JP2003521008A - 自動整列式ハイブリッド化プロセスおよび構成部品 - Google Patents

自動整列式ハイブリッド化プロセスおよび構成部品

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JP2003521008A
JP2003521008A JP2001555272A JP2001555272A JP2003521008A JP 2003521008 A JP2003521008 A JP 2003521008A JP 2001555272 A JP2001555272 A JP 2001555272A JP 2001555272 A JP2001555272 A JP 2001555272A JP 2003521008 A JP2003521008 A JP 2003521008A
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    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
    • G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment

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  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 ハイブリッド光学構成部品を形成する方法は、プレーナ光学構成部品のコア層上でパターンをマスキングおよびエッチングして少なくとも１つの整列要素と光学要素を画成するステップと、レーザなどの能動素子を含む能動プラットフォーム上に形成される鏡像整列要素を受け入れるための、導波路や整列要素などの光学要素の表面を露出する受動プラットフォームが形成されるように、光学要素にオーバークラッドを施すステップと、を含む。ハイブリッド構成要素は、その中に形成された整列要素を有する受動プラットフォームと、嵌め合いの鏡像整列要素を有する能動プラットフォームを受けるための導波路と、各プラットフォームが嵌合したときに導波路と整列する能動素子とを含む。このような製造方法およびその結果得られる光学構成部品は、ハイブリッド光学回路の製造コストを大幅に低減し、またその信頼性を高めてコストを下げる高度に効率的でまた自己整列する受動および能動構成部品プラットフォームを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 関連出願への相互参照 本出願は、その内容が依拠しており、その全体が本明細書に参考として組み入
れられている、２０００年１月２５日付け出願の欧州特許出願第００４００２０
１．０号の利益を主張し、優先権の利益がここに請求されている。
【０００２】 発明の背景 １．発明の分野 本発明は、プレーナ光学素子に関し、特にプレーナ受動光学素子に能動素子を
位置合せするための位置合せシステムに関する。
【０００３】 ２．技術的背景 通信業界で使用される光通信網は、数多くの複雑な光学部品を必要とし、その
中には例えばＮ×Ｍスイッチ、ゲイン平坦化フィルタ、可変減衰器、および合分
波マルチプレクサなどが含まれる。このような構成部品を設計する効率的な方法
は、多くの光学的機能が同一基板上に実装可能であるかぎり、プレーナ光学素子
を使用することである。更に、能動素子はプレーナプラットフォームに追加して
、切換え、監視、波長多重化、逆多重化、波長変換などに使用される比較的コン
パクトなパッケージで光通信網に必要とされる機能の多くを提供するハイブリッ
ド部品を作製できる。
【０００４】 ハイブリッド素子製造上の１つの問題点は、半導体レーザー、フォトダイオー
ドなどの能動素子を、導波路、カプラー、およびスイッチなどの受動素子に同一
基板上で正確に整列させることである。従来は、例えば、半導体レーザが受動シ
リカ導波路に位置合せされるまで、能動素子を物理的に移動させて位置合せされ
るときハイブリッド構成部品の光学性能を監視する能動位置合せが採用されてき
た。導波路からの出力は、その最適な出力が検出され、またそのときに、能動素
子がハンダ付けなどで、受動素子のプラットフォームに付けられるまで監視され
る。この方法はきわめて長い時間を要し、またこのような位置合せを行うために
は複雑な実験設備が必要となる。
