JP2003298193A - Light emitting device, optical device employing it and method for fabricating light emitting device - Google Patents

Light emitting device, optical device employing it and method for fabricating light emitting device

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JP2003298193A
JP2003298193A JP2003127745A JP2003127745A JP2003298193A JP 2003298193 A JP2003298193 A JP 2003298193A JP 2003127745 A JP2003127745 A JP 2003127745A JP 2003127745 A JP2003127745 A JP 2003127745A JP 2003298193 A JP2003298193 A JP 2003298193A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting device, and an optical device employing it, in which fabrication can be facilitated and the exit position of light can be controlled accurately. <P>SOLUTION: A first light emitting element 90 and a second light emitting element 30 are formed on one side of an insulating supporting basic body 17. The first light emitting element 90 has an active layer 23 on the supporting basic body 17 side of a first sapphire substrate 91. The second light emitting element 30 is provided with laser oscillating parts 40 and 50 on the supporting basic body 11 side of a second GaAs substrate 31. Since the first substrate 91 is composed of a material transparent in the visible region, emission regions of the first light emitting element 90 and the second light emitting element 30 can be controlled accurately. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の発光素子を
備えた発光装置およびそれを用いた光装置並び発光装置
の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting device having a plurality of light emitting elements and a method of manufacturing an optical device and a light emitting device using the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、発光装置の分野においては、同一
基板（または基体）上に発光波長が異なる複数の発光部
が形成されてなる半導体レーザ（ＬＤ；laser diode ）
（以下、多波長レーザという。）が活発に開発されてい
る。このような多波長レーザの一例としては、例えば図
１６に示したように、１チップ内に発光波長が異なる複
数の発光部を作り込んだもの（いわゆる、モノリシック
型の多波長レーザ）がある。この多波長レーザは、例え
ば、気相成長法を用いてＡｌＧａＡｓ系の半導体材料を
成長させることにより形成されたレーザ発振部２０１
と、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料を成長させることに
より形成されたレーザ発振部２０２とが、分離溝２１１
を介してＧａＡｓ（ガリウムヒ素）よりなる基板２１２
の一面側に並列配置されたものである。この場合、レー
ザ発振部２０１の発振波長は７００ｎｍ帯（例えば、７
８０ｎｍ）であり、レーザ発振部２０２の発振波長は６
００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）である。2. Description of the Related Art In recent years, in the field of light emitting devices, a semiconductor laser (LD; laser diode) is formed by forming a plurality of light emitting portions having different emission wavelengths on the same substrate (or base).
(Hereinafter referred to as multi-wavelength laser) is being actively developed. As an example of such a multi-wavelength laser, for example, as shown in FIG. 16, there is a multi-wavelength laser in which a plurality of light emitting portions having different emission wavelengths are built in one chip (so-called monolithic multi-wavelength laser). This multi-wavelength laser is, for example, a laser oscillation unit 201 formed by growing an AlGaAs semiconductor material using a vapor phase epitaxy method.
And the laser oscillation portion 202 formed by growing an AlGaInP-based semiconductor material,
Substrate 212 made of GaAs (gallium arsenide) via
Are arranged in parallel on one surface side. In this case, the oscillation wavelength of the laser oscillation unit 201 is in the 700 nm band (for example, 7 nm
80 nm), and the oscillation wavelength of the laser oscillation unit 202 is 6
The band is 00 nm (for example, 650 nm).

【０００３】また、図１６に示した構造のもの以外に
も、図１７に示したように、配設用の基体２２１の上
に、発光波長が異なる複数の半導体レーザＬＤ1 ，ＬＤ
2 が並列に実装されたもの（いわゆる、ハイブリッド型
の多波長レーザ）も提案されている。しかし、上述した
いわゆるモノリシック型のものの方が、発光点間隔を高
精度に制御することができる点で有効である。In addition to the structure shown in FIG. 16, as shown in FIG. 17, a plurality of semiconductor lasers LD 1 and LD having different emission wavelengths are provided on a base 221 for arrangement.
One in which two are mounted in parallel (a so-called hybrid type multi-wavelength laser) is also proposed. However, the so-called monolithic type described above is more effective in that the light emitting point interval can be controlled with high accuracy.

【０００４】これらの多波長レーザは、例えば光ディス
ク装置のレーザ光源として用いられる。現在、一般に光
ディスク装置では、７００ｎｍ帯の半導体レーザ光がＣ
Ｄ（Compact Disk）の再生に用いられると共に、ＣＤ−
Ｒ（CD recordable ），ＣＤ−ＲＷ（CD Rewritable ）
あるいはＭＤ（Mini Disk ）などの記録可能な光ディス
クの記録・再生に用いられている。また、６００ｎｍ帯
の半導体レーザ光がＤＶＤ（Digital Versatile Disk）
の記録・再生に用いられている。従って、上述したよう
な多波長レーザを光ディスク装置に搭載することによ
り、既存の複数種類の光ディスクのいずれに関しても、
記録または再生が可能となる。しかも、各レーザ発振部
２０１，２０２は、同一基板上（いわゆるハイブリッド
型の各半導体レーザＬＤ1 ，ＬＤ2 においては同一の配
設用基体上）に並列に配置されているので、レーザ光源
用のパッケージが１つで済み、種々の光ディスクを記録
・再生するための対物レンズやビームスプリッタなどの
光学系の部品点数を減らして光学系の構成を簡素化し、
光ディスク装置の小型化および低コスト化を実現するこ
とができる。These multi-wavelength lasers are used, for example, as a laser light source for optical disk devices. Currently, in an optical disk device, in general, a semiconductor laser beam of 700 nm band is C
Used to play D (Compact Disk) and CD-
R (CD recordable), CD-RW (CD Rewritable)
Alternatively, it is used for recording / reproducing of recordable optical disks such as MD (Mini Disk). In addition, a 600 nm band semiconductor laser beam is a DVD (Digital Versatile Disk).
It is used for recording and playback. Therefore, by mounting the multi-wavelength laser as described above in the optical disc device, it is possible to realize a plurality of existing optical discs.
Recording or playback is possible. Moreover, since the laser oscillators 201 and 202 are arranged in parallel on the same substrate (in the so-called hybrid type semiconductor lasers LD 1 and LD 2 on the same disposing substrate), they are used for the laser light source. Only one package is required, the number of optical system components such as objective lenses and beam splitters for recording / reproducing various optical disks is reduced, and the configuration of the optical system is simplified.
It is possible to reduce the size and cost of the optical disk device.

【０００５】ところで、近年、更に短波長の光を発する
半導体レーザを用いて更に光ディスクの高密度化を図る
ことが要請されている。このような要請に応える半導体
レーザの構成材料としては、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶お
よびＧａＩｎＮ混晶に代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体（以下、ＧａＮ系の半導体ともいう。）が
知られている。このＧａＮ系の半導体を用いた半導体レ
ーザは、既存の光学系を使用して記録・再生が可能な光
ディスクの限界波長とされている４００ｎｍ前後の発振
波長が得られることから、次世代の光ディスク用の記録
・再生装置の光源として大いに注目されている。また、
ＲＧＢ三原色を用いたフルカラーのディスプレイの光源
としても期待されている。そこで、ＧａＮ系のレーザ発
振部を備えた多波長レーザの開発が望まれている。By the way, in recent years, it has been demanded to further increase the density of optical discs by using a semiconductor laser that emits light of a shorter wavelength. As a constituent material of a semiconductor laser that meets such a demand, a nitride-based III-V group compound semiconductor represented by GaN, AlGaN mixed crystal, and GaInN mixed crystal (hereinafter, also referred to as GaN-based semiconductor) is known. ing. The semiconductor laser using this GaN-based semiconductor can obtain an oscillation wavelength of around 400 nm, which is the limit wavelength of an optical disk that can be recorded / reproduced using an existing optical system. Has received a great deal of attention as a light source for recording / playback devices. Also,
It is also expected as a light source for full-color displays using the three primary colors of RGB. Therefore, it is desired to develop a multi-wavelength laser having a GaN-based laser oscillator.

【０００６】従来、ＧａＮ系のレーザ発振部を有する多
波長レーザとしては、例えば図１８に示したように、Ａ
ｌＧａＡｓ系のレーザ発振部２０１，ＡｌＧａＩｎＰ系
のレーザ発振部２０２およびＧａＮ系のレーザ発振部２
０３を、分離溝２１１ａ，２１１ｂを介してＳｉＣ（炭
化ケイ素）基板２３１の一面側の並列に作り込んだ多波
長レーザが提案されている（特開平１１−１８６６５１
号公報参照）。Conventionally, as a multi-wavelength laser having a GaN-based laser oscillator, for example, as shown in FIG.
1 GaAs laser oscillator 201, AlGaInP laser oscillator 202, and GaN laser oscillator 2
A multi-wavelength laser has been proposed in which 03 is formed in parallel on one surface side of a SiC (silicon carbide) substrate 231 via separation grooves 211a and 211b (Japanese Patent Laid-Open No. 11-186651).
(See Japanese Patent Publication).

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いわゆ
るモノリシック型の多波長レーザを作製する場合には、
ＧａＮ系の材料とＡｌＧａＡｓ系あるいはＡｌＧａＩｎ
Ｐ系の材料とでは格子定数が大きく異なるため等の理由
により、同一基板上に１チップで集積することが困難で
あるという問題があった。However, in the case of producing a so-called monolithic type multi-wavelength laser,
GaN-based material and AlGaAs-based or AlGaIn
There is a problem that it is difficult to integrate one chip on the same substrate for the reason that the lattice constant is greatly different from that of the P-based material.

【０００８】また、いわゆるハイブリッド型の多波長レ
ーザでは、既に述べたように、発光点間隔の制御性に劣
るという問題があるため、３つ以上の半導体レーザを配
設用の基体上に並列配置すると、より発光点間隔の制御
性に劣ってしまうという不具合が生じてしまう。Further, in the so-called hybrid type multi-wavelength laser, as described above, there is a problem that the controllability of the light emitting point interval is poor, so that three or more semiconductor lasers are arranged in parallel on the disposing substrate. Then, there arises a problem that the controllability of the light emitting point interval is further deteriorated.

【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その第１の目的は、容易に製造することができる
と共に、光の出射位置を精度よく制御することができる
発光装置およびそれを用いた光装置並びに発光装置の製
造方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems. A first object of the present invention is to provide a light emitting device which can be easily manufactured and at the same time, can control the emission position of light with high accuracy, and a light emitting device for the same. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing the used optical device and the light emitting device.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明による発光装置
は、絶縁性の支持基体と、この支持基体の一面側に設け
られ、絶縁性かつ可視領域において透明の第１の基板を
有する第１の発光素子と、この第１の発光素子の前記支
持基板と反対側に設けられ、第２の基板を有する第２の
発光素子とを備えた構成を有している。A light-emitting device according to the present invention comprises a first insulating substrate, and a first substrate which is provided on one surface of the supporting substrate and which is insulative and transparent in the visible region. The light emitting device has a configuration including a light emitting device and a second light emitting device provided on a side of the first light emitting device opposite to the support substrate and having a second substrate.

【００１１】第１の基板は、具体的には、例えばサファ
イア（Ａｌ2 Ｏ3 ）基板である。Specifically, the first substrate is, for example, a sapphire (Al 2 O 3 ) substrate.

【００１２】また、絶縁性の支持基体は、例えば、高い
熱伝導率を有する例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）に
より構成することができる。The insulating support substrate can be made of, for example, aluminum nitride (AlN) having a high thermal conductivity.

【００１３】本発明による光装置は、発光装置を有し、
この発光装置が、絶縁性の支持基体と、この支持基体の
一面側に設けられ、絶縁性かつ可視領域において透明の
第１の基板を有する第１の発光素子と、この第１の発光
素子の前記支持基板と反対側に設けられ、第２の基板を
有する第２の発光素子とを備えた構成を有している。An optical device according to the present invention has a light emitting device,
This light-emitting device includes an insulating support base, a first light-emitting element provided on one surface side of the support base, and having an insulating and transparent first substrate in the visible region, and a first light-emitting element of the first light-emitting element. The second light emitting device is provided on the opposite side of the support substrate and has a second substrate.

【００１４】また、本発明による発光装置の製造方法
は、絶縁性かつ可視領域において透明の第１の基板の表
面に第１の発光素子を形成したのち、第１の基板の裏面
に第１の配線を形成する工程と、第２の配線が形成され
た絶縁性の支持基体の上に、第１の基板に形成された発
光素子を第２の配線に電気的に接続されるようにして接
着する工程と、第１の基板の第１の配線に電気的に接続
されるよう第２の基板を有する第２の発光素子を接着す
る工程とを含むものである。Further, in the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention, the first light emitting element is formed on the front surface of the insulating and transparent first substrate in the visible region, and then the first light emitting element is formed on the back surface of the first substrate. The step of forming the wiring, and the light emitting element formed on the first substrate is bonded onto the insulating support base on which the second wiring is formed so as to be electrically connected to the second wiring. And a step of adhering a second light emitting element having a second substrate so as to be electrically connected to the first wiring of the first substrate.

【００１５】本発明による発光装置およびその製造方法
では、第１の基板が絶縁性かつ可視領域において透明で
あり、この第１の基板の表面に第１の発光素子が形成さ
れているので、組立工程において第１の発光素子の発光
領域および第２の発光素子の発光領域の位置が精確に制
御される。In the light emitting device and the method of manufacturing the same according to the present invention, the first substrate is insulative and transparent in the visible region, and the first light emitting element is formed on the surface of the first substrate. In the process, the positions of the light emitting region of the first light emitting element and the light emitting region of the second light emitting element are accurately controlled.

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【００１７】〔第１の実施の形態〕図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る発光装置１０Ａの断面構造を表す
ものである。この発光装置１０Ａは、支持基体１１と、
支持基体１１の一面側に配設された第１の発光素子２０
と、第１の発光素子２０の支持基体１１と反対側に配設
された第２の発光素子３０とを備えている。[First Embodiment] FIG. 1 shows a sectional structure of a light emitting device 10A according to a first embodiment of the present invention. This light emitting device 10A includes a support base 11,
First light emitting element 20 arranged on one surface side of the support base 11.
And a second light emitting element 30 disposed on the opposite side of the first light emitting element 20 from the support base 11.

【００１８】支持基体１１は、例えば銅（Ｃｕ）などの
金属により構成されており、第１の発光素子２０および
第２の発光素子３０において発生した熱を放散するヒー
トシンクの役割を有している。この支持基体１１は、ま
た、図示しない外部電源に対して電気的に接続されてお
り、第１の発光素子２０を外部電源に対して電気的に接
続する役割も有している。The support base 11 is made of a metal such as copper (Cu), and has a role of a heat sink that dissipates heat generated in the first light emitting element 20 and the second light emitting element 30. . The support base 11 is also electrically connected to an external power source (not shown), and also has a role of electrically connecting the first light emitting element 20 to the external power source.

【００１９】第１の発光素子２０は、例えば、４００ｎ
ｍ前後の波長の光を出射可能な半導体レーザである。こ
の第１の発光素子２０は、例えば窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体よりなる第１の基板２１の支持基体１１側
に、例えば窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる
ｎ型クラッド層２２，活性層２３，劣化防止層２４，ｐ
型クラッド層２５およびｐ側コンタクト層２６が第１の
基板２１の側からこの順に積層された構成を有してい
る。ここにおいて、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
とは、短周期型周期率表における３Ｂ族元素群のうちの
少なくとも１種と、短周期型周期率表における５Ｂ族元
素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含むもののことを
指す。The first light emitting element 20 is, for example, 400 n
It is a semiconductor laser capable of emitting light with a wavelength of around m. The first light emitting device 20 includes an n-type cladding layer 22 made of, for example, a nitride-based III-V group compound semiconductor on the support base 11 side of a first substrate 21 made of, for example, a nitride-based III-V group compound semiconductor. , Active layer 23, deterioration prevention layer 24, p
The mold clad layer 25 and the p-side contact layer 26 are laminated in this order from the first substrate 21 side. Here, the nitride-based III-V group compound semiconductor means at least one of the group 3B elements in the short-period periodic table and at least nitrogen (5B in the short-period periodic table 5B). N) refers to those including.

