JP2003317958A - 有機ｅｌパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌパネル及びその製造方法Info
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクに起因するダストの混入を少なくす
る。 【解決手段】 画素電極５０の周辺を覆って、第２平坦
化膜（絶縁膜）６０を形成し、同一のマスクを使って、
正孔輸送層５２、有機発光層５４、電子輸送層５６を順
次形成する。特に、各層の蒸着の際の異方性を徐々に大
きくすることによって上層ほど小さくなり、下層の側面
に上層の一部がおりてくることがない。
る。 【解決手段】 画素電極５０の周辺を覆って、第２平坦
化膜（絶縁膜）６０を形成し、同一のマスクを使って、
正孔輸送層５２、有機発光層５４、電子輸送層５６を順
次形成する。特に、各層の蒸着の際の異方性を徐々に大
きくすることによって上層ほど小さくなり、下層の側面
に上層の一部がおりてくることがない。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１画素の表示領域
に対応する大きさの画素電極とこれに対向する対向電極
間に、少なくとも有機発光層、電子輸送層などを有する
有機ＥＬ素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネルおよ
びその製造方法に関する。
に対応する大きさの画素電極とこれに対向する対向電極
間に、少なくとも有機発光層、電子輸送層などを有する
有機ＥＬ素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネルおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フラットディスプレイパネル
の１つとして、有機ＥＬディスプレイパネルが知られて
いる。この有機ＥＬディスプレイパネルは、液晶ディス
プレイパネル（ＬＣＤ）とは異なり、自発光であり、明
るく見やすいフラットディスプレイパネルとしてその普
及が期待されている。
の１つとして、有機ＥＬディスプレイパネルが知られて
いる。この有機ＥＬディスプレイパネルは、液晶ディス
プレイパネル（ＬＣＤ）とは異なり、自発光であり、明
るく見やすいフラットディスプレイパネルとしてその普
及が期待されている。
【０００３】この有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ素
子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構
成される。有機ＥＬ素子は、ＩＴＯなどで構成された陽
極上に正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、アルミな
どの陰極を積層した構造を有している。
子を画素として、これを多数マトリクス状に配置して構
成される。有機ＥＬ素子は、ＩＴＯなどで構成された陽
極上に正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、アルミな
どの陰極を積層した構造を有している。
【０００４】ここで、陽極（画素電極）は、画素毎の表
示を制御するために、画素毎に独立して形成されている
が、他の層は、全面に形成される場合も多い。しかし、
高精細のパネルでは、隣接画素との距離が小さく、不要
な発光が生じる可能性が高い。このため、通常有機発光
層も画素毎に形成している。
示を制御するために、画素毎に独立して形成されている
が、他の層は、全面に形成される場合も多い。しかし、
高精細のパネルでは、隣接画素との距離が小さく、不要
な発光が生じる可能性が高い。このため、通常有機発光
層も画素毎に形成している。
【０００５】ここで、電子輸送層もＡｌｑ3などの発光
物質を含む場合が多く、画素毎にパターニングすること
が好ましい。そこで、電子輸送層もパターニングするこ
とが提案されている。
物質を含む場合が多く、画素毎にパターニングすること
が好ましい。そこで、電子輸送層もパターニングするこ
とが提案されている。
【０００６】この場合、有機発光層全体に電子を効果的
に供給するため、電子輸送層を有機発光層より大きく
し、全体をカバーしている。
に供給するため、電子輸送層を有機発光層より大きく
し、全体をカバーしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、有機発光層
や、電子輸送層等の有機層は、真空蒸着によって形成す
る。そこで、これをパターニングする場合には、有機層
を蒸着する所定の位置に開口部を有するマスクを利用す
る。そして、有機発光層と、電子輸送層とで、パターニ
ングを変更するには、それぞれの蒸着に別のマスクを利
用しなければならない。
や、電子輸送層等の有機層は、真空蒸着によって形成す
る。そこで、これをパターニングする場合には、有機層
を蒸着する所定の位置に開口部を有するマスクを利用す
る。そして、有機発光層と、電子輸送層とで、パターニ
ングを変更するには、それぞれの蒸着に別のマスクを利
