JP2003332552A - Reflectivity detecting device, sheet image input unit and sheet image input method - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for detecting reflectivity, a sheet image input unit using it and a sheet image input method by which analog image data such as printed matters can be easily and speedily converted into electronic data which can be used as electronic paper. <P>SOLUTION: The device for detecting reflectivity has a transparent support, at least a gate electrode on the transparent support, an insulating layer which is provided on the transparent support while covering the gate electrode, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer which couples the source electrode and the drain and whose light transmittance of 350 nm-850 nm is 10% or more on the insulating layer and a half mirror and a light incidence control means which are provided in this order on the organic semiconductor layer. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反射率検出用素
子、シート状画像入力装置及びシート状画像入力方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reflectance detecting element, a sheet-shaped image input device and a sheet-shaped image input method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、ハードコピーに情報をプリントア
ウトして紙を大量に消費することが環境上問題視される
様になったことから、書き換え可能で、表示の保持に多
くのエネルギーを要さず、携帯性に優れる電子ペーパー
という概念の表示媒体が提案されており、薄型の液晶表
示装置、エレクトロクロミックディスプレイ、特開昭５
５−１５４１９８号等に記載の、サーマルヘッドで記録
・消去を行う有機低分子・高分子樹脂マトリックス系表
示媒体、米国特許第６，２６２，８３３号、特開２００
０−１７１８３９、同２００１−２０１７７０等に記載
の電気泳動表示装置等での実用化が検討されている。2. Description of the Related Art In recent years, it has become an environmental problem to print out information on hard copy and consume a large amount of paper. Therefore, it is rewritable and a lot of energy is required to maintain the display. In other words, a display medium having a concept of electronic paper, which is excellent in portability, has been proposed.
Organic low-molecular / high-polymer resin matrix display medium for recording / erasing with a thermal head described in US Pat. No. 6,262,833, JP-A-200-200
Practical application in the electrophoretic display device and the like described in 0-171839 and 2001-201770 is being studied.

【０００３】上記の様な電子ペーパーをハードコピーに
代えて用いる場合、表示データはＬＡＮ（ローカルネッ
トワーク）等のネットワークやパソコン等の端末、メモ
リなどの媒体を介して伝送された電子データとしてのコ
ンテンツであり、ハードコピーや印刷物の画像や文書を
電子ペーパーに表示するためには、一旦スキャナ等によ
り電子データに変換する必要が有り、手間が掛かって決
して使い勝手が良いわけではない。また、必要部数だけ
電子ペーパーに伝送を繰り返す煩わしさも有るため、そ
れらの問題点の解決が要望されていた。When the electronic paper as described above is used in place of a hard copy, the display data is contents as electronic data transmitted through a network such as a LAN (local network), a terminal such as a personal computer, a medium such as a memory. However, in order to display an image or a document of a hard copy or a printed matter on electronic paper, it is necessary to once convert it into electronic data with a scanner or the like, which is troublesome and is not always convenient. Further, since it is troublesome to repeat transmission to the electronic paper by the required number of copies, it has been demanded to solve those problems.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ハー
ドコピーや印刷物等のアナログ画像データを容易に、且
つ、迅速に電子データに変換し、電子ペーパーとして利
用可能ならしめる、反射率検出用素子、それを用いるシ
ート状画像入力装置及びシート状画像入力方法を提供す
ることである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to easily and quickly convert analog image data such as a hard copy or a printed matter into electronic data for use as electronic paper for reflectance detection. An element, a sheet-shaped image input device using the same, and a sheet-shaped image input method.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、下
記の構成１〜８により達成された。The above objects of the present invention have been achieved by the following constitutions 1-8.

【０００６】１．透明支持体上に、少なくともゲート電
極、該ゲート電極を被覆しながら該透明支持体上に設け
られた絶縁層、該絶縁層上に、ソース電極、ドレイン電
極、該ソース電極と該ドレインを連結し、且つ、３５０
ｎｍ〜８５０ｎｍの光透過率が１０％以上である有機半
導体層を有し、該有機半導体層上にハーフミラーと光入
射制御手段とがこの順で配設されていることを特徴とす
る反射率検出用素子。1. At least a gate electrode on a transparent support, an insulating layer provided on the transparent support while covering the gate electrode, and a source electrode, a drain electrode, and the source electrode and the drain are connected on the insulating layer. , And 350
nm-850 nm, an organic semiconductor layer having a light transmittance of 10% or more, and a half mirror and a light incidence control unit are arranged in this order on the organic semiconductor layer. Detection element.

【０００７】２．有機半導体層とハーフミラーとの間
に、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの光透過率が１０％以上の
光電荷発生層を設けることを特徴とする前記１に記載の
反射率検出用素子。2. The reflectance detecting element as described in 1 above, further comprising: a photocharge generating layer having a light transmittance of 350% to 850 nm of 10% or more between the organic semiconductor layer and the half mirror.

【０００８】３．有機半導体層と光電荷発生層との間
に、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの光透過率が１０％以上の
電荷輸送層が設けることを特徴とする前記２に記載の反
射率検出用素子。3. 3. The reflectance detecting element as described in 2 above, wherein a charge transporting layer having a light transmittance of 350 nm to 850 nm and a light transmittance of 10% or more is provided between the organic semiconductor layer and the photocharge generating layer.

【０００９】４．有機半導体層がπ共役系材料を含むこ
とを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の反射
率検出用素子。4. 4. The reflectance detecting element according to any one of 1 to 3 above, wherein the organic semiconductor layer contains a π-conjugated material.

【００１０】５．光入射制御手段として液晶素子を用い
ることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の
反射率検出用素子。5. 5. The reflectance detecting element according to any one of 1 to 4 above, wherein a liquid crystal element is used as the light incidence control means.

【００１１】６．光入射制御手段として光遮断層及び発
光素子を用いることを特徴とする前記１〜４のいずれか
１項に記載の反射率検出用素子。6. 5. The reflectance detecting element according to any one of 1 to 4 above, wherein a light blocking layer and a light emitting element are used as the light incidence control means.

【００１２】７．前記１〜６のいずれか１項に記載の反
射率検出用素子を有することを特徴とするシート状画像
入力装置。7. A sheet-shaped image input device, comprising the reflectance detecting element according to any one of 1 to 6 above.

【００１３】８．前記７に記載のシート状画像入力装置
を用いることを特徴とするシート状画像入力方法。8. 7. A sheet-shaped image input method using the sheet-shaped image input device described in 7 above.

【００１４】以下、本発明を詳細に説明する。本発明者
等は、上記記載の問題点を種々検討した結果、請求項１
に記載のように、透明支持体上に、少なくともゲート電
極、該ゲート電極を被覆しながら該透明支持体上に設け
られた絶縁層、該絶縁層上に、ソース電極、ドレイン電
極、該ソース電極と該ドレインを連結している、３５０
ｎｍ〜８５０ｎｍの光透過率が１０％以上である有機半
導体層を有し、該有機半導体層上にハーフミラーと光入
射制御手段とをこの順で配設することにより、ハードコ
ピーや印刷物等のアナログ画像データを容易に、且つ、
迅速に電子データに変換し、電子ペーパーとして利用可
能ならしめる、反射率検出用素子、それを用いるシート
状画像入力装置及びシート状画像入力方法を提供するこ
とができることを見出した。The present invention will be described in detail below. The present inventors have made various studies on the problems described above, and as a result, claim 1
As described in 1 above, at least a gate electrode on a transparent support, an insulating layer provided on the transparent support while covering the gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a source electrode on the insulating layer. Is connected to the drain, 350
nm to 850 nm has an organic semiconductor layer having a light transmittance of 10% or more, and by disposing a half mirror and a light incidence control means in this order on the organic semiconductor layer, a hard copy, a printed matter, or the like can be obtained. Analog image data easily and
It has been found that it is possible to provide a reflectance detecting element, a sheet-shaped image input device and a sheet-shaped image input method using the element, which can be quickly converted into electronic data and can be used as electronic paper.

【００１５】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく述べ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below.

【００１６】《反射率検出用素子》本発明に係る反射率
検出用素子の構成を図１（ａ）及び図１（ｂ）を各々用
いて説明する。<< Reflectance Detection Element >> The structure of the reflectance detection element according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 (a) and 1 (b), respectively.

【００１７】図１は、本発明の反射率検出用素子の構成
の一例を示す模式図である。尚、図１（ａ）、（ｂ）に
おいては、電荷発生層、電荷輸送層を有する系で示す
が、該層は無くても本発明の記載の効果を得ることは出
来る。また、素子の形成にあたっては、透明支持体側か
ら順次形成して反射率検出用素子としてもよいし、その
逆として、光入射手段から順次、形成して反射率検出用
素子としてもよい。FIG. 1 is a schematic view showing an example of the structure of the reflectance detecting element of the present invention. 1 (a) and 1 (b), a system having a charge generation layer and a charge transport layer is shown, but the effects described in the present invention can be obtained without the layers. Further, in forming the elements, the reflectance detecting element may be sequentially formed from the transparent support side, or conversely, may be sequentially formed from the light incident means to be the reflectance detecting element.

【００１８】図１（ａ）は、透明支持体１上にゲート電
極８を形成し、絶縁層７で被覆した上にソース電極５及
びドレイン電極６を設け、有機半導体層４で被覆し、電
荷輸送層３及び電荷発生層２をこの順に形成したもので
ある。In FIG. 1A, the gate electrode 8 is formed on the transparent support 1, the source electrode 5 and the drain electrode 6 are provided on the insulating layer 7, and the source electrode 5 and the drain electrode 6 are formed. The transport layer 3 and the charge generation layer 2 are formed in this order.

【００１９】ソース電極５とドレイン電極６の形成につ
いては、連続した電極膜を形成し、レーザーアブレーシ
ョン等で切削して間隙を形成し、前記ソース電極５、前
記ドレイン電極６を設ける等の方法が好ましく適用され
る。The source electrode 5 and the drain electrode 6 can be formed by forming a continuous electrode film, cutting by laser ablation or the like to form a gap, and providing the source electrode 5 and the drain electrode 6. It is preferably applied.

【００２０】図１（ｂ）は、図１（ｃ）の変更例で、ソ
ース電極５及びドレイン電極６が有機半導体層４にて連
結される形態の他の例を示すものである。この場合、絶
縁層７上にソース電極５を設け、有機半導体層４を塗布
してドレイン電極６を形成する等の作製方法が適用され
る。FIG. 1B is a modification of FIG. 1C and shows another example of a mode in which the source electrode 5 and the drain electrode 6 are connected by the organic semiconductor layer 4. In this case, a manufacturing method such as providing the source electrode 5 on the insulating layer 7 and applying the organic semiconductor layer 4 to form the drain electrode 6 is applied.

【００２１】図２は、本発明の反射率検出用素子が光反
射を検出する一態様を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing one mode in which the reflectance detecting element of the present invention detects light reflection.

【００２２】図２（ａ）、（ｂ）においては、反射率検
出用素子５０が、反射率の測定対象である、記録媒体１
１ａ上に配置されている。ここで、１１ｂは記録媒体１
１ａ上に記録された画像１１ｂである。画像１１ｂは、
具体的には、電子写真等のトナー画像や、インクジェッ
ト記録により作製されたインク画像、写真画像等であ
る。ちなみに、記録媒体１１ａにおいて、画像１１ｂが
存在しない領域は、画像形成が行われていない領域であ
る。In FIGS. 2A and 2B, the recording medium 1 in which the reflectance detecting element 50 is the object of reflectance measurement is shown.
It is arranged on 1a. Here, 11b is the recording medium 1.
It is an image 11b recorded on 1a. Image 11b is
Specifically, it is a toner image such as an electrophotographic image, an ink image produced by inkjet recording, a photographic image, or the like. Incidentally, in the recording medium 11a, the area where the image 11b does not exist is an area where image formation is not performed.

【００２３】本発明の反射率検出用素子５０を記録媒体
１１ａ上に配置すると、光入射制御手段１０及びハーフ
ミラー９を通過した、入射光１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
（ここで、入射光とは、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの波長
範囲の光を表す）は、電荷発生層２、電荷輸送層３、有
機半導体層４、絶縁層７、透明支持体１を通過し、記録
媒体１１ａ、画像１１ｂに入射される。When the reflectance detecting element 50 of the present invention is arranged on the recording medium 11a, incident light 12a, 12b, 12c which has passed through the light incidence control means 10 and the half mirror 9 is obtained.
(Here, the incident light represents light in the wavelength range of 350 nm to 850 nm) passes through the charge generation layer 2, the charge transport layer 3, the organic semiconductor layer 4, the insulating layer 7 and the transparent support 1 and is recorded. It is incident on the medium 11a and the image 11b.

【００２４】反射率の測定対象である、記録媒体１１
ａ、画像１１ｂの各々の、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの波
長範囲の光に対する反射率に対応して、反射光（図示し
ていない）が生じ、ハーフミラー９との間で複数の反射
（図示していない）が繰り返される。The recording medium 11 whose reflectance is to be measured
a, reflected light (not shown) is generated corresponding to the reflectance of light in the wavelength range of 350 nm to 850 nm of each of the images 11b, and a plurality of reflections (not shown) with the half mirror 9 are generated. ) Is repeated.

【００２５】記録媒体１１ａ、画像１１ｂで反射光が発
生し、更に、該反射光が再度、ハーフミラー９で反射を
行うというように、反射が繰り返されることにより、反
射光の強度に応じて、後述するように、光キャリア（図
示していない）が生成し、これを電流値としてモニター
することが出来る。Reflected light is generated on the recording medium 11a and the image 11b, and the reflected light is reflected again by the half mirror 9, so that the reflected light is repeated. As will be described later, an optical carrier (not shown) is generated and can be monitored as a current value.

【００２６】記録媒体１１ａと画像１１ｂとでは、光
（３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの波長範囲の光）に対する反
射率が異なる為、結果として発生する電流値が異なるこ
とから、反射率検出用素子で測定された反射率に対応す
る電流値をデータ変換すると、画像１１ｂはデジタル変
換された電子画像データとして即、利用可能になる。Since the recording medium 11a and the image 11b have different reflectances with respect to light (light in the wavelength range of 350 nm to 850 nm), the resulting current values are different. When the current value corresponding to the reflectance is data-converted, the image 11b can be immediately used as digitally converted electronic image data.

【００２７】（光キャリアの生成）上記記載の光キャリ
アの発生について説明する。(Generation of Optical Carrier) Generation of the optical carrier described above will be described.

【００２８】ハーフミラー９を通過してきた入射光１２
ａ〜１２ｃは、電荷発生層２、電荷輸送層３、有機半導
体層４、絶縁層７、透明基体１を通過し、記録媒体１１
ａ、画像１１ｂに入射される。Incident light 12 that has passed through the half mirror 9
a to 12c pass through the charge generation layer 2, the charge transport layer 3, the organic semiconductor layer 4, the insulating layer 7 and the transparent substrate 1, and the recording medium 11
a, it is incident on the image 11b.

【００２９】光キャリアの発生は、最初、入射光１２ａ
〜１２ｃが電荷発生層２により受光された時に生じ、更
に、入射光１２ａ、１２ｂ、１２ｃは、電荷発生層２、
電荷輸送層３、有機半導体層４、絶縁層７、透明基体１
を通過し、記録媒体１１ａ、画像１１ｂに入射され、記
録媒体１１ａや画像１１ｂ上での反射光（図示していな
い）が電荷発生層２により受光される。The generation of photocarriers is initially caused by the incident light 12a.
.About.12c are received by the charge generation layer 2 and the incident light 12a, 12b, 12c is generated by the charge generation layer 2,
Charge transport layer 3, organic semiconductor layer 4, insulating layer 7, transparent substrate 1
After passing through the recording medium 11a and the image 11b, the light (not shown) reflected on the recording medium 11a and the image 11b is received by the charge generation layer 2.

【００３０】さらに、前記反射光は、電荷発生層２を部
分的に通過した後、ハーフミラー９により再度反射さ
れ、再度反射された光がまた、電荷発生層２で受光され
るという、反射、吸収のパターンが繰り返され、最終的
に、電荷発生層２の分光感度及び入射した光（入射光、
記録媒体１１ａや画像１１ｂでの反射光、前記反射光、
前記反射光のハーフミラー９での再反射光等）のスペク
トル分布強度の積に応じた光電荷がソース電極５とドレ
イン電極６との間の有機半導体層４に発生する。Furthermore, after the reflected light partially passes through the charge generation layer 2, it is reflected again by the half mirror 9, and the reflected light is received by the charge generation layer 2 again. The absorption pattern is repeated, and finally, the spectral sensitivity of the charge generation layer 2 and incident light (incident light,
The reflected light from the recording medium 11a and the image 11b, the reflected light,
Photoelectric charges are generated in the organic semiconductor layer 4 between the source electrode 5 and the drain electrode 6 according to the product of the spectral distribution intensities of the reflected light (re-reflected light from the half mirror 9).

【００３１】次に、上記で説明した反射率検出用素子の
回路構成を図３を用いて説明する。図３は、本発明の反
射率検出用素子の回路構成の一例を示す模式図である。
この模式図においては、透明支持体、ハーフミラーと光
入射制御手段は省略してある。Next, the circuit configuration of the reflectance detecting element described above will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a circuit configuration of the reflectance detecting element of the present invention.
In this schematic diagram, the transparent support, the half mirror and the light incidence control means are omitted.

【００３２】図３において、光キャリアがホールである
場合は、ゲート電極に負電圧を印加し、且つソース電極
−ドレイン電極間にバイアス電圧を印加することで、光
電流がモニターできる。素子の構成にもよるが、ゲート
電圧は０Ｖ〜−５０Ｖ、ソース電極−ドレイン電極間の
バイアス電圧は０Ｖ〜−５０Ｖ程度が好ましい。In FIG. 3, when the photo carriers are holes, the photocurrent can be monitored by applying a negative voltage to the gate electrode and a bias voltage between the source electrode and the drain electrode. The gate voltage is preferably 0V to -50V, and the bias voltage between the source electrode and the drain electrode is preferably 0V to -50V, although it depends on the structure of the device.

【００３３】尚、主キャリアが電子である場合には極性
を反転させればよく、又、光電流測定後、電荷発生層や
その近傍の残留電荷はディスチャージすることが好まし
い。When the main carrier is an electron, the polarity may be reversed, and after the photocurrent measurement, it is preferable to discharge the residual charge in the charge generation layer or in the vicinity thereof.

【００３４】《シート状画像入力装置》次いで、本発明
のシート状画像入力装置について説明する。<< Sheet-Shaped Image Input Device >> Next, the sheet-shaped image input device of the present invention will be described.

【００３５】図４は、本発明のシート状画像入力装置の
一態様を示す模式図であり、図２、３で光検出機構を説
明した素子をベースに構成したアクティブ駆動による、
本発明のシート状画像入力装置２０をモデル的に示す。
（ａ）は側断面を示し、（ｂ）が平面図である。FIG. 4 is a schematic view showing one embodiment of the sheet-shaped image input device of the present invention, which is based on active driving which is based on the element whose light detection mechanism is described in FIGS.
The sheet-shaped image input device 20 of the present invention is shown as a model.
(A) shows a side section and (b) is a plan view.

【００３６】図において、透明支持体１上に複数のゲー
ト電極８が並行して配置され、該ゲート電極８上に絶縁
層７が形成され、その上に複数のソース電極５及びドレ
イン電極６がゲート電極８に対して直交方向に交互に配
置されてマトリクスを形成し、有機半導体層４にて連結
され、その上に電荷輸送層３と電荷発生層２をこの順に
配設し、更に、図示していない、ハーフミラーと光入射
制御手段をこの順に設けて、本発明の反射率検出用素子
が構成される。In the figure, a plurality of gate electrodes 8 are arranged in parallel on a transparent support 1, an insulating layer 7 is formed on the gate electrodes 8, and a plurality of source electrodes 5 and drain electrodes 6 are formed thereon. The matrix is formed by alternately arranging in a direction orthogonal to the gate electrode 8 and connected by the organic semiconductor layer 4, and the charge transport layer 3 and the charge generating layer 2 are arranged in this order on the matrix, and A reflectance detecting element of the present invention is configured by providing a half mirror and a light incidence control unit (not shown) in this order.

【００３７】この構成ではゲート電極８が走査線を兼ね
て、図に示すエリアが単位画素となり、図において列方
向の画素が共通のソース電極５、ドレイン電極６で連結
された配列を採る。In this structure, the gate electrode 8 also serves as a scanning line, and the area shown in the figure serves as a unit pixel, and pixels in the column direction in the figure are connected by a common source electrode 5 and drain electrode 6.

【００３８】（ハーフミラー：マジックミラーともい
う）本発明に係るハーフミラーについて説明する。(Half Mirror: Also called Magic Mirror) A half mirror according to the present invention will be described.

【００３９】ハーフミラーとは、鏡の一種だが、鏡に当
たった光線の総てを反射せず、その光量の何割かを透過
させる性質を持った半透明鏡のことを言う。本発明で
は、通常、一眼レフの距離計やファインダーに使われも
の、ＴＴＬ測光の一部やＴＴＬ・ＡＦ方式にも利用され
ている、市販のハーフミラーを用いることができる。The half mirror is a kind of mirror, but it is a semitransparent mirror that has the property of not reflecting all the rays of light hitting the mirror but of transmitting some of its light quantity. In the present invention, it is possible to use a commercially available half mirror which is usually used for a single-lens reflex rangefinder or finder, a part of TTL metering, and also used for the TTL / AF method.

【００４０】本発明に係るハーフミラーの３５０ｎｍ〜
８５０ｎｍの光の透過率は、本発明に記載の効果を奏す
る観点からは、１０％以上であることが必須要件である
が、好ましくは、１０％〜４０％である。また、ハーフ
ミラーのもう１つの特徴である、３５０ｎｍ〜８５０ｎ
ｍの光反射率は２０％以上であることが好ましく、Ｓ更
に好ましくは、２０％〜６０％である。350 nm of the half mirror according to the present invention
From the viewpoint of achieving the effects described in the present invention, it is essential that the transmittance of 850 nm light is 10% or more, but it is preferably 10% to 40%. Another characteristic of the half mirror is 350 nm to 850 n.
The light reflectance of m is preferably 20% or more, and S is more preferably 20% to 60%.

【００４１】上記記載の光透過率、光反射率を示す、本
発明に係るハーフミラーは、市販品を用いることができ
る。例えば、ニューマジックミラー（保坂ガラス株式会
社製）等を本発明に係るハーフミラーとして使用するこ
とが出来る。As the half mirror according to the present invention, which exhibits the above-mentioned light transmittance and light reflectance, a commercially available product can be used. For example, New Magic Mirror (manufactured by Hosaka Glass Co., Ltd.) can be used as the half mirror according to the present invention.

【００４２】（光入射制御手段）本発明に係る光入射制
御手段について説明する。(Light Incidence Control Means) The light incidence control means according to the present invention will be described.

【００４３】光入射制御手段としては、ハーフミラーを
介して入射する光のスイッチング（ｏｎ／ｏｆｆ）を制
御するものであれば、特に限定されないが、いわゆる、
光シャッターの機能を有するものを用いることができ、
例えば、液晶シャッター、光遮断層と発光素子の組み合
わせ等が好ましく用いられる。The light incidence control means is not particularly limited as long as it controls the switching (on / off) of the light incident through the half mirror.
The one having the function of the optical shutter can be used,
For example, a liquid crystal shutter, a combination of a light blocking layer and a light emitting element, etc. are preferably used.

【００４４】液晶シャッターとしては、市販の液晶シャ
ッターを用いることが出来るが、更に、Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ：Ｊ．Ｗ．Ｄｏａｎｅ，Ｎ．Ａ．Ｖｅｚ，Ｂ．Ｇ．Ｗ
ｕ，Ｓ．Ｚｕｍｅｒ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．，４８，２７（１９８６）や、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎ
ｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ、特開平
２−２８２８４号、同２−５５３１８号等に記載の液晶
／高分子複合系の光シャッター装置、国特許第４，１９
３，６９１号に記載の液晶シャッター等を使用すること
ができる。A commercially available liquid crystal shutter can be used as the liquid crystal shutter.
Dispersed Liquid Crystal
l: J. W. Doane, N.M. A. Vez, B.A. G. W
u, S. Zumer, Appl. Phys. Let
t. , 48, 27 (1986) and Polymer N.
Liquid Liquid Crystal, liquid crystal / polymer composite type optical shutter devices described in JP-A-2-28284 and JP-A-2-55318, and Japanese Patent No. 4,19.
The liquid crystal shutter described in No. 3,691 can be used.

【００４５】光遮断層と発光素子の組み合わせた光シャ
ッターとしては、例えば、光遮断層としては、黒色イン
ク等を利用して作製したものが適用でき、発光素子とし
ては、市販の有機ＥＬ、無機ＥＬ、蛍光チューブ、発光
源と導光板、光散乱板などを組あせた面状発光体等を用
いることが出来る。As a light shutter in which a light blocking layer and a light emitting element are combined, for example, a light blocking layer manufactured by using black ink or the like can be applied, and as the light emitting element, a commercially available organic EL or inorganic material is used. It is possible to use an EL, a fluorescent tube, a planar light-emitting body in which a light-emitting source and a light guide plate, a light-scattering plate, etc. are assembled.

【００４６】（アクティブ駆動を行う等価マトリクス回
路）図５は、図４に示した装置でアクティブ駆動を行う
際の等価のマトリックス回路の模式図である。(Equivalent Matrix Circuit for Active Drive) FIG. 5 is a schematic diagram of an equivalent matrix circuit for active drive in the device shown in FIG.

【００４７】図５において、１００は光検出部で、信号
線５−１〜５−ｎに、例えばドレイン電極が接続された
初期化用のトランジスタ６５−１〜６５−ｎが設けられ
ている。このトランジスタ６５−１〜６５−ｎのソース
電極は接地されている。また、ゲート電極はリセット線
６５１と接続される。In FIG. 5, reference numeral 100 denotes a photodetector, which is provided with initialization transistors 65-1 to 65-n, for example, drain electrodes connected to the signal lines 5-1 to 5-n. The source electrodes of the transistors 65-1 to 65-n are grounded. Further, the gate electrode is connected to the reset line 651.

【００４８】走査線８−１〜８−ｍとリセット線６５１
は、走査駆動回路２０と接続されている。走査駆動回路
２０から走査線８−１〜８−ｍのうちの１つ走査線８−
ｐ（ｐは１〜ｍのいずれかの値）に読出信号ＲＳが供給
されると、この走査線８−ｐに接続されたトランジスタ
４−（ｐ，１）〜４−（ｐ，ｎ）がオン状態とされて、
光照射によって生じたキャリアを反映する光電流が信号
線５−１〜５−ｎにそれぞれ読み出される。信号線５−
１〜５−ｎは、信号選択回路３０の信号変換器３１−１
〜３１−ｎに接続されており、信号変換器３１−１〜３
１−ｎでは信号線５−１〜５−ｎ上に読み出された電流
値に比例する電圧信号ＳＶ−１〜ＳＶ−ｎを生成する。
この信号変換器３１−１〜３１−ｎから出力された電圧
信号ＳＶ−１〜ＳＶ−ｎはレジスタ３２に供給される。Scan lines 8-1 to 8-m and reset line 651
Are connected to the scan drive circuit 20. One of the scan lines 8-1 to 8-m from the scan driving circuit 20 to the scan line 8-
When the read signal RS is supplied to p (p is any value from 1 to m), the transistors 4- (p, 1) to 4- (p, n) connected to the scanning line 8-p are turned on. Turned on,
Photocurrents that reflect the carriers generated by the light irradiation are read out to the signal lines 5-1 to 5-n, respectively. Signal line 5-
1 to 5-n are signal converters 31-1 of the signal selection circuit 30.
To 31-n and connected to signal converters 31-1 to 31-n.
1-n generates voltage signals SV-1 to SV-n proportional to the current values read on the signal lines 5-1 to 5-n.
The voltage signals SV-1 to SV-n output from the signal converters 31-1 to 31-n are supplied to the register 32.

【００４９】レジスタ３２では、供給された電圧信号が
順次選択されて、Ａ／Ｄ変換器３３で（例えば、１２ビ
ットないし１４ビットの）１つの走査線に対するディジ
タルの光信号とされ、制御回路４０は、走査線８−１〜
８−ｍ各々に、走査駆動回路２０を介して読出信号ＲＳ
を供給して走査を行い、走査線毎のディジタル信号を取
り込んで、光信号の生成を行う。In the register 32, the supplied voltage signals are sequentially selected, and the A / D converter 33 converts them into digital optical signals for one scanning line (for example, 12 bits to 14 bits), and the control circuit 40. Scan lines 8-1 to
The read signal RS is supplied to each 8-m via the scan drive circuit 20.
Are supplied to perform scanning, and a digital signal for each scanning line is taken in to generate an optical signal.

【００５０】この光信号は制御回路４０に供給される。
なお、走査駆動回路２０からリセット信号ＲＴをリセッ
ト線６５１に供給してトランジスタ６５−１〜６５−ｎ
をオン状態とするとともに、走査線８−１〜８−ｍに読
出信号ＲＳを供給してトランジスタ４−（１，１）〜４
−（ｍ，ｎ）をオン状態とすると、蓄えられたキャリア
がトランジスタ６５−１〜６５−ｎを介して放出され、
光検出部１００の初期化を行うことができる。This optical signal is supplied to the control circuit 40.
The scan drive circuit 20 supplies the reset signal RT to the reset line 651 to supply the transistors 65-1 to 65-n.
Is turned on and the read signal RS is supplied to the scanning lines 8-1 to 8-m to supply the transistors 4- (1, 1) to 4
When-(m, n) is turned on, the stored carriers are released through the transistors 65-1 to 65-n,
The photodetector 100 can be initialized.

【００５１】制御回路４０にはメモリ部４１や操作部４
２が接続されており、操作部４２からの操作信号ＰＳに
基づいて、図４のシート状画像入力装置２０の動作が制
御される。また表示部４３に制御回路４０から光信号デ
ータＤＳを入力することができる。The control circuit 40 includes a memory section 41 and an operating section 4.
2 are connected, and the operation of the sheet-shaped image input device 20 of FIG. 4 is controlled based on the operation signal PS from the operation unit 42. Further, the optical signal data DS can be input to the display unit 43 from the control circuit 40.

【００５２】４４は電源部（外部電源）、４５はコネク
タで、これを介して図４に示すシート状画像入力装置２
０をその他の装置と一体化して光信号データＤＦＥをや
り取りし、例えば画像形成などを行うことができる。Reference numeral 44 is a power source (external power source), and 45 is a connector, through which the sheet-shaped image input device 2 shown in FIG.
0 can be integrated with other devices to exchange optical signal data DFE, and for example, image formation can be performed.

【００５３】（フルカラー画像検出可能なシート状画像
入力装置）図６は、フルカラー画像検出可能なシート状
画像入力装置の一例を示す模式図である。例えば、図４
に示すシート状画像入力装置２０の光入射面側に、例え
ば図６に示す様な配列（Ｒは赤色フィルタ、Ｇは緑色フ
ィルタ、Ｂは青色フィルタ）の繰り返しで色分解用フィ
ルタを設けると、フルカラー画像を検出可能なシート状
画像入力装置が構成できる。(Sheet-shaped image input device capable of full-color image detection) FIG. 6 is a schematic view showing an example of a sheet-shaped image input device capable of full-color image detection. For example, in FIG.
When a color separation filter is provided on the light incident surface side of the sheet-shaped image input device 20 shown in FIG. 6 by repeating the arrangement (R for red filter, G for green filter, B for blue filter) as shown in FIG. A sheet-shaped image input device capable of detecting a full-color image can be configured.

【００５４】なお色分解フィルタは、３原色に画像情報
を色分解するために設けるものであり、種々の構成を採
ることが可能であり、例えば黄、緑およびシアンのフィ
ルタをモザイク模様あるいはストライプ状に配列する方
法、あるいは赤・緑・青の３色のフィルタをモザイクあ
るいはストライプ状に配列する方法などがある。色分解
フィルタをモザイク状に配列する方法としてはベイヤー
配列に代表される格子状配列の方法や３角形や６角形や
円形を敷き詰める配列などが挙げられる。また各色の配
列は規則的でもよいし、全くランダムに配置しても構わ
ない。The color separation filter is provided for color separation of image information into three primary colors, and various structures can be adopted. For example, yellow, green and cyan filters are mosaic patterns or stripes. Or a method of arranging filters of three colors of red, green and blue in a mosaic or stripe form. As a method of arranging the color separation filters in a mosaic pattern, a grid-shaped array method represented by a Bayer array, an array in which triangles, hexagons, or circles are spread can be cited. The arrangement of each color may be regular or may be arranged at random.

【００５５】この色分解フィルタの製造は既知の種々の
方法を用いることができる。代表的な色分解フィルタの
製造方法としては、基板上に顔料を分散した感光性樹脂
層を形成しこれをパターニングすることにより単色のパ
ターンを得る顔料分散法、基板上に染色用の材料である
水溶性高分子材料を塗布しこれをフォトリソグラフィー
工程により所望の形状にパターニングした後得られたパ
ターンを染色浴に浸漬して着色されたパターンを得る染
色法、熱硬化型の樹脂に顔料を分散させ、印刷を３回繰
り返すことによりＲ、Ｇ、Ｂを塗り分けた後、樹脂を熱
硬化させることにより着色層を形成する印刷法、色素を
含有する着色液をインクジェット方式で光透過性の基板
上に吐出し各着色液を乾燥させて着色画素部を形成する
インクジェット法などがある。Various known methods can be used to manufacture this color separation filter. A typical color separation filter manufacturing method is a pigment dispersion method in which a photosensitive resin layer in which a pigment is dispersed is formed on a substrate and a monochromatic pattern is obtained by patterning this, and a material for dyeing on the substrate. A water-soluble polymer material is applied and patterned by a photolithography process into a desired shape, and then the resulting pattern is immersed in a dyeing bath to obtain a colored pattern. A dyeing method, a pigment is dispersed in a thermosetting resin. Then, printing is repeated three times to apply R, G, and B separately, and then a resin is thermally cured to form a colored layer. A printing method in which a coloring liquid containing a dye is used as an ink-transmissive substrate There is an inkjet method in which a colored pixel portion is formed by discharging the colored liquid onto the surface and drying the colored liquid.

【００５６】以下、本発明の反射率検出用素子の構成に
用いる材料について説明する。 《ソース電極、ドレイン電極用の材料》本発明の反射率
検出用素子のソース電極、ドレイン電極等の材料として
は、導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、
銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タ
ンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、
イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウ
ム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモ
ン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸
化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボ
ン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベ
リリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カル
シウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウ
ム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリ
ウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マ
グネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグ
ネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジ
ウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、
リチウム／アルミニウム混合物等が用いられるが、特
に、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、Ｉ
ＴＯおよび炭素が好ましい。あるいはドーピング等で導
電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性
ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフ
ェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレン
スルホン酸の錯体なども好適に用いられる。中でも半導
体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好まし
い。Materials used for the structure of the reflectance detecting element of the present invention will be described below. << Materials for Source Electrode, Drain Electrode >> Materials for the source electrode, drain electrode, etc. of the reflectance detecting element of the present invention are not particularly limited as long as they are conductive materials, and platinum, gold,
Silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, antimony lead, tantalum, indium, palladium, tellurium, rhenium,
Iridium, aluminum, ruthenium, germanium, molybdenum, tungsten, tin antimony oxide, indium tin oxide (ITO), fluorine-doped zinc oxide, zinc, carbon, graphite, glassy carbon, silver paste and carbon paste, lithium, beryllium, sodium , Magnesium, potassium, calcium, scandium, titanium, manganese, zirconium, gallium, niobium, sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, aluminum, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium. Mixture, aluminum / aluminum oxide mixture,
A lithium / aluminum mixture or the like is used, but in particular platinum, gold, silver, copper, aluminum, indium, I
TO and carbon are preferred. Alternatively, a known conductive polymer whose conductivity is improved by doping or the like, such as conductive polyaniline, conductive polypyrrole, conductive polythiophene, or a complex of polyethylenedioxythiophene and polystyrene sulfonic acid, is also preferably used. Among them, those having a low electric resistance on the contact surface with the semiconductor layer are preferable.

【００５７】《ゲート電極用の材料》本発明に係るゲー
ト電極は透明電極であることが好ましい。ここで、透明
とは、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの光透過率が５０％以上
であることが好ましく、更に好ましくは、前記光透過率
が、５０％〜９９％の範囲である。<< Material for Gate Electrode >> The gate electrode according to the present invention is preferably a transparent electrode. Here, the term "transparent" means that the light transmittance at 350 nm to 850 nm is preferably 50% or more, and more preferably the light transmittance is in the range of 50% to 99%.

【００５８】本発明に係るゲート電極用形成材料として
は、ゲート電極を有する側を光入射面とする場合、ゲー
ト電極は酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、Ｆドープ
酸化錫、Ａｌドープ酸化亜鉛、Ｓｂドープ酸化錫、ＩＴ
Ｏ、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ系アモルファス透明導電膜等の透
明導電膜を用いることにより、上記の透明電極を構成す
ることができる。As the material for forming a gate electrode according to the present invention, when the side having the gate electrode is the light incident surface, the gate electrode is indium oxide, tin oxide, zinc oxide, F-doped tin oxide, Al-doped zinc oxide, Sb-doped tin oxide, IT
The transparent electrode described above can be formed by using a transparent conductive film such as an O, In ₂ O ₃ —ZnO-based amorphous transparent conductive film.

【００５９】（電極の形成方法）電極の形成方法として
は、上記記載の導電性材料を原料として蒸着やスパッタ
リング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知の
フォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成す
る方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、イ
ンクジェット等によるレジストを用いてエッチングする
方法がある。(Method of forming electrode) As a method of forming an electrode, a conductive thin film formed by using the above-mentioned conductive material as a raw material by a method such as vapor deposition or sputtering is subjected to a known photolithography method or a lift-off method. There are a method of forming an electrode by using it, a method of thermal transfer on a metal foil such as aluminum or copper, and a method of etching using a resist such as an inkjet.

【００６０】また、導電性ポリマーの溶液あるいは分散
液，導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパ
ターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレー
ザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに
導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペ
ーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの
印刷法でパターニングする方法も用いることができる。The conductive polymer solution or dispersion, or the conductive fine particle dispersion may be directly patterned by ink jet, or may be formed from the coating film by lithographic or laser ablation. Further, a method of patterning an ink containing a conductive polymer or conductive fine particles, a conductive paste or the like by a printing method such as letterpress, intaglio, planographic printing or screen printing can also be used.

【００６１】上記導電性微粒子としては、粒子径が１ｎ
ｍ〜５０ｎｍ好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍの白金、金、
銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、タンタル、インジ
ウム、コバルト、パラジウム、テルル、レニウム、イリ
ジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モ
リブデン，タングステン、亜鉛、等を用いることができ
るが、特に好ましくは、仕事関数が４．５ｅＶ以上の白
金、金、銀、銅、コバルト、クロム、イリジウム、ニッ
ケル、パラジウム、モリブデン、タングステン等の金属
微粒子が挙げられる。The conductive fine particles have a particle size of 1 n.
m-50 nm, preferably 1 nm-10 nm platinum, gold,
Silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, tantalum, indium, cobalt, palladium, tellurium, rhenium, iridium, aluminum, ruthenium, germanium, molybdenum, tungsten, zinc, etc. can be used, but particularly preferably, Examples thereof include fine metal particles having a work function of 4.5 eV or more, such as platinum, gold, silver, copper, cobalt, chromium, iridium, nickel, palladium, molybdenum, and tungsten.

【００６２】このような金属微粒子分散液の製造方法と
して、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成
法などの物理的生成法や、コロイド法、共沈法などの、
液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する化学
的生成法が挙げられるが、好ましくは、特開平１１−７
６８００、同１１−８０６４７、同３１９５３８、特開
２０００−２３９８５３などに示されたコロイド法、特
開２００１−２５４１８５、特開２００１−５３０２
８、特開２００１−３５８１４、特開２００１−３５２
５５、特開２０００−１２４１５７、特開２０００−１
２３６３４などに記載されたガス中蒸発法により製造さ
れた分散物である。これらの分散物を、塗設し電極パタ
ーン状に成型した後、溶媒を乾燥させ、さらに１００℃
〜３００℃、好ましくは１５０℃〜２００℃の範囲で熱
処理することにより、金属微粒子を熱融着させることで
電極形成することが出来る。As a method for producing such a metal fine particle dispersion, a physical production method such as a gas evaporation method, a sputtering method, a metal vapor synthesis method, a colloid method, a coprecipitation method, or the like can be used.
A chemical production method of producing metal fine particles by reducing metal ions in a liquid phase can be mentioned, and preferably, JP-A No. 11-7.
No. 6800, No. 11-80647, No. 319538, the colloid method shown in JP-A-2000-239853, JP-A-2001-254185, and JP-A-2001-5302.
8, JP 2001-35814A, JP 2001-352A
55, JP 2000-124157, JP 2000-1.
It is a dispersion produced by the gas evaporation method described in 23634. After coating these dispersions and molding them into an electrode pattern, the solvent is dried and the temperature is raised to 100 ° C.
The electrode can be formed by heat-sealing the metal fine particles by heat treatment in the range of 300 to 300 ° C., preferably 150 to 200 ° C.

【００６３】《絶縁層》本発明に係る絶縁層として種々
の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高
い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸
化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタ
ン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムスト
ロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコ
ニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ス
トロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグ
ネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウム
ビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタ
ル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムな
どが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ
素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンであ
る。但し、窒化珪素、窒化アルミニウム等の窒化物も用
いることが出来る。<< Insulating Layer >> Although various insulating films can be used as the insulating layer according to the present invention, an inorganic oxide film having a high relative dielectric constant is particularly preferable. As the inorganic oxide, silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, tin oxide, vanadium oxide, barium strontium titanate, barium zirconate titanate, lead zirconate titanate, lead lanthanum titanate, strontium titanate, Examples thereof include barium titanate, barium magnesium fluoride, bismuth titanate, strontium bismuth titanate, strontium bismuth tantalate, bismuth tantalate niobate, and yttrium trioxide. Of these, preferred are silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, and titanium oxide. However, nitrides such as silicon nitride and aluminum nitride can also be used.

【００６４】上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着
法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービ
ーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーテ
ィング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズ
マ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピ
ンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キ
ャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート
法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどの
パターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げ
られ、材料に応じて使用できる。As a method for forming the above-mentioned film, a dry process such as a vacuum vapor deposition method, a molecular beam epitaxial growth method, an ion cluster beam method, a low energy ion beam method, an ion plating method, a CVD method, a sputtering method and an atmospheric pressure plasma method. Wet processes such as spray coating method, spin coating method, blade coating method, dip coating method, casting method, roll coating method, bar coating method, die coating method, etc. And can be used depending on the material.

【００６５】ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子
を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性
剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥す
る方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液
を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。The wet process is carried out by applying a liquid in which fine particles of an inorganic oxide are dispersed in an arbitrary organic solvent or water using a dispersion aid such as a surfactant, if necessary, or by applying an oxide precursor. A so-called sol-gel method is used in which a solution of a body, for example, an alkoxide body is applied and dried.

【００６６】これらのうち好ましいのは、下記の大気圧
プラズマ法とゾルゲル法である。大気圧下でのプラズマ
製膜処理による絶縁膜の形成方法は、大気圧または大気
圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励起
し、基材上に薄膜を形成する処理で、その方法について
は特開平１１−６１４０６号、同１１−１３３２０５
号、特開２０００−１２１８０４、同２０００−１４７
２０９、同２０００−１８５３６２等に記載されてい
る。これによって高機能性の薄膜を、生産性高く形成す
ることができる。Among these, the atmospheric pressure plasma method and the sol-gel method described below are preferable. The method for forming an insulating film by the plasma film forming process under atmospheric pressure is a process of discharging under atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure, plasma-exciting a reactive gas, and forming a thin film on a substrate. Regarding the method, JP-A Nos. 11-61406 and 11-133205
No. 2000-121804 and 2000-147.
209, 2000-185362. As a result, a highly functional thin film can be formed with high productivity.

【００６７】また有機化合物皮膜としては、ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光
ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あ
るいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリ
ビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック
樹脂、およびシアノエチルプルラン等を用いることもで
きる。有機化合物皮膜の形成法としては、前記ウェット
プロセスが好ましい。As the organic compound film, polyimide, polyamide, polyester, polyacrylate, photoradical polymerization type, photocationic polymerization type photocurable resin, or a copolymer containing an acrylonitrile component, polyvinylphenol, polyvinyl alcohol, It is also possible to use novolac resin, cyanoethyl pullulan, or the like. The wet process is preferable as the method for forming the organic compound film.

【００６８】無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層し
て併用することができる。またこれら絶縁膜の膜厚とし
ては、５０ｎｍ〜３μｍの範囲が好ましく、更に好まし
くは、１００ｎｍ〜１μｍの範囲である。The inorganic oxide film and the organic oxide film can be laminated and used together. Further, the film thickness of these insulating films is preferably in the range of 50 nm to 3 μm, and more preferably in the range of 100 nm to 1 μm.

【００６９】《有機半導体層》本発明に係る有機半導体
層の形成材料について説明する。<< Organic Semiconductor Layer >> The material for forming the organic semiconductor layer according to the present invention will be described.

【００７０】本発明では、有機半導体層に生じた光電荷
（キャリア）をソース電極とドレイン電極の間に流れる
電流値として反映させることが出来るので、キャリアと
しては電子、ホールのいずれでもよいが、有機半導体層
がｐ型の場合、ソース電極−ドレイン電極間の光電流の
メインキャリア（主キャリアともいう）はホールが好ま
しく、有機半導体層がｎ型の場合、該メインキャリア
（主キャリアともいう）としては電子が好ましい。In the present invention, since photocharges (carriers) generated in the organic semiconductor layer can be reflected as the value of the current flowing between the source electrode and the drain electrode, the carriers may be either electrons or holes. When the organic semiconductor layer is p-type, holes are preferable as the main carriers (also called main carriers) of the photocurrent between the source electrode and the drain electrode, and when the organic semiconductor layer is n-type, the main carriers (also called main carriers). Of these, electrons are preferred.

【００７１】本発明に係る有機半導体層を構成する有機
半導体材料としては、π共役系材料が用いられる。たと
えばポリピロール、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ
（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロー
ル）などのポリピロール類、ポリチオフェン、ポリ（３
−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェ
ン）、ポリベンゾチオフェンなどのポリチオフェン類、
ポリイソチアナフテンなどのポリイソチアナフテン類、
ポリチェニレンビニレンなどのポリチェニレンビニレン
類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）などのポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）類、ポリアニリン、ポリ（Ｎ−置
換アニリン）、ポリ（３−置換アニリン）、ポリ（２，
３−置換アニリン）などのポリアニリン類、ポリアセチ
レンなどのポリアセチレン類、ポリジアセチレンなどの
ポリジアセチレン類、ポリアズレンなどのポリアズレン
類、ポリピレンなどのポリピレン類、ポリカルバゾー
ル、ポリ（Ｎ−置換カルバゾール）などのポリカルバゾ
ール類、ポリセレノフェンなどのポリセレノフェン類、
ポリフラン、ポリベンゾフランなどのポリフラン類、ポ
リ（ｐ−フェニレン）などのポリ（ｐ−フェニレン）
類、ポリインドールなどのポリインドール類、ポリピリ
ダジンなどのポリピリダジン類、ナフタセン、ペンタセ
ン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テ
トラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリ
セン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオ
テリレン、サーカムアントラセンなどのポリアセン類お
よびポリアセン類の炭素の一部をＮ、Ｓ、Ｏなどの原
子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体（トリ
フェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセ
ン−６，１５−キノンなど）、ポリビニルカルバゾー
ル、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィ
ドなどのポリマーや特開平１１−１９５７９０に記載さ
れた多環縮合体などを用いることができる。A π-conjugated material is used as the organic semiconductor material forming the organic semiconductor layer according to the present invention. For example, polypyrroles such as polypyrrole, poly (N-substituted pyrrole), poly (3-substituted pyrrole), poly (3,4-disubstituted pyrrole), polythiophene, poly (3
-Substituted thiophenes), poly (3,4-disubstituted thiophenes), polythiophenes such as polybenzothiophenes,
Polyisothianaphthenes such as polyisothianaphthene,
Poly (phenylene vinylenes) such as poly (phenylene vinylene), poly (p-phenylene vinylenes) such as poly (p-phenylene vinylene)
Phenylene vinylenes), polyaniline, poly (N-substituted aniline), poly (3-substituted aniline), poly (2,2)
3-substituted aniline) and other polyanilines, polyacetylene and other polyacetylenes, polydiacetylene and other polydiacetylenes, polyazulene and other polyazylenes, polypyrene and other polypyrenes, polycarbazole, poly (N-substituted carbazole) and other polycarbazoles. , Polyselenophenes such as polyselenophene,
Polyfurans such as polyfuran and polybenzofuran, poly (p-phenylene) such as poly (p-phenylene)
, Polyindoles such as polyindole, polypyridazines such as polypyridazine, naphthacene, pentacene, hexacene, heptacene, dibenzopentacene, tetrabenzopentacene, pyrene, dibenzopyrene, chrysene, perylene, coronene, terylene, ovaren, quaterylene, Derivatives obtained by substituting a part of carbons of polyacenes such as circumanthracene and polyacenes with atoms such as N, S and O and functional groups such as carbonyl groups (triphenodioxazine, triphenodithiazine, hexacene-6,15- For example, polymers such as quinone), polyvinylcarbazole, polyphenylene sulfide, and polyvinylene sulfide, and polycondensates described in JP-A No. 11-195790 can be used.

【００７２】また、これらのポリマーと同じ繰返し単位
を有するたとえばチオフェン６量体であるα−セクシチ
オフェンα，ω−ジヘキシル−α−セクシチオフェン、
α，ω−ジヘキシル−α−キンケチオフェン、α，ω−
ビス（３−ブトキシプロピル）−α−セクシチオフェ
ン、スチリルベンゼン誘導体などのオリゴマーも好適に
用いることができる。Further, α-sexithiophene α, ω-dihexyl-α-sexithiophene, which is a thiophene hexamer, having the same repeating unit as those of these polymers,
α, ω-dihexyl-α-kinkethiophene, α, ω-
Oligomers such as bis (3-butoxypropyl) -α-sexithiophene and styrylbenzene derivatives can also be preferably used.

【００７３】さらに銅フタロシアニンや特開平１１−２
５１６０１に記載のフッ素置換銅フタロシアニンなどの
金属フタロシアニン類、ナフタレン１，４，５，８−テ
トラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−トリフ
ルオロメチルベンジル）ナフタレン１，４，５，８−テ
トラカルボン酸ジイミドとともに、Ｎ，Ｎ’−ビス（１
Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）、Ｎ，Ｎ’−ビス
（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロブチル）及びＮ，Ｎ’−ジ
オクチルナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸
ジイミド誘導体、ナフタレン２，３，６，７テトラカル
ボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイ
ミド類、及びアントラセン２，３，６，７−テトラカル
ボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジ
イミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、Ｃ
₆₀、Ｃ₇₀、Ｃ₇₆、Ｃ₇₈、Ｃ₈₄等フラーレン類、ＳＷＮＴ
などのカーボンナノチューブ、メロシアニン色素類、ヘ
ミシアニン色素類などの色素などがあげられる。Furthermore, copper phthalocyanine and JP-A-11-2
51601, metal phthalocyanines such as fluorine-substituted copper phthalocyanine, naphthalene 1,4,5,8-tetracarboxylic acid diimide, N, N′-bis (4-trifluoromethylbenzyl) naphthalene 1,4,5,8 -With tetracarboxylic acid diimide, N, N'-bis (1
H, 1H-perfluorooctyl), N, N'-bis (1H, 1H-perfluorobutyl) and N, N'-dioctylnaphthalene 1,4,5,8-tetracarboxylic acid diimide derivative, naphthalene 2,3,6 , 7 Tetracarboxylic acid diimides and other naphthalene tetracarboxylic acid diimides, and anthracene 2,3,6,7-tetracarboxylic acid diimides and other anthracene tetracarboxylic acid diimides and other condensed ring tetracarboxylic acid diimides, C
Fullerenes such as ₆₀ , C ₇₀ , C ₇₆ , C ₇₈ , C ₈₄ , SWNT
Examples thereof include carbon nanotubes, merocyanine dyes, and hemicyanine dyes.

【００７４】これらのπ共役系材料のうちでも、チオフ
ェン、ビニレン、チェニレンビニレン、フェニレンビニ
レン、ｐ−フェニレン、これらの置換体またはこれらの
２種以上を繰返し単位とし、かつ該繰返し単位の数ｎが
４〜１０であるオリゴマーもしくは該繰返し単位の数ｎ
が２０以上であるポリマー、ペンタセンなどの縮合多環
芳香族化合物、フラーレン類、縮合環テトラカルボン酸
ジイミド類、金属フタロシアニンよりなる群から選ばれ
た少なくとも１種が好ましく、特にπ共役系ポリマーが
好ましい。Among these π-conjugated materials, thiophene, vinylene, phenylene vinylene, phenylene vinylene, p-phenylene, their substitution products or two or more of these repeating units are used, and the number of repeating units is n. Is 4 to 10 and the number of repeating units is n.
Is 20 or more, at least one selected from the group consisting of condensed polycyclic aromatic compounds such as pentacene, fullerenes, condensed ring tetracarboxylic acid diimides, and metal phthalocyanines is preferable, and a π-conjugated polymer is particularly preferable. .

【００７５】また、その他の有機半導体材料としては、
テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ）錯体、ビスエチレンテトラチアフル
バレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴ
ＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体、などの有機
分子錯体も用いることができる。さらにポリシラン、ポ
リゲルマンなどのσ共役系ポリマーや特開２０００−２
６０９９９に記載の有機・無機混成材料も用いることが
できる。As other organic semiconductor materials,
Tetrathiafulvalene (TTF) -Tetracyanoquinodimethane (TCNQ) complex, Bisethylenetetrathiafulvalene (BEDTTTF) -Perchloric acid complex, BEDTT
Organic molecular complexes such as TF-iodine complex and TCNQ-iodine complex can also be used. Further, σ-conjugated polymers such as polysilane and polygermane, and JP-A-2000-2
The organic / inorganic hybrid material described in 60999 can also be used.

【００７６】本発明においては、有機半導体層に、たと
えば、アクリル酸、アセトアミド、ジメチルアミノ基、
シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基などの官能基を有
する材料や、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレ
ンおよびテトラシアノキノジメタンやそれらの誘導体な
どのように電子を受容するアクセプターとなる材料や、
たとえばアミノ基、トリフェニル基、アルキル基、水酸
基、アルコキシ基、フェニル基などの官能基を有する材
料、フェニレンジアミンなどの置換アミン類、アントラ
セン、ベンゾアントラセン、置換ベンゾアントラセン
類、ピレン、置換ピレン、カルバゾールおよびその誘導
体、テトラチアフルバレンとその誘導体などのように電
子の供与体であるドナーとなるような材料を含有させ、
いわゆるドーピング処理を施してもよい。In the present invention, the organic semiconductor layer may include, for example, acrylic acid, acetamide, dimethylamino group,
Materials having functional groups such as cyano group, carboxyl group, and nitro group, and materials serving as acceptors that accept electrons, such as benzoquinone derivatives, tetracyanoethylene and tetracyanoquinodimethane, and their derivatives,
For example, materials having functional groups such as amino groups, triphenyl groups, alkyl groups, hydroxyl groups, alkoxy groups, and phenyl groups, substituted amines such as phenylenediamine, anthracene, benzanthracene, substituted benzanthracenes, pyrene, substituted pyrene, and carbazole. And a derivative thereof, tetrathiafulvalene and a derivative thereof, and the like, containing a material that serves as a donor that is an electron donor,
A so-called doping process may be performed.

【００７７】前記ドーピングとは電子授与性分子（アク
セプター）または電子供与性分子（ドナー）をドーパン
トとして該薄膜に導入することを意味する。従って，ド
ーピングが施された薄膜は、前記の縮合多環芳香族化合
物とドーパントを含有する薄膜である。本発明に用いる
ドーパントとしてアクセプター、ドナーのいずれも使用
可能である。The above-mentioned doping means introducing an electron-donating molecule (acceptor) or an electron-donating molecule (donor) into the thin film as a dopant. Therefore, the doped thin film is a thin film containing the condensed polycyclic aromatic compound and the dopant. As the dopant used in the present invention, either an acceptor or a donor can be used.

【００７８】このアクセプターとしてＣｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ
₂、ＩＣｌ、ＩＣｌ₃、ＩＢｒ、ＩＦなどのハロゲン、Ｐ
Ｆ₅、ＡｓＦ₅、ＳｂＦ₅、ＢＦ₃、ＢＣ１₃、ＢＢｒ₃、Ｓ
Ｏ₃などのルイス酸、ＨＦ、ＨＣ１、ＨＮＯ₃、Ｈ₂Ｓ
Ｏ₄、ＨＣｌＯ₄、ＦＳＯ₃Ｈ、ＣｌＳＯ₃Ｈ、ＣＦ₃ＳＯ₃
Ｈなどのプロトン酸、酢酸、蟻酸、アミノ酸などの有機
酸、ＦｅＣｌ₃、ＦｅＯＣｌ、ＴｉＣｌ₄、ＺｒＣｌ₄、
ＨｆＣｌ₄、ＮｂＦ₅、ＮｂＣｌ₅、ＴａＣｌ₅、ＭｏＣｌ
₅、ＷＦ₅、ＷＣｌ₆、ＵＦ₆、ＬｎＣｌ₃（Ｌｎ＝Ｌａ、
Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、などのランタノイドとＹ）などの遷
移金属化合物、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-、ＣｌＯ₄ ^-、Ｐ
Ｆ₆ ^-、ＡｓＦ₅ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＢＦ₄ ^-、スルホン酸アニオ
ンなどの電解質アニオンなどを挙げることができる。Cl ₂ , Br ₂ , and I are used as the acceptor.
₂ , halogen such as ICl, ICl ₃ , IBr, IF, P
F ₅ , AsF ₅ , SbF ₅ , BF ₃ , BC1 ₃ , BBr ₃ , S
Lewis acids such as O ₃ , HF, HC1, HNO ₃ , H ₂ S
O ₄ , HClO ₄ , FSO ₃ H, ClSO ₃ H, CF ₃ SO ₃
Protonic acid such as H, acetic acid, formic acid, organic acid such as amino acid, FeCl ₃ , FeOCl, TiCl ₄ , ZrCl ₄ ,
HfCl ₄ , NbF ₅ , NbCl ₅ , TaCl ₅ , MoCl
₅ , WF ₅ , WCl ₆ , UF ₆ , LnCl ₃ (Ln = La,
Ce, Nd, Pr, and other lanthanoids and transition metal compounds such as Y), Cl ⁻ , Br ⁻ , I ⁻ , ClO ₄ ⁻ , P
Examples thereof include electrolyte anions such as F ₆ ⁻ , AsF ₅ ⁻ , SbF ₆ ⁻ , BF ₄ ⁻ , and sulfonate anion.

【００７９】またドナーとしては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒ
ｂ、Ｃｓなどのアルカリ金属、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどの
アルカリ土類金属、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂなどの
希土類金属、アンモニウムイオン、Ｒ₄Ｐ⁺、Ｒ₄Ａｓ⁺、
Ｒ₃Ｓ⁺、アセチルコリンなどをあげることができる。As donors, Li, Na, K, R
Alkali metals such as b and Cs, alkaline earth metals such as Ca, Sr and Ba, Y, La, Ce, Pr, Nd and S
Rare earth metals such as m, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er and Yb, ammonium ion, R ₄ P ⁺ , R ₄ As ⁺ ,
Examples thereof include R ₃ S ⁺ and acetylcholine.

【００８０】これらのドーパントのドーピングの方法と
して予め有機半導体の薄膜を作製しておき、ドーパント
を後で導入する方法、有機半導体の薄膜作製時にドーパ
ントを導入する方法のいずれも使用可能である。前者の
方法のドーピングとして、ガス状態のドーパントを用い
る気相ドーピング、溶液あるいは液体のドーパントを該
薄膜に接触させてドーピングする液相ドーピング、個体
状態のドーパントを該薄膜に接触させてドーパントを拡
散ドーピングする固相ドーピングの方法をあげることが
できる。また液相ドーピングにおいては電解を施すこと
によってドーピングの効率を調整することができる。後
者の方法では、有機半導体化合物とドーパントの混合溶
液あるいは分散液を同時に塗布、乾燥してもよい。たと
えば真空蒸着法を用いる場合、有機半導体化合物ととも
にドーパントを共蒸着することによりドーパントを導入
することができる。またスパッタリング法で薄膜を作製
する場合、有機半導体化合物とドーパントの二元ターゲ
ットを用いてスパッタリングして薄膜中にドーパントを
導入させることができる。さらに他の方法として、電気
化学的ドーピング、光開始ドーピング等の化学的ドーピ
ングおよび例えば刊行物「工業材料」３４巻、第４号、
５５頁（１９８６年）に示されたイオン注入法等の物理
的ドーピングの何れも使用可能である。As a method of doping these dopants, either a method of previously forming a thin film of an organic semiconductor and introducing the dopant later or a method of introducing the dopant at the time of forming the thin film of the organic semiconductor can be used. As the doping of the former method, vapor phase doping using a gas state dopant, liquid phase doping in which a solution or liquid dopant is brought into contact with the thin film to dope, and solid state dopant is brought into contact with the thin film to perform diffusion doping The solid-state doping method can be used. In liquid phase doping, the efficiency of doping can be adjusted by applying electrolysis. In the latter method, a mixed solution or dispersion of the organic semiconductor compound and the dopant may be simultaneously applied and dried. For example, when using a vacuum evaporation method, a dopant can be introduced by co-evaporating a dopant with an organic semiconductor compound. When the thin film is formed by the sputtering method, the dopant can be introduced into the thin film by sputtering using a binary target of the organic semiconductor compound and the dopant. Still other methods include chemical doping, such as electrochemical doping, photoinitiated doping and the like, eg publication “Industrial Materials” 34, No. 4,
Any of the physical doping methods such as the ion implantation method shown on page 55 (1986) can be used.

【００８１】（有機半導体層（有機薄膜）の作製方法）
これら有機半導体層（有機薄膜）の作製法としては、真
空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラス
タービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプ
レーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、プラズ
マ重合法、電解重合法、化学重合法、スプレーコート
法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコー
ト法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダ
イコート法およびＬＢ法等が挙げられ、材料に応じて使
用できる。ただし、この中で生産性の点で、有機半導体
の溶液を用いて簡単かつ精密に薄膜が形成できるスピン
コート法、ブレードコート法、デイップコート法、ロー
ルコート法、バーコート法、ダイコート法等が好まれ
る。(Method for producing organic semiconductor layer (organic thin film))
These organic semiconductor layers (organic thin films) can be produced by vacuum vapor deposition method, molecular beam epitaxial growth method, ion cluster beam method, low energy ion beam method, ion plating method, CVD method, sputtering method, plasma polymerization method, electrolysis. The polymerization method, the chemical polymerization method, the spray coating method, the spin coating method, the blade coating method, the dip coating method, the casting method, the roll coating method, the bar coating method, the die coating method, the LB method and the like can be mentioned, and they can be used depending on the material. . However, among these, from the viewpoint of productivity, spin coating, blade coating, dip coating, roll coating, bar coating, die coating, etc. that can easily and precisely form a thin film using a solution of an organic semiconductor are available. Be preferred.

【００８２】（有機半導体層の膜厚）これら有機半導体
からなる薄膜の膜厚としては、特に制限はないが、得ら
れたトランジスタの特性は、有機半導体からなる活性層
の膜厚に大きく左右される場合が多く、その膜厚は、有
機半導体により異なるが、１μｍ以下が好ましく、更に
好ましくは、１０ｎｍ〜３００ｎｍである。(Film Thickness of Organic Semiconductor Layer) The film thickness of the thin film made of these organic semiconductors is not particularly limited, but the characteristics of the obtained transistor are greatly influenced by the film thickness of the active layer made of the organic semiconductor. In many cases, the film thickness varies depending on the organic semiconductor, but is preferably 1 μm or less, more preferably 10 nm to 300 nm.

【００８３】《電荷発生層》本発明に係る電荷発生層に
ついて説明する。<< Charge Generation Layer >> The charge generation layer according to the present invention will be described.

【００８４】本発明では、有機半導体層に生じた光電荷
（キャリア）をソース電極とドレイン電極の間に流れる
電流値として反映させるものなので、キャリアとしては
電子、ホールのいずれでもよいが、有機半導体層がｐ型
の場合、ソース電極−ドレイン電極間の光電流のメイン
キャリアはホールが好ましく、有機半導体層がｎ型の場
合、該メインキャリアは電子が好ましい。In the present invention, the photocharges (carriers) generated in the organic semiconductor layer are reflected as the value of the current flowing between the source electrode and the drain electrode. Therefore, the carrier may be either an electron or a hole. When the layer is p-type, holes are preferable as the main carriers of photocurrent between the source electrode and the drain electrode, and when the organic semiconductor layer is n-type, the main carriers are preferably electrons.

【００８５】また、光入射時の光電荷（キャリア）量を
増大させる観点から、有機半導体層とハーフミラーとの
間に、電荷発生層を設けることが好ましく、更に好まし
くは、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの光透過率が１０％以上
の電荷発生層を設けることがであり、特に好ましくは、
透過率が５０％〜９０％の電荷発生層を設けることであ
る。From the viewpoint of increasing the amount of photocharges (carriers) upon incidence of light, it is preferable to provide a charge generation layer between the organic semiconductor layer and the half mirror, and more preferably, light of 350 nm to 850 nm is used. A charge generation layer having a transmittance of 10% or more may be provided, and particularly preferably,
This is to provide a charge generation layer having a transmittance of 50% to 90%.

【００８６】電荷発生層は、電荷発生物質としてのスー
ダンレッド又はダイアンブルー等のアゾ顔料、ピレンキ
ノン、アントアントロン等のキノン顔料、インジゴ、チ
オインジゴなどのインジゴ顔料、アズレニウム塩顔料、
銅フタロシアニン、無金属フタロシアニン、チタニルフ
タロシアニンなどのフタロシアニン顔料等をバインダー
樹脂であるポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、アクリ
ル樹脂、ポリビニルピロリドン、エチルセルロース、酢
酸酪酸セルロース等に分散含有させた層として得られ
る。The charge generating layer comprises an azo pigment such as Sudan Red or Diane Blue as a charge generating substance, a quinone pigment such as pyrenequinone or anthanthrone, an indigo pigment such as indigo or thioindigo, an azurenium salt pigment,
Layers in which phthalocyanine pigments such as copper phthalocyanine, metal-free phthalocyanine, and titanyl phthalocyanine are dispersed in binder resins such as polyester, polycarbonate, polystyrene, polyvinyl butyral, polyvinyl acetate, acrylic resin, polyvinylpyrrolidone, ethyl cellulose, and cellulose acetate butyrate. Obtained as.

【００８７】即ち、電荷発生物質及びバインダー樹脂を
例えばトルエン、キシレン等の炭化水素類；メチレンク
ロライド、１，２−ジクロルエタン等のハロゲン化炭化
水素；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケト
ン類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノール、メチル
セルソルブ、エチルセルソルブ等のアルコール類及びこ
の誘導体；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等
のエーテル類；ピリジンやジエチルアミン等のアミン
類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド類等の窒
素化合物；その他脂肪酸及びフェノール類；二硫化炭素
や燐酸トリエチル等の硫黄、燐化合物等の１種又は２種
以上の溶媒中にボールミル、ホモミキサー、サンドミ
ル、超音波分散等により、溶解、分散して塗布液を作製
し、これをディップ、スプレー、ブレード、ロール等の
塗布方法により塗布、乾燥して形成することができる。That is, the charge generating substance and the binder resin are, for example, hydrocarbons such as toluene and xylene; halogenated hydrocarbons such as methylene chloride and 1,2-dichloroethane; ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone; ethyl acetate and butyl acetate. And the like; alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, methylcellosolve, ethylcellosolve and the like; ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; amines such as pyridine and diethylamine; N, Nitrogen compounds such as amides such as N-dimethylformamide; Other fatty acids and phenols; Sulfur such as carbon disulfide and triethyl phosphate; and ball mill, homomixer, sand mill in one or more solvents such as phosphorus compounds. By ultrasonic dispersion , Dissolved, dispersed to prepare a coating solution, which dip, spray, blade, applied by the method of coating a roll or the like can be formed and dried.

【００８８】電荷発生層中のバインダー樹脂：電荷発生
物質は質量比で０〜１０：１〜５０程度、形成される電
荷発生層の膜厚は０．０１μｍ〜１０μｍの範囲に調整
することが好ましく、更に好ましい膜厚範囲は、０．０
５μｍ〜１．０μｍである。The mass ratio of the binder resin: charge generating substance in the charge generating layer is 0 to 10: 1 to 50, and the thickness of the charge generating layer to be formed is preferably adjusted to 0.01 μm to 10 μm. The more preferable film thickness range is 0.0
It is 5 μm to 1.0 μm.

【００８９】尚、電荷発生物質として公知のハロゲン化
銀を用いてもよい。青・緑・赤（ＢＧＲ）の各光に対す
る感度を有する分光増感されたハロゲン化銀粒子を混合
して電荷発生層に含有させてもよい。Known silver halide may be used as the charge generating substance. Spectrally sensitized silver halide grains having sensitivity to blue, green and red (BGR) light may be mixed and contained in the charge generation layer.

【００９０】《電荷輸送層》本発明に係る電荷輸送層に
ついて説明する。<< Charge Transport Layer >> The charge transport layer according to the present invention will be described.

【００９１】本発明の反射率検出用素子の構成として
は、入射光により発生した光電荷（キャリア）の移動度
を向上させ、応答速度の高い素子にする観点から、電荷
発生層と有機半導体層との間に電荷輸送層を設けること
が好ましく、更に好ましくは、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍ
の光透過率が１０％以上の電荷輸送層であり、特に好ま
しくは、３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの波長範囲の光の透過
率が５０％〜９０％の電荷輸送層を設けることである。As the constitution of the reflectance detecting element of the present invention, from the viewpoint of improving the mobility of the photocharges (carriers) generated by the incident light and making the element a high response speed, the charge generation layer and the organic semiconductor layer. Is preferably provided with a charge transport layer, and more preferably 350 nm to 850 nm.
Is a charge transport layer having a light transmittance of 10% or more, and it is particularly preferable to provide a charge transport layer having a light transmittance of 50% to 90% in the wavelength range of 350 nm to 850 nm.

【００９２】電荷発生層に隣接して形成される電荷輸送
層は、電荷輸送物質を適当な溶媒に単独で、あるいはバ
インダー樹脂と共に溶解分散せしめたものをアプリケー
ター、バーコーター、デイップコーター等を用いて塗布
乾燥して得られる。The charge-transporting layer formed adjacent to the charge-generating layer is prepared by dissolving the charge-transporting substance in an appropriate solvent alone or by dissolving and dispersing it together with a binder resin in an applicator, bar coater, dip coater or the like. It is obtained by coating and drying.

【００９３】電荷輸送物質としては、オキサゾール誘導
体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、チア
ジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、イミダゾロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、
ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾ
ン化合物、ピラゾリン誘導体、オキサゾロン誘導体、ベ
ンゾチアゾール誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジ
ン誘導体、フエナジン誘導体、アミノスチルベン誘導
体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−１−ビニル
ピレン、ポリ−９−ビニルアントラセン、スチリル化合
物、アミン誘導体、ジスチリル系化合物（以上ｐ型）、
ベンゾキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ナフ
トキノン系化合物、ナフタレンジイミド系化合物、フル
オレノン系化合物、チオピラン系化合物、インダン系化
合物、インダンジオン系化合物、シクロペンタジエン系
化合物及びこれらのニトロ誘導体、シアノ誘導体、ジシ
アノメチレン誘導体、マロンサンエステル誘導体、フエ
ニルイミノ誘導体（以上ｎ型）等を挙げることができ
る。Examples of the charge transport material include oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, imidazolone derivatives, imidazolidine derivatives,
Bisimidazolidine derivative, styryl compound, hydrazone compound, pyrazoline derivative, oxazolone derivative, benzothiazole derivative, benzofuran derivative, acridine derivative, phenazine derivative, aminostilbene derivative, poly-N-vinylcarbazole, poly-1-vinylpyrene, poly-9 -Vinylanthracene, styryl compounds, amine derivatives, distyryl compounds (above p-type),
Benzoquinone compounds, anthraquinone compounds, naphthoquinone compounds, naphthalenediimide compounds, fluorenone compounds, thiopyran compounds, indane compounds, indandione compounds, cyclopentadiene compounds and their nitro derivatives, cyano derivatives, dicyanomethylene derivatives , Malonsan ester derivative, phenylimino derivative (above n-type) and the like.

【００９４】電荷輸送層を形成するためのバインダー樹
脂としては、例えばポリスチレン、アクリル樹脂、メタ
クリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビ
ニルブチラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹
脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹
脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹
脂ならびに、これらの樹脂の繰り返し単位のうちの２つ
以上を含む共重合体樹脂、又はこれらの絶縁性樹脂の
他、ポリビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙
げられ、前記電荷輸送物質とバインダー樹脂を溶解、分
散する溶媒は前記電荷発生層形成用の溶媒から選択して
用いることができる。Examples of the binder resin for forming the charge transport layer include polystyrene, acrylic resin, methacrylic resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, polyvinyl butyral resin, epoxy resin, polyurethane resin, phenol resin, polyester resin and alkyd. Resins, polycarbonate resins, silicone resins, melamine resins, copolymer resins containing two or more repeating units of these resins, or insulating resins thereof, as well as polymer organic semiconductors such as polyvinylcarbazole. The solvent for dissolving and dispersing the charge transport material and the binder resin can be selected from the solvents for forming the charge generation layer and used.

【００９５】電荷輸送物質はバインダー樹脂１００質量
部当たり２０質量部〜２００質量部、好ましくは３０質
量部〜１５０質量部であり、電荷輸送層の膜厚は５μｍ
〜５０μｍ程度が好ましい。The charge transport material is 20 to 200 parts by weight, preferably 30 to 150 parts by weight, per 100 parts by weight of the binder resin, and the thickness of the charge transport layer is 5 μm.
It is preferably about 50 μm.

【００９６】各層の組成物の塗布方法としては、更にデ
ィッピング、スピンコート、ナイフコート、バーコー
ト、ブレードコート、スクイズコート、リバースロール
コート、グラビアロールコート、カーテンコート、スプ
レイコート、ダイコート等の公知の塗布方法を用いるこ
とが出来、連続塗布または薄膜塗布が可能な塗布方法が
好ましく用いられる。As the method for applying the composition of each layer, known methods such as dipping, spin coating, knife coating, bar coating, blade coating, squeeze coating, reverse roll coating, gravure roll coating, curtain coating, spray coating, die coating and the like can be used. A coating method can be used, and a coating method capable of continuous coating or thin film coating is preferably used.

【００９７】《透明支持体》本発明に係る透明支持体に
ついて説明する。<< Transparent Support >> The transparent support according to the present invention will be described.

【００９８】透明支持体はガラスやフレキシブルな樹脂
製シートで構成され、例えばポリマーフィルムをシート
として用いることができる。前記ポリマーフィルムとし
ては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルス
ルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテル
エーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリ
レート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セル
ローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテー
トプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙
げられる。このような、プラスチックフィルムを用いる
ことで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図る
ことができ、可搬性を高めることができるとともに、衝
撃に対する耐性を向上できる。The transparent support is composed of glass or a flexible resin sheet, and for example, a polymer film can be used as the sheet. Examples of the polymer film include polyethylene terephthalate (PET),
Polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate propionate (CAP) ) And the like. By using such a plastic film, it is possible to reduce the weight as compared with the case of using a glass substrate, it is possible to enhance the portability, and it is possible to improve the resistance to impact.

【００９９】本発明に係る透明支持体は、３５０ｎｍ〜
８５０ｎｍの光透過率が１０％以上であることが好まし
く、更好ましくは、３０％以上であり、特に好ましく
は、５０以上である。The transparent support according to the present invention has a thickness of 350 nm to
The light transmittance at 850 nm is preferably 10% or more, more preferably 30% or more, and particularly preferably 50 or more.

【０１００】[0100]

【発明の効果】本発明により、ハードコピーや印刷物等
のアナログ画像データを容易に、且つ、迅速に電子デー
タに変換し、電子ペーパーとして利用可能ならしめる、
反射率検出用素子、それを用いるシート状画像入力装置
及びシート状画像入力方法を提供することが出来た。According to the present invention, analog image data such as a hard copy or a printed matter can be easily and quickly converted into electronic data so that it can be used as electronic paper.
An element for reflectance detection, a sheet-shaped image input device using the same, and a sheet-shaped image input method can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の反射率検出用素子の構成の一例を示す
模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a reflectance detection element of the present invention.

【図２】本発明の反射率検出用素子が光反射を検出する
一態様を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing an aspect in which the reflectance detecting element of the present invention detects light reflection.

【図３】本発明の反射率検出用素子の回路構成の一例を
示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a circuit configuration of a reflectance detecting element of the present invention.

【図４】図４は、本発明のシート状画像入力装置の一態
様を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing one embodiment of a sheet-shaped image input device of the present invention.

【図５】図４に示した装置でアクティブ駆動を行う際の
等価のマトリックス回路の模式図である。5 is a schematic diagram of an equivalent matrix circuit when active driving is performed by the device shown in FIG.

【図６】図６は、フルカラー画像検出可能なシート状画
像入力装置の一例を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing an example of a sheet-shaped image input device capable of detecting a full-color image.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 透明支持体 ２ 電荷発生層 ３ 電荷輸送層 ４ 有機半導体層 ５ ソース電極 ６ ドレイン電極 ７ 絶縁層 ８ ゲート電極 ９ ハーフミラー １０ 光入射制御手段 ５０ 反射率検出用素子 1 transparent support 2 Charge generation layer 3 Charge transport layer 4 Organic semiconductor layer 5 Source electrode 6 drain electrode 7 Insulation layer 8 gate electrode 9 Half mirror 10 Light incidence control means 50 Reflectance detection element

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/028 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ 5/335 29/28 Ｆターム(参考） 2H088 EA33 GA06 GA10 HA02 HA04 HA08 HA12 HA22 KA30 MA20 4M118 AA10 AB01 BA05 CA11 CA17 CB05 FB03 FB09 FB13 FB23 FB25 GA03 GA10 5C024 EX52 GX07 GX20 GY31 5C051 AA01 BA02 DA06 DB01 DB05 DB24 DC07 5F110 AA30 BB01 BB10 CC03 DD01 DD02 EE07 EE41 EE43 EE44 FF01 FF02 FF03 FF09 FF21 FF27 FF28 FF29 GG05 GG24 GG41 GG42 GG43 GG44 HK01 HK02 HK03 HK04 HK06 HK07 HK32 HK33 NN71 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. ⁷ Identification code FI theme code (reference) H04N 1/028 H01L 27/14 D 5/335 29/28 F term (reference) 2H088 EA33 GA06 GA10 HA02 HA04 HA08 HA12 HA22 KA30 MA20 4M118 AA10 AB01 BA05 CA11 CA17 CB05 FB03 FB09 FB13 FB23 FB25 GA03 GA10 5C024 EX52 GX07 GX20 GY31 5C051 AA01 BA02 DA06 DB01 DB05 DB24 DC07 5FFFFEE21 FFFFEEFFEEFF21 CC02 DDFFDD41 DD02 FFFFEEFFFF FF43 FFFFEEFF FF43 GG05 GG24 GG41 GG42 GG43 GG44 HK01 HK02 HK03 HK04 HK06 HK07 HK32 HK33 NN71

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 透明支持体上に、少なくともゲート電
極、該ゲート電極を被覆しながら該透明支持体上に設け
られた絶縁層、該絶縁層上に、ソース電極、ドレイン電
極、該ソース電極と該ドレインを連結し、且つ、３５０
ｎｍ〜８５０ｎｍの光透過率が１０％以上である有機半
導体層を有し、該有機半導体層上にハーフミラーと光入
射制御手段とがこの順で配設されていることを特徴とす
る反射率検出用素子。1. A transparent support, at least a gate electrode, an insulating layer provided on the transparent support while covering the gate electrode, and a source electrode, a drain electrode, and a source electrode on the insulating layer. Connecting the drains and 350
nm-850 nm, an organic semiconductor layer having a light transmittance of 10% or more, and a half mirror and a light incidence control unit are arranged in this order on the organic semiconductor layer. Detection element. 【請求項２】 有機半導体層とハーフミラーとの間に、
３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの光透過率が１０％以上の光電
荷発生層を設けることを特徴とする請求項１に記載の反
射率検出用素子。2. Between the organic semiconductor layer and the half mirror,
The reflectance detecting element according to claim 1, further comprising a photocharge generating layer having a light transmittance of 350% to 850 nm of 10% or more. 【請求項３】 有機半導体層と光電荷発生層との間に、
３５０ｎｍ〜８５０ｎｍの光透過率が１０％以上の電荷
輸送層を設けることを特徴とする請求項２に記載の反射
率検出用素子。3. Between the organic semiconductor layer and the photocharge generating layer,
The reflectance detecting element according to claim 2, wherein a charge transport layer having a light transmittance of 350 nm to 850 nm of 10% or more is provided. 【請求項４】 有機半導体層がπ共役系材料を含むこと
を特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の反射
率検出用素子。4. The reflectance detecting element according to claim 1, wherein the organic semiconductor layer contains a π-conjugated material. 【請求項５】 光入射制御手段として液晶素子を用いる
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の
反射率検出用素子。5. The reflectance detecting element according to claim 1, wherein a liquid crystal element is used as the light incidence control means. 【請求項６】 光入射制御手段として光遮断層及び発光
素子を用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか
１項に記載の反射率検出用素子。6. The reflectance detecting element according to claim 1, wherein a light blocking layer and a light emitting element are used as the light incidence control means. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の反
射率検出用素子を有することを特徴とするシート状画像
入力装置。7. A sheet-shaped image input device, comprising the reflectance detection element according to claim 1. Description: 【請求項８】 請求項７に記載のシート状画像入力装置
を用いることを特徴とするシート状画像入力方法。8. A sheet-shaped image input method using the sheet-shaped image input device according to claim 7.