JP2003295826A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

有機ｅｌ表示装置

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JP2003295826A JP2002101350A JP2002101350A JP2003295826A JP 2003295826 A JP2003295826 A JP 2003295826A JP 2002101350 A JP2002101350 A JP 2002101350A JP 2002101350 A JP2002101350 A JP 2002101350A JP 2003295826 A JP2003295826 A JP 2003295826A
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light emitting
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Hitoshi Yasuda
仁志 安田
Hidenori Chiba
英徳 千葉
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機ＥＬ表示装置では使用者の好みや周囲の
環境特に、日中屋外で使用する環境では全体の画像をよ
り明るく表示したり、また夜間屋内で使用する環境では
全体の画像をより暗く表示したりできるように有機ＥＬ
表示装置の輝度を制御できない問題点があった。 【解決手段】 本発明では、薄膜トランジスタ６側に接
続された正の電源電圧を与える第１の電源１２とＥＬ素
子７側に接続された負の電源電圧を与える第２の電源１
３とを備え、スイッチ１０で強制的に切り換えるかある
いは周囲の環境をセンサ１１で検出して、第１の電源１
２の正の電源電圧を変動させて発光層の輝度を全体的に
調整して、周囲の環境に適した輝度での表示が出きる有
機ＥＬ表示装置を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を用いてエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）
素子を駆動するアクティブ型の有機ＥＬ表示装置、特に
電源電圧の変動で輝度を変動させるアクティブ型の有機
ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、自ら発光するため液晶
表示装置で必要なバックライトが要らず薄型化に最適で
あると共に、視野角にも制限が無いため、次世代の表示
装置としてその実用化が大きく期待されている。
【０００３】このような有機ＥＬ素子を用いた表示装置
において、ＲＧＢの３原色毎に発光層に異なる発光材料
を使用することにより、ＲＧＢ光を各々直接発光する各
画素を独立に形成して必要な光を直接発光させる方法が
効率が最も良い。
【０００４】ところで、有機ＥＬ表示装置の駆動方式と
しては、単純マトリクスのパッシブ型とＴＦＴを使用す
るアクティブ型の２種類があり、アクティブ型において
は一般に図９に示す回路構成が用いられている。
【０００５】図９に有機ＥＬ表示装置の等価回路図を示
す。
【０００６】行方向に延びる複数のゲート線１が配置さ
れ、これに交差するように列方向に複数のデータ線２及
び駆動線３が配置されている。駆動線３は、電源ＰＶに
接続されている。電源ＰＶは正の定電圧を出力する電源
である。
【０００７】ゲート線１とデータ線２とのそれぞれの交
点には選択ＴＦＴ４が接続されている。選択ＴＦＴ４は
二つのＴＦＴ４ａ、４ｂを直列に接続したダブルゲート
構造であり、選択ＴＦＴ４のそれぞれのＴＦＴ４ａ、４
ｂのゲートはゲート線１に接続され、選択ＴＦＴ４ａの
ドレインがデータ線２に接続されている。選択ＴＦＴ４
ｂのソースは保持コンデンサ５と駆動ＴＦＴ６のゲート
に接続されている。
【０００８】駆動ＴＦＴ６のドレインは、駆動線３に接
続され、ソースは有機ＥＬ発光素子７の陽極に接続され
ている。有機ＥＬ発光素子７の陰極は電源ＣＶに接続さ
れている。電源ＣＶは負の定電圧を出力する電源であ
る。保持コンデンサ５の対極には、列方向に延在する容
量線９が接続されている。
【０００９】ゲート線１は図示しないゲート線ドライバ
に接続され、ゲート線１には、ゲート線ドライバによっ
