JP2003317210A - パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法 - Google Patents
パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の同一面に、互いに異なる金属材料より
なる複数のパターンを、密着性よくかつ不純物の付着を
抑制しつつ形成可能なパターン形成方法、マイクロデバ
イスの製造方法、磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッド装
置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 各々の金属材料に対応する電極膜を基板
にあらかじめ全て積層し（Ｓ１０１）、基板から最も遠
い第一電極膜に対して第一電極膜に適した第一金属パタ
ーンを形成（Ｓ２００）した後に第一電極膜をエッチン
グ除去し第一電極膜よりも下層の第二電極膜を露出させ
る（Ｓ２１０）。このため、第二金属パターンの金属材
料に適した第二電極膜を選択してメッキすることがで
き、金属材料と電極膜との組合せを最適化させて第二金
属パターンを形成する（Ｓ３００）ことができる。ま
た、すでに形成された第一金属パターンに後工程用の第
二電極膜が付着することがない。
なる複数のパターンを、密着性よくかつ不純物の付着を
抑制しつつ形成可能なパターン形成方法、マイクロデバ
イスの製造方法、磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッド装
置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 各々の金属材料に対応する電極膜を基板
にあらかじめ全て積層し（Ｓ１０１）、基板から最も遠
い第一電極膜に対して第一電極膜に適した第一金属パタ
ーンを形成（Ｓ２００）した後に第一電極膜をエッチン
グ除去し第一電極膜よりも下層の第二電極膜を露出させ
る（Ｓ２１０）。このため、第二金属パターンの金属材
料に適した第二電極膜を選択してメッキすることがで
き、金属材料と電極膜との組合せを最適化させて第二金
属パターンを形成する（Ｓ３００）ことができる。ま
た、すでに形成された第一金属パターンに後工程用の第
二電極膜が付着することがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の同一面に、
互いに異なる金属材料よりなる複数のパターンを形成す
るパターン形成方法、これを用いたマイクロデバイスの
製造方法に関する。本発明において、マイクロデバイス
とは、薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、半導体デバイ
ス、薄膜センサ、薄膜アクチュエータまたはこれらを組
み込んだ装置を含むものである。
互いに異なる金属材料よりなる複数のパターンを形成す
るパターン形成方法、これを用いたマイクロデバイスの
製造方法に関する。本発明において、マイクロデバイス
とは、薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、半導体デバイ
ス、薄膜センサ、薄膜アクチュエータまたはこれらを組
み込んだ装置を含むものである。
【０００２】
【従来の技術】基板上に金属パターンを形成する方法と
して、例えば、特公昭５６−３６７０６号公報に開示さ
れているような、いわゆるフレームメッキ法が知られて
いる。これは、基板の上に電極膜を積層すると共に、電
極膜上に電極膜の所望の部分が露出するようなレジスト
フレーム（枠）を形成し、電極膜を電極としてレジスト
フレーム内に露出する電極膜上に所望の金属層をメッキ
し、レジストフレーム及び余分な電極膜を除去して基板
の上に金属パターンを形成させるものである。
して、例えば、特公昭５６−３６７０６号公報に開示さ
れているような、いわゆるフレームメッキ法が知られて
いる。これは、基板の上に電極膜を積層すると共に、電
極膜上に電極膜の所望の部分が露出するようなレジスト
フレーム（枠）を形成し、電極膜を電極としてレジスト
フレーム内に露出する電極膜上に所望の金属層をメッキ
し、レジストフレーム及び余分な電極膜を除去して基板
の上に金属パターンを形成させるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなフレームメ
ッキ法によって、基板の同一面に、互いに異なる金属材
料よりなる複数のパターンを形成することがある。この
方法として、一種類の電極膜に対して、レジストフレー
ムの形成、金属材料のメッキ、レジストフレームの除去
の一連の工程を金属材料毎に繰り返す方法と、電極膜の
形成、レジストフレームの形成、金属材料のメッキ、レ
ジストフレーム及び余分な電極膜の除去の一連の工程を
金属材料毎に繰り返す方法と、が知られている。
ッキ法によって、基板の同一面に、互いに異なる金属材
料よりなる複数のパターンを形成することがある。この
方法として、一種類の電極膜に対して、レジストフレー
ムの形成、金属材料のメッキ、レジストフレームの除去
の一連の工程を金属材料毎に繰り返す方法と、電極膜の
形成、レジストフレームの形成、金属材料のメッキ、レ
ジストフレーム及び余分な電極膜の除去の一連の工程を
金属材料毎に繰り返す方法と、が知られている。
【０００４】しかし、前者のように、一種類の電極膜に
対して金属材料毎にメッキを繰り返す方法では、電極膜
と各々の金属材料との組合せが必ずしも最適なものとは
ならず、膜状態が良好となりにくいため、密着性のよい
金属パターンの形成ができない場合がある。
対して金属材料毎にメッキを繰り返す方法では、電極膜
と各々の金属材料との組合せが必ずしも最適なものとは
ならず、膜状態が良好となりにくいため、密着性のよい
金属パターンの形成ができない場合がある。
【０００５】また、後者のように、金属材料毎に電極膜
形成から電極膜除去に至る全工程を繰り返す場合、電極
膜と金属材料との組合せの最適化は図れるものの、形成
済みの金属パターンに次の金属材料用の電極膜が積層さ
れるためこれを後工程で完全に除去しなければならな
い。このため、特に、形成済みの金属パターンの側壁等
に電極膜の材料が付着した場合、除去が困難となり不具
合が起こる場合があった。
形成から電極膜除去に至る全工程を繰り返す場合、電極
膜と金属材料との組合せの最適化は図れるものの、形成
済みの金属パターンに次の金属材料用の電極膜が積層さ
れるためこれを後工程で完全に除去しなければならな
い。このため、特に、形成済みの金属パターンの側壁等
に電極膜の材料が付着した場合、除去が困難となり不具
合が起こる場合があった。
【０００６】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、互いに異なる金属材料よりなる複数のパターン
を、密着性よくかつ不純物の付着を抑制して形成可能な
パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜
磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方
法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製
造方法を提供することを目的とする。
であり、互いに異なる金属材料よりなる複数のパターン
を、密着性よくかつ不純物の付着を抑制して形成可能な
パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜
磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方
法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るパターン形
成方法は、基板の同一面に、互いに異なる金属材料より
なる複数の金属パターンを形成するパターン形成方法で
あって、上記基板に上記各々の金属材料に対応する電極
膜を複数積層する電極膜積層工程と、上記複数の電極膜
のうち上記基板から最も遠い第一電極膜に上記第一電極
膜の所定の部分を露出させる第一レジストフレームを形
成し、上記第一電極膜の上記露出部分に上記第一電極膜
に対応する金属材料をメッキして第一金属パターンを形
成し、上記第一レジストフレームを除去する第一パター
ン形成工程と、上記第一金属パターンをマスクとして上
記第一電極膜をエッチング除去し、上記第一電極膜より
上記基板に近い第二電極膜を露出させる第一電極膜除去
工程と、上記第二電極膜に上記第二電極膜の所定の部分
を露出させる第二レジストフレームを形成し、上記第二
電極膜の上記露出部分に上記第二電極膜に対応する金属
材料をメッキして第二金属パターンを形成する第二パタ
ーン形成工程と、を含むことを特徴とする。
成方法は、基板の同一面に、互いに異なる金属材料より
なる複数の金属パターンを形成するパターン形成方法で
あって、上記基板に上記各々の金属材料に対応する電極
膜を複数積層する電極膜積層工程と、上記複数の電極膜
のうち上記基板から最も遠い第一電極膜に上記第一電極
膜の所定の部分を露出させる第一レジストフレームを形
成し、上記第一電極膜の上記露出部分に上記第一電極膜
に対応する金属材料をメッキして第一金属パターンを形
成し、上記第一レジストフレームを除去する第一パター
ン形成工程と、上記第一金属パターンをマスクとして上
記第一電極膜をエッチング除去し、上記第一電極膜より
上記基板に近い第二電極膜を露出させる第一電極膜除去
工程と、上記第二電極膜に上記第二電極膜の所定の部分
を露出させる第二レジストフレームを形成し、上記第二
電極膜の上記露出部分に上記第二電極膜に対応する金属
材料をメッキして第二金属パターンを形成する第二パタ
ーン形成工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】本発明に係るパターン形成方法によれば、
所望の金属パターンを形成する各々の金属材料に対応す
る電極膜が、基板にあらかじめ全て積層される。そし
て、第一電極膜に対して第一電極膜に適した金属材料を
メッキして第一金属パターンを形成した後に、当該第一
電極膜をエッチング除去することにより第二電極膜が表
面に露出される。このため、第二金属パターンの金属材
料に適した第二電極膜を選択してメッキをすることがで
き、各々の金属材料と電極膜との組合せの最適化が可能
となる。したがって、メッキされた金属パターンの膜質
が向上され、メッキされた金属パターンと電極膜との密
着性を向上できる。
所望の金属パターンを形成する各々の金属材料に対応す
る電極膜が、基板にあらかじめ全て積層される。そし
て、第一電極膜に対して第一電極膜に適した金属材料を
メッキして第一金属パターンを形成した後に、当該第一
電極膜をエッチング除去することにより第二電極膜が表
面に露出される。このため、第二金属パターンの金属材
料に適した第二電極膜を選択してメッキをすることがで
き、各々の金属材料と電極膜との組合せの最適化が可能
となる。したがって、メッキされた金属パターンの膜質
が向上され、メッキされた金属パターンと電極膜との密
着性を向上できる。
【０００９】また、メッキによって金属パターンを形成
する前に、あらかじめ、全ての電極膜が基板の上に積層
されており、一つの金属パターンを形成した後に次の金
属パターン用の電極膜を基板に形成する必要がない。こ
のため、すでに形成された金属パターンに次の金属パタ
ーン用の電極膜が付着することがなく、不純物の付着が
少ない好適な金属パターンが得られる。
する前に、あらかじめ、全ての電極膜が基板の上に積層
されており、一つの金属パターンを形成した後に次の金
属パターン用の電極膜を基板に形成する必要がない。こ
のため、すでに形成された金属パターンに次の金属パタ
ーン用の電極膜が付着することがなく、不純物の付着が
少ない好適な金属パターンが得られる。
【００１０】ここで、上記金属材料と、上記金属材料に
対応する電極膜とを、同一材料とすることが好ましい。
対応する電極膜とを、同一材料とすることが好ましい。
【００１１】このように、電極膜と、当該電極膜上にメ
ッキする金属材料と、を同一材料とすることにより、メ
ッキ中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオン等が
メッキ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等をする
ことが防止され、メッキにより形成される金属パターン
の純度の低下が抑制されると共に、金属材料と電極膜と
の密着性も一層向上される。
ッキする金属材料と、を同一材料とすることにより、メ
ッキ中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオン等が
メッキ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等をする
ことが防止され、メッキにより形成される金属パターン
の純度の低下が抑制されると共に、金属材料と電極膜と
の密着性も一層向上される。
【００１２】本発明に係るマイクロデバイスの製造方法
は、基板の同一面に異なる金属材料よりなる複数の金属
パターンが形成されてなるマイクロデバイスの製造方法
であって、上記基板に上記各々の金属材料に対応する電
極膜を複数積層する電極膜積層工程と、上記複数の電極
膜のうち上記基板から最も遠い第一電極膜に上記第一電
極膜の所定の部分を露出させる第一レジストフレームを
形成し、上記第一電極膜の上記露出部分に上記第一電極
膜に対応する金属材料をメッキして第一金属パターンを
形成し、上記第一レジストフレームを除去する第一パタ
ーン形成工程と、上記第一金属パターンをマスクとして
上記第一電極膜をエッチング除去し、上記第一電極膜よ
り上記基板に近い第二電極膜を露出させる第一電極膜除
去工程と、上記第二電極膜に上記第二電極膜の所定の部
分を露出させる第二レジストフレームを形成し、上記第
二電極膜の上記露出部分に上記第二電極膜に対応する金
属材料をメッキして第二金属パターンを形成する第二パ
ターン形成工程と、を含むことを特徴とする。
は、基板の同一面に異なる金属材料よりなる複数の金属
パターンが形成されてなるマイクロデバイスの製造方法
であって、上記基板に上記各々の金属材料に対応する電
極膜を複数積層する電極膜積層工程と、上記複数の電極
膜のうち上記基板から最も遠い第一電極膜に上記第一電
極膜の所定の部分を露出させる第一レジストフレームを
形成し、上記第一電極膜の上記露出部分に上記第一電極
膜に対応する金属材料をメッキして第一金属パターンを
形成し、上記第一レジストフレームを除去する第一パタ
ーン形成工程と、上記第一金属パターンをマスクとして
上記第一電極膜をエッチング除去し、上記第一電極膜よ
り上記基板に近い第二電極膜を露出させる第一電極膜除
去工程と、上記第二電極膜に上記第二電極膜の所定の部
