JP2003529456A - Fixed abrasive linear abrasive belt and apparatus using the same - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 線形化学機械研磨システムにおいて半導体ウェーハのような加工物を研磨するためのベルト（４０２）は、無端ループを形成する高分子層（４０５）に取り付けた固定研磨材（４０１）を包含する。このベルトは、いかなる補強層または支持層あるいは支持構成要素なしに作るか、あるいは、柔らかくて非常に多孔性の高い副層（４０７）を備えるように作り、線形研磨ベルト用のローラ（１０４、１０６）まわりに容易に巻き付けることができる。固定研磨材（４０１）と高分子支持層との間には、アタッチメント材料（４０３）が存在する。高分子副層の底面は、ステンレス鋼層（４０９）に取り付けることが可能である。 A belt (402) for polishing a workpiece such as a semiconductor wafer in a linear chemical mechanical polishing system comprises a fixed abrasive (401) attached to a polymer layer (405) forming an endless loop. Is included. The belt may be made without any reinforcing or supporting layers or components, or with a soft and very porous sub-layer (407) and rollers (104, 106) for linear abrasive belts. ) Can be easily wrapped around. Attachment material (403) exists between the fixed abrasive (401) and the polymer support layer. The bottom surface of the polymer sublayer can be attached to the stainless steel layer (409).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】 本出願は、１９９９年８月３１日に出願された、「Unsupported Chemical Mec
hanical Polishing Belt」という名称の審査中の米国特許出願通し番号第０９／
３８６７４１号に関連したものである。この審査中の米国特許出願は、参考資料
としてここに援用する。This application is filed on Aug. 31, 1999, in “Unsupported Chemical Mec
US patent application serial no. 09 / under the name "hanical Polishing Belt"
It is related to No. 386741. This pending US patent application is hereby incorporated by reference.

【０００２】 発明の分野 本発明は、全体的に、半導体ウェーハを処理する機器に関する。一層詳しくは
、本発明は、固定研磨材研磨ベルトおよび半導体ウェーハの化学機械研摩のため
の関連した線形ポリッシャに関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates generally to equipment for processing semiconductor wafers. More particularly, the present invention relates to fixed abrasive polishing belts and associated linear polishers for chemical mechanical polishing of semiconductor wafers.

【０００３】 背景 化学機械研摩（ＣＭＰ）は、半導体ウェーハの処理中に半導体ウェーハを平坦
化するのに使用される。半導体装置の製造における多くのステップでは、半導体
装置を含むウェーハの表側に非常に不規則な表面が生じる。ウェーハ上の半導体
装置の製造性を向上させるためには、多くの処理ステップでウェーハ表面を平坦
化することが必要である。たとえば、金属内部接続層の蒸着の均一性を向上させ
るためには、ウェーハを蒸着前に平坦化し、金属が蒸着する表面にある凸凹を減
らす。Background Chemical mechanical polishing (CMP) is used to planarize semiconductor wafers during semiconductor wafer processing. Many steps in the manufacture of semiconductor devices result in highly irregular surfaces on the front side of the wafer containing the semiconductor device. In order to improve the manufacturability of semiconductor devices on a wafer, it is necessary to flatten the wafer surface in many processing steps. For example, to improve the deposition uniformity of the metal interconnect layer, the wafer is planarized prior to deposition to reduce the irregularities on the metal deposition surface.

【０００４】 普通の平坦化技術においては、半導体ウェーハは、可動研磨パッドに対して面
を向けて支持される。研磨装置または平坦化装置は、２つのタイプが普通に使用
されている。回転式平坦化技術においては、ウェーハをチャック上に固定し、研
磨面と接触させる。研磨面は、ウェーハと接触して研磨するための固定研摩材を
包含することがある。固定研磨材研磨パッドを使用する場合、普通、所望の平坦
化特性を達成し、ウェーハ表面を横切っての研磨圧力分布を制御するために、サ
ブパッドを必要とする。回転式平坦化システムで役立つ固定研磨パッドの一例が
、Rutherford等の米国特許第５，６９２，９５０号に開示されている。この米国
特許では、固定研磨材が剛性層（たとえば、ポリカーボネート）に接着してあり
、この剛性層は、発泡体のような柔らかい弾力性のある層に接着してある。In conventional planarization techniques, a semiconductor wafer is supported face-to-face with a movable polishing pad. Two types of polishing or planarizing devices are commonly used. In the rotary flattening technique, the wafer is fixed on a chuck and brought into contact with the polishing surface. The polishing surface may include a fixed abrasive for contacting and polishing the wafer. When using fixed abrasive polishing pads, subpads are usually required to achieve the desired planarization characteristics and control the polishing pressure distribution across the wafer surface. An example of a fixed polishing pad useful in a rotary planarization system is disclosed in Rutherford et al., US Pat. No. 5,692,950. In this U.S. Patent, a fixed abrasive is adhered to a rigid layer (eg, polycarbonate), which is adhered to a soft, resilient layer such as foam.

【０００５】 第２のタイプの平坦化技術（線形平坦化技術と呼ばれる）においては、無端ベ
ルトが２つまたはそれ以上のローラを通って移動する。ウェーハは、ベルトの可
動研磨表面に対して設置する。このようなシステムの一例として、Lam Research
Corporation（Fremont, California）によって製造されるＴｅｒｅｓ（商標）
ＣＭＰシステムがある。このシステムは、米国特許第５，６９２，９４７号、同
第５，７６２，５３６号および同第５，８７１，３９０号に開示されており、ま
た、１９９９年８月３１日に出願された、「Unsupported Chemical Mechanical
Polishing Belt」なる名称の、本出願人に譲渡された審査中の米国特許出願通し
番号第０９／３８６７４１号にも開示されている。In the second type of flattening technique, called a linear flattening technique, an endless belt travels through two or more rollers. The wafer is placed against the movable polishing surface of the belt. As an example of such a system, Lam Research
Teres ™ manufactured by Corporation of Fremont, California
There is a CMP system. This system is disclosed in US Pat. Nos. 5,692,947, 5,762,536 and 5,871,390, and was filed on Aug. 31, 1999. `` Unsupported Chemical Mechanical
It is also disclosed in pending US patent application serial number 09/386741 assigned to the applicant and entitled "Polishing Belt."

