JP2003341783A - Board storage device - Google Patents
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を収納し保管
するとともに、基板を運搬するための基板収納装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate storage device for storing and storing substrates and for transporting the substrates.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路装置の製造プロセス等に
おいて、ウェーハの運搬や保管には基板収納装置（ウェ
ーハキャリア）が汎用されている。このウェーハキャリ
アは、ウェーハの帯電を極力回避する要請から、静電気
防止対策として導電性材料を用いてウェーハキャリアを
構成することが必要である。従来では、ウェーハキャリ
アに導電性を持たせるため、カーボンブラックを導電性
フィラーとして用いて当該キャリアを構成していた。2. Description of the Related Art In a semiconductor integrated circuit device manufacturing process or the like, a substrate housing device (wafer carrier) is generally used for transporting and storing wafers. In order to prevent the wafer from being charged as much as possible, it is necessary to form the wafer carrier by using a conductive material as an antistatic measure. Conventionally, in order to make a wafer carrier conductive, carbon black is used as a conductive filler to form the carrier.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】近時では、半導体素子
の更なる微細化・高集積化が進行しており、これに伴い
ウェーハキャリアに求められる静電気防止対策も精緻化
する傾向にあり、当該キャリア全体に亘って均一な低抵
抗値の導電性状態とすることが要求される。しかしなが
ら、カーボンブラックを導電性フィラーとして用いた場
合、所望の導電率を当該キャリア全体に亘って正確に得
ることが困難であるという問題がある。Recently, further miniaturization and high integration of semiconductor elements have been progressing, and along with this, the antistatic measures required for wafer carriers have tended to become more sophisticated. It is required to have a uniform low resistance conductive state over the entire carrier. However, when carbon black is used as the conductive filler, there is a problem that it is difficult to accurately obtain a desired conductivity over the entire carrier.
【０００４】そこで本発明は、上記の課題に鑑みてなさ
れたものであり、容易に所望の低抵抗値に調節すること
ができる材料を用いて構成し、装置全体に亘って均一な
低抵抗値とされてなり、高い機械強度を実現し、基板に
及ぼす静電気を可及的に低減させることを可能とする基
板収納装置を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and is constituted by using a material that can be easily adjusted to a desired low resistance value, and has a uniform low resistance value over the entire apparatus. Therefore, it is an object of the present invention to provide a substrate housing device that realizes high mechanical strength and can reduce static electricity on a substrate as much as possible.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討の
結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。As a result of intensive studies, the present inventor has come up with various aspects of the invention described below.
【０００６】本発明の基板収納装置は、基材となる絶縁
性高分子材料に、結晶構造を有する高分散性のカーボン
を分散して成形することにより、所望の導電率に調節さ
れてなる棚を有する。The substrate storage device of the present invention is a shelf in which highly conductive carbon having a crystalline structure is dispersed and molded in an insulating polymer material as a base material to adjust the conductivity to a desired level. Have.
【０００７】前記カーボンとしては、フラーレン又はカ
ーボンナノチューブを用いることが好適である。It is preferable to use fullerene or carbon nanotubes as the carbon.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】−本発明の基本骨子−
先ず、本発明の基本骨子について説明する。上述したよ
うに、ウェーハキャリアの静電気防止対策として、従来
では当該キャリアの材料（複合体）にカーボンブラック
をその導電性フィラーとして用いていた。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION-Basic Gist of the Present Invention-First, the basic skeleton of the present invention will be described. As described above, as a measure for preventing static electricity on the wafer carrier, conventionally, carbon black has been used as the conductive filler for the carrier material (composite).
