JP2003342785A - Method for manufacturing ceramic electronic part - Google Patents
Method for manufacturing ceramic electronic partInfo
- Publication number
- JP2003342785A JP2003342785A JP2002155406A JP2002155406A JP2003342785A JP 2003342785 A JP2003342785 A JP 2003342785A JP 2002155406 A JP2002155406 A JP 2002155406A JP 2002155406 A JP2002155406 A JP 2002155406A JP 2003342785 A JP2003342785 A JP 2003342785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plating layer
- ceramic
- base electrode
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック電子部
品の製造方法に関し、詳しくは、下地電極と、該下地電
極上に形成された少なくとも２層のめっき層を備えた複
数層構造の外部電極を備えたセラミック電子部品の製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic electronic component, and more particularly, to a multi-layered external electrode having a base electrode and at least two plating layers formed on the base electrode. The present invention relates to a method of manufacturing a provided ceramic electronic component.
【０００２】[0002]
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】例え
ば、代表的な積層セラミック電子部品の一つである積層
セラミックコンデンサとしては、図１に示すように、セ
ラミック層２を介して内部電極３を積層したセラミック
素子１に下地電極（例えばＡｇ焼付け電極）４を形成
し、この下地電極４上にはんだくわれを防止するための
Ｎｉめっき層（第１めっき層）５を形成し、さらに、Ｎ
ｉめっき層５上にはんだ付け性を向上させるためのＳｎ
めっき層やはんだめっき層（第２めっき層）６を形成し
てなる複数層構造の外部電極７を備えた積層セラミック
コンデンサが広く用いられている。2. Description of the Related Art For example, as a monolithic ceramic capacitor, which is one of typical monolithic ceramic electronic components, as shown in FIG. A base electrode (for example, an Ag baking electrode) 4 is formed on the laminated ceramic element 1, a Ni plating layer (first plating layer) 5 for preventing solder shaving is formed on the base electrode 4, and N is further formed.
Sn for improving solderability on the i-plated layer 5
A multilayer ceramic capacitor including a plurality of external electrodes 7 having a multi-layer structure formed by forming a plating layer or a solder plating layer (second plating layer) 6 is widely used.
【０００３】上述のような複数層構造の外部電極７を形
成するにあたっては、通常、セラミック素子１に導電ペ
ーストを塗布して、焼き付けすることにより下地電極４
を形成した後、Ｎｉめっき、及びＳｎめっき（又ははん
だめっき）を順次電解めっき法にて行い、第１めっき層
５及び第２めっき層６を形成する方法が用いられてい
る。In forming the external electrode 7 having a multi-layer structure as described above, the base electrode 4 is usually formed by applying a conductive paste to the ceramic element 1 and baking it.
After the formation, the Ni plating and the Sn plating (or the solder plating) are sequentially performed by the electroplating method to form the first plating layer 5 and the second plating layer 6.
【０００４】ところで、従来の下地電極上へのめっき膜
の形成方法として、例えば、めっき用電極を備えた容器
内に電子部品（チップ）と導電メディアとを入れ、容器
を振動させながらめっきを行う方法が考えられている
が、この方法では、場合によっては、容器内においてチ
ップどうしがくっつくという不都合が生じていた。By the way, as a conventional method of forming a plating film on a base electrode, for example, an electronic component (chip) and a conductive medium are placed in a container provided with a plating electrode, and plating is performed while vibrating the container. Although a method has been considered, this method has a disadvantage that the chips are stuck to each other in the container in some cases.
【０００５】また、チップどうしのくっつきを防止する
ために、容器内にさらに分散メディア（例えば鉄球など
をシリコーン樹脂で被覆した絶縁物粒体）を投入して、
めっきを行う方法（特開平５−７０９９９号）も考えら
れている。分散メディアの投入は、チップどうしのくっ
つき不良の発生を抑制するには効果的であるが、分散メ
ディアの存在により、めっき層の厚みを均一化しにくく
なるという難点がある。さらに、分散メディアを添加す
ると、容器に一度に投入することが可能なチップの量が
それだけ減少し、生産効率が低下するという問題点もあ
る。Further, in order to prevent the chips from sticking to each other, a dispersion medium (for example, an insulating granule in which an iron ball or the like is coated with a silicone resin) is put into the container,
A method of performing plating (Japanese Patent Laid-Open No. 5-70999) has also been considered. Although the introduction of the dispersion medium is effective in suppressing the occurrence of defective adhesion between the chips, the presence of the dispersion medium has a drawback that it is difficult to make the thickness of the plating layer uniform. Furthermore, when the dispersion medium is added, there is a problem that the amount of chips that can be put into the container at one time is reduced by that amount, and the production efficiency is reduced.
【０００６】本発明者等の検討結果によると、めっき層
としてのＳｎの膜厚にばらつきがあっても性能上さほど
問題ではないが、Ｎｉの膜厚にばらつきが生じると、下
地電極の保護機能が発揮できなくなるなどの問題が生じ
ることがわかった。According to the results of the study by the present inventors, even if the thickness of Sn as the plating layer varies, it does not cause a problem in terms of performance. However, if the thickness of Ni varies, the function of protecting the base electrode is improved. It was found that there is a problem such as not being able to exhibit.
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するものであ
り、下地電極にめっきを行って外部電極を形成する工程
において、被めっき物（セラミック素子）どうしのくっ
つき不良の発生を抑制し、かつ、めっき層の厚みのばら
つきを低減して、歩留まりよく、信頼性の高いセラミッ
ク電子部品を効率よく製造することが可能なセラミック
電子部品の製造方法を提供することを目的とする。The present invention is intended to solve the above problems, and suppresses the occurrence of sticking defects between objects to be plated (ceramic elements) in the step of forming an external electrode by plating a base electrode, and An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a ceramic electronic component, which can reduce the variation in the thickness of the plating layer and can efficiently manufacture a highly reliable ceramic electronic component with high yield.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、発明者等は、種々の実験、検討を行い、めっき工程
で生じる電子部品（チップ）のくっつき不良は、主とし
て、Ｓｎめっき工程又ははんだめっき工程で発生し、Ｓ
ｎ又はんだ以外のめっき工程では発生しにくいという知
見を得た。そして、かかる知見に基づいて、さらに実
験、検討を行って本発明を達成した。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the inventors have conducted various experiments and studies, and a sticking defect of an electronic component (chip) caused in a plating process is mainly caused by a Sn plating process or a soldering process. Occurs in the plating process, S
We have found that it is unlikely to occur in plating processes other than n or n. Then, based on such knowledge, further experiments and studies were conducted to achieve the present invention.