【００２０】具体的には、第１の基板２１は、例えば、
ｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）が添加されたｎ型Ｇａ
Ｎにより構成されており、その積層方向における厚さ
（以下、単に厚さという。）は例えば８０〜１００μｍ
である。なお、ＧａＮは、可視領域（３８０〜８００ｎ
ｍ程度）において透明の材料である。また、ＧａＮは、
約１．３Ｗ／（ｃｍ・Ｋ）と高い熱伝導率を有する熱伝
導性に優れた材料であり、第１の基板２１はこの特性を
利用することにより、第２の発光素子３０において発生
した熱を放散するヒートシンクとして機能するようにな
っている。Specifically, the first substrate 21 is, for example,
n-type Ga doped with silicon (Si) as an n-type impurity
The thickness (hereinafter, simply referred to as thickness) in the stacking direction is, for example, 80 to 100 μm.
Is. In addition, GaN has a visible region (380 to 800 n).
m) is a transparent material. In addition, GaN is
It is a material having a high thermal conductivity of about 1.3 W / (cm · K) and excellent in thermal conductivity, and the first substrate 21 is generated in the second light emitting element 30 by utilizing this characteristic. It functions as a heat sink that dissipates heat.

【００２１】ｎ型クラッド層２２は、例えば、厚さが１
μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型
ＡｌＧａＮ（例えば、Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ）混晶により
構成されている。活性層２３は、例えば、厚さが３０ｎ
ｍであり、組成の異なるＧａ x Ｉｎ1-x Ｎ（但し、ｘ≧
０）混晶によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層と
の多重量子井戸構造を有している。なお、この活性層２
３は発光部として機能するものである。The n-type cladding layer 22 has, for example, a thickness of 1
n-type with silicon added as an n-type impurity
AlGaN (for example, Al0.08Ga0.92N) due to mixed crystals
It is configured. The active layer 23 has a thickness of 30 n, for example.
Ga with different composition xIn1-xN (however, x ≧
0) a well layer and a barrier layer respectively formed by a mixed crystal
It has a multiple quantum well structure. The active layer 2
3 functions as a light emitting unit.

【００２２】劣化防止層２４は、例えば、厚さが２０ｎ
ｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が添
加されたｐ型ＡｌＧａＮ（例えば、Ａｌ0.2 Ｇａ
0.8 Ｎ）混晶により構成されている。ｐ型クラッド層２
５は、例えば、厚さが０．７μｍであり、ｐ型不純物と
してマグネシウムが添加されたｐ型ＡｌＧａＮ（例え
ば、Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ）混晶により構成されている。
ｐ側コンタクト層２６は、例えば、厚さが０．１μｍで
あり、ｐ型不純物としてマグネシウムが添加されたｐ型
ＧａＮにより構成されている。The deterioration prevention layer 24 has a thickness of, for example, 20 n.
m and p-type AlGaN to which magnesium (Mg) is added as a p-type impurity (for example, Al 0.2 Ga
0.8 N) mixed crystal. p-type clad layer 2
5 has a thickness of 0.7 μm, for example, and is composed of a p-type AlGaN (for example, Al 0.08 Ga 0.92 N) mixed crystal to which magnesium is added as a p-type impurity.
The p-side contact layer 26 has, for example, a thickness of 0.1 μm and is made of p-type GaN to which magnesium is added as a p-type impurity.

【００２３】ｐ型クラッド層２５の一部およびｐ側コン
タクト層２６は、共振器方向（図１においては紙面に対
して垂直な方向）に延長された細い帯状に形成されてお
り、いわゆるレーザストライプを構成することにより電
流狭窄を行うようになっている。このｐ側コンタクト層
２６は、例えば共振器方向に対して垂直な方向（図１に
示した矢印Ａの方向）の中央部に設けられており、ｐ側
コンタクト層２６の側面およびｐ型クラッド層２５の劣
化防止層２４と反対側の面は二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）
などよりなる絶縁層２７により覆われている。ちなみ
に、このｐ側コンタクト層２６に対応する活性層２３の
領域が発光領域となっている。A part of the p-type clad layer 25 and the p-side contact layer 26 are formed in a thin strip shape extending in the cavity direction (direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1), so-called laser stripe. The current constriction is performed by configuring the above. The p-side contact layer 26 is provided, for example, in the central portion in the direction perpendicular to the cavity direction (the direction of arrow A shown in FIG. 1), and the side surface of the p-side contact layer 26 and the p-type cladding layer are provided. The surface of No. 25 opposite to the deterioration preventing layer 24 is silicon dioxide (SiO 2 )
It is covered with an insulating layer 27 made of, for example. By the way, the region of the active layer 23 corresponding to the p-side contact layer 26 is a light emitting region.

【００２４】ｐ側コンタクト層２６のｐ型クラッド層２
５と反対側には、ｐ側電極２８が形成されている。この
ｐ側電極２８は、例えば、ｐ側コンタクト層２６の側か
らパラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）
を順次積層したものであり、ｐ側コンタクト層２６と電
気的に接続されている。このｐ側電極２８は、また、接
着層１２を介して支持基体１１と電気的に接続されてい
る。接着層１２は、例えば、金（Ａｕ）とスズ（Ｓｎ）
との合金あるいはスズにより構成されている。The p-type clad layer 2 of the p-side contact layer 26
A p-side electrode 28 is formed on the side opposite to 5. The p-side electrode 28 is formed by, for example, palladium (Pd), platinum (Pt), and gold (Au) from the p-side contact layer 26 side.
Are sequentially stacked and are electrically connected to the p-side contact layer 26. The p-side electrode 28 is also electrically connected to the support base 11 via the adhesive layer 12. The adhesive layer 12 is, for example, gold (Au) and tin (Sn).
It is composed of an alloy with or tin.

【００２５】また、第１の基板２１の支持基体１１と反
対側には、ｎ側電極２９が後述するレーザ発振部５０に
対応して設けられている。ｎ側電極２９は、例えば、第
１の基板２１の側から、チタン（Ｔｉ）およびアルミニ
ウムを順次積層して熱処理によりを合金化したものであ
り、第１の基板２１と電気的に接続されている。このｎ
側電極２９は、また、レーザ発振部５０を外部電源に対
して接続する配線としての機能も兼ね備えている。第１
の基板２１の支持基体１１と反対側には、また、第２の
発光素子３０の後述するレーザ発振部４０に対して電気
的に接続するための配線１３が絶縁膜１４を介して形成
されている。配線１３は、例えば金属により構成されて
いる。Further, an n-side electrode 29 is provided on the side of the first substrate 21 opposite to the support base 11, corresponding to a laser oscillating section 50 described later. The n-side electrode 29 is, for example, one in which titanium (Ti) and aluminum are sequentially laminated from the side of the first substrate 21 and alloyed by heat treatment, and is electrically connected to the first substrate 21. There is. This n
The side electrode 29 also has a function as a wiring for connecting the laser oscillation unit 50 to an external power source. First
On the side of the substrate 21 opposite to the support base 11, wiring 13 for electrically connecting to a laser oscillation unit 40 of the second light emitting element 30 described later is formed via an insulating film 14. There is. The wiring 13 is made of metal, for example.

【００２６】更に、第１の発光素子２０は共振器方向の
端部に位置する一対の側面が共振器端面となっており、
この一対の共振器端面には図示しない一対の反射鏡膜が
それぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜のう
ち、一方は活性層２３において発生した光を高い反射率
で反射するように設定され、他の一方はこれよりも低い
反射率で反射するように設定されており、他の一方の側
から光が出射するようになっている。Further, the first light emitting element 20 has a pair of side faces located at the ends in the cavity direction as cavity end faces.
A pair of reflecting mirror films (not shown) are respectively formed on the pair of resonator end faces. One of the pair of reflecting mirror films is set to reflect the light generated in the active layer 23 with high reflectance, and the other one is set to reflect with lower reflectance than this. Light is emitted from the other side.

【００２７】第２の発光素子３０は、例えば、第２の基
板３１と、第２の基板３１の支持基体１１側にバッファ
層３２を介して形成された７００ｎｍ帯（例えば７８０
ｎｍ）の光を出射可能なレーザ発振部４０と、第２の基
板３１の支持基体１１側にバッファ層３２を介して形成
された６００ｎｍ帯（例えば６５０ｎｍ）の光を出射可
能なレーザ発振部５０とを有している。第２の基板３１
は、例えば、厚さが１００μｍ程度であり、ｎ型不純物
としてケイ素が添加されたｎ型ＧａＡｓにより構成され
ている。バッファ層３２は、例えば、厚さが０．５μｍ
であり、ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型Ｇａ
Ａｓにより構成されている。レーザ発振部４０およびレ
ーザ発振部５０は、例えば２００μｍ程度以下の間を隔
て、共振器方向を第１の発光素子２０と揃えてそれらの
間に第１の発光素子２０のｐ側コンタクト層２６が対応
して位置するように配置されている。具体的には、レー
ザ発振部４０の後述する発光領域とレーザ発振部５０の
後述する発光領域との間隔は約１２０μｍとなってお
り、ちょうどその真ん中に第１の発光素子２０の発光領
域が対応して位置している。The second light emitting element 30 is, for example, a second substrate 31 and a 700 nm band (for example, 780) formed on the support substrate 11 side of the second substrate 31 via a buffer layer 32.
laser oscillation section 40 capable of emitting light of 600 nm band and a laser oscillation section 50 capable of emitting light of 600 nm band (for example, 650 nm) formed on the support base 11 side of the second substrate 31 via the buffer layer 32. And have. Second substrate 31
Is, for example, about 100 μm thick, and is made of n-type GaAs to which silicon is added as an n-type impurity. The buffer layer 32 has a thickness of 0.5 μm, for example.
And n-type Ga doped with silicon as an n-type impurity
It is composed of As. The laser oscillating unit 40 and the laser oscillating unit 50 have a resonator direction aligned with that of the first light emitting element 20 with a space of, for example, about 200 μm or less, and the p-side contact layer 26 of the first light emitting element 20 is interposed therebetween. Correspondingly located. Specifically, the distance between the light emitting region of the laser oscillator 40 described later and the light emitting region of the laser oscillator 50 described later is about 120 μm, and the light emitting region of the first light emitting element 20 corresponds to the center thereof. Is located.

【００２８】レーザ発振部４０は、例えば、短周期型周
期表における３Ｂ族元素のうちの少なくともガリウム
（Ｇａ）と短周期型周期表における５Ｂ族元素のうちの
少なくともヒ素（Ａｓ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体よりそれぞれなるｎ型クラッド層４１，活性層４
２，ｐ型クラッド層４３およびｐ型キャップ層４４が第
２の基板３１の側からこの順に積層された構成を有して
いる。The laser oscillating section 40 contains, for example, at least gallium (Ga) of the 3B group elements in the short periodic table and at least arsenic (As) of the 5B elements of the short periodic table in III. -N-type clad layer 41 and active layer 4 each made of a group V compound semiconductor
2, the p-type cladding layer 43 and the p-type cap layer 44 are laminated in this order from the second substrate 31 side.

【００２９】具体的には、ｎ型クラッド層４１は、例え
ば、厚さが１．５μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素
が添加されたｎ型ＡｌＧａＡｓ混晶により構成されてい
る。活性層４２は、例えば、厚さが４０ｎｍであり、組
成の異なるＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（但し、ｘ≧０）混晶に
よりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量子
井戸構造を有している。なお、この活性層４２は、発光
部として機能するものであり、その発光波長は例えば７
００ｎｍ帯である。ｐ型クラッド層４３は、例えば、厚
さが１．５μｍであり、ｐ型不純物として亜鉛が添加さ
れたｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶により構成されている。ｐ型
キャップ層４４は、例えば、厚さが０．５μｍであり、
ｐ型不純物として亜鉛が添加されたｐ型ＧａＡｓにより
構成されている。Specifically, the n-type cladding layer 41 has a thickness of, for example, 1.5 μm and is made of an n-type AlGaAs mixed crystal doped with silicon as an n-type impurity. The active layer 42 has, for example, a multiple quantum well structure of a well layer and a barrier layer each having a thickness of 40 nm and formed of Al x Ga 1-x As (however, x ≧ 0) mixed crystals having different compositions. Have The active layer 42 functions as a light emitting portion, and its emission wavelength is, for example, 7
It is the 00 nm band. The p-type clad layer 43 has a thickness of, for example, 1.5 μm and is made of a p-type AlGaAs mixed crystal to which zinc is added as a p-type impurity. The p-type cap layer 44 has, for example, a thickness of 0.5 μm,
It is composed of p-type GaAs to which zinc is added as a p-type impurity.

【００３０】なお、ｐ型クラッド層４３の一部およびｐ
型キャップ層４４は、共振器方向に延長された細い帯状
となっており、電流狭窄をするようになっている。この
帯状部分の両側には、電流ブロック領域４５がそれぞれ
設けられている。ちなみに、このｐ側キャップ層４４に
対応する活性層４２の領域が発光領域となっている。A part of the p-type cladding layer 43 and p
The mold cap layer 44 is in the form of a thin strip extending in the resonator direction, and is designed to constrict the current. Current block regions 45 are provided on both sides of the strip-shaped portion. By the way, the region of the active layer 42 corresponding to the p-side cap layer 44 is the light emitting region.

【００３１】ｐ型キャップ層４４のｐ型クラッド層４３
と反対側には、ｐ側電極４６が形成されている。このｐ
側電極４６は、例えば、ｐ型キャップ層４４の側からチ
タン，白金および金を順次積層して熱処理により合金化
したものであり、ｐ型キャップ層４４と電気的に接続さ
れている。このｐ側電極４６は、また、接着層１５を介
して配線１３と電気的に接続されている。接着層１５
は、例えば接着層１２と同様の材料により構成されてい
る。The p-type cladding layer 43 of the p-type cap layer 44
A p-side electrode 46 is formed on the opposite side. This p
The side electrode 46 is, for example, one in which titanium, platinum and gold are sequentially stacked from the side of the p-type cap layer 44 and alloyed by heat treatment, and is electrically connected to the p-type cap layer 44. The p-side electrode 46 is also electrically connected to the wiring 13 via the adhesive layer 15. Adhesive layer 15
Is made of, for example, the same material as the adhesive layer 12.

【００３２】レーザ発振部５０は、例えば、バッファ層
５１を介して、ｎ型クラッド層５２，活性層５３，ｐ型
クラッド層５４およびｐ型キャップ層５５が第２の基板
３１の側からこの順に積層された構成を有している。こ
れらの各層は、例えば、短周期型周期表における３Ｂ族
元素のうちの少なくともインジウム（Ｉｎ）と短周期型
周期表における５Ｂ族元素のうちの少なくともリン
（Ｐ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によりそれぞ
れ構成されている。In the laser oscillator 50, for example, the n-type cladding layer 52, the active layer 53, the p-type cladding layer 54, and the p-type cap layer 55 are arranged in this order from the second substrate 31 side via the buffer layer 51. It has a laminated structure. Each of these layers is, for example, a III-V group compound containing at least indium (In) of the 3B group elements in the short periodic table and at least phosphorus (P) of the 5B group elements in the short periodic table. Each is composed of a semiconductor.

【００３３】具体的には、バッファ層５１は、例えば、
厚さが０．５μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素が添
加されたｎ型ＩｎＧａＰ混晶により構成されている。ｎ
型クラッド層５２は、例えば、厚さが１．５μｍであ
り、ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ混晶により構成されている。活性層５３は、例え
ば、例えば、厚さが３５ｎｍであり、組成の異なるＡｌ
x Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｐ（但し、ｘ≧０かつｙ≧０）混晶
によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量
子井戸構造を有している。なお、この活性層５３は、発
光部として機能するものである。ｐ型クラッド層５４
は、例えば、厚さが１．０μｍであり、ｐ型不純物とし
て亜鉛が添加されたｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶により構成
されている。ｐ型キャップ層５５は、例えば、厚さが
０．５μｍであり、ｐ型不純物として亜鉛が添加された
ｐ型ＧａＡｓにより構成されている。Specifically, the buffer layer 51 is, for example,
It has a thickness of 0.5 μm and is made of an n-type InGaP mixed crystal to which silicon is added as an n-type impurity. n
The type clad layer 52 has a thickness of, for example, 1.5 μm, and has n-type AlGa doped with silicon as an n-type impurity.
It is composed of an InP mixed crystal. The active layer 53 has, for example, a thickness of 35 nm and is made of Al having a different composition.
x Ga y In 1-xy P ( where, x ≧ 0 and y ≧ 0) has a multiple quantum well structure with well layers each formed by a mixed crystal and the barrier layer. The active layer 53 functions as a light emitting section. p-type clad layer 54
Is, for example, 1.0 μm thick, and is made of a p-type AlGaInP mixed crystal to which zinc is added as a p-type impurity. The p-type cap layer 55 has a thickness of 0.5 μm, for example, and is made of p-type GaAs to which zinc is added as a p-type impurity.