用しなければならない。
【０００８】別のマスクを利用する場合には、マスクを
交換しなければならず、そのための作業が必要となる。
さらに、マスクはダストなどの発生源であり、異なるマ
スクを使用することでダスト混入の確率が高くなるとい
う問題があった。
交換しなければならず、そのための作業が必要となる。
さらに、マスクはダストなどの発生源であり、異なるマ
スクを使用することでダスト混入の確率が高くなるとい
う問題があった。
【０００９】一方、同一のマスクを用いて、有機発光層
および電子輸送層を形成することも考えられる。そこ
で、これについて試験をしてみたところ、エッジの位置
が同一になるため、有機発光層のエッジをカバーして電
子輸送層の薄い層が形成される。これにより、この部分
において、電子輸送層の電気的抵抗が小さくなり電流量
が大きくなり、電子輸送層が強く発光し、性能が劣化す
ることが分かった。
および電子輸送層を形成することも考えられる。そこ
で、これについて試験をしてみたところ、エッジの位置
が同一になるため、有機発光層のエッジをカバーして電
子輸送層の薄い層が形成される。これにより、この部分
において、電子輸送層の電気的抵抗が小さくなり電流量
が大きくなり、電子輸送層が強く発光し、性能が劣化す
ることが分かった。
【００１０】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、同一のマスクを利用して有機発光層および電子輸
送層を形成しつつ性能劣化のない有機ＥＬパネルに関す
る。
あり、同一のマスクを利用して有機発光層および電子輸
送層を形成しつつ性能劣化のない有機ＥＬパネルに関す
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、１画素の発光
領域に対応する大きさの画素電極とこれに対向する対向
電極間に、少なくとも有機発光層と電子輸送層を有する
有機ＥＬ素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネルであ
って、前記有機発光層および電子輸送層を画素電極に対
応して画素毎に設けるとともに、電子輸送層を有機発光
層より小さくし、電子輸送層の端部が有機発光層上にお
いて終端することを特徴とする。
領域に対応する大きさの画素電極とこれに対向する対向
電極間に、少なくとも有機発光層と電子輸送層を有する
有機ＥＬ素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネルであ
って、前記有機発光層および電子輸送層を画素電極に対
応して画素毎に設けるとともに、電子輸送層を有機発光
層より小さくし、電子輸送層の端部が有機発光層上にお
いて終端することを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、１画素の発光領域に対応
する大きさの画素電極とこれに対向する対向電極間に、
少なくとも正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層を
有する有機ＥＬ素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネ
ルであって、前記正孔輸送層、有機発光層および電子輸
送層を画素電極に対応して画素毎に設けるとともに、前
記正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層の大きさ
を、前記正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の順で順
次小さくし、有機発光層の端部が正孔輸送層上で終端
し、電子輸送層の端部が有機発光層上において終端する
ことを特徴とする。
する大きさの画素電極とこれに対向する対向電極間に、
少なくとも正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層を
有する有機ＥＬ素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネ
ルであって、前記正孔輸送層、有機発光層および電子輸
送層を画素電極に対応して画素毎に設けるとともに、前
記正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層の大きさ
を、前記正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の順で順
次小さくし、有機発光層の端部が正孔輸送層上で終端
し、電子輸送層の端部が有機発光層上において終端する
ことを特徴とする。
【００１３】また、本発明は、上記有機ＥＬパネルの製
造方法であり、特に前記正孔輸送層、有機発光層および
電子輸送層を同一のマスクを利用して形成するととも
に、蒸発物の蒸着時における異方性を変更して各膜の大
きさを制御することが好適である。
造方法であり、特に前記正孔輸送層、有機発光層および
電子輸送層を同一のマスクを利用して形成するととも
に、蒸発物の蒸着時における異方性を変更して各膜の大
きさを制御することが好適である。