【０００９】すなわち、本発明（請求項１）のセラミッ
ク電子部品の製造方法は、セラミック素子の表面に、外
部電極が配設され、かつ、前記外部電極が下地電極と、
該下地電極上に形成された少なくとも２層のめっき層を
備えた複数層構造の外部電極を備えたセラミック電子部
品の製造方法において、セラミック素子に下地電極を形
成する工程と、下地電極が形成された多数のセラミック
素子に導電メディアを添加し、めっき浴中で撹拌しつつ
電解めっきを行うことにより、Ｓｎ又ははんだ以外の材
料よりなる第１めっき層を形成する工程と、下地電極と
第１めっき層が形成されたセラミック素子に、導電メデ
ィアと、少なくとも表面が絶縁体から形成された絶縁性
分散メディアを添加し、めっき浴中で撹拌しつつ電解め
っきを行うことにより、Ｓｎ又ははんだよりなる第２め
っき層を形成する工程とを具備することを特徴としてい
る。That is, in the method for manufacturing a ceramic electronic component of the present invention (claim 1), an external electrode is provided on the surface of the ceramic element, and the external electrode is a base electrode.
In a method of manufacturing a ceramic electronic component having a multi-layered external electrode having at least two plating layers formed on the base electrode, a step of forming the base electrode on the ceramic element and a step of forming the base electrode A step of forming a first plating layer made of a material other than Sn or solder by adding conductive media to a large number of ceramic elements and performing electrolytic plating while stirring in a plating bath; A conductive medium and an insulating dispersion medium at least the surface of which is formed of an insulator are added to a layer-formed ceramic element, and electrolytic plating is performed while stirring in a plating bath to form a first layer of Sn or solder. And a step of forming two plating layers.
【００１０】第１めっき層である例えばＮｉめっき層を
形成する工程において、絶縁性分散メディアを添加せず
に、導電メディアのみを添加してＮｉの電解めっきを行
うことにより、セラミック素子のくっつき不良を引き起
こすことなく（絶縁性分散メディアを添加しなくてもＮ
ｉめっき工程ではくっつき不良が生じにくい）、膜厚ば
らつきの少ないＮｉめっき膜を形成することが可能にな
るとともに、絶縁性分散メディアを添加しないので、そ
の分だけ一度に処理することが可能な電子部品（セラミ
ック素子）の量を多くすることが可能になり、生産効率
を向上させることが可能になる。一方、第１めっき層上
にＳｎ又ははんだよりなる第２めっき層を形成する工程
においては、導電メディアと絶縁性分散メディアの両方
を添加してＳｎ又ははんだの電解めっきを行うようにし
ているので、絶縁性分散メディアの働きで、セラミック
素子のくっつき不良の発生を防止しつつ、確実にＳｎ又
ははんだよりなる第２めっき層を形成することが可能に
なり、信頼性の高い電子部品を効率よく製造することが
可能になる。なお、本発明において、好ましく用いられ
る導電メディアとしては、スチールボールなどの導電金
属材料からなる球状体が例示される。また、絶縁性分散
メディアとしては、樹脂やゴムなどの絶縁性材料で表面
を被覆したスチールボールなどを用いることが可能であ
り、特にゴムで表面を被覆したスチールボールを用いる
ことにより、割れや欠けなどの発生を防止して、外観不
良の少ないセラミック電子部品を効率よく製造すること
が可能になる。In the step of forming the first plating layer, for example, the Ni plating layer, the electroplating of Ni is performed by adding only the conductive medium without adding the insulating dispersion medium, thereby causing the sticking failure of the ceramic element. (Without adding insulating dispersion media, N
It is possible to form a Ni-plated film with less variation in film thickness and less sticking failure in the i-plating process), and since an insulating dispersion medium is not added, it is possible to process only that much at a time. It is possible to increase the amount of parts (ceramic elements) and improve the production efficiency. On the other hand, in the step of forming the second plating layer made of Sn or solder on the first plating layer, both the conductive medium and the insulating dispersion medium are added to perform Sn or solder electrolytic plating. By the function of the insulating dispersion medium, it becomes possible to reliably form the second plating layer made of Sn or solder while preventing the occurrence of sticking defects of the ceramic element, and it is possible to efficiently produce a highly reliable electronic component. It becomes possible to manufacture. In the present invention, as the conductive medium preferably used, a spherical body made of a conductive metal material such as a steel ball is exemplified. As the insulating dispersion medium, it is possible to use a steel ball whose surface is coated with an insulating material such as resin or rubber. Particularly, by using a steel ball whose surface is coated with rubber, cracking or chipping can occur. It is possible to efficiently produce a ceramic electronic component with less defective appearance by preventing the occurrence of such a phenomenon.
【００１１】また、請求項２のセラミック電子部品の製
造方法は、前記第１めっき層が、Ｎｉめっき層であるこ
とを特徴としている。The method of manufacturing a ceramic electronic component according to a second aspect of the invention is characterized in that the first plating layer is a Ni plating layer.
【００１２】積層セラミックコンデンサなどのセラミッ
ク電子部品においては、下地電極の保護のためにＮｉめ
っき層を第１めっき層として形成することが一般に行わ
れているが、そのような場合に本発明を適用することに
より、第１めっき膜層であるＮｉめっき層と、第２めっ
き膜層であるＳｎめっき層又ははんだめっき層を備えた
外部電極を確実に形成することが可能になり、特に有意
義である。In a ceramic electronic component such as a monolithic ceramic capacitor, a Ni plating layer is generally formed as a first plating layer for protection of a base electrode. In such a case, the present invention is applied. By doing so, it becomes possible to reliably form the external electrode including the Ni plating layer which is the first plating film layer and the Sn plating layer or the solder plating layer which is the second plating film layer, which is particularly significant. .
【００１３】また、請求項３のセラミック電子部品の製
造方法は、前記絶縁性分散メディアが、直径が５〜１０
mmの球状体であることを特徴としている。According to a third aspect of the method for manufacturing a ceramic electronic component, the insulating dispersion medium has a diameter of 5 to 10.
It is characterized by being a spherical body of mm.