【０００５】 先行技術で採用された別の方法は、例えば光導波路基板上に位置合せマークを
、そして能動プラットフォーム上には別の位置合せマークを付けて、能動素子プ
ラットフォームが受動素子プラットフォームに結合されるときにこれらの各マー
クを合わせるというものであった。これもまた、まずは両方のプラットフォーム
上での位置合せマークの正確な配置が必要であり、またその後では、その結合と
接着時に能動および受動プラットフォームの正確な位置合せが必要となる。
【０００６】 従って、能動素子が受動プラットフォームのプレーナ光構成部品に正確に位置
合せされて能動素子がその構成部品に正確に結合できるシステムおよびそれによ
って得られるハイブリッド構成部品に対する必要性が存在する。ハイブリッド光
構成部品に対する需要が高まり、単一ウェーハ上に実装された光学的機能の数が
増えるにつれて、受動および能動光学素子の効率的かつ正確な位置合せを実現す
る必要性も増えてきた。
【０００７】 発明の概要 本発明の方法とそれによって実現される構造は、受動プラットフォームの導波
路に位置合せする能動要素などを含む能動プラットフォームの鏡像構造に嵌合す
る位置合せスタンドオフ要素を受動プラットフォーム上に形成することにより、
ハイブリッド構成部品のこのような正確な位置合せを提供する。この２つのプラ
ットフォームは、受動素子に対する能動素子の位置決めを実験したり、あるいは
受動および能動プラットフォームを整列させるために割出しマークを利用する必
要なしに互いに正確に自己整列する。本発明に従ってハイブリッド素子を形成す
る方法は、プレーナ光構成部品のコア層上でマスキングとエッチングを行って少
なくとも１つのスタンドオフ整列要素と光学要素を画成するステップと、その後
、導波路などの光学要素と、固体レーザーなどの能動素子を含む能動プラットフ
ォームの鏡像整列要素を受けるスタンドオフ整列要素とを露出させる受動プラッ
トフォームが形成されるように、光学要素にオーバークラッドを施すステップと
を含む。
【０００８】 本発明を具現化するハイブリッド構成部品は、少なくとも１つのスタンドオフ
整列要素と、嵌め合いの鏡像整列要素を有する能動プラットフォームを受けるた
めにその中に形成された光学構成部品とを有する受動プラットフォームを含む。
このような製作方法およびそれによって得られる光学構成部品は、ハイブリッド
光学構成部品の製作のコストを大幅に低減し、またそれらの信頼性を高めてコス
トを下げる高効率かつ自己整列式の受動および能動構成部品プラットフォームを
提供する。
【０００９】 本発明の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明の中に述べられ、また当該
説明から当業者には明らかになるであろうし、あるいは以下の説明および特許請
求の範囲および添付の図面に示す通り本発明を実践することにより認識されるで
あろう。
【００１０】 前述の説明は本発明の実施例を示したに過ぎず、各請求項で定義された本発明
の性質を理解するための概要を提供するものであることを理解されたい。添付の
図面は、本発明の理解を増進するために含めたものであり、また本明細書に組み
込まれ、その一部を構成する。各図面は、本発明の様々な特徴と実施形態を示す
もので、説明とともに、本発明の原理と動作を説明する。
【００１１】 好適な実施態様の詳細な説明 まず図１では、プレーナ光回路の初期プリフォームが示されている。これは、
その全体において、スイッチ、カプラー、またはマルチプレクサなどのいくつか
の光学構成部品を含んでいてもよく、またフォトダイオード、固体レーザなどの
プレーナ受動光学構成部品を含む。但し、わかりやすくするため、図示したのは
、光回路全体の一部を形成する単一の受動構成要素と単一の能動構成部品である
。図１では、この光回路のウェーハの部分が示されており、これは基板を形成す
るシリカまたはシリコン１０の平面層と、シリカ（ＳｉＯ２）およびホウ素、ゲ
ルマニウムなどのドーパントであるアンダークラッド１２を含み、１５５０ｎｍ
で約１．４４〜１．５５の屈折率を得る。アンダークラッド層１２上に従来の方
法で堆積されているのは、アンダークラッド層１２よりもおよそ１％大きな、約
１．５〜１．６の屈折率を提供する、異なってはいるが従来のドーパント混合物
を有するコア層１４である。図１の構造物は、従来より、基板へのアンダークラ
ッド、およびアンダークラッドへのコア層の火炎加水分解堆積法、プラズマ援用
