JP2003332597A - Method for manufacturing thin film solar cell module - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、ユニットセルを
複数個直列または並列接続した薄膜太陽電池モジュール
の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a thin film solar cell module in which a plurality of unit cells are connected in series or in parallel.
【０００２】[0002]
【従来の技術】非単結晶膜を用いた光電変換装置、特に
シリコン系の非単結晶薄膜であるアモルファス（非晶
質）シリコン（a-Si）、多結晶シリコンあるいは微結晶
シリコン等の薄膜を、プラズマ放電によって形成した薄
膜光電変換装置は、単結晶シリコンデバイスと比較し
て、大面積に、低温で、安価に作製できることから、電
力用の大面積薄膜太陽電池への適用において特に期待さ
れている。2. Description of the Related Art A photoelectric conversion device using a non-single-crystal film, particularly a thin film such as amorphous silicon (a-Si) which is a silicon-based non-single-crystal thin film, polycrystalline silicon or microcrystalline silicon Since a thin film photoelectric conversion device formed by plasma discharge can be manufactured in a large area, at a low temperature, and at low cost as compared with a single crystal silicon device, it is particularly expected to be applied to a large area thin film solar cell for electric power. There is.
【０００３】従来の薄膜太陽電池は、後述するガラス基
板を用いるものが一般的であった。近年、軽量化、施工
性、量産性においてプラスチックフィルムを用いたフレ
キシブルタイプの太陽電池の研究開発が進められ実用化
されている。さらに、フレキシブルな金属材料に絶縁被
覆したフィルム基板を用いたものも開発されている。こ
のフレキシブル性を生かし、ロールツーロール方式やス
テッピングロール方式の製造方法により大量生産が可能
となった。Conventional thin-film solar cells generally use a glass substrate, which will be described later. In recent years, research and development of a flexible solar cell using a plastic film has been promoted and put into practical use in terms of weight reduction, workability, and mass productivity. Further, a flexible metal material using an insulating film substrate has been developed. Taking advantage of this flexibility, mass production becomes possible by the roll-to-roll method and stepping roll method.
【０００４】上記の薄膜太陽電池は、電気絶縁性フィル
ム基板上に第１電極（以下、下電極ともいう）、薄膜半
導体層からなる光電変換層および第２電極（以下、透明
電極ともいう）が積層されてなる光電変換素子（または
セル）が複数形成されている。ある光電変換素子の第１
電極と隣接する光電変換素子の第２電極を電気的に接続
することを繰り返すことにより、最初の光電変換素子の
第１電極と最後の光電変換素子の第２電極とに必要な電
圧を出力させることができる。例えば、インバータによ
り交流化し商用電力源として交流１００Ｖを得るために
は、薄膜太陽電池の出力電圧は１００Ｖ以上が望まし
く、実際には数１０個以上の素子が直列接続される。In the above thin film solar cell, a first electrode (hereinafter, also referred to as a lower electrode), a photoelectric conversion layer formed of a thin film semiconductor layer, and a second electrode (hereinafter, also referred to as a transparent electrode) are provided on an electrically insulating film substrate. A plurality of stacked photoelectric conversion elements (or cells) are formed. First of certain photoelectric conversion elements
By repeatedly electrically connecting the electrode and the second electrode of the adjacent photoelectric conversion element, a necessary voltage is output to the first electrode of the first photoelectric conversion element and the second electrode of the last photoelectric conversion element. be able to. For example, the output voltage of the thin-film solar cell is preferably 100 V or higher in order to convert it to an alternating current by an inverter and obtain 100 V AC as a commercial power source, and several tens or more elements are actually connected in series.
【０００５】このような光電変換素子とその直列接続
は、電極層と光電変換層の成膜と各層のパターニングお
よびそれらの組み合わせ手順により形成される。上記太
陽電池の構成および製造方法の一例として、本願出願人
により、いわゆるＳＣＡＦ（Series Connection throug
h Apertures on Film）型の薄膜太陽電池が提案されて
おり、例えば特開平１０−２３３５１７号公報に記載さ
れている。Such a photoelectric conversion element and its serial connection are formed by film formation of an electrode layer and a photoelectric conversion layer, patterning of each layer, and a combination procedure thereof. As an example of the configuration and manufacturing method of the above-mentioned solar cell, the applicant of the present invention has proposed a so-called SCAF (Series Connection throug).
h Apertures on Film) type thin film solar cells have been proposed and are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-233517.
【０００６】図６は、構造の理解の容易化のために、前
記ＳＣＡＦ型の薄膜太陽電池の構成を簡略化して斜視図
で示したものである。図６において、基板６１の表面に
形成した単位光電変換素子６２および基板６１の裏面に
形成した接続電極層６３は、それぞれ複数の単位ユニッ
トに完全に分離され、それぞれの分離位置をずらして形
成されている。このため、素子６２のアモルファス半導
体部分である光電変換層６５で発生した電流は、まず透
明電極層６６に集められ、次に該透明電極層領域に形成
された集電孔６７を介して背面の接続電極層６３に通
じ、さらに該接続電極層領域で素子の透明電極層領域の
外側に形成された直列接続用の接続孔６８を介して上記
素子と隣り合う素子の透明電極層領域の外側に延びてい
る下電極層６４に達し、両素子の直列接続が行われてい
る。FIG. 6 is a perspective view showing a simplified structure of the SCAF type thin film solar cell in order to facilitate understanding of the structure. In FIG. 6, the unit photoelectric conversion element 62 formed on the front surface of the substrate 61 and the connection electrode layer 63 formed on the back surface of the substrate 61 are each completely separated into a plurality of unit units, and are formed by shifting their respective separation positions. ing. Therefore, the current generated in the photoelectric conversion layer 65, which is the amorphous semiconductor portion of the element 62, is first collected in the transparent electrode layer 66, and then, through the current collecting hole 67 formed in the transparent electrode layer region, on the back surface. To the outside of the transparent electrode layer area of the element adjacent to the above element through the connection hole 68 for serial connection which is connected to the connection electrode layer 63 and is formed outside the transparent electrode layer area of the element in the connection electrode layer area. Reaching the extending lower electrode layer 64, both elements are connected in series.
