JP2003347266A - 基板の処理装置及び処理方法 - Google Patents

基板の処理装置及び処理方法

Info

Publication number
JP2003347266A
JP2003347266A JP2002157938A JP2002157938A JP2003347266A JP 2003347266 A JP2003347266 A JP 2003347266A JP 2002157938 A JP2002157938 A JP 2002157938A JP 2002157938 A JP2002157938 A JP 2002157938A JP 2003347266 A JP2003347266 A JP 2003347266A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing
processing chamber
substrate
adjustment space
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002157938A
Other languages
English (en)
Inventor
Kounosuke Hayashi
航之介 林
Shinsuke Ueki
慎介 植木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2002157938A priority Critical patent/JP2003347266A/ja
Publication of JP2003347266A publication Critical patent/JP2003347266A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は基板を処理する処理室からミスト
状の処理液が外部に流出したり、外気が処理室に侵入す
るのを防止することができるようにした処理装置を提供
することにある。 【解決手段】 内部を処理室5とした内部筐体2及び内
部にこの内部筐体を収容した外部筐体3を有し、この外
部筐体の内周面と上記内部筐体の外周面との間に調整空
間部6が形成された処理槽1と、上記処理室に設けられ
上記基板を回転させる回転テーブル12及び基板に処理
液を供給して処理するノズル体と、上記処理室と上記調
整空間部とに清浄空気を供給するファン・フィルタユニ
ット14と、上記処理室の雰囲気を排出する第1の排出
管16と、上記調整空間部の雰囲気を排出する第2の排
出管19と、上記処理室の圧力に応じて上記調整空間部
の圧力を制御する制御装置とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は処理槽内で基板を
処理液によって処理するための基板の処理装置及び処理
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置などを製造す
る場合、半導体ウエハやガラス基板などの基板に回路パ
タ−ンを形成するリソグラフィプロセスがある。このリ
ソグラフィプロセスは、周知のように上記基板にレジス
トを塗布し、このレジストに回路パタ−ンが形成された
マスクを介して光を照射し、ついでレジストの光が照射
されない部分(あるいは光が照射された部分)を除去
し、除去された部分をエッチングするなどの一連の工程
を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パタ−ンを形
成するものである。
【0003】上記一連の各工程において、上記基板が汚
染されていると回路パタ−ンを精密に形成することがで
きなくなり、不良品の発生原因となる。したがって、そ
れぞれの工程で回路パタ−ンを形成する際には、レジス
トや塵埃などの微粒子が残留しない清浄な状態に上記基
板を洗浄処理するということが行われている。
【0004】上記基板を洗浄処理する装置としてスピン
処理装置が知られている。このスピン処理装置は処理槽
を有し、この処理槽内にはカップ体が設けられている。
このカップ体内には回転テーブルが設けられ、この回転
テーブルには上記基板が着脱可能に保持される。
【0005】回転テーブルに基板を保持し、回転テーブ
ルを回転させながら基板に処理液を供給して処理したな
らば、上記回転テーブルを処理液による処理時に比べて
高速度で回転させることで、この基板を乾燥処理する。
【0006】上記処理槽の上部にはULPAやHEPA
などのファン・フィルタユニットが設けられ、基板を処
理するときに処理槽内に清浄空気を供給するようにして
いる。上記カップ体の底部には排出管が接続されてい
る。この排出管には排気ポンプが接続されている。それ
によって、上記ファン・フィルタユニットから処理槽内
に供給された清浄空気は上記カップ体内を通り、上記排
出管から排出される。
【0007】このように、基板の処理時にファン・フィ
ルタユニットから処理槽内に清浄空気を供給し、カップ
体内を通過させて排出することで、基板を乾燥処理する
ときに発生するミストがカップ体や処理槽内に浮遊する
のを防止している。それによって、乾燥処理時に基板に
