JP2003509852A - 円筒形の研磨パッドを用いた化学機械研磨の方法およびシステム - Google Patents

円筒形の研磨パッドを用いた化学機械研磨の方法およびシステム

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 【解決手段】 化学機械研磨のシステムと、化学機械研磨およびウエハ表面の準備の方法が提供されている。準備は、研磨動作もしくはバフ研磨動作のいずれかである。化学機械研磨システムは、ウエハを保持し回転させるためのキャリアを備える。ウエハは、表面領域を持ち、処理されるウエハの表面領域が露出するようにキャリアによって保持される。そのシステムは、さらに、処理表面を有するローラを備える。ローラは、軸を中心に回転するよう構成され、ローラの回転する処理表面は、回転するウエハ表面に対して力を掛けられて押し付けられ、ウエハ上の接触領域を定める。接触領域の面積は、ウエハ表面の面積よりも小さい。接触領域は、ウエハの処理の間にウエハの第１の領域とウエハの第２の領域との間を移動され、除去速度の制御のために力と線速度が操作される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学機械研磨（ＣＭＰ）のシステム、およびＣＭＰ処理の性能を改
善するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造では、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理と、バフ研磨と、ウ
エハ洗浄とを実行する必要がある。通例、集積回路デバイスは、重層構造の形状
をとっている。層基板面には、拡散領域を持つトランジスタデバイスが形成され
る。それに続く層では、接続のためのメタライゼーション配線が、パターニング
され、所望の機能を持つ素子となるようにトランジスタ素子に電気的に接続され
ている。周知のように、パターニングされた導電層は、二酸化ケイ素のような誘
電材料によって他の導電層から絶縁されている。より多くのメタライゼーション
層とそれらに関連する誘電体層が形成されると、誘電材料をプラナリゼーション
する必要性が増大する。プラナリゼーションを行わなければ、表面の形状が多様
になるため、さらなるメタライゼーション層の製造は実質的に困難になる。他の
用途としては、誘電材料内にメタライゼーション配線パターンが形成された後に
、余分な金属を除去するために金属ＣＭＰ処理が実行される。
【０００３】 図１Ａは、ＣＭＰシステム１４と、ウエハ洗浄システム１６と、ＣＭＰ後の処
理１８とを含む化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセス１０の概略図である。半導体ウ
エハ１２は、ＣＭＰシステム１４でＣＭＰ処理を施された後、ウエハ洗浄システ
ム１６で洗浄される。次いで、半導体ウエハ１２を、ＣＭＰ後の処理１８に進め
、ここで、さらに付加的な層の蒸着、スパッタリング、光露光、関連するエッチ
ングを含むいくつかの異なる製造処理の一つを施してもよい。
【０００４】 ＣＭＰシステム１４は通例、ウエハ１２の表面を取り扱い、研磨するためのシ
ステム構成要素を含んでいる。例えば、そのような構成要素は、環状もしくは回
転研磨パッドや線形ベルト研磨パッドなどである。パッド自体は通例、ポリウレ
タン材料でできている。動作中、ベルトパッドが動かされ、次いで、スラリ材料
がベルトパッドの表面に塗布され、全体に広げられる。スラリが塗布されたベル
トが所望の速度になると、ウエハは、ベルトパッド表面の上に下ろされる。同様
に、回転もしくは環状ＣＭＰシステムにおいて、研磨パッドは、回転する平坦な
表面上に配置され、スラリが塗布される。研磨キャリアに取り付けられたウエハ
は、研磨パッドの表面上に下ろされる。このようにして、プラナリゼーションが
必要とされるウエハ表面は、ほぼ滑らかにされる。次いで、ウエハは、ウエハ洗
浄システム１６に送られ、そこで洗浄される。
【０００５】 より大きなウエハ基板上に多層の複雑な構造を加工する必要性の増大に伴い、
現在よりもさらに正確なＣＭＰプロセスの測定および制御が必要となる。ＣＭＰ
プロセスの目標は、除去速度と均一性を最大限にすることである。周知のように
、除去速度はプレストンの式によって決定できる。除去速度＝ＫｐＰＶ、ここで
、オングストローム／分での物質の除去速度は、下向きの力（Ｐ）と線速度（Ｖ
）の関数であり、Ｋｐは、スラリの化学組成、プロセスの温度、パッド表面によ
って決定されるプレストン係数である。
【０００６】 したがって、除去速度を上げる１つの方法としては、圧力（例えば、下向きの
力）を増して、ウエハを研磨パッドに押し付ける方法がある。しかしながら、過
度の力でウエハがパッドに押し付けられると、圧力によって、そのウエハが壊れ
やすくなって、ウエハ破壊の原因になることがあり、過度の力は、不均一な除去
速度を引き起こすこともある。さらに、下向きの力の大きさは、ウエハの表面上
の高圧によって引き起こされる失速摩擦、およびモータのトルクによって、制限
される。さらに、下向きの力が増大すると、局所的および全体的な均一性が減少
し得ることが見いだされている。
【０００７】 除去速度と均一性を上げる別の方法は、研磨パッドの速度を上げる方法である
。速度の増大と圧力の増大を組み合わせて行ってもよい。線速度の増大を実現す
る際の制限要素は、キャリアのサイズおよび重量、ＣＭＰシステムの物理的なサ
イズの増大、およびモータのトルクである。例えば、ベルトを駆動するために、
大きなトルクと動力を必要とするほど大きいベルト型ＣＭＰシステムもある。し
たがって、従来のＣＭＰシステムの線速度を効率的に増大させることは不可能で
ある。
【０００８】 線速度がいくぶん高くなると、ハイドロプレーニング効果が、ウエハと研磨パ
ッドとの間で発生し始める。ハイドロプレーニングは、ウエハの線速度が増大す
ることと、化学物質（例えば、スラリ）の膜が研磨パッド表面を被覆することか
