JP2003285263A - ウェーハ研磨治具とその製造方法及びこれを用いたウェーハ研磨装置 - Google Patents
ウェーハ研磨治具とその製造方法及びこれを用いたウェーハ研磨装置Info
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Abstract
れるセラミック製ウェーハ研磨治具において、ウェーハ
研磨治具の洗浄工程で使用されるアルカリ性の薬液や超
音波等にも侵されることなく、ウエーハの平坦度、平行
度等の精度を向上させるセラミックス製ウェーハ研磨治
具を提供する。 【解決手段】ウェーハ貼付面を有するセラミックス製貼
付板の外周に、上記ウェーハの仕上がり厚みと同じ突出
高さのセラミックス製ガイド部材を接合する。
Description
くはスライスされたシリコンウェーハ、ガリウムヒ素等
のウェーハや各種厚み精度及び平坦度を要する基板等の
研磨プロセスにおいて、厚みばらつきをより少なくし、
高精度に仕上げるための耐磨耗性に優れたセラミックス
製ウェーハ研磨治具とその製造方法及びこれを用いたウ
ェーハ研磨装置に関するものである。
ウェーハやガリウムヒ素ウェーハ又は薄物基板等平坦度
等の精度を必要とする加工物や、厚みばらつきが規定さ
れる加工物の研磨やラッピング用の治具として使用され
ている。
加工する際には、図5に示すようなウェーハ研磨治具1
0の貼付面10aに複数又は1枚のウェーハ12をワッ
クス13で貼付して保持し、このウェーハ研磨治具10
を、研磨布15を貼付した下定盤14上にセットして、
押圧力Fを加えるとともに下定盤14にコロイダルシリ
カにアルカリまたはアミンを添加した研磨剤を供給しな
がらウェーハ研磨治具10と研磨布15を相対的に摺動
させることで、ウェーハ12の表面を研磨するようにな
っている。
ナや炭化珪素等のセラミックスにより形成されており、
ウェーハ12の貼付面10aは、平坦度5μm以下の滑
らかな面となっている(特開平6−270055号公報
参照)。
いは平坦度の精度を決定づけているのは、ウェーハ研磨
装置40のウェーハ研磨治具10の表面形状であり、上
記のようなウェーハ研磨装置40において使用されるウ
ェーハ研磨治具10は、ウェーハ12の研磨精度を向上
させるため高い平坦度と、ウェーハ貼付面10aの平滑
性が要求される。
2の平坦度は、例えば表面基準のサイトフラットネス
(1チップの平坦度)でクォーターミクロン以下の精度
が要求されているため、ウェーハ研磨治具10は僅かな
変形も許されない。このため、ウェーハ研磨治具10は
熱膨張率の低いアルミナセラミックスや炭化珪素セラミ
ックスを用いて、ウェーハ研磨治具10そのものの精度
を向上させ、ウエーハ12の精度を向上させてきた。
導体チップの配線ルールの微細化等に伴い、さらなるウ
ェーハ12の高精度化が望まれている中、ウェーハ研磨
治具10そのものの精度にも限界がある上、ウェーハ1
2をウェーハ研磨治具10に貼付けて、回転させながら
研磨を行う方法では、ウェーハ研磨治具10の中心部と
外周部との周速の違いや研磨中の発熱等により、ウェー
ハ12の磨耗度が異なり、ウェーハ12の精度を悪くす
るという問題があった。
示すようにウェーハ研磨治具10のウェーハ貼付面10
aの外周部に、ウェーハ12の仕上がり厚み寸法と同等
の高さのガイド部10bを形成することにより、ウェー
ハ12の平行度等の精度を向上させる方法も考えられる
がウェーハ研磨治具10とガイド部10bを一体形成し
て、ウェーハ貼付面10aとガイド部10bの端面との
平行度や平坦度等を高精度にすることは大変困難である
という問題がある。
のであって、その目的は、半導体ウェーハ等の板状体の
研磨加工に使用されるセラミックス製ウェーハ研磨治具
10において、ウェーハ貼付面10aとウェーハ研磨治
