JP2003342099A - ４ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶と４ｈ型炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 - Google Patents
４ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶と４ｈ型炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低欠陥大口径の４Ｈ型炭化珪素単結晶ウエハ
を取り出せる４Ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶を提供
する。 【解決手段】 （１１−２０）面から［０００−１］Ｃ
軸を中心に［−１１００］軸方向に−４５度以上４５度
以下の範囲にある任意の一方向に、３°以上、６０°以
下傾いた面を単結晶育成面とする４Ｈ型炭化珪素単結晶
育成用種結晶である。このような単結晶育成用種結晶を
用いることにより高品質で大口径の４Ｈ型炭化珪素単結
晶インゴットを得ることができる。
を取り出せる４Ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶を提供
する。 【解決手段】 （１１−２０）面から［０００−１］Ｃ
軸を中心に［−１１００］軸方向に−４５度以上４５度
以下の範囲にある任意の一方向に、３°以上、６０°以
下傾いた面を単結晶育成面とする４Ｈ型炭化珪素単結晶
育成用種結晶である。このような単結晶育成用種結晶を
用いることにより高品質で大口径の４Ｈ型炭化珪素単結
晶インゴットを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、４Ｈ型炭化珪素単
結晶育成用種結晶と４Ｈ型炭化珪素単結晶及びその製造
方法に係わり、特に、電力デバイスや高周波デバイスな
どの基板ウエハとなる良質で大型の単結晶インゴット及
びその製造方法に関するものである。
結晶育成用種結晶と４Ｈ型炭化珪素単結晶及びその製造
方法に係わり、特に、電力デバイスや高周波デバイスな
どの基板ウエハとなる良質で大型の単結晶インゴット及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】炭化珪素（ＳｉＣ）は、耐熱性及び機械
的強度に優れ、放射線に強い等の物理的、化学的性質か
ら、耐環境性半導体材料として注目されている。また近
年、青色から紫外にかけての短波長光デバイス、高周波
高耐圧電子デバイス等の基板ウエハとしてＳｉＣ単結晶
ウエハの需要が高まっている。しかしながら、大面積を
有する高品質のＳｉＣ単結晶を、工業的規模で安定に供
給し得る結晶成長技術は、いまだ確立されていない。そ
れゆえ、ＳｉＣは、上述のような多くの利点及び可能性
を有する半導体材料にもかかわらず、その実用化が阻ま
れていた。
的強度に優れ、放射線に強い等の物理的、化学的性質か
ら、耐環境性半導体材料として注目されている。また近
年、青色から紫外にかけての短波長光デバイス、高周波
高耐圧電子デバイス等の基板ウエハとしてＳｉＣ単結晶
ウエハの需要が高まっている。しかしながら、大面積を
有する高品質のＳｉＣ単結晶を、工業的規模で安定に供
給し得る結晶成長技術は、いまだ確立されていない。そ
れゆえ、ＳｉＣは、上述のような多くの利点及び可能性
を有する半導体材料にもかかわらず、その実用化が阻ま
れていた。
【０００３】従来、研究室程度の規模では、例えば昇華
再結晶法（レーリー法）でＳｉＣ単結晶を成長させ、半
導体素子の作製が可能なサイズのＳｉＣ単結晶を得てい
た。しかしながら、この方法では、得られた単結晶の面
積が小さく、その寸法及び形状を高精度に制御すること
は困難である。また、ＳｉＣが有する結晶多形及び不純
物キャリア濃度の制御も容易ではない。
再結晶法（レーリー法）でＳｉＣ単結晶を成長させ、半
導体素子の作製が可能なサイズのＳｉＣ単結晶を得てい
た。しかしながら、この方法では、得られた単結晶の面
積が小さく、その寸法及び形状を高精度に制御すること
は困難である。また、ＳｉＣが有する結晶多形及び不純
物キャリア濃度の制御も容易ではない。
【０００４】また、化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用い
て珪素（Ｓｉ）等の異種基板上にヘテロエピタキシャル
成長させることにより立方晶の炭化珪素単結晶を成長さ
せることも行われている。この方法では、大面積の単結
晶は得られるが、基板との格子不整合が約２０％もある
こと等により多くの欠陥（〜１０７個／ｃｍ２）を含む
ＳｉＣ単結晶しか成長させることができず、高品質のＳ
ｉＣ単結晶を得ることは容易でない。これらの問題点を
解決するために、ＳｉＣ単結晶｛０００１｝ウエハを種
結晶として用いて昇華再結晶を行う改良型のレーリー法
が提案されている（Ｙｕ． Ｍ． Ｔａｉｒｏｖ ａｎ
ｄ Ｖ． Ｆ． Ｔｓｖｅｔｋｏｖ，Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ， Ｖｏｌ．５２
（１９８１） ｐｐ．１４６−１５０）。
て珪素（Ｓｉ）等の異種基板上にヘテロエピタキシャル
成長させることにより立方晶の炭化珪素単結晶を成長さ
せることも行われている。この方法では、大面積の単結
晶は得られるが、基板との格子不整合が約２０％もある
こと等により多くの欠陥（〜１０７個／ｃｍ２）を含む
ＳｉＣ単結晶しか成長させることができず、高品質のＳ
ｉＣ単結晶を得ることは容易でない。これらの問題点を
解決するために、ＳｉＣ単結晶｛０００１｝ウエハを種
結晶として用いて昇華再結晶を行う改良型のレーリー法
が提案されている（Ｙｕ． Ｍ． Ｔａｉｒｏｖ ａｎ
ｄ Ｖ． Ｆ． Ｔｓｖｅｔｋｏｖ，Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ， Ｖｏｌ．５２
（１９８１） ｐｐ．１４６−１５０）。
【０００５】この方法では、種結晶を用いているため結
晶の核形成過程が制御でき、また不活性ガスにより雰囲
気圧力を１００Ｐａから１５ｋＰａ程度に制御すること
により、結晶の成長速度等を再現性良くコントロールで
きる。
晶の核形成過程が制御でき、また不活性ガスにより雰囲
気圧力を１００Ｐａから１５ｋＰａ程度に制御すること
により、結晶の成長速度等を再現性良くコントロールで
きる。
【０００６】改良レーリー法の原理を図１を用いて説明
する。種結晶となるＳｉＣ単結晶と原料となるＳｉＣ結
晶粉末は、坩堝（通常黒鉛）の中に収納され、アルゴン
等の不活性ガス雰囲気中（１３３Ｐａ〜１３．３ｋＰ
ａ）、２０００〜２４００℃に加熱される。この際、原
料粉末に比べ種結晶がやや低温になるように温度勾配が
設定される。原料は、昇華後、濃度勾配（温度勾配によ
り形成される）により種結晶方向へ拡散、輸送される。
する。種結晶となるＳｉＣ単結晶と原料となるＳｉＣ結
晶粉末は、坩堝（通常黒鉛）の中に収納され、アルゴン
等の不活性ガス雰囲気中（１３３Ｐａ〜１３．３ｋＰ
ａ）、２０００〜２４００℃に加熱される。この際、原
料粉末に比べ種結晶がやや低温になるように温度勾配が
設定される。原料は、昇華後、濃度勾配（温度勾配によ
り形成される）により種結晶方向へ拡散、輸送される。
【０００７】単結晶成長は、種結晶に到着した原料ガス
が種結晶上で再結晶化することにより実現される。この
際、結晶の抵抗率は、不活性ガスからなる雰囲気中に不
純物ガスを添加する、あるいは、ＳｉＣ原料粉末中に不
純物元素あるいはその化合物を混合することにより、制
御可能である。
が種結晶上で再結晶化することにより実現される。この
際、結晶の抵抗率は、不活性ガスからなる雰囲気中に不
純物ガスを添加する、あるいは、ＳｉＣ原料粉末中に不
純物元素あるいはその化合物を混合することにより、制
御可能である。
【０００８】ＳｉＣ単結晶中の置換型不純物として代表
的なものに、窒素（ｎ型）、ホウ素、アルミニウム（ｐ
型）がある。改良レーリー法を用いれば、ＳｉＣ単結晶
の結晶多形（６Ｈ型、４Ｈ型、１５Ｒ型、等）及び形
状、キャリア型及び濃度を制御しながら、ＳｉＣ単結晶
を成長させることができる。
的なものに、窒素（ｎ型）、ホウ素、アルミニウム（ｐ
型）がある。改良レーリー法を用いれば、ＳｉＣ単結晶
の結晶多形（６Ｈ型、４Ｈ型、１５Ｒ型、等）及び形
状、キャリア型及び濃度を制御しながら、ＳｉＣ単結晶
を成長させることができる。
【０００９】改良レーリー法で製造されるＳｉＣ単結晶
の結晶多形（ポリタイプ）は、通常６Ｈ型と４Ｈ型であ
り、現在この二つのポリタイプのＳｉＣ単結晶ウエハが
市販されている（不安定ポリタイプである１５Ｒ型の大
型ＳｉＣ単結晶は得られていない）。中でも、４Ｈ型の
ＳｉＣ単結晶ウエハは、高い電子移動度を有し、パワー
デバイス用途に適していると言われている。
の結晶多形（ポリタイプ）は、通常６Ｈ型と４Ｈ型であ
り、現在この二つのポリタイプのＳｉＣ単結晶ウエハが
市販されている（不安定ポリタイプである１５Ｒ型の大
型ＳｉＣ単結晶は得られていない）。中でも、４Ｈ型の
ＳｉＣ単結晶ウエハは、高い電子移動度を有し、パワー
デバイス用途に適していると言われている。
【００１０】ＳｉＣ単結晶のポリタイプは、結晶成長に
用いる｛０００１｝面種結晶の面極性によってほぼ決定
される。｛０００１｝面には、極性の異なる（０００
１）Ｓｉ面と（０００−１）Ｃ面の２種類があり（｛０
００１｝はこれら２つの面の総称である）、それぞれの
面の最表面はＳｉ原子層、Ｃ原子層で覆われている。
用いる｛０００１｝面種結晶の面極性によってほぼ決定
される。｛０００１｝面には、極性の異なる（０００
１）Ｓｉ面と（０００−１）Ｃ面の２種類があり（｛０
００１｝はこれら２つの面の総称である）、それぞれの
面の最表面はＳｉ原子層、Ｃ原子層で覆われている。
【００１１】６Ｈ型のＳｉＣ単結晶は、このどちらの極
性面を成長面として用いた場合にも成長可能であるが、
４Ｈ型のＳｉＣ単結晶は、（０００−１）Ｃ面種結晶を
用いた場合のみ成長可能である。従って、パワーデバイ
ス用途に適した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶を得るには、（０
００−１）Ｃ面種結晶上に成長する必要がある。
性面を成長面として用いた場合にも成長可能であるが、
４Ｈ型のＳｉＣ単結晶は、（０００−１）Ｃ面種結晶を
用いた場合のみ成長可能である。従って、パワーデバイ
ス用途に適した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶を得るには、（０
００−１）Ｃ面種結晶上に成長する必要がある。
【００１２】現在、上記の改良レーリー法で作製したＳ
ｉＣ単結晶から口径２インチ（５０ｍｍ）から３インチ
（７５ｍｍ）の｛０００１｝面ＳｉＣ単結晶ウエハが切