【０００６】 普通の線形ベルト技術は非常に成功しているが、改良の余地はある。たとえば
、固定研磨材研磨パッド（たとえば、回転式平坦化システムで使用されるもの）
は、従来、線形平坦化システムで使用するのは困難であった。この問題は、固定
研磨材を支持するのに用いる剛性材料が線形システムのローラまわりに曲げ難い
ために生じる。 したがって、固定研磨材の使用を可能にする線形ＣＭＰシステムのための改良
した研磨ベルトの必要性がある。While the conventional linear belt technology has been very successful, there is room for improvement. For example, fixed abrasive polishing pads (eg, those used in rotary planarization systems)
Have traditionally been difficult to use in linear flattening systems. This problem occurs because the rigid material used to support the fixed abrasive is difficult to bend around the rollers of the linear system. Therefore, there is a need for improved abrasive belts for linear CMP systems that allow the use of fixed abrasives.

【０００７】 概要 ほんの前置きとして言えば、化学機械平坦化（ＣＭＰ）システムのための改良
型研磨ベルトは、無端ループ支持層の頂面に取り付けた固定研磨材から形成され
る。無端層は、充分な強度、耐久性および可撓性を有する任意適当な高分子材料
であってよい。Overview As a brief introduction, improved polishing belts for chemical mechanical planarization (CMP) systems are formed from fixed abrasives attached to the top surface of an endless loop support layer. The endless layer may be any suitable polymeric material that has sufficient strength, durability and flexibility.

【０００８】 好ましい実施例についての上の論議は、ほんの前置きとして行ったものであり
、このセクションには、発明の範囲を定義している特許請求の範囲についての限
定要件として採用すべきものは何もない。The discussion above of the preferred embodiments is made merely as a prelude, and this section does not admit to any limitation as to the scope of the claims which define the scope of the invention. Absent.

【０００９】 好ましい実施例の詳細な説明 図面、最初に図１、２を参照して、ここには、化学機械研摩または平坦化（Ｃ
ＭＰ）システムが全体的に１００で示してある。このシステムは、Lam Research
Corporation（Fremont, California）によって製造されるＴｅｒｅｓ（商標）
ＣＭＰシステムというモデルであり、これは、米国特許第５，６９２，９４７号
、同第５，７６２，５３６号および同第５，８７１，３９０号に記載されており
、これらの米国特許は、すべて、参考資料としてここに援用する。システム１０
０は、無端ベルト１０２を包含し、この無端ベルトは、第１ローラ１０４と第２
ローラ１０６との間に張り渡してある。システム１００は、また、プラテン１０
８、研磨ヘッド１１０および研磨ヘッド１１０内のウェーハ・キャリア１１８を
包含する。図示実施例におけるシステム１００は、半導体ウェーハ１１６のよう
な半導体ウェーハの平坦化に適用される。しかしながら、システム１００に具体
化した動作原理は、他の加工物の化学機械研摩にも適用され得る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring now to the drawings, and initially to FIGS. 1 and 2, there is shown chemical mechanical polishing or planarization (C
The MP) system is shown generally at 100. This system is based on Lam Research
Teres ™ manufactured by Corporation of Fremont, California
A model called the CMP system, which is described in US Pat. Nos. 5,692,947, 5,762,536 and 5,871,390, all of which are incorporated by reference. , Incorporated herein by reference. System 10
0 includes an endless belt 102, which comprises a first roller 104 and a second roller 104.
It is stretched between the rollers 106. The system 100 also includes a platen 10
8. Includes polishing head 110 and wafer carrier 118 within polishing head 110. The system 100 in the illustrated embodiment is applied to planarization of semiconductor wafers, such as semiconductor wafer 116. However, the operating principles embodied in system 100 may be applied to chemical mechanical polishing of other workpieces.

【００１０】 ローラ１０４、１０６は、それぞれ、スピンドル１０５、１０７に装着してあ
る。ローラ１０４、１０６は、ローラ・パッド１４４、１４６を包含しており、
ベルト１０２を保持すると共にベルト１０２を動かしてウェーハ１１６の線形平
坦化を行えるように互いに隔たっている。ローラ１０４、１０６は、スピンドル
１０５またはスピンドル１０７の起動時に、たとえば、電動機（図示せず）によ
って矢印１２２で示す方向に回転させられる。したがって、ローラ１０４、１０
６は、加工物（ウェーハ１１６）を通して連続ループ状にベルトを移動させる移
送手段を形成する。他の移送手段としては、ベルト１０２上に適正な張力を維持
するプーリおよび張力付与装置と共に、電動機および機械リンク機構のような関
連した駆動要素がある。ベルト１０２の速度、張力のような動作パラメータは、
コントローラ（図示せず）によってローラ１０４、１０６を介して制御される。
コントローラは、関連メモリに保存されたデータ、命令に応答して作動するプロ
セッサその他のコンピュータを包含し得る。システム１００の動作および制御は
、上記の米国特許第５，６９２，９４７号、同第５，７６２，５３６号および同
第５，８７１，３９０号により充分に記載されている。The rollers 104 and 106 are mounted on the spindles 105 and 107, respectively. The rollers 104, 106 include roller pads 144, 146,
The belts 102 are spaced apart from each other so that the belts 102 can be held and moved to effect linear planarization of the wafer 116. The rollers 104 and 106 are rotated in a direction indicated by an arrow 122, for example, by an electric motor (not shown) when the spindle 105 or the spindle 107 is activated. Therefore, the rollers 104, 10
6 forms a transfer means for moving the belt in a continuous loop through the workpiece (wafer 116). Other transfer means include pulleys and tensioning devices to maintain proper tension on belt 102, as well as associated drive elements such as electric motors and mechanical linkages. Operating parameters such as speed and tension of the belt 102 are
It is controlled via rollers 104, 106 by a controller (not shown).
The controller may include data stored in associated memory, a processor or other computer that operates in response to instructions. The operation and control of system 100 is more fully described in the above-referenced US Pat. Nos. 5,692,947, 5,762,536 and 5,871,390.