【００３４】なお、ｐ型クラッド層５４の一部およびｐ
型キャップ層５５は、細い帯状に形成となっており、共
振器方向に延長された電流狭窄をするようになってい
る。この帯状部分の両側には電流ブロック領域５６がそ
れぞれ設けられている。ちなみに、このｐ側キャップ層
５５に対応する活性層５３の領域が発光領域となってい
る。A part of the p-type cladding layer 54 and p
The mold cap layer 55 is formed in a thin strip shape and has a current constriction extending in the resonator direction. Current block regions 56 are provided on both sides of this strip portion. Incidentally, the region of the active layer 53 corresponding to the p-side cap layer 55 is the light emitting region.

【００３５】ｐ型キャップ層５５のｐ型クラッド層５４
と反対側には、ｐ型キャップ層５５と電気的に接続さ
れ、例えばｐ側電極４６と同様の構成を有するｐ側電極
５７が設けられている。このｐ側電極５７は、また、接
着層１５と同様の材料により構成された接着層１６を介
して第１の発光素子２０のｎ側電極２９と電気的に接続
されている。P-type clad layer 54 of p-type cap layer 55
A p-side electrode 57 electrically connected to the p-type cap layer 55 and having the same configuration as the p-side electrode 46, for example, is provided on the opposite side. The p-side electrode 57 is also electrically connected to the n-side electrode 29 of the first light emitting element 20 via the adhesive layer 16 made of the same material as the adhesive layer 15.

【００３６】また、第２の基板３１の支持基体１１と反
対側には、レーザ発振部４０，５０のｎ側電極３３が形
成されている。このｎ側電極３３は、例えば、第２の基
板３１の側から金とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金，ニ
ッケルおよび金を順次積層して熱処理により合金化した
ものである。The n-side electrode 33 of the laser oscillators 40 and 50 is formed on the side of the second substrate 31 opposite to the support base 11. The n-side electrode 33 is formed by, for example, sequentially laminating an alloy of gold and germanium (Ge), nickel and gold from the side of the second substrate 31 and alloying them by heat treatment.

【００３７】更に、第２の発光素子３０は、共振器方向
の端部に位置する一対の側面がそれぞれ共振器端面とな
っており、各レーザ発振部４０，５０それぞれにおいて
この一対の共振器端面に図示しない一対の反射鏡膜がそ
れぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜では、反
射率の高低が第１の発光素子２０に設けられた図示しな
い一対の反射鏡膜と対応するようにそれぞれ設定されて
おり、第１の発光素子２０および第２の発光素子３０の
レーザ発振部４０，５０は、それぞれ同一の側から光が
出射するようになっている。Further, in the second light-emitting element 30, a pair of side faces located at the ends in the cavity direction are the cavity end faces, and in each of the laser oscillators 40 and 50, the pair of cavity end faces is formed. In the figure, a pair of reflecting mirror films (not shown) are respectively formed. In the pair of reflecting mirror films, the high and low of the reflectance are set so as to correspond to the pair of reflecting mirror films (not shown) provided in the first light emitting element 20, respectively. The laser oscillators 40 and 50 of the light emitting element 30 are configured so that light is emitted from the same side.

【００３８】このような構成を有する発光装置１０Ａ
は、例えば図２に示したように、パッケージ１の内部に
収納されて用いられる。このパッケージ１は、例えば、
円板状の支持体２と、この支持体２の一面側に設けられ
た蓋体３とを備えている。蓋体３の内部には、支持体２
により支持基体１１が支持されて発光装置１０Ａが収納
されており、発光装置１０Ａから出射された光は、蓋体
３の取り出し窓３ａから取り出されるようになってい
る。A light emitting device 10A having such a structure
Is used by being housed inside the package 1 as shown in FIG. 2, for example. This package 1, for example,
The disk-shaped support body 2 and the lid body 3 provided on one surface side of the support body 2 are provided. Inside the lid 3, the support 2
The light emitting device 10A is accommodated by supporting the support base 11 with the light emitted from the light emitting device 10A is extracted from the extraction window 3a of the lid 3.

【００３９】また、このパッケージ１には、導電性を有
する複数のピン４ａ〜４ｄが設けられており、ピン４ａ
は支持基体１１に対して電気的に接続されている。他の
ピン４ｂ〜４ｄは、例えば絶縁リング５ｂ〜５ｄを介し
て支持体２を貫通し、蓋体３の内部から外部に向かって
設けられている。ピン４ｂにはワイヤ６ｂを介して配線
１３が電気的に接続され、ピン４ｃにはワイヤ６ｃを介
してｎ側電極２９が電気的に接続され、ピン４ｄにはワ
イヤ６ｄを介してｎ側電極３３が電気的に接続されてい
る。なお、ここでは、４本のピン４ａ〜４ｄを備えたパ
ッケージ１を例に挙げて説明したが、ピンの数は適宜に
設定することができる。例えば、配線１３と支持基体１
１とをワイヤで接続するようにすれば、ピン４ｂが不要
となり、ピンを３本にすることができる。The package 1 is also provided with a plurality of conductive pins 4a to 4d.
Are electrically connected to the support base 11. The other pins 4b to 4d penetrate the support 2 through the insulating rings 5b to 5d, for example, and are provided from the inside of the lid 3 toward the outside. The wiring 13 is electrically connected to the pin 4b via the wire 6b, the n-side electrode 29 is electrically connected to the pin 4c via the wire 6c, and the n-side electrode is connected to the pin 4d via the wire 6d. 33 is electrically connected. Although the package 1 including the four pins 4a to 4d has been described as an example here, the number of pins can be set as appropriate. For example, the wiring 13 and the supporting base 1
By connecting 1 and 1 with a wire, the pin 4b becomes unnecessary and the number of pins can be three.

【００４０】このような発光装置１０Ａは次のようにし
て製造することができる。図３〜図５は、発光装置１０
Ａの製造方法の各製造工程をそれぞれ表すものである。Such a light emitting device 10A can be manufactured as follows. 3 to 5 show the light emitting device 10.
3 shows each manufacturing step of the manufacturing method A.

【００４１】まず、図３（Ａ）に示したように、例え
ば、厚さ４００μｍ程度のｎ型ＧａＮよりなる第１の基
板２１を用意し、この第１の基板２１の表面に、ＭＯＣ
ＶＤ法により、ｎ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｎ型クラッ
ド層２２，ＩｎＧａＮ混晶よりなる活性層２３，ｐ型Ａ
ｌＧａＮ混晶よりなる劣化防止層２４，ｐ型ＡｌＧａＮ
混晶よりなるｐ型クラッド層２５およびｐ型ＧａＮより
なるｐ側コンタクト層２６を順次成長させる。なお、こ
れらの各層を成長させる際には、第１の基板２１の温度
を例えば７５０℃〜１１００℃にそれぞれ調節する。First, as shown in FIG. 3A, for example, a first substrate 21 made of n-type GaN having a thickness of about 400 μm is prepared, and MOC is formed on the surface of the first substrate 21.
By the VD method, an n-type cladding layer 22 made of an n-type AlGaN mixed crystal, an active layer 23 made of an InGaN mixed crystal, and a p-type A
Deterioration prevention layer 24 made of lGaN mixed crystal, p-type AlGaN
A p-type cladding layer 25 made of a mixed crystal and a p-side contact layer 26 made of p-type GaN are sequentially grown. When growing each of these layers, the temperature of the first substrate 21 is adjusted to, for example, 750 ° C to 1100 ° C.

【００４２】次いで、図３（Ｂ）に示したように、ｐ側
コンタクト層２６の上に図示しないマスクを形成し、ｐ
側コンタクト層２６およびｐ型クラッド層２５の上層部
を選択的にエッチングしてこれらを細い帯状とし、ｐ型
クラッド層２５を表面に露出させる。続いて、ｐ側コン
タクト層２６上の図示しないマスクを利用して、ｐ型ク
ラッド層２５の表面およびｐ側コンタクト層２６の側面
を覆うように絶縁層２７を形成する。Next, as shown in FIG. 3B, a mask (not shown) is formed on the p-side contact layer 26, and p
The upper layer portions of the side contact layer 26 and the p-type cladding layer 25 are selectively etched to form thin strips to expose the p-type cladding layer 25 on the surface. Subsequently, an insulating layer 27 is formed so as to cover the surface of the p-type cladding layer 25 and the side surface of the p-side contact layer 26 by using a mask (not shown) on the p-side contact layer 26.

【００４３】絶縁層２７を形成したのち、ｐ側コンタク
ト層２６の表面およびその近傍に、例えば、パラジウ
ム，白金および金を順次蒸着し、ｐ側電極２８を形成す
る。更に、後述する工程において第１の基板２１の劈開
を容易に行うために、第１の基板２１の裏面側を例えば
ラッピングおよびポリッシングして第１の基板２１の厚
さを例えば１００μｍ程度とする。After forming the insulating layer 27, for example, palladium, platinum and gold are sequentially deposited on the surface of the p-side contact layer 26 and its vicinity to form the p-side electrode 28. Further, in order to easily perform the cleavage of the first substrate 21 in the process described later, the back surface side of the first substrate 21 is lapped and polished, for example, to make the thickness of the first substrate 21 about 100 μm.

【００４４】続いて、第１の基板２１の裏面側に、レー
ザ発振部４０の配設位置に対応して絶縁膜１４を形成
し、その上に配線１３を形成する。また、レーザ発振部
５０の配設位置に対応して、例えばチタンおよびアルミ
ニウムを順次蒸着し、ｎ側電極２９を形成する。具体的
には、配線１３およびｎ側電極２９を、ｐ側コンタクト
層２６を中心として６０μｍ程度それぞれ離間した位置
に形成する。その際、本実施の形態では、第１の基板２
１を可視領域において透明なＧａＮにより構成すると共
に、第１の基板２１上に同じく可視領域において透明な
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる各層を積層
しているので、第１の基板２１側からｐ側電極２８の位
置を観察することができ、リソグラフィにおける位置合
わせを高精度に行うことができるようになっている。す
なわち、配線１３およびｎ側電極２９の形成位置を精確
に制御できるようになっている。なお、ここでは、第１
の基板２１を構成するＧａＮの硬度が高いので、第１の
基板２１の厚さが１００μｍ程度であっても、リソグラ
フィ工程において第１の基板２１が割れてしまう等のお
それがない。Subsequently, the insulating film 14 is formed on the back surface of the first substrate 21 corresponding to the position where the laser oscillator 40 is provided, and the wiring 13 is formed thereon. Further, for example, titanium and aluminum are sequentially vapor-deposited to form the n-side electrode 29 corresponding to the position where the laser oscillator 50 is provided. Specifically, the wiring 13 and the n-side electrode 29 are formed at positions separated by about 60 μm from the p-side contact layer 26. At that time, in the present embodiment, the first substrate 2
1 is made of GaN transparent in the visible region, and each layer made of a nitride-based III-V group compound semiconductor that is also transparent in the visible region is laminated on the first substrate 21. The position of the p-side electrode 28 can be observed from the side, and the alignment in lithography can be performed with high accuracy. That is, the formation positions of the wiring 13 and the n-side electrode 29 can be accurately controlled. In addition, here, the first
Since the hardness of GaN that constitutes the substrate 21 is high, even if the thickness of the first substrate 21 is about 100 μm, there is no risk of the first substrate 21 cracking during the lithography process.

【００４５】配線１３およびｎ側電極２９を形成したの
ち、加熱処理を行い、ｎ側電極２９を合金化する。その
のち、ここでは図示しないが、第１の基板２１を例えば
ｐ側電極２８の長さ方向に対して垂直に所定の幅で劈開
し、その劈開面に一対の反射鏡膜を形成する。これによ
り、第１の発光素子２０が作製される。After forming the wiring 13 and the n-side electrode 29, heat treatment is performed to alloy the n-side electrode 29. After that, although not shown here, for example, the first substrate 21 is cleaved with a predetermined width perpendicular to the length direction of the p-side electrode 28, and a pair of reflecting mirror films is formed on the cleaved surface. As a result, the first light emitting element 20 is manufactured.

【００４６】また一方、図４（Ａ）に示したように、例
えば、厚さ３５０μｍ程度のｎ型ＧａＡｓよりなる第２
の基板３１を用意し、この第２の基板３１の表面にＭＯ
ＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＡｓよりなるバッファ層３
２，ｎ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｎ型クラッド層４
１，Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓ（但し、ｘ≧０）混晶よりなる
活性層４２，ｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｐ型クラッ
ド層４３およびｐ型ＧａＡｓよりなるｐ型キャップ層４
４を順次成長させる。なお、これらの各層を成長させる
際には、第２の基板３１の温度を例えば７５０℃〜８０
０℃にそれぞれ調節する。On the other hand, as shown in FIG. 4A, for example, a second n-type GaAs layer having a thickness of about 350 μm is used.
Substrate 31 is prepared, and MO is formed on the surface of the second substrate 31.
Buffer layer 3 made of n-type GaAs by the CVD method
2, n-type clad layer 4 made of n-type AlGaAs mixed crystal
1, an active layer 42 made of Al x Ga 1-x As (where x ≧ 0) mixed crystal, a p-type cladding layer 43 made of p-type AlGaAs mixed crystal, and a p-type cap layer 4 made of p-type GaAs.
4 are grown in sequence. When growing each of these layers, the temperature of the second substrate 31 is set to, for example, 750 ° C. to 80 ° C.
Adjust to 0 ° C respectively.

【００４７】次いで、図４（Ｂ）に示したように、ｐ型
キャップ層４４の上にレーザ発振部４０の形成予定領域
に対応してレジスト膜Ｒ1 を形成する。そののち、この
レジスト膜Ｒ1 をマスクとして、例えば、硫酸系のエッ
チング液を用いてｐ型キャップ層４４を選択的に除去
し、フッ酸系のエッチング液を用いてｐ型クラッド層４
３，活性層４２およびｎ型クラッド層４１のレジスト膜
Ｒ1 に覆われていない部分をそれぞれ選択的に除去す
る。そののち、レジスト膜Ｒ1 を除去する。Next, as shown in FIG. 4B, a resist film R 1 is formed on the p-type cap layer 44 corresponding to the region where the laser oscillator 40 is to be formed. After that, using the resist film R 1 as a mask, the p-type cap layer 44 is selectively removed using, for example, a sulfuric acid-based etching liquid, and the p-type cladding layer 4 is used using a hydrofluoric acid-based etching liquid.
3. The portions of the active layer 42 and the n-type cladding layer 41 not covered with the resist film R 1 are selectively removed. After that, the resist film R 1 is removed.

【００４８】続いて、図５（Ａ）に示したように、例え
ばＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＩｎＧａＰ混晶よりなるバ
ッファ層５１，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶よりなるｎ型ク
ラッド層５２，Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｐ（但し、ｘ≧
０かつｙ≧０）混晶よりなる活性層５３，ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰ混晶よりなるｐ型クラッド層５４およびｐ型Ｇａ
Ａｓよりなるｐ型キャップ層５５を順次成長させる。な
お、これらの各層を成長させる際には、第２の基板３１
の温度を例えば６８０℃程度にそれぞれ調節する。[0048] Subsequently, as shown in FIG. 5 (A), for example, by MOCVD, the n-type cladding layer 52 of the buffer layer 51, n-type AlGaInP mixed crystal of n-type InGaP mixed crystal, Al x Ga y In 1-xy P (where x ≧
0 and y ≧ 0) mixed layer active layer 53, p-type AlGa
P-type clad layer 54 made of InP mixed crystal and p-type Ga
A p-type cap layer 55 made of As is sequentially grown. When growing each of these layers, the second substrate 31
Are adjusted to about 680 ° C., respectively.

