JP2003290987A - 熱間等方圧プレス装置および熱間等方圧プレス方法 - Google Patents
熱間等方圧プレス装置および熱間等方圧プレス方法Info
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Abstract
全にハンドリングできる100℃以下の温度域まで効率
よく冷却し得る熱間等方圧プレス装置(HIP装置)を
提供する。 【解決手段】 高圧円筒体1と上下の蓋2、3を備えて
なる縦形円筒形の高圧容器内部に、処理品9および抵抗
線加熱方式のヒータ11を収納し得る底付き円筒形のケー
シング6と、このケーシング6の外側に該ケーシング6
を覆うように底付き円筒形でかつガス流量調整用弁15が
設けられた断熱構造体16と、この断熱構造体16と前記高
圧円筒体1の内面とにより画成される空間に水冷却機構
を有するヒートシンク17とを備えるとともに、さらに処
理品9を収納する処理室7空間の均熱化を促進するため
の圧力媒体ガス攪拌用のファン12を前記ケーシング6内
部の下蓋3側に配置してなる。
Description
装置および熱間等方圧プレス方法に関するものである。
等方圧プレス法(HIP法)は、数10〜数100MP
aの高圧ガス雰囲気下で昇温することにより、鋳造製品
中やセラミックス等の焼結製品中の残留気孔を消滅させ
る技術として、機械的特性の向上、特性のバラツキの低
減、歩留まり向上などの効果が確認され、広く工業的に
使用されるに至っている。
P装置の構造は図7に示すように、高圧円筒体41と上
下の蓋42、43を備えてなる縦形円筒形の高圧容器内
部に、底付き円筒形の断熱構造体44と、この断熱構造
体44の内面に沿って配置された抵抗線加熱方式のヒー
タ45とを備える、いわゆる抵抗線加熱方式の電気炉が
収納された構造となっている。なお、上蓋42には高圧
ガス導入孔46が設けられ、また下蓋43はリング状蓋
47とその内側のプラグ状蓋48とで構成されている。
運転に際しては、処理品49を収納した処理品収納ケー
ス50がプラグ状蓋48の上に処理品台51を介して置
かれ、抵抗線加熱方式のヒータ45の内側の処理室52
内に装入される。上述のようにかなりの高圧で運転され
ることから、内径が1mのような大きな装置で100M
Paで運転される装置の場合、内圧により上下の蓋4
2、43に作用する荷重は8000tonにもなるた
め、この荷重を支持するため上下の蓋42、43は窓枠
形状の鋼製のフレーム(図示せず)で支持される。
容器内部の処理室52を取り囲むように上下方向複数段
に分割されて配置されている。これは、高圧のガスの激
しい自然対流により、処理室52内上部が高温で下部が
低温という温度分布が発生しやすく、上下方向の均熱性
を確保するための方策である。また、ガスの自然対流は
処理室52を加熱昇温するための熱が過度に放散される
要因ともなるため、これを効率よく抑制するため、底付
き円筒形状の断熱構造体44で処理室52とヒータ45
を取囲む構造が採用される。この断熱構造体44を通過
して高圧容器の高圧円筒体41に伝達された熱は、その
外周の水冷ジャケット部53を流れる冷却水により除去
される。なお、符号54、55は冷却水の入口と出口を
それぞれ示す。
圧力の操作は、処理前におけるHIP装置内部の空気の
排出のための真空引き・ガス置換の後、図8に示すよう
に、昇温・昇圧、温度・圧力保持、降温(冷却)・減圧
という工程からなっている。図8から明らかなように、
全体の処理時間が長いこと、とくに高価な高圧容器内で
の処理品の滞留時間の長いことが、処理コストの高揚を
招く結果となっており、短サイクル化は工業生産上の大
きな課題となってきた。これを改善するための一つの方
法として、とくに冷却工程の占める時間が長いこと、す
なわち冷却速度が緩慢であることが問題とされ、これを
改善するために、いわゆるHIP法における急速冷却技
術についての研究開発がなされてきている。
期には、圧力媒体として用いられる高圧のアルゴンガス
等が、高温時と室温近傍の時とで密度に大きな差異がで
きることから、この密度差により発生する自然対流を利
用する方法が、たとえば米国特許第4217087号公
報に、同公報に示すような構造のHIP装置を用いるこ