【０００９】図１に、カーボンブラックの当該複合体中
の体積分率（充填率）−導電率の関係を示す。このよう
に、充填率の低い領域では、複合体の導電率はほぼ一定
でマトリックスとなる高分子材料の導電率に近い値にな
る。ところが充填率が約７％を超えると、高分子材料内
で分散していたカーボンブラックが導電回路を形成し、
これにより急激な導電率の上昇を生じる（枠Ｆ１内）。
そして充填率の高い領域では一定値に達する。一定値に
達した後は、充填率を増加させても複合体の導電率はほ
とんど変化しない。FIG. 1 shows the relationship between the volume fraction (filling rate) and the conductivity of carbon black in the composite. As described above, in the region where the filling rate is low, the conductivity of the composite is substantially constant and is close to the conductivity of the polymer material serving as the matrix. However, when the filling rate exceeds about 7%, the carbon black dispersed in the polymer material forms a conductive circuit,
This causes a rapid increase in conductivity (inside the frame F1).
Then, it reaches a certain value in the region where the filling rate is high. After reaching a certain value, the conductivity of the composite hardly changes even if the filling rate is increased.
【００１０】今後の静電気防止対策としては、１０
4（Ω・ｃｍ）〜１０11（Ω・ｃｍ）の範囲の抵抗率に
調節した複合体を材料として、ウェーハキャリアを構成
することを要するが、カーボンブラックのように充填率
に対する導電率の変動の激しい材料を用いたのでは上記
した範囲の抵抗率を正確に実現することは極めて困難で
ある。As a countermeasure against static electricity in the future, 10
It is necessary to construct a wafer carrier using a composite material adjusted to a resistivity in the range of 4 (Ω · cm) to 10 11 (Ω · cm), but like carbon black, the change in conductivity with respect to the filling rate is required. It is extremely difficult to accurately realize the resistivity in the above range by using a material having a sharp edge.
【００１１】本発明者は、上記した範囲に抵抗率を正確
且つ容易に調節し、しかも当該キャリアの全体に亘って
均一な低抵抗値を実現するには、高分子材料内に容易に
分散し、結晶構造を形成するカーボン材料が好適である
ことに想到した。本発明では、このようなカーボン材料
の具体例として、フラーレン及びカーボンナノチューブ
を提案する。The inventor of the present invention can easily and accurately adjust the resistivity in the above range and, in order to realize a uniform low resistance value over the entire carrier, easily disperse it in a polymer material. It has been conceived that a carbon material forming a crystal structure is suitable. The present invention proposes fullerenes and carbon nanotubes as specific examples of such carbon materials.
【００１２】フラーレンは、代表的なものとして２０個
の六員環と１２個の五員環の各頂点に６０個の炭素原子
を有するサッカーボール模様を形成しており、カーボン
ブラックと異なり、均一な粒子径を持ち、且つ結晶構造
を有する。従って、高分子材料中における分散性が高
く、低添加量により所望の低抵抗値に調節することがで
き、機械強度を高く保つことができる。また、いわゆる
浸透限界領域が存在しない。The fullerene has a soccer ball pattern having 60 carbon atoms at each apex of 20 six-membered rings and 12 five-membered rings as a typical one, and unlike carbon black, it is uniform. It has a large particle size and a crystalline structure. Therefore, the dispersibility in the polymer material is high, the desired low resistance value can be adjusted by a low addition amount, and the mechanical strength can be kept high. Also, there is no so-called permeation limit region.
【００１３】カーボンナノチューブは、グラフィン（gr
aphene）と称される炭素六角網目がナノメートルオーダ
ーの直径の円筒に丸まった中空の管状であり、この管を
構成する原子層の厚み（グラフィンの枚数）により、単
層ナノチューブと多層ナノチューブの２種類に大別され
る。単層ナノチューブの直径はわずか１ｎｍ〜２ｎｍで
あり、この円筒が入れ子状に多数層重なったものが多層
ナノチューブである。多層ナノチューブはその外形が５
ｎｍ〜５０ｎｍ、中心空洞の直径が２ｎｍ〜１０ｎｍで
ある。どちらのナノチューブも長さが１０ｎｍを超え、
大きなアスペクト比を有する。このカーボンナノチュー
ブは、カーボンブラックと異なり、均一径、均一長を持
ち、且つ結晶構造を有する。従って、高分子材料中にお
ける分散性が高く、低添加量により所望の低抵抗値に調
節することができ、機械強度を高く保つことができる。
また、いわゆる浸透限界領域が存在しない。Carbon nanotubes are graphene (gr
The carbon hexagonal network called aphene) is a hollow tube that is rolled into a cylinder with a diameter on the order of nanometers. It is roughly divided into types. The diameter of the single-walled nanotube is only 1 nm to 2 nm, and a multi-layered nanotube is formed by nesting a number of cylinders. The outer shape of multi-walled nanotubes is 5
nm to 50 nm, and the diameter of the central cavity is 2 to 10 nm. Both nanotubes are over 10 nm long,
Has a large aspect ratio. Unlike carbon black, this carbon nanotube has a uniform diameter and a uniform length, and has a crystal structure. Therefore, the dispersibility in the polymer material is high, the desired low resistance value can be adjusted by a low addition amount, and the mechanical strength can be kept high.