ミストが付着して汚染原因となるのを防止している。
【0008】上記処理槽の一側には基板を出し入れする
ための出し入れ口が設けられ、この出し入れ口はシャッ
タによって開閉できるようになっている。上記回転テー
ブルに未処理の基板を供給するときや乾燥処理された基
板を上記回転テーブルから取り出すときには、上記出し
入れ口を開放し、ロボットなどによって基板の出し入れ
を行なう。
【0009】上記処理槽内の圧力は、乾燥処理時に発生
するミストが処理槽内で浮遊するのを防止するために、
たとえば負圧に設定されることがある。つまり、ファン
・フィルタユニットから処理槽内に供給される清浄空気
の量が排出管から排出される排気量よりもわずかに少な
くなるよう設定することで、処理槽内のミストを効率よ
く排出できるようにしている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理槽
内を負圧にすると、処理槽は気密構造でないため、外気
が処理槽内に流入するということがある。処理槽がクリ
ーンルーム内に設置されていても、クリーンルーム内の
気体、つまり処理槽内に流入する外気にはパーティクル
が含まれるから、処理槽内に流入したパーティクルによ
って基板が汚染される虞がある。
【0011】処理槽内に外気が流入するのを防止するた
め、処理槽内の圧力を正圧に維持するということが考え
られる。しかしながら、その場合、処理槽内の雰囲気が
外部に流出する虞がある。処理槽内の雰囲気にはミスト
状の処理液が含まれている。処理液には有害な薬液が用
いられることがある。そのため、ミスト状の処理液を含
む気体が処理槽から流出すると、クリーンルームの作業
環境の悪化を招くということがあり、好ましくない。
【0012】この発明は、処理槽内に外気が侵入した
り、処理槽内の雰囲気が外部に流出するのを防止できる
ようにした基板の処理装置及び処理方法を提供すること
にある。
【0013】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を処理液によって処理する処理装置において、内部を処
理室とした内部筐体及び内部にこの内部筐体を収容した
外部筐体を有し、この外部筐体の内周面と上記内部筐体
の外周面との間に調整空間部が形成された処理槽と、上
記処理室に設けられ上記基板に処理液を供給して処理す
る処理手段と、上記処理室と上記調整空間部とに清浄空
気を供給する清浄空気供給手段と、上記処理室の雰囲気
を排出する第1の排出手段と、上記調整空間部の雰囲気
を排出する第2の排出手段と、上記処理室の圧力に応じ
て上記調整空間部の圧力を制御する制御手段と、を具備
したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【0014】請求項2の発明は、上記制御手段は、上記
処理室の圧力を検出する第1の圧力センサと、上記調整
空間部の圧力を検出する第2の圧力センサと、これら第
1、第2の圧力センサからの検出信号によって上記清浄
空気供給手段による清浄空気の供給量若しくは上記第1
の排出手段と第2の排出手段とによる排気量の少なくと
も一方を制御する制御装置とから構成されていることを
特徴とする請求項1記載の基板の処理装置にある。
【0015】請求項3の発明は、上記清浄空気供給手段
は、上記処理室と上記調整空間部との上部から清浄空気
を供給するファン・フィルタユニットであって、上記第
1の排出手段と上記第2の搬出手段は、上記処理室と上
記調整空間部の底部に一端をそれぞれ連通させた第1、
第2の排気管及び各排気管にそれぞれ設けられた第1、
第2の排気ファンからなることを特徴とする請求項1又
は記載の基板の処理装置にある。
【0016】請求項4の発明によれば、基板を処理液に
よって処理する処理方法において、上記基板を処理室に
供給する工程と、この処理室と該処理室の周囲を囲む調
整空間部とに清浄空気を供給する工程と、上記処理室と
上記調整空間部とへの清浄空気の供給量及び上記処理室
と調整空間部からの排気量を制御して上記処理室と調整
空間部とに圧力差を持たせる工程と、上記処理室と調整
空間部とが圧力差を有する状態で上記処理室で上記基板
を処理する工程と、を具備したことを特徴とする基板の
処理方法にある。
【0017】この発明によれば、清浄空気が供給される
処理室の外側に、同じく清浄空気が供給される調整空間
部を設け、上記処理室内の圧力に応じて上記調整空間部
内の圧力を調整するようにしたから、外気が処理室に侵
入したり、処理室内の雰囲気が外部に流出するのを防止
することができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の実施の形態を説明する。
【0019】図1はこの発明の一実施の形態に係る処理
装置を示し、この処理装置は処理槽1を備えている。こ
の処理槽1は内部筐体2と、この内部筐体2を内部に収
容した外部筐体3とによって構成されている。
【0020】上記内部筐体2と外部筐体3とは上下面が
開口した円筒状若しくは角筒状をなしていて、下端面の
開口は底板4によって閉塞されている。上記内部筐体2
内は、後述するごとく基板Wを処理する処理室5になっ
ており、内部筐体2の外周面と、外部筐体3の内周面と