とにより提案された。この提案の方法では、高圧容器の
側面の円筒部とその内側に配置された断熱構造体との間
の空間内の比較的低温のガスと、処理室部分の高温のガ
スとを、各空間を遮断するために配置された弁を開とす
ることにより連通させ、自然対流による大きな循環流を
発生させる。類似の原理を利用した装置として、他に特
公昭48−8689号公報に提案されたものがある。
は、処理室部分と高圧容器内面のすぐ内側の空間との温
度差が小さくなるにつれて冷却速度が低下する。そのた
め、これを改善して、高圧容器内部にファンやポンプを
設置して前記自然対流に加えて強制的な対流を生じさせ
る方法が提案された。この例として、たとえば実公平3
−34638号公報、米国特許第4532984号公報
などに提案されているHIP装置構造が上げられる。
制的な対流を生じさせて冷却速度を向上させる方法であ
っても、実公平3−34638号公報に提案のHIP装
置構造(同公報の第3図)では、断熱層を強制循環する
循環ガスと炉室内を強制循環する循環ガスとの間で熱交
換させる形式であるため、詳細を後記するように、ある
温度領域までは冷却速度の改善が認められたものの、炉
室(処理室)内部に上側が高温で下側が低温という大き
な温度分布が以前として生じることが認識され、処理室
内部の処理品の熱履歴が場所によって異なるという問題
が認識されるようになった。
提案のHIP装置構造では、ポンプやファンによる強制
循環ガスが断熱フードや内側円筒状ライナーのそれぞれ
の内外の空間を交流しながら流れ、更にポンプに近接さ
せて管をコイル状にした熱交換器を設置しているので、
上記実公平3−34638号公報に提案のHIP装置構
造よりも冷却速度を速めることができるものの、断熱フ
ードの内外の空間を強制循環させるポンプが下蓋の一方
に片寄って設置されているため均一な循環ガス流れとは
ならない上に、熱交換器もそのポンプの設置位置に対応
して片寄って設置されているため均一な循環ガスの冷却
が期待できないばかりか、これらの要因が相俟って、上
記実公平3−34638号公報に提案のHIP装置構造
と同様、詳細を後記するように、ある温度領域までは冷
却速度の改善が認められるものの、処理室内部の処理品
の熱履歴が場所によって異なるという問題が想定され
る。
度の改善方法を用いることによって、保持温度、たとえ
ば1200℃から300℃程度までの冷却速度はおおい
に改善された。一方、処理品を取出してハンドリグする
には、火傷による災害を防止するなど安全の観点から、
100℃以下まで冷却することが好ましいが、上述した
方法を持ってしてもヒートシンク(降温装置)としての
高圧容器などの温度の制約(実質的に表面温度が100
〜150℃となる)から、100℃以下まで冷却すると
いう点では、必ずしも十分な機能を有していないのが実
状である。
チ(Quench)処理を行うという考え方が提案されてお
り、この場合には超急速での冷却と処理室内部の均熱性
が要求されている。この要求に対応するには、処理品お
よび断熱構造体を含む処理室の持つ熱を短時間で抜熱す
るためのヒートシンクが必要であり、従来の高圧容器を
ヒートシンクとして用いるという考え方のみでは、十分
な抜熱効果が得られないことが認識されるようになっ
た。とくに、処理室の直径が1mを超えるような大型の
HIP装置で、このような要請が強くなりつつある。
請には必ずしも対応ができず、本発明は、このような従
来技術の問題点を解消すべくなされたものであって、そ
の目的は、クエンチ処理を行ったり、人間が処理品を安
全にハンドリングできる100℃以下の温度域まで効率
よく冷却し得る熱間等方圧プレス装置(HIP装置)お
よび熱間等方圧プレス方法(HIP方法)を提供するも
のである。
め、本発明(請求項1)に係る熱間等方圧プレス装置
は、高圧容器内部に処理品およびヒータを収納し得る底
付き円筒形のケーシングと、このケーシングの外側に該
ケーシングを覆うように底付き円筒形でかつガス流量調
整用弁が設けられた断熱構造体と、この断熱構造体と前
記高圧容器の内面とにより画成される空間に水冷却機構
を有するヒートシンクとを備えるとともに、さらに処理
品を収納する処理室空間の均熱化を促進するための圧力
媒体ガス攪拌用のファンを前記ケーシング内部の下側に