【００１１】 ウェーハ１１６は、研磨ヘッド１１０に装着する。ウェーハ１１６は、真空力
によって、または他の任意適当な機械的な技術によって、所定位置に装着、保持
することができる。研磨ヘッド１１０は、アームに装着してあり、コントローラ
の制御の下に或る程度移動可能である。研磨ヘッド１１０は、ベルト１０２に押
し付けるようにウェーハ１１６に研磨圧力を加える。研磨圧力は、図１に矢印１
２６で示してある。The wafer 116 is mounted on the polishing head 110. Wafer 116 may be loaded and held in place by vacuum forces or by any other suitable mechanical technique. The polishing head 110 is attached to the arm and is movable to some extent under the control of the controller. The polishing head 110 applies polishing pressure to the wafer 116 so as to press it against the belt 102. The polishing pressure is the arrow 1 in FIG.
It is indicated by 26.

【００１２】 研磨圧力をさらに制御するために、プラテン１０８が、ウェーハ１１６下方で
研磨ヘッド１１０に対向して設置してある。ベルト１０２は、ウェーハ１１６の
前面１１７とプラテン１０８との間を通過する。プラテン１０８は、たとえば、
ベルト１０２と直接接触させることによって、または、ベルトの下面に圧縮空気
または圧縮水を供給することによって、ベルト１０２に圧力を加える。或る種の
用途において、プラテン１０８は、コントローラ（図示せず）の制御の下に、プ
ラテン１０８の制御可能なゾーンまたは領域において圧力を加えるように配置す
る。たとえば、これらのゾーンは、プラテン１０８の表面上に半径方向に配置し
てもよい。プラテン１０８を介してのこの制御圧力付与により、ベルト１０２が
ウェーハ１１６の表面１１７を横切って均一に研磨することができる。To further control the polishing pressure, a platen 108 is installed below the wafer 116 and opposite the polishing head 110. Belt 102 passes between front surface 117 of wafer 116 and platen 108. The platen 108 is, for example,
Pressure is applied to the belt 102 either by direct contact with the belt 102 or by supplying compressed air or water to the underside of the belt. In some applications, the platen 108 is arranged to exert pressure in a controllable zone or region of the platen 108 under the control of a controller (not shown). For example, these zones may be arranged radially on the surface of platen 108. This controlled application of pressure via the platen 108 allows the belt 102 to uniformly polish across the surface 117 of the wafer 116.

【００１３】 ディスペンサ１１２が、ベルト１０２上へ液剤またはスラリー１１３を計量分
配する。液剤またはスラリー１１３は、化学機械研磨プロセスの重要な成分であ
る。スラリーの正しい成分は、研磨あるいは平坦化しようとしている材料に基づ
いて選択する。たとえば、ウェーハ１１６の表面１１７上の二酸化ケイ素層を平
坦化するためのスラリー成分は、表面１１１上の金属層を平坦化するためのスラ
リー成分とは異なる。同様に、タングステン金属層にとって適切なスラリー成分
は、銅層のための成分とは異なることになる。均一な平坦化または研磨のために
は、液剤またはスラリーがウェーハ１１６の表面１１７を横切って均一に分布し
ていることが重要である。液剤またはスラリー１１３は、なんら遊離した研磨材
成分を含んではならない。A dispenser 112 dispenses the liquid agent or slurry 113 onto the belt 102. The solution or slurry 113 is an important component of the chemical mechanical polishing process. The correct component of the slurry is chosen based on the material being polished or planarized. For example, the slurry composition for planarizing the silicon dioxide layer on surface 117 of wafer 116 is different than the slurry composition for planarizing the metal layer on surface 111. Similarly, the appropriate slurry composition for the tungsten metal layer will be different than the composition for the copper layer. For uniform planarization or polishing, it is important that the solution or slurry be evenly distributed across the surface 117 of the wafer 116. The solution or slurry 113 should contain no loose abrasive components.

【００１４】 システムは、オプションとして、ベルト１０２の粗さを比較的一定に維持する
ようにベルト１０２の表面を処理するコンディショナ１１５を包含する。ベルト
１０２がウェーハ１１６を平坦化または研磨するとき、ベルト１０２の表面上に
ウェーハ１１６から除かれた材料が或る程度堆積する。ベルト１０２の表面に堆
積するウェーハ１１６の表面１１７からの材料が多すぎる場合には、ベルト１０
２の除去率が急速に低下し、ウェーハを横切っての研磨の均一性が損なわれるこ
とになる。コンディショナ１１５は、ベルト１０２の表面を清掃し、粗面化する
。好ましいコンディショナが、１９９８年１１月９日に出願された、「Method a
nd Apparatus for Conditioning a Polishing Pad Used in Chemical Mechanica
l Planarization」なる名称の審査中の米国特許出願通し番号第０９／１８８，
７７９号に開示されている。この米国特許出願の全開示内容を参考資料としてこ
こに援用する。The system optionally includes a conditioner 115 that treats the surface of the belt 102 to keep the roughness of the belt 102 relatively constant. As the belt 102 planarizes or polishes the wafer 116, some material is removed from the wafer 116 on the surface of the belt 102. If too much material from the surface 117 of the wafer 116 is deposited on the surface of the belt 102, the belt 10
The removal rate of 2 will drop rapidly and the uniformity of polishing across the wafer will be compromised. The conditioner 115 cleans and roughens the surface of the belt 102. A preferred conditioner was filed on November 9, 1998, "Method a
nd Apparatus for Conditioning a Polishing Pad Used in Chemical Mechanica
US Patent Application Serial No. 09/188, pending "Planarization"
No. 779. The entire disclosure of this US patent application is incorporated herein by reference.