の間には、周方向全長にわたって調整空間部6が形成さ
れている。
【0021】上記内部空間部2内にはカップ体8が配設
されている。このカップ体8は上記底板4に固定された
下カップ8a及びこの下カップ8aに対して上下動可能
に設けられた上カップ8bからなり、上カップ8bは第
1のシリンダ9によって上下動されるようになってい
る。
【0022】上記カップ体7内には駆動源11によって
回転駆動される回転テーブル12が設けられている。こ
の回転テーブル12の上面には半導体ウエハや液晶表示
装置用のガラス基板などの上記基板Wが着脱可能に保持
される。
【0023】上記底板4の中央部分には、上端部が上記
回転テーブル12の下面に形成された図示せぬ環状溝に
非接触状態で入り込んでラビリンス構造をなした環状の
シール壁4aが設けられている。そして、上記駆動源1
はこのシール壁4aの内部に配置されている。
【0024】上記内部筐体2と外部筐体3との開口した
上端面には、清浄空気供給手段としてのファン・フィル
タユニット14が設けられている。このファン・フィル
タユニット14はULPAやHEPAなどからなり、モ
ータ15によって図示せずファンが回転されることで、
上記処理室5と調整空間6とに清浄空気を供給するよう
になっている。
【0025】上記底板4には、上記下カップ8aの内部
に一端を連通させて複数の第1の排出管16が接続され
ている。この実施の形態では、たとえば周方向に180
度間隔で2本或いは90度間隔で4本の第1の排出管1
6が接続されている。複数の第1の排出管16は処理槽
1の上方に向かって延出され、他端は第1の集合管17
によって集合されている。この第1の集合管17は第1
の排気ファン18の吸引側に接続されている。
【0026】したがって、上記ファン・フィルタユニッ
ト14から上記処理室5に供給された清浄空気は、上記
カップ体8内を通って上記第1の排出管16から第1の
集合管17を通って排出されるようになっている。
【0027】上記調整空間部6の底部には周方向に18
0度間隔若しくは90度間隔で複数の第2の排出管19
の一端が接続されている。この第2の排出管19は上記
処理槽1の上方に向かって延出され、他端は第2の集合
管20によって集合されている。この第2の集合管20
は第2の排気ファン21の吸引側に接続されている。そ
れによって、上記ファン・フィルタユニット14から上
記調整空間部6に供給された清浄空気は上記第2の排気
管及び第2の集合管20を通って排出されるようになっ
ている。
【0028】図2に示すように、上記ファン・フィルタ
ユニット14による上記処理室5と上記調整空間部6へ
の清浄空気の供給量、つまりモータ15の回転数は制御
装置23によって制御することができるようになってい
る。
【0029】上記供給部5と、上記調整空間部6に供給
された清浄空気の排出量は、上記第1の排気ファン18
と第2の排気ファン21との回転数を上記制御装置23
によって制御することで行われる。
【0030】したがって、上記ファン・フィルタユニッ
ト14による清浄空気の供給量と上記第1、第2の排気
ファン18,21による清浄空気の排出量とを制御する
ことで、上記処理室5と上記調整空間部6との圧力を設
定することができるようになっている。
【0031】上記処理室5の圧力は第1の圧力センサ2
4によって検出され、上記調整空間部6の圧力は第2の
圧力センサ25によって検出される。各圧力センサ2
4,25の検出信号は上記制御装置23に入力され、こ
こで予め設定された設定値と比較され、その比較結果に
基づいて設定された圧力になるよう、上記ファン・フィ
ルタユニット14からの清浄空気の量及び第1、第2の
排気ファン18,21による排気量を制御する。
【0032】上記処理槽1の一側には、外部を上記処理
室5内に連通させる連通部26が上記調整空間部6に対
して気密に形成されている。この連通部26の処理槽1
の外面に開口した一端はシャッタ27によって開閉され
る。このシャッタ27は第2のシリンダ28によって上
下駆動される。
【0033】上記連通部26を開放し、上記カップ体8
の上カップ8bを下降させることで、図示せぬロボット
により上記カップ体8内の回転テーブル12に未処理の
基板Wを供給したり、処理された基板Wを搬出できるよ
うになっている。
【0034】上記上カップ8bの上端には、回転テーブ
ル12に保持された基板Wに向けて処理液を供給するノ
ズル体29が設けられている。この発明では上記ノズル
体29が基板Wを処理するための処理手段を構成してい
る。
【0035】つぎに、上記構成の処理装置によって基板
Wを処理する手順を説明する。
【0036】最初に、制御装置23によって処理室5と
調整空間部6との圧力を設定する。たとえば、基板Wを
処理する処理液がミスト状となって外部に漏れ出るのを
防止するため、処理室5を−5.0Pa程度の負圧に設
定し、調整空間部6を+5.0Pa程度の正圧に設定す
る。
【0037】処理装置の運転を開始することで、上記設
定値に基づいて、ファン・フィルタユニット14からの
清浄空気の供給量と、第1、第2の排気ファン18,2
1による処理室5と調整空間部6からの排気量とが所定