配置してなるものである。
シングを設置し、そのケーシングの内側に処理室を画成
することで、処理室内部のガス流れと外部のガス流れを
区分して熱交換させるようにした。また、断熱構造体に
ガス流量調整用弁を設け、その弁を開とすることで、断
熱構造体と高圧容器の内面とにより画成される空間と前
記処理室外部とを連通させ、断熱構造体の内外でガスを
循環させるようにした。また、断熱構造体と高圧容器の
内面とにより画成される空間に水冷却機構を有するヒー
トシンク(降温装置)を設けることで、当該空間を循環
するガスを効率的に且つ均一に冷却するようにした。ま
た、前記ケーシング内部の下側に圧力媒体ガス攪拌用の
ファンを設置し、このファンにより処理品を収納する処
理室空間内の圧力媒体ガスを攪拌し均熱化を促進するよ
うにした。
の冷却の際、ケーシングの外側では、断熱構造体と高圧
容器の内面とにより画成される空間内ではヒートシンク
により圧力媒体ガスが強制冷却されて下降し、ケーシン
グと断熱構造体の間の空間ではケーシングを介して熱交
換された圧力媒体ガスが昇温されて上昇し、圧力媒体ガ
スの循環と共に急速冷却が行われる。また、ケーシング
の内側では、圧力媒体ガス攪拌用のファンにより処理品
を収納する処理室空間内の圧力媒体ガスが攪拌され均熱
化が促進されると同時にケーシングを介して熱交換され
て急速冷却され、処理品及び処理室内はもとよりケーシ
ング、断熱構造体の冷却が効率的に行える。
レス装置においては、ヒートシンク内面と断熱構造体外
面とにより画成される空間のガスの対流を制御して冷却
速度を向上させるための循環流促進用ファンをヒートシ
ンクの内側かつ断熱構造体の外側に配置されてあっても
よい(請求項2)。このような循環流促進用ファンを配
置することで、ケーシングの外側での圧力媒体ガスの循
環が、ヒートシンクの冷却による強制循環に加えてさら
に強制的に循環され、上述の作用効果がより効果的に得
られる。
載の熱間等方圧プレス装置においては、断熱構造体と高
圧円筒体との空間に配置されるヒートシンクが、金属製
の耐圧パイプ材を多数本並べて冷却水の流量を配分する
ためのヘッダ部材に結合された構造であってもよい(請
求項3)。このようなヒートシンクを用いることで、ケ
ーシングの外側での圧力媒体ガスの循環が、ヒートシン
クの冷却による強制循環に加えてさらに強制的に循環さ
れ、上述の作用効果がより効果的に得られる。特に請求
項2の構成と併合した場合には、冷却速度を大きく向上
させることができる。
の熱間等方圧プレス装置においては、高圧容器または/
および上蓋に水冷却機構を設けてもよい(請求項4)。
このような水冷却機構を設けることで、高圧容器および
上蓋もヒートシンクとしての機能を発揮し、上述の作用
効果がより効果的に得られる。
本発明(請求項5)に係る熱間等方圧プレス方法は、上
記請求項1に記載の熱間等方圧プレス装置を用いて熱間
等方圧プレス処理を行う過程における保持後の冷却工程
で、処理室内部の所定部位の冷却速度が、あらかじめ設
定された所定の冷却速度となるように制御するととも
に、冷却工程における均熱性を確保すべく、処理室上部
の温度値と処理室下部の温度値の差に応じて、圧力媒体
ガス攪拌用ファンのガス循環流量を制御して均熱性を確
保するものである。これにより、HIP処理後の冷却に
おいて、冷却速度と均熱性を確保しつつ効率的な冷却処
理が行える。
圧プレス方法は、上記請求項2に記載の熱間等方圧プレ
ス装置を用いて熱間等方圧プレス処理を行う過程におけ
る保持後の冷却工程で、処理室内部の所定部位の冷却速
度が、あらかじめ設定された所定の冷却速度となるよう
に制御するとともに、冷却工程における均熱性を確保す
べく、処理室上部の温度値と処理室下部の温度値の差に
応じて、圧力媒体ガス攪拌用ファンのガス循環流量を制
御して均熱性を確保するとともに、少なくとも低温度域
では循環流促進用ファンを駆動して当該低温度域での冷
却速度をさらに向上させるものである。これにより、H
IP処理後の冷却において、低温領域まで優れた均熱性
を保持しつつ急速冷却が行える。
参照しつつ本発明について詳細に説明する。図1は、本
発明に係るHIP装置の断面説明図である。高圧円筒体
1、上蓋2、下蓋3からなる高圧容器の内側に、底付き