分を露出させる第二レジストフレームを形成し、上記第
二電極膜の上記露出部分に上記第二電極膜に対応する金
属材料をメッキして第二金属パターンを形成する第二パ
ターン形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】本発明に係るマイクロデバイスの製造方法
によれば、所望の金属パターンを形成する各々の金属材
料に対応する電極膜が、基板にあらかじめ全て積層され
る。そして、第一電極膜に対して第一電極膜に適した金
属材料をメッキして第一金属パターンを形成した後に、
当該第一電極膜をエッチング除去することにより第二電
極膜が表面に露出される。このため、第二金属パターン
の金属材料に適した第二電極膜を選択してメッキするこ
とができ、各々の金属材料と電極膜との組合せの最適化
が可能となる。したがって、メッキされた金属パターン
の膜質が向上され、メッキされた金属パターンと電極膜
との密着性を向上できる。
によれば、所望の金属パターンを形成する各々の金属材
料に対応する電極膜が、基板にあらかじめ全て積層され
る。そして、第一電極膜に対して第一電極膜に適した金
属材料をメッキして第一金属パターンを形成した後に、
当該第一電極膜をエッチング除去することにより第二電
極膜が表面に露出される。このため、第二金属パターン
の金属材料に適した第二電極膜を選択してメッキするこ
とができ、各々の金属材料と電極膜との組合せの最適化
が可能となる。したがって、メッキされた金属パターン
の膜質が向上され、メッキされた金属パターンと電極膜
との密着性を向上できる。
【００１４】また、メッキによって金属パターンを形成
する前に、あらかじめ、全ての電極膜が基板の上に積層
されており、一つの金属パターンを形成した後に次の金
属パターン用の電極膜を基板に形成する必要がない。こ
のため、すでに形成された金属パターンに次の金属パタ
ーン用の電極膜が付着することがなく、不純物の付着が
少ない好適な金属パターンが得られる。
する前に、あらかじめ、全ての電極膜が基板の上に積層
されており、一つの金属パターンを形成した後に次の金
属パターン用の電極膜を基板に形成する必要がない。こ
のため、すでに形成された金属パターンに次の金属パタ
ーン用の電極膜が付着することがなく、不純物の付着が
少ない好適な金属パターンが得られる。
【００１５】ここで、上記金属材料と、上記金属材料に
対応する電極膜とを、同一材料とすることが好ましい。
対応する電極膜とを、同一材料とすることが好ましい。
【００１６】このように、電極膜と、当該電極膜上にメ
ッキする金属材料と、を同一材料とすることにより、メ
ッキ中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオン等が
メッキ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等をする
ことが防止され、メッキにより形成される金属パターン
の純度の低下が抑制されると共に、金属材料と電極膜と
の密着性も一層向上される。
ッキする金属材料と、を同一材料とすることにより、メ
ッキ中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオン等が
メッキ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等をする
ことが防止され、メッキにより形成される金属パターン
の純度の低下が抑制されると共に、金属材料と電極膜と
の密着性も一層向上される。
【００１７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、基板の同一面に異なる金属材料よりなる複数の金属
パターンが形成されてなる薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、上記基板に上記各々の金属材料に対応する電極
膜を複数積層する電極膜積層工程と、上記複数の電極膜
のうち上記基板から最も遠い第一電極膜に上記第一電極
膜の所定の部分を露出させる第一レジストフレームを形
成し、上記第一電極膜の上記露出部分に上記第一電極膜
に対応する金属材料をメッキして第一金属パターンを形
成し、上記第一レジストフレームを除去する第一パター
ン形成工程と、上記第一金属パターンをマスクとして上
記第一電極膜をエッチング除去し、上記第一電極膜より
上記基板に近い第二電極膜を露出させる第一電極膜除去
工程と、上記第二電極膜に上記第二電極膜の所定の部分
を露出させる第二レジストフレームを形成し、上記第二
電極膜の上記露出部分に上記第二電極膜に対応する金属
材料をメッキして第二金属パターンを形成する第二パタ
ーン形成工程と、を含むことを特徴とする。
は、基板の同一面に異なる金属材料よりなる複数の金属
パターンが形成されてなる薄膜磁気ヘッドの製造方法で
あって、上記基板に上記各々の金属材料に対応する電極
膜を複数積層する電極膜積層工程と、上記複数の電極膜
のうち上記基板から最も遠い第一電極膜に上記第一電極
膜の所定の部分を露出させる第一レジストフレームを形
成し、上記第一電極膜の上記露出部分に上記第一電極膜
に対応する金属材料をメッキして第一金属パターンを形
成し、上記第一レジストフレームを除去する第一パター
ン形成工程と、上記第一金属パターンをマスクとして上
記第一電極膜をエッチング除去し、上記第一電極膜より
上記基板に近い第二電極膜を露出させる第一電極膜除去
工程と、上記第二電極膜に上記第二電極膜の所定の部分
を露出させる第二レジストフレームを形成し、上記第二
電極膜の上記露出部分に上記第二電極膜に対応する金属
材料をメッキして第二金属パターンを形成する第二パタ
ーン形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に
よれば、所望の金属パターンを形成する各々の金属材料
に対応する電極膜が、基板にあらかじめ全て積層され
る。そして、第一電極膜に対して第一電極膜に適した金
属材料をメッキして第一金属パターンを形成した後に、
当該第一電極膜をエッチング除去することにより第二電
極膜が表面に露出される。このため、第二金属パターン
の金属材料に適した第二電極膜を選択してメッキするこ
とができ、各々の金属材料と電極膜との組合せの最適化
が可能となる。したがって、メッキされた金属パターン
の膜質が向上され、メッキされた金属パターンと電極膜
との密着性を向上できる。
よれば、所望の金属パターンを形成する各々の金属材料
に対応する電極膜が、基板にあらかじめ全て積層され
る。そして、第一電極膜に対して第一電極膜に適した金
属材料をメッキして第一金属パターンを形成した後に、
当該第一電極膜をエッチング除去することにより第二電
極膜が表面に露出される。このため、第二金属パターン
の金属材料に適した第二電極膜を選択してメッキするこ
とができ、各々の金属材料と電極膜との組合せの最適化
が可能となる。したがって、メッキされた金属パターン
の膜質が向上され、メッキされた金属パターンと電極膜
との密着性を向上できる。
【００１９】また、メッキによって金属パターンを形成
する前に、あらかじめ、全ての電極膜が基板の上に積層
されており、一つの金属パターンを形成した後に次の金
属パターン用の電極膜を基板に積層する必要がない。こ
のため、すでに形成された金属パターンに次の金属パタ
ーン用の電極膜が付着することがなく、不純物の付着が
少ない好適な金属パターンが得られる。
する前に、あらかじめ、全ての電極膜が基板の上に積層
されており、一つの金属パターンを形成した後に次の金
属パターン用の電極膜を基板に積層する必要がない。こ
のため、すでに形成された金属パターンに次の金属パタ
ーン用の電極膜が付着することがなく、不純物の付着が
少ない好適な金属パターンが得られる。
【００２０】ここで、上記金属材料と、上記金属材料に
対応する電極膜とを、同一材料とすることが好ましい。
対応する電極膜とを、同一材料とすることが好ましい。
【００２１】このように、電極膜と、当該電極膜上にメ
ッキする金属材料と、を同一材料とすることにより、メ
ッキ中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオン等が
メッキ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等をする
ことが防止され、メッキにより形成される金属パターン
の純度の低下が抑制されると共に、金属材料と電極膜と
の密着性も一層向上される。
ッキする金属材料と、を同一材料とすることにより、メ
ッキ中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオン等が
メッキ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等をする
ことが防止され、メッキにより形成される金属パターン
の純度の低下が抑制されると共に、金属材料と電極膜と
の密着性も一層向上される。
【００２２】また、上記薄膜磁気ヘッドは、互いに異な
る金属材料よりなる薄膜コイル及び磁極層を備え、上記
金属パターンとして上記薄膜コイルと上記磁極層とを形
成することが好ましく、これにより、膜質が良好で密着
性が高く不純物の少ない薄膜コイル及び磁極層が得られ
る。
る金属材料よりなる薄膜コイル及び磁極層を備え、上記
金属パターンとして上記薄膜コイルと上記磁極層とを形
成することが好ましく、これにより、膜質が良好で密着
性が高く不純物の少ない薄膜コイル及び磁極層が得られ
る。
【００２３】本発明に係る磁気ヘッドスライダの製造方
法は、薄膜磁気ヘッドを備える磁気ヘッドスライダの製
造方法であって、上記薄膜磁気ヘッドを上記製造方法を
用いて製造することを特徴とする。
法は、薄膜磁気ヘッドを備える磁気ヘッドスライダの製
造方法であって、上記薄膜磁気ヘッドを上記製造方法を
用いて製造することを特徴とする。
【００２４】また、本発明に係る磁気ヘッド装置の製造
方法は、薄膜磁気ヘッドと、上記薄膜磁気ヘッドを支持
するヘッド支持装置と、を含む磁気ヘッド装置の製造方
法であって、上記薄膜磁気ヘッドを上記製造方法を用い
て製造することを特徴とする。
方法は、薄膜磁気ヘッドと、上記薄膜磁気ヘッドを支持
するヘッド支持装置と、を含む磁気ヘッド装置の製造方
法であって、上記薄膜磁気ヘッドを上記製造方法を用い
て製造することを特徴とする。
【００２５】また、本発明に係る磁気記録再生装置の製
造方法は、薄膜磁気ヘッド及び上記薄膜磁気ヘッドを支
持するヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置と、上記
薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再生を行う磁気記録
媒体と、を有する磁気記録再生装置の製造方法であっ
て、上記磁気ヘッド装置を上記製造方法で製造すること
を特徴とする。
造方法は、薄膜磁気ヘッド及び上記薄膜磁気ヘッドを支
持するヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置と、上記
薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再生を行う磁気記録
媒体と、を有する磁気記録再生装置の製造方法であっ
て、上記磁気ヘッド装置を上記製造方法で製造すること
を特徴とする。
【００２６】本発明の磁気ヘッドスライダの製造方法、
磁気ヘッド装置の製造方法及び磁気記録再生装置の製造
方法によれば、これらの製造において、各々の金属材料
に対応する電極膜が基板にあらかじめ全て積層される。
そして、第一電極膜に対して第一電極膜に適した金属材
料をメッキして第一金属パターンを形成した後に、当該
第一電極膜を除去することにより第二電極膜が表面に露
出される。このため、第二金属パターンの金属材料に適
した第二電極膜を選択してメッキすることができ、各々
の金属材料と電極膜との組合せの最適化が可能となる。
したがって、メッキされた金属パターンの膜質が向上さ
れ、メッキされた金属パターンと電極膜との密着性を向
上できる。
磁気ヘッド装置の製造方法及び磁気記録再生装置の製造
方法によれば、これらの製造において、各々の金属材料
に対応する電極膜が基板にあらかじめ全て積層される。
そして、第一電極膜に対して第一電極膜に適した金属材
料をメッキして第一金属パターンを形成した後に、当該
第一電極膜を除去することにより第二電極膜が表面に露
出される。このため、第二金属パターンの金属材料に適
した第二電極膜を選択してメッキすることができ、各々
の金属材料と電極膜との組合せの最適化が可能となる。
したがって、メッキされた金属パターンの膜質が向上さ
れ、メッキされた金属パターンと電極膜との密着性を向
上できる。
【００２７】また、メッキによって金属パターンを形成
する前に、あらかじめ、全ての電極膜が基板の上に積層
されており、一つの金属パターンを形成した後に次の金
属パターン用の電極膜を基板に積層する必要がない。こ
のため、すでに形成された金属パターンに次の金属パタ
ーン用の電極膜が付着することがなく、不純物の付着が
少ない好適な金属パターンが得られる。
する前に、あらかじめ、全ての電極膜が基板の上に積層
されており、一つの金属パターンを形成した後に次の金
属パターン用の電極膜を基板に積層する必要がない。こ
のため、すでに形成された金属パターンに次の金属パタ
ーン用の電極膜が付着することがなく、不純物の付着が
少ない好適な金属パターンが得られる。
【００２８】さらに、電極膜と、当該電極膜上にメッキ
する金属材料と、を同一材料とすることにより、メッキ
中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオン等がメッ
キ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等をすること
が防止され、メッキにより形成される金属パターンの純
度の低下が抑制されると共に、金属材料と電極膜との密
着性も一層向上される。
する金属材料と、を同一材料とすることにより、メッキ
中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオン等がメッ
キ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等をすること
が防止され、メッキにより形成される金属パターンの純
度の低下が抑制されると共に、金属材料と電極膜との密
着性も一層向上される。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。な
お、図面の説明において、同一または相当要素には同一
の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は
理解を容易にするため一部を誇張して描いているので、
寸法比率等は図面間で必ずしも一致しない。