て順次ゲート信号が印加される。ゲート信号はオンもし
くはオフの２値の信号で、オンの時は正の所定電圧、オ
フの時は0Vとなる。ゲート線ドライバは、複数接続され
るゲート線１のうち、選択された所定のゲート線のゲー
ト信号をオンとする。ゲート信号がオンとなると、その
ゲート線１に接続された全ての選択トランジスタ４のＴ
ＦＴがオンとなり、選択トランジスタ４を介してデータ
線２と駆動トランジスタ６のゲートが接続される。
【００１０】データ線２にはデータ線ドライバ８から表
示する映像に応じて決定されるデータ信号が出力されて
おり、データ信号は駆動トランジスタ６のゲートに入力
されるとともに、保持コンデンサ５に充電される。
【００１１】駆動トランジスタ６は、データ信号の大き
さに応じた導電率で駆動線３と有機ＥＬ発光素子７とを
接続する。この結果、データ信号に応じた電流が駆動ト
ランジスタ６を介して駆動線３から有機ＥＬ発光素子７
に供給され、データ信号に応じた輝度で有機ＥＬ発光素
子７が発光する。
【００１２】保持コンデンサ５は、専用の容量線９もし
くは駆動線３など他の電極との間で静電容量を形成して
おり、一定時間データ信号を蓄積することができる。
【００１３】データ信号は、ゲート線ドライバが他のゲ
ート線１を選択し、そのゲート線１が非選択となって選
択トランジスタ４がオフした後も、保持コンデンサ５に
よって１垂直走査期間の間保持され、その間、駆動トラ
ンジスタ６は前記導電率を保持し、有機ＥＬ発光素子７
はその輝度で発光を続けることができる。
【００１４】以上が、アクティブマトリクス型有機ＥＬ
表示装置の動作原理であるが、本明細書において、上述
した選択トランジスタ４、駆動トランジスタ６等を有
し、ゲート信号のような表示素子の１つもしくは複数を
同時に選択する信号と、表示する映像によって決定され
るデータ信号とによって、所定の表示素子にデータ信号
に応じた電流を供給する回路を総称して選択駆動回路と
称する。選択駆動回路は、上述した以外にも様々なパタ
ーンが考えられ、また、既に提案されている。
【００１５】図１０にアクティブマトリクス型有機ＥＬ
表示装置の断面図を示す。
【００１６】ガラス基板５１上に複数の駆動ＴＦＴ６が
配置されている。駆動ＴＦＴ６は、ゲート電極６Ｇが、
層間絶縁膜５２を介してソース６Ｓ、チャネル６Ｃ、ド
レイン６Ｄと対向する構造であり、ここに示す例では、
チャネル６Ｃよりもゲート電極６Ｇが下にあるボトムゲ
ート構造である。
【００１７】駆動ＴＦＴ６上に層間絶縁膜５３が形成さ
れ、その上にデータ線２及び駆動線３が配置されてい
る。駆動線３は、駆動ＴＦＴ６のドレイン６Ｄにコンタ
クトを介して接続されている。それらの上に、平坦化絶
縁膜５４が形成されており、平坦化絶縁膜５４の上には
画素毎に有機ＥＬ発光素子７が配置されている。
【００１８】有機ＥＬ発光素子７は、ＩＴＯ（indium t
in oxide）等の透明電極よりなる陽極５５、ホール輸送
層５６、発光層５７、電子輸送層５８、アルミニウムな
どの金属よりなる陰極５９が順に積層されて形成されて
いる。陽極５５からホール輸送層５６に注入されたホー
ルと、陰極５９から電子輸送層５８に注入された電子と
が発光層５７の内部で再結合することにより光が放た
れ、この光が図中矢印で示したように、透明な陽極５５
側からガラス基板５１を透過して外部に放射される。陽
極５５、発光層５７は各画素毎に独立して形成され、ホ
ール輸送層５６、電子輸送層５８、陰極５９は、各画素
共通に形成される。
【００１９】図１１は、図９に示したの回路図から１画
素分の電源PV、駆動ＴＦＴ６、ＥＬ発光素子７、電源Ｃ
Ｖを抽出して示した回路図である。図から判るように、
駆動ＴＦＴ６と有機ＥＬ発光素子７とは、正の電源ＰＶ
と負の電源ＣＶとの間に直列に接続されている。有機Ｅ
Ｌ発光素子７に流れる駆動電流は、電源PVから駆動トラ
ンジスタ６を介して有機ＥＬ発光素子７に供給され、そ
して、この駆動電流は駆動トランジスタ６のゲート電圧
VGを変化させることによって制御することができる。上
述したように、ゲート電極にはデータ信号が入力されて
おり、ゲート電圧VGはデータ信号に応じた値となる。
【００２０】上述した有機ＥＬ表示装置では、図１２に
示すようにＲＧＢの映像信号をＲＧＢ個別のガンマ補正
回路７１、７２、７３で補正して、有機ＥＬパネル８０
に供給して画像を表示している。ガンマ補正とは出力輝