【０００７】上記薄膜太陽電池の簡略化した製造工程を
図７（a）から（g）に示す。プラスチックフィルム７１
を基板として（工程（a））、これに接続孔７８を形成
し（工程（b））、基板の両面に第１電極層（下電極）
７４および第３電極層（接続電極の一部）７３を形成
（工程（c））した後、接続孔７８と所定の距離離れた
位置に集電孔７７を形成する（工程（d））。工程（c）
と工程（d）との間に、第１電極層（下電極）７４を所
定の形状にレーザ加工して、下電極をパターニングする
工程があるが、ここではこの工程の図を省略している。A simplified manufacturing process of the thin film solar cell is shown in FIGS. 7 (a) to 7 (g). Plastic film 71
As a substrate (step (a)), a connection hole 78 is formed therein (step (b)), and the first electrode layer (lower electrode) is formed on both surfaces of the substrate.
After forming 74 and the third electrode layer (a part of the connection electrode) 73 (step (c)), a current collecting hole 77 is formed at a position separated from the connection hole 78 by a predetermined distance (step (d)). Process (c)
Between step (d) and step (d), there is a step of patterning the lower electrode by laser processing the first electrode layer (lower electrode) 74 into a predetermined shape, but the illustration of this step is omitted here. .
【０００８】次に、第１電極層７４の上に、光電変換層
となる半導体層７５および第２電極層である透明電極層
７６を順次形成するとともに（工程（e）および工程
（f））、第３電極層７３の上に第４電極層（接続電極
層）７９を形成する（工程（g））。この後、レーザビ
ームを用いて、基板７１の両側の薄膜を分離加工して図
６に示すような直列接続構造を形成する。Next, a semiconductor layer 75 to be a photoelectric conversion layer and a transparent electrode layer 76 to be a second electrode layer are sequentially formed on the first electrode layer 74 (step (e) and step (f)). A fourth electrode layer (connection electrode layer) 79 is formed on the third electrode layer 73 (step (g)). After that, the thin films on both sides of the substrate 71 are separated and processed using a laser beam to form a series connection structure as shown in FIG.
【０００９】なお、図７においては、集電孔ｈ２内にお
ける透明電極層７６と第４電極層７９との接続をそれぞ
れの層を重ねて２層で図示しているが、前記図６におい
ては、電気的に一層として扱い、１層で図示している。Incidentally, in FIG. 7, the connection between the transparent electrode layer 76 and the fourth electrode layer 79 in the current collecting hole h2 is shown as two layers by stacking the respective layers, but in FIG. , Electrically treated as one layer, and shown as one layer.
【００１０】図５は、図６に示す薄膜太陽電池の構成
を、この発明の説明の便宜上、簡略化し一部を拡大して
模式的に示す図で、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は
図５（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図を示す。FIG. 5 is a diagram schematically showing the structure of the thin-film solar cell shown in FIG. 6 for the sake of convenience of explanation of the present invention by simplifying and enlarging a part thereof. FIG. 5 (a) is a plan view and FIG. 5 (b) is a sectional view taken along line XX in FIG. 5 (a).
【００１１】図５において、図６と同一構成部材には同
一番号を付して説明を省略する。図５において、６３で
示す接続電極層は、図７において説明したように、第１
接続電極層（第３電極層）および第２接続電極層（第４
電極層）の２層からなる。また、１ｈの切断部は、前述
の分離線に相当し、接続電極層のパターニング用罫書き
線部、１ｇの切断部は、基板表面の光電変換部のパター
ニング用罫書き線部を示す。5, the same components as those of FIG. 6 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. As shown in FIG. 7, the connection electrode layer indicated by 63 in FIG.
Connection electrode layer (third electrode layer) and second connection electrode layer (fourth electrode layer)
Electrode layer). The cut portion 1h corresponds to the above-described separation line, the patterning scoring line portion of the connection electrode layer, and the cut portion 1g indicate the patterning scoring line portion of the photoelectric conversion portion on the substrate surface.
【００１２】なお、上記薄膜太陽電池は、通常、絶縁保
護しモジュール化して使用される。太陽電池モジュール
としては、電気絶縁性を有するフィルム基板上に形成さ
れた薄膜太陽電池を、電気絶縁性の保護材により封止す
るために、太陽電池の受光面側および非受光面側の双方
に保護層を設けたものが知られている。[0012] The thin film solar cell is usually used by being insulation-protected and modularized. As a solar cell module, a thin film solar cell formed on an electrically insulating film substrate is sealed on an electrically insulating protective material on both the light receiving surface side and the non-light receiving surface side of the solar cell. It is known that a protective layer is provided.
【００１３】図８は、太陽電池モジュールの模式的構造
の一例の側断面図を示す。FIG. 8 is a side sectional view showing an example of a schematic structure of a solar cell module.
【００１４】図８において、太陽電池２１は、複数個の
太陽電池素子が直列または並列接続されており、その受
光面側に、例えば、ガラス板などの表面保護部材２２、
裏面側にアルミ箔の両面に一弗化エチレン（商品名：テ
ドラー，デュポン社製）を接着した防湿保護シートなど
の裏面保護部材２３が設けられ、接着封止性に優れかつ
安価なＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂）など
の接着性樹脂封止材２４により熱融着封止されている。
ＥＶＡの厚さは、例えば、受光面側および非受光面側共
に、それぞれ０．４ｍｍである。In FIG. 8, a solar cell 21 has a plurality of solar cell elements connected in series or in parallel, and on the light-receiving surface side thereof, a surface protection member 22, such as a glass plate,
The back side is provided with a back side protection member 23 such as a moisture-proof protection sheet in which ethylene monofluoride (trade name: Tedler, manufactured by DuPont) is adhered to both sides of an aluminum foil, and EVA (ethylene -Vinyl acetate copolymer resin) and the like are heat-sealed and sealed by an adhesive resin sealing material 24.
The thickness of EVA is, for example, 0.4 mm on both the light-receiving surface side and the non-light-receiving surface side.
【００１５】また太陽電池２１は、そのプラス(＋)極と
マイナス(−)極に、内部リード線２５、２６が電気的に
接続され、この内部リード線２５、２６は、裏面保護部
材２３に接着固定された端子ボックス２７に、裏面保護
部材２３を貫通して導かれ、端子ボックス２７の内部で
外部リード線としてのケーブル２８の芯線２９、３０と
電気的に接続され、これら全体として太陽電池モジュー
ル３１を形成している。Further, in the solar cell 21, internal lead wires 25 and 26 are electrically connected to the positive (+) pole and the negative (-) pole thereof, and the internal lead wires 25 and 26 are connected to the back surface protection member 23. The back surface protection member 23 is guided through the terminal box 27 that is fixed by adhesion, and is electrically connected to the core wires 29 and 30 of the cable 28 as external lead wires inside the terminal box 27, and the solar cell as a whole. The module 31 is formed.