量となるよう、上記ファン・フィルタユニット14のモ
ータ15と、第1、第2の排気ファン18,21との回
転数が制御されて運転される。
【0038】処理室5と調整空間部6との圧力が第1の
圧力センサ24と第2の圧力センサ25とによって検出
され、その検出値によって制御されることで設定値にな
ったならば、ノズル体29から基板Wに向けて処理液を
供給する。それによって、基板Wは処理液によって処理
される。
【0039】基板Wの処理液による処理が終了したなら
ば、図示せぬリンスノズルから基板Wへ純水を供給して
リンス処理した後、回転テーブル12をリンス処理時に
比べて高速度で回転させることで、基板Wを乾燥処理す
る。
【0040】このようにして基板Wを処理すると、処理
液や処理液を含む純水がミスト状となって処理室5に浮
遊し、この処理室5から外部へ流出する虞がある。しか
しながら、上記処理室5は負圧に制御され、処理室5を
囲んで形成された調整空間部6は正圧に制御されてい
る。
【0041】そのため、処理室5を形成する内部筐体2
の気密性が十分に確保されていなくても、負圧の処理室
5には、この処理室5の外周に形成された調整空間部6
に供給された清浄空気が流入する。そのため、処理室5
に浮遊するミストがこの処理室5から処理槽1の外部に
漏れ出るのを防止することができる。
【0042】上記調整空間部6から処理室5に流入する
気体はファン・フィルタユニット14から供給された清
浄空気である。そのため、負圧の処理室5に調整空間部
6から清浄空気が流入しても、この処理室5内の基板W
が汚染されることがない。
【0043】このようにして、基板Wの洗浄処理、リン
ス処理及び調整処理が終了したならば、回転テーブル1
2を停止し、処理室5及び調整空間部6のうち、少なく
とも処理室5が大気圧になるよう圧力を調整する。つい
で、第2のシリンダ28によりシャッタ27を上方にス
ライドさせて連通部26を開放し、この連通部26を介
して処理された基板Wを回転テーブル12から取り出
し、未処理の基板Wを上記回転テーブル12に供給す
る。
【0044】処理室5を大気圧にしてから連通部26を
開放すれば、処理室5内の雰囲気が外部に流出して作業
空間を汚染したり、外気が処理室5内に流入して処理室
5内を汚すなどのことをなくすことができる。
【0045】上記一実施の形態では、処理室5を負圧、
調整空間部6を正圧にして基板Wを処理したが、汚れた
外気が処理室5に流入するのを確実に防止するために
は、処理室5を正圧に制御して処理が行われることがあ
る。その場合、調整空間部6は負圧に設定する。
【0046】処理室5を正圧に設定することで、外気が
処理室5に流入するのを確実に防止することができるも
のの、処理室5内の雰囲気が外部に流出する虞がある。
しかしながら、処理室5の周囲を囲む調整空間部6は負
圧に設定されるから、処理室5から漏れ出た雰囲気は調
整空間部6に流れ込んで排出される。そのため、処理室
5の雰囲気が外部に流出するのを防止することができ
る。
【0047】つまり、処理室5に外気が侵入するのを防
止するため、処理室5を正圧にして基板Wを処理して
も、処理室5のミスト状の処理液を含む雰囲気が外部に
流出するのを確実に防止することが可能となる。
【0048】なお、上記一実施の形態では処理室と調整
空間部とに1つのファン・フィルタユニットによって清
浄空気を供給するようにしたが、上記処理室と調整空間
部とには別々のファン・フィルタユニットによって清浄
空気を供給するようにしてもよい。そうすることによっ
て、処理室と調整空間部とへの清浄空気の供給量を別々
に制御することが可能となる。
【0049】また、第1の排出管と第2の排出官からの
排気量を、第1、第2の排気ファンによって制御するよ
うにしたが、各排気管にそれぞれバタフライ弁などの流
量調整弁を設け、その弁の開度を調整して排気量を制御
するようにしてもよい。
【0050】
【発明の効果】以上のようにこの発明は、清浄空気が供
給される処理室の外側に、同じく清浄空気が供給される
調整空間部を設け、上記処理室内の圧力に応じて上記調
整空間部内の圧力を調整するようにした。
【0051】そのため、処理室と調整空間部とに圧力差
を持たせることで、外気が処理室に侵入したり、処理室
内の雰囲気が外部に流出するのを確実に防止することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係る処理装置の概略
的構成を示す縦断面図。
【図2】処理室と調整空間部との圧力を制御するための
制御系統のブロック図。
【符号の説明】
1…処理槽 2…内部筐体 3…外部筐体 5…処理室 6…調整空間部 12…回転テーブル 14…ファン・フィルタユニット 16…第1の排出管 18…第1の排気ファン 19…第2の排気管 21…第2の排気ファン 23…制御装置 24…第1の圧力センサ 25…第2の圧力センサ 29…ノズル体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/1333 500 G02F 1/1333 500 Fターム(参考) 2H090 HC18 JC06 JC19 3B201 AA01 AB33 AB47 BB22 BB92 BB98 CD11 CD33 CD41 4G059 AA08 AB09 AC24 AC30