度レベルが入力信号のガンマ乗に比例する関係を出力輝
度と入力信号の関係を比例関係に補正することを言う。
【００２１】図１３では、左側にＲＧＢ毎の発光層の輝
度特性を示しており、右側にガンマ補正回路７１、７
２、７３で補正した入力階調と輝度の特性を示してい
る。即ち、白バランスを保つためにＲＧＢの輝度比はＧ
ＢＲの順に決められ、ＲＧＢが６４階調の表示が行える
ように比例的に変化するようにガンマ補正をそれぞれの
ＲＧＢ毎のガンマ補正回路７１、７２、７３で行ってい
る。
【００２２】従って、図１３の右側から、Ｒであれば輝
度がＲminからＲmaxの間で駆動するために、Ｒの発光層
への印加電圧は矢印で示すΔＲの範囲で６４階調の電圧
を調整すれば良いことが明白である。Ｇについても輝度
がＧminからＧmaxの間で駆動するために、Ｇの発光層へ
の印加電圧は矢印で示すΔＧの範囲で６４階調の電圧を
調整すれば良い。同様に、Ｂについても輝度がＢminか
らＢmaxの間で駆動するために、Ｂの発光層への印加電
圧は矢印で示すΔＢの範囲で６４階調の電圧を調整すれ
ば良い。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た有機ＥＬ表示装置ではＲＧＢの映像信号の範囲内での
６４階調表示で各発光層の輝度の調整は出来るが、周囲
の環境特に、日中屋外で使用する環境では全体の画像を
より明るく表示したり、また夜間屋内で使用する環境で
は全体の画像をより暗く表示したりできるように有機Ｅ
Ｌ表示装置の輝度を制御できない問題点があった。
【００２４】また、上述した有機ＥＬ表示装置では図１
３に示すように、ＲＧＢの各発光層の輝度設定範囲、す
なわちΔＲの範囲、ΔＧの範囲、ΔＢの範囲がばらつい
ているので、映像信号を出力するＩＣの出力ダイナミッ
クレンジがΔＲの範囲、ΔＧの範囲、ΔＢの範囲のすべ
てをカバーできず特に、ΔＢの高い範囲が出力ダイナミ
ックレンジをオーバーしている。このためにＢの発光層
では映像信号に即した輝度の制御ができない問題点があ
った。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたものであり、本発明では陽極と陰極
との間に発光層を有するＥＬ素子と、該ＥＬ素子を駆動
する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ側に接
続された正の電源電圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素
子側に接続された負の電源電圧を与える第２の電源とを
備えたアクティブ型の有機ＥＬ表示装置において、前記
第１の電源の正の電源電圧を変動させて前記発光層の輝
度を調整することを特徴とし、映像信号の変更をしない
で全体の輝度を調整できる有機ＥＬ表示装置を実現す
る。
【００２６】また、本発明では陽極と陰極との間に発光
層を有するＥＬ素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トラ
ンジスタと、前記薄膜トランジスタ側に接続された正の
電源電圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素子側に接続さ
れた負の電源電圧を与える第２の電源とを備えたアクテ
ィブ型の有機ＥＬ表示装置において、周囲の環境をセン
サで検出して、前記第１の電源の正の電源電圧を変動さ
せて前記発光層の輝度を調整することを特徴ととし、周
囲の環境に適した輝度での表示が出きる有機ＥＬ表示装
置を実現する。
【００２７】また、本発明では陽極と陰極との間に発光
層を有するＥＬ素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トラ
ンジスタと、前記薄膜トランジスタ側に接続された正の
電源電圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素子側に接続さ
れた負の電源電圧を与える第２の電源とを備えたアクテ
ィブ型の有機ＥＬ表示装置において、周囲の環境をセン
サで検出して、前記発光層にＲＧＢ毎に異なる発光材料
を使用した前記ＥＬ素子毎に前記第１の電源の正の電源
電圧を変動させてＲＧＢ毎の前記発光層の輝度を調整す
ることを特徴とし、ＲＧＢ毎のＥＬ素子個別に周囲の環
境に適した輝度での表示が出きる有機ＥＬ表示装置を実
