JP2003317318A - 光記録媒体及びその製造方法、光記録方法、光再生方法、光記録装置、光再生装置及び光記録再生装置 - Google Patents

光記録媒体及びその製造方法、光記録方法、光再生方法、光記録装置、光再生装置及び光記録再生装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 再生専用の光記録媒体の構成と対応する構成
及び製造方法により安価に製造することができ、しかも
上述した暗号やマーク等新たな情報の追加記録を可能に
すると共に、安定した記録を行うことができ良好な特性
を有する光記録媒体を提供する。 【解決手段】 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方
向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部
が形成され反射膜３を備えた情報層２を有する光記録媒
体Ｓにおいて、反射膜３を、熱記録による追加記録を行
うことができ、電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９
０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る構成
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体及びそ
の製造方法、光記録方法、光再生方法、光記録装置、光
再生装置及び光記録再生装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来の光記録媒体として、例えばオーデ
ィオ用、ゲームプログラム等に用いる例えばＣＤ（コン
パクトディスク）や、ＤＶＤ（Digital Versatile Dis
c）等の光ディスク、即ち再生専用のいわゆるＲＯＭ（R
ead Only Memory）型ディスクがある。このような光記
録媒体における情報記録は、厚さ方向或いはトラック幅
方向のいずれかに関して物理的形状変化として記録され
た記録部、例えば凹凸ピット或いは蛇行案内溝等が形成
され、かつこれら記録部の情報を光学的に高ＳＮＲ（信
号雑音比）で読み出すことができるようにＡｌ膜等から
成る反射膜が被着されている。
【０００３】このような物理的形状変化がなされた記録
部を有する光学記録媒体は、例えば射出成形によってプ
ラスチック基板の成形と同時に記録部を形成するとか、
或いは例えばプラスチック基板上に２Ｐ法（フォトポリ
マゼーション法）によって記録部を形成することから、
量産的に安価に製造できるという利点がある。
【０００４】従って、この種の光記録媒体において、正
規のルート以外の複製、即ち著作権者の許諾を得ないで
複製がなされるという問題がある。また、この光記録媒
体が非接触的に読み出しがなされるものであって、繰り
返し使用によっても特性劣化が殆ど生じないことから、
中古品が新品として販売される等、正規のルートによら
ない販売が行われ、同様に、著作権者の許諾を得ないで
販売される等の問題を生じている。そこで、この種の光
記録媒体において、例えばメーカー側で、正規のルート
によるものかどうかを判知する手立てとなる暗号やマー
ク等を記録できるようにすることが望まれている。
【０００５】また、例えばゲーム用においては、ユーザ
ーがゲームを中断終了させた場合等において、その終了
点を判別できる程度の記録や、ユーザーの個人的情報の
記録等、ユーザー側での簡便な記録ができることが望ま
れる。
【０００６】さらに、ディスクの作製後にディスクに蓄
積された一部のデータを訂正、或いは新規データを一部
追加できる機能を有することが、メーカー及びユーザー
により望まれている。カーナビゲーション用を例にとる
と、上述の機能が付加されることにより、簡単な地図の
変更、追加情報を通信によりメーカーから送信、或いは
ユーザー自身がデータ入力し、ユーザー側でディスクに
記録することが可能となる。
【０００７】従来の光記録を可能とする光記録媒体、即
ち追記型光記録媒体及び書き換え可能な光記録媒体は、
一般に、記録用レーザの照射により光学特性が変化する
記録材料から成る記録膜と反射率の高い材料から成る反
射膜とにより構成される。
【０００８】追記型光記録媒体、例えば１度だけ追記が
可能とされたＣＤ−Ｒは、案内溝を有するプラスチック
基板上に色素材料がスピンコート法により塗布され、そ
の後にＡｕ等の反射率の高い金属薄膜をスパッタリング
法により形成することにより作製される。また、書き換
え型の光磁気記録媒体では、案内溝が形成されたプラス
チック基板上に透明誘電体膜、記録材料であるＴｂＦｅ
Ｃｏ等の垂直磁化膜、透明誘電体膜、さらにＡｌ反射膜
が順次スパッタリングされて作製される。また、書き換
え型の相変化記録媒体は、上述した書き換え型光記録媒
体の構成における記録材料としてＧｅＳｂＴｅ等の相変
化材料が用いられて構成される。
【０００９】しかしながら、これらいずれの記録材料も
高価であり、また書き換え型の光記録媒体においては、
上述したように多くの膜形成を必要とすることからその
製造工程数が多く、これらに記録材料を用いて追加記録
層を形成する場合は、前述したＣＤ等のＲＯＭ型の光記
録媒体に比し、格段に高価となる。
【００１０】この他に、記録膜としてＡｕＳｎ或いはＡ
ｕＳｎＴｉ薄膜の単層やＴｅＯ薄膜の単層により構成さ
れる追記型光記録媒体、相変化記録に用いられるＧｅＳ
ｂＴｅ等の単層膜を用いることによって、単層でも追加
記録が可能な光記録媒体を構成することが可能である
が、これらも材料が高価となる問題を有する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者等
は、先に、ＡｌにＧｅ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｔｂ，Ｆ
ｅ，Ａｇ等の元素を特定量添加した膜に対して一般的な
出力を有する半導体レーザを用いてデータの追記を可能
とした構成の光記録媒体を提案した。
【００１２】しかしながら、このような膜に追加記録を
行う場合に、スパッタリングでの成膜条件、スパッタリ
ングで使用するターゲットの組成変動、或いは形成する
膜の厚さの変動により、膜への光記録を行うために必要
なレーザのパワーが変動してしまうことがあり、その結
果安定な記録が行えないという問題があった。
【００１３】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、再生専用の光記録媒体の構成と対応する構成及
び製造方法により安価に製造することができ、しかも上
述した暗号やマーク等新たな情報の追加記録を可能にす
ると共に、安定した記録を行うことができ良好な特性を
有する光記録媒体及びその製造方法、光記録方法、光再
生方法、光記録装置、光再生装置及び光記録再生装置を
提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの
方向に物理的形状変化による情報記録部が形成され反射
膜を備えた情報層を有するものであって、反射膜は熱記
録による追加記録を行うことができる構成であり、電気
抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下の
Ａｌ合金又はＣｕ合金から成るものである。
【００１５】本発明の一の光記録媒体の製造方法は、少
なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方
向に物理的形状変化による情報記録部が形成された基体
上に、電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・
ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る反射膜を形成
する工程と、この反射膜に熱記録による情報の追加記録
を行う工程とを有するものである。
【００１６】本発明の他の光記録媒体の製造方法は、少
なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方
向に物理的形状変化による情報記録部が形成された基体
上に、電気抵抗率が３０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・
ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る反射膜を形成
する工程と、この反射膜上に保護膜を形成する工程と、