気相成長法（ＰＥＣＶＤ）などの標準プロセスによって形成されてきた。
【００１２】 図２はこのプロセスの次のステップを示しており、これはコア層１４の露出表
面への金属層１６のスパッタリングまたは蒸発による堆積を伴う。この金属層は
、約０．２〜０．５μｍの堆積厚みを有する、アルミニウム、クロム、シリコン
、ニッケルなどの適切な導電または半導電材料であってもよい。
【００１３】 その後、図３に示すように、フォトレジスト材料１５のパターンは、マスク材
を利用して金属層１６上に堆積されて、それぞれが間隔を取ったレッグ１７と１
９のペア、そして２１と２３のペアを含む、スタンドオフ整列要素１８と２２に
最終的になるものを画成する。下記に詳細に記載されるように、フォトレジスト
のパターン層１５は、スタンドオフ整列要素と、導波路などの受動光要素２０の
形状と位置、およびそれらの各々の位置を定義する。このため、スタンドオフ要
素１８と２２は、図３に示す構造の金属層１６上へのフォトレジストのパターン
層１５の印刷時に、または後続加工ステップによって、導波路２０と固定的な関
係が得られるように、また導波路と整列するように正確に配置される。
【００１４】 図４は次のステップである。このステップでは、図３の露出金属層１６をエッ
チングして、要素１８、２０、２２を画成するフォトレジスト１５の下の金属層
１６にコア材料１４をさらすことである。次に、フォトレジスト層が、フォトレ
ジストの化学洗浄によって図５のように除去されて、同じパターンを有する要素
１８、２０、および２２に対応する金属マスクを露出することと、金属層１６の
残りの露出パターンを含むだけの元のフォトレジストパターンの相対的位置合せ
によって除去される。図６に示すように、コア材料１４は次に反応性イオンエッ
チングなどによってエッチングされ、図６に示す三次元構造となり、コア材１４
がスタンドオフ整列要素１８、要素２０（導波路）、およびスタンドオフ整列要
素２２の金属層１６の下に残る。アンダークラッド層１２は、導波路２０と要素
１８および２２を囲む領域で露出される。アンダークラッド層１２は部分的にエ
ッチングできる。
【００１５】 次に、スタンドオフ要素１８の平行で長方形で間隔を開けたレッグ１７と１９
と、スタンドオフ要素２２のレッグ２１と２３は、図８に示す次のステップにお
いてその金属表面を保護するために、フォトレジスト材２５でコーティングされ
る。このステップでは、導波路２０の金属層１６と、スタンドオフ要素１８と２
２それぞれの導波路重複部分２６と２７とが、従来のウェットまたはドライエッ
チングによってエッチングされる。フォトレジスト材２５はその後洗浄されて、
スタンドオフ整列要素１８と２２それぞれのレッグ１７、１９、２１、および２
３上の金属面が露出される。
【００１６】 次に、図９に示すように、図８の構造体上での火炎加水分解堆積法などによっ
てオーバークラッド層３０が堆積される。オーバークラッド３０は、アンダーク
ラッド層１２に類似した屈折率を提供するが、１３４０℃などといったアンダー
クラッド層および基板１０と１２の融点に対しておよそ１２４０℃などの低い融
点を有するドーパントを有するシリカである。このため、オーバークラッド３０
の火炎加水分解堆積法は、それまでに形成された図８の基板アンダークラッド、
導波路、またはスタンドオフ整列要素の形状に影響を与えない。オーバークラッ
ドを施した後、オーバークラッド層３０の上面は、従来のスパッタリングまたは
蒸発手法によってアルミニウム、クロム、またはシリコンの金属層３２でコーテ
ィングして、オーバークラッド層３０の上部表面全体を覆う（図９）。
【００１７】 次に、フォトレジスト３４の長方形パターンが、図９の構造体の後部の金属層
３２にだけ適用される。導波路要素２０とオーバーラップ部分２６および２７は
部分的に覆われる。露出した金属表面３２、上記導波路要素２０、およびスタン
ドオフ要素１８と２２は、次にウェットエッチングまたはドライエッチングで除
去されて、図１０と図１０ａの断面図に示すように、オーバークラッド層３０を
露出させる。フォトレジスト３４は、その後洗浄され、それまでフォトレジスト
層３４で保護されていた金属層３２を露出させる。このプロセスの最後に、要素
２０、２６、および２７の一部の上の金属層３２が露出され、スタンドオフ整列
要素１８と２２上の構造体の前方部分でのオーバークラッド３０が露出される。