現する。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態にかかる
ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【００２９】行方向に延びる複数のゲート線１が配置さ
れ、これに交差するように列方向に複数のデータ線２及
び駆動線３が配置されている。ゲート線１とデータ線２
とのそれぞれの交点には選択ＴＦＴ４が接続されてい
る。選択ＴＦＴ４は二つのＴＦＴ４ａ、４ｂを直列に接
続したダブルゲート構造であり、選択ＴＦＴ４のそれぞ
れのＴＦＴ４ａ、４ｂのゲートはゲート線１に接続さ
れ、選択ＴＦＴ４ａのドレインがデータ線２に接続され
ている。選択ＴＦＴ４ｂのソースは保持コンデンサ５と
駆動ＴＦＴ６のゲートに接続されている。駆動ＴＦＴ６
のソースは、駆動線３に接続され、ドレインは有機ＥＬ
発光素子７の陽極に接続されている。以上は、従来のＥ
Ｌ表示装置と同様であり、その断面図についても従来と
同様である。
【００３０】有機ＥＬ発光素子７は駆動ＴＦＴ６を介し
て一方の極性となる正の電源電圧を印加する第１の電源
ＰＶと、逆の極性となる負の電源電圧を印加する第２の
電源ＣＶとの間に接続しされている。本発明では第１の
電源ＰＶはセンサにより変動する正の電源電圧を供給
し、第２の電源ＣＶは固定の負の電源電圧を供給してい
る。
【００３１】ゲート線１は図示しないゲート線ドライバ
に接続され、ゲート線１には、ゲート線ドライバによっ
て順次ゲート信号が印加される。ゲート信号はオンもし
くはオフの２値の信号で、オンの時は正の所定電圧、オ
フの時は0Vとなる。ゲート線ドライバは、複数接続され
るゲート線１のうち、選択された所定のゲート線のゲー
ト信号をオンとする。ゲート信号がオンとなると、その
ゲート線１に接続された全ての選択トランジスタ４のＴ
ＦＴがオンとなり、選択トランジスタ４を介してデータ
線２と駆動トランジスタ６のゲートが接続される。
【００３２】データ線２にはデータ線ドライバ８から表
示する映像に応じて決定されるデータ信号が出力されて
おり、データ信号は駆動トランジスタ６のゲートに入力
されるとともに、保持コンデンサ５に充電される。
【００３３】駆動トランジスタ６は、データ信号の大き
さに応じた導電率で駆動線３と有機ＥＬ発光素子７とを
接続する。この結果、データ信号に応じた電流が駆動ト
ランジスタ６を介して駆動線３から有機ＥＬ発光素子７
に供給され、データ信号に応じた輝度で有機ＥＬ発光素
子７が発光する。
【００３４】保持コンデンサ５は、専用の容量線９もし
くは駆動線３など他の電極との間で静電容量を形成して
おり、一定時間データ信号を蓄積することができる。
【００３５】データ信号は、ゲート線ドライバが他のゲ
ート線１を選択し、そのゲート線１が非選択となって選
択トランジスタ４がオフした後も、保持コンデンサ５に
よって１垂直走査期間の間保持され、その間、駆動トラ
ンジスタ６は前記導電率を保持し、有機ＥＬ発光素子７
はその輝度で発光を続けることができる。
【００３６】図２は、本発明による有機ＥＬ表示装置を
説明するブロック図である。本発明は上述した有機ＥＬ
表示装置の全体のＥＬ素子の輝度を調整することに特徴
を有する。
【００３７】使用者の見やすさを得るためとか、周囲の
環境により見やすくするためとかで全体のＥＬ素子の輝
度を調整したい場合がある。
【００３８】前者ではスイッチ等を用いて切り換えて、
強制的にＥＬ素子を駆動する電源電圧を変動させてＥＬ
素子の輝度全体を調整する。
【００３９】後者では周囲の環境、特に明るさをフォト
センサ等のセンサで検知し、その検知出力によりＥＬ素
子を駆動する電源電圧を変動させてＥＬ素子の輝度全体
を調整する。これにより周囲の環境に応じて、日中屋外
で使用する場合にはＥＬ素子を駆動する電源電圧を上昇
させて全体の画像をより明るく表示し、また夜間屋内で
使用する場合には通常のＥＬ素子を駆動する電源電圧に
戻して全体の画像をより暗く表示したりできる。
【００４０】図３は本発明の実施形態にかかるＥＬ表示
装置のブロック図である。
【００４１】１０は切換用のスイッチ、１１はフォトセ
ンサ、１２は正の電源電圧を供給する第１の電源、１３
は負の電源電圧を供給する第２の電源、１４は有機ＥＬ
パネルである。
【００４２】スイッチ１０はタッチスイッチ等を用い、
明、普通、暗の３段階程度の切換を行える。
【００４３】フォトセンサ１１はフォトトランジスタ、