【００１５】 ベルト１０２は、好ましくは、ステンレス鋼、補強繊維その他の布地のような
補足的な補強あるいは支持要素を持たない無端ループ状固定研磨材研磨ベルトで
ある。図３は、ベルト１０２の第１実施例の一部の概略側面図である。ベルト１
０２は、支持層２０５の頂面とほぼ同一の広がりを有する固定研磨材２０１を包
含する。支持層２０５は、無端ループ（図１、２に示すように）の形である。固
定研磨材は、ウェーハ１１６の前面１１７を研磨する表面を備える。そして、支
持層２０５は、ローラ１０４、１０６上にベルトを装着し、それに張力を付与し
、それを牽引する機械的な強さを備える。支持層２０５は、ホット・キャスト成
形のようなプロセスによって、単一のほぼ均一な高分子材料層で製造すると好ま
しい。高分子材料は、ほぼ均一な厚さおよび構造のものである。したがって、ベ
ルト１０２は、アラミド繊維、布地のような補強層または支持層あるいは支持要
素もしくはステンレス鋼のようなバッキング材料なしに製造される。The belt 102 is preferably an endless loop fixed abrasive abrasive belt with no supplemental reinforcement or support elements such as stainless steel, reinforcing fibers or other fabrics. FIG. 3 is a schematic side view of a portion of the first embodiment of belt 102. Belt 1
02 includes a fixed abrasive 201 that is substantially coextensive with the top surface of the support layer 205. The support layer 205 is in the form of an endless loop (as shown in Figures 1 and 2). The fixed abrasive comprises a surface that polishes the front surface 117 of the wafer 116. Then, the support layer 205 has a mechanical strength for mounting the belt on the rollers 104 and 106, applying tension to the belt, and pulling the belt. Support layer 205 is preferably made of a single, substantially uniform layer of polymeric material by a process such as hot cast molding. The polymeric material is of approximately uniform thickness and structure. Thus, the belt 102 is manufactured without a reinforcing layer or support layer such as aramid fibers, fabric or support elements or backing material such as stainless steel.

【００１６】 固定研磨材は、この技術分野で知られる任意適当な研摩材であってもよい。代
表的には、研磨材は、研磨粒子の集合体である。研磨材としては、限定するつも
りはないが、セリウム、シリコーン、アルミニウム、タンタルおよびマンガンの
酸化物のような酸化物化合物、ブラック炭化ケイ素、グリーン炭化ケイ素、炭化
ホウ素、タングステンカーバイド、チタン・カーバイド、ダイヤモンドのような
カーバイド化合物、窒化ケイ素、キュービック窒化ホウ素、ヘキサゴナル窒化ホ
ウ素のような窒化物合成物およびそれらの混合物の粒子がある。特に好ましい研
磨材は、米国特許第５，６９２，９５０号および同第５，９５８，７９４号に開
示されているものである。これらの米国特許は、その全体を、参考資料としてこ
こに援用する。The fixed abrasive may be any suitable abrasive known in the art. Typically, the abrasive is an aggregate of abrasive particles. Abrasives include, but are not limited to, oxide compounds such as oxides of cerium, silicone, aluminum, tantalum and manganese, black silicon carbide, green silicon carbide, boron carbide, tungsten carbide, titanium carbide, diamond. There are particles of carbide compounds such as, silicon nitride, cubic boron nitride, nitride compounds such as hexagonal boron nitride and mixtures thereof. Particularly preferred abrasives are those disclosed in US Pat. Nos. 5,692,950 and 5,958,794. These U.S. patents are incorporated herein by reference in their entireties.

【００１７】 一般に、研磨材は、好ましくは、約１０〜１００マイクロメートル、一層詳し
くは、約３０〜７０マイクロメートルの厚さを有する。研磨材を構成している研
磨粒子のサイズは、部分的に、プロセス中に使用される研磨材の特定の成分およ
び液体に依存する。約５マイクロメートル以下の平均粒子サイズを有する研磨粒
子が好ましい。さらに好ましいのは、平均研磨粒子サイズが１マイクロメートル
以下である研磨材である。たいていの好ましい実施例においては、粒子サイズは
約３０〜７０ナノメートルである。In general, the abrasive preferably has a thickness of about 10-100 micrometers, and more particularly about 30-70 micrometers. The size of the abrasive particles that make up the abrasive depends, in part, on the particular components and liquids of the abrasive used during the process. Abrasive particles having an average particle size of about 5 micrometers or less are preferred. More preferred are abrasives having an average abrasive particle size of 1 micrometer or less. In most preferred embodiments, the particle size is about 30-70 nanometers.

【００１８】 半導体ウェーハの表面に傷を付けるのを避けるためには（特に、ウェーハ表面
が二酸化ケイ素含有表面のような金属酸化物含有表面である場合）、研磨粒子は
、約８以下のモース硬度を有するとよい。研磨粒子は、フィラー粒子と組み合わ
せて使用するとよい。好ましいフィラー粒子の例としては、カーボネート（たと
えば、炭酸カルシウム）、シリケート（たとえば、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸
アルミニウム、ケイ酸カルシウムおよびそれらの組み合わせ）およびこれらの組
み合わせがある。プラスチック・フィラー粒子を使用してもよい。研磨粒子は、
好ましくは、液体媒質に耐性があり、それらの物理特性が液体媒質に露出された
ときに実質的に劣化しないようになっているとよい。To avoid scratching the surface of a semiconductor wafer (particularly when the wafer surface is a metal oxide containing surface such as a silicon dioxide containing surface), the abrasive particles have a Mohs hardness of about 8 or less. Good to have. Abrasive particles may be used in combination with filler particles. Examples of preferred filler particles include carbonates (eg calcium carbonate), silicates (eg magnesium silicate, aluminum silicate, calcium silicate and combinations thereof) and combinations thereof. Plastic filler particles may be used. Abrasive particles are
Preferably, it is resistant to the liquid medium such that its physical properties do not substantially deteriorate when exposed to the liquid medium.

【００１９】 また、研磨材は、所定のパターンの形で配置した複数の研磨複合材を包含する
と好ましい。複合材の少なくともいくつかは、精密に成形した研磨複合材であっ
てもよい。複合材のすべては、好ましくは、ほぼ同じ高さを有する。複合材高さ
は、好ましくは、約１００ミクロン以下である。さらに、研磨物は、好ましくは
、表面積の毎平方センチメートルあたり少なくとも約１，２００個の複合材を含
む。The abrasive preferably also includes a plurality of abrasive composites arranged in a predetermined pattern. At least some of the composites may be precision molded abrasive composites. All of the composites preferably have approximately the same height. The composite height is preferably about 100 microns or less. Further, the abrasive preferably comprises at least about 1200 composites per square centimeter of surface area.