フォトレジストマスキング３４は、結果として得られる構造体の前部と後部の間
に正確な境界を画成し、これが、下記の通り、垂直壁３８（図１１）となる。プ
ロセスの１つの重要なステップは、オーバークラッドエッチングの前に整列要素
上でのコアエッチング時にマスクを所定位置に残すことである。この埋め込み層
は、部分的オーバークラッドエッチング時のエッチング止め層として機能する。
【００１８】 図１１に示すように、そのように形成された受動プラットフォーム４０の前の
カバーのないオーバークラッド３０は、また反応性イオンエッチングなどの従来
型エッチングプロセスを使ってエッチングされ、スタンドオフ整列要素１８の平
行で縦方向に延在するレッグ１７と１９と、スタンドオフ要素２２の平行で縦方
向に延在するレッグ２１および２３とを再度露出する。埋め込み層１６は、スタ
ンドオフ要素１７、１９、２１、および２３を保護するためのエッチング止め層
として機能する。エッチングはアンダークラッド層１２の中へ幾分深く伸びて、
スタンドオフ要素１７と１９、２１と２３の間にそれぞれ溝３５と３７を、そし
てレッグ１９と２１との間には広い溝３６を形成する。下記の能動素子のＺ軸整
列用の基準面は、スタンドオフ要素１８および２２の上部金属露出面である。残
りのオーバークラッド層の垂直端壁３８は、エッチング時に正確に形成され、以
下に説明するように、受動プラットフォーム４０上での能動プラットフォームの
Ｙ軸位置合せを提供する。コア材１４で形成された導波路２０の端面２８は、固
体レーザなどの能動素子が、図１２および１３に関連して説明されるように受動
プラットフォーム上に配置されたときに反射を低減するように、二酸化チタン（
ＴｉＯ２）またはその他の材料でコーティングしてもよい。
【００１９】 図１２には、受動プラットフォーム４０のスタンドオフ整列要素１８と２２の
鏡像である整列要素を有する能動プラットフォーム５０が示されている。能動プ
ラットフォーム５０は、ＩｎＰなど、周期表ＩＩＩ−Ｖ族元素のアモルファス材
料の合成物と、埋め込みレーザ導波路５４を形成するのＩｎＧａＡｓＰの能動層
とから構成される。これは、その中心に配置され、受動プラットフォーム４０の
溝３５と３７に嵌合する縦方向に延在する、長方形で、下向きに突出した***を
含む整列要素５８と６２に正確に整列される。能動プラットフォーム５０は、能
動プラットフォーム５０が受動プラットフォーム４０の上に配置されて、（一つ
の実施形態では）熱圧縮などによって、あるいは従来型接着剤などの他の適切な
手段によってそれに接着されるときに、レーザ導波路５４の能動端５５が、図１
３のように、導波路２０の端２８と整列し、それとともに中心に配置されるよう
、受動プラットフォーム４０と整列される。能動プラットフォームは、プラット
フォーム４０の溝３５と３７の中に収まる鏡像の相互嵌合整列要素５８と６２と
、プラットフォーム４０のスタンドオフ整列要素のレッグ１７、１９、２１、お
よび２３をそれぞれ受ける溝７０、７２、７４、および７６を提供するように作
製される。能動素子の整列要素は、受動プラットフォームの整列要素の鏡像であ
り、能動素子上面で直接エッチングされる。
【００２０】 能動プラットフォーム５０の後壁５２は、能動プラットフォーム４０の前壁３
８で終端し、またこれと整列して、図１３の矢印Ｙで示すＹ軸整列を提供するの
に対して、相互嵌合の整列要素と溝は図１３の矢印Ｘで示すＸ軸整列を提供する
。Ｚ軸整列は、スタンドオフ要素１８と２２の一番上の金属面１６が、導波路２
０と能動レーザ導波路５４の実質的に中心配置された整列を提供するために正確
にエッチングされた各溝７０、７２、７４、および７６の下面５１に当たるよう
に収まることによって達成される。能動プラットフォーム５０上に形成された鏡
像整列要素は、受動プラットフォーム４０の製造で使用されるものへの鏡像マス
キングを利用した反応性イオンビームエッチングによって形成される。
【００２１】 図１３に示されるハイブリッド構成要素６０は、プロセスを示しただけであり
、導波路２０に結合し整列した固体レーザ５４を含むハイブリッド構成部品を示
す。導波路２０の形成と同時に、そしてまた同じ加工ステップ時に一体成形され
る他の数多くの光学構成部品を含む。受動プラットフォームのプラスの整列要素
が能動プラットフォームのマイナス要素と自己整列されるかあるいはその逆に自
己整列されるので、Ｘ軸整列精度は、十分０．５μｍ内の形成プラス／マイナス