【００１４】絶縁性分散メディアとして、直径が５〜１
０mmの球状体を用いることにより、セラミック素子を確
実に分散させてセラミック素子どうしがくっつくことを
防止することが可能になり、本発明をより実効あらしめ
ることができる。なお、直径が５mm未満になると、分散
の効果が不十分になり、また、１０mmを超えても、チッ
プどうしのくっつき不良が起こる傾向がある。なお、絶
縁性分散メディアの大きさや添加量は、分散の対象物で
あるセラミック素子の形状や大きさなどを考慮して決定
することが望ましい。The insulating dispersion medium has a diameter of 5 to 1
By using the spherical body of 0 mm, it becomes possible to surely disperse the ceramic elements and prevent the ceramic elements from sticking to each other, and the present invention can be made more effective. If the diameter is less than 5 mm, the effect of dispersion will be insufficient, and if it exceeds 10 mm, there will be a tendency for defective adhesion between chips to occur. The size and amount of the insulating dispersion medium are preferably determined in consideration of the shape and size of the ceramic element that is the object of dispersion.
【００１５】また、請求項４のセラミック電子部品の製
造方法は、めっき液を入れるめっき槽と、めっき用電極
を備え、めっき槽に浸漬された状態で、回転軸心が略垂
直となるように回転するとともに、略垂直方向に揺動可
能に構成された回転揺動容器とを備えためっき装置を用
い、下地電極が形成されたセラミック素子及び導電メデ
ィアを回転揺動容器に投入し、回転揺動容器を回転、揺
動させながら電解めっきを行うことによりＳｎ又ははん
だ以外の材料よりなる第１めっき層を形成し、次いで、
下地電極と第１めっき層が形成されたセラミック素子、
導電メディア及び絶縁性分散メディアを回転揺動容器に
投入し、回転揺動容器を回転、揺動させながら電解めっ
きを行うことによりＳｎ又ははんだよりなる第２めっき
層を形成することを特徴としている。The method for manufacturing a ceramic electronic component according to a fourth aspect of the present invention is provided with a plating bath for containing a plating solution and a plating electrode, and the rotation axis is substantially vertical when immersed in the plating bath. Using a plating device equipped with a rotary rocking container that is capable of rocking and rocking in a substantially vertical direction, the ceramic element and the conductive medium on which the base electrode is formed are charged into the rotary rocking container, and the rotary rocking container is rotated. Electrolytic plating is performed while rotating and rocking the moving container to form a first plating layer made of a material other than Sn or solder, and then,
A ceramic element on which a base electrode and a first plating layer are formed,
A second plating layer made of Sn or solder is formed by charging a conductive medium and an insulating dispersion medium into a rotary rocking container and performing electrolytic plating while rotating and rocking the rotary rocking container. .
【００１６】上述のように構成されためっき槽と回転揺
動容器とを備えためっき装置を用いて電解めっきを行う
ことにより、セラミック素子どうしのくっつき不良の発
生をさらに確実に抑制、防止して、信頼性の高いセラミ
ック電子部品を効率よく製造することが可能になる。By performing electrolytic plating using the plating apparatus having the plating tank and the rotary rocking vessel configured as described above, it is possible to more surely suppress and prevent the occurrence of sticking defects between the ceramic elements. Thus, it becomes possible to efficiently manufacture highly reliable ceramic electronic components.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示し
て、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
［実施形態１］この実施形態では、図１に示すように、
セラミック層２を介して内部電極３を積層したセラミッ
ク素子１に、下地電極（例えばＡｇ焼付け電極）４、下
地電極４上に形成されたＮｉめっき層（第１めっき層）
５、及びＮｉめっき層５上に形成されたはんだ付け性を
向上させるためのＳｎめっき層（第２めっき層）６から
なる複数層構造の外部電極７が配設された構造を有する
積層セラミックコンデンサを製造する工程で、下地電極
４上にＮｉめっき層５及びＳｎめっき層６を形成する場
合を例にとって説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be shown below, and the characteristic features thereof will be described in more detail. [Embodiment 1] In this embodiment, as shown in FIG.
On a ceramic element 1 in which an internal electrode 3 is laminated via a ceramic layer 2, a base electrode (for example, Ag baking electrode) 4 and a Ni plating layer (first plating layer) formed on the base electrode 4
5 and a multilayer ceramic capacitor having a structure in which an external electrode 7 having a multi-layer structure including a Sn plating layer (second plating layer) 6 for improving solderability formed on the Ni plating layer 5 is provided. An example will be described in which the Ni plating layer 5 and the Sn plating layer 6 are formed on the base electrode 4 in the manufacturing process of.
【００１８】＜めっき装置＞この実施形態では、図２に
示すように構成されためっき装置を用いてＮｉ及びＳｎ
の電解めっきを行った。このめっき装置１１は、めっき
装置本体１２と、めっき槽１３を備えている。めっき装
置本体１２は、被めっき物であるセラミック素子１を収
容するバスケット（回転揺動容器）１６、バスケット１
６を回転させるとともに、上下に揺動させるための振動
を発生させる駆動部１４と、駆動部１４からのエネルギ
ーを伝達して、バスケット１６を駆動する駆動軸１５を
備えており、バスケット１６は、駆動軸１５に連設され
ている。なお、バスケット１６は、特に図示しないがメ
ッシュ状に形成されており、上面側は開口している。<Plating Device> In this embodiment, a plating device configured as shown in FIG.
Was electroplated. The plating apparatus 11 includes a plating apparatus body 12 and a plating tank 13. The plating apparatus main body 12 includes a basket (rotating rocking container) 16 for accommodating the ceramic element 1 which is the object to be plated, and the basket 1.
6 is provided with a drive unit 14 that generates vibration for vertically swinging and a drive shaft 15 that transmits energy from the drive unit 14 to drive the basket 16. It is connected to the drive shaft 15. Although not particularly shown, the basket 16 is formed in a mesh shape and is open on the upper surface side.