【００２０】 好ましくは、研磨複合材のほぼすべては、ほぼ同じ形状を有する。代表的な形
状の例としては、立方形、円筒形、プリズム形、長方形、ピラミッド形、截頭ピ
ラミッド形、円錐形、截頭円錐形、十字形、平らな頂面を備える柱状形、半球形
ならびにこれらの形の組み合わせがある。研磨複合材は、互いに隔たっていると
好ましい。たとえば、互いに隔たった細長いうねの形で提供され得る（その結果
、一対の複合材の間に溝ができる）。Preferably, substantially all of the abrasive composites have approximately the same shape. Examples of typical shapes are cubic, cylindrical, prismatic, rectangular, pyramidal, truncated pyramidal, conical, frustoconical, cruciform, columnar with a flat top surface, hemispherical. As well as combinations of these forms. The abrasive composites are preferably separated from each other. For example, it may be provided in the form of elongated ridges spaced apart from each other (resulting in a groove between a pair of composites).

【００２１】 支持層２０３は、充分な強度、可撓性、耐久性を有する任意適当な高分子材料
であってよく、広範囲にわたるゴムおよびプラスチックを含む。特に好ましいゴ
ムおよびプラスチックとしては、限定するつもりはないが、ポリウレタン、ポリ
ウレア、ポリエステル、ポリエーテル、エポキシ、ポリアミド、ポリカーボネー
ト、ｐｏｌｙｅｔｈｅｙｌｅｎｅｓ、ポリプロピレン、フルオロポリマー、ビニ
ルポリマー、アクリル、メタクリル酸ポリマー、シリコーン、ラテックス、ニト
リルゴム、イソプレンゴム、ブタジエン・ゴム、および、スチレン、ブタジエン
およびアクリロニトリルの種々のコポリマーがある。高分子材料は、熱硬化性あ
るいは熱可塑性樹脂であってもよいし、固体細胞形であってもよい。中実層は、
その長さおよび横断面を通じて均一に中実であると好ましい。細胞層においては
、細胞は、開いていても閉じていてもよく、また、限定するつもりはないが、中
空のマイクロエレメントを含めて、吹込み、膨張、発泡を含む任意適当な手段で
形成し得る。或る用途においては、高分子材料は、０．１〜１０００マイクロメ
ートルのサイズのオーダーにある細胞あるいはボイドを有する超微小細胞ポリウ
レタンである。ベルトは、使用時に張力を維持する、すなわち、使用時に弛緩し
ないだけの充分な弾力性を持っていなければならない。ベルトは、−６０〜＋１
５０℃の温度で作動すると予想できる。The support layer 203 can be any suitable polymeric material having sufficient strength, flexibility, and durability, including a wide range of rubbers and plastics. Particularly preferred rubbers and plastics include, but are not limited to, polyurethanes, polyureas, polyesters, polyethers, epoxies, polyamides, polycarbonates, polyethylenes, polypropylenes, fluoropolymers, vinyl polymers, acrylics, methacrylic acid polymers, silicones, latexes, There are nitrile rubbers, isoprene rubbers, butadiene rubbers, and various copolymers of styrene, butadiene and acrylonitrile. The polymer material may be a thermosetting or thermoplastic resin, or may be a solid cell type. The solid layer is
It is preferably solid throughout its length and cross section. In the cell layer, cells may be open or closed and may be formed by any suitable means including insufflation, swelling, foaming, including but not limited to hollow microelements. obtain. In some applications, the polymeric material is microcellular polyurethane with cells or voids on the order of size of 0.1 to 1000 micrometers. The belt must be sufficiently resilient to maintain tension in use, ie, not relax in use. Belt is -60 to +1
It can be expected to operate at a temperature of 50 ° C.

【００２２】 特に好ましい高分子支持層は、SCAPA Precision Belts of Salem，New Jersey
の製造するＳＣＡＰＡ（登録商標）ベルト、Rodel, Inc., of Newark, Delaware
の製造するＩＣ―１０００パッドである。A particularly preferred polymeric support layer is SCAPA Precision Belts of Salem, New Jersey.
SCAPA® belts manufactured by Rodel, Inc., of Newark, Delaware
IC-1000 pad manufactured by.

【００２３】 固定研磨材２０１は、任意適当なアタッチメント材料２０３によって支持層２
０５に取り付けられる。好ましいアタッチメント材料２０３は、感圧型接着剤（
たとえば、フィルムまたはテープの形）である。この目的に適った感圧型接着剤
の代表例としては、ラテックス・クレープ、ロージン、アクリル・ポリマーおよ
びコポリマー（たとえば、ポリアクリル酸ブチルおよび他のポリアクリレート・
エステル）、ビニル・エーテル（たとえば、ポリビニールｎブチル・エーテル）
、アルキド接着剤、ゴム接着剤（たとえば、天然ゴム、合成ゴム、塩化ゴム）お
よびそれらの混合物に基づいたものがある。１つの好ましい感圧型接着剤として
は、イソオクチル・アクリレート：アクリル酸コポリマーがある。感圧型接着剤
は、好ましくは、普通の技術を使用して、研磨物の背面に積層あるいは被覆した
ものであると好ましい。The fixed abrasive 201 is made up of the support layer 2 with any suitable attachment material 203.
It is attached to 05. A preferred attachment material 203 is a pressure sensitive adhesive (
For example, in the form of a film or tape). Representative examples of pressure sensitive adhesives suitable for this purpose include latex crepes, rosins, acrylic polymers and copolymers (eg, polybutyl acrylate and other polyacrylates).
Ester), vinyl ether (for example, polyvinyl n-butyl ether)
, Alkyd adhesives, rubber adhesives (eg natural rubber, synthetic rubber, chlorinated rubber) and mixtures thereof. One preferred pressure sensitive adhesive is isooctyl acrylate: acrylic acid copolymer. The pressure sensitive adhesive is preferably one laminated or coated on the back of the abrasive article using conventional techniques.

