JP2003297634A

JP2003297634A - 電子部品

Info

Publication number: JP2003297634A
Application number: JP2003038946A
Authority: JP
Inventors: Minoru Takatani; 稔高谷; Toshiichi Endo; 敏一遠藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2003-02-17
Filing date: 2003-02-17
Publication date: 2003-10-17

Abstract

(57)【要約】【課題】粒子の分散性が良好となる材料により、所望の
特性が容易に得られ、小型化が達成できる電子部品を提
供する。【解決手段】ブロックフィルタ、共振器またはパッチア
ンテナのいずれか１つを構成する電子部品であって、平
均粒径が０．１〜１０μｍで、ほぼ球形の金属粒子また
は磁性金属粒子１の表面全部あるいは一部を、誘電体層
または絶縁体層２により被覆し、該被覆粒子を１種類以
上樹脂１５中に分散してなる複合誘電体材料を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリプレグや基板
を用いた積層電子部品または注型、モールド等の工法に
よって製造される電子部品に係り、特に誘電性あるいは
磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とした電
子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、コンデンサや圧電素子等の樹脂を
含む誘電体材料を使用する電子部品は、その材料として
のモールド材（トランスファ成形やインジェクション成
形等による成形材料）、キャスティング材（ポッティン
グ等により注型成形のための液状材料）や印刷ペースト
等の塗料、圧粉成形粉末材料（加圧して成形するための
材料）、プリプレグや基板等を材料として使用する。こ
れらの樹脂系誘電体材料として、従来は誘電体粒子の粉
末を樹脂に分散した複合誘電体材料が使用される。この
複合誘電体材料を例えば積層基板に使用する場合は、ガ
ラスクロスに前記複合誘電体材料を含浸塗工することで
積層基板の中間加工品としてのプリプレグを作る。そし
てこのプリプレグに銅箔を貼ることで積層板を作製し、
プリント基板の製造工程を経て所望の導体パターンを形
成している。この複合誘電体材料に使用する誘電体粉末
は、粉末を焼成するか、あるいは焼結した誘電体を粉砕
することで得られる。ここで使用する焼結誘電体の特性
は、最終的にできあがった複合誘電体材料の特性と密接
な関係があるため、誘電率およびtanδ等を考慮して選
択される。

【０００３】コンデンサ、圧電素子等の電子部品は、前
記複合誘電体材料の成形体の両面に外部電極を固着して
構成される。

【０００４】磁性材を用いるインダクタやトランス、ま
たはシールド部品等電子部品は、その磁性材料として、
フェライト粉末を有機材料中に分散混合してなる（特願
平9-76341号）。また、この複合磁性材料をガラスクロ
スに塗工することでプリプレグを作製した後、このプリ
プレグに銅箔を貼り銅張り積層板を成形している。この
積層板に所望のパターンを形成することにより、高周波
特性のすぐれたインダクタンス素子を得ていた。

【０００５】また、多層基板あるいはプリプレグを用い
る磁性基板の材料として、磁性金属粒子を樹脂中に分散
混合したものがある。（特開平8-78798号、特開平10-79
593号）。また、特開平8-204486号では、球状カーボニ
ル鉄を樹脂に分散した複合磁性材料が開示されている。

【０００６】複合磁性材料を用いた成形材料としては、
特開平7-235410号に平均粒径が50μm程度の球状鉄粉の
表面を絶縁化、これを樹脂によって結合してモーター、
トランスのコア材として用いたものがある。

【０００７】電磁気シールド材に関する記載としては、
応用磁気学会誌Vol.22,No.4-2,1998,885〜888頁に小さ
なサイズの磁性金属粒子を用いることにより、立方晶フ
ェライトよりも複素透磁率の値が高周波まで高い値を示
しており、シールド効果も高い周波数まで期待できると
したものがある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】（誘電体材料を用いた
電子部品について）従来の複合誘電体材料を使用して構
成される電子部品の場合、外部電極間には樹脂中にこれ
と異なる材料である誘電体粒子が分散して存在する。こ
の場合の合成比誘電率は２種類の材料の体積比率で決定
される。

【０００９】比誘電率の高い誘電体材料を混合してもさ
ほど高い比誘電率が得られない。例えば比誘電率が９０
の粉末をエポキシ樹脂に分散させたものでは、６０vol%
で合成比誘電率が約２０であり、約１／５に低下する。
また、比誘電率が９，０００の粉末をエポキシ樹脂に４
０vol%分散したものの比誘電率は約１５であり、一方比
誘電率が９０の粉末をエポキシ樹脂に４０vol%分散した
ものの比誘電率は約１２であって、両者間にそれほど大
きな差はない。

【００１０】ガラスクロスに複合誘電体材料を含浸させ
る場合、ガラスクロスがない場合よりも、複合誘電体材
料の分散粉末の比誘電率の違いがでてこない。これは基
板のなかに占めるガラスクロスの体積が無視できなくな
り、体積比率で決定される合成比誘電率に、比誘電率が
７．０のガラスクロスが影響を与えているためである。

【００１１】このように、従来の複合誘電体材料で高い
比誘電率を得るには、比誘電率９０００の粉末を６０vo
l%以上とする必要がある。しかし薄い基板を作成するに
は、銅箔との密着や層間の剥離を考慮すると、複合誘電
体材料の含有率を５０vol%以下にしなければならないの
で、高価な誘電体粉末を混合しても、あまり誘電率の向
上が達成できない。また、従来の誘電体粉末は、焼結誘
電体の破砕により得ており、凹凸があり、かつ粒径が大
きいために分散性が悪く、薄型のコンデンサ、圧電素子
等の電子部品や基板の特性を安定させることが困難であ
るという問題点がある。

【００１２】（ガラスクロス入りプリプレグおよび銅張
り磁性基板を用いた電子部品について） (a) フェライト粉末を有機材料中に分散混合してなる複
合磁性銅張り基板を用い、インダクタンス素子を作製し
た場合では、高透磁率のフェライト粉末を使用すると高
周波特性が悪くなる傾向にあり、逆に高周波特性に優れ
た低透磁率フェライト材を使用すると当然の事ながら十
分な透磁率がとれず、いずれにしても満足のいく特性が
得られていなかった。

【００１３】(b) フェライト粉末の代わりに金属磁性体
たとえばカーボニル鉄のようなものを用いた場合では、
比較的高透磁率で、高周波特性のよい複合磁性基板が得
られるが、絶縁性が低く、銅箔のパターニング工程にお
いて素体（複合磁性材料）の絶縁不良により、パターン
以外の部分へもめっきが付着し、パターン間のショート
を生じ不具合が発生していた。また、シリコン鉄の場合
には、透磁率と飽和磁束密度の高い複合磁性基板が得ら
れるが、高周波域では使用ができない上、絶縁性が低い
という問題があった。

【００１４】（磁性成形材料を用いた電子部品につい
て）（１）シート成形材 (a) カーボニル鉄やシリコン鉄等の軟磁性金属粉末を樹
脂に分散混合し、シート状に成形しシールド材として使
用した場合では、金属粉末表面のカップリング処理、酸
化処理等により１０^７Ω・ｃｍ程度の体積抵抗は得られ
るものの、耐電圧を測定してみると厚さ１．０ｍｍで１
５０Ｖ程度であり、電圧を印加した場合においては絶縁
材料とみなすことができず、電気的なショートの危険を
抱えている。

【００１５】(b) カーボニル鉄やシリコン鉄等の軟磁性
金属粉末の代わりにフェライト粉末を分散させたシール
ド材では、体積抵抗は高く電気的ショートの可能性はほ
とんどないが、電界シールドには効果がないばかりか、
磁気シールドにおいても低周波数側では効果が少ない。

【００１６】（２）モールド材部品が搭載されたプリント配線板の輻射ノイズ対策とし
て、部品搭載面をフェライトが樹脂に混合された複合磁
性材料で部品全体を覆うようにモールド材を成形する方
法が使用されていた。フェライト粉末を分散させたモー
ルド材では、電界シールドには効果がないばかりか、磁
気シールドにおいても低周波数側では効果が少ない。カ
ーボニル鉄やシリコン鉄等の軟磁性金属粉末を分散させ
たモールド材では、シールド効果は高まるが絶縁性が低
く、配線板のパターン間の絶縁不良により特性不良を招
いてしまっていた。

【００１７】（３）複合磁性コア材チョークコイル、トランス等の磁芯として使用する複合
磁性材料は、数百ｎｍから数十μｍの平均粒径のフェラ
イト、もしくは表面を絶縁処理した磁性金属粒子を液晶
ポリマー、ＰＰＳ樹脂，エポキシ樹脂等の樹脂材料中に
分散させたものを使用していた。それを所望の形に成形
し磁芯とするが、フェライトを分散した場合には、飽和
磁束密度が小さく、大電流のハイパワー用途には使用が
難しく、また、磁性金属材料を用いた場合には絶縁性を
十分に確保できず、信頼性上の課題があった。

【００１８】本発明は、粒子の分散性が良好となる材料
により、所望の特性が容易に得られ、かつ小型化が達成
できる電子部品を提供することを目的とする。

【００１９】また、本発明は、絶縁性や耐圧性が高く、
かつ腐食発生の問題がなく、高周波特性も良好となる電
子部品を提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の電子部品は、ブ
ロックフィルタ、共振器またはパッチアンテナのいずれ
か１つを構成する電子部品であって、平均粒径が０．１
〜１０μｍで、ほぼ球形の金属粒子の表面全部あるいは
一部を、誘電体層により被覆し、該被覆粒子を１種類以
上樹脂中に分散してなる複合誘電体材料を有することを
特徴とする。