【００１６】なお、前記表面保護部材２２としては、ガ
ラス板などの無機系材料の外に、透光性のアクリル樹脂
板やポリカーボネイト樹脂板などの有機系材料を用いる
こともある。また、裏面保護部材２３としては、上記金
属箔入り樹脂以外に、フツ素系フィルムなどの有機系フ
ィルム単体、有機系フィルムと金属箔を貼り合せた複合
材料、もしくは金属板やガラス板などの金属・無機系材
料を用いることもある。As the surface protection member 22, in addition to an inorganic material such as a glass plate, an organic material such as a translucent acrylic resin plate or polycarbonate resin plate may be used. Further, as the back surface protection member 23, in addition to the resin containing the metal foil, an organic film alone such as a fluorine film, a composite material in which an organic film and a metal foil are bonded, or a metal such as a metal plate or a glass plate is used. -Inorganic materials may be used.
【００１７】次に、ガラス基板を用い、その片面側に薄
膜太陽電池を形成する片面型薄膜太陽電池の構成とその
製造プロセスの概要について述べる。図４は、ガラス基
板片面型薄膜太陽電池で典型的に利用される直列接続構
造の製造プロセスの一例を示す。図４の（ａ）〜（ｆ）
は、それぞれ下記を示す。即ち、（ａ）は、ガラス基板
５１上に、第１電極層５２を成膜した状態の断面図。
（ｂ）は、前記第１電極層５２を、ライン５３において
レーザパターニングした断面図。（ｃ）は、（ｂ）にお
いて非晶質シリコンなどからなる光電変換層５４を形成
した断面図。（ｄ）は、（ｃ）においてライン５５でレ
ーザパターニングした断面図。（ｅ）は、（ｄ）におい
てSnO2などの透明電極層５６を形成した断面図。（ｆ）
は、透明電極層と光電変換層とを一括してライン５７で
パターニングし、直列構造を完成させた状態の断面図。Next, the structure of a single-sided thin film solar cell in which a glass substrate is used and a thin film solar cell is formed on one side of the glass substrate, and an outline of its manufacturing process will be described. FIG. 4 shows an example of a manufacturing process of a series connection structure typically used in a glass substrate single-sided thin film solar cell. 4A to 4F
Indicates the following respectively. That is, (a) is a cross-sectional view showing a state where the first electrode layer 52 is formed on the glass substrate 51.
FIG. 7B is a cross-sectional view of the first electrode layer 52 laser-patterned at a line 53. (C) is a cross-sectional view in which the photoelectric conversion layer 54 made of amorphous silicon or the like is formed in (b). (D) is a cross-sectional view obtained by laser patterning at line 55 in (c). (E) is a cross-sectional view in which a transparent electrode layer 56 such as SnO 2 is formed in (d). (F)
Is a cross-sectional view of a state in which the transparent electrode layer and the photoelectric conversion layer are collectively patterned by the line 57 to complete the series structure.
【００１８】上記のようなプロセスにより、複数個のユ
ニットセル相互を電気的に直列に接続してなるガラス基
板型太陽電池が形成される。この場合にも、モジュール
化の際には、接着性樹脂封止材により封止され、電気的
に保護される。By the process as described above, a glass substrate type solar cell in which a plurality of unit cells are electrically connected in series is formed. Also in this case, when the module is formed, it is sealed by the adhesive resin sealing material and electrically protected.
【００１９】なお、ガラス基板型太陽電池の場合、前記
図４に示す構成において、５２を透明電極層とし、５６
を第１電極層とする場合もある。即ち、この場合には、
ガラス基板の上に、まず透明電極層が形成され、その上
に、光電変換層および第１電極層（裏面電極層）が形成
される。In the case of a glass substrate type solar cell, in the structure shown in FIG. 4, 52 is a transparent electrode layer, and 56
May be used as the first electrode layer. That is, in this case,
First, a transparent electrode layer is formed on a glass substrate, and a photoelectric conversion layer and a first electrode layer (back surface electrode layer) are formed thereon.
【００２０】[0020]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
薄膜太陽電池モジュールの製造方法においては、下記の
ような問題があった。The above-mentioned conventional method for manufacturing a thin film solar cell module has the following problems.
【００２１】成膜過程において、基板上に付着している
ゴミ等によりピンホールが発生し、第１電極（下電極）
と透明電極が電気的に短絡する問題がある。この問題が
発生する要因は、透明電極層の形成時点でピンホール内
にも透明電極が延長して形成されるためと推定される
が、通常は、このピンホールによる局所短絡部は、ユニ
ットセルへの数ボルトの逆バイアスの電圧印加処理によ
り、電気的に分離（局所短絡部を除去して絶縁）するこ
とができる。その理由は、逆バイアスの電圧印加処理に
よるジュール熱の発生により、ピンホール内の透明電極
が焼却除去されるものと推定される。In the film forming process, pinholes are generated due to dust or the like adhering to the substrate, and the first electrode (lower electrode)
And the transparent electrode is electrically short-circuited. It is presumed that the cause of this problem is that the transparent electrode is extended and formed in the pinhole at the time of forming the transparent electrode layer. Normally, the local short circuit portion due to the pinhole is a unit cell. By applying a reverse bias voltage of several volts to the electrodes, they can be electrically separated (local short-circuited portions are removed and insulated). The reason for this is presumed that the transparent electrode in the pinhole is incinerated and removed by the generation of Joule heat due to the reverse bias voltage application process.
【００２２】例えば、４〜８Ｖの逆バイアスを印加す
る。印加電圧は、まず２Ｖ程度の電圧を印加し、各ユニ
ットセル毎のリーク電流を測定する。リーク電流値が１
０〜２０ｍＡ以上のセルに対しては再び逆バイアスを、
４〜８Ｖ程度の電圧で印加し、リークポイントを焼き切
る。逆バイアス印加後、ソーラーシミュレータにおいて
白色光、強度１ＳＵＮ（１００ｍＷ／ｃｍ2）で太陽電
池の初期特性を測定する。その後、接着性樹脂封止材や
保護層のラミネート工程に移り、モジュール化を行な
う。For example, a reverse bias of 4 to 8 V is applied. As the applied voltage, first, a voltage of about 2 V is applied, and the leak current for each unit cell is measured. Leak current value is 1
Reverse bias is again applied to cells of 0 to 20 mA or more.
