JP2003338038A - 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 追記型の光記録媒体に対し、記録線速度を非
常に高く設定して情報を記録する場合に好適な情報記録
方法を提供する。 【解決手段】 基板上に設けられた記録層を有する追記
型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パ
ワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変
調されたレーザビームを照射することによって記録層を
物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって記録
層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法で
あって、記録パワー（Ｐｗ）と第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定
し、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に設定して前記記録マー
クを形成する。これにより、５ｍ／ｓ以上の記録線速度
でのデータの記録を実現することができるとともに、比
較的安価な低出力である半導体レーザを使用することが
可能となる。
常に高く設定して情報を記録する場合に好適な情報記録
方法を提供する。 【解決手段】 基板上に設けられた記録層を有する追記
型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パ
ワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変
調されたレーザビームを照射することによって記録層を
物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって記録
層の所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法で
あって、記録パワー（Ｐｗ）と第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定
し、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に設定して前記記録マー
クを形成する。これにより、５ｍ／ｓ以上の記録線速度
でのデータの記録を実現することができるとともに、比
較的安価な低出力である半導体レーザを使用することが
可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体への情
報記録方法に関し、特に、追記型の光記録媒体への情報
記録方法に関する。また、本発明は、光記録媒体に情報
を記録するための情報記録装置に関し、特に、追記型の
光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関す
る。さらに、本発明は、光記録媒体に関し、特に、追記
型の光記録媒体に関する。
報記録方法に関し、特に、追記型の光記録媒体への情報
記録方法に関する。また、本発明は、光記録媒体に情報
を記録するための情報記録装置に関し、特に、追記型の
光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関す
る。さらに、本発明は、光記録媒体に関し、特に、追記
型の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、デジタルデータを記録するた
めの記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録
媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、Ｃ
Ｄ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのようにデータの追記や書
き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録
媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのようにデータの追記
はできるがデータの書き換えができないタイプの光記録
媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−Ｒ
Ｗのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒
体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができ
る。
めの記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録
媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、Ｃ
Ｄ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのようにデータの追記や書
き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録
媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのようにデータの追記
はできるがデータの書き換えができないタイプの光記録
媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−Ｒ
Ｗのようにデータの書き換えが可能なタイプの光記録媒
体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができ
る。
【０００３】広く知られているように、ＲＯＭ型光記録
媒体においては、製造段階において基板に形成されるプ
リピットによりデータが記録されることが一般的であ
り、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層
の材料として相変化材料が用られ、その相状態の変化に
基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されるこ
とが一般的である。
媒体においては、製造段階において基板に形成されるプ
リピットによりデータが記録されることが一般的であ
り、書き換え型光記録媒体においては、例えば、記録層
の材料として相変化材料が用られ、その相状態の変化に
基づく光学特性の変化を利用してデータが記録されるこ
とが一般的である。
【０００４】これに対し、追記型光記録媒体において
は、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニ
ン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その不可
逆的な化学的変化（場合によっては化学的変化に加えて
物理的変形を伴うことがある）に基づく光学特性の変化
を利用してデータが記録されることが一般的である。ま
た、記録層として複数の反応層を積層したタイプの追記
型光記録媒体も知られており（特開昭６２−２０４４４
２号公報参照）、このようなタイプの光記録媒体に対し
てデータを記録する場合、記録層の所定の領域にレーザ
ビームを照射することによってこれら複数の反応層を構
成する元素を混合させる。かかる混合部分は、未混合部
分とは異なる光学特性が得られることから、これを記録
マークとして用いることが可能となる。ここで、記録マ
ークを形成するために照射するレーザビームの最適な強
度変調方法は、一般的に「パルス列パターン」或いは
「記録ストラテジ」等と呼ばれるが、本明細書において
は「パルス列パターン」と称する。
は、記録層の材料としてシアニン系色素、フタロシアニ
ン系色素、アゾ色素等の有機色素が用いられ、その不可
逆的な化学的変化（場合によっては化学的変化に加えて
物理的変形を伴うことがある）に基づく光学特性の変化
を利用してデータが記録されることが一般的である。ま
た、記録層として複数の反応層を積層したタイプの追記
型光記録媒体も知られており（特開昭６２−２０４４４
２号公報参照）、このようなタイプの光記録媒体に対し
てデータを記録する場合、記録層の所定の領域にレーザ
ビームを照射することによってこれら複数の反応層を構
成する元素を混合させる。かかる混合部分は、未混合部
分とは異なる光学特性が得られることから、これを記録
マークとして用いることが可能となる。ここで、記録マ
ークを形成するために照射するレーザビームの最適な強
度変調方法は、一般的に「パルス列パターン」或いは
「記録ストラテジ」等と呼ばれるが、本明細書において
は「パルス列パターン」と称する。
【０００５】図９は、有機色素を用いたＣＤ−Ｒに対し
てデータを記録する場合の代表的なパルス列パターンを
示す図であり、ＥＦＭ変調方式における３Ｔ信号〜１１
Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示してい
る。
てデータを記録する場合の代表的なパルス列パターンを
示す図であり、ＥＦＭ変調方式における３Ｔ信号〜１１
Ｔ信号を記録する場合のパルス列パターンを示してい
る。
【０００６】図９に示すように、ＣＤ−Ｒに対してデー
タを記録する場合、形成すべき記録マーク（ピット）Ｍ
の長さに相当する幅の記録パルスが用いられることが一
般的である（特開２０００−１８７８４２号公報参
照）。すなわち、レーザビームの強度は、記録マークＭ
を形成しない領域（ブランク領域）において基底パワー
（Ｐｂ）に固定され、記録マークＭを形成すべき領域に
おいて記録パワー（Ｐｗ）に固定される。これにより、
記録マークＭを形成すべき領域においては、記録層に含
まれる有機色素が分解・変質し、場合によっては記録層
の当該領域が変形することによって記録マークＭが形成
される。尚、ＣＤ−Ｒの等倍速における記録線速度は約
１．２ｍ／ｓである。
タを記録する場合、形成すべき記録マーク（ピット）Ｍ
の長さに相当する幅の記録パルスが用いられることが一
般的である（特開２０００−１８７８４２号公報参
照）。すなわち、レーザビームの強度は、記録マークＭ
を形成しない領域（ブランク領域）において基底パワー
（Ｐｂ）に固定され、記録マークＭを形成すべき領域に
おいて記録パワー（Ｐｗ）に固定される。これにより、
記録マークＭを形成すべき領域においては、記録層に含
まれる有機色素が分解・変質し、場合によっては記録層
の当該領域が変形することによって記録マークＭが形成
される。尚、ＣＤ−Ｒの等倍速における記録線速度は約
１．２ｍ／ｓである。
【０００７】図１０は、有機色素を用いたＤＶＤ−Ｒに
対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パター
ンを示す図であり、８／１６変調方式における７Ｔ信号
を記録する場合のパルス列パターンを示している。
対してデータを記録する場合の代表的なパルス列パター
ンを示す図であり、８／１６変調方式における７Ｔ信号
を記録する場合のパルス列パターンを示している。
【０００８】ＤＶＤ−Ｒに対してはＣＤ−Ｒと比べて高
い記録線速度でデータの記録が行われることから、ＣＤ
−Ｒに対してデータを記録する場合のように記録マーク
（ピット）Ｍの長さに相当する幅の記録パルスを用いる
と、形成される記録マーク（ピット）Ｍの形状を良好と
することが困難である。このため、ＤＶＤ−Ｒに対して
データを記録する場合には、図１０に示すように、形成
すべき一つの記録マークに対し、その長さに応じた数に
分割されたパルス列を用いた記録が行われる。具体的に
は、ｎＴ（ｎは、８／１６変調方式においては３〜１１
及び１４の整数である）信号を形成するためにｎ−２個
の分割パルスを用い、レーザビームの強度を分割パルス
のピークにおいて記録パワー（Ｐｗ）、その他は基底パ
ワー（Ｐｂ）に設定される。本明細書においては、この
ようなパルス列パターンを「基本パルス列パターン」と
称する。尚、ＤＶＤ−Ｒの等倍速における記録線速度は
約３．５ｍ／ｓである。
い記録線速度でデータの記録が行われることから、ＣＤ
−Ｒに対してデータを記録する場合のように記録マーク
（ピット）Ｍの長さに相当する幅の記録パルスを用いる
と、形成される記録マーク（ピット）Ｍの形状を良好と
することが困難である。このため、ＤＶＤ−Ｒに対して
データを記録する場合には、図１０に示すように、形成
すべき一つの記録マークに対し、その長さに応じた数に
分割されたパルス列を用いた記録が行われる。具体的に
は、ｎＴ（ｎは、８／１６変調方式においては３〜１１
及び１４の整数である）信号を形成するためにｎ−２個
の分割パルスを用い、レーザビームの強度を分割パルス
のピークにおいて記録パワー（Ｐｗ）、その他は基底パ
ワー（Ｐｂ）に設定される。本明細書においては、この
ようなパルス列パターンを「基本パルス列パターン」と
称する。尚、ＤＶＤ−Ｒの等倍速における記録線速度は
約３．５ｍ／ｓである。
【０００９】また、図１０に示すように、基本パルス列
パターンにおいては、基底パワー（Ｐｂ）のレベルは、
データ再生に用いられる再生パワー（Ｐｒ）と等しいか
これに近いレベルに設定されている。
パターンにおいては、基底パワー（Ｐｂ）のレベルは、
データ再生に用いられる再生パワー（Ｐｒ）と等しいか
これに近いレベルに設定されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年、データの
記録密度が高められ、且つ、非常に高いデータ転送レー
トを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されてい
る。このような次世代型の光記録媒体においては、高デ
ータ転送レートを実現するため記録線速度が従来の光記
録媒体に比べて非常に高く設定されるが、一般に、追記
型の光記録媒体において記録マークの形成に必要な記録
パワー（Ｐｗ）は記録線速度の平方根に略比例すること
から、次世代型の光記録媒体に対するデータの記録にお
いては、高出力の半導体レーザが必要とされる。また、
次世代型の光記録媒体に対するデータの記録において
は、レーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞
らなければならず、ビームスポット径を小さく絞るため
には、レーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束
するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／Ｎ
Ａ）を６４０ｎｍ以下、例えば、開口数（ＮＡ）を０．
７以上、特に、０．８５程度まで大きくするとともに、
レーザビームの波長λを４５０ｎｍ以下、特に４０５ｎ
ｍ程度まで短くする必要がある。
記録密度が高められ、且つ、非常に高いデータ転送レー
トを実現可能な次世代型の光記録媒体が提案されてい
る。このような次世代型の光記録媒体においては、高デ
ータ転送レートを実現するため記録線速度が従来の光記
録媒体に比べて非常に高く設定されるが、一般に、追記
型の光記録媒体において記録マークの形成に必要な記録
パワー（Ｐｗ）は記録線速度の平方根に略比例すること
から、次世代型の光記録媒体に対するデータの記録にお
いては、高出力の半導体レーザが必要とされる。また、
次世代型の光記録媒体に対するデータの記録において
は、レーザビームのビームスポット径を非常に小さく絞
らなければならず、ビームスポット径を小さく絞るため
には、レーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束
するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／Ｎ
Ａ）を６４０ｎｍ以下、例えば、開口数（ＮＡ）を０．
７以上、特に、０．８５程度まで大きくするとともに、
レーザビームの波長λを４５０ｎｍ以下、特に４０５ｎ
ｍ程度まで短くする必要がある。
【００１１】しかしながら、現状では、このような短波
長のレーザビームを生成する半導体レーザは、波長λ＝
７８０ｎｍ或いは６５０ｎｍのレーザビームを生成する
ＣＤ用或いはＤＶＤ用の半導体レーザと比べて高出力化
が困難であり、また、高出力型の半導体レーザは比較的
高価である。このため、上記基本パルス列パターンを用
いた場合、データ転送レートを高めるために高価な半導
体レーザを使用する必要が生じるとともに、場合によっ
ては、目的とするデータ転送レートを実現できないおそ
れがあることが明らかとなった。このような問題は、記
録線速度が５ｍ／ｓ以上である場合に深刻となり、記録
線速度が１０ｍ／ｓ以上となると特に深刻となる。
長のレーザビームを生成する半導体レーザは、波長λ＝
７８０ｎｍ或いは６５０ｎｍのレーザビームを生成する
ＣＤ用或いはＤＶＤ用の半導体レーザと比べて高出力化
が困難であり、また、高出力型の半導体レーザは比較的
高価である。このため、上記基本パルス列パターンを用
いた場合、データ転送レートを高めるために高価な半導
体レーザを使用する必要が生じるとともに、場合によっ
ては、目的とするデータ転送レートを実現できないおそ
れがあることが明らかとなった。このような問題は、記
録線速度が５ｍ／ｓ以上である場合に深刻となり、記録
線速度が１０ｍ／ｓ以上となると特に深刻となる。
【００１２】以上のような問題は、記録層が複数の反応
層の積層体からなるタイプの追記型光記録媒体において
特に顕著である。
層の積層体からなるタイプの追記型光記録媒体において
特に顕著である。
【００１３】したがって、本発明の目的は、追記型の光
記録媒体に対し、記録線速度を非常に高く設定して情報
を記録する場合に好適な情報記録方法を提供することで
ある。
記録媒体に対し、記録線速度を非常に高く設定して情報
を記録する場合に好適な情報記録方法を提供することで
ある。
【００１４】また、本発明の他の目的は、記録層が積層
された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体に適し
た情報記録方法を提供することである。
された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体に適し
た情報記録方法を提供することである。
【００１５】また、本発明のさらに他の目的は、追記型
の光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置であ
って、記録線速度を非常に高く設定して情報を記録する
ことが可能な情報記録装置を提供することである。
の光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置であ
って、記録線速度を非常に高く設定して情報を記録する
ことが可能な情報記録装置を提供することである。
【００１６】また、本発明のさらに他の目的は、記録層
が積層された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体
に情報を記録するための情報記録装置であって、良好な
形状の記録マークを形成することが可能な情報記録装置
を提供することである。
が積層された複数の反応層からなるタイプの光記録媒体
に情報を記録するための情報記録装置であって、良好な
形状の記録マークを形成することが可能な情報記録装置
を提供することである。
【００１７】また、本発明のさらに他の目的は、追記型
の光記録媒体であって、記録線速度を非常に高く設定し
て情報を記録することが可能な光記録媒体を提供するこ
とである。
の光記録媒体であって、記録線速度を非常に高く設定し
て情報を記録することが可能な光記録媒体を提供するこ
とである。
【００１８】また、本発明のさらに他の目的は、記録層
が積層された複数の反応層からなる光記録媒体であっ
て、良好な形状の記録マークを形成することが可能な光
記録媒体を提供することである。
