JP2003503852A - 構造部材およびその製造方法 - Google Patents

構造部材およびその製造方法

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JP2003503852A
JP2003503852A JP2001506605A JP2001506605A JP2003503852A JP 2003503852 A JP2003503852 A JP 2003503852A JP 2001506605 A JP2001506605 A JP 2001506605A JP 2001506605 A JP2001506605 A JP 2001506605A JP 2003503852 A JP2003503852 A JP 2003503852A
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copper
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aluminum
temperature
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JP2001506605A
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ラム，ユールゲン
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ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト
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Abstract

(57)【要約】 基板（１）が主に銅からなる層（２）を備える。接着および金属間化合によって銅層（２）と接続される導線（３）が設けられる。その際、主に銅からなる層（２）上に布設された硬質層（５）が接着領域において破られる。少なくとも８０℃の温度で安定している硬質層はこの温度で酸素拡散バリアとして作用し、標準環境でアルミニウム上に形成される酸化アルミニウム層に近い働きをする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は特に半導体産業の分野、中でも「組み立てとパッケージ化（Ａ＋Ｐ
）」の領域に関するものである。
【０００２】 ただし強調されるべきは、銅表面における電気接着接続の実現が求められるそ
の他の工業技術分野においてもこの発明は適用可能である、という点である。 この発明が前提とする諸問題は半導体産業についての観点から述べられ、またそ
れらについての解決策が提案されるが、かといってそれは工業技術分野を限定す
るものと理解されるべきではない。その他の工業技術においても全く同じ問題が
見られ、提案された解決策はそれらにおいてもまた適用可能である。
【０００３】
【従来の技術】
半導体産業においては、通常少なくとも導線を含む部材は接着ないし、いわゆ
る「ワイヤボンディング」で接続されるのが一般的であり、その際その部材の少
なくとも一つはアルミニウム製である。一方がアルミニウム製で、周知のように
標準雰囲気で形成される酸化アルミニウム層を備える部材の「ワイヤボンディン
グ」は、制御可能である。電気抵抗が最小限で、長時間にわたり安定しており、
電気的および機械的に信頼性の高い再生可能な接続を保証するため、例えばアル
ミニウムと金との優れた金属間化合を提供するには、部材を少なくとも８０℃ま
で、好ましくはより高温に熱して、接着しなければならない。
【０００４】 しかしながら周知のように、アルミニウムはその導電率からして第一に選択さ
れる金属ではない。
【０００５】 銅はその導電率がはるかに優れており、それにより所与の電気環境において導
電部材、特にチップ上の金属製導体軌道、あるいは導線およびその接触箇所の寸
法を小さくすることが可能であるため、Ｔｅｒｒｅｎｃｅ Ｔｈｏｍｐｓｏｎの
「最新 銅ＩＣ相互接続 （Ｃｏｐｐｅｒ ＩＣ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ
Ｕｐｔｄａｔｅ）」ＨＤＩ、第二巻、Ｎｏ．５、１９９９年５月号、４２頁から
わかるように、導電性銅部材が接着された電気接触接合部の使用につき、特に半
導体産業では大きな需要がある。
【０００６】 例えば銅／金のワイヤボンディングシステムにおける諸問題については、Ｇｅ
ｏｒｇｅ Ｇ．Ｈａｒｍａｎｎの「マイクロエレクトロニクスにおけるワイヤボ
ンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ ｉｎ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ）」、マグローヒル社刊、１９９７年、１３８から１４０頁に説明されてい
る。
【０００７】 前記文献の１７１頁には、なぜアルミニウムの接着は比較的問題がないのか詳
細に記されている。すなわち、アルミニウム上には硬質の、脆い酸化物層が形成
されるが、それは接着によって破られるからである。それに対し、酸化銅や酸化
ニッケルのようなより柔らかい酸化物は接着能力を減じるであろう。
【０００８】 基本的に、同文献の１２８頁に記載された、表Ｉ−３「接着された冶金接合面
の裏側」からわかるように、柔らかい金属上の硬質酸化物は接着を容易にする。
これは、接着の際脆い薄膜が破れて「塵芥区域」に流されることにより、比較的
厚い層を介する十全な超音波および熱電子接着接続の提供が可能である、という
１９７および１９８頁の実施例とも一致する。ＣＶＤ布設された２．５ｎｍの酸
化物を介しての接着能力は、純粋なコンタクトパッドのそれと比較しても、変わ
らないという。
【０００９】 要約すると、半導体産業に関しては、導体軌道をアルミニウムから銅に替える
とチップのさらなる小型化が可能となる。銅製導体軌道を用いたチップの製造プ
ロセスは制御可能である。上記のように、チップの銅接触部の「チップキャリヤ
（ｃｈｉｐ ｃａｒｒｉｅｒ）」への接着接続（ワイヤボンディング、フリップ
チップ技術）を試みて初めて問題が生じる。アルミニウム上に形成される酸化ア
ルミニウムは硬質で、酸素を遮断する薄膜層であり、ワイヤボンディング中の通
常温度でその下にある金属をさらなる酸化や汚染から守るのに対し、酸化銅は柔
らかく、酸化アルミニウムのように接着の際に突然穴が開いて、融剤のいらない
溶接やはんだ付け接続を可能にすることもなく、また特に接着温度において、酸
素拡散遮断部を形成することもない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の課題は、少なくともその大半が銅からなる金属部材と、ある金属か
らなる第二の部材との機械的かつ電気的に欠点のない、少なくとも一つの接続部
を備える構造部材、ならびにそのような構造部材の製造方法を提案することであ
る。それには、この発明による構造部材は請求項１または２に記載された特徴に
おいて優れている。これらの構造部材の好ましい実施形態については請求項３か
ら１２に明記される。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明の方法によるとこの課題は、一方の銅部材、または二つの銅部材が接
着によって接続される場合はその両銅部材に、標準環境でアルミニウム上に形成
される酸化アルミニウム層より優れてはいなくとも、少なくともほぼそれと同様
の、少なくとも８０℃の温度で安定しており、さらにこの温度で酸素拡散バリア
を形成する層が設けられ、かつそれらの部材が、請求項１３に記載されたように
、少なくとも前記温度まで加熱して接着接続されることによって、解決する。そ
の他の好ましい実施形態はまた、その意味において、この発明による構造部材に
有効である。
【００１２】 請求項１４によると、好ましくは少なくとも１００℃、好ましくは少なくとも
１５０℃、好ましくは少なくとも２００℃まで、特に好ましくはさらに３００℃
まで安定している層が設けられ、さらに少なくとも前記の温度まで加熱して接着
が行われる。しかしながらこれは、より高い温度、例えば３５０℃でこの層が安
定している場合、接着もまたこの温度で行われるという意味ではない。接着は一
貫してより低い温度で、しかしながら少なくとも８０℃、好ましくは少なくとも
１５０℃、さらに好ましくは少なくとも２００℃で行われ得る。