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を処理液によって処理する処理装置
    において、 内部を処理室とした内部筐体及び内部にこの内部筐体を
    収容した外部筐体を有し、この外部筐体の内周面と上記
    内部筐体の外周面との間に調整空間部が形成された処理
    槽と、 上記処理室に設けられ上記基板に処理液を供給して処理
    する処理手段と、 上記処理室と上記調整空間部とに清浄空気を供給する清
    浄空気供給手段と、 上記処理室の雰囲気を排出する第1の排出手段と、 上記調整空間部の雰囲気を排出する第2の排出手段と、 上記処理室の圧力に応じて上記調整空間部の圧力を制御
    する制御手段と、 を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
  2. 【請求項2】 上記制御手段は、上記処理室の圧力を検
    出する第1の圧力センサと、上記調整空間部の圧力を検
    出する第2の圧力センサと、これら第1、第2の圧力セ
    ンサからの検出信号によって上記清浄空気供給手段によ
    る清浄空気の供給量若しくは上記第1の排出手段と第2
    の排出手段とによる排気量の少なくとも一方を制御する
    制御装置とから構成されていることを特徴とする請求項
    1記載の基板の処理装置。
  3. 【請求項3】 上記清浄空気供給手段は、上記処理室と
    上記調整空間部との上部から清浄空気を供給するファン
    ・フィルタユニットであって、上記第1の排出手段と上
    記第2の搬出手段は、上記処理室と上記調整空間部の底
    部に一端をそれぞれ連通させた第1、第2の排気管及び
    各排気管にそれぞれ設けられた第1、第2の排気ファン
    からなることを特徴とする請求項1又は記載の基板の処
    理装置。
  4. 【請求項4】 基板を処理液によって処理する処理方法
    において、 上記基板を処理室に供給する工程と、 この処理室と該処理室の周囲を囲む調整空間部とに清浄
    空気を供給する工程と、 上記処理室と上記調整空間部とへの清浄空気の供給量及
    び上記処理室と調整空間部からの排気量を制御して上記
    処理室と調整空間部とに圧力差を持たせる工程と、 上記処理室と調整空間部とが圧力差を有する状態で上記
    処理室で上記基板を処理する工程と、 を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
JP2002157938A 2002-05-30 2002-05-30 基板の処理装置及び処理方法 Pending JP2003347266A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002157938A JP2003347266A (ja) 2002-05-30 2002-05-30 基板の処理装置及び処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002157938A JP2003347266A (ja) 2002-05-30 2002-05-30 基板の処理装置及び処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003347266A true JP2003347266A (ja) 2003-12-05

Family

ID=29773550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002157938A Pending JP2003347266A (ja) 2002-05-30 2002-05-30 基板の処理装置及び処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003347266A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266333A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008060107A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd スピン洗浄装置
JP2009059795A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2013175685A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置
KR101395559B1 (ko) 2012-05-15 2014-05-15 한국세라믹기술원 가스 가압식 화학강화 처리 장치 및 이를 이용한 화학강화유리의 제조방법
WO2016201614A1 (en) * 2015-06-16 2016-12-22 Jf Polymers (Suzhou) Co., Ltd. Methods and apparatuses for processing additive manufactured objects
