的
又は機械的に処理して、例えば、仕上げ面をエッチング又は研磨することにより
、サブストレート管を所定の形状及び所定の仕上げ面品位に仕上げることができ
る。サブストレート管の残りのコア・ガラスが、内付け成長法（ＭＣＶＤ法又は
ＰＣＶＤ法）により製造される場合は、内付け成長後にできたサブストレート管
及びコア・ガラスの結合体は潰される（コラプス）。それと同時に、いわゆるジ
ャケット管という形で、クラッド・ガラスをさらに追加することができ、光ファ
イバが引き伸ばされる。残りのコア・ガラスが、コア・ガラス・ロッドという形
で、サブストレート管に追加される場合、結果として生じるサブストレート管及
びコア・ガラス・ロッドの両方が融合され、その結果、外套管（ジャケット管）
という形で、さらにクラッド・ガラスを追加することができる。サブストレート
管が既に適切な寸法である場合には、追加のジャケット管は必要ないかもしれな
い。
【００１５】 本発明により製造されたプリフォームから、コア・ガラス層が光伝播を行う、
データ伝送用の光ファイバが得られる。普通、少なくとも一つのコア・ガラス層
が、複雑な屈折率分布の一部となる。そうなるように、プリフォームの各部は、
サブストレート管により提供されるが、公知の方法では、コア・ガラス自体が製
造されるまではサブストレート管は製造されない。サブストレート管自体は、よ
り経済的かつ生産的なＯＶＤ法で製造することができる。本発明により、高額な
費用がかかり、かつ効率の低い光ファイバのコア部の製造方法が、より生産性の
高い製造方法に置き換わる。たとえば、ＭＣＶＤ法でサブストレート管により提
供されたコア・ガラス層は、サブストレート管の内側をコーティングすることに
より付加的に製造されなければならなかった。そのため、内層の数や厚みがその
分増し、成長の効果に関する上記の問題を甘受しなければならなかった。対照的
に本発明の方法では、光伝播層の一部がサブストレート管により提供される。こ
のようにして、複雑な屈折率分布を有する、生産的で効率的な、大きな体積のプ
リフォームの生産が可能となる。サブストレート管により提供されたコア・ガラ
ス層は、光を伝播する役目を果たし、光ファイバのコア領域の一部となる。した
がって、追加する必要のあるコア・ガラスの量が減少する。本発明で意味すると
ころの“コア・ガラス”とは、コア領域を完成するのに必要な石英ガラス材のこ
とである。本発明の方法は、単一モードファイバの製造に主に適するが、多モー
ドファイバの製造にも適する。
【００１６】 製造方法の好ましい実施態様において、多孔質ＳｉＯ２ブランクは、シリコン
化合物を火炎加水分解し、キャリア上にＳｉＯ２粒子を堆積させ、堆積中に第１
のドーパントを添加することにより形成される。この場合、コア・ガラス層を含
めたサブストレート管は、ＯＶＤ法により製造される。第１のドーパントは、シ
リコン化合物に化合物等のドーパント又は化合物の形でドーパントを添加、又は
、第１のドーパントを含む雰囲気を維持することにより、ＳｉＯ２粒子を堆積し
ている間に添加される。ＳｉＯ２ブランクの径方向に非均一な屈折率分布は、ド
ーパントの有効濃度又は温度を処理時間中変化させ、その後第１のドーパントを
ＳｉＯ２ブランクの一部から除去又は、別のドーパントを使って部分的に補償す
ることにより得られる。
【００１７】 コア・ガラスは、ロッド・イン・チューブ法又は内付け法（ＭＣＶＤ法及びＰＣ
ＶＤ法）により、サブストレート管の内側に導入されるが、後者の方法のほうが
、高純度で非常にＯＨ基含有率の低い内層の製造が容易になるので好ましい。
【００１８】 堆積後、ガラス化の前に、多孔質ＳｉＯ２ブランクの少なくとも径方向の第２の
部分を、石英ガラスの屈折率を変化させる第２のドーパントを用いてドープ処理
するという方法を実施するのが特に効果的である。第２のドーパントは、ＳｉＯ２ ブランクの肉厚の径方向に均一に分布される。第２のドーパントを含む液体を
ＳｉＯ２ブランクに含浸させることにより、又は、気相拡散することにより、第
２のドーパントのこのような分布を、非常に簡単に経済的に実現することができ
る。これにより、複雑な屈折率の創出が容易になる。ガラス化後、コア・ガラス
層は第１のドーパント及び第２のドーパントの混合物を含み得る。
【００１９】 ＳｉＯ２ブランクを、第２のドーパントを含有する雰囲気に曝露して加熱するこ
とにより、第２の径方向の部分が有利にドープ処理される。この方法（以後、“
気相ドープ法”と呼ぶ）により、ＳｉＯ２ブランクを第２のドーパントで非常に
効果的かつ均一にドープ処理することが可能になる。
【００２０】 第２のドーパントとして、フッ素を使用するのが好ましい。フッ素は、石英ガ
ラスの屈折率を低減させる。多孔質ＳｉＯ２ブランク又はその径方向の部分の一
つをフッ素でドープ処理すると、複雑な屈折率を有するサブストレート管の製造
が容易になる。このように、ガラス化後、サブストレート管は、石英ガラスより