【００１３】 さらなる好ましい実施形態では、機械および温度特性、ならびに酸素拡散様態
が、標準環境でアルミニウム上に形成されるアルミニウム酸化物層より優れては
いなくとも、少なくともほぼ同じ効果を有する層が設けられる。
【００１４】 その際、請求項１６に記載されたように、第二の部材は同様に、少なくとも主
に銅からなり、また上述のように層が付設されるか、あるいは好ましくは主に金
またはアルミニウムからなる。
【００１５】 好ましい使用分野、すなわち半導体技術分野を見ると、請求項１７に記載され
たように、好ましくは部材の少なくとも一つが導線として形成され、接着には「
ワイヤボンディング」が利用される。
【００１６】 さらに使用分野に応じて、前記層は導電層または電気絶縁層として設けられる
。これに関する前記層の特性が、すなわち絶縁層ないし導体層として徹底的に利
用され得る。
【００１７】 好ましくは以下の材料、ないしその混合が前記層の材料に適している。 ａ） ＳｉＯx、ただし１．５ ≦ ｘ ≦ ２、好ましくは １ ｘ ＜
２ ｂ） Ｔａ ＳｉＮ、好ましくは ＴａxＳｉyＮz、ただし ３５ ≦ ｘ ≦ ５５ １２ ≦ ｙ ≦ １８ ３２ ≦ ｚ ≦ ４８、ただし ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ 特に好ましくは Ｔａ45Ｓｉ15Ｎ40 ｃ） ＴｉＮ ｄ） ＡｌＯ ｅ） ＴｉＳｉＮ ｆ） ＴａＮ ｇ） ＳｉＮ、好ましくはＳｉ3Ｎ4 ｈ） ＷＳｉＮ ｉ） ＲｅＯ ｋ） ＰｄＯ ｌ） ＺｒＯ ｍ） ＹＯ ｎ） ＺｒＮ ｏ） ＮｂＮ ｐ） ＶＮ ｑ） 場合によっては、 ＣｕＮ ここで、重要な事項を指摘しておく。この発明による方法の枠内においては上記
のように、一つまたは複数の銅部材上に層が設置される。この設置は層の布設と
、場合によってはその布設された層の後処理とを含むので、その結果得られる層
は布設されてその後、後処理をうけた層である。
【００１８】 したがって前記層を設けるには、例えばＣＶＤ法、ＰＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法、
ＰＥＰＶＤ法、またはプラズマ重合のような、好ましくは真空被覆方法によって
層が布設される。
【００１９】 したがって場合によっては、被覆工程によって布設された層と、後処理を考慮
して得られる、この発明によって設けられた層とが区別されねばならない。
【００２０】 さらに、主に銅からなる当該部材の事情に応じて、層布設の前にこれを、好ま
しくは水素プラズマまたは水素−窒素プラズマ内処理によって洗浄するよう、提
案される。
【００２１】 さらに好ましくは、層が少なくとも１．５ｎｍ、好ましくは少なくとも２．０
ｎｍ、特に好ましくは以下の領域の厚さｄを有するように、布設される。
【００２２】 ２．０ｎｍ ≦ ｄ ≦ １５ｎｍ、特には、 ２．５ｎｍ ≦ ｄ ≦ ３．５ｎｍ 層の厚さの下限は、特に酸素拡散バリアとして求められる条件により制限され
る。設けられる層の厚さの上限は、主に接着の際の破砕能力によって決められる
。
【００２３】 酸素拡散バリアとして層に求められる効果を最適化するため、層をレントゲン
無定形、ないしガラス状に形成するよう、さらに提案される。この条件によって
も層厚ｄの下限が定められ、したがって、もはや酸素密ではないであろう原子の
単一層として形成されてはならない。さらにこの層は、酸素捕獲効果を有する材
料から、例えば低化学量論的酸化物、特にｘ＜２でＳｉＯxから形成され得る。
【００２４】 この発明によって設けられる層を導電性または電気絶縁性として形成する可能
性を考えると、そもそも接着能力に基づいて設けられた層を、その被覆された部
分の導電率によってまた機能層、すなわち導体層または絶縁層として使用する場
合もある。
【００２５】 この発明による方法の好ましいさらなる実施形態では、まずある層が布設され
、その後窒素プラズマ内、および／または標準雰囲気においてこの層が後処理さ
れることにより、前記層が設けられる。この手順は特に、ＳｉＯ2層を好ましく
は洗浄後の銅表面に布設し、窒素プラズマ内で後処理を行うのに適している。そ
の際好ましくは、ＳｉＯ2層がスパッタによって布設される。