フォトダイオード等が用いられ、明るさに比例して電流
を流す素子である。
【００４４】第１の電源１２および第２の電源１３はい
ずれもＤＣ／ＤＣコンバータで作られ、第１の電源１１
の正の電源電圧はフォトセンサ１１の検出出力で変動で
き、第２の電源１２の負の電源電圧は固定されており、
有機ＥＬパネル１４の第１の電源ＰＶの端子と第２の電
源ＣＶの端子に電源電圧を供給している。
【００４５】図４に本発明の実施形態にかかるＥＬ表示
装置の電源回路の等価回路図を示す。
【００４６】図４に示すように、第１の電源１１として
用いるＤＣ−ＤＣコンバータはインダクタ２２、パルス
幅変調回路２３、ＭＯＳＦＥＴ２４、ダイオード２５、
コンデンサ２６および出力端子２７で構成されている。
直流電源２１からの直流電圧Ｖinがインダクタ２２を介
してＭＯＳＦＥＴ２４のドレインおよびダイオード２５
のアノードに接続され、ダイオード２５のカソードから
コンデンサ２６の一端に出力電圧が出力される。またパ
ルス幅変調回路２３はＭＯＳＦＥＴ２４のゲートに接続
され、ＭＯＳＦＥＴ２４を所定の周期で可変パルス幅で
オンオフしている。
【００４７】本発明では出力端子２７に抵抗Ｒ１と入力
電圧によりその抵抗値を切り換えられる電子ボリューム
からなる抵抗Ｒ２とが直列に接続され、これらの抵抗で
分圧された検出電圧はパルス幅変調回路２３にフィード
バックされている。
【００４８】切換用のスイッチ１０を用いる場合は、ス
イッチ１０からの信号で電子ボリュームの抵抗値を増減
して、強制的に抵抗Ｒ２の抵抗値を変える。
【００４９】また、周囲の環境に対応する場合は、周囲
の環境を検出するフォトセンサ１１からの検出出力で、
周囲の環境が暗い通常のときは電子ボリュームの抵抗値
を大きくし、周囲の環境が明るいときは電子ボリューム
の抵抗値を小さくする。フォトセンサ１１は明るさに比
例してそのフォト電流を増減すれば、電子ボリュームの
抵抗値もそれに対応して増減できる。
【００５０】次に、ＤＣ−ＤＣコンバータの動作を説明
すると、パルス幅変調回路２３からのパルスがＭＯＳＦ
ＥＴ２４のゲートに印加されると、ＭＯＳＦＥＴ２４は
オン状態となり、ドレイン・ソース間に電流が流れる。
この電流によりインダクタ２２にはエネルギーが蓄えら
れ、次にＭＯＳＦＥＴ２４がオフ状態となったときにイ
ンダクタ２２には逆起電力が発生する。この逆起電力は
直流電源２１の直流電圧に積み上げられ、ダイオード２
５を介してコンデンサ２６に昇圧された出力電圧Ｖout
が充電される。このコンデンサ２６からの出力電圧がＭ
ＯＳＦＥＴ２４はオン状態となったときに出力端子２７
から有機ＥＬパネル１４に供給され、有機ＥＬパネル１
４を駆動する。
【００５１】ここで、本発明では抵抗Ｒ１と電子ボリュ
ームの抵抗Ｒ２との分圧された検出電圧がパルス幅変調
回路２３にフィードバックされており、パルス幅変調回
路２３内にあるコンパレータで基準の三角波とこの検出
電圧とを比較してパルス幅が制御される。すなわち、検
出電圧が大きくなればパルス幅が小さくなり、出力電圧
を引き下げるようにフィードバックされる。逆に、検出
電圧が小さくなればパルス幅が大きくなり、出力電圧を
引き上げるようにフィードバックされる。
【００５２】従って、スイッチ１０を用いる場合は、例
えばスイッチが明の位置にあるときは抵抗Ｒ２の抵抗値
を小さくし、これにより抵抗Ｒ１と電子ボリュームの抵
抗Ｒ２との分圧された検出電圧は小さくするように働
く。この結果、ＤＣ−ＤＣコンバータからの出力電圧は
上昇し、暗の位置の時は下降するように動く。
【００５３】また、周囲の環境に対応する場合は、図５
に示すようにフォトセンサ１１が明るくなるとフォト電
流が比例して大きくなるのに対して電子ボリュームは明
るくなると抵抗値を小さくする関係にする。これにより
抵抗Ｒ１と電子ボリュームの抵抗Ｒ２との分圧された検
出電圧は明るくなると抵抗Ｒ２の抵抗値が小さくなるの
で、検出電圧を小さくするように働く。この結果、ＤＣ
−ＤＣコンバータからの出力電圧は明るくなると上昇
し、暗くなると下降するように動く。
【００５４】上述したＤＣ−ＤＣコンバータは本発明で
は第１の電源１２として用いられているので、第１の電
源ＰＶから駆動線３を介して駆動ＴＦＴ６のソースに正
の電源電圧が印加される。ＤＣ−ＤＣコンバータからの
出力電圧は検出電圧が小さくなると上昇するので、駆動
ＴＦＴ６のゲートソース間の電圧は深くなり、駆動ＴＦ