【００４９】そののち、図５（Ｂ）に示したように、ｐ
型キャップ層５５の上にレーザ発振部５０の形成予定領
域に対応してレジスト膜Ｒ2 を形成する。続いて、この
レジスト膜Ｒ2 をマスクとして、例えば、硫酸系のエッ
チング液を用いてｐ型キャップ層５５を選択的に除去
し、リン酸系および塩酸系のエッチング液を用いてｐ型
クラッド層５４，活性層５３およびｎ型クラッド層５２
をそれぞれ選択的に除去し、塩酸系のエッチング液を用
いてバッファ層５１を選択的に除去する。そののち、レ
ジスト膜Ｒ2 を除去する。After that, as shown in FIG. 5B, p
A resist film R 2 is formed on the mold cap layer 55 so as to correspond to the region where the laser oscillator 50 is to be formed. Subsequently, using the resist film R 2 as a mask, the p-type cap layer 55 is selectively removed using, for example, a sulfuric acid-based etching solution, and the p-type cladding layer is used using a phosphoric acid-based and hydrochloric acid-based etching solution. 54, active layer 53, and n-type cladding layer 52
Are selectively removed, and the buffer layer 51 is selectively removed using a hydrochloric acid-based etching solution. After that, the resist film R 2 is removed.

【００５０】レジスト膜Ｒ2 を除去したのち、図６
（Ａ）に示したように、例えば、ｐ型キャップ層４４，
５５の上に図示しない細い帯状のマスクを形成し、ｐ型
キャップ層４４，５５およびｐ型クラッド層４３，５４
の上層部にイオン注入法によりケイ素などのｎ型不純物
を導入する。これにより、不純物が導入された領域は絶
縁化され、電流ブロック領域４５，５６となる。なお、
ここでは、リソグラフィ技術を用いてｐ型キャップ層４
４，５５の位置を規定するようにしているので、それら
の位置を精確に制御できるようになっている。After removing the resist film R 2 , FIG.
As shown in (A), for example, the p-type cap layer 44,
A thin strip mask (not shown) is formed on 55 to form p-type cap layers 44 and 55 and p-type cladding layers 43 and 54.
An n-type impurity such as silicon is introduced into the upper layer by ion implantation. As a result, the regions where the impurities are introduced are insulated and become the current block regions 45 and 56. In addition,
Here, the p-type cap layer 4 is formed by using the lithography technique.
Since the positions of 4, 55 are defined, these positions can be controlled accurately.

【００５１】電流ブロック領域４５，５６を形成したの
ち、図６（Ｂ）に示したように、ｐ型キャップ層４４，
５５の表面およびその近傍に、例えば、ニッケル，白金
および金を順次蒸着し、ｐ側電極４６，５７をそれぞれ
形成する。更に、第２の基板３１の裏面側を例えばラッ
ピングおよびポリッシングすることにより、第２の基板
３１の厚さを例えば１００μｍ程度とする。続いて、こ
の第２の基板３１の裏面側に、例えば、金とゲルマニウ
ムとの合金，ニッケルおよび金を順次蒸着し、各レーザ
発振部４０，５０に共通のｎ側電極３３を形成する。そ
ののち、加熱処理を行い、ｐ側電極４６，５７およびｎ
側電極３３をそれぞれ合金化する。更に、ここでは図示
しないが、第２の基板３１を例えばｐ側電極４６，５７
の長さ方向に対して垂直に所定の幅で劈開し、その劈開
面に一対の反射鏡膜を形成する。これにより、第２の発
光素子３０が作製される。After forming the current blocking regions 45 and 56, as shown in FIG. 6B, the p-type cap layer 44,
For example, nickel, platinum, and gold are sequentially vapor-deposited on the surface of 55 and its vicinity to form p-side electrodes 46 and 57, respectively. Further, the back surface side of the second substrate 31 is lapped and polished, for example, to make the thickness of the second substrate 31 about 100 μm, for example. Subsequently, for example, an alloy of gold and germanium, nickel, and gold are sequentially deposited on the back surface side of the second substrate 31 to form an n-side electrode 33 common to the laser oscillation units 40 and 50. After that, heat treatment is performed, and p-side electrodes 46, 57 and n
Each side electrode 33 is alloyed. Further, although not shown here, the second substrate 31 is connected to, for example, the p-side electrodes 46 and 57.
Cleavage with a predetermined width perpendicular to the length direction, and a pair of reflecting mirror films is formed on the cleaved surface. As a result, the second light emitting element 30 is manufactured.

【００５２】このようにして第１の発光素子２０および
第２の発光素子３０をそれぞれ作製したのち、支持基体
１１を用意し、例えば接着層１２により第１の発光素子
２０の絶縁層２７およびｐ側電極２８と支持基体１１と
を接着する。また、例えば接着層１５により第２の発光
素子３０のｐ側電極４６と配線１３とを接着すると共
に、例えば接着層１６により第２の発光素子３０のｐ側
電極５７と第１の発光素子２０のｐ側電極２９とを接着
する。これにより、図１に示した発光装置１０Ａが完成
する。After the first light emitting element 20 and the second light emitting element 30 are produced in this way, the support base 11 is prepared, and the insulating layer 27 and p of the first light emitting element 20 are formed by the adhesive layer 12, for example. The side electrode 28 and the support base 11 are bonded together. Further, for example, the adhesive layer 15 adheres the p-side electrode 46 of the second light emitting element 30 to the wiring 13, and the adhesive layer 16 adheres to the p-side electrode 57 of the second light emitting element 30 and the first light emitting element 20, for example. To the p-side electrode 29. As a result, the light emitting device 10A shown in FIG. 1 is completed.

【００５３】なお、ここでは、高精度のリソグラフィ技
術を用いて位置精度よく形成された配線１３およびｎ側
電極２９と、同じく高精度のリソグラフィ技術を用いて
位置精度よく形成されたｐ型キャップ層４４，５５とを
対応させて、第１の発光素子２０に第２の発光素子３０
を配設するので、それらの発光領域の位置も精確に制御
される。Here, the wiring 13 and the n-side electrode 29 which are formed with high positional accuracy by using a high precision lithography technique, and the p-type cap layer which is formed with high positional precision by using the same high precision lithography technique. 44 and 55 are made to correspond to each other, and the first light emitting element 20 is connected to the second light emitting element 30.
Are arranged, the positions of those light emitting regions are also accurately controlled.

【００５４】ちなみに、支持基体１１と第１の発光素子
２０、および第１の発光素子２０と第２の発光素子３０
とを同時に接着する場合には、接着層１２，１４ａ，１
４ｂを同一の材料により形成することが好ましい。ま
た、個別に接着する場合には、先に接着する接着層を、
後に接着する接着層の形成材料よりも融点の高い材料に
より形成することが好ましい。具体的には、例えば、先
に接着する接着層を金とスズとの合金により形成し、後
に接着する接着層をスズにより形成する。これにより、
必要以上に加熱しなくても両方において良好に接着させ
ることができるからである。By the way, the support base 11 and the first light emitting element 20, and the first light emitting element 20 and the second light emitting element 30.
When the and are simultaneously adhered, the adhesive layers 12, 14a, 1
It is preferable to form 4b with the same material. Also, when individually bonding, the adhesive layer to be bonded first,
It is preferably formed of a material having a melting point higher than that of a material for forming an adhesive layer to be bonded later. Specifically, for example, the adhesive layer to be bonded first is made of an alloy of gold and tin, and the adhesive layer to be bonded later is made of tin. This allows
This is because good adhesion can be achieved on both without heating more than necessary.

【００５５】この発光装置１０Ａは、図２に示したよう
なパッケージ１に収納され、次のように動作する。The light emitting device 10A is housed in the package 1 as shown in FIG. 2 and operates as follows.

【００５６】この発光装置１０Ａでは、パッケージ１の
ピン４ｃおよびピン４ａを介して第１の発光素子２０の
ｎ側電極２９とｐ側電極２８との間に電圧が印加される
と、活性層２３に電流が注入され、電子−正孔再結合に
より発光が起こり、第１の発光素子２０から４００ｎｍ
前後の波長の光が出射される。また、ピン４ｄおよびピ
ン４ｂを介して第２の発光素子３０のｎ側電極３３とｐ
側電極４６との間に所定の電圧が印加されると、活性層
４２に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が
起こり、レーザ発振部４０から７００ｎｍ帯の波長の光
が出射される。更に、ピン４ｄおよびピン４ｃを介して
第２の発光素子３０のｎ側電極３３とｐ側電極５７との
間に所定の電圧が印加されると、活性層５３に電流が注
入され、電子−正孔再結合により発光が起こり、レーザ
発振部５０から６００ｎｍ帯の波長の光が出射される。
これらの光は、パッケージ１の取り出し窓３ａを介して
パッケージ１の外部に取り出される。In this light emitting device 10A, when a voltage is applied between the n-side electrode 29 and the p-side electrode 28 of the first light emitting element 20 via the pin 4c and the pin 4a of the package 1, the active layer 23 is formed. When a current is injected into the first light emitting element 20 to emit light by recombination of electrons and holes,
Light of the front and rear wavelengths is emitted. In addition, the n-side electrode 33 of the second light emitting element 30 and the p
When a predetermined voltage is applied to the side electrode 46, a current is injected into the active layer 42, light is emitted by electron-hole recombination, and light having a wavelength of 700 nm band is emitted from the laser oscillator 40. It Further, when a predetermined voltage is applied between the n-side electrode 33 and the p-side electrode 57 of the second light emitting element 30 via the pins 4d and 4c, a current is injected into the active layer 53, and the electron- Light is emitted due to the recombination of holes, and light having a wavelength in the 600 nm band is emitted from the laser oscillator 50.
These lights are extracted to the outside of the package 1 through the extraction window 3a of the package 1.

【００５７】なお、発光の際には熱も発生するが、ここ
では第１の基板２１が比較的熱伝導率の高い材料により
構成されているので、レーザ発振部４０またはレーザ発
振部５０において発生した熱は、第１の基板２１および
支持基体１１を介して速やかに放散される。また、第１
の発光素子２０において発生した熱は、支持基体１１を
介して速やかに放散される。Although heat is also generated during light emission, since the first substrate 21 is made of a material having a relatively high thermal conductivity here, it is generated in the laser oscillator 40 or the laser oscillator 50. The generated heat is quickly dissipated through the first substrate 21 and the support base 11. Also, the first
The heat generated in the light emitting element 20 is rapidly dissipated through the support base 11.

【００５８】このように本実施の形態に係る発光装置１
０Ａによれば、第１の発光素子２０と第２の発光素子３
０とを積層するようにしたので、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体層とＡｌＧａＡｓ系およびＡｌＧａＩｎＰ
系のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを同一基板上に成長
させる必要がなく、容易に４００ｎｍ前後の発光波長を
有する多波長レーザを得ることができる。よって、この
発光装置１０Ａを用いれば、例えば複数種類の光源によ
り光ディスクの種類を問わず記録・再生が可能な光ディ
スク装置を容易に実現することができる。As described above, the light emitting device 1 according to the present embodiment
According to 0A, the first light emitting element 20 and the second light emitting element 3
0 is stacked, so that the nitride-based III-V group compound semiconductor layer and the AlGaAs-based and AlGaInP
It is not necessary to grow the system III-V compound semiconductor layer on the same substrate, and a multi-wavelength laser having an emission wavelength of around 400 nm can be easily obtained. Therefore, by using the light emitting device 10A, it is possible to easily realize an optical disc device capable of recording / reproducing regardless of the type of the optical disc by a plurality of types of light sources.

【００５９】特に、第１の発光素子２０が窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体層を有するように構成し、４００
ｎｍ前後の波長の光を出射可能としたので、この発光装
置１０Ａを光ディスク装置などの光装置に搭載すれば、
より高密度に情報が記録された光ディスクの記録・再生
をすることができる。In particular, the first light emitting device 20 is a nitride II
And an I-V group compound semiconductor layer.
Since it is possible to emit light having a wavelength of about nm, if the light emitting device 10A is mounted on an optical device such as an optical disc device,
It is possible to record / reproduce an optical disc on which information is recorded with higher density.

【００６０】また、第１の基板２１を可視領域において
透明である材料により構成するようにしたので、リソグ
ラフィ技術を用いて位置精度よくｎ側電極２９および配
線１３を形成することができ、リソグラフィ技術を用い
て位置精度よく形成された第２の発光素子３０のｐ側電
極４６，５７を接着させることにより、第１の発光素子
２０の発光領域および第２の発光素子３０の発光領域の
位置を精確に制御することができる。更に、これらの間
隔を所望の微少の値とすることにより、各発光素子にお
いて発せられた光を微少の径の領域内からそれぞれ出射
させることができる。Further, since the first substrate 21 is made of a material transparent in the visible region, the n-side electrode 29 and the wiring 13 can be formed with high positional accuracy by using the lithography technique, and the lithography technique can be used. By bonding the p-side electrodes 46 and 57 of the second light emitting element 30 which are formed with high positional accuracy using, the positions of the light emitting area of the first light emitting element 20 and the light emitting area of the second light emitting element 30 are determined. It can be controlled precisely. Further, by setting these intervals to a desired minute value, the light emitted from each light emitting element can be emitted from each area having a minute diameter.

【００６１】加えて、第１の基板２１を熱伝導率の高い
材料により構成するようにしたので、レーザ発振部４
０，５０において発光の際に発生した熱を第１の基板２
１を介して速やかに支持基体１１に放散することができ
る。よって、第１の発光素子２０の上に第２の発光素子
３０を配設しても、第２の発光素子３０の温度上昇を防
止でき、長時間に渡って安定に動作させることができ
る。In addition, since the first substrate 21 is made of a material having a high thermal conductivity, the laser oscillation unit 4
The heat generated at the time of light emission at 0 and 50 is applied to the first substrate 2
It can be rapidly diffused to the supporting substrate 11 via 1. Therefore, even if the second light emitting element 30 is provided on the first light emitting element 20, the temperature rise of the second light emitting element 30 can be prevented, and stable operation can be performed for a long time.

【００６２】なお、この発光装置１０Ａは、例えば光装
置としての光ディスク記録再生装置に用いられる。図７
は、その光ディスク記録再生装置の構成を模式的に表す
ものである。この光ディスク記録再生装置は、波長の異
なる光を用いて光ディスクに記録されている情報をそれ
ぞれ再生し、また光ディスクに情報を記録するためのも
のである。この光ディスク記録再生装置は、本実施の形
態に係る発光装置１０Ａ、および制御部１１１の制御に
基づき発光装置１０Ａから出射させた所定の発光波長の
出射光Ｌout を光ディスクＤへ導くと共に、光ディスク
Ｄからの信号光（反射光Ｌref ）読み取るための光学
系、すなわち、ビームスプリッタ１１２，コリメータレ
ンズ１１３，ミラー１１４，開口制限アパーチャ１１
５，対物レンズ１１６，信号光検出用レンズ１１７，信
号光検出用受光素子１１８および信号光再生回路１１９
を備えている。The light emitting device 10A is used, for example, in an optical disk recording / reproducing device as an optical device. Figure 7
Shows schematically the configuration of the optical disk recording / reproducing apparatus. This optical disk recording / reproducing apparatus is for reproducing information recorded on an optical disk by using lights having different wavelengths, and for recording information on the optical disk. This optical disc recording / reproducing apparatus guides the emission light L out having a predetermined emission wavelength emitted from the light emitting device 10A to the optical disc D under the control of the light emitting device 10A according to the present embodiment and the control unit 111, and also the optical disc D. Optical system for reading the signal light (reflected light L ref ) from, that is, beam splitter 112, collimator lens 113, mirror 114, aperture limiting aperture 11
5, objective lens 116, signal light detection lens 117, signal light detection light receiving element 118, and signal light reproduction circuit 119
Is equipped with.