も屈折率が低いクラッド層を有し得る。このようなサブストレート管は、分散補
償単一モード光ファイバ（いわゆるＤＣファイバ）の製造に特に適している。こ
のファイバの屈折率分布には、通常、低い屈折率を有する領域と、高い屈折率を
有する領域が含まれる。公知の方法と比較して、本発明の方法を使ってこのよう
なファイバを製造すると、サブストレート管を通じて両領域が全体又は少なくと
も一部に現れるので、非常に効果的で簡単である。
【００２１】 第１のドーパントとして、ゲルマニウムを含む化合物が使用される。ゲルマニウ
ムは、石英ガラス中に、ゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ２）の形で存在する。ゲル
マニウム酸化物の透過特性は、赤外線スペクトルにおける光波の伝播に特に適し
ている。
【００２２】 コア・ガラス層の屈折率を１．４５９３〜１．４９０の範囲内に調整すること
が有用であること分かっている。この範囲内に調整することにより、特に約１５
５０ｎｍの伝播波長で、広いモーダル・フィールド帯域を有する光ファイバを、
非常に経済的かつ効果的に製造することが可能となる。コア・ガラス層とは、上
記の範囲内の屈折率を有するサブストレート管の径方向の部分である。屈折率は
、コア・ガラス層の厚み全体で均一であってもよいが、異なってもよい。
【００２３】 サブストレート管に関する限り、上記の目的物は、少なくとも１．４５９の屈折
率を有するコア・ガラス層を含む上記のサブストレート管を基にして得られる。
【００２４】 サブストレート管はコア・ガラス層を含む。つまり、この層は、少なくとも１
．４５９の屈折率を有する、サブストレート管の全肉厚の径方向の一部分である
。この屈折率は、５８９．３ｎｍの波長で測定して、文献に記載されている１．
４５８５〜１．４５８９の屈折率を有する非ドープ石英ガラスの屈折率よりも高
い。サブストレート管は、一ないし複数のコア・ガラス層を有し得る。コア・ガ
ラス層に加えて、ドーピングがコア・ガラス層とは異なる少なくとも一つの層が
形成される。サブストレート管の肉厚方向に見ると、サブストレート管には、異
なるドーピングの層が複数ある。これらの層は、例えば、複数の異なるドープ処
理が施された管を接合することにより、又は、石英ガラス管の表面上にガラス層
を堆積させることによっては形成されないが、その代わりに、多孔質ＳｉＯ２ブ
ランクの製造中又はその後処理において直接形成される。上記のように、シリコ
ン含有化合物を火炎加水分解し、いわゆる“すす法”によりサブストレート上に
ＳｉＯ２粒子を堆積させることにより一般的に製造されるＳｉＯ２ブランクをガ
ラス化させて、サブストレート管が得られる。多孔質ブランクのガラス化は、い
わゆる“直接ガラス化法”とは違った、別個の焼成法でガラス化される。
【００２５】 サブストレート管を使って形成されたプリフォームから得られる光ファイバー
において、コア・ガラス層は、光を伝播させる役目を果たし、通常、複雑な屈折
率分布の一部となる。したがって本発明では、プリフォームの各部はサブストレ
ート管によって提供されるが、公知の方法では莫大な費用をかけてコア・ガラス
の製造中に製造される。これにより、複雑な屈折率分布を有する体積の大きいプ
リフォームを効果的に製造することが容易になる。サブストレート管自体は、よ
り経済的かつ生産的なＯＶＤ法により製造することができる。この場合、サブス
トレート管により提供されたコア・ガラス層は、光を伝播させる役目を果たし、
この点で、光ファイバのコア領域の一部である。このように、付加的に加えられ
るコア・ガラスの量が減少する。
【００２６】 本発明のサブストレート管は、単一モード光ファイバ及び多モード光ファイバ
のプリフォームを製造するために使用してもよい。いずれにしても、コア・ガラ
スがサブストレート管の内側に導入される。このコア・ガラスの導入は、サブス
トレート管の内壁に石英ガラス層を堆積させ、その後、内側が被覆されたサブス
トレート管を潰すという手段で、ＭＣＶＤ法又はＰＣＶＤ法を用いて実施される
。また、本発明のサブストレート管は、ロッド・イン・チューブ技術でプリフォ
ームを製造するのにも適している。サブストレート管の形状及び仕上げ面の品質
を、例えば、仕上げ面をエッチング又は研磨することにより、又は、最終的に所
定の寸法に伸長することにより、所望の形状及び仕上げ面の品質に調整するには
、化学的処理又は機械的処理が必要であるかもしれない。
【００２７】 これに関連して、本発明のプリフォームの製造に関する前述の詳細な説明に着
目する。
【００２８】 コア・ガラス層は、プリフォームのコア・ガラスに隣接して設けられる。プリ
フォームの光伝播領域の実体部分は、サブストレート管により提供される。コア
・ガラス層は、均一にドープ処理された中心コア・ガラス領域の一部あるいは複
雑な屈折率分布の一部を形成してよい。いずれの場合も、コア・ガラス層及び隣