【００１９】また、駆動部１４は、偏心モータ１７を備
えており、所定の偏心荷重１８を付加することにより偏
心振動エネルギーを発生するように構成されている。ま
た、偏心モータ１７を支持するモータ支持枠部材１９は
振動受板２０と接続され、さらに、この振動受板２０は
バネ２１によって駆動部１４のケース２２に接続されて
いる。また、駆動軸１５は、振動受板２０と接続されて
おり、駆動軸１５の一部と、これに連設されたバスケッ
ト１６がめっき槽１３に浸漬される。なお、この状態に
おいて、駆動軸１５及びバスケット１６は、めっき用の
陰極電極部となる。The drive unit 14 is also provided with an eccentric motor 17, and is configured to generate eccentric vibration energy by applying a predetermined eccentric load 18. The motor support frame member 19 that supports the eccentric motor 17 is connected to the vibration receiving plate 20, and the vibration receiving plate 20 is connected to the case 22 of the drive unit 14 by the spring 21. The drive shaft 15 is connected to the vibration receiving plate 20, and a part of the drive shaft 15 and the basket 16 connected to the drive shaft 15 are immersed in the plating tank 13. In this state, the drive shaft 15 and the basket 16 serve as a cathode electrode portion for plating.
【００２０】＜Ｎｉめっき層（第１めっき層）の形成＞
次に、図２に示すめっき装置１１を用いてＮｉめっき層
（第１めっき層）を形成する方法について説明する。図
３に示すように、下地電極４が形成された長さ１．０m
m、幅０．５mm、高さ０．５mmの寸法のセラミック素子
１を、図２に示すように、導電メディアである直径が
０．６mmのスチールボール３１とともに、バスケット１
６に投入して、Ｎｉめっき浴に浸漬し、通電しながら、
バスケット１６を回転軸心が垂直になるような姿勢で
（すなわち、水平方向に）回転させるとともに、上下方
向に揺動させながら電解めっきを行い、図４に示すよう
に、下地電極４上に、第１めっき層であるＮｉめっき層
５を形成した。前記セラミック素子１とスチールボール
３１は等量とした。<Formation of Ni plating layer (first plating layer)>
Next, a method of forming the Ni plating layer (first plating layer) using the plating apparatus 11 shown in FIG. 2 will be described. As shown in FIG. 3, the length of the base electrode 4 formed is 1.0 m
As shown in FIG. 2, a ceramic element 1 having a size of m, a width of 0.5 mm, and a height of 0.5 mm is mounted on a basket 1 together with a steel ball 31 having a diameter of 0.6 mm, which is a conductive medium.
Put in No. 6, dip in Ni plating bath, and energize,
The basket 16 is rotated in a posture such that the rotation axis is vertical (that is, in the horizontal direction), and electrolytic plating is performed while swinging in the vertical direction. As shown in FIG. The Ni plating layer 5, which is the first plating layer, was formed. The ceramic element 1 and the steel balls 31 have the same amount.
【００２１】なお、このときのＮｉめっき条件は、以下
の通りとした。
(ａ)電流 ：０．３（Ａ／ｄｍ2）
(ｂ)振動周波数 ：３０Ｈｚ
(ｃ)めっき時間 ：６０minThe Ni plating conditions at this time were as follows. (a) Current: 0.3 (A / dm 2 ) (b) Vibration frequency: 30 Hz (c) Plating time: 60 min
【００２２】＜Ｓｎめっき層（第２めっき層）の形成＞
水洗後、下地電極４上にＮｉめっき層（第１めっき層）
５が形成されたセラミック素子１（図４）を、図２に示
すように、導電メディアである直径が０．６mmのスチー
ルボール３１、ゴムでスチールボールの表面をコーティ
ングした、直径が７．５mmの絶縁性分散メディア３２と
ともに、バスケット１６に投入して、Ｓｎめっき浴に浸
漬し、通電しながら、バスケット１６を回転軸心が垂直
になるような姿勢で（すなわち、水平方向に）回転させ
るとともに、上下方向に揺動させながら電解めっきを行
い、図１に示すように、第１めっき層であるＮｉめっき
層５上に、第２めっき層であるＳｎめっき層６を形成し
た。スチールボールと分散メディア３２の投入量は１：
８とした。<Formation of Sn plating layer (second plating layer)>
After washing with water, Ni plating layer (first plating layer) on the base electrode 4
As shown in FIG. 2, the ceramic element 1 (FIG. 4) on which 5 is formed is a steel ball 31 having a diameter of 0.6 mm, which is a conductive medium, and the surface of the steel ball is coated with rubber. Together with the insulating dispersion medium 32 of No. 1 above, the basket 16 is put into the Sn plating bath, and the basket 16 is rotated in a posture such that the rotation axis is vertical (that is, in the horizontal direction) while energized. Then, electrolytic plating was performed while rocking in the vertical direction, and as shown in FIG. 1, the Sn plating layer 6 as the second plating layer was formed on the Ni plating layer 5 as the first plating layer. Input amount of steel balls and dispersion media 32 is 1:
It was set to 8.
【００２３】なお、このときのＳｎめっき条件は、以下
の通りとした。
(ａ)電流 ：０．３（Ａ／ｄｍ2）
(ｂ)振動周波数 ：６０Ｈｚ
(ｃ)めっき時間 ：６０minThe Sn plating conditions at this time were as follows. (a) Current: 0.3 (A / dm 2 ) (b) Vibration frequency: 60 Hz (c) Plating time: 60 min
【００２４】また、比較のため、以下の条件で、Ｎｉめ
っき及びＳｎめっきを行って、第１めっき層であるＮｉ
めっき層、及び第２めっき層であるＳｎめっき層を形成
した。
(１)比較例１
Ｎｉめっき工程及びＳｎめっき工程のいずれの工程で
も、導電メディアと絶縁性分散メディアを添加してめっ
きを行った。
(２)比較例２
Ｎｉめっき工程では導電メディアと絶縁性分散メディア
の両方を添加し、Ｓｎめっき工程では導電メディアのみ
を添加してめっきを行った。
(３)比較例３
Ｎｉめっき工程及びＳｎめっき工程のいずれの工程で
も、導電メディアのみを添加し、絶縁性分散メディアは
添加せずにめっきを行った。Also, for comparison, Ni plating and Sn plating were performed under the following conditions to form the first plating layer of Ni.
The plating layer and the Sn plating layer which is the second plating layer were formed. (1) Comparative Example 1 In both the Ni plating process and the Sn plating process, plating was performed by adding a conductive medium and an insulating dispersion medium. (2) Comparative Example 2 Both the conductive medium and the insulating dispersion medium were added in the Ni plating step, and only the conductive medium was added in the Sn plating step for plating. (3) Comparative Example 3 In both the Ni plating process and the Sn plating process, plating was performed with only the conductive media added and no insulating dispersed media.
