JP2003319270A - Image pickup apparatus composed of light or radiation sensor and inspecting method therefor - Google Patents
Image pickup apparatus composed of light or radiation sensor and inspecting method thereforInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、可視光もしくは放
射線により像を形成する撮像装置及び撮像装置の検査方
法に係り、たとえばファクシミリ、デジタル複写機、ス
チルカメラあるいは放射線撮像装置等の二次元の撮像装
置及び撮像装置の検査方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image pickup apparatus for forming an image by visible light or radiation and a method for inspecting the image pickup apparatus. For example, two-dimensional image pickup by a facsimile, a digital copying machine, a still camera or a radiation image pickup apparatus. The present invention relates to an inspection method for a device and an imaging device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在、医療診断用に用いられるＸ線撮像
装置では、Ｘ線を人体に曝射させ、人体を透過したＸ線
を可視光に変換させる蛍光体に照射させ、その蛍光をフ
イルムに露光させるいわゆるフィルム方式が主流になっ
ている。2. Description of the Related Art Currently, in an X-ray imaging apparatus used for medical diagnosis, a human body is exposed to X-rays, the X-rays transmitted through the human body are irradiated to a phosphor that converts the visible light, and the fluorescence is emitted from the film. The so-called film method of exposing to light has become the mainstream.
【０００３】しかしながら、高齢化社会をむかえつつあ
る日本はもとより世界的にも病院内での診断効率の向上
や、より精度の高い医療機器が強く望まれている。そう
いった状況の中、従来のフイルム方式でのＸ線撮像装置
においては、患者のＸ線画像を医師が得るまでには、途
中にフィルムの現像処理工程があるために長い時間を必
要とし、時としてはＸ線撮影中に患者が動いてしまった
場合や露出があわない場合などに、再度撮影のやり直し
が余儀なくされる。これらは病院内での診療の効率向上
を妨げる要因であり、また患者の負担が大きく、今後の
新しい医療社会を目指していくとき大きな障害となって
くる。However, not only in Japan, which is facing an aging society, but globally, there is a strong demand for improved diagnostic efficiency in hospitals and more accurate medical devices. Under such circumstances, in the conventional film-type X-ray imaging apparatus, it takes a long time before the doctor obtains the X-ray image of the patient because there is a film development process in the middle, and sometimes, When the patient moves during the X-ray photography or the exposure is not correct, the radiography is forced to be redone. These are factors that hinder the improvement of the efficiency of medical treatment in hospitals, and also impose a heavy burden on patients, which will be a major obstacle when aiming for a new medical society in the future.
【０００４】近年、医療業界において“Ｘ線画像情報の
ディジタル化”の要求が高まりつつある。ディジタル化
が達成されれば、医師がリアルタイムに最適なアングル
での患者のＸ線画像情報を知ることができ、得られたＸ
線画像情報は光磁気ディスクのような媒体を用いて記
録、管理することができる。またファクシミリや他の通
信方式等を利用すれば、患者のＸ線画像情報は世界中ど
この病院にへも短時間に送ることが可能となる。In recent years, the demand for "digitization of X-ray image information" is increasing in the medical industry. If digitization is achieved, the doctor can know the X-ray image information of the patient at the optimum angle in real time, and the obtained X
The line image information can be recorded and managed using a medium such as a magneto-optical disk. If a facsimile or other communication method is used, the patient's X-ray image information can be sent to any hospital in the world in a short time.
【０００５】また、建物の躯体などの物体内部の検査に
代表される非破壊検査などにおいても、Ｘ線撮影のため
の各種機器の設置や必要とする部位の撮影を何度もやり
直せるものでもない。しかしながら、フィルム方式の場
合、このような検査においても、現像が終了するまで必
要部位の撮影が完了したかどうかについてはわからな
い。また、専門家の判断もフィルム現像が終了したもの
を見てからになるので必要に応じてその場で別の角度か
らの撮影の指示や処置の指示を行なうことができない。Further, even in nondestructive inspection represented by inspection of the inside of an object such as a building frame, it is not possible to repeat the installation of various devices for X-ray imaging and the imaging of a necessary part. . However, in the case of the film system, even in such an inspection, it is not known whether or not the photographing of the necessary portion is completed until the development is completed. Further, since the expert's judgment is made only after observing that the film development has been completed, it is not possible to give a shooting instruction or a treatment instruction from another angle on the spot if necessary.
【０００６】したがって、このような分野においてもリ
アルタイムな所望部位のＸ線画像情報に対する要求は高
い。Therefore, even in such a field, there is a strong demand for real-time X-ray image information of a desired portion.
【０００７】そこで、最近では“Ｘ線画像情報のディジ
タル化”の要求に答えるべくＣＣＤ固体撮像素子やアモ
ルファスシリコンセンサをフイルムの代わりに用いたＸ
線撮像装置が提案されてきている。Therefore, recently, in order to meet the demand for "digitization of X-ray image information", a CCD solid-state image sensor or an amorphous silicon sensor is used instead of the film.
Line imaging devices have been proposed.
【０００８】図１８は、このようなＸ線撮像装置に適用
可能な２次元撮像装置の一例の等価回路図である。図１
８では説明を簡単化するため３×３の２次元撮像装置を
表しているが、実際の撮像装置は、装置の目的にもよる
が、更に多数画素で構成される。FIG. 18 is an equivalent circuit diagram of an example of a two-dimensional image pickup device applicable to such an X-ray image pickup device. Figure 1
In FIG. 8, a 3 × 3 two-dimensional image pickup device is shown for simplification of description, but an actual image pickup device is composed of a larger number of pixels depending on the purpose of the device.
【０００９】Ｓ１−１〜Ｓ３−３は可視光を受光し電気
信号に変換するためのセンサであり、Ｔ１−１〜Ｔ３−
３はセンサＳ１−１〜Ｓ３−３で光電変換された信号電
荷を、マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３側へ転送するため
のスイッチ素子である。Ｇ１〜Ｇ３はシフトレジスタ
（ＳＲ１）に接続され且つスイッチ素子Ｔ１−１〜Ｔ３
−３に接続されたスイッチのゲート駆動用配線である。
マトリクス信号配線Ｍ１には、前述したように、スイッ
チ素子の電極間容量（Ｃｇｓ）の３個分の容量が転送時
において付加されており、図１８内では容量素子として
の表記をしていない。他のマトリクス信号配線Ｍ２、Ｍ
３についても同様である。S1-1 to S3-3 are sensors for receiving visible light and converting it into electric signals, and T1-1 to T3-.
Reference numeral 3 denotes a switch element for transferring the signal charges photoelectrically converted by the sensors S1-1 to S3-3 to the matrix signal wirings M1 to M3. G1 to G3 are connected to the shift register (SR1) and switch elements T1-1 to T3
It is a wiring for driving the gate of the switch connected to -3.
As described above, the matrix signal wiring M1 is added with a capacitance corresponding to three inter-electrode capacitances (Cgs) of the switch elements at the time of transfer, and is not shown as a capacitance element in FIG. Other matrix signal wiring M2, M
The same applies to 3.
【００１０】センサＳ１−１〜Ｓ３−３とスイッチング
素子Ｔ１−１〜Ｔ３−３とゲート駆動配線Ｇ１〜Ｇ３と
マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３が図中光電変換回路部１
０１内に表示されており、図示されていないが、それぞ
れ１つの絶縁基板上に配置されている。１０２はスイッ
チ素子Ｔ１−１〜Ｔ３−３を開閉するためのシフトレジ
スタ（ＳＲ１）で構成される駆動用回路部である。Ａ１
〜Ａ３は、マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３の信号電荷を
増幅し、インピーダンス変換するためのオペアンプであ
り、図中においては電圧ホロワ回路を構成したバッファ
ーアンプとしてのみ記載してある。Ｓｎ１からＳｎ３は
オペアンプＡ１〜Ａ３の出力すなわち各マトリクス信号
配線Ｍ１〜Ｍ３の出力を読み出し、読み出しコンデンサ
ＣＬ１〜ＣＬ３へ転送する転送スイッチである。Sensors S1-1 to S3-3, switching elements T1-1 to T3-3, gate drive wirings G1 to G3 and matrix signal wirings M1 to M3 are photoelectric conversion circuit section 1 in the figure.
Although not shown in the drawing, they are arranged on one insulating substrate, respectively. Reference numeral 102 denotes a drive circuit unit including a shift register (SR1) for opening and closing the switch elements T1-1 to T3-3. A1
˜A3 are operational amplifiers for amplifying the signal charges of the matrix signal wirings M1 to M3 and performing impedance conversion, and are shown only as buffer amplifiers forming a voltage follower circuit in the figure. Sn1 to Sn3 are transfer switches for reading the outputs of the operational amplifiers A1 to A3, that is, the outputs of the respective matrix signal wirings M1 to M3, and transferring them to the reading capacitors CL1 to CL3.
【００１１】読み出しコンデンサＣＬ１〜ＣＬ３は、電
圧ホロワ回路を構成したバッファアンプＢ１〜Ｂ３を介
して読み出し用スイッチＳｒ１〜Ｓｒ３により読み出さ
れる。１０３は読み出し用スイッチＳｒ１〜Ｓｒ３を切
り替えるためのシフトレジスタ（ＳＲ２）である。ＣＬ
１〜ＣＬ３の並列信号は、Ｓｒ１〜Ｓｒ３とシフトレジ
スタ（ＳＲ２）１０３により直列変換され、最終段の電
圧ホロワ回路を構成したオペアンプ１０４に入力され、
さらにＡ／Ｄ変換回路部１０５でディジタル化される。
ＲＥＳ１〜ＲＥＳ３はマトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３に
付加された容量（３個分のＣｇｓ）に蓄えられた信号成
分をリセットするためのリセット用スイッチであり、Ｃ
ＲＥＳ端子からのパルスによりあるリセット電位にリセ
ット（図中ではＧＮＤ電位にリセット）される。The read capacitors CL1 to CL3 are read by the read switches Sr1 to Sr3 via the buffer amplifiers B1 to B3 forming a voltage follower circuit. Reference numeral 103 is a shift register (SR2) for switching the read switches Sr1 to Sr3. CL
The parallel signals of 1 to CL3 are serially converted by Sr1 to Sr3 and the shift register (SR2) 103, and input to the operational amplifier 104 that constitutes the final voltage follower circuit.
Further, it is digitized by the A / D conversion circuit unit 105.
RES1 to RES3 are reset switches for resetting the signal components stored in the capacitors (three Cgs) added to the matrix signal wirings M1 to M3.
It is reset to a certain reset potential by the pulse from the RES terminal (reset to the GND potential in the figure).
【００１２】また、１０６はセンサＳ１−１〜Ｓ３−３
にバイアスを与えるための電源である。読み出し用回路
部１０７は、バッファアンプＡ１〜Ａ３、転送スイッチ
Ｓｎ１〜Ｓｎ３、読み出しコンデンサＣＬ１〜ＣＬ３、
バッファアンプＢ１〜Ｂ３、読み出し用スイッチＳｒ１
〜Ｓｒ３、シフトレジスタＳＲ２、最終段のオペアンプ
１０４、リセット用スイッチＲＥＳ１〜ＲＥＳ３で構成
されている。Reference numeral 106 denotes sensors S1-1 to S3-3.
It is a power supply for giving a bias to. The read circuit unit 107 includes buffer amplifiers A1 to A3, transfer switches Sn1 to Sn3, read capacitors CL1 to CL3,
Buffer amplifiers B1 to B3, read switch Sr1
.About.Sr3, shift register SR2, final stage operational amplifier 104, and reset switches RES1 to RES3.
【００１３】図１９は、図１８に示される撮像装置の動
作を示すタイミングチャートである。図１９を用いて、
動作の詳細を説明する。センサＳ１−１〜Ｓ３−３で光
電変換された信号電荷は、センサ内で形成されている容
量成分に一定の期間だけ蓄積される。第１行のセンサＳ
１−１〜Ｓ１−３に蓄積されていた信号電荷は、シフト
レジスタ（ＳＲ１）１０２のゲートパルス信号Ｇ１によ
りスイッチング素子Ｔ１−１〜Ｔ１−３がｔ１時間だ
け”ＯＮ”し、マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３の各配線
に形成される容量成分（スイッチング素子Ｔ１−１〜Ｔ
３−３のＣｇｓ３個分の容量）に転送される。図１９
中、Ｍ１〜Ｍ３はその転送の様子を示しており、各セン
サ内に蓄えられた信号量が異なった場合を示している。
すなわち、第１行のセンサ（Ｓ１−１からＳ１−３）に
おいては、その出力レベルがＳ１−２＞Ｓ１−１＞Ｓ１
−３である。マトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３の信号出力
は、それぞれオペアンプＡ１〜Ａ３によりインピーダン
ス変換される。FIG. 19 is a timing chart showing the operation of the image pickup apparatus shown in FIG. With reference to FIG.
The details of the operation will be described. The signal charges photoelectrically converted by the sensors S1-1 to S3-3 are accumulated in a capacitive component formed in the sensor for a certain period. First row sensor S
The signal charges accumulated in 1-1 to S1-3 are turned on by the gate pulse signal G1 of the shift register (SR1) 102 for the switching elements T1-1 to T1-3 for a period of t1 and the matrix signal wiring M1. To M3 are formed in each wiring (switching elements T1-1 to T
3-3 Cgs 3 capacity). FIG. 19
Among them, M1 to M3 show the state of the transfer, and show the case where the signal amounts stored in the respective sensors are different.
That is, in the sensors (S1-1 to S1-3) in the first row, the output level is S1-2>S1-1> S1.
-3. The signal outputs of the matrix signal wirings M1 to M3 are impedance-converted by the operational amplifiers A1 to A3, respectively.
【００１４】その後、読み出し用回路部内のスッチイン
グ素子Ｓｎ１〜Ｓｎ３が、図１９中に示されるＳＭＰＬ
パルスによりｔ２時間だけ”ＯＮ”し、読み出しコンデ
ンサＣＬ１〜ＣＬ３にそれぞれ転送される。読み出しコ
ンデンサＣＬ１〜ＣＬ３の信号は、それぞれバッファア
ンプＢ１〜Ｂ３によりインピーダンス変換される。その
後読み出し用スイッチＳｒ１〜Ｓｒ３がシフトレジスタ
（ＳＲ２）１０３からのシフトパルスＳｐ１〜Ｓｐ３に
より順次”ＯＮ”することにより、読み出し用コンデン
サＣＬ１〜ＣＬ３に転送されていた並列の信号電荷が、
直列変換され読み出される。Ｓｐ１、Ｓｐ２、Ｓｐ３の
シフトパルスのパルス幅をＳｐ１＝Ｓｐ２＝Ｓｐ３＝ｔ
３とすると、この直列変換読み出しに必要な時間はｔ３
×３となる。直列変換された信号は最終段のオペアンプ
１０４から出力され、さらにＡ／Ｄ変換回路部１０５に
よりディジタル化される。After that, the switching elements Sn1 to Sn3 in the read circuit section are connected to the SMPL shown in FIG.
It is turned “ON” for t2 time by the pulse and transferred to the read capacitors CL1 to CL3, respectively. The signals of the read capacitors CL1 to CL3 are impedance-converted by the buffer amplifiers B1 to B3, respectively. Thereafter, the read switches Sr1 to Sr3 are sequentially turned “ON” by the shift pulses Sp1 to Sp3 from the shift register (SR2) 103, whereby the parallel signal charges transferred to the read capacitors CL1 to CL3 are
It is serially converted and read. The pulse widths of the shift pulses Sp1, Sp2, and Sp3 are Sp1 = Sp2 = Sp3 = t.
3, the time required for this serial conversion reading is t3.
X3. The serial-converted signal is output from the final-stage operational amplifier 104, and further digitized by the A / D conversion circuit unit 105.
【００１５】図１９中に示されたＶｏｕｔはＡ／Ｄ変換
回路部に入力される前のアナログ信号を示している。図
１９に示しているように、第１行のＳ１−１〜Ｓ１−３
の並列信号すなわちマトリクス信号配線Ｍ１〜Ｍ３の信
号電位の並列信号が、それらの信号の大小に比例してＶ
ｏｕｔ信号上で、直列変換されている。最後に、マトリ
クス信号配線Ｍ１〜Ｍ３の信号電位はＣＲＥＳパルスが
ｔ４時間だけ”ＯＮ”することによりリセット用スイッ
チ素ＲＥＳ１〜ＲＥＳ３を介して一定のリセット電位
（ＧＮＤ電位）にリセットされ、次のセンサＳ２−１〜
Ｓ２−３の第２行の信号電荷の転送に備える。以下同様
に第２行、第３行の光電変換された信号が繰り返し読み
出される。Vout shown in FIG. 19 represents an analog signal before being input to the A / D conversion circuit section. As shown in FIG. 19, S1-1 to S1-3 in the first row.