Also, there is no so-called permeation limit region.
【００１４】カーボンナノチューブとしては、価電子が
チューブ軸に垂直な円周方向でその波数が量子化される
こととグラフィンの特殊な原子構造とにより、炭素六角
網目の巻き方に依存して、金属的及び半導体的な導電特
性を有する２種類のものが存在する。本発明では、これ
ら２種のカーボンナノチューブを利用して、半導体素子
やウェーハの種類等に応じた低抵抗率の制御を行う。As carbon nanotubes, the valence electrons are quantized in the circumferential direction perpendicular to the tube axis and the special atomic structure of graphene makes it possible to produce metal There are two types of conductive properties that are conductive and semiconductive. In the present invention, these two types of carbon nanotubes are utilized to control the low resistivity according to the type of semiconductor element or wafer.
【００１５】また、フラーレン又はカーボンナノチュー
ブを分散する高分子材料としては、例えばポリエーテル
エーテルケトンが好ましい。このポリエーテルエーテル
ケトンは、官能基としてＣＨＯを持ち、且つ結合途中に
−Ｏ−を持つため、極性を示す。炭素のみからなるフラ
ーレン又はカーボンナノチューブは、共有結合であるた
めに強い極性は有しない。そのため、ポリエーテルエー
テルケトン中においては適度な分散状態が維持される。As the polymer material in which fullerenes or carbon nanotubes are dispersed, for example, polyether ether ketone is preferable. Since this polyether ether ketone has CHO as a functional group and has -O- in the middle of the bond, it exhibits polarity. Fullerenes or carbon nanotubes composed only of carbon do not have strong polarity because they are covalent bonds. Therefore, an appropriate dispersed state is maintained in the polyether ether ketone.
【００１６】なお、特開２０００−１９５９３７及び特
開２０００−１９５９３８には、ポリエーテル芳香族ケ
トンに、平均繊維直径３μｍ〜２５μｍ、平均繊維長５
０μｍ〜７００００μｍの炭素繊維を混合した材料を用
いて、ウェーハキャリアを構成する技術が開示されてい
る。しかしながらこの場合、１０6（Ω・ｃｍ）〜１０
12（Ω・ｃｍ）の表面抵抗を得ることを目的としてお
り、本発明のように低値側の抵抗値（１０4（Ω・ｃ
ｍ）〜）は得られない。これは、炭素繊維が結晶構造を
有さず、従って分散性にも劣るためである。In JP-A-2000-195937 and JP-A-2000-195938, a polyether aromatic ketone is used, and an average fiber diameter is 3 μm to 25 μm and an average fiber length is 5.
A technique of forming a wafer carrier by using a material in which carbon fibers of 0 μm to 70000 μm are mixed is disclosed. However, in this case, 10 6 (Ω · cm) to 10
The purpose is to obtain a surface resistance of 12 (Ω · cm), and as in the present invention, the resistance value on the low value side (10 4 (Ω · c)
m)-) cannot be obtained. This is because carbon fibers do not have a crystalline structure and therefore have poor dispersibility.