本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。な
お、図面の説明において、同一または相当要素には同一
の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は
理解を容易にするため一部を誇張して描いているので、
寸法比率等は図面間で必ずしも一致しない。
【００３０】（第一実施形態）まず、第一実施形態のパ
ターン形成方法について説明する。図１は、本実施形態
のパターン形成方法を示すフロー図、図２〜図１１は、
本実施形態のパターン形成方法を説明する断面図であ
る。
ターン形成方法について説明する。図１は、本実施形態
のパターン形成方法を示すフロー図、図２〜図１１は、
本実施形態のパターン形成方法を説明する断面図であ
る。
【００３１】本実施形態では、基板の同一面に、互いに
異なる金属材料よりなる第一金属パターン及び第二金属
パターンを各々フレームメッキ法で形成する。
異なる金属材料よりなる第一金属パターン及び第二金属
パターンを各々フレームメッキ法で形成する。
【００３２】まず、図２に示すように、基板２を用意
し、第二金属パターンと同じ材料とされる第二電極膜４
と、第一金属パターンと同じ材料とされる第一電極膜６
と、を基板２上に順次積層する（ステップ１０１）。こ
れらの電極膜の形成には、例えば、スパッタリング法等
を用いることができる。
し、第二金属パターンと同じ材料とされる第二電極膜４
と、第一金属パターンと同じ材料とされる第一電極膜６
と、を基板２上に順次積層する（ステップ１０１）。こ
れらの電極膜の形成には、例えば、スパッタリング法等
を用いることができる。
【００３３】次に、以下のような工程により、第一金属
パターンを形成する（ステップ２００）。
パターンを形成する（ステップ２００）。
【００３４】まず、図３に示すように、最上の電極膜で
ある第一電極膜６上に、レジスト８を塗布する（ステッ
プ２０１）。なお、必要に応じてレジスト８の熱処理を
してもよい。
ある第一電極膜６上に、レジスト８を塗布する（ステッ
プ２０１）。なお、必要に応じてレジスト８の熱処理を
してもよい。
【００３５】次に、第一金属パターンに対応するマスク
１０を介してレジスト８を露光し、第一金属パターンに
対応するパターンの潜像をレジスト８に転写する。さら
に、潜像が転写されたレジスト８を現像、水洗、乾燥
し、図４に示すように、第一電極膜６の表面の一部を第
一金属パターンに対応して露出させる第一レジストフレ
ーム８Ｆを形成する（ステップ２０２）。なお、転写後
で現像前に必要に応じてレジスト８の熱処理をしてもよ
い。
１０を介してレジスト８を露光し、第一金属パターンに
対応するパターンの潜像をレジスト８に転写する。さら
に、潜像が転写されたレジスト８を現像、水洗、乾燥
し、図４に示すように、第一電極膜６の表面の一部を第
一金属パターンに対応して露出させる第一レジストフレ
ーム８Ｆを形成する（ステップ２０２）。なお、転写後
で現像前に必要に応じてレジスト８の熱処理をしてもよ
い。
【００３６】次に、図５に示すように、第一レジストフ
レーム８Ｆに囲まれた第一電極膜６の表面上に、この第
一電極膜６を電極として第一金属材料のメッキを行い、
第一金属パターン１６を形成する（ステップ２０３）。
なお、必要に応じて、メッキ前に酸等により第一電極膜
６の露出面を前処理してもよい。
レーム８Ｆに囲まれた第一電極膜６の表面上に、この第
一電極膜６を電極として第一金属材料のメッキを行い、
第一金属パターン１６を形成する（ステップ２０３）。
なお、必要に応じて、メッキ前に酸等により第一電極膜
６の露出面を前処理してもよい。
【００３７】次に、図６に示すように、第一レジストフ
レーム８Ｆを除去する（ステップ２０４）。ここでは、
例えば、有機溶剤による溶解や、アッシング等によって
第一レジストフレーム８Ｆを除去できる。
レーム８Ｆを除去する（ステップ２０４）。ここでは、
例えば、有機溶剤による溶解や、アッシング等によって
第一レジストフレーム８Ｆを除去できる。
【００３８】次に、図７に示すように、第一金属パター
ン１６をマスクとして表面に露出する第一電極膜６をエ
ッチング除去する（ステップ２１０）。このとき、第一
電極膜６よりも下層の第二電極膜４はエッチング除去せ
ず、表面に露出するようにする。この第一電極膜６のエ
ッチング除去には、ミリング法や、反応性イオンエッチ
ング等のドライエッチング法や、ウェットエッチング法
を採用することができる。
ン１６をマスクとして表面に露出する第一電極膜６をエ
ッチング除去する（ステップ２１０）。このとき、第一
電極膜６よりも下層の第二電極膜４はエッチング除去せ
ず、表面に露出するようにする。この第一電極膜６のエ
ッチング除去には、ミリング法や、反応性イオンエッチ
ング等のドライエッチング法や、ウェットエッチング法
を採用することができる。
【００３９】次に、第二金属パターンを、以下のような
工程により形成する（ステップ３００）。
工程により形成する（ステップ３００）。
【００４０】まず、図８に示すように、ステップ２０１
と同様にして、第一金属パターン１６、第二電極膜４、
第一電極膜６を覆うように、レジスト１８を塗布する
（ステップ３０１）。なお、必要により、レジスト１８
を熱処理してもよい。
と同様にして、第一金属パターン１６、第二電極膜４、
第一電極膜６を覆うように、レジスト１８を塗布する
（ステップ３０１）。なお、必要により、レジスト１８
を熱処理してもよい。
【００４１】次に、第二金属パターンに対応したマスク
１９を用意し、ステップ２０２と同様にして、レジスト
１８を露光して当該マスクの潜像をレジスト１８に転写
する。続いて、図９に示すように、レジスト１８の現
像、水洗、乾燥を行って、第二電極膜４の表面を第二金
属材料のパターンに対応して露出させる第二レジストフ
レーム１８Ｆを形成する（ステップ３０２）。なお、転
写後で現像前にレジスト１８を熱処理してもよい。
１９を用意し、ステップ２０２と同様にして、レジスト
１８を露光して当該マスクの潜像をレジスト１８に転写
する。続いて、図９に示すように、レジスト１８の現
像、水洗、乾燥を行って、第二電極膜４の表面を第二金
属材料のパターンに対応して露出させる第二レジストフ
レーム１８Ｆを形成する（ステップ３０２）。なお、転
写後で現像前にレジスト１８を熱処理してもよい。
【００４２】次に、図１０に示すように、第二レジスト
フレーム１８Ｆ内に露出する第二電極膜４上に、当該第
二電極膜４を電極として第二金属材料のメッキを行い、
第二金属パターン２２を形成する（ステップ３０３）。
なお、メッキ前に酸等により第二電極膜４の露出面を前
処理してもよい。
フレーム１８Ｆ内に露出する第二電極膜４上に、当該第
二電極膜４を電極として第二金属材料のメッキを行い、
第二金属パターン２２を形成する（ステップ３０３）。
なお、メッキ前に酸等により第二電極膜４の露出面を前
処理してもよい。
【００４３】最後に、図１１に示すように、ステップ２
０４と同様にして、第二レジストフレーム１８Ｆを除去
し（ステップ３０４）、さらに、第二電極膜４を、第一
金属パターン１６及び第二金属パターン２２をマスクと
して、例えば、ステップ２１０と同様にミリング法等に
よりエッチング除去する（ステップ３１０）。以上によ
り本実施形態のパターン形成方法は完了する。
０４と同様にして、第二レジストフレーム１８Ｆを除去
し（ステップ３０４）、さらに、第二電極膜４を、第一
金属パターン１６及び第二金属パターン２２をマスクと
して、例えば、ステップ２１０と同様にミリング法等に
よりエッチング除去する（ステップ３１０）。以上によ
り本実施形態のパターン形成方法は完了する。
【００４４】このようなパターン形成方法によれば、第
一金属パターン１６に対応する第一電極膜６及び第二金
属パターン２２に対応する第二電極膜４が基板２にあら
かじめ全て積層される。そして、基板２から最も遠い上
層の第一電極膜６に対してこれに適した第一金属材料を
メッキして第一金属パターン１６を形成した後に、当該
第一電極膜６をエッチング除去することにより第一電極
膜６よりも基板２に近い下層側の第二電極膜４が表面に
露出される。このため、新たに露出される第二電極膜４
に対して当該第二電極膜４に適した第二金属材料をメッ
キして第二金属パターン２２を形成することができる。
そしてこのように、第二金属パターン２２に係る第二金
属材料に適した第二電極膜４を選択してメッキを行うこ
とができるので、各々の金属材料と電極膜との組合せの
最適化が可能となる。したがって、メッキされた金属パ
ターンの膜質が向上され、メッキされた金属パターンと
電極膜との密着性を向上できる。
一金属パターン１６に対応する第一電極膜６及び第二金
属パターン２２に対応する第二電極膜４が基板２にあら
かじめ全て積層される。そして、基板２から最も遠い上
層の第一電極膜６に対してこれに適した第一金属材料を
メッキして第一金属パターン１６を形成した後に、当該
第一電極膜６をエッチング除去することにより第一電極
膜６よりも基板２に近い下層側の第二電極膜４が表面に
露出される。このため、新たに露出される第二電極膜４
に対して当該第二電極膜４に適した第二金属材料をメッ
キして第二金属パターン２２を形成することができる。
そしてこのように、第二金属パターン２２に係る第二金
属材料に適した第二電極膜４を選択してメッキを行うこ
とができるので、各々の金属材料と電極膜との組合せの
最適化が可能となる。したがって、メッキされた金属パ
ターンの膜質が向上され、メッキされた金属パターンと
電極膜との密着性を向上できる。
【００４５】また、メッキによって第一金属パターン１
６や第二金属パターン２２を形成する前に、あらかじ
め、全ての電極膜が基板２の上に積層されており、第一
金属パターン１６を形成した後に第二金属パターン２２
用の第二電極膜４を基板２に形成する必要がない。この
ため、すでに形成された第一金属パターン１６に第二金
属パターン２２用の第二電極膜４が付着することがな
く、不純物の付着が少ない好適なパターンが得られる。
６や第二金属パターン２２を形成する前に、あらかじ
め、全ての電極膜が基板２の上に積層されており、第一
金属パターン１６を形成した後に第二金属パターン２２
用の第二電極膜４を基板２に形成する必要がない。この
ため、すでに形成された第一金属パターン１６に第二金
属パターン２２用の第二電極膜４が付着することがな
く、不純物の付着が少ない好適なパターンが得られる。
【００４６】さらに、各々の金属材料と、当該各々の金
属材料に対応する電極膜とを、同一材料としているの
で、メッキ中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオ
ン等がメッキ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等
をすることが防止され、メッキにより形成される金属パ
ターンの純度の低下が抑制されると共に、金属材料と電
極膜との密着性も一層向上される。
属材料に対応する電極膜とを、同一材料としているの
で、メッキ中に、電極膜から電極膜を構成する金属イオ
ン等がメッキ浴のメッキ液中に溶解しメッキ液の汚染等
をすることが防止され、メッキにより形成される金属パ
ターンの純度の低下が抑制されると共に、金属材料と電
極膜との密着性も一層向上される。
【００４７】ここで、本実施形態によるパターン形成方
法の実施例として、以下のようにして金属パターンの形
成を行った。
法の実施例として、以下のようにして金属パターンの形
成を行った。
【００４８】ここでは、基板として３インチφで２ｍｍ
程度の厚さのアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）を用
い、この基板の同一面に、第一金属パターンとしての銅
（Ｃｕ）パターンと、第二金属パターンとしてのパーマ
ロイ（ＮｉＦｅ）パターンと、を各々形成した。
程度の厚さのアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）を用
い、この基板の同一面に、第一金属パターンとしての銅
（Ｃｕ）パターンと、第二金属パターンとしてのパーマ
ロイ（ＮｉＦｅ）パターンと、を各々形成した。
【００４９】まず、基板上に第二電極膜としてパーマロ
イ電極膜を５０ｎｍ程度形成し、さらに、その上に第一
電極膜として銅電極膜を１００ｎｍ程度形成した。これ
らのパーマロイ電極膜や銅電極膜の形成には、スパッタ
リング法を採用し、日電アネルバ社製のＳＰＦ−７４０
Ｈ（直流スパッタ装置）を用い、パーマロイターゲット
又は銅ターゲット、１０００Ｗの電力、５０ｃｍ3／ｍ
ｉｎ（標準状態）のアルゴンガス流量、０．２７Ｐａの
圧力で行った。
イ電極膜を５０ｎｍ程度形成し、さらに、その上に第一
電極膜として銅電極膜を１００ｎｍ程度形成した。これ
らのパーマロイ電極膜や銅電極膜の形成には、スパッタ
リング法を採用し、日電アネルバ社製のＳＰＦ−７４０
Ｈ（直流スパッタ装置）を用い、パーマロイターゲット
又は銅ターゲット、１０００Ｗの電力、５０ｃｍ3／ｍ
ｉｎ（標準状態）のアルゴンガス流量、０．２７Ｐａの
圧力で行った。
【００５０】次に、レジストとして、クラリアント社製
のＡＺＰ４６２０を塗布した。ここでは、スピンコート
法によって３μｍ程度の膜厚とし、ホットプレート上等
で１１０℃、１８０秒程度のプリベークをした。
のＡＺＰ４６２０を塗布した。ここでは、スピンコート
法によって３μｍ程度の膜厚とし、ホットプレート上等
で１１０℃、１８０秒程度のプリベークをした。
【００５１】次に、ダーク部が１μｍ幅で、クリアー部
が１μｍ幅の、ラインスペースの繰り返しパターンを有
するマスク１０を用い、レジストの露光・現像を行じレ
ジストフレームを形成した。
が１μｍ幅の、ラインスペースの繰り返しパターンを有
するマスク１０を用い、レジストの露光・現像を行じレ
ジストフレームを形成した。
【００５２】ここで、露光装置としては、ニコン社ＮＳ
Ｒ−ＴＦＨｉ１２を用い、ＮＡ（開口数）＝０．４、σ
（照明系のＮＡとレンズＮＡの比）＝０．４、波長３６
５ｎｍ、線量６００ｍＪ／ｃｍ2、焦点０μｍ、とし
た。
Ｒ−ＴＦＨｉ１２を用い、ＮＡ（開口数）＝０．４、σ
（照明系のＮＡとレンズＮＡの比）＝０．４、波長３６
５ｎｍ、線量６００ｍＪ／ｃｍ2、焦点０μｍ、とし
た。
【００５３】また、現像には、２．３８％ＴＭＡＨ（水
酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液を用い、パドル
法で５０秒×３回現像し、その後水洗し乾燥した。
酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液を用い、パドル
法で５０秒×３回現像し、その後水洗し乾燥した。
【００５４】次に、銅電極膜上に銅をメッキして銅パタ
ーンを形成した。ここで、銅のメッキ法としては、硫酸
銅浴の液浴メッキ法を使用し、メッキ厚は２．５μｍ程