り出され、エピタキシャル薄膜成長、デバイス作製に供
されている。しかしながら、これらのＳｉＣ単結晶ウエ
ハには、成長方向に貫通する直径数μｍのピンホール欠
陥（マイクロパイプ欠陥）が５０〜２００個／ｃｍ2程
度含まれていた。
ｉＣ単結晶から口径２インチ（５０ｍｍ）から３インチ
（７５ｍｍ）の｛０００１｝面ＳｉＣ単結晶ウエハが切
り出され、エピタキシャル薄膜成長、デバイス作製に供
されている。しかしながら、これらのＳｉＣ単結晶ウエ
ハには、成長方向に貫通する直径数μｍのピンホール欠
陥（マイクロパイプ欠陥）が５０〜２００個／ｃｍ2程
度含まれていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の技術で作られたＳｉＣ単結晶にはマイクロパイプ欠陥
が５０〜２００ｃｍ-2程度含まれていた。Ｐ． Ｇ．
Ｎｅｕｄｅｃｋ ｅｔａｌ．， ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ， Ｖｏｌ．１
５ （１９９４） ｐｐ．６３〜６５に記載されている
ように、これらの欠陥は素子を作製した際に、漏れ電流
等を引き起こし、その低減はＳｉＣ単結晶のデバイス応
用における最重要課題とされている。
の技術で作られたＳｉＣ単結晶にはマイクロパイプ欠陥
が５０〜２００ｃｍ-2程度含まれていた。Ｐ． Ｇ．
Ｎｅｕｄｅｃｋ ｅｔａｌ．， ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ， Ｖｏｌ．１
５ （１９９４） ｐｐ．６３〜６５に記載されている
ように、これらの欠陥は素子を作製した際に、漏れ電流
等を引き起こし、その低減はＳｉＣ単結晶のデバイス応
用における最重要課題とされている。
【００１４】このマイクロパイプ欠陥は、｛０００１｝
面に垂直な面を種結晶として用いて、＜０００１＞方向
と垂直方向にＳｉＣ単結晶を成長させることにより、完
全に防止できることが、特開平５−２６２５９９号公報
に開示されている。また、＜０００１＞方向と垂直方向
にＳｉＣ単結晶を成長させた場合には、成長結晶が種結
晶のポリタイプ構造を完全に引き継ぐことも報告されて
いる。
面に垂直な面を種結晶として用いて、＜０００１＞方向
と垂直方向にＳｉＣ単結晶を成長させることにより、完
全に防止できることが、特開平５−２６２５９９号公報
に開示されている。また、＜０００１＞方向と垂直方向
にＳｉＣ単結晶を成長させた場合には、成長結晶が種結
晶のポリタイプ構造を完全に引き継ぐことも報告されて
いる。
【００１５】｛０００１｝面に垂直な面は、デバイス製
造にとっても有用な面である。Ｈ．Ｙａｎｏ ｅｔ ａ
ｌ．， Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｏｒ
ｕｍ， Ｖｏｌ．３３８〜３４２ （２０００） ｐ
ｐ．１１０５〜１１０８に示されているように、例えば
｛０００１｝面に垂直な面である（１１−２０）面を用
いたＭＯＳ（金属−酸化膜−半導体）型電界効果トラン
ジスタは、（０００１）Ｓｉ面上に作製したものと比べ
て、格段に高いチャネル移動度を示す。
造にとっても有用な面である。Ｈ．Ｙａｎｏ ｅｔ ａ
ｌ．， Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｆｏｒ
ｕｍ， Ｖｏｌ．３３８〜３４２ （２０００） ｐ
ｐ．１１０５〜１１０８に示されているように、例えば
｛０００１｝面に垂直な面である（１１−２０）面を用
いたＭＯＳ（金属−酸化膜−半導体）型電界効果トラン
ジスタは、（０００１）Ｓｉ面上に作製したものと比べ
て、格段に高いチャネル移動度を示す。
【００１６】このように、｛０００１｝面に垂直な面に
成長したＳｉＣ単結晶はマイクロパイプ欠陥を含まず、
さらに、［１１−２０］方向に成長したＳｉＣ単結晶イ
ンゴットを切断研磨して得られる（１１−２０）ウエハ
は高性能のＳｉＣデバイスを作製するのに適している。
しかしながら、この方向にＳｉＣ単結晶を成長した場
合、Ｊ． Ｔａｋａｈａｓｈｉ ｅｔ ａｌ．， Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，
Ｖｏｌ．１８１ （１９９７） ｐｐ．２２９〜２４０
に記載されているように、結晶中に多量の（０００１）
面積層欠陥が導入されてしまう。
成長したＳｉＣ単結晶はマイクロパイプ欠陥を含まず、
さらに、［１１−２０］方向に成長したＳｉＣ単結晶イ
ンゴットを切断研磨して得られる（１１−２０）ウエハ
は高性能のＳｉＣデバイスを作製するのに適している。
しかしながら、この方向にＳｉＣ単結晶を成長した場
合、Ｊ． Ｔａｋａｈａｓｈｉ ｅｔ ａｌ．， Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，
Ｖｏｌ．１８１ （１９９７） ｐｐ．２２９〜２４０
に記載されているように、結晶中に多量の（０００１）
面積層欠陥が導入されてしまう。
【００１７】この結果、特開平５−２６２５９９号公報
に開示されている方法を用いても、マイクロパイプ欠陥
は抑制できるものの、今度はデバイスに悪影響を与える
積層欠陥が多量に発生してしまっていた。
に開示されている方法を用いても、マイクロパイプ欠陥
は抑制できるものの、今度はデバイスに悪影響を与える
積層欠陥が多量に発生してしまっていた。
【００１８】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、欠陥の少ない良質の４Ｈ型大口径ＳｉＣ単結晶
ウエハを、再現性良く製造し得る４Ｈ型ＳｉＣ単結晶の
製造方法を提供するものである。
であり、欠陥の少ない良質の４Ｈ型大口径ＳｉＣ単結晶
ウエハを、再現性良く製造し得る４Ｈ型ＳｉＣ単結晶の
製造方法を提供するものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】（１） 本発明は、Ｓｉ
Ｃ単結晶からなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であ
って、該単結晶の（１１−２０）面から、［０００−
１］Ｃ軸を中心に［−１１００］軸方向に−４５°以上
４５°以下の範囲にある任意の一方向に、３°以上６０
°以下傾いた面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結
晶育成用種結晶である。
Ｃ単結晶からなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であ
って、該単結晶の（１１−２０）面から、［０００−
１］Ｃ軸を中心に［−１１００］軸方向に−４５°以上
４５°以下の範囲にある任意の一方向に、３°以上６０
°以下傾いた面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結
晶育成用種結晶である。
【００２０】（２） また、本発明は、ＳｉＣ単結晶か
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、３°以上３０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、３°以上３０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。
【００２１】（３） また、本発明は、ＳｉＣ単結晶か
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、６°以上３０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。 （４） また、本発明は、（１）〜（３）の何れかに記
載の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶を用いて、昇華再
結晶法により前記種結晶上に４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を成長
させる工程を包含する４Ｈ型ＳｉＣ単結晶の製造方法で
ある。 （５） また、本発明は、（４）に記載の製造方法によ
り得られた４Ｈ型ＳｉＣ単結晶インゴットであって、該
インゴットの口径が２０ｍｍ以上である４Ｈ型ＳｉＣ単
結晶インゴットである。 （６） また、本発明は、（４）に記載の製造方法によ
り得られた４Ｈ型ＳｉＣ単結晶インゴットを加工、研磨
してなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶ウエハであって、かつ、ウ
エハ径が２０ｍｍ以上である４Ｈ型ＳｉＣ単結晶ウエハ
である。 （７） また、本発明は、（６）に記載の４Ｈ型ＳｉＣ
単結晶ウエハにエピタキシャル成長してなる４Ｈ型Ｓｉ
Ｃ単結晶エピタキシャルウエハである。である。
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、６°以上３０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。 （４） また、本発明は、（１）〜（３）の何れかに記
載の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶を用いて、昇華再
結晶法により前記種結晶上に４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を成長
させる工程を包含する４Ｈ型ＳｉＣ単結晶の製造方法で
ある。 （５） また、本発明は、（４）に記載の製造方法によ
り得られた４Ｈ型ＳｉＣ単結晶インゴットであって、該
インゴットの口径が２０ｍｍ以上である４Ｈ型ＳｉＣ単
結晶インゴットである。 （６） また、本発明は、（４）に記載の製造方法によ
り得られた４Ｈ型ＳｉＣ単結晶インゴットを加工、研磨
してなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶ウエハであって、かつ、ウ
エハ径が２０ｍｍ以上である４Ｈ型ＳｉＣ単結晶ウエハ
である。 （７） また、本発明は、（６）に記載の４Ｈ型ＳｉＣ
単結晶ウエハにエピタキシャル成長してなる４Ｈ型Ｓｉ
Ｃ単結晶エピタキシャルウエハである。である。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明は、ＳｉＣ単結晶からなる
４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単結晶の
（１１−２０）面から［０００−１］Ｃ軸を中心に［−
１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の範囲にあ
る任意の一方向に、３°以上、６０°以下傾いた面を単
結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であ
る。