【００２１】ここで、誘電体層とは、樹脂より高い誘電
率を持つ物質でなる層を意味し、好ましくは比誘電率が
２０以上のものである。このように、金属粒子の表面の
全部または一部を誘電体層で被覆した小径の球形の粒子
は、例えば特公平３−６８４８４号公報に記載のような
噴霧熱分解法により得ることができる。この噴霧熱分解
法は、金属塩を含む溶液を噴霧して液滴にし、その液滴
を該金属塩の分解温度より高くかつ金属の融点より高い
温度で空中で加熱することにより、金属粉末を作る方法
である。この金属粉末の表面に誘電体層を形成する場
合、例えばチタン酸バリウム層を形成する場合は、バリ
ウム塩やチタニル塩等の化合物を前記ニッケル塩と共に
溶解した溶液を噴霧加熱すると共に、これらの誘電体用
塩の分解温度よりも高い温度で加熱する。これにより、
実質的に単結晶の球形金属粒子の表面に誘電体層が形成
される。

【００２２】この場合、前記粒子が実質的に単結晶であ
るとする根拠は、透過型電子顕微鏡を使った電子回折結
果の回折像からも結晶性が非常に高いことが確認された
ことによる。

【００２３】また、この粒子は、噴霧熱分解法により生
成させる場合、粒径の下限は０．０５μｍ、上限は２０
μｍ程度である。実質的には、平均粒径が０．１〜１０
μｍ程度であり、粒径が０．０５〜２０μｍの粒子が９
５wt%を占めるような粒子の集合体となっている。

【００２４】このような誘電体被覆金属粒子は、樹脂中
に分散混合することにより、従来のように焼結誘電体を
破砕して粉末にした片状あるいは凹凸のあるブロック状
のものに比較して球形でありかつ小径であるため、樹脂
中に分散性よく混合される。このため、加工が容易で所
望の特性が得やすくなる。また、この粒子を樹脂に分散
させた場合、誘電体層が金属粒子に対して例えば１wt%
の添加量のときは誘電率の向上に寄与することができな
いが、複合誘電体材料の絶縁抵抗や耐電圧を向上させる
ことができる。誘電体層が金属粒子に対して例えば１wt
%の添加量を越える場合は誘電率の向上に寄与する。ま
た、金属粒子が被覆層により覆われるため、腐食しにく
い。

【００２５】このような誘電体被覆金属粒子は、前記の
ような噴霧熱分解法で製造できるから、従来のような誘
電体の焼結、粉砕等の多数の工程を経る場合に比較して
廉価に提供可能となる。

【００２６】なお、本発明において、複合誘電体材料
は、樹脂中に誘電体被覆金属粒子の他に、酸化物誘電体
粉末を１種以上さらに含ませたものであっても良い。

【００２７】本発明において、金属粒子の表面に形成す
る誘電体層は、その厚みが０．００５〜２μｍであるこ
とが好ましい。

【００２８】誘電体層の厚みが０．００５μｍ以上であ
れば誘電率あるいは耐電圧の向上に寄与することができ
る。また、２μｍを超えると、粒子の製造が困難とな
る。

【００２９】なお、この場合の厚みとは、被覆の最大厚
みを意味し、その被覆は必ずしも金属粒子の表面のすべ
てを覆っている必要はなく、金属粒子の表面の５０％程
度を占めていればよい。

【００３０】また、前記被覆金属粒子を３０〜９８wt%
樹脂中に混合することが好ましい。被覆金属粒子が３０
wt%未満であると、基板、電子部品、シールド材などを
構成した際にそれぞれ所望の特性を得ることが困難とな
り、一方、９８wt%を越えるといずれの場合も成形が困
難となる。

【００３１】また、前記金属粒子としては、銀、金、白
金、パラジウム、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、モ
リブデン、タングステンのうちの一種以上のものからな
るものを用いることができる。さらに本発明において
は、前記金属どうしの合金または他の金属との合金を用
いることができる。

【００３２】また、金属粒子の表面に形成する誘電体層
としては、チタン−バリウム−ネオジウム系、チタン−
バリウム−スズ系、鉛−カルシウム系、二酸化チタン
系、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系、チタン酸スト
ロンチウム系、チタン酸カルシウム系、アルミナ系、チ
タン酸ビスマス系、チタン酸マグネシウム系、チタン−
バリウム−ストロンチウム系、チタン−バリウム−鉛
系、チタン−バリウム−ジルコニウム系、ＢａＴｉＯ_３
−ＳｉＯ_２系、ＢａＯ−ＳｉＯ_２系、ＣａＷＯ_４系、Ｂ
ａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３系、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ_３系、
Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３系、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，
Ｔａ）Ｏ_３系のセラミックス等があげられる。

【００３３】本発明の電子部品においては、製造工程に
おいては、表面に誘電体層を形成した金属粒子を樹脂中
に分散させた複合誘電体材料を、成形材料、圧粉成形粉
末材料、塗料、プリプレグ、基板として用いることがで
きる。また、本発明の複合誘電体材料は、誘電体層に圧
電材を用いることより、圧電材料として用いることがで
きる。また、本発明の複合誘電体材料は、誘電体層の厚
みや粒子の含有率を調整することにより、半導体材料と
して用いることができる。

【００３４】このような複合誘電体材料を用いれば、粒
子が球形であるために分散性がよく、また、前記噴霧熱
分解法により小径の粒子が得られるから、小型にしても
特性の良好な電子部品が得られる。また、表面に目的に
合致した誘電体層が形成されることにより、誘電体層が
有効に働き、高価な誘電体の量を少なくすることができ
る。

【００３５】また、コンデンサ材料として前記誘電体被
覆金属粒子を用いれば、誘電体層の厚みや粒子の樹脂に
対する含有率を変えることにより、種々の誘電率を得る
ことができる。また、使用する複合誘電体材料は粒子が
小径でありかつ球形であるため分散性が良好であり、小
型に構成する場合であっても特性が安定する。

【００３６】また、積層基板に前記複合誘電体材料を用
いれば、積層基板内にコンデンサを形成することがで
き、また、誘電体層の厚みや粒子の樹脂に対する混合率
を変えることにより、種々の誘電率の層を得ることがで
き、特性が異なる種々の受動素子を積層基板内に形成す
ることができる。

【００３７】また、シールド材として前記複合誘電体材
料を用いれば、絶縁性を必要とするシールド製品の成形
材として使用できるので、絶縁材を介することなく取付
けができ、実装が容易である。

【００３８】このような球形金属粒子の表面誘電体層を
設けて樹脂中に分散混合してなる複合誘電体材料を用い
て構成される本発明による電子部品としては、一般的な
コンデンサ、積層コンデンサ、円盤コンデンサ、貫通コ
ンデンサ等がある。

【００３９】また、誘電体層に半導体セラミックを用い
た本発明による電子部品として、リングバリスタ、チッ
プバリスタ、ＮＴＣサーミスタ、ＰＴＣサーミスタ、温
度フューズ、角度センサ、回転センサ、サーマルヘッド
等があげられる。

【００４０】また、本発明において、前記誘電体層に圧
電材料を用いることにより、電子部品として圧電素子、
弾性表面波素子等を構成することができ、またその応用
製品である圧電アクチュエータ、サウンダ、マイク、レ
シーバ、焦電センサ、超音波センサ、ショックセンサ、
加速度センサ、圧電振動ジャイロ、弾性表面波フィル
タ、圧電トランス、レゾネータ、セラミックフィルタ等
が得られる。

【００４１】また、本発明の電子部品は、ブロックフィ
ルタ、共振器またはパッチアンテナのいずれか１つを構
成する電子部品であって、実質的に単結晶となる球形で
かつ平均粒径が０．１〜１０μｍである金属粒子または
磁性金属粒子の表面の全部あるいは一部を絶縁体層によ
り被覆し、該1種以上の被覆金属粒子を樹脂中に分散し
てなることを特徴とする。

【００４２】このように、金属粒子の表面を絶縁体層で
被覆した小径の実質的に単結晶の球状の粒子は、前記特
公平3-68484号公報に記載にような噴霧熱分解法より得
ることができる。

【００４３】このような絶縁体被覆金属は、樹脂中に分
散混合することにより、従来のフェライトを破砕して粉
末にした片状、あるいは凹凸のあるブロック状のものに
比較して球状でありかつ小径であるため樹脂中に分散性
よく混合される。また、この粒子を樹脂に分散させた場
合、絶縁体層が金属粒子に対して１wt%の少量の添加量
であっても絶縁抵抗の向上に寄与することができ、かつ
耐電圧をも向上させることができる。

【００４４】さらに、複合磁性材料中においても被覆金
属粒子の形状は複合磁性材料に混合させる前の形状を保
持しており、かつ、被覆絶縁体層も破壊されず保持され
ている。このことが、前記に示したような耐電圧の向上
の一因をなしている。また、金属粒子の表面が絶縁体層
によって被覆されているので、錆等の腐食の発生の問題
がない。

【００４５】この粒子は、噴霧熱分解法により生成され
る場合、粒径の下限は０.０５μｍ、上限は２０μｍ程
度である。実質的には、平均粒径が０．１〜１０μｍ程
度であり、粒径が０．０５〜２０μｍの粒子が９５wt%
を占めるような粒子の集合体となっている。

【００４６】このように小径でありかつ表面が絶縁体に
より被覆されていることにより、金属粒子を用いた複合
磁性材料でありながら磁性材としての損失のひとつであ
る渦電流損が小さく、高周波特性が良好となる。さら
に、小径であることにより薄い電子部品の製造も容易と
なる。

【００４７】また、金属が実質的に単結晶の強磁性金属
とすることにより、磁性を要する磁性基板を用いた電子
部品および電磁気シールド材、一般的なコイル、チョー
クコイル、偏向コイル、高周波コイル等のコイルのコア
に用いることができる。また、一般的なトランス、パル
ストランス、データ通信用トランス、広帯域ＳＭＤトラ
ンス、方向性結合器，電力合成器、電力分配器のコアと
して用いることができる。また、磁気識別センサー、電
位センサー、トナーセンサー、電流センサー、磁気パネ
ル、電波吸収シート、薄型電波吸収体、電磁シールド、
磁気ヘッドに用いることができる。また、モールド材等
の成形材、プラスチック磁石を提供できる。

【００４８】このような金属粒子または磁性金属粒子の
周囲を絶縁体層により覆った複合磁性材料を有する電子
部品は、前記絶縁体層の厚みが０．００５〜２μｍであ
ることが好ましい。絶縁体層の厚みが０．００５μｍ以
上であれば誘電率、絶縁性および耐電圧性の向上に寄与
することができる。また、２μｍを越えると均一な絶縁
体層の膜形成が困難となる。