【００１４】このように、本発明によれば、有機発光層
の上に積層する電子輸送層の大きさを有機発光層より若
干小さくした。これによって、両層を形成するのに同一
のマスクを使用することができ、各層蒸着の際にマスク
を交換する必要がない。これによって、作業が効率的に
なるとともに、ダスト混入の可能性を低減できる。ま
た、上層ほど小さくするため、下層の側面を上層の一部
が薄く覆うことがなく、発光への悪影響の発生を防止す
ることができる。
の上に積層する電子輸送層の大きさを有機発光層より若
干小さくした。これによって、両層を形成するのに同一
のマスクを使用することができ、各層蒸着の際にマスク
を交換する必要がない。これによって、作業が効率的に
なるとともに、ダスト混入の可能性を低減できる。ま
た、上層ほど小さくするため、下層の側面を上層の一部
が薄く覆うことがなく、発光への悪影響の発生を防止す
ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面に基づいて説明する。
て、図面に基づいて説明する。
【００１６】図１に、画素の構成について示す。ここ
で、アクティブマトリクス型の素子基板には、１画素に
２つのＴＦＴと、１つの容量、１つの有機ＥＬ素子ＥＬ
が形成されるが、この図においては、駆動ＴＦＴ４０
と、有機ＥＬ素子ＥＬのみを示している。
で、アクティブマトリクス型の素子基板には、１画素に
２つのＴＦＴと、１つの容量、１つの有機ＥＬ素子ＥＬ
が形成されるが、この図においては、駆動ＴＦＴ４０
と、有機ＥＬ素子ＥＬのみを示している。
【００１７】図において、素子基板は、ガラス基板３０
上に形成された駆動ＴＦＴ４０を有している。この駆動
ＴＦＴ４０に有機ＥＬ素子が接続されている。
上に形成された駆動ＴＦＴ４０を有している。この駆動
ＴＦＴ４０に有機ＥＬ素子が接続されている。
【００１８】駆動ＴＦＴ４０はガラス基板３０上に形成
されており、低温ポリシリコンで形成された能動層４０
ａを有している。この能動層４０ａは、両端が不純物が
ドープされたソース領域、ドレイン領域となっており、
これらに挟まれた中央部がチャネル領域となっている。
このチャネル領域の上部には酸化シリコンからなるゲー
ト絶縁膜４０ｂを介しゲート電極４０ｃが形成されてい
る。ゲート絶縁膜４０ｂおよびゲート電極４０ｃは、層
間絶縁膜３４に覆われており、ゲート電極４０ｃの両側
には、層間絶縁膜３４のコンタクトホールを介しソース
領域およびドレイン領域に接続されるソース電極４０
ｄ、ドレイン電極４０ｅが形成されている。そして、ソ
ース電極４０ｄ、ドレイン電極４０ｅの上端が層間絶縁
膜３４の表面に位置している。
されており、低温ポリシリコンで形成された能動層４０
ａを有している。この能動層４０ａは、両端が不純物が
ドープされたソース領域、ドレイン領域となっており、
これらに挟まれた中央部がチャネル領域となっている。
このチャネル領域の上部には酸化シリコンからなるゲー
ト絶縁膜４０ｂを介しゲート電極４０ｃが形成されてい
る。ゲート絶縁膜４０ｂおよびゲート電極４０ｃは、層
間絶縁膜３４に覆われており、ゲート電極４０ｃの両側
には、層間絶縁膜３４のコンタクトホールを介しソース
領域およびドレイン領域に接続されるソース電極４０
ｄ、ドレイン電極４０ｅが形成されている。そして、ソ
ース電極４０ｄ、ドレイン電極４０ｅの上端が層間絶縁
膜３４の表面に位置している。
【００１９】また、層間絶縁膜３４の表面上には、ドレ
イン電極４０ｅと電源ラインを接続するメタル配線等が
配置される。さらに、この層間絶縁膜３４を覆って、絶
縁膜である第１平坦化膜３６が形成されている。
イン電極４０ｅと電源ラインを接続するメタル配線等が
配置される。さらに、この層間絶縁膜３４を覆って、絶
縁膜である第１平坦化膜３６が形成されている。
【００２０】そして、第１平坦化膜３６の上面には、Ｉ
ＴＯなどの透明導電材料から構成される画素電極５０が
形成され、この一端が第１平坦化膜３６のコンタクトホ
ールを介し駆動ＴＦＴ４０のソース電極４０ｄに接続さ
れている。この画素電極５０は、１画素の発光領域に対
応してパターニングされている。
ＴＯなどの透明導電材料から構成される画素電極５０が
形成され、この一端が第１平坦化膜３６のコンタクトホ
ールを介し駆動ＴＦＴ４０のソース電極４０ｄに接続さ
れている。この画素電極５０は、１画素の発光領域に対
応してパターニングされている。
【００２１】また、この画素電極５０は、有機ＥＬ素子
の陽極を構成し、この画素電極５０上には、正孔輸送層
５２、有機発光層５４、電子輸送層５６を介し、金属製
の陰極５８が形成されている。また、第１平坦化膜３６
上には、画素電極５０の周辺エッジを覆って絶縁膜であ
る第２平坦化膜６０が配置されている。
の陽極を構成し、この画素電極５０上には、正孔輸送層
５２、有機発光層５４、電子輸送層５６を介し、金属製
の陰極５８が形成されている。また、第１平坦化膜３６
上には、画素電極５０の周辺エッジを覆って絶縁膜であ
る第２平坦化膜６０が配置されている。
【００２２】そして、正孔輸送層５２は、画素電極５０
上に形成するとともに周辺部は、第２平坦化膜６０上に
