JP2003347061A - Organic el device and manufacturing method therefor - Google Patents
Organic el device and manufacturing method thereforInfo
- Publication number
- JP2003347061A JP2003347061A JP2002234484A JP2002234484A JP2003347061A JP 2003347061 A JP2003347061 A JP 2003347061A JP 2002234484 A JP2002234484 A JP 2002234484A JP 2002234484 A JP2002234484 A JP 2002234484A JP 2003347061 A JP2003347061 A JP 2003347061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- organic layer
- metal
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 182
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 181
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 122
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 105
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 76
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 57
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 57
- -1 metal complex compound Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 claims description 115
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 83
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 27
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 12
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 5
- UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-thiadiazole Chemical group C1=CSN=N1 UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000058 polyacrylate Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 4
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M phenolate Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 claims 2
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical group C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 51
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 18
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 16
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 13
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 12
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N compound E Chemical compound N([C@@H](C)C(=O)N[C@@H]1C(N(C)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=N1)=O)C(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 150000007933 aliphatic carboxylic acids Chemical class 0.000 description 8
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 8
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 150000004322 quinolinols Chemical group 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4-ol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 4
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 3
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 3
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFXQEHVMCRXUSD-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-Trichloropropane Chemical compound ClCC(Cl)CCl CFXQEHVMCRXUSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2SC(C(=O)N)=CC2=C1 GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDFKSZDMHJHQHS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylbenzoic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1C(O)=O ZDFKSZDMHJHQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(O)=C1 IJFXRHURBJZNAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWEJHEZAHNQSHP-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzoic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 PWEJHEZAHNQSHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEOIWYCWCDBOPA-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-heptanoic acid Chemical compound CC(C)CCCCC(O)=O OEOIWYCWCDBOPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ROWKJAVDOGWPAT-UHFFFAOYSA-N Acetoin Chemical compound CC(O)C(C)=O ROWKJAVDOGWPAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N Decanoic acid Natural products CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- FFOPEPMHKILNIT-UHFFFAOYSA-N Isopropyl butyrate Chemical compound CCCC(=O)OC(C)C FFOPEPMHKILNIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N Methyl 3-methylbutanoate Chemical compound COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- NMJJFJNHVMGPGM-UHFFFAOYSA-N butyl formate Chemical compound CCCCOC=O NMJJFJNHVMGPGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N diethylazanide Chemical compound CC[N-]CC UZBQIPPOMKBLAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide Chemical compound C[N-]C QKIUAMUSENSFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDAXFOBOLVPGLV-UHFFFAOYSA-N ethyl isobutyrate Chemical compound CCOC(=O)C(C)C WDAXFOBOLVPGLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPXUHEORWJQRHJ-UHFFFAOYSA-N ethyl isovalerate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)C PPXUHEORWJQRHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N hexyl acetate Chemical compound CCCCCCOC(C)=O AOGQPLXWSUTHQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N ricinelaidic acid Chemical compound CCCCCC[C@@H](O)C\C=C\CCCCCCCC(O)=O WBHHMMIMDMUBKC-XLNAKTSKSA-N 0.000 description 2
- 229960003656 ricinoleic acid Drugs 0.000 description 2
- FEUQNCSVHBHROZ-UHFFFAOYSA-N ricinoleic acid Natural products CCCCCCC(O[Si](C)(C)C)CC=CCCCCCCCC(=O)OC FEUQNCSVHBHROZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 235000021122 unsaturated fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNAGHMKIPMKKBB-UHFFFAOYSA-N 1-benzylpyrrolidine-3-carboxamide Chemical compound C1C(C(=O)N)CCN1CC1=CC=CC=C1 HNAGHMKIPMKKBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVBUKMMMRLOKQR-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbutane-1,3-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 CVBUKMMMRLOKQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrooxadiazole Chemical compound N1NC=CO1 VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBUDVZDSWKZABS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylpentanoic acid Chemical compound CCC(C)C(C)C(O)=O LBUDVZDSWKZABS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylbut-2-enedinitrile Chemical group C=1C=CC=CC=1C(C#N)=C(C#N)C1=CC=CC=C1 VFBJMPNFKOMEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSDQQJHSRVEGTJ-UHFFFAOYSA-N 2-(6-amino-1h-indol-3-yl)acetonitrile Chemical compound NC1=CC=C2C(CC#N)=CNC2=C1 ZSDQQJHSRVEGTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXHVGMQJXJAUAR-UHFFFAOYSA-N 2-(diethylaminooxy)benzaldehyde Chemical compound CCN(CC)OC1=CC=CC=C1C=O YXHVGMQJXJAUAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVMSWPWPYJVYKY-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpropyl formate Chemical compound CC(C)COC=O AVMSWPWPYJVYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- XHIUFYZDQBSEMF-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutyl acetate Chemical compound CCC(C)COC(C)=O XHIUFYZDQBSEMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexanoic acid Chemical compound CCCCC(C)C(O)=O CVKMFSAVYPAZTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVBFMEVBMNZIBR-UHFFFAOYSA-N 2-methylvaleric acid Chemical compound CCCC(C)C(O)=O OVBFMEVBMNZIBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNDRWEVUODOUDW-UHFFFAOYSA-N 3-Hydroxy-3-methylbutan-2-one Chemical compound CC(=O)C(C)(C)O BNDRWEVUODOUDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVSQXDHWDCMMRJ-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybutan-2-one Chemical compound CC(=O)CCO LVSQXDHWDCMMRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKCYVGUCBRYGTE-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxyhexan-3-one Chemical compound CCC(O)C(=O)CC SKCYVGUCBRYGTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQNZLBOJCWQLGQ-UHFFFAOYSA-N 6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimethyloctane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SQNZLBOJCWQLGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ICMAFTSLXCXHRK-UHFFFAOYSA-N Ethyl pentanoate Chemical compound CCCCC(=O)OCC ICMAFTSLXCXHRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XEAMDSXSXYAICO-UHFFFAOYSA-N Heptyl formate Chemical compound CCCCCCCOC=O XEAMDSXSXYAICO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUGPMNMLWKSBRI-UHFFFAOYSA-N Hexyl formate Chemical compound CCCCCCOC=O OUGPMNMLWKSBRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000003842 bromide salts Chemical class 0.000 description 1
- OBNCKNCVKJNDBV-UHFFFAOYSA-N butanoic acid ethyl ester Natural products CCCC(=O)OCC OBNCKNCVKJNDBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N dibenzoylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)CC(=O)C1=CC=CC=C1 NZZIMKJIVMHWJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VUPKGFBOKBGHFZ-UHFFFAOYSA-N dipropyl carbonate Chemical compound CCCOC(=O)OCCC VUPKGFBOKBGHFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- GFAZHVHNLUBROE-UHFFFAOYSA-N hydroxymethyl propionaldehyde Natural products CCC(=O)CO GFAZHVHNLUBROE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKYICAQFSCFURC-UHFFFAOYSA-N isoamyl formate Chemical compound CC(C)CCOC=O XKYICAQFSCFURC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229940071125 manganese acetate Drugs 0.000 description 1
- UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);diacetate Chemical compound [Mn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O UOGMEBQRZBEZQT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNBDRPTVWVGKBR-UHFFFAOYSA-N n-pentanoic acid methyl ester Natural products CCCCC(=O)OC HNBDRPTVWVGKBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005009 perfluoropropyl group Chemical group FC(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-].CCC[O-] XPGAWFIWCWKDDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- HUAZGNHGCJGYNP-UHFFFAOYSA-N propyl butyrate Chemical compound CCCOC(=O)CCC HUAZGNHGCJGYNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical group CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical class C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OPSWAWSNPREEFQ-UHFFFAOYSA-K triphenoxyalumane Chemical compound [Al+3].[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1.[O-]C1=CC=CC=C1 OPSWAWSNPREEFQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、塗布法により有機
層を積層形成することを特長とする有機ＥＬ素子に関
し、特に、高信頼性でかつ高効率な有機ＥＬ素子に関
し、更には、下層を侵すことなく安定でアモルファスな
膜を形成できる塗布溶媒を用いた有機ＥＬ素子の製造方
法に関する。また、本発明は、従来陰極（電子注入電
極）に用いられなかった金属の金属塩を用いた有機ＥＬ
素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL device characterized by forming an organic layer by a coating method, and more particularly to a highly reliable and efficient organic EL device. The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL device using a coating solvent capable of forming a stable and amorphous film without invading it. Further, the present invention relates to an organic EL using a metal salt of a metal which has not been used for a conventional cathode (electron injection electrode).
Related to the element.
【０００２】[0002]
【従来の技術】コダック社による真空蒸着法を用いた積
層型有機ＥＬ素子の発表以来有機ＥＬディスプレイの開
発が盛んに行われ現在実用化されつつある。2. Description of the Related Art Since the announcement of a stacked organic EL device using a vacuum deposition method by Kodak Company, an organic EL display has been actively developed and is now being put to practical use.
【０００３】このような有機ＥＬ素子において、ほぼ絶
縁物であるとみなされる有機化合物に対して金属陰極か
ら電子を注入する際に問題となるエネルギー障壁を低下
させる必要がある。In such an organic EL device, it is necessary to lower an energy barrier which becomes a problem when electrons are injected from a metal cathode into an organic compound which is considered to be almost an insulator.
【０００４】そこで現在では、注入障壁を低くするとい
う観点から陰極（電子注入電極）として低仕事関数の金
属およびその金属塩、金属酸化物等が用いられている。Therefore, at present, a metal having a low work function and its metal salt, metal oxide and the like are used as a cathode (electron injection electrode) from the viewpoint of reducing the injection barrier.
【０００５】一方、このような積層型有機ＥＬ素子の形
成は、低分子系色素を真空蒸着することによって行って
いる。しかし、真空蒸着法では均質で欠陥がない薄膜を
得ることは困難であり、数層もの有機層を形成するには
長時間を要するため、効率的な素子の製造法とはいえな
いものであった。On the other hand, such a stacked organic EL device is formed by vacuum-depositing a low-molecular dye. However, it is difficult to obtain a uniform and defect-free thin film by the vacuum deposition method, and it takes a long time to form several organic layers, and thus cannot be said to be an efficient method for manufacturing an element. Was.
【０００６】また、特開平４−３３７２８４号、特開平
１１−５４２７０号、特開平１１−４０３５８号等に
は、生産効率の良いとされる塗布により、有機層を形成
した有機ＥＬ素子が開示されているが、いずれも有機層
は単層型であり、より効率の高まる発光が可能な有機層
の積層構造は考慮に入れていない。JP-A-4-337284, JP-A-11-54270, JP-A-11-40358, and the like disclose an organic EL device in which an organic layer is formed by coating which is considered to have high production efficiency. However, in each case, the organic layer is of a single-layer type, and a stacked structure of organic layers capable of emitting light with higher efficiency is not taken into consideration.
【０００７】さらに、特開平４−２０９６号、特開２０
００−７７１８５号においては塗布によって積層構造の
有機層を形成した有機ＥＬ素子が開示されている。特開
平４−２０９６号の実施例では、ポリマー型の正孔注入
輸送材料、あるいは正孔注入輸送材料と高分子バインダ
ーとの塗布により正孔注入輸送層を形成し、この上に発
光材料と高分子バインダーとの塗布により発光層を形成
したものなどが挙げられている。また、特開２０００−
７７１８５号は、積層される有機層中にシロキサン骨格
を有する有機高分子を含有させるものであり、多層構成
の有機層とする場合、少なくとも下層側有機層中にシロ
キサン骨格を有する有機高分子を含有させる必要があ
る。具体的に開示されるものは、積層される有機層中に
シロキサン骨格を有する有機高分子を含有させて塗膜を
架橋不溶化することにより高分子同士を積層するか、シ
ロキサン骨格を有する有機高分子とこれと相溶性の低い
炭素を主成分とする骨格を有する有機高分子とを含有す
る塗布液を塗布し、塗布層内での二相分離を利用して高
分子同士を積層するものであり、その実施例には、積層
される各有機層を、各機能化合物とシリコーン樹脂とを
同一塗布溶媒（テトラヒドロフラン：ＴＨＦ）を用いて
塗布形成し、架橋させること、および炭素を主成分とす
る骨格を有する有機高分子を用いて二相分離させて形成
することが記載されている。しかし、これらの積層構造
では、特に、同一塗布溶媒を用いる場合など、積層可能
な有機層の構成が非常に限定されたり、架橋構造導入に
際し使用できる化合物が限定されたりということがあ
り、また、これらの官能基を発光層に導入しなければな
らないことから効率の低い発光の有機ＥＬ素子となって
いる。Further, Japanese Patent Application Laid-Open Nos.
JP-A-00-77185 discloses an organic EL device in which an organic layer having a laminated structure is formed by coating. In the example of JP-A-4-2096, a hole injection / transport layer of polymer type or a hole injection / transport layer is formed by applying a hole injection / transport material and a polymer binder, and a light emitting material and There are mentioned those in which a light emitting layer is formed by coating with a molecular binder. Also, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-
No. 77185 discloses that an organic polymer having a siloxane skeleton is contained in an organic layer to be laminated. When an organic layer having a multilayer structure is used, an organic polymer having a siloxane skeleton is contained in at least a lower organic layer. Need to be done. Specifically disclosed are organic polymers having a siloxane skeleton in an organic layer to be laminated, in which the coatings are crosslinked and insolubilized to make the coatings cross-linked to each other, or an organic polymer having a siloxane skeleton. And a coating solution containing an organic polymer having a skeleton having carbon as a main component and having low compatibility with the coating solution, and the polymers are laminated using two-phase separation in a coating layer. In the examples, the respective organic layers to be laminated are formed by applying each functional compound and a silicone resin by applying the same application solvent (tetrahydrofuran: THF) to form a crosslink, and a skeleton containing carbon as a main component. It is described that the polymer is formed by two-phase separation using an organic polymer having However, in these laminated structures, particularly when the same coating solvent is used, the configuration of the organic layer that can be laminated is extremely limited, or the compound that can be used for introducing a crosslinked structure may be limited, Since these functional groups must be introduced into the light-emitting layer, the organic EL device emits light with low efficiency.
【０００８】また、現在一般に使われているポリマー型
有機ＥＬ素子においては、発光性ポリマー上に、蒸着に
よりＣａ陰極を形成した構造がとられており、このよう
な電極では高分子中に電極材料が拡散してドーパントと
なったり、あるいはルミネッセンスを消光したりするた
め連続駆動において寿命の短い素子が多い。また、Ｃａ
陰極の酸化を防ぐために陰極蒸着後の封止条件管理を厳
しくする必要がある。Further, a polymer type organic EL device generally used at present has a structure in which a Ca cathode is formed on a light emitting polymer by vapor deposition. In such an electrode, an electrode material is contained in a polymer. Many elements have a short life in continuous driving because they diffuse to become dopants or quench luminescence. In addition, Ca
In order to prevent oxidation of the cathode, it is necessary to strictly control the sealing conditions after the cathode is deposited.
【０００９】このような事態は、Ｃａ陰極のみならず、
いわゆる電子注入電極と称される陰極において一般的に
生じることが多く、このため、電子注入電極のほかに一
般的な配線材料であるＡｌ等の陰極（補助電極）を併用
することが多い。[0009] Such a situation is caused not only by the Ca cathode,
This phenomenon generally occurs in a cathode called a so-called electron injection electrode. For this reason, a cathode (auxiliary electrode) such as Al, which is a general wiring material, is often used in addition to the electron injection electrode.
【００１０】このような陰極の改良としては、従来から
配線材として一般的に用いられてきた安定な金属を陰極
材料として用いることを目的として、陰極電極に接する
有機層を、電子注入におけるエネルギー障壁の小さい構
成とすることが提案されている（特開平１０−２７０１
７１号、特開平１０−２７０１７２号、特開平１１−２
３３２６２号、特開２０００−１８２７７４号）。As an improvement of such a cathode, an organic layer in contact with the cathode electrode is provided with an energy barrier in electron injection for the purpose of using a stable metal generally used as a wiring material in the past as a cathode material. (Japanese Patent Laid-Open No. 10-2701).
No. 71, JP-A-10-270172, JP-A-11-2
No. 33262, JP-A-2000-182774).
【００１１】特開平１０−２７０１７１号には、陰極電
極との界面に、ドナー（電子供与性）ドーパントとして
機能する金属でドーピングした有機化合物層を設けるこ
とが開示されている。具体的には、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム錯体を蒸着した発光層上に、トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体にＬｉまたは
Ｍｇをドープした層や、バソフェナントロリンにＬｉを
ドープした層を蒸着により設けるか、あるいはポリパラ
フェニレンビニレンをBurroughesらの方法で発光層とし
て成膜した後、アントラセン／Ｌｉを含有するポリスチ
レン膜を窒素雰囲気中でスピンコーティングし、これを
金属ドーピング層とし、この上にＡｌ蒸着による陰極電
極を設けることが示されている。Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-270171 discloses that an organic compound layer doped with a metal functioning as a donor (electron donating) dopant is provided at an interface with a cathode electrode. Specifically, a layer in which a tris (8-quinolinolato) aluminum complex is doped with Li or Mg or a layer in which bathophenanthroline is doped with Li is deposited on a light-emitting layer in which a tris (8-quinolinolato) aluminum complex is vapor-deposited. Alternatively, after forming polyparaphenylene vinylene as a light emitting layer by the method of Burroughes et al., A polystyrene film containing anthracene / Li is spin-coated in a nitrogen atmosphere, and this is used as a metal doping layer. The provision of a cathode electrode by vapor deposition is shown.
【００１２】特開平１０−２７０１７２号には、陰極電
極との界面に、金属酸化物または金属塩でドーピングし
た有機化合物層を設けることが開示されている。具体的
には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体を
蒸着した発光層上に、トリス（８−キノリノラト）アル
ミニウム錯体にＬｉＦまたはＬｉ2Ｏをドープした層
や、バソフェナントロリンにＬｉ2Ｏをドープした層を
設け、これをドーピング層とし、この上にＡｌ蒸着によ
る陰極電極を設けることが示されている。JP-A-10-270172 discloses that an organic compound layer doped with a metal oxide or a metal salt is provided at an interface with a cathode electrode. Specifically, tris (8-quinolinolato) emission layer was deposited an aluminum complex, tris (8-quinolinolato) layer and doped with LiF or Li 2 O in the aluminum complex, doped with Li 2 O bathophenanthroline It is shown that a layer is provided and this is used as a doping layer, on which a cathode electrode by Al deposition is provided.
【００１３】特開平１１−２３３２６２号には、陰極電
極に接する有機層として、アルカリ金属イオン、アルカ
リ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも１種
を含有する有機金属錯体化合物により構成し、かつ陰極
電極を、有機金属錯体化合物中に含有される金属イオン
を真空中において金属に還元しうる金属で構成すること
が開示されている。具体的には、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム錯体を蒸着した発光層上に、モノ
（８−キノリノラト）リチウム錯体やモノ（８−キノリ
ノラト）ナトリウム錯体、あるいはモノ（２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウ
ム錯体、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−ヘプタンジオナト）ナトリウム錯体、ジ（２，２，
６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）マ
グネシウム錯体、ジ（２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオナト）カルシウム錯体、あるいは
トリ（１，３−フェニル−１，３−プロパンジオナト）
モノ（バソフェナントロリン）ユウロピウム錯体の有機
層（電子注入層）を蒸着により設け、この上にＡｌ蒸着
による陰極電極を設けることが示されている。JP-A-11-233262 discloses that an organic layer in contact with a cathode electrode is made of an organometallic complex compound containing at least one of an alkali metal ion, an alkaline earth metal ion and a rare earth metal ion. It is disclosed that the electrode is made of a metal capable of reducing metal ions contained in an organometallic complex compound to a metal in a vacuum. Specifically, a mono (8-quinolinolato) lithium complex, a mono (8-quinolinolato) sodium complex, or a mono (2,2,6,6) complex is formed on a light-emitting layer on which a tris (8-quinolinolato) aluminum complex is deposited.
6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) lithium complex, mono (2,2,6,6-tetramethyl-3,5)
-Heptandionato) sodium complex, di (2,2,
6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) magnesium complex, di (2,2,6,6-tetramethyl-
3,5-heptanedionato) calcium complex or tri (1,3-phenyl-1,3-propanedionato)
It shows that an organic layer (electron injection layer) of a mono (basophenanthroline) europium complex is provided by vapor deposition, and a cathode electrode by Al vapor deposition is provided thereon.
【００１４】特開２０００−１８２７７４号には、陰極
電極に接する有機層として、アルカリ金属イオン、アル
カリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも１
種を含有する有機金属錯体化合物と電子輸送性有機物と
からなる混合層を設け、かつ陰極電極を混合層中の有機
金属錯体化合物中に含有される金属イオンを真空中で金
属に還元しうる金属で構成することが開示されている。
具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム
錯体を蒸着した発光層上に、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム錯体とモノ（８−キノリノラト）リチ
ウム錯体との混合層を蒸着により設け、この混合層上に
Ａｌ蒸着による陰極電極を設けることが示されている。
これらの陰極電極の材料としては高融点金属に限られて
いる。Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-182774 discloses that at least one of an alkali metal ion, an alkaline earth metal ion and a rare earth metal ion is used as an organic layer in contact with a cathode electrode.
A mixed layer comprising a seed-containing organometallic complex compound and an electron-transporting organic substance, and a metal capable of reducing a metal ion contained in the organometallic complex compound in the mixed layer to a metal in a vacuum. Is disclosed.