【００４９】なお、この場合の厚みとは、被覆の最大厚
みを意味し、その被覆は必ずしも金属粒子の表面のすべ
てを覆っている必要はなく、金属粒子の表面の５０％程
度を占めていればよい。また、被覆金属粒子の含有率は
前記の通り３０〜９８wt%であることが好ましい。

【００５０】このように、微小磁性金属粒子を絶縁体層
で被覆することにより、絶縁抵抗が高く、耐電圧も高く
なる。また、シールド材、モールド材においては絶縁処
理の必要がないので、他の部材との組み合わせが絶縁処
理を行うことなく可能となり、構造が簡略化できる。チ
ョークコイルの磁芯の場合でも絶縁処理を行うことなし
に巻線することが可能となり、同じく構造の簡略化がは
かれる。

【００５１】また、本発明において、加熱加圧による成
形方法をとる電子部品の場合は、被覆金属粒子の樹脂中
の含有率は９０〜９８wt%であることが好ましい。この
ような加熱加圧による場合は、被覆金属粒子の樹脂材料
中への添加量を容易に増やすことができるので、透磁率
を高くとることが可能となる。さらに、絶縁体被覆金属
粒子を使用していることで絶縁性が高い信頼性の良い電
子部品が得られる。また、本発明の複合材料を用いれ
ば、絶縁体層が強固に被覆されているので、加圧の際に
該被覆金属粒子が変形されても絶縁体層が破壊されにく
くなる。

【００５２】本発明の電子部品は、前記磁性金属粒子の
周囲を絶縁体層により覆った複合磁性材料を印刷等によ
り電子部品の内部または表面に形成したものとして構成
することができる。このような絶縁体層被覆金属粒子を
用いることにより高周波域まで高い透磁率を得ることが
できる。また、絶縁体層の被覆により高い絶縁抵抗と高
い耐電圧が得られる。

【００５３】本発明において、プリプレグおよび磁性基
板を用いた電子部品を構成する場合、このような微小の
絶縁体層被覆金属粒子を用いることにより、高周波域ま
で高い透磁率を得ることができる。また、絶縁体層の被
覆により高い絶縁抵抗と高い耐電圧が得られる。

【００５４】また、複合磁性材料をインジェクション成
形、トランスファー成形、押し出し等の成形方法によっ
て成形する電子部品の場合、部品が搭載されたプリント
基板のモールド材、半導体のパッケージ材料、巻線コイ
ルのモールド材あるいはトランスまたはチョークコイル
のコア、もしくはトロイダル、クランプフィルタ用コア
材料、コネクターのハウジングおよびカバー材、各種ケ
ーブルの被覆材、各種電子機器の筐体等を提供できる。
いずれの場合においても絶縁性に優れ、かつ磁気特性を
有していることから非常に有用な電子部品を提供でき
る。

【００５５】さらに、磁性金属粒子を微粉化することに
より保持力が向上することを生かして、プラスチック磁
石を提供できる。その場合の金属材料としては、Ｎｄ−
Ｆｅ−Ｂ系合金、Ｓｍ−Ｃｏ系合金、Ａｌ-Ｎｉ-Ｃｏ系
合金のような硬質磁性材料が用いられ、表面が絶縁体で
コートされているので錆にくい磁石を提供可能となる。

【００５６】本発明において、樹脂材料をガラス質の材
料に置き換え、成形および焼成にて粒子を結合し、用途
に応じた形状とすることも当然の事ながら可能であり、
耐熱性を重視した成形材を有する電子部品の実現も可能
である。

【００５７】また、樹脂中に被覆金属粒子のみならずガ
ラス成分を添加するか、あるいは被覆絶縁層をガラス成
分とし、成形後、焼成を行い、耐熱性の優れた複合磁性
材料とすることも可能である。

【００５８】本発明において用いる複合材料には、樹脂
として、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の双方が
使用可能であり、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリフェニレンオキサイド樹脂、メラミン樹脂、シアネ
ートエステル系樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリビ
ニルベンジルエーテル化合物樹脂、液晶ポリマー、フッ
素系樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリアセ
タール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリ
アミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エ
チルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アクリル
樹脂のうちの少なくとも１種類以上のものが単独または
混合して使用できる。

【００５９】本発明の電子部品は、前記複合誘電体材料
または／および複合材料を複合化させて備えたものとし
て構成することができる。このような電子部品として
は、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、ＥＭＣ
フィルタ、電源用フィルタ、電源ユニット、ＤＣ-ＤＣ
コンバータ、ＤＣ-ＡＣコンバータ、インバータ、ディ
レイライン、ダイプレクサ等がある。また、携帯電話等
の通信機器におけるデュプレクサ、アンテナスイッチモ
ジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュー
ル、チューナユニット、ダブルバランスドミキサ等に用
いることができる。

【００６０】さらに本発明の電子部品において、前記複
合誘電体材料または複合材料が、樹脂中にガラスクロス
を埋設した層を少なくとも一層以上含むものからなるも
のとして構成することができる。このようにガラスクロ
スを埋設することにより、部品強度を向上させることが
できる。

【００６１】

【発明の実施の形態】図１（Ａ）は本発明において用い
る金属粒子を示す断面図である。１は金属粒子であり、
２はその表面に形成された被覆層である。この被覆金属
粒子は噴霧熱分解法によって製造される。噴霧熱分解法
とは、図２に示すような装置を使用して実施される。す
なわち、外部に加熱装置３を有する炉心管４の上端に噴
霧する溶液の導入管５につながる噴霧式ノズル６を配置
する。該ノズル６の周囲には、キャリアガスの導入管７
につながるガイド筒８が同心状に配置される。炉心管４
の下端には、製造粒子の収容部９が設けられる。

【００６２】この装置において、ノズル６から金属塩
と、誘電体層形成のための塩とを含む溶液を噴霧すると
同時に、ガイド筒８から酸化性または還元性等目的に応
じた特性のキャリアガスを流出させながら、炉心管４内
において被覆金属粒子を形成する。

【００６３】前記金属粒子１、被覆層２の材料として
は、誘電体層として被覆層２を形成する場合は、前述し
た各材料を用いることができる。

【００６４】また、金属粒子１や被覆層２形成のための
塩の種類としては、硝酸塩、硫酸塩、オキシ硝酸塩、オ
キシ硫酸塩、塩化物、アンモニウム錯体、リン酸塩、カ
ルボン酸塩、金属アルコラート、樹脂酸塩、ホウ酸、珪
酸等の熱分解性化合物の１種または２種以上が使用され
る。

【００６５】これらの塩等の化合物を、水や、アルコー
ル、アセトン、エーテル等の有機溶剤あるいはこれらの
混合液中に溶解する。加熱装置３により設定される加熱
温度は、金属粒子１の溶融温度より高い温度に設定され
る。

【００６６】図１（Ｂ）に示すように、前記噴霧熱分解
法により製造した誘電体被覆金属粒子１を、ボールミル
等を使用して樹脂１５中に分散混合することにより、複
合誘電体材料を得る。樹脂１５としては、前述した各材
料を使用することができる。

【００６７】前記金属粒子の材料としては、磁性を持つ
ものを用いれば、複合磁性材料となり、磁性電子部品を
構成できる。この複合磁性材料を作るための金属とし
て、特に、ニッケル、鉄あるいは鉄と他の金属（ニッケ
ル、モリブデン、珪素、アルミニウム、コバルト、ネオ
ジウム、白金、サマリウム、亜鉛、硼素、銅、ビスマ
ス、クロム、チタン等）のうち１種以上より選択された
合金が用いられる。その他にも鉄を含まないものとして
Ｍｎ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ系等の合金
も使用できる。

【００６８】また、被覆層２を絶縁体層形成の目的で設
けるための材料としては、絶縁性を有する酸化物組成で
あれば良く、例えばガラス質を形成するような珪素、硼
素、燐、錫、亜鉛、ビスマス、アルカリ金属、アルカリ
土類金属ゲルマニウム、銅、亜鉛、アルミニウム、チタ
ン、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、ク
ロム、マンガン、タングステン、鉄、クロム、コバル
ト、希土類金属、モリブデン等の元素を少なくとも１種
類以上含む酸化物がある。

【００６９】また、複合磁性材料を得る場合であって
も、例えば以下に挙げるような誘電性を示す酸化物によ
って被覆層２を形成しても良い。具体的には、チタン−
バリウム−ネオジウム系、チタン−バリウム−錫系、チ
タン−バリウム−ストロンチウム系、チタン−バリウム
−鉛系、チタン−バリウム−ジルコニウム系、鉛−カル
シウム系、二酸化チタン系、チタン酸バリウム系、チタ
ン酸鉛系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシ
ウム系、チタン酸ビスマス系、チタン酸マグネシウム系
のセラミックスが挙げられる。さらに、ＣａＷＯ_４系、
Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３系、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ
_３系、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ_３系、Ｂａ（Ｃｏ，
Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ_３系、ＢａＴｉＯ_３−ＳｉＯ_２系、Ｂａ
Ｏ−ＳｉＯ_２系のセラミックスやアルミナ等が挙げられ
る。

【００７０】さらに、複合磁性材料を得る場合の被覆層
２は、次に示すような磁性酸化物であっても良い。組成
としては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｎ−Ｚｎ系フェ
ライト、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ-Ｃｕ-Ｚ
ｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎフェラ
イト、Ｃｏフェライト、Ｌｉフェライト、Ｍｇフェライ
ト、Ｎｉフェライトなどがある。また、Ｂａフェライト
等の六方晶フェライトであっても良い。それ以外にもＦ
ｅ_２Ｏ_３、Ｆｅ_３Ｏ_４等の酸化鉄でも差し支えない。

【００７１】以上に挙げた塩を水やアルコール、アセト
ン、エーテル等の有機溶剤あるいは、それらの混合溶液
中に溶解する。加熱装置３により設定される加熱温度
は、金属粒子１の溶融温度より高い温度に設定される。