円筒形状のケーシング6が配置され、その内部に処理室
7が形成されている。処理室7にはガスの流動が容易に
なるような穴19が形成された処理品ケース8が配置さ
れ、処理品9が配置される。処理品ケース8は、ガス流
通のための穴20が形成された処理品台10の上に載置
されている。その処理品台10の内部には、加熱用のヒ
ータ11や圧力媒体ガス攪拌用のファン12、さらには
圧力媒体ガス攪拌用のファン12を駆動するモータ13
への熱の伝達を遮断するための遮熱板14等が収納され
ている。
られ、その外側には、上部に冷却を促進するためのガス
流量調整弁15が配置された底付き円筒形状の断熱構造
体16が配置されている。この断熱構造体16と高圧円
筒体1との間の空間には水冷却機構を有するヒートシン
ク17が配置されている。このヒートシンク17の上部
の上蓋2との結合部分は冷却水を円筒部22に分配する
ためのヘッダ23となっている。このヘッダ23と断熱
構造体16の上面との空間には、必要であれば循環流促
進用ファン18が配置でき、配置した場合には、HIP
処理後の冷却過程での低温域(例えば500℃以下)に
なった時点での冷却速度をより向上させることができ
る。
ラグ状蓋5とで構成され、本例ではプラグ状蓋5に埋設
するようにして圧力媒体ガス攪拌用ファン12が設けら
れるとともに、処理品9、処理品ケース8、処理品台1
0の出し入れはプラグ状蓋5のみを昇降させることによ
り行われる。ケーシング6および断熱構造体16はリン
グ状蓋4の上に載置されている。また、ヒートシンク1
7はヘッダ23と円筒部22とで構成され、ヘッダ23
を上にして上蓋2から懸垂された形態で保持されてい
る。なお、符号24は上蓋3に形成された圧力媒体とな
る高圧ガスの導入孔、25は上蓋3に設けられたガス流
量調整弁15と循環流促進用ファン18の駆動機構部、
26は処理品台10の下部に形成されたガス流通孔をそ
れぞれ示す。
処理について説明する。図2は、比較のために示すもの
で、本発明で必須としている圧力媒体ガス攪拌用ファン
12を用いないで、ヒートシンク17とガス流量調整弁
15を用いて急速冷却を行ったときの、処理室7の上部
と下部の冷却速度を模式的に示したグラフ図である。こ
の例のように、圧力媒体ガス攪拌用ファン12を用いな
いと、処理室7の下部は冷却されたガスが下降するため
急速に冷却されるものの、上部はかなり高温のままとい
う状態となる。このような上下方向の温度分布は、HI
P処理後の処理品9の取出しが結局、上部の温度が十分
に下がるまで行えず、実質的な処理時間の短縮の効果が
得られない問題を有し、また、熱処理という観点では、
処理室7内の上部の処理品9と下部の処理品9で異なっ
た熱履歴をもつこととなり、品質の管理面での問題も生
じることとなる。なお、図において、急冷(A)は高圧
ガスの強制対流を利用しての急冷、急冷(B)は高圧ガ
スを高圧容器外に放出して減圧するときの、ガスの断熱
膨張による冷却効果による急冷を行ったものである。
12を用いた本発明によれば、このような問題は発生し
ない。すなわち、本発明では、圧力容器内の圧力媒体ガ
スの流れは、図3に示すように、ケーシング6の外側で
は、上記比較例と同じで、断熱構造体16と高圧円筒体
1の内面とにより画成される空間内ではヒートシンク1
7により冷却されて下降する流れ、ケーシング6と断熱
構造体17の間の空間ではケーシング6を介して熱交換
された昇温されて上昇する流れとなって循環し、実線矢
印Aで示す循環流れとなるが、ケーシング6の内側で
は、圧力媒体ガス攪拌用ファン12により、処理品9を
収納する処理品ケース8内及びヒータ11を収納する処
理品台10内では攪拌を伴う上昇する流れ、処理品ケー
ス8及び処理品台10とケーシング6の間ではケーシン
グ6の内面に沿う下降する流れとなって循環し、破線矢
印Bで示す圧力媒体ガス攪拌用ファン12による強制循
環流れとなる。
ガス攪拌用ファン12を用いた場合の、処理室7の上部
と下部の冷却速度を模式的に示したグラフ図である。こ
の図4より明らかなように、圧力媒体ガス攪拌用ファン
12を用いることにより、ケーシング6の内側の圧力媒
体ガスは、ケーシング6を介しての熱交換が積極的にな
され、急速冷却と同時に均熱化が図られている。なお、