至り、そこで終端している。また、正孔輸送層５２上の
有機発光層５４は、正孔輸送層５２上に形成され、正孔
輸送層５２より若干小さく正孔輸送層５２の周辺エッジ
の少し内側で終端している。さらに、有機発光層５４上
の電子輸送層５６は、有機発光層５４上に形成され、有
機発光層５４より若干小さく有機発光層５４の周辺エッ
ジの少し内側で終端している。そして、電子輸送層５６
の上に全面を覆ってアルミ等からなる陰極５８が形成さ
れる。従って、この陰極は、電子輸送層５６の全面を覆
うとともに、電子輸送層５６、有機発光層５４、正孔輸
送層５２の周辺露出部および側部を覆って形成され、こ
れらの有機層のない部分では、第２平坦化膜６０の上に
直接位置している。
上に形成するとともに周辺部は、第２平坦化膜６０上に
至り、そこで終端している。また、正孔輸送層５２上の
有機発光層５４は、正孔輸送層５２上に形成され、正孔
輸送層５２より若干小さく正孔輸送層５２の周辺エッジ
の少し内側で終端している。さらに、有機発光層５４上
の電子輸送層５６は、有機発光層５４上に形成され、有
機発光層５４より若干小さく有機発光層５４の周辺エッ
ジの少し内側で終端している。そして、電子輸送層５６
の上に全面を覆ってアルミ等からなる陰極５８が形成さ
れる。従って、この陰極は、電子輸送層５６の全面を覆
うとともに、電子輸送層５６、有機発光層５４、正孔輸
送層５２の周辺露出部および側部を覆って形成され、こ
れらの有機層のない部分では、第２平坦化膜６０の上に
直接位置している。
【００２３】このような画素構成を有する有機ＥＬパネ
ルは、まずガラス基板３０上に駆動ＴＦＴ４０を形成す
る。なお、通常の場合、画素毎に配置されるスイッチン
グＴＦＴや、周辺のドライバ回路のＴＦＴも駆動ＴＦＴ
と同一プロセスで形成される。そして、全面を第１平坦
化膜３６で覆い、表面を平坦化する。
ルは、まずガラス基板３０上に駆動ＴＦＴ４０を形成す
る。なお、通常の場合、画素毎に配置されるスイッチン
グＴＦＴや、周辺のドライバ回路のＴＦＴも駆動ＴＦＴ
と同一プロセスで形成される。そして、全面を第１平坦
化膜３６で覆い、表面を平坦化する。
【００２４】次に、ソース電極４０ｄにコンタクトホー
ルを形成した後、ＩＴＯをスパッタによって堆積した
後、ドライエッチングによって発光領域の形（四角形）
にパターニング形成する。
ルを形成した後、ＩＴＯをスパッタによって堆積した
後、ドライエッチングによって発光領域の形（四角形）
にパターニング形成する。
【００２５】そして、その後に、全面に感光剤を含むア
クリル系樹脂剤からなる第２平坦化膜６０を全面に真空
蒸着し、不要部分または必要部分のいずれかに光を照射
して、エッチングするフォトリソグラフィーによってパ
ターニングする。これによって、画素電極５０の周辺を
覆い内部を露出する第２平坦化膜６０が形成される。
クリル系樹脂剤からなる第２平坦化膜６０を全面に真空
蒸着し、不要部分または必要部分のいずれかに光を照射
して、エッチングするフォトリソグラフィーによってパ
ターニングする。これによって、画素電極５０の周辺を
覆い内部を露出する第２平坦化膜６０が形成される。
【００２６】次に、マスクを平坦化膜６０に接触させた
状態で、正孔輸送層５２、有機発光層５４、電子輸送層
５６を順次真空蒸着する。
状態で、正孔輸送層５２、有機発光層５４、電子輸送層
５６を順次真空蒸着する。
【００２７】このとき、各層を形成するために、蒸発源
を変更し材料を変更するとともに、蒸発材料のマスクを
介した基板上への蒸発物の飛来方向の異方性を制御す
る。すなわち、正孔輸送層５２が最も小さな異方性で、
等方的に広がりを大きくして蒸着し、電子輸送層５６が
最も大きな異方性で、広がりを小さくして蒸着する。
を変更し材料を変更するとともに、蒸発材料のマスクを
介した基板上への蒸発物の飛来方向の異方性を制御す
る。すなわち、正孔輸送層５２が最も小さな異方性で、
等方的に広がりを大きくして蒸着し、電子輸送層５６が
最も大きな異方性で、広がりを小さくして蒸着する。
【００２８】これによって、正孔輸送層５２、有機発光
層５４および電子輸送層５６の大きさを、正孔輸送層５
２、有機発光層５４、電子輸送層５６の順で順次小さく
することができる。そこで、正孔輸送層５２の上で有機
発光層５４の周辺が終端し、有機発光層５４の上で電子
輸送層５６の周辺が終端する。
層５４および電子輸送層５６の大きさを、正孔輸送層５
２、有機発光層５４、電子輸送層５６の順で順次小さく
することができる。そこで、正孔輸送層５２の上で有機
発光層５４の周辺が終端し、有機発光層５４の上で電子
輸送層５６の周辺が終端する。
【００２９】従って、正孔輸送層５２の側部に薄い有機
発光層５４が形成されたり、有機発光層５４の側部に薄
い輸送層５６が形成されたりすることがない。従って、
薄い発光層５４や、薄い電子輸送層５６に大きな電流が
流れ、表示に不具合が発生することを防止できる。すな
わち、画素の中央部分の輝度が落ち、周辺に輝点が生じ
たりすることがない。さらに、各層が画素毎にパターニ
ングされているため、隣接画素の電界の影響で発光して
しまったりすることがない。