Ｔ６を流れる電流は増加する。
【００５５】図６に駆動ＴＦＴ６のＶds−Ｉdsの関係を
示す。この図からも明白なようにゲートソース間電圧Ｖ
gsが深くなるとＩdsが増加することが分かる。従って、
駆動ＴＦＴ６のドレインに接続された有機ＥＬ発光素子
７に流れる電流が検出電圧が小さくなると増加して、そ
の輝度を上昇させる。逆に検出電圧が大きくなると、有
機ＥＬ発光素子７に流れる電流が減少してその輝度を下
げる。
【００５６】図７に本発明の他の実施形態を説明するブ
ロック図を示す。
【００５７】本図では第１の電源ＰＶを構成するＤＣ／
ＤＣコンバータをＲＧＢ毎の有機ＥＬ発光素子７に個別
に設けることを特徴とする。スイッチ１０あるいはフォ
トセンサ１１はＲＧＢ共通に設けられ、ＲＧＢ毎の有機
ＥＬ発光素子７にそれぞれ第１の電源１２Ｒ、１２Ｇ、
１２Ｂが設けられ、第２の電源１３は共通に設けられ
る。
【００５８】発光層にＲＧＢ毎に異なる発光材料を用い
た有機ＥＬ発光素子７ではそれぞれＲＧＢ毎に異なる発
光効率、寿命、しきい値を持つので、第１の電源１２
Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂでそれぞれの特性を考慮してＤＣ／
ＤＣコンバータの電源電圧の変動を設計すれば、色バラ
ンスを崩さないで全体の画像の輝度調整を行える。
【００５９】また図８（図１３と同じ）に示すように、
ＲＧＢの各発光層の輝度設定範囲、すなわちΔＲの範
囲、ΔＧの範囲、ΔＢの範囲がばらついているので、第
１の電源１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂでそれぞれの輝度設定
範囲を考慮してＲＧＢ毎のＤＣ／ＤＣコンバータの電源
電圧の変動させることが可能である。
【００６０】ＲおよびＧの発光層の輝度設定範囲、すな
わちΔＲの範囲、ΔＧの範囲は比較的狭いので、映像信
号を出力するＩＣの出力ダイナミックレンジは第１の電
源１２Ｒ、１２Ｇの電源電圧を変動しなくてもカバーで
きる。
【００６１】一方、Ｂの発光層の輝度設定範囲、すなわ
ちΔＢの範囲は高い印加電圧側にずれているので、第１
の電源１２ＢのＤＣ／ＤＣコンバータの電源電圧を高い
電圧側にシフトさせると、映像信号を出力するＩＣの出
力ダイナミックレンジをシフトした電圧分だけオフセッ
トしたのと等価になり、ＩＣの出力ダイナミックレンジ
をいじらなくてもΔＢの範囲をカバーできる。
【００６２】従って、第１の電源１２Ｒ、１２Ｇ、１２
Ｂを個別にシフトさせることによりＲＧＢの各発光層の
輝度設定範囲に対応することができ、且つＲＧＢの各発
光層の輝度設定範囲を広げることも可能である。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば、陽極と陰極との間に発
光層を有するＥＬ素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜ト
ランジスタと、前記薄膜トランジスタ側に接続された正
の電源電圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素子側に接続
された負の電源電圧を与える第２の電源とを備えたアク
ティブ型の有機ＥＬ表示装置において、第１の電源の正
の電源電圧を変動させて前記発光層の輝度を全体的に調
整することにより、使用者の好みで容易にＥＬ素子の輝
度を調整できるアクティブ型の有機ＥＬ表示装置を実現
できる。
【００６４】また、本発明によれば、陽極と陰極との間
に発光層を有するＥＬ素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ側に接続され
た正の電源電圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素子側に
接続された負の電源電圧を与える第２の電源とを備えた
アクティブ型の有機ＥＬ表示装置において、周囲の環境
をセンサで検出して、前記第１の電源の正の電源電圧を
変動させて前記発光層の輝度を調整することにより、周
囲の環境に対応してＥＬ素子の輝度を調整できるアクテ
ィブ型の有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【００６５】更に、本発明では周囲の環境をフォトセン
サで検出し、その出力で第１の電源を構成するＤＣ／Ｄ