図において、急冷(A)は高圧ガスの強制対流を利用し
ての急冷、急冷(B)は高圧ガスを高圧容器外に放出し
て減圧するときの、ガスの断熱膨張による冷却効果によ
る急冷を行ったものである。
と内側の強制循環流れにより、処理品9及び処理室7内
はもとよりケーシング6、断熱構造体16の冷却が効率
的に行え、これにより、クエンチ処理を行ったり、人間
が処理品を安全にハンドリングできる100℃以下の温
度域まで効率よく冷却し得る。
示すように、処理室7の上部と下部のそれぞれにたとえ
ば熱電対などの温度センサ27、28を設置し、当該温
度センサ27、28の温度指示値が所定の値、たとえば
±5℃となるように、圧力媒体ガス攪拌用ファン12の
ガス循環量(ファンの回転数)を制御することにより行
うことができる。
ファン18を設けていない場合には、ガス流量調整弁1
5をオンオフ開閉・または開度を制御して断熱構造体1
6の内外の自然対流によるガスの循環量を制御する。他
方、循環流促進用ファン18を設けた場合には、処理室
7の内部が700〜800℃のように高温時にはガス流
量調整弁15のオンオフ開閉・または開度制御で冷却速
度を制御し、該弁15をほぼ全開としても十分な冷却速
度が得られなくなったとき、すなわち500℃以下の温
度域に成ったときに循環流促進用ファン18を駆動する
とよい。これにより、上述したケーシング6の外側の循
環流れと内側の強制循環流れがより効率よく行えること
から、処理品9及び処理室7内はもとよりケーシング
6、断熱構造体16の冷却が効率的に行えるとともに、
クエンチ処理を行ったり、人間が処理品を安全にハンド
リングできる100℃以下の温度域までより効率よく冷
却し得る。
処理を例として考えると、処理温度と圧力は450〜5
30℃、100MPaで、保持時間は処理物の大きさに
依存するが、1〜3時間である。保持後、処理品をHI
P装置から取出してハンドリングするには、好ましくは
100℃以下まで冷却することが推奨されるが、従来は
この100℃以下にするには、装置の大きさ、処理品の
量に依存するが、処理室径30mm以上のHIPでは5
〜20時間かかる。これに対し、本発明によれば、1〜
2時間の冷却および減圧時間で十分に、100℃以下の
温度での処理品の取出し・ハンドリングが可能となる。
速度を最大限に発揮させるには、伝熱面積が大きくかつ
熱吸収量の大きなヒートシンク17が必要である。そこ
で、本発明では、熱源に近いところ、すなわち高圧容器
の内部にヒートシンク17を配置することとし、大きな
表面積すなわち伝熱面積を実現するために高圧円筒の内
側の空間にまで水路を備える金属製(すなわち十分な強
度と大きな熱伝導率をもつ材料)の水冷却構造体(熱交
換器)を使用することとした。具体的なヒートシンク1
7の例を図5に示す。
上部ヘッダ32とリング状の下部ヘッダ33との間に多
数の金属パイプ29を設けて構成されている。上部ヘッ
ダ32は、その上面には冷却水の導入口30と排水口3
1が設けられ、中央部にはガス流量調整弁15の弁駆動
用軸を挿通するための孔34が上下方向に貫通して設け
られている。金属パイプ29は、一端を上部ヘッダ32
の周辺部に他端を下部ヘッダ33にそれぞれ溶接により
結合されており、隣合う1本づつあるいは複数本づつを
数本を単位として導入口30から下方へ向かう水路と、
再び上方へ向かって排水口31に至る水路とに形成され
ている。これにより、高圧容器の外部より導入された冷
却水は、導入口30より金属パイプ29内を流下し、下
部ヘッダ33内を経て隣合う金属パイプ29内を上昇
し、排水口を経て高圧容器外へと排水される。
22を、金属パイプ29を用いて構成することにより、
単に内外二重の円筒体を区画して水路を構成した円筒部
22に比較して伝熱面積を例えば1.5〜3倍に大きく
でき、冷却効率を高めることができる。
の高圧円筒体1および上蓋2の内面は放熱部材として有
効に作用することは従来のHIP装置と同様であるの
で、これらを併用することも、当然推奨される。たとえ
ば図6はその例を示すものであって、高圧円筒体1の外
周に水冷ジャケット35を設け、高圧円筒体1との間に
冷却水の流路36を形成し、高圧円筒体1を放熱部材と
して構成するものである。このような構成をも採り入れ