Parallel signal, that is, the parallel signal of the signal potentials of the matrix signal wirings M1 to M3, is V in proportion to the magnitude of these signals.
Serial conversion is performed on the out signal. Finally, the signal potentials of the matrix signal wirings M1 to M3 are reset to a constant reset potential (GND potential) via the reset switch elements RES1 to RES3 by the CRES pulse being “ON” for t4 time, and the next sensor S2-1
Prepare to transfer the signal charges of the second row in S2-3. Similarly, the photoelectrically converted signals of the second row and the third row are repeatedly read out.
【００１６】以上説明したように、一般的な二次元の撮
像装置は、センサで光電変換された信号電荷を転送する
ためのシフトレジスタ（ＳＲ１）に接続されたスイッチ
のゲート駆動用配線と、センサにより光電変換された信
号電荷を読み出すための信号配線が必要である。As described above, in a general two-dimensional image pickup device, a switch gate drive wiring connected to a shift register (SR1) for transferring signal charges photoelectrically converted by the sensor, and a sensor. Therefore, a signal wiring for reading out the signal charges photoelectrically converted by is required.
【００１７】これらの光電変換基板内のゲート駆動用配
線と信号配線は、センサの受光部の外側において外部の
電気回路と接続される。The gate driving wiring and the signal wiring in the photoelectric conversion substrate are connected to an external electric circuit outside the light receiving portion of the sensor.
【００１８】この外部の電気回路と接続される部分を、
本説明においては、配線引出しパッド部ともいい、一般
にメタルにより構成される。The portion connected to this external electric circuit is
In this description, it is also referred to as a wiring lead-out pad portion, and is generally made of metal.
【００１９】外部の電気回路と接続の方法を以下に説明
する。A method of connecting to an external electric circuit will be described below.
【００２０】図２０は光電変換素子を用いた二次元画像
読み取り装置の模式的構成図、図２１は図２０のＡ−
Ａ’断面図、図２２は図２０のＢ−Ｂ’断面図である。FIG. 20 is a schematic configuration diagram of a two-dimensional image reading apparatus using a photoelectric conversion element, and FIG. 21 is A- of FIG.
22 is a sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
【００２１】図２０において、１００１は透光性絶縁基
板であり、透光性絶縁基板１００１上に光電変換素子や
ＴＦＴ等によって構成された画素１３００が、ここでは
画素ピッチ：０．２ｍｍで２００個×２００個のマトリ
クス状に規則正しく配置されている。In FIG. 20, reference numeral 1001 denotes a translucent insulating substrate, and 200 pixels 1300 composed of photoelectric conversion elements, TFTs and the like are provided on the translucent insulating substrate 1001 at a pixel pitch of 0.2 mm. × 200 are regularly arranged in a matrix.
【００２２】画素１３００内のＴＦＴを制御するための
共通制御配線（不図示）は、画素領域の一辺から引き出
し配線Ｌｇ１００１〜Ｌｇ１２００によって画素列ごと
に接続され、電気接続部１５００ａ，１５００ｂに各１
００ラインに分配され各接続電極１５１０と接続されて
いる。また、画素領域の他の一辺からは、引き出し配線
Ｌｓｉｇ１００１〜Ｌｓｉｇ１２００によって、画素行
ごとに画素１３００内の光電変換素子からの信号を読み
取るための共通信号配線（不図示）と接続され、同様に
電気接続部１５００ｃ，１５００ｄに分配され各接続電
極１５１０と接続されている。A common control wiring (not shown) for controlling the TFTs in the pixel 1300 is connected from one side of the pixel area to each pixel column by the lead wirings Lg1001 to Lg1200, and one is connected to each of the electrical connection portions 1500a and 1500b.
It is divided into 00 lines and connected to each connection electrode 1510. Further, the other side of the pixel region is connected to a common signal line (not shown) for reading a signal from the photoelectric conversion element in the pixel 1300 for each pixel row by the lead-out lines Lsig1001 to Lsig1200, and similarly, electrical connection is performed. It is distributed to the connection parts 1500c and 1500d and is connected to each connection electrode 1510.
【００２３】各接続部１５００ａ〜１５００ｄにおけ
る、接続電極１５１０の配置は同様に構成され、本従来
例においては、各電気接続部１５００ａ〜１５００ｄの
接続電極１５１０は電極数：１００ライン、電極長：３
ｍｍ、電極間ピッチ：０．１ｍｍ、電極幅：０．０５ｍ
ｍで形成されている。The arrangement of the connection electrodes 1510 in each of the connection portions 1500a to 1500d is similarly configured. In the conventional example, the connection electrodes 1510 of each of the electric connection portions 1500a to 1500d have the number of electrodes: 100 lines, the electrode length: 3
mm, pitch between electrodes: 0.1 mm, electrode width: 0.05 m
It is formed by m.
【００２４】１２００ａ〜１２００ｄは配線手段であ
り、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)やフレキシブル基
板(Flexible Printed Circuit)などのフィルム状プリン
ト配線基板１２０２、配線基板１２０２上に形成された
ＣｕにＳｎメッキ等を施した配線１２０１、及び配線１
２０１と同一材料からなる接続電極１５２０で構成され
ている。各配線手段１２００ａ〜１２００ｄの接続電極
１５２０の配置は、光電変換基板１１００上の各電気接
続部１５００ａ〜１５００ｄに形成された接続電極１５
１０の配置と対向して配置されるように形成され、例え
ば、本従来例においては、各配線手段１２００ａ〜１２
００ｄの接続電極１５２０は同一に配置され、接続電極
１５２０の電極数：１００ライン、電極間ピッチ：０．
１ｍｍ、電極幅：０．０５ｍｍで形成されている。Reference numerals 1200a to 1200d denote wiring means, which are film-like printed wiring boards 1202 such as TAB (Tape Automated Bonding) and flexible printed circuits (Flexible Printed Circuits), and Cu formed on the wiring boards 1202 are plated with Sn. Wiring 1201 and wiring 1
The connection electrode 1520 is made of the same material as 201. The connection electrodes 1520 of the wiring means 1200a to 1200d are arranged in the connection electrodes 15 formed on the electric connection portions 1500a to 1500d on the photoelectric conversion substrate 1100.
It is formed so as to be opposed to the arrangement of 10 and, for example, in the conventional example, each wiring means 1200a to 12a-12.
00d of connection electrodes 1520 are arranged in the same manner, the number of connection electrodes 1520 is 100 lines, and the pitch between electrodes is 0.
The width is 1 mm and the electrode width is 0.05 mm.
【００２５】また、各配線手段１２００ａ〜１２００ｄ
の各電気接続部１５００ａ〜１５００ｄ内の接続電極１
５２０を除く配線１２０１上には、ソルダーレジストや
プリント配線基板１２０２と同一材料のカバーレイ１２
０３が形成されている。In addition, each wiring means 1200a to 1200d
Connection electrode 1 in each of the electrical connection portions 1500a to 1500d
A cover layer 12 made of the same material as the solder resist or the printed wiring board 1202 is formed on the wiring 1201 except for 520.
03 is formed.
【００２６】図２１及び図２２に示すように、光電変換
基板１１００と配線手段１２００ａ〜１２００ｄは、各
電気接続部１５００ａ〜１５００ｄにおいて、光電変換
基板１１００上の接続電極１５１０と各々の配線手段１
２００ａ〜１２００ｄ上の接続電極１５２０とは対向し
重なる様配置され、その間に異方性導電膜１４００を介
して電気的に接続されている。異方性導電膜１４００
は、熱硬化性または熱可塑性のフィルム状の接着材内に
微小の金属粒子等の導電粒子１４０１が分散されてお
り、加熱圧着することにより上・下電極間に存在する導
電粒子１４０１が圧接触し接続されるとともに、接着剤
が硬化し、光電変換基板１１００と配線手段１２００ａ
〜１２００ｄが接着固定される。このようにして、光電
変換基板１１００と外部電気回路（不図示）が電気的に
接続される。As shown in FIGS. 21 and 22, the photoelectric conversion substrate 1100 and the wiring means 1200a to 1200d are connected to the connection electrodes 1510 on the photoelectric conversion substrate 1100 and the wiring means 1 at the respective electrical connection portions 1500a to 1500d.
The connection electrodes 1520 on 200 a to 1200 d are arranged so as to face and overlap with each other, and are electrically connected via an anisotropic conductive film 1400 therebetween. Anisotropic conductive film 1400
The conductive particles 1401 such as fine metal particles are dispersed in a thermosetting or thermoplastic film-like adhesive, and the conductive particles 1401 existing between the upper and lower electrodes are pressure-contacted by thermocompression bonding. Then, the adhesive is cured, and the photoelectric conversion substrate 1100 and the wiring means 1200a are connected.
~ 1200d are adhesively fixed. In this way, the photoelectric conversion substrate 1100 and the external electric circuit (not shown) are electrically connected.
【００２７】このような電気接続においては、接続電極
１５１０と接続電極１５２０との重なり面積が他の接続
方法と比べ大きく、各電気接続部１５００ａ〜１５００
ｄの大きさは接続電極の長さ方向で２〜５ｍｍ程度を占
める。In such an electrical connection, the overlapping area of the connection electrode 1510 and the connection electrode 1520 is larger than that of other connection methods, and each of the electrical connection parts 1500a-1500.
The size of d occupies about 2 to 5 mm in the length direction of the connection electrode.
【００２８】また、加熱圧着による接続を行うため、配
線手段の配線基板１２０２が熱膨張により接続電極１５
２０の累積ピッチを変化させしてしまい光電変換基板１
１００上の接続電極１５１０とのパターンピッチにズレ
が生じる。そのため配線手段の幅が広くとれず、配線手
段一つあたりの接続電極数が制限される。光電変換基板
１１００上の画素数が増え接続電極数が増加した場合、
本従来例のように電気接続部１５００を複数配置（本従
来例では２ヶ所×２ヶ所）し、配線手段を複数接続（本
従来例では２ヶ所×２ヶ所）し対応をとっている。しか
し、この場合、配線手段の１２００ａと１２００ｂ及び
１２００ｃと１２００ｄの間には配線手段の外形寸法精
度や加熱圧着機の加圧ヘッドのあたり等の理由により干
渉を避けるため、或程度のクリアランスが必要となる。
このため、画素１３００内の共通制御配線や共通信号配
線とのライン上に接続電極が形成できず、ズレが生じ
る。そのため、Ｌｇ１００１〜Ｌｇ１２００、Ｌｓｉｇ
１００１〜Ｌｓｉｇ１２００の様な引き出し配線によっ
て画素１３００内の各配線と接続電極を接続している。Further, since the connection is carried out by thermocompression bonding, the wiring board 1202 of the wiring means is thermally expanded and thus the connection electrode 15 is formed.
The photoelectric conversion substrate 1 that changes the cumulative pitch of 20
The pattern pitch with the connection electrode 1510 on 100 is displaced. Therefore, the width of the wiring means cannot be wide, and the number of connection electrodes per wiring means is limited. When the number of pixels on the photoelectric conversion substrate 1100 increases and the number of connection electrodes increases,
As in this conventional example, a plurality of electrical connecting portions 1500 are arranged (in this conventional example, 2 locations × 2 locations), and a plurality of wiring means are connected (in this conventional example, 2 locations × 2 locations) to cope with this. However, in this case, some clearance is required between the wiring means 1200a and 1200b and 1200c and 1200d in order to avoid interference due to the external dimension accuracy of the wiring means and the pressure head of the thermocompression bonding machine. Becomes
Therefore, the connection electrode cannot be formed on the line with the common control line and the common signal line in the pixel 1300, and a shift occurs. Therefore, Lg1001 to Lg1200, Lsig
Lead wires such as 1001 to Lsig 1200 connect the wires in the pixel 1300 to the connection electrodes.
【００２９】ここで、外部の電気回路と接続に用いる配
線引出しパッド部は、外部の電気回路との接続に使われ
るだけでなく、光電変換基板の検査を行う場合にも用い
られる。Here, the wiring lead-out pad portion used for connection with the external electric circuit is used not only for connection with the external electric circuit but also for inspecting the photoelectric conversion substrate.
【００３０】具体的には、ゲート駆動用配線の配線引出
しパッド部にプローブを接触させ、ゲート駆動用信号を
加え、信号配線の配線引出しパッド部に接触させたプロ
ーブにより、センサで光電変換された信号電荷を読み出
すことを行い、光電変換基板の検査にも用いられる。Specifically, the probe is brought into contact with the wiring lead-out pad portion of the gate drive wiring, a gate drive signal is applied, and the probe brought into contact with the wiring lead-out pad portion of the signal wiring is photoelectrically converted by the sensor. The signal charge is read out and used for inspection of the photoelectric conversion substrate.
【００３１】以下にその説明を行う。The description will be given below.
【００３２】図２３は光電変換基板９１６を光電変換基
板の検査装置の一部である複数のプローブで一度に検査
を行う方法を説明する模式図である。FIG. 23 is a schematic diagram for explaining a method of inspecting the photoelectric conversion substrate 916 at once with a plurality of probes which are part of the inspection device for the photoelectric conversion substrate.
【００３３】光電変換基板９１６上に配線引出しパッド
部９１１〜９１５があり、光電変換基板の検査装置の一
部である固定治具９３０に固定されたプローブ９２１〜
９２５及びプローブ９２１〜９２５に接続されたワイヤ
ー９３１〜９３５を用い、検査を行うものである。The wiring lead-out pad portions 911 to 915 are provided on the photoelectric conversion substrate 916, and the probes 921 to 912 fixed to the fixing jig 930 which is a part of the inspection device for the photoelectric conversion substrate.
The inspection is performed using the wires 931 to 935 connected to the probe 925 and the probes 921 to 925.
【００３４】具体的には、プローブ９２１〜９２５の先
端を、光電変換基板９１６上にあるゲート駆動用配線の
配線引出しパッド部９１１〜９１５に接触させ、ゲート
駆動用信号を加え、信号配線の配線引出しパッド部に接
触させたプローブにより、センサで光電変換された信号
電荷を読み出すことを行い、光電変換基板の検査を行
う。Specifically, the tips of the probes 921 to 925 are brought into contact with the wiring lead-out pad portions 911 to 915 of the gate driving wiring on the photoelectric conversion substrate 916, a gate driving signal is added, and wiring of the signal wiring is added. The probe brought into contact with the extraction pad portion reads out the signal charges photoelectrically converted by the sensor, and inspects the photoelectric conversion substrate.
【００３５】ここで、配線引出しパッド部の一般的なパ
ターンを以下で説明する。A general pattern of the wiring lead-out pad portion will be described below.
【００３６】図２４は配線引出しパッド部の一般的なパ
ターンの説明図である。FIG. 24 is an explanatory diagram of a general pattern of the wiring lead-out pad portion.
【００３７】図２４において、Ｃ部の細い部分は光電変
換基板上のセンサ受光部からの引出し配線部であり、Ａ
部及びＢ部の太い部分が配線引出しパッド部である。In FIG. 24, a thin portion of the C portion is a lead wiring portion from the sensor light receiving portion on the photoelectric conversion substrate, and
The thick portions of the portion and the portion B are wiring lead-out pad portions.
【００３８】又、Ｈ部は光電変換基板の基板端である。The H portion is the substrate end of the photoelectric conversion substrate.
【００３９】ここで、Ａ部は光電変換基板の検査を行う
場合にプローブの先端を接触させる部分であり、Ｂ部は
ＴＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリント配
線基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続する、も
しくは、ワイヤーボンディングにより電気的に接続する
部分である。Here, the portion A is a portion to which the tip of the probe is brought into contact when the photoelectric conversion substrate is inspected, and the portion B is a film-like printed wiring board such as a TAB or a flexible substrate and an anisotropic conductive film. It is a portion that is electrically connected via the wire, or is electrically connected by wire bonding.
【００４０】一般的に、前述した光電変換基板の検査を
行う場合にプローブの先端を接触させる部分であるＡ部
と、ＴＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリン
ト配線基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続す
る、もしくは、ワイヤーボンディングにより電気的に接
続するＢ部は同一部分を用いることが多い。Generally, when the above-mentioned photoelectric conversion substrate is inspected, the A portion, which is a portion to which the tip of the probe is brought into contact, a film-like printed wiring board such as TAB or a flexible substrate, and an anisotropic conductive film. In many cases, the same portion is used as the B portion that is electrically connected through the wire or electrically connected by wire bonding.
【００４１】図２４においては、前述した光電変換基板
の検査を行う場合にプローブの先端を接触させる部分で
あるＡ部が、光電変換基板の基板端側に配置した例であ
り、ＴＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリン
ト配線基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続す
る、もしくは、ワイヤーボンディングにより電気的に接
続するＢ部は、前記Ａ部を含んだエリアとして構成して
ある例である。FIG. 24 shows an example in which the A portion, which is the portion to which the tip of the probe comes into contact when the above-described photoelectric conversion substrate is inspected, is arranged on the substrate end side of the photoelectric conversion substrate, and the TAB or flexible substrate. An example in which the B portion, which electrically connects the film-shaped printed wiring board such as, for example, through the anisotropic conductive film, or electrically connects by wire bonding, is configured as an area including the A portion Is.