その後反射膜に熱記録による情報の追加記録を行う工程
とを有するものである。
【００１７】本発明の光記録方法は、少なくとも厚さ方
向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状
変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層
を有し、反射膜が電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ
９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る光
記録媒体に対して、反射膜を変質させてその反射率を変
化させる熱記録により情報の追加記録を行うものであ
る。
【００１８】本発明の光再生方法は、少なくとも厚さ方
向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状
変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層
を有し、反射膜が電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ
９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成り、
反射膜にその反射率を変化させる熱記録によって追加記
録がなされた光記録媒体に対して、レーザ光を照射し
て、その戻り光の反射率変化による微小変化によって追
加記録の再生を行うものである。
【００１９】本発明の光記録装置は、少なくとも厚さ方
向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状
変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層
を有し、反射膜が電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ
９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る構
成を有して成る光記録媒体に対する光記録手段を具備
し、この光記録手段は光記録媒体に対し追加記録情報に
応じて変調されるレーザ光の照射手段を有し、このレー
ザ光の照射によって反射膜を変質させてその反射率を変
化させる熱記録によって追加記録を行うものである。
【００２０】本発明の光再生装置は、少なくとも厚さ方
向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状
変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層
を有し、反射膜が電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ
９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る構
成を有して成る光記録媒体に対する光再生手段を具備
し、この光再生手段は、光記録媒体に再生光を照射する
再生光照射手段と、反射膜からの戻り光を検出する検出
手段とを有し、検出手段からの検出出力の微小変化を追
加記録の再生信号とするものである。
【００２１】本発明の光記録再生装置は、少なくとも厚
さ方向或いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的
形状変化による情報記録部が形成され反射膜を備えた情
報層を有し、反射膜が電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上
かつ９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成
る構成を有して成る光記録媒体に対する光記録再生手段
を具備し、この光記録再生手段は、光記録媒体に対し追
加記録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有
し、このレーザ光の照射によって、反射膜を変質させて
その反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行
い、光記録再生手段は、光記録媒体に再生光を照射する
再生光照射手段と、反射膜からの戻り光を検出する検出
手段とを有し、検出手段からの検出出力の微小変化を追
加記録の再生信号とするものである。
【００２２】上述の本発明の光記録媒体の構成によれ
ば、例えば凹凸ピットや蛇行案内溝等による情報を担う
物理的形状変化がなされた情報記録部を有し、かつ反射
膜が被着形成された光記録媒体において、何ら膜数等の
増加を来すことなく、その反射膜の材料（Ａｌ合金又は
Ｃｕ合金）と電気抵抗率とを選定するのみによって、追
加記録領域の形成を可能にする。これにより、製造工程
数の増加を来すことなく、従来の再生専用の光記録媒体
と同様に量産的に安価に製造することができる。
【００２３】上述の本発明の一の光記録媒体の製造方法
によれば、基体上に材料と電気抵抗率とを選定した反射
膜を形成し、この反射膜に追加記録を行うことにより、
膜数等の増加や製造工程数の増加を来すことなく、従来
の再生専用の光記録媒体と同様に量産的に安価に製造す
ることができると共に、反射膜の電気抵抗率が２０μΩ
・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下の範囲に選定されて
いることにより、比較的低い記録パワーで記録を行うこ
とができ、かつ記録パワーの変動を抑制して反射膜に安
定した記録を行うことができる。
【００２４】上述の本発明の他の光記録媒体の製造方法
によれば、基体上に材料と電気抵抗率とを選定した反射
膜を形成し、反射膜上に保護膜を形成し、反射膜に追加
記録を行うことにより、膜数等の増加や製造工程数の増
加を来すことなく、従来の再生専用の光記録媒体と同様
に量産的に安価に製造することができると共に、反射膜
の電気抵抗率が３０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ
以下の範囲に選定されていることにより、比較的低い記
録パワーで記録を行うことができ、かつ記録パワーの変
動を抑制して反射膜に安定した記録を行うことができ
る。
【００２５】上述の本発明の光記録方法によれば、上述
の本発明の光記録媒体に対して、反射膜を変質させてそ
の反射率を変化させる熱記録により情報の追加記録を行
うことにより、比較的低い記録パワーで記録を行うこと
ができると共に、例えば反射膜の成膜時の膜厚を制御す
ることにより記録パワーの変動を抑制することができ
る。これにより、反射膜への追加記録を安定して行うこ
とができる。また、簡潔に反射膜への追加記録を行うこ
とができる。
【００２６】上述の本発明の光再生方法によれば、上述
の本発明の光記録媒体の構成を有し、反射膜にその反射
率を変化させる熱記録によって追加記録がなされた光記
録媒体に対して、レーザ光を照射して、その戻り光の反
射率変化による微小変化によって追加記録の再生を行う
ことにより、本発明の光記録媒体によって反射膜への追
加記録が安定して行われているため、充分なＣＮＲ（信
号対雑音比）の再生信号を得ることができる。また、簡
潔に追加記録の再生を行うことができる。
【００２７】上述の本発明の光記録装置、光再生装置、
並びに光記録再生装置は、上述の本発明の光記録媒体に
対して、光記録手段、光再生手段、並びに光記録再生手
段を具備していることにより、従来の装置と同様の簡便
な構成とすることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明は、少なくとも厚さ方向或
いはトラック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化
による情報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有
するものであって、反射膜は熱記録による追加記録を行
うことができる構成であり、電気抵抗率が２０μΩ・ｃ
ｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金
から成る光記録媒体である。
【００２９】また本発明は、上記光記録媒体において、
Ａｌ合金或いはＣｕ合金に、少なくともＴｉ、Ｓｉ、Ｃ
ｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｏ、Ａｒ、Ｍｇ、Ｔｂから