JP2017010977A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10308541B2 (en) 2014-11-13 2019-06-04 Gerresheimer Glas Gmbh Glass forming machine particle filter, a plunger unit, a blow head, a blow head support and a glass forming machine adapted to or comprising said filter

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266333A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2008060107A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd スピン洗浄装置
JP2009059795A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2013175685A (ja) * 2012-02-27 2013-09-05 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄装置
KR101395559B1 (ko) 2012-05-15 2014-05-15 한국세라믹기술원 가스 가압식 화학강화 처리 장치 및 이를 이용한 화학강화유리의 제조방법
US10308541B2 (en) 2014-11-13 2019-06-04 Gerresheimer Glas Gmbh Glass forming machine particle filter, a plunger unit, a blow head, a blow head support and a glass forming machine adapted to or comprising said filter
WO2016201614A1 (en) * 2015-06-16 2016-12-22 Jf Polymers (Suzhou) Co., Ltd. Methods and apparatuses for processing additive manufactured objects
JP2017010977A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI489542B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TWI726886B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US6374837B2 (en) Single semiconductor wafer processor
JP3225441B2 (ja) 処理装置
JP4912008B2 (ja) 基板処理装置
JP5129042B2 (ja) 基板の処理装置
TWI602232B (zh) 基板處理裝置
JP2010010251A (ja) 基板処理装置
TWI751432B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2010123964A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置での整備方法
JP2003347266A (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP2007287999A (ja) 液処理装置
JP2006278955A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI434337B (zh) 旋轉式處理裝置,處理系統及旋轉式處理方法
JP2010239013A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2003332213A (ja) 液処理装置および液処理方法
KR20100046798A (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법
JP2003257925A (ja) スピン処理装置及びスピン処理方法
JP3948963B2 (ja) スピン処理装置
JP4995669B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4298840B2 (ja) スピン処理装置およびスピン処理方法
JP4040906B2 (ja) スピン処理装置
JPH0665013B2 (ja) イオン注入室の浄化方法及び同装置
JP4751927B2 (ja) スピン処理装置
JP2004134461A (ja) スピン処理装置及び乾燥処理方法