Ｃコンバータの出力電圧を増減するので、周囲の環境に
比例してＥＬ素子の輝度を調整でき、どのような使用環
境でも適切な輝度調整が連続して可能なアクティブ型の
有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【００６６】更に、本発明ではＤＣ／ＤＣコンバータの
フィードバック電圧をセンサの検出出力で変動させて第
１の電源の電源電圧を変動させることのみでＥＬ素子の
輝度を調整でき、フォトセンサおよび電子ボリュームの
追加で実現できる。
【００６７】更に、本発明では陽極と陰極との間に発光
層を有するＥＬ素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トラ
ンジスタと、前記薄膜トランジスタ側に接続された正の
電源電圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素子側に接続さ
れた負の電源電圧を与える第２の電源とを備えたアクテ
ィブ型の有機ＥＬ表示装置において、周囲の環境をセン
サで検出して、前記発光層にＲＧＢ毎に異なる発光材料
を使用した前記ＥＬ素子毎に前記第１の電源の正の電源
電圧を変動させてＲＧＢ毎の前記発光層の輝度を調整す
ることにより、ＲＧＢ毎のＥＬ素子個別に周囲の環境に
適した輝度での表示が出きる有機ＥＬ表示装置を実現で
きる。
【００６８】更に、本発明では第１の電源を個別にシフ
トさせることによりＲＧＢの各発光層の輝度設定範囲に
対応することができ、且つＲＧＢの各発光層の輝度設定
範囲を広げることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置を説明する等価回路
図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置を説明するブロック
図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置を説明するブロック
図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置の電源回路を説明す
る等価回路図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ表示装置の電源回路を説明す
る特性図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ表示装置の動作を説明する特
性図である。
【図７】本発明の他の有機ＥＬ表示装置を説明するブロ
ック図である。
【図８】本発明の有機ＥＬ表示装置を説明する特性図で
ある。
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置を説明する回路図であ
る。
【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置を説明する断面図で
ある。
【図１１】従来の有機ＥＬ表示装置を説明する回路図で
ある。
【図１２】従来の有機ＥＬ表示装置を説明するブロック
図である。
【図１３】従来の有機ＥＬ表示装置を説明する特性図で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ｌ ６４２Ｐ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB17 DB03 GA04 5C080 AA06 BB05 CC03 DD01 FF03 FF11 FF12 JJ02 JJ03 JJ05 JJ06

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ
    素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタと、前
    記薄膜トランジスタ側に接続された一方の極性の電源電
    圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素子側に接続された逆
    の極性の電源電圧を与える第２の電源とを備えたアクテ
    ィブ型の有機ＥＬ表示装置において、前記第１の電源の
    電源電圧を変動させて前記発光層の輝度を調整すること