選ばれた１種以上の元素が添加されている構成とする。
【００３０】また本発明は、上記光記録媒体において、
追加記録の記録領域が、物理的形状変化がなされた情報
記録部を有する記録領域内又は外に設けられた構成とす
る。
【００３１】また本発明は、上記光記録媒体において、
反射膜の上に保護膜が形成されている構成とする。
【００３２】また本発明は、上記光記録媒体において、
さらに反射膜の電気抵抗率が３０μΩ・ｃｍ以上かつ９
０μΩ・ｃｍ以下である構成とする。
【００３３】本発明は、少なくとも厚さ方向或いはトラ
ック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情
報記録部が形成された基体上に、電気抵抗率が２０μΩ
・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ
合金から成る反射膜を形成する工程と、この反射膜に熱
記録による情報の追加記録を行う工程とを有する光記録
媒体の製造方法である。
【００３４】また本発明は、上記光記録媒体の製造方法
において、情報の追加記録を行う工程の後に、上記反射
膜上に保護膜を形成する。
【００３５】本発明は、少なくとも厚さ方向或いはトラ
ック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情
報記録部が形成された基体上に、電気抵抗率が３０μΩ
・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ
合金から成る反射膜を形成する工程と、この反射膜上に
保護膜を形成する工程と、その後反射膜に熱記録による
情報の追加記録を行う工程とを有する光記録媒体の製造
方法である。
【００３６】本発明は、少なくとも厚さ方向或いはトラ
ック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情
報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、反射
膜が電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃ
ｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る光記録媒体に対
して、反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記
録により情報の追加記録を行う光記録方法である。
【００３７】また本発明は、上記光記録方法において、
光記録媒体が、反射膜上に保護膜が形成され、反射膜の
電気抵抗率が３０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以
下である構成を有するものとする。
【００３８】本発明は、少なくとも厚さ方向或いはトラ
ック幅方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情
報記録部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、反射
膜が電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃ
ｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成り、反射膜にその
反射率を変化させる熱記録によって追加記録がなされた
光記録媒体に対して、レーザ光を照射して、その戻り光
の反射率変化による微小変化によって追加記録の再生を
行う光再生方法である。
【００３９】また本発明は、上記光再生方法において、
光記録媒体が、反射膜上に保護膜が形成された構成とす
る。
【００４０】また本発明は、上記光再生方法において、
光記録媒体が、さらに反射膜の電気抵抗率が３０μΩ・
ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下である構成とする。
【００４１】本発明による記録媒体は、ＣＤやＤＶＤ等
の光記録媒体に適用しうるものである。即ち本発明は、
ディスク状、カード状の基板或いはシート等による基体
上に、少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方向のいず
れかの物理的形状変化として情報記録、いわゆるデータ
情報等の本体の情報が記録された情報記録部、即ちＲＯ
Ｍ部を有し反射膜が被着形成された情報層を有する光記
録媒体であるが、特にその反射膜が熱記録による追加記
録を行うことができる構成であり、電気抵抗率が２０μ
Ω・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣ
ｕ合金から成る構成とするものである。この反射膜は、
Ａｌ合金又はＣｕ合金から成る単層構造とすることがで
きる。
【００４２】図１は、本発明の一実施の形態として、光
記録媒体の概略構成図（側面図）を示す。この光記録媒
体Ｓは、再生専用の光ディスクであるいわゆるＣＤ（コ
ンパクトディスク）に対して本発明を適用したものであ
る。
【００４３】この光記録媒体Ｓは、例えばポリカーボネ
ート（ＰＣ）から成る透明基板１の一主面に、凹凸ピッ
ト或いは蛇行した案内溝により予め情報が記憶されてお
り、その上に（図１では下側になっている）反射膜３が
形成されている。さらに反射膜３の透明基板１とは反対
側には保護膜４が形成されている。即ち透明基板１及び
反射膜３の界面に、凹凸ピット或いは蛇行した案内溝に
よって、凹凸による情報層（情報記録部）２が構成され
ている。
【００４４】透明基板１は、例えば射出成形等のプラス
チック成形法、或いは２Ｐ法（フォトポリマゼーション
法）等により形成される。反射膜３は、成膜の容易さか
ら、スパッタリング法、一般にはマグネトロンスパッタ
リング法により成膜される。保護膜４としては、例えば
紫外線硬化性の樹脂を用いられる。そして、紫外線硬化
性樹脂をスピンコート法等により反射膜３の表面上に塗
布した後、紫外線の照射により樹脂を硬化させて保護膜
４を形成する。
【００４５】情報層２には、例えば図２或いは図３にそ
れぞれ一部の概略平面図を示すように、データ情報等
が、図２におけるように厚さ方向の変形による凹凸ピッ
ト１２Ｐとして形成された本来の記録部、或いは図３に
おけるように、トラック幅方向の変形によって蛇行案内
溝１２Ｇとして形成された本来の情報記録部１２が形成
されて成る。これら情報記録部１２、即ち凹凸ピット１
２Ｐ或いは蛇行案内溝１２Ｇは、それぞれ対応するピッ
トもしくは溝を有するスタンパーを用いて射出成型によ
って基板１の成型と同時にその一主面に形成する方法、
或いは透明基板１上に例えば紫外線硬化樹脂を塗布した
後に所要のピットもしくは溝を有するスタンパーを押圧
して硬化させる方法（いわゆる２Ｐ法）等、通常の作製
方法によって形成することができる。
【００４６】さらに、本実施の形態の光記録媒体Ｓにお
いては、記録部１２からのデータ情報等、本来の記録を
読み出す際に読み出し光を反射させる機能を有するだけ
でなく、反射膜３を追加記録の記録層としても用いる。
即ち、この反射膜３によって追加記録領域を構成するも
のである。
【００４７】この追加記録領域は、追加記録の目的に応
じて、上述した凹凸ピット１２Ｐ或いは蛇行案内溝１２
Ｇによる情報記録部１２内とすることも、この本来の情
報記録部１２の形成領域外とすることもできる。
【００４８】追加記録領域を情報記録部１２の記録領域
内とするときは、この本来の物理的形状変化の最短周期
部以外に設けることが望ましい。つまり、図２で示した
ように、情報記録部１２が凹凸ピット１２Ｐの形状によ
る記録態様が採られる場合は、凹凸ピット１２Ｐの最短
凹凸ピッチ部以外において、その凹部もしくは凸部によ
るピット部、或いはそのピット間等に追加記録部１２Ａ
を形成する。また、図３に示したように、情報記録部１
２が蛇行案内溝１２Ｇによって構成される場合は、その
トラック幅方向の往復変化の周期の最短周期部以外の例
えば蛇行案内溝１２Ｇ内に追加記録部１２Ａを形成する
ことができる。図２及び図３において、ＬＳは追加記録
部１２Ａを形成するためのレーザ光のスポットを示して
いる。
【００４９】尚、この追加記録用のレーザ光には、再生
用のレーザ光よりも強度が大きく集光されたレーザ光が
用いられる。
【００５０】追加記録領域を本来の情報記録部１２の記
録領域外とするときには、本来の情報記録部１２の記録
領域外にも凹凸ピットや蛇行案内溝を設けて、そこに追
加記録領域を形成することも可能である。例えば図４に