発光層５４が形成されたり、有機発光層５４の側部に薄
い輸送層５６が形成されたりすることがない。従って、
薄い発光層５４や、薄い電子輸送層５６に大きな電流が
流れ、表示に不具合が発生することを防止できる。すな
わち、画素の中央部分の輝度が落ち、周辺に輝点が生じ
たりすることがない。さらに、各層が画素毎にパターニ
ングされているため、隣接画素の電界の影響で発光して
しまったりすることがない。
【００３０】また、正孔輸送層５２、有機発光層５４、
電子輸送層５６の３層がほぼ同一の場所で終端するた
め、この部位における陰極５８の段差が比較的大きくな
る。そこで、陰極を比較的厚めに形成することも好適で
ある。
電子輸送層５６の３層がほぼ同一の場所で終端するた
め、この部位における陰極５８の段差が比較的大きくな
る。そこで、陰極を比較的厚めに形成することも好適で
ある。
【００３１】なお、各層の厚みは、例えば第２平坦化膜
６０：６００〜１３００ｎｍ、正孔輸送層５２：１５０
〜２００ｎｍ、有機発光層５４：３５ｎｍ、電子輸送層
５６：３５ｎｍ、陰極５０：３００〜４００ｎｍ程度で
ある。
６０：６００〜１３００ｎｍ、正孔輸送層５２：１５０
〜２００ｎｍ、有機発光層５４：３５ｎｍ、電子輸送層
５６：３５ｎｍ、陰極５０：３００〜４００ｎｍ程度で
ある。
【００３２】次に、図２に示したのは、他の実施形態で
あり、正孔輸送層５２については、画素毎にパターニン
グすることなく、全面に形成している。正孔輸送層５２
は、通常発光することはなく、全面に形成しても問題は
ない。また、全面に形成するのであれば、マスクを使用
する必要はなく、マスクに起因するダストの問題もあま
り大きくならない。
あり、正孔輸送層５２については、画素毎にパターニン
グすることなく、全面に形成している。正孔輸送層５２
は、通常発光することはなく、全面に形成しても問題は
ない。また、全面に形成するのであれば、マスクを使用
する必要はなく、マスクに起因するダストの問題もあま
り大きくならない。
【００３３】しかし、正孔輸送層５２を形成した後、マ
スクを導入すると、そのときにダストが導入される可能
性が大きい。正孔輸送層５２に比べ、有機発光層５４、
電子輸送層５６の方が膜厚が薄く、ダスト混入の悪影響
が大きい。そこで、３層ともパターニングする方がダス
トの面では有利である。しかし、正孔輸送層５２をパタ
ーニングしないことで、陰極５８の段差は比較的小さく
でき、陰極５８への悪影響を小さくすることができる。
スクを導入すると、そのときにダストが導入される可能
性が大きい。正孔輸送層５２に比べ、有機発光層５４、
電子輸送層５６の方が膜厚が薄く、ダスト混入の悪影響
が大きい。そこで、３層ともパターニングする方がダス
トの面では有利である。しかし、正孔輸送層５２をパタ
ーニングしないことで、陰極５８の段差は比較的小さく
でき、陰極５８への悪影響を小さくすることができる。
【００３４】ここで、マスク蒸着の際の異方性の制御は
次のような手法の少なくとも１つを採用することが好適
である。
次のような手法の少なくとも１つを採用することが好適
である。
【００３５】（ｉ）蒸発物の放出口の径を小さくするこ
とで、異方性を高くすることができる。そこで、正孔輸
送層５２、有機発光層５４、電子輸送層５６を形成する
際のるつぼとして、その放出開口の径が順次小さいもの
を採用する。
とで、異方性を高くすることができる。そこで、正孔輸
送層５２、有機発光層５４、電子輸送層５６を形成する
際のるつぼとして、その放出開口の径が順次小さいもの
を採用する。
【００３６】（ｉｉ）蒸発源（るつぼ）と、マスクの中
間に蒸発物の飛来方向を選択するシャッタ（中間マス
ク）を設け、これによって所定の方向に向かうもののみ
を選択する。シャッタの大きさを小さくすると異方性を
大きくでき、シャッタの位置を蒸発源から遠くすること
によって異方性を大きくできる。
間に蒸発物の飛来方向を選択するシャッタ（中間マス
ク）を設け、これによって所定の方向に向かうもののみ
を選択する。シャッタの大きさを小さくすると異方性を
大きくでき、シャッタの位置を蒸発源から遠くすること
によって異方性を大きくできる。
【００３７】（ｉｉｉ）蒸発源の内圧を高くすることに
よって、蒸発物の速度が大きくなり、異方性を大きくす
ることができる。
よって、蒸発物の速度が大きくなり、異方性を大きくす
ることができる。
【００３８】（ｉｖ）蒸発源の設置位置をマスクから遠
くすることによって、異方性を大きくすることができ
る。
くすることによって、異方性を大きくすることができ
る。
【００３９】このような手法によって、蒸発物の異方性
を制御することができ、同一のマスクを利用した際の膜
蒸着面積を制御することができる。
を制御することができ、同一のマスクを利用した際の膜
蒸着面積を制御することができる。
【００４０】なお、図１の例では、有機発光層５４およ
び電子輸送層５６、図２の例では、正孔輸送層５２、有
機発光層５４および電子輸送層５６を１画素内に位置す
るように、画素電極に対応して概ね四角形とした。しか
し、有機発光層５４および電子輸送層５６、または正孔
輸送層５２、有機発光層５４および電子輸送層５６をス