が積層された複数の反応層からなる光記録媒体であっ
て、良好な形状の記録マークを形成することが可能な光
記録媒体を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、追記型の
光記録媒体、特に、記録層が積層された複数の反応層か
らなるタイプの光記録媒体に対して、より低い記録パワ
ー（Ｐｗ）を用いて記録マークを形成する方法について
研究を重ねた結果、基本パルス列パターンにおける基底
パワー（Ｐｂ）を高めることによって記録パワー（Ｐ
ｗ）による加熱を補助することにより、より低い記録パ
ワー（Ｐｗ）にて記録マークの形成が可能であることを
見いだした。ここで、基本パルス列パターンとしては、
上述のようにｎ−２個の分割パルスを用いる場合のみな
らず、ｎ個またはｎ−１個の分割パルスを用いる場合も
含まれ、８／１６変調方式においてはｎ−２個の分割パ
ルス、１，７ＲＬＬ変調方式においてはｎ−１個の分割
パルスを用いることが好ましい。
光記録媒体、特に、記録層が積層された複数の反応層か
らなるタイプの光記録媒体に対して、より低い記録パワ
ー（Ｐｗ）を用いて記録マークを形成する方法について
研究を重ねた結果、基本パルス列パターンにおける基底
パワー（Ｐｂ）を高めることによって記録パワー（Ｐ
ｗ）による加熱を補助することにより、より低い記録パ
ワー（Ｐｗ）にて記録マークの形成が可能であることを
見いだした。ここで、基本パルス列パターンとしては、
上述のようにｎ−２個の分割パルスを用いる場合のみな
らず、ｎ個またはｎ−１個の分割パルスを用いる場合も
含まれ、８／１６変調方式においてはｎ−２個の分割パ
ルス、１，７ＲＬＬ変調方式においてはｎ−１個の分割
パルスを用いることが好ましい。
【００２０】本発明は、このような技術的知見に基づき
なされたものであって、基板上に設けられた記録層を有
する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくと
も記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）
に強度変調されたレーザビームを照射することによって
前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これ
によって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成す
る情報記録方法であって、前記記録パワー（Ｐｗ）と前
記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）
を０．１〜０．５に設定し、記録線速度を５ｍ／ｓ以上
に設定して前記記録マークを形成することを特徴とす
る。
なされたものであって、基板上に設けられた記録層を有
する追記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくと
も記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）
に強度変調されたレーザビームを照射することによって
前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これ
によって前記記録層の所定の領域に記録マークを形成す
る情報記録方法であって、前記記録パワー（Ｐｗ）と前
記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）
を０．１〜０．５に設定し、記録線速度を５ｍ／ｓ以上
に設定して前記記録マークを形成することを特徴とす
る。
【００２１】本発明によれば、第１の基底パワー（Ｐｂ
１）を高めることによって記録パワー（Ｐｗ）による加
熱を補助していることから、追記型の光記録媒体にデー
タを記録する場合に必要な記録パワー（Ｐｗ）のレベル
を抑制することが可能となる。これにより、５ｍ／ｓ以
上の記録線速度でのデータの記録を実現することができ
るとともに、比較的安価な低出力である半導体レーザを
使用することが可能となる。
１）を高めることによって記録パワー（Ｐｗ）による加
熱を補助していることから、追記型の光記録媒体にデー
タを記録する場合に必要な記録パワー（Ｐｗ）のレベル
を抑制することが可能となる。これにより、５ｍ／ｓ以
上の記録線速度でのデータの記録を実現することができ
るとともに、比較的安価な低出力である半導体レーザを
使用することが可能となる。
【００２２】本発明の好ましい実施態様においては、最
短ブランク間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔
／記録線速度）を２０ｎｓ以下に設定して前記記録マー
クを形成する。
短ブランク間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔
／記録線速度）を２０ｎｓ以下に設定して前記記録マー
クを形成する。
【００２３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定し、且つ、前記
記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）
との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．２〜０．５に設定する。
は、記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定し、且つ、前記
記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）
との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．２〜０．５に設定する。
【００２４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．３〜０．４５
に設定する。
は、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．３〜０．４５
に設定する。
【００２５】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マーク
の長さに基づく数の分割パルスからなる。
は、前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マーク
の長さに基づく数の分割パルスからなる。
【００２６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、少なくとも一つの記録マークを形成する際、最後の
前記分割パルスの後方に前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）よりも強度の低い第２の基底パワー（Ｐｂ２）から
なる冷却期間を挿入する。これによれば、記録パワー
（Ｐｗ）の予熱によって記録マークの後縁部が後方にず
れる現象を抑制することができる。したがって、高い記
録線速度で記録を行う場合であっても、良好な信号特性
を得ることが可能となる。
は、少なくとも一つの記録マークを形成する際、最後の
前記分割パルスの後方に前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）よりも強度の低い第２の基底パワー（Ｐｂ２）から
なる冷却期間を挿入する。これによれば、記録パワー
（Ｐｗ）の予熱によって記録マークの後縁部が後方にず
れる現象を抑制することができる。したがって、高い記
録線速度で記録を行う場合であっても、良好な信号特性
を得ることが可能となる。
【００２７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場合
の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐ
ｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の
記録線速度よりも高い第２の記録線速度で前記記録マー
クを形成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１
の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨ
とした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定する。
は、第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場合
の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐ
ｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の
記録線速度よりも高い第２の記録線速度で前記記録マー
クを形成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１
の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨ
とした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定する。
【００２８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビー
ムを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場
合に λ／ＮＡ ≦ ６４０ｎｍ の条件を満たす。
は、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビー
ムを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場
合に λ／ＮＡ ≦ ６４０ｎｍ の条件を満たす。
【００２９】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記レーザビームの波長λが４５０ｎｍ以下であ
る。
は、前記レーザビームの波長λが４５０ｎｍ以下であ
る。
【００３０】本発明の前記目的はまた、基板と、光透過
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有する光記録媒体に
対し、前記光透過層側から少なくとも記録パワー（Ｐ
ｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調された
レーザビームを照射することによって前記複数の反応層
に含まれる元素を混合させ、これによって前記記録層の
所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であっ
て、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に
設定することを特徴とする情報記録方法によって達成さ
れる。
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有する光記録媒体に
対し、前記光透過層側から少なくとも記録パワー（Ｐ
ｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調された
レーザビームを照射することによって前記複数の反応層
に含まれる元素を混合させ、これによって前記記録層の
所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であっ
て、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に
設定することを特徴とする情報記録方法によって達成さ
れる。
【００３１】本発明によれば、第１の基底パワー（Ｐｂ
１）を高めることによって記録パワー（Ｐｗ）による加
熱を補助していることから、記録層が積層された複数の
反応層からなるタイプの光記録媒体にデータを記録する
場合に必要な記録パワー（Ｐｗ）のレベルを抑制するこ
とが可能となる。これにより、高い記録線速度でのデー
タの記録を実現することができるとともに、比較的安価
な低出力である半導体レーザを使用することが可能とな
る。
１）を高めることによって記録パワー（Ｐｗ）による加
熱を補助していることから、記録層が積層された複数の
反応層からなるタイプの光記録媒体にデータを記録する
場合に必要な記録パワー（Ｐｗ）のレベルを抑制するこ
とが可能となる。これにより、高い記録線速度でのデー
タの記録を実現することができるとともに、比較的安価
な低出力である半導体レーザを使用することが可能とな
る。
【００３２】本発明の好ましい実施態様においては、記
録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定し、且つ、前記記録パ
ワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比
（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．２〜０．５に設定する。
録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定し、且つ、前記記録パ
ワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比
（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．２〜０．５に設定する。
【００３３】本発明の前記目的はまた、基板上に設けら
れた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に
対し、少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に
変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録
マークを形成する情報記録方法であって、５ｍ／ｓ以上
である第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場
合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第
１の記録線速度よりも高く、且つ、１０ｍ／ｓ以上であ
る第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合の
前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定することを特徴とする情報記録方法によって達成
される。
れた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に
対し、少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に
変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録
マークを形成する情報記録方法であって、５ｍ／ｓ以上
である第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場
合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第
１の記録線速度よりも高く、且つ、１０ｍ／ｓ以上であ
る第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合の
前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定することを特徴とする情報記録方法によって達成
される。
【００３４】本発明によれば、高い記録線速度で記録を
行う場合と低い記録線速度で記録を行う場合とで、記録
パワー（Ｐｗ）を同じレベル或いは近いレベルに設定す
ることが可能となる。これにより、比較的安価な低出力
である半導体レーザを使用することが可能となる。
行う場合と低い記録線速度で記録を行う場合とで、記録
パワー（Ｐｗ）を同じレベル或いは近いレベルに設定す
ることが可能となる。これにより、比較的安価な低出力
である半導体レーザを使用することが可能となる。
【００３５】本発明の好ましい実施態様においては、最
短ブランク間隔と前記第１の記録線速度との比（最短ブ
ランク間隔／第１の記録線速度）が４０ｎｓ以下であ
り、最短ブランク間隔と前記第２の記録線速度との比
（最短ブランク間隔／第２の記録線速度）が２０ｎｓ以
下である。
短ブランク間隔と前記第１の記録線速度との比（最短ブ
ランク間隔／第１の記録線速度）が４０ｎｓ以下であ
り、最短ブランク間隔と前記第２の記録線速度との比
（最短ブランク間隔／第２の記録線速度）が２０ｎｓ以
下である。
【００３６】本発明の好ましい実施態様においては、前
記ＡＬ及びＡＨとの関係を、 １．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬ に設定し、本発明のさらに好ましい実施態様において
は、 ２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬ に設定する。
記ＡＬ及びＡＨとの関係を、 １．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬ に設定し、本発明のさらに好ましい実施態様において
は、 ２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬ に設定する。
【００３７】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マーク
の長さに基づく数の分割パルスからなる。
は、前記記録パワーからなるパルスが、前記記録マーク
の長さに基づく数の分割パルスからなる。
【００３８】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、少なくとも一つの記録マークを形成する際、最後の
前記分割パルスの後方に前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）よりも強度の低い第２の基底パワー（Ｐｂ２）から
なる冷却期間を挿入する。これによれば、記録パワー
（Ｐｗ）の予熱によって記録マークの後縁部が後方にず
れる現象を抑制することができる。したがって、高い記
録線速度で記録を行う場合であっても、良好な信号特性
を得ることが可能となる。
は、少なくとも一つの記録マークを形成する際、最後の
前記分割パルスの後方に前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）よりも強度の低い第２の基底パワー（Ｐｂ２）から
なる冷却期間を挿入する。これによれば、記録パワー
（Ｐｗ）の予熱によって記録マークの後縁部が後方にず
れる現象を抑制することができる。したがって、高い記
録線速度で記録を行う場合であっても、良好な信号特性
を得ることが可能となる。
【００３９】本発明の前記目的はまた、基板と、光透過
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有する光記録媒体に
対し、前記光透過層側から少なくとも記録パワー（Ｐ
ｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調された
レーザビームを照射することによって前記複数の反応層
に含まれる元素を混合させ、これによって前記記録層の
所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であっ
て、第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場合
の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐ
ｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の
記録線速度よりも高い第２の記録線速度で前記記録マー
クを形成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１
の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨ
とした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定することを特徴とする情報記録方法によって達成
される。
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有する光記録媒体に
対し、前記光透過層側から少なくとも記録パワー（Ｐ
ｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調された
レーザビームを照射することによって前記複数の反応層
に含まれる元素を混合させ、これによって前記記録層の
所定の領域に記録マークを形成する情報記録方法であっ
て、第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場合
の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐ
ｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の
記録線速度よりも高い第２の記録線速度で前記記録マー
クを形成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１
の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨ
とした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定することを特徴とする情報記録方法によって達成
される。
【００４０】本発明によれば、高い記録線速度で記録を
行う場合と低い記録線速度で記録を行う場合とで、記録
パワー（Ｐｗ）を同じレベル或いは近いレベルに設定す
ることが可能となる。これにより、比較的安価な低出力
である半導体レーザを使用することが可能となる。
行う場合と低い記録線速度で記録を行う場合とで、記録
パワー（Ｐｗ）を同じレベル或いは近いレベルに設定す
ることが可能となる。これにより、比較的安価な低出力
である半導体レーザを使用することが可能となる。
【００４１】本発明の好ましい実施態様においては、前
記第１の記録線速度が５ｍ／ｓ以上であり、前記第２の
記録線速度が１０ｍ／ｓ以上である。
記第１の記録線速度が５ｍ／ｓ以上であり、前記第２の
記録線速度が１０ｍ／ｓ以上である。
【００４２】本発明の前記目的はまた、基板上に設けら
れた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に
対し、少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に
変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録
マークを形成する情報記録装置であって、前記記録パワ
ー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比
（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定し、記録線速
度を５ｍ／ｓ以上に設定して前記記録マークを形成する
ことを特徴とする情報記録装置によって達成される。
れた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に
対し、少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に
変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録
マークを形成する情報記録装置であって、前記記録パワ
ー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比
（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定し、記録線速
度を５ｍ／ｓ以上に設定して前記記録マークを形成する
ことを特徴とする情報記録装置によって達成される。
【００４３】本発明の前記目的はまた、基板と、光透過
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有する光記録媒体に
対し、前記光透過層側から少なくとも記録パワー（Ｐ
ｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調された
レーザビームを照射することによって前記複数の反応層
に含まれる元素を混合させ、これによって前記記録層の
所定の領域に記録マークを形成する情報記録装置であっ
て、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に
設定して前記記録マークを形成することを特徴とする情
報記録装置によって達成される。
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有する光記録媒体に
対し、前記光透過層側から少なくとも記録パワー（Ｐ
ｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調された
レーザビームを照射することによって前記複数の反応層
に含まれる元素を混合させ、これによって前記記録層の
所定の領域に記録マークを形成する情報記録装置であっ
て、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に
設定して前記記録マークを形成することを特徴とする情
報記録装置によって達成される。
【００４４】本発明の前記目的はまた、基板上に設けら
れた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に
対し、少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に
変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録
マークを形成する情報記録装置であって、５ｍ／ｓ以上
である第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場
合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第
１の記録線速度よりも高く、且つ、１０ｍ／ｓ以上であ
る第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合の
前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成することを特徴とする
情報記録装置によって達成される。
れた記録層を有する追記型の光記録媒体の前記記録層に
対し、少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に
変化させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録
マークを形成する情報記録装置であって、５ｍ／ｓ以上
である第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場
合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第
１の記録線速度よりも高く、且つ、１０ｍ／ｓ以上であ
る第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合の
前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成することを特徴とする
情報記録装置によって達成される。
【００４５】本発明の前記目的はまた、基板と、光透過
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有する光記録媒体に
対し、前記光透過層側から少なくとも記録パワー（Ｐ
ｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調された
レーザビームを照射することによって前記複数の反応層
に含まれる元素を混合させ、これによって前記記録層の
所定の領域に記録マークを形成する情報記録装置であっ
て、第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場合
の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐ
ｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の
記録線速度よりも高い第２の記録線速度で前記記録マー
クを形成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１
の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨ
とした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成することを特徴とする
情報記録装置によって達成される。
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有する光記録媒体に
対し、前記光透過層側から少なくとも記録パワー（Ｐ
ｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調された
レーザビームを照射することによって前記複数の反応層
に含まれる元素を混合させ、これによって前記記録層の
所定の領域に記録マークを形成する情報記録装置であっ
て、第１の記録線速度で前記記録マークを形成する場合
の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐ
ｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の
記録線速度よりも高い第２の記録線速度で前記記録マー
クを形成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１
の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨ
とした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成することを特徴とする
情報記録装置によって達成される。
【００４６】本発明の前記目的はまた、基板と、前記基
板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して
少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー
（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射するこ
とによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化
させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マー
クを形成可能な追記型の光記録媒体であって、前記記録
パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との
比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定し、記録線
速度を５ｍ／ｓ以上に設定して前記記録マークを形成す
るために必要な設定情報を有していることを特徴とする
光記録媒体によって達成される。
板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して
少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー
（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射するこ
とによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化
させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マー
クを形成可能な追記型の光記録媒体であって、前記記録
パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との
比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定し、記録線
速度を５ｍ／ｓ以上に設定して前記記録マークを形成す
るために必要な設定情報を有していることを特徴とする
光記録媒体によって達成される。
【００４７】本発明の前記目的はまた、基板と、光透過
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有し、前記光透過層
側から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合
させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マー
クを形成可能な光記録媒体であって、前記記録パワー
（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐ
ｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定して前記記録マー
クを形成するために必要な設定情報を有していることを
特徴とする光記録媒体によって達成される。
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有し、前記光透過層
側から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合
させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マー
クを形成可能な光記録媒体であって、前記記録パワー
（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐ
ｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定して前記記録マー
クを形成するために必要な設定情報を有していることを
特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００４８】本発明の前記目的はまた、基板と、前記基
板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して
少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー
（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射するこ
とによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化
させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マー
クを形成可能な追記型の光記録媒体であって、５ｍ／ｓ
以上である第１の記録線速度で前記記録マークを形成す
る場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記
第１の記録線速度よりも高く、且つ、１０ｍ／ｓ以上で
ある第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合
の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐ
ｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成するために必要な設定
情報を有していることを特徴とする光記録媒体によって
達成される。
板上に設けられた記録層とを有し、前記記録層に対して
少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー
（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射するこ
とによって前記記録層を物理的及び／又は化学的に変化
させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マー
クを形成可能な追記型の光記録媒体であって、５ｍ／ｓ
以上である第１の記録線速度で前記記録マークを形成す
る場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記
第１の記録線速度よりも高く、且つ、１０ｍ／ｓ以上で
ある第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合
の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐ
ｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成するために必要な設定
情報を有していることを特徴とする光記録媒体によって
達成される。
【００４９】本発明の前記目的はまた、基板と、光透過
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有し、前記光透過層
側から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合
させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マー
クを形成可能な光記録媒体であって、第１の記録線速度
で前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー（Ｐ
ｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１
／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の記録線速度よりも高い
第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合の前
記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成するために必要な設定
情報を有していることを特徴とする光記録媒体によって
達成される。
層と、前記基板及び前記光透過層の間に配置され複数の
反応層が積層されて成る記録層とを有し、前記光透過層
側から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射す
ることによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合
させ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マー
クを形成可能な光記録媒体であって、第１の記録線速度
で前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー（Ｐ
ｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１
