JP2003347509A - 高熱伝導性樹脂封止電子回路基板とその製造方法 - Google Patents
高熱伝導性樹脂封止電子回路基板とその製造方法Info
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
自重でリードフレームが傾斜することを防止して熱伝導
性を向上させる。 【解決手段】 透孔1aを形成したリードフレーム1に
表面実装部品2を接合すると共に、表面実装部品2が接
合された部品実装面3の反対側の所定部分に高熱伝導性
絶縁板4を接合し、かつ透孔1aを露出させてリードフ
レーム1、表面実装部品2および絶縁板4を成形樹脂5
で封止することで、成形樹脂に挿入部品7のリード端子
7aが挿入可能な挿入孔6を形成し、かつ絶縁板4は、
大型部品からなる表面実装部品の下部に配置する。
Description
載した樹脂封止基板、特に、リードフレームに表面実装
部品と挿入部品とを混載した高熱伝導性樹脂封止電子回
路基板とその製造方法に関する。
−167234号公報には、図4に示すように、電子部
品を互いに接続している回路パターンを有した回路構成
部材において、金属板を打ち抜いて一体的に回路パター
ン100と電極部101および接続用端子102を形成
し、この回路パターンおよび電極部に電子部品103を
取り付け、回路パターン100および電子部品103を
囲んで絶縁樹脂104を形成した回路構成電子部品が開
示されている。
フレーム部分は樹脂で封止されているため、電源回路を
例にとって考えてみると、トランスや大容量コンデンサ
などの挿入部品が搭載できないうえ、パワー素子を搭載
した場合には、封止樹脂の影響で放熱が不十分なために
高発熱部品を搭載するのが困難である。
5に示すように、表面実装部品105が搭載されたリー
ドフレーム106の直下に、基板と同程度の大きさの高
熱伝導の絶縁層107を設け、かつ、これら三者を成形
樹脂108で封止する方法や、図6に示すように、絶縁
層107の下面にさらに金属板109を取り付けて一体
成形する方法がある。
る場合には、絶縁層107や金属板108にリード端子
用の挿入孔を設ける必要があり手間がかかると共に、絶
縁層107も基板と同程度の大きさを必要とするためコ
ストが大になる。
て、図7(a)に示すように、リードフレーム109と
これに搭載された表面実装部品110とを成形樹脂11
1で封止する際に、表面実装部品背面の成形樹脂の厚み
tを絶縁距離が保てる程度に薄くして熱伝導性を向上さ
せ、かつ、その成形樹脂の直下に筐体や放熱フィンをネ
ジ止めする方法や、図7(b)に示すように、成形樹脂
111の下部に放熱金属板112を搭載して一体成形す
る方法がある。
は、例えば、To−220パッケージといった大型の表
面実装部品をリードフレーム109に搭載した場合、成
形時に部品の自重や成形樹脂の流動圧によりリードフレ
ーム109が下方に傾斜して図8(a)に示すように、
リードフレームの表面が、成形樹脂の外表面に露出した
り、あるいは図8(b)に示すように、金属板112と
接触したりして絶縁距離が保てないおそれがあり、品質
上大きな問題となる。
ために回路パターンとリードフレーム外枠とをつなぐパ
ターン、いわゆるつりピンを多くして傾斜を防止するこ
とも可能ではあるが、つりピンが制約条件となって回路
パターン設計の自由度が減少し所望の回路パターンが作
製できなくなるおそれがある。このため、つりピンの位
置とパターンの形状とを調整しつつパターンを作製する
ことも考えられるが、作製したパターンが複雑となっ
て、基板製作が非常に面倒なものになる。
ので、つりピン等を用いなくとも、成形時におけるリー
ドフレームの傾斜を防止可能で、かつ放熱性に優れた高
熱伝導性樹脂封止電子回路基板とその製造方法を提供す
ることを目的とする。
め、本発明は、リードフレームに表面実装部品を接合す
ると共に、前記表面実装部品が接合された部品実装面と
反対側の面の所定部分に熱伝導性を有する絶縁板を接合
し、かつ、前記リードフレーム、表面実装部品および絶
縁板を樹脂で封止したことを特徴とする。
ムの全面ではなく、所定部分にのみ設けるだけであるか
らコスト低減を図ることができると共に、絶縁板を部品
実装面と反対側の面に設けたため、成形時に、リードフ
レームが絶縁板に支持されることになり、よってリード
フレームの成形時、樹脂流動圧等に起因する傾斜が防止
され外部部品との絶縁が保持可能となる。
からなる表面実装部品の下部に配置することが考えられ
る。
向上を図ることができる。
品からなる表面実装部品の下部に配置することが考えら
れる。
絶縁板によって支持されるため、樹脂流動圧や大型部品
の自重でリードフレームが傾斜することが防止され、よ
ってリードフレームが外部部品と接触することがない。
に放熱用の金属板を接合することが考えられる。
せることができると共に、放熱用として筐体などの他の
部品を絶縁板に連結する必要がなく、よって簡易かつ安
価に放熱用基板を得ることができる。
記リードフレームに表面実装部品を接合すると共に、該