【００２６】 層の設置が層の付設とその層の後処理とを含むこの発明による方法の、上記好
ましい実施形態ではさらに、Ｓｉからなる層を好ましくは再びスパッタによって
布設し、好ましくは熱処理である後処理を標準雰囲気において行うよう、提案さ
れる。
【００２７】 さらに上記好ましい方法、すなわちある層の布設および後処理の実施形態では
、金属層を布設し、続いてそれを完全に酸化させるよう提案される。これは好ま
しくは、布設される層の厚さ、および／または酸化のための温度、および／また
は酸化中の雰囲気の適切な選択により、制御されて完全に酸化される。
【００２８】 さらに好ましくは、布設後完全に酸化される層の厚さが以下の範囲で選択され
る。
【００２９】 ３ｎｍ ≦ ｄ ≦ １０ｎｍ さらに好ましくは、 ４ｎｍ ≦ ｄ ≦ ６ｎｍ 標準雰囲気における完全な酸化は、場合によっては加熱しながら行われる。
【００３０】 続いて例として、様々な実験およびその結果、ならびに図面を参考にこの発明
の説明がなされる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
実験の素材基板としては、銅で被覆されたウェハーが利用された。厚さ５００
ｎｍおよび１０００ｎｍの銅層が用いられた。
【００３２】 ５００ｎｍの領域の薄い銅層がスパッタによって布設され、より厚い銅層は電
着された。２，３の実験では、銅表面が水素プラズマ内で洗浄された。しかしな
がらその際、同一の被覆で全く洗浄されなかったウェハーに比べ、この表面洗浄
で引張強度が上がることはないことがわかった。したがって、洗浄を優先する必
要性は実験によって証明できない。ただし考慮すべきは、銅表面は製造条件下に
あって様々な環境条件にさらされる点、被覆のための初期条件を常に同じにする
ためにも、この発明による層の電着前に前記洗浄段階を前接続するのが断然有利
である可能性が極めて高い点である。
【００３３】 厚さの異なる多数の様々な材料が検査されたが、それぞれ異なる接着温度で、
直径１．０ｍｉｌの金の導線が接着された。
【００３４】
【表１】
【００３５】 表１は、八つの所与の硬質層材料１から８までの、それぞれ二つの層厚につき
、４０℃および２００℃の接着温度で実験した結果が示される。上述の理由によ
り目標とされる２００℃の接着温度では、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4ないしＴａ45Ｓｉ1 5 Ｎ40およびＴｉＮのみが接着可能であることがわかる。また、３ｎｍの領域の
層厚はより厚い層よりも優れた接着能力を示す傾向にあることが顕著である。６
０℃より低い温度では銅の酸化はまだ全く生じないが、層の硬度のみがその厚さ
ｄと結びついて決定的役割を担うようである。すなわち、層が厚すぎるとワイヤ
ボンディングの際に突き破ることができないので、層は厚すぎてはならない。８
０℃より高い温度では、柔らかくべたつく銅酸化物ができ、同様の厚さのただ脆
くて、硬い層ではもはや不十分である。この層は接着温度での銅の酸化を効果的
に妨げねばならず、したがってより高温では、この発明によって設けられた層の
酸素拡散バリアとしての効果が益々重要となる。表２には、表１の１から８の層
についての析出プロセスと、主要なプロセス条件がまとめられている。
【００３６】
【表２】
【００３７】
【表３】
【００３８】 続いて、表１の層１、４および７とうまく接着された接続における、引張テス
トが行われた。
【００３９】 その結果から、いずれにせよ８０℃よりは高く、図では２００℃である接着温
度においても安定した層だけが、優れた構造特性を有することがわかる。特に、
安定した無定形（結晶の大きさが３ｎｍ以下のレントゲン無定形）であり、 かつ前記温度においても、さらには好ましくは３００℃まで安定したままである
層が適している。これには、表１の材料１，４，７，８の他にもＴｉＮが、さら
にはＳｉＯx（低化学量論的な酸化シリコン）、（好ましくは低化学量論的な）
酸化アルミニウム、ＴｉＳｉＮ、ＴａＮ、ＷＳｉＮ、ＲｅＯ、ＰｄＯ、ＺｒＯ、
ＹＯ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、ＶＮが、また場合によってはＣｕＮが含まれる。