【００１７】また、特開２０００−１９５９３７には、
熱可塑性樹脂と直径１ｎｍ〜１μｍ、長さ１μｍ〜３ｍ
ｍ且つ体積抵抗率１（Ω・ｃｍ）未満の炭素繊維からな
る搬送用治具が開示されている。しかしながらこの場
合、１０8（Ω・ｃｍ）〜１０1 1（Ω・ｃｍ）の表面抵
抗を得ることを目的としており、本発明のように低値側
の抵抗値（１０4（Ω・ｃｍ）〜）は得られない。この
場合も同様に、炭素繊維が結晶構造を有さず、従って分
散性にも劣るためである。Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-195937,
Thermoplastic resin and diameter 1 nm-1 μm, length 1 μm-3 m
Disclosed is a carrying jig made of carbon fiber having m and a volume resistivity of less than 1 (Ω · cm). In this case, however, 10 8 (Ω · cm) ~10 1 1 (Ω · cm) is intended to obtain a surface resistance of the low value end of the resistance value as in the present invention (10 4 (Ω · cm) ~) Cannot be obtained. In this case as well, the carbon fiber does not have a crystal structure, and therefore the dispersibility is poor.
【００１８】更に、特開平７−１２６４３４号公報に
は、長さ０．０１ｍｍ〜１００ｍｍの炭素繊維とノルボ
ルネン系開環重合体水素添加物の配合が開示されている
が、この場合も、本発明のように低値側の抵抗値（１０
4（Ω・ｃｍ）〜）は得られない。ここでも同様に、炭
素繊維が結晶構造を有さず、従って分散性にも劣るため
である。Further, JP-A-7-126434 discloses the blending of carbon fibers having a length of 0.01 mm to 100 mm and a hydrogenated norbornene ring-opening polymer. In this case, the present invention is also used. Resistance value on the low value side (10
4 (Ω · cm) ~) cannot be obtained. This is also because the carbon fiber does not have a crystal structure and the dispersibility is poor.
【００１９】−具体的な諸実施形態−
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について説明
する。-Specific Embodiments- Specific embodiments to which the present invention is applied will be described below.
【００２０】（ウェーハキャリアの具体的構成）初め
に、本発明が適用されるウェーハキャリアの具体的な構
成について説明する。図２は、ウェーハキャリアの概略
構成を示す模式図であり、（ａ）が縦断面図、（ｂ）が
横断面図（（ａ）の破線Ｉ−Ｉに相当する。）である。(Specific Structure of Wafer Carrier) First, the specific structure of the wafer carrier to which the present invention is applied will be described. 2A and 2B are schematic diagrams showing a schematic configuration of the wafer carrier, where FIG. 2A is a vertical cross-sectional view and FIG.
【００２１】このウェーハキャリアは、ウェーハを収納
するための棚１が複数積層された構造を有しており、各
棚１にはウェーハ２がその側部で支持されて図２（ｂ）
のように収納される。このウェーハキャリアは、後述す
るフラーレン又はカーボンナノチューブを含有する複合
体を材料として、例えば射出成形法により一体形成され
る。This wafer carrier has a structure in which a plurality of shelves 1 for accommodating wafers are stacked, and the wafers 2 are supported by the side portions of the shelves 1 as shown in FIG.
It is stored like. This wafer carrier is integrally formed, for example, by an injection molding method using a composite material containing fullerene or carbon nanotubes described later as a material.
【００２２】（実施形態１）本実施形態では、フラーレ
ンを用いたウェーハキャリアを開示する。ウェーハキャ
リアの作製条件を以下に示す。
樹脂母材：
ポリエーテルエーテルケトン（株式会社 帝人製）
フラーレン（Ｃ60）：
９９．９８％（株式会社 Ｔｅｒｍ社製）
樹脂母材への混入添加比率；体積分率で０．０１〜０．
１２
分散状態：ネットワーク状（網目状）(Embodiment 1) In this embodiment, a wafer carrier using fullerenes is disclosed. The manufacturing conditions of the wafer carrier are shown below. Resin base material: Polyether ether ketone (manufactured by Teijin Ltd.) Fullerene (C 60 ): 99.98% (manufactured by Term Co., Ltd.) Addition ratio mixed into resin base material; volume fraction of 0.01 to 0.