【００６３】この光ディスク記録再生装置では、発光装
置１０から出射した例えば強度の大きい出射光Ｌ
out は、ビームスプリッタ１３２で反射し、コリメータ
レンズ１３３で平行光にされ、ミラー１３４で反射す
る。このミラー１３４で反射した出射光Ｌout は、開口
制限アパーチャ１１５を通過したのち、対物レンズ１１
６により集光されて光ディスクＤに入射する。これによ
り、光ディスクＤに情報が書き込まれる。また、発光装
置１０から出射した例えば微弱な出射光Ｌout は、上述
したように各光学系を経て光ディスクＤに入射したの
ち、光ディスクＤで反射する。この反射光Ｌref は、対
物レンズ１１６，開口制限アパーチャ１１５，ミラー１
１４，コリメータレンズ１１３およびビームスプリッタ
１１２を経て、信号光検出用レンズ１１７を通過し、信
号光検出用受光素子１１８に入射し、ここで電気信号に
変換された後、信号光再生回路１１９において光ディス
クＤに書き込まれた情報の再生が行われる。In this optical disk recording / reproducing apparatus, for example, the emitted light L having high intensity emitted from the light emitting device 10 is emitted.
The out is reflected by the beam splitter 132, collimated by the collimator lens 133, and reflected by the mirror 134. The outgoing light L out reflected by the mirror 134 passes through the aperture limiting aperture 115 and then the objective lens 11
It is condensed by 6 and enters the optical disc D. As a result, information is written on the optical disc D. Further, for example, the weak emission light L out emitted from the light emitting device 10 is reflected by the optical disc D after being incident on the optical disc D via each optical system as described above. The reflected light L ref is reflected by the objective lens 116, the aperture limiting aperture 115, and the mirror 1.
14, through the collimator lens 113 and the beam splitter 112, passes through the signal light detection lens 117, enters the signal light detection light receiving element 118, is converted into an electric signal here, and then is converted into an optical signal in the signal light reproduction circuit 119. The information written in D is reproduced.

【００６４】なお、本実施の形態に係る発光装置１０Ａ
は、上述したように、１つのパッケージ内に収納され得
ると共に、間隔が精確に規定された複数の発光領域から
出射光Ｌout を発するようになっている。よって、この
発光装置１０Ａを用いれば、波長の異なる複数の出射光
Ｌout を共通の光学系を利用して所定の箇所に導くこと
ができる。よって、光ディスク記録再生装置の簡略化，
小型化および低コスト化を実現することができる。また
発光点間隔の誤差が極めて小さいので、受光部（信号光
検出用受光素子１１８）に結像する反射光Ｌref の位置
が各光ディスク記録再生装置によって異なってしまうこ
とを防止できる。すなわち、光学系の設計を容易に行う
ことができ、かつ光ディスク記録再生装置の歩留まりを
向上させることができる。The light emitting device 10A according to the present embodiment.
As described above, the light can be housed in one package and emits the emitted light L out from a plurality of light emitting regions whose intervals are precisely defined. Therefore, by using this light emitting device 10A, it is possible to guide a plurality of emitted lights L out having different wavelengths to a predetermined location by using a common optical system. Therefore, simplification of the optical disk recording / reproducing apparatus,
Miniaturization and cost reduction can be realized. Further, since the error of the light emitting point interval is extremely small, it is possible to prevent the position of the reflected light L ref focused on the light receiving portion (signal light detecting light receiving element 118) from being different for each optical disk recording / reproducing device. That is, the optical system can be easily designed, and the yield of the optical disk recording / reproducing apparatus can be improved.

【００６５】また、本実施の形態の発光装置１０Ａは、
４００ｎｍ前後，６００ｎｍ帯および７００ｎｍ帯の３
波長の発光を得ることができるので、ＣＤ−ＲＯＭ（Re
ad Onry Memory），ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＭＤ，ＤＶ
Ｄ−ＲＯＭなどの既存の各種光ディスクは勿論のこと、
現在書き換え可能な大容量ディスクとして提唱されてい
るいわゆるＤＶＤ−ＲＡＭ（Random Access Memory），
ＤＶＤ＋ＲＷあるいはＤＶＤ−Ｒ／ＲＷなどのほか、更
に高い面記録密度（例えば２０Ｇバイト以上）を有する
次世代の記録可能な光ディスク（例えば、次世代の光デ
ィスク装置として提唱されているＤＶＲ（Digital Vide
o Recorder）またはＶＤＲ（Video DiskRecorder ）に
用いる光ディスク）についても、記録・再生を行うこと
が可能となる。このような次世代の記録可能な大容量デ
ィスクを利用することができれば、映像データを録画す
ることができると共に、録画したデータ（画像）を良好
な画質で操作性よく再生することができる。Further, the light emitting device 10A of the present embodiment is
Around 400 nm, 600 nm band and 700 nm band 3
Since it is possible to obtain the emission of the wavelength, the CD-ROM (Re
ad Onry Memory), CD-R, CD-RW, MD, DV
Not to mention various existing optical discs such as D-ROMs,
So-called DVD-RAM (Random Access Memory), which is currently proposed as a rewritable large-capacity disc,
In addition to DVD + RW or DVD-R / RW, a next-generation recordable optical disk having a higher areal recording density (for example, 20 GB or more) (for example, a DVR (Digital Vide proposed as a next-generation optical disk device)
Recorder) or an optical disk used for VDR (Video Disk Recorder)) can be recorded and reproduced. If such a next-generation recordable large-capacity disk can be used, video data can be recorded and the recorded data (image) can be reproduced with good image quality and operability.

【００６６】なお、ここでは、発光装置１０Ａを光ディ
スク記録再生装置に適用した例について説明したが、光
ディスク再生装置，光ディスク記録装置，光磁気ディス
ク（ＭＯ；Magneto-optical disk）などの記録・再生を
行うための光磁気ディスク装置あるいは光通信装置など
の光装置全般に適用できることは勿論、高温で動作する
必要のある車載用の半導体レーザ装置を備えた機器など
にも適用可能である。Here, an example in which the light emitting device 10A is applied to an optical disc recording / reproducing device has been described, but recording / reproducing of an optical disc reproducing device, an optical disc recording device, a magneto-optical disc (MO), or the like is performed. The present invention can be applied to all optical devices such as a magneto-optical disk device or an optical communication device for performing the operation, and can also be applied to a device equipped with an in-vehicle semiconductor laser device that needs to operate at a high temperature.

【００６７】［第２の実施の形態］図８は、本発明の第
２の実施の形態に係る発光装置１０Ｂの断面構造を表す
ものである。この発光装置１０Ｂは、第１の実施の形態
の発光装置１０Ａにおける第２の発光素子３０に代えて
第２の発光素子６０を備えたことを除き、他は発光装置
１０Ａと同一の構成，作用および効果を有している。よ
って、第１の実施の形態と同一の構成要素には同一の符
号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。[Second Embodiment] FIG. 8 shows a sectional structure of a light emitting device 10B according to a second embodiment of the present invention. This light emitting device 10B has the same configuration and operation as the light emitting device 10A except that a second light emitting element 60 is provided instead of the second light emitting element 30 in the light emitting device 10A of the first embodiment. And have an effect. Therefore, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted here.

【００６８】本実施の形態における第２の発光素子６０
は、第１の実施の形態における第２の発光素子３０のレ
ーザ発振部４０に代えて５００ｍｎ帯（例えば、５２０
ｎｍ）の光を出射可能なレーザ発振部７０を備えたこ
と、およびバッファ層３２を備えていないことを除き、
他は第２の発光素子３０と同一の構成を有している。Second light emitting element 60 in the present embodiment
Is a 500 mn band (for example, 520) in place of the laser oscillator 40 of the second light emitting element 30 in the first embodiment.
except that the laser oscillating unit 70 capable of emitting light of (nm) is provided and the buffer layer 32 is not provided.
The others have the same configuration as the second light emitting element 30.

【００６９】レーザ発振部７０は、第２の基板３１の支
持基体１１側に、例えば、バッファ層７１を介して、ｎ
型クラッド層７２，ガイド層７３，活性層７４，ガイド
層７５，ｐ型クラッド層７６，第１のｐ型半導体層７
７，第２のｐ型半導体層７８，ｐ型超格子層７９および
ｐ側コンタクト層８０が第２の基板３１の側からこの順
に積層された構成を有している。これらの各層は、例え
ば、亜鉛（Ｚｎ），カドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈ
ｇ），ベリリウム（Ｂｅ）およびマグネシウム（Ｍｇ）
よりなる短周期型周期表における２Ａまたは２Ｂ族元素
群のうちの少なくとも１種と、硫黄（Ｓ），セレン（Ｓ
ｅ）およびテルル（Ｔｅ）よりなる短周期型周期表にお
ける６Ｂ族元素群のうちの少なくとも１種とを含むＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体により構成されている。The laser oscillating portion 70 is provided on the side of the supporting substrate 11 of the second substrate 31 with, for example, a buffer layer 71 in between, and n.
-Type cladding layer 72, guide layer 73, active layer 74, guide layer 75, p-type cladding layer 76, first p-type semiconductor layer 7
7, the second p-type semiconductor layer 78, the p-type superlattice layer 79, and the p-side contact layer 80 are laminated in this order from the second substrate 31 side. Each of these layers includes, for example, zinc (Zn), cadmium (Cd), mercury (H
g), beryllium (Be) and magnesium (Mg)
At least one of the 2A or 2B group elements in the short-periodic periodic table consisting of sulfur (S), selenium (S
e) and at least one member of the 6B group element group in the short periodic table consisting of tellurium (Te) II
It is composed of a group VI compound semiconductor.

【００７０】具体的には、バッファ層７１は、例えば、
ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型ＧａＡｓ膜，
ｎ型不純物として塩素（Ｃｌ）が添加されたＺｎＳｅ膜
およびｎ型不純物として塩素が添加されたＺｎＳＳｅ混
晶膜が第２の基板３１の側からこの順に成膜されたもの
であり、その厚さは例えば１００ｎｍである。ｎ型クラ
ッド層７２は、例えば、厚さが１μｍであり、ｎ型不純
物として塩素が添加されたｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ混晶によ
り構成されている。ガイド層７３は、例えば、厚さが
０．１μｍであり、ｎ型不純物として塩素が添加された
ｎ型ＺｎＳＳｅ混晶あるいは不純物を添加しないundope
−ＺｎＳＳｅ混晶により構成されている。活性層７４
は、例えば、厚さが２０ｎｍであり、組成の異なるＺｎ
x Ｃｄ1-x Ｓｅ（但し、ｘ≧０）混晶によりそれぞれ形
成された井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有し
ている。なお、この活性層７４は、発光部として機能す
るものである。Specifically, the buffer layer 71 is, for example,
an n-type GaAs film to which silicon is added as an n-type impurity,
A ZnSe film to which chlorine (Cl) is added as an n-type impurity and a ZnSSe mixed crystal film to which chlorine is added as an n-type impurity are formed in this order from the second substrate 31 side, and the thickness thereof is Is, for example, 100 nm. The n-type cladding layer 72 has a thickness of 1 μm, for example, and is made of an n-type ZnMgSSe mixed crystal to which chlorine is added as an n-type impurity. The guide layer 73 has, for example, a thickness of 0.1 μm, and is an n-type ZnSSe mixed crystal containing chlorine as an n-type impurity or an undoped undope.
-ZnSSe mixed crystal. Active layer 74
Are, for example, Zn having a thickness of 20 nm and different compositions.
It has a multi-quantum well structure of a well layer and a barrier layer each formed of x Cd 1-x Se (where x ≧ 0) mixed crystal. The active layer 74 functions as a light emitting section.

【００７１】ガイド層７５は、例えば、厚さが０．１μ
ｍであり、ｐ型不純物として窒素が添加されたｐ型Ｚｎ
ＳＳｅ混晶あるいは不純物を添加しないundope−ＺｎＳ
Ｓｅ混晶により構成されている。ｐ型クラッド層７６
は、例えば、厚さが１．０μｍであり、ｐ型不純物とし
て窒素が添加されたｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ混晶により構成
されている。第１のｐ型半導体層７７は、例えば、厚さ
が０．２μｍであり、ｐ型不純物として窒素が添加され
たｐ型ＺｎＳＳｅ混晶により構成されている。第２のｐ
型半導体層７８は、例えば、厚さが０．２μｍであり、
ｐ型不純物として窒素が添加されたｐ型ＺｎＳｅにより
構成されている。ｐ型超格子層７９は、例えば、厚さが
３５ｎｍであり、ｐ型不純物として窒素が添加されたｐ
型ＺｎＳｅ膜とｐ型不純物として窒素が添加されたｐ型
ＺｎＴｅ膜とが交互に積層されることにより構成されて
いる。ｐ側コンタクト層８０は、例えば、厚さが０．１
μｍであり、ｐ型不純物として窒素が添加されたｐ型Ｚ
ｎＴｅにより構成されている。The guide layer 75 has, for example, a thickness of 0.1 μm.
m, and p-type Zn doped with nitrogen as a p-type impurity
SSe mixed crystal or undope-ZnS without adding impurities
It is composed of Se mixed crystal. p-type cladding layer 76
Is, for example, 1.0 μm thick, and is made of a p-type ZnMgSSe mixed crystal to which nitrogen is added as a p-type impurity. The first p-type semiconductor layer 77 has, for example, a thickness of 0.2 μm and is made of a p-type ZnSSe mixed crystal to which nitrogen is added as a p-type impurity. Second p
The type semiconductor layer 78 has, for example, a thickness of 0.2 μm,
It is composed of p-type ZnSe to which nitrogen is added as a p-type impurity. The p-type superlattice layer 79 has, for example, a thickness of 35 nm, and has p added with nitrogen as a p-type impurity.
-Type ZnSe films and p-type ZnTe films to which nitrogen is added as p-type impurities are alternately laminated. The p-side contact layer 80 has, for example, a thickness of 0.1.
μm and p-type Z doped with nitrogen as a p-type impurity
It is composed of nTe.

【００７２】なお、第１のｐ型半導体層７７の一部，第
２のｐ型半導体層７８，ｐ型超格子層７９およびｐ側コ
ンタクト層８０は、共振器方向に延長された細い帯状と
なっており、電流狭窄をするようになっている。この帯
状部分の両側には電流ブロック領域８１がそれぞれ設け
られている。ちなみに、ｐ側コンタクト層８０に対応す
る活性層７４の領域が発光領域となっている。The part of the first p-type semiconductor layer 77, the second p-type semiconductor layer 78, the p-type superlattice layer 79 and the p-side contact layer 80 have a thin strip shape extending in the cavity direction. The current is constricted. Current block regions 81 are provided on both sides of the strip portion. Incidentally, the region of the active layer 74 corresponding to the p-side contact layer 80 is the light emitting region.

【００７３】ｐ側コンタクト層８０のｐ型超格子層７９
と反対側には、ｐ側電極８２が形成されている。このｐ
側電極８２は、例えば、ｐ側コンタクト層８０の側か
ら、パラジウム（Ｐｄ），白金および金を順次積層して
熱処理により合金化したものであり、ｐ側コンタクト層
８０と電気的に接続されている。このｐ側電極８２は、
また、接着層１５を介して配線１３と電気的に接続され
ている。The p-type superlattice layer 79 of the p-side contact layer 80
A p-side electrode 82 is formed on the opposite side. This p
The side electrode 82 is, for example, one in which palladium (Pd), platinum, and gold are sequentially stacked from the side of the p-side contact layer 80 and alloyed by heat treatment, and is electrically connected to the p-side contact layer 80. There is. The p-side electrode 82 is
Further, it is electrically connected to the wiring 13 via the adhesive layer 15.

【００７４】このような構成を有する発光装置１０Ｂ
は、発光装置１０Ａの第２の発光素子３０に代えて第２
の発光素子６０を形成することを除き、第１の実施の形
態と同様にして製造することができる。A light emitting device 10B having such a configuration
Is a second light-emitting element 30 in place of the second light-emitting element 30 of the light-emitting device 10A.
It can be manufactured in the same manner as in the first embodiment except that the light emitting device 60 is formed.

【００７５】すなわち、第２の発光素子６０を作製する
際には、まず図９（Ａ）に示したように、第１の実施の
形態と同様にして、例えば、ｎ型ＧａＡｓよりなる第２
の基板３１の表面にｎ型ＩｎＧａＰ混晶よりなるバッフ
ァ層５１，ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶よりなるｎ型クラッ
ド層５２，Ａｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｐ（但し、ｘ≧０か
つｙ≧０）混晶よりなる活性層５３，ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ混晶よりなるｐ型クラッド層５４およびｐ型ＧａＡｓ
よりなるｐ型キャップ層５５を順次成長させる。That is, when the second light emitting device 60 is manufactured, first, as shown in FIG. 9A, as in the first embodiment, for example, a second light emitting device made of n-type GaAs is used.
On the surface of the substrate 31 of n-type InGaP mixed crystal, an n-type clad layer 52 made of n-type AlGaInP mixed crystal, and Al x Ga y In 1-xy P (where x ≧ 0 and y ≧ 0) Active layer 53 made of mixed crystal, p-type AlGaIn
P-type clad layer 54 and p-type GaAs made of P mixed crystal
The p-type cap layer 55 is sequentially grown.