接するコア・ガラスの屈折率は、同一であっても異なってもよい。
【００２９】 サブストレート管が、フッ素ドープ処理した石英ガラスからなるクラッド・ガ
ラス層を含む場合、特に有用であることがわかっている。このようなサブストレ
ート管は、分散補償単一モード光ファイバ（いわゆるＤＣファイバ）の製造に特
に適している。この光ファイバの屈折率分布は、一般的に、低い屈折率の領域と
、高い屈折率の領域とを有する。公知の方法と比較して、本発明の方法でこのよ
うな光ファイバを製造すると、両領域がサブストレート管の全体又は少なくとも
一部に現れるので、非常に効果的で簡単である。
【００３０】 コア・ガラス層はゲルマニウムを含むと有利である。ゲルマニウムは、コア・ガ
ラス中に、ゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ２）の形で存在し、石英ガラスの屈折率
を増加させる。ゲルマニウム酸化物の透過特性は、赤外線スペクトルにおける光
波の伝播に非常に適している。
【００３１】 １．４５９３〜１．４９０の範囲内の屈折率を有するコア・ガラス層が、有益で
あることが分かっている。このような種類のサブストレート管により、約１５５
０ｎｍの伝播波長で広いモード・フィールド帯域を有する光ファイバを、非常に
経済的かつ効果的に製造することができる。ここでいうコア・ガラス層とは、屈
折率がコア・ガラス層の厚み全体で同じであるか異なるかにかかわらず、上記の
範囲内の屈折率を有するサブストレート管の径方向の部分を意味する。
【００３２】 コア・ガラス層のヒドロキシイオンの含有率が最大１重量ｐｐｍである場合、
本発明のサブストレート管を使って製造されたファイバの赤外波長領域における
損失が低いため、特に有益である。ヒドロキシル基は、赤外波長領域では吸収作
用があるので、この波長領域内で損失を低く抑えることに重点が置かれる光ファ
イバにおいては、ＯＨ基含有率が低いことが特に重要である。このことは、例え
ば、光学的データ伝送技術で使用される約１３１０ｎｍ、約１５５０ｎｍ、又は
その間の伝播波長の場合に当てはまる。
【００３３】 本発明のサブストレート管の特に十分に立証された実施形態は、拡散遮断層が
コア・ガラス層に隣接して設けられるというサブストレート管である。拡散遮断
層により、段階的な屈折率分布の製造が容易になる。なぜなら、拡散遮断層は、
ドーパント含有雰囲気下で多孔質ＳｉＯ２ブランクを後処理する際に、拡散遮断
層を超える部分にドーパントが不要に拡散するのを防ぐからである。拡散遮断層
は複数あってもよい。拡散遮断層は、簡単な方法、例えば、堆積中に、いくつか
のＳｉＯ２ブランク領域を圧縮することにより、形成される。
【００３４】 （発明を実施するための最良の形態） 図１ａ、図２ａ、及び図３ａに基づき、以下に詳細に説明する屈折率分布では
、各々の場合のｙ軸は、比屈折率差 D=(ｎ１-ｎ２)/ｎ２［％］を表し、ｎ１は
対応する光ファイバーの光伝搬領域における絶対屈折率を表す。基準点ｎ２は、
各ファイバーの外部マントル領域の屈折率を表し、以下の典型的な実施例におい
て、５８９．３ ｎｍの波長で常に１．４５８９である。光ファイバーの半径を
ｘ軸上にμｍで示す。
【００３５】 図１ａの屈折率は、所謂ＬＥＡＦファイバー（ｌａｒｇｅ ｅｆｆｅｃｔｉｖ
ｅ ａｒｅａ ｆｉｂｅｒ）の代表例である。ＥＰ−Ａ２ ７７５ ９２４にこ
のようなファイバーが記載されている。分散シフトファイバーと比較すると、こ
の屈折率分布はモードフィールド径が大きくなり、そのため、光ファイバーでは
低平均エネルギー密度になる。これは、いわゆる自己位相変調（ＳＰＭ）のよう
な非線形効果が減少するのにとって望ましい。更に、この屈折率分布により、分
散の増大を低減化する。
【００３６】 屈折率分布は、合計５個のコア層によって明確化される。直径が約４．５mｍ
（半径２．２５mｍ）の内部コア層Ａでは、比屈折率差Dは０．６である。厚さが
２．２５mｍの外側に隣接するコア層Ｂでは、比屈折率差Dは０（ｎ１=ｎ２）で
ある。コア層Ｂは、厚さが１．８７５mｍであり、D=０という比屈折率差を有す
るコア層Ｃへと続く。コア層Ｄの比屈折率差Dは、０．２３４であり、その厚さ
は１．１２５mｍである。コア層Ｄは、比屈折率差が０で厚さが１．１８mｍのコ
ア層Ｅに囲まれる。コア層Ｅは、非ドープの石英ガラス製の、光ファイバーの、
その外側の光学領域へと続く。
【００３７】 本発明に係るサブストレート管により、コア層Ｃ、Ｄ、及びＥが設けられ、コ
ア層Ａ及びＢは、内側からの堆積によってサブストレート管中に形成される。コ
ア層Ｂとコア層Ｃとの間の境界面を図１ａの破線で示す。
【００３８】 このような屈折率分布を有する光ファイバーのサブストレート管を概略的に図
１ｂに示す。サブストレート管１の外径は２５ｍｍであり、合計の肉厚が３ｍｍ
である。サブストレート管１の内層２は、５８９．３ｎｍの波長で１．４５８９