Specifically, a mixed layer of a tris (8-quinolinolato) aluminum complex and a mono (8-quinolinolato) lithium complex is provided on a light-emitting layer on which a tris (8-quinolinolato) aluminum complex is vapor-deposited. It is shown that a cathode electrode by Al deposition is provided thereon.
The materials of these cathode electrodes are limited to high melting point metals.
【００１５】しかし、これらは、事実上、蒸着により有
機層を形成するタイプの素子に対応した技術であり、塗
布法によって積層構造をとるための必要な技術について
検討されていない。また、高分子発光材料の効率を高め
るのに最適な電子注入層に関しても検討されていない。
特開平１０−２７０１７１号には、高分子発光層上に金
属ドーピング層を塗設することも記載されているが、高
分子発光層形成にBurroughesらの手法を取り入れてい
る。これはポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）前駆
体を塗布し、その後に加熱し脱酸し、ＰＰＶを得る手法
である。このＰＰＶはあらゆる溶媒に不溶なポリマーで
あり、簡単に上層に塗布ができ積層構造を容易にとるこ
とができる。一方、得られたＰＰＶとしての均一性に問
題があり、近年の可溶性ＰＰＶに比較して素子特性は著
しく低い欠点がある。また、反応性の著しく高い金属Ｌ
ｉを混合しているため雰囲気コントロールが大変難し
く、結晶化しやすい低分子量のアントラセンを塗布する
ために非導電性のポリスチレンポリマーで分散させるこ
とも必要になっている。However, these are technologies corresponding to elements of the type in which an organic layer is formed by vapor deposition, and the technologies required for forming a laminated structure by a coating method have not been studied. Further, no study has been made on an electron injection layer that is optimal for increasing the efficiency of the polymer light emitting material.
Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-270171 also discloses that a metal doping layer is provided on the polymer light emitting layer, but the technique of Burroughes et al. Is adopted for forming the polymer light emitting layer. This is a technique in which a polyparaphenylenevinylene (PPV) precursor is applied, and then heated and deoxidized to obtain PPV. This PPV is a polymer that is insoluble in any solvent, and can be easily applied to the upper layer to easily form a laminated structure. On the other hand, there is a problem in the uniformity of the obtained PPV, and there is a disadvantage that the device characteristics are remarkably low as compared with recent soluble PPV. In addition, metal L having extremely high reactivity
Since i is mixed, it is very difficult to control the atmosphere, and it is necessary to disperse with a non-conductive polystyrene polymer in order to apply low molecular weight anthracene which is easily crystallized.
【００１６】このようなことから、塗布法によって有機
層を形成する場合においても、安価で安定な陰極材料を
用い、電子注入効率を十分に確保できる技術が望まれる
ところである。また、塗布による場合、溶媒と材料の組
合せや選択などがあり、蒸着によるものをそのまま転用
できないのも事実である。[0016] In view of the above, even when an organic layer is formed by a coating method, there is a demand for a technique that uses an inexpensive and stable cathode material and ensures sufficient electron injection efficiency. Further, in the case of coating, there is a combination and selection of a solvent and a material, and it is a fact that the one obtained by vapor deposition cannot be used as it is.
【００１７】また、有機層の製法によらず、一般に、仕
事関数の低い金属を陰極として用いる場合は非常に不安
定であるため、安定化させる試みの検討が続けられてい
る。例えば特開平５−１９８３８０号公報に示されてい
るような合金として使用されている。[0017] Regardless of the method of producing the organic layer, generally, when a metal having a low work function is used as a cathode, it is very unstable. For example, it is used as an alloy as disclosed in JP-A-5-198380.
【００１８】しかしながら、依然として低仕事関数の金
属およびその塩を扱う必要があり、製造上取り扱いが煩
雑であると共に、依然として劣化に関する問題が残る。However, it is still necessary to handle metals and salts thereof having a low work function, so that the handling is complicated in production, and the problem of deterioration still remains.
【００１９】[0019]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、第一
に、塗布により積層構造の有機層を形成した有機ＥＬ素
子において、高輝度で長寿命であるなど、高効率で高信
頼性であり、取り扱い等が簡便な有機ＥＬ素子を提供す
ることである。さらには、塗布により積層構造の有機層
の形成が可能であり、このため、簡便にかつ短時間で有
機ＥＬ素子を製造でき、なおかつ効率が高く、信頼性の
高い有機ＥＬ素子の製造方法を提供することである。ま
た、本発明の目的は、第二に、一般的に、安定な金属種
の金属塩を電子注入性の層に用いることで低駆動電圧で
ありながらも、取り扱いが容易で輝度半減寿命の長い特
性を発現しうる素子を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is firstly to provide an organic EL device having an organic layer having a laminated structure formed by coating, such as high luminance and long life, such as high efficiency and high reliability. An object of the present invention is to provide an organic EL element which is easy to handle and the like. Furthermore, an organic layer having a laminated structure can be formed by coating, and therefore, an organic EL element can be manufactured simply and in a short time, and a method for manufacturing an organic EL element with high efficiency and high reliability is provided. It is to be. Secondly, the object of the present invention is, in general, to use a metal salt of a stable metal species for the electron injecting layer, thereby achieving low driving voltage, easy handling, and long luminance half life. An object is to provide an element that can exhibit characteristics.
【００２０】[0020]
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の本発明により達成される。
（１） 陰極と陽極とを有し、これらの電極間に、発光
層を含む２層以上の積層された有機層を有し、前記有機
層のうちの少なくとも１層が塗布により形成された有機
層である有機ＥＬ素子において、前記陰極に接する有機
層が、２５℃における標準電極電位−１．８V未満の金
属を有する有機金属塩および有機金属錯体化合物から選
ばれる1種以上の化合物を含有し、かつ塗布により形成
された電子注入性の有機層であり、この陰極側の電子注
入性の有機層に接して高分子ＥＬ材料を含有する有機層
を有する有機ＥＬ素子。
（２） 前記金属の標準電極電位が−２．２V以下−
３．１V以上である上記（１）の有機ＥＬ素子。
（３） 前記金属の仕事関数が３．８eV以下である上記
（１）または（２）の有機ＥＬ素子。
（４） 前記金属が、アルカリ金属（I）、アルカリ土
類金属（II）または希土類金属（III）である上記
（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ素子。
（５） 陰極に接する電子注入性の有機層の有機金属錯
体化合物の有する配位子が下記式（Ｌ−１）で示される
上記（１）〜（４）のいずれかの有機ＥＬ素子。This and other objects are achieved by the present invention described below. (1) An organic material having a cathode and an anode, having two or more stacked organic layers including a light emitting layer between these electrodes, wherein at least one of the organic layers is formed by coating. In the organic EL device which is a layer, the organic layer in contact with the cathode contains one or more compounds selected from an organic metal salt and an organic metal complex compound having a metal having a standard electrode potential of less than −1.8 V at 25 ° C. And an organic EL element having an electron-injecting organic layer formed by coating and having an organic layer containing a polymer EL material in contact with the electron-injecting organic layer on the cathode side. (2) The standard electrode potential of the metal is -2.2 V or less.
The organic EL device according to the above (1), wherein the voltage is 3.1 V or more. (3) The organic EL device according to (1) or (2), wherein the work function of the metal is 3.8 eV or less. (4) The organic EL device according to any one of (1) to (3), wherein the metal is an alkali metal (I), an alkaline earth metal (II), or a rare earth metal (III). (5) The organic EL device according to any one of (1) to (4) above, wherein the ligand of the organometallic complex compound in the electron-injecting organic layer in contact with the cathode is represented by the following formula (L-1).
【００２１】[0021]
【化２】 Embedded image
【００２２】［式（Ｌ−１）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ
3は、各々水素原子、アルキル基またはアリール基を表
し、これらは同一でも異なるものであってもよく、Ｒ2
とＲ3とは互いに連結して環を形成してもよい。］
（６） 高分子ＥＬ材料を含有する有機層の高分子ＥＬ
材料の分子量が、重量平均分子量で５０００以上である
上記（１）〜（５）のいずれかの有機ＥＬ素子。
（７） 高分子ＥＬ材料を含有する有機層の高分子ＥＬ
材料が、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリパラフ
ェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレン
ビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレ
ンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびそ
の誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、
ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリビニル化合物、
ポリアクリレート誘導体、ならびにポリメタクリレート
誘導体から選ばれる１種以上の化合物である上記（６）
の有機ＥＬ素子。
（８） 陰極に接する電子注入性の有機層が、さらに電
子輸送性材料を含有し、この電子輸送性材料が、オキサ
ジアゾール環、トリアゾール環、キノキサリン環、フェ
ナントロリン環、キノリノール環、チアジアゾール環、
ピリジン環またはシアノ基を有する化合物である上記
（１）〜（７）のいずれかの有機ＥＬ素子。
（９） 陰極に接する電子注入性の有機層が、塗布後に
架橋されたものである上記（１）〜（８）のいずれかの
有機ＥＬ素子。
（１０）基板と、基板上に設けられた第１電極と、発光
層を含む２層以上の積層された有機層と、有機層上に形
成された第２電極とを有し、前記有機層のうちの少なく
とも１層を塗布により形成する有機ＥＬ素子の製造方法
において、高分子ＥＬ材料を含有する有機層と、２５℃
における標準電極電位−１．８V未満の金属を有する有
機金属塩および有機金属錯体化合物から選ばれる１種以
上の化合物を含有する電子注入性の有機層とを積層して
形成し、２５℃における標準電極電位−１．８V未満の
金属を有する有機金属塩および有機金属錯体化合物から
選ばれる１種以上の化合物を含有する電子注入性の有機
層を、第１電極または第２電極に接して、塗布により形
成する有機ＥＬ素子の製造方法。
（１１） 第１電極が陽極であり、第２電極が陰極であ
り、高分子ＥＬ材料を含有する有機層を、下層側有機層
として形成し、この下層側有機層に積層して、上層側有
機層として、２５℃における標準電極電位−１．８V未
満の金属を有する有機金属塩および有機金属錯体化合物
から選ばれる１種以上の化合物を含有する電子注入性の
有機層を、塗布溶媒として、i)総炭素数３〜６の鎖状化
合物であって、分子内に炭素数１〜３のアルコキシ基、
カルボニル基、および炭素数２〜３のエステル基から選
ばれる１種以上を有し、かつこれらの基のα位および／
またはβ位に水酸基を有する化合物、ii)総炭素数３〜
６の鎖状化合物であって、分子内に炭素数２〜４のジア
ルキルアミド基を有する化合物、iii)総炭素数５〜８の
鎖状化合物であるエステル、ならびにiv)総炭素数４〜
７の鎖状化合物であるカーボネートから選択される１種
以上の化合物を用いて塗布により形成し、さらに上層側
の電子注入性の有機層上に陰極を形成する上記（１０）
の有機ＥＬ素子の製造方法。
（１２） 下層側の有機層を、塗布により形成する上記
（１１）の有機ＥＬ素子の製造方法。
（１３） 陰極と陽極とを有し、これらの電極間に、発
光層を含む１層以上の有機層を有し、前記陰極と前記有
機層との間に電子注入性の層を有し、前記電子注入性の
層が、２５℃における標準電極電位−１．８V以上−
０．８V以下の金属を有する無機金属塩および有機金属
塩から選ばれる１種以上の塩を含有する有機ＥＬ素子。
（１４） 前記金属の標準電極電位が−１．７V以上−
１．１５V以下である上記（１３）の有機ＥＬ素子。
（１５） 前記金属の仕事関数が４．０eV以上である上
記（１３）または（１４）の有機ＥＬ素子。
（１６） 前記金属が、Ａｌ（III）、Ｍｎ（II）また
はＺｒ（IV）である上記（１３）〜（１５）のいずれか
の有機ＥＬ素子。
（１７） 前記金属塩が、カルボン酸塩、アルコキシ
ド、フェノキシド、ハロゲン化物またはジアルキルアミ
ドである上記（１３）〜（１６）のいずれかの有機ＥＬ
素子。[In the formula (L-1), R 1 , R 2 and R
3 are each a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, these may be different even in the same, R 2
And R 3 may be linked to each other to form a ring. (6) Polymer EL of Organic Layer Containing Polymer EL Material
The organic EL device according to any one of the above (1) to (5), wherein the molecular weight of the material is 5000 or more in weight average molecular weight. (7) Polymer EL of organic layer containing polymer EL material
The material is polyfluorene and its derivatives, polyparaphenylenevinylene and its derivatives, polybiphenylenevinylene and its derivatives, polyterphenylenevinylene and its derivatives, polynaphthylenevinylene and its derivatives, polythienylenevinylene and its derivatives,
Polythiophene and its derivatives, polyvinyl compounds,
(6) which is at least one compound selected from a polyacrylate derivative and a polymethacrylate derivative.
Organic EL device. (8) The electron-injecting organic layer in contact with the cathode further contains an electron-transporting material, and the electron-transporting material is an oxadiazole ring, a triazole ring, a quinoxaline ring, a phenanthroline ring, a quinolinol ring, a thiadiazole ring,
The organic EL device according to any one of the above (1) to (7), which is a compound having a pyridine ring or a cyano group. (9) The organic EL device according to any one of the above (1) to (8), wherein the electron-injecting organic layer in contact with the cathode is cross-linked after coating. (10) The organic layer, comprising: a substrate; a first electrode provided on the substrate; an organic layer having at least two layers including a light-emitting layer; and a second electrode formed on the organic layer. A method for producing an organic EL element, wherein at least one of the layers is formed by coating, an organic layer containing a polymer EL material;
And an electron-injecting organic layer containing at least one compound selected from organometallic salts and organometallic complex compounds having a metal having a standard electrode potential of less than -1.8 V at 25 ° C. Electrode potential: An electron-injecting organic layer containing at least one compound selected from an organic metal salt and an organic metal complex compound having a metal of less than 1.8 V is applied to the first or second electrode in contact with the first or second electrode. A method for manufacturing an organic EL device formed by the method described above. (11) The first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, and an organic layer containing a polymer EL material is formed as a lower organic layer, and is laminated on the lower organic layer to form an upper layer. As an organic layer, an electron-injecting organic layer containing at least one compound selected from an organic metal salt and an organic metal complex compound having a metal having a standard electrode potential of less than −1.8 V at 25 ° C. is used as a coating solvent. i) a chain compound having a total of 3 to 6 carbon atoms, wherein the molecule has an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms,
It has at least one member selected from a carbonyl group and an ester group having 2 to 3 carbon atoms, and has an α-position and / or
Or a compound having a hydroxyl group at the β-position, ii) a total of 3 to 3 carbon atoms.
6, a compound having a dialkylamide group having 2 to 4 carbon atoms in a molecule, iii) an ester being a chain compound having 5 to 8 carbon atoms, and iv) a total of 4 to 4 carbon atoms.
The above (10), wherein the cathode is formed by coating using one or more compounds selected from carbonates, which are chain compounds of No. 7, and further forming a cathode on the upper electron-injecting organic layer.
A method for manufacturing an organic EL device. (12) The method for producing an organic EL device according to (11), wherein the lower organic layer is formed by coating. (13) having a cathode and an anode, having between the electrodes one or more organic layers including a light emitting layer, and having an electron injecting layer between the cathode and the organic layer; The electron injecting layer has a standard electrode potential at 25 ° C. of −1.8 V or higher;
An organic EL device containing at least one salt selected from inorganic metal salts and organic metal salts having a metal of 0.8 V or less. (14) The standard electrode potential of the metal is -1.7 V or more-
The organic EL device according to the above (13), wherein the voltage is 1.15 V or less. (15) The organic EL device according to the above (13) or (14), wherein the work function of the metal is 4.0 eV or more. (16) The organic EL device according to any one of the above (13) to (15), wherein the metal is Al (III), Mn (II) or Zr (IV). (17) The organic EL according to any one of the above (13) to (16), wherein the metal salt is a carboxylate, alkoxide, phenoxide, halide or dialkylamide.
element.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の有機ＥＬ素子は、例えば図１に示される
ように、基板１上に陽極２を有し、さらにこの上に、発
光層等の有機層３、電子注入性の層４および陰極５が積
層されたものである。なお、有機層３は、複数種類設け
てもよい。また、この逆の積層構成としてもよい。積層
構成は、例えば、ディスプレーの仕様や作製プロセス等
により、適宜最適なものにすればよい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. The organic EL device of the present invention has, for example, as shown in FIG. 1, an anode 2 on a substrate 1, on which an organic layer 3 such as a light emitting layer, an electron injecting layer 4 and a cathode 5 are further provided. They are stacked. Note that a plurality of types of organic layers 3 may be provided. Alternatively, the reverse lamination structure may be adopted. The lamination structure may be appropriately optimized depending on, for example, the specifications of the display and the manufacturing process.
【００２４】このような電子注入性の層としては、２５
℃における標準電極電位が−１．８V未満の金属を有す
る有機金属塩および／または有機金属錯体化合物を含有
し、かつ塗布により形成された電子注入性の有機層があ
り、このような場合、このような電子注入性の有機層に
接して高分子ＥＬ材料を含有する高分子有機層を設け
る。As such an electron injecting layer, 25
There is an electron-injecting organic layer containing an organometallic salt and / or organometallic complex compound having a metal having a standard electrode potential of less than -1.8 V at 0 ° C and formed by coating. A polymer organic layer containing a polymer EL material is provided in contact with such an electron injecting organic layer.
【００２５】このような電子注入性の有機層を設けるこ
とにより、陰極に安価で安定な金属材料を用いても、電
子注入効率が高いため、いわゆるＣａ等の電子注入電極
（陰極）を、別途設けなくてもよくなり、一般に不安定
材料から形成される電子注入電極による弊害を防止する
ことができる。すなわち、Ｃａ等の電子注入電極材料が
高分子中に拡散して素子寿命が短くなったり、電子注入
電極材料の酸化により素子性能が低下したりするのを防
止することができる。また、電子注入性の有機層は、塗
布により形成しているため、熱還元性補助電極以外の幅
広い金属に対して有効になり、生産性が向上し、かつ十
分な膜厚が確保できるので、十分な電子注入効率が得ら
れる。By providing such an electron-injecting organic layer, even if an inexpensive and stable metal material is used for the cathode, the electron injection efficiency is high. This does not have to be provided, so that adverse effects due to an electron injection electrode generally formed of an unstable material can be prevented. That is, it is possible to prevent the electron injecting electrode material such as Ca from diffusing into the polymer to shorten the life of the device, and prevent the electron injecting electrode material from oxidizing and deteriorating the device performance. In addition, since the electron-injecting organic layer is formed by coating, it is effective for a wide range of metals other than the thermoreducible auxiliary electrode, thereby improving productivity and securing a sufficient film thickness. Sufficient electron injection efficiency can be obtained.
【００２６】この場合の有機ＥＬ素子は、基板上に設け
られた第１電極と、これと対をなす第２電極との間に有
機層を有するものであり、この有機層は発光層を含む２
層以上からなる。このような２層以上の有機層は、少な
くとも１層が塗布により形成される。そして、この場
合、陰極となる第１電極または第２電極に接する有機層
として、上記の電子注入性の層を設ける。The organic EL element in this case has an organic layer between a first electrode provided on a substrate and a second electrode forming a pair with the first electrode, and the organic layer includes a light emitting layer. 2
Consists of more than layers. At least one of the two or more organic layers is formed by coating. In this case, the above-described electron injecting layer is provided as an organic layer in contact with the first electrode or the second electrode serving as a cathode.
【００２７】特に、基板上に、第１電極として陽極を形
成し、この上に、高分子有機層と電子注入性の有機層と
の積層構造の有機層をこの順に設け、電子注入性の有機
層上に第２電極として陰極を形成するような構成とする
ことが好ましく、この場合には、下層側有機層として高
分子有機層を設け、上層側有機層として電子注入性の有
機層を設ければ、所定の溶媒を用いて上層側有機層を容
易に塗布形成することが可能になる。これにより、高分
子有機層を下層側有機層とする積層構造を容易に得るこ
とができる。In particular, an anode is formed as a first electrode on a substrate, and an organic layer having a laminated structure of a polymer organic layer and an electron-injecting organic layer is provided on the anode in this order. It is preferable that the cathode be formed as a second electrode on the layer. In this case, a polymer organic layer is provided as a lower organic layer, and an electron injecting organic layer is provided as an upper organic layer. This makes it possible to easily apply and form the upper organic layer using a predetermined solvent. Thereby, a laminated structure in which the polymer organic layer is the lower organic layer can be easily obtained.
【００２８】なお、特開２０００−１８２７７４号に
は、陰極電極に接する有機層として、アルカリ金属イオ
ン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少な
くとも１種を含有する有機金属錯体化合物と電子輸送性
有機物とからなる混合層を設け、かつ陰極電極を、混合
層中の有機金属錯体化合物中の金属を真空中で還元しう
る金属で構成することが開示されているが、具体的に開
示されるのは、トリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム錯体とモノ（８−キノリノラト）リチウム錯体との混
合層を蒸着により形成した例であり、塗布により形成す
る具体例については全く示されておらず、陰極電極の材
料も高融点金属に限られている。また、混合層に接して
設けられる層もトリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム錯体の層であり、高分子ＥＬ材料を含有する層との積
層構造あるいは高分子発光材料に適した電子注入材料に
ついての具体例は全く示されていない。また、標準電極
電位と関係づけた材料の選択についても全く示されてい
ない。Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-182774 discloses that an organic metal complex compound containing at least one of an alkali metal ion, an alkaline earth metal ion and a rare earth metal ion is used as an organic layer in contact with a cathode electrode. It is disclosed that a mixed layer composed of an organic substance is provided, and that the cathode electrode is composed of a metal capable of reducing the metal in the organometallic complex compound in the mixed layer in a vacuum, but is specifically disclosed. This is an example in which a mixed layer of a tris (8-quinolinolato) aluminum complex and a mono (8-quinolinolato) lithium complex was formed by vapor deposition, and no specific example of formation by coating was shown. Is also limited to high melting point metals. Further, a layer provided in contact with the mixed layer is also a layer of a tris (8-quinolinolato) aluminum complex, and has a laminated structure with a layer containing a polymer EL material or an electron injection material suitable for a polymer light emitting material. No examples are given. Also, there is no indication of the choice of material associated with the standard electrode potential.