【００４２】ここで、寸法ＤはＢ部のメタル幅であり、
寸法ＥはＢ部のメタル部の配置ピッチである。又、寸法
ＦはＡ部のメタル幅であり、寸法ＧはＡ部のメタル部の
配置ピッチである。図２４においては、Ｂ部とＡ部は同
一のメタル部であるため、寸法Ｄ＝寸法Ｆであり、寸法
Ｅ＝寸法Ｇである。Here, the dimension D is the metal width of the B portion,
The dimension E is the arrangement pitch of the metal parts of the B part. The dimension F is the metal width of the A portion, and the dimension G is the arrangement pitch of the metal portions of the A portion. In FIG. 24, since the portion B and the portion A are the same metal portion, the dimension D = dimension F and the dimension E = dimension G.
【００４３】[0043]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光電変
換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触させる
部分であるＡ部とＴＡＢやフレキシブル基板などのフィ
ルム状プリント配線基板を、異方性導電膜を介して電気
的に接続する、もしくは、ワイヤーボンディングにより
電気的に接続するＢ部を共通のメタル部で用いる場合、
ＴＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリント配
線基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続する、も
しくは、ワイヤーボンディングにより電気的に接続する
方法における耐久的な信頼性が低下する問題が生じた。However, when the photoelectric conversion substrate is inspected, the A portion, which is the portion to which the tip of the probe is brought into contact, and the film-shaped printed wiring board such as the TAB or the flexible substrate are provided with an anisotropic conductive film. When using the B part which is electrically connected via a wire or is electrically connected by wire bonding in a common metal part,
In the method of electrically connecting a film-like printed wiring board such as a TAB or a flexible substrate through an anisotropic conductive film, or a method of electrically connecting by wire bonding, there arises a problem that durability is lowered. It was
【００４４】具体的には、パターニングが容易なアルミ
ニウムやモリブデンで構成された配線引出しパッドを、
タングステンやステンレスで構成された光電変換基板の
検査を行うプローブの先端が接触するときに、アルミニ
ウムやモリブデンで構成された配線引出しパッドに微小
な接触キズが発生し、それにより配線引出しパッドの平
面性が損なわれる。Specifically, a wiring lead-out pad made of aluminum or molybdenum, which is easy to pattern,
When inspecting a photoelectric conversion board made of tungsten or stainless steel, when the tip of the probe comes into contact with the wiring draw-out pad made of aluminum or molybdenum, a minute contact flaw occurs, which causes the flatness of the wire draw-out pad. Is damaged.
【００４５】その接触キズにより平面性が損なわれた配
線引出しパッド上に、ＴＡＢやフレキシブル基板などの
フィルム状プリント配線基板を、異方性導電膜を介して
電気的に接続する、もしくは、ワイヤーボンディングに
より電気的に接続し、長時間使用しているうちに微小な
接触キズの部分から、水分等の浸入により電気的接続に
おける信頼性の低下がおこると言われている。A film-like printed wiring board such as a TAB or a flexible board is electrically connected via an anisotropic conductive film to the wiring drawing pad whose flatness is impaired by the contact flaw, or wire bonding. Therefore, it is said that the reliability of the electrical connection is lowered due to the intrusion of water or the like from the portion of the minute contact scratches during the long-term use of the electrical connection.
【００４６】また、電気的接続の位置的な精度及び光電
変換基板のプローブによる検査の位置的な精度において
は、一般に光電変換基板の大きさが大きくなり、配線引
出しパッドの数が増えてくると光電変換基板の全プロー
ブ一括による検査の精度は低下する。この原因は、プロ
ーブの数が増加すると各プローブの水平的な位置と垂直
的な位置のどちらにおいても、位置的なばらつきが増加
するからである。Regarding the positional accuracy of electrical connection and the positional accuracy of inspection of the photoelectric conversion substrate by a probe, generally, the size of the photoelectric conversion substrate becomes large and the number of wiring lead-out pads increases. The accuracy of the inspection of the photoelectric conversion substrate by all the probes at once decreases. The reason for this is that as the number of probes increases, positional variation increases both at the horizontal position and the vertical position of each probe.
【００４７】これにより、検査装置を作製する上でのス
ペックは厳しくなり、又プローブの調整にも時間がかか
りコストが増大することになる。As a result, the specifications for producing the inspection apparatus become strict, and it takes time to adjust the probe, resulting in an increase in cost.
【００４８】更に、実際に製品を検査する場合、配線引
出しパッドの数が増えてくると光電変換基板の全プロー
ブを同時に接触させることが困難になる為、平面的な位
置合わせにも時間がかかり、検査工程でのコストもＵＰ
する。Furthermore, when actually inspecting a product, it becomes difficult to bring all the probes of the photoelectric conversion substrate into contact with each other at the same time as the number of wiring lead-out pads increases. , The cost of the inspection process is also up
To do.
【００４９】これに対して、ＴＡＢやフレキシブル基板
などのフィルム状プリント配線基板を、異方性導電膜を
介して電気的に接続する方法においては１ブロック毎に
接続を行い、又、ワイヤーボンディングにより電気的に
接続する方法においては１本ずつの接続である為、配線
引出しパッドの数が増加しても電気的接続の精度として
は一般的には変わらない。On the other hand, in the method of electrically connecting a film-shaped printed wiring board such as a TAB or a flexible substrate through an anisotropic conductive film, the connection is made block by block, or by wire bonding. Since the method of electrically connecting is one by one, the accuracy of the electrical connection generally does not change even if the number of wiring lead-out pads increases.
【００５０】よって、光電変換基板の大きさが大きくな
り、配線引出しパッドの数が増えてくると光電変換基板
の全プローブ一括による検査の精度は低下するのに対
し、ＴＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリン
ト配線基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続する
方法及び、ワイヤーボンディングにより電気的に接続す
る方法においては、配線引出しパッドの数が増加しても
電気的接続の精度としては変わらない為、図２４に示し
たような検査用の配線引出しパッド部と電気的な接続用
のパッド部を共通に使用することが不可能になるのであ
る。Therefore, when the size of the photoelectric conversion substrate is increased and the number of wiring lead-out pads is increased, the accuracy of the inspection of the photoelectric conversion substrate by all the probes is lowered, while the film such as TAB or flexible substrate is deteriorated. In the method of electrically connecting the printed circuit board through the anisotropic conductive film and the method of electrically connecting by the wire bonding, the accuracy of the electrical connection is maintained even if the number of the wiring lead-out pads is increased. Since it does not change, it becomes impossible to commonly use the wiring lead-out pad portion for inspection and the pad portion for electrical connection as shown in FIG.
【００５１】本発明の目的は、光電変換基板の検査を行
う場合にプローブの先端を接触させる部分とＴＡＢやフ
レキシブル基板などのフィルム状プリント配線基板を、
異方性導電膜を介して電気的に接続する、もしくは、ワ
イヤーボンディングにより電気的に接続する部分を共通
のメタル部で用いる場合に生じた、ＴＡＢやフレキシブ
ル基板などのフィルム状プリント配線基板を、異方性導
電膜を介して電気的に接続する、もしくは、ワイヤーボ
ンディングにより電気的に接続する方法における耐久的
な信頼性の低下を克服し、耐久的な信頼性を向上させた
撮像装置及びその検査方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a film-shaped printed wiring board such as a TAB or a flexible board, with which a tip of a probe is brought into contact when a photoelectric conversion board is inspected.
A film-like printed wiring board such as a TAB or a flexible board, which is generated when a portion electrically connected through an anisotropic conductive film or a portion electrically connected by wire bonding is used in a common metal portion, An image pickup device and an image pickup device which are electrically connected via an anisotropic conductive film, or overcome the deterioration of durable reliability in a method of electrically connecting by wire bonding and improve durable reliability. It is to provide an inspection method.
【００５２】もう一つの本発明の目的は、光電変換基板
の大きさが大きくなり、配線引出しパッドの数が増加し
た場合においても、光電変換基板の全プローブ一括によ
る検査の位置合わせにおける精度は低下させず、検査を
行うことが可能な撮像装置及びその検査方法を提供する
ことである。Another object of the present invention is to reduce the accuracy of alignment of the inspection by all the probes of the photoelectric conversion substrate even when the size of the photoelectric conversion substrate increases and the number of wiring lead-out pads increases. It is an object of the present invention to provide an imaging device and an inspection method thereof that can perform an inspection without performing the inspection.
【００５３】更に、もう一つの本発明の目的は、光電変
換基板の検査におけるコスト、及び検査装置作製におけ
るコストを低減し、且つ撮像装置を小型化することであ
る。Still another object of the present invention is to reduce the cost of inspecting a photoelectric conversion substrate and the cost of manufacturing an inspection device and downsize the image pickup device.
【００５４】[0054]
【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点によ
れば、二次元に配列した、照射の入射量に依存する電荷
を発生する複数の光感知又は放射線感知センサを含む撮
像手段を有する撮像装置において、複数の引出し配線部
を用いてＴＡＢ接続又はワイヤーボンディングにより外
部回路と電気接続を行う光電変換基板又は放射線読み取
り基板を用い、前記引出し配線部における電気接続用パ
ッド部と、前記基板の動作確認検査を複数の検査プロー
ブを用いて行う、プローブ検査用パッド部の位置が異な
ることを特徴とする光感知又は放射線感知センサを含む
撮像装置の検査方法が提供される。According to a first aspect of the present invention, there is provided an imaging means including a plurality of photo-sensing or radiation-sensing sensors, which are arranged two-dimensionally and generate charges depending on the incident amount of irradiation. In an imaging device having the photoelectric conversion substrate or the radiation reading substrate, which electrically connects to an external circuit by TAB connection or wire bonding using a plurality of lead wiring portions, an electrical connection pad portion in the lead wiring portion, and the substrate. There is provided a method for inspecting an image pickup apparatus including a light-sensing or radiation-sensing sensor, which is characterized in that the position of probe probe pad portions is different, and the operation confirmation test is performed using a plurality of inspection probes.
【００５５】また、本発明の第１の観点による検査方法
において、前記引出し配線部における前記電気接続用パ
ッド部と、前記基板の動作確認検査を複数の検査プロー
ブを用いて行う、前記プローブ検査用パッド部の配置ピ
ッチ方向のパッド幅が異なっていてもよい。Also, in the inspection method according to the first aspect of the present invention, the probe inspection is performed by using a plurality of inspection probes to perform an operation confirmation inspection of the electrical connection pad portion in the lead wiring portion and the substrate. The pad widths in the arrangement pitch direction of the pad portions may be different.
【００５６】また、本発明の第１の観点による検査方法
において、前記引出し配線部における前記電気接続用パ
ッド部と、前記基板の動作確認検査を複数の検査プロー
ブを用いて行う、前記プローブ検査用パッド部の中心位
置の配置ピッチが異なっていてもよい。Further, in the inspection method according to the first aspect of the present invention, the probe inspection is performed by using a plurality of inspection probes to perform an operation confirmation inspection of the electrical connection pad portion in the lead wiring portion and the substrate. The arrangement pitch of the central positions of the pad portions may be different.
【００５７】また、本発明の第１の観点による検査方法
において、前記引出し配線部における前記電気接続用パ
ッド部と、前記基板の動作確認検査を複数の検査プロー
ブを用いて行う、前記プローブ検査用パッド部の中心位
置の配置ピッチと配置ピッチ方向のパッド幅の両方が異
なってもよい。In the inspection method according to the first aspect of the present invention, the probe inspection is performed by using a plurality of inspection probes to perform an operation confirmation inspection of the electrical connection pad portion in the lead wiring portion and the substrate. Both the arrangement pitch at the center position of the pad portion and the pad width in the arrangement pitch direction may be different.
【００５８】また、本発明の第１の観点による検査方法
において、前記プローブ検査用パッド部は、前記動作確
認検査終了後、切り取られてもよい。In the inspection method according to the first aspect of the present invention, the probe inspection pad portion may be cut off after the operation confirmation inspection is completed.
【００５９】また、本発明の第１の観点による検査方法
において、前記光電変換基板上には第一の電極層、絶縁
層、光電変換半導体層、第１導電型のキャリアの注入を
阻止する半導体層、及び第二の電極層を積層した光電変
換素子と、前記光電変換半導体層に入射した信号光によ
り発生した第１導電型のキャリアを前記光電変換半導体
層に留まらせ、前記第１導電型と異なる第２導電型のキ
ャリアを前記第二の電極層に導く方向に前記光電変換素
子に電界を与える光電変換手段と、前記光電変換素子に
電界を与えて、前記第１導電型のキャリアを前記光電変
換半導体層から前記第二の電極層に導く方向に前記光電
変換素子に電界を与えるリフレッシュ手段と、前記光電
変換手段による光電変換動作中に前記光電変換半導体層
に蓄積された前記第１導電型のキャリアもしくは前記第
二の電極層に導かれた前記第２導電型のキャリアを検出
する為の信号検出部、を有しいてもよい。In the inspection method according to the first aspect of the present invention, the photoelectric conversion substrate is provided with a first electrode layer, an insulating layer, a photoelectric conversion semiconductor layer, and a semiconductor that prevents injection of carriers of the first conductivity type. A photoelectric conversion element in which a layer and a second electrode layer are laminated, and carriers of the first conductivity type generated by signal light incident on the photoelectric conversion semiconductor layer are retained in the photoelectric conversion semiconductor layer, and the first conductivity type And a photoelectric conversion unit that applies an electric field to the photoelectric conversion element in a direction in which a second conductivity type carrier different from the above is introduced to the second electrode layer, and an electric field is applied to the photoelectric conversion element to remove the first conductivity type carrier. Refresh means for applying an electric field to the photoelectric conversion element in a direction leading from the photoelectric conversion semiconductor layer to the second electrode layer, and the charge accumulated in the photoelectric conversion semiconductor layer during a photoelectric conversion operation by the photoelectric conversion means. Signal detector for detecting the second conductivity type carrier guided in first conductivity type carriers or the second electrode layer may have a.
【００６０】本発明の第２の観点によれば、二次元に配
列した、照射の入射量に依存する電荷を発生する複数の
光感知又は放射線感知センサを含む撮像手段を有する撮
像装置において、複数の引出し配線部を用いてＴＡＢ接
続又はワイヤーボンディングにより外部回路と電気接続
を行う光電変換基板又は放射線読み取り基板を用い、前
記引出し配線部における、各引出し配線には、島状のメ
タル部が複数存在することを特徴とする光感知又は放射
線感知センサを含む撮像装置が提供される。According to a second aspect of the present invention, in an image pickup device having an image pickup means including a plurality of photo-sensing or radiation-sensing sensors which are arranged two-dimensionally and generate electric charges depending on the incident amount of irradiation, Using a photoelectric conversion substrate or a radiation reading substrate that is electrically connected to an external circuit by TAB connection or wire bonding using the lead-out wiring part, there is a plurality of island-shaped metal parts in each lead-out wiring in the lead-out wiring part. An imaging device including a light-sensing or radiation-sensing sensor is provided.
【００６１】また、本発明の第２の観点による撮像装置
において、前記引出し配線部における前記電気接続用の
島状のメタル部と、前記基板の動作確認検査を複数の検
査プロープを用いて行う、前記プローブ検査用の島状の
メタル部の配置ピッチ方向のパッド幅が異なっていても
よい。In the image pickup device according to the second aspect of the present invention, the operation confirmation inspection of the island-shaped metal portion for electrical connection in the lead wiring portion and the substrate is performed using a plurality of inspection probes. The pad width in the arrangement pitch direction of the island-shaped metal portions for probe inspection may be different.
【００６２】また、本発明の第２の観点による撮像装置
において、前記引出し配線部における前記電気接続用の
島状のメタル部と、前記基板の動作確認検査を複数の検
査プローブを用いて行う、前記プローブ検査用の島状の
メタル部の中心位置の配置ピッチが異なっていてもよ
い。In the image pickup device according to the second aspect of the present invention, the operation confirmation inspection of the island-shaped metal portion for electrical connection in the lead wiring portion and the substrate is performed using a plurality of inspection probes. The island-shaped metal portion for probe inspection may have a different arrangement pitch at the center position.
【００６３】また、前記引出し配線部における前記電気
接続用の島咋のメタル部と、前記基板の動作確認検査を
複数の検査プローブを用いて行う、前記プローブ検査用
の島状のメタル部の中心位置の配置ピッチと配置ピッチ
方向のパッド幅の両方が異なっていてもよい。The center of the metal part of the island for electrical connection in the lead-out wiring part and the island-shaped metal part for probe inspection in which the operation confirmation inspection of the substrate is performed using a plurality of inspection probes. Both the arrangement pitch of the positions and the pad width in the arrangement pitch direction may be different.