【００２４】 上述したように、最も単純な実施例においては、支持層２０３は、ポリウレタ
ンのような高分子材料の単一層で形成される。別の実施例においては、ベルト１
０２は複数の層を有し得る。たとえば、第２の層または第３の層さえ、高分子支
持層と組み合わせ得る。付加的な層は、ゴムまたはプラスチックを含む任意適当
な高分子材料で作ったものであってもよい。硬い支持層の下に柔らかい副層を置
くことによって、ベルト１０２の全体的な剛性が高まるが、それでも充分な柔ら
かさを保ち、研磨層が撓んでウェーハ１１６の表面に一致し、また、ローラ１０
４，１０６まわりに曲がることができる。したがって、付加的な層を付け加える
ことによって、ベルト１０２の研磨性能を、加工物またはＣＭＰシステムに合わ
せることができる。As mentioned above, in the simplest embodiment, the support layer 203 is formed of a single layer of polymeric material such as polyurethane. In another embodiment, the belt 1
02 may have multiple layers. For example, the second or even the third layer may be combined with the polymeric support layer. The additional layers may be made of any suitable polymeric material including rubber or plastic. Placing a soft sublayer underneath the hard support layer increases the overall stiffness of belt 102, but still maintains sufficient softness that the polishing layer flexes to conform to the surface of wafer 116 and roller 10
You can turn around 4,106. Therefore, by adding additional layers, the polishing performance of belt 102 can be tailored to the work piece or CMP system.

【００２５】 図４は、複数の副層を有するベルトの別の実施例を示している。このベルト４
０２は、支持層４０５にアタッチメント材料４０３によって取り付けた固定研磨
材４０１を包含する。適当な固定研磨材、アタッチメント材料および高分子材料
は、すでに説明したものと同じである。支持層４０５の底面は、高分子副層４０
７に取り付けてある。高分子副層４０７は、一般的に、高分子支持層４０３より
も柔らかくて多孔性である任意の高分子材料である。高分子副層４０７のための
適当な材料は、一般的に、高分子発泡体を含む。特に好ましい副層は、Thomas W
est、 Inc., of Sunnyvale, Californiaの製造するThomas West Pad 817である
。高分子層の底面は、次いで、ステンレス鋼層４０９に取り付けられる。第２の
副層が柔らかくて、非常に多孔性の高い高分子材料であるため、ベルトは、損傷
を受けることなくローラまわりに巻き付けるに必要な可撓性を保つと同時に、鋼
製ベルトと組み合って耐久性を備える。FIG. 4 shows another embodiment of a belt having multiple sublayers. This belt 4
02 includes fixed abrasive 401 attached to support layer 405 by attachment material 403. Suitable fixed abrasives, attachment materials and polymeric materials are the same as previously described. The bottom surface of the support layer 405 has a polymer sublayer 40.
It is attached to 7. The polymeric sublayer 407 is generally any polymeric material that is softer and more porous than the polymeric support layer 403. Suitable materials for polymeric sublayer 407 generally include polymeric foam. A particularly preferred sublayer is Thomas W
This is Thomas West Pad 817 manufactured by est, Inc., of Sunnyvale, California. The bottom surface of the polymer layer is then attached to the stainless steel layer 409. Since the second sublayer is a soft, highly porous polymeric material, the belt retains the flexibility needed to be wrapped around the roller without damage while at the same time mating with the steel belt. With durability.

【００２６】 ベルトは、効果的な動作に必要な任意適当な寸法を有し得る。異なる研磨ツー
ルには、異なるベルト長さが必要であるかも知れない。異なる加工物サイズには
、異なるベルト幅を必要とするかも知れない。また、異なるタイプの研磨には、
異なる全体的な厚さ、そして、複数層の異なる相対的な厚さを必要とするかも知
れない。ベルトの頂面あるいは底面のいずれかが、研磨しようとしている加工物
の外形に一致する形状あるいはローラもしくはベルト下方の支持構造に一致する
形状の凸面あるいは凹面となっていてもよい。The belt can have any suitable dimensions required for effective operation. Different polishing tools may require different belt lengths. Different workpiece sizes may require different belt widths. Also, for different types of polishing,
It may require different overall thicknesses and different relative thicknesses of multiple layers. Either the top surface or the bottom surface of the belt may be a convex surface or a concave surface having a shape corresponding to the outer shape of the workpiece to be polished or a shape corresponding to the supporting structure below the roller or belt.

【００２７】 ベルト１０２の寸法例は、０．０２０〜０．２００インチの厚さおよび９０〜
１１０インチの公称内側長である。図示実施例においては、ベルトは、Lam Rese
arch Corporation, Fremont, Californiaの市販するＴｅｒｅｓ（商標）ＣＭＰ
システムと共に使用するサイズである。Exemplary dimensions of belt 102 are 0.020 to 0.200 inches thick and 90 to
It has a nominal inner length of 110 inches. In the illustrated embodiment, the belt is Lam Rese
Teres ™ CMP available commercially from arch Corporation, Fremont, California
The size to use with the system.

【００２８】 ベルトの縁は、滑らかであってもよいし、模様付きであってもよいし、パター
ン化したものであってもよい。これらの縁は、機能的な目的、たとえば、使用時
にベルトのアラインメント、追従性を助ける目的あるいはトリガリングまたはカ
ウンティングを助ける目的を果たす穴その他の物理的な特徴を持っていてもよい
。ベルトの縁および任意の関連した特徴は、成形中に形成してもよいし、切断、
穿孔、旋盤加工、パンチ加工のような二次的な製造作業で作ってもよい。The edges of the belt may be smooth, patterned or patterned. These edges may have holes or other physical features that serve a functional purpose, such as alignment of the belt during use, aid in tracking, or aid in triggering or counting. The edges of the belt and any associated features may be formed during molding, cutting,
It may be made by a secondary manufacturing operation such as punching, lathing or punching.

【００２９】 ベルトは、すべての層を貫く穴を有し得る。図５は、ベルト１０２の一部の斜
視図である。図５において、のぞき穴５０２がベルト１０２に切ってあり、研磨
中に加工物、すなわち、ウェーハ１１６（図１参照）の一部を露出させるように
なっている。さらに、トリガー穴５０４が、ベルト１０２に形成してあり、これ
は、のぞき穴５０２と関連している。これらの穴は、研磨中に加工物にスラリー
を送ったり、加工物の状態を光学的にモニタしたりするのに役立つ。The belt may have holes through all layers. FIG. 5 is a perspective view of a part of the belt 102. In FIG. 5, a peep hole 502 is cut in the belt 102 to expose a portion of the work piece, ie, the wafer 116 (see FIG. 1) during polishing. In addition, a trigger hole 504 is formed in the belt 102, which is associated with the peep hole 502. These holes serve to deliver slurry to the work piece during polishing and to optically monitor the work piece condition.