度とした。
ーンを形成した。ここで、銅のメッキ法としては、硫酸
銅浴の液浴メッキ法を使用し、メッキ厚は２．５μｍ程
度とした。
【００５５】次に、基板をアセトン中に浸漬揺動するこ
とによりレジストフレームを溶解除去した。
とによりレジストフレームを溶解除去した。
【００５６】次に、銅パターンをマスクとして銅電極膜
をミリング法によりエッチング除去しパーマロイ電極膜
を露出させた。ここで、銅電極膜の除去には、コモンウ
ェルス社製８Ｃミリング装置を用い、５００Ｗの電力、
５００ｍＡの電流、０．４Ｐａの圧力、角度１０°で行
った。
をミリング法によりエッチング除去しパーマロイ電極膜
を露出させた。ここで、銅電極膜の除去には、コモンウ
ェルス社製８Ｃミリング装置を用い、５００Ｗの電力、
５００ｍＡの電流、０．４Ｐａの圧力、角度１０°で行
った。
【００５７】次に、上述と同様にレジストを塗布し、上
述と同様にレジストの露光・現像を行ってレジストフレ
ームを形成した。ここで、マスクとしては、クリアー部
が１μｍ幅のスペースの孤立ラインパターンを用いた。
述と同様にレジストの露光・現像を行ってレジストフレ
ームを形成した。ここで、マスクとしては、クリアー部
が１μｍ幅のスペースの孤立ラインパターンを用いた。
【００５８】次に、パーマロイ電極膜上にパーマロイを
メッキしてパーマロイパターンを形成した。パーマロイ
のメッキ法としては、ＮｉのＷａｔｔ浴にＦｅイオンを
添加したものを利用し、メッキ厚は２．５μｍ程度とし
た。
メッキしてパーマロイパターンを形成した。パーマロイ
のメッキ法としては、ＮｉのＷａｔｔ浴にＦｅイオンを
添加したものを利用し、メッキ厚は２．５μｍ程度とし
た。
【００５９】次に、上述と同様にしてレジストを除去
し、上述と同様にしてパーマロイ電極膜をエッチング除
去した。
し、上述と同様にしてパーマロイ電極膜をエッチング除
去した。
【００６０】本実施例で得られた、銅パターンの比抵抗
は、単純に銅の電極膜上に銅パターンのみを形成した場
合のものと同程度であり、銅パターンが電極層に強く密
着されていることが確認された。また、銅パターンを日
立製作所製走査電子顕微鏡Ｓ−４７００付属のＥＤＸ
（微少蛍光Ｘ線分析装置）を用いて組成分析したとこ
ろ、鉄やニッケル等の不純物も検出されなかった。銅パ
ターンの膜質も良好であった。
は、単純に銅の電極膜上に銅パターンのみを形成した場
合のものと同程度であり、銅パターンが電極層に強く密
着されていることが確認された。また、銅パターンを日
立製作所製走査電子顕微鏡Ｓ−４７００付属のＥＤＸ
（微少蛍光Ｘ線分析装置）を用いて組成分析したとこ
ろ、鉄やニッケル等の不純物も検出されなかった。銅パ
ターンの膜質も良好であった。
【００６１】また、本実施例で得られた、パーマロイパ
ターンについても、軟磁気特性の劣化や飽和磁束密度の
低下などは確認されず、また、成分分析によっても銅等
の不純物も検出されず、密着性が高く純度の高いパーマ
ロイパターンが得られたことが確認された。パーマロイ
パターンの膜質も良好であった。
ターンについても、軟磁気特性の劣化や飽和磁束密度の
低下などは確認されず、また、成分分析によっても銅等
の不純物も検出されず、密着性が高く純度の高いパーマ
ロイパターンが得られたことが確認された。パーマロイ
パターンの膜質も良好であった。
【００６２】（第二実施形態）続いて、第二実施形態の
パターン形成方法について説明すると共に、マイクロデ
バイスとしての薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッド
スライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、及
び、磁気記録再生装置の製造方法について説明する。
パターン形成方法について説明すると共に、マイクロデ
バイスとしての薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッド
スライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、及
び、磁気記録再生装置の製造方法について説明する。
【００６３】図１２は、本実施形態の製造方法で得られ
る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置（磁気記
録再生装置）を示す図である。ハードディスク装置２０
０は、ヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ：Head Arms As
sembly）（磁気ヘッド装置）２１５を作動させて、高速
回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２の記録
面（図１２の上面）に、薄膜磁気ヘッド２１０によって
磁気情報（磁気信号）を記録及び再生するものである。
ヘッドアームアセンブリ２１５は、薄膜磁気ヘッド２１
０が形成されたスライダ（磁気ヘッドスライダ）２１１
を搭載したジンバル（ヘッド支持装置）２１２と、これ
が接続されたサスペンションアーム２１３とを備え、支
軸２１４周りに例えばボイスコイルモータによって回転
可能となっている。ヘッドアームアセンブリ２１５を回
転させると、スライダ２１１は、ハードディスク２０２
の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移
動する。
る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置（磁気記
録再生装置）を示す図である。ハードディスク装置２０
０は、ヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ：Head Arms As
sembly）（磁気ヘッド装置）２１５を作動させて、高速
回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２の記録
面（図１２の上面）に、薄膜磁気ヘッド２１０によって
磁気情報（磁気信号）を記録及び再生するものである。
ヘッドアームアセンブリ２１５は、薄膜磁気ヘッド２１
０が形成されたスライダ（磁気ヘッドスライダ）２１１
を搭載したジンバル（ヘッド支持装置）２１２と、これ
が接続されたサスペンションアーム２１３とを備え、支
軸２１４周りに例えばボイスコイルモータによって回転
可能となっている。ヘッドアームアセンブリ２１５を回
転させると、スライダ２１１は、ハードディスク２０２
の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移
動する。
【００６４】図１３は、スライダ２１１の拡大斜視図で
ある。スライダ２１１は、略直方体形状をなし、アルテ
ィック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）からなる基台２１１ａ上
に、薄膜磁気ヘッド２１０が形成されている。同図にお
ける手前側の面は、ハードディスク２０２の記録面に対
向する面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ：Air Bear
ing Surface）Ｓと称されるものである。ハードディス
ク２０２が回転する際、この回転に伴う空気流によって
スライダ２１１が浮上し、エアベアリング面Ｓはハード
ディスク２０２の記録面から離隔する。薄膜磁気ヘッド
２１０には記録用端子２１８ａ，２１８ｂ及び再生用端
子２１９ａ，２１９ｂが設けられており、図１に示した
サスペンションアーム２１３には、各端子に接続され
る、電気信号の入出力用の配線（図示省略）が取付けら
れている。また、薄膜磁気ヘッド２１０を保護するため
に、図中破線で示したオーバーコート層２２１が設けら
れている。なお、エアベアリング面Ｓに、ＤＬＣ（Diam
ond Like Carbon）等のコーティングを施してもよい。
ある。スライダ２１１は、略直方体形状をなし、アルテ
ィック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）からなる基台２１１ａ上
に、薄膜磁気ヘッド２１０が形成されている。同図にお
ける手前側の面は、ハードディスク２０２の記録面に対
向する面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ：Air Bear
ing Surface）Ｓと称されるものである。ハードディス
ク２０２が回転する際、この回転に伴う空気流によって
スライダ２１１が浮上し、エアベアリング面Ｓはハード
ディスク２０２の記録面から離隔する。薄膜磁気ヘッド
２１０には記録用端子２１８ａ，２１８ｂ及び再生用端
子２１９ａ，２１９ｂが設けられており、図１に示した
サスペンションアーム２１３には、各端子に接続され
る、電気信号の入出力用の配線（図示省略）が取付けら
れている。また、薄膜磁気ヘッド２１０を保護するため
に、図中破線で示したオーバーコート層２２１が設けら
れている。なお、エアベアリング面Ｓに、ＤＬＣ（Diam
ond Like Carbon）等のコーティングを施してもよい。
【００６５】図１４は、スライダ２１１に形成された薄
膜磁気ヘッド２１０を模式的に示した拡大図である。薄
膜磁気ヘッド２１０の概要を説明するために、同図で
は、部分的に破断して示し、言及しない層の図示を省略
している。
膜磁気ヘッド２１０を模式的に示した拡大図である。薄
膜磁気ヘッド２１０の概要を説明するために、同図で
は、部分的に破断して示し、言及しない層の図示を省略
している。
【００６６】薄膜磁気ヘッド２１０は、基板１０１上に
形成され、磁気抵抗効果素子としてＭＲ素子１０５を有
する再生ヘッド部１５０と、誘導型の磁気変換素子とし
ての記録ヘッド部１３０とを積層した複合型薄膜磁気ヘ
ッドとなっている。
形成され、磁気抵抗効果素子としてＭＲ素子１０５を有
する再生ヘッド部１５０と、誘導型の磁気変換素子とし
ての記録ヘッド部１３０とを積層した複合型薄膜磁気ヘ
ッドとなっている。
【００６７】再生ヘッド部１５０は、基板１０１上に形
成された絶縁層１０２の上に設けられた下部シールド層
１０３と、下部シールド層１０３上に設けられた下部シ
ールドギャップ膜１０４と、下部シールドギャップ膜１
０４上に設けられたＭＲ素子１０５と、ＭＲ素子１０５
の両側に設けられた電極層１０６と、ＭＲ素子１０５お
よび電極層１０６上に形成された上部シールドギャップ
膜１０７と、上部シールドギャップ膜１０７上に設けら
れた上部シールド兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記
す）１０８と、を主として備えている。
成された絶縁層１０２の上に設けられた下部シールド層
１０３と、下部シールド層１０３上に設けられた下部シ
ールドギャップ膜１０４と、下部シールドギャップ膜１
０４上に設けられたＭＲ素子１０５と、ＭＲ素子１０５
の両側に設けられた電極層１０６と、ＭＲ素子１０５お
よび電極層１０６上に形成された上部シールドギャップ
膜１０７と、上部シールドギャップ膜１０７上に設けら
れた上部シールド兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記
す）１０８と、を主として備えている。
【００６８】なお、図示は省略するが、電極層１０６
は、それぞれ再生用端子２１９ａと再生用端子２１９ｂ
（図１３参照）に電気的に接続されている。なお、本明
細書において、シールド層のように「上部」及び「下
部」という語を用いる場合があるが、「下部」とは基板
１０１に近い側であることを意味し、「上部」とは基板
１０１から遠い側であることを意味する。
は、それぞれ再生用端子２１９ａと再生用端子２１９ｂ
（図１３参照）に電気的に接続されている。なお、本明
細書において、シールド層のように「上部」及び「下
部」という語を用いる場合があるが、「下部」とは基板
１０１に近い側であることを意味し、「上部」とは基板
１０１から遠い側であることを意味する。
【００６９】このような再生ヘッド部１５０は、ハード
ディスク２０２の磁気の変化を、ＭＲ素子１０５の磁気
抵抗効果によって抵抗値に変換して取出し、再生用端子
２１９ａ，２１９ｂを介して読みとることにより情報の
再生を行う。
ディスク２０２の磁気の変化を、ＭＲ素子１０５の磁気
抵抗効果によって抵抗値に変換して取出し、再生用端子
２１９ａ，２１９ｂを介して読みとることにより情報の
再生を行う。
【００７０】再び図１４を参照して、薄膜磁気ヘッド２
１０の記録ヘッド部１３０について説明する。記録ヘッ
ド部１３０は、再生ヘッド部１５０上に配されている。
１０の記録ヘッド部１３０について説明する。記録ヘッ
ド部１３０は、再生ヘッド部１５０上に配されている。
【００７１】記録ヘッド部１３０は、主として、再生ヘ
ッド部１５０の上部シールドを兼ねる下部磁極層１０８
と、下部磁極層１０８上に形成され絶縁材料からなる記
録ギャップ層１１２と、記録ギャップ層１１２上でエア
ベアリング面Ｓ側に形成された上部磁極部分層１４１
と、記録ギャップ層１１２上でエアベアリング面Ｓから
離れた位置に形成された磁性層１４２と、上部磁極部分
層１４１と磁性層１４２の上面同士に掛け渡すように形
成されたヨーク部分層１４３と、を備えている。
ッド部１５０の上部シールドを兼ねる下部磁極層１０８
と、下部磁極層１０８上に形成され絶縁材料からなる記
録ギャップ層１１２と、記録ギャップ層１１２上でエア
ベアリング面Ｓ側に形成された上部磁極部分層１４１
と、記録ギャップ層１１２上でエアベアリング面Ｓから
離れた位置に形成された磁性層１４２と、上部磁極部分
層１４１と磁性層１４２の上面同士に掛け渡すように形
成されたヨーク部分層１４３と、を備えている。
【００７２】上部磁極部分層１４１とヨーク部分層１４
３、ヨーク部分層１４３と磁性層１４２は互いに磁気的
に連結されておりこれらが上部磁極層（磁極層）を形成
している。また、磁性層１４２と下部磁極層１０８は、
互いに磁気的に接続されており、上部磁極部分層１４１
から下部磁極層１０８に至る磁路が形成されている。
３、ヨーク部分層１４３と磁性層１４２は互いに磁気的
に連結されておりこれらが上部磁極層（磁極層）を形成
している。また、磁性層１４２と下部磁極層１０８は、
互いに磁気的に接続されており、上部磁極部分層１４１
から下部磁極層１０８に至る磁路が形成されている。
【００７３】さらに、記録ヘッド部１３０は上述の磁路
の一部を周回するような薄膜コイル１１０を備え、その
一部は上部磁極部分層１４１と磁性層１４２との間に配
設されている。なお、薄膜コイル１１０には、記録用端
子２１８ａ，２１８ｂ（図２参照）が電気的に接続され
ている。
の一部を周回するような薄膜コイル１１０を備え、その
一部は上部磁極部分層１４１と磁性層１４２との間に配
設されている。なお、薄膜コイル１１０には、記録用端
子２１８ａ，２１８ｂ（図２参照）が電気的に接続され