【００６４】また、本発明の第２の観点による撮像装置
において、前記プローブ検査用の島状のメタル部は、前
記動作確認検査終了後、切り取られてもよい。In the image pickup apparatus according to the second aspect of the present invention, the island-shaped metal portion for probe inspection may be cut off after the operation confirmation inspection is completed.
【００６５】また、本発明の第２の観点による撮像装置
において、前記光電変換基板上には、第一の電極層、絶
縁層、光電変換半導体層、第１導電型のキャリアの注入
を阻止する半導体層、及び第二の電極層を積層した光電
変換素子と、前記光電変換半導体層に入射した信号光に
より発生した第１導電型のキヤリアを前記光電変換半導
体層に留まらせ、前記第１導電型と異なる第２導電型の
キヤリアを前記第二の電極層に導く方向に前記光電変換
素子に電界を与える光電変換手段と、前記光電変換素子
に電界を与えて、前記第１導電型のキャリアを前記光電
変換半導体層から前記第二の電極層に導く方向に前記光
電変換素子に電界を与えるリフレッシュ手段と、前記光
電変換手段による光電変換動作中に前記光電変換半導体
層に蓄積された前記第１導電型のキャリアもしくは前記
第二の電極層に導かれた前記第２導電型のキャリアを検
出する為の信号検出部、を有していてもよい。In the image pickup device according to the second aspect of the present invention, the injection of the first electrode layer, the insulating layer, the photoelectric conversion semiconductor layer, and the first conductivity type carrier is blocked on the photoelectric conversion substrate. A photoelectric conversion element in which a semiconductor layer and a second electrode layer are laminated, and a first conductivity type carrier generated by signal light incident on the photoelectric conversion semiconductor layer are retained in the photoelectric conversion semiconductor layer, and the first conductivity Photoelectric conversion means for applying an electric field to the photoelectric conversion element in a direction of guiding a second conductivity type carrier different from the type to the second electrode layer, and an electric field for the photoelectric conversion element to provide a carrier of the first conductivity type. Refresh means for applying an electric field to the photoelectric conversion element in a direction leading from the photoelectric conversion semiconductor layer to the second electrode layer, and before being accumulated in the photoelectric conversion semiconductor layer during a photoelectric conversion operation by the photoelectric conversion means. Signal detector for detecting the second conductivity type carriers directed to the carrier or the first conductivity type second electrode layer may have a.
【００６６】［作用］本発明によれば、光電変換基板の
検査を行う場合にプローブの先端を接触させる部分とＴ
ＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリント配線
基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続する、もし
くは、ワイヤーボンディングにより電気的に接続する部
分を共通のメタル部で用いないことにより、ＴＡＢやフ
レキシブル基板などのフィルム状プリント配線基板を、
異方性導電膜を介して電気的に接続する、もしくは、ワ
イヤーボンディングにより電気的に接続する方法におけ
る耐久的な信頼性を向上させることが可能となる。[Operation] According to the present invention, when the photoelectric conversion substrate is inspected, the portion where the tip of the probe is brought into contact with the T
By electrically connecting a film-shaped printed wiring board such as AB or a flexible substrate through an anisotropic conductive film, or by not using a portion electrically connected by wire bonding in a common metal portion, Film printed wiring boards such as flexible boards
It is possible to improve the durable reliability in the method of electrically connecting through the anisotropic conductive film or electrically connecting by wire bonding.
【００６７】更に、本発明によれば、光電変換基板の大
きさが大きくなり、配線引出しパッドの数が増加した場
合においても、プローブ検査用パッド部の中心位置の配
置ピッチと配置ピッチ方向のパッド幅のどちらか又は、
両方を異ならせることにより、光電変換基板の全プロー
ブ一括による検査の精度は低下させず、検査を行うこと
が可能となり、これによって、光電変換基板の検査にお
けるコストの低減、及び検査装置作製におけるコストの
低減が可能となる。Furthermore, according to the present invention, even when the size of the photoelectric conversion substrate is increased and the number of wiring lead-out pads is increased, the arrangement pitch of the center positions of the probe inspection pad portions and the pads in the arrangement pitch direction are also increased. Either width or
By making both different, it is possible to perform the inspection without degrading the accuracy of the inspection of the photoelectric conversion substrate by all the probes at once, thereby reducing the cost of the inspection of the photoelectric conversion substrate and the cost of manufacturing the inspection device. Can be reduced.
【００６８】また、本発明によれば、光電変換基板の大
きさが大きくなり、配線引出しパッドの数が増加した場
合においても、プローブ検査用パッド部を動作確認検査
終了後、切り取ることにより、撮像装置の小型化と撮像
装置のコストの低減が可能となる。Further, according to the present invention, even when the size of the photoelectric conversion substrate is increased and the number of wiring lead-out pads is increased, the probe inspection pad portion is cut off after completion of the operation confirmation inspection. It is possible to downsize the device and reduce the cost of the imaging device.
【００６９】[0069]
【発明の実施の形態】［第１の実施形態］以下、本発明
の第１の実施形態を図面に基づいて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００７０】図１は配線引出しパッド部の平面的なパタ
ーンの説明図である。FIG. 1 is an explanatory view of a planar pattern of the wiring lead-out pad portion.
【００７１】図１は、従来例の項目で示した図２４の配
線引出しパッド部の一般的なパターンの説明図と同じよ
うに描いてある。FIG. 1 is drawn similarly to the explanatory view of the general pattern of the wiring lead-out pad portion of FIG. 24 shown in the item of the conventional example.
【００７２】よって、図２４と同様に、Ｃ部の細い部分
は光電変換基板上のセンサ受光部からの引出し配線部で
あり、Ａ部及びＢ部の太い部分が配線引出しパッド部で
ある。Therefore, as in FIG. 24, the thin portion of the C portion is a lead wiring portion from the sensor light receiving portion on the photoelectric conversion substrate, and the thick portions of the A portion and the B portion are wiring lead pad portions.
【００７３】又、Ｈ部は光電変換基板の基板端である。The portion H is the substrate end of the photoelectric conversion substrate.
【００７４】ここで、Ａ部は光電変換基板の検査を行う
場合にプローブの先端を接触させる部分であり、Ｂ部は
ＴＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリント配
線基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続する、も
しくは、ワイヤーボンディングにより電気的に接続する
部分である。Here, the portion A is a portion to which the tip of the probe is brought into contact when the photoelectric conversion substrate is inspected, and the portion B is a film-like printed wiring board such as a TAB or a flexible substrate and an anisotropic conductive film. It is a portion that is electrically connected via the wire, or is electrically connected by wire bonding.
【００７５】更に、寸法ＤはＢ部（ＴＡＢやフレキシブ
ル基板などのフィルム状プリント配線基板を、異方性導
電膜を介して電気的に接続する、もしくは、ワイヤーボ
ンディングにより電気的に接続する部分）のメタル幅で
あり、寸法ＥはＢ部のメタル部の配置ピッチである。
又、寸法ＦはＡ部（光電変換基板の検査を行う場合にプ
ローブの先端を接触させる部分）のメタル幅であり、寸
法ＧはＡ部のメタル部の配置ピッチである。Further, the dimension D is a portion B (a portion for electrically connecting a film-like printed wiring board such as a TAB or a flexible substrate through an anisotropic conductive film or electrically connecting by wire bonding). And the dimension E is the arrangement pitch of the metal parts of the B part.
Further, the dimension F is the metal width of the A portion (the portion with which the tip of the probe is brought into contact when the photoelectric conversion substrate is inspected), and the dimension G is the arrangement pitch of the metal portions of the A portion.
【００７６】ここで、図１と図２４の違いは、Ａ部（光
電変換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触さ
せる部分）とＢ部（ＴＡＢやフレキシブル基板などのフ
ィルム状プリント配線基板を、異方性導電膜を介して電
気的に接続する、もしくは、ワイヤーボンディングによ
り電気的に接続する部分）を明確に分離している点であ
る。Here, the difference between FIG. 1 and FIG. 24 is that part A (the part to which the tip of the probe contacts when the photoelectric conversion board is inspected) and part B (the film-like printed wiring board such as TAB or flexible board). Is to be electrically connected via an anisotropic conductive film, or a portion to be electrically connected by wire bonding) is clearly separated.
【００７７】具体的には、光電変換基板の検査を行う場
合に、プローブの先端を基板端側に配置してあるＡ部に
接触させ、その後、Ｂ部を用いてＴＡＢやフレキシブル
基板などのフィルム状プリント配線基板を、異方性導電
膜を介して電気的に接続する、もしくは、ワイヤーボン
ディングにより電気的に接続を行うことになる。Specifically, when the photoelectric conversion substrate is inspected, the tip of the probe is brought into contact with the A portion arranged on the substrate end side, and then the B portion is used to form a film such as TAB or a flexible substrate. The printed circuit board is electrically connected via an anisotropic conductive film, or is electrically connected by wire bonding.
【００７８】このように、Ａ部（光電変換基板の検査を
行う場合にプローブの先端を接触させる部分）とＢ部
（ＴＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリント
配線基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続する、
もしくは、ワイヤーボンディングにより電気的に接続す
る部分）を明確に分離することにより、従来問題と考え
られていた、パターニングが容易なアルミニウムやモリ
ブデンで構成された配線引出しパッドを、タングステン
やステンレスで構成された光電変換基板の検査を行うプ
ローブの先端が接触することによる、アルミニウムやモ
リブデンで構成された配線引出しパッドに微小な接触キ
ズを発生させることが無くなり、それにより配線引出し
パッドの平面性を損なうことがなくなる。As described above, the A portion (the portion to which the tip of the probe is brought into contact when the photoelectric conversion substrate is inspected) and the B portion (the film-like printed wiring board such as the TAB or the flexible substrate) are connected with the anisotropic conductive film Electrically connected through,
Alternatively, the wiring lead-out pad made of aluminum or molybdenum, which has been thought to be a problem in the past, which is considered to be a problem, can be made of tungsten or stainless steel by clearly separating the parts to be electrically connected by wire bonding). The tip of the probe that inspects the photoelectric conversion board does not cause minute contact scratches on the wiring lead-out pad made of aluminum or molybdenum, thereby impairing the flatness of the wiring lead-out pad. Disappears.
【００７９】それにより、電気的に接続する方法におけ
る耐久的な信頼性が低下する問題を解決することが可能
となる。As a result, it becomes possible to solve the problem that the durability and reliability of the method of electrically connecting are lowered.
【００８０】又、本第１の実施形態において、Ｂ部（Ｔ
ＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリント配線
基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続する、もし
くは、ワイヤーボンディングにより電気的に接続する部
分）とＡ部（光電変換基板の検査を行う場合にプローブ
の先端を接触させる部分）は同一のメタル部であるた
め、従来例の項目で示した図２４と同じように、寸法Ｄ
＝寸法Ｆであり、寸法Ｅ＝寸法Ｇである。In the first embodiment, the B part (T
A film printed wiring board such as AB or a flexible substrate is electrically connected via an anisotropic conductive film, or a portion electrically connected by wire bonding) and an A portion (a photoelectric conversion substrate is inspected). In this case, the portion (where the tip of the probe comes into contact) is the same metal portion, so that the dimension D is the same as in FIG.
= Size F and size E = size G.
【００８１】［第２の実施形態］以下、本発明の第２の
実施形態を図面に基づいて説明する。[Second Embodiment] A second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００８２】図２は配線引出しパッド部の平面的なパタ
ーンの説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of a planar pattern of the wiring lead-out pad portion.
【００８３】図２は、第１の実施形態の項目で示した図
１の配線引出しパッド部の平面的なパターンの説明図と
同じように描いてある。FIG. 2 is drawn similarly to the explanatory view of the planar pattern of the wiring lead-out pad portion of FIG. 1 shown in the item of the first embodiment.
【００８４】ここで、図２と図１の違いは、Ａ部（光電
変換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触させ
る部分）のメタル幅Ｆを拡大している点である。Here, the difference between FIG. 2 and FIG. 1 is that the metal width F of the portion A (the portion with which the tip of the probe contacts when the photoelectric conversion substrate is inspected) is enlarged.
【００８５】よって、図２の第２の実施形態において
は、寸法Ｄ＜寸法Ｆであり、寸法Ｅ＝寸法Ｇである。Therefore, in the second embodiment of FIG. 2, the dimension D <the dimension F and the dimension E = the dimension G.
【００８６】これによって、電気的に接続する方法にお
ける耐久的な信頼性が低下する問題を解決することが可
能となるだけでなく、光電変換基板の大きさが大きくな
り、配線引出しパッドの数が増加した場合においても、
光電変換基板の全プローブ一括による検査の位置合わせ
における精度は低下させず、検査を行うことが可能とな
る。This not only makes it possible to solve the problem of lowering the durable reliability in the electrical connection method, but also increases the size of the photoelectric conversion substrate and reduces the number of wiring lead-out pads. Even if it increases
It is possible to perform the inspection without degrading the accuracy of the alignment of the inspection of the photoelectric conversion substrate by all the probes at once.
【００８７】又、更に光電変換基板の検査におけるコス
トの低減、及び検査装置作製におけるコストの低減が可
能となる。Further, it is possible to further reduce the cost for inspecting the photoelectric conversion substrate and the cost for producing the inspection device.
【００８８】［第３の実施形態］以下、本発明の第３の
実施形態を図面に基づいて説明する。[Third Embodiment] A third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００８９】図３は配線引出しパッド部の平面的なパタ
ーンの説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of a planar pattern of the wiring lead-out pad portion.
【００９０】図３は、第１の実施形態の項目で示した図
１の配線引出しパッド部の平面的なパターンの説明図と
同じように描いてある。FIG. 3 is drawn similarly to the explanatory view of the planar pattern of the wiring lead-out pad portion of FIG. 1 shown in the item of the first embodiment.
【００９１】ここで、図３と図１の違いは、Ａ部（光電
変換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触させ
る部分）のメタルの配置ピッチＧを拡大している点であ
る。Here, the difference between FIG. 3 and FIG. 1 is that the metal arrangement pitch G of the portion A (the portion with which the tip of the probe contacts when the photoelectric conversion substrate is inspected) is enlarged.
【００９２】よって、図３の第３の実施形態において
は、寸法Ｄ＝寸法Ｆであり、寸法Ｅ＜寸法Ｇである。Therefore, in the third embodiment of FIG. 3, the dimension D = dimension F and the dimension E <dimension G.
【００９３】これによって、電気的に接続する方法にお
ける耐久的な信頼性が低下する問題を解決することが可
能となるだけでなく、光電変換基板の大きさが大きくな
り、配線引出しパッドの数が増加した場合においても、
光電変換基板の全プローブ一括による検査の位置合わせ
における精度は低下させず、検査を行うことが可能とな
る。This not only makes it possible to solve the problem of lowering the durable reliability of the electrical connection method, but also increases the size of the photoelectric conversion substrate and reduces the number of wiring lead-out pads. Even if it increases
It is possible to perform the inspection without degrading the accuracy of the alignment of the inspection of the photoelectric conversion substrate by all the probes at once.
【００９４】又、更に光電変換基板の検査におけるコス
トの低減、及び検査装置作製におけるコストの低減が可
能となる。Further, it is possible to further reduce the cost for inspecting the photoelectric conversion substrate and the cost for producing the inspection device.
【００９５】［第４の実施形態］以下、本発明の第４の
実施形態を図面に基づいて説明する。[Fourth Embodiment] A fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００９６】図４は配線引出しパッド部の平面的なパタ
ーンの説明図である。FIG. 4 is an explanatory view of a planar pattern of the wiring lead-out pad portion.
【００９７】図４は、第１の実施形態の項目で示した図
１の配線引出しパッド部の平面的なパターンの説明図と
同じように描いてある。FIG. 4 is drawn similarly to the explanatory view of the planar pattern of the wiring lead-out pad portion of FIG. 1 shown in the item of the first embodiment.
【００９８】ここで、図４と図１の違いは、Ａ部（光電
変換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触させ
る部分）のメタル幅Ｆを拡大している点とＡ部のメタル
の配置ピッチＧを拡大している点である。Here, the difference between FIG. 4 and FIG. 1 is that the metal width F of the A portion (the portion where the tip of the probe contacts when the photoelectric conversion substrate is inspected) is enlarged and the metal of the A portion. The arrangement pitch G is increased.
【００９９】よって、図４の第４の実施形態において
は、寸法Ｄ＜寸法Ｆであり、寸法Ｅ＜寸法Ｇである。Therefore, in the fourth embodiment of FIG. 4, the dimension D <dimension F and the dimension E <dimension G.