【００３０】 こうして、図１の化学機械研磨システム１００が、モニタリング・システム１
３５（図２参照）を持つことになる。モニタリング・システム１３５は、継続的
または周期的に、ベルト１０２上に光を照射する。のぞき穴５０２がモニタリン
グ・システム１３５を通過するとき、トリガー穴５０４がセンサ（図示せず）と
係合し、のぞき穴が存在するモニタリング・システム１３５にそれを指摘する。
それに応答して、モニタリング・システム１３５が、のぞき穴５０２付近でベル
ト１０２上へ光またはその他のエネルギを照射し、また、のぞき穴から反射して
きた光またはその他のエネルギを測定する。エネルギおよびその変動を測定する
ことによって、測定システムは、ＣＭＰシステム１００の研磨進行度を指示する
ことができる。トリガー穴５０４は、のぞき穴５０２に対して任意適当な関係を
もって配置するとよい。さらに、のぞき穴５０２のような複数ののぞき穴をベル
トに形成してもよい。付加的な穴は、ベルト１０２の一回転あたりに集めたデー
タ・サンプルの捕捉頻度あるいは数を増大させる。Thus, the chemical mechanical polishing system 100 of FIG.
35 (see FIG. 2). The monitoring system 135 continuously or periodically irradiates the belt 102 with light. As the peephole 502 passes through the monitoring system 135, the trigger hole 504 engages a sensor (not shown), pointing to the monitoring system 135 where the peephole is present.
In response, monitoring system 135 directs light or other energy onto belt 102 near peephole 502 and measures light or other energy reflected from the peephole. By measuring the energy and its variations, the measurement system can indicate the polishing progress of the CMP system 100. The trigger hole 504 may be arranged in any suitable relationship with the peep hole 502. Further, multiple peep holes, such as peep hole 502, may be formed in the belt. The additional holes increase the frequency or number of acquisitions of data samples collected per revolution of belt 102.

【００３１】 ベルト１０２は、種々のくぼみまたは突起を有し得る。ベルト１０２またはベ
ルト１０２の或る領域は、電磁放射線に対して透明であってもよいし、研磨中に
加工物の状態をモニタするのに使用する透明窓あるいは光学経路として役立つ膜
、シートあるいはプラグが取り付けてあってもよい。したがって、図５に示すオ
プションの実施例においては、光学的に透明なパネル５０６を、のぞき穴５０２
を覆って設置してある。ベルトは、研磨中にベルト、スラリーおよび加工物の状
態をモニタするのに使用し得る様々なタイプのセンサのうち任意のものを包含し
得る。The belt 102 can have various indentations or protrusions. The belt 102 or an area of the belt 102 may be transparent to electromagnetic radiation, or a film, sheet or plug that serves as a transparent window or optical path used to monitor the condition of the workpiece during polishing. May be attached. Therefore, in the optional embodiment shown in FIG. 5, an optically transparent panel 506 is provided with a peephole 502.
It is installed to cover. The belt may include any of various types of sensors that may be used to monitor the condition of the belt, slurry and workpiece during polishing.

【００３２】 本発明のベルトは、任意適当な製造方法によって作ることができる。方法の例
としては、限定するつもりはないが、押出成形、射出成形、ホット・キャスティ
ング、プレス加工、回転成形、遠心成形がある。上述したように、複数の層を有
するベルトは、１つの層を次の層に直接形成することによって作ってもよい。The belt of the present invention can be made by any suitable manufacturing method. Examples of methods include, but are not limited to, extrusion, injection molding, hot casting, pressing, rotomolding, centrifugal molding. As mentioned above, belts having multiple layers may be made by forming one layer directly on the next.

【００３３】 本発明の特別な実施例を図示し、説明してきたが、変形例も可能である。した
がって、本発明の真の精神、範囲に従う変更、修正のすべてをカバーすることを
本願特許請求の範囲において意図している。While a particular embodiment of the present invention has been shown and described, variations are possible. It is therefore intended in the appended claims to cover all changes and modifications that come within the true spirit and scope of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明の好ましい実施例による線形化学機械研磨システムの斜視
図である。FIG. 1 is a perspective view of a linear chemical mechanical polishing system according to a preferred embodiment of the present invention.

【図２】 図１のシステムの側面図である。2 is a side view of the system of FIG. 1. FIG.

【図３】 図１のシステムで用いるためのベルトの第１実施例の側面図であ
る。3 is a side view of a first embodiment of a belt for use in the system of FIG.

【図４】 図１のシステムで用いるためのベルトの第２実施例の側面図であ
る。4 is a side view of a second embodiment of a belt for use with the system of FIG.

【図５】 図１のシステムで用いるためのベルトの展開斜視図である。5 is an exploded perspective view of a belt for use in the system of FIG.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＯ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ， ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，Ｉ Ｓ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ， ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，Ｐ Ｔ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ボイド ジョン エム アメリカ合衆国 カリフォルニア州 93422 アタスカデロ シエラ ヴィスタ ロード 8730 (72)発明者 オウツァルズ アレクサンダー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95135 サン ホセ デヴェロン センタ ー 7523 Ｆターム(参考） 3C058 AA05 CB01 CB03 DA17 3C063 AA04 BA22 BA24 BB02 BB03 BB04 BC03 BC04 BF03 BG01 BG04 BG14 BH07 EE10 EE26 FF18 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (81) Designated countries EP (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, I T, LU, MC, NL, PT, SE, TR), OA (BF , BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG), AP (GH, G M, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ , UG, ZW), EA (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM), AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, B Z, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE , DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, I S, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK , LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, P T, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL , TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW (72) Inventor Boyd John M             United States California             93422 Atascadero Sierra Vista               Road 8730 (72) Otaruz Alexander, the inventor             United States California             95135 San Jose De Veron Center             ー 7523 F-term (reference) 3C058 AA05 CB01 CB03 DA17                 3C063 AA04 BA22 BA24 BB02 BB03                       BB04 BC03 BC04 BF03 BG01                       BG04 BG14 BH07 EE10 EE26                       FF18