ている。
【００７４】また、下部磁極層１０８、上部磁極部分層
１４１及び記録ギャップ層１１２のエアベアリング面Ｓ
側はトリム処理されており、下部磁極１０８ａと、上部
磁極１４１ａとが形成されている。
１４１及び記録ギャップ層１１２のエアベアリング面Ｓ
側はトリム処理されており、下部磁極１０８ａと、上部
磁極１４１ａとが形成されている。
【００７５】このような記録ヘッド部１３０は、次のよ
うにして、ハードディスク２０２へ情報を記録する。す
なわち、記録用端子２１８ａ，２１８ｂを通じて薄膜コ
イル１１０に記録電流を流すと、閉磁路の両端である下
部磁極１０８ａと上部磁極１４１ａとの間に磁界が発生
する。そして、記録ギャップ層１１２の近傍に生じる磁
束によってハードディスク２０２を磁化することで、情
報の記録が行われる。
うにして、ハードディスク２０２へ情報を記録する。す
なわち、記録用端子２１８ａ，２１８ｂを通じて薄膜コ
イル１１０に記録電流を流すと、閉磁路の両端である下
部磁極１０８ａと上部磁極１４１ａとの間に磁界が発生
する。そして、記録ギャップ層１１２の近傍に生じる磁
束によってハードディスク２０２を磁化することで、情
報の記録が行われる。
【００７６】以上が、本実施形態の製造方法によって得
られる薄膜磁気ヘッド２１０、ヘッドジンバルアセンブ
リ２１５、及び、ハードディスク装置２００の概略であ
る。次に、図１４〜図２７を参照して、本実施形態の薄
膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。
られる薄膜磁気ヘッド２１０、ヘッドジンバルアセンブ
リ２１５、及び、ハードディスク装置２００の概略であ
る。次に、図１４〜図２７を参照して、本実施形態の薄
膜磁気ヘッドの製造方法を説明する。
【００７７】薄膜磁気ヘッド２１０の製造は、図１４に
示すように、再生ヘッド部１５０に相当する部分を作製
した後に、記録ヘッド部１３０に相当する部分を作製す
るという手順で行われる。そして、基板１０１の同一面
に、第一金属パターンとしてのパーマロイ（ＮｉＦｅ）
の上部磁極部分層１４１及び磁性層１４２と、第二金属
パターンとしての銅（Ｃｕ）の薄膜コイル１１０とをフ
レームメッキ法で形成する際に、本実施形態のパターン
形成方法を用いる。
示すように、再生ヘッド部１５０に相当する部分を作製
した後に、記録ヘッド部１３０に相当する部分を作製す
るという手順で行われる。そして、基板１０１の同一面
に、第一金属パターンとしてのパーマロイ（ＮｉＦｅ）
の上部磁極部分層１４１及び磁性層１４２と、第二金属
パターンとしての銅（Ｃｕ）の薄膜コイル１１０とをフ
レームメッキ法で形成する際に、本実施形態のパターン
形成方法を用いる。
【００７８】なお、図１５〜図２７において、各々
（ａ）は薄膜磁気ヘッドの基板１０１に垂直かつエアベ
アリング面Ｓに垂直な面の断面図であり、（ｂ）は薄膜
磁気ヘッドの磁極近傍でのエアベアリング面Ｓに平行な
断面図を示す。また、薄膜コイル１１０のターン数や、
膜の厚み等は概略を示すものであり、必ずしも図面間で
一致していない。
（ａ）は薄膜磁気ヘッドの基板１０１に垂直かつエアベ
アリング面Ｓに垂直な面の断面図であり、（ｂ）は薄膜
磁気ヘッドの磁極近傍でのエアベアリング面Ｓに平行な
断面図を示す。また、薄膜コイル１１０のターン数や、
膜の厚み等は概略を示すものであり、必ずしも図面間で
一致していない。
【００７９】まず、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法では、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すよ
うに、例えば、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）の基
板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の絶縁層１
０２を約５μｍの厚みで堆積し、絶縁層１０２の上に磁
性材料、例えば、パーマロイよりなる再生ヘッド部１５
０用の下部シールド層１０３を約３μｍの厚みに形成す
る。
製造方法では、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すよ
うに、例えば、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）の基
板１０１上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の絶縁層１
０２を約５μｍの厚みで堆積し、絶縁層１０２の上に磁
性材料、例えば、パーマロイよりなる再生ヘッド部１５
０用の下部シールド層１０３を約３μｍの厚みに形成す
る。
【００８０】この下部シールド層１０３は、例えば、フ
ォトレジストをマスクにして、メッキ法によって、絶縁
層１０２の上に選択的に形成する。そして、図示しない
が、全体に、例えば、アルミナよりなる絶縁層を４〜５
μｍの厚みに形成し、例えば、ＣＭＰ（化学機械研磨）
によって、下部シールド層１０３が露出するまで研磨し
て表面を平坦化処理する。
ォトレジストをマスクにして、メッキ法によって、絶縁
層１０２の上に選択的に形成する。そして、図示しない
が、全体に、例えば、アルミナよりなる絶縁層を４〜５
μｍの厚みに形成し、例えば、ＣＭＰ（化学機械研磨）
によって、下部シールド層１０３が露出するまで研磨し
て表面を平坦化処理する。
【００８１】次に、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）に示
すように、下部シールド層１０３の上に、絶縁膜として
の下部シールドギャップ膜１０４を、例えば、約２０〜
４０ｎｍの厚みに形成する。さらに、下部シールドギャ
ップ膜１０４上でエアベアリング面Ｓ側に、再生用のＭ
Ｒ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子
１０５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を
選択的にエッチングすることによって形成する。なお、
ＭＲ素子１０５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるい
は、ＴＭＲ素子（トンネル磁気抵抗効果）等の磁気抵抗
効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
すように、下部シールド層１０３の上に、絶縁膜として
の下部シールドギャップ膜１０４を、例えば、約２０〜
４０ｎｍの厚みに形成する。さらに、下部シールドギャ
ップ膜１０４上でエアベアリング面Ｓ側に、再生用のＭ
Ｒ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子
１０５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を
選択的にエッチングすることによって形成する。なお、
ＭＲ素子１０５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるい
は、ＴＭＲ素子（トンネル磁気抵抗効果）等の磁気抵抗
効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
【００８２】次に、図１６（ｂ）に示すように、下部シ
ールドギャップ膜１０４上でＭＲ素子１０５の両側面
に、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層
１０６を、数十ｎｍの厚みに形成する。さらに、図１６
（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、下部シールドギ
ャップ膜１０４及びＭＲ素子１０５の上に、絶縁膜とし
ての上部シールドギャップ膜１０７を、例えば、約２０
〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。シールドギャ
ップ膜１０４，１０７に使用する絶縁材料としては、ア
ルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボ
ン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜１０
４，１０７は、スパッタ法によって形成してもよいし、
例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）とＨ
2Ｏ等を用いた化学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形
成してもよい。ＣＶＤ法を用いると、薄く、かつ緻密で
ピンホールの少ないシールドギャップ膜１０４，１０７
を形成することができる。
ールドギャップ膜１０４上でＭＲ素子１０５の両側面
に、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層
１０６を、数十ｎｍの厚みに形成する。さらに、図１６
（ａ）及び図１６（ｂ）に示すように、下部シールドギ
ャップ膜１０４及びＭＲ素子１０５の上に、絶縁膜とし
ての上部シールドギャップ膜１０７を、例えば、約２０
〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子１０５をシールド
ギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。シールドギャ
ップ膜１０４，１０７に使用する絶縁材料としては、ア
ルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボ
ン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜１０
４，１０７は、スパッタ法によって形成してもよいし、
例えばトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）とＨ
2Ｏ等を用いた化学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形
成してもよい。ＣＶＤ法を用いると、薄く、かつ緻密で
ピンホールの少ないシールドギャップ膜１０４，１０７
を形成することができる。
【００８３】次に、上部シールドギャップ膜１０７の上
に、磁性材料からなる下部磁極層１０８を、例えば、約
１．０〜１．５μｍの厚みで、エアベアリング面Ｓ側に
選択的に形成する。この下部磁極層１０８は、後述する
薄膜コイル１１０の少なくとも一部に対向する位置に配
置される。また、この下部磁極層１０８は、再生ヘッド
部１５０の上部シールドとして用いられると共に記録ヘ
ッド部１３０の下部磁極層としても用いられる。
に、磁性材料からなる下部磁極層１０８を、例えば、約
１．０〜１．５μｍの厚みで、エアベアリング面Ｓ側に
選択的に形成する。この下部磁極層１０８は、後述する
薄膜コイル１１０の少なくとも一部に対向する位置に配
置される。また、この下部磁極層１０８は、再生ヘッド
部１５０の上部シールドとして用いられると共に記録ヘ
ッド部１３０の下部磁極層としても用いられる。
【００８４】次に、上部シールドギャップ膜１０７及び
下部磁極層１０８上に、例えば、アルミナからなる絶縁
層１１１を約３〜４μｍの厚みで形成し、例えば、ＣＭ
Ｐによって、下部磁極層１０８が露出するまで絶縁層１
１１を研磨して表面を平坦化処理する。
下部磁極層１０８上に、例えば、アルミナからなる絶縁
層１１１を約３〜４μｍの厚みで形成し、例えば、ＣＭ
Ｐによって、下部磁極層１０８が露出するまで絶縁層１
１１を研磨して表面を平坦化処理する。
【００８５】次に、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示
すように、下部磁極層１０８及び絶縁層１１１上に、絶
縁材料よりなる記録ギャップ層１１２を例えば０．２〜
０．３μｍの厚みに形成する。そして、閉磁路を形成す
べく磁性層１４２が配置される部分の記録ギャップ層１
１２を部分的にエッチングしてコンタクトホール１１３
を形成する。
すように、下部磁極層１０８及び絶縁層１１１上に、絶
縁材料よりなる記録ギャップ層１１２を例えば０．２〜
０．３μｍの厚みに形成する。そして、閉磁路を形成す
べく磁性層１４２が配置される部分の記録ギャップ層１
１２を部分的にエッチングしてコンタクトホール１１３
を形成する。
【００８６】次に、本実施形態では、図１８（ａ）及び
図１８（ｂ）に示すように、第二金属パターンとしての
上部磁極部分層１４１及び磁性層１４２（図２２参照）
をフレームメッキ法で形成するための第二電極膜１４１
Ｓと、第一金属パターンとしての薄膜コイル１１０（図
１９参照）をフレームメッキ法で形成するための第一電
極膜１１０Ｓをスパッタ法により順次表層として成膜す
る。ここで、例えば、第二電極膜１４１Ｓとしては、パ
ーマロイ（ＮｉＦｅ）を厚さ５０ｎｍで成膜し、第一電
極膜１１０Ｓとしては、例えば、銅（Ｃｕ）を１００ｎ
ｍ成膜する。
図１８（ｂ）に示すように、第二金属パターンとしての
上部磁極部分層１４１及び磁性層１４２（図２２参照）
をフレームメッキ法で形成するための第二電極膜１４１
Ｓと、第一金属パターンとしての薄膜コイル１１０（図
１９参照）をフレームメッキ法で形成するための第一電
極膜１１０Ｓをスパッタ法により順次表層として成膜す
る。ここで、例えば、第二電極膜１４１Ｓとしては、パ
ーマロイ（ＮｉＦｅ）を厚さ５０ｎｍで成膜し、第一電
極膜１１０Ｓとしては、例えば、銅（Ｃｕ）を１００ｎ
ｍ成膜する。
【００８７】次に、第一電極膜１１０Ｓ上にフォトレジ
スト１１９を塗布した後に、このフォトレジスト１１９
をフォトリソグラフィー工程によりパターニングして、
薄膜コイル１１０の形状に対応して第一電極膜１１０Ｓ
を露出させる第一レジストフレーム１１９Ｆを形成す
る。
スト１１９を塗布した後に、このフォトレジスト１１９
をフォトリソグラフィー工程によりパターニングして、
薄膜コイル１１０の形状に対応して第一電極膜１１０Ｓ
を露出させる第一レジストフレーム１１９Ｆを形成す
る。
【００８８】そして、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に
示すように、この第一レジストフレーム１１９Ｆを用
い、第一電極膜１１０Ｓを電極とするフレームメッキ法
によって、例えば、銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１１
０を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚み及び０．３〜
２．０μｍのコイルピッチで形成する。
示すように、この第一レジストフレーム１１９Ｆを用
い、第一電極膜１１０Ｓを電極とするフレームメッキ法