【００２９】また、本発明の有機ＥＬ素子において、電
子注入性の層として、２５℃における標準電極電位が−
１．８V以上−０．８V以下の金属を有する無機金属塩お
よび有機金属塩から選ばれる１種以上の塩を含有する層
を設けてもよい。In the organic EL device of the present invention, the standard electrode potential at 25 ° C. is −
A layer containing one or more salts selected from an inorganic metal salt and an organic metal salt having a metal of 1.8 V to -0.8 V may be provided.
【００３０】このような一般的に安定な金属種の金属塩
を含有する電子注入性の層は、電子注入性、および電子
輸送性を有し、陰極から有機層へ効率よく電子を注入す
る機能を有し、また陰極と有機層との界面を改質して、
安定した電子の注入、および発光を行わせることができ
るものと考えられ、発光効率が向上し、長寿命化が図ら
れる。このため、いわゆるＣａ等の電子注入電極（陰
極）を、別途設けなくてよくなり、一般に不安定材料か
ら形成される電子注入電極による弊害を防止することが
できる。すなわち、Ｃａ等の電子注入電極材料が高分子
中に拡散して素子寿命が短くなったり、電子注入電極材
料の酸化により素子性能が添加したりするのを防止する
ことができる。Such an electron-injecting layer containing a metal salt of a generally stable metal species has an electron-injecting property and an electron-transporting property, and has a function of efficiently injecting electrons from the cathode to the organic layer. Having, and modifying the interface between the cathode and the organic layer,
It is considered that stable injection of electrons and light emission can be performed, so that luminous efficiency is improved and a long life is achieved. For this reason, it is not necessary to separately provide an electron injection electrode (cathode) of so-called Ca or the like, and it is possible to prevent adverse effects due to an electron injection electrode generally formed of an unstable material. That is, it is possible to prevent the electron injection electrode material such as Ca from diffusing into the polymer to shorten the life of the element, and prevent the element performance from being added due to oxidation of the electron injection electrode material.
【００３１】なお、本発明において、２５℃における標
準電極電位は水溶液中の電極反応で、金属（０価）とな
る場合の値である。In the present invention, the standard electrode potential at 25 ° C. is a value when a metal (zero valence) is formed by an electrode reaction in an aqueous solution.
【００３２】次に、i)２５℃における標準電極電位−
１．８V未満の金属を有する有機金属塩および／または
有機金属錯体化合物を含有し、かつ塗布により形成され
た電子注入性の有機層を有する場合と、ii)２５℃にお
ける標準電極電位−１．８V以上−０．８V以下の金属を
有する無機金属塩および／または有機金属塩を含有する
電子注入性の層を有する場合とに分けて、主に、有機層
構成について説明する。Next, i) standard electrode potential at 25 ° C.
A case containing an organic metal salt and / or an organic metal complex compound having a metal of less than 1.8 V and having an electron-injecting organic layer formed by coating; and ii) a standard electrode potential at 25 ° C.-1. The organic layer configuration will be mainly described separately for a case where an electron injection layer containing an inorganic metal salt and / or an organic metal salt having a metal of 8 V or more and -0.8 V or less is provided.
【００３３】なお、本発明では、上記i)とii)の化合物
を併用した電子注入性の有機層の塗布による形成を除外
するものではないが、通常は、上記i)またはii)の電子
注入性の層を選択して形成する。Although the present invention does not exclude the formation of the electron-injecting organic layer by applying the compound of the above-mentioned i) and ii), the electron-injection of the above-mentioned i) or ii) is usually carried out. The layer is formed by selecting a conductive layer.
【００３４】i)２５℃における標準電極電位−１．８V
未満の金属を有する有機金属塩および／または有機金属
錯体化合物を含有し、かつ塗布により形成した電子注入
性の有機層を有する場合このような有機金属塩および有
機金属錯体化合物の金属は、２５℃における標準電極電
位が−１．８V未満のものであり、さらに好ましくは、
−２．２V以下−３．１V以上である。このような金属種
は、仕事関数が３．８eV以下（通常１．９５eV以上）で
あることが好ましい。このような金属としては、Ｌｉ、
Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属（I）、Ｍｇ、
Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等のアルカリ土類金属（II）、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ，Ｅｕ，Ｅｒ，Ｙｂ等の希
土類金属（III）などであり、アルカリ金属（I）、アル
カリ土類金属（II）、Ｅｕ（III）、Ｓｍ（III）、Ｌａ
（III）などが好ましく、さらにはＮａ（I）、Ｋ
（I）、Ｃｓ（I）、Ｌｉ（I）、Ｃａ（II）、Ｂａ（I
I）、Ｅｕ（III）、Ｓｍ（III）、Ｌａ（III）が好まし
く、特にはＮａ（I）、Ｋ（I）、Ｌｉ（I）、Ｃａ（I
I）、Ｂａ（II）、Ｅｕ（III）、Ｓｍ（III）が好まし
い。I) Standard electrode potential at 25 ° C.-1.8 V
When containing an organic metal salt and / or an organic metal complex compound having a metal of less than and having an electron-injecting organic layer formed by coating, the metal of such an organic metal salt and an organometallic complex compound has a temperature of 25 ° C. Is less than -1.8 V, more preferably,
−2.2 V or lower, −3.1 V or higher. Such a metal species preferably has a work function of 3.8 eV or less (usually 1.95 eV or more). Such metals include Li,
Alkali metals (I) such as Na, K, Rb, Cs, Mg,
Alkaline earth metals (II) such as Ca, Sr, Ba, etc., Y, L
a, Ce, Pr, Nd, rare earth metal (III) such as Sm, Eu, Er, Yb, etc .; alkali metal (I), alkaline earth metal (II), Eu (III), Sm (III), La
(III) and the like, and more preferably Na (I), K
(I), Cs (I), Li (I), Ca (II), Ba (I
I), Eu (III), Sm (III) and La (III) are preferred, and particularly Na (I), K (I), Li (I) and Ca (I
I), Ba (II), Eu (III) and Sm (III) are preferred.
【００３５】有機金属錯体化合物は、有機配位子を有
し、金属との結合が配位結合のみであるものをいうが、
有機金属錯体化合物において、これらの金属に配位する
配位子としては、β−ジケトン類（例えばアセチルアセ
トン、１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオン、
２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオ
ン、１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−
７，７−ジメチル−４，６−オクタンジオン、１−フェ
ニル−１，３−ブタンジオン等）、サリチルアルデヒド
類（例えばサリチルアルデヒド、ジエチルアミノサリチ
ルアルデヒド等）、キノリノール類（例えば８−キノリ
ノール等）、フェナントロリン類（例えばフェナントロ
リン、バソフェナントロリン等）、などが挙げられる。The organometallic complex compound has an organic ligand, and has only a coordination bond with a metal.
In the organometallic complex compound, ligands which coordinate to these metals include β-diketones (eg, acetylacetone, 1,3-diphenyl-1,3-propanedione,
2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione, 1,1,1,2,2,3,3-heptafluoro-
7,7-dimethyl-4,6-octanedione, 1-phenyl-1,3-butanedione, etc.), salicylaldehydes (eg, salicylaldehyde, diethylaminosalicylaldehyde, etc.), quinolinols (eg, 8-quinolinol, etc.), phenanthroline (For example, phenanthroline, bathophenanthroline and the like).
【００３６】このようななかでも、中心金属に、酸素で
配位するβ−ジケトン類やサリチルアルデヒド類のよう
な配位子が配位した錯体が好ましく、特に下記式（Ｌ−
１）で示される配位子が好ましい。なお、複数の配位子
が存在するときは、少なくとも１個の配位子がこのよう
な配位子であればよいが、すべてがこのような配位子で
あることが好ましく、特に、すべてが下記式（Ｌ−１）
で示される配位子であることが好ましい。Of these, complexes in which a central metal is coordinated with a ligand such as β-diketones or salicylaldehydes which are coordinated with oxygen, particularly the following formula (L-
The ligand represented by 1) is preferred. When a plurality of ligands are present, at least one ligand may be any of such ligands, but it is preferable that all of them are such ligands. Is the following formula (L-1)
Is preferable.
【００３７】ここでは、配位子を配位状態で示してい
る。Here, the ligand is shown in a coordinated state.
【００３８】[0038]
【化３】 Embedded image
【００３９】式（Ｌ−１）中、Ｒ1〜Ｒ3は、各々水素原
子、アルキル基またはアリール基を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよく、Ｒ2とＲ3とは互いに連
結して環を形成してもよい。In the formula (L-1), R 1 to R 3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, which may be the same or different, and R 2 and R 3 are They may be linked to form a ring.
【００４０】Ｒ1〜Ｒ3で表されるアルキル基は、無置換
でも置換基を有していてもよく、総炭素数１〜１０が好
ましく、直鎖状であっても分岐状であってもよい。なか
でも、無置換アルキル基、パーフルオロアルキル基が好
ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル
基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル
基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、パーフルオロプロピ
ル基などが挙げられる。The alkyl group represented by R 1 to R 3 may be unsubstituted or substituted, preferably has a total carbon number of 1 to 10, and may be linear or branched. Is also good. Of these, an unsubstituted alkyl group and a perfluoroalkyl group are preferable, and specifically, methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, butyl, iso-butyl, s-butyl, and t-butyl Group, perfluoropropyl group and the like.
【００４１】Ｒ1〜Ｒ3で表されるアリール基は、無置換
でも置換基を有していてもよく、総炭素数６〜１２が好
ましく、単環であっても多環であってもよい。なかで
も、単環の無置換アリール基が好ましく、具体的には、
フェニル基などが挙げられる。The aryl group represented by R 1 to R 3 may be unsubstituted or substituted, and preferably has 6 to 12 carbon atoms in total, and may be monocyclic or polycyclic. Good. Among them, a monocyclic unsubstituted aryl group is preferable, and specifically,
And a phenyl group.
【００４２】Ｒ2とＲ3とが互いに連結して形成される環
としては、芳香環、複素環が挙げられ、なかでも芳香族
炭素環が好ましく、ベンゼン環が好ましい。ベンゼン環
は、無置換であっても、アミノ基（例えばジエチルアミ
ノ基）、ニトロ基、シアノ基等が置換されていてもよ
い。The ring formed by connecting R 2 and R 3 to each other includes an aromatic ring and a heterocyclic ring. Among them, an aromatic carbon ring is preferable, and a benzene ring is preferable. The benzene ring may be unsubstituted or may be substituted with an amino group (eg, diethylamino group), a nitro group, a cyano group, or the like.
【００４３】このようななかでも、Ｒ1とＲ3とがアルキ
ル基またはアリール基で、かつＲ2が水素原子である組
合せ、Ｒ1が水素原子で、かつＲ2とＲ3とでベンゼン環
を形成するものが好ましい。すなわち、β−ジケトン
類、サリチルアルデヒド類が配位子となる場合が好まし
い。Among these, a combination in which R 1 and R 3 are an alkyl group or an aryl group and R 2 is a hydrogen atom, R 1 is a hydrogen atom, and R 2 and R 3 form a benzene ring. What forms is preferred. That is, it is preferable that β-diketones and salicylaldehydes be ligands.
【００４４】一方、有機金属塩は、有機酸、アルコー
ル、ジアルキルアミドの水素を金属で置換したものをい
い、金属と配位子との配位結合が一部存在していてもよ
いが、配位結合がすべてであるものは除外される。具体
的には、カルボン酸、フェノール等の有機酸の塩、アル
コキシド、ジアルキルアミドの塩などが挙げられる。On the other hand, the organic metal salt refers to an organic acid, alcohol or dialkylamide obtained by replacing hydrogen of a metal with a metal, and a coordination bond between the metal and the ligand may be partially present. Excludes all position linkages. Specific examples include salts of organic acids such as carboxylic acids and phenols, and salts of alkoxides and dialkylamides.
【００４５】カルボン酸としては、脂肪族であっても芳
香族であってもよい。脂肪族カルボン酸としては、総炭
素数１〜２４のものが好ましく、飽和脂肪族カルボン酸
であっても不飽和脂肪酸カルボン酸であってもよく、カ
ルボキシル基を２個以上有するものであってもよい。ま
た、アリール基等の置換基を有していてもよい。具体的
には、酢酸、プロピオン酸、オクチル酸、イソオクチル
酸、デカン酸、ラウリル酸などの脂肪族カルボン酸、オ
レイン酸、リシノール酸（リシノレン酸）などの不飽和
脂肪族カルボン酸、クエン酸、リンゴ酸、シュウ酸等の
ジないしトリ等の多価のカルボン酸などが挙げられる。
芳香族カルボン酸としては、総炭素数７〜24のものが好
ましく、置換基(炭素数１〜８のアルキル基、ヒドロキ
シ基等）を有していてもよく、具体的には、安息香酸、
ｏ−（ｔ−ブチル）安息香酸、ｍ−（ｔ−ブチル）安息
香酸、サリチル酸、ｍ−(ヒドロキシ)安息香酸、ｐ−
（ヒドロキシ）安息香酸）などが挙げられる。The carboxylic acid may be aliphatic or aromatic. The aliphatic carboxylic acid is preferably one having a total carbon number of 1 to 24, and may be a saturated aliphatic carboxylic acid or an unsaturated fatty acid carboxylic acid, or may have two or more carboxyl groups. Good. Further, it may have a substituent such as an aryl group. Specifically, aliphatic carboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, octylic acid, isooctylic acid, decanoic acid, and lauric acid; unsaturated aliphatic carboxylic acids such as oleic acid and ricinoleic acid (ricinolenic acid); citric acid; and apple Examples include polycarboxylic acids such as di- and tri-acids such as acid and oxalic acid.
As the aromatic carboxylic acid, those having a total of 7 to 24 carbon atoms are preferable, and may have a substituent (an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a hydroxy group, and the like). Specifically, benzoic acid,
o- (t-butyl) benzoic acid, m- (t-butyl) benzoic acid, salicylic acid, m- (hydroxy) benzoic acid, p-
(Hydroxy) benzoic acid) and the like.
【００４６】フェノールとしては、総炭素数６〜４６の
ものが好ましく、置換基(炭素数１〜８の直鎖状または
分岐状のアルキル基や、フェニル基等のアリール基等）
や縮合環(置換基を有していてもよいベンゼン環等の芳
香環等)を有していてもよく、１価のフェノールであっ
ても、二価以上の多価のフェノールであってもよい。具
体的には、フェノール、ナフトール、４−フェニルフェ
ノール、２，２−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロ
パン（ビスフェノールＡ）などが挙げられる。The phenol is preferably a phenol having a total of 6 to 46 carbon atoms, and a substituent (a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group such as a phenyl group).
Or a condensed ring (an aromatic ring such as a benzene ring which may have a substituent), may be a monovalent phenol, or may be a divalent or more polyvalent phenol. Good. Specific examples include phenol, naphthol, 4-phenylphenol, and 2,2-bis (p-hydroxyphenyl) propane (bisphenol A).
【００４７】アルコキシドを形成するアルコールとして
は、総炭素数１〜１０のものが好ましく、エチルアルコ
ール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール
等の第一級アルコール、イソプロピルアルコール、ｓ−
ブチルアルコール等の第二級アルコール、ｔ−ブチルア
ルコール等の第三級アルコールなどが挙げられる。ま
た、二価以上の多価アルコールであってもよく、例えば
エチレングリコールなどが挙げられる。The alcohol forming the alkoxide is preferably one having a total of 1 to 10 carbon atoms, such as primary alcohols such as ethyl alcohol, n-propyl alcohol and n-butyl alcohol, isopropyl alcohol and s- alcohol.
Secondary alcohols such as butyl alcohol, and tertiary alcohols such as t-butyl alcohol are exemplified. The polyhydric alcohol may be a dihydric or higher polyhydric alcohol, such as ethylene glycol.
【００４８】ジアルキルアミドとしては、さらに置換基
を有していてもよく、総炭素数は２〜２４であることが
好ましい。具体的には、ジメチルアミド、ジエチルアミ
ド、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミド等が挙げられる。The dialkylamide may further have a substituent and preferably has 2 to 24 carbon atoms. Specifically, dimethylamide, diethylamide, N-methyl-N-ethylamide and the like can be mentioned.
【００４９】有機金属塩のなかでも、アルコキシド、フ
ェノキシド、酢酸塩などが好ましい。Of the organic metal salts, alkoxides, phenoxides, acetates and the like are preferred.
【００５０】このような塩や錯体を用いるのは、安定性
に優れており、塗布溶媒への溶解性が高いからである。The use of such salts and complexes is because they have excellent stability and high solubility in coating solvents.
【００５１】このような有機金属塩および有機金属錯体
化合物の具体例としては、次のようなものが挙げられ
る。Specific examples of such organometallic salts and organometallic complex compounds include the following.
【００５２】[0052]
【化４】 Embedded image
【００５３】[0053]
【化５】 Embedded image
【００５４】[0054]
【化６】 Embedded image
【００５５】これらは、１種のみ使用しても２種以上を
併用してもよい。These may be used alone or in combination of two or more.
【００５６】また、陰極に接して設けられる電子注入性
の有機層は、さらに、電子輸送性材料を含有することが
好ましく、電子輸送性材料としては、オキサジアゾール
環、トリアゾール環、キノキサリン環、フェナントロリ
ン環、キノリノール環、チアジアゾール環またはピリジ
ン環を有する化合物が好ましく、またシアノ基を有する
化合物も好ましい。電子輸送性材料、特にオキサジアゾ
ール環、トリアゾール環、キノキサリン環、フェナント
ロリン環、キノリノール環、チアジアゾール環、ピリジ
ン環を有する化合物、あるいはシアノ基を有する化合物
を用いるのは、電子移動度が高く、正孔阻止性が高いた
め、高分子ＥＬ発光材料の発光効率を高めることができ
るからである。また、塗膜のアモルファス性が高くな
り、素子の長寿命化を図ることができる。特に、オキサ
ジアゾール環、キノリノール環を有する化合物が好まし
い。The electron injecting organic layer provided in contact with the cathode preferably further contains an electron transporting material. Examples of the electron transporting material include an oxadiazole ring, a triazole ring, a quinoxaline ring, A compound having a phenanthroline ring, a quinolinol ring, a thiadiazole ring or a pyridine ring is preferable, and a compound having a cyano group is also preferable. The use of an electron-transporting material, particularly a compound having an oxadiazole ring, a triazole ring, a quinoxaline ring, a phenanthroline ring, a quinolinol ring, a thiadiazole ring, a pyridine ring, or a compound having a cyano group has a high electron mobility and a positive electron mobility. This is because the hole blocking property is high, so that the luminous efficiency of the polymer EL luminescent material can be increased. Further, the amorphous property of the coating film is increased, and the life of the element can be extended. Particularly, a compound having an oxadiazole ring or a quinolinol ring is preferable.
【００５７】このような化合物は、単量体であっても多
量体（例えばポリマー）であってもよく、次のようなも
のを用いることができる。なお、Ｍｗは重量平均分子量
である。Such a compound may be a monomer or a multimer (for example, a polymer), and the following compounds can be used. In addition, Mw is a weight average molecular weight.
【００５８】[0058]
【化７】 Embedded image
【００５９】[0059]
【化８】 Embedded image
【００６０】[0060]
【化９】 Embedded image
【００６１】これらの化合物は１種のみ用いてもよく、
２種以上を併用してもよい。These compounds may be used alone.
Two or more kinds may be used in combination.
【００６２】電子注入性の有機層において、電子輸送性
材料と有機金属塩および／または有機金属錯体化合物と
の混合比は、電子輸送性材料／（有機金属塩および／ま
たは有機金属錯体化合物）のモル比で、９９／１以下で
あることが好ましい。有機金属塩および／または有機金
属錯体化合物が少なくなると、電子注入性が低くなる。
上記混合比の下限は０であるが、電子輸送性材料を用い
るとき、導電性との均衡などを考慮して、通常、９０／
１０〜１０／９０の混合比とされる。また、必要に応
じ、バインダー樹脂等を混合してもよい。In the electron-injecting organic layer, the mixing ratio between the electron-transporting material and the organometallic salt and / or the organometallic complex compound is determined by the ratio of the electron-transporting material / (organic metal salt and / or organometallic complex compound). The molar ratio is preferably 99/1 or less. When the amount of the organic metal salt and / or the organic metal complex compound decreases, the electron injecting property decreases.
Although the lower limit of the above mixing ratio is 0, when using an electron transporting material, usually 90/90 is used in consideration of the balance with conductivity.
The mixing ratio is 10 to 10/90. Moreover, you may mix a binder resin etc. as needed.
【００６３】本発明において、電子注入性の有機層は架
橋されたものであることも好ましく、この場合の電子注
入性の有機層は、架橋可能な化合物を含有する塗膜を形
成し、架橋させることが好ましい。In the present invention, the electron-injecting organic layer is preferably crosslinked. In this case, the electron-injecting organic layer forms a coating film containing a crosslinkable compound and causes crosslinking. Is preferred.