整列要素の精度によって提供される。Ｙ軸の精度も同様に、受動および能動プラ
ットフォームの端壁３８と５４の整列の精度によってそれぞれ定義され、この精
度もまた０．５μｍ以内である。Ｚ軸整列精度は、能動素子の表面のエッチング
深さによって制御され、標準反応性イオンエッチングプロセスまたは反応性イオ
ンビームエッチングプロセスを利用して、０．１μｍ以内に容易に制御できる。
好適な実施形態に開示した整列要素は、平行で一般に長方形でそして壁３８およ
び５２などの一体型の端壁を有する突出部と溝であるけれども、整列要素の形状
、配置、および数は、それらがＸ、Ｙ、およびＺ方向において受動プラットフォ
ームと能動プラットフォームとの間の嵌め合い表面を提供するかぎりにおいて変
更可能であることが理解される。このため、整列要素は、正方形、長方形、ある
いは三角形のブロックおよび類似形状の受けソケットの形を取ることができる。
【００２２】 本発明の方法により、費用効果の高い製造方法によって受動素子と能動素子と
の間の正確な位置合せを提供する複雑なハイブリッド光学構成部品を製造できる
。当業者によれば、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の精神また
は範囲から逸脱することなく、本明細書に記載された本発明の好適な実施形態に
ついての様々な変更がなされ得るということが明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に基づいたハイブリッド光学構成部品を製造する工程における１つのス
テップの概略図
【図２】 本発明に基づくハイブリッド光学構成部品を製造する工程における別のステッ
プの概略図
【図３】 本発明に基づくハイブリッド光学構成部品を製造する工程における別のステッ
プの概略図
【図４】 本発明に基づくハイブリッド光学構成部品を製造する工程における別のステッ
プの概略図
【図５】 本発明に基づくハイブリッド光学構成部品を製造する工程における別のステッ
プの概略図
【図６】 本発明に基づくハイブリッド光学構成部品を製造する工程における別のステッ
プの概略図
【図７】 本発明に基づくハイブリッド光学構成部品を製造する工程における別のステッ
プの概略図
【図８】 本発明に基づくハイブリッド光学構成部品を製造する工程における別のステッ
プの概略図
【図９】 本発明に基づくハイブリッド光学構成部品を製造する工程における別のステッ
プの概略図
【図１０】 本発明に基づくハイブリッド光学構成部品を製造する工程における別のステッ
プの概略図
【図１０ａ】 図１０の断面線Ｘａ−Ｘａにおける断面図
【図１１】 本発明の方法に従って製造された受動プラットフォームの概略図
【図１２】 図１２に示す受動プラットフォームに嵌合する能動素子を含む、能動プラット
フォームの概略図
【図１３】 本発明に従って製造され、また図１１の受動プラットフォームに結合された図
１２の能動プラットフォームを含むハイブリッド光学構成部品の概略図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＡＥ，Ａ Ｇ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，Ｇ Ｂ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ， ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，Ｍ Ｄ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，Ｕ Ｇ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ハイブリッド光学構成部品を製造する方法であって、 第一の基板を提供するステップと、 前記第一基板上にコアを堆積させるステップと、 光学要素と少なくとも１つの整列要素を画成するために前記コアをマスキング
    およびエッチングするステップと、 前記整列要素の少なくとも一部の前記エッチング時に前記マスクを所定位置に
    残すステップと、 露出した光学要素の表面で受動プラットフォームを画成するため、前記整列要
    素と所定の固定された関係となるように前記光学要素にオーバークラッドを施す
    ステップと、 能動光学素子を提供するステップと、 前記受動プラットフォームの前記整列要素の鏡像である整列要素を形成するた