具10の上面との平行度や平坦度等の精度を出すことが
できる構造を提供し、更にはウェーハ研磨治具10の洗
浄工程で使用されるアルカリ性の薬液や超音波等にも侵
されることなく、ウェーハ12の平坦度、平行度等の精
度を向上させることにある。
面を有するセラミックス製貼付板の外周に、上記ウェー
ハの仕上がり厚みと同じ突出高さのセラミックス製ガイ
ド部材を接合してウェーハ研磨治具を構成したものであ
り、さらに上記ウェーハ貼付面と、ガイド部材の端面の
平行度を2μm以下とした。
接合するとともに、Oリングを介在させてシールする構
造とした。
ハ研磨治具を配置してウェーハ研磨装置を構成したもの
である。
としては、セラミックス製貼付板の貼付面とその裏面と
の平行度が1μm以下となるように加工した後、上記貼
付板の外周にセラミックス製ガイド部材を接合し、この
ガイド部材の端面と貼付板の裏面との平行度が2μm以
下となるように加工する工程からなるものとした。
板の加工ができるウェーハ研磨治具を提供することが出
来る。
図を参照して詳細に説明する。
す断面図、図2はこのウェーハ研磨治具11を用いたウ
ェーハ研磨装置を示した概略分解斜視図であり、図3は
その装置の拡大断面図である。
的、熱的変形が少なく、しかも平坦な材料、例えば高純
度アルミナや炭化珪素等のセラミックス材料からなり、
ウェーハ貼付面11aを備えた貼付板19の外周部に、
同様のセラミックス材料からなるガイド部材16を接合
したものである。
コン製のウェーハ12等を研磨加工する際には、ウェー
ハ研磨治具11の貼付面11aに1枚のウェーハ12を
ワックスで貼付して保持し、図2、3に示すウェーハ研
磨装置41を用いて、複数のウェーハ研磨治具11を、
保持具22の貫通孔22a内に保持し、研磨布15を貼
付した下定盤14上にセットして、上定盤17側より押
圧力Fを加えるとともに、下定盤14にコロイダルシリ
カにアルカリまたはアミンを添加した研磨剤(不図示)
を供給しながらウェーハ研磨治具11と研磨布15を相
対的に摺動させることで、ウェーハ12の表面を研磨す
るようになっている。
セラミックス製貼付板19の外周に、上記ウェーハ12
の仕上がり厚みと同じ突出高さのセラミックス製ガイド
部材16を接合してあるため、ウェーハ12を貼付面1
1aに貼付けて図2,3のように研磨すれば、回転させ
ながら研磨を行う方法でも、ガイド部材16の端面16
a上にウェーハ12が研磨されないことから、ウェーハ
12の磨耗度をほぼ均一にすることができ、ウェーハ1
2の厚み精度や加工面の表面形状を向上することができ
る。
回転しながら研磨をする際に、ウェーハ12の外周部と
中心部との周速の差によって、研磨量のばらつきによる
加工物の厚み精度や加工面の表面形状が悪化するのを防
ぐことができる。
を要求されるウェーハ12を研磨するのに使用されるた
め、ウェーハ研磨治具11そのものについても高精度に
仕上げる必要があり、図4のような一体物構造では、そ
の精度を守ることが出来ないため、貼付板19とガイド
部材16とを分割構造とし後述する加工方法により、高
精度に仕上げられる構造にしている。
を少なくし、高精度に仕上げるため、上記貼付面11a
と、ガイド部材16の端面16aの平行度を2μm以下
とすることが好ましい。これは、ウェーハ12に要求さ
れる厚みばらつきの規格が2μm以下であるためであ
る。
端面16aの平行度が2μmを超えると、ウェーハ12
の厚みのバラツキが大きくなる。
磨治具11は、両者の接合に無機系やエポキシ系の接着
剤21を使用するが、定盤の洗浄に使用されるアルカリ
系の薬液や強力な超音波、さらに研磨時に使用されるス
ラリー等により接着剤21が剥がれたり、腐食したりし
て、貼付板19とガイド部材16との接着が外れ、ウェ
ーハ12の精度を悪くしたり、接着剤21の一部が研磨
中に出てきてウェーハ12にキズを付けたりする。