表面実装部品が接合された部品実装面の反対側の所定部
分に絶縁板を接合し、かつ前記透孔を露出させて前記リ
ードフレーム、表面実装部品および絶縁板を成形樹脂で
封することで、該成形樹脂に挿入部品の端子が挿入可能
な挿入孔を形成することが考えられる。
端子が挿入可能な挿入孔を有するため、同一基板に表面
実装部品と挿入部品を搭載することが可能であると共
に、絶縁板はリードフレームの全面ではなく、一部に設
けられているため、表面実装部品と挿入部品が混載され
た基板を製造するに際して絶縁部品に孔を形成する必要
がなく、よって製造容易化が図れる。
表面実装部品を接合すると共に、該表面実装部品が接合
された部品実装面と反対側の面の所定部分に絶縁板を接
合した後、前記リードフレーム、表面実装部品および絶
縁板を樹脂で封止したことを特徴とする。
ームを絶縁板が支持するため、リードフレームが樹脂流
動圧や表面実装部品の自重によって傾斜することがな
く、よって基板の製造が容易となる。
脂封止電子回路基板とその製造方法の実施形態を、図面
を参照しながら説明する。
打ち抜きやエッチングなどの方法で形成したリードフレ
ーム1に表面実装部品2を接合する。電源回路の場合に
は、表面実装部品2として、パワー素子などの大型で、
かつ放熱が要求される電子部品が含まれる。
面3と反対側の面には、高熱伝導性絶縁板4を接合す
る。この高熱伝導性絶縁板4は、パワー素子などの大型
で、かつ放熱が要求される電子部品の下部にハンダ付け
などの方法で接合する。
および高熱伝導性絶縁板4は成形樹脂5によって封止す
る。なお、成形時、高熱伝導性絶縁板4の下面は放熱面
として成形樹脂5から露出するようにする。
製造方法について説明する。まず、リードフレーム1に
表面実装部品2と高熱伝導性絶縁板4とをハンダ付けな
どの手段で接合する。
子などの大型で、かつ放熱が要求される電子部品の下部
に配置する。次いで、図示しない金型キャビティにリー
ドフレーム1を収納するが、その際、高熱伝導性絶縁板
4が金型キャビティ底面上に位置するように配置する。
ー素子などの下部に配置されるため、成形時において、
パワー素子などの自重や樹脂の流動圧でリードフレーム
1が下方に傾斜することがない。なお、高熱伝導性絶縁
板4としては、アルミナセラミックやチッ化アルミなど
の高熱伝導性粉末を樹脂に混練したものを使用する。
態とは、リードフレーム1に、挿入部品搭載用の透孔1
aが形成されている点で相違する。本実施形態において
も、第1実施形態と同様に、リードフレーム1に表面実
装部品2と高熱伝導性絶縁板4とを搭載する。その際、
高熱伝導性絶縁板4は、パワー素子などの大型で、かつ
放熱が要求される表面実装部品の下部に配置し、かつ、
成形樹脂5でリードフレーム1、表面実装部品2および
高熱伝導性絶縁板4を封止することも第1実施形態と同
様である。
る際には、透孔1aが露出して成形樹脂5に挿入孔6が
形成されるようにする。樹脂封止後、挿入部品7を成形
樹脂5の表面実装部品2搭載側に接合する。
に挿入してリードフレーム1にハンダ付けや溶接などの
方法で接合する。なお、リードフレーム1よりも下方の
挿入孔6部分には、リード端子7aと外部の部品との絶
縁用としての樹脂8などを注入して硬化させる。
形成されているため、表面実装部品2と重畳的に挿入部
品7を搭載することが可能である。なお、成形時に、リ
ードフレーム1が下方に傾斜しないことは第1実施形態
と同様である。
と異なる点は、最終製品としての基板と同程度の大きさ
の放熱用の金属板9を高熱伝導性絶縁板4の下部に接合
した点にある。なお、金属板9としては、アルミニウム
や銅などを使用する。
様に、高熱伝導性絶縁板4を、パワー素子などの大型
で、かつ放熱が要求される表面実装部品2の下部に配置
し、かつ、成形樹脂5でリードフレーム1、表面実装部
品2および高熱伝導性絶縁板4を封止する。
伝導性絶縁板4の下部に筐体や放熱フィンなどを取り付
けることにより、高熱伝導性絶縁板4を介して発熱部品
の熱を放熱するが、第3実施形態では、金属板9が取り
付けられていることから、放熱のために基板に筐体や放
熱フィンを取り付ける必要はない。
品を接合すると共に、前記表面実装部品が接合された部
品実装面と反対側の面の所定部分に熱伝導性を有する絶
縁板を接合し、かつ、前記リードフレーム、表面実装部
品および絶縁板を樹脂で封止するため、換言すれば絶縁
板をリードフレームの全面ではなく、所定部分にのみ設
けるだけであるから、コスト低減を図ることができると
共に、絶縁板を部品実装面と反対側の面に設けたため、
成形時に、リードフレームが絶縁板に支持されることに
なり、よってリードフレームの成形時、樹脂流動圧等に
起因するリードフレームの傾斜が防止され外部部品との
絶縁が保持可能となる。
装部品を接合すると共に、該表面実装部品が接合された
部品実装面と反対側の面の所定部分に絶縁板を接合した
後、前記リードーム、表面実装部品および絶縁板を樹脂
で封止するため、成形時に、リードフレームを絶縁板が
支持可能となり、よってリードフレームが樹脂流動圧や