    め、前記能動素子をマスキングおよびエッチングするステップと、 それぞれの整列要素が互いに係合し、前記能動光学素子が受動プラットフォー
    ム上の光学素子の露出面と整列し機能する関係に配置されるように、前記能動素
    子を前記受動プラットフォームに結合するステップと、を含む方法。
  2. 【請求項２】 前記コアをマスキングおよびエッチングする各ステップが、 前記コア上に金属層を堆積させるステップと、 前記光学素子および前記整列要素を画成するため、前記金属層上にフォトレジ
    ストのパターンを適用するステップと、 前記露出した金属層をエッチングするステップと、 前記フォトレジストを除去するステップと、 前記基板への露出コアをエッチングするステップと、 を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記オーバークラッドを施すステップが、 前記整列要素にフォトレジストを適用するステップと、 前記光学要素の露出した金属表面をエッチングするステップと、 前記整列要素上のフォトレジストを除去するステップと、 前記オーバークラッドの露出表面上に金属層を堆積させるステップと、 前記光学素子の少なくとも一部の上を覆う前記金属層の表面にフォトレジスト
    を適用するステップと、 前記露出した金属表面をエッチングするステップと、 前記フォトレジストを除去するステップと、 前記オーバークラッドをエッチングするステップと、 を含むことを特徴とする請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記コアマスキングとエッチングが導波路を画成することを
    特徴とする請求項１記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記コアマスキングとエッチングが互いに間隔を有する関係
    で１対の整列要素を画成することを特徴とする請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記第一基板を設けることでＳｉＯ２の層と約１．４４〜１
    ．５５の屈折率を有するドーピングされたＳｉＯ２のアンダークラッドの複合材
    料が提供されることを特徴とする請求項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記コアを堆積させるステップが火炎加水分解堆積法によっ
    て約１．５〜１．６の屈折率を有するコアを得ることを特徴とする請求項１記載
    の方法。
  8. 【請求項８】 第二の基板を提供することでＩＩＩ−Ｖ族の化合物のプレー
    ナ基板が提供されることを特徴とする請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記結合ステップが、前記能動および受動プラットフォーム
    を嵌め合わせるための熱圧縮を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
  10. 【請求項１０】 ハイブリッド光学構成部品用の受動プラットフォームを製
    造する方法であって、 基板を提供するステップと、 前記基板上にコアを堆積させるステップと、 導波路と少なくとも１つの三次元整列要素を画成するため、前記コアをマスキ
    ングおよびエッチングするステップと、 前記三次元整列要素の一部の上記エッチング時に前記マスクを所定の場所に残
    すステップと、 露出した導波路の端部を有する受動プラットフォームを画成するため、前記整
    列要素と所定の固定した関係となるように前記導波路にオーバークラッドを施す
    ステップと、を含む方法。
JP2001555272A 2000-01-25 2000-12-13 自動整列式ハイブリッド化プロセスおよび構成部品 Withdrawn JP2003521008A (ja)

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EP00400201A EP1120672A1 (en) 2000-01-25 2000-01-25 Self-alignment hybridization process and component
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