【００７２】以上により得られた複合磁性材料は、その
磁気特性を利用して、後述する各電子部品に用いられ
る。製造においては、各種の成形方法により、ガラスク
ロス入りプリプレグおよび銅張り磁性基板、磁性成形材
料、磁性塗料、圧粉磁性粉末成形材料の形態にする。

【００７３】また、本発明により得られた複合磁性材料
に、被覆されていない金属粒子や偏平化した金属粒子、
および酸化物磁性体、酸化物誘電体粒子を目的とする特
性に合わせて添加することも可能である。

【００７４】本発明による電子部品の製造に使用するプ
リプレグは、図７２または図７３に示すような方法によ
り製造することができる。この場合、図７２の方法は比
較的量産に適しており、図７３の方法は、膜厚制御を行
い易く、特性の調整が比較的容易に行えるという特徴を
有している。図７２において、（ａ）に示すように、ロ
ール状に巻回されたガラスクロス１０１ａは、このロー
ル９０から繰り出され、ガイドローラ９１を介して塗工
槽９２に搬送される。この塗工槽９２には、複合誘電体
材料あるいは複合磁性材料がスラリー状に調整されてお
り、この塗工槽９２をガラスクロスが通過すると、上記
スラリー中に浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとと
もに、その中のすきまが埋められることになる。

【００７５】塗工槽９２を通過したガラスクロスは、ガ
イドローラー９３ａ、９３ｂを介して乾燥炉１２０に導
入される。乾燥炉に導入された複合誘電体材料あるいは
複合磁性材料含浸ガラスクロスは、所定の温度と時間乾
燥され、Ｂステージ化されるとともに、ガイドローラー
９５により方向転換して巻取ローラ１３０に巻回され
る。

【００７６】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面に複合
誘電体材料あるいは複合磁性材料１０２が配置されたプ
リプレグが得られる。

【００７７】さらに、（ｃ）に示すように、得られたプ
リプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１００を配置
し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すよう
な両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は１０
０〜２００℃の温度、９．８×１０⁵〜７．８４×１０⁶
Pa（１０〜８０kgf/cm²）の圧力とすればよく、このよ
うな条件下で０．５〜２０時間程度成形することが好ま
しい。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことが
できる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配
置することなく加熱・加圧プレスすればよい。

【００７８】次に、図７３の製造方法について説明す
る。図７３において、（ａ）に示すように、複合誘電体
材料あるいは複合磁性材料からなるスラリー１０２ａを
ドクターブレード９６等によってクリアランスを一定に
保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工する。

【００７９】そして、所定の大きさに切断されると、
（ｂ）に示すように、金属箔１００の上面に複合誘電体
材料あるいは複合磁性材料１０２が配置されたプリプレ
グが得られる。

【００８０】さらに、得られたプリプレグを、（ｃ）に
示すように、ガラスクロス１０１の上下両面に、それぞ
れ複合誘電体材料あるいは複合磁性材料１０２側を内面
にして配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）
に示すような両面金属箔１００付き基板が得られる。加
熱加圧条件は上記と同様でよい。

【００８１】積層電子部品を構成する基板、およびプリ
プレグは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とし
た混練物を成型することによっても得ることができる。
この場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやす
く、比較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法
として適している。

【００８２】混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの
公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用
いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化し
てもよい。

【００８３】このようにペレット化、粉末化等された混
練物を金型を用いて加熱・加圧成型する。成型条件とし
ては、１００〜２００℃、０．５〜３時間、４．９×１
０⁵〜７．８４×１０⁶Pa（５〜８０kgf/cm²）圧力とす
ればよい。

【００８４】この場合に得られるプリプレグの厚みとし
ては、０．０５〜５mm程度である。プリプレグの厚み
は、所望する板厚、誘電体粉や磁性粉の含有率に応じて
適宜調整すればよい。

【００８５】さらに、上記同様に得られたプリプレグの
上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・
加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。加熱
加圧条件は１００〜２００℃の温度、９．８×１０⁵〜
７．８４×１０⁶Pa（１０〜８０kgf/cm²）の圧力とすれ
ばよく、このような条件下で０．５〜２０時間程度成形
することが好ましい。成形は条件をかえて複数段階に分
けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合に
は、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすれば
よい。

【００８６】本発明において用いるプリプレグは銅箔と
重ねて加熱加圧して成形することにより銅箔付基板を形
成することができる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３
５μm 程度である。このような銅箔付基板には、両面パ
ターンニング基板や多層基板などがある。

【００８７】図７４、図７５は両面パターンニング基板
形成例の工程図である。図７４、図７５に示されるよう
に、所定厚さのプリプレグ１６と所定厚さの銅（Ｃｕ）
箔１７とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次
にスルーホール１８をドリリングにより形成する（工程
Ｂ）。形成したスルーホール１８に銅（Ｃｕ）メッキを
施し、メッキ膜２５を形成する（工程Ｃ）。さらに両面
の銅箔１７にパターニングを施し、導体パターン２６を
形成する（工程Ｄ）。その後、図７４に示されるよう
に、外部端子等の接続のためのメッキを施す（工程
Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメ
ッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施
す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベ
ラーを用いる方法により行われる。

【００８８】図７６、図７７には多層基板形成例の工程
図であり、４層積層する例が示されている。図７６、図
７７に示されるように、所定厚さのプリプレグ１６と所
定厚さの銅（Ｃｕ）箔１７とを重ねて加圧加熱して成形
する（工程ａ）。次に両面の銅箔１７にパターニングを
施し、導体パターン２４を形成する（工程ｂ）。このよ
うにして得られた両面パターンニング基板の両面に、さ
らに所定厚さのプリプレグ１６と銅箔１７とを重ねて、
同時に加圧加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホ
ール１８をドリリングにより形成する（工程ｄ）。形成
したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜
１９を形成する（工程ｅ）。さらに両面の銅箔１７にパ
ターニングを施し、導体パターン２４を形成する（工程
ｆ）。その後図７６に示されるように、外部端子との接
続のためのメッキを施す（工程ｇ）。この場合のメッキ
はＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメ
ッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解ま
たは無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により
行われる。

【００８９】上記の加熱加圧の成形条件は、１００〜２
００℃の温度、９．８×１０⁵〜７．８４×１０⁶Pa（１
０〜８０kgf/cm²）の圧力で、０．５〜２０時間とする
ことが好ましい。

【００９０】本発明では、前記例に限らず、種々の基板
を形成することができる。例えば、成形材料としての基
板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを
接着層として多層化することも可能である。

【００９１】また、プリプレグや成形材料としての基板
と銅箔とを接着する態様において、前述の複合誘電体材
料や複合磁性材料と、必要により難燃剤と樹脂とブチル
カルビトールアセテート等の高沸点溶剤とを混練して得
られた複合誘電体材料や複合磁性材料ペーストをパター
ニングした基板の上にスクリーン印刷等にて形成しても
よく、これにより特性の向上を図ることができる。

【００９２】このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積
層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせる
ことにより、後述のような積層電子部品を得ることがで
きる。

【００９３】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。＜実施例１＞図３、図４は、本発明の第１の実施例であ
るインダクタを示した図であり、図３は透視斜視図、図
４は断面図である。

【００９４】図において、インダクタ１０は前記複合磁
性材料からなる構成層１０ａ〜１０ｅを有する。すなわ
ち、構成層１０ａ〜１０ｅは実質的に単結晶となる球形
でかつ平均粒径が０．１〜１０μｍである磁性金属粒子
の表面を、絶縁体層により被覆し、その１種以上の被覆
金属粒子を樹脂中に分散してなる複合磁性材料によって
構成される。

【００９５】これらの構成層１０ａ〜１０ｅには、内部
導体（コイルパターン）１３と、この内部導体１３が形
成される。このを電気的に接続するためのビアホール１
４とを有する。この内部導体１３は、各層１０ａ〜１０
ｅの表面に、エッチング、印刷、スパッタリング、蒸
着、めっき等により、銅、金、銀、パラジウム、白金、
アルミニウム、またはこれらを多層に形成したものや合
金等により形成される。また、これらの内部導体１３ど
うしはビアホール１４により接続され、全体として積層
方向に巻き上げられ、ヘリカル状のインダクタとして構
成される。ビアホール１４はドリル、レーザー加工、エ
ッチング等により形成することができる。また、形成さ
れたコイルの終端部は、それぞれインダクタ１０の端面
に形成された端子電極１２とそれから僅かに上下面方向
に形成されたランドパターン１１と接続されている。端
子電極１２は、ダイシング、Ｖカット等により、半分に
切断された構造となっている。端子電極１２がこのよう
な構造となる理由は、集合基板で複数の素子を形成し、
最終的に個片に切断する際に貫通ビアの中心から切断す
るためである。

【００９６】なお、その等価回路を図１２（ａ）に示
す。図１２（ａ）に示されるように、等価回路ではコイ
ル３１を有する電子部品（インダクタ）となっている。

【００９７】＜実施例２＞図５、図６は、本発明の第２
の実施例であるインダクタを示した図であり、図５は透
視斜視図、図６は断面図である。

【００９８】この例では、実施例１において上下方向に
巻回されていたコイルパターンと異なり、横方向に巻回
したヘリカル巻とした構成としている。その他の構成要
素は実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。実施例２のベース基板材料、
電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方
法は実施例１と同じである。

【００９９】＜実施例３＞図７、図８は、本発明の第３
の実施例であるインダクタを示した図であり、図７は透
視斜視図、図８は断面図を表している。この例では、実
施例１において上下方向に巻回されていたコイルパター
ンを、上下面でのスパイラルを連結した構成態様とした
ものとしている。その他の構成要素は実施例１と同様で
あり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。この実施例３のチップインダクタは、内部導体１３
がスパイラル状に構成され、ビアホール１４により複数
の内部導体１３が接続されるため、大きなインダクタン
ス値が得られる。また、実施例３のベース基板材料、電
極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法
は実施例１と同じである。