ら起こると考えられる。
【０００９】 従来のＣＭＰシステムに関する別の問題を説明するために、図１Ｂ‐１Ｃを参
照する。周知のように、現在のＣＭＰシステムは、銅などのメタライゼーション
材料を除去し、酸化層の金属配線を隔離するために用いられる。図１Ｂでは、酸
化層１０２が基板１００の上に示されている。溝１０２ａ‐１０２ｄは、酸化層
１０２にエッチングされており、酸化層１０２内に金属配線を形成するために用
いられる。金属層１０４を形成する前に、薄いバリアもしくはライナ層（図示せ
ず）が、表面全体にわたって蒸着される。周知のように、窒化ケイ素、窒化チタ
ンなどの材料がバリアに用いられる。次いで、金属層１０４が、酸化層１０２全
体に形成され、図示された溝１０２ａ‐１０２ｄを完全に埋める。図１Ｃでは、
溝１０２ａ‐１０２ｄが、金属層１０４の残りの金属で満たされたまま金属配線
として酸化層１０２全体にわたって通るように、従来のＣＭＰによって、金属層
１０４の余分な金属やバリアを除去され、酸化層１０２の表面が滑らかにされて
いる。
【００１０】 図１Ｃに示されているように、「侵食」および「ディッシング」として知られ
ている欠陥が、それぞれ点１０６および１０８のプラナリゼーションされた表面
で生じる。現在の技術のＣＭＰシステムでは、ウエハの表面全体が常に、研磨ベ
ルトもしくはパッドと、スラリに接触し、それによって研磨される。酸化物、バ
リア、および金属層に硬度の差があるために、層が処理されて異なる層が現れる
と、除去速度はかなり変化する。比較的軟質の金属層１０４は、硬質のバリアや
酸化物よりも大きい速度で除去される。金属配線１０４の間の酸化物領域１０６
における金属層が除去された後に、処理を継続すると、１０８に示した金属配線
のディッシングが起こりうる。しかしながら、酸化物全体にわたってバリア層を
除去するためには、処理を継続する必要がある。「過剰研磨」として知られてい
るプロセスは、厚さのばらつきを補正するために必要となることが多いが、過剰
研磨を施しすぎると、点１０６に示されたように酸化物が侵食されたり局所的に
薄くなったりする場合がある。周知のように、ディッシングおよび侵食１０６は
、そのウエハから製造された集積回路の完成品の性能に悪い影響を及ぼすことが
ある。
【００１１】 以上の点から、効率的に線速度を増大し、さらに、従来技術の不具合なしに、
ウエハに掛ける力を増大させることを可能とするＣＭＰシステムが必要とされて
いる。線速度および力の増大は、除去速度と、プラナリゼーションされたウエハ
表面の均一性を増大させるように制御すべきである。
【００１２】
【発明の概要】
概して、本発明は、除去速度の増大、均一性、および制御可能性を可能とする
ＣＭＰシステムを提供することによりこれらの要求を満たす。そのＣＭＰシステ
ムは、これまで生じていたディッシング、侵食、ハイドロプレーニングの有害な
影響を排除した上で、線速度の大幅な増大を可能とするシステムであり、リアル
タイムにその場で材料除去のモニタリングを行うことにより正確かつ制御可能な
ウエハ処理を実現できる。ここで、本発明は、プロセス、装置、システム、デバ
イス、または方法を含む種々の手段で実現できることを理解しておく必要がある
。以下では、本発明の実施形態をいくつか説明する。
【００１３】 一実施形態では、ＣＭＰシステムが開示されている。そのＣＭＰシステムは、
ウエハを保持し回転させるキャリアを備える。ウエハは、処理される表面が露出
するようにキャリア上に保持される。そのシステムは、ＣＭＰもしくはバフ研磨
の動作において用いられるパッドやブラシのような処理表面によって覆われたロ
ーラを備える。ローラは、回転する処理表面がローラ接触領域において回転する
ウエハに押し付けられるように回転する。ローラ接触領域は、ウエハ表面の面積
よりも小さい表面積を持つ。回転運動に加えて、ローラは横運動も可能であり、
ローラがウエハの表面に押し付けられると、ローラはさらに、１つの領域から別
の領域へ横断移動する。このようにして、ウエハの全表面が処理される。
【００１４】 別の実施形態では、化学機械研磨の方法が開示されている。その方法は、ウエ
ハを保持するキャリアを回転させる工程を含む。キャリアは、処理されるウエハ
の表面が露出するようにウエハを保持する。その方法は、さらに、回転軸の周り
にローラを回転させる工程を含む。ローラは、ＣＭＰもしくはバフ研磨の動作に
おいて用いられるパッドやブラシのような処理表面によって覆われている。回転
する処理表面が、回転するウエハ表面に押し付けられ、それにより、ローラ接触
領域が決定される。ローラ接触領域の面積は、ウエハ表面の面積よりも小さい。
ローラ接触領域は、さらに、ウエハの表面にわたって横断方向に動かされ、ＣＭ
Ｐもしくはバフ研磨プロセスが実行される。
【００１５】 さらに別の実施形態では、ウエハの表面を準備する方法が開示されている。そ
の方法は、ウエハを回転させる工程と、回転する表面をウエハの一部分に押し付
ける工程とを含む。次いで、回転する表面は、ウエハの第１の領域と第２の領域
の間を移動される。その方法は、さらに、ウエハの接触領域における線速度を定
める工程と、接触領域においてウエハ方向に力を加える工程とを含む。接触領域
における力と線速度とを操作することにより、除去速度が制御され、その結果と
してウエハ表面を準備するプロセスが制御される。除去速度は、さらに、除去速
度に関するフィードバック情報を提供するセンサを実装することによりモニタリ
ングできる。
【００１６】 本発明には、多くの実際的な利点がある。特に、ＣＭＰもしくはバフ研磨プロ
セスの制御と正確さを実現できることによって、より複雑な多層集積回路の製造
が可能となる。処理中の線速度と圧力を増大させることができるため、従来技術
よりも高い除去速度が実現される。これにより、処理能力が高くなるだけでなく
、従来技術において全表面で処理を継続していたのに代えて、ウエハの表面接触
領域において処理を施すことにより、さらに制御可能かつ均一なプラナリゼーシ