示すように、本来の情報記録部１２として予め形成され
ている凹凸ピット１２Ｐとは別に、追記用の案内溝１３
Ｇが形成されている領域を追加記録領域１３として、こ
の追加記録領域１３内にレーザ照射による記録を行って
追加記録部１３Ａを形成することも可能である。
【００５１】これら図２〜図４のいずれの場合も、断面
図で見ると、例えば図５に示すように、レーザ光の照射
により反射膜３の一部に記録がなされ追加記録部１２Ａ
が形成される。尚、図５においては、レーザ光の入射側
から見たときの記録層２の凸部のみに追加記録領域１２
Ａが形成されているが、記録層２の凹部のみ、或いは記
録層２凸部及び凹部の両方に追加記録領域１２Ａを形成
するようにすることも可能である。
【００５２】また、反射膜３により追加記録領域１２Ａ
を構成するために、反射膜３には、例えばレーザ光照射
による熱記録によって、読み出し光に対する反射率が変
化する材料を用いる。このような反射膜３の材料として
は、Ａｌ合金又はＣｕ合金が挙げられる。
【００５３】そして、特に反射膜３を、Ａｌ合金又はＣ
ｕ合金に少なくともＴｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、
Ｗ、Ｃｒ、Ｏ、Ａｒ、Ｍｇ、Ｔｂから選ばれた１種以上
の元素を含有する（この選ばれた元素が添加された）組
成とすることにより、反射膜３が追加記録に適した電気
抵抗率を有するようになる。
【００５４】ここで、金属について、電気伝導率の逆数
である電気抵抗率ρと熱伝導率ｋとの間には下記のヴィ
ーデマン・フランツの式の関係が成り立つため、電気抵
抗率と熱伝導率とが反比例することがわかっている。 ｋ＝ＬＴ／ρ （１） ただし、Ｌ＝２．５×１０-8ＷΩ／Ｋ2 でローレンツ数
と呼ばれる定数であり、Ｔ（Ｋ）は絶対温度である。
【００５５】そして、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕのように
熱伝導率が高い反射膜に集光光を照射した場合の膜の温
度上昇は、およそ熱伝導率に反比例する。従って、温度
上昇は電気抵抗率に比例することになり、電気抵抗率の
高い材料ほど低い記録パワーでの記録が可能となる。
【００５６】そして、Ａｌ単体やＣｕ単体では電気抵抗
率が低いため、上記式（１）から熱伝導率が大きくなっ
ており、放熱しやすいために、記録パワーを大きくしな
いと記録を行うことが難しい。これに対して、上述のよ
うにＡｌ合金又はＣｕ合金に少なくともＴｉ、Ｓｉ、Ｃ
ｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｏ、Ａｒ、Ｍｇ、Ｔｂから
選ばれた１種以上の元素を含有させると、含有する元素
により電気抵抗率をＡｌ単体又はＣｕ単体より高めるこ
とができ、より小さい記録パワーで記録を行うことが可
能になる。
【００５７】また、このＡｌ合金又はＣｕ合金に少なく
ともＴｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｏ、Ａ
ｒ、Ｍｇ、Ｔｂから選ばれた１種以上の元素を含有する
材料から成る反射膜３の電気抵抗率を、好ましくは２０
μΩ・ｃｍ以上、より好ましくは２０μΩ・ｃｍ以上９
０μΩ・ｃｍ以下とする。この反射膜３の電気抵抗率
は、反射膜３の膜厚ｄや、合金の組成、特に合金が含有
する元素の種類及びその含有率によって変化するもので
ある。
【００５８】そして、反射膜３の成膜工程では、Ａｌ或
いはＡｌＳｉ合金等所望な組成の材料により形成された
スパッタリングターゲット、または各構成元素の単体並
びにその合金を構成する複数のスパッタリングターゲッ
トを用いて、スパッタリング槽内を所定の真空度以下に
排気した後にスパッタリングを行う。
【００５９】この反射膜３をスパッタリング法により成
膜する際に、スパッタリングターゲットの種類により、
Ａｌ合金又はＣｕ合金が含有する金属元素の種類や含有
率が変わってくる。また、反射膜３をスパッタリング法
により成膜する際の到達真空度やスパッタガスの圧力に
よって、成膜される反射膜中の酸素ＯやアルゴンＡｒの
含有率が変わってくる。従って、スパッタリングターゲ
ットの種類、到達真空度やスパッタガスの種類等によっ
ても、成膜される反射膜３の電気抵抗率が変わってく
る。
【００６０】さらに、この反射膜３の成膜工程におい
て、スパッタリングのパワーや時間を制御することによ
り、反射膜３の膜厚を制御することができる。これによ
り、反射膜３の膜厚を制御して、反射膜３に所望の電気
抵抗率が得られるようにすることができる。
【００６１】そして、上述したように反射膜３を成膜し
て光記録媒体Ｓを作製し、また反射膜３の材料として比
較的安価なＡｌ合金を用いることができれば、従来の再
生専用の光記録媒体（ＲＯＭディスク等）と同程度の安
価なコストで追加記録が可能な光記録媒体を提供するこ
とが可能となる。
【００６２】ここで、本実施の形態の光記録媒体の記録
部１２及び追加記録部１２Ａにおける再生信号出力波形
を図６に示す。図６に示すように、図中実線で示す例え
ば凹凸ピットによる記録部１２の再生信号の出力に対し
て、追加記録部１２Ａの再生信号の出力は、図中破線で
示すように、追加記録部１２Ａの反射率の変化に基い
て、即ち反射率の増加或いは減少に基いて、微小変化
（ΔＳ）する。従って、この微小変化ΔＳを検出するこ
とによって、この微小な検出出力を追加記録による再生
信号とすることができる。
【００６３】この追加記録の信号は、実際上は低密度で
あり、帯域が低くなっている。また、例えば追加記録に
際して同一信号を追加記録領域の複数箇所に記録させ
て、この複数箇所の再生を行う等、通常の記録部１２の
再生方法とは異なる再生方法を適用して安定した追加記
録の再生を行うことが可能である。
【００６４】ここで、反射膜３としてＡｌに各種の不純
物を添加したＡｌ合金を成膜して、光記録媒体Ｓを作製
し、その特性を調べた。まず、透明基板１として、射出
成形によるポリカーボネート樹脂に、トラックピッチ
１．６μｍ、深さ６５ｎｍの連続案内溝が形成されたも
のを用意した。次に、この透明基板１上に、反射膜３と
して、Ａｌに各種の不純物を添加したＡｌ合金を、マグ
ネトロンスパッタリング法により成膜した。続いて、こ
のＡｌ合金膜に対してレーザ光を照射して上述の追加記
録に相当する記録を行った。その後、反射膜３の記録さ
れた領域にレーザ光を照射して再生を行った。このと
き、記録及び再生に用いた光学系は、波長７８５ｎｍ、
対物レンズの開口数ＮＡ＝０．５０、線速度４．８ｍ／
ｓとした。また、記録において、周波数２ＭＨｚ、記録
パルスデューティー４０％とした。
【００６５】そして、反射膜３の特性の測定として、以
下の測定を行った。まず、スペクトラムアナライザーを
用いて、分解能帯域幅３０ｋＨｚで反射膜３に記録され
た信号のＣＮＲ（信号対雑音比）を測定した。また、反
射膜３の電気抵抗率を４端子法により測定した。尚、記
録パワーは、反射膜３の合金組成に応じて、適宜３５ｍ
Ｗ以下の範囲で変更した。
【００６６】まず、反射膜３の組成を、Ａｌ合金のＡｌ
92.5Ｔｉ7.5 （原子％）として、反射膜３の膜厚を変化
させた場合、到達真空度を変化させた場合、及びスパッ
タリングのアルゴンガス（Ａｒ）の圧力を変化させた場
合における、記録パワー、ＣＮＲ、反射膜の電気抵抗率
の測定値を表１に示す。尚、表１における記録パワー
は、記録パワーを増加させていった場合にＣＮＲが３０
ｄＢとなるパワーである。記録パワーが空欄のものは、
変化させた記録パワーの範囲内では３０ｄＢのＣＮＲが
得られなかったものである。また、電気抵抗率は、反射
膜３を成膜した後、保護膜４の塗布の前（保護膜４を塗
布していない状態）において測定した値である。
【００６７】
【表１】
【００６８】ところで、一般にデータの再生には、ＣＮ
Ｒで４０ｄＢ程度以上あれば充分低いエラーレートで信
号の再生が可能であると言われているが、本発明では、
追加記録を行うことができればよく、従来の追記型や書
き換え可能な光ディスクのような高密度記録を行わなく
てもよいため、従来よりも低いＣＮＲ例えば３０ｄＢ程
度で充分使用に供することが可能である。追加記録のデ
ータ量は膨大ではないため、記録密度が大きくなった場
合には強力なエラー訂正機能を付加することにより対応
することが可能である。
【００６９】表１の各測定結果からわかるように、反射
膜３の成膜時の膜厚、到達真空度、及びスパッタアルゴ
ンガス圧力の各条件が変化した場合に、それに応じて記
録パワー及び抵抗率が変化する。ＣＤ或いはＤＶＤ等の
再生専用光ディスクでは、非常に多くのディスクを量産