【００６４】架橋可能な化合物としては、上記の有機金
属塩および／または有機金属錯体化合物や電子輸送性材
料を架橋可能な構造として用いることができるが、一般
的には、さらに、架橋可能な樹脂などを用いることが好
ましい。このような樹脂を用いれば、容易に、塗膜を架
橋可能なものにすることができる。As the crosslinkable compound, the above-mentioned organometallic salt and / or organometallic complex compound or an electron transporting material can be used as a crosslinkable structure. It is preferable to use such as. If such a resin is used, the coating film can be easily crosslinked.
【００６５】また、電子注入性の有機層を架橋構造とす
ることによって、素子の長寿命化を図ることができる。The life of the device can be extended by forming the electron injecting organic layer into a cross-linked structure.
【００６６】このような樹脂としては、変性シリコーン
樹脂(例えば、東レ・ダウコーニング・シリコーン社製
ＳＲ２１０１など）等がある。Examples of such a resin include a modified silicone resin (for example, SR2101 manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.).
【００６７】電子注入性の有機層において、架橋可能な
樹脂と有機金属塩および／または有機金属錯体化合物と
の混合比は、架橋可能な樹脂／（有機金属塩および／ま
たは有機金属錯体化合物）の質量による比で、７０／３
０以下であることが好ましい。架橋可能な樹脂が多くな
ると、電子注入性が低くなる。上記混合比の下限は０で
あるが、架橋可能な樹脂を用いるとき、塗膜強度との均
衡なども考慮して、通常、５０／５０〜１／９９の混合
比とされる。In the electron-injecting organic layer, the mixing ratio of the crosslinkable resin to the organic metal salt and / or the organic metal complex compound is determined by the ratio of the crosslinkable resin / (organic metal salt and / or organometallic complex compound). 70/3 by mass
It is preferably 0 or less. As the number of crosslinkable resins increases, the electron injectability decreases. The lower limit of the mixing ratio is 0, but when a crosslinkable resin is used, the mixing ratio is usually 50/50 to 1/99 in consideration of the balance with the coating film strength.
【００６８】架橋は、用いる樹脂にもよるが、通常、乾
燥や加熱による硬化処理を行うことが多い。乾燥は室温
（１５℃〜３５℃程度の温度）で１〜１００時間程度行
う。Crosslinking depends on the resin to be used, but usually, curing treatment by drying or heating is often performed. Drying is performed at room temperature (temperature of about 15 ° C. to 35 ° C.) for about 1 to 100 hours.
【００６９】電子注入性の有機層は、塗布により形成さ
れるが、その厚さは５〜１００nmの範囲であることが好
ましい。厚すぎると、発光効率の低下をもたらし、薄す
ぎると、電子注入性が得られなくなる。The electron-injecting organic layer is formed by coating, and its thickness is preferably in the range of 5 to 100 nm. If the thickness is too large, the luminous efficiency is reduced, and if the thickness is too small, electron injection properties cannot be obtained.
【００７０】電子注入性の有機層は、通常、１層設けら
れるが、場合によっては２層以上としてもよく、そのと
きは合計厚を上記範囲とすればよい。The organic layer having electron injecting property is usually provided as one layer, but may be formed as two or more layers in some cases, and in that case, the total thickness may be within the above range.
【００７１】この電子注入性の有機層に接して設けら
れ、これとともに積層構造を形成する高分子有機層は、
高分子ＥＬ材料を含有する層である。The polymer organic layer provided in contact with the electron-injecting organic layer and forming a laminated structure therewith is:
This is a layer containing a polymer EL material.
【００７２】高分子ＥＬ材料の分子量は、重量平均分子
量Ｍｗで５０００以上が好ましく、さらには５０００〜
３００万であることが好ましい。このような分子量のも
のを用いることにより、物理的強度が十分に得られ、素
子のリークなどが生ぜず、素子としての特性が向上す
る。The molecular weight of the polymer EL material is preferably 5,000 or more in terms of weight average molecular weight Mw, more preferably 5,000 to 5,000.
Preferably it is 3 million. By using a material having such a molecular weight, sufficient physical strength can be obtained, and leakage of the device does not occur, and characteristics of the device are improved.
【００７３】高分子ＥＬ材料は、有機ＥＬ素子を構成す
る有機層の機能を発現する材料となるものである。この
高分子ＥＬ材料は、目的とする層に応じて、適宜選択さ
れ、低分子化合物の機能材料を高分子化が可能な誘導体
とし、この誘導体から高分子を得るようにしてもよい。The polymer EL material is a material exhibiting the function of the organic layer constituting the organic EL device. The polymer EL material is appropriately selected according to the target layer, and the functional material of the low molecular compound may be a derivative that can be polymerized, and a polymer may be obtained from the derivative.
【００７４】高分子ＥＬ材料としては、具体的にはポリ
フルオレンおよびその誘導体、ポリパラフェニレンビニ
レンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよ
びその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよびその
誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポ
リチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェ
ンおよびその誘導体、ポリビニル化合物、ポリアクリレ
ート誘導体、ポリメタクリレート誘導体が挙げられる。Specific examples of the polymer EL material include polyfluorene and its derivatives, polyparaphenylenevinylene and its derivatives, polybiphenylenevinylene and its derivatives, polyterphenylenevinylene and its derivatives, and polynaphthylenevinylene and its derivatives. , Polythienylenevinylene and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polyvinyl compounds, polyacrylate derivatives, and polymethacrylate derivatives.
【００７５】これらの高分子ＥＬ材料は、接する層が電
子注入性有機層であるため、一般的には、発光材料（正
孔注入輸送性の高分子成分を含む。）であることが好ま
しい。このようなことから、ポリビニル化合物、ポリア
クリレート誘導体、ポリメタクリレート誘導体は、好ま
しくは、発光材料を導入して高分子化したものである。
このなかで、ポリビニル化合物としては、カルバゾー
ル、アントラセン、ナフタセン、ピレン、テトラセン、
コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレ
ン等の縮合多環化合物（さらに、置換基等を導入したこ
れらの誘導体であってもよい。）に直接あるいは連結基
を介してビニル基を導入したモノマーを高分子化したポ
リマーなどが挙げられる。In general, these polymer EL materials are preferably luminescent materials (including a polymer component capable of injecting and transporting holes) because the layer in contact therewith is an organic layer capable of injecting electrons. For these reasons, the polyvinyl compound, the polyacrylate derivative, and the polymethacrylate derivative are preferably those obtained by introducing a luminescent material into a polymer.
Among them, polyvinyl compounds include carbazole, anthracene, naphthacene, pyrene, tetracene,
Polymerization of a monomer in which a vinyl group has been introduced directly or via a linking group into a condensed polycyclic compound such as coronene, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene or the like (further, these derivatives having a substituent or the like may be introduced). And the like.
【００７６】このような高分子発光材料として、好まし
くは、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、下記式（Ｐ
−１）のポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ誘
導体）、および下記式（Ｐ−２）のポリアリールフルオ
レン誘導体のいずれか、または混合物を挙げることがで
きる。As such a polymer light emitting material, polyvinyl carbazole (PVK), preferably represented by the following formula (P
Any one of, or a mixture of, the polyparaphenylenevinylene derivative (PPV derivative) of -1) and the polyarylfluorene derivative of the following formula (P-2).
【００７７】[0077]
【化１０】 Embedded image
【００７８】（Ｒは２−エチルヘキシルオキシ基であ
り、Ｒ’はメトキシ基であり、ｎは重合度を表し、Ｍｗ
は５００００である。）(R is a 2-ethylhexyloxy group, R ′ is a methoxy group, n represents the degree of polymerization,
Is 50,000. )
【００７９】[0079]
【化１１】 Embedded image
【００８０】（Ｒ0およびＲ0’は各々アルキル基であ
り、Ａｒは置換基を有していてもよい芳香環基または複
素環基であり、ｎは重合度を表し、Ｍｗは５０００〜３
００万である。）(R 0 and R 0 ′ are each an alkyl group, Ar is an aromatic or heterocyclic group which may have a substituent, n represents a degree of polymerization, and Mw represents 5,000 to 3,000.
One million. )
【００８１】なかでも、π電子共役系の高分子発光材料
（例えば前述のポリアリールフルオレン誘導体等）が好
ましい。Among them, a π-electron conjugated polymer light emitting material (for example, the above-mentioned polyarylfluorene derivative) is preferable.
【００８２】これらの高分子ＥＬ材料は１種のみ用いて
も、２種以上併用してもよく、低分子化合物と併用して
もよい。ただし、物理的強度を十分なものとし、リーク
を防止する上では、高分子ＥＬ材料の層全体に占める割
合は２０〜１００％（質量百分率）が好ましく、さらに
好ましくは５０〜１００％（質量百分率）である。These high molecular EL materials may be used alone or in combination of two or more, and may be used in combination with a low molecular compound. However, in order to ensure sufficient physical strength and to prevent leakage, the ratio of the polymer EL material to the entire layer is preferably 20 to 100% (mass percentage), more preferably 50 to 100% (mass percentage). ).
【００８３】本発明の高分子有機層が発光層であると
き、高分子発光材料とともに使用できる既知の高分子以
外の発光材料としては特に限定されないが、例えば、ナ
フタレン誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリ
レンおよびその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、
クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシ
キノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、
テトラフェニルシクロペンタジエンおよびその誘導体、
テトラフェニルブタジエンおよびその誘導体、イリジウ
ム錯体などを用いることができる。具体的には、例え
ば、特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３
号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能
である。When the polymer organic layer of the present invention is a light-emitting layer, the light-emitting material other than a known polymer that can be used together with the polymer light-emitting material is not particularly limited. For example, naphthalene derivatives, anthracene and its derivatives, perylene And its derivatives, polymethine, xanthene,
Coumarin-based, cyanine-based dyes, metal complexes of 8-hydroxyquinoline and its derivatives, aromatic amines,
Tetraphenylcyclopentadiene and derivatives thereof,
Tetraphenylbutadiene and its derivatives, iridium complexes, and the like can be used. Specifically, for example, JP-A-57-51781 and JP-A-59-194393.
Known ones, such as those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-216, can be used.
【００８４】このような高分子有機層の厚さは、形成法
にもよるが、一般的には１０〜２００nmであることが好
ましい。厚すぎると、発光効率が低下し、薄すぎると、
リークしやすくなる。The thickness of such a polymer organic layer depends on the forming method, but is generally preferably from 10 to 200 nm. If it is too thick, the luminous efficiency decreases, and if it is too thin,
Easy to leak.
【００８５】高分子有機層は、通常、１層設けられる
が、場合によっては２層以上としてもよく、そのときは
合計厚を上記範囲とすればよい。The polymer organic layer is usually provided as one layer, but may be formed as two or more layers in some cases, and in such a case, the total thickness may be within the above range.
【００８６】本発明の有機ＥＬ素子は、陰極に接して、
塗布により形成した電子注入性の有機層を設け、この電
子注入性の有機層に接して高分子有機層を設けたもので
あるが、好ましくは、基板上に第１電極として陽極を形
成し、この上に、高分子有機層を下層側有機層とし、電
子注入性の有機層を上層側有機層とする積層構造の有機
層を形成し、この上に、第２電極として陰極を形成した
ものであることが好ましい。The organic EL device of the present invention is in contact with a cathode,
An electron-injecting organic layer formed by coating is provided, and a polymer organic layer is provided in contact with the electron-injecting organic layer. Preferably, an anode is formed as a first electrode on a substrate, An organic layer having a laminated structure in which a polymer organic layer is used as a lower organic layer and an electron-injecting organic layer is used as an upper organic layer is formed thereon, and a cathode is formed thereon as a second electrode. It is preferred that
【００８７】この場合、下層側有機層と陽極との間に、
必要に応じ、有機層を介在させてもよい。このような有
機層には、高分子材料を含有させることが好ましい。例
えば、陽極に隣接したバッファ層として正孔注入層を設
けることなどがある。このような正孔注入層は、ポリエ
チレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネー
ト（PEDOT/PSS）、ポリアニリン／ポリスチレンサルフ
ォネート（Ｐａｎｉ／ＰＳＳ）、金属フタロシアニンな
どにより形成され、溶液塗布法で形成してもよいし、蒸
着可能なものは蒸着してもよい。In this case, between the lower organic layer and the anode,
If necessary, an organic layer may be interposed. Such an organic layer preferably contains a polymer material. For example, a hole injection layer may be provided as a buffer layer adjacent to the anode. Such a hole injection layer is formed of polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS), polyaniline / polystyrene sulfonate (Pani / PSS), metal phthalocyanine, or the like, and formed by a solution coating method. Alternatively, those that can be deposited may be deposited.
【００８８】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法につい
て、上記のような好ましい態様を中心にして述べる。The method for producing an organic EL device of the present invention will be described focusing on the preferred embodiments described above.
【００８９】このような態様において、高分子ＥＬ材料
（特に、高分子発光材料）は、前述のとおり、低分子化
合物と併用してもよいが、高分子ＥＬ材料の層全体に占
める割合は２０〜１００％（質量百分率）が好ましく、
さらに好ましくは５０〜１００％（質量百分率）であ
る。高分子成分の割合が低いと上層に塗布により積層構
造をとる工程において、この下層部分が物理的に弱いた
め侵され、リークなどが発生しやすくなる。なお、本発
明の低分子化合物は、分子量が５０００未満（通常２０
００以下）のものであり、一般的にはモノマー(単量
体）であるが、このほかオリゴマー(重合度２〜２０程
度）であってもよい。In such an embodiment, the high molecular EL material (particularly, the high molecular light emitting material) may be used in combination with the low molecular compound as described above, but the ratio of the high molecular EL material to the whole layer is 20%. ~ 100% (mass percentage) is preferred,
More preferably, it is 50 to 100% (mass percentage). If the proportion of the polymer component is low, in the step of forming a laminated structure by coating on the upper layer, the lower layer is physically weak, so that the lower layer is easily attacked and leaks are likely to occur. The low molecular weight compound of the present invention has a molecular weight of less than 5000 (usually 20).
00 or less), which is generally a monomer, but may be an oligomer (degree of polymerization of about 2 to 20).
【００９０】高分子ＥＬ材料を含有する下層の形成方法
は、特に限定するものではなく、真空蒸着法、イオン化
蒸着法、溶液塗布法（例えばスピンコート法、キャスト
法、ディップコート法、スプレーコート法など）が用い
られる。中でも、生産性向上の上では溶液塗布法が望ま
しい。The method of forming the lower layer containing the polymer EL material is not particularly limited, and includes a vacuum evaporation method, an ionization evaporation method, and a solution coating method (eg, a spin coating method, a casting method, a dip coating method, a spray coating method). Etc.) are used. Among them, a solution coating method is desirable from the viewpoint of improving productivity.
【００９１】この高分子ＥＬ材料を含有する下層を塗布
により形成する場合の塗布溶媒は、高分子ＥＬ材料を溶
解するものであれば特に制限されるものではなく、トル
エン、キシレンなどの芳香族系、1,2-ジクロロエタン、
1,2,3-トリクロロプロパンなどのハロゲン系、テトラヒ
ドロフラン(THF)などのヘテロ環系、等の有機溶媒の使
用が一般的である。塗布に際しては０．１〜５％（質量
百分率）の溶液とすればよい。The coating solvent for forming the lower layer containing the polymer EL material by coating is not particularly limited as long as it dissolves the polymer EL material, and aromatic solvents such as toluene and xylene are used. , 1,2-dichloroethane,
It is common to use organic solvents such as halogens such as 1,2,3-trichloropropane and heterocyclic systems such as tetrahydrofuran (THF). At the time of coating, a solution of 0.1 to 5% (mass percentage) may be used.
【００９２】なお、上層の塗布は、下層をアニールした
後行ってもよいが、アニールせずそのまま行ってもよ
い。The application of the upper layer may be performed after annealing the lower layer, or may be performed without annealing.
【００９３】一方、このような下層と組み合わせて用い
られる上層は塗設されるが、この場合の塗布溶媒には、
好ましくは、
i)総炭素数３〜６の鎖状化合物であって、分子内に炭素
数１〜３のアルコキシ基、カルボニル基、および炭素数
２〜３のエステル基から選ばれる１種以上を有し、かつ
これらの基のα位および／またはβ位（好ましくはα位
またはβ位）に水酸基を有する化合物、ii)総炭素数３
〜６の鎖状化合物であって、分子内に炭素数２〜４のジ
アルキルアミド基を有する化合物、iii)総炭素数５〜８
の鎖状化合物であるエステル、ならびにiv)総炭素数４
〜７の鎖状化合物であるカーボネートから選択される１
種以上の化合物が用いられる。On the other hand, the upper layer used in combination with such a lower layer is coated.
Preferably, i) a chain compound having a total of 3 to 6 carbon atoms, wherein at least one selected from an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, a carbonyl group, and an ester group having 2 to 3 carbon atoms in the molecule. Compounds having a hydroxyl group at the α-position and / or β-position (preferably α-position or β-position) of these groups; ii) a compound having 3 carbon atoms
A chain compound having a dialkylamide group having 2 to 4 carbon atoms in the molecule, iii) a total of 5 to 8 carbon atoms
And iv) a total of 4 carbon atoms.
1 selected from carbonates which are chain compounds of
More than one compound is used.
【００９４】ここで述べる極性溶媒は、有機ＥＬ材料を
侵しにくいので積層用の塗布溶媒に適している。また、
顕微鏡観察によれば結晶粒が見られないことが確認さ
れ、また、Ｘ線回折分析によってもアモルファス膜が得
られていることがわかる。このアモルファス膜は、素子
を構成したとき、リークや機能低下が生じにくく、長寿
命となる利点がある。i)、ii)の化合物において、総炭
素数が３未満であるときは、塗料の乾燥速度が速すぎて
有機層の層厚を均一に制御することが困難となる。一
方、i)、ii)の化合物において、総炭素数が７以上であ
る湯合には、塗料の乾操速度が著しく遅くなり粘度の増
大等でやはり層厚の均一な制御が難しくなる。iii)、i
v)の化合物における総炭素数の範囲の規定も同様の理由
による。また、飽和アルコールは、炭素数が少ない場合
乾燥速度が速すぎ、有機ＥＬ材料の析出を招き、塗膜形
成ができないという難点が生じやすく、また、総炭素数
が多い場合は乾燥速度が遅くなるが、同時に溶解性も低
くなり有機ＥＬ材料を溶解することができないという難
点が生じやすい。また、芳香族系、ハロゲン系では、ほ
とんどの有機ＥＬ材料を溶解するため、下層が侵され、
リークするという問題が生じやすくなる。さらに、酢酸
エチル等の高速揮発エステル系では、上述のように、乾
燥速度が速すぎて、アモルファス塗膜の形成が困難とな
りやすい。また、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のヘ
テロ環系では下層が侵されやすくなり、リークが生じや
すくなってしまう。The polar solvent described here is suitable as a coating solvent for lamination since it does not easily attack the organic EL material. Also,
Microscopic observation confirmed that no crystal grains were observed, and that X-ray diffraction analysis showed that an amorphous film was obtained. This amorphous film is advantageous in that leakage and functional deterioration hardly occur when a device is formed, and that the lifetime is long. In the compounds of i) and ii), when the total number of carbon atoms is less than 3, the drying speed of the paint is too fast, and it is difficult to uniformly control the thickness of the organic layer. On the other hand, in the case of the compounds i) and ii), when the total number of carbon atoms is 7 or more, the drying speed of the paint is remarkably reduced, and it is difficult to uniformly control the layer thickness due to an increase in viscosity. iii), i
The definition of the range of the total number of carbon atoms in the compound of v) is based on the same reason. In addition, when the number of carbon atoms is small, the drying rate is too high, and the deposition rate of the organic EL material is likely to be too high to cause difficulty in forming a coating film. In addition, when the total carbon number is large, the drying rate is low. However, at the same time, the solubility of the organic EL material is lowered, and it is difficult to dissolve the organic EL material. Further, in aromatic and halogen-based compounds, most of the organic EL materials are dissolved, so that the lower layer is eroded,
The problem of leakage is likely to occur. Further, in the case of a high-speed volatile ester system such as ethyl acetate, as described above, the drying speed is too high, and it is easy to form an amorphous coating film. Further, in the case of a heterocyclic system such as tetrahydrofuran (THF), the lower layer is easily attacked, and leak is likely to occur.
【００９５】このような有機溶媒の具体例としては、２
−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、イソ
プロピルセロソルブ、乳酸メチル、乳酸エチル、アセト
イン、ジアセトンアルコール、４−ヒドロキシブタノ
ン、プロピオイン、２−ヒドロキシ−２−メチル−３−
ブタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸
tert-ブチル、酢酸ペンチル、酢酸２−メチルブチル、
酢酸３−メチルブチル、酢酸ヘキシル、蟻酸ブチル、蟻
酸イソブチル、蟻酸ペンチル、蟻酸イソペンチル、蟻酸
ヘキシル、蟻酸ヘプチル、酪酸エチル、イソ酪酸エチ
ル、酪酸プロピル、酪酸イソプロピル、プロピルプロピ
オン酸、ブチルプロピオン酸、tert-ブチルプロピオン
酸、sec-ブチルプロピオン酸、吉草酸メチル、イソ吉草
酸メチル、吉草酸エチル、イソ吉草酸エチル、炭酸エチ
ルメチル、炭酸ジエチル、炭酸ジプロピル、等が挙げら
れる。Specific examples of such an organic solvent include 2
-Methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, isopropyl cellosolve, methyl lactate, ethyl lactate, acetoin, diacetone alcohol, 4-hydroxybutanone, propioin, 2-hydroxy-2-methyl-3-
Butanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, propyl acetate, butyl acetate, sec-butyl acetate, acetic acid
tert-butyl, pentyl acetate, 2-methylbutyl acetate,
3-methylbutyl acetate, hexyl acetate, butyl formate, isobutyl formate, pentyl formate, isopentyl formate, hexyl formate, heptyl formate, ethyl butyrate, ethyl isobutyrate, propyl butyrate, isopropyl butyrate, propyl propionic acid, butyl propionic acid, tert-butyl Examples thereof include propionic acid, sec-butylpropionic acid, methyl valerate, methyl isovalerate, ethyl valerate, ethyl isovalerate, ethyl methyl carbonate, diethyl carbonate, and dipropyl carbonate.