【００２５】上記実施形態にかかる方法（実施例１）
と、上記比較例１，２及び３の方法で外部電極を形成し
た場合における、くっつき不良の発生率、Ｎｉめっき層
及びＳｎめっき層の膜厚とそのばらつき（ＣＶ値）を調
べた。その結果を表１に示す。Method according to the above embodiment (Example 1)
Then, when the external electrodes were formed by the methods of Comparative Examples 1, 2 and 3, the sticking defect occurrence rate, the film thickness of the Ni plating layer and the Sn plating layer, and the variation (CV value) thereof were examined. The results are shown in Table 1.
【００２６】[0026]
【表１】 [Table 1]
【００２７】表１より、Ｎｉめっき工程及びＳｎめっき
工程のいずれの工程でも、導電メディアと絶縁性分散メ
ディアを添加してめっきを行った比較例１においては、
くっつき不良は発生していないが、比較例２及び３と比
較して、Ｎｉめっき層の厚みが薄くなったり、ばらつき
が大きくなったりしていることがわかる。なお、Ｓｎめ
っき層の厚みは多少ばらつきがあっても実用上ほとんど
影響はないことが確認できている。From Table 1, in Comparative Example 1 in which the conductive medium and the insulating dispersed medium were added to perform plating in both the Ni plating process and the Sn plating process,
Although no sticking defect occurred, it can be seen that the thickness of the Ni plating layer was thin and the variation was large as compared with Comparative Examples 2 and 3. It has been confirmed that even if the thickness of the Sn plating layer varies to some extent, it has practically no effect.
【００２８】また、比較例２のように、Ｓｎめっき工程
で絶縁性分散メディアを添加せずにめっきを行った場
合、くっつき不良が発生することがわかる。Further, as in Comparative Example 2, it can be seen that when the plating is performed in the Sn plating step without adding the insulating dispersion medium, a sticking defect occurs.
【００２９】また、比較例３のように、Ｎｉめっき工程
及びＳｎめっき工程のいずれの工程でも、導電メディア
のみを添加し、絶縁性分散メディアは添加せずにめっき
を行った場合、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層のいずれ
も、厚みが大きく、しかも厚みのばらつきが小さくなっ
ているが、くっつき不良が発生することがわかる。In addition, as in Comparative Example 3, in both of the Ni plating step and the Sn plating step, when plating is performed by adding only the conductive medium and not the insulating dispersed medium, the Ni plating layer is formed. It can be seen that both the Sn plating layer and the Sn plating layer have a large thickness and the variation in the thickness is small, but a sticking defect occurs.
【００３０】これに対し、本発明の実施例１では、Ｎｉ
めっき工程で導電メディアのみを添加してめっきを行う
ようにしているので、膜厚が大きく、かつ、膜厚ばらつ
きの小さいＮｉめっき層を形成することが可能になると
ともに、Ｓｎめっき工程では、導電メディアと絶縁性分
散メディアを添加してめっきを行うようにしているの
で、くっつき不良の発生を確実に防止できることがわか
る。なお、上記実施形態では、スチールボールの表面を
ゴムでコーティングした絶縁性分散メディアを用いてい
るので、めっきに電気的な悪影響を及ぼしたり、セラミ
ック素子に欠けや割れを発生させたりすることがなく、
外観不良の少ないセラミック電子部品を効率よく製造す
ることが可能になる。On the other hand, in Example 1 of the present invention, Ni
Since plating is performed by adding only the conductive medium in the plating process, it is possible to form a Ni plating layer having a large film thickness and a small film thickness variation, and at the same time, in the Sn plating process, a conductive film is formed. Since plating is performed by adding the medium and the insulating dispersion medium, it is understood that the sticking defect can be surely prevented. In addition, in the above-described embodiment, since the insulating dispersion medium in which the surface of the steel ball is coated with rubber is used, the plating is not adversely affected, and the ceramic element is not chipped or cracked. ,
It is possible to efficiently manufacture a ceramic electronic component with few appearance defects.
【００３１】［実施形態２］上記実施形態１と同様の条
件で、第１めっき層であるＮｉめっき層の上に、第２め
っき層としてＳｎ・Ｐｂ系はんだめっき層を形成した。
また、上記実施形態１の比較例１，２，３の条件と同様
の条件（この実施形態２では、比較例４，５，６が、上
述の比較例１，２，３に対応する）で、Ｎｉめっき及び
Ｓｎ・Ｐｂ系はんだめっきを行い、第１めっき層である
Ｎｉめっき層、及び第２めっき層であるＳｎ・Ｐｂ系は
んだめっき層を形成した。[Embodiment 2] Under the same conditions as in Embodiment 1, an Sn / Pb-based solder plating layer was formed as a second plating layer on the Ni plating layer which was the first plating layer.
Further, under the same conditions as the conditions of Comparative Examples 1, 2, and 3 of the above-described Embodiment 1 (In this Embodiment 2, Comparative Examples 4, 5, and 6 correspond to the above-described Comparative Examples 1, 2, and 3). , Ni plating and Sn / Pb-based solder plating were performed to form a Ni-plated layer that is the first plating layer and a Sn-Pb-based solder plating layer that is the second plating layer.
【００３２】そして、この実施形態２にかかる方法（実
施例２）と、上記比較例４，５及び６の方法で外部電極
を形成した場合における、くっつき不良の発生率、Ｎｉ
めっき層及びＳｎ・Ｐｂ系はんだめっき層の膜厚とその
ばらつき（ＣＶ値）を調べた。その結果を表２に示す。Then, in the case of forming the external electrodes by the method according to the second embodiment (Example 2) and the methods of Comparative Examples 4, 5 and 6, the sticking defect occurrence rate, Ni
The film thickness of the plating layer and the Sn / Pb-based solder plating layer and their variation (CV value) were examined. The results are shown in Table 2.
【００３３】[0033]
【表２】 [Table 2]
【００３４】表２より、Ｎｉめっき工程及びＳｎ・Ｐｂ
系はんだめっき工程のいずれの工程でも、導電メディア
と絶縁性分散メディアを添加してめっきを行った比較例
４においては、くっつき不良は発生していないが、Ｎｉ
めっき層及びＳｎ・Ｐｂ系はんだめっき層の厚みのばら
つきが大きくなっていることがわかる。From Table 2, Ni plating process and Sn / Pb
In any of the system-based solder plating steps, in the comparative example 4 in which the conductive medium and the insulating dispersed medium were added for plating, no sticking defect occurred, but Ni was used.