ることにより、より冷却速度を向上させることができ、
処理品9の急速冷却ができる。
従来のHIP処理の問題点とされてきた 、(1)長時
間の処理サイクル、とくに冷却時間の問題、それと、
(2)冷却過程における処理室内の上部と下部での温度
分布の発生の問題、が解消され、短時間で、処理品をH
IP装置から取出すことが可能となる。この結果、HI
P処理のコストの大幅な低減を期待することが可能とな
り、これまで、HIP処理コストが高いことが障壁とな
ってHIP処理の技術的効果が確認されていても、HI
P処理が適用できなかった多くのアルミ合金鋳造品など
への適用も可能となるなど、工業生産へのHIP法の適
用分野が拡大でき、産業の発達に資するところ極めて大
きい。
拌用ファンを用いない場合の、時間経過に伴う装置内の
温度と圧力の変化を示す比較例としての模式的グラフ図
である。
力媒体ガスの流れを併記する断面説明図である。
伴う装置内の温度と圧力の変化を示す模式的グラフ図で
ある。
である。
過に伴う装置内の温度と圧力の変化を示す模式的グラフ
図である。
3:下蓋 4:リング状蓋 5:プラグ状蓋
6:ケーシング 7:処理室 8:処理品ケース
9:処理品 10:処理品台 11:加熱用ヒータ 12:圧力媒体ガス攪拌用ファン 1
3:モータ 14:遮熱板 15:ガス流量調整弁 1
6:断熱構造体 17:ヒートシンク 18:循環流促進用ファン 19、20:穴 21:均圧孔 2
2:円筒部 23:ヘッダ 24:高圧ガス導入孔 2
5:駆動機構部 26:ガス流通孔 27、28:温度センサ 2
9:金属パイプ 30:冷却水導入口 31:冷却水排水口 3
2:上部ヘッダ 33:下部ヘッダ 34:孔 3
5:水冷ジャケット 36:冷却水の流路 A、B:圧力媒体ガスの循環流れ
Claims (6)
- 【請求項1】 高圧容器内部に処理品およびヒータを収
納し得る底付き円筒形のケーシングと、このケーシング
の外側に該ケーシングを覆うように底付き円筒形でかつ
ガス流量調整用弁が設けられた断熱構造体と、この断熱
構造体と前記高圧容器の内面とにより画成される空間に
水冷却機構を有するヒートシンクとを備えるとともに、
さらに処理品を収納する処理室空間の均熱化を促進する
ための圧力媒体ガス攪拌用のファンを前記ケーシング内
部の下側に配置したことを特徴とする熱間等方圧プレス
装置。 - 【請求項2】 ヒートシンク内面と断熱構造体外面とに
より画成される空間のガスの対流を制御して冷却速度を
向上させるための循環流促進用ファンをヒートシンクの
内側かつ断熱構造体の外側に配置してなる請求項1に記
載の熱間等方圧プレス装置。 - 【請求項3】 断熱構造体と高圧容器との空間に配置さ
れるヒートシンクが、金属製の耐圧パイプ材を多数本並
べて冷却水の流量を配分するためのヘッダ部材に結合さ
れた構造である請求項1または2に記載の熱間等方圧プ
レス装置。 - 【請求項4】 高圧容器または/および上蓋に水冷却機
構を設けてなる請求項1乃至3の何れかに記載の熱間等
方圧プレス装置。 - 【請求項5】 請求項1に記載の熱間等方圧プレス装置
を用いて熱間等方圧プレス処理を行う過程における保持
後の冷却工程で、処理室内部の所定部位の冷却速度が、
あらかじめ設定された所定の冷却速度となるようにガス
流量調整弁を制御するとともに、冷却工程における均熱
性を確保すべく、処理室上部の温度値と処理室下部の温
度値の差に応じて、圧力媒体ガス攪拌用ファンのガス循
環流量を制御して均熱性を確保することを特徴とする熱
間等方圧プレス方法。 - 【請求項6】 請求項2に記載の熱間等方圧プレス装置
を用いて熱間等方圧プレス処理を行う過程における保持
後の冷却工程で、処理室内部の所定部位の冷却速度が、
あらかじめ設定された所定の冷却速度となるように制御
するとともに、冷却工程における均熱性を確保すべく、
処理室上部の温度値と処理室下部の温度値の差に応じ
て、圧力媒体ガス攪拌用ファンのガス循環流量を制御し
て均熱性を確保するとともに、少なくとも低温度域では
循環流促進用ファンを駆動して当該低温度域での冷却速
度をさらに向上させることを特徴とする熱間等方圧プレ
ス方法。
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