し、かつコストを低減するために、従来成膜量産装置に
おいては一般に細かく条件の制御等を行っていない。こ
のため、前述した条件が変動する要因があると、反射膜
３への記録特性に影響を及ぼしてしまう。
【００７０】通常、スパッタ法により成膜される膜厚
は、スパッタのパワー或いは時間により制御され、膜厚
の変動分はそれらのプロセス条件を制御することによっ
て吸収することが可能である。一方、ターゲット組成の
変動、到達真空度やスパッタアルゴン圧力の変動等、膜
厚以外の変動要因が重なった場合、それらを各々制御す
ることは量産性の点で問題が残る。
【００７１】表１の結果を、横軸に電気抵抗率をとり、
縦軸に記録パワーをとってプロットした図を図７に示
す。図７より、電気抵抗率が高い材料ほど、低いレーザ
パワーで充分な記録ができることがわかる。
【００７２】図７において、膜厚が５５ｎｍ或いは３５
ｎｍの場合には、他の膜厚の場合の結果とかなり離れて
いるため、あまり参考にならないが、それら以外の結果
は、膜厚（４０〜５０ｎｍ）、到達真空度、或いはスパ
ッタガス圧力の変動が生じた場合に、記録パワーと電気
抵抗率との関係がほぼ直線になることがわかる。
【００７３】従って、成膜後の反射膜３の電気抵抗率を
モニタし、その値を一定とするように、制御が容易な条
件例えば膜厚等にフィードバックすることにより、膜厚
以外の変動要因についても膜厚の制御で吸収して、記録
特性の変動を抑制することが可能となる。
【００７４】尚、到達真空度が充分低くない場合には、
スパッタされた膜中に酸素等の不純物が取り込まれるこ
とが一般に知られており、そのために反射膜３の電気抵
抗率が上昇すると共に、記録を行うために必要な記録パ
ワーが低減される。一方、スパッタガスのアルゴンガス
圧力が変化することによって、膜の密度や構造が変化す
ること、及び合金の場合には膜組成が変化することが一
般に知られている。特に、アルゴンガス圧力が高い場合
には、不純物として、酸素或いはアルゴン等が取り込ま
れることによって、反射膜３の電気抵抗率が上昇すると
共に、記録を行うために必要な記録パワーが低減され
る。
【００７５】次に、Ａｌ合金に様々な元素を添加すると
共に添加量も変えて反射膜３の材料組成を変更して光記
録媒体を作製し、それぞれの光記録媒体において、ＣＮ
Ｒが３０ｄＢとなる記録パワー及び電気抵抗率を測定し
た。測定結果を表２に示す。尚、いずれの材料組成にお
いても、反射膜３の膜厚は全て４５ｎｍとしている。
【００７６】
【表２】
【００７７】表２より、不純物の種類にはあまり影響さ
れず、不純物の添加量の増大に伴って、電気抵抗率が増
加することがわかる。
【００７８】また、表２の結果を基にして、横軸に電気
抵抗率を、縦軸に記録パワーをとってプロットした図を
図８に示す。図８より、電気抵抗率が３３μΩ・ｃｍ以
上の場合に、３５ｍＷ以下の記録パワーで（３０ｄＢの
ＣＮＲが得られる）記録が可能であるということがわか
る。
【００７９】ただし、表２に示したように、電気抵抗率
の増加とともに反射率も低下していくため、過度の電気
抵抗率の増加は、既存の光ディスク再生装置との互換性
という点（反射率が低過ぎると既存の光ディスク再生装
置では信号検出ができなくなること）で問題がある。こ
のため、好ましくは反射率が６０％以上、即ち電気抵抗
率では９０μΩ・ｃｍ以下とすることが望ましい。
【００８０】一方、工場で出荷する前の光記録媒体（光
ディスク）に、ディスクＩＤ番号等の情報を記録する場
合には、保護膜４を形成する以前に記録を行うことも可
能である。表２と同じ条件（材料組成、膜厚）で、保護
膜４が形成されていないディスクへ記録を行った場合の
結果を表３に示す。
【００８１】
【表３】
【００８２】表３より、保護膜４が塗布されている場合
と比較して、反射膜３の材料組成が同一である場合、よ
り低い記録パワーで記録が行われることがわかる。そし
て、この場合には、反射膜３の電気抵抗率が２５μΩ・
ｃｍでも、充分に記録が可能であることがわかる。
【００８３】尚、表３には記載されていないが、充分な
記録パワーで記録を行った場合のＣＮＲは、保護膜４が
形成された後に記録を行った場合と比較して、数ｄＢ上
昇した。これは、反射膜３が熱により変化するだけでな
く、反射膜３との界面の基板１の形状が、（反射膜３の
材料組成によらず）熱によって変形することによる効果
も重なっているものと考えられる。
【００８４】また、表３の結果を、横軸に電気抵抗率を
とり、縦軸に記録パワーをとってプロットした図を図９
に示す。図９を図８と比較すると、全体的に記録パワー
の低い側にシフトしていることがわかる。
【００８５】Ａｌに不純物を添加した膜に対する記録メ
カニズムは、記録時のディスク形態により現象が異なる
ため詳細はわかっていないが、表２のように保護膜のあ
る状態で反射膜に記録を行った場合と、表３のように保
護膜のない状態で反射膜に記録を行った場合の記録パワ
ーの違いについては、次のように推測される。
【００８６】保護膜のある状態で記録を行った場合、即
ち保護膜が形成された後に記録を行った場合には、反射
膜を構成するＡｌ合金膜の微細構造の変化、或いはＡｌ
合金膜と基板の界面、又はＡｌ合金膜と保護膜との界面
における化学反応によって起こる反射率変化が主な要因
と考えられる。ここで、保護膜のある状態でＡｌ合金膜
から成る反射膜に記録を行った後に、保護膜を剥がし
て、さらにＡｌ合金膜から成る反射膜をアルカリ溶液中
で溶解させ、その後再びＡｌ合金膜を成膜して、成膜さ
れたＡｌ合金膜に再生用のレーザ光を照射して得られる
信号を調べた。この場合には、信号レベルは大きく低下
して記録前の状態に戻っていた。このため、記録により
基板の形状変化は大きくは生じておらず、記録による反
射率の変化は、前述した要因が主要因であろうと思われ
る。
【００８７】一方、保護膜が形成されていない状態でＡ
ｌ合金膜から成る反射膜に記録を行った後に、同様の実
験を行ったところ、信号のレベルの低下は少なかった。
即ち記録がなされたＡｌ合金膜を剥離して、新たにＡｌ
合金膜を成膜した場合でも、剥離された最初のＡｌ合金
膜に記録を行った影響が反映されていることがわかる。
従って、保護膜がない場合で記録が行われると、Ａｌ合
金膜の結晶性の変化や界面における化学変化の他に、基
板の形状変化に起因する反射率変化がかなり大きいと推
定される。このように基板の形状変化を伴うため、記録
による反射膜の反射率変化がより顕在化して、保護膜が
ある状態で記録を行った場合よりも低い記録パワーで反
射膜に記録を行うことができると推測される。
【００８８】そして、これらのいずれの記録メカニズム
であっても、第１次近似としてはＡｌ合金膜をどの程度
の温度にまで加熱したか、即ち記録時の到達温度によっ
て信号量が変化する。この記録時の到達温度は、Ａｌ合
金膜の熱伝導率によって決まり、熱伝導率は式（１）か
ら電気抵抗率に反比例する。このため、記録パワーと信
号との関係は、不純物元素には大きく依存せず、記録時
の到達温度によって決定され、即ち電気抵抗率によって
ほぼ決定されることになる。
【００８９】次に、反射膜３に各種の材料組成のＣｕ合
金を用いた場合について、保護膜４のある状態で記録を
した場合、及び保護膜のない状態で記録をした場合の、
それぞれＣＮＲ＝３０ｄＢが得られる記録パワーと、各
材料組成のＣｕ合金の電気抵抗率を測定した。結果を表
４に示す。
【００９０】
【表４】
【００９１】表４より、反射膜３をＣｕ合金とした場合
にも、Ａｌ合金と同様に、Ｃｕ単体より電気抵抗率を上
昇させて、低い記録パワーで反射膜３に記録を行うこと
が可能であることがわかる。そして、反射膜３をＣｕ合
金とした場合にも、Ａｌ合金と同様に、膜の光学的な変
化及び記録時の温度上昇によってポリカーボネート基板
表面の形状が変化することにより記録が可能となってい
るものと推測される。
【００９２】尚、表１〜表４においては、記録パワーの
測定値を、ＣＮＲが３０ｄＢとなる記録パワーとしてい
るため、反射膜３の電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上で
もＣＮＲが３０ｄＢとならないため記録パワーの測定値
なし、となっている。実際には、光再生装置（又は光記
録再生装置）の構成によって、ＣＮＲが３０ｄＢ未満で
も充分信号の再生が可能である場合もありうる。そのよ
うな装置を用いる場合でも、充分に追加記録の信号の再
生を行なうためには、少なくとも反射膜３の電気抵抗率
が２０μΩ以上であることが望ましい。また、保護膜４
を形成してから反射膜３に追加記録を行う場合には、少
なくとも反射膜３の電気抵抗率が３０μΩ・ｃｍ以上で