トライプ状に形成することもできる。この場合には、幅
方向のみ上述のような順序で下層上で、上層が終端する
が、長手方向では、各層が画素をまたがって延びる。
び電子輸送層５６、図２の例では、正孔輸送層５２、有
機発光層５４および電子輸送層５６を１画素内に位置す
るように、画素電極に対応して概ね四角形とした。しか
し、有機発光層５４および電子輸送層５６、または正孔
輸送層５２、有機発光層５４および電子輸送層５６をス
トライプ状に形成することもできる。この場合には、幅
方向のみ上述のような順序で下層上で、上層が終端する
が、長手方向では、各層が画素をまたがって延びる。
【００４１】すなわち、図３には、有機発光層５４およ
び電子輸送層５６について、概ね四角形に形成した場合
（Ａ）と、ストライプ状に形成した場合（Ｂ）の平面図
を模式的に示してある。また、図４には、正孔輸送層５
２、有機発光層５４および電子輸送層５６について、概
ね四角形に形成した場合（Ａ）と、ストライプ状に形成
した場合（Ｂ）の平面図を模式的に示してある。
び電子輸送層５６について、概ね四角形に形成した場合
（Ａ）と、ストライプ状に形成した場合（Ｂ）の平面図
を模式的に示してある。また、図４には、正孔輸送層５
２、有機発光層５４および電子輸送層５６について、概
ね四角形に形成した場合（Ａ）と、ストライプ状に形成
した場合（Ｂ）の平面図を模式的に示してある。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有機発光層の上に積層する電子輸送層の大きさを有機発
光層より若干小さくした。これによって、両層を形成す
るのに同一のマスクを使用することができ、各層蒸着の
際にマスクを交換する必要がない。これによって、作業
が効率的になるとともに、ダスト混入の可能性を低減で
きる。また、上層ほど小さくするため、下層の側面を上
層の一部が薄く覆うことがなく、発光への悪影響の発生
を防止することができる。
有機発光層の上に積層する電子輸送層の大きさを有機発
光層より若干小さくした。これによって、両層を形成す
るのに同一のマスクを使用することができ、各層蒸着の
際にマスクを交換する必要がない。これによって、作業
が効率的になるとともに、ダスト混入の可能性を低減で
きる。また、上層ほど小さくするため、下層の側面を上
層の一部が薄く覆うことがなく、発光への悪影響の発生
を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態の画素部分の構成を示す図である。
【図２】 他の実施形態の画素部分の構成を示す図であ
る。
る。
【図３】 実施形態の画素部分の構成を模式的に示す平
面図である。
面図である。
【図４】 他の実施形態の画素部分の構成を模式的に示
す平面図である。
す平面図である。
５０ 陽極、５２ 正孔輸送層、５４ 有機発光層、５
６ 電子輸送層、５８陰極、６０ 第２平坦化膜。
６ 電子輸送層、５８陰極、６０ 第２平坦化膜。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/22 Ｈ０５Ｂ 33/22 Ａ
Ｃ
Claims (5)
- 【請求項１】 １画素の発光領域に対応する大きさの画
素電極とこれに対向する対向電極間に、少なくとも有機
発光層と電子輸送層を有する有機ＥＬ素子をマトリクス
配置した有機ＥＬパネルであって、 前記有機発光層および電子輸送層を画素電極に対応して
画素毎に設けるとともに、 電子輸送層を有機発光層より小さくし、電子輸送層の端
部が有機発光層上において終端することを特徴とする有
機ＥＬパネル。 - 【請求項２】 １画素の発光領域に対応する大きさの画
素電極とこれに対向する対向電極間に、少なくとも正孔
輸送層、有機発光層および電子輸送層を有する有機ＥＬ
素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネルであって、 前記正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層を画素電
極に対応して画素毎に設けるとともに、 前記正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層の大きさ
を、前記正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の順で順
次小さくし、有機発光層の端部が正孔輸送層上で終端
し、電子輸送層の端部が有機発光層上において終端する
ことを特徴とする有機ＥＬパネル。 - 【請求項３】 １画素の発光領域に対応する大きさの画
素電極とこれに対向する対向電極間に、少なくとも有機
発光層と電子輸送層を有する有機ＥＬ素子をマトリクス
配置した有機ＥＬパネルの製造方法であって、 前記有機発光層および電子輸送層を画素電極に対応して
画素毎に設けるとともに、 電子輸送層を有機発光層より小さくし、電子輸送層の端
部が有機発光層上において終端するように形成すること
を特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。 - 【請求項４】 １画素の発光領域に対応する大きさの画