【００４０】 低化学量論的なＳｉＯxの使用、ないし基本的に酸素捕獲効果のある材料、例
えば低化学量論的な酸化物を使用することにより、層材料の酸素拡散バリアとし
ての効果が高められ得る。
【００４１】 図３には、実験番号１，７および４によって得られた接着接続の引張荷重耐性
の結果がまとめられている。
【００４２】 図１には、接着温度２００℃で、布設されたＳｉＯ2層の層厚の関数で、１０
００ｎｍおよび５００ｎｍの銅層について得られた、層厚ｄに依存する引張荷重
耐性が示された。硬質層の層厚が薄いと、結果として得られる接着接続は明らか
に最適であり、基本的にｄおよび銅の層厚の変化には依存しないことがわかる。
【００４３】 洗浄された銅被覆上にスパッタによってＳｉＯ2層を布設することにより、約
１８０℃まで有効な拡散バリアが得られた。このＳｉＯ2層がさらに後から窒素
プラズマ内で処理されたところ、約２５０℃までの拡散バリア効果が得られた。
【００４４】 銅被覆上にスパッタされたＳｉ層では、布設された層が標準雰囲気で、続いて
高温で加熱されることにより、約２００℃まで拡散バリア効果が得られた。
【００４５】 銅表面が、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｃｒ等の金属薄膜層で被覆され、次に雰囲気に
おいて、場合によっては加熱されて、完全に酸化されると、銅の酸化に対する緻
密な拡散バリアが形成される。その際この層は十分な薄さで形成されるので、完
璧に酸化されて残留金属を一切残さず、銅と金属間化合する。これは金属層の厚
さが３ｎｍから１０ｎｍの場合、さらに好ましくは４ｎｍから６ｎｍの場合に達
成される。
【００４６】 図２には、この発明の構造部材における接着接続領域が概略的に示される。図
の参照記号は以下のとおりである。 １： 基板 ２： 少なくとも大部分が銅からなる層 ３： 接着および金属間化合の成立により、４において銅層２と接続されたさ らなる部材、特に導線 ５： この発明によって設けられた硬質層の、接着工程によって破れた接着接 続領域 この発明によってまたさらに、現行のワイヤボンディング用標準装置の、例え
ばチップ製造における銅テクノロジーへの利用が保証される。この装置は、８０
℃よりはるかに高温の接着温度で作動する。
【図面の簡単な説明】
【図１】電気分解により布設された１μｍ厚さの銅層、ないしスパッタされ
た５００ｎｍ厚さの銅層上にこの発明によって設けられたＳｉＯ2層を介する接
着接続の、層厚と引張強度との依存関係を示す図である。
【図２】この発明による構造部材に設けられた接着接続の概略図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年７月３１日（２００１．７．３１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ， ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 主に銅からなる部材と、第一の部材と金属間化合により接続
    される第二の金属部材とを備える、電子構造部材であって、主に銅からなる部材
    の接続周辺領域には、少なくとも８０℃の温度で安定しており、かつ標準環境に
    おいてアルミニウム上に形成される酸化アルミニウム層より優れてはいなくとも
    、少なくともこれに近似した酸素拡散バリアを、この温度で形成する硬質層があ
    ることを特徴とする、構造部材。
  2. 【請求項２】 少なくとも一つの銅導体軌道、ならびに銅導体軌道と接触す
    る少なくとも一つの接続導線を備える構造部材であって、接続導線と導体軌道と
    の接続が金属間化合であることを特徴とする、構造部材。
  3. 【請求項３】 請求項１および２に記載の構造部材。
  4. 【請求項４】 前記領域の硬質層が少なくとも１００℃、好ましくは少なく
    とも１５０℃、好ましくは少なくとも２００℃まで、特に好ましくは少なくとも
    ３００℃まで安定していることを特徴とする、請求項１または３に記載の構造部
    材。
  5. 【請求項５】 硬質層が、少なくともその機械特性および熱特性、ならびに