の屈折率を有する非ドープの石英ガラス製である。内層２の厚さは、１．２１ｍ
ｍである。内層２は、約３重量％のＧｅＯ２でドープした中間層３に隣接し、上
述のようにコア層Ｄにおける規格化された屈折率がΔ=０．２３４増大する。中
間層３の厚さは、０．８４ｍｍである。サブストレート管１の外層４の厚さは０
．９５ｍｍであり、非ドープの石英ガラス製である。サブストレート管１を用い
て得られた光ファイバーの屈折率分布については、コア層Ｃは内層２に相当し、
コア層Ｄは、中間層３に相当し、コア層Ｅは、外層４に相当する。
【００３９】 ＯＶＤ法でサブストレート管１を製造する。公知の方法では、ＳｉＯ２粒子は
、ＳｉＣｌ４の火炎加水分解により生成され、回転心棒上の層に堆積する。中間
層の堆積の間に、ＧｅＣｌ４がＳｉＣｌ４に加えられて、Ｇｅをドープした中間
層３が得られる。その後、多孔質ＳｉＯ２／ＧｅＯ２スート体が得られる。３０
重量ｐｐｂ未満のレベルまでヒドロキシル基を除去するために、温度の上昇時に
このように製造されたスート体の塩素処理を行う。その後、中空円筒の形成時に
多孔質ＳｉＯ２スート体をガラス化する。中空円筒の表面を機械的に滑らかにし
、化学的にエッチングする。このように前処理した中空円筒をサブストレート管
の最終寸法まで伸ばす。
【００４０】 図１に示す屈折率分布を有する光ファイバーのプリフォームを製造するために
、まずＭＣＶＤ法によって、図１ｂに示すようなサブストレート管１の内壁５を
、非ドープＳｉＯ２層で厚さ約１．０１ｍｍまで被覆し、同時に直接ガラス化す
る。９重量％のゲルニウム濃度で石英ガラスが製造されるように、ＧｅＣｌ４を
出発原料を加えることにより、厚さ０．３７ｍｍのＧｅをドープした層が形成さ
れる。結果として増加する屈折率は約９´１０- ３であり、図１ａに示すコア層
Ａに相当する。
【００４１】 次に、内側に被覆されたサブストレート管を潰す。このようにして製造された
コア・ロッドの外径は１９ｍｍである。そして、コア・ロッドを非ドープの外管
（ジャケット）で覆う。このようにして製造されたプリフォームの外径は約１３
７ｍｍである。このプリフォームから、外径１２５mｍで、図１に示すようなコ
ア領域の屈折率分布を有する光ファイバーが糸引きされる。
【００４２】 図２ａ対応する屈折率分布は、図１ａに示すファイバー設計の変形を示す。こ
の屈折率分布もモードフィールド径が大きくなり、このため光ファイバーにおい
て低平均光強度になる。ＥＰ−Ａ２ ７７５，９２４にもこのようなファイバー
が記載されている。
【００４３】 図２ａに対応する屈折率分布は、合計４個のコア層を有する。直径が約７mｍ(
半径３．５mｍ)のコア層Ａでは、比屈折率差Δは、最大０．９（ｎ２=１．４５
８９であり、ｎ２より約１３´１０- ３だけ大きい）から０に直線的に減少する
。厚さが２．５mｍの層である次のコア層Ｂでは、比屈折率差Δは０である（そ
こでの絶対屈折率＝ｎ２）。３番目のコアＣは、厚さが１mｍの層であり、比屈
折率差は、０．１４８５に調節されている。次の外側の４番目のコア層Ｄでは、
屈折率は再びｎ２で、層の厚さは４．０８mｍである。
【００４４】 本発明によると、コア層Ｃ及びＤは、サブストレート管に設けられる。コア層
Ａ及びＢは、このサブストレート管の中で内側に堆積することによって作られる
。コア層の外部と内部との間の境界面を図２ａの破線で概略的に示す。
【００４５】 図２ａに示す屈折率分布を有するファイバーの製造に使用されるサブストレー
ト管を図２ｂに概略的に示す。サブストレート管２１の外径は、２５ｍｍであり
、合計の肉厚は３ｍｍである。サブストレート管２１の内層２２は、Ｇｅをドー
プした石英ガラス製である。内層２２の厚さは約０．４５ｍｍであり、ゲルマニ
ウムの濃度は約２重量％で、これによって、図２ａに示されるようにコア層Ｃで
は屈折率が増大することになる。サブストレート２１の外層２３の厚さは２．５
５ｍｍであり、今度は再び非ドープの石英ガラス製からなる。サブストレート管
２１を用いて得られたファイバーの屈折率分布の場合、コア層Ｃは、このように
内層２２から形成され、コア層Ｄは外層２３から形成される。
【００４６】 ＯＶＤ法でサブストレート管２１を製造する。公知の方法では、ＳｉＣｌ４の
火炎加水分解によりＳｉＯ２粒子が生成され、回転心棒上の層に堆積させる。内
層２２の堆積中に、ＧｅＣｌ４をＳｉＣｌ４に加えることにより、ゲルマニウム
をドープした内層２２が得られる。Ｇｅをドープしたスート体を原料とする層を
、厚さが内層２２に等しい層に堆積させた後、ＧｅＣｌ４の供給を中止し、非ド
ープ物質を引き続き成長させる。このように多孔質ＳｉＯ２体が得られる。この
ように形成されたスート体は、キャリヤーを取り除いた後、３０重量ｐｐｂのレ
ベルまでヒドロキシル基を除去するために、高温下で塩素処理される。その後、
サブストレート管２１を形成する時に、多孔質ＳｉＯ２脱水スート体はガラス化