ョン表面が生み出される。
【００１７】 本発明の別の利点は、リアルタイムにその場で材料の除去をモニタリングする
ためのセンサを備える実施形態である。従来の技術では、材料の除去を評価して
、処理のパラメータを操作する必要があるが、本発明は、処理動作中に測定値と
評価を提供する。プロセスの進行と並行して、ウエハが処理されている間の実際
に処理されているウエハの材料および環境の条件に基づいて、プロセスを操作す
ることができるため、より効率的かつ正確な処理が実現する。より複雑な多層集
積回路の需要に応えるには、多層の表面を正確かつ均一にプラナリゼーションす
る能力が必要であり、本発明は、その要求を満たすものである。
【００１８】 最後に、本発明の好ましい実施形態によれば、貴重な製造工場の床面積をより
効率的かつ経済的に利用することができる。縦方向に配置することによって、従
来技術のシステムの占有面積が削減され、全体的なプロセスの制御が向上される
。
【００１９】 本発明の原理を例示した添付図面に即して行う以下の詳細な説明から、本発明
のその他の態様および利点が明らかになる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
半導体ウエハの層にＣＭＰ処理を施すためのシステムおよび方法の発明が開示
されている。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの詳細
が示されている。しかしながら、当業者にとっては、本発明がこれらの具体的な
詳細の一部もしくはすべてがなくとも実行可能であることが理解されるだろう。
そのほか、本発明が不必要に不明瞭となることを避けるため、周知の工程動作の
説明は省略した。
【００２１】 図２Ａは、本発明の一実施形態に従ったＣＭＰ装置２００の立体図である。Ｃ
ＭＰ装置２００は、ウエハ表面領域２０２’が処理のために露出するようにウエ
ハ２０２を保持するキャリア２０４を備える。ウエハ２０２のキャリア２０４へ
の固定は、処理の間ウエハが取り付けられた状態を維持し、キャリアに対してほ
とんど回転しないことを保証する周知の技術を用いて行うことが好ましい。駆動
シャフト２０６は、キャリア２０４の背面に結合され、キャリア２０４に回転成
分２０７を提供する、すなわち、ウエハの回転軸２０５を中心としたウエハの回
転を引き起こすよう構成されている。
【００２２】 図によると、ローラ２１０はシャフト２０８に構成されている。シャフト２０
８は、ローラの回転軸２１５を定めており、回転成分はその軸を中心とする。ロ
ーラの回転軸２１５は、ウエハ２０５の回転軸と実質的に垂直である。図示され
ていないが、シャフト２０８は、従来のギアおよびモータの技術を用いて回転し
、所望のトルクを生み出すよう構成することができる。この実施形態では、ロー
ラ２１０は、処理表面２２０（図３参照）を有する。処理表面は、パッド、ブラ
シ、もしくはその他の適切な材料でよく、所望のＣＭＰ処理、バフ研磨、洗浄の
ために機能する。力２１４は、ローラ２１０の処理表面２２０がウエハ２０２に
押し付けられるようにシャフト２０８に加えられる。したがって、ローラ２１０
は、接触領域アウトライン２１２の間に定められる表面領域でのみウエハ２０２
に接触することになる。ローラ２１０を用いることにより、ウエハ２０２の同じ
部分がローラ２１０の処理表面２２０に接触し続けないことに注意すべきである
。これは、ウエハ２０２の表面全体をパッドもしくはベルトの研磨表面に接触さ
せ続ける従来技術のＣＭＰ実装とはかなり違ったものである。
【００２３】 示されているように、ＣＭＰ装置２００は、ウエハ２０２と共に垂直方向の位
置に設置される。これは、工場における空間利用の効率を最大限にする一実施形
態であるが、装置２００は、必要性と利用可能な空間に応じて水平方向もしくは
その他の方向に容易に構成可能である。
【００２４】 回転するウエハ２０２に押し付けられた回転するローラ２１０は、接触領域ア
ウトライン２１２の間のウエハ２０２の表面に線速度を生み出す。一実施形態で
は、ウエハ２０２の表面における線速度（例えば、ここで用いられる線速度は、
ローラ２１０がウエハ２０２の表面に接触する場所で定められる）は、ローラ２
１０の直径を大きくすることによって増大させることが可能である。
【００２５】 図２Ｂは、図２Ａのローラ２１０よりも大きな直径を持つローラ２１０’を示
している。上述のように、図２Ｂの直径の大きいローラ２１０’を用いると、ロ
ーラの処理表面２２０の速度が増大し、その結果、接触領域アウトライン２１２
’の間のウエハ２０２の表面での線速度が増大する。さらに、ローラ２１０’が
大きくなると、ウエハ２０２の表面への接触面も大きくなる。このことは、接触
領域アウトライン２１２’の間の間隔の増大によって説明される。
【００２６】 当然のことながら、ここで用いられているＣＭＰ処理およびＣＭＰプロセスと
いう用語は、バフ研磨もしくはＣＭＰ装置を用いた研磨作用によって実現される
任意の数のプロセスを含む一般的な用語である。バフ研磨は、５００オングスト
ローム／分まで、一部の用途では１０００オングストローム／分までの材料除去
速度を生み出すそれらの動作を含むことが、当業者には一般に理解されるそのプ
ロセスは一般的に、スラリのような化合物（もしくは、バフ研磨もしくは研磨に
適切な任意の他の化合物）を導入して研磨の動作に進むのだが、図２Ａ‐２Ｂを
参照して説明されたのと同一の機械的プロセスを用いると、より大きい線速度と
力が実現されるので、４０００オングストローム／分以上の除去速度を実現する
ことができる。
【００２７】 上述のように、除去速度は、力、線速度、プレストン係数の関数である。した
がって、力および／または線速度を大きくすると、除去速度が大きくなる。図２
Ａおよび２Ｂに示された実施形態は、ウエハが、硬い表面に取り付けられ、背圧
の特徴から、そりや不均一な力の影響を受けにくいので、現在の技術におけるウ
エハへの危険性を孕まずに力を増大できることを示している。図の実施形態は、