素電極とこれに対向する対向電極間に、少なくとも正孔
輸送層、有機発光層および電子輸送層を有する有機ＥＬ
素子をマトリクス配置した有機ＥＬパネルの製造方法で
あって、 前記正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層を画素電
極に対応して画素毎に設けるとともに、 前記正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層の大きさ
を、前記正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の順で順
次小さくし、有機発光層の端部が正孔輸送層上で終端
し、電子輸送層の端部が有機発光層上において終端する
ように形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造
方法。 - 【請求項５】 請求項３に記載の有機ＥＬパネルの製造
方法であって、 前記正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層を同一の
マスクを利用して形成するとともに、蒸発物の蒸着時に
おける異方性を変更して各膜の大きさを制御することを
特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP2002126999A JP4017441B2 (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
| TW092107587A TWI223968B (en) | 2002-04-26 | 2003-04-03 | Organic EL panel and method of manufacturing same |
| CNB031229700A CN1250051C (zh) | 2002-04-26 | 2003-04-23 | 有机el面板及其制造方法 |
| CNB2006100029734A CN100420030C (zh) | 2002-04-26 | 2003-04-23 | 有机el面板及其制造方法 |
| US10/422,324 US20040004431A1 (en) | 2002-04-26 | 2003-04-24 | Organic EL panel and manufacturing method thereof |
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| KR1020060006813A KR20060023180A (ko) | 2002-04-26 | 2006-01-23 | 유기 ｅｌ 패널 및 그 제조 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002126999A JP4017441B2 (ja) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP2003317958A true JP2003317958A (ja) | 2003-11-07 |
| JP4017441B2 JP4017441B2 (ja) | 2007-12-05 |
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ID=29267628
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| KR (2) | KR20030084765A (ja) |
| CN (2) | CN100420030C (ja) |
| TW (1) | TWI223968B (ja) |
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| JP2009123618A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| US7692197B2 (en) | 2003-11-22 | 2010-04-06 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Active matrix organic light emitting display (OLED) and method of fabrication |
| KR20220087414A (ko) * | 2014-10-22 | 2022-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법 |
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| KR100755398B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2007-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