／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の記録線速度よりも高い
第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合の前
記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成するために必要な設定
情報を有していることを特徴とする光記録媒体によって
達成される。
【００５０】本発明の好ましい実施態様においては、前
記光透過層の厚さが１０〜３００μｍである。
記光透過層の厚さが１０〜３００μｍである。
【００５１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００５２】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
る光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
る光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【００５３】図１に示すように、本実施態様にかかる光
記録媒体１０は追記型の光記録媒体であり、基板１１
と、基板１１上に設けられた反射層１２と、反射層１２
上に設けられた第２の誘電体層１３と、第２の誘電体層
１３上に設けられた記録層１４と、記録層１４上に設け
られた第１の誘電体層１５と、第１の誘電体層１５上に
設けられた光透過層１６によって構成され、光記録媒体
１０の中央部分には孔１７が設けられている。このよう
な構造を有する光記録媒体１０に対しては、光透過層１
６側からレーザビームを照射することによってデータの
記録／再生が行われる。
記録媒体１０は追記型の光記録媒体であり、基板１１
と、基板１１上に設けられた反射層１２と、反射層１２
上に設けられた第２の誘電体層１３と、第２の誘電体層
１３上に設けられた記録層１４と、記録層１４上に設け
られた第１の誘電体層１５と、第１の誘電体層１５上に
設けられた光透過層１６によって構成され、光記録媒体
１０の中央部分には孔１７が設けられている。このよう
な構造を有する光記録媒体１０に対しては、光透過層１
６側からレーザビームを照射することによってデータの
記録／再生が行われる。
【００５４】基板１１は、光記録媒体１０に求められる
機械的強度を確保するための基体としての役割を果た
し、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設
けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド
１１ｂは、データの記録及び再生を行う場合におけるレ
ーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。基
板１１の厚さは約１．１ｍｍに設定され、その材料とし
ては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガ
ラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができ
る。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ま
しい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられ
る。中でも、加工性、光学特性などの点からポリカーボ
ネート樹脂が特に好ましい。
機械的強度を確保するための基体としての役割を果た
し、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設
けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド
１１ｂは、データの記録及び再生を行う場合におけるレ
ーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。基
板１１の厚さは約１．１ｍｍに設定され、その材料とし
ては種々の材料を用いることが可能であり、例えば、ガ
ラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができ
る。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ま
しい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、
アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられ
る。中でも、加工性、光学特性などの点からポリカーボ
ネート樹脂が特に好ましい。
【００５５】反射層１２は、光透過層１６側から入射さ
れるレーザビームを反射し、再び光透過層１６から出射
させる役割を果たし、その厚さとしては１０〜３００ｎ
ｍに設定することが好ましく、２０〜２００ｎｍに設定
することが特に好ましい。反射層１２の材料はレーザビ
ームを反射可能である限り特に制限されず、例えば、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ等を用いることができる。
これらのうち、高い反射率を有することから、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらの合金（ＡｌとＴｉとの合金
等）などの金属材料が用いることが好ましい。本発明に
おいて、光記録媒体に反射層１２を設けることは必須で
ないが、これを設ければ、光記録後において多重干渉効
果により高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得られやすくな
る。
れるレーザビームを反射し、再び光透過層１６から出射
させる役割を果たし、その厚さとしては１０〜３００ｎ
ｍに設定することが好ましく、２０〜２００ｎｍに設定
することが特に好ましい。反射層１２の材料はレーザビ
ームを反射可能である限り特に制限されず、例えば、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕ等を用いることができる。
これらのうち、高い反射率を有することから、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらの合金（ＡｌとＴｉとの合金
等）などの金属材料が用いることが好ましい。本発明に
おいて、光記録媒体に反射層１２を設けることは必須で
ないが、これを設ければ、光記録後において多重干渉効
果により高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得られやすくな
る。
【００５６】第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１
３は、これらの間に設けられる記録層１４を保護する役
割を果たし、記録層１４はこれら第１の誘電体層１５及
び第２の誘電体層１３に挟持されることにより、光記録
後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止さ
れる。また、第２の誘電体層１３は、基板１１等の熱変
形を防止する効果があり、これによってジッター等の特
性が良好となる。
３は、これらの間に設けられる記録層１４を保護する役
割を果たし、記録層１４はこれら第１の誘電体層１５及
び第２の誘電体層１３に挟持されることにより、光記録
後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止さ
れる。また、第２の誘電体層１３は、基板１１等の熱変
形を防止する効果があり、これによってジッター等の特
性が良好となる。
【００５７】第１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１
３の構成材料は、透明な誘電体であれば特に限定され
ず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み
合わせを主成分として用いることができる。より具体的
には、基板１１等の熱変形防止、並びに、記録層１４の
保護の観点から、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体
層１３が、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｇｅ
Ｎ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及
びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘
電体を主成分とすることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ２
からなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。第
１の誘電体層１５と第２の誘電体層１３は、互いに同じ
構成材料で構成されてもよいが、異なる構成材料で構成
されてもよい。さらに、第１の誘電体層１５及び第２の
誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜から
なる多層構造であっても構わない。
３の構成材料は、透明な誘電体であれば特に限定され
ず、例えば、酸化物、硫化物、窒化物又はこれらの組み
合わせを主成分として用いることができる。より具体的
には、基板１１等の熱変形防止、並びに、記録層１４の
保護の観点から、第１の誘電体層１５及び第２の誘電体
層１３が、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｇｅ
Ｎ、ＧｅＣｒＮ、ＣｅＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ及
びＳｉＣからなる群より選択される少なくとも１種の誘
電体を主成分とすることが好ましく、ＺｎＳ・ＳｉＯ２
からなる誘電体を主成分とすることがより好ましい。第
１の誘電体層１５と第２の誘電体層１３は、互いに同じ
構成材料で構成されてもよいが、異なる構成材料で構成
されてもよい。さらに、第１の誘電体層１５及び第２の
誘電体層１３の少なくとも一方が、複数の誘電体膜から
なる多層構造であっても構わない。
【００５８】なお、「誘電体を主成分とする」とは、第
１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３中において、
上記誘電体の含有率が最も大きいことを言う。また、
「ＺｎＳ・ＳｉＯ２」とは、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合
物を意味する。
１の誘電体層１５及び第２の誘電体層１３中において、
上記誘電体の含有率が最も大きいことを言う。また、
「ＺｎＳ・ＳｉＯ２」とは、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合
物を意味する。
【００５９】また、第１の誘電体層１５及び第２の誘電
体層１３の層厚は特に限定されないが、３〜２００ｎｍ
であることが好ましい。この層厚が３ｎｍ未満である
と、上述した効果が得られにくくなる。一方、層厚が２
００ｎｍを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下
するおそれがあり、さらに、第１の誘電体層１５及び第
２の誘電体層１３のもつ応力によってクラックが発生す
るおそれがある。
体層１３の層厚は特に限定されないが、３〜２００ｎｍ
であることが好ましい。この層厚が３ｎｍ未満である
と、上述した効果が得られにくくなる。一方、層厚が２
００ｎｍを超えると、成膜時間が長くなり生産性が低下
するおそれがあり、さらに、第１の誘電体層１５及び第
２の誘電体層１３のもつ応力によってクラックが発生す
るおそれがある。
【００６０】記録層１４は記録マークが形成される層で
あり、第１の反応層３１及びこれに隣接して設けられた
第２の反応層３２からなる。第２の反応層３２は基板１
１側に配置され、第１の反応層３１は光透過層１６側に
配置されている。記録層１４のうち未記録状態である領
域は、図２（ａ）に示すように第１の反応層３１と第２
の反応層３２が積層された状態となっているが、所定以
上のパワーを持つレーザビームが照射されると、その熱
によって、図２（ｂ）に示すように第１の反応層３１を
構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素がそ
れぞれ部分的又は全体的に拡散し、混合されて記録マー
クＭとなる。このとき、記録層において記録マークＭの
形成された混合部分とそれ以外の部分とでは再生光に対
する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータ
の記録・再生を行うことができる。
あり、第１の反応層３１及びこれに隣接して設けられた
第２の反応層３２からなる。第２の反応層３２は基板１
１側に配置され、第１の反応層３１は光透過層１６側に
配置されている。記録層１４のうち未記録状態である領
域は、図２（ａ）に示すように第１の反応層３１と第２
の反応層３２が積層された状態となっているが、所定以
上のパワーを持つレーザビームが照射されると、その熱
によって、図２（ｂ）に示すように第１の反応層３１を
構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素がそ
れぞれ部分的又は全体的に拡散し、混合されて記録マー
クＭとなる。このとき、記録層において記録マークＭの
形成された混合部分とそれ以外の部分とでは再生光に対
する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータ
の記録・再生を行うことができる。
【００６１】ここで、第１の反応層３１及び第２の反応
層３２は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、
Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、Ａｇ
及びＰｔからなる群より選ばれた互いに異なる元素を主
成分とする。第１の反応層３１及び第２の反応層３２の
材料としてこのような元素を主成分とする材料を用いる
ことにより、環境負荷を抑制することができるととも
に、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能と
なる。
層３２は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、
Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、Ａｇ
及びＰｔからなる群より選ばれた互いに異なる元素を主
成分とする。第１の反応層３１及び第２の反応層３２の
材料としてこのような元素を主成分とする材料を用いる
ことにより、環境負荷を抑制することができるととも
に、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能と
なる。
【００６２】また、第１の反応層３１及び第２の反応層
３２には、再生信号のノイズレベルをより低く抑えるた
めに、主成分となる元素に加えて他の元素を添加するこ
とが好ましい。このような添加元素を加えれば、第１の
反応層３１及び第２の反応層３２の平坦性が向上するこ
とから再生信号のノイズレベルが低下するのみならず、
長期間の保存に対する信頼性が高められるという効果を
得ることもできる。添加する元素としては、１種類に限
られず、２種類以上の元素を添加しても構わない。
３２には、再生信号のノイズレベルをより低く抑えるた
めに、主成分となる元素に加えて他の元素を添加するこ
とが好ましい。このような添加元素を加えれば、第１の
反応層３１及び第２の反応層３２の平坦性が向上するこ
とから再生信号のノイズレベルが低下するのみならず、
長期間の保存に対する信頼性が高められるという効果を
得ることもできる。添加する元素としては、１種類に限
られず、２種類以上の元素を添加しても構わない。
【００６３】記録層１４の層厚としては、特に限定され
るものではないが、２〜４０ｎｍに設定することが好ま
しく、２〜２０ｎｍに設定することがより好ましく、２
〜１０ｎｍに設定することが特に好ましい。記録層１４
の層厚をこのように設定すれば、第１の反応層３１及び
第２の反応層３２の平坦性が向上することから再生信号
のノイズレベルを抑制しつつ、充分に高いレベルの再生
信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができる。また、高い記録
感度を得ることも可能となる。
るものではないが、２〜４０ｎｍに設定することが好ま
しく、２〜２０ｎｍに設定することがより好ましく、２
〜１０ｎｍに設定することが特に好ましい。記録層１４
の層厚をこのように設定すれば、第１の反応層３１及び
第２の反応層３２の平坦性が向上することから再生信号
のノイズレベルを抑制しつつ、充分に高いレベルの再生
信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができる。また、高い記録
感度を得ることも可能となる。
【００６４】第１の反応層３１及び第２の反応層３２そ
れぞれの層厚は特に限定されないが、再生信号のノイズ
レベルを充分に抑制し、充分な記録感度を確保し、さら
に、記録前後の反射率の変化を充分に大きくするために
は、いずれも１〜３０ｎｍであることが好ましく、第１
の反応層３１の層厚と第２の反応層３２の層厚との比
（第１の反応層３１の層厚／第２の反応層３２の層厚）
は、０．２〜５．０であることが好ましい。
れぞれの層厚は特に限定されないが、再生信号のノイズ
レベルを充分に抑制し、充分な記録感度を確保し、さら
に、記録前後の反射率の変化を充分に大きくするために
は、いずれも１〜３０ｎｍであることが好ましく、第１
の反応層３１の層厚と第２の反応層３２の層厚との比
（第１の反応層３１の層厚／第２の反応層３２の層厚）
は、０．２〜５．０であることが好ましい。
【００６５】光透過層１６は、レーザビームの入射面を
構成するとともにレーザビームの光路となる層であり、
その厚さとしては１０〜３００μｍに設定することが好
ましく、５０〜１５０μｍに設定することが特に好まし
い。光透過層１６の材料としては特に限定されないが、
紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を用いるこ
とが好ましい。また、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエ
ポキシ樹脂を硬化させてなる膜のかわりに、光透過性樹
脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用い
て光透過層１６を形成してもよい。
構成するとともにレーザビームの光路となる層であり、
その厚さとしては１０〜３００μｍに設定することが好
ましく、５０〜１５０μｍに設定することが特に好まし
い。光透過層１６の材料としては特に限定されないが、
紫外線硬化性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を用いるこ
とが好ましい。また、紫外線硬化性のアクリル樹脂やエ
ポキシ樹脂を硬化させてなる膜のかわりに、光透過性樹
脂からなる光透過性シートと各種接着剤や粘着剤を用い
て光透過層１６を形成してもよい。
【００６６】次に、上記光記録媒体１０の製造方法の一
例について説明する。
例について説明する。
【００６７】先ずグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形
成された基板１１上に第２の誘電体層１２を形成する。