It can be seen that there is a large variation in the thickness of the plating layer and the Sn / Pb-based solder plating layer.
【００３５】また、比較例５のように、Ｓｎ・Ｐｂ系は
んだめっき工程で絶縁性分散メディアを添加せずにめっ
きを行った場合、くっつき不良が発生するとともに、Ｎ
ｉめっき層の厚みのばらつきが大きくなることがわか
る。When plating is performed in the Sn / Pb-based solder plating step without adding the insulating dispersion medium as in Comparative Example 5, a sticking defect occurs and N
It can be seen that the variation in the thickness of the i plating layer increases.
【００３６】また、比較例６のように、Ｎｉめっき工程
及びＳｎ・Ｐｂ系はんだ系めっき工程のいずれの工程で
も、導電メディアのみを添加し、絶縁性分散メディアは
添加せずにめっきを行った場合、Ｎｉめっき層及びＳｎ
・Ｐｂ系はんだめっき層のいずれも、厚みのばらつきが
小さくなっているが、くっつき不良が発生することがわ
かる。Further, as in Comparative Example 6, in both of the Ni plating step and the Sn / Pb-based solder-based plating step, plating was performed by adding only the conductive medium and not the insulating dispersed medium. In case of Ni plating layer and Sn
-Although the variation in thickness is small in any of the Pb-based solder plating layers, it can be seen that sticking defects occur.
【００３７】これに対し、本発明の実施例２では、Ｎｉ
めっき工程で導電メディアのみを添加してめっきを行う
ようにしているので、膜厚が大きく、かつ、膜厚ばらつ
きの小さいＮｉめっき層を形成することが可能になると
ともに、Ｓｎ・Ｐｂ系はんだめっき工程では、導電メデ
ィアと絶縁性分散メディアを添加してめっきを行うよう
にしているので、くっつき不良の発生を確実に防止でき
ることがわかる。On the other hand, in Example 2 of the present invention, Ni
Since plating is performed by adding only the conductive medium in the plating process, it becomes possible to form a Ni plating layer having a large film thickness and a small film thickness variation, and at the same time Sn / Pb solder plating. In the process, since the conductive medium and the insulating dispersion medium are added to perform the plating, it is clear that the sticking defect can be surely prevented.
【００３８】なお、上記実施形態では、下地電極がＡｇ
焼付け電極である場合を例にとって説明したが、本発明
は、下地電極の種類に特別の制約はなく、下地電極がＡ
ｇ、Ｃｕ、Ａｇ／Ｐｄなどである場合にも適用すること
が可能である。In the above embodiment, the base electrode is Ag.
Although the case where the base electrode is a baking electrode has been described as an example, the present invention does not impose any special restriction on the type of the base electrode, and the base electrode is A
It can also be applied to the case of g, Cu, Ag / Pd, or the like.
【００３９】また、上記実施形態では、第１めっき層が
Ｎｉめっき層である場合を例にとって説明したが、本発
明は、第１めっき層がその他の材料（例えばＣｕ、Ａｇ
など）よりなるものである場合にも適用することが可能
である。また、上記実施形態では、積層セラミックコン
デンサを例にとって説明したが、本発明は、積層セラミ
ックコンデンサに限らず、種々のセラミック電子部品を
製造する場合に広く適用することが可能である。In the above embodiment, the case where the first plating layer is the Ni plating layer has been described as an example. However, in the present invention, the first plating layer is made of another material (eg Cu, Ag).
Etc.) is also applicable. Further, although the above embodiment has been described by taking the laminated ceramic capacitor as an example, the present invention is not limited to the laminated ceramic capacitor and can be widely applied to various ceramic electronic components.
【００４０】さらに上記実施形態では、下地電極上に形
成するめっき層を２層のものとしているが、３層以上
（例えばＮｉ−Ｃｕ−Ｓｎ）であってもよい。この場合
好ましくは、Ｓｎ又ははんだめっき層は最外層に位置す
ることが望ましい。本発明は、さらにその他の点におい
ても上記実施形態に限定されるものではなく、絶縁性分
散メディア及び導電メディアの添加割合や構成材料、セ
ラミック素子に用いられているセラミックの種類や、セ
ラミック素子の構成などに関し、発明の範囲内におい
て、種々の応用、変形を加えることが可能である。Further, in the above embodiment, the plating layer formed on the base electrode has two layers, but it may have three or more layers (for example, Ni-Cu-Sn). In this case, it is preferable that the Sn or solder plating layer is located on the outermost layer. The present invention is not limited to the above embodiment in other respects, and the addition ratio and constituent materials of the insulating dispersion medium and the conductive medium, the type of ceramic used in the ceramic element, and the ceramic element Regarding the configuration and the like, various applications and modifications can be added within the scope of the invention.
【００４１】[0041]
【発明の効果】上述のように、本発明（請求項１）のセ
ラミック電子部品の製造方法は、第１めっき層としてＳ
ｎ又ははんだ以外の材料よりなるめっき膜を形成する工
程においては、絶縁性分散メディアを添加せずに、導電
メディアを添加して電解めっきを行い、第１めっき層上
にＳｎ又ははんだよりなる第２めっき層を形成する工程
においては、導電メディアと絶縁性分散メディアの両方
を添加して電解めっきを行うようにしている。その結
果、第１めっき層を形成する工程では、セラミック素子
のくっつき不良を引き起こすことなく（絶縁性分散メデ
ィアを添加しなくてもくっつき不良が生じにくい）、膜
厚ばらつきの少ないめっき層を形成することが可能にな
るとともに、絶縁性分散メディアを添加しないので、一
度にめっき処理することが可能な電子部品（セラミック
素子）の量を増やすことが可能になり、生産効率を向上
させることが可能になる。また、第１めっき層上に、Ｓ
ｎ又ははんだよりなる第２めっき層を形成する工程にお
いては、導電メディアと絶縁性分散メディアの両方を添
加して電解めっきを行うようにしているので、絶縁性分
散メディアの働きで、セラミック素子のくっつき不良の
発生を抑制、防止しつつ、確実にＳｎ又ははんだよりな
る第２めっき層を形成することが可能になり、信頼性の
高い電子部品を効率よく製造することが可能になる。As described above, according to the method for manufacturing a ceramic electronic component of the present invention (claim 1), S is used as the first plating layer.