４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単結晶の
（１１−２０）面から［０００−１］Ｃ軸を中心に［−
１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の範囲にあ
る任意の一方向に、３°以上、６０°以下傾いた面を単
結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であ
る。
【００２３】このようなＳｉＣ単結晶を用いることによ
り、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥の発生を防止するこ
とができ、大型の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶インゴットを製造
することが可能である。なお、本発明において、種結晶
は六方晶ＳｉＣ単結晶であり、面指数はミラー指数表示
法に基いて記載される。参考として、図２に六方晶Ｓｉ
Ｃ単結晶の面指数を説明する概略図を示す。
り、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥の発生を防止するこ
とができ、大型の４Ｈ−ＳｉＣ単結晶インゴットを製造
することが可能である。なお、本発明において、種結晶
は六方晶ＳｉＣ単結晶であり、面指数はミラー指数表示
法に基いて記載される。参考として、図２に六方晶Ｓｉ
Ｃ単結晶の面指数を説明する概略図を示す。
【００２４】｛０００１｝面に垂直方向にＳｉＣ単結晶
を成長した場合に積層欠陥が発生するメカニズムについ
ては、Ｊ． Ｔａｋａｈａｓｈｉ ａｎｄ Ｎ． Ｏｈ
ｔａｎｉ， Ｐｈｙｓ． Ｓｔａｔ． Ｓｏｌ．
（ｂ）， Ｖｏｌ．２０２ （１９９７） ｐｐ．１６
３〜１７５に記載されている。改良レーリー法によるＳ
ｉＣ単結晶の成長においては、原料から昇華したＳｉＣ
分子が種結晶表面（成長が進行していった段階では、結
晶成長表面）に吸着し、これが結晶に規則正しく取り込
まれていくことによって結晶が成長する。
を成長した場合に積層欠陥が発生するメカニズムについ
ては、Ｊ． Ｔａｋａｈａｓｈｉ ａｎｄ Ｎ． Ｏｈ
ｔａｎｉ， Ｐｈｙｓ． Ｓｔａｔ． Ｓｏｌ．
（ｂ）， Ｖｏｌ．２０２ （１９９７） ｐｐ．１６
３〜１７５に記載されている。改良レーリー法によるＳ
ｉＣ単結晶の成長においては、原料から昇華したＳｉＣ
分子が種結晶表面（成長が進行していった段階では、結
晶成長表面）に吸着し、これが結晶に規則正しく取り込
まれていくことによって結晶が成長する。
【００２５】積層欠陥は、この吸着ＳｉＣ分子が結晶に
取り込まれる際に、正規の配位ではなく、誤った配位で
取り込まれることによって誘起される。誤った配位で取
り込まれたＳｉＣ分子は、結晶中に局所的な歪をもたら
し、この歪が原因となって積層欠陥が発生する。ここで
問題とされている積層欠陥は、結晶成長中においてのみ
発生する結晶成長誘起欠陥であり、結晶成長後に成長結
晶に機械的応力、電気的ストレス等が加えられることに
より発生する結晶欠陥とは区別される。
取り込まれる際に、正規の配位ではなく、誤った配位で
取り込まれることによって誘起される。誤った配位で取
り込まれたＳｉＣ分子は、結晶中に局所的な歪をもたら
し、この歪が原因となって積層欠陥が発生する。ここで
問題とされている積層欠陥は、結晶成長中においてのみ
発生する結晶成長誘起欠陥であり、結晶成長後に成長結
晶に機械的応力、電気的ストレス等が加えられることに
より発生する結晶欠陥とは区別される。
【００２６】本発明は、上記のメカニズムを解析した上
でなされたものであり、種結晶として、（１１−２０）
面から［０００−１］Ｃ軸を中心に［−１１００］軸方
向に−４５°以上４５°以下の範囲にある任意の一方向
に、３°以上、６０°以下傾いた面を単結晶育成面とす
る４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を用いることにより、吸着分子が
誤った配位で結晶中に取り込まれることを防止し、積層
欠陥の発生を抑制したものである。なお、以下の説明に
おいて、単結晶育成面の傾き角度を「オフ角度」、該オ
フ角度が導入される方向を「オフ方向」と称する。
でなされたものであり、種結晶として、（１１−２０）
面から［０００−１］Ｃ軸を中心に［−１１００］軸方
向に−４５°以上４５°以下の範囲にある任意の一方向
に、３°以上、６０°以下傾いた面を単結晶育成面とす
る４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を用いることにより、吸着分子が
誤った配位で結晶中に取り込まれることを防止し、積層
欠陥の発生を抑制したものである。なお、以下の説明に
おいて、単結晶育成面の傾き角度を「オフ角度」、該オ
フ角度が導入される方向を「オフ方向」と称する。
【００２７】図３を用いて、本発明の効果を説明する。
オフ角度の導入されていない（１１−２０）面種結晶上
に結晶を成長させた場合、結晶成長表面上でＳｉＣ分子
は吸着配位として複数の配位形態を取り得る（例えば、
模式的に図３（ａ）の（１）と（２）の配位で示され
る）。
オフ角度の導入されていない（１１−２０）面種結晶上
に結晶を成長させた場合、結晶成長表面上でＳｉＣ分子
は吸着配位として複数の配位形態を取り得る（例えば、
模式的に図３（ａ）の（１）と（２）の配位で示され
る）。
【００２８】複数の配位形態の内、結晶内部と全く同一
の結合配位がエネルギー的には最も安定な配位である
が、ＳｉＣ単結晶の場合、配位間のエネルギー差が極め
て小さいために、吸着ＳｉＣ分子が正規の配位（最安定
配位）とは異なった配位で結晶中に取り込まれてしまう
ことがしばしば起こる。このように誤った配位で取り込
まれたＳｉＣ分子が起点となって積層欠陥がＳｉＣ単結
晶中に発生する。
の結合配位がエネルギー的には最も安定な配位である
が、ＳｉＣ単結晶の場合、配位間のエネルギー差が極め
て小さいために、吸着ＳｉＣ分子が正規の配位（最安定
配位）とは異なった配位で結晶中に取り込まれてしまう
ことがしばしば起こる。このように誤った配位で取り込
まれたＳｉＣ分子が起点となって積層欠陥がＳｉＣ単結
晶中に発生する。
【００２９】一方、オフ角度を有する（１１−２０）面
種結晶上に結晶を成長させる場合には、図３（ｂ）に示
すように、成長表面にはステップが形成されている。ス
テップ間隔（密度）はオフ角度の大きさに依存し、オフ
角度が小さくなるほどステップ間隔は大きくなり、逆に
オフ角度が大きくなるとステップ間隔は小さくなる。
種結晶上に結晶を成長させる場合には、図３（ｂ）に示
すように、成長表面にはステップが形成されている。ス
テップ間隔（密度）はオフ角度の大きさに依存し、オフ
角度が小さくなるほどステップ間隔は大きくなり、逆に
オフ角度が大きくなるとステップ間隔は小さくなる。
【００３０】成長表面のステップ間隔が或る値以上小さ
くなると、原料より飛来するＳｉＣ分子は全てステップ
で取り込まれるようになる。ステップにＳｉＣ分子が吸
着し、取り込まれる場合には、その配位は一義的に決定
され、誤った配位で結晶中に取り込まれることはない。
結果、積層欠陥発生が抑制される。なおオフ角度が小さ
い場合には、ステップ密度が低下し、その結果ＳｉＣ分
子がステップとステップの間に存在するテラス（図３
（ａ）のオフ角度の導入されていない（１１−２０）面
に相当）上でも結晶に取り込まれるようになるため、本
発明の効果が期待できない。
くなると、原料より飛来するＳｉＣ分子は全てステップ
で取り込まれるようになる。ステップにＳｉＣ分子が吸
着し、取り込まれる場合には、その配位は一義的に決定
され、誤った配位で結晶中に取り込まれることはない。
結果、積層欠陥発生が抑制される。なおオフ角度が小さ
い場合には、ステップ密度が低下し、その結果ＳｉＣ分
子がステップとステップの間に存在するテラス（図３
（ａ）のオフ角度の導入されていない（１１−２０）面
に相当）上でも結晶に取り込まれるようになるため、本
発明の効果が期待できない。
【００３１】従来、結晶成長表面にオフ角度を付けるこ
とは、他の材料系でも行われてきた。しかしながら、今
回、本発明者等は、数多くの実験及び考察の結果とし
て、数ある条件の中から特に、ＳｉＣ単結晶の（１１−
２０）面においてオフ方向を、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］方向に−４５°以上４５°以下の範
囲にある一方向とすることによって積層欠陥が効果的に
抑制でき、さらに大型の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶が得られる
ことを見出した。
とは、他の材料系でも行われてきた。しかしながら、今
回、本発明者等は、数多くの実験及び考察の結果とし
て、数ある条件の中から特に、ＳｉＣ単結晶の（１１−
２０）面においてオフ方向を、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］方向に−４５°以上４５°以下の範
囲にある一方向とすることによって積層欠陥が効果的に
抑制でき、さらに大型の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶が得られる
ことを見出した。
【００３２】なお、ここで、［０００−１］Ｃ方向と
は、＜０００１＞方向には［０００１］Ｓｉと［０００
−１］Ｃとの２方向があり（すなわち＜０００１＞はこ
れら２方向の総称）、その内の［０００−１］Ｃ方向の
ことである。（１１−２０）面におけるオフ方向として
は、［０００−１］Ｃ軸方向以外にも、［−１１００］
方向（［０００−１］Ｃ方向の垂直方向）と［０００
１］Ｓｉ方向（［０００−１］Ｃ方向の１８０°反対方
向）の二つが結晶学的には考えられるが、［−１１０
０］方向にオフ角度を付けた場合には、本発明の効果は
得られない。これは、［０００−１］Ｃ方向にオフ角度
を付けた場合と［−１１００］方向にオフ角度を付けた
場合とで、形成されるステップの構造等が異なり、［−
１１００］方向にオフ角度を付けた場合には、ステップ
でのＳｉＣ分子の吸着配位に任意性が残ってしまうため
であると考えられる。
は、＜０００１＞方向には［０００１］Ｓｉと［０００
−１］Ｃとの２方向があり（すなわち＜０００１＞はこ
れら２方向の総称）、その内の［０００−１］Ｃ方向の
ことである。（１１−２０）面におけるオフ方向として
は、［０００−１］Ｃ軸方向以外にも、［−１１００］
方向（［０００−１］Ｃ方向の垂直方向）と［０００
１］Ｓｉ方向（［０００−１］Ｃ方向の１８０°反対方
向）の二つが結晶学的には考えられるが、［−１１０
０］方向にオフ角度を付けた場合には、本発明の効果は
得られない。これは、［０００−１］Ｃ方向にオフ角度
を付けた場合と［−１１００］方向にオフ角度を付けた