【００９６】上層側有機層の形成に際しては、上述の塗
布溶媒に電子輸送性材料、有機金属錯体化合物等の合計
濃度が０．１〜５％（質量百分率）になるよう溶解され
ることが好ましい。塗布に関しては、スピンコート法、
スプレーコート法、ディップコート法などあらゆる溶液
を用いる塗布法を用いることができる。塗布後、上記溶
媒の乾操のため、素子をホットプレート等で加熱しても
よい。加熱は、通常５０〜２８０℃程度の温度であり、
減圧下あるいは不活性雰囲気下の乾燥が好ましい。In forming the upper organic layer, it is preferable that the organic solvent is dissolved in the above-mentioned coating solvent so that the total concentration of the electron transporting material, the organometallic complex compound and the like becomes 0.1 to 5% (mass percentage). . For coating, spin coating method,
A coating method using any solution such as a spray coating method and a dip coating method can be used. After the application, the element may be heated on a hot plate or the like for drying the solvent. Heating is usually at a temperature of about 50 to 280 ° C,
Drying under reduced pressure or an inert atmosphere is preferred.
【００９７】このような上下層の積層構造の有機層とさ
れる組み合わせは、前述のとおり、通常、下層がポリマ
ー型の正孔（ホール）注入および／または輸送性成分を
含んだ発光層で、上層が、好ましくは、所定の塗布溶媒
を用いた電子注入性の有機層であることが好ましい。し
たがって、本発明の有機ＥＬ素子は、前述のとおり、基
板上に第１電極として陽極を有し、有機層上に第２電極
として陰極を有するものであることが好ましい。このよ
うな構成では、前述のとおり、陽極とポリマー型の下層
（特に発光層）との間には、さらに、正孔注入および／
または輸送層を設けることもでき、このような層も、上
層を塗布で形成するならば、高分子材料を含有するポリ
マー型であることが好ましい。As described above, the combination of the organic layer having the laminated structure of the upper and lower layers is usually a light emitting layer in which the lower layer contains a polymer type hole (hole) injecting and / or transporting component. The upper layer is preferably an electron-injecting organic layer using a predetermined coating solvent. Therefore, as described above, the organic EL device of the present invention preferably has the anode as the first electrode on the substrate and the cathode as the second electrode on the organic layer. In such a configuration, as described above, between the anode and the polymer-type lower layer (particularly, the light-emitting layer), furthermore, hole injection and / or
Alternatively, a transport layer can be provided, and such a layer is preferably a polymer type containing a polymer material if the upper layer is formed by coating.
【００９８】ただし、本発明の有機ＥＬ素子は、陰極に
接して電子注入性の有機層を有し、この層に接して高分
子有機層を有する構成であれば、第１電極を陰極とし、
第２電極を陽極とすることもでき、有機層の構成もこの
範囲で種々のものとすることができ、特に限定されるも
のではない。However, if the organic EL device of the present invention has an organic layer having an electron injecting property in contact with the cathode and a polymer organic layer in contact with this layer, the first electrode is used as the cathode,
The second electrode can be used as an anode, and the configuration of the organic layer can be various in this range, and is not particularly limited.
【００９９】有機層の厚さは、一部前記したが、一般的
には、１層当たり、塗布法によるときは、０．５〜１０
００nmが好ましく、より好ましくは１０〜５００nmであ
る。また、真空蒸着法等の蒸着法によるときは、１〜５
００nm程度である。Although the thickness of the organic layer is partially described above, it is generally 0.5 to 10 per layer when the coating method is used.
00 nm is preferred, and more preferably 10 to 500 nm. In addition, when using an evaporation method such as a vacuum evaporation method, 1 to 5
It is about 00 nm.
【０１００】ii)２５℃における標準電極電位−１．８V
以上−０．８V以下の金属を有する無機金属塩および／
または有機金属塩を含有する電子注入性の層を有する場
合このような金属塩の金属は、２５℃における標準電極
電位が−１．８V以上−０．８V以下のものであり、さら
に好ましくは、−１．７V以上−１．１５V以下のもので
ある。このような金属種は、仕事関数が４．０eV以上
（上限は通常６eV程度）であることが好ましい。Ii) Standard electrode potential at 25 ° C.-1.8 V
An inorganic metal salt having a metal of not less than -0.8 V and / or
Or when having an electron injecting layer containing an organic metal salt, the metal of such a metal salt has a standard electrode potential at 25 ° C. of −1.8 V or more and −0.8 V or less, more preferably, It is a thing of -1.7V or more and -1.15V or less. Such a metal species preferably has a work function of 4.0 eV or more (the upper limit is usually about 6 eV).
【０１０１】このような金属としては、Ａｌ（III）、
Ｍｎ（II）、Ｚｒ（IV）、Ｔｉ（II）、Ｈｆ（IV）、Ｔ
ａ（V）、Ｎｂ（III）、Ｖ（II）などであり、Ａｌ（II
I）、Ｍｎ（II）、Ｚｒ（IV）などが好ましく、さらに
好ましくはＡｌ（III）、Ｍｎ（II）であり、特に好ま
しくはＡｌ（III）である。Examples of such a metal include Al (III),
Mn (II), Zr (IV), Ti (II), Hf (IV), T
a (V), Nb (III), V (II), etc.
Preferred are I), Mn (II), Zr (IV) and the like, more preferably Al (III) and Mn (II), particularly preferably Al (III).
【０１０２】無機金属塩としては、無機酸の水素を金属
で置換したものであり、例えば、ハロゲン化物（具体的
には、塩化物、フッ化物、臭化物、ヨウ化物等）が挙げ
られる。The inorganic metal salt is obtained by replacing hydrogen of an inorganic acid with a metal, and includes, for example, halides (specifically, chlorides, fluorides, bromides, iodides, etc.).
【０１０３】有機金属塩としては、有機酸、アルコー
ル、ジアルキルアミドの水素を金属で置換したものであ
り、具体的には、カルボン酸、フェノール等の有機酸の
塩、アルコキシド、ジアルキルアミドの塩などが挙げら
れる。The organic metal salt is obtained by replacing hydrogen of an organic acid, alcohol or dialkylamide with a metal, and specifically includes salts of organic acids such as carboxylic acids and phenols, alkoxides and salts of dialkylamides. Is mentioned.
【０１０４】カルボン酸としては、脂肪族であっても芳
香族であってもよい。脂肪族カルボン酸としては、総炭
素数１〜２４のものが好ましく、飽和脂肪族カルボン酸
であっても不飽和脂肪酸カルボン酸であってもよく、カ
ルボキシル基を２個以上有するものであってもよい。ま
た、アリール基等の置換基を有していてもよい。具体的
には、酢酸、プロピオン酸、オクチル酸、イソオクチル
酸、デカン酸、ラウリル酸などの脂肪族カルボン酸、オ
レイン酸、リシノール酸（リシノレン酸）などの不飽和
脂肪族カルボン酸、クエン酸、リンゴ酸、シュウ酸等の
ジないしトリ等の多価のカルボン酸などが挙げられる。
芳香族カルボン酸としては、総炭素数７〜24のものが好
ましく、置換基(炭素数１〜８のアルキル基、ヒドロキ
シ基等）を有していてもよく、具体的には、安息香酸、
ｏ−（ｔ−ブチル）安息香酸、ｍ−（ｔ−ブチル）安息
香酸、サリチル酸、ｍ−(ヒドロキシ)安息香酸、ｐ−
（ヒドロキシ）安息香酸）などが挙げられる。The carboxylic acid may be aliphatic or aromatic. The aliphatic carboxylic acid is preferably one having a total carbon number of 1 to 24, and may be a saturated aliphatic carboxylic acid or an unsaturated fatty acid carboxylic acid, or may have two or more carboxyl groups. Good. Further, it may have a substituent such as an aryl group. Specifically, aliphatic carboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, octylic acid, isooctylic acid, decanoic acid, lauric acid, unsaturated aliphatic carboxylic acids such as oleic acid, ricinoleic acid (ricinolenic acid), citric acid, apple Examples include polycarboxylic acids such as di- and tri-acids such as acid and oxalic acid.
As the aromatic carboxylic acid, those having a total of 7 to 24 carbon atoms are preferable, and may have a substituent (an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a hydroxy group, and the like). Specifically, benzoic acid,
o- (t-butyl) benzoic acid, m- (t-butyl) benzoic acid, salicylic acid, m- (hydroxy) benzoic acid, p-
(Hydroxy) benzoic acid) and the like.
【０１０５】フェノールとしては、総炭素数６〜４６の
ものが好ましく、置換基(炭素数１〜８の直鎖状または
分岐状のアルキル基や、フェニル基等のアリール基等）
や縮合環(置換基を有していてもよいベンゼン環等の芳
香環等)を有していてもよく、１価のフェノールであっ
ても、二価以上の多価のフェノールであってもよい。具
体的には、フェノール、ナフトール、４−フェニルフェ
ノール、２，２−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロ
パン（ビスフェノールＡ）などが挙げられる。The phenol is preferably a phenol having a total of 6 to 46 carbon atoms, and a substituent (a linear or branched alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an aryl group such as a phenyl group, etc.)
Or a condensed ring (an aromatic ring such as a benzene ring which may have a substituent), may be a monovalent phenol, or may be a divalent or more polyvalent phenol. Good. Specific examples include phenol, naphthol, 4-phenylphenol, and 2,2-bis (p-hydroxyphenyl) propane (bisphenol A).
【０１０６】アルコキシドを形成するアルコールとして
は、総炭素数１〜１０のものが好ましく、エチルアルコ
ール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール
等の第一級アルコール、イソプロピルアルコール、ｓ−
ブチルアルコール等の第二級アルコール、ｔ−ブチルア
ルコール等の第三級アルコールなどが挙げられる。ま
た、二価以上の多価アルコールであってもよく、例えば
エチレングリコールなどが挙げられる。The alcohol forming the alkoxide preferably has 1 to 10 carbon atoms, and includes primary alcohols such as ethyl alcohol, n-propyl alcohol and n-butyl alcohol, isopropyl alcohol, and s-
Secondary alcohols such as butyl alcohol, and tertiary alcohols such as t-butyl alcohol are exemplified. The polyhydric alcohol may be a dihydric or higher polyhydric alcohol, such as ethylene glycol.
【０１０７】ジアルキルアミドとしては、さらに置換基
を有していてもよく、総炭素数は２〜２４であることが
好ましい。具体的には、ジメチルアミド、ジエチルアミ
ド、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミド等が挙げられる。The dialkyl amide may further have a substituent, and preferably has 2 to 24 carbon atoms. Specifically, dimethylamide, diethylamide, N-methyl-N-ethylamide and the like can be mentioned.
【０１０８】有機金属塩のなかでも、アルコキシド、フ
ェノキシド、酢酸塩などが好ましい。特に好ましくはア
ルコキシドである。Of the organic metal salts, alkoxide, phenoxide, acetate and the like are preferable. Alkoxides are particularly preferred.
【０１０９】このような金属塩を用いるのは安定性に優
れており、電子注入効率が良いからである。The use of such a metal salt is excellent in stability and electron injection efficiency.
【０１１０】このような金属塩の具体例を以下に示す。Specific examples of such a metal salt are shown below.
【０１１１】[0111]
【化１２】 Embedded image
【０１１２】これら１種のみ用いても２種以上を併用し
てもよい。These may be used alone or in combination of two or more.
【０１１３】このような金属塩を含有する電子注入性の
層には、このような金属塩のみを含有させることが好ま
しいが、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体
（Ａｌｑ３）等の電子輸送性材料と混合して用いてもよ
い。但し、このような金属塩の電子注入性の層中の含有
量は１０％（質量百分率）以上が好ましく、より好まし
くは５０％（質量百分率）以上である。It is preferable that such an electron injecting layer containing a metal salt contains only such a metal salt. However, an electron transporting material such as tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq3) is preferred. May be used as a mixture. However, the content of such a metal salt in the electron injecting layer is preferably at least 10% (mass percentage), more preferably at least 50% (mass percentage).
【０１１４】このような電子注入性の層の膜厚として
は、あまり薄すぎても厚すぎても電子注入効率が低下し
てくるため、好ましくは１〜１００nm、より好ましくは
１〜３０nm程度である。The thickness of such an electron injecting layer is preferably 1 to 100 nm, more preferably about 1 to 30 nm, since the electron injection efficiency is reduced if the layer is too thin or too thick. is there.
【０１１５】このような電子注入性の層は、いかなる薄
膜形成法であってもよく、例えば蒸着法やスパッタ法、
また、溶液からの塗布で薄膜形成が可能な場合にはスピ
ンコーティング法等を用いることができる。Such an electron injecting layer may be formed by any thin film forming method, for example, a vapor deposition method, a sputtering method,
When a thin film can be formed by application from a solution, a spin coating method or the like can be used.
【０１１６】この場合の有機ＥＬ素子の有機層形成方法
は、いかなる薄膜形成法であってもよく、例えば蒸着法
やスパッタ法が使用できる。また、溶液から形成可能な
場合には、スピンコーティング法やスプレーコート法、
キャスト法、インクジェット法が使用できる。以下塗布
法を用いた有機層を例示して説明する。In this case, the method for forming the organic layer of the organic EL element may be any thin film forming method, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. If it can be formed from a solution, spin coating, spray coating,
A casting method and an inkjet method can be used. Hereinafter, an organic layer using a coating method will be described as an example.
【０１１７】塗布法としては、スピンコート法が好まし
く、基板全面に塗布するようにすることで有機層を形成
する工程が非常に簡単になり、製造装置も簡単で安価な
ものとすることができる。As a coating method, a spin coating method is preferable, and the step of forming an organic layer is extremely simplified by coating the entire surface of the substrate, so that the manufacturing apparatus can be simplified and inexpensive. .
【０１１８】本発明において、有機層を形成するための
有機材料としては、一般に有機ＥＬ素子に用いられてい
るような発光材料、電荷輸送材料（電子輸送性材料とホ
ール輸送性材料の総称である）などを用いることができ
る。これらのなかでも、溶剤に溶解可能な有機材料が好
ましい。In the present invention, the organic material for forming the organic layer includes a light emitting material and a charge transporting material (general terms for an electron transporting material and a hole transporting material) which are generally used in an organic EL device. ) Can be used. Among these, organic materials that can be dissolved in a solvent are preferable.
【０１１９】有機層としては、例えば、溶解性の高い高
分子発光材料を用いた発光層や、高分子発光材料と電荷
輸送材料との混合発光層、あるいはこのような発光層と
前記電子注入性の層との間に電子注入輸送性材料を含有
する電子注入輸送層を有していたり、発光層とホール注
入電極の間にホール注入輸送性材料を含有するホール注
入輸送層を有していてもよい。また、これら電子注入輸
送層、ホール注入輸送層に代えて、無機材料による高抵
抗の電子注入輸送層や、ホール注入輸送層を有していて
もよい。As the organic layer, for example, a light emitting layer using a polymer light emitting material having high solubility, a mixed light emitting layer of a polymer light emitting material and a charge transporting material, or such a light emitting layer and the electron injecting property Having an electron injection / transport layer containing an electron injection / transport material between the light emitting layer and the hole injection / transport layer containing a hole injection / transport material between the light emitting layer and the hole injection electrode. Is also good. Further, instead of the electron injection / transport layer and the hole injection / transport layer, a high resistance electron injection / transport layer or a hole injection / transport layer made of an inorganic material may be provided.
【０１２０】また、発光層は１層であっても２層以上あ
ってもよく、発光層と電荷輸送層で複数層を形成してい
てもよい。さらに、発光層には、高分子発光材料以外
に、高分子以外の発光材料、電荷輸送性材料を含有して
いてもよい。また、前記高分子発光材料および／または
電荷輸送材料を高分子化合物に分散させてもよい。The light emitting layer may be a single layer or two or more layers, and a plurality of light emitting layers and a charge transport layer may be formed. Further, the light emitting layer may contain a light emitting material other than the polymer and a charge transporting material in addition to the polymer light emitting material. Further, the polymer light emitting material and / or the charge transport material may be dispersed in a polymer compound.
【０１２１】高分子発光材料等の高分子ＥＬ材料や高分
子以外の発光材料の具体例は、前記i)のところで説明し
たものと同様であり、使用法等も同様である。ただし、
この場合、電子注入性の層の陰極と反対側の隣接層とし
て高分子ＥＬ材料の使用は必須でないので、高分子以外
の発光材料単独の発光層を蒸着法などのドライプロセス
で形成してもよい。Specific examples of the polymer EL material such as the polymer light emitting material and the light emitting material other than the polymer are the same as those described in the above i), and the usage thereof is also the same. However,
In this case, since it is not essential to use a polymer EL material as an adjacent layer on the side opposite to the cathode of the electron injecting layer, a light emitting layer of a light emitting material other than a polymer alone may be formed by a dry process such as a vapor deposition method. Good.
【０１２２】電荷輸送性材料としては、種々の電子輸送
性材料、ホール輸送性材料を用いることができ、特に限
定されるものではない。As the charge transporting material, various electron transporting materials and hole transporting materials can be used and are not particularly limited.
【０１２３】ホール輸送性材料としては、ピラゾリン誘
導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリ
フェニルジアミン誘導体等を挙げることができる。Examples of the hole transporting material include pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and triphenyldiamine derivatives.
【０１２４】電子輸送性材料としては、オキサジアゾー
ル誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベ
ンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその
誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシア
ノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレン
およびその誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよび
その誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキ
ノリンおよびその誘導体等やこれらの金属錯体等を挙げ
ることができる。Examples of the electron transporting material include oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane and its derivatives, benzoquinone and its derivatives, naphthoquinone and its derivatives, anthraquinone and its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane and its derivatives, fluorene and its derivatives. Derivatives, diphenyldicyanoethylene and its derivatives, diphenoquinone derivatives, 8-hydroxyquinoline and its derivatives, and metal complexes thereof can be given.
【０１２５】具体的には、特開昭６３−７０２５７号公
報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３
５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９
９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２
１８４号公報に記載されているものなどを挙げることが
できる。Specifically, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, and JP-A-2-1353
No. 59, 2-135361, 2-209
988, 3-37992, 3-152
No. 184, for example.
【０１２６】特にホール輸送性材料としては４，４−ビ
ス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）
ビフェニル、電子輸送性材料としては２−（４−ビフェ
ニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノ
ン、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムが好まし
い。Particularly, as the hole transporting material, 4,4-bis (N (3-methylphenyl) -N-phenylamino)
Biphenyl and 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,3 as an electron transporting material
4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinolato) aluminum are preferred.
【０１２７】これらのうち、電子輸送性の化合物とホー
ル輸送性の化合物のいずれか一方、または両方を同時に
使用するとよい。これらは単独で用いてもよいし、混合
して用いてもよい。Of these, one or both of the electron transporting compound and the hole transporting compound may be used simultaneously. These may be used alone or as a mixture.
【０１２８】電荷輸送材料の使用量は、使用する化合物
の種類などにより異なるので、十分な成膜性と発光特性
を阻害しない範囲で最適な添加量を決めればよい。通
常、蛍光材料（発光材料）に対して１〜４０％（質量百
分率）であり、より好ましくは２〜３０％（質量百分
率）である。The amount of the charge transporting material varies depending on the type of the compound used and the like. Therefore, the optimum amount of addition may be determined within a range that does not impair the sufficient film-forming property and the light-emitting characteristics. Usually, it is 1 to 40% (mass percentage), more preferably 2 to 30% (mass percentage) based on the fluorescent material (luminescent material).
【０１２９】高分子発光材料を用いた場合の発光層の膜
厚としては０．５nm〜１０μm 、好ましくは１nm〜１μ
m である。電流密度を上げて発光効率を上げるために
は、１０〜５００nmの範囲が好ましい。なお、塗布法に
より薄膜化した場合には、溶媒を除去するため、減圧下
あるいは不活性雰囲気下、３０〜２００℃、好ましくは
６０〜１００℃の温度で加熱乾燥することが望ましい。When a polymer light emitting material is used, the thickness of the light emitting layer is 0.5 nm to 10 μm, preferably 1 nm to 1 μm.
m. In order to increase the current density and the luminous efficiency, the range of 10 to 500 nm is preferable. When the film is formed into a thin film by a coating method, it is desirable to heat and dry at a temperature of 30 to 200 ° C., preferably 60 to 100 ° C. under reduced pressure or an inert atmosphere in order to remove the solvent.
【０１３０】また、電荷注入輸送層を発光層の下層に形
成する場合、発光層の形成に加熱重合工程を要するとき
は、ある程度の耐熱性が必要となる。この場合、好まし
くはガラス転移温度が２００℃以上、より好ましくは３
００℃以上、特に３５０℃以上の化合物が好ましい。When the charge injection / transport layer is formed below the light-emitting layer, a certain degree of heat resistance is required when a heat polymerization step is required for forming the light-emitting layer. In this case, the glass transition temperature is preferably 200 ° C. or higher, more preferably 3 ° C.
Compounds having a temperature of at least 00 ° C, especially at least 350 ° C, are preferred.