【０１００】これによって、電気的に接続する方法にお
ける耐久的な信頼性が低下する問題を解決することが可
能となるだけでなく、光電変換基板の大きさが大きくな
り、配線引出しパッドの数が増加した場合においても、
光電変換基板の全プローブ一括による検査の位置合わせ
における精度は低下させず、検査を行うことが可能とな
る。As a result, not only is it possible to solve the problem of lowering the durable reliability in the electrical connection method, but also the photoelectric conversion substrate is increased in size and the number of wiring lead-out pads is reduced. Even if it increases
It is possible to perform the inspection without degrading the accuracy of the alignment of the inspection of the photoelectric conversion substrate by all the probes at once.
【０１０１】又、更に光電変換基板の検査におけるコス
トの低減、及び検査装置作製におけるコストの低減が可
能となる。Further, it is possible to further reduce the cost for inspecting the photoelectric conversion substrate and the cost for producing the inspection device.
【０１０２】［第５の実施形態］以下、本発明の第５の
実施形態を図面に基づいて説明する。[Fifth Embodiment] A fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【０１０３】図５は配線引出しパッド部の平面的なパタ
ーンの説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a planar pattern of the wiring lead-out pad portion.
【０１０４】図５は、第１の実施形態の項目で示した図
１の配線引出しパッド部の平面的なパターンの説明図と
同じように描いてある。FIG. 5 is drawn similarly to the explanatory view of the planar pattern of the wiring lead-out pad portion of FIG. 1 shown in the item of the first embodiment.
【０１０５】ここで、図５と図１の違いは、Ａ部（光電
変換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触させ
る部分）とＢ部（ＴＡＢやフレキシブル基板などのフィ
ルム状プリント配線基板を、異方性導電膜を介して電気
的に接続する、もしくは、ワイヤーボンディングにより
電気的に接続する部分）の間に光電変換基板を切り取る
スライスカットラインが存在している点である。Here, the difference between FIG. 5 and FIG. 1 is that part A (the part to which the tip of the probe is brought into contact when the photoelectric conversion board is inspected) and part B (the film-like printed wiring board such as TAB or flexible board). Is electrically connected via an anisotropic conductive film, or between the portions electrically connected by wire bonding), there is a slice cut line for cutting the photoelectric conversion substrate.
【０１０６】このスライスカットラインを用いて、検査
装置による動作確認検査終了後、光電変換基板を切り取
ることにより、電気的に接続する方法における耐久的な
信頼性が低下する問題を解決することが可能となるだけ
でなく、撮像装置の小型化と撮像装置のコストの低減が
可能となる。By using this slice cut line to cut the photoelectric conversion substrate after the operation confirmation inspection by the inspection device is completed, it is possible to solve the problem that the durable reliability is lowered in the method of electrically connecting. Not only is it possible to reduce the size of the imaging device and reduce the cost of the imaging device.
【０１０７】又、本第５の実施形態において、Ｂ部（Ｔ
ＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリント配線
基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続する、もし
くは、ワイヤーボンディングにより電気的に接続する部
分）とＡ部（光電変換基板の検査を行う場合にプローブ
の先端を接触させる部分）は同一のメタル部であるた
め、第１の実施形態の項目で示した図１と同じように、
寸法Ｄ＝寸法Ｆであり、寸法Ｅ＝寸法Ｇである。Further, in the fifth embodiment, the B section (T
A film printed wiring board such as AB or a flexible substrate is electrically connected via an anisotropic conductive film, or a portion electrically connected by wire bonding) and an A portion (a photoelectric conversion substrate is inspected). In this case, the portion where the tip of the probe is in contact) is the same metal portion, and therefore, as in FIG. 1 shown in the item of the first embodiment,
The dimension D = dimension F, and the dimension E = dimension G.
【０１０８】［第６の実施形態］以下、本発明の第６の
実施形態を図面に基づいて説明する。[Sixth Embodiment] A sixth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【０１０９】図６は配線引出しパッド部の平面的なパタ
ーンの説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a planar pattern of the wiring lead-out pad portion.
【０１１０】図６は、第５の実施形態の項目で示した図
５の配線引出しパッド部の平面的なパターンの説明図と
同じように描いてある。FIG. 6 is drawn similarly to the explanatory view of the planar pattern of the wiring lead-out pad portion of FIG. 5 shown in the item of the fifth embodiment.
【０１１１】ここで、図６と図５の違いは、Ａ部（光電
変換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触させ
る部分）のメタル幅Ｆを拡大している点である。Here, the difference between FIG. 6 and FIG. 5 is that the metal width F of the portion A (the portion that contacts the tip of the probe when the photoelectric conversion substrate is inspected) is enlarged.
【０１１２】よって、図６の第６の実施形態において
は、寸法Ｄ＜寸法Ｆであり、寸法Ｅ＝寸法Ｇである。Therefore, in the sixth embodiment of FIG. 6, the dimension D <the dimension F, and the dimension E = the dimension G.
【０１１３】これによって、電気的に接続する方法にお
ける耐久的な信頼性が低下する問題を解決することが可
能となるだけでなく、撮像装置の小型化と撮像装置のコ
ストの低減が可能となり、更に、光電変換基板の大きさ
が大きくなり、配線引出しパッドの数が増加した場合に
おいても、光電変換基板の全プローブ一括による検査の
位置合わせにおける精度は低下させず、検査を行うこと
が可能となる。As a result, it is possible not only to solve the problem that the durable reliability of the electrical connection method is lowered, but also to reduce the size of the image pickup device and the cost of the image pickup device. Furthermore, even when the size of the photoelectric conversion substrate is increased and the number of wiring lead-out pads is increased, it is possible to perform the inspection without degrading the accuracy of alignment of the inspection of all the probes of the photoelectric conversion substrate. Become.
【０１１４】又、更に光電変換基板の検査におけるコス
トの低減、及び検査装置作製におけるコストの低減が可
能となる。Further, it is possible to further reduce the cost for inspecting the photoelectric conversion substrate and the cost for producing the inspection device.
【０１１５】［第７の実施形態］以下、本発明の第７の
実施形態を図面に基づいて説明する。[Seventh Embodiment] A seventh embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【０１１６】図７は配線引出しパッド部の平面的なパタ
ーンの説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a planar pattern of the wiring lead-out pad portion.
【０１１７】図７は、第５の実施形態の項目で示した図
５の配線引出しパッド部の平面的なパターンの説明図と
同じように描いてある。FIG. 7 is drawn similarly to the explanatory view of the planar pattern of the wiring lead-out pad portion of FIG. 5 shown in the item of the fifth embodiment.
【０１１８】ここで、図７と図５の違いは、Ａ部（光電
変換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触させ
る部分）のメタルの配置ピッチＧを拡大している点であ
る。Here, the difference between FIG. 7 and FIG. 5 is that the metal arrangement pitch G of the A portion (the portion with which the tip of the probe is brought into contact when the photoelectric conversion substrate is inspected) is enlarged.
【０１１９】よって、図７の第７の実施形態において
は、寸法Ｄ＝寸法Ｆであり、寸法Ｅ＜寸法Ｇである。Therefore, in the seventh embodiment of FIG. 7, the dimension D = dimension F and the dimension E <dimension G.
【０１２０】これによって、電気的に接続する方法にお
ける耐久的な信頼性が低下する問題を解決することが可
能となるだけでなく、撮像装置の小型化と撮像装置のコ
ストの低減が可能となり、更に、光電変換基板の大きさ
が大きくなり、配線引出しパッドの数が増加した場合に
おいても、光電変換基板の全プローブ一括による検査の
位置合わせにおける精度は低下させず、検査を行うこと
が可能となる。As a result, not only is it possible to solve the problem of reduced durability in the electrical connection method, but it is also possible to reduce the size of the image pickup device and the cost of the image pickup device. Furthermore, even when the size of the photoelectric conversion substrate is increased and the number of wiring lead-out pads is increased, it is possible to perform the inspection without degrading the accuracy of alignment of the inspection of all the probes of the photoelectric conversion substrate. Become.
【０１２１】又、更に光電変換基板の検査におけるコス
トの低減、及び検査装置作製におけるコストの低減が可
能となる。Further, it is possible to further reduce the cost for inspecting the photoelectric conversion substrate and the cost for producing the inspection device.
【０１２２】［第８の実施形態］以下、本発明の第８の
実施形態を図面に基づいて説明する。[Eighth Embodiment] An eighth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【０１２３】図８は配線引出しパッド部の平面的なパタ
ーンの説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a planar pattern of the wiring lead-out pad portion.
【０１２４】図８は、第５の実施形態の項目で示した図
５の配線引出しパッド部の平面的なパターンの説明図と
同じように描いてある。FIG. 8 is drawn similarly to the explanatory view of the planar pattern of the wiring lead-out pad portion of FIG. 5 shown in the item of the fifth embodiment.
【０１２５】ここで、図８と図５の違いは、Ａ部（光電
変換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触させ
る部分）のメタル幅Ｆを拡大している点とＡ部のメタル
の配置ピッチＧを拡大している点である。Here, the difference between FIG. 8 and FIG. 5 is that the metal width F of the A part (the part where the tip of the probe contacts when the photoelectric conversion substrate is inspected) is enlarged and the metal of the A part. The arrangement pitch G is increased.
【０１２６】よって、図８の第８の実施形態において
は、寸法Ｄ＜寸法Ｆであり、寸法Ｅ＜寸法Ｇである。Therefore, in the eighth embodiment of FIG. 8, the dimension D <dimension F and the dimension E <dimension G.
【０１２７】これによって、電気的に接続する方法にお
ける耐久的な信頼性が低下する問題を解決することが可
能となるだけでなく、撮像装置の小型化と撮像装置のコ
ストの低減が可能となり、更に、光電変換基板の大きさ
が大きくなり、配線引出しパッドの数が増加した場合に
おいても、光電変換基板の全プローブ一括による検査の
位置合わせにおける精度は低下させず、検査を行うこと
が可能となる。As a result, it is possible not only to solve the problem that the durable reliability of the electrical connection method is lowered, but also to reduce the size of the image pickup device and the cost of the image pickup device. Furthermore, even when the size of the photoelectric conversion substrate is increased and the number of wiring lead-out pads is increased, it is possible to perform the inspection without degrading the accuracy of alignment of the inspection of all the probes of the photoelectric conversion substrate. Become.
【０１２８】又、更に光電変換基板の検査におけるコス
トの低減、及び検査装置作製におけるコストの低減が可
能となる。Further, it is possible to further reduce the cost for inspecting the photoelectric conversion substrate and the cost for producing the inspection device.
【０１２９】［第９の実施形態］以下、本発明の第９の
実施形態を図面に基づいて説明する。[Ninth Embodiment] A ninth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【０１３０】図９は、二次元エリアセンサ１０４の構成
を示す全体回路図、図１０（ａ）（ｂ）は二次元エリア
センサ中の１画素に相当する各構成素子の平面図
（ａ）、および断面図（ｂ）である。FIG. 9 is an overall circuit diagram showing the structure of the two-dimensional area sensor 104, and FIGS. 10 (a) and 10 (b) are plan views (a) of respective constituent elements corresponding to one pixel in the two-dimensional area sensor. FIG. 4B is a cross-sectional view of FIG.
【０１３１】図９において、Ｓ１１〜Ｓ３３は光電変換
素子で下部電極側をＧ、上部電極側をＤで示している。
Ｃ１１〜Ｃ３３は蓄積用コンデンサ、Ｔ１１〜Ｔ３３は
転送用ＴＦＴである。Ｖｓは読み出し用電源、Ｖｇはリ
フレッシュ用電源であり、それぞれスイッチＳＷｓ、Ｓ
Ｗｇを介して全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極に
接続されている。スイッチＳＷｓはインバータを介し
て、スイッチＳＷｇは直接にリフレッシュ制御回路ＲＦ
に接続されており、リフレッシュ期間はＳＷｇがｏｎ、
その他の期間はＳＷｓがｏｎするよう制御されている。
１画素は１個の光電変換素子とコンデンサ、およびＴＦ
Ｔで構成され、その信号出力は信号配線ＳＩＧにより検
出用集積回路ＩＣに接続されている。本実施形態の二次
元エリアセンサは計９個の画素を３つのブロックに分け
１ブッロクあたり３画素の出力を同時に転送しこの信号
配線を通して検出用集積回路によって順次出力に変換さ
れ出力される。また１ブロック内の３画素を横方向に配
置し、３ブロックを順に縦に配置することにより各画素
を二次元的に配置している。In FIG. 9, S11 to S33 are photoelectric conversion elements, in which the lower electrode side is indicated by G and the upper electrode side is indicated by D.
C11 to C33 are storage capacitors, and T11 to T33 are transfer TFTs. Vs is a power source for reading, Vg is a power source for refreshing, and switches SWs and S, respectively.
It is connected to the G electrodes of all the photoelectric conversion elements S11 to S33 via Wg. The switch SWs is directly connected to the refresh control circuit RF via the inverter and the switch SWg is directly connected to the refresh control circuit RF.
Is connected to, and SWg is on during the refresh period.
During other periods, SWs are controlled to be on.
One pixel is one photoelectric conversion element and capacitor, and TF
The signal output is connected to the detection integrated circuit IC by a signal wiring SIG. The two-dimensional area sensor of the present embodiment divides a total of nine pixels into three blocks and simultaneously transfers outputs of three pixels per block, and the signals are sequentially converted into outputs by a detection integrated circuit through the signal wiring and output. Further, the three pixels in one block are arranged in the horizontal direction, and the three blocks are arranged vertically in order to arrange the respective pixels two-dimensionally.
【０１３２】図中破線で囲んだ部分は大面積の同一絶縁
基板上に形成されているが、このうち第１画素に相当す
る部分の平面図を図１０（ａ）に示す。Ｓ１１は光電変
換素子、Ｔ１１はＴＦＴ、Ｃ１１はコンデンサ、および
ＳＩＧは信号配線である。本実施形態においてはコンデ
ンサＣ１１と光電変換素子Ｓ１１とは特別に素子を分離
しておらず光電変換素子Ｓ１１の電極の面積を大きくす
ることによりコンデンサＣ１１を形成している。これは
本実施形態の光電変換素子とコンデンサが同じ層構成で
あるから可能で本実施形態の特徴でもある。また図中破
線Ａ−Ｂで示した部分の断面図を図１０（ｂ）に示す。
画素上部にはパッシベーション用窒化シリコン膜ＳｉＮ
8とＣｓＩ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ等の蛍光体１２が形成されてい
る。上方より像情報の含まれるＸ線１３が入射すると蛍
光体１２により像情報光１４に変換され、この光が光電
変換素子に入射される。The part surrounded by the broken line in the figure is formed on the same large-sized insulating substrate, and a plan view of the part corresponding to the first pixel is shown in FIG. 10 (a). S11 is a photoelectric conversion element, T11 is a TFT, C11 is a capacitor, and SIG is a signal wiring. In this embodiment, the capacitor C11 and the photoelectric conversion element S11 are not specially separated, but the capacitor C11 is formed by increasing the area of the electrode of the photoelectric conversion element S11. This is possible because the photoelectric conversion element and the capacitor of the present embodiment have the same layer structure, which is also a feature of the present embodiment. Further, FIG. 10B shows a sectional view of a portion indicated by a broken line AB in the drawing.
A silicon nitride film SiN for passivation is formed on the pixel.
8 and phosphors 12 such as CsI and Gd 2 O 2 S are formed. When an X-ray 13 containing image information is incident from above, the phosphor 12 converts the X-ray into image information light 14, and this light is incident on a photoelectric conversion element.
【０１３３】ここで図１０により各素子の形成方法につ
いて順に説明する。Here, the method of forming each element will be described in order with reference to FIG.
【０１３４】まず、絶縁材料であるガラス基板１上にス
パッタ等により下部メタル層２としてＣｒを約５００オ
ングストローム堆積させ、その後フォトリソによりパタ
ーニングし不必要なエリアをエッチングする。これによ
り光電変換素子Ｓ１１の下部電極、ＴＦＴ・Ｔ１１のゲ
ート電極、およびコンデンサＣ１１の下部電極が形成さ
れる。First, Cr is deposited as a lower metal layer 2 on the glass substrate 1 made of an insulating material by sputtering or the like to have a thickness of about 500 Å, and then patterning is performed by photolithography to etch unnecessary areas. As a result, the lower electrode of the photoelectric conversion element S11, the gate electrode of the TFT T11, and the lower electrode of the capacitor C11 are formed.
【０１３５】次に、ＣＶＤにより同一真空内でＳｉＮ
（７）／ｉ（４）／ｎ（５）層をそれぞれ約２０００／
５０００／５００オングストローム堆積する。これら各
層は光電変換素子Ｓ１１の絶縁層／光電変換半導体層／
ホール注入阻止層、ＴＦＴ・Ｔ１１のゲート絶縁膜／半
導体層／オーミックコンタクト層、およびコンデンサＣ
１１の中間層となる。また、信号配線のクロス部絶縁層
としても使われる。各層の厚さはこれに限らず二次元エ
リアセンサとして使用する電圧、電流、電荷、入射光量
等により最適に設計するが、少なくともＳｉＮは電子と
ホールが通過できず、また、ＴＦＴのゲート絶縁膜とし
て機能ができる５００オングストローム以上が必要であ
る。Next, SiN is formed by CVD in the same vacuum.