される。サブストレート管２１の内側表面及び外側表面を機械的に滑らかにし、
化学的にエッチングする。
【００４７】 図２ａに示す屈折率分布を有する光ファイバーのプリフォームを製造するため
に、まずＭＣＶＤ法によって、図２ｂに示すようなサブストレート管２１の内壁
２４を、非ドープＳｉＯ２層で厚さ約０．８８ｍｍまで被覆し、同時に直接ガラ
ス化する。それから、ＧｅＣｌ４を出発原料に加えることにより厚さが０．４９
ｍｍのＧｅをドープした層を形成する。コア層Ａの屈折率曲線(図２ａ)は、Ｇｅ
をドープした層内のＧｅＯ２の濃度勾配に従って形成される。
【００４８】 その後、内側に被覆されたサブストレート管をつぶす。このように形成されたコ
ア・ロッドの外径は１９ｍｍである。そして、コア・ロッドを非ドープの石英ガ
ラスの外管で覆う。このように製造されたプリフォームの外径は約１０３ｍｍで
ある。このプリフォームから、外径１２５mｍで、図２ａに示すようなコア領域
の屈折率分布を有する光ファイバーが糸引きされる。
【００４９】 図３ａに示す屈折率分布は、いわゆる分散補償（ＤＣ）ファイバーの代表的な
例である。ＥＰ−Ａ２ ５９８，５５４にこのようなファイバーが記載されてい
る。ＤＣファイバーは、１５５０ｎｍの伝搬波長での強い負の分散を特徴とする
。このファイバーは、標準単一モードファイバーの伝搬波長が１５５０ｎｍの時
の正分散を補償するために使用され、文献では約１７ｐｓ／（ｎｍ・ｋｍ）であ
る。このように、伝搬波長が１５５０ｎｍの時の標準単一モードファイバーを使
用しても高伝搬率を達成できる。
【００５０】 屈折率分布は、合計４個のコア層によって識別される。約３．８mｍ（半径１．
９mｍ）のコア層Ａでは、比屈折率差Dは、最大１．９から０に放物線状に減少す
る。外側の方向にコア層Ａの隣に位置し、厚さが３．８mｍの層を有するコア層
Ｂでは、比屈折率差Dは−０．４である。コア層Ｂの次は、厚さが１．９mｍの層
であって、比屈折率差Dが、０．４であるコア層Ｃである。コア層Ｄの比屈折率
差は再び０であり、層の厚さは１．４９mｍである。コア層Ｄは、非ドープの石
英ガラス製の光ファイバーの外側の光学クラッド領域へと続く。
【００５１】 コア層Ｂ、Ｃ及びＤは、本発明によるサブストレート管に設けられる。コア層Ａ
とＢとの間の境界面を図３ａの破線で概略的に示す。
【００５２】 図３ａに示す屈折率分布を有するファイバーの製造に使用されるサブストレー
ト管の第１の実施例を図３ｂに概略的に示す。サブストレート管及びその製造方
法について以下に更に詳細に説明する。
【００５３】 サブストレート管３１の外径は、２５ｍｍであり、合計の肉厚は３ｍｍである。
サブストレート管３１の内層３２は、純石英ガラスより５．８´１０- ３だけ屈
折率が低い、フッ素をドープした石英ガラスでできている。コア層Ｂのフッ素濃
度は約２重量％であり、層の厚さは１．１９ｍｍである。その次は、約１０重量
％のＧｅＯ２と２重量％のフッ素をドープした中間層３３であり、コア層Ｃでは
、上述のように屈折率が０．４％増大する。中間層３３の層の厚さは０．９５ｍ
ｍである。サブストレート管３１の外層３４の厚さは０．８６ｍｍであり、この
層もまたフッ素とゲルマニウムが混合してドープされた石英ガラスから形成され
、フッ素濃度は２量％、ゲルマニウム濃度は５重量％である。このようなドーパ
ントを上記濃度で用いると、ＧｅＯ２による屈折率を増大させる効果及びフッ素
による屈折率の低下させる効果により、非ドープの石英ガラスに対する屈折率の
変化を０にすることができる。サブストレート管３１を用いて得られた光ファイ
バーの屈折率分布の場合、コア層Ｂは、内層３２に相当し、コア層Ｃは、中間層
３３に相当し、コア層Ｄは外層３４に相当する。
【００５４】 ＯＶＤ法でサブストレート管３１を製造する。公知の方法に従って、ＳｉＣｌ４ の火炎加水分解によりＳｉＯ２粒子が生成され、回転ピン上の層に堆積される。
中間層３３と外層３４が堆積される間にＧｅＣｌ４を加える。
【００５５】 その後、フッ素を含有した雰囲気中で多孔質ＳｉＯ２スート体を約８００°Ｃ
まで加熱し、肉厚全体にわたってフッ素で均一にドープする。このことにより、
同時にヒドロキシル基の含有量が減少する。
【００５６】 そして、中空円筒の形成時に多孔質ＳｉＯ２スート体をガラス化する。中空円
筒の表面を機械的で滑らかにし、化学的にエッチングする。このような処理を施
した中空円筒をサブストレート管の最終寸法にまで伸ばす。
【００５７】 図３ａに示す屈折率を有するファイバーの製造に使用されるサブストレート管の
第２の実施例、及びその製造方法について以下に更に詳細に説明する。
【００５８】 サブストレート管の外径は、２５ｍｍであり、合計の肉厚は３ｍｍである。サブ
ストレート管の内層は、純石英ガラスより５．８´１０- ３だけ屈折率が低い、
フッ素をドープした石英ガラスでできている。コア層Ｂのフッ素濃度は約１重量
％である。その層の厚さは１．１９ｍｍである。その次は、約５．４重量％のＧ