12 Distributed state: Network (mesh)
【００２３】先ず、ポリエーテルエーテルケトンにフラ
ーレン（Ｃ60）の練り込みを行い、複合体を作製した。
その際の温度を１５７℃とし、１７分間実行した。フラ
ーレンは均一分散するように入れ、種々の体積分率とな
るように調節した。そして、この複合体を材料とする射
出成型法により、８インチのウェーハキャリアを作製し
た。First, fullerene (C 60 ) was kneaded into polyetheretherketone to prepare a composite.
The temperature at that time was set to 157 ° C., and the operation was performed for 17 minutes. Fullerene was added so as to be uniformly dispersed, and adjusted so as to have various volume fractions. Then, an 8-inch wafer carrier was produced by an injection molding method using this composite material.
【００２４】図３に、フラーレンを絶縁性高分子に充填
した場合の体積分率（充填率）−導電率の関係を表す特
性図を示す。このように、充填率に対する導電率の増加
量が最も急峻となる枠Ｆ２で示す領域においても、導電
率の上昇は図１の枠Ｆ１に比べてなだらかとなる。この
場合、充填率に対する導電率の増加容易に所望の低抵抗
値（表面抵抗：１０4（Ω・ｃｍ）〜１０11（Ω・ｃ
ｍ））に調節することが可能である。量は、充填率が１
％増大するにつれて抵抗率が１／１００となる程度であ
り、所望の抵抗値（表面抵抗：１０4（Ω・ｃｍ）〜１
０11（Ω・ｃｍ））、特にこの範囲内で低抵抗値側（１
０4（Ω・ｃｍ）〜）に容易に調節することが可能であ
る。FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between volume fraction (filling rate) and electrical conductivity when fullerene is filled in an insulating polymer. As described above, even in the region shown by the frame F2 where the increase amount of the conductivity with respect to the filling rate is the steepest, the increase in the conductivity is gentle as compared with the frame F1 of FIG. In this case, it is easy to increase the conductivity with respect to the filling rate, and a desired low resistance value (surface resistance: 10 4 (Ωcm) to 10 11 (Ωc)
m)) can be adjusted. The filling rate is 1
The resistivity becomes about 1/100 as the percentage increases, and a desired resistance value (surface resistance: 10 4 (Ω · cm) to 1) is obtained.
0 11 (Ω · cm)), especially on the low resistance side (1
It can be easily adjusted to 0 4 (Ω · cm) to.
【００２５】（実施形態２）本実施形態では、金属的及
び半導体的の２種類のカーボンナノチューブを用いたウ
ェーハキャリアを開示する。(Embodiment 2) In this embodiment, a wafer carrier using two kinds of carbon nanotubes, metallic and semiconductor, is disclosed.
【００２６】［金属的カーボンナノチューブ］ウェーハ
キャリアの作製条件を以下に示す。
樹脂母材：
ポリエーテルエーテルケトン（株式会社 帝人製）
カーボンナノチューブ：
Graphite Fibrils Grades BN（ハイペリオン・カタリシ
ス・インターナショナル社製）
樹脂母材への混入添加比率；体積分率で０．０１〜０．
１１
分散状態：ネットワーク状（網目状）[Metallic Carbon Nanotube] The conditions for producing a wafer carrier are shown below. Resin base material: Polyetheretherketone (manufactured by Teijin Limited) Carbon nanotube: Graphite Fibrils Grades BN (manufactured by Hyperion Catalysis International) Addition ratio to resin base material;
11 Dispersed state: Network (mesh)
【００２７】先ず、ポリエーテルエーテルケトンに金属
的カーボンナノチューブの練り込みを行い、複合体を作
製した。用いたカーボンナノチューブは、平均直径が３
ｎｍ、及び平均長さが直径の１００〜１００００倍のも
のである。そして、この複合体を材料とする射出成型法
により、８インチ及び１２インチ用のウェーハキャリア
を作製した。First, metallic carbon nanotubes were kneaded into polyetheretherketone to prepare a composite. The carbon nanotubes used have an average diameter of 3
nm, and the average length is 100 to 10,000 times the diameter. Then, an 8-inch wafer carrier and a 12-inch wafer carrier were produced by an injection molding method using this composite material.