第２の誘電体層１２の形成には、例えば第２の誘電体層
１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用い
ることができる。このような気相成長法としては、例え
ば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
成された基板１１上に第２の誘電体層１２を形成する。
第２の誘電体層１２の形成には、例えば第２の誘電体層
１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法を用い
ることができる。このような気相成長法としては、例え
ば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられる。
【００６８】次に、第２の誘電体層１２上に記録層１４
を構成する第２の反応層３２を形成する。この第２の反
応層３２も、第２の誘電体層１２と同様にして、第２の
反応層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法
を用いて形成することができる。更に、第２の反応層３
２上に第１の反応層３１を形成する。第１の反応層３１
も、第１の反応層３１の構成元素を含む化学種を用いた
気相成長法を用いて形成することができる。
を構成する第２の反応層３２を形成する。この第２の反
応層３２も、第２の誘電体層１２と同様にして、第２の
反応層３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法
を用いて形成することができる。更に、第２の反応層３
２上に第１の反応層３１を形成する。第１の反応層３１
も、第１の反応層３１の構成元素を含む化学種を用いた
気相成長法を用いて形成することができる。
【００６９】その後、第１の反応層３１上に第１の誘電
体層１５を形成する。この第１の誘電体層１５も、第１
の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成
長法を用いて形成することができる。
体層１５を形成する。この第１の誘電体層１５も、第１
の誘電体層１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成
長法を用いて形成することができる。
【００７０】最後に、第１の誘電体層１５上に光透過層
１６を形成する。光透過層１６は、例えば、粘度調整さ
れたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化性樹脂をス
ピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化
する等の方法により形成することができる。以上によ
り、光記録媒体１０の製造が完了する。
１６を形成する。光透過層１６は、例えば、粘度調整さ
れたアクリル系又はエポキシ系の紫外線硬化性樹脂をス
ピンコート法等により皮膜させ、紫外線を照射して硬化
する等の方法により形成することができる。以上によ
り、光記録媒体１０の製造が完了する。
【００７１】なお、上記光記録媒体１０の製造方法は、
上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光
記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることがで
きる。
上記製造方法に特に限定されるものではなく、公知の光
記録媒体の製造に採用される製造技術を用いることがで
きる。
【００７２】次に、上記光記録媒体１０への情報記録方
法について説明する。
法について説明する。
【００７３】まず、光記録媒体１０への情報記録原理に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００７４】上記光記録媒体１０に対して情報を記録す
る場合、図１に示すように、光記録媒体１０に対して所
定の出力を有するレーザビームＬ１０を光透過層１６側
から入射し記録層１４に照射する。このとき、レーザビ
ームＬ１０を集束するための対物レンズの開口数（Ｎ
Ａ）は０．７以上、特に０．８５程度であることが好ま
しく、レーザビームＬ１０の波長λは４５０ｎｍ以下、
特に４０５ｎｍ程度であることが好ましい。このように
して、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍとすることが好ましい。こ
れにより、第１の反応層３１の表面３１ｂ上におけるビ
ームスポット径は０．６５μｍ以下、特に０．４３μｍ
程度にまで絞られる。
る場合、図１に示すように、光記録媒体１０に対して所
定の出力を有するレーザビームＬ１０を光透過層１６側
から入射し記録層１４に照射する。このとき、レーザビ
ームＬ１０を集束するための対物レンズの開口数（Ｎ
Ａ）は０．７以上、特に０．８５程度であることが好ま
しく、レーザビームＬ１０の波長λは４５０ｎｍ以下、
特に４０５ｎｍ程度であることが好ましい。このように
して、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍとすることが好ましい。こ
れにより、第１の反応層３１の表面３１ｂ上におけるビ
ームスポット径は０．６５μｍ以下、特に０．４３μｍ
程度にまで絞られる。
【００７５】このようなレーザビームＬ１０の照射によ
り、第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層
３２を構成する元素がレーザビームにより加熱され、こ
れら元素が移動して混合される。かかる混合部分は、図
２（ｂ）に示すように、記録マークＭとなる。記録マー
クＭの形成された混合部分の反射率は、それ以外の記録
層１４の部分（未記録領域）の反射率と十分に異なった
値となることから、これを利用してデータの記録・再生
を行うことが可能となる。
り、第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応層
３２を構成する元素がレーザビームにより加熱され、こ
れら元素が移動して混合される。かかる混合部分は、図
２（ｂ）に示すように、記録マークＭとなる。記録マー
クＭの形成された混合部分の反射率は、それ以外の記録
層１４の部分（未記録領域）の反射率と十分に異なった
値となることから、これを利用してデータの記録・再生
を行うことが可能となる。
【００７６】以上が光記録媒体１０への情報記録原理で
あり、以下、本実施態様にかかる具体的なパルス列パタ
ーンについて説明する。
あり、以下、本実施態様にかかる具体的なパルス列パタ
ーンについて説明する。
【００７７】まず、本実施態様にかかる第１のパルス列
パターンについて、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合
を例に説明する。
パターンについて、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合
を例に説明する。
【００７８】図３は、第１のパルス列パターンを示す図
であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パ
ターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する
場合のパルス列パターンを示している。
であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パ
ターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する
場合のパルス列パターンを示している。
【００７９】図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１
のパルス列パターンにおいては記録マークＭを形成する
ための記録パルスがｎ−１個に分割され、レーザビーム
のパワーは、各分割パルスのピークにおいて記録パワー
（Ｐｗ）、その他の期間において再生パワー（Ｐｒ）よ
りも高い第１の基底パワー（Ｐｂ１）に設定される。す
なわち、図１０に示した基本パルス列パターンにおける
基底パワー（Ｐｂ≒Ｐｒ）が第１の基底パワー（Ｐｂ１
＞Ｐｒ）まで高められた構成を有している。
のパルス列パターンにおいては記録マークＭを形成する
ための記録パルスがｎ−１個に分割され、レーザビーム
のパワーは、各分割パルスのピークにおいて記録パワー
（Ｐｗ）、その他の期間において再生パワー（Ｐｒ）よ
りも高い第１の基底パワー（Ｐｂ１）に設定される。す
なわち、図１０に示した基本パルス列パターンにおける
基底パワー（Ｐｂ≒Ｐｒ）が第１の基底パワー（Ｐｂ１
＞Ｐｒ）まで高められた構成を有している。
【００８０】記録パワー（Ｐｗ）の強度としては、照射
によって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反
応層３２を構成する元素が加熱され、これら元素が移動
して混合されるような高いレベルに設定され、第１の基
底パワー（Ｐｂ１）の強度としては、再生パワー（Ｐ
ｒ）よりも高いが、照射されても、第１の反応層３１を
構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が実
質的に移動しないようなレベルに設定される。
によって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反
応層３２を構成する元素が加熱され、これら元素が移動
して混合されるような高いレベルに設定され、第１の基
底パワー（Ｐｂ１）の強度としては、再生パワー（Ｐ
ｒ）よりも高いが、照射されても、第１の反応層３１を
構成する元素及び第２の反応層３２を構成する元素が実
質的に移動しないようなレベルに設定される。
【００８１】ここで、第１の基底パワー（Ｐｂ１）と記
録パワー（Ｐｗ）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡとした場
合、 Ａ＝０．１〜０．５ であることが好ましい。特に、記録線速度を１０ｍ／ｓ
以上に設定して記録を行う場合には、 Ａ＝０．２〜０．５ であることが好ましく、 Ａ＝０．３〜０．４５ であることがさらに好ましい。
録パワー（Ｐｗ）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡとした場
合、 Ａ＝０．１〜０．５ であることが好ましい。特に、記録線速度を１０ｍ／ｓ
以上に設定して記録を行う場合には、 Ａ＝０．２〜０．５ であることが好ましく、 Ａ＝０．３〜０．４５ であることがさらに好ましい。
【００８２】また、記録線速度ＶＬで記録する場合にお
ける第１の基底パワー（Ｐｂ１）と記録パワー（Ｐｗ）
との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、記録線速度ＶＨ
（＞ＶＬ）で記録する場合における第１の基底パワー
（Ｐｂ１）と記録パワー（Ｐｗ）との比（Ｐｂ１／Ｐ
ｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定することが好ましく、 １．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬ に設定することがより好ましく、 ２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬ に設定することがさらに好ましい。
ける第１の基底パワー（Ｐｂ１）と記録パワー（Ｐｗ）
との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、記録線速度ＶＨ
（＞ＶＬ）で記録する場合における第１の基底パワー
（Ｐｂ１）と記録パワー（Ｐｗ）との比（Ｐｂ１／Ｐ
ｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定することが好ましく、 １．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬ に設定することがより好ましく、 ２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬ に設定することがさらに好ましい。
【００８３】これにより、記録マークＭを形成すべき領
域においては第１の基底パワー（Ｐｂ１）によって記録
パワー（Ｐｗ）による加熱が補助される一方、ブランク
とすべき領域においては第１の基底パワー（Ｐｂ１）に
よって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応
層３２を構成する元素が移動することがない。
域においては第１の基底パワー（Ｐｂ１）によって記録
パワー（Ｐｗ）による加熱が補助される一方、ブランク
とすべき領域においては第１の基底パワー（Ｐｂ１）に
よって第１の反応層３１を構成する元素及び第２の反応
層３２を構成する元素が移動することがない。
【００８４】したがって、第１のパルス列パターンを用
いて光記録媒体１０に対するデータの記録を行えばより
低い記録パワー（Ｐｗ）を用いて記録マークＭを形成す
ることができることから、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に
高めることにより高いデータ転送レートを実現すること
が可能となる。
いて光記録媒体１０に対するデータの記録を行えばより
低い記録パワー（Ｐｗ）を用いて記録マークＭを形成す
ることができることから、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に
高めることにより高いデータ転送レートを実現すること
が可能となる。
【００８５】次に、本実施態様にかかる第２のパルス列
パターンについて、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合
を例に説明する。
パターンについて、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合
を例に説明する。
【００８６】図４は、第２のパルス列パターンを示す図
であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パ
ターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する
場合のパルス列パターンを示している。
であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パ
ターンを示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する
場合のパルス列パターンを示している。
【００８７】図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２
のパルス列パターンにおいては記録マークＭを形成する
ための記録パルスがｎ−１個に分割され、レーザビーム
のパワーは、各分割パルスのピークにおいて記録パワー
（Ｐｗ）、最後の分割パルスの直前において第２の基底
パワー（Ｐｂ２）、その他の期間において第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１＞Ｐｂ２）に設定される。ここで、第２の
基底パワー（Ｐｂ２）とは、再生パワー（Ｐｒ）と一致
するレベル若しくはその近傍のレベルである。すなわ
ち、第２のパルス列パターンは、図１０に示した基本パ
ルス列パターンの最後の分割パルスの直前に挿入される
冷却期間Ｔclを除いて、基底パワー（Ｐｂ≒Ｐｒ）が第
１の基底パワー（Ｐｂ１＞Ｐｒ）まで高められた構成を
有している。
のパルス列パターンにおいては記録マークＭを形成する
ための記録パルスがｎ−１個に分割され、レーザビーム
のパワーは、各分割パルスのピークにおいて記録パワー
（Ｐｗ）、最後の分割パルスの直前において第２の基底
パワー（Ｐｂ２）、その他の期間において第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１＞Ｐｂ２）に設定される。ここで、第２の
基底パワー（Ｐｂ２）とは、再生パワー（Ｐｒ）と一致
するレベル若しくはその近傍のレベルである。すなわ
ち、第２のパルス列パターンは、図１０に示した基本パ
ルス列パターンの最後の分割パルスの直前に挿入される
冷却期間Ｔclを除いて、基底パワー（Ｐｂ≒Ｐｒ）が第
１の基底パワー（Ｐｂ１＞Ｐｒ）まで高められた構成を
有している。
【００８８】第２のパルス列パターンにおいても、記録
パワー（Ｐｗ）の強度としては、照射によって第１の反
応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成す
る元素が加熱され、これら元素が移動して混合されるよ
うな高いレベルに設定され、第１の基底パワー（Ｐｂ
１）の強度としては、再生パワー（Ｐｒ）よりも高い
が、照射されても、第１の反応層３１を構成する元素及
び第２の反応層３２を構成する元素が実質的に移動しな
いようなレベルに設定される。また、第２の基底パワー
（Ｐｂ２）は、上述の通り、再生パワー（Ｐｒ）と一致
するレベル若しくはその近傍のレベルに設定される。
パワー（Ｐｗ）の強度としては、照射によって第１の反
応層３１を構成する元素及び第２の反応層３２を構成す
る元素が加熱され、これら元素が移動して混合されるよ
うな高いレベルに設定され、第１の基底パワー（Ｐｂ
１）の強度としては、再生パワー（Ｐｒ）よりも高い
が、照射されても、第１の反応層３１を構成する元素及
び第２の反応層３２を構成する元素が実質的に移動しな
いようなレベルに設定される。また、第２の基底パワー
（Ｐｂ２）は、上述の通り、再生パワー（Ｐｒ）と一致
するレベル若しくはその近傍のレベルに設定される。
【００８９】第１の基底パワー（Ｐｂ１）と記録パワー
（Ｐｗ）との好ましい関係は、第１のパルス列パターン
における場合と同様である。これにより、記録マークＭ
を形成すべき領域においては第１の基底パワー（Ｐｂ
１）によって記録パワー（Ｐｗ）による加熱が補助され
る一方、ブランクとすべき領域においては第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）によって第１の反応層３１を構成する元
素及び第２の反応層３２を構成する元素が移動すること
がない。
（Ｐｗ）との好ましい関係は、第１のパルス列パターン
における場合と同様である。これにより、記録マークＭ
を形成すべき領域においては第１の基底パワー（Ｐｂ
１）によって記録パワー（Ｐｗ）による加熱が補助され
る一方、ブランクとすべき領域においては第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）によって第１の反応層３１を構成する元
素及び第２の反応層３２を構成する元素が移動すること
がない。
【００９０】したがって、第２のパルス列パターンを用
いて光記録媒体１０に対するデータの記録を行えばより
低い記録パワー（Ｐｗ）を用いて記録マークＭを形成す
ることができることから、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に
高めることにより高いデータ転送レートを実現すること
が可能となる。さらに、第２のパルス列パターンにおい
ては冷却期間Ｔclが挿入されているので、記録マークＭ
を形成するために照射したレーザビームの記録パワー
（Ｐｗ）による熱が記録マークＭの後縁部において効果
的に冷却される。これにより、記録パワー（Ｐｗ）の予
熱によって第１及び第２の反応層３１，３２が混合する
ことにより、記録マークＭの後縁部が後方にずれて記録
マークＭが長くなるという現象が抑制される。すなわ
ち、記録マークＭを所望の長さとすることが可能とな
る。
いて光記録媒体１０に対するデータの記録を行えばより
低い記録パワー（Ｐｗ）を用いて記録マークＭを形成す