About 2000 / (7) / i (4) / n (5) layers
Deposit 5000/500 Angstroms. Each of these layers is an insulating layer of the photoelectric conversion element S11 / a photoelectric conversion semiconductor layer /
Hole injection blocking layer, TFT / T11 gate insulating film / semiconductor layer / ohmic contact layer, and capacitor C
11 intermediate layers. It is also used as a cross insulation layer for signal wiring. The thickness of each layer is not limited to this but is optimally designed according to the voltage, current, charge, incident light amount, etc. used as a two-dimensional area sensor, but at least SiN cannot pass electrons and holes, and the gate insulating film of the TFT. It is necessary to have 500 angstroms or more capable of functioning as.
【０１３６】各層堆積後、上部メタル層６としてＡｌを
スパッタ等で約１００００オングストローム堆積させ
る。さらにフォトリソによりパターニングし不必要なエ
リアをエッチングし光電変換素子Ｓ１１の上部電極、Ｔ
ＦＴ・Ｔ１１の主電極であるソース電極並びにドレイン
電極、コンデンサＣ１１の上部電極、および信号配線Ｓ
ＩＧが形成される。After each layer is deposited, Al is deposited as the upper metal layer 6 by sputtering or the like at about 10000 angstrom. Further, patterning is performed by photolithography, and unnecessary areas are etched so that the upper electrode of the photoelectric conversion element S11, T
A source electrode and a drain electrode which are main electrodes of FT / T11, an upper electrode of the capacitor C11, and a signal wiring S
IG is formed.
【０１３７】またさらにＴＦＴ・Ｔ１１のチャネル部の
みｎ層をＲＩＥでエッチングし、その後不必要なＳｉＮ
（７）／ｉ（４）／ｎ（５）層をエッチングし各素子が
分離される。これで光電変換素子Ｓ１１、ＴＦＴ・Ｔ１
１およびコンデンサＣ１１が完成する。以上、第一画素
目について説明したが他の画素についても同時に形成さ
れることは言うまでもない。Further, the n layer is etched by RIE only in the channel portion of the TFT T11, and then unnecessary SiN is used.
The (7) / i (4) / n (5) layer is etched to separate each element. With this, the photoelectric conversion element S11, TFT / T1
1 and the capacitor C11 are completed. Although the first pixel has been described above, it goes without saying that other pixels are formed at the same time.
【０１３８】また、耐久性を向上させるため通常各素子
の上部をＳｉＮ等のパッシベーション膜８で覆い、さら
にＣｓＩ、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ等の蛍光体１２が形成される。Further, in order to improve durability, the upper part of each element is usually covered with a passivation film 8 of SiN or the like, and a phosphor 12 of CsI, Gd 2 O 2 S or the like is further formed.
【０１３９】以上の説明の通り本実施形態では光電変換
素子、ＴＦＴ、コンデンサ、および信号配線ＳＩＧとが
同時に堆積された共通の下部メタル層２、ＳｉＮ（７）
／ｉ（４）／ｎ（５）層、および上部メタル層６と各層
のエッチングのみで形成することができる。また光電変
換素子Ｓ１１内に注入素子層が１カ所しかなく、かつ、
同一真空内で形成できる。さらにＴＦＴの特性上重要な
ゲート絶縁膜／ｉ層界面も同一真空内で形成できる。ま
たさらにコンデンサＣ１１の中間層が熱によるリークの
少ない絶縁層を含んでいるため良好な特性のコンデンサ
が形成される。As described above, in the present embodiment, the common lower metal layer 2, SiN (7) in which the photoelectric conversion element, the TFT, the capacitor, and the signal wiring SIG are simultaneously deposited.
It can be formed only by etching the / i (4) / n (5) layer and the upper metal layer 6 and each layer. Further, there is only one injection element layer in the photoelectric conversion element S11, and
It can be formed in the same vacuum. Further, the gate insulating film / i layer interface, which is important for TFT characteristics, can be formed in the same vacuum. Furthermore, since the intermediate layer of the capacitor C11 includes an insulating layer which is less likely to leak due to heat, a capacitor having good characteristics is formed.
【０１４０】次に図９および図１１によって本実施形態
の放射線撮像装置の動作について説明する。前述の説明
のように本実施形態においての光電変換素子は定期的に
リフレッシュすれば光電変換モードにおいては入射した
光に比例した光電流を出力する光センサとして動作す
る。図１１は本実施形態の動作を示すタイミングチャー
トである。Next, the operation of the radiation imaging apparatus of this embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 11. As described above, the photoelectric conversion element in this embodiment operates as an optical sensor that outputs a photocurrent proportional to the incident light in the photoelectric conversion mode if refreshed periodically. FIG. 11 is a timing chart showing the operation of this embodiment.
【０１４１】まず、医師または技師は診断対象である患
者、つまり被写体をＸ線源と二次元エリアセンサの間に
置き診断したい部位が観察できるように被写体にポーズ
させる。同時に前もって問診等で得た患者の症状、体
格、年齢や得たい情報を考慮し最適な撮影出力が得られ
るように条件を制御パネルに入力する。この信号は電気
信号でＡＥコントローラに電送される。同時に条件メモ
リ回路にこれら条件が記憶される。First, the doctor or the technician places the patient to be diagnosed, that is, the subject between the X-ray source and the two-dimensional area sensor, and poses the subject so that the region to be diagnosed can be observed. At the same time, considering the patient's symptoms, physique, age, and the information desired to be obtained in advance by an interview, the conditions are input to the control panel so that the optimum imaging output can be obtained. This signal is an electric signal transmitted to the AE controller. At the same time, these conditions are stored in the condition memory circuit.
【０１４２】この状態で医師または技師が撮影露光開始
ボタンを押すと撮影モードが開始される。まずシステム
制御回路は二次元エリアセンサをリフレッシュ動作させ
る。ここでリフレッシュ動作を説明する。まずシフトレ
ジスタＳＲ１およびＳＲ２により制御配線ｇ１〜ｇ３、
ｓ１〜ｓ３にＨｉが印可される。すると転送用ＴＦＴ・
Ｔ１１〜Ｔ３３とスイッチＭ１〜Ｍ３がｏｎし導通し、
全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＤ電極はＧＮＤ電位に
なる（積分検出器Ａｍｐの入力端子は仮想接地されてい
るため）。同時にリフレッシュ制御回路ＲＦがＨｉを出
力しスイッチＳＷｇがｏｎし全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ
３３のＧ電極はリフレッシュ用電源Ｖｇにより正電位に
なる。すると全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３はリフレシ
ュモードになりリフレッシュされる。つぎにリフレッシ
ュ制御回路ＲＦがＬｏを出力しスイッチＳＷｓがｏｎし
全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＧ電極は読み取り用電
源Ｖｓにより負電位になる。すると全光電変換素子Ｓ１
１〜Ｓ３３は光電変換モードになり同時にコンデンサＣ
１１〜Ｃ３３は初期化される。この状態でシフトレジス
タＳＲ１およびＳＲ２により制御配線ｇ１〜ｇ３、ｓ１
〜ｓ３にＬｏが印可される。すると転送用ＴＦＴ・Ｔ１
１〜Ｔ３３とスイッチＭ１〜Ｍ３がｏｆｆし、全光電変
換素子Ｓ１１〜Ｓ３３のＤ電極はＤＣ的にはオープンに
なるがコンデンサＣ１１〜Ｃ１３によって電位は保持さ
れる。しかしこの時点ではＸ線は入射されていないため
全光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３には光は入射されず光電
流は流れない。これでリフレッシュ動作は終了する。In this state, when the doctor or the technician presses the photographing exposure start button, the photographing mode is started. First, the system control circuit refreshes the two-dimensional area sensor. Here, the refresh operation will be described. First, the control wirings g1 to g3 by the shift registers SR1 and SR2,
Hi is applied to s1 to s3. Then transfer TFT
T11 to T33 and the switches M1 to M3 are turned on and conductive,
The D electrodes of all the photoelectric conversion elements S11 to S33 become the GND potential (because the input terminal of the integration detector Amp is virtually grounded). At the same time, the refresh control circuit RF outputs Hi, the switch SWg is turned on, and all the photoelectric conversion elements S11 to S
The G electrode 33 has a positive potential by the refresh power supply Vg. Then, all the photoelectric conversion elements S11 to S33 enter the refresh mode and are refreshed. Next, the refresh control circuit RF outputs Lo, the switch SWs is turned on, and the G electrodes of all the photoelectric conversion elements S11 to S33 are set to a negative potential by the reading power supply Vs. Then, all photoelectric conversion elements S1
1 to S33 are in the photoelectric conversion mode and at the same time the capacitor C
11 to C33 are initialized. In this state, the control wirings g1 to g3, s1 are controlled by the shift registers SR1 and SR2.
Lo is applied to s3. Then transfer TFT T1
1 to T33 and the switches M1 to M3 are turned off, and the D electrodes of all the photoelectric conversion elements S11 to S33 are open in terms of DC, but the potentials are held by the capacitors C11 to C13. However, since X-rays are not incident at this time, no light is incident on all the photoelectric conversion elements S11 to S33 and no photocurrent flows. This completes the refresh operation.
【０１４３】この初期条件でＸ線が出射され被写体を通
過し蛍光体に入射すると光に変換され、その光がそれぞ
れの光電変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に入射する。Under this initial condition, when X-rays are emitted, pass through the subject and enter the phosphor, they are converted into light, and the light enters the photoelectric conversion elements S11 to S33.
【０１４４】ある一定量この光により流れた光電流は電
荷としてそれぞれのコンデンサＣ１１〜Ｃ３３に蓄積さ
れＸ線の入射終了後も保持される。つぎに二次元エリア
センサは読み出し動作をする。シフトレジスタＳＲ１に
より制御配線ｇ１にＨｉの制御パルスが印可され、シフ
トレジスタＳＲ２の制御配線ｓ１〜ｓ３への制御パルス
印可によって転送用ＴＦＴ・Ｔ１１〜Ｔ１３、スイッチ
Ｍ１〜Ｍ３を通してｖ１〜ｖ３が順次出力される。同様
にシフトレジスタＳＲ１、ＳＲ２の制御により他の光信
号も出力される。これにより人体等の内部構造の二次元
情報がｖ１〜ｖ９として得られる。The photocurrent flowing by a certain fixed amount is accumulated in each of the capacitors C11 to C33 as an electric charge and is retained even after the completion of the X-ray incidence. Next, the two-dimensional area sensor performs a reading operation. A control pulse of Hi is applied to the control wiring g1 by the shift register SR1, and v1 to v3 are sequentially output through the transfer TFTs T11 to T13 and the switches M1 to M3 by applying the control pulse to the control wirings s1 to s3 of the shift register SR2. To be done. Similarly, other optical signals are output under the control of the shift registers SR1 and SR2. Thereby, two-dimensional information of the internal structure of the human body or the like is obtained as v1 to v9.
【０１４５】以上より、本発明によれば、ガラス基板上
に配置したメタルにより引き出し配線パッド部が構成さ
れる。As described above, according to the present invention, the extraction wiring pad portion is formed of the metal arranged on the glass substrate.
【０１４６】［第１０の実施形態］以下、本発明の第１
０の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。[Tenth Embodiment] The first embodiment of the present invention will be described below.
No. 0 embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
【０１４７】第１０の実施形態は撮像手段が蛍光体と二
次元エリアセンサの構成ではなく、Ｘ線を直接検知して
電荷を発生させる撮像手段の例である。The tenth embodiment is an example of an image pickup means which directly detects X-rays and generates electric charges, instead of the fluorescent body and the two-dimensional area sensor.
【０１４８】本実施形態においても医療用Ｘ線診断を目
的とする放射線撮像装置が構成されている。Also in this embodiment, a radiation imaging apparatus for the purpose of medical X-ray diagnosis is constructed.
【０１４９】図１２は、直接型の放射線撮像装置の１画
素の等価回路図である。ここでＳ11は放射線を電気信号
に変換するＧａＡｓセンサ素子であり、センサ素子で感
知した電気信号を蓄積する素子が蓄積容量Ｃ11である。
さらに蓄積容量Ｃ11から増幅するアンプ（Ａｍｐ）へ電
気信号を転送する素子がトランジスタＴ11である。FIG. 12 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the direct type radiation imaging device. Here, S 11 is a GaAs sensor element that converts radiation into an electric signal, and an element that stores the electric signal sensed by the sensor element is a storage capacitor C 11 .
Further, the element that transfers the electric signal from the storage capacitor C 11 to the amplifier (Amp) that amplifies is the transistor T 11 .
【０１５０】また、本放射線撮像装置は、センサ素子を
構成しているＧａＡｓ基板と蓄積容量Ｃ11及び転送用ト
ランジスタＴ11を構成するガラス基板を導電性接着剤で
接合する構成としている。そのため、ＧａＡｓ基板とガ
ラス基板との接合抵抗をｒ11としており、センサ素子Ｓ
11と接合抵抗をｒ11とを合わせてセンサ部Ｒ11として図
１２中で破線で示している。Further, this radiation imaging apparatus is constructed such that the GaAs substrate forming the sensor element and the glass substrate forming the storage capacitor C 11 and the transfer transistor T 11 are bonded with a conductive adhesive. Therefore, the junction resistance between the GaAs substrate and the glass substrate is set to r 11 , and the sensor element S
The junction resistance 11 and the junction resistance r 11 are indicated by a broken line in FIG. 12 as a sensor portion R 11 .
【０１５１】図１３は、図１２における放射線撮像装置
の画素部分の模式的断面図である。FIG. 13 is a schematic sectional view of a pixel portion of the radiation image pickup apparatus in FIG.
【０１５２】ここで、図１２において説明したそれぞれ
の素子は、センサ素子Ｓ11と接合抵抗をｒ11とを合わせ
たセンサ部Ｒ11とに相当するセンサ部と、蓄積容量Ｃ11
に相当する蓄積容量と、転送用トランジスタＴ11に相当
するトランジスタ５０３である。Here, each of the elements described in FIG. 12 includes a sensor section corresponding to the sensor section S 11 and a sensor section R 11 including a junction resistance r 11 , and a storage capacitor C 11.
And a storage capacitor corresponding to the transistor and a transistor 503 corresponding to the transfer transistor T 11 .
【０１５３】また、ＧａＡｓ基板２の共通電極５０５
と、ＧａＡｓセンサ素子によって変換された電気信号を
収集する電荷収集電極５０６と、ＧａＡｓ基板５０２と
ガラス基板５１５とを電気的に接続する導電性接着剤５
０７、蓄積容量からの電気信号の読み出しを制御するト
ランジスタ５０３に接続されている接合電極５０８が示
されている。Further, the common electrode 505 of the GaAs substrate 2
And a charge collecting electrode 506 for collecting the electric signal converted by the GaAs sensor element, and a conductive adhesive 5 for electrically connecting the GaAs substrate 502 and the glass substrate 515.
07, the junction electrode 508 connected to the transistor 503 controlling the reading of the electrical signal from the storage capacitor is shown.
【０１５４】また、ガラス基板５１５に形成された、蓄
積容量及びトランジスタ５０３の層構成は、第１層のメ
タル層が５０４であり、その上に堆積される絶縁層が５
２０であり、更にその上に真性半導体層５３０が堆積さ
れている。The layer structure of the storage capacitor and the transistor 503 formed on the glass substrate 515 is such that the first metal layer is 504 and the insulating layer deposited on the metal layer is 5 layers.
20 and an intrinsic semiconductor layer 530 is further deposited thereon.
【０１５５】図１４は、我々が以前提案した直接型の放
射線撮像装置の別の例である。以下にその説明を行う。FIG. 14 shows another example of the direct type radiation imaging apparatus that we have previously proposed. The description will be given below.
【０１５６】図１４は、直接型の放射線撮像装置の概略
の等価回路図である。FIG. 14 is a schematic equivalent circuit diagram of a direct type radiation imaging apparatus.
【０１５７】装置は、２０００個×２０００個の画素を
有し、２０００個×２０００個のセンサ素子と２０００
個×２０００個の転送回路（薄膜トランジスタ：ＴＦ
Ｔ）を有する。The device has 2000 × 2000 pixels, and has 2000 × 2000 sensor elements and 2000 pixels.
X 2000 transfer circuits (thin film transistor: TF
T).
【０１５８】更に、ＴＦＴに接続されたＴＦＴを駆動す
るための垂直駆動回路７０４と、ＴＦＴから出力された
信号を読み取る為の読み取り回路７００からなるＸ線２
次元センサおよび、電源７０３と、Ｘ線２次元センサの
制御および、Ｘ線２次元センサから出力された信号を受
け取り２次元画像として表示と保存と画像の補正、およ
びＸ線２次元センサの制御を司るコンピュータ７０５か
らなっている。Further, the X-ray 2 is composed of a vertical drive circuit 704 for driving the TFT connected to the TFT and a reading circuit 700 for reading the signal output from the TFT.