【０１３１】有機のホール注入輸送層の厚さおよび電子
注入輸送層の厚さは、特に制限されるものではなく、形
成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm程度、特
に１０〜３００nmとすることが好ましい。ホールの注入
層と輸送層とを設ける場合は、注入層は１nm以上、輸送
層は１nm以上とするのが好ましい。このときの注入層、
輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で５００nm程度、
輸送層で５００nm程度である。The thickness of the organic hole injecting and transporting layer and the thickness of the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, and vary depending on the forming method, but are usually about 5 to 500 nm, especially 10 to 300 nm. Is preferred. When a hole injection layer and a transport layer are provided, it is preferable that the thickness of the injection layer is 1 nm or more and the thickness of the transport layer is 1 nm or more. The injection layer at this time,
The upper limit of the thickness of the transport layer is usually about 500 nm in the injection layer,
The thickness is about 500 nm in the transport layer.
【０１３２】塗布法における有機層形成に用いられる溶
媒としては、有機材料が溶解し、塗布に際して障害が生
じないものであれば特に限定されるものではない。具体
的には、アルコール系、炭化水素系、ケトン系、エーテ
ル系等一般に用いられているものを使用することができ
る。なかでも、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロ
エタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレンなど
が好ましい。発光材料の構造や分子量にもよるが、通常
はこれらの溶媒に０．１％（質量百分率）以上溶解させ
ることができる。The solvent used for forming the organic layer in the coating method is not particularly limited as long as the organic material dissolves and does not cause any trouble during coating. Specifically, those generally used such as alcohols, hydrocarbons, ketones, and ethers can be used. Among them, chloroform, methylene chloride, dichloroethane, tetrahydrofuran, toluene, xylene and the like are preferable. Although it depends on the structure and molecular weight of the luminescent material, it can be usually dissolved in these solvents in an amount of 0.1% (mass percentage) or more.
【０１３３】２つの有機層の間に界面を形成させる場合
には、下層の塗布面をスピンコートにより形成した場合
は乾燥してもしなくてもよい。この場合、必要により下
層を塗布した後、加熱処理などを行ってもよい。In the case where an interface is formed between two organic layers, when an application surface of the lower layer is formed by spin coating, it may or may not be dried. In this case, a heat treatment may be performed after the lower layer is applied, if necessary.
【０１３４】２つの有機層の界面を形成させない場合、
２つの層の境界がいわゆる傾斜組成となる様に形成する
こともできる。つまり、少なくとも溶媒への溶解度、溶
媒、粘度、比重のいずれかが異なる材料を用いて塗布を
行うことにより、２種の有機層を塗り分けたり、界面組
成を傾斜状に変化させることができる。また、下層の塗
布面が乾燥しないうちに、次の層を塗布することにより
界面を形成しないようにすることもできる。この場合、
２つの層の界面となる領域において、２つの層の主成
分、またはドーパントの混合比が、質量比で１０００：
１〜１０：１程度であることが好ましい。When the interface between the two organic layers is not formed,
The boundary between the two layers may be formed so as to have a so-called gradient composition. That is, by using a material that differs at least in solubility in a solvent, solvent, viscosity, or specific gravity, two types of organic layers can be separately applied, or the interface composition can be changed in an inclined manner. Further, the interface can be prevented from being formed by applying the next layer before the coated surface of the lower layer is dried. in this case,
In a region serving as an interface between the two layers, the mixing ratio of the main component or the dopant of the two layers is 1000:
It is preferably about 1 to 10: 1.
【０１３５】このような塗布法により形成される有機層
の膜厚は、有機層１種当たり好ましくは０．５〜１００
０nm、より好ましくは１０〜５００nmである。また、一
回の塗布により形成可能な有機層の膜厚は、通常０．５
〜１０００nm、特に１０〜５００nm程度である。有機層
の膜厚を厚く、特に５０nm以上とすることにより、リー
ク電流の発生を防止することができる。The thickness of the organic layer formed by such a coating method is preferably from 0.5 to 100 per organic layer.
It is 0 nm, more preferably 10 to 500 nm. The thickness of the organic layer that can be formed by one application is usually 0.5
１０００1000 nm, especially about 10-500 nm. When the thickness of the organic layer is large, particularly, 50 nm or more, generation of a leak current can be prevented.
【０１３６】以上、ii)の電子注入性の層を用いる場合
の一般的説明を行ったが、電子注入性の層を有機金属塩
を含有する有機層とし、その隣接層（陰極と反対側）に
高分子ＥＬ材料を含有させた構成とすることが好まし
く、具体的には、電子注入性の有機層以外は前記のi)の
有機層構成と同様とすることも好ましい。As described above, the general description in the case of using the electron injecting layer of ii) has been described. The electron injecting layer is an organic layer containing an organic metal salt, and the adjacent layer (the side opposite to the cathode) is used. Preferably, the organic layer composition contains the polymer EL material, and specifically, it is also preferable that the organic layer composition is the same as the organic layer composition of the above i) except for the organic layer having the electron injecting property.
【０１３７】本発明において、前述のとおり、陰極に
は、溶液塗布法による電子注入性の有機層をはじめとし
て、前記i)，ii)の電子注入性の層が設けられているの
で、陰極は、低仕事関数で電子注入性を有している必要
がなく、このため、特に熱還元性金属に限定される必要
はなく、通常の金属を用いることができる。なかでも、
導電率や扱い易さの点で、Ａｌ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｃ
ｕ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，ＰｄおよびＮｉ、特にＡ
ｌ，Ａｇから選択される１種または２種等の金属元素が
好ましい。これら陰極薄膜の厚さは、電子を電子注入輸
送層等に与えることのできる一定以上の厚さとすれば良
く、５０nm以上、好ましくは１００nm以上とすればよ
い。また、その上限には特に制限はないが、通常膜厚は
５０〜５００nm程度とすればよい。したがって、電子注
入電極として、通常、用いられる、例えば、Ｋ、Ｌｉ、
Ｎａ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓ
ｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、またはそれらを含む
２成分、３成分の合金系を特に設ける必要がない。In the present invention, as described above, the cathode is provided with the above-mentioned i) and ii) electron injecting layers including the electron injecting organic layer formed by the solution coating method. It is not necessary to have a low work function and an electron injecting property. Therefore, it is not necessary to be particularly limited to a thermoreducible metal, and an ordinary metal can be used. Above all,
In terms of conductivity and ease of handling, Al, Ag, In, Ti, C
u, Au, Mo, W, Pt, Pd and Ni, especially A
One or two or more metal elements selected from l and Ag are preferred. The thickness of these cathode thin films may be a certain thickness or more that can provide electrons to the electron injecting and transporting layer and the like, and may be 50 nm or more, preferably 100 nm or more. The upper limit is not particularly limited, but the thickness may be generally about 50 to 500 nm. Therefore, usually used as an electron injection electrode, for example, K, Li,
Na, Cs, Mg, La, Ce, Ca, Sr, Ba, S
It is not necessary to provide a single metal element such as n, Zn, or Zr, or a two-component or three-component alloy system containing them.
【０１３８】陽極（ホール注入電極）材料は、ホール注
入輸送層等へホールを効率よく注入することのできるも
のが好ましく、仕事関数４．５eV〜５．５eVの物質が好
ましい。具体的には、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化イン
ジウム（Ｉｎ2Ｏ3 ）、酸化スズ（ＳｎＯ2 ）および酸
化亜鉛（ＺｎＯ）のいずれかを主組成としたものが好ま
しい。これらの酸化物はその化学量論組成から多少偏倚
していてもよい。ＩＴＯでのＩｎ2Ｏ3 に対するＳｎＯ
2 の混合比は、１〜２０％（質量百分率）、さらには５
〜１２％（質量百分率）が好ましい。また、ＩＺＯでの
Ｉｎ2Ｏ3 に対するＺｎＯの混合比は、通常、１２〜３
２％（質量百分率）程度である。ホール注入電極は、仕
事関数を調整するため、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を含
有していてもよい。酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）の含有量
は、ＩＴＯに対するＳｉＯ2 の モル比で０．５〜１０
％程度が好ましい。ＳｉＯ2 を含有することにより、Ｉ
ＴＯの仕事関数が増大する。The material of the anode (hole injection electrode) is preferably a material capable of efficiently injecting holes into the hole injection transport layer or the like, and is preferably a substance having a work function of 4.5 eV to 5.5 eV. Specifically, tin-doped indium oxide (IT
O), zinc-doped indium oxide (IZO), indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO) are preferable. These oxides may deviate somewhat from their stoichiometric composition. SnO for In 2 O 3 in ITO
The mixing ratio of 2 is 1 to 20% (mass percentage), and 5
~ 12% (mass percentage) is preferred. The mixing ratio of ZnO to In 2 O 3 in IZO is usually 12 to 3
It is about 2% (percent by mass). The hole injection electrode may contain silicon oxide (SiO 2 ) to adjust the work function. The content of silicon oxide (SiO 2 ) is 0.5 to 10 in a molar ratio of SiO 2 to ITO.
% Is preferable. By containing SiO 2 ,
The work function of TO increases.
【０１３９】光を取り出す側の電極は、ホール注入電極
に限らず、発光波長帯域、通常４００〜７００nm、特に
各発光光に対する光透過率が５０％以上、さらには８０
％以上、特に９０％以上であることが好ましい。透過率
が低くなりすぎると、発光層からの発光自体が減衰さ
れ、発光素子として必要な輝度を得難くなってくる。The electrode on the side from which light is extracted is not limited to the hole injection electrode, but has an emission wavelength band, usually 400 to 700 nm, and particularly has a light transmittance of 50% or more for each emitted light, and moreover 80%.
%, Particularly preferably 90% or more. If the transmittance is too low, the light emission itself from the light emitting layer is attenuated, and it becomes difficult to obtain the luminance required for the light emitting element.
【０１４０】ホール注入電極の厚さは、５０〜５００n
m、特に５０〜３００nmの範囲が好ましい。また、その
上限は特に制限はないが、あまり厚いと透過率の低下や
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、十分な効
果が得られず、製造時の膜強度等の点でも問題がある。The thickness of the hole injection electrode is 50 to 500 n.
m, particularly preferably in the range of 50 to 300 nm. The upper limit is not particularly limited. However, if the thickness is too large, there is a fear that the transmittance is reduced or the layer is peeled off. If the thickness is too small, a sufficient effect cannot be obtained, and there is a problem in film strength at the time of production and the like.
【０１４１】なお、電極は、蒸着法により形成されるの
が一般的であるが、有機層を塗布法により形成する場合
などにおいて、特に陰極を塗布法で形成することによ
り、高分子有機層、電子注入性有機層および陰極の塗布
による形成が可能になり、大面積化、フィルム化等の点
で生産性の向上が図られる。塗布法によって、陰極を形
成する場合には、ＡｇペーストやＮｉペーストなどの使
用が好ましく、このようにして形成される陰極の厚さは
５００nm以上であることが好ましい。その上限には特に
制限はないが、１０００nm程度である。The electrodes are generally formed by a vapor deposition method. However, in the case where an organic layer is formed by a coating method, in particular, by forming a cathode by a coating method, a polymer organic layer, The electron injection organic layer and the cathode can be formed by coating, and the productivity can be improved in terms of enlargement of the area, film formation, and the like. When a cathode is formed by a coating method, it is preferable to use an Ag paste or a Ni paste, and the thickness of the cathode formed in this manner is preferably 500 nm or more. The upper limit is not particularly limited, but is about 1000 nm.
【０１４２】さらに、素子の有機層や電極の劣化を防ぐ
ために、素子上を封止板等により封止することが好まし
い。Further, in order to prevent the deterioration of the organic layer and the electrodes of the device, it is preferable to seal the upper surface of the device with a sealing plate or the like.
【０１４３】本発明において、有機ＥＬ構造体を形成す
る基板としては、非晶質基板（例えばガラス、石英な
ど）、結晶基板（例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、
ＺｎＳ、ＧａＰ、ＩｎＰなど）が挙げられ、またこれら
の結晶基板に結晶質、非晶質あるいは金属のバッファ層
を形成した基板も用いることができる。また金属基板と
しては、Ｍｏ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｄなどを用
いることができる。さらには、樹脂フィルム基板（例え
ば、ポリエチレンテレフタレートなど）も用いることが
できる。好ましくはガラス基板が用いられる。基板は、
光取り出し側となる場合、上記電極と同様な光透過性を
有することが好ましい。In the present invention, as the substrate on which the organic EL structure is formed, an amorphous substrate (for example, glass or quartz), a crystal substrate (for example, Si, GaAs, ZnSe,
ZnS, GaP, InP, and the like), and a substrate in which a crystalline, amorphous, or metal buffer layer is formed over these crystalline substrates can also be used. As the metal substrate, Mo, Al, Pt, Ir, Au, Pd, or the like can be used. Further, a resin film substrate (eg, polyethylene terephthalate) can be used. Preferably, a glass substrate is used. The substrate is
When it is on the light extraction side, it is preferable to have the same light transmittance as the above-mentioned electrode.
【０１４４】さらに、本発明の素子を、平面上に多数並
べてもよい。平面上に並べられたそれぞれの素子の発光
色を変えて、カラーのディスプレーにすることができ
る。Further, a large number of devices of the present invention may be arranged on a plane. By changing the emission color of each element arranged on a plane, a color display can be obtained.
【０１４５】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。The light emission color may be controlled by using a color filter film, a color conversion film containing a fluorescent substance, or a dielectric reflection film on the substrate.
【０１４６】本発明の有機ＥＬ素子は、通常、直流駆動
型、パルス駆動型のＥＬ素子として用いられるが、交流
駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、２〜３０
V 程度とされる。The organic EL device of the present invention is generally used as a DC drive type or pulse drive type EL device, but it can also be driven by AC. The applied voltage is usually 2 to 30
V.
【０１４７】[0147]
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。比較例を併記する。The present invention will be specifically described below with reference to examples. A comparative example is also described.
【０１４８】実施例１
ガラス基板上にシート抵抗１５Ω／□のＩＴＯ（インジ
ウム錫オキサイド）陽極（２００nm厚）が形成されてい
る基板のＩＴＯ上にホール注入層であるバイトロン(Bay
tron)Ｐ（バイエル株式会社製：ポリエチレンジオキサ
イドチオフェンとポリスチレンスルホン酸とのポリマー
の混合水分散液）を用いてスピンコートで４０nm厚に形
成した。Example 1 An ITO (indium tin oxide) anode (200 nm thick) having a sheet resistance of 15 Ω / □ was formed on a glass substrate.
tron) P (manufactured by Bayer KK: a mixed aqueous dispersion of a polymer of polyethylene dioxide thiophene and polystyrene sulfonic acid) to form a film having a thickness of 40 nm by spin coating.
【０１４９】次いで、ホール輸送性発光層を形成した。
ホール輸送性発光層は、トルエン溶媒に、ポリアリール
フルオレン誘導体（式（Ｐ−２）で表される化合物）を
溶解させ、スピンコートで７０nm厚に形成した。この塗
布液の濃度は１．５％（質量百分率）である。Next, a hole transporting light emitting layer was formed.
The hole-transporting light-emitting layer was formed by dissolving a polyarylfluorene derivative (a compound represented by the formula (P-2)) in a toluene solvent and spin-coating to a thickness of 70 nm. The concentration of this coating solution is 1.5% (mass percentage).
【０１５０】次いで、電子注入性有機層をスピンコート
で形成した。エチルセロソルブ溶媒に、オキサジアゾー
ル誘導体（例示化合物Ｅ−１）５０モル%とモノ（アセ
チルアセトナト）ナトリウム錯体（Ｎａ（ａｃａｃ）：
例示化合物Ｃ−１）５０モル%との混合物を溶解させ、
スピンコートで１０nm厚に形成した。この塗布液の濃度
は０．５％（質量百分率）であった。Then, an electron injecting organic layer was formed by spin coating. In an ethyl cellosolve solvent, 50 mol% of an oxadiazole derivative (exemplified compound E-1) and a mono (acetylacetonato) sodium complex (Na (acac):
A mixture with Exemplified Compound C-1) 50 mol% is dissolved,
It was formed to a thickness of 10 nm by spin coating. The concentration of this coating solution was 0.5% (mass percentage).
【０１５１】ここで、５０℃で真空乾燥を１時間行っ
た。上記の膜厚は、いずれも真空乾燥後のものである。Here, vacuum drying was performed at 50 ° C. for 1 hour. The above film thicknesses are all after vacuum drying.
【０１５２】次いで、その上に陰極を蒸着で形成した。
陰極（補助電極）はＡｌで２００nm厚に形成した。Next, a cathode was formed thereon by vapor deposition.
The cathode (auxiliary electrode) was formed of Al to a thickness of 200 nm.
【０１５３】このようにして得られた有機ＥＬ素子の１
０mA/cm2での輝度は１５００cd/m2（３．５V）であり、
緑色の発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動（Ａｒガス
下）での輝度半減期は、６００時間であった。The thus obtained organic EL device 1
The luminance at 0 mA / cm 2 is 1500 cd / m 2 (3.5 V),
Green light emission was obtained, and the luminance half-life at a constant current of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 600 hours.
【０１５４】実施例２
電子注入性有機層に、オキサジアゾール誘導体の例示化
合物Ｅ−１のかわりに、例示化合物Ｅ−２（オキサジア
ゾール誘導体のポリマー）を用い、エチルセロソルブの
かわりにジメチルアセトアミドを用いる以外は、実施例
１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。このようにして得
られた有機ＥＬ素子の１０mA/cm2での輝度は１５００cd
/m2（３．７V）であり、緑色の発光が得られ、１０mA/c
m2定電流駆動（Ａｒガス下）での輝度半減期は、５００
時間であった。Example 2 Exemplified compound E-2 (a polymer of an oxadiazole derivative) was used for the electron-injecting organic layer instead of Exemplified compound E-1 of oxadiazole derivative, and dimethylacetamide was used instead of ethyl cellosolve. An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1 except for using. The luminance at 10 mA / cm 2 of the organic EL device thus obtained was 1500 cd
/ m 2 (3.7 V), green light emission was obtained, and 10 mA / c
The luminance half-life under m 2 constant current driving (under Ar gas) is 500
It was time.
【０１５５】実施例３
電子注入性有機層に、オキサジアゾール誘導体の例示化
合物Ｅ−１のかわりに、例示化合物Ｅ−１８（チアジア
ゾール誘導体のポリマー）を用い、エチルセロソルブの
かわりにジメチルアセトアミドを用いる以外は、実施例
１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。このようにして得
られた有機ＥＬ素子の１０mA/cm2での輝度は２０００cd
/m2（３．７V）であり、緑色の発光が得られ、１０mA/c
m2定電流駆動（Ａｒガス下）での輝度半減期は、５００
時間であった。Example 3 In the electron-injecting organic layer, Exemplified Compound E-18 (a polymer of a thiadiazole derivative) was used instead of Exemplified Compound E-1 of oxadiazole derivative, and dimethylacetamide was used instead of ethyl cellosolve. Except for the above, an organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1. The luminance at 10 mA / cm 2 of the organic EL device thus obtained was 2000 cd
/ m 2 (3.7 V), green light emission was obtained, and 10 mA / c
The luminance half-life under m 2 constant current driving (under Ar gas) is 500
It was time.
【０１５６】実施例４
トリアゾール誘導体（例示化合物Ｅ−１０）７５モル%
とモノ（アセチルアセトナト）カリウム錯体（Ｋ(aca
c)：例示化合物Ｃ−２）２５モル%を電子注入性有機層
として用いる以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子
を得た。Example 4 75 mol% of a triazole derivative (Exemplified Compound E-10)
And mono (acetylacetonato) potassium complex (K (aca
c): An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1, except that 25 mol% of Exemplified Compound C-2) was used as the electron-injecting organic layer.
【０１５７】このようにして得られた有機ＥＬ素子の１
０mA/cm2での輝度は１２００cd/m2（３．９V）であり、
緑色の発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動（Ａｒガス
下）での輝度半減期は、４４０時間であった。The thus obtained organic EL device 1
The luminance at 0 mA / cm 2 is 1200 cd / m 2 (3.9 V),
Green light emission was obtained, and the luminance half-life under a constant current drive of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 440 hours.
【０１５８】実施例５
補助電極としてＡｌの代わりにＡｇを用いる以外は実施
例１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。Example 5 An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1 except that Ag was used as an auxiliary electrode instead of Al.
【０１５９】このようにして得られた有機ＥＬ素子の１
０mA/cm2での輝度は１０００cd/m2（３．８V）であり、
緑色の発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動（Ａｒガス
下）での輝度半減期は、３２０時間であった。The thus obtained organic EL device 1
The luminance at 0 mA / cm 2 is 1000 cd / m 2 (3.8 V),
Green light emission was obtained, and the luminance half-life at a constant current of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 320 hours.
【０１６０】実施例６
実施例１において、電子注入性有機層の有機金属塩およ
び／または有機金属錯体化合物として例示化合物Ｃ−１
の代わりに例示化合物Ｃ−１３（Ｂａ(acac)2）を用
い、それ以外は同様にして有機ＥＬ素子を得た。このよ
うにして得られた有機ＥＬ素子の１０mA/cm2での輝度は
２０００cd/m2（４V）であり、緑色の発光が得られ、１
０mA/cm2定電流駆動（Ａｒガス下）での輝度半減期は、
５００時間であった。Example 6 In Example 1, Exemplified Compound C-1 was used as the organometallic salt and / or organometallic complex compound of the electron-injecting organic layer.
Was used instead of Exemplified Compound C-13 (Ba (acac) 2 ), and otherwise the same procedure was performed to obtain an organic EL device. The luminance of the organic EL device thus obtained at 10 mA / cm 2 was 2000 cd / m 2 (4 V), and green light was emitted.
The luminance half-life at 0 mA / cm 2 constant current drive (under Ar gas)
500 hours.