あることが望ましい。
【００９３】上述した実施の形態では、図１に示した構
造の光記録媒体（光ディスク）に適用した場合で説明し
たが、本発明はその他の構成の光記録媒体、例えば図１
０に示すような２枚の基板が貼り合わされて成る構造の
光ディスクにも同様に適用可能である。図１０に示す光
記録媒体Ｓ２は、第１の情報層２に重ねて、同様に第２
の反射膜３３が形成された第２の情報層３２を有する第
２の透明基板３１が透明接着剤５によって接合されて、
２層の情報層を有する光記録媒体Ｓ２が構成されてい
る。
【００９４】この場合、第２の透明基板３１側から第２
の反射膜３３に対して追加記録を行い、第２の情報層３
２における追加記録及び本来の記録の読み出しを行う構
成とすることができる。
【００９５】一方、透明基板１側から第２の反射膜３３
に対して追加記録を行い、第２の情報層３２における追
加記録及び本来の記録の読み出しを行う構成とする場合
には、（第１の）反射膜３を半透過膜とする必要があ
る。そこで、第２の反射膜３３には例えば前述した４０
〜４５ｎｍ程度のＡｌ合金膜又はＣｕ合金膜を用い、第
１の反射膜３には半透過膜となるように膜厚の薄い例え
ば５〜２０ｎｍ程度のＡｌ合金膜又はＣｕ合金膜を用い
る。このように第１の反射膜３を薄い合金膜により構成
した場合には、第１の反射膜３を半透過膜とすると共
に、第１の反射膜３に対して追加記録を行うことが可能
になる。また、第１の反射膜３には追加記録を行わず、
ＤＶＤ等の半透過膜として一般に使用されているＳｉ或
いはＡｇ合金から成る反射膜を用いて、第２の反射膜３
３に本発明のＡｌ合金膜又はＣｕ合金膜を用い、第２の
反射膜３３にのみ追加記録を行う構成としてもよい。さ
らに、第１の反射膜３の材料として、追加記録が可能な
半透過膜となるように組成・膜厚を選定したＳｉ或いは
Ａｇ合金を用いて、第１の反射膜３及び第２の反射膜３
３の双方に追加記録を行う構成も可能である。
【００９６】尚、図１０の光記録媒体Ｓ２において、表
面に保護膜（図示せず）を形成する前に反射膜３，３３
に記録を行う場合には、それぞれの透明基板１，３１へ
の反射膜３，３３の成膜及び反射膜３，３３への記録を
行った後に、２枚の透明基板１，３１を紫外線硬化樹脂
等により貼り合せ、これを紫外線照射により硬化させて
透明接着剤５とすればよい。
【００９７】本発明による光記録媒体によれば、追加記
録が可能となることにより、例えば製造時に暗号データ
を記入しておき、一方、この暗号を解読できるアルゴリ
ズムを有する再生装置によってこの暗号の再生を行うこ
とによって、例えば違法コピーされた光記録媒体につい
ては再生不能とすることが可能になる等、多くの利用方
法が可能となる。
【００９８】また、例えばレンタル業者が、レンタルを
許可した特定人に対する専用パスワードを追記し、この
特定人以外の使用を禁ずるとか、例えば一般のユーザー
によって、媒体管理やゲームソフトにおけるゲーム終了
点や、再生済み位置のマーク、ユーザー情報の記録、そ
の他再生回数等記録、そしてこれら読み出す機能を記録
再生装置に付与させておくことにより、各種の利用態様
を採ることができる。
【００９９】そして、本発明による光記録装置は、上述
した本発明による光記録媒体に対する光記録手段を具備
して成る。この光記録手段は、光記録媒体に対し、追加
記録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有
し、レーザ光の照射によって、反射膜を変質させてその
反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行うこと
ができる構成とする。
【０１００】また、本発明による光再生装置は、上述し
た本発明による追加記録がなされた光記録媒体に対する
光再生手段を具備して成る。この光再生手段は、光記録
媒体に再生光を照射する再生光照射手段と、この反射膜
からの戻り光を検出する検出手段とを有し、この検出手
段からの検出出力の微小変化を追加記録の再生信号とす
る。
【０１０１】また、本発明による光記録再生装置は、上
述した本発明による光記録媒体に対する光記録手段と、
光再生手段とを具備し、光記録手段は、光記録媒体に対
する追加記録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手
段を有し、レーザ光の照射によって、上記反射膜を変質
させてその反射率を変化させる熱記録によって追加記録
を行い、光再生手段は、光記録媒体に再生光を照射する
再生光照射手段と、この反射膜からの戻り光を検出する
検出手段とを有し、該検出手段からの検出出力の微小変
化を追加記録の再生信号として取り出す。
【０１０２】また、本発明の光記録媒体及びその製造方
法を採用して、所要の追加記録を行った場合に、この追
加記録された信号を読み出す場合には、光記録再生装置
や光再生装置に、図１１に示すような再生信号系の回路
を構成する。これにより追加記録信号の再生が可能とな
る。
【０１０３】図１１に示す再生信号系の回路は、例えば
図１で説明した光記録媒体Ｓに対する（記録）再生を行
うものであり、この場合、光記録媒体Ｓを回転駆動する
駆動部４１を有する。この駆動部４１は、スピンドルモ
ーター４２によって回転駆動がなされる。また、このス
ピンドルモーター４２において、サーボ回路（図示せ
ず）により光記録媒体Ｓの回転速度の制御がなされる。
【０１０４】この光記録媒体Ｓに対向して、かつ光記録
媒体Ｓにおける追加記録の再生を行う光再生手段として
光ピックアップ４３が設けられている。尚、光記録再生
装置においては、この光ピックアップ４３が上述した追
加記録を行う光記録手段を兼ねた構成も可能である。こ
の光ピックアック４３が、図示しないスレッド機構によ
り、光記録媒体Ｓの半径方向に平行に移動するように構
成される。また、この光ピックアップ４３は、例えば通
常の光再生装置や光記録再生装置における光ピックアッ
プ構成のように、半導体レーザを具備する光照射手段を
有し、半導体レーザからのレーザ光が、対物レンズによ
って光記録媒体Ｓに集光照射されるように構成される。
この光照射手段は、追加記録情報に応じて、レーザ光の
光記録媒体Ｓに対する照射光量を変調する変調手段、例
えばレーザ光の光路に配置された光強度変調素子、或い
は半導体レーザのパワーを制御する変調手段を具備し、
光記録媒体Ｓに対して記録レーザ光を照射することがで
きるように構成されている。同時に、再生においては、
再生光としてレーザを照射するように構成されている。
また、この光ピックアップ４３は、上述したレーザ光の
光記録媒体Ｓからの戻り光を検出して電気出力として取
り出す検出部を有する。このようにして、追加記録部１
２Ａへの追加記録情報の記録と、上述した記録ピット１
２Ｐからの本来の記録情報及び追加記録部１２Ａからの
追加記録情報の読み出しを行う。また、通常の光ピック
アップにおけると同様に、トラッキングエラー信号とフ
ォーカシングエラー信号を得て、これらエラー信号によ
ってトラッキングサーボ及びフォーカシングサーボが掛
けられるように構成される。
【０１０５】この光ピックアップ４３の光記録及び光再
生動作を制御する回路部５０が設けられる。この回路部
５０は、サーボ信号ブロック５１、ＲＦ信号ブロック５
２、通常データデコード回路５３、誤り訂正ブロック５
４、追記データデコード回路５５、誤り訂正ブロック５
６とを有して成る。サーボ信号ブロック５１では、上述
のトラッキングサーボ及びフォーカシングサーボ、並び
にその他のサーボの信号処理や制御が行われる。通常デ
ータデコード回路５３及び誤り訂正ブロック５４と、追
記データデコード回路５５及び誤り訂正ブロック５６と
は、共に再生用の同一の集積回路内に設けられる。
【０１０６】この構成において、以下のようにして信号
の再生が行われる。光記録媒体Ｓは、例えばその所定部
に、製造者が各種暗号、マーク、例えば不正使用を検出
するためのマークが記録された追加記録部１２Ａを有す
る構成とされている。光記録媒体Ｓを駆動部４１に設置
すると、図示しないＣＰＵ等の制御により、光ピックア
ップ４３のレーザ光が、光記録媒体Ｓの追加記録位置を
照射する位置、即ちマーク記入がなされた所定位置に照
射するようになされる。そして、このマーク検出に適し
たレーザ出力に設定される。このようにして、光ピック
アップ４３から、追加記録部１２Ａのマークによる再生
出力が取り出されるようになされる。そして、例えばこ
の再生出力に基くマーク検出出力がＣＰＵに入力される
ことによって、ＣＰＵの制御により例えば再生動作を停