さらに、接触領域アウトライン２１２／２１２’の間の線速度を容易に増大でき
ることも示している。図２Aおよび２Bは、ウエハ２０２の中央の領域に接触領域
アウトライン２１２、２１２’を持つローラ２１０、２１０’を示している。さ
らに、ローラ２１０およびシャフト２０８に横運動２１８をさせることも可能で
あることが示されている。図２Cに最もよく図示されているように、回転２１７
下にあるウエハ２０２は、ローラ接触領域２１２ａを持つ。ローラ接触領域２１
２ａは、接触領域アウトライン２１２の間に定められる。接触領域アウトライン
２１２は、ローラが、ウエハ２０２全体にわたる様々な位置に移動されることを
示すために、ウエハの中央の領域とウエハの端の領域の両方に示されている。ウ
エハが回転２１７下にあるため、領域２１２ａは、ローラ２１０を横断方向２１
８ａもしくは横断方向２１８ｂのいずれかに移動する場合の始動位置と終了位置
の例を示している。
【００２８】 一実施形態において、ウエハ２０２の中央領域で始動し、横断方向２１８ａに
ウエハの端に向かって移動するよう、ローラ２１０を構成してもよい。別の実施
形態では、ウエハの端の領域で始動し、横断方向２１８ｂに中央の領域に向かっ
て移動するよう、ローラ２１０を構成してもよい。しかしながら、すべての実施
形態において、ウエハの回転２１７により、ウエハの表面全体がローラ２１０の
処理表面２２０によって処理されるため、接触領域アウトライン２１２は、ウエ
ハ表面領域２０２’に関して固定した点を表すのではなく、回転するローラ２１
０と回転するウエハ２０２の間の接触領域を表す。
【００２９】 図３は、本発明の一実施形態に従ったＣＭＰ装置２００の断面図を示す。この
断面図は、ローラ２１０の様々な構成要素を示している。本発明のこの実施形態
では、ローラ２１０は管状構造２２２とされている。管状構造２２２は、ＣＭＰ
処理においてウエハへ力を掛けることを可能とするのに十分な硬さを持ったステ
ンレス鋼もしくはその他の材料から作られることが好ましい。図示されているよ
うに、図のローラ２１０は円筒形であり、管状構造２２２を採ることにより、強
さ、硬さ、軽量という利点が実現されている。しかしながら、構造は中空でなく
とも可能であり、プラスチック、ゴム、合金が、構造の材料として用いられても
よい。
【００３０】 管状構造２２２の周りは、処理表面２２０が覆っている。上述のように、処理
表面２２０は、ＣＭＰ、バフ研磨、洗浄プロセスに必要な条件に最もよく適した
パッド、ブラシ、もしくは別の材料でよい。周知のように、ＣＭＰプロセスは、
半導体ウエハ製造における数多くの用途で用いられるため、プロセス表面２２０
は、条件に最もよく適するように変更もしくは修正することができる。例えば、
プロセス表面２２０の材料は、ＩＣ１０００とＰｏｒａｍｅｒｉｃである。ＩＣ
１０００とＰｏｒａｍｅｒｉｃは、デラウェア、ニューアークのＲｏｄｅｌ社か
ら入手できる。
【００３１】 ローラ２１０の中央領域２２４は、回転軸２１５を定めるシャフト２０８を備
える（例えば、図２Ａ）。シャフト２０８は、ベアリング２２６およびジンバル
２２７に取り付けられている。上述のように、ＣＭＰ処理の際には力２１４をシ
ャフト２０８に掛ける。力２１４は、シャフト２０８と、ベアリング２２６と、
ジンバル２２７とを通して、ローラ２１０に伝えられる。ローラ２１０は、ロー
ラ回転２１９を行い、処理表面２２０は、回転２１７を行うウエハ２０２に押し
付けられる。処理表面２２０とウエハ表面領域２０２’が、互いの表面が均一に
接するような適切な位置に合わせられない場合には、処理が不均一になり、満足
な成果は得られないだろう。したがって、シャフト２０８をジンバル２２７に取
り付けることにより、ＣＭＰ処理動作を通して、処理表面２２０とウエハ表面領
域２０２’の間に一定な均一の整合が確実に保たれるようにしている。
【００３２】 図４Ａ‐４Ｃは、ＣＭＰ処理中に材料の除去をその場でモニタリングするため
にセンサ２３４を用いる本発明のさらに別の実施形態を示す。従来技術では、除
去速度をモニタリングするには一般に、材料の除去を正確に測定するためにＣＭ
Ｐプロセスを停止する必要があった。除去の程度が決定されると、ＣＭＰプロセ
スを再開できるのだが、このように、処理時間が余計に掛かる。図の実施形態は
、リアルタイムにその場でモニタリングを行うことができることを示し、それに
よって、正確かつ均一な材料除去が保証されると共に処理能力が改善される。図
４Ａにおいて、ＣＭＰプロセスは、ウエハ表面領域２０２’の外側領域２３２ａ
で開始される。上述のように、本発明は、ウエハ表面領域２０２’の中央領域２
３２ｂでＣＭＰ処理を開始するよう構成されてもよいし、ウエハ表面領域２０２
’の中央領域２３２ａでＣＭＰ処理を開始するよう構成されてもよい。ローラ回
転２１９を行うローラ２１０は、処理表面２２０が、回転２０７を行うウエハ表
面領域２０２’に押し付けられるように、力２１４を掛けられる。処理は、（図
２Ａ‐２Ｃに示されたような）接触領域アウトライン２１２の間に定められる接
触領域における外側領域で始まる。センサ２３４は、この分野で周知のように、
レーザ、電子、もしくはその他の測定方法を用いるフィードバック２３４ａプロ
セスを通して、処理中の領域（ここでは、外側領域２３２ａ）をモニタリングし
てフィードバックする。一例では、センサは、測定センサなどでよい。さらに別
の例では、センサは分光反射率計であり、それは、イスラエルのＮｏｖａ Ｍｅ
ａｓｕｒｉｎｇ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社から入手できる。
【００３３】 センサ２３４が、ＣＭＰプロセスの終点を決定もしくは予測すると、ローラ２
１０は、外側領域２３２ａから中央領域２３２ｂへ移動する。一実施形態では、
処理表面２２０がウエハ表面領域２０２’に沿って移動するのと同時に、センサ
２３４も、材料除去をリアルタイムでその場でモニタリングするために外側領域