場合とで、形成されるステップの構造等が異なり、［−
１１００］方向にオフ角度を付けた場合には、ステップ
でのＳｉＣ分子の吸着配位に任意性が残ってしまうため
であると考えられる。
【００３３】また、［０００１］Ｓｉ方向にオフ角度を
付けた場合には、積層欠陥の低減は達成されるが、大型
の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を得ることが困難になる。このこ
とを図４を用いて説明する。図４（ａ）に示したよう
に、（１１−２０）面から［０００１］Ｓｉ方向にオフ
角度を付けた種結晶を用いた場合、種結晶のポリタイプ
を引き継ぐ方向（＜０００１＞軸に垂直方向。図中で
は、［１１−２０］方向）に成長した部分（図中（ｉ）
の部分）では、種結晶のポリタイプ（この場合４Ｈ型）
を完全に引き継ぎ、成長結晶は４Ｈ型のポリタイプを呈
する。
付けた場合には、積層欠陥の低減は達成されるが、大型
の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を得ることが困難になる。このこ
とを図４を用いて説明する。図４（ａ）に示したよう
に、（１１−２０）面から［０００１］Ｓｉ方向にオフ
角度を付けた種結晶を用いた場合、種結晶のポリタイプ
を引き継ぐ方向（＜０００１＞軸に垂直方向。図中で
は、［１１−２０］方向）に成長した部分（図中（ｉ）
の部分）では、種結晶のポリタイプ（この場合４Ｈ型）
を完全に引き継ぎ、成長結晶は４Ｈ型のポリタイプを呈
する。
【００３４】一方、種結晶からの引き継ぎによってポリ
タイプが決定されない部分（引き継ぐべき種結晶部が存
在しない図中（ｉｉ）の部分）では、その成長方向に現
れている｛０００１｝面極性（図４（ａ）の場合は（０
００１）Ｓｉ面）によって成長ポリタイプが決定され
る。このように成長方向に対して｛０００１｝面が傾い
ている場合にも、その面極性によって成長結晶の一部分
のポリタイプが決定されることを、発明者らは数多くの
実験から見出した。
タイプが決定されない部分（引き継ぐべき種結晶部が存
在しない図中（ｉｉ）の部分）では、その成長方向に現
れている｛０００１｝面極性（図４（ａ）の場合は（０
００１）Ｓｉ面）によって成長ポリタイプが決定され
る。このように成長方向に対して｛０００１｝面が傾い
ている場合にも、その面極性によって成長結晶の一部分
のポリタイプが決定されることを、発明者らは数多くの
実験から見出した。
【００３５】先に述べたように、（０００１）Ｓｉ面上
には４Ｈ型のポリタイプ結晶は成長せず、図４（ａ）の
場合には、成長条件を如何様に変化させようとも、（ｉ
ｉ）の成長結晶部分のポリタイプは６Ｈ型（または、１
５Ｒ型ポリタイプの混在した６Ｈ型）となる。因って
（１１−２０）面からのオフ方向を［０００１］Ｓｉ方
向とした場合には、積層欠陥は低減されるものの、４Ｈ
型単一ポリタイプの大型ＳｉＣ単結晶を得ることはでき
ない。
には４Ｈ型のポリタイプ結晶は成長せず、図４（ａ）の
場合には、成長条件を如何様に変化させようとも、（ｉ
ｉ）の成長結晶部分のポリタイプは６Ｈ型（または、１
５Ｒ型ポリタイプの混在した６Ｈ型）となる。因って
（１１−２０）面からのオフ方向を［０００１］Ｓｉ方
向とした場合には、積層欠陥は低減されるものの、４Ｈ
型単一ポリタイプの大型ＳｉＣ単結晶を得ることはでき
ない。
【００３６】他方、本発明に記載の（１１−２０）面か
ら［０００−１］Ｃ方向にオフ角度を付けた種結晶を用
いた場合には（図４（ｂ））、種結晶からの引き継ぎに
よってポリタイプが決定されない部分（図中（ｉｉ）の
部分）においても、（０００−１）Ｃ面上の成長となる
ため、成長条件を最適化すれば、（ｉｉ）の成長結晶部
分においても４Ｈ型の結晶を得ることが可能である。こ
のようにして得られたＳｉＣ単結晶は４Ｈ型単一ポリタ
イプで大型であるという特徴を有する。
ら［０００−１］Ｃ方向にオフ角度を付けた種結晶を用
いた場合には（図４（ｂ））、種結晶からの引き継ぎに
よってポリタイプが決定されない部分（図中（ｉｉ）の
部分）においても、（０００−１）Ｃ面上の成長となる
ため、成長条件を最適化すれば、（ｉｉ）の成長結晶部
分においても４Ｈ型の結晶を得ることが可能である。こ
のようにして得られたＳｉＣ単結晶は４Ｈ型単一ポリタ
イプで大型であるという特徴を有する。
【００３７】ＳｉＣ単結晶の（１１−２０）面における
オフ方向とオフ角度の関係を図５に示す。本発明の効果
を得るには、オフ方向が、［０００−１］Ｃ軸を中心に
［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の範囲
にある必要がある。すなわち、図５に示すβが−４５°
≦β≦４５°である必要がある。ここで、オフ方向が
［０００−１］Ｃ方向から−４５°未満または４５°超
の場合には、ステップの構造が［−１１００］方向にオ
フ角度を付けた場合と類似の構造となり、ステップでの
ＳｉＣ分子の吸着配位に任意性が残ってしまうため、本
発明の効果が期待できない。
オフ方向とオフ角度の関係を図５に示す。本発明の効果
を得るには、オフ方向が、［０００−１］Ｃ軸を中心に
［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の範囲
にある必要がある。すなわち、図５に示すβが−４５°
≦β≦４５°である必要がある。ここで、オフ方向が
［０００−１］Ｃ方向から−４５°未満または４５°超
の場合には、ステップの構造が［−１１００］方向にオ
フ角度を付けた場合と類似の構造となり、ステップでの
ＳｉＣ分子の吸着配位に任意性が残ってしまうため、本
発明の効果が期待できない。
【００３８】また、オフ角度（図５中、αで示される）
は、３°以上６０°以下（３°≦α≦６０°）、より好
ましくは３°以上３０°以下（３°≦α≦３０°）、さ
らに好ましくは６°以上３０°以下（６°≦α≦３０
°）である。オフ角度（α）が３°未満では、種結晶表
面のステップ間隔が大きくなり過ぎ、テラス上でＳｉＣ
分子が取り込まれるようになるため、積層欠陥が発生す
る。また、オフ角度が６０°超になると、従来の＜００
０１＞方向へのＳｉＣ単結晶成長と類似の成長様式とな
り、マイクロパイプ欠陥が発生してしまい、好ましくな
い。
は、３°以上６０°以下（３°≦α≦６０°）、より好
ましくは３°以上３０°以下（３°≦α≦３０°）、さ
らに好ましくは６°以上３０°以下（６°≦α≦３０
°）である。オフ角度（α）が３°未満では、種結晶表
面のステップ間隔が大きくなり過ぎ、テラス上でＳｉＣ
分子が取り込まれるようになるため、積層欠陥が発生す
る。また、オフ角度が６０°超になると、従来の＜００
０１＞方向へのＳｉＣ単結晶成長と類似の成長様式とな
り、マイクロパイプ欠陥が発生してしまい、好ましくな
い。
【００３９】以上説明した、本発明の４Ｈ型ＳｉＣ単結
晶育成用種結晶の好ましい実施形態を以下に具体的に例
示する。
晶育成用種結晶の好ましい実施形態を以下に具体的に例
示する。
【００４０】本発明の第１実施形態は、ＳｉＣ単結晶か
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、３°以上６０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、３°以上６０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。
【００４１】本発明の第２実施形態は、ＳｉＣ単結晶か
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、３°以上３０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、３°以上３０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。
【００４２】本発明の第３実施形態は、ＳｉＣ単結晶か
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、６°以上３０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。
らなる４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶であって、該単
結晶の（１１−２０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中
心に［−１１００］軸方向に−４５°以上４５°以下の
範囲にある任意の一方向に、６°以上３０°以下傾いた
面を単結晶育成面とする４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結
晶である。
【００４３】これら第１〜第３実施形態に係る４Ｈ型Ｓ
ｉＣ単結晶育成用種結晶はいずれも、上述したように、
吸着分子が誤った配位で結晶中に取り込まれることを防
止することにより積層欠陥の発生を抑制し、大型の４Ｈ
型ＳｉＣ単結晶の作製を可能としたものである。
ｉＣ単結晶育成用種結晶はいずれも、上述したように、
吸着分子が誤った配位で結晶中に取り込まれることを防
止することにより積層欠陥の発生を抑制し、大型の４Ｈ
型ＳｉＣ単結晶の作製を可能としたものである。
【００４４】次に、本発明の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用
種結晶の製造方法について説明する。
種結晶の製造方法について説明する。
【００４５】本発明の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶
は、まず、［０００−１］Ｃ方向に成長した４Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶（マイクロパイプ欠陥を含むが積層欠陥は存
在しない）から、（１１−２０）面から、［０００−
１］Ｃ軸を中心に［−１１００］軸方向に−４５°以上
４５°以下の範囲にある任意の一方向に、オフ角度が３
°以上６０°以下になるようにウエハを切り出し、鏡面
研磨することによって製造することができる。なお切り
出しの際、オフ角度の前記任意の方向からのずれは±１
°以内であることが好ましい。
は、まず、［０００−１］Ｃ方向に成長した４Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶（マイクロパイプ欠陥を含むが積層欠陥は存
在しない）から、（１１−２０）面から、［０００−
１］Ｃ軸を中心に［−１１００］軸方向に−４５°以上
４５°以下の範囲にある任意の一方向に、オフ角度が３
°以上６０°以下になるようにウエハを切り出し、鏡面
研磨することによって製造することができる。なお切り
出しの際、オフ角度の前記任意の方向からのずれは±１
°以内であることが好ましい。