止させる。そして、この停止がなされない場合は、ＣＰ
Ｕからの指令によって、光ピックアップ４３のレーザ光
が光記録媒体Ｓの所定の本来の記録部１２を照射し、再
生動作がなされる。即ち、例えば光ピックアップ４３か
らの記録部１２の読み出し信号（ＲＦ信号）が、ＲＦ信
号処理ブロック５２において、所定のスライスレベルに
より２値化されて、２値化信号が得られる。さらに、こ
の２値化信号が、通常データデコード回路５３によって
デコードされて、再生データを生成する。この再生デー
タは、誤り訂正ブロック５４において、記録時の符号化
の際に付加された誤り訂正符号を用いて誤り訂正処理が
なされ、ディジタルアナルグ変換回路でアナログ信号に
変換されて、記録部１２に記録された本来の記録情報が
再生される。
【０１０７】ここで、追記記録が、凹凸ピット等による
本来の記録情報が記録された記録部１２とは別の領域の
みに行われている場合には、上述した本来の記録情報の
再生と同様に、例えば光ピックアップ４３からの追加記
録部の読み出し信号（ＲＦ信号）を、ＲＦ信号処理ブロ
ック５２において、所定のスライスレベルにより２値化
して得た２値化信号を追記データデコード回路５５によ
ってデコードして、さらに誤り訂正ブロック５６におい
て誤り訂正処理を行って再生すればよい。
【０１０８】また、追加記録が、本来の記録情報が記録
された記録部１２に行われている場合において、追加記
録のデータ信号の周波数帯域が本来の記録のデータ信号
の周波数帯域に比べて充分低い場合には、フィルターに
よって異なる２種類のデータ信号の分離が可能となる。
一方、フィルターによって分離できない場合には、上述
のようにして記録部１２の本来の記録情報を再生し、こ
の本来の記録情報に基いたＲＦ信号の波形を作成して、
この本来の記録情報の波形と、光ピックアップ４３から
の記録部１２の読み出し信号（ＲＦ信号）の波形とを比
較演算（減算処理）する。これにより得られたＲＦ信号
の差分の波形から、２値化信号を追記データデコード回
路５５によってデコードして、さらに誤り訂正ブロック
５６において誤り訂正処理を行って追加記録の情報を再
生する。
【０１０９】そして、光記録媒体Ｓに対する追加記録
は、次のように行われる。レーザ光の照射位置が追加記
録を行う所定位置に設定され、記録情報に基く制御信号
により光ピックアップ４３のレーザ光が変調されて、追
加記録部１２Ａの反射膜３に対してレーザ光の照射によ
る追加記録が行われる。
【０１１０】上述した説明では、光記録媒体Ｓに対する
再生機能と記録機能とを有する本発明による光記録再生
装置の一例について説明したが、本発明による光記録装
置、また、本発明による光再生装置は、上述した構成の
光記録あるいは光再生のいずれか一方の機能を具備する
装置として構成される。
【０１１１】尚、本発明による光記録媒体、光記録再生
装置、光記録装置、光再生装置は、上述した実施の形態
（図１、図１０）の光記録媒体を対象とする場合に限ら
れるものではなく、その他のいわゆるＲＯＭ部を有する
光記録媒体（光ディスク等）にも同様に本発明を適用す
ることができる。
【０１１２】本発明は、上述の実施の形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他
様々な構成が取り得る。
【０１１３】
【発明の効果】上述した本発明による光記録媒体は、再
生専用の光記録媒体に対して追記を可能としたことによ
って、例えばユーザー側で再生済み位置やゲームソフト
におけるゲーム終了点のマーク、ユーザー側の記録装置
を用いて個人的記録の情報の記録（例えば再生回数、ユ
ーザー情報、再生中断場所の位置情報等のデータの記
録、或いはＲＯＭとして記憶されていたデータの一部変
更等）を行うことが容易にできるようになる。例えば、
ネットワークを利用してデータの転送を行うことによ
り、上述した各種の機能がオンラインでできるようにな
る。また、レンタル業者による特定貸出人のパスワー
ド、そのほか再生回数等任意の記録が可能となる。ま
た、製造者側では、管理コードの記入等を行って、製造
元の特定、再生可能なコンテンツの制限、違法コピーで
あるかどうかの識別、管理等が可能となる。例えば前述
したように、製造時に暗号データを記入しておくことに
より、暗号を解読できるアルゴリズムを有する再生装置
で再生を行うことによって、違法コピーされた光記録媒
体については再生不能とすることが可能となる等、多く
の利用方法が可能となる。
【０１１４】そして、本発明による光記録媒体は、上述
した追加記録を行う記録層として、特別の構成による記
録層を設けるものではなく、本来の情報層に形成する反
射膜の組成を選定することによって、この反射膜自体
で、追加記録を行う追加記録領域をも構成するものであ
るので、何ら製造工程数の増加を来たすことがなく量産
的に、また有害物質の使用も回避できることから、廉価
に通常の再生専用の光記録媒体と同等の量産性、コスト
をもって製造することができる。
【０１１５】また、本発明による光記録媒体に対する記
録方法は、半導体レーザによる光記録が可能であること
から、その記録装置即ち光記録装置においてその追加記
録の目的に応じた構成とするものの、基本的には特段の
構成を必要としない。さらに、本発明による光記録媒体
に対する光再生方法も、半導体レーザによる光再生が可
能であることから、その追加記録の目的に応じた構成と
するものの、基本的には、通常の光記録再生装置におけ
るように、半導体レーザによる読み出しによることがで
きることから、簡便な構成とすることができる。
【０１１６】そして、本発明による光記録媒体は、記録
が行われる反射膜の電気抵抗率を規定していることによ
り、製造工程における条件の変動に起因する記録に必要
なパワーの変動を抑制して、安定して記録を行うことが
可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の光記録媒体の概略構成
図（断面図）である。
【図２】図１の光記録媒体において、反射膜の一形態の
記録部及び追加記録部との関係を示す要部の概略平面図
である。
【図３】図１の光記録媒体において、反射膜の他の形態
の記録部及び追加記録部との関係を示す要部の概略平面
図である。
【図４】図１の光記録媒体において、反射膜のさらに他
の形態の記録部及び追加記録部との関係を示す要部の概
略平面図である。
【図５】図１の光記録媒体において、反射膜に追加記録
が行われた状態を示す概略断面図である。
【図６】図１の光記録媒体における再生信号出力波形を
示す図である。
【図７】表１の測定結果をプロットした図である。
【図８】表２の測定結果をプロットした図である。
【図９】表３の測定結果をプロットした図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態の光記録媒体の概略
構成図（断面図）である。
【図１１】本発明装置に用いられる再生信号系の回路の
一形態を示す図である。
【符号の説明】
１，３１ 透明基板、２，３２ 情報層、３，３３ 反
射膜、４ 保護膜、５透明接着剤、６ 対物レンズ、１
２ 記録部、１２Ａ 追加記録部、１２Ｇ 蛇行案内
溝、１２Ｐ ピット、４３ 光ピックアップ、Ｓ，Ｓ２
光記録媒体
フロントページの続き (72)発明者 塚原 誠 東京都品川区北品川６丁目７番35号 株式 会社ソニーディスクテクノロジー内 Ｆターム(参考） 5D029 JB16 JB50 MA17 MA18 MA19 5D090 AA01 BB02 BB03 BB11 DD01 KK03 5D121 AA01 AA04 AA05 GG30

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方
    向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部
    が形成され反射膜を備えた情報層を有する光記録媒体で
    あって、 上記反射膜は、熱記録による追加記録を行うことができ
    る構成であり、電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９
    ０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成ること
    を特徴とする光記録媒体。
  2. 【請求項２】 上記Ａｌ合金或いは上記Ｃｕ合金に、少
    なくともＴｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｗ、Ｃｒ、
    Ｏ、Ａｒ、Ｍｇ、Ｔｂから選ばれた１種以上の元素が添