２３２ａから中央領域２３２ｂへ移動する。図４Ｂでは、ローラ２１０が外側領
域２３２ａから中央領域２３２ｂへ移動し、センサ２３４が同様の動きをするこ
とがわかる。図４Ｃでは、ローラ２１０とセンサ２３４の連続的な移動が、さら
に進んでいる。センサ２３４は、ある特定のウエハ表面領域２０２’における実
際の除去速度と、ウエハ表面領域２０２’の様々な領域での除去速度の変化と、
ＣＭＰプロセスの終点とを含む連続的なデータを提供する。ＣＭＰシステムが、
センサ２３４によって提供されるこのデータと追加のデータを用いることにより
、力２１４と、ローラ回転２１９と、ウエハ回転２１７と、その他のパラメータ
とを変化させて最適な均一のＣＭＰプロセスを実現することが期待される。
【００３４】 図５は、本発明の一実施形態に従った制御およびフィードバック信号を備える
ＣＭＰシステム２５０の図である。上述のように、センサ２３４は、フィードバ
ック２３４ａを用いて、ＣＭＰ処理をリアルタイムにその場でモニタリングする
。センサ２３４によって収集されたデータは、センサ応答信号２６０によって制
御ステーション２５２へ通信される。一実施形態では、センサ２３４は、ウエハ
表面領域２０２’上の材料の深さを測定する。次いで、そのデータは、センサ応
答２６０によって制御ステーション２５２へ送信される。図の例では、制御ステ
ーション２５２は、コンピュータワークステーションであり、それによってオペ
レータは、変数の入力、データの評価、表示、印刷、およびその他のワークステ
ーションの機能を実行することが可能となる。別の実施形態では、制御ステーシ
ョン２５２は、入力信号に基づいてシステムコマンドを出力するハードウェアコ
ンポーネントである。さらに別の実施形態では、センサ応答信号２６０がセンサ
２３４から制御ステーションへ出力され、そこでその信号は、時間、温度、ロー
ラ回転２１９、ウエハ回転２１７、ウエハ表面領域２０２’上でのセンサ２３４
の位置などの他のパラメータと共に評価される。この情報は、ある特定のウエハ
表面領域２０２’における材料除去速度と、それに関する線速度と力とを計算、
モニタリングし、システムのパラメータを操作して最適なＣＭＰ処理を実現する
ために用いられる。
【００３５】 制御ステーション２５２は、収集、モニタリング、評価したデータを用いて、
ローラ２１０の位置とローラ回転２１９とを命令する。上述のように、ローラ２
１０は、シャフト２０８に取り付けられている。シャフト２０８は、モータ２５
３に取り付けられている。本発明の一実施形態では、モータ２５３は、Ａ／Ｃサ
ーボモータであり、一定の制御可能な回転速度を保つ。制御ステーション２５２
は、制御／フィードバック信号２５６ａによってモータ２５３からの出力をモニ
タリングし、制御／フィードバック信号２５６ａによってモータ２５３にコマン
ドを出力して、モータの速度すなわちローラ回転２１９を制御する。
【００３６】 上述のように、ローラ２１０は、ローラ回転２１９を行うと共に、横断方向２
１８に移動する。ウエハ２０２の処理中に、ローラ２１０は、外側領域２３２ａ
から中央領域２３２ｂ、中央領域２３２ｂから外側領域２３２ａ、すなわちその
時の処理が必要とする方向へとウエハ２０２に沿って移動する。シャフト２０８
は、支持構造２５４に取り付けられており、横断方向２１８への移動が可能とな
っている。支持構造２５４は、制御／フィードバック信号２５６ｂを用いて制御
ステーション２５２によってモニタリングされ、制御ステーション２５２は、同
じ制御／フィードバック信号２５６ｂを用いて支持構造２５４の横運動２１８を
命令する。本発明の一実施形態では、支持構造２５４は、さらに、シャフト２０
８に力２１４を掛けることを可能とする。力２１４はローラ２１０に伝えられ、
その結果、処理表面２２０がウエハ表面領域２０２’に押し付けられる。制御／
フィードバック信号２５６ｂは、支持構造２５４と制御ステーション２５２との
間に保持され、力２１４の大きさを制御する。
【００３７】 図５に示されている実施形態は、さらに、制御ステーション２５２によってモ
ニタリング、制御されるウエハ回転２１７の可変パラメータを示している。キャ
リア回転の制御およびフィードバック信号２５８は、キャリア回転を制御ステー
ション２５２へ入力し、制御ステーション２５２は、キャリア回転の制御および
フィードバック信号２５８によって制御信号を出力し、回転２１７を調節する。
図５は、本発明の制御およびフィードバックについての多くの構成の内の一実施
形態を示す。説明されたパラメータに加えて、制御ステーション２５２は、さら
に、処理環境における温度や圧力のような変数をモニタリングし、処理データを
リアルタイムで測定してシステムの変数を正確に制御することにより、最適なＣ
ＭＰ処理を実現することが期待される。
【００３８】 図６は、ＣＭＰ処理システムの囲壁２７０内に格納されたＣＭＰ装置２００を
示す。ＣＭＰ処理システムの囲壁２７０は、鋼鉄、合金、もしくは粒子の生成が
少ないその他の材料で作られ、構造と、支持と、スラリや化学薬品などの処理材
料を導入して副生成物を除去する能力を提供することが期待される。ＣＭＰ処理
システムの囲壁２７０は、ＣＭＰ装置２００を格納し、ＣＭＰ装置２００へのウ
エハ２０２の搬入および搬出を行い、必要な処理環境を維持し、安全かつ効率的
なＣＭＰ処理を促進するために必要なその他の任意の機能を実行するよう設計さ
れる。
【００３９】 上述のように、本発明の好ましい実施形態は、ウエハ２０２とキャリア２０４
を垂直方向に配置することを特徴とする。ＣＭＰ処理システムの囲壁２７０は、
ＣＭＰ装置２００を作動するための構造および支持を提供すると共に、電力、水
、空気、その他の処理化学薬品、ガス、およびその他の材料など、処理に必要な
材料を供給する。処理されるウエハは、ＣＭＰ処理システムの囲壁２７０へ搬送
され、特定の製造工場の設備、プロセス、資源に最も適した方法によって処理環
境に導入される。そのような方法の例は、エフェクタ、カセットローダ、ロボッ