【００２８】図４に、金属的カーボンナノチューブを絶
縁性高分子に充填した場合の体積分率（充填率）−導電
率の関係を表す特性図を示す。このように、充填率に対
する導電率の増加量が最も急峻となる枠Ｆ３で示す領域
においても、導電率の上昇は図１の枠Ｆ１に比べてなだ
らかとなる。この場合、充填率に対する導電率の増加量
は、充填率が１％増大するにつれて抵抗率が１／１０と
なる程度であり、所望の抵抗値（表面抵抗：１０4（Ω
・ｃｍ）〜１０1 1（Ω・ｃｍ））、特にこの範囲内で低
抵抗値側（１０4（Ω・ｃｍ）〜）に容易に調節するこ
とが可能である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the volume fraction (filling rate) and the electrical conductivity in the case where the insulating polymer is filled with metallic carbon nanotubes. As described above, even in the region shown by the frame F3 where the increase amount of the conductivity with respect to the filling rate is the steepest, the increase in the conductivity is gentle as compared with the frame F1 of FIG. In this case, the amount of increase in conductivity with respect to the filling rate is such that the resistivity becomes 1/10 as the filling rate increases by 1%, and the desired resistance value (surface resistance: 10 4 (Ω
· Cm) ~10 1 1 (Ω · cm)), it is possible in particular to readily adjusted to a low resistance value side within this range (10 4 (Ω · cm) ~).
【００２９】［半導体的カーボンナノチューブ］ウェー
ハキャリアの作製条件を以下に示す。
樹脂母材：
ポリエーテルエーテルケトン（株式会社 帝人製）
カーボンナノチューブ：
（富士通研究所製）
樹脂母材への混入添加比率；体積分率で０．０１〜０．
１９
分散状態：アグロメレーション[Semiconductor Carbon Nanotube] The conditions for producing the wafer carrier are shown below. Resin base material: Polyetheretherketone (manufactured by Teijin Limited) Carbon nanotubes: (manufactured by Fujitsu Laboratories) Addition ratio to resin base material; volume ratio of 0.01 to 0.
19 Dispersion: Agglomeration
【００３０】先ず、ポリエーテルエーテルケトンに半導
体的カーボンナノチューブの練り込みを行い、複合体を
作製した。そして、この複合体を材料とする射出成型法
により、８インチのウェーハキャリアを作製した。First, a semiconducting carbon nanotube was kneaded into polyetheretherketone to prepare a composite. Then, an 8-inch wafer carrier was produced by an injection molding method using this composite material.
【００３１】図５に、半導体的カーボンナノチューブを
絶縁性高分子に充填した場合の体積分率（充填率）−導
電率の関係を表す特性図を示す。このように、半導体的
性質により充填率に対する導電率の増加量は小さく、導
電率の上昇は図１の枠Ｆ１に比べて遥かになだらかとな
る。この場合、充填率に対する導電率の増加量は、充填
率が１０％増大するにつれて抵抗率が１／１０となる程
度であり、所望の抵抗値（表面抵抗：１０4（Ω・ｃ
ｍ）〜１０11（Ω・ｃｍ））、特にこの範囲内で低抵抗
値側（１０4（Ω・ｃｍ）〜）に容易に調節することが
可能である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the volume fraction (filling ratio) and the conductivity when the semiconducting carbon nanotubes are filled with the insulating polymer. As described above, the amount of increase in conductivity with respect to the filling rate is small due to the semiconductor property, and the increase in conductivity is much gentler than that in the frame F1 in FIG. In this case, the amount of increase in conductivity with respect to the filling rate is such that the resistivity becomes 1/10 as the filling rate increases by 10%, and the desired resistance value (surface resistance: 10 4 (Ω · c
m) to 10 11 (Ω · cm)), and particularly within this range, it is possible to easily adjust to the low resistance value side (10 4 (Ω · cm) to).