【０１６１】比較例１
電子注入性有機層の代わりにカルシウムを蒸着によって
６nm厚に形成する以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ
素子を得た。Comparative Example 1 An organic EL was prepared in the same manner as in Example 1 except that calcium was formed to a thickness of 6 nm by vapor deposition instead of the electron injecting organic layer.
An element was obtained.
【０１６２】このようにして得られた有機ＥＬ素子の１
０mA/cm2での輝度は９００cd/m2（３．９V）であり、緑
色の発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動（Ａｒガス
下）での輝度半減期は、１２０時間であった。[0162] One of the organic EL devices thus obtained was
The luminance at 0 mA / cm 2 was 900 cd / m 2 (3.9 V), green light emission was obtained, and the luminance half-life at 120 mA / cm 2 constant current drive (under Ar gas) was 120 hours. Was.
【０１６３】比較例２
ＩＴＯ上にホール輸送層としてＮ，Ｎ’−ジ（ナフタレ
ン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α
−ＮＰＤ）を５０nm厚、発光層としてトリス（８−キノ
リノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を５０nm厚に蒸着
により順次形成し、その上に電子注入性有機層としてジ
メチルホルムアミド溶媒に、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ３）５０モル%とモノ（８−
キノリノラト）リチウム（Ｌｉｑ）５０モル%との混合
物を溶解させ、スピンコートを行ったところ、下層が侵
されていることを確認した。ＥＬ発光は得られなかっ
た。なお、塗布液の濃度は０．５%（質量百分率）であ
った。Comparative Example 2 N, N′-di (naphthalen-1-yl) -N, N′-diphenylbenzidine (α) was formed on ITO as a hole transport layer.
-NPD) is formed to a thickness of 50 nm and tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3) is sequentially formed to a thickness of 50 nm as a light-emitting layer, and an electron-injecting organic layer is formed thereon in dimethylformamide solvent and tris (8-quinolinolato). 50 mol% of aluminum (Alq3) and mono (8-
When a mixture of (quinolinolato) lithium (Liq) 50 mol% was dissolved and spin-coated, it was confirmed that the lower layer was affected. No EL emission was obtained. The concentration of the coating solution was 0.5% (mass percentage).
【０１６４】比較例３
実施例１において、電子注入性有機層の例示化合物Ｃ−
１の代わりに２５℃での標準電極電位−１．６９５V
（仕事関数４．３eV）のＡｌ(III)を有するアセチルア
セトナト錯体（下記構造）を用い、それ以外は同様にし
て有機ＥＬ素子を得た。このようにして得られた有機Ｅ
Ｌ素子の１０mA/m2での輝度は２cd/m2（７．５V）であ
り、緑色の発光が得られたが、発光効率の明らかな低下
が見られた。Comparative Example 3 In Example 1, the compound C-
Standard electrode potential at 25 ° C.-1.695 V instead of 1
An organic EL device was obtained in the same manner as described above except that an acetylacetonato complex having Al (III) having a work function of 4.3 eV (the following structure) was used. Organic E thus obtained
The luminance of the L element at 10 mA / m 2 was 2 cd / m 2 (7.5 V), and green light was emitted. However, a clear decrease in luminous efficiency was observed.
【０１６５】[0165]
【化１３】 Embedded image
【０１６６】実施例７
電子注入性有機層としてジメチルホルムアミド溶媒に、
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３：
例示化合物Ｅ−１５）５０モル%とモノ（８−キノリノ
ラト）リチウム（Ｌｉｑ：例示化合物Ｃ−１０）５０モ
ル%との混合物を溶解させ、スピンコートで３０nm厚に
形成した以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を得
た。なお、塗布液の濃度は０．５%（質量百分率）であ
った。Example 7 A dimethylformamide solvent was used as an electron-injecting organic layer.
Tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3:
Example 1 except that a mixture of 50 mol% of Exemplified Compound E-15) and 50 mol% of lithium mono (8-quinolinolato) (Liq: Exemplified Compound C-10) was dissolved and formed to a thickness of 30 nm by spin coating. Similarly, an organic EL device was obtained. The concentration of the coating solution was 0.5% (mass percentage).
【０１６７】このようにして得られた有機ＥＬ素子の１
０mA/cm2での輝度は８００cd/m2（４．２V）であり、緑
色の発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動（Ａｒガス
下）での輝度半減期は、２５０時間であった。The thus obtained organic EL device 1
The luminance at 0 mA / cm 2 was 800 cd / m 2 (4.2 V), green light was obtained, and the luminance half-life at 250 mA / cm 2 constant current drive (under Ar gas) was 250 hours. Was.
【０１６８】実施例８
電子注入性有機層に、例示化合物Ｃ−１と例示化合物Ｅ
−１とを用いるかわりに、例示化合物Ｃ−８（Ｃａ(aca
c)2）を１００モル％用いる以外は実施例１と同様にし
て有機ＥＬ素子を得た。このようにして得られた有機Ｅ
Ｌ素子の１０mA/cm2での輝度は2000cd/m2（４．０V）で
あり、緑色の発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動での
輝度半減期は４００時間であった。Example 8 Exemplified Compound C-1 and Exemplified Compound E were added to the electron-injecting organic layer.
-1 and instead of Exemplified Compound C-8 (Ca (aca
c) An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1 except that 100 mol% of 2 ) was used. Organic E thus obtained
The luminance of the L element at 10 mA / cm 2 was 2000 cd / m 2 (4.0 V), green light was emitted, and the luminance half-life at a constant current drive of 10 mA / cm 2 was 400 hours.
【０１６９】比較例４
電子注入性有機層として、例示化合物Ｃ−８を１００モ
ル％用いて蒸着で形成する以外は実施例８と同様にして
有機ＥＬ素子を得た。このようにして得られた有機ＥＬ
素子の１０mA/cm2での輝度は８００cd/m2（６．８V）で
あり、緑色の発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動での
輝度半減期は１００時間であった。Comparative Example 4 An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 8, except that the electron-injecting organic layer was formed by vapor deposition using 100 mol% of Exemplified Compound C-8. Organic EL obtained in this way
The luminance of the device at 10 mA / cm 2 was 800 cd / m 2 (6.8 V), green light emission was obtained, and the luminance half-life at a constant current drive of 10 mA / cm 2 was 100 hours.
【０１７０】実施例９
電子注入性有機層に、例示化合物Ｃ−１と例示化合物Ｅ
−１とを用いるかわりに、Ｃ−８を５０モル％、例示化
合物Ｅ−１４（Ａｌのキノリノラト系錯体）を５０モル
％を用いる以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を
得た。このようにして得られた有機ＥＬ素子の１０mA/c
m2での輝度は２１００cd/m2（４．０V）であり、緑色の
発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動での輝度半減期は
５００時間であった。Example 9 Exemplified Compound C-1 and Exemplified Compound E were added to the electron-injecting organic layer.
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1, except that 50 mol% of C-8 and 50 mol% of Exemplified Compound E-14 (a quinolinolato complex of Al) were used instead of using -1. 10 mA / c of the organic EL device thus obtained
The luminance at m 2 was 2,100 cd / m 2 (4.0 V), green light was emitted, and the luminance half-life at a constant current of 10 mA / cm 2 was 500 hours.
【０１７１】実施例１０
電子注入性有機層として、例示化合物Ｃ−８を９５％
（質量百分率）、変性シリコーン樹脂（東レ・ダウコー
ニング・シリコーン社製ＳＲ２１０２）を５％（質量百
分率）を用い、この層を塗布後、室温で３時間硬化させ
た以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。こ
のようにして得られた有機ＥＬ素子の１０mA/cm2での輝
度は１３００cd/m2（５．５V）であり、緑色の発光が得
られ、１０mA/cm2定電流駆動での輝度半減期は５００時
間であった。Example 10 As an electron-injecting organic layer, 95% of Exemplified Compound C-8 was used.
(% By mass) and 5% (% by mass) of a modified silicone resin (SR2102, manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.). This layer was applied and cured in the same manner as in Example 1 except that the layer was cured at room temperature for 3 hours. Thus, an organic EL device was obtained. The luminance of the organic EL device thus obtained at 10 mA / cm 2 was 1,300 cd / m 2 (5.5 V), green light was emitted, and the luminance half-life at 10 mA / cm 2 constant current drive was obtained. Was 500 hours.
【０１７２】実施例１１
電子注入性有機層に、例示化合物Ｃ−１と例示化合物Ｅ
−１とを用いるかわりに、例示化合物Ｃ−１８（Ｃａの
ポリマー塩）を１００モル％用いる以外は実施例１と同
様にして有機ＥＬ素子を得た。このようにして得られた
有機ＥＬ素子の１０mA/cm2での輝度は２０００cd/m
2（５．０V）であり、緑色の発光が得られ、１０mA/cm2
定電流駆動での輝度半減期は３００時間であった。Example 11 Exemplified compound C-1 and Exemplified compound E were added to the electron-injecting organic layer.
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1, except that Exemplified Compound C-18 (polymer salt of Ca) was used in an amount of 100 mol% instead of using -1. The luminance of the organic EL device thus obtained at 10 mA / cm 2 was 2000 cd / m 2.
2 (5.0 V), green light emission was obtained, and 10 mA / cm 2
The luminance half-life under the constant current drive was 300 hours.
【０１７３】実施例１２
電子注入性有機層に、例示化合物Ｃ−１と例示化合物Ｅ
−１とを用いるかわりに、例示化合物Ｃ−１７（Ｃａの
フェナントロリン系錯体）を５０モル％、例示化合物Ｅ
−１を５０モル％用いる以外は実施例１と同様にして有
機ＥＬ素子を得た。このようにして得られた有機ＥＬ素
子の１０mA/cm2での輝度は２０００cd/m 2（３．８V）で
あり、緑色の発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動での
輝度半減期は３００時間であった。Embodiment 12
Exemplified compound C-1 and Exemplified compound E were added to the electron injecting organic layer.
-1 and instead of Exemplified Compound C-17 (of Ca)
Phenanthroline complex) in an amount of 50 mol%, exemplified compound E
-1 was used in the same manner as in Example 1 except that 50 mol% was used.
EL device was obtained. Organic EL element thus obtained
Child 10mA / cmTwo2000cd / m Two(3.8V)
Yes, emits green light, 10 mA / cmTwoWith constant current drive
The luminance half life was 300 hours.
【０１７４】実施例１３
電子注入性有機層に、例示化合物Ｃ−１と例示化合物Ｅ
−１とを用いるかわりに、例示化合物Ｃ−１９（Ｃａア
ルコキシド）を５０モル％、例示化合物Ｅ−１４を５０
モル％用いる以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子
を得た。このようにして得られた有機ＥＬ素子の１０mA
/cm2での輝度は１９００cd/m2（３．８V）であり、緑色
の発光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動での輝度半減期
は５００時間であった。Example 13 Exemplified Compound C-1 and Exemplified Compound E were added to the electron-injecting organic layer.
-1 and 50 mol% of exemplified compound C-19 (Ca alkoxide) and 50% of exemplified compound E-14.
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1 except that mol% was used. 10 mA of the organic EL device thus obtained
The luminance at / cm 2 was 1,900 cd / m 2 (3.8 V), green light was emitted, and the luminance half-life at a constant current drive of 10 mA / cm 2 was 500 hours.
【０１７５】実施例１４
電子注入性有機層に、例示化合物Ｃ−１と例示化合物Ｅ
−１とを用いるかわりに、例示化合物Ｃ−２６（Ｓｍア
ルコキシド）を１００モル％用いる以外は実施例１と同
様にして有機ＥＬ素子を得た。このようにして得られた
有機ＥＬ素子の１０mA/cm2での輝度は１６００cd/m
2（４．８V）であり、緑色の発光が得られ、１０mA/cm2
定電流駆動での輝度半減期は３００時間であった。Example 14 Exemplified compound C-1 and Exemplified compound E were added to the electron-injecting organic layer.
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1, except that Exemplified Compound C-26 (Sm alkoxide) was used in an amount of 100 mol% instead of using -1. The luminance of the thus obtained organic EL device at 10 mA / cm 2 was 1600 cd / m 2.
2 (4.8 V), green light emission was obtained, and 10 mA / cm 2
The luminance half-life under the constant current drive was 300 hours.
【０１７６】実施例１５
電子注入性有機層に、例示化合物Ｃ−１と例示化合物Ｅ
−１とを用いるかわりに、例示化合物Ｃ−１２（Ｅｕの
バソフェナントロリン系錯体）を１００モル％用いる以
外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。このよ
うにして得られた有機ＥＬ素子の１０mA/cm2での輝度は
１６００cd/m2（３．７V）であり、緑色の発光が得ら
れ、１０mA/cm2定電流駆動での輝度半減期は３５０時間
であった。Example 15 Exemplified Compound C-1 and Exemplified Compound E were added to the electron-injecting organic layer.
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1 except that Exemplified Compound C-12 (a bathophenanthroline complex of Eu) was used in an amount of 100 mol% instead of using -1. The luminance of the organic EL device thus obtained at 10 mA / cm 2 was 1600 cd / m 2 (3.7 V), a green light was obtained, and the luminance half-life at 10 mA / cm 2 constant current drive. Was 350 hours.
【０１７７】実施例１６
電子注入性有機層に、例示化合物Ｃ−１と例示化合物Ｅ
−１とを用いるかわりに、例示化合物Ｃ−２５（Ｂａの
酢酸塩）を５０モル％、例示化合物Ｅ−１４を５０モル
％用いる以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を得
た。このようにして得られた有機ＥＬ素子の１０mA/cm2
での輝度は１５００cd/m2（４．０V）であり、緑色の発
光が得られ、１０mA/cm2定電流駆動での輝度半減期は５
００時間であった。Example 16 Exemplified Compound C-1 and Exemplified Compound E were added to the electron-injecting organic layer.
An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 1, except that Exemplified Compound C-25 (acetate of Ba) was used in an amount of 50 mol% and Exemplified Compound E-14 was used in an amount of 50 mol% instead of using -1. 10 mA / cm 2 of the organic EL device thus obtained was obtained.
Is 1500 cd / m 2 (4.0 V), emits green light, and has a luminance half-life of 5 at 10 mA / cm 2 constant current drive.
00 hours.
【０１７８】実施例１７
ガラス基板上にシート抵抗１５Ω／□のＩＴＯ（インジ
ウム錫オキサイド）陽極が形成されている基板の上に、
ホール注入層であるバイトロンＰ（バイエル株式会社
製：ポリエチレンジオキサイドチオフェンとポリスチレ
ンスルホン酸とのポリマーの混合水分散液）をスピンコ
ートで４０nmの膜厚に形成した。Example 17 An ITO (indium tin oxide) anode having a sheet resistance of 15Ω / □ was formed on a glass substrate.
Baytron P (manufactured by Bayer Corporation: a mixed aqueous dispersion of a polymer of polyethylene dioxide thiophene and polystyrene sulfonic acid) as a hole injection layer was formed into a film having a thickness of 40 nm by spin coating.
【０１７９】次いで、ホール輸送層兼発光層を形成し
た。トルエン溶媒に、下記ポリアリールフルオレン誘導
体（式（Ｐ−２）で表される化合物）を１．５％（質量
百分率）溶液となるように溶解させスピンコートで７０
nmの膜厚に形成した。Next, a hole transport layer and a light emitting layer were formed. The following polyarylfluorene derivative (compound represented by the formula (P-2)) is dissolved in a toluene solvent so as to be a 1.5% (mass percentage) solution, and spin-coated with 70%.
It was formed to a thickness of nm.
【０１８０】次に、電子注入性層をスピンコートで形成
した。エチルセロソルブ溶媒に、アルミニウムトリエト
キシドを０．５％（質量百分率）溶液となるように溶解
させスピンコートで３nmの膜厚に形成した。その後、５
０℃で真空乾燥を１時間行った。上記の膜厚は、いずれ
も真空乾燥後のものである。Next, an electron injecting layer was formed by spin coating. Aluminum triethoxide was dissolved in an ethyl cellosolve solvent so as to be a 0.5% (mass percentage) solution, and spin-coated to form a 3 nm-thick film. Then 5
Vacuum drying was performed at 0 ° C. for 1 hour. The above film thicknesses are all after vacuum drying.
【０１８１】次いで、その上に陰極を蒸着で形成した。
陰極はＡｌを２００nmの膜厚に成膜し、形成した。Next, a cathode was formed thereon by vapor deposition.
The cathode was formed by depositing Al to a thickness of 200 nm.
【０１８２】得られた素子をアルゴンガス雰囲気中で評
価したところ、初期の１０mA／cm2での輝度は１８００c
d／m2 、電圧は３．８Ｖであり、１０mA／cm2 定電流駆
動（Ａｒガス下）での輝度半減期は、６００時間であっ
た。When the obtained device was evaluated in an argon gas atmosphere, the initial luminance at 10 mA / cm 2 was 1,800 c.
d / m 2 , the voltage was 3.8 V, and the luminance half-life under a constant current drive of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 600 hours.
【０１８３】実施例１８
アルミニウムトリエトキシドの代わりにアルミニウムト
リエトキシドとトリス（８−キノリノラト）アルミニウ
ム（Alq3）を１：１（質量比）で混合した溶液を用いて
成膜し、電子注入性層を形成した以外、実施例１７と同
様にして素子を形成した。Example 18 A film was formed by using a solution obtained by mixing aluminum triethoxide and tris (8-quinolinolato) aluminum (Alq3) at a ratio of 1: 1 (mass ratio) instead of aluminum triethoxide, and the electron injecting property was obtained. An element was formed in the same manner as in Example 17 except that a layer was formed.
【０１８４】実施例１７と同様に得られた素子を評価し
たところ、初期の１０mA／cm2 での輝度は１５００cd／
m2 、電圧は４．４Ｖであり、１０mA／cm2 定電流駆動
（Ａｒガス下）での輝度半減期は、５００時間であっ
た。When the device obtained in the same manner as in Example 17 was evaluated, the initial luminance at 10 mA / cm 2 was 1500 cd / cm 2.
m 2 , the voltage was 4.4 V, and the luminance half-life under a constant current drive of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 500 hours.
【０１８５】実施例１９
アルミニウムトリエトキシドの代わりに下記構造のアル
ミニウムポリマー塩を用いて成膜し、電子注入性層を形
成した以外、実施例１７と同様にして素子を形成した。Example 19 A device was formed in the same manner as in Example 17 except that a film was formed using an aluminum polymer salt having the following structure instead of aluminum triethoxide, and an electron injecting layer was formed.
【０１８６】[0186]
【化１４】 Embedded image
【０１８７】実施例１７と同様に得られた素子を評価し
たところ、初期の１０mA／cm2 での輝度は１８００cd／
m2 、電圧は４．２Ｖであり、１０mA／cm2 定電流駆動
（Ａｒガス下）での輝度半減期は、８００時間であっ
た。When the device obtained in the same manner as in Example 17 was evaluated, the initial luminance at 10 mA / cm 2 was 1800 cd / cm 2.
m 2 , the voltage was 4.2 V, and the luminance half-life under a constant current drive of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 800 hours.
【０１８８】実施例２０
アルミニウムトリエトキシドの代わりアルミニウムトリ
フェノキシドを用いて蒸着法で１nmの膜厚に電子注入性
層を形成した以外、実施例１７と同様にして素子を形成
した。Example 20 A device was formed in the same manner as in Example 17 except that an electron injecting layer was formed to a thickness of 1 nm by vapor deposition using aluminum triphenoxide instead of aluminum triethoxide.
【０１８９】実施例１７と同様に得られた素子を評価し
たところ、初期の１０mA／cm2 での輝度は１５００cd／
m2 、電圧は４．０Ｖであり、１０mA／cm2 定電流駆動
（Ａｒガス下）での輝度半減期は、４５０時間であっ
た。When the device obtained in the same manner as in Example 17 was evaluated, the initial luminance at 10 mA / cm 2 was 1500 cd / cm 2.
m 2 , the voltage was 4.0 V, and the luminance half-life under a constant current drive of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 450 hours.
【０１９０】実施例２１
アルミニウムトリエトキシドの代わりに酢酸マンガンを
用いて３nmの膜厚に電子注入性層を形成した以外、実施
例１７と同様にして素子を形成した。Example 21 A device was formed in the same manner as in Example 17, except that manganese acetate was used instead of aluminum triethoxide to form an electron injecting layer with a thickness of 3 nm.
【０１９１】実施例１７と同様に得られた素子を評価し
たところ、初期の１０mA／cm2 での輝度は５００cd／m2
、電圧は４．４Ｖであり、１０mA／cm2 定電流駆動
（Ａｒガス下）での輝度半減期は、２５０時間であっ
た。When the device obtained in the same manner as in Example 17 was evaluated, the initial luminance at 10 mA / cm 2 was 500 cd / m 2.
The voltage was 4.4 V, and the luminance half-life under a constant current drive of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 250 hours.
【０１９２】実施例２２
アルミニウムトリエトキシドの代わりにテトラプロポキ
シジルコニウムを用いて３nmの膜厚に電子注入性層を形
成した以外、実施例１７と同様にして素子を形成した。Example 22 A device was formed in the same manner as in Example 17, except that tetrapropoxyzirconium was used instead of aluminum triethoxide to form an electron injecting layer to a thickness of 3 nm.
【０１９３】実施例１７と同様に得られた素子を評価し
たところ、初期の１０mA／cm2 での輝度は６００cd／m2
、電圧は４．４Ｖであり、１０mA／cm2 定電流駆動
（Ａｒガス下）での輝度半減期は、３００時間であっ
た。When the device obtained in the same manner as in Example 17 was evaluated, the initial luminance at 10 mA / cm 2 was 600 cd / m 2.