ることができることから、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に
高めることにより高いデータ転送レートを実現すること
が可能となる。さらに、第２のパルス列パターンにおい
ては冷却期間Ｔclが挿入されているので、記録マークＭ
を形成するために照射したレーザビームの記録パワー
（Ｐｗ）による熱が記録マークＭの後縁部において効果
的に冷却される。これにより、記録パワー（Ｐｗ）の予
熱によって第１及び第２の反応層３１，３２が混合する
ことにより、記録マークＭの後縁部が後方にずれて記録
マークＭが長くなるという現象が抑制される。すなわ
ち、記録マークＭを所望の長さとすることが可能とな
る。
【００９１】尚、図４に示した第２のパルス列パターン
では、全ての記録マーク（２Ｔ信号〜８Ｔ信号）の形成
において最後の分割パルスの直後に冷却期間Ｔclを挿入
しているが、記録マークＭの後縁部が後方にずれること
によって記録マークＭが長くなるともに、短い記録マー
クにおいてはマークの幅が細くなりやすく、Ｃ／Ｎ比の
低下が顕著であることから、長い記録マークの形成にお
いては上述した第１のパルス列パターンを用いても構わ
ない。したがって、最短マークである２Ｔ信号について
のみ冷却期間Ｔclを挿入し（図４（ａ））、その他の記
録マーク（３Ｔ信号〜８Ｔ信号）の形成においては、図
４（ｂ）に示した第２のパルス列パターンの代わりに図
３（ｂ）に示した第１のパルス列パターンを用いても構
わない。
では、全ての記録マーク（２Ｔ信号〜８Ｔ信号）の形成
において最後の分割パルスの直後に冷却期間Ｔclを挿入
しているが、記録マークＭの後縁部が後方にずれること
によって記録マークＭが長くなるともに、短い記録マー
クにおいてはマークの幅が細くなりやすく、Ｃ／Ｎ比の
低下が顕著であることから、長い記録マークの形成にお
いては上述した第１のパルス列パターンを用いても構わ
ない。したがって、最短マークである２Ｔ信号について
のみ冷却期間Ｔclを挿入し（図４（ａ））、その他の記
録マーク（３Ｔ信号〜８Ｔ信号）の形成においては、図
４（ｂ）に示した第２のパルス列パターンの代わりに図
３（ｂ）に示した第１のパルス列パターンを用いても構
わない。
【００９２】以上が、本実施態様にかかる具体的なパル
ス列パターンである。
ス列パターンである。
【００９３】以上説明した本実施態様にかかるパルス列
パターンを特定するための情報は、「記録条件設定情
報」として当該光記録媒体１０内に保存しておくことが
好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体１
０内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を
行う際に、情報記録装置によってかかる記録条件設定情
報が読み出され、これに基づいてパルス列パターンを決
定することが可能となる。
パターンを特定するための情報は、「記録条件設定情
報」として当該光記録媒体１０内に保存しておくことが
好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体１
０内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を
行う際に、情報記録装置によってかかる記録条件設定情
報が読み出され、これに基づいてパルス列パターンを決
定することが可能となる。
【００９４】記録条件設定情報としては、パルス列パタ
ーンのみならず、光記録媒体１０に対してデータの記録
を行う場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定す
るために必要な情報を含んでいることがより好ましい。
記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録
されたものでもよく、記録層１４にデータとして記録さ
れたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件
を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあら
かじめ格納されている各種条件のいずれかを指定するこ
とにより記録ストラテジの特定を間接的に行うものであ
っても構わない。
ーンのみならず、光記録媒体１０に対してデータの記録
を行う場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定す
るために必要な情報を含んでいることがより好ましい。
記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録
されたものでもよく、記録層１４にデータとして記録さ
れたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件
を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあら
かじめ格納されている各種条件のいずれかを指定するこ
とにより記録ストラテジの特定を間接的に行うものであ
っても構わない。
【００９５】図５は、光記録媒体１０に対してデータの
記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に
示す図である。
記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に
示す図である。
【００９６】情報記録装置５０は、図５に示すように光
記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２
と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともに
その反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ
５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４
と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動
回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレ
ンズ駆動回路５６とを備えている。
記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２
と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともに
その反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ
５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４
と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動
回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレ
ンズ駆動回路５６とを備えている。
【００９７】さらに、図５に示すように、コントローラ
５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキング
サーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が
含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化
すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォー
カスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回
路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している
信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動
追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びト
ラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲイン
を自動調整するためのオートゲインコントロール機能及
びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲイ
ンコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、
レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５に
より供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、
光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基
づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキング
サーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が
含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化
すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォー
カスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回
路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している
信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動
追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びト
ラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲイン
を自動調整するためのオートゲインコントロール機能及
びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲイ
ンコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、
レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５に
より供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、
光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基
づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
【００９８】尚、これらフォーカスサーボ追従回路５
７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコント
ロール回路５９については、コントローラ５４内に組み
込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別
個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的
な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行さ
れるソフトウェアであっても構わない。
７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコント
ロール回路５９については、コントローラ５４内に組み
込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別
個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的
な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行さ
れるソフトウェアであっても構わない。
【００９９】このような構成からなる情報記録装置５０
を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデ
ータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０
に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これ
に基づいてパルス列パターンが決定される。
を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデ
ータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０
に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これ
に基づいてパルス列パターンが決定される。
【０１００】以上説明したように、本実施態様によれ
ば、記録層が積層された複数の反応層からなるタイプの
光記録媒体にデータを記録する場合、記録マークを形成
するためのレーザビームの記録パルスをｎ−ａ個（ａは
「０」、「１」又は「２」であり、８／１６変調方式に
おいては「２」、１，７ＲＬＬ変調方式においては
「１」とすることが好ましい）に分割するとともに、記
録パワー（Ｐｗ）と第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比
（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定していること
から、必要となる記録パワー（Ｐｗ）のレベルを抑制す
ることが可能となる。したがって、本実施態様によれ
ば、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に設定して記録マークを
形成する場合であっても、比較的安価な低出力の半導体
レーザを使用することが可能となる。
ば、記録層が積層された複数の反応層からなるタイプの
光記録媒体にデータを記録する場合、記録マークを形成
するためのレーザビームの記録パルスをｎ−ａ個（ａは
「０」、「１」又は「２」であり、８／１６変調方式に
おいては「２」、１，７ＲＬＬ変調方式においては
「１」とすることが好ましい）に分割するとともに、記
録パワー（Ｐｗ）と第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比
（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定していること
から、必要となる記録パワー（Ｐｗ）のレベルを抑制す
ることが可能となる。したがって、本実施態様によれ
ば、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に設定して記録マークを
形成する場合であっても、比較的安価な低出力の半導体
レーザを使用することが可能となる。
【０１０１】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
【０１０２】例えば、上記実施態様にかかる光記録媒体
１０においては、記録層１４が第１及び第２の誘電体層
１５，１３間に挟持されているが、これらの一方又は両
方を省略しても構わない。
１０においては、記録層１４が第１及び第２の誘電体層
１５，１３間に挟持されているが、これらの一方又は両
方を省略しても構わない。
【０１０３】また、上記実施態様にかかる光記録媒体１
０においては、記録層１４が積層された２つの反応層に
よって構成されているが、本発明の光記録媒体はこれに
限定されるものではなく、少なくとも１つの第１の反応
層とこれに隣接する少なくとも１つの第２の反応層を有
するものであれば、３層以上の層から構成された記録層
を有するものであってもよい。例えば、２つの第１の反
応層と、これら２つの第１の反応層の間に配置された第
２の反応層とからなる３層構造の記録層を有するもので
あってもよい。
０においては、記録層１４が積層された２つの反応層に
よって構成されているが、本発明の光記録媒体はこれに
限定されるものではなく、少なくとも１つの第１の反応
層とこれに隣接する少なくとも１つの第２の反応層を有
するものであれば、３層以上の層から構成された記録層
を有するものであってもよい。例えば、２つの第１の反
応層と、これら２つの第１の反応層の間に配置された第
２の反応層とからなる３層構造の記録層を有するもので
あってもよい。
【０１０４】さらに、上記実施態様にかかる光記録媒体
１０においては、基板１１上に設けられた反射層１２が
備えられているが、記録マークＭが形成された領域にお
ける反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベ
ルが充分大きい場合には、これを省略しても構わない。
１０においては、基板１１上に設けられた反射層１２が
備えられているが、記録マークＭが形成された領域にお
ける反射光のレベルと未記録領域における反射光のレベ
ルが充分大きい場合には、これを省略しても構わない。
【０１０５】また、上記実施態様においては、光透過層
１６が非常に薄い次世代型の光記録媒体を例に説明した
が、本発明の適用対象がこれに限定されるものではな
い。しかしながら、次世代型の光記録媒体においては、
半導体レーザと比べて高出力化が困難な短波長のレーザ
ビームを生成する半導体レーザが用いられることから、
これを考慮すれば、本発明は、この種の光記録媒体に適
用することが特に効果的である。
１６が非常に薄い次世代型の光記録媒体を例に説明した
が、本発明の適用対象がこれに限定されるものではな
い。しかしながら、次世代型の光記録媒体においては、
半導体レーザと比べて高出力化が困難な短波長のレーザ
ビームを生成する半導体レーザが用いられることから、
これを考慮すれば、本発明は、この種の光記録媒体に適
用することが特に効果的である。
【０１０６】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明について更に具
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定
されるものではない。
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定
されるものではない。
【０１０７】［光記録媒体の準備］以下に示す手順によ
り、図１に示す構成と同じ構造を有する光記録媒体を作
製した。
り、図１に示す構成と同じ構造を有する光記録媒体を作
製した。
【０１０８】即ち、まず、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１
２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置
にセットし、このポリカーボネート基板上に、、Ａｇ、
Ｐｄ及びＣｕの混合物からなる反射層（層厚：１００ｎ
ｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第２の誘電体
層（層厚：３０ｎｍ）、Ｃｕからなる第２の反応層（層
厚：５ｎｍ）、Ｓｉからなる第１の反応層（層厚：５ｎ
ｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ ２の混合物からなる第１の誘電体
層（層厚：２５ｎｍ）を順次スパッタ法により形成し
た。
２０ｍｍのポリカーボネート基板をスパッタリング装置
にセットし、このポリカーボネート基板上に、、Ａｇ、
Ｐｄ及びＣｕの混合物からなる反射層（層厚：１００ｎ
ｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第２の誘電体
層（層厚：３０ｎｍ）、Ｃｕからなる第２の反応層（層
厚：５ｎｍ）、Ｓｉからなる第１の反応層（層厚：５ｎ
ｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ ２の混合物からなる第１の誘電体
層（層厚：２５ｎｍ）を順次スパッタ法により形成し
た。
【０１０９】次に、第１の誘電体層上に、アクリル系紫
外線硬化性樹脂を溶剤に溶解した樹脂溶液をスピンコー
ト法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光
透過層（層厚：１００μｍ）を形成した。
外線硬化性樹脂を溶剤に溶解した樹脂溶液をスピンコー
ト法によりコーティングし、これに紫外線を照射して光
透過層（層厚：１００μｍ）を形成した。
【０１１０】なお、第１の誘電体層及び第２の誘電体層
においてＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、ＺｎＳ：Ｓｉ
Ｏ２＝８０：２０となるようにした。
においてＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、ＺｎＳ：Ｓｉ
Ｏ２＝８０：２０となるようにした。
【０１１１】［特性比較試験１］特性比較試験１では、
以下の手順により、第１のパルス列パターン（図３
（ａ），（ｂ）参照）を用いた場合の第１の基底パワー
（Ｐｂ１）とこれに対応する最適な記録パワー（Ｐｗ）
との関係を測定した。
以下の手順により、第１のパルス列パターン（図３
（ａ），（ｂ）参照）を用いた場合の第１の基底パワー
（Ｐｂ１）とこれに対応する最適な記録パワー（Ｐｗ）
との関係を測定した。
【０１１２】即ち、まず作製した光記録媒体を光ディス
ク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック社
製）にセットし、記録に用いるレーザビームの波長を青
色波長域（４０５ｎｍ）、対物レンズのＮＡ（開口数）
を０．８５とし、このレーザビームを記録ヘッド内の集
光レンズで光透過層側から光記録媒体に集光して光記録
を行った。記録信号は２Ｔ〜８Ｔの混合信号とし、第１
の基底パワー（Ｐｂ１）の各値ごとに種々の記録パワー
（Ｐｗ）を用いて記録を行い、最も低いジッタが得られ
た記録パワー（Ｐｗ）を探した。
ク評価装置（商品名：ＤＤＵ１０００、パルステック社
製）にセットし、記録に用いるレーザビームの波長を青
色波長域（４０５ｎｍ）、対物レンズのＮＡ（開口数）
を０．８５とし、このレーザビームを記録ヘッド内の集
光レンズで光透過層側から光記録媒体に集光して光記録
を行った。記録信号は２Ｔ〜８Ｔの混合信号とし、第１
の基底パワー（Ｐｂ１）の各値ごとに種々の記録パワー
（Ｐｗ）を用いて記録を行い、最も低いジッタが得られ
た記録パワー（Ｐｗ）を探した。
【０１１３】記録条件は次の２種類である。すなわち、
第１の記録条件は、変調方式：（１，７）ＲＬＬ、チャ
ンネルビット長：０．１２μｍ、記録線速度：５．３ｍ
／ｓ、チャンネルクロック：６６ＭＨｚであり、第２の
記録条件は、変調方式：（１，７）ＲＬＬ、チャンネル
ビット長：０．１２μｍ、記録線速度：１０．６ｍ／
ｓ、チャンネルクロック：１３２ＭＨｚである。第１の
記録条件においてはフォーマット効率を８０％とした場
合のデータ転送レートは約３５Ｍｂｐｓであり、最短ブ
ランク間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔／記
録線速度）は、３０．４ｎｓである。また、第２記録条
件においてはフォーマット効率を８０％とした場合のデ
ータ転送レートは約７０Ｍｂｐｓであり、最短ブランク
間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔／記録線速
度）は、１５．２ｎｓである。
第１の記録条件は、変調方式：（１，７）ＲＬＬ、チャ
ンネルビット長：０．１２μｍ、記録線速度：５．３ｍ
／ｓ、チャンネルクロック：６６ＭＨｚであり、第２の
記録条件は、変調方式：（１，７）ＲＬＬ、チャンネル
ビット長：０．１２μｍ、記録線速度：１０．６ｍ／
ｓ、チャンネルクロック：１３２ＭＨｚである。第１の
記録条件においてはフォーマット効率を８０％とした場
合のデータ転送レートは約３５Ｍｂｐｓであり、最短ブ
ランク間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔／記
録線速度）は、３０．４ｎｓである。また、第２記録条
件においてはフォーマット効率を８０％とした場合のデ
ータ転送レートは約７０Ｍｂｐｓであり、最短ブランク
間隔と記録線速度との比（最短ブランク間隔／記録線速
度）は、１５．２ｎｓである。
【０１１４】測定の結果を図６に示す。
【０１１５】図６に示すように、第１のパルス列パター
ンを用いた場合、第１の基底パワー（Ｐｂ１）が高くな
るほど、最適な（最も低いジッタが得られた）記録パワ
ー（Ｐｗ）のレベルが低くなることが確認された。この
ような傾向は第２の記録条件（約７０Ｍｂｐｓ）におい
て顕著であり、これにより、第１のパルス列パターンは
記録線速度が高い（データ転送レートが高い）場合ほど
効果的であることが分かった。
ンを用いた場合、第１の基底パワー（Ｐｂ１）が高くな
るほど、最適な（最も低いジッタが得られた）記録パワ
ー（Ｐｗ）のレベルが低くなることが確認された。この
ような傾向は第２の記録条件（約７０Ｍｂｐｓ）におい
て顕著であり、これにより、第１のパルス列パターンは
記録線速度が高い（データ転送レートが高い）場合ほど
効果的であることが分かった。
【０１１６】また、記録線速度が高いほど、第１の基底
パワー（Ｐｂ１）を高めることによる最適な記録パワー
（Ｐｗ）のレベル低下という現象が顕著となることを利
用すれば、複数の記録線速度の中から所望の記録線速度
を選択可能なシステム（マルチスピード記録）におい
て、高線速で記録を行う場合と低線速で記録を行う場合
とで、記録パワー（Ｐｗ）を同じレベル或いは近いレベ
ルに設定することが可能となる。すなわち、本実施例に
則して言えば、第１のパルス列パターンを用いることに
よって、３５Ｍｂｐｓで記録する場合には第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）及び記録パワー（Ｐｗ）をそれぞれ０．
５ｍＷ、４．６ｍＷに設定し、７０Ｍｂｐｓで記録する
場合には第１の基底パワー（Ｐｂ１）及び記録パワー
（Ｐｗ）をそれぞれ２．０ｍＷ、４．８ｍＷに設定する
ことができる。この場合、使用する半導体レーザとして
は、最高出力が５ｍＷである比較的安価な半導体レーザ
を用いることが可能となる。
パワー（Ｐｂ１）を高めることによる最適な記録パワー
（Ｐｗ）のレベル低下という現象が顕著となることを利
用すれば、複数の記録線速度の中から所望の記録線速度
を選択可能なシステム（マルチスピード記録）におい
て、高線速で記録を行う場合と低線速で記録を行う場合
とで、記録パワー（Ｐｗ）を同じレベル或いは近いレベ
ルに設定することが可能となる。すなわち、本実施例に
則して言えば、第１のパルス列パターンを用いることに
よって、３５Ｍｂｐｓで記録する場合には第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）及び記録パワー（Ｐｗ）をそれぞれ０．
５ｍＷ、４．６ｍＷに設定し、７０Ｍｂｐｓで記録する
場合には第１の基底パワー（Ｐｂ１）及び記録パワー
（Ｐｗ）をそれぞれ２．０ｍＷ、４．８ｍＷに設定する
ことができる。この場合、使用する半導体レーザとして
は、最高出力が５ｍＷである比較的安価な半導体レーザ
を用いることが可能となる。
【０１１７】［特性比較試験２］特性比較試験２では、
特性比較試験１と同様の方法により、第２のパルス列パ
ターン（図４（ａ），（ｂ）参照）を用いた場合の第１
の基底パワー（Ｐｂ１）とこれに対応する最適な記録パ
ワー（Ｐｗ）との関係を測定した。記録条件は、上述し
た第１及び第２の記録条件を用いた。また、冷却期間Ｔ
clの長さは１Ｔとし、第２の基底パワー（Ｐｂ２）は
０．１ｍＷに設定した。
特性比較試験１と同様の方法により、第２のパルス列パ
ターン（図４（ａ），（ｂ）参照）を用いた場合の第１
の基底パワー（Ｐｂ１）とこれに対応する最適な記録パ
ワー（Ｐｗ）との関係を測定した。記録条件は、上述し
た第１及び第２の記録条件を用いた。また、冷却期間Ｔ
clの長さは１Ｔとし、第２の基底パワー（Ｐｂ２）は
０．１ｍＷに設定した。
【０１１８】測定の結果を図７に示す。
【０１１９】図７に示すように、第２のパルス列パター
ンを用いた場合も、第１の基底パワー（Ｐｂ１）が高く
なるほど、最適な（最も低いジッタが得られた）記録パ
ワー（Ｐｗ）のレベルが低くなることが確認された。こ
のような傾向は第２の記録条件（約７０Ｍｂｐｓ）にお
いて顕著であり、これにより、第２のパルス列パターン
は記録線速度が高い（データ転送レートが高い）場合ほ
ど効果的であることが分かった。したがって、第２のパ
ルス列パターンを用いることによって、３５Ｍｂｐｓで
記録する場合には第１の基底パワー（Ｐｂ１）及び記録
パワー（Ｐｗ）をそれぞれ０．５ｍＷ、４．６ｍＷに設
定し、７０Ｍｂｐｓで記録する場合には第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）及び記録パワー（Ｐｗ）をそれぞれ２．０
ｍＷ、６．０ｍＷに設定することができる。この場合、
使用する半導体レーザとしては、最高出力が６ｍＷであ
る比較的安価な半導体レーザを用いることが可能とな
る。
ンを用いた場合も、第１の基底パワー（Ｐｂ１）が高く
なるほど、最適な（最も低いジッタが得られた）記録パ
ワー（Ｐｗ）のレベルが低くなることが確認された。こ
のような傾向は第２の記録条件（約７０Ｍｂｐｓ）にお
いて顕著であり、これにより、第２のパルス列パターン
は記録線速度が高い（データ転送レートが高い）場合ほ
ど効果的であることが分かった。したがって、第２のパ
ルス列パターンを用いることによって、３５Ｍｂｐｓで
記録する場合には第１の基底パワー（Ｐｂ１）及び記録
パワー（Ｐｗ）をそれぞれ０．５ｍＷ、４．６ｍＷに設
定し、７０Ｍｂｐｓで記録する場合には第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）及び記録パワー（Ｐｗ）をそれぞれ２．０
ｍＷ、６．０ｍＷに設定することができる。この場合、
使用する半導体レーザとしては、最高出力が６ｍＷであ
る比較的安価な半導体レーザを用いることが可能とな
る。
【０１２０】尚、図６及び図７に示すように、第１の基
底パワー（Ｐｂ１）を高めることにより最適な記録パワ
ー（Ｐｗ）のレベルが低下するという現象は、第１のパ
ルス列パターンの方が顕著である。これは、第１のパル
ス列パターンには、第２のパルス列パターンとは異なり
冷却期間Ｔclが挿入されていないため、第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）による加熱補助効果がより高いためである
と考えられる。
底パワー（Ｐｂ１）を高めることにより最適な記録パワ
ー（Ｐｗ）のレベルが低下するという現象は、第１のパ
ルス列パターンの方が顕著である。これは、第１のパル
ス列パターンには、第２のパルス列パターンとは異なり
冷却期間Ｔclが挿入されていないため、第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）による加熱補助効果がより高いためである
と考えられる。
【０１２１】［特性比較試験３］特性比較試験３では、
第１の基底パワー（Ｐｂ１）とＣ／Ｎ比との関係を第１
及び第２のパルス列パターンについて測定した。記録条
件は上述した第１の記録条件とし、第２のパルス列パタ
ーンにおける冷却期間Ｔclの長さは１Ｔとし、第２の基
底パワー（Ｐｂ２）は０．１ｍＷに設定した。また、記
録パワー（Ｐｗ）はそれぞれの最適パワーに設定した。
第１の基底パワー（Ｐｂ１）とＣ／Ｎ比との関係を第１
及び第２のパルス列パターンについて測定した。記録条
件は上述した第１の記録条件とし、第２のパルス列パタ
ーンにおける冷却期間Ｔclの長さは１Ｔとし、第２の基
底パワー（Ｐｂ２）は０．１ｍＷに設定した。また、記
録パワー（Ｐｗ）はそれぞれの最適パワーに設定した。
【０１２２】測定の結果を図８に示す。
【０１２３】図８に示すように、冷却期間Ｔclが挿入さ
れていない第１のパルス列パターンにおいては、第１の
基底パワー（Ｐｂ１）を増大させるとＣ／Ｎ比が低下し
たが、冷却期間Ｔclが挿入された第２のパルス列パター
ンにおいては、第１の基底パワー（Ｐｂ１）を増大させ
てもＣ／Ｎ比の低下はほとんど見られなかった。これ
は、冷却期間Ｔclを挿入することによっての記録パワー
（Ｐｗ）による熱が記録マークＭの後縁部において効果
的に冷却され、これによって、記録マークＭの後縁部が
後方にずれて記録マークＭが長くなるという現象が抑制
されたためであると考えられる。
れていない第１のパルス列パターンにおいては、第１の
基底パワー（Ｐｂ１）を増大させるとＣ／Ｎ比が低下し
たが、冷却期間Ｔclが挿入された第２のパルス列パター
ンにおいては、第１の基底パワー（Ｐｂ１）を増大させ
てもＣ／Ｎ比の低下はほとんど見られなかった。これ
は、冷却期間Ｔclを挿入することによっての記録パワー
（Ｐｗ）による熱が記録マークＭの後縁部において効果
的に冷却され、これによって、記録マークＭの後縁部が
後方にずれて記録マークＭが長くなるという現象が抑制
されたためであると考えられる。
【０１２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、基底パワー（Ｐｂ）を高めることによって記録パワ
ー（Ｐｗ）による加熱を補助していることから、追記型
の光記録媒体、特に、記録層が積層された複数の反応層
からなるタイプの光記録媒体にデータを記録する場合に
必要な記録パワー（Ｐｗ）のレベルを抑制することが可
能となる。
は、基底パワー（Ｐｂ）を高めることによって記録パワ
ー（Ｐｗ）による加熱を補助していることから、追記型
の光記録媒体、特に、記録層が積層された複数の反応層
からなるタイプの光記録媒体にデータを記録する場合に
必要な記録パワー（Ｐｗ）のレベルを抑制することが可
能となる。
【０１２５】このため、本発明は、使用するレーザビー
ムの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レ
ンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）が６４０ｎｍ
以下、例えば、ＮＡが０．７以上（特に０．８５程度）
であり、レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍ程
度である場合に特に効果的である。
ムの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レ
ンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）が６４０ｎｍ
以下、例えば、ＮＡが０．７以上（特に０．８５程度）
であり、レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍ程
度である場合に特に効果的である。
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体
１０の構造を概略的に示す断面図である。
１０の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は未記録状態である領域を拡大して示す
略断面図であり、（ｂ）は記録マークＭが形成された領
域を拡大して示す略断面図である。
略断面図であり、（ｂ）は記録マークＭが形成された領
域を拡大して示す略断面図である。
【図３】第１のパルス列パターンを示す図であり、
（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを
示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパ
ルス列パターンを示している。
（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを
示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパ
ルス列パターンを示している。
【図４】第２のパルス列パターンを示す図であり、
（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを
示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパ
ルス列パターンを示している。
（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合のパルス列パターンを
示し、（ｂ）は３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合のパ
ルス列パターンを示している。
【図５】情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図で
ある。
ある。
【図６】特性比較試験１の結果を示すグラフである。
【図７】特性比較試験２の結果を示すグラフである。
【図８】特性比較試験３の結果を示すグラフである。
【図９】有機色素を用いたＣＤ−Ｒに対してデータを記
録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であ
る。
録する場合の代表的なパルス列パターンを示す図であ
る。
【図１０】有機色素を用いたＤＶＤ−Ｒに対してデータ
を記録する場合の代表的なパルス列パターン（基本パル
ス列パターン）を示す図である。
を記録する場合の代表的なパルス列パターン（基本パル
ス列パターン）を示す図である。
１０ 光記録媒体
１１ 基板
１１ａ ランド
１１ｂ グルーブ
１２ 反射層
１３ 第２の誘電体層
１４ 記録層
１５ 第１の誘電体層
１６ 光透過層
１７ 孔
３１ 第１の反応層
３１ｂ 表面
３２ 第２の反応層
５０ 情報記録装置
５２ スピンドルモータ
５３ ヘッド
５４ コントローラ
５５ レーザ駆動回路
５６ レンズ駆動回路
５７ フォーカスサーボ追従回路
５８ トラッキングサーボ追従回路
５９ レーザコントロール回路
Ｌ１０ レーザビーム
Ｍ 記録マーク
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5D029 LB07
5D090 AA01 BB03 CC01 CC14 EE01
FF21 KK04 KK05 KK06 KK09
KK20
5D119 AA22 AA23 AA24 BA01 BB02
DA01 EA02 EA03 FA05 HA25
HA27 HA45 HA47 HA49 HA54
HA60 JA43 JB02
5D789 AA22 AA23 AA24 BA01 BB02
DA01 EA02 EA03 FA05 HA25
HA27 HA45 HA47 HA49 HA54
HA60 JA43 JB02
Claims (28)
- 【請求項１】 基板上に設けられた記録層を有する追記
型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録パ
ワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変
調されたレーザビームを照射することによって前記記録
層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって
前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報記