| JP2007115465A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPWO2007077715A1 (ja) * | 2006-01-05 | 2009-06-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ボトムエミッション型有機エレクトロルミネッセンスパネル |
| KR100699254B1 (ko) * | 2006-02-14 | 2007-03-28 | 삼성전자주식회사 | 표시장치의 제조방법과 이에 의한 표시장치 |
| KR101350658B1 (ko) | 2006-09-22 | 2014-01-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP5764660B2 (ja) | 2011-09-12 | 2015-08-19 | パナソニックヘルスケア株式会社 | 薬剤注入装置 |
| KR102089248B1 (ko) * | 2013-09-23 | 2020-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드소자 및 그의 제조방법 |
| KR101737057B1 (ko) | 2015-03-23 | 2017-05-18 | 에이피시스템 주식회사 | 막 형성 장치, 유기전자소자용 보호막 형성장치 및 이를 이용한 막 형성 방법 |
| US11805677B2 (en) | 2019-08-27 | 2023-10-31 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel, and manufacturing method of display substrate |
| KR102644258B1 (ko) | 2023-11-24 | 2024-03-06 | 주식회사 제이디엘플러스 | 개선된 경량화 및 발열 성능을 제공하는 led 전광판 |
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| JP3463362B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-11-05 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子の製造方法および電界発光素子 |
| JP3758694B2 (ja) * | 1994-10-13 | 2006-03-22 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP3369867B2 (ja) * | 1996-09-11 | 2003-01-20 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル |
| JP3206646B2 (ja) * | 1998-01-22 | 2001-09-10 | 日本電気株式会社 | 多色発光有機ｅｌパネルおよびその製造方法 |
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| JP3950326B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2007-08-01 | ダエウー エレクトロニクス サービス コーポレーション リミテッド | プラズマスイッチ型有機電界発光表示素子 |
-
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- 2002-04-26 JP JP2002126999A patent/JP4017441B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-03 TW TW092107587A patent/TWI223968B/zh not_active IP Right Cessation
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- 2003-04-23 CN CNB031229700A patent/CN1250051C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-24 US US10/422,324 patent/US20040004431A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-25 KR KR10-2003-0026322A patent/KR20030084765A/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-01-23 KR KR1020060006813A patent/KR20060023180A/ko active IP Right Grant
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