A voltage of about 4 to 8 V is applied to burn off the leak point. After applying the reverse bias, the initial characteristics of the solar cell are measured with white light and an intensity of 1 SUN (100 mW / cm 2 ) in a solar simulator. After that, the process proceeds to the step of laminating the adhesive resin sealing material and the protective layer, and modularization is performed.
【００２３】通常は上記逆バイアス電圧印加処理によ
り、ユニットセル特性は改善するが、あまりピンホ−ル
の数が多い場合や大きなピンホールが存在すると、電圧
印加処理を行っても、回復できないセルが存在し、ラミ
ネート工程後に新たにリークが発生することが判明し
た。特に、大電流型の薄膜太陽電池の場合には、ユニッ
トセル面積が大きくなるため（発電電流はユニットセル
面積に比例するので）、面積に比例してピンホールの数
が増大し、ユニットセル内にこのような回復できないピ
ンホ−ルが残存する確率が高くなる。Normally, the reverse bias voltage application process improves the unit cell characteristics, but if there are too many pinholes or large pinholes, some cells cannot be recovered even if the voltage application process is performed. It was found that a new leak occurred after the laminating process. In particular, in the case of a large-current type thin-film solar cell, the unit cell area increases (since the generated current is proportional to the unit cell area), so the number of pinholes increases in proportion to the area, In addition, the probability that such an unrecoverable pinhole remains will increase.
【００２４】また、大きなピンホールがユニットセル内
に存在すると、電圧印加処理時に流れる電流が大きなピ
ンホール部に集中するために、その他の小さなピンホ−
ルも電圧印加処理で回復できなくなり、リーク電流が所
期のレベルまで下がらないことがあった。If a large pinhole exists in the unit cell, the current flowing during the voltage application process concentrates on the large pinhole portion, so that another small pinhole is formed.
In some cases, the voltage could not be restored by the voltage application process, and the leak current could not fall to the desired level.
【００２５】ユニットセル内にこのような回復できない
ピンホ−ルが残存しても、モジュール化後は、薄膜太陽
電池の各ユニットセル毎の端子が接着性樹脂で覆われて
しまうため、ユニットセル毎に逆バイアスを印加するこ
とができない。また、直列接続構造を形成している薄膜
太陽電池全体に逆バイアスを印加しても、正常なセルに
電圧がかかり、リークポイントに選択的に電圧を印加さ
せることはできない。従って、モジュール化後、特性が
低下する太陽電池の初期特性を回復させることができ
ず、この問題は、薄膜太陽電池モジュールの製造歩留ま
りを低下させる要因となっていた。Even if such unrecoverable pinholes remain in the unit cells, the terminals of each unit cell of the thin-film solar cell are covered with the adhesive resin after the module is formed, so that each unit cell is not covered. A reverse bias cannot be applied to. Moreover, even if a reverse bias is applied to the whole thin film solar cell forming the series connection structure, a voltage is applied to a normal cell, and it is not possible to selectively apply a voltage to the leak point. Therefore, after the modularization, the initial characteristics of the solar cell whose characteristics are deteriorated cannot be restored, and this problem has been a factor of reducing the manufacturing yield of the thin film solar cell module.
【００２６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、この発明の課題は、ユニット
セル内の局所的短絡に伴う薄膜太陽電池の性能低下の防
止を図り、薄膜太陽電池の性能向上と製造歩留りの向上
を図った薄膜太陽電池モジュールの製造方法を提供する
ことにある。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to prevent the performance of a thin film solar cell from being deteriorated due to a local short circuit in a unit cell. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a thin-film solar cell module that improves the performance of a solar cell and the manufacturing yield.
【００２７】[0027]
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、この発明においては、電気絶縁性を有する基板の表
面に、第１電極層、光電変換層、透明電極層の薄膜を積
層し、単位部分にパターニングして罫書き線により矩形
の単位薄膜太陽電池（ユニットセル）を複数個形成し、
このユニットセル相互を電気的に直列に接続し、受光面
側および非受光面側に保護層を設けて、接着性樹脂封止
材により封止してなる薄膜太陽電池モジュールの製造方
法であって、以下の工程を含むこととする（請求項１の
発明）。
１）前記複数個のユニットセルを形成後、接着性樹脂封
止材により封止する前に、各ユニットセルに逆方向バイ
アスの電圧印加処理を行なう工程。
２）前記接着性樹脂封止材により封止した後、各ユニッ
トセルに順方向バイアスの電圧印加処理を行なう工程。In order to solve the above-mentioned problems, in the present invention, a thin film of a first electrode layer, a photoelectric conversion layer, a transparent electrode layer is laminated on the surface of a substrate having electrical insulation, Patterning into unit parts and forming a plurality of rectangular unit thin film solar cells (unit cells) with scoring lines,
A method for manufacturing a thin-film solar cell module, in which the unit cells are electrically connected in series, a protective layer is provided on the light-receiving surface side and the non-light-receiving surface side, and sealed with an adhesive resin sealing material. The following steps are included (the invention of claim 1). 1) A step of applying a reverse bias voltage to each unit cell after forming the plurality of unit cells and before sealing with the adhesive resin sealing material. 2) A step of applying a forward bias voltage to each unit cell after sealing with the adhesive resin sealing material.
【００２８】前記請求項１の発明の実施態様としては、
下記請求項２ないし７の発明が好ましい。即ち、請求項
１に記載の製造方法において、前記順方向バイアスの電
圧印加処理は、各ユニットセルの順方向に電流を流す処
理とする（請求項２の発明）。また、前記請求項２に記
載の製造方法において、前記順方向に電流を流す処理
は、前記ユニットセルへの光照射処理とする（請求項３
の発明）。As an embodiment of the invention of claim 1,
The inventions of claims 2 to 7 below are preferable. That is, in the manufacturing method according to claim 1, the forward bias voltage application process is a process of passing a current in the forward direction of each unit cell (the invention of claim 2). Further, in the manufacturing method according to claim 2, the process of passing a current in the forward direction is a light irradiation process of the unit cell (claim 3).
Invention).
【００２９】さらに、請求項１ないし３のいずれかに記
載の製造方法において、前記順方向に流す電流値は、前
記ユニットセルに１ＳＵＮ（１００ｍＷ／ｃｍ2）の光
照射を行なった際の短絡電流値の０．５倍以上とする
（請求項４の発明）。また、請求項１ないし４のいずれ
かに記載の製造方法において、前記順方向に電流を流す
処理時間と電流値との積は、前記光照射時の発生電流で
換算して、２ＳＵＮ・分以上とする（請求項５の発
明）。Further, in the manufacturing method according to any one of claims 1 to 3, the value of the current flowing in the forward direction is a short circuit current when the unit cell is irradiated with light of 1 SUN (100 mW / cm 2 ). The value is 0.5 times or more (the invention of claim 4). Further, in the manufacturing method according to any one of claims 1 to 4, a product of a processing time for flowing a current in the forward direction and a current value is 2 SUN · min or more in terms of a generated current at the time of light irradiation. (Invention of Claim 5).
【００３０】また、請求項１に記載の製造方法におい
て、前記順方向バイアスの電圧印加処理は、電源による
電圧印加処理とし、前記電源はパルス電源とする（請求
項６の発明）。さらにまた、請求項１ないし６のいずれ
かに記載の製造方法において、前記順方向バイアスの電
圧印加処理の際に、前記薄膜太陽電池を冷却し、その表
面温度を２５℃以下とする（請求項７の発明）。Further, in the manufacturing method according to claim 1, the voltage application process of the forward bias is a voltage application process by a power source, and the power source is a pulse power source (the invention of claim 6). Furthermore, in the manufacturing method according to any one of claims 1 to 6, during the forward bias voltage application process, the thin-film solar cell is cooled and the surface temperature thereof is set to 25 ° C or lower (claim 7). Invention of 7).
【００３１】上記各発明の作用効果について、総括的に
以下に述べる。例えば直列接続構造の素子に１ＳＵＮの
光照射を行うと全ユニットセルにある一定の電流が流
れ、それぞれ電圧が発生する。図２は、a-Si/a-Siタン
デムセルにおいて、セルのリークレベルが異なる場合の
電圧−電流特性（ＶＩ特性）を説明する模式図である。
図２に示すように、１ＳＵＮの光照射を行なった場合、
正常なユニットセル（良品セル）には１．５〜２Ｖの電
圧が加わる。The action and effect of each of the above inventions will be described below as a whole. For example, when 1 SUN of light is irradiated to the elements of the serial connection structure, a certain current flows in all the unit cells, and respective voltages are generated. FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the voltage-current characteristics (VI characteristics) in the a-Si / a-Si tandem cell when the leak levels of the cells are different.
As shown in FIG. 2, when 1 SUN light irradiation is performed,
A voltage of 1.5 to 2 V is applied to a normal unit cell (non-defective cell).
【００３２】図２において、リークが比較的小さなレベ
ルの小リークセルには、これとほぼ同等の電圧が各ユニ
ットセルに加わり、リークポイントを焼き切ることがで
きる。しかしながら、比較的大きなレベルの大リークセ
ルの場合は、発生する電圧は１Ｖ以下となってしまい、
リークポイントを焼き切ることができなくなる。したが
って、大きなリークを予め逆バイアス処理によって除去
しておくことが有効である。In FIG. 2, for a small leak cell having a relatively small level of leak, a voltage almost equal to this is applied to each unit cell, and the leak point can be burnt out. However, in the case of a large leak cell of a relatively large level, the generated voltage is 1 V or less,
The leak point cannot be burned out. Therefore, it is effective to remove a large leak by reverse bias processing in advance.
【００３３】順方向に流す電流は、前記請求項４の発明
のように、光照射を行なった際の短絡電流値の０．５倍
以上、好ましくは２倍以上とする。また、前記請求項５
の発明のように、処理時間と電流値との積、即ち、光照
射強度と照射時間の積は、２ＳＵＮ・分以上、好ましく
は２０ＳＵＮ・分以上で、光照射強度は２ＳＵＮ以上と
する。The current flowing in the forward direction is set to 0.5 times or more, preferably 2 times or more of the short circuit current value at the time of light irradiation as in the invention of claim 4. In addition, the claim 5
As in the invention, the product of the processing time and the current value, that is, the product of the light irradiation intensity and the irradiation time is 2 SUN · min or more, preferably 20 SUN · min or more, and the light irradiation intensity is 2 SUN or more.
【００３４】また、太陽電池を光照射する際、前記請求
項７の発明のように、太陽電池の受光面の温度を少なく
とも２５℃以下、好ましくは１０℃以下となるように、
冷風を吹きかけ、さらに太陽電池を設置する台に冷却機
構を設けることが望ましい。これは、温度依存性のある
開放電圧の低下を極力防ぐためである。図３に、セル温
度（Ｔ）を変えた場合のＶＩ特性の模式図を示すが、本
図に示すように、温度が比較的高いＴ２の場合、温度が
比較的低いＴ１に比べて、開放電圧が低下する。開放電
圧が低下すると、各ユニットセルにかかる電圧が低下し
てしまい、その結果短絡部除去効果が低減してしまう。When the solar cell is irradiated with light, the temperature of the light receiving surface of the solar cell is set to at least 25 ° C. or lower, preferably 10 ° C. or lower, as in the invention of claim 7.
It is desirable to blow cold air and to provide a cooling mechanism on the table on which the solar cell is installed. This is to prevent the decrease of the open circuit voltage, which has temperature dependence, as much as possible. FIG. 3 shows a schematic diagram of the VI characteristics when the cell temperature (T) is changed. As shown in this figure, in the case of T2 having a relatively high temperature, compared to T1 having a relatively low temperature, the opening is increased. The voltage drops. When the open circuit voltage decreases, the voltage applied to each unit cell also decreases, and as a result, the short-circuit removal effect is reduced.
【００３５】また、前記請求項６の発明のように、パル
ス電源を用いて順方向にバイアスを印加することも好ま
しい。パルス電源を用いる理由としては、太陽電池に電
流が流れる際、ジュール熱によって太陽電池が加熱され
ることによって生じる開放電圧の低下を極力防ぐためで
ある。Further, as in the invention of claim 6, it is also preferable to apply a bias in the forward direction using a pulse power source. The reason for using the pulsed power supply is to prevent the decrease in the open circuit voltage caused by the heating of the solar cell by Joule heat when the current flows through the solar cell as much as possible.
【００３６】大面積の太陽電池に光を照射するために
は、大型の設備が必要であるが、直流電源もしくはパル
ス電源などの外部電源から電流を注入する方法の利点
は、光照射に比べて、大型の設備を必要とせず、比較的
短時間で処理できる点にある。To irradiate a large-area solar cell with light, large equipment is required, but the advantage of the method of injecting current from an external power source such as a DC power source or a pulse power source is that it has an advantage over light irradiation. However, it does not require large equipment and can be processed in a relatively short time.
【００３７】[0037]
【発明の実施の形態】（実施例１）第１の実施例とし
て、光照射を短絡部除去に適用した例について述べる。
前述のように，プラスチック基板上にプラズマＣＶＤ法
によりa-Siを光電変換層とした薄膜太陽電池を製膜し、
各ユニットセルの電気的分離をレーザーパターニングに
より行なった。その後、ＥＶＡ樹脂で曲げ・折れ等に対
する補強の目的でラミネートを行なった後、４〜８Ｖの
逆バイアスを印加し，大きなリークポイントを除去し
た。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (Embodiment 1) As a first embodiment, an example in which light irradiation is applied to remove a short-circuited portion will be described.
As described above, a thin film solar cell using a-Si as a photoelectric conversion layer is formed on a plastic substrate by the plasma CVD method,
Electrical isolation of each unit cell was performed by laser patterning. Then, after laminating with an EVA resin for the purpose of reinforcement against bending and bending, a reverse bias of 4 to 8 V was applied to remove a large leak point.
【００３８】印加電圧は始め４Ｖ程度の電圧を印加し、
各ユニットセル毎のリーク電流を測定し、リーク電流値
が１０〜２０ｍＡ以上のセルに対して、再び逆バイアス
を、６〜８Ｖ程度の電圧で印加し、リークポイントを除
去した。逆バイアス印加後、ソーラーシミュレータにお
いて白色光、強度１ＳＵＮで太陽電池の初期特性を測定
した。As the applied voltage, a voltage of about 4 V is applied at the beginning,
The leak current of each unit cell was measured, and a reverse bias was applied again to a cell having a leak current value of 10 to 20 mA or more at a voltage of about 6 to 8 V to remove the leak point. After applying the reverse bias, the initial characteristics of the solar cell were measured with white light and an intensity of 1 SUN in a solar simulator.
【００３９】その後、下記のモジュール化工程を行なっ
た。モジュールの形態としてはガラスカバーモジュール
とした。太陽電池電極部に配線を施し、太陽電池と外
部が電気的に接続できるようにする。配線後、配線部
以外をETFE/EVA等の樹脂を太陽電池全体を覆うように表
・裏側に設置し、ラミネート装置を用いてラミネートを
行う。その後、余分な外周囲をカッターで切断する。
端子箱取付工程として、接着剤を用いてモジュールを端
子箱に接着固定する。主配線整形後、端子箱内の端子板
とハンダ接続し、接着剤硬化後、端子箱フタを取り付
け、モジュールを完成する。白色光・強度1SUN(100mW
/cm2)で特性試験を行う。この時点での特性試験の値
を、後述する図１において「モジュール化後」における
特性値とする。After that, the following modularization process was performed. The form of the module was a glass cover module. Wiring is applied to the solar cell electrode part so that the solar cell and the outside can be electrically connected. After wiring, except the wiring part, resin such as ETFE / EVA is placed on the front and back sides so as to cover the entire solar cell, and laminating is performed using a laminating device. After that, the excess outer circumference is cut with a cutter.
In the terminal box mounting step, the module is adhesively fixed to the terminal box using an adhesive. After shaping the main wiring, it is soldered to the terminal board in the terminal box, the adhesive is cured, and the terminal box lid is attached to complete the module. White light, intensity 1SUN (100mW
/ cm 2 ). The value of the characteristic test at this point is set as the characteristic value “after modularization” in FIG. 1 described later.
【００４０】以上の工程により完成した薄膜太陽電池モ
ジュールは、ラミネート工程後に、各ユニットセルに微
小なリークが発生し特性が低下する。リークによる特性
低下はユニットセルによりばらつきがあるが、２〜２０
％程度である。前述の通り、この状態でモジュールの端
子に逆バイアスを印加しても電圧は正常なユニットに加
わるのみでリークしているユニットには加わらない。こ
れを解決するため、以下の光照射処理を行った。In the thin film solar cell module completed by the above steps, after the laminating step, a minute leak occurs in each unit cell and the characteristics deteriorate. The characteristic deterioration due to leakage varies depending on the unit cell, but is 2 to 20.
%. As described above, even if a reverse bias is applied to the terminals of the module in this state, the voltage is applied to the normal unit but not to the leaking unit. In order to solve this, the following light irradiation processing was performed.
【００４１】作製後のモジュールに対して連続光照射装
置により、白色光、強度２ＳＵＮ（２００ｍＷ／ｃ
ｍ2）で１０分間光照射を行い、その後、白色光・１Ｓ
ＵＮ（１００ｍＷ／ｃｍ2）で特性試験を行なった。こ
の時点での特性試験の値を「光照射後（2SUN,10分）」
における特性値とする。A continuous light irradiation device was applied to the manufactured module to obtain white light and an intensity of 2 SUN (200 mW / c).
m 2) in carried out 10 minutes irradiation, then the white light · 1S
The characteristic test was performed with UN (100 mW / cm 2 ). The value of the characteristic test at this point is “after light irradiation (2SUN, 10 minutes)”
The characteristic value in.
【００４２】図１は、前記（2SUN,10分）の光照射の効
果に関わる１７個のモジュールについての実験結果を示
す図であり、前記「モジュール化後」および「光照射後
（2SUN,10分）」における発電電力（Ｗ）をそれぞれ、
縦軸に示す。図１において、注目すべき点は、１７個の
モジュールのセル特性のばらつきが、「モジュール化
後」に比較して「光照射後（2SUN,10分）」の方が小さ
くなっている点である。この理由は、モジュール化後の
時点でリークの大きなセルは光照射によりリークが減少
して出力が増加し、比較的リークの小さかったセルは、
a-Si特有の光劣化により出力が低下したためと考えられ
る。FIG. 1 is a diagram showing the experimental results for 17 modules relating to the effect of the light irradiation of (2SUN, 10 minutes) described above, that is, “after modularization” and “after light irradiation (2SUN, 10 minutes). Min) ”,
Shown on the vertical axis. In Fig. 1, the point to be noted is that the variation in the cell characteristics of 17 modules is smaller after "light irradiation (2SUN, 10 minutes)" than after "moduleization". is there. The reason for this is that after the modularization, cells with large leaks have less leakage due to light irradiation and output increase, and cells with relatively small leaks are
It is considered that the output decreased due to the photodegradation peculiar to a-Si.
【００４３】図１により、上記光劣化が多少みられるも
のの、光照射によるリークの減少効果により、全体とし
て発電電力値は底上げされ、実用上、モジュールの出荷
許容レベルに到達する。図１において、作製した太陽電
池の良/不良判定ラインを初期における発電電力におい
て、例えば４．２Ｗと設定した場合、「モジュール化
後」における初期発電電力は全１７個の太陽電池モジュ
ールのうち６個が不良品と判定され、良品率が６４％程
度となる。しかし、「光照射後（2SUN,10分）」におけ
る発電電力を、上記良/不良判断基準で選ぶと、全１７
個の太陽電池モジュールのうち不良品はなく、良品率は
１００％となる。As shown in FIG. 1, although the above-mentioned photo-deterioration is observed to some extent, the generated electric power value is raised as a whole due to the effect of reducing the leakage due to the light irradiation, and practically reaches the shipment allowable level of the module. In FIG. 1, when the good / bad determination line of the manufactured solar cell is set to 4.2 W in the initial generated power, for example, the initial generated power in “after modularization” is 6 out of all 17 solar cell modules. Individual pieces are determined to be defective products, and the non-defective product rate is about 64%. However, if the generated power after “light irradiation (2SUN, 10 minutes)” is selected according to the above good / bad judgment criteria, all 17
There is no defective product among the individual solar cell modules, and the non-defective product rate is 100%.
【００４４】なお、図１の実施例の場合、（光強度）×
（光照射時間）= 2SUN×10分=20SUN・分となるが、１Ｓ
ＵＮ時の短絡電流値の０．５倍以上の電流となる２SUN・
分程度でも特性回復の効果が見られた。また、光源は必
ずしも白色光である必要はなく、太陽電池が光吸収・発
電を行う波長の単色光を代わりに用いることもできる。In the case of the embodiment shown in FIG. 1, (light intensity) ×
(Light irradiation time) = 2SUN x 10 minutes = 20SUN · min, but 1S
2SUN, which is a current 0.5 times or more the short-circuit current value when UN
The effect of characteristic recovery was seen even for about a minute. Further, the light source does not necessarily have to be white light, and monochromatic light having a wavelength at which the solar cell absorbs and generates power can be used instead.
【００４５】（実施例２）前記実施例１と同様の手順で
作製した太陽電池モジュールにおいて、「モジュール化
後」における特性値をソーラーシミュレータで白色光・
強度１ＳＵＮで測定した後、太陽電池端子部に順方向に
電流が流れるように直流電源を取り付け、「モジュール
化後」で測定した短絡電流相当の電流（１００ｍＡ程
度）が太陽電池に流れるように調整した後、数秒〜数十
秒程度、順方向バイアスを印加した。(Example 2) In the solar cell module manufactured by the same procedure as in Example 1, the characteristic value "after modularization" was measured by a solar simulator with white light.
After measuring with a strength of 1SUN, attach a DC power supply to the solar cell terminal so that a current flows in the forward direction, and adjust the current equivalent to the short circuit current (after modularization) (about 100 mA) to flow into the solar cell. After that, a forward bias was applied for several seconds to several tens of seconds.
【００４６】この際、ジュール熱で太陽電池の温度が上
昇しないように、モジュールを風冷した。その結果、図
１に示す結果とほぼ同様の結果を得ることができた。ま
た、電流値としては、「モジュール化後」で測定した短
絡電流の０．５倍程度の電流値（５０ｍＡ程度）流した
場合でも特性回復の効果は見られた。At this time, the module was air-cooled so that the temperature of the solar cell would not rise due to Joule heat. As a result, almost the same result as that shown in FIG. 1 could be obtained. Further, as the current value, the effect of characteristic recovery was seen even when a current value (about 50 mA) of about 0.5 times the short-circuit current measured “after modularization” was passed.
【００４７】また、直流電源の代わりにパルス電源を用
いて順方向にバイアスを印加した。パルス電源を用いて
太陽電池に電流注入を行った結果、実施例１とほぼ同様
の結果を得ることができた。A bias power was applied in the forward direction by using a pulse power supply instead of the DC power supply. As a result of injecting current into the solar cell using a pulse power source, almost the same result as in Example 1 could be obtained.
【００４８】[0048]
【発明の効果】この発明によれば前述のように、電気絶
縁性を有する基板の表面に、第１電極層、光電変換層、
透明電極層の薄膜を積層し、単位部分にパターニングし
て罫書き線により矩形の単位薄膜太陽電池（ユニットセ
ル）を複数個形成し、このユニットセル相互を電気的に
直列に接続し、受光面側および非受光面側に保護層を設
けて、接着性樹脂封止材により封止してなる薄膜太陽電
池モジュールの製造方法であって、１）前記複数個のユ
ニットセルを形成後、接着性樹脂封止材により封止する
前に、各ユニットセルに逆方向バイアスの電圧印加処理
を行なう工程と、２）前記接着性樹脂封止材により封止
した後、各ユニットセルに順方向バイアスの電圧印加処
理を行なう工程とを含むこととしたので、ユニットセル
内の局所的短絡に伴う薄膜太陽電池の性能低下の防止を
図り、薄膜太陽電池の性能向上と製造歩留りの向上を図
ることができる。According to the present invention, as described above, the first electrode layer, the photoelectric conversion layer, and the
Thin film of transparent electrode layer is laminated and patterned into unit parts to form a plurality of rectangular unit thin film solar cells (unit cells) by scoring lines, and these unit cells are electrically connected in series to form a light receiving surface. Of the thin film solar cell module, in which a protective layer is provided on the side of the light receiving surface and the non-light receiving surface side, and the sealing layer is sealed with an adhesive resin encapsulant. A step of applying a reverse bias voltage to each unit cell before sealing with the resin sealing material; and 2) applying a forward bias voltage to each unit cell after sealing with the adhesive resin sealing material. Since it includes a step of performing a voltage application process, it is possible to prevent the performance of the thin film solar cell from being deteriorated due to a local short circuit in the unit cell, and to improve the performance of the thin film solar cell and the manufacturing yield. .
【図１】この発明の実施例の光照射の効果に関わる実験
結果を示す図FIG. 1 is a diagram showing experimental results relating to the effect of light irradiation according to an embodiment of the present invention.
【図２】セルのリークレベルが異なる場合の電圧−電流
特性を説明する模式図FIG. 2 is a schematic diagram illustrating voltage-current characteristics when cell leak levels are different.
【図３】セル温度を変えた場合の電圧−電流特性の模式
図FIG. 3 is a schematic diagram of voltage-current characteristics when the cell temperature is changed.
【図４】従来のガラス基板片面型太陽電池の構成プロセ
スの一例を示す図FIG. 4 is a diagram showing an example of a process for forming a conventional glass substrate single-sided solar cell.
【図５】従来のＳＣＡＦ型薄膜太陽電池の概略構成を示
す図FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a conventional SCAF thin film solar cell.
【図６】従来のＳＣＡＦ型薄膜太陽電池の概略構成を示
す斜視図FIG. 6 is a perspective view showing a schematic configuration of a conventional SCAF type thin film solar cell.
【図７】従来のＳＣＡＦ型薄膜太陽電池の製造工程の概
略を示す図FIG. 7 is a diagram schematically showing a manufacturing process of a conventional SCAF type thin film solar cell.
【図８】従来の太陽電池モジュールの模式的構造の一例
の側断面図FIG. 8 is a side sectional view of an example of a schematic structure of a conventional solar cell module.
２１：太陽電池、２２：表面保護部材、２３：裏面保護
部材、２４：接着性樹脂封止材、２５，２６：内部リー
ド線、２７：端子ボックス、３１：太陽電池モジュー
ル、５１，６１，７１：基板、５２，６４，７４：第１
電極層（下電極層）、５４，６５，７５：光電変換層、
５６，６６，７６：透明電極層、６３：接続電極層、６
７，７７：集電孔、６８，７８：接続孔、７３：第３電
極層、７９：第４電極層。21: solar cell, 22: front surface protection member, 23: back surface protection member, 24: adhesive resin sealing material, 25, 26: internal lead wire, 27: terminal box, 31: solar cell module, 51, 61, 71 : Substrate, 52, 64, 74: first
Electrode layer (lower electrode layer), 54, 65, 75: photoelectric conversion layer,
56, 66, 76: transparent electrode layer, 63: connection electrode layer, 6
7, 77: current collecting hole, 68, 78: connecting hole, 73: third electrode layer, 79: fourth electrode layer.
Claims (7)
電極層、光電変換層、透明電極層の薄膜を積層し、単位
部分にパターニングして罫書き線により矩形の単位薄膜
太陽電池（ユニットセル）を複数個形成し、このユニッ
トセル相互を電気的に直列に接続し、受光面側および非
受光面側に保護層を設けて、接着性樹脂封止材により封
止してなる薄膜太陽電池モジュールの製造方法であっ
て、以下の工程を含むことを特徴とする薄膜太陽電池モ
ジュールの製造方法。 １）前記複数個のユニットセルを形成後、接着性樹脂封
止材により封止する前に、各ユニットセルに逆方向バイ
アスの電圧印加処理を行なう工程。 ２）前記接着性樹脂封止材により封止した後、各ユニッ
トセルに順方向バイアスの電圧印加処理を行なう工程。1. A surface of a substrate having electrical insulation is provided with a first
Thin films of electrode layers, photoelectric conversion layers, and transparent electrode layers are laminated and patterned into unit parts to form a plurality of rectangular unit thin film solar cells (unit cells) by scoring lines, and these unit cells are electrically connected to each other. A method of manufacturing a thin-film solar cell module, which is connected in series, is provided with a protective layer on the light-receiving surface side and a non-light-receiving surface side, and is sealed with an adhesive resin sealing material, including the following steps A method of manufacturing a thin film solar cell module characterized by the above. 1) A step of applying a reverse bias voltage to each unit cell after forming the plurality of unit cells and before sealing with the adhesive resin sealing material. 2) A step of applying a forward bias voltage to each unit cell after sealing with the adhesive resin sealing material.
記順方向バイアスの電圧印加処理は、各ユニットセルの
順方向に電流を流す処理とすることを特徴とする薄膜太
陽電池モジュールの製造方法。2. The method of manufacturing a thin film solar cell module according to claim 1, wherein the forward bias voltage application process is a process of passing a current in a forward direction of each unit cell. .
記順方向に電流を流す処理は、前記ユニットセルへの光
照射処理とすることを特徴とする薄膜太陽電池モジュー
ルの製造方法。3. The method of manufacturing a thin-film solar cell module according to claim 2, wherein the process of passing an electric current in the forward direction is a light irradiation process of the unit cells.
造方法において、前記順方向に流す電流値は、前記ユニ
ットセルに１ＳＵＮ（１００ｍＷ／ｃｍ2）の光照射を
行なった際の短絡電流値の０．５倍以上とすることを特
徴とする薄膜太陽電池モジュールの製造方法。4. The manufacturing method according to claim 1, wherein the forward current value is a short circuit current when the unit cell is irradiated with light of 1 SUN (100 mW / cm 2 ). A method for manufacturing a thin-film solar cell module, which is 0.5 times or more of the value.
造方法において、前記順方向に電流を流す処理時間と電
流値との積は、前記光照射時の発生電流で換算して、２
ＳＵＮ・分以上とすることを特徴とする薄膜太陽電池モ
ジュールの製造方法。5. The manufacturing method according to claim 1, wherein a product of a processing time for supplying a current in the forward direction and a current value is converted into a generated current at the time of the light irradiation and is 2
A method of manufacturing a thin-film solar cell module, characterized in that SUN · minute or more.
記順方向バイアスの電圧印加処理は、電源による電圧印
加処理とし、前記電源はパルス電源とすることを特徴と
する薄膜太陽電池モジュールの製造方法。6. The method of manufacturing a thin film solar cell module according to claim 1, wherein the forward bias voltage application process is a voltage application process by a power supply, and the power supply is a pulse power supply. Method.
造方法において、前記順方向バイアスの電圧印加処理の
際に、前記薄膜太陽電池を冷却し、その表面温度を２５
℃以下とすることを特徴とする薄膜太陽電池モジュール
の製造方法。7. The manufacturing method according to claim 1, wherein the thin film solar cell is cooled at a surface temperature of 25 during the forward bias voltage application process.
A method of manufacturing a thin-film solar cell module, characterized in that the temperature is not higher than ° C.
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