    を特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  2. 【請求項２】 陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ
    素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタと、前
    記薄膜トランジスタ側に接続された一方の極性の電源電
    圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素子側に接続された逆
    の極性の電源電圧を与える第２の電源とを備えたアクテ
    ィブ型の有機ＥＬ表示装置において、前記発光層にＲＧ
    Ｂ毎に異なる発光材料を使用した前記ＥＬ素子毎に前記
    第１の電源の電源電圧を変動させてＲＧＢ毎の前記発光
    層の輝度を調整することを特徴とする有機ＥＬ表示装
    置。
  3. 【請求項３】 前記第１の電源としてＤＣ／ＤＣコンバ
    ータを用い、前記ＤＣ／ＤＣコンバータのフィードバッ
    ク電圧を変動させて前記第１の電源の電源電圧を変動さ
    せることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
    有機ＥＬ表示装置。
  4. 【請求項４】 陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ
    素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタと、前
    記薄膜トランジスタ側に接続された一方の極性の電源電
    圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素子側に接続された逆
    の極性の電源電圧を与える第２の電源とを備えたアクテ
    ィブ型の有機ＥＬ表示装置において、周囲の環境を検出
    するセンサを設け、該センサの出力に応じて前記第１の
    電源の電源電圧を変動させて前記発光層の輝度を調整す
    ることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  5. 【請求項５】 前記センサとして周囲の明るさに応じて
    出力が変動するフォトセンサを用いることを特徴とする
    請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
  6. 【請求項６】 前記第１の電源としてＤＣ／ＤＣコンバ
    ータを用い、前記ＤＣ／ＤＣコンバータのフィードバッ
    ク電圧を前記センサの検出出力で変動させて前記第１の
    電源の電源電圧を変動させることを特徴とする請求項４
    に記載の有機ＥＬ表示装置。
  7. 【請求項７】 陽極と陰極との間に発光層を有するＥＬ
    素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタと、前
    記薄膜トランジスタ側に接続された一方の極性の電源電
    圧を与える第１の電源と前記ＥＬ素子側に接続された逆
    の極性の電源電圧を与える第２の電源とを備えたアクテ
    ィブ型の有機ＥＬ表示装置において、周囲の環境をセン
    サで検出して、前記発光層にＲＧＢ毎に異なる発光材料
    を使用した前記ＥＬ素子毎に前記第１の電源の電源電圧
    を変動させてＲＧＢ毎の前記発光層の輝度を調整するこ
    とを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
  8. 【請求項８】 前記センサとして周囲の明るさに応じて
    出力が変動するフォトセンサを用いることを特徴とする
    請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
  9. 【請求項９】 ＲＧＢ毎の前記第１の電源としてＤＣ／
    ＤＣコンバータを用い、前記ＤＣ／ＤＣコンバータのフ
    ィードバック電圧を前記センサの検出出力で変動させて
    前記第１の電源の電源電圧を変動させることを特徴とす
    る請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
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