    酸素拡散能力について、標準環境においてアルミニウム上に形成される酸化アル
    ミニウム層より優れていなくとも、少なくともそれに近似した効果を有すること
    を特徴とする、請求項１，３または４のいずれかに記載の構造部材。
  6. 【請求項６】 第二部材が少なくとも主に銅からなり、かつ好ましくは金ま
    たはアルミニウムからなることを特徴とする、請求項１，３から５のいずれかに
    記載の構造部材。
  7. 【請求項７】 一方の部材、好ましくは主に銅からなる部材がチップのコン
    タクトパッドであり、第二部材が導線であることを特徴とする、請求項１，３か
    ら６のいずれかに記載の構造部材。
  8. 【請求項８】 前記層が導電性または電気絶縁性であり、かつ好ましくはそ
    の導電率によりさらに機能層として前記部材上に使用されることを特徴とする、
    請求項１，３から７のいずれかに記載の構造部材。
  9. 【請求項９】 前記層が、好ましくは以下の材料のうちの、少なくとも一つ
    からなることを特徴とする、請求項１．３から８のいずれかに記載の構造部材。 ａ） ＳｉＯx、ただし１．５ ≦ｘ ≦２、好ましくはｘ ＜ ２ ｂ） ＴａＳｉＮ、好ましくはＴａxＳｉyＮz ３５ ≦ ｘ ≦ ５５ １２ ≦ ｙ ≦ １８ ３２ ≦ ｚ ≦ ４８、ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ 特に好ましくは Ｔａ45Ｓｉ15Ｎ40 ｃ） ＴｉＮ ｄ） ＡｌＯ ｅ） ＴｉＳｉＮ ｆ） ＴａＮ ｇ） ＳｉＮ、好ましくはＳｉ3Ｎ4 ｈ） ＷＳｉＮ ｉ） ＲｅＯ ｋ） ＰｄＯ ｌ） ＺｒＯ ｍ） ＹＯ ｎ） ＺｒＮ ｏ） ＮｂＮ ｐ） ＶＮ ｑ） 場合によってはＣｕＮ
  10. 【請求項１０】 前記領域に水素および／または窒素が結合していることを
    特徴とする、請求項１，３から９のいずれかに記載の構造部材。
  11. 【請求項１１】 前記層がレントゲン無定形、ないしガラス状であることを
    特徴とする、請求項１，３から１０のいずれかに記載の部材。
  12. 【請求項１２】 前記層の厚さｄが以下のとおりであることを特徴とする、
    請求項１，３から１１のいずれかに記載の部材。 ｄ ≧ １．５ｎｍ、好ましくは ｄ ≧ ２ｎｍ、さらに好ましくは ２．０ｎｍ ≦ ｄ ≦ １０ｎｍ、特に好ましくは ２．５ｎｍ ≦ ｄ ≦ ３．５ｎｍ
  13. 【請求項１３】 少なくとも主に銅からなる第一の金属部材との第二の金属
    部材との接着接続を少なくとも一つ備える構造部材の製造方法であって、少なく
    とも８０℃の温度で安定しており、標準環境でアルミニウム上に形成される酸化
    アルミニウム層より優れてはいなくとも、少なくともそれに近似した酸素拡散バ
    リアをその温度で形成する層が前記単数または複数の銅部材に設けられ、かつ少
    なくとも前記温度まで加熱されて前記部材が接着接続されることを特徴とする、
    方法。
  14. 【請求項１４】 少なくとも１００℃、好ましくは少なくとも１５０℃、好
    ましくは少なくとも２００℃まで、特に好ましくは少なくとも３００℃までの温
    度で安定している層が設けられることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 機械特性および熱特性、ならびに酸素拡散特性について、
    標準環境においてアルミニウム上に形成される酸化アルミニウムより優れてはい
    なくとも、少なくともそれに近似した同様の効果を有する層が設けられることを
    特徴とする、請求項１３または１４に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記部材の第二部材が少なくとも主に銅から、あるいは好
    ましくは金またはアルミニウムからなることを特徴とする、請求項１３から１５
    のいずれかに記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記部材の少なくとも一つが導線であり、接着はワイヤボ
    ンディングであることを特徴とする、請求項１３から１６のいずれかに記載の方