によって、例えば、銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１１
０を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚み及び０．３〜
２．０μｍのコイルピッチで形成する。
【００８９】次に、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示
すように、有機溶剤等で第一レジストフレーム１１９Ｆ
を除去する。なお、図中、符号１１０ａは、薄膜コイル
１１０を後述する導電層（リード）と接続するための接
続部を示している。
すように、有機溶剤等で第一レジストフレーム１１９Ｆ
を除去する。なお、図中、符号１１０ａは、薄膜コイル
１１０を後述する導電層（リード）と接続するための接
続部を示している。
【００９０】次に、薄膜コイル１１０をマスクにして、
第一電極膜１１０Ｓをミリング法等によりエッチング除
去する。なお、第二電極膜１４１Ｓはエッチングせずに
残して表面に露出させる。
第一電極膜１１０Ｓをミリング法等によりエッチング除
去する。なお、第二電極膜１４１Ｓはエッチングせずに
残して表面に露出させる。
【００９１】次に、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示
すように、第二電極膜１４１Ｓ、薄膜コイル１１０等の
表面を覆うようにフォトレジスト１４９を塗布した後
に、上述と同様のフォトリソグラフィー工程で、上部磁
極部分層１４１及び磁性層１４２の形状に対応して第二
電極膜１４１Ｓを露出させる第二レジストフレーム１４
９Ｆを形成する。なお、第二レジストフレーム１４９Ｆ
の上部磁極部分層１４１側（エアベアリング面Ｓ側）の
露出部の形状は、エアベアリング面Ｓ側に向かって先細
となるようにされている。
すように、第二電極膜１４１Ｓ、薄膜コイル１１０等の
表面を覆うようにフォトレジスト１４９を塗布した後
に、上述と同様のフォトリソグラフィー工程で、上部磁
極部分層１４１及び磁性層１４２の形状に対応して第二
電極膜１４１Ｓを露出させる第二レジストフレーム１４
９Ｆを形成する。なお、第二レジストフレーム１４９Ｆ
の上部磁極部分層１４１側（エアベアリング面Ｓ側）の
露出部の形状は、エアベアリング面Ｓ側に向かって先細
となるようにされている。
【００９２】次に、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）に示
すように、この第二レジストフレーム１４９Ｆを用い、
第二電極膜１４１Ｓを電極とするフレームメッキ法によ
って、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等を、例えば、約１．５
〜２．５μｍの厚みで第二電極膜１４１Ｓ上にメッキ
し、上部磁極部分層１４１及び磁性層１４２を形成す
る。なお、上部磁極部分層１４１は、エアベアリング面
Ｓ側が細くされたトリム形状となり、エアベアリング面
Ｓ側の先端に上部磁極１４１ａが形成される。
すように、この第二レジストフレーム１４９Ｆを用い、
第二電極膜１４１Ｓを電極とするフレームメッキ法によ
って、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等を、例えば、約１．５
〜２．５μｍの厚みで第二電極膜１４１Ｓ上にメッキ
し、上部磁極部分層１４１及び磁性層１４２を形成す
る。なお、上部磁極部分層１４１は、エアベアリング面
Ｓ側が細くされたトリム形状となり、エアベアリング面
Ｓ側の先端に上部磁極１４１ａが形成される。
【００９３】ここで、上部磁極部分層１４１及び磁性層
１４２は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％、Ｆｅ：２０重
量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：
４５重量％、Ｆｅ：５５重量％）等を用いることができ
る。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，
ＣｏＦｅＮｉ等を用いてもよく、この場合対応する第二
電極膜１４１Ｓも、上部磁極部分層１４１や磁性層１４
２と同一材料とすることが好ましい。
１４２は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％、Ｆｅ：２０重
量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：
４５重量％、Ｆｅ：５５重量％）等を用いることができ
る。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，
ＣｏＦｅＮｉ等を用いてもよく、この場合対応する第二
電極膜１４１Ｓも、上部磁極部分層１４１や磁性層１４
２と同一材料とすることが好ましい。
【００９４】次に、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示
すように、アセトン等の有機溶剤で第二レジストフレー
ム１４９Ｆを除去し、さらに、上部磁極部分層１４１、
磁性層１４２及び薄膜コイル１１０をマスクにして、第
二電極膜１４１Ｓをミリング法によりエッチング除去す
る。
すように、アセトン等の有機溶剤で第二レジストフレー
ム１４９Ｆを除去し、さらに、上部磁極部分層１４１、
磁性層１４２及び薄膜コイル１１０をマスクにして、第
二電極膜１４１Ｓをミリング法によりエッチング除去す
る。
【００９５】次に、上部磁極部分層１４１以外の部分に
レジストフレーム（図示省略）を形成し、トリム形状と
された上部磁極部分層１４１及びこのレジストフレーム
をマスクとして、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示す
ように、ドライエッチングにより記録ギャップ層１１２
を選択的にエッチングする。このときのドライエッチン
グには、例えば、ＢＣｌ2、Ｃｌ2等の塩素系ガスや、Ｃ
Ｆ4、ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。さらに、例え
ば、アルゴンイオンミリングによって、下部磁極層１０
８の上側の一部を選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エ
ッチングする。これにより、上部磁極部分層１４１、記
録ギャップ層１１２及び下部磁極層１０８のエアベアリ
ング面Ｓ側が、所定の幅とされたトリム形状とされ、下
部磁極１０８ａが形成される。そして、先に形成したレ
ジストフレームを除去する。
レジストフレーム（図示省略）を形成し、トリム形状と
された上部磁極部分層１４１及びこのレジストフレーム
をマスクとして、図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示す
ように、ドライエッチングにより記録ギャップ層１１２
を選択的にエッチングする。このときのドライエッチン
グには、例えば、ＢＣｌ2、Ｃｌ2等の塩素系ガスや、Ｃ
Ｆ4、ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イ
オンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。さらに、例え
ば、アルゴンイオンミリングによって、下部磁極層１０
８の上側の一部を選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エ
ッチングする。これにより、上部磁極部分層１４１、記
録ギャップ層１１２及び下部磁極層１０８のエアベアリ
ング面Ｓ側が、所定の幅とされたトリム形状とされ、下
部磁極１０８ａが形成される。そして、先に形成したレ
ジストフレームを除去する。
【００９６】次に、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示
すように、全体に、例えば、アルミナよりなる絶縁層１
３５を約３〜４μｍの厚みで形成し、図２６（ａ）及び
図２６（ｂ）に示すように、例えば、ＣＭＰによって、
上部磁極部分層１４１、磁性層１４２及び薄膜コイル１
１０が露出するまで、絶縁層１３５を研磨して表面を平
坦化処理する。
すように、全体に、例えば、アルミナよりなる絶縁層１
３５を約３〜４μｍの厚みで形成し、図２６（ａ）及び
図２６（ｂ）に示すように、例えば、ＣＭＰによって、
上部磁極部分層１４１、磁性層１４２及び薄膜コイル１
１０が露出するまで、絶縁層１３５を研磨して表面を平
坦化処理する。
【００９７】次に、全体に、例えば、アルミナよりなる
絶縁膜１０９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成し
た後、上部磁極部分層１４１、磁性層１４２及びコイル
接続部１１０ａの上の部分の絶縁膜１０９を部分的にエ
ッチングして除去する。
絶縁膜１０９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成し
た後、上部磁極部分層１４１、磁性層１４２及びコイル
接続部１１０ａの上の部分の絶縁膜１０９を部分的にエ
ッチングして除去する。
【００９８】次に、絶縁膜１０９、上部磁極部分層１４
１、磁性層１４２の上に渡って、磁性材料からなるヨー
ク部分層１４３を、例えば約２〜３μｍの厚みに形成す
る。このヨーク部分層１４３は、磁性層１４２を介して
下部磁極層１０８と接触すると共に上部磁極部分層１４
１と接触しており、磁気的に連結して閉磁路が形成され
ている。ヨーク部分層１４３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％、Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％、Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、メッキ法によって形成してもよいし、スパッ
タによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密
度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用い
てもよい。また、高周波特性の改善のため、上部磁極層
のヨーク部分層１４３を、無機系の絶縁膜とパーマロイ
等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよ
い。なお、本実施形態では、ヨーク部分層１４３のエア
ベアリング面Ｓ側の端面は、エアベアリング面Ｓから離
れた位置（図２６（ａ）の右側）に配置されている。
１、磁性層１４２の上に渡って、磁性材料からなるヨー
ク部分層１４３を、例えば約２〜３μｍの厚みに形成す
る。このヨーク部分層１４３は、磁性層１４２を介して
下部磁極層１０８と接触すると共に上部磁極部分層１４
１と接触しており、磁気的に連結して閉磁路が形成され
ている。ヨーク部分層１４３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０
重量％、Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料で
あるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％、Ｆｅ：５５重量％）
等を用い、メッキ法によって形成してもよいし、スパッ
タによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密
度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用い
てもよい。また、高周波特性の改善のため、上部磁極層
のヨーク部分層１４３を、無機系の絶縁膜とパーマロイ
等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよ
い。なお、本実施形態では、ヨーク部分層１４３のエア
ベアリング面Ｓ側の端面は、エアベアリング面Ｓから離
れた位置（図２６（ａ）の右側）に配置されている。
【００９９】次に、図２７（ａ）及び図２７（ｃ）に示
すように、コイル接続部１１０ａと取出電極とを接続す
るためのＣｕなどの導電金属からなる引き回しリード１
４４をフレームメッキ法等により形成し、さらに、図２
７（ａ）及び図２７（ｂ）に示すように、全体に、例え
ば、アルミナよりなるオーバーコート層１３７を、２０
〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化してその
上に、図示しない電極用端子を形成する。最後に、スラ
イダの研磨加工を行って、記録ヘッド部１３０及び再生
ヘッド部１５０のエアベアリング面Ｓを形成して本実施
形態の薄膜磁気ヘッド２１０が完成する。
すように、コイル接続部１１０ａと取出電極とを接続す
るためのＣｕなどの導電金属からなる引き回しリード１
４４をフレームメッキ法等により形成し、さらに、図２
７（ａ）及び図２７（ｂ）に示すように、全体に、例え
ば、アルミナよりなるオーバーコート層１３７を、２０
〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化してその
上に、図示しない電極用端子を形成する。最後に、スラ
イダの研磨加工を行って、記録ヘッド部１３０及び再生
ヘッド部１５０のエアベアリング面Ｓを形成して本実施
形態の薄膜磁気ヘッド２１０が完成する。
【０１００】なお、図２７（ｃ）は、薄膜磁気ヘッド２
１０の上面図であり、オーバーコート層１３７やその他
の絶縁層及び絶縁膜等が省略されている。また、図２７
（ｃ）において、ＴＨはスローハイトを示し、ＴＨ０は
スローハイトゼロ位置を示し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを
示している。なお、ＭＲハイトとはＭＲ素子１０５のエ
アベアリング面Ｓ側の端部から反対側までの長さ（高
さ）をいう。
１０の上面図であり、オーバーコート層１３７やその他
の絶縁層及び絶縁膜等が省略されている。また、図２７
（ｃ）において、ＴＨはスローハイトを示し、ＴＨ０は
スローハイトゼロ位置を示し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトを
示している。なお、ＭＲハイトとはＭＲ素子１０５のエ
アベアリング面Ｓ側の端部から反対側までの長さ（高
さ）をいう。
【０１０１】本実施形態によれば、第一実施形態と同様
のパターン形成工程を採用することにより、前述と同様
に密着性が高く純度の高い、上部磁極部分層１４１，磁
性層１４２及び薄膜コイル１１０のパターンが得られ
る。これにより、薄膜コイル１１０の比抵抗が十分小さ
くなると共に、上部磁極部分層１４１及び磁性層１４２
の軟磁気特性や飽和磁束密度も十分高くなり、薄膜磁気