【０１００】＜実施例４＞図９、図１０は、本発明の第
４の実施例であるインダクタを示した図であり、図９は
透視斜視図、図１０は断面図を表している。この例で
は、実施例１において上下方向に巻回されていたコイル
パターンを、内部に形成されたミアンダー状（ジグザグ
状）のパターンとして構成したものを表している。その
他の構成要素は実施例１と同様であり、同一構成要素に
は同一符号を付して説明を省略する。また、実施例４の
ベース基板材料、電極構成方法、層構成方法、ビア構成
方法、端子の構成方法は実施例１と同じである。

【０１０１】＜実施例５＞図１１は本発明の第５の実施
例であるインダクタを示した透視斜視図である。この例
では、実施例１において単独で構成されていたコイル
を、４連とした態様を表している。このような構成とす
ることにより、省スペース化、セットの小型化、部品点
数の削減を達成することができる。その他の構成要素は
実施例１と同様であり、同一構成要素には同一符号を付
して説明を省略する。なお、その等価回路を図１０
（ｂ）に示す。図１０（ｂ）に示されるように、等価回
路ではコイル３１ａ〜３１ｄが４連装された電子部品
（インダクタ）となっている。

【０１０２】実施例１〜５に示したインダクタにおいて
は、磁性体として、単結晶で球形の磁性金属粒子の表面
を絶縁層により被覆し、被覆金属粒子を樹脂中に分散混
合しているので、絶縁性が高く、フェライトに比較し、
透磁率が高く、高周波においてもインダクタンス値ある
いはインピーダンス値が高いチップインダクタが得られ
る。また、樹脂中に分散される粒子が球形の金属粒子で
あるため、分散性が良好であり、加工性がよく、所望の
特性が得やすい。また、樹脂を用いるため、軽量でかつ
柔軟性がある。また、異なった材料により多層化して
も、セラミックに比較して柔軟性が高いため、クラッ
ク、はがれ、そり等の問題がおきにくく、高性能のイン
ダクタを得ることができる。

【０１０３】＜実施例６＞図１３、図１４は、本発明の
第６の実施例であるキャパシタ（コンデンサ）を示した
図であり、図１３は透視斜視図、図１４は断面図であ
る。図において、キャパシタ２０は本発明の複合誘電体
材料を有する構成層２０ａ〜２０ｇと、この構成層２０
ｂ〜２０ｇ上に形成されている内部導体（内部電極パタ
ーン）２３と、この内部導体２３とそれぞれ交互に接続
されるキャパシタの端面に形成された端子電極２２とそ
れから僅かに上下面方向に形成された導体パターン２１
とから構成されている。

【０１０４】このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０
ｇは、実質的に単結晶で球形の平均粒径が０．１から１
０μｍの金属粒子の表面を誘電体でなる被覆層で被覆
し、その１種以上の被覆金属粒子を樹脂中に分散混合し
てなる複合誘電体材料によって構成される。実施例６の
電極構成方法、層構成方法、端子構成方法は実施例１と
同じである。

【０１０５】図１３のコンデンサの等価回路を図１６
（ａ）に示す。図１６（ａ）に示されるように、等価回
路ではキャパシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）
となっている。

【０１０６】＜実施例７＞図１５は本発明の第７の実施
例であるキャパシタを示した透視斜視図である。この例
では、実施例６において単独で構成されていたキャパシ
タを、複数アレイ状に並べて４連とした例である。実施
例６の層構成方法、使用材料、端子構成方法は実施例６
と同じである。図１５において、図１３と同一構成要素
には同一符号を付して説明を省略する。その等価回路を
図１６（ｂ）に示す。図１６（ｂ）に示されるように、
等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３２ｄが４連装された
電子部品（コンデンサ）となっている。このようにキャ
パシタが複数内蔵された構造とすれば、セットの小型
化、部品点数削減に役立つ。

【０１０７】実施例６、７のように、球形金属粒子を誘
電体層で被覆したものを樹脂中に分散混合した複合誘電
体材料を誘電体の構成層として用いることにより、セラ
ミック破砕粉を樹脂中に分散した場合に比較し、小型
で、高容量のチップコンデンサを得ることができる。ま
た、樹脂中に分散される粒子が球形の金属粒子であるた
め、分散性が良好であり、加工性がよい。また、金属粒
子が誘電体層によって覆われているため、絶縁性、耐電
圧が向上する。

【０１０８】＜実施例８＞図１７〜図２０は、本発明の
第８の実施例を示したバルントランスを示している。こ
こで図１７は透過斜視図、図１８は断面図、図１９は各
構成層の分解平面図、図２０は等価回路図である。

【０１０９】図１７〜１９において、バルントランス４
０は、構成層４０ａ〜４０ｏが積層された積層体の上下
および中間に配置された内部ＧＮＤ導体４５と、この内
部ＧＮＤ導体４５間に形成されている内部導体４３を有
する。この内部導体４３は、λg ／４長のスパイラル状
導体４３を、図２０の等価回路に示される結合ライン５
３ａ〜５３ｄを構成するようにビアホール４４等で連結
している。

【０１１０】このバルントランス４０の構成層４０ａ〜
４０ｏは、実質的に単結晶で球形の平均粒径が０．１か
ら１０μｍの金属粒子の表面を誘電体でなる被覆層で被
覆し、その１種以上の被覆金属粒子を樹脂中に分散混合
してなる複合誘電体材料によって構成される。実施例８
の電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成
方法は実施例１と同じである。

【０１１１】バルントランスを設計するに当たり、小型
化を考えると、比誘電率はできるだけ高い方が良い。本
発明による複合誘電体材料を構成層４０ａ〜４０ｏに用
いれば、小型で高特性のバルントランスを得ることがで
きる。

【０１１２】このバルントランスを構成する場合、数百
ＭＨｚ以下の帯域では、構成層４０ａ〜４０o（基体）
として、前記本発明による複合磁性材料を用いることが
できる。磁性体を使用できる範囲では誘電体より磁性体
の方がインダクタンス値を高めることができ、かつ結合
も上げることができる。従って、数百ＭＨｚ以下の領域
では、基体として複合磁性材料を用いることにより、バ
ルントランスの高特性化、小型化が可能になる。

【０１１３】＜実施例９＞図２１〜図２３は、本発明の
第９の実施例の積層フィルタを示している。ここで図２
１は斜視図、図２２は分解斜視図、図２３は等価回路図
である。なお、この積層型フィルタは２ポールとして構
成されている。

【０１１４】図２１〜２３において、積層型フィルタ６
０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ
中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ
導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層
群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の
構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０
ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前
記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込
むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデン
サ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成
された端部電極（外部端子）６２とそれから僅かに上下
面方向に形成されたランドパターン６１と接続されてい
る。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向
に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接
続されている。

【０１１５】ストリップ線路６８は、図２３の等価回路
図に示されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する
ストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体
６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれ
のストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍお
よび結合係数Ｍにより結合されている。

【０１１６】この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６
０ｅは、球形金属粒子を誘電体層で被覆したものを樹脂
中に分散混合した複合誘電体材料により構成されてい
る。

【０１１７】このような積層型フィルタを設計するにあ
たっても、小型化を考慮すると誘電率は高い方が良い。
本発明によれば、前述のように、高い誘電率が得られる
前記複合誘電体材料により構成層を構成しているので、
小型で高特性の積層フィルタを提供可能となる。

【０１１８】＜実施例１０＞図２４〜図２６は、本発明
の第１０の実施例の積層フィルタを示している。ここで
図２４は斜視図、図２５は分解斜視図、図２６は等価回
路図である。なお、この積層フィルタは４ポールとして
構成されている。

【０１１９】図２４〜２６において、積層フィルタ６０
は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中
央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導
体６７とを有する。その他の構成要素は実施例９と同様
であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略
する。

【０１２０】＜実施例１１＞図２７〜図３２は、本発明
の第１１の実施例のブロックフィルタを示している。こ
こで図２７は透過斜視図、図２８は正面図、図２９は側
面断面図、図３０は平面断面図、図３１は等価回路図、
図３２は金型の構造を示した透過側面図である。なお、
このブロックフィルタは２ポールとして構成されてい
る。

【０１２１】図２７〜図３２において、ブロックフィル
タ８０は、構成ブロック８０ａに形成された一対の同軸
導体８１とコンデンサ同軸導体８２とを有する。この同
軸導体８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロッ
ク８０ａをくりぬくように中空状に形成された導電体で
構成されている。また、構成ブロック８０ａの周囲に
は、これを覆うように表面ＧＮＤ導体８７が形成されて
いる。そしてコンデンサ同軸導体８２に対応する部分に
コンデンサ導体８３が形成されている。また、コンデン
サ導体８３と表面ＧＮＤ導体８７は、入出力端子、およ
び部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体
８１とコンデンサ同軸導体８２とは、構成ブロック８０
ａをくりぬくように形成された中空状の孔の内部に、導
電材料を無電解メッキ、蒸着などで付着させ伝送路を形
成する。

【０１２２】同軸導体８１は、図３１の等価回路図に示
されるλg ／４長またはそれ以下の長さを有する同軸線
路９４ａ、９４ｂであり、それらを囲むようにＧＮＤ導
体８７が形成されている。また、コンデンサ同軸導体８
２とコンデンサ導体８３は入出力結合容量Ｃｉを構成す
る。また、それぞれの同軸導体８１間は、結合容量Ｃｍ
および結合係数Ｍにより結合されている。このような構
成により、図３１に示すような等価回路となり、２ポー
ル型の伝達特性を有するブロックフィルタを得ることが
できる。

【０１２３】図３２はブロックフィルタ８０の構成ブロ
ック８０ａを形成するための金型の一例を示した概略断
面図である。図において、金型は鉄などの金属ベース１
０３に、樹脂注入口１０４および注入孔１０６が形成さ
れ、これと連結して部品形成部１０５ａ，１０５ｂが形
成されている。構成ブロック８０ａを形成するための複
合誘電体材料は、液体の状態で樹脂注入口１０４から注
入され、注入孔１０６を通って部品形成部１０５ａ、１
０５ｂに達する。そして、この金型の内部に複合誘電体
材料（実質的に単結晶で球形の金属粒子を誘電体層で被
覆したものを樹脂中に分散混合したもの）が満たされた
状態で、冷却または加熱処理を行い、複合誘電体材料を
固化して金型から取り出し、注入口などで硬化した不要
な部分を切断する。こうして、図２７〜図３０に示され
る構成ブロック８０ａが形成される。