ｅＯ２をドープした中間層であり、図３ａに示すコア層Ｃでは規格化された屈折
率がΔ＝０．４増大する。中間層の厚さは０．９５ｍｍである。サブストレート
管の外層の厚さは０．８６ｍｍであり、非ドープの石英ガラス製である。サブス
トレート管を用いて得られた光ファイバーの屈折率分布の場合、コア層Ｂは内層
に対応し、コア層Ｃは中間層に対応し、コア層Ｄは外層に対応する。
【００５９】 本発明に係るサブストレート管の製造方法の実施例を以下に詳細に説明する。
ＯＶＤ法でサブストレート管を製造する。これにより、公知の方法に従ってＳｉ
Ｃｌ４の加水分解によりＳｉＯ２粒子が生成され、デポジション・バーナーを用
いて回転心棒上の層に堆積させる。堆積中のスート体が形成される時の表面温度
は約１，４００°Ｃである。内層を形成するために、ＳｉＣｌ４が使用され、中
間層を堆積している間にＧｅＣｌ４を添加する。外層の形成中に再びＧｅＣｌ４ の供給を中止する。ゲルマニウムをドープした中間層を有する多孔質ＳｉＯ２ス
ート体は、このようして得られる。中間層の堆積の直前に厚さが約０．５ｍｍの
拡散防止層を形成することが、この方法に特有の特徴である。ＳｉＯ２スート体
は、拡散防止層内で高密度になる。拡散防止層を形成するスート体の堆積中に、
より高い表面温度でのスート体の形成を維持することが達成される。このため、
デポジション・バーナーへの燃料ガスの供給を適正に増加させる。
【００６０】 内側にフッ素をドープした層を形成するために、多孔質ＳｉＯ２スート体を加熱
し、内側の開口部を通してフッ素を含有するガスを注入する。拡散防止層により
、フッ素を含有するガスがゲルマニウムをドープした中間層内に拡散することを
防ぐ。このように、中間層または外層ではなく、内層のみにフッ素をドープする
。フッ素を含有するガスで処理することによって、同時に内層内のＯＨ基濃度が
５０ｐｐｂ以下のレベルまで低下する。
【００６１】 それから、サブストレート管形成時に多孔質ＳｉＯ２スート体をガラス化する
。サブストレート管の表面を機械的に滑らかにし、続いて化学的にエッチングす
る。
【００６２】 図３ａに示す屈折率分布を有する光ファイバーのプリフォームを製造するため
に、サブストレート管内の内側からのＭＣＶＤ堆積によってコア層Ａ(図３ａ)を
形成するコア・ガラスを製造する。これについて、図３ｂを用いて以下に詳細に
説明する。
【００６３】 ＭＣＶＤ法により、ＧｅＯ２をドープしたＳｉＯ２層を図３ｂに示すサブスト
レート管３１の内側の表面３５上に堆積させ、直接にガラス化する。堆積法の実
施中に、図３ａに示すコアＡにおける放物線状の屈折率分布に相当するＧｅＯ２ の濃度分布が成立するようにＧｅＣｌ４の添加を継続して増加する。このように
形成されたＧｅをドープした層の厚さは０．１６ｍｍである。この層のゲルマニ
ウム濃度は、最大で約３０重量％であり、図３ａに示すように約３０´１０- ３
だけ屈折率が増大する。
【００６４】 その後、このように製造されたサブストレート管をつぶす。このように形成さ
れたコア・ロッドの外径は１６．６ｍｍである。このコア・ロッドを非ドープの
石英ガラスでできている外管で覆う。このようにして製造されたプリフォームの
外径は、約１１４ｍｍである。このプリフォームから、外径が１２５μｍで、図
３ａに示す屈折率分布を有する光ファイバーが糸引きされる。
【図面の簡単な説明】
本発明は、代表的な実施の形態及び図面により更に詳細に下記で説明される。
特に、図面は概略的に図示される。
【図１】 （ａ） 本発明により製造されたプリフォームから得られた単一モード光ファイ
バの第１の屈折率分布である。 （ｂ） 図１ａの屈折率分布を有するファイバの製造に使用される本発明のサブ
ストレート管である。
【図２】 （ａ） 本発明により製造されたプリフォームから得られた単一モード光ファイ
バの第２の屈折率分布である。 （ｂ） 図２ａの屈折率分布を有するファイバの製造に使用される本発明のサブ
ストレート管の別の実施形態である。
【図３】 （ａ） 本発明により製造されたプリフォームから得られた単一モード光ファイ
バの第３の屈折率分布である。 （ｂ） 図３ａの屈折率分布を有するファイバの製造に使用される本発明のサブ
ストレート管の更に別の実施形態である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トレーバ ノーベルト ドイツ連邦共和国 ハノウ Ｄ−63457 リージング通り６ (72)発明者 ハムバック オリバー ドイツ連邦共和国 アルツェナウミッシェ ルバッハ Ｄ−63755 ツームキューリン グ５ａ (72)発明者 ハーケン ウーベ アメリカ合衆国 ジョージア州 30319 アトランタ エッピングフォレストドライ ブ1492 (72)発明者 ジャブロナウスキ ドナルドポール アメリカ合衆国 ジョージア州 30388 ダンウッディ マグノリアウォークサーク ル5264 Ｆターム(参考） 2H050 AA03 AB05X AB10X AC14 AC28 AC71 AD01 4G021 CA16 EA02 EB05 EB24