【００４６】また本発明は、上記で説明したような特徴
を有する本発明の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶を用
いた、４Ｈ型ＳｉＣ単結晶の製造方法である。当該製造
方法は、昇華再結晶法により、前記種結晶上に４Ｈ型Ｓ
ｉＣ単結晶を成長させる工程を包含することを特徴とす
るものであり、当該方法によって、マイクロパイプ欠
陥、積層欠陥等の結晶欠陥が少ない良質の４Ｈ型ＳｉＣ
単結晶を再現性良く得ることができる。
を有する本発明の４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶を用
いた、４Ｈ型ＳｉＣ単結晶の製造方法である。当該製造
方法は、昇華再結晶法により、前記種結晶上に４Ｈ型Ｓ
ｉＣ単結晶を成長させる工程を包含することを特徴とす
るものであり、当該方法によって、マイクロパイプ欠
陥、積層欠陥等の結晶欠陥が少ない良質の４Ｈ型ＳｉＣ
単結晶を再現性良く得ることができる。
【００４７】したがって、当該製造方法によれば、２０
ｍｍ以上の口径を有する４Ｈ型ＳｉＣ単結晶インゴット
を製造することができる。該４Ｈ型ＳｉＣ単結晶インゴ
ットは、２０ｍｍ以上という大口径を有しながら、デバ
イスに悪影響を及ぼすマイクロパイプ欠陥が皆無で、且
つ積層欠陥が極めて少ないという利点を有する。
ｍｍ以上の口径を有する４Ｈ型ＳｉＣ単結晶インゴット
を製造することができる。該４Ｈ型ＳｉＣ単結晶インゴ
ットは、２０ｍｍ以上という大口径を有しながら、デバ
イスに悪影響を及ぼすマイクロパイプ欠陥が皆無で、且
つ積層欠陥が極めて少ないという利点を有する。
【００４８】以下、本発明の種結晶を用いた４Ｈ型Ｓｉ
Ｃ単結晶インゴットの製造方法について具体的に説明す
る。
Ｃ単結晶インゴットの製造方法について具体的に説明す
る。
【００４９】まず本発明で用いられる製造装置について
説明する。図６は、本発明で用いる製造装置であり、種
結晶を用いた改良型レーリー法によってＳｉＣ単結晶を
成長させる装置の一例である。
説明する。図６は、本発明で用いる製造装置であり、種
結晶を用いた改良型レーリー法によってＳｉＣ単結晶を
成長させる装置の一例である。
【００５０】まず、この単結晶成長装置について簡単に
説明する。結晶成長は、種結晶として用いたＳｉＣ単結
晶１の上に原料であるＳｉＣ粉末２を昇華再結晶化させ
ることにより行われる。種結晶のＳｉＣ単結晶１は、黒
鉛製坩堝３の蓋４の内面に取り付けられる。原料のＳｉ
Ｃ粉末２は、黒鉛製坩堝３の内部に充填されている。
説明する。結晶成長は、種結晶として用いたＳｉＣ単結
晶１の上に原料であるＳｉＣ粉末２を昇華再結晶化させ
ることにより行われる。種結晶のＳｉＣ単結晶１は、黒
鉛製坩堝３の蓋４の内面に取り付けられる。原料のＳｉ
Ｃ粉末２は、黒鉛製坩堝３の内部に充填されている。
【００５１】このような黒鉛製坩堝３は、二重石英管５
の内部に、黒鉛の支持棒６により設置される。黒鉛製坩
堝３の周囲には、熱シールドのための黒鉛製フェルト７
が設置されている。二重石英管５は、真空排気装置１１
により高真空排気（１０−３Ｐａ以下）することがで
き、かつ内部雰囲気をＡｒガスにより圧力制御すること
ができる。
の内部に、黒鉛の支持棒６により設置される。黒鉛製坩
堝３の周囲には、熱シールドのための黒鉛製フェルト７
が設置されている。二重石英管５は、真空排気装置１１
により高真空排気（１０−３Ｐａ以下）することがで
き、かつ内部雰囲気をＡｒガスにより圧力制御すること
ができる。
【００５２】Ａｒガスによる圧力制御は、Ａｒガス配管
９およびＡｒガス用マスフローコントローラ１０により
なされる。また、二重石英管５の外周には、ワークコイ
ル８が設置されており、高周波電流を流すことにより黒
鉛製坩堝３を加熱し、原料及び種結晶を所望の温度に加
熱することができる。坩堝温度の計測は、坩堝上部及び
下部を覆うフェルトの中央部に直径２〜４ｍｍの光路を
設け坩堝上部及び下部からの光を取りだし、二色温度計
を用いて行う。坩堝下部の温度を原料温度、坩堝上部の
温度を種温度とする。
９およびＡｒガス用マスフローコントローラ１０により
なされる。また、二重石英管５の外周には、ワークコイ
ル８が設置されており、高周波電流を流すことにより黒
鉛製坩堝３を加熱し、原料及び種結晶を所望の温度に加
熱することができる。坩堝温度の計測は、坩堝上部及び
下部を覆うフェルトの中央部に直径２〜４ｍｍの光路を
設け坩堝上部及び下部からの光を取りだし、二色温度計
を用いて行う。坩堝下部の温度を原料温度、坩堝上部の
温度を種温度とする。
【００５３】このような結晶成長装置を用いて、本発明
に係る４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を製造する。まず、本発明の
４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶１を黒鉛製坩堝３の蓋
４の内面に取り付ける。黒鉛製坩堝３の内部には、原料
２を充填する。次いで、原料を充填した黒鉛製坩堝３
を、種結晶を取り付けた蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７
で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管
５の内部に設置する。
に係る４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を製造する。まず、本発明の
４Ｈ型ＳｉＣ単結晶育成用種結晶１を黒鉛製坩堝３の蓋
４の内面に取り付ける。黒鉛製坩堝３の内部には、原料
２を充填する。次いで、原料を充填した黒鉛製坩堝３
を、種結晶を取り付けた蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７
で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管
５の内部に設置する。
【００５４】そして、石英管の内部を真空排気した後、
ワークコイル８に電流を流し、原料温度を所定温度（通
常２０００℃程度）に上げる。その後、雰囲気ガスとし
てＡｒガスを流入させ、石英管内圧力を所定圧力（通常
約８０ｋＰａ）に保ちながら、原料温度を目標温度（通
常２４００℃程度）まで上昇させる。所定の成長圧力
（通常１．３ｋＰａ程度）に時間をかけて減圧し、その
後、口径が２０ｍｍ以上になるように所定時間単結晶成
長を続け、本発明に係る４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を得ること
ができる。
ワークコイル８に電流を流し、原料温度を所定温度（通
常２０００℃程度）に上げる。その後、雰囲気ガスとし
てＡｒガスを流入させ、石英管内圧力を所定圧力（通常
約８０ｋＰａ）に保ちながら、原料温度を目標温度（通
常２４００℃程度）まで上昇させる。所定の成長圧力
（通常１．３ｋＰａ程度）に時間をかけて減圧し、その
後、口径が２０ｍｍ以上になるように所定時間単結晶成
長を続け、本発明に係る４Ｈ型ＳｉＣ単結晶を得ること
ができる。
【００５５】また一方で、本発明は、上記４Ｈ型ＳｉＣ
単結晶の製造方法によって製造された４Ｈ型ＳｉＣイン
ゴットを加工、研磨してなる、口径２０ｍｍ以上の４Ｈ
型ＳｉＣ単結晶ウエハである。本発明の４Ｈ型ＳｉＣ単
結晶ウエハは、まず、上記で得られた４Ｈ型ＳｉＣ単結
晶インゴットを切り出し、従来汎用の手段によって研磨
することによって製造される。このようにして製造され
るウエハを用いることによって、光学的特性の優れた青
色発光素子、電気的特性の優れた電子デバイスを製作す
ることができる。
単結晶の製造方法によって製造された４Ｈ型ＳｉＣイン
ゴットを加工、研磨してなる、口径２０ｍｍ以上の４Ｈ
型ＳｉＣ単結晶ウエハである。本発明の４Ｈ型ＳｉＣ単
結晶ウエハは、まず、上記で得られた４Ｈ型ＳｉＣ単結
晶インゴットを切り出し、従来汎用の手段によって研磨
することによって製造される。このようにして製造され
るウエハを用いることによって、光学的特性の優れた青
色発光素子、電気的特性の優れた電子デバイスを製作す
ることができる。
【００５６】また一方で、本発明は、上記４Ｈ型ＳｉＣ
単結晶ウエハにエピタキシャル成長してなる４Ｈ型Ｓｉ
Ｃ単結晶エピタキシャルウエハである。該エピタキシャ
ルウエハは、上記で得られた４Ｈ型ＳｉＣ単結晶ウエハ
を基板として用いて、４Ｈ型ＳｉＣのエピタキシャル成
長を行うことによって製造される。
単結晶ウエハにエピタキシャル成長してなる４Ｈ型Ｓｉ
Ｃ単結晶エピタキシャルウエハである。該エピタキシャ
ルウエハは、上記で得られた４Ｈ型ＳｉＣ単結晶ウエハ
を基板として用いて、４Ｈ型ＳｉＣのエピタキシャル成
長を行うことによって製造される。
【００５７】４Ｈ型ＳｉＣのエピタキシャル成長条件
は、特には限定されず適宜好ましい条件を選択すること
が好ましいが、具体的には、成長温度１５００℃、シラ
ン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流
量が、それぞれ１．０〜１０．０×１０-9ｍ3／ｓｅ
ｃ、０．６〜６．０×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、１．０〜１
０．０×１０-5ｍ3／ｓｅｃである条件が挙げられ、本
発明において好ましく用いることができる。
は、特には限定されず適宜好ましい条件を選択すること
が好ましいが、具体的には、成長温度１５００℃、シラ
ン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流
量が、それぞれ１．０〜１０．０×１０-9ｍ3／ｓｅ
ｃ、０．６〜６．０×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、１．０〜１
０．０×１０-5ｍ3／ｓｅｃである条件が挙げられ、本
発明において好ましく用いることができる。
【００５８】成長圧力は、他の成長条件に応じて適宜選
択されることが好ましく、一般的には大気圧である。成
長時間は所望の成長膜厚が得られる程度行えばよく特に
限定されないが、例えば１〜２０時間で、１〜２０μｍ
の膜厚が得られる。このようにして製造されるエピタキ
シャルウエハは、ウエハ全面に渡って非常に平坦で、マ
イクロパイプ欠陥、積層欠陥に起因する表面欠陥の非常
に少ない良好な表面モフォロジーを有する。
択されることが好ましく、一般的には大気圧である。成
長時間は所望の成長膜厚が得られる程度行えばよく特に
限定されないが、例えば１〜２０時間で、１〜２０μｍ
の膜厚が得られる。このようにして製造されるエピタキ
シャルウエハは、ウエハ全面に渡って非常に平坦で、マ
イクロパイプ欠陥、積層欠陥に起因する表面欠陥の非常
に少ない良好な表面モフォロジーを有する。
【００５９】
【実施例】（実施例）上記発明の実施の形態において、