ヘッド２１０の記録ヘッド部１３０の高性能化、高信頼
性化が可能とされる。また、このような薄膜磁気ヘッド
２１０を備えるスライダ２１１、ヘッドアームアセンブ
リ２１５、ハードディスク装置２００の性能も高めるこ
とができ、信頼性も高くなる。
のパターン形成工程を採用することにより、前述と同様
に密着性が高く純度の高い、上部磁極部分層１４１，磁
性層１４２及び薄膜コイル１１０のパターンが得られ
る。これにより、薄膜コイル１１０の比抵抗が十分小さ
くなると共に、上部磁極部分層１４１及び磁性層１４２
の軟磁気特性や飽和磁束密度も十分高くなり、薄膜磁気
ヘッド２１０の記録ヘッド部１３０の高性能化、高信頼
性化が可能とされる。また、このような薄膜磁気ヘッド
２１０を備えるスライダ２１１、ヘッドアームアセンブ
リ２１５、ハードディスク装置２００の性能も高めるこ
とができ、信頼性も高くなる。
【０１０２】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、種々の変形態様をとることが可能であ
る。
るものではなく、種々の変形態様をとることが可能であ
る。
【０１０３】例えば、上記実施形態では、基板の同一面
に、互いに異なる２種の金属材料でパターンを形成して
いるが、互いに異なる３種以上の金属材料で３種以上の
パターンを形成してもよい。この場合、電極膜積層工程
においてこれらの３種以上の金属材料に対応する電極膜
を基板上にあらかじめ積層しておき、上記実施形態と同
様にして、上側の電極膜に対応する金属材料から順に金
属パターンを形成していけばよい。なお、金属材料が、
銅やパーマロイに限定されないことはいうまでもない。
に、互いに異なる２種の金属材料でパターンを形成して
いるが、互いに異なる３種以上の金属材料で３種以上の
パターンを形成してもよい。この場合、電極膜積層工程
においてこれらの３種以上の金属材料に対応する電極膜
を基板上にあらかじめ積層しておき、上記実施形態と同
様にして、上側の電極膜に対応する金属材料から順に金
属パターンを形成していけばよい。なお、金属材料が、
銅やパーマロイに限定されないことはいうまでもない。
【０１０４】また、上記実施形態では、密着性等をより
高めると共に、メッキ液等の汚染を起こさないようにす
べく、金属材料と当該金属材料に対応する電極膜とを同
一材料としているが、メッキ液等の汚染等が問題となら
ない場合は、異種材料の組合せとしてもよい。例えば、
ニッケル電極膜に対して硫酸銅メッキ浴によって銅をメ
ッキする組合せ等が好適である。
高めると共に、メッキ液等の汚染を起こさないようにす
べく、金属材料と当該金属材料に対応する電極膜とを同
一材料としているが、メッキ液等の汚染等が問題となら
ない場合は、異種材料の組合せとしてもよい。例えば、
ニッケル電極膜に対して硫酸銅メッキ浴によって銅をメ
ッキする組合せ等が好適である。
【０１０５】また、第二実施形態では、フォトレジスト
を利用して電極膜上にレジストフレームを形成している
が、電子ビームレジストやＸ線レジスト等他のレジスト
を用いてもよい。
を利用して電極膜上にレジストフレームを形成している
が、電子ビームレジストやＸ線レジスト等他のレジスト
を用いてもよい。
【０１０６】また、第二実施形態では、マイクロデバイ
スとして薄膜磁気ヘッドを製造しているが、これに限ら
れず、薄膜インダクタ、半導体デバイス、薄膜センサ、
薄膜アクチュエータ等のマイクロデバイス、又はこれら
を含んだ装置の製造に適用でき、要は、基板の同一面
に、互いに異なる金属材料よりなるパターンを形成して
なるマイクロデバイス及びこれを含む装置の製造であれ
ば適用できる。
スとして薄膜磁気ヘッドを製造しているが、これに限ら
れず、薄膜インダクタ、半導体デバイス、薄膜センサ、
薄膜アクチュエータ等のマイクロデバイス、又はこれら
を含んだ装置の製造に適用でき、要は、基板の同一面
に、互いに異なる金属材料よりなるパターンを形成して
なるマイクロデバイス及びこれを含む装置の製造であれ
ば適用できる。
【０１０７】
【発明の効果】上述のように、本発明によれば、各々の
金属材料に対応する電極膜を基板にあらかじめ全て積層
する。そして、第一電極膜に対して第一電極膜に適した
金属材料をメッキして第一金属パターンを形成した後
に、当該第一電極膜をエッチング除去することにより第
一電極膜よりも基板に近い第二電極膜を表面に露出させ
る。このため、第二金属パターンの金属材料に適した第
二電極膜を選択してメッキすることができ、各々の金属
材料と電極膜との組合せの最適化が可能となる。したが
って、メッキされた金属パターンの膜質が向上され、メ
ッキされた金属パターンと電極膜との密着性を向上でき
る。
金属材料に対応する電極膜を基板にあらかじめ全て積層
する。そして、第一電極膜に対して第一電極膜に適した
金属材料をメッキして第一金属パターンを形成した後
に、当該第一電極膜をエッチング除去することにより第
一電極膜よりも基板に近い第二電極膜を表面に露出させ
る。このため、第二金属パターンの金属材料に適した第
二電極膜を選択してメッキすることができ、各々の金属
材料と電極膜との組合せの最適化が可能となる。したが
って、メッキされた金属パターンの膜質が向上され、メ
ッキされた金属パターンと電極膜との密着性を向上でき
る。
【０１０８】また、金属パターンを形成する前に、あら
かじめ、全ての電極膜を基板の上に積層するので、一つ
の金属パターンを形成した後に次の金属パターン用の電
極膜を基板に積層する必要がない。このため、すでに形
成された金属パターンに次の金属パターン用の電極膜が
付着することがなく、不純物の付着が少ない好適な金属
パターンが得られる。
かじめ、全ての電極膜を基板の上に積層するので、一つ
の金属パターンを形成した後に次の金属パターン用の電
極膜を基板に積層する必要がない。このため、すでに形
成された金属パターンに次の金属パターン用の電極膜が
付着することがなく、不純物の付着が少ない好適な金属
パターンが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一実施形態のパターン形成方法を示すフロー
図である。
図である。
【図２】基板に第二電極膜と第一電極膜とを積層した状
態を示す図である。
態を示す図である。
【図３】レジストを塗布し露光する状態を示す図であ
る。
る。
【図４】レジストを現像して第一レジストフレームが形
成された状態を示す図である。
成された状態を示す図である。
【図５】第一電極膜上に第一金属材料をメッキして第一
金属パターンを形成した状態を示す図である。
金属パターンを形成した状態を示す図である。
【図６】第一レジストフレームを除去した状態を示す図
である。
である。
【図７】第一金属パターンをマスクとして第一電極膜を
エッチング除去し、第二電極膜を露出させた状態を示す
図である。
エッチング除去し、第二電極膜を露出させた状態を示す
図である。
【図８】レジストを塗布し露光する状態を示す図であ
る。
る。
【図９】レジストを現像して第二レジストフレームが形
成された状態を示す図である。
成された状態を示す図である。
【図１０】第二電極膜上に第二金属材料をメッキして第
二金属パターンを形成した状態を示す図である。
二金属パターンを形成した状態を示す図である。
【図１１】第二レジストフレームを除去すると共に、第
一金属パターン及び第二金属パターンをマスクとして第
二電極膜をエッチング除去し、基板上の第一金属パター
ンと第二金属パターンとが完成した状態を示す図であ
る。
一金属パターン及び第二金属パターンをマスクとして第
二電極膜をエッチング除去し、基板上の第一金属パター
ンと第二金属パターンとが完成した状態を示す図であ
る。
【図１２】第二実施形態で製造するハードディスク装置
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１３】図１２中の磁気ヘッドスライダを示す斜視図
である。
である。
【図１４】図１３中の磁気ヘッド近傍の部分断面斜視図
である。
である。
【図１５】基板上に絶縁層及び下部シールド層を積層し
た状態を示す図であって、図１５（ａ）は基板に垂直か
つエアベアリング面に垂直な面の断面図であり、図１５
（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図
である。
た状態を示す図であって、図１５（ａ）は基板に垂直か
つエアベアリング面に垂直な面の断面図であり、図１５
（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図
である。
【図１６】基板の上に再生ヘッド部を形成した状態を示
す図であって、図１６（ａ）は基板に垂直かつエアベア
リング面に垂直な面の断面図であり、図１６（ｂ）は磁
極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図である。
す図であって、図１６（ａ）は基板に垂直かつエアベア
リング面に垂直な面の断面図であり、図１６（ｂ）は磁
極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図である。
【図１７】基板の上に記録ギャップ層を形成した状態を
示す図であって、図１７（ａ）は基板に垂直かつエアベ
アリング面に垂直な面の断面図であり、図１７（ｂ）は
磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図である。
示す図であって、図１７（ａ）は基板に垂直かつエアベ
アリング面に垂直な面の断面図であり、図１７（ｂ）は
磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図である。
【図１８】基板の上に、第二電極膜、第一電極膜を積層
すると共に、レジストを塗布し第一レジストフレームを
形成した状態を示す図であって、図１８（ａ）は基板に
垂直かつエアベアリング面に垂直な面の断面図であり、
図１８（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な
断面図である。
すると共に、レジストを塗布し第一レジストフレームを
形成した状態を示す図であって、図１８（ａ）は基板に
垂直かつエアベアリング面に垂直な面の断面図であり、
図１８（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な
断面図である。
【図１９】第一電極膜上に薄膜コイルをメッキした状態
を示す図であって、図１９（ａ）は基板に垂直かつエア
ベアリング面に垂直な面の断面図であり、図１９（ｂ）
は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図であ
る。
を示す図であって、図１９（ａ）は基板に垂直かつエア
ベアリング面に垂直な面の断面図であり、図１９（ｂ）
は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図であ
る。
【図２０】第一レジストフレームを除去すると共に、薄
膜コイルをマスクとして第一電極膜をエッチング除去し
た状態を示す図であって、図２０（ａ）は基板に垂直か
つエアベアリング面に垂直な面の断面図であり、図２０
（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図
である。
膜コイルをマスクとして第一電極膜をエッチング除去し
た状態を示す図であって、図２０（ａ）は基板に垂直か
つエアベアリング面に垂直な面の断面図であり、図２０
（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断面図
である。
【図２１】第二電極膜や薄膜コイル上にレジストを塗布
し第二レジストフレームを形成した状態を示す図であっ
て、図２１（ａ）は基板に垂直かつエアベアリング面に
垂直な面の断面図であり、図２１（ｂ）は磁極近傍での
エアベアリング面に平行な断面図である。
し第二レジストフレームを形成した状態を示す図であっ
て、図２１（ａ）は基板に垂直かつエアベアリング面に
垂直な面の断面図であり、図２１（ｂ）は磁極近傍での
エアベアリング面に平行な断面図である。
【図２２】第二電極膜上に上部磁極層及び磁性層をメッ
キした状態を示す図であって、図２２（ａ）は基板に垂
直かつエアベアリング面に垂直な面の断面図であり、図
２２（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断
面図である。
キした状態を示す図であって、図２２（ａ）は基板に垂
直かつエアベアリング面に垂直な面の断面図であり、図
２２（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平行な断
面図である。
【図２３】第二レジストフレームを除去すると共に、薄
膜コイル、上部磁極層、磁性層をマスクとして第二電極
膜をエッチング除去した状態を示す図であって、図２３
（ａ）は基板に垂直かつエアベアリング面に垂直な面の
断面図であり、図２３（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリ
ング面に平行な断面図である。
膜コイル、上部磁極層、磁性層をマスクとして第二電極
膜をエッチング除去した状態を示す図であって、図２３
（ａ）は基板に垂直かつエアベアリング面に垂直な面の
断面図であり、図２３（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリ
ング面に平行な断面図である。
【図２４】記録ギャップ層及び下部磁性層をエッチング
して磁極側にトリム形状を形成した状態を示す図であっ
て、図２４（ａ）は基板に垂直かつエアベアリング面に
垂直な面の断面図であり、図２４（ｂ）は磁極近傍での
エアベアリング面に平行な断面図である。
して磁極側にトリム形状を形成した状態を示す図であっ
て、図２４（ａ）は基板に垂直かつエアベアリング面に
垂直な面の断面図であり、図２４（ｂ）は磁極近傍での
エアベアリング面に平行な断面図である。
【図２５】コイル間のピッチに絶縁層を形成すべく絶縁
膜を形成した状態を示す図であって、図２５（ａ）は基
板に垂直かつエアベアリング面に垂直な面の断面図であ
り、図２５（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平
行な断面図である。
膜を形成した状態を示す図であって、図２５（ａ）は基
板に垂直かつエアベアリング面に垂直な面の断面図であ
り、図２５（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面に平
行な断面図である。
【図２６】絶縁層を平坦化すると共に、絶縁膜及びヨー
ク部分層を形成した状態を示す図であって、図２６
（ａ）は基板に垂直かつエアベアリング面に垂直な面の