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 線形化学機械研磨システムで加工物を研磨するためのベルト
であって、無端ループを形成している支持層と、この支持層の少なくとも片面に
取り付けた少なくとも１つの固定研磨材とを包含することを特徴とするベルト。1. A belt for polishing a workpiece in a linear chemical mechanical polishing system, the support layer forming an endless loop, and at least one fixed abrasive attached to at least one side of the support layer. A belt characterized by including. 【請求項２】 請求項１のベルトにおいて、前記支持層が、高分子材料から
なることを特徴とするベルト。2. The belt according to claim 1, wherein the support layer is made of a polymer material. 【請求項３】 請求項２のベルトにおいて、前記少なくとも１つの固定研磨
材が、前記高分子支持層の前記少なくとも片面とほぼ同一の広がりを有すること
を特徴とするベルト。3. The belt of claim 2, wherein the at least one fixed abrasive is substantially coextensive with the at least one side of the polymeric support layer. 【請求項４】 請求項１のベルトにおいて、前記少なくとも１つの研磨材が
、アタッチメント材料によって前記支持層に取り付けてあることを特徴とするベ
ルト。4. The belt of claim 1, wherein the at least one abrasive is attached to the support layer by an attachment material. 【請求項５】 請求項４のベルトにおいて、前記アタッチメント材料が、感
圧型接着剤であることを特徴とするベルト。5. The belt according to claim 4, wherein the attachment material is a pressure sensitive adhesive. 【請求項６】 請求項２のベルトにおいて、補強要素および前記支持層を支
持するための支持要素を持っていないことを特徴とするベルト。6. The belt according to claim 2, wherein the belt does not have a reinforcing element and a supporting element for supporting the supporting layer. 【請求項７】 請求項２のベルトにおいて、さらに、前記支持層の、前記少
なくとも１つの研磨材とは反対の側で前記支持層に取り付けた高分子副層を包含
することを特徴とするベルト。7. The belt of claim 2 further comprising a polymeric sublayer attached to the support layer on the side of the support layer opposite the at least one abrasive. . 【請求項８】 請求項７のベルトにおいて、前記高分子副層が、前記支持層
より高い気孔率を有することを特徴とするベルト。8. The belt of claim 7, wherein the polymeric sublayer has a higher porosity than the support layer. 【請求項９】 請求項７のベルトにおいて、さらに、前記高分子副層の、前
記支持層とは反対の側で前記高分子副層に取り付けた金属製補強要素を包含する
ことを特徴とするベルト。9. The belt of claim 7, further comprising a metallic reinforcing element attached to the polymeric sublayer on the side of the polymeric sublayer opposite the support layer. belt. 【請求項１０】 請求項１のベルトにおいて、前記少なくとも１つの研摩材
が、少なく１つの酸化物化合物からなることを特徴とするベルト。10. The belt of claim 1, wherein the at least one abrasive comprises at least one oxide compound. 【請求項１１】 請求項１のベルトにおいて、前記少なくとも１つの研摩材
が、少なく１つのカーバイド合成物からなることを特徴とするベルト。11. The belt of claim 1, wherein the at least one abrasive comprises at least one carbide compound. 【請求項１２】 請求項２のベルトにおいて、前記高分子材料が、ポリウレ
タンであることを特徴とするベルト。12. The belt according to claim 2, wherein the polymer material is polyurethane. 【請求項１３】 請求項２のベルトにおいて、前記支持層が、単一のほぼ均
一な高分子材料層でできていることを特徴とするベルト。13. The belt of claim 2 wherein the support layer is made of a single, substantially uniform layer of polymeric material. 【請求項１４】 請求項１のベルトにおいて、研磨中に加工物の一部を露出
させるようにベルトに形成した少なくとも１つののぞき穴を包含することを特徴
とするベルト。14. The belt of claim 1 including at least one peephole formed in the belt to expose a portion of the workpiece during polishing. 【請求項１５】 請求項１４のベルトにおいて、さらに、前記少なくとも１
つののぞき穴と関連してベルトに形成したトリガー穴を包含することを特徴とす
るベルト。15. The belt of claim 14, further comprising the at least one
A belt characterized by including a trigger hole formed in the belt in association with the three peep holes. 【請求項１６】 請求項１５のベルトにおいて、前記少なくとも１つののぞ
き穴が、ベルトの中心線に沿って位置していることを特徴とするベルト。16. The belt of claim 15, wherein the at least one peephole is located along a centerline of the belt. 【請求項１７】 化学機械研磨システムで加工物を研磨するためのベルトで
あって、無端ループを形成しており、単一のほぼ均一な高分子材料層だけで作っ
た高分子支持層と、前記無端ループの片面に設けた少なくとも１つの固定研磨材
とを包含することを特徴とするベルト。17. A belt for polishing a work piece in a chemical mechanical polishing system, the polymer support layer forming an endless loop and made of only a single layer of substantially uniform polymer material, A belt including at least one fixed abrasive provided on one surface of the endless loop. 【請求項１８】 請求項１７のベルトにおいて、補強要素および前記高分子
支持層を支持するための支持要素を持っていないことを特徴とするベルト。18. The belt of claim 17 having no reinforcement elements and support elements for supporting the polymeric support layer. 【請求項１９】 加工物を研磨するための化学機械研磨システムであって、
少なくとも片面に少なくとも１つの研磨材を取り付けた高分子材料の支持層で形
成した連続ループ・ベルトと、加工物を通して連続ループ・ベルトを移動させる
ための移送手段とを包含することを特徴とする化学機械研磨システム。19. A chemical mechanical polishing system for polishing a workpiece, comprising:
A chemistry comprising a continuous loop belt formed of a polymeric material support layer having at least one abrasive attached on at least one side, and transfer means for moving the continuous loop belt through a workpiece. Mechanical polishing system. 【請求項２０】 請求項１９のシステムにおいて、移送手段が、連続ループ
・ベルトを掛けた複数のローラを包含し、これらのローラが、加工物を通して線
形に連続ループ・ベルトを移動させるように選択的に回転可能であることを特徴
とするシステム。20. The system of claim 19, wherein the transfer means comprises a plurality of rollers with continuous loop belts, the rollers being selected to move the continuous loop belt linearly through the workpiece. A system characterized by being able to rotate mechanically.