図６を参照して説明した結晶成長装置を用いて、ＳｉＣ
単結晶を製造した。まず、［０００−１］Ｃ方向に成長
した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マイクロパイプ欠陥を含む
が積層欠陥は存在しない）から、（１１−２０）面から
［０００−１］Ｃ方向（［０００−１］Ｃ方向からのず
れは±１°以内）に１０°オフしたウエハを切り出し、
鏡面研磨した後、種結晶とした（口径は、一番小さいと
ころで２０ｍｍであった）。
図６を参照して説明した結晶成長装置を用いて、ＳｉＣ
単結晶を製造した。まず、［０００−１］Ｃ方向に成長
した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マイクロパイプ欠陥を含む
が積層欠陥は存在しない）から、（１１−２０）面から
［０００−１］Ｃ方向（［０００−１］Ｃ方向からのず
れは±１°以内）に１０°オフしたウエハを切り出し、
鏡面研磨した後、種結晶とした（口径は、一番小さいと
ころで２０ｍｍであった）。
【００６０】この後、種結晶１を黒鉛製坩堝３の蓋４の
内面に取り付けた。黒鉛製坩堝３の内部には、原料２を
充填した。次いで、原料を充填した黒鉛製坩堝３を、種
結晶を取り付けた蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７で被覆
した後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管５の内
部に設置した。
内面に取り付けた。黒鉛製坩堝３の内部には、原料２を
充填した。次いで、原料を充填した黒鉛製坩堝３を、種
結晶を取り付けた蓋４で閉じ、黒鉛製フェルト７で被覆
した後、黒鉛製支持棒６の上に乗せ、二重石英管５の内
部に設置した。
【００６１】そして、石英管の内部を真空排気した後、
ワークコイルに電流を流し、原料温度を２０００℃まで
上げた。その後、雰囲気ガスとしてＡｒガスを流入さ
せ、石英管内圧力を約８０ｋＰａに保ちながら、原料温
度を目標温度である２４００℃まで上昇させた。成長圧
力である１．３ｋＰａには約３０分かけて減圧し、その
後約２０時間成長を続けた。この際の坩堝内の温度勾配
は１５℃／ｃｍで、成長速度は約０．８ｍｍ／時であっ
た。得られた結晶の口径は２２ｍｍで、高さは１６ｍｍ
程度であった。
ワークコイルに電流を流し、原料温度を２０００℃まで
上げた。その後、雰囲気ガスとしてＡｒガスを流入さ
せ、石英管内圧力を約８０ｋＰａに保ちながら、原料温
度を目標温度である２４００℃まで上昇させた。成長圧
力である１．３ｋＰａには約３０分かけて減圧し、その
後約２０時間成長を続けた。この際の坩堝内の温度勾配
は１５℃／ｃｍで、成長速度は約０．８ｍｍ／時であっ
た。得られた結晶の口径は２２ｍｍで、高さは１６ｍｍ
程度であった。
【００６２】こうして得られたＳｉＣ単結晶をＸ線回折
及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈ型単一ポリ
タイプのＳｉＣ単結晶が成長したことを確認できた。ま
た、マイクロパイプ欠陥と積層欠陥を評価する目的で、
成長した単結晶インゴットから（０００１）面ウエハと
（−１１００）面ウエハを切り出し、研磨した（これら
２つのウエハは、単結晶インゴットを成長方向に平行に
切断することによって得られる）。
及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈ型単一ポリ
タイプのＳｉＣ単結晶が成長したことを確認できた。ま
た、マイクロパイプ欠陥と積層欠陥を評価する目的で、
成長した単結晶インゴットから（０００１）面ウエハと
（−１１００）面ウエハを切り出し、研磨した（これら
２つのウエハは、単結晶インゴットを成長方向に平行に
切断することによって得られる）。
【００６３】その後、約５３０℃の溶融ＫＯＨでウエハ
表面をエッチングし、顕微鏡により、（０００１）ウエ
ハにおいてはマイクロパイプ欠陥に対応する大型の六角
形エッチピットの数を、（−１１００）面ウエハにおい
ては積層欠陥に対応する線状のエッチピットの数を調べ
たところ、マイクロパイプ欠陥は全く存在せず、また積
層欠陥は平均で４個／ｃｍであることがわかった。
表面をエッチングし、顕微鏡により、（０００１）ウエ
ハにおいてはマイクロパイプ欠陥に対応する大型の六角
形エッチピットの数を、（−１１００）面ウエハにおい
ては積層欠陥に対応する線状のエッチピットの数を調べ
たところ、マイクロパイプ欠陥は全く存在せず、また積
層欠陥は平均で４個／ｃｍであることがわかった。
【００６４】次に、同様にして製造した４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶インゴットから、今度は（１１−２０）面ウエハ
を切り出し（成長方向と垂直に切断。口径は２２ｍ
ｍ）、厚さ３００μｍまで研磨し、ＳｉＣ単結晶（１１
２０）面鏡面ウエハを作製した。
単結晶インゴットから、今度は（１１−２０）面ウエハ
を切り出し（成長方向と垂直に切断。口径は２２ｍ
ｍ）、厚さ３００μｍまで研磨し、ＳｉＣ単結晶（１１
２０）面鏡面ウエハを作製した。
【００６５】さらに、このＳｉＣ単結晶鏡面ウエハを基
板として用いて、ＳｉＣのエピタキシャル成長を行っ
た。ＳｉＣエピタキシャル薄膜の成長条件は、成長温度
１５００℃、シラン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ
3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流量が、それぞれ５．０×１０
-9ｍ3／ｓｅｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、５．０×
１０-5ｍ 3／ｓｅｃであった。成長圧力は大気圧とし
た。成長時間は４時間で、膜厚としては約５μｍ成長し
た。
板として用いて、ＳｉＣのエピタキシャル成長を行っ
た。ＳｉＣエピタキシャル薄膜の成長条件は、成長温度
１５００℃、シラン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ
3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流量が、それぞれ５．０×１０
-9ｍ3／ｓｅｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、５．０×
１０-5ｍ 3／ｓｅｃであった。成長圧力は大気圧とし
た。成長時間は４時間で、膜厚としては約５μｍ成長し
た。
【００６６】エピタキシャル薄膜成長後、ノマルスキー
光学顕微鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面
モフォロジーを観察したところ、ウエハ全面に渡って非
常に平坦で、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥に起因する
表面欠陥の非常に少ない良好な表面モフォロジーを有す
るＳｉＣエピタキシャル薄膜が成長されているのが分か
った。
光学顕微鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面
モフォロジーを観察したところ、ウエハ全面に渡って非
常に平坦で、マイクロパイプ欠陥、積層欠陥に起因する
表面欠陥の非常に少ない良好な表面モフォロジーを有す
るＳｉＣエピタキシャル薄膜が成長されているのが分か
った。
【００６７】また、このエピタキシャルウエハを（−１
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨでエッチ
ングし、エピタキシャル薄膜中の積層欠陥密度を調べた
ところ、基板ウエハと同様に平均で４個／ｃｍであっ
た。
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨでエッチ
ングし、エピタキシャル薄膜中の積層欠陥密度を調べた
ところ、基板ウエハと同様に平均で４個／ｃｍであっ
た。
【００６８】（比較例１）比較例の一つとして、オフ角
度を有しない（１１−２０）面種結晶上へのＳｉＣ単結
晶成長について述べる。種結晶として、［０００−１］
Ｃ方向に成長した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マイクロパイ
プ欠陥を含むが積層欠陥は存在しない）から、（１１−
２０）面ウエハ（（１１−２０）面からのずれは±０．
５°以内）を切り出し、鏡面研磨した後、種結晶とした
（口径は、一番小さいところで２０ｍｍであった）。
度を有しない（１１−２０）面種結晶上へのＳｉＣ単結
晶成長について述べる。種結晶として、［０００−１］
Ｃ方向に成長した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マイクロパイ
プ欠陥を含むが積層欠陥は存在しない）から、（１１−
２０）面ウエハ（（１１−２０）面からのずれは±０．
５°以内）を切り出し、鏡面研磨した後、種結晶とした
（口径は、一番小さいところで２０ｍｍであった）。
【００６９】次に、種結晶１を黒鉛製坩堝３の蓋４の内
面に取り付け、黒鉛製坩堝３の内部に、原料粉末２を充
填した。原料を充填した黒鉛製坩堝３を、蓋４で閉じ、
黒鉛製フェルト７で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に
乗せ、二重石英管５の内部に設置した。
面に取り付け、黒鉛製坩堝３の内部に、原料粉末２を充
填した。原料を充填した黒鉛製坩堝３を、蓋４で閉じ、
黒鉛製フェルト７で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に
乗せ、二重石英管５の内部に設置した。
【００７０】そして、石英管の内部を真空排気した後、
ワークコイルに電流を流し、原料温度を２０００℃まで
上げた。その後、雰囲気ガスとして高純度Ａｒガスを流
入させ、石英管内圧力を約８０ｋＰａに保ちながら、原
料温度を目標温度である２４００℃まで上昇させた。成
長圧力である１．３ｋＰａには約３０分かけて減圧し、
その後約２０時間成長を続けた。この際の坩堝内の温度
勾配は摂氏１５℃／ｃｍで、成長速度は約０．８ｍｍ／
時であった。得られた結晶の口径は２２ｍｍで、高さは
１６ｍｍ程度であった。
ワークコイルに電流を流し、原料温度を２０００℃まで
上げた。その後、雰囲気ガスとして高純度Ａｒガスを流
入させ、石英管内圧力を約８０ｋＰａに保ちながら、原
料温度を目標温度である２４００℃まで上昇させた。成
長圧力である１．３ｋＰａには約３０分かけて減圧し、
その後約２０時間成長を続けた。この際の坩堝内の温度
勾配は摂氏１５℃／ｃｍで、成長速度は約０．８ｍｍ／
時であった。得られた結晶の口径は２２ｍｍで、高さは