The voltage was 4.4 V, and the luminance half-life under a constant current drive of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 300 hours.
【０１９４】比較例５
アルミニウムトリエトキシド層の代わりにカルシウム層
を６nmの膜厚に蒸着法で形成した以外、実施例１７と同
様にして素子を形成した。Comparative Example 5 A device was formed in the same manner as in Example 17 except that a calcium layer was formed to a thickness of 6 nm by a vapor deposition method instead of the aluminum triethoxide layer.
【０１９５】実施例１７と同様に得られた素子を評価し
たところ、初期の１０mA／cm2 での輝度は９００cd／m2
、電圧は３．９Ｖであり、１０mA／cm2 定電流駆動
（Ａｒガス下）での輝度半減期は、１２０時間であっ
た。When the device obtained in the same manner as in Example 17 was evaluated, the initial luminance at 10 mA / cm 2 was 900 cd / m 2.
The voltage was 3.9 V, and the luminance half-life under a constant current drive of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 120 hours.
【０１９６】比較例６
電子注入性層であるアルミニウムトリエトキシド層を除
く以外、実施例１７と同様にして素子を形成した。Comparative Example 6 A device was formed in the same manner as in Example 17, except that the aluminum triethoxide layer as an electron injecting layer was omitted.
【０１９７】実施例１７と同様に得られた素子を評価し
たところ、初期の１０mA／cm2 での輝度は０cd／m2 と
発光が認められず、このときの電圧は７．０Ｖであっ
た。When the device obtained in the same manner as in Example 17 was evaluated, the initial luminance at 10 mA / cm 2 was 0 cd / m 2 , no light emission was observed, and the voltage at this time was 7.0 V. .
【０１９８】比較例７
アルミニウムトリエトキシド層の代わりにトリス（８−
キノリノラト）アルミニウム（Alq3）層を２nmの膜厚蒸
着法で形成した以外、実施例１７と同様にして素子を形
成した。Comparative Example 7 Instead of the aluminum triethoxide layer, tris (8-
A device was formed in the same manner as in Example 17, except that a (quinolinolato) aluminum (Alq3) layer was formed by a 2 nm-thickness vapor deposition method.
【０１９９】実施例１７と同様に得られた素子を評価し
たところ、初期の１０mA／cm2 での輝度は１００cd／m2
、電圧は６．０Ｖであり、１０mA／cm2 定電流駆動
（Ａｒガス下）での輝度半減期は、８０時間であった。When the device obtained in the same manner as in Example 17 was evaluated, the initial luminance at 10 mA / cm 2 was 100 cd / m 2.
The voltage was 6.0 V, and the luminance half-life under a constant current drive of 10 mA / cm 2 (under Ar gas) was 80 hours.
【０２００】[0200]
【発明の効果】本発明によれば、塗布型の有機ＥＬ素子
を容易に製造することができ、高輝度で長寿命であるな
ど、高効率で高信頼性であり、取り扱い等が簡便な有機
ＥＬ素子が得られる。また、安定な金属種の金属塩を電
子注入性の層に用いることで低駆動電圧でありながら
も、取り扱いが容易で輝度半減寿命の長い特性を発現し
うる素子を提供することができる。According to the present invention, a coating type organic EL device can be easily manufactured, and has high efficiency and high reliability, such as high luminance and long life, and is easy to handle. An EL element is obtained. In addition, by using a metal salt of a stable metal species for the electron-injecting layer, an element that can exhibit easy-to-handle characteristics and long luminance half-life while having a low driving voltage can be provided.
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の基本構成を示す概略断
面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a basic configuration of an organic EL device of the present invention.
１ 基板 ２ 陽極 ３ 有機層 ４ 電子注入性の層 ５ 陰極 1 substrate 2 Anode 3 Organic layer 4 Electron injecting layer 5 Cathode
Claims (17)
に、発光層を含む２層以上の積層された有機層を有し、
前記有機層のうちの少なくとも１層が塗布により形成さ
れた有機層である有機ＥＬ素子において、 前記陰極に接する有機層が、２５℃における標準電極電
位−１．８V未満の金属を有する有機金属塩および有機
金属錯体化合物から選ばれる1種以上の化合物を含有
し、かつ塗布により形成された電子注入性の有機層であ
り、 この陰極側の電子注入性の有機層に接して高分子ＥＬ材
料を含有する有機層を有する有機ＥＬ素子。A cathode and an anode, and two or more stacked organic layers including a light emitting layer between the electrodes;
An organic EL device in which at least one of the organic layers is an organic layer formed by coating, wherein the organic layer in contact with the cathode has a metal having a standard electrode potential of less than −1.8 V at 25 ° C. And an organic layer containing at least one compound selected from organic metal complex compounds, and formed by coating. The polymer layer is in contact with the electron-injecting organic layer on the cathode side to form a polymer EL material. An organic EL device having an organic layer.
下−３．１V以上である請求項１の有機ＥＬ素子。2. The organic EL device according to claim 1, wherein a standard electrode potential of said metal is −2.2 V or lower and −3.1 V or higher.
る請求項１または２の有機ＥＬ素子。3. The organic EL device according to claim 1, wherein the work function of the metal is 3.8 eV or less.
カリ土類金属（II）または希土類金属（III）である請
求項１〜３のいずれかの有機ＥＬ素子。4. The organic EL device according to claim 1, wherein the metal is an alkali metal (I), an alkaline earth metal (II), or a rare earth metal (III).
金属錯体化合物の有する配位子が下記式（Ｌ−１）で示
される請求項１〜４のいずれかの有機ＥＬ素子。 【化１】 ［式（Ｌ−１）中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、各々水素原
子、アルキル基またはアリール基を表し、これらは同一
でも異なるものであってもよく、Ｒ2とＲ3とは互いに連
結して環を形成してもよい。］5. The organic EL device according to claim 1, wherein the ligand of the organometallic complex compound in the electron-injecting organic layer in contact with the cathode is represented by the following formula (L-1). Embedded image [In the formula (L-1), R 1 , R 2 and R 3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, which may be the same or different, and R 2 and R 3 are They may be connected to each other to form a ring. ]
子ＥＬ材料の分子量が、重量平均分子量で５０００以上
である請求項１〜５のいずれかの有機ＥＬ素子。6. The organic EL device according to claim 1, wherein the molecular weight of the polymer EL material of the organic layer containing the polymer EL material is 5,000 or more in weight average molecular weight.
子ＥＬ材料が、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリ
パラフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェ
ニレンビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレン
ビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンお
よびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘
導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリビニル化
合物、ポリアクリレート誘導体、ならびにポリメタクリ
レート誘導体から選ばれる１種以上の化合物である請求
項６の有機ＥＬ素子。7. The polymer EL material of the organic layer containing the polymer EL material is polyfluorene and its derivative, polyparaphenylene vinylene and its derivative, polybiphenylene vinylene and its derivative, polyterphenylene vinylene and its derivative, The organic EL device according to claim 6, wherein the organic EL device is at least one compound selected from polynaphthylenevinylene and its derivatives, polythienylenevinylene and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polyvinyl compounds, polyacrylate derivatives, and polymethacrylate derivatives.
らに電子輸送性材料を含有し、この電子輸送性材料が、
オキサジアゾール環、トリアゾール環、キノキサリン
環、フェナントロリン環、キノリノール環、チアジアゾ
ール環、ピリジン環またはシアノ基を有する化合物であ
る請求項１〜７のいずれかの有機ＥＬ素子。8. The electron-injecting organic layer in contact with the cathode further contains an electron-transporting material.
The organic EL device according to any one of claims 1 to 7, which is a compound having an oxadiazole ring, a triazole ring, a quinoxaline ring, a phenanthroline ring, a quinolinol ring, a thiadiazole ring, a pyridine ring, or a cyano group.
布後に架橋されたものである請求項１〜８のいずれかの
有機ＥＬ素子。9. The organic EL device according to claim 1, wherein the electron injecting organic layer in contact with the cathode is crosslinked after coating.
と、発光層を含む２層以上の積層された有機層と、有機
層上に形成された第２電極とを有し、前記有機層のうち
の少なくとも１層を塗布により形成する有機ＥＬ素子の
製造方法において、 高分子ＥＬ材料を含有する有機層と、２５℃における標
準電極電位−１．８V未満の金属を有する有機金属塩お
よび有機金属錯体化合物から選ばれる１種以上の化合物
を含有する電子注入性の有機層とを積層して形成し、 ２５℃における標準電極電位−１．８V未満の金属を有
する有機金属塩および有機金属錯体化合物から選ばれる
１種以上の化合物を含有する電子注入性の有機層を、第
１電極または第２電極に接して、塗布により形成する有
機ＥＬ素子の製造方法。10. A semiconductor device, comprising: a substrate; a first electrode provided on the substrate; an organic layer having at least two layers including a light-emitting layer; and a second electrode formed on the organic layer. A method for manufacturing an organic EL device, wherein at least one of the organic layers is formed by coating, comprising: an organic layer containing a polymer EL material; and an organic metal salt having a metal having a standard electrode potential of less than 1.8 V at 25 ° C. And an organic metal salt containing at least one metal having a standard electrode potential of less than -1.8 V at 25 ° C. A method for manufacturing an organic EL device, wherein an organic layer having an electron injecting property containing at least one compound selected from metal complex compounds is formed by application in contact with a first electrode or a second electrode.
極であり、高分子ＥＬ材料を含有する有機層を、下層側
有機層として形成し、この下層側有機層に積層して、上
層側有機層として、２５℃における標準電極電位−１．
８V未満の金属を有する有機金属塩および有機金属錯体
化合物から選ばれる１種以上の化合物を含有する電子注
入性の有機層を、塗布溶媒として、i)総炭素数３〜６の
鎖状化合物であって、分子内に炭素数１〜３のアルコキ
シ基、カルボニル基、および炭素数２〜３のエステル基
から選ばれる１種以上を有し、かつこれらの基のα位お
よび／またはβ位に水酸基を有する化合物、ii)総炭素
数３〜６の鎖状化合物であって、分子内に炭素数２〜４
のジアルキルアミド基を有する化合物、iii)総炭素数５
〜８の鎖状化合物であるエステル、ならびにiv)総炭素
数４〜７の鎖状化合物であるカーボネートから選択され
る１種以上の化合物を用いて塗布により形成し、さらに
上層側の電子注入性の有機層上に陰極を形成する請求項
１０の有機ＥＬ素子の製造方法。11. The first electrode is an anode, the second electrode is a cathode, an organic layer containing a polymer EL material is formed as a lower organic layer, and the organic layer is laminated on the lower organic layer. Standard electrode potential at 25 ° C. as upper organic layer-1.
An electron-injecting organic layer containing at least one compound selected from organometallic salts and organometallic complex compounds having a metal of less than 8 V, as a coating solvent, i) a chain compound having 3 to 6 carbon atoms in total. The compound has at least one selected from an alkoxy group having 1 to 3 carbon atoms, a carbonyl group, and an ester group having 2 to 3 carbon atoms in the molecule, and has at the α-position and / or β-position of these groups A compound having a hydroxyl group, ii) a chain compound having 3 to 6 carbon atoms, and having 2 to 4 carbon atoms in the molecule.
A compound having a dialkylamide group of iii) a total of 5 carbon atoms
And iv) one or more compounds selected from the group consisting of carbonates, which are chain compounds having 4 to 7 carbon atoms, and iv) an electron injecting property on the upper layer side. The method for manufacturing an organic EL device according to claim 10, wherein a cathode is formed on the organic layer.
る請求項１１の有機ＥＬ素子の製造方法。12. The method according to claim 11, wherein the lower organic layer is formed by coating.
に、発光層を含む１層以上の有機層を有し、前記陰極と
前記有機層との間に電子注入性の層を有し、前記電子注
入性の層が、２５℃における標準電極電位−１．８V以
上−０．８V以下の金属を有する無機金属塩および有機
金属塩から選ばれる１種以上の塩を含有する有機ＥＬ素
子。13. A cathode and an anode, one or more organic layers including a light emitting layer between these electrodes, and an electron injecting layer between the cathode and the organic layer. The organic EL in which the electron injecting layer contains one or more salts selected from an inorganic metal salt and an organic metal salt having a metal having a standard electrode potential of −1.8 V to −0.8 V at 25 ° C. element.
以上−１．１５V以下である請求項１３の有機ＥＬ素
子。14. The standard electrode potential of said metal is -1.7V.
14. The organic EL device according to claim 13, which is not less than -1.15V.
ある請求項１３または１４の有機ＥＬ素子。15. The organic EL device according to claim 13, wherein a work function of the metal is 4.0 eV or more.
I）またはＺｒ（IV）である請求項１３〜１５のいずれ
かの有機ＥＬ素子。16. The method according to claim 1, wherein the metal is Al (III), Mn (I
The organic EL device according to any one of claims 13 to 15, which is I) or Zr (IV).
キシド、フェノキシド、ハロゲン化物またはジアルキル
アミドである請求項１３〜１６のいずれかの有機ＥＬ素
子。17. The organic EL device according to claim 13, wherein said metal salt is a carboxylate, alkoxide, phenoxide, halide or dialkylamide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002234484A JP2003347061A (en) | 2001-08-20 | 2002-08-12 | Organic el device and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-249456 | 2001-08-20 | ||
| JP2001249456 | 2001-08-20 | ||
| JP2002-76430 | 2002-03-19 | ||
| JP2002076430 | 2002-03-19 | ||
| JP2002234484A JP2003347061A (en) | 2001-08-20 | 2002-08-12 | Organic el device and manufacturing method therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347061A true JP2003347061A (en) | 2003-12-05 |
Family
ID=29783076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002234484A Pending JP2003347061A (en) | 2001-08-20 | 2002-08-12 | Organic el device and manufacturing method therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003347061A (en) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006024791A (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | Organic element, organic electroluminescent element and organic solar cell |
| JP2006506792A (en) * | 2002-11-15 | 2006-02-23 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | Manufacturing method and structure of organic element |
| JP2006190995A (en) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Composite material comprising organic compound and inorganic compound, light emitting element and light emitting device employing the composite material as well as manufacturing method of the light emitting element |
| WO2006117914A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Method for manufacturing organic electroluminescent device |
| JP2007281039A (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Seiko Epson Corp | Organic-inorganic compound semiconductor material, liquefied material, organic light emitting element, its manufacturing method, light emitting device, and electronic appliance |
| WO2008041331A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Fluorescent rare-earth-metal complex |
| JP2008512856A (en) * | 2004-09-03 | 2008-04-24 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | Methods and devices using soluble conjugated polymers |
| JP2008140620A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Optrex Corp | Organic electroluminescent device and manufacturing method of same |
| WO2009119034A1 (en) | 2008-03-26 | 2009-10-01 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting apparatus |
| WO2011024671A1 (en) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element |
| JP2011510471A (en) * | 2008-01-24 | 2011-03-31 | エスアールアイ インターナショナル | Highly efficient electroluminescent device and method for producing the same |
| WO2011046165A1 (en) * | 2009-10-17 | 2011-04-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, organic electroluminescent element emitting white light, display device and illumination device |
| JP2012511237A (en) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Backplane structure for solution-processed electronic devices |
| JP2012511238A (en) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Backplane structure for solution-processed electronic devices |
| WO2012085982A1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | パナソニック株式会社 | Organic el element and method for producing same |
| WO2012132126A1 (en) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | 大日本印刷株式会社 | Organic electroluminescent element, method for manufacturing organic electroluminescent element, and coating liquid for electron injection/transport layer |
| US8309672B2 (en) | 2004-09-03 | 2012-11-13 | The Regents Of The University Of California | Soluble conjugated polymers |
| JP2014044972A (en) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Konica Minolta Inc | Organic electroluminescent element, display device, lighting device, and method of manufacturing organic electroluminescent element |
| JP2014241371A (en) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 株式会社クラレ | Photoelectric conversion element and method for manufacturing the same |
| US9017766B2 (en) | 2003-09-17 | 2015-04-28 | The Regents Of The University Of California | Methods and devices comprising soluble conjugated polymers |
| US10868252B2 (en) | 2015-09-10 | 2020-12-15 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Organic electronics material and use thereof |
-
2002
- 2002-08-12 JP JP2002234484A patent/JP2003347061A/en active Pending
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006506792A (en) * | 2002-11-15 | 2006-02-23 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | Manufacturing method and structure of organic element |
| US9017766B2 (en) | 2003-09-17 | 2015-04-28 | The Regents Of The University Of California | Methods and devices comprising soluble conjugated polymers |
| JP2006024791A (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-26 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | Organic element, organic electroluminescent element and organic solar cell |
| US8309672B2 (en) | 2004-09-03 | 2012-11-13 | The Regents Of The University Of California | Soluble conjugated polymers |
| JP2008512856A (en) * | 2004-09-03 | 2008-04-24 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | Methods and devices using soluble conjugated polymers |
| US8795781B2 (en) | 2004-09-03 | 2014-08-05 | The Regents Of The University Of California | Methods and devices utilizing soluble conjugated polymers |
| JP2006190995A (en) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Composite material comprising organic compound and inorganic compound, light emitting element and light emitting device employing the composite material as well as manufacturing method of the light emitting element |
| WO2006117914A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Method for manufacturing organic electroluminescent device |
| JP5098641B2 (en) * | 2005-04-27 | 2012-12-12 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Method for manufacturing organic electroluminescence element |
| JP2007281039A (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Seiko Epson Corp | Organic-inorganic compound semiconductor material, liquefied material, organic light emitting element, its manufacturing method, light emitting device, and electronic appliance |
| WO2008041331A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Fluorescent rare-earth-metal complex |
| JP2008140620A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Optrex Corp | Organic electroluminescent device and manufacturing method of same |
| JP2011510471A (en) * | 2008-01-24 | 2011-03-31 | エスアールアイ インターナショナル | Highly efficient electroluminescent device and method for producing the same |
| WO2009119034A1 (en) | 2008-03-26 | 2009-10-01 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting apparatus |
| US8337032B2 (en) | 2008-03-26 | 2012-12-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor light-emitting apparatus |
| JP2012511238A (en) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Backplane structure for solution-processed electronic devices |
| JP2012511237A (en) * | 2008-12-05 | 2012-05-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Backplane structure for solution-processed electronic devices |
| WO2011024671A1 (en) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element |
| JP5594291B2 (en) * | 2009-08-26 | 2014-09-24 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
| WO2011046165A1 (en) * | 2009-10-17 | 2011-04-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | Organic electroluminescent element, organic electroluminescent element emitting white light, display device and illumination device |
| JP2015109470A (en) * | 2009-10-17 | 2015-06-11 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescence element, display device and light device |
| JP5692082B2 (en) * | 2009-10-17 | 2015-04-01 | コニカミノルタ株式会社 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT EMITTING WHITE, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE |
| JP5744061B2 (en) * | 2010-12-24 | 2015-07-01 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | Organic EL device and method for manufacturing the same |
| US9136475B2 (en) | 2010-12-24 | 2015-09-15 | Joled Inc. | Organic EL element and method for producing same |
| WO2012085982A1 (en) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | パナソニック株式会社 | Organic el element and method for producing same |
| US8969862B2 (en) | 2011-03-31 | 2015-03-03 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent element, method for manufacturing organic electroluminescent element, and coating liquid for electron injection and transport layer |
| JP2012212813A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Organic electroluminescent element, manufacturing method for organic electroluminescent element, and coating liquid for electron injection-transport layer |
| WO2012132126A1 (en) | 2011-03-31 | 2012-10-04 | 大日本印刷株式会社 | Organic electroluminescent element, method for manufacturing organic electroluminescent element, and coating liquid for electron injection/transport layer |
| JP2014044972A (en) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Konica Minolta Inc | Organic electroluminescent element, display device, lighting device, and method of manufacturing organic electroluminescent element |
| JP2014241371A (en) * | 2013-06-12 | 2014-12-25 | 株式会社クラレ | Photoelectric conversion element and method for manufacturing the same |
| US10868252B2 (en) | 2015-09-10 | 2020-12-15 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Organic electronics material and use thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6821649B2 (en) | Organic EL device and preparation method | |
| JP2003347061A (en) | Organic el device and manufacturing method therefor | |
| JP4466160B2 (en) | Organic EL element and organic EL display | |
| JP4737326B2 (en) | Organic EL device | |
| US8648334B2 (en) | Organic light emissive device comprising a trilayer cathode | |
| JP2000068065A (en) | Organic el element | |
| KR100277639B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
| GB2426376A (en) | Light-emitting device | |
| JP2004303490A (en) | Organic el element and organic el display | |
| US20120235124A1 (en) | Organic Optoelectronic Device and Method | |
| JP2006114844A (en) | Selecting method of organic el device material, organic el device and manufacturing method thereof | |
| JP2005093135A (en) | Organic el element and organic el display | |
| JP4317476B2 (en) | Organic EL device and organic EL display | |
| JP2004303483A (en) | Organic el element and organic el display | |
| JP2004303489A (en) | Organic el element and organic el display | |
| US20120292659A1 (en) | Organic optoelectronic device and method | |
| WO2008029103A1 (en) | Organic opto-electrical devices | |
| JP2005093134A (en) | Organic el element and organic el display | |
| JP2003142268A (en) | Organic el element | |
| JP2005116238A (en) | Organic el element and organic el display | |
| JP2005317450A (en) | Organic el element | |
| JP2005293961A (en) | Organic el element and its manufacturing method | |
| JP2005019159A (en) | Organic el element and improvement method in durability of organic el element | |
| CN101330132A (en) | Organic EL device and preparation method | |
| JP2010225997A (en) | Organic el element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040601 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070828 |