トなどである。ＣＭＰ処理システムの囲壁２７０は、脱イオン水、空気、化学薬
品、ガス、およびスラリ用の化合物など、処理に必要な材料を導入し、さらに、
処理環境の外へ処理の副生成物を搬送する。ＣＭＰ処理システムの囲壁２７０は
、さらに、特定のプロセスの必要条件に従って、温度や圧力などの処理環境の環
境条件を保持する。上述のように、ＣＭＰ処理システムの囲壁２７０は、さらに
、処理されたウエハを処理環境の外へ搬送することを可能とする。周知のように
、ウエハは、側面搬入口、上面搬入口、もしくは、ウエハの搬出入を円滑にする
と共に粒子の生成を低く抑えるその他の搬入口によって導入することができる。
搬入口は、上述のように処理中の内部環境の正確な制御を可能とするドアもしく
はハッチを用いて管理することができる。
【００４０】 図７は、本発明の一実施形態に従って、ＣＭＰ装置を用いて実行される方法の
動作を明示するフローチャート２８０を示す。その方法は、ウエハが化学機械研
磨（ＣＭＰ）動作での処理のために供給される動作２８２で始まる。周知のよう
に、ウエハは一般に、カセットに格納されており、製造中に様々なステーション
に搬送され、所望の処理動作を完了する。このように本発明の一実施形態では、
ウエハをカセットから供給され、ＣＭＰ装置に安全に搬送するためにエンドエフ
ェクタを用いて扱うことができる。ウエハが供給されると、その方法は、ＣＭＰ
処理中にウエハを保持するためにキャリアが準備される動作２８４に移行する。
キャリアはＣＭＰ装置の一部であり、一実施形態では、キャリアは、ウエハが配
置される硬い表面を持っている。硬い支持をウエハに提供する任意のキャリア構
造を用いることができるのだが、キャリアは、半導体製造もしくはその他同様の
基板に用いられるシリコンウエハの直径および形状に近いことが好ましいだろう
。さらに、キャリアは、ＣＭＰプロセス中にウエハに掛けられる力を支持するの
に十分な強さと硬さを持つ材料で作られることが期待される。キャリアは、さら
に、ＣＭＰ中に回転されるため、軽量の材料で作られる必要がある。例えば、そ
のような材料は、硬質プラスチック、アルミニウム、ステンレス鋼などである。
【００４１】 次に、その方法は、ウエハがキャリアに取り付けられる動作２８６に進む。Ｃ
ＭＰ処理中ウエハを適切な位置にしっかりと保持する任意の方法により、その取
り付けを行うことができる。例えば、ウエハをキャリアに取り付ける方法には、
真空、静電気力、表面張力、もしくは機械的なクランプなどの方法がある。どの
方法を用いるにしても、取り付けは、キャリアが回転されローラによって力を掛
けられている際にウエハを適切な位置に保持できる強さを持つ必要がある。ウエ
ハが取り付けられると、その方法は、上述のようにキャリアが回転される動作２
８８に進む。ウエハは、キャリアに取り付けられているため、キャリアと共に回
転する。
【００４２】 次の動作２９０は、処理表面を有する回転するローラをウエハ表面に向かって
ウエハ表面を横断して作用させる動作である。動作２９０は、研磨、バフ研磨、
もしくは洗浄の動作を円滑にするために化学薬品、化合物、もしくは化学的な混
合物などが導入された処理環境で実行される。接触領域は、ローラを覆う処理表
面がウエハに接触する領域である。すでに説明された方法に従って、ウエハは回
転している。したがって、処理表面がウエハに押し付けられても、接触領域は、
円形のウエハを横断する唯一の変化しない帯もしくは弦として定まるわけではな
い。したがって、ウエハ上のローラの配置に応じて、ウエハの回転によって、ウ
エハの外側部分のみが処理されている場合（例えば、ローラがウエハの外側部分
に配置されている場合）と、ウエハ表面の全体が処理されている場合（例えば、
ローラがウエハの中央に配置されている場合）とが存在することになる。従来技
術での設計と違い、ローラの処理表面が実際には、常にウエハの表面全体に接触
しているわけではないことを理解すべきである。すなわち、ローラは、ウエハ表
面の特定の部分が、ローラの回転している処理表面を通って回転する間、ウエハ
表面の一部分（例えば、接触領域）にのみ接触する。例外は、ローラがウエハの
正に中央に配置され、一部の中央部分（中央の小さな点によって決まる）がウエ
ハに接触する場合である。ローラは、ローラが外側領域から中央領域へ移動され
るか、もしくは中央領域から外側領域へ移動されるかによって、プロセスの開始
時もしくは終了時にのみ中央に配置される。
【００４３】 次に、その方法は、回転するローラが図２Ｃに示されているようにウエハの表
面上を動かされる動作２９２に進む。ローラは、中央領域から外側領域へ移動し
てもよいし、外側領域から中央領域へ移動してもよい。また、ローラは、プロセ
スの必要条件に従って、ウエハ表面の任意の領域を横切って任意の方向へ移動し
てもよい。これは、周知の形状の変異を取り除く必要がある場合に必要になる。
ウエハの表面を横切るローラの移動は、ＣＭＰプロセスにおいて所望の成果を得
られるまで、ウエハの表面を横切って接触領域を移動させ、第１の領域から第２
の領域へ進む。これは、ＣＭＰプロセスの最終の動作であり、完了すると、ウエ
ハはキャリアから取り除かれ、ウエハ製造プロセスの次の段階に移行される。例
えば、ＣＭＰ処理に続く次の段階は、ＣＭＰの残滓を取り除き、フォトレジスト
層を形成するための準備をする洗浄段階であってもよい。もちろん、ＣＭＰ処理
は、ウエハを集積回路に加工する間に、様々な層（例えば、酸化層、金属層など
）に対して繰り返してもよい。完了すると、ウエハは、ダイに切断される。ダイ
は各々が、１つの集積回路チップとなる。次いで、チップは、適切なパッケージ
内に配置され、消費者向け電子製品のような所望のエンドデバイスに組み込まれ
る。
【００４４】 本発明は、いくつかの好ましい実施形態に関して説明されたが、当業者は、上
述の明細事項を読み、図面を見た際に、様々な変更、追加、置き換え、および等
価物を実現するだろう。したがって、本発明は、本発明の真の趣旨および範囲内