１６ｍｍ程度であった。
【００７１】こうして得られたＳｉＣ単結晶をＸ線回折
及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶が成長したことを確認できた。また、マイクロパ
イプ欠陥と積層欠陥を評価する目的で、成長した単結晶
インゴットから（０００１）面ウエハと（−１１００）
面ウエハを切り出し、研磨した。
及びラマン散乱により分析したところ、４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶が成長したことを確認できた。また、マイクロパ
イプ欠陥と積層欠陥を評価する目的で、成長した単結晶
インゴットから（０００１）面ウエハと（−１１００）
面ウエハを切り出し、研磨した。
【００７２】その後、約５３０℃の溶融ＫＯＨでウエハ
表面をエッチングし、顕微鏡により、（０００１）面ウ
エハにおいてはマイクロパイプ欠陥に対応する大型の六
角形エッチピットの数を、（−１１００）面ウエハにお
いては積層欠陥に対応する線状のエッチピットの数を調
べたところ、マイクロパイプ欠陥は全く存在しなかった
ものの、積層欠陥密度は平均で１７０個／ｃｍと大きか
った。
表面をエッチングし、顕微鏡により、（０００１）面ウ
エハにおいてはマイクロパイプ欠陥に対応する大型の六
角形エッチピットの数を、（−１１００）面ウエハにお
いては積層欠陥に対応する線状のエッチピットの数を調
べたところ、マイクロパイプ欠陥は全く存在しなかった
ものの、積層欠陥密度は平均で１７０個／ｃｍと大きか
った。
【００７３】次に、同様にして製造した４Ｈ型のＳｉＣ
単結晶インゴットから、今度は（１１−２０）面ウエハ
を切り出し（口径２２ｍｍ）、厚さ３００μｍまで研磨
し、ＳｉＣ単結晶（１１２０）面鏡面ウエハを作製し
た。さらに、このＳｉＣ単結晶鏡面ウエハを基板として
用いて、ＳｉＣのエピタキシャル成長を行った。ＳｉＣ
エピタキシャル薄膜の成長条件は、成長温度１５００
℃、シラン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素
（Ｈ2）の流量が、それぞれ５．０×１０-9ｍ3／ｓｅ
ｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、５．０×１０-5ｍ3／
ｓｅｃであった。成長圧力は大気圧とした。成長時間は
４時間で、膜厚としては約５μｍ成長した。
単結晶インゴットから、今度は（１１−２０）面ウエハ
を切り出し（口径２２ｍｍ）、厚さ３００μｍまで研磨
し、ＳｉＣ単結晶（１１２０）面鏡面ウエハを作製し
た。さらに、このＳｉＣ単結晶鏡面ウエハを基板として
用いて、ＳｉＣのエピタキシャル成長を行った。ＳｉＣ
エピタキシャル薄膜の成長条件は、成長温度１５００
℃、シラン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ3Ｈ8）、水素
（Ｈ2）の流量が、それぞれ５．０×１０-9ｍ3／ｓｅ
ｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、５．０×１０-5ｍ3／
ｓｅｃであった。成長圧力は大気圧とした。成長時間は
４時間で、膜厚としては約５μｍ成長した。
【００７４】エピタキシャル薄膜成長後、ノマルスキー
光学顕微鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面
モフォロジーを観察したところ、積層欠陥に起因すると
思われる表面欠陥がウエハ表面に観測された。
光学顕微鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面
モフォロジーを観察したところ、積層欠陥に起因すると
思われる表面欠陥がウエハ表面に観測された。
【００７５】また、このエピタキシャルウエハを（−１
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨでエッチ
ングし、エピタキシャル薄膜中の積層欠陥密度を調べた
ところ、基板ウエハと同様に平均で１７０個／ｃｍであ
った。
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨでエッチ
ングし、エピタキシャル薄膜中の積層欠陥密度を調べた
ところ、基板ウエハと同様に平均で１７０個／ｃｍであ
った。
【００７６】（比較例２）別の比較例として、［０００
１］Ｓｉ方向にオフした（１１−２０）面種結晶上への
ＳｉＣ単結晶成長について述べる。種結晶として、［０
００−１］Ｃ方向に成長した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マ
イクロパイプ欠陥を含むが積層欠陥は存在しない）か
ら、（１１−２０）面から［０００１］Ｓｉ方向（［０
００１］Ｓｉ方向からのずれは±１°以内）に１０°オ
フしたウエハを切り出し、鏡面研磨した後、種結晶とし
た（口径は、一番小さいところで２０ｍｍであった）。
１］Ｓｉ方向にオフした（１１−２０）面種結晶上への
ＳｉＣ単結晶成長について述べる。種結晶として、［０
００−１］Ｃ方向に成長した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶（マ
イクロパイプ欠陥を含むが積層欠陥は存在しない）か
ら、（１１−２０）面から［０００１］Ｓｉ方向（［０
００１］Ｓｉ方向からのずれは±１°以内）に１０°オ
フしたウエハを切り出し、鏡面研磨した後、種結晶とし
た（口径は、一番小さいところで２０ｍｍであった）。
【００７７】次に、種結晶１を黒鉛製坩堝３の蓋４の内
面に取り付け、黒鉛製坩堝３の内部に、原料粉末２を充
填した。原料を充填した黒鉛製坩堝３を、蓋４で閉じ、
黒鉛製フェルト７で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に
乗せ、二重石英管５の内部に設置した。
面に取り付け、黒鉛製坩堝３の内部に、原料粉末２を充
填した。原料を充填した黒鉛製坩堝３を、蓋４で閉じ、
黒鉛製フェルト７で被覆した後、黒鉛製支持棒６の上に
乗せ、二重石英管５の内部に設置した。
【００７８】そして、石英管の内部を真空排気した後、
ワークコイルに電流を流し、原料温度を２０００℃まで
上げた。その後、雰囲気ガスとして高純度Ａｒガスを流
入させ、石英管内圧力を約８０ｋＰａに保ちながら、原
料温度を目標温度である２４００℃まで上昇させた。成
長圧力である１．３ｋＰａには約３０分かけて減圧し、
その後約２０時間成長を続けた。この際の坩堝内の温度
勾配は１５℃／ｃｍで、成長速度は約０．７５ｍｍ／時
であった。得られた結晶の口径は２２ｍｍで、高さは１
５ｍｍ程度であった。
ワークコイルに電流を流し、原料温度を２０００℃まで
上げた。その後、雰囲気ガスとして高純度Ａｒガスを流
入させ、石英管内圧力を約８０ｋＰａに保ちながら、原
料温度を目標温度である２４００℃まで上昇させた。成
長圧力である１．３ｋＰａには約３０分かけて減圧し、
その後約２０時間成長を続けた。この際の坩堝内の温度
勾配は１５℃／ｃｍで、成長速度は約０．７５ｍｍ／時
であった。得られた結晶の口径は２２ｍｍで、高さは１
５ｍｍ程度であった。
【００７９】こうして得られたＳｉＣ単結晶をＸ線回折
及びラマン散乱により分析したところ、種結晶のポリタ
イプを引き継いで成長した部分では４Ｈ型、種結晶のポ
リタイプを引き継がないで成長した部分では６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶（ポリタイプの混在したＳｉＣ単結晶）が成
長したことを確認した。
及びラマン散乱により分析したところ、種結晶のポリタ
イプを引き継いで成長した部分では４Ｈ型、種結晶のポ
リタイプを引き継がないで成長した部分では６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶（ポリタイプの混在したＳｉＣ単結晶）が成
長したことを確認した。
【００８０】また、マイクロパイプ欠陥と積層欠陥を評
価する目的で、成長した単結晶インゴットから（０００
１）面ウエハと（−１１００）面ウエハを切り出し、研
磨した。その後、約５３０℃の溶融ＫＯＨでウエハ表面
をエッチングし、顕微鏡により、（０００１）ウエハに
おいてはマイクロパイプ欠陥に対応する大型の六角形エ
ッチピットの数を、（−１１００）面ウエハにおいては
積層欠陥に対応する線状のエッチピットの数を調べたと
ころ、マイクロパイプ欠陥は全く存在しなかったもの
の、４Ｈ型と６Ｈ型のポリタイプの境界で線状のエッチ
ピットが多数発生しているのが分かった。
価する目的で、成長した単結晶インゴットから（０００
１）面ウエハと（−１１００）面ウエハを切り出し、研
磨した。その後、約５３０℃の溶融ＫＯＨでウエハ表面
をエッチングし、顕微鏡により、（０００１）ウエハに
おいてはマイクロパイプ欠陥に対応する大型の六角形エ
ッチピットの数を、（−１１００）面ウエハにおいては
積層欠陥に対応する線状のエッチピットの数を調べたと
ころ、マイクロパイプ欠陥は全く存在しなかったもの
の、４Ｈ型と６Ｈ型のポリタイプの境界で線状のエッチ
ピットが多数発生しているのが分かった。
【００８１】次に、同様にして製造した４Ｈ型と６Ｈ型
のポリタイプが混在したＳｉＣ単結晶インゴットから、
今度は（１１−２０）面ウエハを切り出し（口径２２ｍ
ｍ）、厚さ３００μｍまで研磨しＳｉＣ単結晶（１１２
０）面鏡面ウエハを作製した。
のポリタイプが混在したＳｉＣ単結晶インゴットから、
今度は（１１−２０）面ウエハを切り出し（口径２２ｍ
ｍ）、厚さ３００μｍまで研磨しＳｉＣ単結晶（１１２
０）面鏡面ウエハを作製した。
【００８２】さらに、このＳｉＣ単結晶鏡面ウエハを基
板として用いて、ＳｉＣのエピタキシャル成長を行っ
た。ＳｉＣエピタキシャル薄膜の成長条件は、成長温度
１５００℃、シラン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ
3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流量が、それぞれ５．０×１０
-9ｍ3／ｓｅｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、５．０×
１０-5ｍ 3／ｓｅｃであった。成長圧力は大気圧とし
た。成長時間は４時間で、膜厚としては約５μｍ成長し
た。
板として用いて、ＳｉＣのエピタキシャル成長を行っ
た。ＳｉＣエピタキシャル薄膜の成長条件は、成長温度
１５００℃、シラン（ＳｉＨ4）、プロパン（Ｃ
3Ｈ8）、水素（Ｈ2）の流量が、それぞれ５．０×１０
-9ｍ3／ｓｅｃ、３．３×１０-9ｍ3／ｓｅｃ、５．０×
１０-5ｍ 3／ｓｅｃであった。成長圧力は大気圧とし
た。成長時間は４時間で、膜厚としては約５μｍ成長し
た。