【０１２４】このようにして形成された構成ブロック８
０ａに、メッキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等
の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウ
ム等により形成された表面ＧＮＤ導体８７、同軸導体８
１とコンデンサ同軸導体８２等を形成する。

【０１２５】ブロック型フィルタについては、基本的に
は積層型フィルタと同様に、小型化を考えると、誘電率
はできるだけ高い方が良いが、本発明のように、誘電体
として、実質的に単結晶で球形の金属粒子を誘電体層で
被覆したものを樹脂中に分散混合したものを用いること
により、小型で高い性能のブロック型フィルタを得るこ
とができる。

【０１２６】＜実施例１２＞図３３〜図３７は、本発明
の第１２の実施例のカプラを示している。ここで図３３
は透過斜視図、図３４は断面図、図３５は各構成層の分
解平面図、図３６は内部結線図、図３７は等価回路図で
ある。

【０１２７】図３３〜３７において、カプラ１１０は、
前記複合誘電体材料でなる構成層１１０ａ〜１１０ｃが
積層された積層体の上下に形成、配置された内部ＧＮＤ
導体１１５と、この内部ＧＮＤ導体１１５間に形成され
ている内部導体１１３を有する。この内部導体１１３
は、２つのコイルによりトランスが構成されるようにス
パイラル状にビアホール１１４等で連結している。ま
た。形成されたコイルの終端と、内部ＧＮＤ導体１１５
とは、図３３に示すように、それぞれ端面に形成された
貫通ビア１１２とそれから僅かに上下面方向に形成され
たランドパターン１１１と接続されている。このように
構成することにより、図３７の等価回路図で示すよう
に、２つのコイル１２５ａ，１２５ｂが結合したカプラ
１１０が得られる。この実施例１２における電極構成方
法、層構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例
１と同様である。

【０１２８】このカプラ１１０の構成層１１０ａ〜１１
０ｃは、広帯域化を実現しようとした場合、バルントラ
ンスやフィルタと同様に誘電率はできるだけ小さい方が
好ましい。また、小型化を考えると比誘電率はできるだ
け高い方がよい。本発明のように、実質的に単結晶で球
形の金属粒子を誘電体層で被覆し、これを樹脂中に分散
混合したものを構成層に用いることにより、小型で高性
能のカプラを得ることができる。

【０１２９】＜実施例１３＞図３８〜図４０は、本発明
の第１３の実施例であるアンテナを示した図であり、図
３８は透視斜視図、図３９（ａ）は平面図、（ｂ）は側
面断面図、（ｃ）は正面断面図、図４０は各構成層の分
解斜視図を表している。

【０１３０】図において、アンテナ１３０は本発明の複
合誘電体材料からなる構成層１３０ａ〜１３０ｃと、こ
の構成層１３０ｂと１３０ｃ上にそれぞれ形成されてい
る内部導体（アンテナパターン）１３３を有する。ま
た、この内部導体１３３の終端部は、アンテナの端面に
形成された端子電極１３２およびそれから僅かに上下面
方向に形成されたランドパターン１３１と接続されてい
る。この例では内部導体１３３は、使用周波数に対し、
約λg ／４長となるようなリアクタンス素子として構成
され、ミアンダ状に形成されている。この実施例１３に
おける電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子
構成方法は実施例１と同様である。

【０１３１】このアンテナ１３０の構成層１３０ａ〜１
３０ｃには、広帯域化を実現しようとした場合、誘電率
はできるだけ小さい方が好ましい。また、小型化を考え
ると誘電率はできるだけ高い方がよい。

【０１３２】＜実施例１４＞図４１、図４２は、本発明
の第１４の実施例のアンテナを示している。ここで図４
１は透過斜視図、図４２は分解斜視図である。なお、こ
の例のアンテナはヘリカル状の内部電極を有するアンテ
ナとして構成されている。

【０１３３】図４１、４２において、アンテナ１４０
は、本発明の複合誘電体材料を有する構成層１４０ａ〜
１４０ｃと、この構成層１４０ｂと１４０ｃ上にそれぞ
れ形成されている内部導体（アンテナパターン）１４３
ａ、１４３ｂを有する。そして、上下の内部導体１４３
ａ、１４３ｂはビアホール１４４にて接続され、ヘリカ
ル状のインダクタンス素子を形成するようになってい
る。その他の構成要素は実施例１３と同様であり、同一
構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

【０１３４】＜実施例１５＞図４３、図４４は、本発明
の第１５の実施例であるパッチアンテナを示した図であ
り、図４３は透視斜視図、図４４は断面図である。図に
おいて、パッチアンテナ１５０は本発明の複合誘電体材
料でなる構成層１５０ａと、この構成層１５０ａ上に形
成されているパッチ導体１５９（アンテナパターン）
と、このパッチ導体１５９に対向するように構成層１５
０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１５５とを有する。
また、パッチ導体１５９には給電用のスルー導体１５４
が給電部１５３で接続され、このスルー導体１５４はＧ
ＮＤ導体１５５とは接続されないようにＧＮＤ導体１５
５との間にギャップ１５６が設けられている。このた
め、ＧＮＤ導体１５５の下部からスルー導体１５４を通
って給電が行われるようになっている。

【０１３５】＜実施例１６＞図４５、図４６は、本発明
の第１６の実施例であるパッチアンテナを示した図であ
り、図４５は透視斜視図、図４６は断面図である。

【０１３６】図において、パッチアンテナ１６０は本発
明の複合誘電体材料を有する構成層１６０ａと、この構
成層１６０ａ上に形成されているパッチ導体１６９（ア
ンテナパターン）と、このパッチ導体１６９に対向する
ように構成層１６０ａの底面に形成されたＧＮＤ導体１
６５とを有する。また、パッチ導体１６９の近傍にこれ
と接触しないように給電用の給電導体１６１が配置さ
れ、給電端子１６２を介してこれから給電が行われるよ
うになっている。給電端子１６２は、メッキ、ターミネ
ート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理を行い、銅、金、
パラジウム、白金、アルミニウム等により形成すること
ができる。その他の構成要素は実施例１５と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。

【０１３７】＜実施例１７＞図４７、図４８は、本発明
の第１７の実施例である多層型のパッチアンテナを示し
た図であり、図４７は透視斜視図、図４８は断面図であ
る。図において、パッチアンテナ１７０は本発明の複合
誘電体材料を有する構成層１５０ａ、１５０ｂと、この
構成層１５０ａ、１５０ｂ上に形成されているパッチ導
体１５９ａ，１５９ｅと、このパッチ導体１５９ａ，１
５９ｅに対向するように構成層１５０ｂの底面に形成さ
れたＧＮＤ導体１５５とを有する。また、パッチ導体１
５９ａには給電用のスルー導体１５４が給電部１５３ａ
で接続され、このスルー導体１５４はＧＮＤ導体１５５
およびパッチ導体１５９ｅとは接続されないようにＧＮ
Ｄ導体１５５およびパッチ導体１５９ｅとの間にギャッ
プ１５６が設けられている。このため、ＧＮＤ導体１５
５の下部からスルー導体１５４を通ってパッチ導体１５
９ａに給電が行われるようになっている。このときパッ
チ導体１５９ｅにはパッチ導体１５９ａとの容量結合お
よびスルー導体１５４とのギャップによって形成される
容量により給電される。その他の構成要素は実施例１５
と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明
を省略する。

【０１３８】＜実施例１８＞図４９、図５０は本発明の
第１８の実施例である多連型のパッチアンテナを示した
であり、図４９は透視斜視図、図５０は断面図を表して
いる。この例では、実施例１７において単独で構成され
ていたパッチアンテナを、複数アレイ状に並べて４連と
した態様を表している。図において、本発明の複合誘電
体材料を有する構成層１５０ａ、１５０ｂと、この構成
層１５０ａ上に形成されているパッチ導体１５９ａ、１
５９ｂ、１５９ｃ、１５９ｄと、構成層１５０ｂ上に形
成されているパッチ導体１５９ｅ、１５９ｆ、１５９
ｇ、１５９ｈと、このパッチ導体１５９ａ，１５９ｅに
対向するように構成層１５０ｂの底面に形成されたＧＮ
Ｄ導体１５５とを有する。その他の構成要素は実施例１
７と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説
明を省略する。

【０１３９】このようにアレイ状に形成することによ
り、セットの小型化と部品点数の削減が可能となる。

【０１４０】実施例１３〜１８のアンテナに関しては、
小型化を考えると、誘電率はできるだけ高い方が良い。
本発明のように、実質的に単結晶で球形の金属粒子を誘
電体層で被覆し、これを樹脂中に分散混合したものを構
成層に用いることにより、小型で高性能のアンテナを得
ることができる。

【０１４１】＜実施例１９＞図５１〜図５３は、本発明
の第１９の実施例のＶＣＯ（電圧制御発振器）を示して
いる。ここで図５１は透過斜視図、図５２は断面図、図
５３は等価回路図である。

【０１４２】図５１〜５３において、ＶＣＯは、構成層
２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体２１０の上に形
成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジ
スタ等の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１
０ｇ中およびその上下面に形成されている導体パターン
２６２、２６３、２６４を有する。この実施例１９にお
ける電極構成方法、層構成方法、ビア構成方法、端子構
成方法は実施例１と同様である。

【０１４３】このＶＣＯは図５３に示すような等価回路
により構成されているため、共振器、コンデンサ、信号
線、半導体、電源ラインなどを有する。このため、それ
ぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効率的
である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例
もある。

【０１４４】この例では、共振器を構成する構成層２１
０ｆ、２１０ｇには共振周波数に適した誘電率に調整し
た複合誘電体材料を用い、コンデンサ構成層２１０ｃ〜
２１０ｅには誘電率が５〜４０となるような複合誘電体
材料を用いる。また、配線、およびインダクタ構成層２
１０ａ、２１０ｂには、前記コンデンサより誘電率が低
い複合誘電体材料を用いる。