【００７６】次いで、図９（Ｂ）に示したように、ｐ型
キャップ層５５の上にレーザ発振部５０の形成予定領域
に対応して、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n ）法により二酸化ケイ素あるいは窒化ケイ素（Ｓｉ3
Ｎ4 ）よりなるマスクＭを形成する。続いて、このマス
クＭを利用して、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etchi
ng；反応性イオンエッチング）などのエッチングを行
い、ｐ型キャップ層５５，ｐ型クラッド層５４，活性層
５３，ｎ型クラッド層５２およびバッファ層５１を選択
的に除去する。Next, as shown in FIG. 9B, for example, a CVD (Chemical Vapor Depositio) is formed on the p-type cap layer 55 corresponding to the region where the laser oscillation part 50 is to be formed.
n) method, silicon dioxide or silicon nitride (Si 3
A mask M made of N 4 ) is formed. Then, using this mask M, for example, RIE (Reactive Ion Etchi
ng; reactive ion etching) or the like to selectively remove the p-type cap layer 55, the p-type cladding layer 54, the active layer 53, the n-type cladding layer 52, and the buffer layer 51.

【００７７】続いて、図１０（Ａ）に示したように、第
２の基板３１の表面に、例えばＭＢＥ（Molecular Beam
Epitaxy；分子線エピタキシー）法により、ｎ型ＧａＡ
ｓ膜とｎ型ＺｎＳｅ膜とｎ型ＺｎＳＳｅ混晶膜とがこの
順に積層されたバッファ層７１，ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ混
晶よりなるｎ型クラッド層７２，ｎ型ＺｎＳＳｅ混晶よ
りなるガイド層７３，Ｚｎx Ｓｅ1-x Ｃｄ（但し、ｘ≧
０）混晶よりなる活性層７４，ｐ型ＺｎＳＳｅ混晶より
なるガイド層７５，ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ混晶よりなるｐ
型クラッド層７６，ｐ型ＺｎＳＳｅ混晶よりなる第１の
ｐ型半導体層７７，ｐ型ＺｎＳｅよりなる第２のｐ型半
導体層７８，ｐ型ＺｎＳｅ膜とｐ型ＺｎＴｅ膜とが交互
に積層されたｐ型超格子層７９およびｐ型ＺｎＴｅより
なるｐ側コンタクト層８０を順次成長させる。なお、こ
れらの各層を成長させる際には、第２の基板３１の温度
を例えば２８０℃程度にそれぞれ調節する。そののち、
マスクＭを除去する。Subsequently, as shown in FIG. 10A, for example, MBE (Molecular Beam) is formed on the surface of the second substrate 31.
Epitaxy; molecular beam epitaxy)
A buffer layer 71 in which an s film, an n-type ZnSe film, and an n-type ZnSSe mixed crystal film are stacked in this order, an n-type cladding layer 72 made of an n-type ZnMgSSe mixed crystal, a guide layer 73 made of an n-type ZnSSe mixed crystal, Zn x Se 1-x Cd (where x ≧
0) Active layer 74 made of mixed crystal, guide layer 75 made of p-type ZnSSe mixed crystal, p made of p-type ZnMgSSe mixed crystal
-Type cladding layer 76, first p-type semiconductor layer 77 made of p-type ZnSSe mixed crystal, second p-type semiconductor layer 78 made of p-type ZnSe, p-type ZnSe film and p-type ZnTe film are alternately laminated. Further, the p-type superlattice layer 79 and the p-side contact layer 80 made of p-type ZnTe are sequentially grown. When growing these layers, the temperature of the second substrate 31 is adjusted to about 280 ° C., respectively. after that,
The mask M is removed.

【００７８】マスクＭを除去したのち、図１０（Ｂ）に
示したように、例えば、電流ブロック領域５６の形成予
定領域に対応して開口が設けられた図示しないマスクを
形成し、イオン注入法により塩素などのｎ型不純物を導
入して、電流ブロック領域５６を形成する。また、全面
に電流ブロック領域８１の形成予定領域に対応して開口
が設けられた図示しないマスクを形成し、ｐ側コンタク
ト層８０，ｐ型超格子層７９，第２のｐ型半導体層７８
および第１のｐ型半導体層７７の上層部にイオン注入法
により塩素などのｎ型不純物を導入して、電流ブロック
領域８１を形成する。ここでは、第１の実施の形態と同
様に、リソグラフィ技術を用いているのでレーザ発振部
５０，７０の発光領域の位置を精確に規定できるように
なっている。After removing the mask M, as shown in FIG. 10B, for example, a mask (not shown) having an opening corresponding to the region where the current block region 56 is to be formed is formed, and the ion implantation method is performed. Then, an n-type impurity such as chlorine is introduced to form the current block region 56. Further, a mask (not shown) having an opening corresponding to the region where the current block region 81 is to be formed is formed on the entire surface, and the p-side contact layer 80, the p-type superlattice layer 79, and the second p-type semiconductor layer 78 are formed.
Then, an n-type impurity such as chlorine is introduced into the upper layer portion of the first p-type semiconductor layer 77 by an ion implantation method to form the current block region 81. Here, as in the first embodiment, since the lithography technique is used, the positions of the light emitting regions of the laser oscillators 50 and 70 can be accurately defined.

【００７９】電流ブロック領域５６，８１を形成したの
ち、図１１に示したように、ｐ型キャップ層５５の表面
およびその近傍に、例えば、チタン，白金および金を順
次蒸着してｐ側電極５７を形成する。また、ｐ側コンタ
クト層８０の表面およびその近傍に、例えば、パラジウ
ム，白金および金を順次蒸着してｐ側電極８２を形成す
る。続いて、レーザ発振部５０，７０の形成予定領域に
対応して図示しないマスクを形成し、ｐ側コンタクト層
８０からバッファ層７１までを選択的に除去する。After forming the current blocking regions 56 and 81, as shown in FIG. 11, for example, titanium, platinum, and gold are sequentially deposited on the surface of the p-type cap layer 55 and the vicinity thereof, and the p-side electrode 57 is formed. To form. Further, for example, palladium, platinum, and gold are sequentially deposited on the surface of the p-side contact layer 80 and its vicinity to form the p-side electrode 82. Subsequently, a mask (not shown) is formed corresponding to the regions where the laser oscillation units 50 and 70 are to be formed, and the p-side contact layer 80 to the buffer layer 71 are selectively removed.

【００８０】ｐ側コンタクト層８０からバッファ層７１
までを選択的に除去したのち、第１の実施の形態と同様
にして、第２の基板３１の裏面側を例えばラッピングお
よびポリッシングし、この第２の基板３１の裏面側にｎ
側電極３３を形成する。続いて、加熱処理を行い、ｐ側
電極５７，８２およびｎ側電極３３をそれぞれ合金化す
る。最後に、第２の基板３１を例えばｐ側電極５７，８
２の長さ方向に対して垂直に所定の幅で劈開し、その劈
開面に一対の図示しない反射鏡膜を形成する。これによ
り、第２の発光素子６０が作製される。From the p-side contact layer 80 to the buffer layer 71
Are selectively removed, and then the back surface side of the second substrate 31 is lapped and polished in the same manner as in the first embodiment.
The side electrode 33 is formed. Then, heat treatment is performed to alloy the p-side electrodes 57 and 82 and the n-side electrode 33 with each other. Finally, the second substrate 31 is attached to, for example, the p-side electrodes 57, 8
Cleavage is performed with a predetermined width perpendicular to the length direction of 2, and a pair of reflecting mirror films (not shown) are formed on the cleaved surface. As a result, the second light emitting element 60 is manufactured.

【００８１】このように本実施の形態に係る発光装置１
０Ｂによれば、４００ｎｍ帯の光を発光可能な第１の発
光素子２０と、５００ｎｍ帯の光を発光可能なレーザ発
振部７０および７００ｎｍ帯の光を発光可能なレーザ発
振部５０を有する第２の発光素子６０とを備えるように
したので、赤（Red ＝Ｒ），緑（Green ＝Ｇ）および青
（Blue＝Ｂ）の３原色の光をそれぞれ出射する発光装置
とすることができる。よって、この発光装置１０Ｂは、
光ディスク装置以外にも、フルカラー表示装置の光源と
しても利用することができる。Thus, the light emitting device 1 according to the present embodiment
According to OB, the first light emitting element 20 capable of emitting light in the 400 nm band, the laser oscillator 70 capable of emitting light in the 500 nm band, and the second laser oscillator 50 capable of emitting light in the 700 nm band are provided. The light emitting element 60 of No. 3 is provided, so that the light emitting device can emit light of three primary colors of red (Red = R), green (Green = G) and blue (Blue = B). Therefore, this light emitting device 10B is
Besides the optical disk device, it can be used as a light source for a full-color display device.

【００８２】なお、発光装置１０Ｂをフルカラー表示装
置の光源として利用するする場合には、各活性層２３，
５３，７４を構成する材料の組成を適宜に調整すること
により、各発光部から出射する光を所望の色相とするこ
とができる。When the light emitting device 10B is used as a light source of a full color display device, each active layer 23,
By appropriately adjusting the composition of the material forming 53, 74, the light emitted from each light emitting portion can be made to have a desired hue.

【００８３】図１２は、本実施の形態に係る発光装置１
０Ｂを用いた表示装置１２０の概略構成を表すものであ
る。この表示装置１２０は、配設基板１２１と、配設基
板１２１の一面側に設けられた本実施の形態に係る複数
の発光装置１０Ｂとを備えている。これらの発光装置１
０Ｂは、例えば、それぞれ図２に示したようなパッケー
ジ１に収納されており、Ｍ行×Ｎ列（但し、Ｍ，Ｎは自
然数）のマトリクス状に配列されている。配設基板１２
１には、また、図１２においては図示しないが、列方向
の共通配線１２２，１２３および行方向の共通配線１２
４，１２５がそれぞれ形成されている。FIG. 12 shows a light emitting device 1 according to this embodiment.
1 shows a schematic configuration of a display device 120 using 0B. The display device 120 includes a mounting substrate 121 and a plurality of light emitting devices 10B according to the present embodiment, which are provided on one surface side of the mounting substrate 121. These light emitting devices 1
0B are housed in, for example, the package 1 as shown in FIG. 2, and are arranged in a matrix of M rows × N columns (where M and N are natural numbers). Arrangement board 12
Although not shown in FIG. 12, the common wirings 122 and 123 in the column direction and the common wiring 12 in the row direction are shown in FIG.
4, 125 are formed respectively.

【００８４】図１３は、この表示装置１２０の駆動回路
の概略構成を表すものである。このように、各発光装置
１０Ｂの支持基体１１はワイヤにより列方向の共通配線
１２２に接続されており、第２の発光素子６０のｎ側電
極３３はワイヤにより列方向の共通配線１２３に接続さ
れている。また、配線１３は行方向の共通配線１２４に
接続されており、第１の発光素子２０のｎ側電極２９は
ワイヤにより列方向の共通配線１２５に接続されてい
る。これらの共通配線１２２〜１２５は、図示しない制
御部に接続されており、この制御部からの信号に応じて
所望のカラー表示がなされるようになっている。FIG. 13 shows a schematic structure of a drive circuit of the display device 120. As described above, the support base 11 of each light emitting device 10B is connected to the common wiring 122 in the column direction by the wire, and the n-side electrode 33 of the second light emitting element 60 is connected to the common wiring 123 in the column direction by the wire. ing. The wiring 13 is connected to the common wiring 124 in the row direction, and the n-side electrode 29 of the first light emitting element 20 is connected to the common wiring 125 in the column direction by a wire. These common wirings 122 to 125 are connected to a control unit (not shown), and desired color display is performed according to a signal from this control unit.

【００８５】なお、本実施の形態の発光装置１０Ｂは、
パッケージ１（図２）のピン４ｄおよびピン４ｂを介し
てｎ側電極３３とｐ側電極８２との間に電圧が印加され
ると、活性層７４に電流が注入され、電子−正孔再結合
により発光が起こり、レーザ発振部７０から５００ｎｍ
帯の波長の光が出射されることを除き第１の実施の形態
の発光装置１０Ａと同様に作用する。The light emitting device 10B of the present embodiment is
When a voltage is applied between the n-side electrode 33 and the p-side electrode 82 via the pins 4d and 4b of the package 1 (FIG. 2), a current is injected into the active layer 74 and electron-hole recombination occurs. Light is emitted by the laser oscillation unit 70 to 500 nm
It operates in the same manner as the light emitting device 10A of the first embodiment except that light of a band wavelength is emitted.

【００８６】［第３の実施の形態］図１４は、本発明の
第３の実施の形態に係る発光装置１０Ｃの断面構造を表
すものである。この発光装置１０Ｃは、第１の実施の形
態の発光装置１０Ａにおける第１の発光素子２０に代え
て第１の発光素子９０を備えたこと、および支持基体１
１に代えて支持基体１７を備えたことを除き、他は第１
の実施の形態の発光装置１０Ａと同一の構成，作用およ
び効果を有している。よって、第１の実施の形態と同一
の構成要素には同一の符号を付し、ここではその詳細な
説明を省略する。[Third Embodiment] FIG. 14 shows a sectional structure of a light emitting device 10C according to a third embodiment of the present invention. This light emitting device 10C includes a first light emitting element 90 in place of the first light emitting element 20 in the light emitting device 10A of the first embodiment, and the support base 1
1 except that a supporting substrate 17 is provided instead of 1.
It has the same configuration, operation, and effect as the light emitting device 10A of the embodiment. Therefore, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted here.

【００８７】第１の発光素子９０が第１の発光素子２０
と大きく異なる点は第１の基板９１の構成材料が異なる
ことであり、例えば厚さが８０μｍ程度のサファイアに
より構成されている。なお、サファイアは、絶縁性材料
であると共に、ＧａＮと同様に可視領域において透明の
材料である。また、第１の発光素子９０は、第１の基板
９１の例えばｃ面に、例えば、バッファ層９２を介し
て、ｎ側コンタクト層９３，ｎ型クラッド層２２，活性
層２３，劣化防止層２４，ｐ型クラッド層２５およびｐ
側コンタクト層２６が第１の基板２１の側からこの順に
積層された構成を有している。ｐ型クラッド層の表面お
よびｐ側コンタクト層２６の側面には絶縁層２７が形成
されていると共に、ｐ側コンタクト層２６のｐ側クラッ
ド層２５と反対側にはｐ側電極２８が形成されている。The first light emitting element 90 is the first light emitting element 20.
The major difference is that the constituent material of the first substrate 91 is different. For example, the first substrate 91 is made of sapphire having a thickness of about 80 μm. Note that sapphire is an insulating material and a transparent material in the visible region, like GaN. In addition, the first light emitting device 90 includes, for example, the c-plane of the first substrate 91, the n-side contact layer 93, the n-type cladding layer 22, the active layer 23, and the deterioration prevention layer 24, for example, with the buffer layer 92 interposed therebetween. , P-type cladding layer 25 and p
The side contact layer 26 has a structure in which the side contact layer 26 is stacked in this order from the first substrate 21 side. An insulating layer 27 is formed on the surface of the p-type clad layer and side surfaces of the p-side contact layer 26, and a p-side electrode 28 is formed on the side of the p-side contact layer 26 opposite to the p-side clad layer 25. There is.

【００８８】バッファ層９２は、例えば、厚さが３０ｎ
ｍであり、不純物を添加しないundope−ＧａＮあるいは
ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型ＧａＮにより
構成されている。ｎ側コンタクト層９３は、例えば、厚
さが５μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素が添加され
たｎ型ＧａＮにより構成されている。The buffer layer 92 has a thickness of, for example, 30 n.
m, which is made of undope-GaN without any impurities or n-type GaN with silicon added as an n-type impurity. The n-side contact layer 93 has, for example, a thickness of 5 μm and is made of n-type GaN to which silicon is added as an n-type impurity.