Control of the two-dimensional sensor and power source 703, the X-ray two-dimensional sensor, receiving and outputting the signal output from the X-ray two-dimensional sensor, displaying and storing as a two-dimensional image, correcting the image, and controlling the X-ray two-dimensional sensor. It is composed of a computer 705.
【０１５９】２次元のＸ線画像を得るには、１本のゲー
ト線に＋１５Ｖの電圧を印加し、ゲート線に接続されて
いるＴＦＴをＯＮにし、センサ素子からコンデンサに蓄
積された電気信号を、信号転送線（Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ２
０００）を介し、読み取り回路のサンプルホールド回路
７０２に転送する。信号の転送は一定時間ＴＦＴをＯＮ
状態にした後、ゲート線に−５Ｖを印加してＴＦＴをＯ
ＦＦして終了する。In order to obtain a two-dimensional X-ray image, a voltage of +15 V is applied to one gate line, the TFT connected to the gate line is turned on, and the electric signal stored in the capacitor is transferred from the sensor element. , Signal transfer lines (Sig1 to Sig2
000) to the sample hold circuit 702 of the reading circuit. For signal transfer, turn on the TFT for a fixed time
Then, apply -5V to the gate line to turn on the TFT.
FF and end.
【０１６０】更に、サンプルホールド回路から、マルチ
プレクサーによって、信号は順次転送される。この動作
を順次繰り返すことで、Ｘ線２次元画像を得ることがで
きる。Further, the signals are sequentially transferred from the sample hold circuit by the multiplexer. An X-ray two-dimensional image can be obtained by sequentially repeating this operation.
【０１６１】この例においても、電気信号を蓄積するコ
ンデンサはＭＩＳ型であり、一定電位電極は、接地され
ているのでデプレッション（空乏）状態で常に使用する
ことになる。Also in this example, the capacitor for accumulating the electric signal is of the MIS type and the constant potential electrode is grounded, so that it is always used in the depletion state.
【０１６２】図１５は、我々が以前提案した直接型の放
射線撮像装置の更なる別の例である。以下にその説明を
行う。FIG. 15 shows still another example of the direct type radiation imaging apparatus that we have previously proposed. The description will be given below.
【０１６３】図１５は、直接型の放射線撮像装置の２画
素分の断面図であり、センサ素子及び蓄積用コンデンサ
及びＴＦＴの層構成を示す。FIG. 15 is a cross-sectional view of two pixels of a direct type radiation imaging device, showing a layer structure of a sensor element, a storage capacitor and a TFT.
【０１６４】図１５のセンサ素子は、半導体であるシリ
コン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）や、ガリウム
リン（ＧａＰ）等が適応できるが、ここでは、ＧａＡｓ
を用いて説明する。The sensor element shown in FIG. 15 is applicable to semiconductors such as silicon (Si), gallium arsenide (GaAs), and gallium phosphide (GaP).
Will be explained.
【０１６５】センサ素子はＧａＡｓウェハーを用いて、
まず、上から保護層２００、アルミニウム（Ａｌ）など
の金属材料によって形成された上部電極層２０１、Ｇａ
Ａｓ基板と前記上部基板をオーミックコンタクトを取る
ためのｐ＋型ＧａＡｓ層２０３、光電効果によりキャリ
アを発生する光電変換層２０４、ｎ型ＧａＡｓ層２０５
と、下部接続電極とオーミックコンタクトを取るための
ｎ＋型ＧａＡｓ層２０６、及び、アルミニウムなどの金
属電極で形成される下部接続電極２０７からなるＰＩＮ
型ダイオードになっている。The GaAs wafer is used as the sensor element,
First, the protective layer 200, the upper electrode layer 201 formed of a metal material such as aluminum (Al), and Ga from above.
P + type GaAs layer 203 for making ohmic contact between the As substrate and the upper substrate, photoelectric conversion layer 204 for generating carriers by photoelectric effect, n type GaAs layer 205
And a n + type GaAs layer 206 for making ohmic contact with the lower connection electrode, and a lower connection electrode 207 formed of a metal electrode such as aluminum.
Type diode.
【０１６６】まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板または、低ド
ーピングのｐ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＧａＡｓ層３００
０Å、ｎ＋型ＧａＡｓ層を１０００Å、分子線エピタキ
シー法（ＭＢＥ法）や液相エピタキシー法（ＬＰＥ法）
などで順次堆積する、その後、リソグラフィーによりパ
ターニングし各電極に対応した形状にエッチングする。
さらに、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を化学気相体積法
（ＣＶＤ法）で１μｍ堆積し表面を保護する。次に、基
板の反対面にｐ型ＧａＡｓ層を分子線エピタキシー法
（ＭＢＥ法）や液相エピタキシー法（ＬＰＥ法）で３０
００Å、アルミニウムなどの金属層を１μｍ、スパッタ
で順次堆積する。ｎ型ＧａＡｓ層を堆積した側のシリコ
ン窒化膜をエッチングにより開口し下部接続電極となる
アルミニウムなど金属層をスパッタなどで１μｍ堆積す
る。さらに、リソグラフィーによりパターニング後、不
要部分をエッチングし電極を形成する。First, the n-type GaAs layer 300 is formed on a semi-insulating GaAs substrate or a low-doped p-type GaAs substrate.
0Å, n + type GaAs layer is 1000Å, molecular beam epitaxy method (MBE method) or liquid phase epitaxy method (LPE method)
Etc., and then patterned by lithography and etched into a shape corresponding to each electrode.
Further, a silicon nitride film (SiNx) is deposited to a thickness of 1 μm by a chemical vapor deposition method (CVD method) to protect the surface. Next, a p-type GaAs layer is formed on the opposite surface of the substrate by a molecular beam epitaxy method (MBE method) or a liquid phase epitaxy method (LPE method) 30.
A metal layer such as 00Å and aluminum having a thickness of 1 μm is sequentially deposited by sputtering. The silicon nitride film on the side where the n-type GaAs layer is deposited is opened by etching, and a metal layer such as aluminum to be the lower connection electrode is deposited by 1 μm by sputtering or the like. Further, after patterning by lithography, unnecessary portions are etched to form electrodes.
【０１６７】下側の電気回路基板は、少なくとも表面が
絶縁である基板２１０上に、蓄積用コンデンサ及び、ス
イッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、
信号を転送するための配線等からなっている。層構成は
それぞれ、絶縁基板上にクロム（Ｃｒ）などからなる蓄
積用コンデンサの下部電極２１１とＴＦＴのゲート電極
２１６、絶縁層であるアモルファス窒化シリコン（ａ−
ＳｉＮｘ）層２１２，２１７，ＴＦＴのチャネル層や蓄
積用コンデンサの誘電体層となる水素化アモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層２１３、２１８、上部電極の
オーミックコンタクトを取るためのｎ＋型ａ−Ｓｉ：Ｈ
層２１４，２１９、蓄積用コンデンサの上部電極及びＴ
ＦＴのソース電極及びドレイン電極となるＡｌなどの金
属からなる電極層２１５，２２０、及び、保護層となる
ａ−ＳｉＮｘ層２２１、光電変換層と接続のための上部
接続電極層２２２からなっている。上部接続電極層は、
コンタクトホールを介して蓄積用コンデンサの下部電極
と接続される。The lower electric circuit board has a storage capacitor and a thin film transistor (TFT), which is a switching element, on a substrate 210 having an insulating surface.
It consists of wiring for transferring signals. The layer structure is such that the lower electrode 211 of the storage capacitor made of chromium (Cr) or the like, the gate electrode 216 of the TFT, and the amorphous silicon nitride (a-
SiNx) layers 212 and 217, hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) layers 213 and 218 which become the channel layers of TFTs and dielectric layers of storage capacitors, and n + type a- for making ohmic contact with the upper electrode. Si: H
Layers 214 and 219, top electrode of storage capacitor and T
The FT includes source and drain electrode layers 215 and 220 made of a metal such as Al, an a-SiNx layer 221 serving as a protective layer, and an upper connection electrode layer 222 for connection with a photoelectric conversion layer. . The upper connection electrode layer is
It is connected to the lower electrode of the storage capacitor through the contact hole.
【０１６８】少なくとも表面が絶縁である基板上に、Ｃ
ｒ等の金属をスッパターにより１０００Å形成する、リ
ソグラフィーでパターニングした後、エッチングし、蓄
積用コンデンサの下部電極とＴＦＴのゲート電極に分離
する。次に、絶縁層となるａ−ＳｉＮｘ層３０００Å，
ａ−Ｓｉ：Ｈ層３０００Å、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層７５０
Å順次ＣＶＤ法で堆積する。リソグラフィーでパターニ
ングした後、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）
でエッチングし、蓄積用コンデンサとＴＦＴに分離し、
さらにＴＦＴと蓄積用コンデンサを接続するためのコン
タクトホールをＲＩＥで形成する。At least on the surface of the substrate which is insulating, C
A metal such as r is formed by a sputter to a thickness of 1000 Å. After patterning by lithography, etching is performed to separate the lower electrode of the storage capacitor and the gate electrode of the TFT. Next, the a-SiNx layer 3000Å which becomes an insulating layer,
a-Si: H layer 3000Å, n-type a-Si: H layer 750
Å It is sequentially deposited by the CVD method. After patterning by lithography, reactive ion etching (RIE)
Etching with, separate into storage capacitor and TFT,
Further, a contact hole for connecting the TFT and the storage capacitor is formed by RIE.
【０１６９】Ａｌをスパッターで１μｍ堆積しリソグラ
フィーでパターニングした後、エッチングし、ＴＦＴの
ソース電極、ドレイン電極、蓄積用コンデンサの上部電
極及び信号転送配線に分離する。Al is deposited by sputtering to a thickness of 1 μm, patterned by lithography, and then etched to separate the source electrode and drain electrode of the TFT, the upper electrode of the storage capacitor and the signal transfer wiring.
【０１７０】保護層となるａ−ＳｉＮｘをＣＶＤ法で堆
積しＲＩＥをもちいて、下部電極と上部接続電極とを繋
ぐためのコンタクトホールを、ＲＩＥを用いて形成す
る。さらに、上部接続電極となる、Ａｌなどの金属層を
スッパターなどで体積しリソグラフィーでパターニング
したのち、ＲＩＥで不要な部分をエッチングし上部接続
電極層を形成する。A-SiNx to be a protective layer is deposited by the CVD method and RIE is used to form a contact hole for connecting the lower electrode and the upper connection electrode by RIE. Further, a metal layer such as Al, which will be the upper connection electrode, is deposited by a sputter or the like and patterned by lithography, and then unnecessary portions are etched by RIE to form an upper connection electrode layer.
【０１７１】図１５では，２画素分のみ図示している
が、実際には多数の画素が同時に形成されることは言う
までもない。また、各層の厚さは、これに限らず最適な
膜厚を用いる。Although only two pixels are shown in FIG. 15, it goes without saying that a large number of pixels are actually formed at the same time. Further, the thickness of each layer is not limited to this, and an optimum film thickness is used.
【０１７２】センサ素子とＴＦＴの接続方法は、センサ
素子にバンプ２０８を形成し、異方導電接着剤で両者を
電気的に接続する。バンプはセンサ素子に金（Ａｕ）１
μｍ、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）からなるバ
リアメタルを形成した後、１５μｍ高さのＡｕのバンプ
を形成する。As for the method of connecting the sensor element and the TFT, the bump 208 is formed on the sensor element and the both are electrically connected by the anisotropic conductive adhesive. Bump is gold (Au) 1 for sensor element
After forming a barrier metal composed of μm, palladium (Pd), and titanium (Ti), bumps of Au with a height of 15 μm are formed.
【０１７３】図１６にＧａＡｓ基板のセンサ素子を、図
１７に下側の電気回路基板のそれぞれ両者の接続側から
見た模式図をしめす。FIG. 16 shows a schematic view of the sensor element on the GaAs substrate, and FIG. 17 shows a schematic view of the lower electric circuit substrate as seen from the connection side of both.
【０１７４】図１６のように、センサ素子のキャリア供
給電極はすだれ状になっておりすべて同電位を与えられ
るようになっている。電圧は、３１０を介してＴＦＴか
ら供給される。As shown in FIG. 16, the carrier supply electrodes of the sensor element are shaped like a comb so that they can all be supplied with the same potential. The voltage is supplied from the TFT via 310.
【０１７５】下側の電気回路基板は、ＴＦＴ４０７、蓄
積用コンデンサ４０８からなる画素とＴＦＴのゲート電
極にバイアスを供給するゲートバイアス線（４００〜４
０２）、ＴＦＴから出力された電気信号を読み出し回路
へ転送するための信号転送線（４０３〜４０５）、蓄積
用コンデンサの上部電極と接続され電位を固定するため
の電極４０６と、センサ素子と接続され、キャリア供給
電極に電圧を与える電極などで構成される。The lower electric circuit substrate is a gate bias line (400 to 4) for supplying a bias to the pixel composed of the TFT 407 and the storage capacitor 408 and the gate electrode of the TFT.
02), a signal transfer line (403 to 405) for transferring the electric signal output from the TFT to the readout circuit, an electrode 406 connected to the upper electrode of the storage capacitor and fixing the potential, and connected to the sensor element. The carrier supply electrode is provided with an electrode and the like.
【０１７６】電極４０６、ゲート電極（４００〜４０
２）は蓄積用コンデンサの下部電極と同じ材料で、信号
転送線は、蓄積用コンデンサの上部電極と同じ材料で形
成され、それぞれ、下部電極及び上部電極の形成時に作
られる。Electrode 406, gate electrode (400-40
2) is formed of the same material as the lower electrode of the storage capacitor, and the signal transfer line is formed of the same material as the upper electrode of the storage capacitor, and is formed when the lower electrode and the upper electrode are formed, respectively.
【０１７７】図１６及び図１７において、３×３画素の
例を示したが、実際の画素数はこれに限らない。また、
ＴＦＴからキャリア供給電極へ電圧を供給する方法を示
したが、本例はこれに限らず、何らかの方法でセンサ素
子から直接、電源へ接続する方法でもかまわないという
ことは、言うまでも無い。16 and 17, an example of 3 × 3 pixels is shown, but the actual number of pixels is not limited to this. Also,
Although the method of supplying a voltage from the TFT to the carrier supply electrode has been shown, it goes without saying that the present embodiment is not limited to this, and a method of directly connecting the sensor element to the power supply by any method may be used.
【０１７８】以上より、本発明によれば、第９の実施形
態と同様に基板上に配置したメタルにより引き出し配線
パッド部が構成される。As described above, according to the present invention, the lead-out wiring pad portion is formed of the metal arranged on the substrate as in the ninth embodiment.
【０１７９】[0179]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光電変換基板の検査を行う場合にプローブの先端を接触
させる部分とＴＡＢやフレキシブル基板などのフィルム
状プリント配線基板を、異方性導電膜を介して電気的に
接続する、もしくは、ワイヤーボンディングにより電気
的に接続する部分を共通のメタル部で用いないことによ
り、ＴＡＢやフレキシブル基板などのフィルム状プリン
ト配線基板を、異方性導電膜を介して電気的に接続す
る、もしくは、ワイヤーボンディングにより電気的に接
続する方法における耐久的な信頼性を向上させることが
可能となる。As described above, according to the present invention,
When inspecting the photoelectric conversion board, the part where the tip of the probe comes into contact and the film-like printed wiring board such as TAB or flexible board are electrically connected via an anisotropic conductive film, or electrically connected by wire bonding. By not using the part to be electrically connected in the common metal part, the film-like printed wiring board such as TAB or flexible board is electrically connected through the anisotropic conductive film, or is electrically connected by wire bonding. It is possible to improve the durable reliability of the method of connecting to.
【０１８０】更に、本発明によれば、光電変換基板の大
きさが大きくなり、配線引出しパッドの数が増加した場
合においても、プローブ検査用パッド部の中心位置の配
置ピッチと配置ピッチ方向のパッド幅のどちらか又は、
両方を異ならせることにより、光電変換基板の全プロー
ブ一括による検査の精度は低下させず、検査を行うこと
が可能となり、これによって、光電変換基板の検査にお
けるコストの低減、及び検査装置作製におけるコストの
低減が可能となる。Further, according to the present invention, even when the size of the photoelectric conversion substrate is increased and the number of wiring lead-out pads is increased, the arrangement pitch of the center positions of the probe inspection pad portions and the pads in the arrangement pitch direction are also increased. Either width or
By making both different, it is possible to perform the inspection without degrading the accuracy of the inspection of the photoelectric conversion substrate by all the probes at once, thereby reducing the cost of the inspection of the photoelectric conversion substrate and the cost of manufacturing the inspection device. Can be reduced.