【００３２】以上説明したように、本発明を適用したウ
ェーハキャリアによれば、容易に所望の低抵抗値に調節
することができる材料を用いて構成し、当該キャリア全
体に亘って均一な低抵抗値とされてなり、高い機械強度
を実現し、基板に及ぼす静電気を可及的に低減させるこ
とが可能となる。As explained above, according to the wafer carrier to which the present invention is applied, the wafer carrier is made of a material that can be easily adjusted to a desired low resistance value, and a uniform low resistance is provided over the entire carrier. It is possible to realize high mechanical strength and reduce static electricity on the substrate as much as possible.
【００３３】以下、本発明の諸態様を付記としてまとめ
て記載する。The various aspects of the present invention will be collectively described below as supplementary notes.
【００３４】（付記１）基材となる絶縁性高分子材料
に、結晶構造を有する高分散性のカーボンを分散して成
形することにより、所望の導電率に調節されてなる棚を
有することを特徴とする基板収納装置。(Supplementary Note 1) A high-dispersion carbon having a crystal structure is dispersed and molded in an insulating polymer material as a base material to form a shelf having a desired conductivity. Characteristic substrate storage device.
【００３５】（付記２）前記カーボンがフラーレンであ
ることを特徴とする付記１に記載の基板収納装置。(Supplementary Note 2) The substrate accommodating apparatus according to Supplementary Note 1, wherein the carbon is fullerene.
【００３６】（付記３）前記カーボンがカーボンナノチ
ューブであることを特徴とする付記１に記載の基板収納
装置。(Supplementary Note 3) The substrate accommodating apparatus according to Supplementary Note 1, wherein the carbon is a carbon nanotube.
【００３７】（付記４）前記カーボンナノチューブは、
金属的な導電特性を有することを特徴とする付記３に記
載の基板収納装置。(Supplementary Note 4) The carbon nanotubes are
4. The substrate housing device according to appendix 3, which has a metallic conductive property.
【００３８】（付記５）前記カーボンナノチューブは、
半導体的な導電特性を有することを特徴とする付記３に
記載の基板収納装置。(Supplementary Note 5) The carbon nanotubes are
4. The substrate housing device according to appendix 3, which has a semiconductor-like conductive characteristic.
【００３９】（付記６）表面抵抗が１０4（Ω・ｃｍ）
〜１０11（Ω・ｃｍ）の範囲内にあることを特徴とする
付記１〜５のいずれか１項に記載の基板収納装置。(Appendix 6) Surface resistance is 10 4 (Ω · cm)
The substrate storage device according to any one of appendices 1 to 5, which is in the range of 10 11 (Ω · cm).
【００４０】（付記７）前記カーボンの分散状態がネッ
トワーク構造であることを特徴とする付記１〜６のいず
れか１項に記載の基板収納装置。(Supplementary Note 7) The substrate accommodating apparatus according to any one of Supplementary Notes 1 to 6, wherein the dispersed state of the carbon has a network structure.
【００４１】（付記８）前記カーボンの分散状態がアグ
ロメレーションであることを特徴とする付記１〜６のい
ずれか１項に記載の基板収納装置。(Supplementary Note 8) The substrate accommodating apparatus according to any one of Supplementary notes 1 to 6, wherein the dispersed state of the carbon is agglomeration.
【００４２】（付記９）前記絶縁性高分子材料は非結晶
性のものであることを特徴とする付記１〜８のいずれか
１項に記載の基板収納装置。(Supplementary Note 9) The substrate accommodating apparatus according to any one of Supplementary Notes 1 to 8, wherein the insulating polymer material is amorphous.