【００８９】このｎ側コンタクト層９３には、ｎ型クラ
ッド層２２，活性層２３，劣化防止層２４，ｐ型クラッ
ド層２５およびｐ側コンタクト層２６が形成されていな
い露出部が部分的に設けられており、この露出部には、
例えば、ｎ側コンタクト層９３の側からチタンおよびア
ルミニウムを順次積層して熱処理により合金化したｎ側
電極９４が形成されている。なお、絶縁膜２７は、本実
施の形態では、ｐ型クラッド層２５，劣化防止層２４，
活性層２３およびクラッド層２２の側面も覆うように設
けられている。The n-side contact layer 93 is partially provided with an exposed portion where the n-type cladding layer 22, the active layer 23, the deterioration preventing layer 24, the p-type cladding layer 25 and the p-side contact layer 26 are not formed. This exposed part is
For example, the n-side electrode 94 is formed by sequentially stacking titanium and aluminum from the n-side contact layer 93 side and alloying them by heat treatment. In this embodiment, the insulating film 27 includes the p-type clad layer 25, the deterioration preventing layer 24,
It is also provided so as to cover the side surfaces of the active layer 23 and the cladding layer 22.

【００９０】支持基体１７は、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）などの高い熱伝導率を有する絶縁材料により構成さ
れている。この支持基体１７の一面側には、第１の発光
素子９０のｐ側電極２８に対応して金属よりなる配線１
７ａが設けられると共に、ｎ側電極９４に対応して金属
よりなる配線１７ｂが設けられている。ｐ側電極２８と
配線１７ａ、およびｎ側電極９４と配線１７ｂとはそれ
ぞれ、接着層１２，１８を介して互いに接着されてい
る。The support base 17 is made of aluminum nitride (Al
It is made of an insulating material having a high thermal conductivity such as N). The wiring 1 made of metal corresponding to the p-side electrode 28 of the first light emitting element 90 is provided on one surface side of the support base 17.
7a is provided, and a wiring 17b made of metal is provided corresponding to the n-side electrode 94. The p-side electrode 28 and the wiring 17a, and the n-side electrode 94 and the wiring 17b are bonded to each other via the adhesive layers 12 and 18, respectively.

【００９１】なお、第１の基板９１の支持基体１７と反
対側には、第１の実施の形態と同様に配線１３が設けら
れると共に、第１の実施の形態のｎ側電極２９に代えて
レーザ発振部５０を外部電源に対して接続するための金
属よりなる配線１９が設けられている。Note that the wiring 13 is provided on the side of the first substrate 91 opposite to the support base 17 in the same manner as in the first embodiment, and in place of the n-side electrode 29 of the first embodiment. A wiring 19 made of metal is provided for connecting the laser oscillator 50 to an external power supply.

【００９２】なお、この発光装置１０Ｃは、第１の実施
の形態と同様に例えばパッケージの内部に収納されて用
いられる。このパッケージでは、支持体の一面側に載置
台が設けられており、載置台の上に支持基体１７を載置
すると共に、例えば５本のピンが設けられ、各ピンと各
配線１３，１７ａ，１７ｂ，１９およびｎ側電極３３と
がワイヤによってそれぞれ電気的に接続されるようにな
っている。この場合も、第１の実施の形態と同様に、ピ
ンの数を適宜に設定することができる。The light emitting device 10C is used by being housed inside a package, for example, as in the first embodiment. In this package, a mounting table is provided on one surface side of the support, and the support base 17 is mounted on the mounting table and, for example, five pins are provided, and each pin and each wiring 13, 17a, 17b is provided. , 19 and the n-side electrode 33 are electrically connected by wires. Also in this case, the number of pins can be appropriately set as in the first embodiment.

【００９３】この発光装置１０Ｃは、次のようにして製
造することができる。The light emitting device 10C can be manufactured as follows.

【００９４】まず、図１５（Ａ）に示したように、例え
ば、厚さ４００μｍ程度のサファイアよりなる第１の基
板９１を用意し、ＭＯＣＶＤ法により第１の基板９１の
ｃ面に、不純物を添加しないundope−ＧａＮあるいはｎ
型ＧａＮよりなるバッファ層９２を成長させる。その
際、第１の基板９１の温度を例えば５００℃とする。次
いで、バッファ層９２の上に、ｎ型ＧａＮよりなるｎ側
コンタクト層９３，ｎ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｎ型ク
ラッド層２２，ＩｎＧａＮ混晶よりなる活性層２３，ｐ
型ＡｌＧａＮ混晶よりなる劣化防止層２４，ｐ型ＡｌＧ
ａＮ混晶よりなるｐ型クラッド層２５およびｐ型ＧａＮ
よりなるｐ側コンタクト層２６を順次成長させる。これ
らの各層を成長させる際には、第１の基板９１の温度を
例えば７５０〜１１００℃の適宜の温度にそれぞれ調節
する。First, as shown in FIG. 15A, for example, a first substrate 91 made of sapphire having a thickness of about 400 μm is prepared, and impurities are added to the c-plane of the first substrate 91 by MOCVD. Undope-GaN or n without addition
A buffer layer 92 of type GaN is grown. At that time, the temperature of the first substrate 91 is, eg, 500 ° C. Next, on the buffer layer 92, an n-side contact layer 93 made of n-type GaN, an n-type clad layer 22 made of n-type AlGaN mixed crystal, an active layer 23 made of InGaN mixed crystal, and p.
-Type AlGaN mixed crystal deterioration preventing layer 24, p-type AlG
p-type cladding layer 25 made of aN mixed crystal and p-type GaN
The p-side contact layer 26 is sequentially grown. When growing each of these layers, the temperature of the first substrate 91 is adjusted to an appropriate temperature of, for example, 750 to 1100 ° C.

【００９５】続いて、図１５（Ｂ）に示したように、ｐ
側コンタクト層２６，ｐ型クラッド層２５，劣化防止層
２４，活性層２３およびｎ型クラッド層２２を順次エッ
チングして、ｎ側コンタクト層９３の一部を表面に露出
させる。そののち、図示しないマスクを形成し、このマ
スクを利用して例えばＲＩＥ法によりｐ型クラッド層２
５の上層部およびｐ側コンタクト層２６を細い帯状とす
る。Then, as shown in FIG. 15B, p
The side contact layer 26, the p-type cladding layer 25, the deterioration preventing layer 24, the active layer 23, and the n-type cladding layer 22 are sequentially etched to expose a part of the n-side contact layer 93 on the surface. After that, a mask (not shown) is formed, and the p-type cladding layer 2 is formed by the RIE method using this mask.
5 and the p-side contact layer 26 are thin strips.

【００９６】次いで、一部を選択的にエッチングした各
層の側面とｐ型クラッド層２５の表面とに例えば蒸着法
により二酸化ケイ素よりなる絶縁層２７を形成する。そ
ののち、第１の基板９１の裏面側を例えばラッピングお
よびポリッシングして第１の基板９１の厚さを例えば１
００μｍ程度とする。Next, an insulating layer 27 made of silicon dioxide is formed on the side surface of each layer which is selectively etched partially and on the surface of the p-type cladding layer 25 by, for example, a vapor deposition method. After that, the back surface of the first substrate 91 is lapped and polished to reduce the thickness of the first substrate 91 to, for example, 1
It is about 00 μm.

【００９７】第１の基板９１を薄くしたのち、第１の基
板９１のバッファ層９２と反対側に所定の位置に配線１
３，１９をそれぞれ形成する。ここでは、第１の実施の
形態と同様に、第１の基板９１を可視領域において透明
な材料により構成しているので、第１の実施の形態と同
様に配線１３，１９の形成位置を精確に制御できるよう
になっている。After thinning the first substrate 91, the wiring 1 is formed at a predetermined position on the opposite side of the first substrate 91 from the buffer layer 92.
3 and 19 are formed respectively. Here, as in the first embodiment, the first substrate 91 is made of a transparent material in the visible region, so that the formation positions of the wirings 13 and 19 can be accurately determined as in the first embodiment. Can be controlled.

【００９８】続いて、ｐ側コンタクト層２６の表面およ
びその近傍に、例えば、ニッケル，白金および金を順次
蒸着し、ｐ側電極２８を形成する。また、ｎ側コンタク
ト層９３の表面に例えばチタンおよびアルミニウムを順
次蒸着し、ｎ側電極９４を形成する。更に、加熱処理を
行い、ｐ側電極２８およびｎ側電極９４をそれぞれ合金
化する。そののち、ここでは図示しないが、第１の基板
９１を例えばｐ側電極２８の長さ方向と垂直に所定の幅
で劈開し、その劈開面に一対の反射鏡膜を形成する。こ
れにより、第１の発光素子９０が作製される。Then, for example, nickel, platinum and gold are sequentially deposited on the surface of the p-side contact layer 26 and its vicinity to form the p-side electrode 28. Further, titanium and aluminum, for example, are sequentially deposited on the surface of the n-side contact layer 93 to form the n-side electrode 94. Further, heat treatment is performed to alloy the p-side electrode 28 and the n-side electrode 94 with each other. After that, although not shown here, the first substrate 91 is cleaved with a predetermined width, for example, perpendicularly to the length direction of the p-side electrode 28, and a pair of reflecting mirror films is formed on the cleaved surface. As a result, the first light emitting element 90 is manufactured.

【００９９】次いで、第１の実施の形態と同様にして、
第２の発光素子３０を作製する。Then, similarly to the first embodiment,
The second light emitting element 30 is manufactured.

【０１００】そののち、表面に配線１７ａ，１７ｂをそ
れぞれ形成した支持基体１７を用意し、接着層１２によ
り第１の発光素子９０のｐ側電極２８と配線１７ａとを
接着すると共に、接着層１８によりｎ側電極９４と配線
１７ｂとを接着する。また、接着層１５により第２の発
光素子３０のｐ側電極４６と配線１３とを着すると共
に、接着層１６によりｐ側電極５７と配線１９とを接着
する。これにより、発光装置１０Ｃが完成する。After that, a support substrate 17 having wirings 17a and 17b formed on the surface thereof is prepared, and the p-side electrode 28 of the first light emitting element 90 and the wiring 17a are bonded by the adhesive layer 12, and the adhesive layer 18 is formed. Thus, the n-side electrode 94 and the wiring 17b are bonded together. The adhesive layer 15 attaches the p-side electrode 46 of the second light emitting element 30 to the wiring 13, and the adhesive layer 16 attaches the p-side electrode 57 to the wiring 19. As a result, the light emitting device 10C is completed.

【０１０１】このように本実施の形態に係る発光装置１
０Ｃによれば、第１の基板９１を可視領域において透明
であるサファイアにより構成するようにしたので、第１
の実施の形態と同様に、第１の発光素子９０の発光領域
および第２の発光素子３０の発光領域の位置を精確に制
御することができる。As described above, the light emitting device 1 according to the present embodiment
According to 0C, the first substrate 91 is made of sapphire which is transparent in the visible region.
Similar to the embodiment described above, the positions of the light emitting area of the first light emitting element 90 and the light emitting area of the second light emitting element 30 can be accurately controlled.

【０１０２】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態で
は、第１の発光素子２０，９０および第２の発光素子３
０，６０について、具体的な積層構造の一例を挙げて説
明したが、本発明は第１の発光素子２０，９０または第
２の発光素子３０，６０が他の構造を有している場合に
ついても同様に適用することができる。例えば、第１の
発光素子を第２の発光素子３０，８６と同様に電流ブロ
ック領域により電流狭窄する構成としてもよいし、第２
の発光素子を第１の発光素子２０，９０と同様に二酸化
シリコンなどよりなる絶縁層により電流狭窄する構成と
してもよい。また、上記実施の形態では、利得導波型と
屈折率導波型を組み合わせたリッジ導波型の半導体レー
ザを例に挙げて説明したが、利得導波型の半導体レーザ
および屈折率導波型の半導体レーザについても同様に適
用することができる。The present invention has been described above with reference to the embodiments, but the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made. For example, in the above embodiment, the first light emitting element 20, 90 and the second light emitting element 3
Although 0 and 60 have been described with reference to specific examples of the laminated structure, the present invention relates to the case where the first light emitting element 20 or 90 or the second light emitting element 30 or 60 has another structure. Can be similarly applied. For example, the first light emitting element may have a configuration in which the current is constricted by the current blocking region similarly to the second light emitting elements 30 and 86.
Like the first light emitting elements 20 and 90, the light emitting element may be configured to have a current constriction by an insulating layer made of silicon dioxide or the like. Further, in the above embodiment, the ridge waveguide type semiconductor laser in which the gain waveguide type and the refractive index waveguide type are combined has been described as an example, but the gain waveguide type semiconductor laser and the refractive index waveguide type semiconductor laser are described. The same can be applied to the semiconductor laser of.

【０１０３】更に、上記実施の形態では、ＧａＮ系，Ａ
ｌＧａＡｓ系およびＡｌＧａＩｎＰ系の化合物よりなる
各層をＭＯＣＶＤ法により形成する場合について説明し
たが、ＭＢＥ法やハイドライド気相成長法などの他の気
相成長法により形成するようにしてもよい。なお、ハイ
ドライド気相成長法とは、ハロゲンが輸送または反応に
寄与する気相成長法のことをいう。また、上記第２の実
施の形態では、ＺｎＳｅ系の化合物よりなる各層をＭＢ
Ｅ法により形成する場合について説明したが、ＭＯＣＶ
Ｄ法などの他の気相成長法により形成するようにしても
よい。Further, in the above embodiment, GaN-based material, A
Although description has been made regarding the case where the respective layers made of the 1GaAs-based and AlGaInP-based compounds are formed by the MOCVD method, they may be formed by another vapor phase growth method such as MBE method or hydride vapor phase epitaxy method. Note that the hydride vapor phase growth method refers to a vapor phase growth method in which halogen contributes to transport or reaction. In addition, in the second embodiment, each layer made of ZnSe-based compound is
Although the case of forming by the E method has been described, MOCV
It may be formed by another vapor phase growth method such as the D method.

【０１０４】加えて、上記実施の形態では、第１の発光
素子２０，９０の第１の基板２１，９１を構成する材料
について具体例を挙げて説明したが、他の材料により構
成するようにしてもよい。但し、可視領域において透明
な材料を用いるようにすれば、上記実施の形態で説明し
た効果が得られるので好ましく、高い熱伝導性を有する
材料であればより好ましい。そのような材料としては、
例えば窒化アルミニウムまたは炭化ケイ素（ＳｉＣ）が
挙げられる。In addition, in the above embodiment, the material forming the first substrates 21 and 91 of the first light emitting elements 20 and 90 has been described by way of a concrete example. May be. However, it is preferable to use a transparent material in the visible region because the effects described in the above embodiments can be obtained, and a material having high thermal conductivity is more preferable. Such materials include
Examples include aluminum nitride or silicon carbide (SiC).

【０１０５】更にまた、上記第３の実施の形態では、Ａ
ｌＧａＡｓ系のレーザ発振部４０とＡｌＧａＩｎＰ系の
レーザ発振部５０とを有する第２の発光素子３０を備え
る場合について説明したが、第２の発光素子として、第
２の実施の形態で説明したもの（第２の発光素子６０）
を備えるようにしてもよい。Furthermore, in the third embodiment, A
The case where the second light emitting element 30 having the lGaAs based laser oscillating section 40 and the AlGaInP based laser oscillating section 50 is provided has been described, but as the second light emitting element, the one described in the second embodiment ( Second light emitting element 60)
May be provided.

【０１０６】加えてまた、上記実施の形態では、第１の
発光素子２０，９０と第２の発光素子３０，６０とが互
いに異なる波長の光を出射するように構成した場合につ
いて説明したが、支持基体１１，１７の一面側に第１の
発光素子２０，９０を複数積層することも可能である。
更に、特性あるいは構造が異なる複数の発光素子を積層
することも可能である。その場合、発光波長は同一であ
ってもよいし、異なっていてもよい。特性が異なる複数
の発光素子を積層する場合には、例えば低出力のものと
高出力のものとを混載することができる。In addition, in the above-described embodiment, the case where the first light emitting element 20, 90 and the second light emitting element 30, 60 are configured to emit lights having wavelengths different from each other has been described. It is also possible to stack a plurality of first light emitting elements 20 and 90 on one surface side of the support bases 11 and 17.
Further, it is possible to stack a plurality of light emitting elements having different characteristics or structures. In that case, the emission wavelengths may be the same or different. When a plurality of light emitting elements having different characteristics are stacked, for example, a low output type and a high output type can be mounted together.