での変更、追加、置き換え、および等価物の全てを含むことが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 ＣＭＰシステムと、ウエハ洗浄システムと、ＣＭＰ後の処理とを含む化学機械
研磨（ＣＭＰ）プロセスの概略図である。
【図１Ｂ】 酸化物層全体にわたって金属層を備えた典型的な基板を示す図である。
【図１Ｃ】 現在利用可能なＣＭＰ技術を用いて処理した後の図１Ｂの基板を示す図である
。
【図２Ａ】 本発明の一実施形態に従ったＣＭＰ装置の立体図である。
【図２Ｂ】 図２Ａのローラよりも大きな直径を持つローラを備えるＣＭＰ装置の立体図で
ある。
【図２Ｃ】 図示されている２つの可能な接触領域で処理されるウエハ表面領域の断面図で
ある。
【図３】 本発明の一実施形態に従ったＣＭＰ装置の断面図である。
【図４Ａ】 ＣＭＰ処理中に材料の除去をその場でモニタリングするためにセンサを用いる
本発明のさらに別の実施形態を示す図である。
【図４Ｂ】 ＣＭＰ処理中に材料の除去をその場でモニタリングするためにセンサを用いる
本発明のさらに別の実施形態を示す図である。
【図４Ｃ】 ＣＭＰ処理中に材料の除去をその場でモニタリングするためにセンサを用いる
本発明のさらに別の実施形態を示す図である。
【図５】 本発明の一実施形態に従った制御およびフィードバック信号を備えるＣＭＰシ
ステムの図である。
【図６】 ＣＭＰ処理システムの囲壁内に格納されたＣＭＰ装置の図である。
【図７】 本発明の一実施形態に従って、ＣＭＰ装置を用いて実行される方法の動作を明
示するフローチャートである。
【符合の説明】
１０ 化学機械研磨プロセス １２ 半導体ウエハ １４ ＣＭＰシステム １６ ウエハ洗浄システム １８ ＣＭＰ後の処理 １００ 基板 １０２ 酸化層 １０２ａ‐１０２ｄ 溝 １０４ 金属層 ２００ ＣＭＰ装置 ２０２ ウエハ ２０２’ ウエハ表面領域 ２０４ キャリア ２０５ ウエハ回転軸 ２０６ 駆動シャフト ２０７ 回転成分 ２０８ シャフト ２１０ ローラ ２１０’ ローラ ２１２ 接触領域アウトライン ２１２’ 接触領域アウトライン ２１２ａ ローラ接触領域 ２１４ 力 ２１５ 回転軸 ２１７ 回転 ２１８ 横運動 ２１８ａ 横断方向 ２１８ｂ 横断方向 ２１９ ローラ回転 ２２０ 処理表面 ２２２ 管状構造 ２２４ 中央領域 ２２６ ベアリング ２２７ ジンバル ２３２ａ 外側領域 ２３２ｂ 中央領域 ２３４ センサ ２３４ａ フィードバック ２５０ ＣＭＰシステム ２５２ 制御ステーション ２５３ モータ ２５４ 支持構造 ２５６ａ 制御／フィードバック信号 ２５６ｂ 制御／フィードバック信号 ２５８ キャリア回転の制御およびフィードバック信号 ２６０ センサ応答信号 ２７０ 囲壁
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１１月１２日（２００１．１１．１２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２４Ｂ 37/00 Ｂ２４Ｂ 37/00 Ｃ 37/04 37/04 Ｇ Ｋ 49/12 49/12 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ， ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 3C034 AA13 AA19 BB93 CA02 CB02 3C049 AA06 AA07 AA09 AA12 AA13 AC02 BA01 BA04 BB02 BC02 CA01 CB01 CB03 3C058 AA06 AA07 AA09 AA12 AA13 BA01 BA04 BB02 BC02 CA01 CB01 CB03 DA12

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 化学機械研磨システムであって、 ウエハ表面領域を有するウエハを支持し回転するよう構成されたキャリアと、 処理表面を有するローラを備え、前記処理表面は、前記ローラがローラ回転軸
    を中心に回転する際に回転するよう構成され、前記ローラの前記処理表面は、ロ
    ーラ接触領域において前記ウエハに押し付けられ、前記ローラ接触領域は、前記
    ウエハ表面領域よりも狭い、システム。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の化学機械研磨システムであって、さらに、 前記キャリアの背面に接続され、前記ウエハを回転させる駆動シャフトを備え
    る、システム。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の化学機械研磨システムであって、前記ローラ
    は、前記ローラの前記直径が増大すると共に増大するように前記ローラの直径に
    よって決定される線速度成分を有するシステム。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の化学機械研磨システムであって、さらに、 前記ローラを貫通し、前記ローラ接触領域において前記ウエハに押し付けられ
    る際に前記ローラを支持するよう構成されたシャフトを備えるシステム。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の化学機械研磨システムであって、前記ローラ
    は、前記駆動シャフトに接続され、前記ローラが前記ウエハに押し付けられる際
    に前記ウエハと前記ローラとの間の位置不整合を補償するよう構成されたジンバ
    ル機構を備えるシステム。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の化学機械研磨システムであって、前記ローラ
    は、制御可能な力によって前記ローラ接触領域において前記ウエハに押し付けら
    れる、システム。