表面実装部品の自重によって傾斜することがなく基板の
製造が容易である。
の第1実施形態を示す断面図である。
である。 (b) 他の従来例の樹脂封止後の状態を示す断面図であ
る。
Claims (6)
- 【請求項1】 リードフレームに表面実装部品を接合す
ると共に、該表面実装部品が接合された部品実装面と反
対側の面の所定部分に熱伝導性を有する絶縁板を接合
し、かつ、前記リードフレーム、表面実装部品および絶
縁板を樹脂で封止したことを特徴とする高熱伝導性樹脂
封止電子回路基板。 - 【請求項2】 前記絶縁板は、発熱部品からなる表面実
装部品の下部に配置したことを特徴とする請求項1記載
の高熱伝導性樹脂封止電子回路基板。 - 【請求項3】 前記絶縁板は、大型部品からなる表面実
装部品の下部に配置したことを特徴とする請求項1記載
の高熱伝導性樹脂封止電子回路基板。 - 【請求項4】 前記絶縁板の下部に放熱用の金属板を接
合したことを特徴とする請求項1、2又は3記載の高熱
伝導性樹脂封止電子回路基板。 - 【請求項5】 透孔を形成した前記リードフレームに表
面実装部品を接合すると共に、該表面実装部品が接合さ
れた部品実装面の反対側の所定部分に絶縁板を接合し、
かつ前記透孔を露出させて前記リードフレーム、表面実
装部品および絶縁板を成形樹脂で封止することで、該成
形樹脂に挿入部品のリード端子が挿入可能な挿入孔を形
成したことを特徴とする請求項1、2又は3記載の高熱
伝導性樹脂封止電子回路基板。 - 【請求項6】 リードフレームに表面実装部品を接合す
ると共に、該表面実装部品が接合された部品実装面と反
対側の面の所定部分に絶縁板を接合した後、前記リード
フレーム、表面実装部品および絶縁板を樹脂で封止した
ことを特徴とする高熱伝導性樹脂封止電子回路基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002153734A JP2003347509A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 高熱伝導性樹脂封止電子回路基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002153734A JP2003347509A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 高熱伝導性樹脂封止電子回路基板とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003347509A true JP2003347509A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29770701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002153734A Pending JP2003347509A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 高熱伝導性樹脂封止電子回路基板とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003347509A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004023307B3 (de) * | 2004-05-11 | 2005-10-20 | Infineon Technologies Ag | Leistungs-Halbleiterbauteil |
JP2019095338A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
JP2021111776A (ja) * | 2020-01-02 | 2021-08-02 | 台達電子企業管理(上海)有限公司 | 電子設備及び電子設備の組立て方法 |
-
2002
- 2002-05-28 JP JP2002153734A patent/JP2003347509A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004023307B3 (de) * | 2004-05-11 | 2005-10-20 | Infineon Technologies Ag | Leistungs-Halbleiterbauteil |
US8299585B2 (en) | 2004-05-11 | 2012-10-30 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor device |
JP2019095338A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | ミネベアミツミ株式会社 | ひずみゲージ、センサモジュール |
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