録方法であって、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の
基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１
〜０．５に設定し、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に設定し
て前記記録マークを形成することを特徴とする情報記録
方法。 - 【請求項２】 最短ブランク間隔と記録線速度との比
（最短ブランク間隔／記録線速度）を４０ｎｓ以下に設
定して前記記録マークを形成することを特徴とする請求
項１に記載の情報記録方法。 - 【請求項３】 記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定し、
且つ、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー
（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．２〜０．５に
設定することを特徴とする請求項１または２に記載の情
報記録方法。 - 【請求項４】 最短ブランク間隔と記録線速度との比
（最短ブランク間隔／記録線速度）を２０ｎｓ以下に設
定して前記記録マークを形成することを特徴とする請求
項３に記載の情報記録方法。 - 【請求項５】 前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基
底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．３〜
０．４５に設定することを特徴とする請求項３または４
に記載の情報記録方法。 - 【請求項６】 前記記録パワーからなるパルスが、前記
記録マークの長さに基づく数の分割パルスからなること
を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情
報記録方法。 - 【請求項７】 少なくとも一つの記録マークを形成する
際、最後の前記分割パルスの後方に前記第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）よりも強度の低い第２の基底パワー（Ｐｂ
２）からなる冷却期間を挿入することを特徴とする請求
項６に記載の情報記録方法。 - 【請求項８】 第１の記録線速度で前記記録マークを形
成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底
パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、
前記第１の記録線速度よりも高い第２の記録線速度で前
記記録マークを形成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）
と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐ
ｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか
１項に記載の情報記録方法。 - 【請求項９】 前記レーザビームの波長をλとし、前記
レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮ
Ａとした場合に λ／ＮＡ ≦ ６４０ｎｍ の条件を満たすことを特徴とする請求項１乃至８のいず
れか１項に記載の情報記録方法。 - 【請求項１０】 前記レーザビームの波長λが４５０ｎ
ｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の情報記
録方法。 - 【請求項１１】 基板と、光透過層と、前記基板及び前
記光透過層の間に配置され複数の反応層が積層されて成
る記録層とを有する光記録媒体に対し、前記光透過層側
から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射する
ことによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合さ
せ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マーク
を形成する情報記録方法であって、前記記録パワー（Ｐ
ｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１
／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定することを特徴とする
情報記録方法。 - 【請求項１２】 記録線速度を１０ｍ／ｓ以上に設定
し、且つ、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．２〜０．
５に設定することを特徴とする請求項１１に記載の情報
記録方法。 - 【請求項１３】 基板上に設けられた記録層を有する追
記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録
パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度
変調されたレーザビームを照射することによって前記記
録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによっ
て前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報
記録方法であって、５ｍ／ｓ以上である第１の記録線速
度で前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー
（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐ
ｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の記録線速度よりも
高く、且つ、１０ｍ／ｓ以上である第２の記録線速度で
前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー（Ｐ
ｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１
／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定することを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項１４】 前記ＡＬ及びＡＨとの関係を、 １．５×ＡＬ＜ＡＨ＜５．０×ＡＬ に設定することを特徴とする請求項１３に記載の情報記
録方法。 - 【請求項１５】 前記ＡＬ及びＡＨとの関係を、 ２．５×ＡＬ＜ＡＨ＜４．０×ＡＬ に設定することを特徴とする請求項１４に記載の情報記
録方法。 - 【請求項１６】 前記記録パワーからなるパルスが、前
記記録マークの長さに基づく数の分割パルスからなるこ
とを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか１項に記
載の情報記録方法。 - 【請求項１７】 少なくとも一つの記録マークを形成す
る際、最後の前記分割パルスの後方に前記第１の基底パ
ワー（Ｐｂ１）よりも強度の低い第２の基底パワー（Ｐ
ｂ２）からなる冷却期間を挿入することを特徴とする請
求項１６に記載の情報記録方法。 - 【請求項１８】 基板と、光透過層と、前記基板及び前
記光透過層の間に配置され複数の反応層が積層されて成
る記録層とを有する光記録媒体に対し、前記光透過層側
から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射する
ことによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合さ
せ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マーク
を形成する情報記録方法であって、第１の記録線速度で
前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー（Ｐ
ｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１
／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の記録線速度よりも高い
第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合の前
記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定することを特徴とする情報記録方法。 - 【請求項１９】 前記第１の記録線速度が５ｍ／ｓ以上
であり、前記第２の記録線速度が１０ｍ／ｓ以上である
ことを特徴とする請求項１８に記載の情報記録方法。 - 【請求項２０】 基板上に設けられた記録層を有する追
記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録
パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度
変調されたレーザビームを照射することによって前記記
録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによっ
て前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報
記録装置であって、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１
の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．
１〜０．５に設定し、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に設定
して前記記録マークを形成することを特徴とする情報記
録装置。 - 【請求項２１】 基板と、光透過層と、前記基板及び前
記光透過層の間に配置され複数の反応層が積層されて成
る記録層とを有する光記録媒体に対し、前記光透過層側
から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射する
ことによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合さ
せ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マーク
を形成する情報記録装置であって、前記記録パワー（Ｐ
ｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１
／Ｐｗ）を０．１〜０．５に設定して前記記録マークを
形成することを特徴とする情報記録装置。 - 【請求項２２】 基板上に設けられた記録層を有する追
記型の光記録媒体の前記記録層に対し、少なくとも記録
パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度
変調されたレーザビームを照射することによって前記記
録層を物理的及び／又は化学的に変化させ、これによっ
て前記記録層の所定の領域に記録マークを形成する情報
記録装置であって、５ｍ／ｓ以上である第１の記録線速
度で前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー
（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐ
ｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の記録線速度よりも
高く、且つ、１０ｍ／ｓ以上である第２の記録線速度で
前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー（Ｐ
ｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１
／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成することを特徴とする
情報記録装置。 - 【請求項２３】 基板と、光透過層と、前記基板及び前
記光透過層の間に配置され複数の反応層が積層されて成
る記録層とを有する光記録媒体に対し、前記光透過層側
から少なくとも記録パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワ
ー（Ｐｂ１）に強度変調されたレーザビームを照射する
ことによって前記複数の反応層に含まれる元素を混合さ
せ、これによって前記記録層の所定の領域に記録マーク
を形成する情報記録装置であって、第１の記録線速度で
前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー（Ｐ
ｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１
／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の記録線速度よりも高い
第２の記録線速度で前記記録マークを形成する場合の前
記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ
１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成することを特徴とする
情報記録装置。 - 【請求項２４】 基板と、前記基板上に設けられた記録
層とを有し、前記記録層に対して少なくとも記録パワー
（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調さ
れたレーザビームを照射することによって前記記録層を
物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記
記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な追記型の
光記録媒体であって、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第
１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を
０．１〜０．５に設定し、記録線速度を５ｍ／ｓ以上に
設定して前記記録マークを形成するために必要な設定情
報を有していることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２５】 基板と、光透過層と、前記基板及び前
記光透過層の間に配置され複数の反応層が積層されて成
る記録層とを有し、前記光透過層側から少なくとも記録
パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度
変調されたレーザビームを照射することによって前記複
数の反応層に含まれる元素を混合させ、これによって前
記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な光記録
媒体であって、前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基
底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）を０．１〜
０．５に設定して前記記録マークを形成するために必要
な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２６】 基板と、前記基板上に設けられた記録
層とを有し、前記記録層に対して少なくとも記録パワー
（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度変調さ
れたレーザビームを照射することによって前記記録層を
物理的及び／又は化学的に変化させ、これによって前記
記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な追記型の
光記録媒体であって、５ｍ／ｓ以上である第１の記録線
速度で前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー
（Ｐｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐ
ｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、前記第１の記録線速度よりも
高く、且つ、１０ｍ／ｓ以上である第２の記録線速度で
前記記録マークを形成する場合の前記記録パワー（Ｐ
ｗ）と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１
／Ｐｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成するために必要な設定
情報を有していることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２７】 基板と、光透過層と、前記基板及び前
記光透過層の間に配置され複数の反応層が積層されて成
る記録層とを有し、前記光透過層側から少なくとも記録
パワー（Ｐｗ）及び第１の基底パワー（Ｐｂ１）に強度
変調されたレーザビームを照射することによって前記複
数の反応層に含まれる元素を混合させ、これによって前
記記録層の所定の領域に記録マークを形成可能な光記録
媒体であって、第１の記録線速度で前記記録マークを形
成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）と前記第１の基底
パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐｗ）をＡＬとし、
前記第１の記録線速度よりも高い第２の記録線速度で前
記記録マークを形成する場合の前記記録パワー（Ｐｗ）
と前記第１の基底パワー（Ｐｂ１）との比（Ｐｂ１／Ｐ
ｗ）をＡＨとした場合、 ＡＨ＞ＡＬ に設定して前記記録マークを形成するために必要な設定
情報を有していることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２８】 前記光透過層の厚さが１０〜３００μ
ｍであることを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれ
か１項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002143477A JP2003338038A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 光記録媒体への情報記録方法、情報記録装置及び光記録媒体 |
| KR10-2004-7018521A KR20040111624A (ko) | 2002-05-17 | 2003-05-19 | 광기록 매체에의 데이터의 기록 방법, 광기록 매체에의데이터의 기록 장치 및 광기록 매체 |
| CNB038141396A CN1300783C (zh) | 2002-05-17 | 2003-05-19 | 在光记录介质中记录数据的方法和装置,及光记录介质 |
| US10/514,611 US7554892B2 (en) | 2002-05-17 | 2003-05-19 | Method for recording data in optical recording medium, an apparatus for recording data in optical recording medium and optical recording medium |
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