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 径方向に異なるドーパントを有する領域を持った石英ガラス
    でできたサブストレート管を提供し、合成石英ガラスでできたコアを導入し、該
    サブストレート管をジャケット管で被覆することにより、光学的データ伝送技術
    に使用される光ファイバーのプリフォームを製造する方法であって、管状の多孔
    質ＳｉＯ２ブランクをガラス化することにより形成されたサブストレート管を利
    用し、ガラス化の前にＳｉＯ２ブランクの径方向の第１の部分に、石英ガラスの
    屈折率を増加させる第１のドーパントを添加することにより形成されるコア・ガ
    ラス層が、サブストレート管に提供されることを特徴とする、光ファイバのプリ
    フォームを製造する方法。
  2. 【請求項２】 前記多孔質ＳｉＯ２ブランクが、シリコン化合物を火炎加水
    分解して、ＳｉＯ２粒子を堆積させ、堆積中に前記第１のドーパントを添加する
    ことにより、キャリア上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載する方
    法。
  3. 【請求項３】 前記コア・ガラスが、内付け成長法によりサブストレート管
    の内側に導入されることを特徴とする、請求項１又は２に記載する方法。
  4. 【請求項４】 前記多孔質ＳｉＯ２ブランクの少なくとも径方向の第２の部
    分を、堆積後、ガラス化の前に、石英ガラスの屈折率を変化させる第２のドーパ
    ントでドープ処理することを特徴とする、前記請求項のいずれか一つに記載する
    方法。
  5. 【請求項５】 前記第２の径方向の部分をドープ処理するために、前記Ｓｉ
    Ｏ２ブランクを加熱し、同時に、前記第２のドーパントを含有する雰囲気に曝露
    することを特徴とする、請求項４に記載する方法。
  6. 【請求項６】 前記第２のドーパントとして、フッ素を使用することを特徴
    とする、請求項３又は４に記載する方法。
  7. 【請求項７】 前記第１のドーパントとして、ゲルマニウムを含有する化合
    物を使用することを特徴とする、前記請求項のいずれか一つに記載する方法。
  8. 【請求項８】 前記コア・ガラス層の屈折率が、１．４５９〜１．４９０の
    範囲内に調整されることを特徴とする、前記請求項のいずれか一つに記載する方
    法。
  9. 【請求項９】 光学的データ伝送技術に使用される光ファイバーのプリフォ
    ームを製造するための石英ガラスでできたサブストレート管であって、該プリフ
    ォームがマントル部で覆われたコア・ガラスを含み、該マントル部の少なくとも
    一部が径方向に異なるドーパントを有するサブストレート管の形で提供される、
    サブストレート管であって、該サブストレート管が、少なくとも１．４５９の屈
    折率を有するコア・ガラス層を有することを特徴とする、サブストレート管。
  10. 【請求項１０】 前記コア・ガラス層が、前記プリフォームのコア・ガラス
    に隣接して設けられることを特徴とする、請求項９に記載するサブストレート管
    。
  11. 【請求項１１】 前記サブストレート管が、フッ素ドープ石英ガラスででき
    たクラッド層を含むことを特徴とする、請求項９又は１０に記載するサブストレ
    ート管。
  12. 【請求項１２】 前記コア・ガラス層がゲルマニウムを含むことを特徴とす
    る、前記請求項９乃至１１のいずれか一つに記載するサブストレート管。
  13. 【請求項１３】 前記コア・ガラス層が、更にフッ素を含むことを特徴とす
    る、前記請求項９乃至１２のいずれか一つに記載するサブストレート管。
  14. 【請求項１４】 前記コア・ガラス層が、１．４５９３〜１．４９０の範囲
    内の屈折率を有することを特徴とする、前記請求項９乃至１３のいずれか一つに
    記載するサブストレート管。
  15. 【請求項１５】 前記コア・ガラス層のヒドロキシル・イオン含有率が、最
    大１重量ｐｐｍであることを特徴とする、前記請求項９乃至１４のいずれか一つ
    に記載する、サブストレート管。
  16. 【請求項１６】 前記コア・ガラス層に隣接して拡散遮断層が設けられるこ
    とを特徴とする、前記請求項９乃至１５のいずれか一つに記載するサブストレー
    ト管。
  17. 【請求項１７】 径方向に厚みがある第１及び第２の層を有する管状の多孔
    質ＳｉＯ２ブランクであって、該第１の層が石英ガラスの屈折率を増加させる第
    １のドーパントを第１の量分有し、該第２の層が該第１のドーパントを実質的に