【０１４５】そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの
表面には、内部導体であるストリップライン２６３、Ｇ
ＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダク
タ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。ま
た、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下
に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が
搭載されて図５３の等価回路に示すようなＶＣＯが形成
される。

【０１４６】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した材料を層毎に構成しているので、高性能
化、小型化、薄型化が可能となる。

【０１４７】＜実施例２０＞図５４〜図５６は、本発明
の第２０の実施例のパワーアンプ（電力増幅部）を示し
ている。ここで図５４は各構成層の分解平面図、図５５
は等価回路図、図５６は断面図である。

【０１４８】図５４〜５６において、パワーアンプは、
構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形
成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジ
スタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３０
０ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン
３１３，３１５を有する。３１４は内部導体間を接続す
るビアホールである。

【０１４９】このパワーアンプは図５５に示すような等
価回路により構成されているため、ストリップラインＬ
１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２０、信号線、半
導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれ
の機能に適した材料で構成層を形成するのが効率的であ
る。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例もあ
る。

【０１５０】この例では、ストリップラインを構成する
構成層３００ｄ，３００ｅには使用周波数に適した誘電
率に調整した複合誘電体材料を使用する。また、コンデ
ンサ構成層３００ａ〜３００ｃには、誘電率が５〜４０
となるような複合誘電体材料を用いる。

【０１５１】この実施例２０における電極構成方法、層
構成方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同
様である。

【０１５２】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した材料を層毎に構成しているので、高性能
化、小型化、薄型化が可能となる。

【０１５３】＜実施例２１＞図５７〜図５９は、本発明
の第２１の実施例の光ピックアップなどに使用される重
畳モジュールを示している。ここで図５７は各構成層の
分解平面図、図５８は断面図、図５９は等価回路図であ
る。

【０１５４】図５７〜５９において、重畳モジュール
は、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜
４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図
５９に示すような等価回路により構成されているため、
インダクタＬ２１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２
７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効率的である。ここで示す構成はその一例であり、
他の構成例もある。

【０１５５】この例では、コンデンサ構成層４００ｄ〜
４００ｈには、誘電率が１０〜４０となるように調整さ
れた複合誘電体材料を用いる。また、インダクタなどを
構成する構成層４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００
ｋには、比較的誘電率が低い材料を用いる。そして、ベ
ース材料４００ａ〜４００ｋの表面には、内部導体４１
３、ＧＮＤ導体４１５等が形成されている。また、それ
ぞれの内部導体はビアホール４１４により上下に接続さ
れ、表面にはマウントされた電子部品４６１が搭載され
て図５９の等価回路に示すような重畳モジュールが形成
される。この実施例２１における電極構成方法、層構成
方法、ビア構成方法、端子構成方法は実施例１と同様で
ある。

【０１５６】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した材料を層毎に構成しているので、高性能
化、小型化、薄型化が可能となる。

【０１５７】＜実施例２２＞図６０〜図６４は、本発明
の第２２の実施例のＲＦユニットを示している。ここで
ＲＦユニットは携帯電話等の無線通信機器に使用される
もので、図６０は斜視図、図６１は外装部材を外した状
態での斜視図、図６２は各構成層の分解斜視図、図６３
は断面図、図６４はでブロック図ある。ＲＦユニットは
図６４に示すように、ＰＬＬ回路５２０、ＶＣＯ５２
１、ハイブリッド回路５２２、ミキサー５２３、バンド
パスフィルタ５２４、アンプ５２５とカプラ５２６とア
イソレータ５２７とからなるパワーアンプモジュール５
２９、アンテナ５３０、ローパスフィルタと５３１とデ
ュプレクサ５３２とからなるフロントエンドモジュール
５３３、アンプ５３４〜５３６、バンドパスフィルタ５
３７、５３８、ミキサー５３９、５４０、弾性表面波フ
ィルタ５４１を備えている。

【０１５８】図６０〜６３において、ＲＦユニットは、
構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体５００の
上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導
体、レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００
ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体
パターン５１３、５１５、５７２と、アンテナパターン
５７３を有する。このＲＦユニットは、上記のように、
アンテナ、フィルタ、インダクタ、コンデンサ、信号
線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、そ
れぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効率
的である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成
例もある。

【０１５９】この例では、アンテナ構成、ストリップラ
イン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇに
は、使用周波数に合わせて調整された誘電率の複合誘電
体材料を使用する。コンデンサ構成層５００ｅ〜５００
ｆには、誘電率が１０〜４０程度に高く調整された複合
誘電体材料を使用する。電源ライン層５００ｈ〜５００
ｉには、透磁率が３〜２０程度に調整された前記被覆磁
性金属粒子を樹脂中に分散混合した複合磁性材料を用い
る。

【０１６０】そして、これらの構成層５００ａ〜５００
ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、ア
ンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれ
の内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、
表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲ
Ｆユニットが形成される。

【０１６１】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した材料を層毎に用いることにより、高性能
化、小型化、薄型化が可能となる。

【０１６２】＜実施例２３＞図６５、図６６は、本発明
の第２３の実施例の共振器を示している。ここで図６５
は透過斜視図、図６６は断面図である。図６５、６６に
おいて、共振器は、本発明による前記複合誘電体材料か
らなるベース材６１０に貫通孔状の同軸型導電体６４１
が形成されている。その形成方法は、実施例１１のブロ
ックフィルタと同様である。すなわち、金型成形された
ベース材６１０に、メッキ、エッチング、印刷、スパッ
タ、蒸着等の処理を行い、銅、金、パラジウム、白金、
アルミニウム等により形成された表面ＧＮＤ導体６４
７、およびこの表面ＧＮＤ導体６４７と端部電極６８２
で接続された同軸導体６４１と、同軸導体６４１と接続
されている共振器用ＨＯＴ端子６８１等を形成する。そ
して、同軸導体６４１は、ある特性インピーダンスを有
する同軸型線路であり、これらを囲むように表面ＧＮＤ
導体６４７が形成されている。

【０１６３】＜実施例２４＞図６７、図６８は、本発明
の第２４の実施例のストリップ共振器を示している。こ
こで図６７は透過斜視図、図６８は断面図である。図６
７、６８において、ストリップ共振器は、長方形のスト
リップ導体７８４と、これを前記複合誘電体材料からな
る構成層（基体）７１０を介して上下面より挟み込むよ
うにして配置された矩形状のＧＮＤ導体７８３とを有す
る。また、ストリップ導体７８４両端には共振器用共振
器用ＨＯＴ端子７８１、およびＧＮＤ端子７８２が形成
され接続されている。その他の形成方法は、実施例１の
インダクタと同様である。

【０１６４】＜実施例２５＞図６９は、本発明の第２５
の実施例の共振器を示す透過斜視図である。図６９にお
いて、共振器は実施例２３同様に、ベース材８１０に２
つの貫通孔状の同軸型導電体８４１，８４２が形成され
ている。そして、表面ＧＮＤ導体８４７、およびこの表
面ＧＮＤ導体８４７と端部電極８８２で接続された同軸
導体８４２と、同軸導体８４２と接続用電極８８５を介
して接続されている同軸導体８４１と、この同軸導体８
４１と接続されている共振器用ＨＯＴ端子８８１等を形
成する。そして、同軸導体８４１、８４２は、ある特性
インピーダンスを有する同軸型線路であり、これらを囲
むように表面ＧＮＤ導体８４７が形成されている。

【０１６５】＜実施例２６＞図７０は、本発明の第２６
の実施例のストリップ共振器を示す透過斜視図である。
図７０において、ストリップ共振器は実施例２４と同様
に、前記複合誘電体材料からなる構成層８１０を有す
る。実施例２６が実施例２４と異なるところは、ストリ
ップ導体８８４を折り返しているところである。ストリ
ップ導体８８４は、前記同様、ある特性インピーダンス
を持ったストリップ線路である。ストリップ導体８８４
は、これを挟むように、内部グランド導体８８３を形成
する。この際、ＨＯＴ端子８８１およびグランド端子８
８２は基体の一側面に形成され、それらにストリップ導
体８８４の両端が接続されるように折り曲げた形状を持
ったストリップ導体とする。これによって図７１に示す
共振器の等価回路を構成する。図７１において、共振器
用ＨＯＴ端子９８１は同軸路、またはストリップライン
から構成される共振器９８４，９４１の一端に接続さ
れ、その他端にはＧＮＤ端子９８２が接続されている。
図７１は実施例２３〜２５の共振器の等価回路としても
表現される。

【０１６６】共振器については、誘電率はできるだけ大
きい方が小型化が可能となる。本発明のように、実質的
に単結晶となる平均粒径が０．１〜１０μｍで、球形の
金属粒子の表面を、誘電体層により被覆し、該被覆金属
粒子を樹脂中に分散してなる複合誘電体材料によって構
成することにより、小型化が可能となる。

【０１６７】これらの他、アイソレータ、サーキュレー
タも多層化された小型のものを作成することが可能であ
る。また、前記した各実施例の部品を適宜に複合化する
ことにより、より集積化、小型化が可能となる。例えば
図６４に示したアンテナを含むフロントエンドモジュー
ル５３３、アイソレータ５２７を含むパワーアンプモジ
ュール５２９等の製品も、本発明の複合誘電体材料ある
いは複合磁性材料を用いることにより、小型化、集積化
が可能となる。

【０１６８】以上の各実施例において、必要によりハロ
ゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロ
ゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合
物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機
材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。また、
各実施例において、必要に応じて、構成層中に前記ガラ
スクロスが埋設される。また、すべての層は同じ材質で
ある必要はなく、それぞれの層のうち、一部の層または
全部の層をそれぞれ異なる材質により構成しても良い。

【０１６９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、平均粒
径が０．１〜１０μｍで、ほぼ球形の金属粒子の表面全
部あるいは一部を、誘電体層または絶縁体層により被覆
し、該被覆粒子を１種類以上樹脂中に分散してなる複合
誘電体材料を有する構成としたので、小型で加工性が良
く、比重が軽い柔軟性のある電子部品が提供できる。ま
た、金属粒子の表面を絶縁体層により覆っているので、
絶縁抵抗と耐圧性が高くなる。