【００４３】[0043]
【発明の効果】本発明の基板収納装置によれば、容易に
所望の低抵抗値に調節することができる材料を用いて構
成し、装置全体に亘って均一な低抵抗値とされてなり、
高い機械強度を実現し、基板に及ぼす静電気を可及的に
低減させることが可能となる。According to the substrate accommodating apparatus of the present invention, a material that can be easily adjusted to a desired low resistance value is used, and a uniform low resistance value is provided over the entire apparatus.
It is possible to realize high mechanical strength and reduce static electricity on the substrate as much as possible.
【図１】カーボンブラックの複合体中の体積分率（充填
率）−導電率の関係を示す特性図である。FIG. 1 is a characteristic diagram showing a relationship of volume fraction (filling rate) -conductivity in a carbon black composite.
【図２】本実施形態のウェーハキャリアの概略構成を示
す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a wafer carrier of this embodiment.
【図３】フラーレンを絶縁性高分子に充填した場合の体
積分率（充填率）−導電率の関係を表す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between volume fraction (filling rate) and electrical conductivity when fullerene is filled in an insulating polymer.
【図４】金属的カーボンナノチューブを絶縁性高分子に
充填した場合の体積分率（充填率）−導電率の関係を表
す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between volume fraction (filling rate) and conductivity when an insulating polymer is filled with metallic carbon nanotubes.
【図５】半導体的カーボンナノチューブを絶縁性高分子
に充填した場合の体積分率（充填率）−導電率の関係を
表す特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing a relationship between volume fraction (filling rate) and electrical conductivity when a semiconducting carbon nanotube is filled in an insulating polymer.
【符号の説明】 １ 棚 ２ ウェーハ[Explanation of symbols] 1 shelf 2 wafers
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3E096 AA06 BA16 BB04 CA09 CB03 CC02 DB01 DC01 EA02X FA07 GA01 4J002 AA001 AA011 CH091 DA016 FD116 GQ00 GQ02 GT00 5F031 CA02 DA01 EA02 EA03 PA21 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F-term (reference) 3E096 AA06 BA16 BB04 CA09 CB03 CC02 DB01 DC01 EA02X FA07 GA01 4J002 AA001 AA011 CH091 DA016 FD116 GQ00 GQ02 GT00 5F031 CA02 DA01 EA02 EA03 PA21
Claims (5)
造を有する高分散性のカーボンを分散して成形すること
により、所望の導電率に調節されてなる棚を有すること
を特徴とする基板収納装置。1. A shelf having a conductivity adjusted to a desired value by dispersing and molding highly dispersible carbon having a crystalline structure in an insulating polymer material as a base material. Substrate storage device.
特徴とする請求項１に記載の基板収納装置。2. The substrate storage device according to claim 1, wherein the carbon is fullerene.
あることを特徴とする請求項１に記載の基板収納装置。3. The substrate housing device according to claim 1, wherein the carbon is a carbon nanotube.
（Ω・ｃｍ）の範囲内にあることを特徴とする請求項１
〜３のいずれか１項に記載の基板収納装置。4. The surface resistance is 10 4 (Ω · cm) to 10 11
It is in the range of (Ω · cm).
4. The substrate storage device according to any one of 3 to 3.
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に
記載の基板収納装置。5. The substrate housing device according to claim 1, wherein the insulating polymer material is an amorphous material.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154104A JP2003341783A (en) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | Board storage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154104A JP2003341783A (en) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | Board storage device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003341783A true JP2003341783A (en) | 2003-12-03 |
Family
ID=29770979
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002154104A Withdrawn JP2003341783A (en) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | Board storage device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003341783A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008140949A (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Clamp fixture for semiconductor wafer |
| WO2015087416A1 (en) * | 2013-12-11 | 2015-06-18 | ミライアル株式会社 | Substrate-accommodating container |
| WO2020184353A1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 秀洋 益子 | Substrate storage container |
-
2002
- 2002-05-28 JP JP2002154104A patent/JP2003341783A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008140949A (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Clamp fixture for semiconductor wafer |
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| JP6781998B1 (en) * | 2019-03-08 | 2020-11-11 | 秀洋 益子 | Board storage container |
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