【０１０７】更にまた、上記実施の形態では、第１の発
光素子２０，９０の発光部が１つである場合について説
明したが、第１の発光素子２０，９０は複数の発光部を
有していてもよい。具体的には、第２の発光素子３０と
同様に複数のレーザ発振部を有するように構成してもよ
い。その場合には、各レーザ発振部の発光波長は同一で
あってもよいし、異なっていてもよい。また、特性ある
いは構造についても同一であってもよいし、異なってい
てもよい。Furthermore, in the above embodiment, the case where the first light emitting element 20, 90 has one light emitting portion has been described, but the first light emitting element 20, 90 has a plurality of light emitting portions. May be. Specifically, similar to the second light emitting element 30, a plurality of laser oscillators may be included. In that case, the emission wavelengths of the laser oscillators may be the same or different. The characteristics or structure may be the same or different.

【０１０８】更にまた、上記実施の形態では、第２の発
光素子３０，６０が２つのレーザ発振部を有する場合を
例に挙げて説明したが、第２の発光素子のレーザ発振部
の数は１つであってもよいし、３つ以上であってもよ
い。これらの各レーザ発振部の発光波長，特性および構
造については、同一であってもよいし、異なっていても
よい。Furthermore, in the above embodiment, the case where the second light emitting elements 30 and 60 have two laser oscillating sections has been described as an example, but the number of laser oscillating sections of the second light emitting element is not limited to the above. The number may be one, or three or more. The emission wavelengths, characteristics, and structures of these laser oscillation units may be the same or different.

【０１０９】加えてまた、上記実施の形態では、第２の
発光素子３０，６０がいわゆるモノリシック型の多波長
レーザよりなる場合について説明したが、本発明は、第
２の発光素子が図１７に示したようないわゆるハイブリ
ッド型の多波長レーザである場合にも適用することがで
きる。In addition, in the above-described embodiment, the case where the second light emitting elements 30 and 60 are so-called monolithic multi-wavelength lasers has been described, but in the present invention, the second light emitting element is shown in FIG. It can also be applied to the case of a so-called hybrid type multi-wavelength laser as shown.

【０１１０】更にまた、上記実施の形態では、支持基体
１１，１７を構成する材料について具体例を挙げて説明
したが、他の材料により構成するようにしてもよい。但
し、高い熱伝導性を有する材料であることが好ましい。
例えば第１および第２の実施の形態では、金属により支
持基体１１を構成するようにしたが、第３の実施の形態
と同様に、絶縁性を有する材料により支持基体を構成
し、その上に配線を設けるようにしてもよい。Furthermore, in the above embodiment, the material constituting the supporting bases 11 and 17 has been described by way of a specific example, but it may be constituted by other material. However, it is preferable that the material has high thermal conductivity.
For example, in the first and second embodiments, the supporting base 11 is made of metal, but like the third embodiment, the supporting base is made of an insulating material, and the supporting base 11 is formed on top of it. Wiring may be provided.

【０１１１】加えてまた、上記実施の形態では、パッケ
ージ１に収納する際に、支持体２により直接支持基体１
１，１７を支持するようにしたが、支持体２に載置台を
設け、その載置台の上に支持基体１１，１７を載置する
ようにしてもよい。In addition, in the above embodiment, when the package 1 is housed, it is directly supported by the support 2 by the support 2.
Although the supporting bases 1 and 17 are supported, a mounting base may be provided on the support body 2 and the supporting bases 11 and 17 may be mounted on the mounting base.

【０１１２】更にまた、上記実施の形態では、発光素子
として半導体レーザを具体例に挙げて説明したが、本発
明は、発光ダイオード（light emitting diode；ＬＥ
Ｄ）などの他の発光素子を備えた発光装置についても適
用することができる。Furthermore, in the above-mentioned embodiment, a semiconductor laser is taken as a specific example of the light emitting element, but the present invention is not limited to the light emitting diode (LE).
The present invention can also be applied to a light emitting device including another light emitting element such as D).

【０１１３】[0113]

【発明の効果】以上説明したように本発明の発光装置に
よれば、支持基体の一面側に複数の発光素子を積層する
ように構成したので、複数の発光素子を同一基板上に配
設する必要がなく、容易に製造することができるという
効果を奏する。As described above, according to the light emitting device of the present invention, since a plurality of light emitting elements are laminated on one surface side of the supporting substrate, the plurality of light emitting elements are arranged on the same substrate. There is an effect that it is not necessary and can be easily manufactured.

【０１１４】また、第１の基板が可視領域において透明
であるので、第１の発光素子の発光領域および第２の発
光素子の発光領域の位置を精確に制御することができ
る。Further, since the first substrate is transparent in the visible region, the positions of the light emitting region of the first light emitting element and the light emitting region of the second light emitting element can be accurately controlled.

【０１１５】また、第１の発光素子が、３Ｂ族元素のう
ちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒
素とを含む半導体層を有するようにすれば、第１の発光
素子は４００ｎｍ前後の波長の光を出射可能である。よ
って、この発光装置を光装置に搭載すれば、より高性能
な光装置を実現することができる。If the first light emitting element has a semiconductor layer containing at least one of the 3B group elements and at least nitrogen of the 5B group elements, the first light emitting element has a thickness of about 400 nm. It is possible to emit light of the wavelength. Therefore, if this light emitting device is mounted on an optical device, a higher performance optical device can be realized.

【０１１６】更に、第１の基板を、３Ｂ族元素のうちの
少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素と
を含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体またはサファ
イアにより構成するようにすれば、第２の発光素子にお
いて発光の際に発生した熱を第１の基板を介して速やか
に放散することができる。よって、第２の発光素子の温
度上昇を防止でき、長時間に渡って安定に動作させるこ
とができる。Furthermore, if the first substrate is made of a nitride-based III-V group compound semiconductor or sapphire containing at least one of the 3B group elements and at least nitrogen of the 5B group elements. The heat generated during light emission in the second light emitting element can be quickly dissipated through the first substrate. Therefore, the temperature rise of the second light emitting element can be prevented, and the second light emitting element can be stably operated for a long time.

【０１１７】加えて、本発明の光装置によれば、本発明
の発光装置を用いて構成するようにしたので、高性能化
を図ることができると共に、小型化および低コスト化を
実現することができるという効果を奏する。In addition, according to the optical device of the present invention, since the light emitting device of the present invention is used, it is possible to achieve high performance and to realize miniaturization and cost reduction. There is an effect that can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の構
成を表す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

【図２】図１に示した発光装置が収納されたパッケージ
の構成を表す部分分解斜視図である。FIG. 2 is a partially exploded perspective view showing a configuration of a package that houses the light emitting device shown in FIG.

【図３】図１に示した発光装置の製造方法を説明するた
めの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the light emitting device shown in FIG.

【図４】図３に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing process subsequent to FIG.

【図５】図４に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing process subsequent to FIG.

【図６】図５に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing process following FIG.

【図７】図１に示した発光装置を用いた光ディスク記録
再生装置を表す構成図である。7 is a configuration diagram showing an optical disc recording / reproducing device using the light emitting device shown in FIG.

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の構
成を表す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing a configuration of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

【図９】図８に示した発光装置の製造方法を説明するた
めの断面図である。9 is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the light emitting device shown in FIG.

【図１０】図９に続く製造工程を説明するための断面図
である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing process continued from FIG.

【図１１】図１０に続く製造工程を説明するための断面
図である。FIG. 11 is a cross-sectional view for explaining the manufacturing process continued from FIG.

【図１２】図８に示した発光装置を用いた表示表示の概
略構成を表す平面図である。12 is a plan view showing a schematic configuration of display using the light emitting device shown in FIG.

【図１３】図１２に示した表示装置の駆動回路の要部を
表す構成図である。13 is a configuration diagram showing a main part of a drive circuit of the display device shown in FIG.

【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の
構成を表す断面図である。FIG. 14 is a sectional view showing a configuration of a light emitting device according to a third embodiment of the invention.

【図１５】図１４に示した発光装置の製造方法を説明す
るための断面図である。15 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the light emitting device shown in FIG.

【図１６】従来の発光装置の一構成例を表す断面図であ
る。FIG. 16 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of a conventional light emitting device.

【図１７】従来の発光装置の他の構成例を表す断面図で
ある。FIG. 17 is a cross-sectional view showing another configuration example of a conventional light emitting device.

【図１８】従来の発光装置の更に他の構成例を表す断面
図である。FIG. 18 is a cross-sectional view showing still another configuration example of the conventional light emitting device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…パッケージ、２…支持体、３…蓋体、４ａ〜４ｄ…
ピン、５ａ〜５ｄ…絶縁リング、６ｂ〜６ｄ…ワイヤ、
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…発光装置、１１，１７…支持
基体、１２，１５，１６，１８…接着層、１４…絶縁
膜、１３，１７ａ，１７ｂ，１９…配線、２０，９０…
第１の発光素子、２１，９１…第１の基板、２２，４
１，５２，７２…ｎ型クラッド層、２３，４２，５３，
７４…活性層、２５，４３，５４，７６…ｐ型クラッド
層、２６，８０…ｐ側コンタクト層、２７…絶縁層、２
８，４６，５７，８２…ｐ側電極、２９，３３，９４…
ｎ側電極、３０，６０…第２の発光素子、３１…第２の
基板、３２，５１，７１，９２…バッファ層、４０，５
０，７０…レーザ発振部、４４，５５，７７…ｐ型キャ
ップ層、４５，５６，８１…電流ブロック領域、９３…
ｎ側コンタクト層1 ... Package, 2 ... Support, 3 ... Lid, 4a-4d ...
Pins 5a to 5d ... Insulating ring, 6b to 6d ... Wire,
10A, 10B, 10C ... Light emitting device, 11, 17 ... Support base, 12, 15, 16, 18 ... Adhesive layer, 14 ... Insulating film, 13, 17a, 17b, 19 ... Wiring, 20, 90 ...
First light emitting element 21,91 ... First substrate, 22, 4
1, 52, 72 ... N-type clad layer, 23, 42, 53,
74 ... Active layer, 25, 43, 54, 76 ... P-type cladding layer, 26, 80 ... P-side contact layer, 27 ... Insulating layer, 2
8, 46, 57, 82 ... P-side electrode, 29, 33, 94 ...
n-side electrode, 30, 60 ... Second light emitting element, 31 ... Second substrate, 32, 51, 71, 92 ... Buffer layer, 40, 5
0, 70 ... Laser oscillator, 44, 55, 77 ... P-type cap layer, 45, 56, 81 ... Current blocking region, 93 ...
n-side contact layer

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 絶縁性の支持基体と、 この支持基体の一面側に設けられ、絶縁性かつ可視領域
において透明の第１の基板を有する第１の発光素子と、 この第１の発光素子の前記支持基板と反対側に設けら
れ、第２の基板を有する第２の発光素子とを備えたこと
を特徴とする発光装置。1. A first light emitting element having an insulating support base and a first substrate which is provided on one surface side of the support base and is transparent in the visible region in the insulating range, and a first light emitting element of the first light emitting element. A light emitting device comprising: a second light emitting element provided on the opposite side of the support substrate and having a second substrate. 【請求項２】 前記第１の発光素子と前記第２の発光素
子とは、互いに波長が異なる光を出射可能であることを
特徴とする請求項１記載の発光装置。2. The light emitting device according to claim 1, wherein the first light emitting element and the second light emitting element are capable of emitting lights having wavelengths different from each other. 【請求項３】 前記第１の発光素子は、３Ｂ族元素のう
ちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒
素（Ｎ）とを含む半導体層を有することを特徴とする請
求項２記載の発光装置。3. The first light-emitting element has a semiconductor layer containing at least one kind of a 3B group element and at least nitrogen (N) of a 5B group element. Light emitting device. 【請求項４】 前記第１の基板は、３Ｂ族元素のうちの
少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素
（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体また
はサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなることを特徴とする
請求項１記載の発光装置。4. The nitride-based III-V group compound semiconductor or sapphire (Al 2 ) containing at least one of the 3B group elements and at least nitrogen (N) of the 5B group elements. The light emitting device according to claim 1, which is made of O 3 ). 【請求項５】 前記第１の発光素子は、前記第１の基板
の前記支持基体側に発光部を有することを特徴とする請
求項１記載の発光装置。5. The light emitting device according to claim 1, wherein the first light emitting element has a light emitting portion on the side of the supporting base of the first substrate. 【請求項６】 前記第２の発光素子は、前記第２の基板
の前記第１の発光素子側に発光部を有することを特徴と
する請求項１記載の発光装置。6. The light emitting device according to claim 1, wherein the second light emitting element has a light emitting portion on the side of the first light emitting element of the second substrate. 【請求項７】 前記第２の発光素子は、互いに発光波長
が異なる複数の発光部を有することを特徴とする請求項
１記載の発光装置。7. The light emitting device according to claim 1, wherein the second light emitting element has a plurality of light emitting portions having emission wavelengths different from each other. 【請求項８】 前記第２の発光素子は、前記複数の発光
部毎に個別の電極を有することを特徴とする請求項７記
載の発光装置。8. The light emitting device according to claim 7, wherein the second light emitting element has an individual electrode for each of the plurality of light emitting units. 【請求項９】 前記第２の基板は、ガリウムヒ素（Ｇａ
Ａｓ）よりなることを特徴とする請求項１記載の発光装
置。9. The second substrate is gallium arsenide (Ga).
The light emitting device according to claim 1, which is made of As). 【請求項１０】 前記第２の発光素子は、３Ｂ族元素の
うちの少なくともガリウム（Ｇａ）と５Ｂ族元素のうち
の少なくともヒ素（Ａｓ）とを含む半導体層を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の発光装置。10. The second light emitting device includes a semiconductor layer containing at least gallium (Ga) of the 3B group elements and at least arsenic (As) of the 5B group elements. 1. The light emitting device according to 1. 【請求項１１】 前記第２の発光素子は、３Ｂ族元素の
うちの少なくともインジウム（Ｉｎ）と５Ｂ族元素のう
ちの少なくともリン（Ｐ）とを含む半導体層を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の発光装置。11. The second light-emitting element has a semiconductor layer containing at least indium (In) of a 3B group element and at least phosphorus (P) of a 5B group element. 1. The light emitting device according to 1. 【請求項１２】 前記第２の発光素子は、亜鉛（Ｚ
ｎ），カドミウム（Ｃｄ），水銀（Ｈｇ），ベリリウム
（Ｂｅ）およびマグネシウム（Ｍｇ）よりなる２Ａまた
は２Ｂ族元素群のうちの少なくとも１種と、硫黄
（Ｓ），セレン（Ｓｅ）およびテルル（Ｔｅ）よりなる
６Ｂ族元素群のうちの少なくとも１種とを含む半導体層
を有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。12. The second light emitting element comprises zinc (Z
n), cadmium (Cd), mercury (Hg), beryllium (Be), and magnesium (Mg), and at least one of the group 2A or 2B elements, and sulfur (S), selenium (Se), and tellurium ( The light emitting device according to claim 1, further comprising a semiconductor layer containing at least one kind of a group 6B element group made of Te). 【請求項１３】 発光装置を有する光装置であって、 前記発光装置は、 絶縁性の支持基体と、 この支持基体の一面側に設けられ、絶縁性かつ可視領域
において透明の第１の基板を有する第１の発光素子と、 この第１の発光素子の前記支持基板と反対側に設けら
れ、第２の基板を有する第２の発光素子とを備えたこと
を特徴とする光装置。13. An optical device having a light emitting device, wherein the light emitting device comprises an insulating support base and a first substrate provided on one surface side of the support base and insulative and transparent in a visible region. An optical device comprising: a first light-emitting element having the first light-emitting element; and a second light-emitting element having a second substrate provided on the opposite side of the first light-emitting element from the support substrate. 【請求項１４】 絶縁性かつ可視領域において透明の第
１の基板の表面に第１の発光素子を形成したのち、前記
第１の基板の裏面に第１の配線を形成する工程と、 第２の配線が形成された絶縁性の支持基体の上に、前記
第１の基板に形成された発光素子を前記第２の配線に電
気的に接続されるようにして接着する工程と、前記第１
の基板の第１の配線に電気的に接続されるよう第２の基
板を有する第２の発光素子を接着する工程とを含むこと
を特徴とする発光装置の製造方法。14. A step of forming a first light emitting element on the surface of an insulating and transparent first substrate in the visible region, and then forming a first wiring on the back surface of the first substrate; A step of adhering the light emitting element formed on the first substrate so as to be electrically connected to the second wiring on the insulating support base on which the wiring is formed;
And a step of adhering a second light emitting element having a second substrate so as to be electrically connected to the first wiring of the substrate.
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