【００８３】エピタキシャル薄膜成長後、まずラマン散
乱によりポリタイプを分析したところ、基板の４Ｈ型の
部分上には４Ｈ型のエピタキシャル層が形成され、また
６Ｈ型の部分上には６Ｈ型のエピタキシャル層が形成さ
れているのが分かった。さらに、ノマルスキー光学顕微
鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面モフォロ
ジーを観察したところ、４Ｈ型と６Ｈ型のポリタイプの
境界に多数の表面欠陥が観測された。
乱によりポリタイプを分析したところ、基板の４Ｈ型の
部分上には４Ｈ型のエピタキシャル層が形成され、また
６Ｈ型の部分上には６Ｈ型のエピタキシャル層が形成さ
れているのが分かった。さらに、ノマルスキー光学顕微
鏡により、得られたエピタキシャル薄膜の表面モフォロ
ジーを観察したところ、４Ｈ型と６Ｈ型のポリタイプの
境界に多数の表面欠陥が観測された。
【００８４】また、このエピタキシャルウエハを（−１
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨエッチン
グで調べたところ、基板ウエハと同様にエピタキシャル
薄膜中の４Ｈ型と６Ｈ型のポリタイプ境界に多数の欠陥
が観測された。
１００）面でへき開し、へき開面を溶融ＫＯＨエッチン
グで調べたところ、基板ウエハと同様にエピタキシャル
薄膜中の４Ｈ型と６Ｈ型のポリタイプ境界に多数の欠陥
が観測された。
【００８５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、種結晶を用いた改良型レーリー法により、マイクロ
パイプ欠陥、積層欠陥等の結晶欠陥が少ない４Ｈ型単一
ポリタイプの大型ＳｉＣ単結晶を再現性良く成長させる
ことができる。このような４Ｈ型ＳｉＣ単結晶ウエハを
用いれば、光学的特性の優れた青色発光素子、電気的特
性の優れた電子デバイスを製作することができる。ま
た、この発明により作製した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶ウエ
ハを用いれば、従来に比べ格段に低損失な電力デバイス
が作製可能である。
ば、種結晶を用いた改良型レーリー法により、マイクロ
パイプ欠陥、積層欠陥等の結晶欠陥が少ない４Ｈ型単一
ポリタイプの大型ＳｉＣ単結晶を再現性良く成長させる
ことができる。このような４Ｈ型ＳｉＣ単結晶ウエハを
用いれば、光学的特性の優れた青色発光素子、電気的特
性の優れた電子デバイスを製作することができる。ま
た、この発明により作製した４Ｈ型のＳｉＣ単結晶ウエ
ハを用いれば、従来に比べ格段に低損失な電力デバイス
が作製可能である。
【図１】 改良レーリー法の原理を説明する図である。
【図２】 六方晶ＳｉＣ単結晶の面指数を説明する図で
ある。
ある。
【図３】 本発明の効果を説明する図である。
【図４】 本発明の種結晶のオフ方向（［０００−１］
Ｃ方向と［０００１］Ｓｉ方向）と成長ポリタイプの関
係を説明する図である。
Ｃ方向と［０００１］Ｓｉ方向）と成長ポリタイプの関
係を説明する図である。
【図５】 本発明の種結晶のオフ方向とオフ角度の関係
を説明する図である。
を説明する図である。
【図６】 本発明の製造方法に用いられる単結晶成長装
置の一例を示す構成図である。
置の一例を示す構成図である。
１ 種結晶（ＳｉＣ単結晶）
２ ＳｉＣ粉末原料
３ 黒鉛製坩堝
４ 黒鉛製坩堝蓋
５ 二重石英管
６ 支持棒
７ 黒鉛製フェルト
８ ワークコイル
９ Ａｒガス配管
１０ Ａｒガス用マスフローコントローラ
１１ 真空排気装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 藤本 辰雄
千葉県富津市新富20−１ 新日本製鐵株式
会社技術開発本部内
Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BE08 DA02 DA18 DA19
DB07 ED02 HA02 HA06 HA12
SA04
Claims (7)
- 【請求項１】 炭化珪素単結晶からなる４Ｈ型炭化珪素
単結晶育成用種結晶であって、該単結晶の（１１−２
０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中心に［−１１０
０］軸方向に−４５°以上４５°以下の範囲にある任意
の一方向に、３°以上６０°以下傾いた面を単結晶育成
面とする４Ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶。 - 【請求項２】 炭化珪素単結晶からなる４Ｈ型炭化珪素
単結晶育成用種結晶であって、該単結晶の（１１−２
０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中心に［−１１０
０］軸方向に−４５°以上４５°以下の範囲にある任意
の一方向に、３°以上３０°以下傾いた面を単結晶育成
面とする４Ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶。 - 【請求項３】 炭化珪素単結晶からなる４Ｈ型炭化珪素
単結晶育成用種結晶であって、該単結晶の（１１−２
０）面から、［０００−１］Ｃ軸を中心に［−１１０
０］軸方向に−４５°以上４５°以下の範囲にある任意
の一方向に、６°以上３０°以下傾いた面を単結晶育成
面とする４Ｈ型炭化珪素単結晶育成用種結晶。 - 【請求項４】 請求項１〜３の何れか１項に記載の４Ｈ
型炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて、昇華再結晶法
により前記種結晶上に４Ｈ型炭化珪素単結晶を成長させ
る工程を包含する４Ｈ型炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の製造方法により得られ
た４Ｈ型炭化珪素単結晶インゴットであって、該インゴ
ットの口径が２０ｍｍ以上である４Ｈ型炭化珪素単結晶
インゴット。 - 【請求項６】 請求項４に記載の製造方法により得られ
た４Ｈ型炭化珪素単結晶インゴットを加工、研磨してな
る４Ｈ型炭化珪素単結晶ウエハであって、かつ、ウエハ
径が２０ｍｍ以上である４Ｈ型炭化珪素単結晶ウエハ。 - 【請求項７】 前記請求項６に記載の４Ｈ型炭化珪素単
結晶ウエハにエピタキシャル成長してなる４Ｈ型炭化珪
素単結晶エピタキシャルウエハ。
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| JP2002152966A JP4157326B2 (ja) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | ４ｈ型炭化珪素単結晶インゴット及びウエハ |
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| AT03715636T ATE491055T1 (de) | 2002-04-04 | 2003-03-31 | Impfkristall aus siliciumcarbid-einkristall und verfahren zur herstellung eines stabs damit |
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| JP2007071747A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 極性半導体の面極性判定方法 |
| WO2007094155A1 (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | ＳｉＣ単結晶の製造方法 |
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| JP2008504203A (ja) * | 2004-06-25 | 2008-02-14 | クリー インコーポレイテッド | １００ミリメートル高純度半絶縁単結晶炭化珪素ウエハ |
| JP2011153074A (ja) * | 2011-05-18 | 2011-08-11 | Kwansei Gakuin | 単結晶炭化ケイ素基板 |
| JP2011220744A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付き炭化珪素バルク単結晶基板 |
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-
2002
- 2002-05-27 JP JP2002152966A patent/JP4157326B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070221119A1 (en) | 2004-05-14 | 2007-09-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of Sic Single Crystal Growth and Sic Single Crystal |
| JP2008504203A (ja) * | 2004-06-25 | 2008-02-14 | クリー インコーポレイテッド | １００ミリメートル高純度半絶縁単結晶炭化珪素ウエハ |
| WO2006115148A1 (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Bridgestone Corporation | 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法 |
| JP2006321707A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法 |
| US8221549B2 (en) | 2005-04-22 | 2012-07-17 | Bridgestone Corporation | Silicon carbide single crystal wafer and producing method thereof |
| JP2007071747A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 極性半導体の面極性判定方法 |
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| JP2011220744A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査方法、及びこの方法を用いた炭化珪素バルク単結晶基板の欠陥検査システム、並びに欠陥情報付き炭化珪素バルク単結晶基板 |
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