    加されていることを特徴とする請求項１に記載の光記録
    媒体。
  3. 【請求項３】 上記追加記録の記録領域が、上記物理的
    形状変化がなされた情報記録部を有する記録領域内又は
    外に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の光記
    録媒体。
  4. 【請求項４】 上記反射膜の上に保護膜が形成されてい
    ることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
  5. 【請求項５】 上記反射膜の電気抵抗率が３０μΩ・ｃ
    ｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする
    請求項４に記載の光記録媒体。
  6. 【請求項６】 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方
    向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部
    が形成された基体上に、電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以
    上かつ９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から
    成る反射膜を形成する工程と、 上記反射膜に、熱記録による情報の追加記録を行う工程
    とを有することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
  7. 【請求項７】 上記情報の追加記録を行う工程の後に、
    上記反射膜上に保護膜を形成することを特徴とする請求
    項６に記載の光記録媒体の製造方法。
  8. 【請求項８】 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方
    向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部
    が形成された基体上に、電気抵抗率が３０μΩ・ｃｍ以
    上かつ９０μΩ・ｃｍ以下のＡｌ合金又はＣｕ合金から
    成る反射膜を形成する工程と、 上記反射膜上に保護膜を形成する工程と、 その後上記反射膜に、熱記録による情報の追加記録を行
    う工程とを有することを特徴とする光記録媒体の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅方
    向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録部
    が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が電
    気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下
    のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る光記録媒体に対して、 上記反射膜を変質させてその反射率を変化させる熱記録
    により、情報の追加記録を行うことを特徴とする光記録
    方法。
  10. 【請求項１０】 上記光記録媒体は、上記反射膜上に上
    記保護膜が形成されて成り、上記反射膜の電気抵抗率が
    ３０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下であること
    を特徴とする請求項９に記載の光記録方法。
  11. 【請求項１１】 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅
    方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録
    部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が
    電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以
    下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成り、該反射膜にその反
    射率を変化させる熱記録によって追加記録がなされた光
    記録媒体に対して、 レーザ光を照射して、その戻り光の反射率変化による微
    小変化によって上記追加記録の再生を行うことを特徴と
    する光再生方法。
  12. 【請求項１２】 上記光記録媒体は、上記反射膜上に上
    記保護膜が形成されて成ることを特徴とする請求項１１
    に記載の光再生方法。
  13. 【請求項１３】 上記光記録媒体は、上記反射膜の電気
    抵抗率が３０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以下で
    あることを特徴とする請求項１２に記載の光再生方法。
  14. 【請求項１４】 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅
    方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録
    部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が
    電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以
    下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る構成を有して成る光
    記録媒体に対する光記録手段を具備し、 上記光記録手段は、上記光記録媒体に対し、追加記録情
    報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有し、 該レーザ光の照射によって、上記反射膜を変質させてそ
    の反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行うこ
    とを特徴とする光記録装置。
  15. 【請求項１５】 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅
    方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録
    部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が
    電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以
    下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る構成を有して成る光
    記録媒体に対する光再生手段を具備し、 上記光再生手段は、上記光記録媒体に再生光を照射する
    再生光照射手段と、上記反射膜からの戻り光を検出する
    検出手段とを有し、該検出手段からの検出出力の微小変
    化を上記追加記録の再生信号とすることを特徴とする光
    再生装置。
  16. 【請求項１６】 少なくとも厚さ方向或いはトラック幅
    方向のいずれかの方向に物理的形状変化による情報記録
    部が形成され反射膜を備えた情報層を有し、該反射膜が
    電気抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以上かつ９０μΩ・ｃｍ以
    下のＡｌ合金又はＣｕ合金から成る構成を有して成る光
    記録媒体に対する光記録再生手段を具備し、 上記光記録再生手段は、上記光記録媒体に対し、追加記
    録情報に応じて変調されるレーザ光の照射手段を有し、 該レーザ光の照射によって、上記反射膜を変質させてそ
    の反射率を変化させる熱記録によって追加記録を行い、 上記光記録再生手段は、上記光記録媒体に再生光を照射
    する再生光照射手段と、上記反射膜からの戻り光を検出
    する検出手段とを有し、該検出手段からの検出出力の微
    小変化を上記追加記録の再生信号とすることを特徴とす
    る光記録再生装置。
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