In the step of forming a plating film made of a material other than n or solder, electrolytic plating is performed by adding a conductive medium without adding an insulating dispersion medium, and a first layer made of Sn or a solder is formed on the first plating layer. In the step of forming the two-plated layer, both the conductive medium and the insulating dispersion medium are added for electrolytic plating. As a result, in the step of forming the first plating layer, a plating layer with less variation in film thickness is formed without causing a sticking defect of the ceramic element (a sticking defect is less likely to occur without adding an insulating dispersion medium). In addition, it is possible to increase the amount of electronic parts (ceramic elements) that can be plated at one time because the insulating dispersion medium is not added, and it is possible to improve production efficiency. Become. In addition, S on the first plating layer
In the step of forming the second plating layer made of n or solder, both the conductive medium and the insulating dispersion medium are added to carry out electrolytic plating. It is possible to reliably form the second plating layer of Sn or solder while suppressing or preventing the occurrence of sticking defects, and it is possible to efficiently manufacture a highly reliable electronic component.
【００４２】積層セラミックコンデンサなどのセラミッ
ク電子部品においては、下地電極の保護のために第１め
っき層としてＮｉめっき層を形成し、はんだ付け性を向
上させるために、第２めっき層として、Ｓｎめっき層又
ははんだめっき層を形成することが一般に行われている
が、かかる場合に、請求項２のように、本発明を適用す
ることにより、第１めっき膜層であるＮｉめっき層と、
第２めっき膜層であるＳｎめっき層又ははんだめっき層
を備えた外部電極を確実に形成することが可能になり、
特に有意義である。In a ceramic electronic component such as a monolithic ceramic capacitor, a Ni plating layer is formed as a first plating layer to protect a base electrode, and a Sn plating is used as a second plating layer to improve solderability. A layer or a solder plating layer is generally formed, and in such a case, by applying the present invention as in claim 2, a Ni plating layer that is a first plating film layer,
It becomes possible to reliably form the external electrode having the Sn plating layer or the solder plating layer which is the second plating film layer,
Especially meaningful.
【００４３】また、請求項３のセラミック電子部品の製
造方法のように、絶縁性分散メディアとして、直径が５
〜１０mmの球状体を用いた場合、セラミック素子を確実
に分散させてセラミック素子どうしのくっつき不良の発
生を防止することが可能になり、本発明をより実効あら
しめることができる。According to the method of manufacturing a ceramic electronic component of claim 3, the insulating dispersion medium has a diameter of 5 mm.
When a spherical body having a diameter of 10 mm is used, the ceramic elements can be surely dispersed to prevent the sticking defect between the ceramic elements from occurring, and the present invention can be more effectively realized.
【００４４】また、請求項４のセラミック電子部品の製
造方法のように、めっき液を入れるめっき槽と、めっき
用電極を備え、めっき槽に浸漬された状態で、回転軸心
が略垂直となるように回転するとともに、略垂直方向に
揺動可能に構成された回転揺動容器とを備えためっき装
置を用いて電解めっきを行うことにより、セラミック素
子どうしのくっつき不良の発生をさらに確実に抑制、防
止して、信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製
造することが可能になる。Further, as in the method for manufacturing a ceramic electronic component according to claim 4, a plating bath containing a plating solution and a plating electrode are provided, and the rotation axis is substantially vertical in a state of being immersed in the plating bath. It is possible to more reliably suppress the occurrence of sticking defects between the ceramic elements by performing electrolytic plating using a plating device equipped with a rotary rocking vessel that is configured to rotate in such a way that it can rock in a substantially vertical direction. Therefore, it becomes possible to efficiently manufacture a highly reliable ceramic electronic component.
【図１】本発明の一実施形態にかかる方法で製造される
セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）を示
す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a ceramic electronic component (multilayer ceramic capacitor) manufactured by a method according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明のセラミック電子部品の製造方法を実施
するのに用いためっき装置の構成を示す正面断面図であ
る。FIG. 2 is a front sectional view showing the configuration of a plating apparatus used for carrying out the method for producing a ceramic electronic component of the present invention.
【図３】本発明のセラミック電子部品の製造方法の一工
程を示す図であって、第１めっき層を形成する前の下地
電極のみが形成された状態のセラミック素子を示す断面
図である。FIG. 3 is a diagram showing a step of the method for producing a ceramic electronic component of the present invention, which is a cross-sectional view showing a ceramic element in a state where only a base electrode before forming a first plating layer is formed.
【図４】本発明のセラミック電子部品の製造方法の一工
程を示す図であって、下地電極上に第１めっき層が形成
された状態のセラミック素子を示す断面図である。FIG. 4 is a diagram showing a step of the method for producing a ceramic electronic component of the present invention, which is a cross-sectional view showing a ceramic element in a state where a first plating layer is formed on a base electrode.
１ セラミック素子 ２ セラミック層 ３ 内部電極 ４ 下地電極 ５ Ｎｉめっき層（第１めっき層） ６ Ｓｎめっき層（第２めっき層） ７ 外部電極 １１ めっき装置 １２ めっき装置本体 １３ めっき槽 １４ 駆動部 １５ 駆動軸 １６ バスケット １７ 偏心モータ １８ 偏心荷重 １９ モータ支持枠部材 ２０ 振動受板 ２１ バネ ２２ ケース ３１ 導電メディア（スチールボール） ３２ 絶縁性分散メディア 1 Ceramic element 2 ceramic layers 3 internal electrodes 4 Base electrode 5 Ni plating layer (first plating layer) 6 Sn plating layer (second plating layer) 7 External electrode 11 Plating equipment 12 Main body of plating equipment 13 plating tank 14 Drive 15 drive shaft 16 baskets 17 Eccentric motor 18 Eccentric load 19 Motor support frame member 20 vibration receiving plate 21 spring 22 cases 31 Conductive media (steel ball) 32 Insulating distributed media
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 弘真 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 堀江 重之 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 細川 孝夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4K024 AA03 AA07 AA10 AA22 AB02 AB03 AB15 BA15 BB09 BC10 CA12 CB01 CB02 CB04 DA10 5E082 AA01 AB03 BB07 EE04 FF05 FG26 GG10 GG11 GG28 MM24 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Hiromasa Takahashi 2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Shigeyuki Horie 2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Takao Hosokawa 2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Stock Murata Manufacturing Co., Ltd. F-term (reference) 4K024 AA03 AA07 AA10 AA22 AB02 AB03 AB15 BA15 BB09 BC10 CA12 CB01 CB02 CB04 DA10 5E082 AA01 AB03 BB07 EE04 FF05 FG26 GG10 GG11 GG28 MM24
Claims (4)
され、かつ、前記外部電極が下地電極と、該下地電極上
に形成された少なくとも２層のめっき層を備えた複数層
構造の外部電極を備えたセラミック電子部品の製造方法
において、 セラミック素子に下地電極を形成する工程と、 下地電極が形成された多数のセラミック素子に導電メデ
ィアを添加し、めっき浴中で撹拌しつつ電解めっきを行
うことにより、Ｓｎ又ははんだ以外の材料よりなる第１
めっき層を形成する工程と、 下地電極と第１めっき層が形成されたセラミック素子
に、導電メディアと、少なくとも表面が絶縁体から形成
された絶縁性分散メディアを添加し、めっき浴中で撹拌
しつつ電解めっきを行うことにより、Ｓｎ又ははんだよ
りなる第２めっき層を形成する工程とを具備することを
特徴とするセラミック電子部品の製造方法。1. A multi-layered external structure in which an external electrode is provided on the surface of a ceramic element, and the external electrode includes a base electrode and at least two plating layers formed on the base electrode. In a method of manufacturing a ceramic electronic component equipped with electrodes, a step of forming a base electrode on a ceramic element and adding conductive media to a large number of ceramic elements on which the base electrode is formed, and performing electrolytic plating while stirring in a plating bath. By performing, the first made of a material other than Sn or solder
The step of forming the plating layer, the conductive medium and the insulating dispersion medium at least the surface of which is formed of an insulator are added to the ceramic element on which the base electrode and the first plating layer are formed, and the mixture is stirred in a plating bath. And a step of forming a second plating layer made of Sn or solder by performing electrolytic plating while the method for producing a ceramic electronic component.