    法。
  18. 【請求項１８】 導電性層または電気絶縁層が層として設けられることを特
    徴とする、請求項１３から１７のいずれかに記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記層が、好ましくは以下の材料のうちの、少なくとも一
    つからなることを特徴とする、請求項１３から１８のいずれかに記載の方法。 ａ） ＳｉＯx、ただし１．５ ≦ｘ ≦２、好ましくはｘ ＜ ２ ｂ） ＴａＳｉＮ、好ましくはＴａxＳｉyＮz、ただし ３５ ≦ ｘ ≦ ５５ １２ ≦ ｙ ≦ １８ ３２ ≦ ｚ ≦ ４８、ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ 特に好ましくは Ｔａ45Ｓｉ15Ｎ40 ｃ） ＴｉＮ ｄ） ＡｌＯ ｅ） ＴｉＳｉＮ ｆ） ＴａＮ ｇ） ＳｉＮ、好ましくはＳｉ3Ｎ4 ｈ） ＷＳｉＮ ｉ） ＲｅＯ ｋ） ＰｄＯ ｌ） ＺｒＯ ｍ） ＹＯ ｎ） ＺｒＮ ｏ） ＮｂＮ ｐ） ＶＮ ｑ） 場合によってはＣｕＮ
  20. 【請求項２０】 層を設けるため、真空被覆方法で層が布設されることを特
    徴とする、請求項１３から１９のいずれかに記載の方法。
  21. 【請求項２１】 好ましくは水素プラズマ内での処理により、または窒素−
    水素プラズマ内での処理により前記部材が洗浄され、次に前記層が設けられるこ
    とを特徴とする、請求項１３から２０のいずれかに記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記層の厚さｄが少なくとも１．５ｎｍ、好ましくは少な
    くとも２．０ｎｍ、さらに好ましくは以下の領域 ２．０ｎｍ ≦ ｄ ≦ １０ｎｍ、にあり、 特に好ましくは以下の領域 ２．５ｎｍ ≦ ｄ ≦ ３．５ｎｍ にあることを特徴とする、請求項１３から２１のいずれかに記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記層がレントゲン無定形ないしガラス状であることを特
    徴とする、請求項１３から２２のいずれかに記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記層材料が酸素捕獲効果を有し、さらに好ましくは低化
    学量論比で酸素を有することを特徴とする、請求項１３から２３のいずれかに記
    載の方法。
  25. 【請求項２５】 層が布設され、その後この層が窒素プラズマ内、および／
    または標準雰囲気で後処理されることにより、前記層が設けられることを特徴と
    する、請求項１３から２４のいずれかに記載の方法。
  26. 【請求項２６】 ＳｉＯ2からなる層が、好ましくは洗浄された銅表面上に
    布設され、後処理が窒素プラズマ内で行われることを特徴とする、請求項２５に
    記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記ＳｉＯ2層がスパッタによって布設されることを特徴
    とする、請求項２６に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 Ｓｉからなる層が、好ましくはスパッタによって布設され
    、後処理が標準雰囲気における熱処理によって行われることを特徴とする、請求
    項２５に記載の方法。
  29. 【請求項２９】 金属層が布設され、続いてそれが完全に酸化されることを
    特徴とする、請求項２５に記載の方法。
  30. 【請求項３０】 前記完全な酸化が、 ●布設される層厚 ●酸化のための温度 ●酸化中の雰囲気 の選択により制御されることを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
  31. 【請求項３１】 前記層が以下の厚さｄで、すなわち ３ｎｍ ≦ ｄ ≦ １０ｎｍ 好ましくは ４ｎｍ ≦ ｄ ≦ ６ｎｍ で布設され、かつ完全な酸化が標準雰囲気で行われることを特徴とする、請求項
    ３０に記載の方法。
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