  7. 【請求項７】 請求項１記載の化学機械研磨システムであって、前記ローラ
    が、前記ウエハの第１の領域と前記ウエハの第２の領域との間を横断方向横断す
    る方向に移動するシステム。
  8. 【請求項８】 化学機械研磨の方法であって、 ウエハ表面領域を有するウエハを支持するよう構成されたキャリアを回転させ
    る工程と、 処理表面を有するローラを回転軸を中心に回転させる工程と、 前記ローラの前記処理表面を、前記ウエハ表面領域よりも小さい面積のローラ
    接触領域において、前記ウエハの前記ウエハ表面領域に押し付ける工程とを含む
    方法。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の化学機械研磨の方法であって、前記ウエハは
    、回転される前記キャリアの背面に接続された駆動シャフトによって回転させら
    れており、前記ウエハは、実質的に前記ウエハが前記キャリアに対して回転しな
    いよう支持されている方法。
  10. 【請求項１０】 請求項８記載の化学機械研磨の方法であって、さらに、 前記ローラの直径が増大すると共に増大するように前記ローラの直径によって
    決定される線速度成分を定める工程を備える方法。
  11. 【請求項１１】 請求項８記載の化学機械研磨の方法であって、さらに、 前記ローラを貫通するシャフトによって、前記ローラ接触領域において前記ウ
    エハに押し付けられる際に前記ローラを支持する工程を備える方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の化学機械研磨の方法であって、さらに、 前記ローラが前記ウエハに押し付けられる際に前記ウエハと前記ローラとの間
    の位置不整合を補償するためのジンバル機構を前記ローラに設ける工程を備える
    方法。
  13. 【請求項１３】 請求項８記載の化学機械研磨の方法であって、さらに、 前記ローラに力を掛ける工程を含み、前記力を掛ける工程中は、前記力は、制
    御可能である、方法。
  14. 【請求項１４】 請求項８記載の化学機械研磨の方法であって、さらに、 前記ローラを前記ウエハ表面領域に沿って、前記ウエハの第１の領域から前記
    ウエハの第２の領域へ横断方向横断する方向に移動させる工程を備える横断方向
    方法。
  15. 【請求項１５】 ウエハの表面を準備する方法であって、 前記ウエハを回転する工程と、 回転面を前記ウエハの一部分に押し付ける工程と、 前記回転面を前記ウエハの第１の領域と第２の領域との間で移動させ、前記準
    備を完了させる工程とを備える方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載のウエハの表面を準備する方法であって、
    さらに、 前記ウエハの前記一部分である接触領域において、前記回転するウエハと前記
    回転面とによって定まる線速度を発生させる工程と、 前記線速度を操作して、前記ウエハの前記表面の前記準備を制御する工程とを
    備える方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１６記載のウエハの表面を準備する方法であって、
    さらに、 前記ウエハの前記接触領域において、前記回転面によって前記ウエハの前記接
    触領域に掛けられる力を定める工程と、 前記力を操作して、前記ウエハの前記表面の前記準備を制御する工程とを備え
    る方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１７記載のウエハの表面を準備する方法であって、
    さらに、 前記回転面を移動させることにより、前記ウエハの前記第１の領域から前記ウ
    エハの前記第２の領域に横断する横断方向に前記ウエハの接触領域前記接触領域
    を移動させる工程と、 前記接触領域が横断方向前記横断する方向に移動する際に、前記線速度および
    前記力を操作し、前記ウエハの前記表面の前記準備を制御する工程とを備える方
    法。
  19. 【請求項１９】 請求項１８記載のウエハの表面を準備する方法であって、
    さらに、 前記ウエハの前記表面の前記準備によって達成される除去速度を計算する工程
    と、 前記接触領域が横断方向前記横断する方向に移動する際に、前記線速度および
    前記力を操作し、前記ウエハの前記表面の前記準備を制御する工程とを備える方
    法。
  20. 【請求項２０】 請求項１５記載のウエハの表面を準備する方法であって、
    さらに、 前記ウエハの前記表面の前記準備中に、前記ウエハの前記表面に化合物を導入
    する工程と、 前記ウエハの前記表面上に前記化合物が存在する状態で、前記接触領域におい
    て前記ウエハの前記表面に前記回転面を押し付ける工程とを備える方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１５記載のウエハの表面を準備する方法であって、
    さらに、 前記ウエハの前記表面の前記準備において除去される材料量を、センサを用い
    て測定する工程と、 前記ウエハの前記表面の前記準備中に、前記ウエハにわたって前記センサを走
    査し、除去される材料量を測定する工程と、 前記センサの測定結果を用いて、除去速度を計算する工程とを備える方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１５記載のウエハの表面を準備する方法であって、
    前記準備は、ＣＭＰ処理およびバフ研磨処理の一方である方法。
  23. 【請求項２３】 請求項１５記載のウエハの表面を準備する方法であって、
    前記回転するウエハは、ウエハ回転軸を持ち、前記回転面の回転面軸は、前記ウ
    エハ回転軸と実質的に垂直である方法。
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