ことを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品の
製造方法。2. The method for manufacturing a ceramic electronic component according to claim 1, wherein the first plating layer is a Ni plating layer.
０mmの球状体であることを特徴とする請求項１又は２記
載のセラミック電子部品の製造方法。3. The insulating dispersion medium has a diameter of 5 to 1
The method for producing a ceramic electronic component according to claim 1 or 2, which is a spherical body having a diameter of 0 mm.
転軸心が略垂直となるように回転するとともに、略垂直
方向に揺動可能に構成された回転揺動容器とを備えため
っき装置を用い、 下地電極が形成されたセラミック素子及び導電メディア
を回転揺動容器に投入し、回転揺動容器を回転、揺動さ
せながら電解めっきを行うことによりＳｎ又ははんだ以
外の材料よりなる第１めっき層を形成し、 次いで、下地電極と第１めっき層が形成されたセラミッ
ク素子、導電メディア及び絶縁性分散メディアを回転揺
動容器に投入し、回転揺動容器を回転、揺動させながら
電解めっきを行うことによりＳｎ又ははんだよりなる第
２めっき層を形成することを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。4. A plating tank for containing a plating solution and a plating electrode, which can be swung in a substantially vertical direction while being immersed in the plating tank while rotating so that the axis of rotation is substantially vertical. Using a plating device equipped with a configured rotating and rocking container, the ceramic element and conductive media on which the base electrode is formed are placed in the rotating and rocking container, and electrolytic plating is performed while rotating and rocking the rotating and rocking container. By doing so, a first plating layer made of a material other than Sn or solder is formed, and then the ceramic element on which the base electrode and the first plating layer are formed, the conductive medium, and the insulating dispersion medium are put into a rotary rocking container. The second plating layer made of Sn or solder is formed by performing electrolytic plating while rotating and rocking the rotary rocking container. Click method of manufacturing an electronic component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002155406A JP3855851B2 (en) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | Manufacturing method of ceramic electronic components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002155406A JP3855851B2 (en) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | Manufacturing method of ceramic electronic components |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003342785A true JP2003342785A (en) | 2003-12-03 |
| JP3855851B2 JP3855851B2 (en) | 2006-12-13 |
Family
ID=29771940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002155406A Expired - Lifetime JP3855851B2 (en) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | Manufacturing method of ceramic electronic components |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3855851B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173270A (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Tdk Corp | Chip type electronic component |
| US8154849B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-04-10 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Laminated electronic component |
-
2002
- 2002-05-29 JP JP2002155406A patent/JP3855851B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173270A (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Tdk Corp | Chip type electronic component |
| US8154849B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-04-10 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Laminated electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3855851B2 (en) | 2006-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1260789C (en) | Circuit board, semiconductor device mfg. method, and electroplating system | |
| CN1176567C (en) | Method of manufacturing multilayer wiring board | |
| JP5516501B2 (en) | Electronic components | |
| CN102543437B (en) | Laminate type electronic component and manufacturing method therefor | |
| CN1323695A (en) | Copper foil having low surface outline adhering enhancer | |
| JP2005060822A (en) | Electroplating for composite substrate | |
| CN1755849A (en) | Ceramic electronic component and its manufacturing method | |
| CN1307748C (en) | Connecting unit including contactor having superior electrical conductivity and resilience, and method for producing the same | |
| CN1697592A (en) | Printed wiring board, production process thereof and semiconductor device | |
| CN1672473A (en) | Method for manufacturing board with built-in device and board with built-in device, and method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board | |
| US20110236658A1 (en) | Laminated electronic component | |
| CN1638073A (en) | Method of forming bump pad of flip chip and structure thereof | |
| JP2003342785A (en) | Method for manufacturing ceramic electronic part | |
| JP2988624B2 (en) | Plating method | |
| KR20120004967A (en) | Conductive fine particles, anisotropic conductive element, and connection structure | |
| CN1899002A (en) | Printed-circuit board, its manufacturing method and circuit device | |
| JP2004111893A (en) | Method for manufacturing multiple wiring board | |
| US6398935B1 (en) | Method for manufacturing pcb's | |
| CN1241894A (en) | Circuit board and its producing method | |
| JP4461907B2 (en) | Manufacturing method of electronic parts | |
| JP2006077311A (en) | Nickel plating bath and electronic component | |
| CN1781348A (en) | Printed wiring board, its manufacturing method, and circuit device | |
| JPH10212596A (en) | Plating method for chip parts | |
| JP2004083955A (en) | Plating method for ceramic electronic part and ceramic electronic part | |
| JP3434072B2 (en) | Manufacturing method of electrolytic copper foil |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050105 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060726 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060822 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060904 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3855851 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130922 Year of fee payment: 7 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |