JP2003331743A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極の両側や表面の空隙の発生に影響される
ことなく、放電空間の密閉性が保持されるプラズマディ
スプレイパネルを提供する。 【解決手段】 複数の電極１１のそれぞれの一部を前記
誘電体層１３から表出させ、当該表出させた各電極１１
の一部と封止部材３が直接接しているので、複数の電極
１１の両側や表面に空隙を生じないため放電空間が複数
の電極１１の両側や表面の空隙を通じて外と通じること
なく、当該封止部材３により放電空間の密閉を維持して
長期間安定した放電による良好な表示ができる。
ことなく、放電空間の密閉性が保持されるプラズマディ
スプレイパネルを提供する。 【解決手段】 複数の電極１１のそれぞれの一部を前記
誘電体層１３から表出させ、当該表出させた各電極１１
の一部と封止部材３が直接接しているので、複数の電極
１１の両側や表面に空隙を生じないため放電空間が複数
の電極１１の両側や表面の空隙を通じて外と通じること
なく、当該封止部材３により放電空間の密閉を維持して
長期間安定した放電による良好な表示ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルに関し、特に封止構造により放電空間と外界
とを遮断するＡＣ型のプラズマディスプレイパネルに関
する。
レイパネルに関し、特に封止構造により放電空間と外界
とを遮断するＡＣ型のプラズマディスプレイパネルに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＡＣ型のプラズマディスプレイパ
ネルについて、図６ないし図８に基づいて説明する。図
６はＡＣ型パネルの代表例として知られる３電極面放電
形プラズマディスプレイパネルの部分斜視図、図７はそ
のパネルの前面基板の要部上面図及び断面図、図８はそ
のパネルの要部断面図を示す。前記各図において従来の
３電極面放電形プラズマディスプレイパネルは、表示放
電用の主電極対１１１を配置された前面基板１０１とア
ドレス放電用のアドレス電極１２１を配置された背面基
板１０２とからなり、この前面基板１０１と背面基板１
０２との間にキセノンをネオンに混合した放電ガスを封
入している構成である。前面基板１０１と背面基板１０
２との間で表示領域ＥＳの周縁部には、放電空間を外か
ら密封するための封止部材１０３が設けられている。
ネルについて、図６ないし図８に基づいて説明する。図
６はＡＣ型パネルの代表例として知られる３電極面放電
形プラズマディスプレイパネルの部分斜視図、図７はそ
のパネルの前面基板の要部上面図及び断面図、図８はそ
のパネルの要部断面図を示す。前記各図において従来の
３電極面放電形プラズマディスプレイパネルは、表示放
電用の主電極対１１１を配置された前面基板１０１とア
ドレス放電用のアドレス電極１２１を配置された背面基
板１０２とからなり、この前面基板１０１と背面基板１
０２との間にキセノンをネオンに混合した放電ガスを封
入している構成である。前面基板１０１と背面基板１０
２との間で表示領域ＥＳの周縁部には、放電空間を外か
ら密封するための封止部材１０３が設けられている。
【０００３】前記前面基板１０１上の主電極対１１１
は、この前面基板１０１の基材となるガラス基板１１２
の内面に互いに隣接するように平行して配列され、その
一方がアドレス電極１２１との間でアドレス放電を発生
させるためのスキャン電極として用いられる。これら主
電極対１１１は透明電極１１１ａとバス電極１１１ｂと
からなり、厚さ３０μｍ程度の誘電体層１１３で被覆さ
れている。この誘電体１１３の表面にはＭｇＯからなる
厚さ数千オングストロームの保護膜１１４が設けられて
いる。
は、この前面基板１０１の基材となるガラス基板１１２
の内面に互いに隣接するように平行して配列され、その
一方がアドレス電極１２１との間でアドレス放電を発生
させるためのスキャン電極として用いられる。これら主
電極対１１１は透明電極１１１ａとバス電極１１１ｂと
からなり、厚さ３０μｍ程度の誘電体層１１３で被覆さ
れている。この誘電体１１３の表面にはＭｇＯからなる
厚さ数千オングストロームの保護膜１１４が設けられて
いる。
【０００４】前記背面基板１０２上のアドレス電極１２
１は、この背面基板１０２の基材となるガラス基板１２
２の内面に前記主電極対１１１と交差するように配列さ
れており、厚さ１０μｍ程度の誘電体層１２３で被覆さ
れている。この誘電体層１２３の上には、高さ１５０μ
ｍのストライプ状の隔壁１２４が各アドレス電極１２１
の間に１つずつ設けられている。
１は、この背面基板１０２の基材となるガラス基板１２
２の内面に前記主電極対１１１と交差するように配列さ
れており、厚さ１０μｍ程度の誘電体層１２３で被覆さ
れている。この誘電体層１２３の上には、高さ１５０μ
ｍのストライプ状の隔壁１２４が各アドレス電極１２１
の間に１つずつ設けられている。
【０００５】前記前面基板１０１は、ガラス基板１１２
上にスパッタリング法により透明電極１１１ａを形成
し、透明電極１１１ａが形成されたガラス基板１１２上
にＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜を連続成膜し、このＣｒ−Ｃｕ−
Ｃｒ膜をレジストパターニング後順に透明電極１１１ａ
に対応するようにエッチングすることによりバス電極１
１１ｂを形成して主電極対１１１を構成し、主電極対１
１１が構成されたガラス基板１１２上にＣＶＤ法等の気
相法によりＳｉＯ２等を成膜して誘電体層１１３を形成
し、最後にＭｇＯを真空蒸着して保護膜１１４を形成し
て作成されていた。
上にスパッタリング法により透明電極１１１ａを形成
し、透明電極１１１ａが形成されたガラス基板１１２上
にＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜を連続成膜し、このＣｒ−Ｃｕ−
Ｃｒ膜をレジストパターニング後順に透明電極１１１ａ
に対応するようにエッチングすることによりバス電極１
１１ｂを形成して主電極対１１１を構成し、主電極対１
１１が構成されたガラス基板１１２上にＣＶＤ法等の気
相法によりＳｉＯ２等を成膜して誘電体層１１３を形成
し、最後にＭｇＯを真空蒸着して保護膜１１４を形成し
て作成されていた。
【０００６】背面基板１０２も作成した後、前面基板１
０１と背面基板１０２との貼り合わせ段階において、ま
ず前面基板１０１上に封止用のガラスペーストを表示領
域ＥＳの周縁の誘電体層１１３にディスペンサ法により
塗付する（この時の前面基板１０１の要部上面図及び断
面図が図７（Ａ）、（Ｂ）となる）。次いで作成完了し
た前面基板１０１及び背面基板１０２を対向配置して熱
処理を行う。この熱処理によりガラスペーストが焼成さ
れた封止ガラス１０３となり、放電空間を密閉する（図
８参照）。
０１と背面基板１０２との貼り合わせ段階において、ま
ず前面基板１０１上に封止用のガラスペーストを表示領
域ＥＳの周縁の誘電体層１１３にディスペンサ法により
塗付する（この時の前面基板１０１の要部上面図及び断
面図が図７（Ａ）、（Ｂ）となる）。次いで作成完了し
た前面基板１０１及び背面基板１０２を対向配置して熱
処理を行う。この熱処理によりガラスペーストが焼成さ
れた封止ガラス１０３となり、放電空間を密閉する（図
８参照）。
【０００７】ここで、誘電体層１１３はＣＶＤ法等の気
相法によりＳｉＯ２等を成膜して形成したが、他にもＺ
ｎＯ系のフリットガラスで形成することもできる。これ
らＳｉＯ２の成膜等の方法による以前は、ＰｂＯ系等の
鉛を含むフリットガラスで形成されていたが、最近では
環境問題、リサイクルの観点から、利用されない傾向と
なっている。
相法によりＳｉＯ２等を成膜して形成したが、他にもＺ
ｎＯ系のフリットガラスで形成することもできる。これ
らＳｉＯ２の成膜等の方法による以前は、ＰｂＯ系等の
鉛を含むフリットガラスで形成されていたが、最近では
環境問題、リサイクルの観点から、利用されない傾向と
なっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のＡＣ型プラズマ
ディスプレイパネルは、以上のように構成されていたこ
とから、前記前面基板１０１において透明電極１１１ａ
が形成されたガラス基板１１２上にＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜
を連続成膜し、このＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜をレジストパタ
ーニング後順に透明電極１１１ａに対応するようにエッ
チングすることによりバス電極１１１ｂを形成した場合
にバス電極１１１ｂがオーバーハング形状になると、誘
電体層１１３の形成時にＣＶＤ法等の気相法ではカバー
レージ出来ずにバス電極１１１ｂの両側に空隙を生じる
ことがある。このバス電極１１１ｂの両側に空隙がある
状態で保護膜１１４を形成して前面基板１０１を作成
し、この前面基板１０１と背面基板１０２とを貼り合わ
せて封止ガラス１０３で封止し、放電ガスを封入してプ
ラズマディスプレイパネルを完成させると、バス電極１
１１ｂ両側の空隙によりパネル内の放電空間がパネル外
部に通じて密閉性が保持されないという課題を有する。
また、誘電体層１１３がＰｂＯ等の鉛を含んでいないフ
リットガラスで形成されている場合、バス電極１１１ｂ
との密着性が悪く、バス電極１１１ｂ表面に空隙を有す
る現象が生じ、同様の課題を有する。
ディスプレイパネルは、以上のように構成されていたこ
とから、前記前面基板１０１において透明電極１１１ａ
が形成されたガラス基板１１２上にＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜
を連続成膜し、このＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ膜をレジストパタ
ーニング後順に透明電極１１１ａに対応するようにエッ
チングすることによりバス電極１１１ｂを形成した場合
にバス電極１１１ｂがオーバーハング形状になると、誘
電体層１１３の形成時にＣＶＤ法等の気相法ではカバー
レージ出来ずにバス電極１１１ｂの両側に空隙を生じる
ことがある。このバス電極１１１ｂの両側に空隙がある
状態で保護膜１１４を形成して前面基板１０１を作成
し、この前面基板１０１と背面基板１０２とを貼り合わ
せて封止ガラス１０３で封止し、放電ガスを封入してプ
ラズマディスプレイパネルを完成させると、バス電極１
１１ｂ両側の空隙によりパネル内の放電空間がパネル外
部に通じて密閉性が保持されないという課題を有する。
また、誘電体層１１３がＰｂＯ等の鉛を含んでいないフ
リットガラスで形成されている場合、バス電極１１１ｂ
との密着性が悪く、バス電極１１１ｂ表面に空隙を有す
る現象が生じ、同様の課題を有する。
【０００９】本発明は前記課題を解決するためになさ
れ、電極の両側や表面の空隙の発生に影響されることな
く、放電空間の密閉性が保持されるＡＣ型のプラズマデ
ィスプレイパネルを提供することを目的とする。
れ、電極の両側や表面の空隙の発生に影響されることな
く、放電空間の密閉性が保持されるＡＣ型のプラズマデ
ィスプレイパネルを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマデ
ィスプレイパネルは、所定の間隙を介して対向しその対
向面に複数の電極を有する一対の基板が周辺部を封止部
材により封着されて密閉され、かつ、前記複数の電極を
誘電体層で被覆してなるＡＣ型のプラズマディスプレイ
パネルにおいて、前記複数の電極の一部に誘電体層によ
り被覆しない表出部を有し、当該表出部に前記封止部材
が接するように設けられているものである。このように
本発明においては、複数の電極の一部を前記誘電体層か
ら表出させ、当該表出させた複数の電極と封止部材が直
接接しているので、複数の電極の両側や表面に空隙を生
じないため放電空間が複数の電極の両側や表面の空隙を
通じて外と通じることなく、当該封止部材により放電空
間の密閉を維持して長期間安定した放電による良好な表
示ができる。
ィスプレイパネルは、所定の間隙を介して対向しその対
向面に複数の電極を有する一対の基板が周辺部を封止部
材により封着されて密閉され、かつ、前記複数の電極を
誘電体層で被覆してなるＡＣ型のプラズマディスプレイ
パネルにおいて、前記複数の電極の一部に誘電体層によ
り被覆しない表出部を有し、当該表出部に前記封止部材
が接するように設けられているものである。このように
本発明においては、複数の電極の一部を前記誘電体層か
ら表出させ、当該表出させた複数の電極と封止部材が直
接接しているので、複数の電極の両側や表面に空隙を生
じないため放電空間が複数の電極の両側や表面の空隙を
通じて外と通じることなく、当該封止部材により放電空
間の密閉を維持して長期間安定した放電による良好な表
示ができる。
【００１１】また、本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルは必要に応じて、前記表出部が誘電体層の外周辺
近傍の一部を切除して形成されるものである。このよう
に本発明においては、誘電体層の端部を削除せず表出部
が誘電体層の外周辺近傍に形成され、前記封止部材が複
数の電極と直接接しているので、封止部材により放電空
間の密閉を維持すると共に、前記複数の電極の両端に成
形された誘電体層に対して容易にエッチングを行うこと
ができる。
パネルは必要に応じて、前記表出部が誘電体層の外周辺
近傍の一部を切除して形成されるものである。このよう
に本発明においては、誘電体層の端部を削除せず表出部
が誘電体層の外周辺近傍に形成され、前記封止部材が複
数の電極と直接接しているので、封止部材により放電空
間の密閉を維持すると共に、前記複数の電極の両端に成
形された誘電体層に対して容易にエッチングを行うこと
ができる。
【００１２】また、本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルは必要に応じて、前記誘電体層が鉛を含有しない
フリットガラスで構成されるものである。このように本
発明においては、鉛を含有しないフリットガラスで構成
される前記誘電体層により前記複数の電極が被覆され、
前記封止部材が複数の電極と直接接しているので、封止
部材により放電空間の密閉を維持すると共に、廃棄処理
時に鉛を構成物質とする汚染物質を発生しなくなる。
パネルは必要に応じて、前記誘電体層が鉛を含有しない
フリットガラスで構成されるものである。このように本
発明においては、鉛を含有しないフリットガラスで構成
される前記誘電体層により前記複数の電極が被覆され、
前記封止部材が複数の電極と直接接しているので、封止
部材により放電空間の密閉を維持すると共に、廃棄処理
時に鉛を構成物質とする汚染物質を発生しなくなる。
【００１３】また、本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルは必要に応じて、前記複数の電極が多層の薄膜電
極からなるものである。このように本発明においては、
前記多層の薄膜電極からなる複数の電極が前記基板に配
設され、当該複数の電極に誘電体層を積層し、前記封止
部材が複数電極と直接接しているので、前記複数の電極
と誘電体層との空隙が生じたとしても封止部材により放
電空間の密閉を維持することができる。
パネルは必要に応じて、前記複数の電極が多層の薄膜電
極からなるものである。このように本発明においては、
前記多層の薄膜電極からなる複数の電極が前記基板に配
設され、当該複数の電極に誘電体層を積層し、前記封止
部材が複数電極と直接接しているので、前記複数の電極
と誘電体層との空隙が生じたとしても封止部材により放
電空間の密閉を維持することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】（本発明の第１の実施形態）以
下、第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネル
を図１または図２に基づいて説明する。図１は本実施形
態に係るプラズマディスプレイパネルにおける前面基板
の要部上面図及び断面図、図２は本実施形態に係るプラ
ズマディスプレイパネルの要部断面図を示す。前記各図
において本実施形態に係るプラズマディスプレイパネル
は、従来のプラズマディスプレイパネルと同様に、表示
放電用の主電極対１１を配置された前面基板１とアドレ
ス放電用のアドレス電極２１を配置された背面基板２と
を備え、この前面基板１と背面基板２とを貼り合わせ、
密封された放電空間を形成するために封止ガラス３が誘
電体層１３を介さず直接電極に接触状態で配設した構成
である。
下、第１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネル
を図１または図２に基づいて説明する。図１は本実施形
態に係るプラズマディスプレイパネルにおける前面基板
の要部上面図及び断面図、図２は本実施形態に係るプラ
ズマディスプレイパネルの要部断面図を示す。前記各図
において本実施形態に係るプラズマディスプレイパネル
は、従来のプラズマディスプレイパネルと同様に、表示
放電用の主電極対１１を配置された前面基板１とアドレ
ス放電用のアドレス電極２１を配置された背面基板２と
を備え、この前面基板１と背面基板２とを貼り合わせ、
密封された放電空間を形成するために封止ガラス３が誘
電体層１３を介さず直接電極に接触状態で配設した構成
である。
【００１５】前面基板１上の主電極対１１は、この前面
基板１の基材となるガラス基板１２の内面に互いに隣接
するように平行して配列され、その一方がアドレス電極
２１との間でアドレス放電を発生させるためのスキャン
電極として用いられる。これら主電極対１１は透明電極
１１ａとバス電極１１ｂとからなり、厚さ３０μｍ程度
の誘電体層１３で被覆されている。この誘電体１３の表
面にはＨｇＯからなる厚さ数千オングストロームの保護
膜１４が設けられている。背面基板２上のアドレス電極
２１は、この背面基板２の基材となるガラス基板２２の
内面に前記主電極対１１と交差するように配列されてお
り、厚さ１０μｍ程度の誘電体層２３で被覆されてい
る。この誘電体層２３の上には、高さ１５０μｍのスト
ライプ状の隔壁２４が各アドレス電極２１の間に１つず
つ設けられている。封止ガラス３は、前面基板１と背面
基板２との間で表示領域ＥＳの周縁部に配設され、前面
基板１の主電極対１１と接触しており、誘電体層１３中
に気泡が生じた場合でさえも、密封された放電空間を維
持する。
基板１の基材となるガラス基板１２の内面に互いに隣接
するように平行して配列され、その一方がアドレス電極
２１との間でアドレス放電を発生させるためのスキャン
電極として用いられる。これら主電極対１１は透明電極
１１ａとバス電極１１ｂとからなり、厚さ３０μｍ程度
の誘電体層１３で被覆されている。この誘電体１３の表
面にはＨｇＯからなる厚さ数千オングストロームの保護
膜１４が設けられている。背面基板２上のアドレス電極
２１は、この背面基板２の基材となるガラス基板２２の
内面に前記主電極対１１と交差するように配列されてお
り、厚さ１０μｍ程度の誘電体層２３で被覆されてい
る。この誘電体層２３の上には、高さ１５０μｍのスト
ライプ状の隔壁２４が各アドレス電極２１の間に１つず
つ設けられている。封止ガラス３は、前面基板１と背面
基板２との間で表示領域ＥＳの周縁部に配設され、前面
基板１の主電極対１１と接触しており、誘電体層１３中
に気泡が生じた場合でさえも、密封された放電空間を維
持する。
【００１６】次に、本実施形態に係るプラズマディスプ
レイパネルの形成動作を前面基板１の形成動作、背面基
板２の形成動作、前面基板１と背面基板２との貼り合わ
せの順に説明する。まず前面基板１の基材であるガラス
基板１２の主面に透明電極１１ａを成形する。この透明
電極１１ａは、スパッタリング法によりガラス基板１２
全面に酸化スズ及びインジウムとスズとの合金酸化膜を
ガラス基板１２全面に配置し、フォトグラフィにより所
定のパターンに成形される。透明電極１１ａが成形され
たガラス基板１２にバス電極１１ｂを成形する。このバ
ス電極１１ｂは、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの３層をスパッタリ
ング等により連続成膜し、透明電極１１ａと同様に、フ
ォトグラフィにより所定のパターンに成形される。透明
電極１１ａ及びバス電極１１ｂがガラス基板１２に成形
されることで、主電極対が形成されることとなる。
レイパネルの形成動作を前面基板１の形成動作、背面基
板２の形成動作、前面基板１と背面基板２との貼り合わ
せの順に説明する。まず前面基板１の基材であるガラス
基板１２の主面に透明電極１１ａを成形する。この透明
電極１１ａは、スパッタリング法によりガラス基板１２
全面に酸化スズ及びインジウムとスズとの合金酸化膜を
ガラス基板１２全面に配置し、フォトグラフィにより所
定のパターンに成形される。透明電極１１ａが成形され
たガラス基板１２にバス電極１１ｂを成形する。このバ
ス電極１１ｂは、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの３層をスパッタリ
ング等により連続成膜し、透明電極１１ａと同様に、フ
ォトグラフィにより所定のパターンに成形される。透明
電極１１ａ及びバス電極１１ｂがガラス基板１２に成形
されることで、主電極対が形成されることとなる。
【００１７】主電極対１１が形成されたガラス基板１２
にプラズマＣＶＤ法より誘電体層１３を成形する。この
プラズマＣＶＤ法は、プラズマを発生させて対象物に所
定の物質を体積させる方法である。誘電体層１３を成形
する場合に、前面基板１の全面に成形するのではなく、
図１（Ａ）が示すように外部からの導通を確保するため
にバス電極１１ｂの両端を除いて前面基板１に成形す
る。ここで、バス電極１１ｂの両端を除いて前面基板１
に誘電体層１３を成形したが、一旦全面に誘電体層１３
を成形した後にバス電極１１ｂの両端の誘電体層１３を
エッチングして取り除いてもよい。この誘電体層１３を
成形した後に引き続きＭｇＯからなる保護膜１４を真空
蒸着して成形して、前面基板１が形成される。
にプラズマＣＶＤ法より誘電体層１３を成形する。この
プラズマＣＶＤ法は、プラズマを発生させて対象物に所
定の物質を体積させる方法である。誘電体層１３を成形
する場合に、前面基板１の全面に成形するのではなく、
図１（Ａ）が示すように外部からの導通を確保するため
にバス電極１１ｂの両端を除いて前面基板１に成形す
る。ここで、バス電極１１ｂの両端を除いて前面基板１
に誘電体層１３を成形したが、一旦全面に誘電体層１３
を成形した後にバス電極１１ｂの両端の誘電体層１３を
エッチングして取り除いてもよい。この誘電体層１３を
成形した後に引き続きＭｇＯからなる保護膜１４を真空
蒸着して成形して、前面基板１が形成される。
【００１８】次に、背面基板２は、前面基板１と同様に
まずガラス基板２２上にアドレス電極２１を成形する。
このアドレス電極２１の成形は、各種の方法が提案され
ており、電極の材料（Ａｇ等）を印刷により積み上げる
パターン印刷、電極の材料を基板全体に塗付して焼成す
るケミカルエッチング及びドライフィルムフォトレジス
トを基板全体に貼り付けてパターニングするリフトオフ
法等による。
まずガラス基板２２上にアドレス電極２１を成形する。
このアドレス電極２１の成形は、各種の方法が提案され
ており、電極の材料（Ａｇ等）を印刷により積み上げる
パターン印刷、電極の材料を基板全体に塗付して焼成す
るケミカルエッチング及びドライフィルムフォトレジス
トを基板全体に貼り付けてパターニングするリフトオフ
法等による。
【００１９】アドレス電極２１を成形されたガラス基板
２２に誘電体層２３を前面基板１の誘電体層１３と同様
に成形する。次に誘電体層２３を成形されたガラス基板
２２に隔壁２４を形成する。この隔壁２４形成は、隔壁
材料の低融点ガラスペーストをガラス基板２２全面に塗
布してその上にドライフィルムフォトレジストを貼り付
け、露光及びエッチングして、レジストが除去された部
分に対してサンドブラストにより隔壁２４の形状にする
方法や他にも各種の方法が提案されている。隔壁２４が
形成されたガラス基板２２に対して蛍光体２５を配設す
ることで、背面基板２の作成が終了する。
２２に誘電体層２３を前面基板１の誘電体層１３と同様
に成形する。次に誘電体層２３を成形されたガラス基板
２２に隔壁２４を形成する。この隔壁２４形成は、隔壁
材料の低融点ガラスペーストをガラス基板２２全面に塗
布してその上にドライフィルムフォトレジストを貼り付
け、露光及びエッチングして、レジストが除去された部
分に対してサンドブラストにより隔壁２４の形状にする
方法や他にも各種の方法が提案されている。隔壁２４が
形成されたガラス基板２２に対して蛍光体２５を配設す
ることで、背面基板２の作成が終了する。
【００２０】前面基板１と背面基板２との貼り合わせ
は、図１（Ａ）、（Ｂ）が示すように前面基板１上に封
止用のガラスペーストを表示領域ＥＳの周縁にディスペ
ンサ法により塗付することで、ガラスペーストが誘電体
層１３に覆われていないバス電極１１ｂに直接接触した
状態で配設され、この後に、作成完了した前面基板１及
び背面基板２を対向配置して熱処理を行う。この熱処理
によりガラスペーストが焼成された封止ガラス３とな
り、放電空間を密閉する（図２参照）。この前面基板１
と背面基板２との貼り合わせの後に、基板間の放電空間
を排気してからＮｅ及びＸｅ等の放電ガスを充填するこ
とで、プラズマディスプレイパネルが完成される。この
ように本実施形態のプラズマディスプレイパネルによれ
ば、前記封止ガラス３が両側や表面に空隙を生じるバス
電極１１ｂを覆っているので、放電空間がバス電極１１
ｂの両側や表面の空隙を通じて外と通じることなく、放
電空間の密閉性を維持でき、長期間安定した放電に表示
ができる。
は、図１（Ａ）、（Ｂ）が示すように前面基板１上に封
止用のガラスペーストを表示領域ＥＳの周縁にディスペ
ンサ法により塗付することで、ガラスペーストが誘電体
層１３に覆われていないバス電極１１ｂに直接接触した
状態で配設され、この後に、作成完了した前面基板１及
び背面基板２を対向配置して熱処理を行う。この熱処理
によりガラスペーストが焼成された封止ガラス３とな
り、放電空間を密閉する（図２参照）。この前面基板１
と背面基板２との貼り合わせの後に、基板間の放電空間
を排気してからＮｅ及びＸｅ等の放電ガスを充填するこ
とで、プラズマディスプレイパネルが完成される。この
ように本実施形態のプラズマディスプレイパネルによれ
ば、前記封止ガラス３が両側や表面に空隙を生じるバス
電極１１ｂを覆っているので、放電空間がバス電極１１
ｂの両側や表面の空隙を通じて外と通じることなく、放
電空間の密閉性を維持でき、長期間安定した放電に表示
ができる。
【００２１】（その他の実施形態）なお、前記第１の実
施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、バス電
極１１ｂの両端に誘電体層１３を成形せず、このバス電
極１１ｂの両端に直接封止ガラス３を成形しているが、
誘電体層１３にバス電極１１ｂを表出させる溝βを形成
し、図３（Ｂ）及び図４が示すようにこの溝βに封止ガ
ラス３を配設することもでき、バス電極１１ｂの両端近
傍に封止ガラス３を成形してバス電極１１ｂの両端に誘
電体層１３´が成形されているので、封止ガラス３によ
り放電空間の密閉を維持すると共に、バス電極１１ｂの
両端に成形された誘電体層１３´に対して容易にエッチ
ング可能となる。
施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、バス電
極１１ｂの両端に誘電体層１３を成形せず、このバス電
極１１ｂの両端に直接封止ガラス３を成形しているが、
誘電体層１３にバス電極１１ｂを表出させる溝βを形成
し、図３（Ｂ）及び図４が示すようにこの溝βに封止ガ
ラス３を配設することもでき、バス電極１１ｂの両端近
傍に封止ガラス３を成形してバス電極１１ｂの両端に誘
電体層１３´が成形されているので、封止ガラス３によ
り放電空間の密閉を維持すると共に、バス電極１１ｂの
両端に成形された誘電体層１３´に対して容易にエッチ
ング可能となる。
【００２２】また、前記第１の実施形態に係るプラズマ
ディスプレイパネルでは、図５が示すように、封止ガラ
ス３が誘電体層１３に接することなく、直接バス電極１
１ｂに接触状態で配設することもできる。また、前記第
１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、
封止ガラス３が直接バス電極１１ｂに接触状態で配設し
ているが、バス電極１１ｂと同様にアドレス電極２１に
も同様に適用でき、封止ガラス３が誘電体層２３を介さ
ず直接アドレス電極２１に接触状態で配設することがで
きる。
ディスプレイパネルでは、図５が示すように、封止ガラ
ス３が誘電体層１３に接することなく、直接バス電極１
１ｂに接触状態で配設することもできる。また、前記第
１の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、
封止ガラス３が直接バス電極１１ｂに接触状態で配設し
ているが、バス電極１１ｂと同様にアドレス電極２１に
も同様に適用でき、封止ガラス３が誘電体層２３を介さ
ず直接アドレス電極２１に接触状態で配設することがで
きる。
【００２３】
【実施例】（実施例１）前面基板１上にスパッタリング
により形成されたＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒを、パターニングし
てバス電極１１ｂ形成後、前記プラズマＣＶＤ法を実施
可能な平行平板型プラズマＣＶＤ装置を使用し、以下の
条件でＳｉＯ2を図２の誘電体層１３を示す位置に５．
０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保護膜１４として１．
０μｍ蒸着した。 導入ガスと流量： ＳｉＨ／９００ｓｃｃｍ 導入ガスと流量： Ｎ2Ｏ／９０００ｓｃｃｍ 高周波出力： ２．０ｋＷ 基板温度： ４００℃ 真空度： ３．０Ｔｏｒｒ
により形成されたＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒを、パターニングし
てバス電極１１ｂ形成後、前記プラズマＣＶＤ法を実施
可能な平行平板型プラズマＣＶＤ装置を使用し、以下の
条件でＳｉＯ2を図２の誘電体層１３を示す位置に５．
０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保護膜１４として１．
０μｍ蒸着した。 導入ガスと流量： ＳｉＨ／９００ｓｃｃｍ 導入ガスと流量： Ｎ2Ｏ／９０００ｓｃｃｍ 高周波出力： ２．０ｋＷ 基板温度： ４００℃ 真空度： ３．０Ｔｏｒｒ
【００２４】次に、軟化点４３０℃のガラスペーストを
図２の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布
し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２
とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空に
し、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレ
イパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネル
に対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿
度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの
放電特性を評価したところ、変動は見られなかった。
図２の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布
し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２
とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空に
し、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレ
イパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネル
に対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿
度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの
放電特性を評価したところ、変動は見られなかった。
【００２５】（実施例２）前記実施例１と同様に前面基
板１のバス電極１１ｂ形成後、ＺｎＯ−Ｂ2０3−Ｂｉ2
０3の混合系によるフリットガラスを図２の誘電体層１
３の位置に３０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保護膜１
４として１．０μｍ蒸着した。次に、軟化点４３０℃の
ガラスペーストを図２の封止ガラス３の位置にディスペ
ンサ法により塗布し、５００℃で焼成した。この前面基
板１と背面基板２とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、
放電空間を真空にし、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プ
ラズマディスプレイパネルを作成した。このプラズマデ
ィスプレイパネルに対して、１２０℃、２気圧、１００
％湿度の高温高湿度試験を１２時間かけてプラズマディ
スプレイパネルの放電特性を評価したところ、変動は見
られなかった。
板１のバス電極１１ｂ形成後、ＺｎＯ−Ｂ2０3−Ｂｉ2
０3の混合系によるフリットガラスを図２の誘電体層１
３の位置に３０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保護膜１
４として１．０μｍ蒸着した。次に、軟化点４３０℃の
ガラスペーストを図２の封止ガラス３の位置にディスペ
ンサ法により塗布し、５００℃で焼成した。この前面基
板１と背面基板２とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、
放電空間を真空にし、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プ
ラズマディスプレイパネルを作成した。このプラズマデ
ィスプレイパネルに対して、１２０℃、２気圧、１００
％湿度の高温高湿度試験を１２時間かけてプラズマディ
スプレイパネルの放電特性を評価したところ、変動は見
られなかった。
【００２６】（実施例３）前面基板にＡｇペーストによ
りバス電極１１ｂ形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置を使用し、以下の条件でＳｉＯ2を図２の誘電体層１
３の位置に５．０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保護膜
１４として１．０μｍ蒸着した。 導入ガスと流量： ＳｉＨ／９００ｓｃｃｍ 導入ガスと流量： Ｎ2Ｏ／９０００ｓｃｃｍ 高周波出力： ２．０ｋＷ 基板温度： ４００℃ 真空度： ３．０Ｔｏｒｒ
りバス電極１１ｂ形成後、平行平板型プラズマＣＶＤ装
置を使用し、以下の条件でＳｉＯ2を図２の誘電体層１
３の位置に５．０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保護膜
１４として１．０μｍ蒸着した。 導入ガスと流量： ＳｉＨ／９００ｓｃｃｍ 導入ガスと流量： Ｎ2Ｏ／９０００ｓｃｃｍ 高周波出力： ２．０ｋＷ 基板温度： ４００℃ 真空度： ３．０Ｔｏｒｒ
【００２７】次に、軟化点４３０℃のガラスペーストを
図２の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布
し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２
とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空に
し、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレ
イパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネル
に対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿
度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの
放電特性を評価したところ、変動は見られなかった。
図２の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布
し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２
とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空に
し、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレ
イパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネル
に対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿
度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの
放電特性を評価したところ、変動は見られなかった。
【００２８】（従来の実施例）実施例１と同様に前面基
板１のバス電極１１ｂ形成後、平行平板型プラズマＣＶ
Ｄ装置を使用し、以下の条件でＳｉＯ2を図８の誘電体
層１３の位置に５．０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保
護膜１４として１．０μｍ蒸着した。 導入ガスと流量： ＳｉＨ／９００ｓｃｃｍ 導入ガスと流量： Ｎ2Ｏ／９０００ｓｃｃｍ 高周波出力： ２．０ｋＷ 基板温度： ４００℃ 真空度： ３．０Ｔｏｒｒ
板１のバス電極１１ｂ形成後、平行平板型プラズマＣＶ
Ｄ装置を使用し、以下の条件でＳｉＯ2を図８の誘電体
層１３の位置に５．０μｍ成膜し、引き続きＭｇＯを保
護膜１４として１．０μｍ蒸着した。 導入ガスと流量： ＳｉＨ／９００ｓｃｃｍ 導入ガスと流量： Ｎ2Ｏ／９０００ｓｃｃｍ 高周波出力： ２．０ｋＷ 基板温度： ４００℃ 真空度： ３．０Ｔｏｒｒ
【００２９】次に、軟化点４３０℃のガラスペーストを
図８の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布
し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２
とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空に
し、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレ
イパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネル
に対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿
度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの
放電特性を評価したところ、パネル端部で放電電圧が上
昇し、点灯しない部分が生じた。
図８の封止ガラス３の位置にディスペンサ法により塗布
し、５００℃で焼成した。この前面基板１と背面基板２
とを４５０℃で焼成して貼り合わせ、放電空間を真空に
し、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガスを封入し、プラズマディスプレ
イパネルを作成した。このプラズマディスプレイパネル
に対して、１２０℃、２気圧、１００％湿度の高温高湿
度試験を１２時間かけてプラズマディスプレイパネルの
放電特性を評価したところ、パネル端部で放電電圧が上
昇し、点灯しない部分が生じた。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明においては、複数の
電極のそれぞれの一部を前記誘電体層から表出させ、当
該表出させた各電極の一部と封止部材が直接接している
ので、複数の電極の両側や表面に空隙を生じないため放
電空間が複数の電極の両側や表面の空隙を通じて外と通
じることなく、当該封止部材により放電空間の密閉を維
持して長期間安定した放電による良好な表示ができると
いう効果を奏する。
電極のそれぞれの一部を前記誘電体層から表出させ、当
該表出させた各電極の一部と封止部材が直接接している
ので、複数の電極の両側や表面に空隙を生じないため放
電空間が複数の電極の両側や表面の空隙を通じて外と通
じることなく、当該封止部材により放電空間の密閉を維
持して長期間安定した放電による良好な表示ができると
いう効果を奏する。
【００３１】また、本発明においては、誘電体層の端部
を削除せず表出部が誘電体層の外周辺近傍に形成され、
前記封止部材が各電極の露出している一部と直接接して
いるので、封止部材により放電空間の密閉を維持すると
共に、前記複数の電極の両端に成形された誘電体層に対
して容易にエッチングを行うことができるという効果を
有する。
を削除せず表出部が誘電体層の外周辺近傍に形成され、
前記封止部材が各電極の露出している一部と直接接して
いるので、封止部材により放電空間の密閉を維持すると
共に、前記複数の電極の両端に成形された誘電体層に対
して容易にエッチングを行うことができるという効果を
有する。
【００３２】また、本発明においては、鉛を含有しない
フリットガラスで構成される前記誘電体層により前記複
数の電極が被覆され、前記封止部材が複数の電極と直接
接しているので、封止部材により放電空間の密閉を維持
すると共に、廃棄処理時に鉛を構成物質とする汚染物質
を発生しなくなるという効果を有する。
フリットガラスで構成される前記誘電体層により前記複
数の電極が被覆され、前記封止部材が複数の電極と直接
接しているので、封止部材により放電空間の密閉を維持
すると共に、廃棄処理時に鉛を構成物質とする汚染物質
を発生しなくなるという効果を有する。
【００３３】また、本発明においては、前記多層の薄膜
電極からなる複数の電極が前記基板に配設され、当該複
数の電極に誘電体層を積層し、前記封止部材が複数電極
と直接接しているので、前記複数の電極と誘電体層との
空隙が生じたとしても封止部材により放電空間の密閉を
維持することができるという効果を有する。
電極からなる複数の電極が前記基板に配設され、当該複
数の電極に誘電体層を積層し、前記封止部材が複数電極
と直接接しているので、前記複数の電極と誘電体層との
空隙が生じたとしても封止部材により放電空間の密閉を
維持することができるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るプラズマディス
プレイパネルにおける前面基板の要部上面図及び断面図
である。
プレイパネルにおける前面基板の要部上面図及び断面図
である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るプラズマディス
プレイパネルの要部断面図である。
プレイパネルの要部断面図である。
【図３】本発明のその他の実施形態に係るプラズマディ
スプレイパネルにおける前面基板の要部上面図及び断面
図である。
スプレイパネルにおける前面基板の要部上面図及び断面
図である。
【図４】本発明のその他の実施形態に係るプラズマディ
スプレイパネルの要部断面図である。
スプレイパネルの要部断面図である。
【図５】本発明のその他の実施形態に係るプラズマディ
スプレイパネルの要部断面図である。
スプレイパネルの要部断面図である。
【図６】ＡＣ型パネルの代表例として知られる３電極面
放電形プラズマディスプレイパネルの部分斜視図であ
る。
放電形プラズマディスプレイパネルの部分斜視図であ
る。
【図７】図６の前面基板の要部上面図及び断面図であ
る。
る。
【図８】図６の要部断面図である。
【符号の説明】
１、１０２ 前面基板
２、１０２ 背面基板
３、１０３ 封止ガラス
１１、１１１ 主電極対
１１ａ、１１１ａ 透明電極
１１ｂ、１１１ｂ バス電極
１２、２２、１１２、１２２ ガラス基板
１３、１３´、２３、１１３、１２３ 誘電体層
１４、１１４ 保護膜
２１、１２１ アドレス電極
２４、１２４ 隔壁
２５、１２５ 蛍光体
ＥＳ 表示領域
β 溝
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の間隙を介して対向しその対向面に
複数の電極を有する一対の基板が周辺部を封止部材によ
り封着されて密閉され、かつ、前記複数の電極を誘電体
層で被覆してなるＡＣ型のプラズマディスプレイパネル
において、 前記複数の電極の一部に誘電体層により被覆しない表出
部を有し、当該表出部に前記封止部材が接するように設
けられていることを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネル。 - 【請求項２】 前記請求項１記載のプラズマディスプレ
イパネルにおいて、 前記表出部が誘電体層の外周辺近傍の一部を切除して形
成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項３】 前記請求項１または２記載のプラズマデ
ィスプレイパネルにおいて、 前記誘電体層が鉛を含有しないフリットガラスで構成さ
れることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記請求項１ないし３記載のプラズマデ
ィスプレイパネルにおいて、 前記複数の電極が多層の薄膜電極からなることを特徴と
するプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002133997A JP2003331743A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | プラズマディスプレイパネル |
| US10/424,089 US7019461B2 (en) | 2002-05-09 | 2003-04-28 | Plasma display panel having sealing structure |
| TW092110180A TWI225268B (en) | 2002-05-09 | 2003-04-30 | Plasma display panel |
| EP03252797A EP1361595A3 (en) | 2002-05-09 | 2003-05-02 | Plasma display panel |
| KR1020030028789A KR100774897B1 (ko) | 2002-05-09 | 2003-05-07 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| CNB031330355A CN1259687C (zh) | 2002-05-09 | 2003-05-09 | 等离子体显示板 |
| US11/328,085 US7253560B2 (en) | 2002-05-09 | 2006-01-10 | Triode surface discharge type plasma display panel |
| US11/882,095 US20070278956A1 (en) | 2002-05-09 | 2007-07-30 | Plasma display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002133997A JP2003331743A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | プラズマディスプレイパネル |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008144935A Division JP2008204965A (ja) | 2008-06-02 | 2008-06-02 | プラズマディスプレイパネル |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003331743A true JP2003331743A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29244171
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002133997A Withdrawn JP2003331743A (ja) | 2002-05-09 | 2002-05-09 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7019461B2 (ja) |
| EP (1) | EP1361595A3 (ja) |
| JP (1) | JP2003331743A (ja) |
| KR (1) | KR100774897B1 (ja) |
| CN (1) | CN1259687C (ja) |
| TW (1) | TWI225268B (ja) |
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| JP2008059891A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2008130407A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Ulvac Japan Ltd | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法、及び成膜装置 |
| KR100955278B1 (ko) * | 2006-12-15 | 2010-04-30 | 프라임 뷰 인터내셔널 코오포레이션 리미티드 | 전자-잉크 표시 장치 및 상기 장치를 제조하기 위한 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4097480B2 (ja) * | 2002-08-06 | 2008-06-11 | 株式会社日立製作所 | ガス放電パネル用基板構体、その製造方法及びａｃ型ガス放電パネル |
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