    は含んでいないか、該第１のドーパントを該第１の量とは異なる第２の量分含ん
    でいる、多孔質ＳｉＯ２ブランクを製造すること、及び 該多孔質ＳｉＯ２ブランクをガラス化して石英ガラスのサブストレート管を形成
    する際に、該サブストレート管がコア・ガラス層及び別のガラス層を有し、該コ
    ア・ガラス層及び該ガラス層の一方が該第１のドーパントを含み、該コア・ガラ
    ス層及び該グラス層の他方が、該第１のドーパントを実質的には含まないか、該
    第１のドーパントを異なる濃度で含むように、該ブランクをガラス化して該石英
    ガラスのサブストレート管を形成すること、 を含む、光ファイバのプリフォームを製造する方法。
  18. 【請求項１８】 前記サブストレート管を、石英ガラスでできたジャケット
    管で被覆することを更に含む、請求項１７に記載する方法。
  19. 【請求項１９】 前記多孔質ＳｉＯ２ブランクが、シリコン化合物の火炎加
    水分解及びＳｉＯ２粒子の堆積によりキャリア上に形成される、請求項１７に記
    載する方法。
  20. 【請求項２０】 前記第１のドーパントが、前記の粒子を堆積中に添加され
    る、請求項１９に記載する方法。
  21. 【請求項２１】 前記第１の層が、前記サブストレート管において、径方向
    内側に対面する面を形成する、請求項１７に記載する方法。
  22. 【請求項２２】 前記ＳｉＯ２ブランクを、ガラス化の前に、塩素又はフッ
    素を含有する雰囲気下で、約１３００度以下の温度で脱水することを更に含む、
    請求項１７に記載する方法。
  23. 【請求項２３】 内付け成長法により、前記サブストレート管に、コア・ガ
    ラス層を導入することを更に含む、請求項１７に記載する方法。
  24. 【請求項２４】 前記多孔質ＳｉＯ２ブランクの前記第２の層が、堆積後、
    ガラス化の前に、石英ガラスの屈折率を変化させる第２のドーパントでドープ処
    理される、請求項１７に記載する方法。
  25. 【請求項２５】 前記第２の層が、前記ＳｉＯ２ブランクを加熱し、同時に
    前記ＳｉＯ２ブランクを前記第２のドーパントを含有する雰囲気に曝露すること
    によりドープ処理される、請求項２４に記載する方法。
  26. 【請求項２６】 前記第２のドーパントがフッ素である、請求項２４に記載
    する方法。
  27. 【請求項２７】 前記第２のドーパントがフッ素である、請求項２５に記載
    する方法。
  28. 【請求項２８】 前記第１のドーパントがゲルマニウムを含む、請求項１７
    に記載する方法。
  29. 【請求項２９】 前記第１のドーパントがゲルマニウムを含む、請求項２０
    に記載する方法。
  30. 【請求項３０】 前記コア・ガラス層が、少なくとも約１．４５９の屈折率
    を有する、請求項１７に記載する方法。
  31. 【請求項３１】 前記コア・ガラス層が、１．４５９３〜１．４９０の範囲
    内の屈折率を有する、請求項１７に記載する方法。
  32. 【請求項３２】 ガラス・コア；及び 該ガラス・コアを覆うガラス・クラッドとを含む、光ファイバを製造するための
    光ファイバのプリフォームであって、 該クラッドは、径方向内側のガラス層と径方向外側のガラス層とを有するサブス
    トレート管を含み、該ガラス層の一方が第１の濃度のドーパントを有し、該ガラ
    ス層の他方が第１の濃度とは異なる第２の濃度のドーパントを有するか又は実質
    的には該ドーパントを含まず、該内側のガラス層が少なくとも約１．４５９の屈
    折率を有する、プリフォーム。
  33. 【請求項３３】 前記ガラス・コアが、前記サブストレート管の前記内側ガ
    ラス層に隣接している、請求項３２に記載するプリフォーム。
  34. 【請求項３４】 前記サブストレート管が、フッ素ドープ石英ガラスででき
    たマントル・ガラス層を含む、請求項３２に記載するプリフォーム。
  35. 【請求項３５】 前記ドーパントがゲルマニウムを含む、請求項３２に記載
    するプリフォーム。
  36. 【請求項３６】 前記内側ガラス層が、更にフッ素を含む、請求項３５に記
    載する方法。
  37. 【請求項３７】 前記内側ガラス層が、１．４５９３〜１．４９０の範囲内
    の屈折率を有する、請求項３２に記載するプリフォーム。
  38. 【請求項３８】 前記内側ガラス層が、約１重量ｐｐｍ未満のヒドロキシル
    ・イオンを含有する、請求項３２に記載するプリフォーム。
  39. 【請求項３９】 前記サブストレート管が、前記内側ガラス層に隣接する拡
    散遮断層を更に含む、請求項３２に記載するプリフォーム。
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