【０１８１】また、本発明によれば、光電変換基板の大
きさが大きくなり、配線引出しパッドの数が増加した場
合においても、プローブ検査用パッド部を動作確認検査
終了後、切り取ることにより、撮像装置の小型化と撮像
装置のコストの低減が可能となる。Further, according to the present invention, even when the size of the photoelectric conversion substrate is increased and the number of wiring lead-out pads is increased, the probe inspection pad portion is cut off after completion of the operation confirmation inspection. It is possible to downsize the device and reduce the cost of the imaging device.
【図１】本発明の第１の実施形態である撮像装置の配線
引出しパッド部の平面的なパターンの説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a planar pattern of a wiring lead-out pad portion of an image pickup device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施形態である撮像装置の配線
引出しパッド部の平面的なパターンの説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a planar pattern of a wiring lead-out pad portion of an image pickup device according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施形態である撮像装置の配線
引出しパッド部の平面的なパターンの説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a planar pattern of a wiring lead-out pad portion of an image pickup device according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４の実施形態である撮像装置の配線
引出しパッド部の平面的なパターンの説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a planar pattern of a wiring lead-out pad portion of an image pickup device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第５の実施形態である撮像装置の配線
引出しパッド部の平面的なパターンの説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a planar pattern of a wiring lead-out pad portion of an image pickup device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第６の実施形態である撮像装置の配線
引出しパッド部の平面的なパターンの説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a planar pattern of a wiring lead-out pad portion of an image pickup device according to a sixth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第７の実施形態である撮像装置の配線
引出しパッド部の平面的なパターンの説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a planar pattern of a wiring lead-out pad portion of an image pickup device according to a seventh embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第８の実施形態である撮像装置の配線
引出しパッド部の平面的なパターンの説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a planar pattern of a wiring lead-out pad portion of an image pickup device according to an eighth embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第９の実施形態に係る二次元エリアセ
ンサの構成を示す全体回路図である。FIG. 9 is an overall circuit diagram showing a configuration of a two-dimensional area sensor according to a ninth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第９の実施形態に係る二次元エリア
センサ中の１画素に相当する各構成素子の平面図
（ａ）、および断面図（ｂ）である。FIG. 10 is a plan view (a) and a sectional view (b) of each constituent element corresponding to one pixel in a two-dimensional area sensor according to a ninth embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第９の実施形態に係る動作を示すタ
イミングチャートである。FIG. 11 is a timing chart showing an operation according to the ninth embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第１０の実施形態に係る撮像装置の
１画素を示す等価回路図である。FIG. 12 is an equivalent circuit diagram showing one pixel of an image pickup device according to a tenth embodiment of the present invention.
【図１３】図１２の断面図である。13 is a cross-sectional view of FIG.
【図１４】本発明の第１０の実施形態に関わる撮像装置
を示す等価回路図である。FIG. 14 is an equivalent circuit diagram showing an imaging device according to a tenth embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の第１０の実施形態に係る撮像装置を
示す断面図である。FIG. 15 is a sectional view showing an imaging device according to a tenth embodiment of the present invention.
【図１６】本発明の第１０の実施形態に係る撮像装置に
おけるＧａＡｓ基板のセンサ素子を、接続側から見た模
式図である。FIG. 16 is a schematic view of a sensor element on a GaAs substrate in an imaging device according to a tenth embodiment of the present invention, as viewed from the connection side.
【図１７】本発明の第１０の実施形態に係る撮像装置に
おける、下側の電気回路基板を接続側から見た模式図で
ある。FIG. 17 is a schematic view of the lower electric circuit board of the imaging device according to the tenth embodiment of the present invention as viewed from the connection side.
【図１８】以前我々が提案した二次元エリアセンサの構
成を示す全体回路図である。FIG. 18 is an overall circuit diagram showing a configuration of a two-dimensional area sensor previously proposed by us.
【図１９】以前我々が提案した二次元エリアセンサの動
作を示すタイミングチャートである。FIG. 19 is a timing chart showing the operation of the two-dimensional area sensor previously proposed by us.
【図２０】光電変換素子を用いた二次元画像読み取り装
置の模式的構成図である。FIG. 20 is a schematic configuration diagram of a two-dimensional image reading device using a photoelectric conversion element.
【図２１】図２０のＡ−Ａ’断面図である。21 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.
【図２２】図２０のＢ−Ｂ’断面図である。22 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ of FIG. 20.
【図２３】従来例である撮像装置の光電変換基板を、検
査装置の一部である複数のプローブで一度に検査を行う
方法を説明する模式図である。FIG. 23 is a schematic diagram illustrating a method of inspecting a photoelectric conversion substrate of an image pickup apparatus which is a conventional example at once with a plurality of probes that are part of the inspection apparatus.
【図２４】従来例である撮像装置の配線引出しパッド部
の平面的なパターンの説明図である。FIG. 24 is an explanatory diagram of a planar pattern of a wiring lead-out pad portion of an image pickup device which is a conventional example.
５０２，２０４ ＧａＡｓ基板
５１５，２１０ ガラス基板
５０３，Ｔ11 トランジスタ
Ｃ11,Ｃ100 蓄積容量
５０５ ＧａＡｓ基板の共通電極
５０６ ＧａＡｓ基板の電荷収集電極
５０７，ｒ11 ＧａＡｓ基板とガラス基板とを電気的接
続を行う導電性接着剤（接合抵抗）
５０８ トランジスタ及び蓄積容量に接続されている接
合電極
Ｓ11 ＧａＡｓセンサ素子
Ｒ11 ＧａＡｓセンサ部
ｇ１〜２０００ 制御線
ｓｉｇ１〜２０００ 読み出し信号線502,204 GaAs substrate 515,210 Glass substrate 503, T 11 transistor C 11, C 100 Storage capacitor 505 GaAs substrate common electrode 506 GaAs substrate charge collection electrode 507, r 11 GaAs substrate and glass substrate electrically connected conductive adhesive (junction resistance) 508 transistors and junction is connected to the storage capacitor electrode S 11 GaAs sensor element R 11 GaAs sensor unit g1~2000 control line sig1~2000 read signal line to perform
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/146 Ｈ０４Ｎ 17/00 Ｋ Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｄ 17/00 Ｋ Ｚ Ｃ Ｆターム(参考） 4C093 AA01 CA32 CA35 EB12 EB13 EB17 EB20 GA10 4M118 AA10 AB01 BA05 BA19 CA03 CA05 CB01 CB02 CB11 FB09 FB16 FB19 GA10 HA27 HA30 HA31 HA32 5C024 AX01 AX16 CY44 EX25 5C061 BB01 CC01 5F044 KK06 KK12 LL09 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 27/146 H04N 17/00 K H04N 5/32 H01L 27/14 D 17/00 K Z C F term ( Reference) 4C093 AA01 CA32 CA35 EB12 EB13 EB17 EB20 GA10 4M118 AA10 AB01 BA05 BA19 CA03 CA05 CB01 CB02 CB11 FB09 FB16 FB19 GA10 HA27 HA30 HA31 HA32 5C024 AX01 AX16 CY44 EX25 5C061 BB01 CK01 5KK
Claims (12)
する電荷を発生する複数の光感知又は放射線感知センサ
を含む撮像手段を有する撮像装置の検査方法において、 複数の引出し配線部を用いてＴＡＢ接続又はワイヤーボ
ンディングにより外部回路と電気接続を行う光電変換基
板又は放射線読み取り基板を用い、 前記引出し配線部における電気接続用の位置と、前記基
板の動作確認検査を複数の検査プローブを用いて行う、
プローブ検査用の位置は別の位置であることを特徴とす
る光感知又は放射線感知センサを含む撮像装置の検査方
法。1. A method for inspecting an image pickup apparatus having an image pickup means including a plurality of photo-sensing or radiation-sensing sensors, which are arranged two-dimensionally and generate charges depending on an incident amount of irradiation, wherein a plurality of lead wiring portions are used. Using a photoelectric conversion substrate or a radiation reading substrate that electrically connects to an external circuit by TAB connection or wire bonding, and a position for electrical connection in the lead-out wiring portion and an operation confirmation inspection of the substrate using a plurality of inspection probes. Do,
A method for inspecting an imaging device including a light-sensing or radiation-sensing sensor, wherein a position for probe inspection is another position.
用の位置と、前記基板の動作確認検査を複数の検査プロ
ーブを用いて行う、前記プローブ検査用の位置の配置ピ
ッチ方向のメタル幅が異なることを特徴とする請求項１
記載の撮像装置の検査方法。2. The metal width in the arrangement pitch direction of the position for electrical connection in the lead-out wiring portion and the position for probe inspection in which the operation confirmation inspection of the substrate is performed using a plurality of inspection probes. Claim 1 characterized by the above-mentioned.
A method for inspecting an image pickup device as described.
用の位置と、前記基板の動作確認検査を複数の検査プロ
ーブを用いて行う、前記プローブ検査用の位置の中心位
置の配置ピッチが異なることを特徴とする請求項１記載
の撮像装置の検査方法。3. The arrangement pitch of the center position of the probe inspection position where the operation confirmation inspection of the substrate is performed using a plurality of inspection probes in the lead wiring portion and the electrical connection position is different. The method for inspecting an image pickup device according to claim 1, wherein
用の位置と、前記基板の動作確認検査を複数の検査プロ
ーブを用いて行う、前記プローブ検査用の位置の中心位
置の配置ピッチと配置ピッチ方向のメタル幅の両方が異
なることを特徴とする請求項１記載の撮像装置の検査方
法。4. An arrangement pitch and an arrangement pitch direction of a center position of the position for electrical connection in the lead-out wiring portion and an operation confirmation inspection of the substrate are performed using a plurality of inspection probes. 2. The method for inspecting an image pickup device according to claim 1, wherein both of the metal widths are different.
確認検査終了後、切り取られることを特徴とする請求項
１〜４のいずれか１項記載の撮像装置の検査方法。5. The method for inspecting an image pickup device according to claim 1, wherein the probe inspection position is cut off after the operation confirmation inspection is completed.
のキャリアの注入を阻止する半導体層及び第二の電極層
を積層した光電変換素子と、 前記光電変換半導体層に入射した信号光により発生した
第１導電型のキャリアを前記光電変換半導体層に留まら
せ、前記第１導電型と異なる第２導電型のキャリアを前
記第二の電極層に導く方向に前記光電変換素子に電界を
与える光電変換手段と、 前記光電変換素子に電界を与えて、前記第１導電型のキ
ャリアを前記光電変換半導体層から前記第二の電極層に
導く方向に前記光電変換素子に電界を与えるリフレッシ
ュ手段と、 前記光電変換手段による光電変換動作中に前記光電変換
半導体層に蓄積された前記第１導電型のキャリアもしく
は前記第二の電極層に導かれた前記第２導電型のキャリ
アを検出する為の信号検出部、 を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項
記載の撮像装置の検査方法。6. A photoelectric conversion substrate in which a first electrode layer, an insulating layer, a photoelectric conversion semiconductor layer, a semiconductor layer for preventing injection of carriers of the first conductivity type, and a second electrode layer are stacked on the photoelectric conversion substrate. The conversion element and the carrier of the first conductivity type generated by the signal light incident on the photoelectric conversion semiconductor layer are retained in the photoelectric conversion semiconductor layer, and the carrier of the second conductivity type different from the first conductivity type is used as the second carrier. A photoelectric conversion means for applying an electric field to the photoelectric conversion element in a direction leading to the electrode layer, and an electric field for the photoelectric conversion element to transfer the first conductivity type carriers from the photoelectric conversion semiconductor layer to the second electrode layer. Refreshing means for applying an electric field to the photoelectric conversion element in a direction leading to the photoelectric conversion element, and the first conductivity type carrier or the second electrode layer accumulated in the photoelectric conversion semiconductor layer during the photoelectric conversion operation by the photoelectric conversion means. Inspection method of an imaging apparatus according to any one of claims 1-5, characterized in that it comprises a signal detection unit, for detecting the second conductivity type carrier guided.
する電荷を発生する複数の光感知又は放射線感知センサ
を含む撮像手段を有する撮像装置において、 複数の引出し配線部を用いてＴＡＢ接続又はワイヤーボ
ンディングにより外部回路と電気接続を行う光電変換基
板又は放射線読み取り基板を用い、 前記引出し配線部における、各引出し配線には、島状の
メタル部が複数存在することを特徴とする光感知又は放
射線感知センサを含む撮像装置。7. An TAB connection using a plurality of lead wiring portions in an image pickup device having an image pickup means including a plurality of photo-sensing or radiation-sensing sensors that generate charges depending on an incident amount of irradiation, which are arranged two-dimensionally. Alternatively, a photoelectric conversion substrate or a radiation reading substrate that is electrically connected to an external circuit by wire bonding is used, and each lead-out wiring in the lead-out wiring section has a plurality of island-shaped metal portions for optical sensing or An imaging device including a radiation sensitive sensor.
用の島状のメタル部と、前記基板の動作確認検査を複数
の検査プロープを用いて行う、前記プローブ検査用の島
状のメタル部の配置ピッチ方向のパッド幅が異なること
を特徴とする請求項７記載の撮像装置。8. An arrangement of the island-shaped metal portion for the electrical connection in the lead-out wiring portion and the island-shaped metal portion for the probe inspection, in which an operation confirmation inspection of the substrate is performed using a plurality of inspection probes. The image pickup device according to claim 7, wherein the pad widths in the pitch direction are different.
用の島状のメタル部と、前記基板の動作確認検査を複数
の検査プローブを用いて行う、前記プローブ検査用の島
状のメタル部の中心位置の配置ピッチが異なることを特
徴とする請求項７記載の撮像装置。9. The center of the island-shaped metal portion for electrical connection in the lead-out wiring portion and the island-shaped metal portion for probe inspection, in which an operation confirmation inspection of the substrate is performed using a plurality of inspection probes. The image pickup apparatus according to claim 7, wherein the arrangement pitch of the positions is different.
続用の島咋のメタル部と、前記基板の動作確認検査を複
数の検査プローブを用いて行う、前記プローブ検査用の
島状のメタル部の中心位置の配置ピッチと配置ピッチ方
向のパッド幅の両方が異なることを特徴とする請求項７
記載の撮像装置。10. The center of the island-shaped metal portion for probe inspection, in which the operation confirmation inspection of the substrate and the metal portion of the island for electrical connection in the lead-out wiring portion is performed using a plurality of inspection probes. 8. The position arrangement pitch and the pad width in the arrangement pitch direction are both different.
The imaging device described.
は、前記動作確認検査終了後、切り取られることを特徴
とする請求項７〜１０のいずれか１項記載の撮像装置。11. The image pickup device according to claim 7, wherein the island-shaped metal portion for probe inspection is cut off after the operation confirmation inspection is completed.
のキャリアの注入を阻止する半導体層、及び第二の電極
層を積層した光電変換素子と、 前記光電変換半導体層に入射した信号光により発生した
第１導電型のキヤリアを前記光電変換半導体層に留まら
せ、前記第１導電型と異なる第２導電型のキヤリアを前
記第二の電極層に導く方向に前記光電変換素子に電界を
与える光電変換手段と、 前記光電変換素子に電界を与えて、前記第１導電型のキ
ャリアを前記光電変換半導体層から前記第二の電極層に
導く方向に前記光電変換素子に電界を与えるリフレッシ
ュ手段と、 前記光電変換手段による光電変換動作中に前記光電変換
半導体層に蓄積された前記第１導電型のキャリアもしく
は前記第二の電極層に導かれた前記第２導電型のキャリ
アを検出する為の信号検出部、 を有することを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１
項記載の撮像装置。12. A first electrode layer, an insulating layer, a photoelectric conversion semiconductor layer, a semiconductor layer that blocks injection of carriers of the first conductivity type, and a second electrode layer are laminated on the photoelectric conversion substrate. A photoelectric conversion element and a carrier of the first conductivity type generated by signal light incident on the photoelectric conversion semiconductor layer are retained in the photoelectric conversion semiconductor layer, and a carrier of the second conductivity type different from the first conductivity type is included in the photoelectric conversion element. A photoelectric conversion means for applying an electric field to the photoelectric conversion element in a direction leading to the second electrode layer, and an electric field for the photoelectric conversion element to transfer the first conductivity type carrier from the photoelectric conversion semiconductor layer to the second electrode. Refreshing means for applying an electric field to the photoelectric conversion element in a direction leading to the layer, and carriers of the first conductivity type or the second charge accumulated in the photoelectric conversion semiconductor layer during a photoelectric conversion operation by the photoelectric conversion means. Claim 7-11, characterized in that it comprises a signal detection unit, for detecting the second conductivity type carrier guided in layer 1
The imaging device according to the item.
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| JP2002122372A JP2003319270A (en) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | Image pickup apparatus composed of light or radiation sensor and inspecting method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| JP2003319270A true JP2003319270A (en) | 2003-11-07 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2002
- 2002-04-24 JP JP2002122372A patent/JP2003319270A/en not_active Withdrawn
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