断面図であり、図２６（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリ
ング面に平行な断面図である。
ク部分層を形成した状態を示す図であって、図２６
（ａ）は基板に垂直かつエアベアリング面に垂直な面の
断面図であり、図２６（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリ
ング面に平行な断面図である。
【図２７】引き回しリードを形成すると共にオーバーコ
ート層を塗布した状態を示す図であって、図２７（ａ）
は基板に垂直かつエアベアリング面に垂直な面の断面図
であり、図２７（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面
に平行な断面図であり、図２７（ｃ）は絶縁層等をのぞ
いた場合の上面図である。
ート層を塗布した状態を示す図であって、図２７（ａ）
は基板に垂直かつエアベアリング面に垂直な面の断面図
であり、図２７（ｂ）は磁極近傍でのエアベアリング面
に平行な断面図であり、図２７（ｃ）は絶縁層等をのぞ
いた場合の上面図である。
【符号の説明】
２，１０１…基板、４，１４１Ｓ…第二電極膜、６，１
１０Ｓ…第一電極膜、８Ｆ，１１９Ｆ…第一レジストフ
レーム、１８Ｆ，１４９Ｆ…第二レジストフレーム、１
６…第一金属パターン、２２…第二金属パターン、１１
０…薄膜コイル（第一金属パターン）、１４１…上部磁
極部分層（第二金属パターン、磁極層）、１４２…磁性
層（第二金属パターン、磁極層）、２００…ハードディ
スク（磁気記録再生装置）、２１０…薄膜磁気ヘッド、
２１１…スライダ（磁気ヘッドスライダ）、２１２…ジ
ンバル（ヘッド支持装置）、２１５…ヘッドアームアセ
ンブリ（磁気ヘッド装置）、２０２…ハードディスク
（磁気記録媒体）。
１０Ｓ…第一電極膜、８Ｆ，１１９Ｆ…第一レジストフ
レーム、１８Ｆ，１４９Ｆ…第二レジストフレーム、１
６…第一金属パターン、２２…第二金属パターン、１１
０…薄膜コイル（第一金属パターン）、１４１…上部磁
極部分層（第二金属パターン、磁極層）、１４２…磁性
層（第二金属パターン、磁極層）、２００…ハードディ
スク（磁気記録再生装置）、２１０…薄膜磁気ヘッド、
２１１…スライダ（磁気ヘッドスライダ）、２１２…ジ
ンバル（ヘッド支持装置）、２１５…ヘッドアームアセ
ンブリ（磁気ヘッド装置）、２０２…ハードディスク
（磁気記録媒体）。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 43/12 Ｈ０１Ｌ 43/12
Claims (10)
- 【請求項１】 基板の同一面に、互いに異なる金属材料
よりなる複数の金属パターンを形成するパターン形成方
法であって、 前記基板に前記各々の金属材料に対応する電極膜を複数
積層する電極膜積層工程と、 前記複数の電極膜のうち前記基板から最も遠い第一電極
膜に前記第一電極膜の所定の部分を露出させる第一レジ
ストフレームを形成し、前記第一電極膜の前記露出部分
に前記第一電極膜に対応する金属材料をメッキして第一
金属パターンを形成し、前記第一レジストフレームを除
去する第一パターン形成工程と、 前記第一金属パターンをマスクとして前記第一電極膜を
エッチング除去し、前記第一電極膜より前記基板に近い
第二電極膜を露出させる第一電極膜除去工程と、 前記第二電極膜に前記第二電極膜の所定の部分を露出さ
せる第二レジストフレームを形成し、前記第二電極膜の
前記露出部分に前記第二電極膜に対応する金属材料をメ
ッキして第二金属パターンを形成する第二パターン形成
工程と、 を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記金属材料と、前記金属材料に対応す
る電極膜とを、同一材料とすることを特徴とする、請求
項１記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 基板の同一面に、互いに異なる金属材料
よりなる複数の金属パターンが形成されてなるマイクロ
デバイスの製造方法であって、 前記基板に前記各々の金属材料に対応する電極膜を複数
積層する電極膜積層工程と、 前記複数の電極膜のうち前記基板から最も遠い第一電極
膜に前記第一電極膜の所定の部分を露出させる第一レジ
ストフレームを形成し、前記第一電極膜の前記露出部分
に前記第一電極膜に対応する金属材料をメッキして第一
金属パターンを形成し、前記第一レジストフレームを除
去する第一パターン形成工程と、 前記第一金属パターンをマスクとして前記第一電極膜を
エッチング除去し、前記第一電極膜より前記基板に近い
第二電極膜を露出させる第一電極膜除去工程と、 前記第二電極膜に前記第二電極膜の所定の部分を露出さ
せる第二レジストフレームを形成し、前記第二電極膜の
前記露出部分に前記第二電極膜に対応する金属材料をメ
ッキして第二金属パターンを形成する第二パターン形成
工程と、 を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 【請求項４】 前記金属材料と、前記金属材料に対応す
る電極膜とを、同一材料とすることを特徴とする、請求
項３に記載のマイクロデバイスの製造方法。 - 【請求項５】 基板の同一面に、互いに異なる金属材料
よりなる複数の金属パターンが形成されてなる薄膜磁気
ヘッドの製造方法であって、 前記基板に前記各々の金属材料に対応する電極膜を複数
積層する電極膜積層工程と、 前記複数の電極膜のうち前記基板から最も遠い第一電極
膜に前記第一電極膜の所定の部分を露出させる第一レジ
ストフレームを形成し、前記第一電極膜の前記露出部分
に前記第一電極膜に対応する金属材料をメッキして第一
金属パターンを形成し、前記第一レジストフレームを除
去する第一パターン形成工程と、 前記第一金属パターンをマスクとして前記第一電極膜を
エッチング除去し、前記第一電極膜より前記基板に近い
第二電極膜を露出させる第一電極膜除去工程と、 前記第二電極膜に前記第二電極膜の所定の部分を露出さ
せる第二レジストフレームを形成し、前記第二電極膜の
前記露出部分に前記第二電極膜に対応する金属材料をメ
ッキして第二金属パターンを形成する第二パターン形成
工程と、 を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 前記金属材料と、前記金属材料に対応す
る電極膜とを、同一材料とすることを特徴とする、請求
項５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 前記薄膜磁気ヘッドは、互いに異なる金
属材料よりなる薄膜コイル及び磁極層を備え、前記金属
パターンとして前記薄膜コイルと前記磁極層とを形成す
ることを特徴とする請求項５又は６に記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項８】 薄膜磁気ヘッドを備える磁気ヘッドスラ
イダの製造方法であって、前記薄膜磁気ヘッドを請求項
５〜７に記載の製造方法を用いて製造することを特徴と
する、磁気ヘッドスライダの製造方法。 - 【請求項９】 薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッド
を支持するヘッド支持装置と、を含む磁気ヘッド装置の
製造方法であって、前記薄膜磁気ヘッドを請求項５〜７
に記載の製造方法を用いて製造することを特徴とする、
磁気ヘッド装置の製造方法。 - 【請求項１０】 薄膜磁気ヘッド及び前記薄膜磁気ヘッ
ドを支持するヘッド支持装置を含む磁気ヘッド装置と、
前記薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再生を行う磁気
記録媒体と、を有する磁気記録再生装置の製造方法であ
って、前記磁気ヘッド装置を請求項９に記載の製造方法
で製造することを特徴とする、磁気記録再生装置の製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002124454A JP2003317210A (ja) | 2002-04-25 | 2002-04-25 | パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法 |
| US10/409,046 US6780738B2 (en) | 2002-04-25 | 2003-04-09 | Pattern forming method, method of making microdevice, method of making thin-film magnetic head, method of making magnetic head slider, method of making magnetic head apparatus, and method of making magnetic recording and reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002124454A JP2003317210A (ja) | 2002-04-25 | 2002-04-25 | パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003317210A true JP2003317210A (ja) | 2003-11-07 |
Family
ID=29243716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002124454A Pending JP2003317210A (ja) | 2002-04-25 | 2002-04-25 | パターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6780738B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003317210A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR101764146B1 (ko) * | 2017-05-26 | 2017-08-02 | 이은숙 | 다층기판을 이용한 라인필터 겸용 전자파 적합성(emc) 모듈 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3874268B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2007-01-31 | Ｔｄｋ株式会社 | パターン化薄膜およびその形成方法 |
| US20060034012A1 (en) * | 2003-08-29 | 2006-02-16 | Lam Terence T | Self-aligned coil process in magnetic recording heads |
| US6929958B2 (en) * | 2003-11-21 | 2005-08-16 | Headway Technologies, Inc. | Method to make small isolated features with pseudo-planarization for TMR and MRAM applications |
| JP4763264B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2011-08-31 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 垂直記録用磁気ヘッド |
| US20060168794A1 (en) | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Hitachi Global Storage Technologies | Method to control mask profile for read sensor definition |
| TWI312434B (en) * | 2005-08-19 | 2009-07-21 | Au Optronics Corporatio | A fan-out structure for a flat panel display |
| CN102789967B (zh) * | 2012-08-16 | 2014-09-24 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种软磁磁芯螺旋微电感的制作方法 |
| US20150262949A1 (en) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Lsi Corporation | Method for Fabricating Equal Height Metal Pillars of Different Diameters |
| CN110600387A (zh) * | 2019-09-11 | 2019-12-20 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种不同规格尺寸凸点的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3853715A (en) | 1973-12-20 | 1974-12-10 | Ibm | Elimination of undercut in an anodically active metal during chemical etching |
| US6669983B2 (en) * | 2001-10-25 | 2003-12-30 | Tdk Corporation | Manufacturing method of thin-film magnetic head with magnetoresistive effect element |
-
2002
- 2002-04-25 JP JP2002124454A patent/JP2003317210A/ja active Pending
-
2003
- 2003-04-09 US US10/409,046 patent/US6780738B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101764146B1 (ko) * | 2017-05-26 | 2017-08-02 | 이은숙 | 다층기판을 이용한 라인필터 겸용 전자파 적합성(emc) 모듈 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6780738B2 (en) | 2004-08-24 |
| US20030200647A1 (en) | 2003-10-30 |
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