【０１７０】また、磁性金属粒子の表面を絶縁体層によ
り被覆して磁性体を構成した場合には、樹脂中に金属粒
子を分散混合した磁性体に比較し、高周波特性の優れた
電子部品が提供できる。

【０１７１】また、異なった材料により多層化しても、
セラミックに比較して柔軟性が高いため、クラック、は
がれ、そり等の問題がおきにくく、高性能の電子部品を
得ることができる。

【０１７２】また、焼成や厚膜印刷等の工程がないた
め、製造しやすく、不具合の起きにくいライン設計が可
能となる。また、基体にガラスクロスを埋設すれば、強
度の高い電子部品が得られる。また、難燃剤を添加すれ
ば、難燃性の高い電子部品が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は本発明において用いる粒子の断面図、
（Ｂ）は本発明において用いる複合材料の一例を示す断
面図である。

【図２】本発明において噴霧熱分解法による粒子生成に
用いる装置の一例を示す構成図である。

【図３】本発明の積層電子部品の構成例であるインダク
タを示す図である。

【図４】本発明の積層電子部品の構成例であるインダク
タを示す図である。

【図５】本発明の積層電子部品の構成例であるインダク
タを示す図である。

【図６】本発明の積層電子部品の構成例であるインダク
タを示す図である。

【図７】本発明の積層電子部品の構成例であるインダク
タを示す図である。

【図８】本発明の積層電子部品の構成例であるインダク
タを示す図である。

【図９】本発明の積層電子部品の構成例であるインダク
タを示す図である。

【図１０】本発明の積層電子部品の構成例であるインダ
クタを示す図である。

【図１１】本発明の積層電子部品の構成例であるインダ
クタを示す図である。

【図１２】本発明の積層電子部品の構成例であるインダ
クタを示す等価回路図である。

【図１３】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパ
シタを示す図である。

【図１４】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパ
シタを示す図である。

【図１５】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパ
シタを示す図である。

【図１６】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパ
シタを示す等価回路図である。

【図１７】本発明の積層電子部品の構成例であるバルン
トランスを示す図である。

【図１８】本発明の積層電子部品の構成例であるバルン
トランスを示す図である。

【図１９】本発明の積層電子部品の構成例であるバルン
トランスを示す図である。

【図２０】本発明の積層電子部品の構成例であるバルン
トランスを示す等価回路図である。

【図２１】本発明の積層電子部品の構成例である積層フ
ィルタを示す図である。

【図２２】本発明の積層電子部品の構成例である積層フ
ィルタを示す図である。

【図２３】本発明の積層電子部品の構成例である積層フ
ィルタを示す等価回路図である。

【図２４】本発明の積層電子部品の構成例である積層フ
ィルタを示す図である。

【図２５】本発明の積層電子部品の構成例である積層フ
ィルタを示す図である。

【図２６】本発明の積層電子部品の構成例である積層フ
ィルタを示す等価回路図である。

【図２７】本発明の積層電子部品の構成例であるブロッ
クフィルタを示す図である。

【図２８】本発明の積層電子部品の構成例であるブロッ
クフィルタを示す図である。

【図２９】本発明の積層電子部品の構成例であるブロッ
クフィルタを示す図である。

【図３０】本発明の積層電子部品の構成例であるブロッ
クフィルタを示す図である。

【図３１】本発明の積層電子部品の構成例であるブロッ
クフィルタの等価回路を示す図である。

【図３２】本発明の積層電子部品の構成例であるブロッ
クフィルタの金型を示す図である。

【図３３】本発明の積層電子部品の構成例であるカプラ
を示す図である。

【図３４】本発明の積層電子部品の構成例であるカプラ
を示す図である。

【図３５】本発明の積層電子部品の構成例であるカプラ
を示す図である。

【図３６】本発明の積層電子部品の構成例であるカプラ
の内部結線を示す図である。

【図３７】本発明の積層電子部品の構成例であるカプラ
の等価回路を示す図である。

【図３８】本発明の積層電子部品の構成例であるアンテ
ナを示す図である。

【図３９】本発明の積層電子部品の構成例であるアンテ
ナを示す図である。

【図４０】本発明の積層電子部品の構成例であるアンテ
ナを示す図である。

【図４１】本発明の積層電子部品の構成例であるアンテ
ナを示す図である。

【図４２】本発明の積層電子部品の構成例であるアンテ
ナを示す図である。

【図４３】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチ
アンテナを示す図である。

【図４４】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチ
アンテナを示す図である。

【図４５】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチ
アンテナを示す図である。

【図４６】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチ
アンテナを示す図である。

【図４７】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチ
アンテナを示す図である。

【図４８】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチ
アンテナを示す図である。

【図４９】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチ
アンテナを示す図である。

【図５０】本発明の積層電子部品の構成例であるパッチ
アンテナを示す図である。

【図５１】本発明の積層電子部品の構成例であるＶＣＯ
を示す図である。

【図５２】本発明の積層電子部品の構成例であるＶＣＯ
を示す図である。

【図５３】本発明の積層電子部品の構成例であるＶＣＯ
を示す等価回路図である。

【図５４】本発明の積層電子部品の構成例であるパワー
アンプを示す図である。

【図５５】本発明の積層電子部品の構成例であるパワー
アンプを示す等価回路図である。

【図５６】本発明の積層電子部品の構成例であるパワー
アンプを示す図である。

【図５７】本発明の積層電子部品の構成例である重畳モ
ジュールを示す図である。

【図５８】本発明の積層電子部品の構成例である重畳モ
ジュールを示す図である。

【図５９】本発明の積層電子部品の構成例である重畳モ
ジュールを示す等価回路図である。

【図６０】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユ
ニットを示す図である。

【図６１】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユ
ニットを示す図である。

【図６２】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユ
ニットを示す図である。

【図６３】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユ
ニットを示す図である。

【図６４】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユ
ニットを示すブロック図である。

【図６５】本発明の積層電子部品の構成例である共振器
を示す図である。

【図６６】本発明の積層電子部品の構成例である共振器
を示す図である。

【図６７】本発明の積層電子部品の構成例である共振器
を示す図である。

【図６８】本発明の積層電子部品の構成例である共振器
を示す図である。

【図６９】本発明の積層電子部品の構成例である共振器
を示す図である。

【図７０】本発明の積層電子部品の構成例である共振器
を示す図である。

【図７１】本発明の積層電子部品の構成例である共振器
の等価回路を示す図である。

【図７２】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工
程図である。

【図７３】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他
の工程図である。

【図７４】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。

【図７５】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図であ
る。

【図７６】多層基板の形成例を示す工程図である。

【図７７】多層基板の形成例を示す工程図である。

【符号の説明】

１：金属粒子２：被覆層１０インダクタ１０ａ〜１０ｅ構成層１１ランドパターン１２貫通ビア１３内部導体（コイルパターン）１４ビアホール１５：樹脂２０キャパシタ２０ａ〜２０ｇ構成層２１導体パターン２２貫通ビア２３内部導体（内部電極パターン）４０バルントランス４０ａ〜４０ｏ構成層４５ＧＮＤ導体４３内部導体６０積層フィルタ８０ブロックフィルタ１１０カプラ１３０、１４０アンテナ１５０、１６０、１７０パッチアンテナ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｐ 1/205 Ｈ０１Ｐ 7/04 ５Ｊ０４５ 5/10 7/08 ５Ｊ０４６ 7/04 Ｈ０１Ｑ 1/38 7/08 1/40 Ｈ０１Ｑ 1/38 13/08 1/40 21/06 13/08 Ｈ０１Ｇ 4/38 Ａ 21/06 Ｈ０１Ｆ 15/00 ＣＦターム(参考） 5E001 AB03 AE02 AE03 AE05 AF06 AH01 AH05 AH09 AJ02 5E070 AA01 AA05 AB02 BB03 CB13 5E082 AA01 AB03 BB01 BC14 CC01 CC03 EE23 FG06 FG26 FG54 GG10 LL02 MM24 PP09 PP10 5J006 HA04 HA12 HA15 HA19 HA26 HB05 HB13 JA01 NA04 NC03 5J021 AA04 AB06 5J045 DA10 EA07 5J046 AB06 AB11 AB12 AB13 PA01 PA04 PA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ブロックフィルタ、共振器またはパッチア
ンテナのいずれか１つを構成する電子部品であって、平均粒径が０．１〜１０μｍで、ほぼ球形の金属粒子の
表面全部あるいは一部を、誘電体層により被覆し、該被
覆粒子を１種類以上樹脂中に分散してなる複合誘電体材
料を有することを特徴とする電子部品。
【請求項２】請求項１の電子部品において、前記誘電体層の厚みが０．００５〜２μｍであることを
特徴とする電子部品。
【請求項３】ブロックフィルタ、共振器またはパッチア
ンテナのいずれか１つを構成する電子部品であって、実質的に単結晶となる球形でかつ平均粒径が０．１〜１
０μｍである金属粒子の表面の全部あるいは一部を絶縁
体層により被覆し、該被覆金属粒子を１種類以上樹脂中
に分散してなる複合材料を有することを特徴とする電子
部品。
【請求項４】ブロックフィルタ、共振器またはパッチア
ンテナのいずれか１つを構成する電子部品であって、実質的に単結晶となる球形でかつ平均粒径が０．１〜１
０μｍである磁性金属粒子の表面の全部あるいは一部を
絶縁体層により被覆し、該被覆金属粒子を１種類以上樹
脂中に分散してなる複合材料を有することを特徴とする
電子部品。
【請求項５】請求項３または４の電子部品において、前
記絶縁体層の厚みが０．００５〜２μｍであることを特
徴とする電子部品。
【請求項６】請求項１から５までのいずれかの電子部品
において、前記複合誘電体材料または／および複合材料
を複合化させて備えたことを特徴とする電子部品。
【請求項７】請求項１から６までのいずれかの電子部品
において、前記複合誘電体材料または複合材料は、樹脂
中にガラスクロスを埋設した層を少なくとも一層以上含
むことを特徴とする電子部品。