1に触れないように、耐薬品性のOリング18でシール
する構造とした。即ち、貼付板19とガイド部材16の
当接面を段状とし、中央部に、0.1mm以上の厚さで
接着剤21を塗布し、外部からの薬液等の進入を防ぐた
めに、上記当接面の接着剤21の両側の2箇所にOリン
グ18を備えてシールする。ここで接着剤21の厚みを
0.1mm以上としたのは、0.1mm以下では接着強
度が極端に弱くなるためである。また通常、ウェーハ研
磨冶具11の使用に際して、Oリング18には流体圧力
はほとんどかからないため、Oリング18が腐食しない
限り、薬液が接着層に進入することはない。よって、耐
酸・耐アルカリ性の材質からなるOリング18を使用す
ると良い。
て、ウェーハ研磨治具11の洗浄工程で使用されるアル
カリ性の薬液や超音波等に接着剤21が侵されたり、接
着剤21の一部がウェーハ12の研磨中に剥がれ落ち、
ウェーハ12表面にキズをつける等の問題も解決され
る。
方法について説明する。まず、セラミックスからなる貼
付板19の貼付面11aと裏面(反対面)19aの平行
度をラップ加工により1μm以下に仕上げる。この時
に、貼付面11aの平坦度は0.5μm以下とする。こ
のように貼付板19の精度を規定するのは後にガイド部
材16を接着し加工した際に、貼付面11aとガイド部
材16の端面16aとの平行度を2μm以下に仕上げる
ためである。次に、ガイド部材16を接着剤21とOリ
ング18を介して接着後、ガイド部材16の端面16a
の加工を行う。この時貼付面11aを基準に研削加工な
らびにラップ加工を行うことは大変困難である。そこ
で、貼付板19の裏面19aを基準にガイド部材16の
端面16aをラップ加工にて仕上げる。この時に基準と
なる貼付板19の裏面19aとガイド部材16の端面1
6aの平行度は1μm以下に仕上げる。このような手順
と精度加工を行うことで、貼付面11aとガイド部材1
6の端面16aとの平行度を2μm以下に仕上げること
が可能となる。
ハ研磨治具11を図2、3のように、上定盤17と下定
盤14の間に配置してウェーハ研磨装置41を構成する
ことにより、ウェーハの研磨精度を向上させ、歩留りの
高いウェーハ加工を行うことができる。
磨治具10、11を用いてウェーハ12を研磨し、研磨
後のウェーハ12の平坦度を評価した。
造で、直径がφ230mm、厚さ25mmのアルミナセ
ラミックスからなるウェーハ研磨治具11を製作した。
貼付面11aからガイド部材16端面16aまでの高さ
を0.7mmとした。このウェーハ研磨治具を用いて図
2,3のウェーハ研磨装置41にてウェーハ12の研磨
を行った。
210mm、厚さ25mmの円盤状のウェーハ研磨治具
10と、比較例2として直径φ580mm、厚さ25m
mの円盤状のウェーハ研磨治具10、そして比較例3と
して図4に示すように貼付面10aを研削にて0.7m
m座ぐり加工した直径φ230mm、厚さ25mmの一
体構造のウェーハ研磨治具10を準備した。比較例1〜
3は図5に示すウェーハ研磨装置40にてウェーハ12
の研磨を行った。
型で抵抗率が10Ω・cm程度の直径200mmのシリ
コンウェーハ(エッチングウェーハ)を用いた。このウ
ェーハ12の裏面にワックスをスピンコーティングによ
り塗布後、各々のウェーハ研磨治具10、11に固着さ
せ、このウェーハ研磨用治具10、11を表面に研磨布
15を貼付した下定盤14上に設置して、押圧力Fを加
えるとともに、下定盤14にコロイダルシリカを主成分
とする研磨剤を供給しながら、ウェーハ研磨治具11と
研磨布15を相対的に摺動させることで、ウェーハ12
の表面を研磨代10μmとして各々60枚を研磨した。
ネス測定機を使用して測定し、表面のうねりを魔境によ
り測定した。表1に平坦度及びうねりの合格率を示す。
は、ウェーハ平坦度合格率、ウェーハうねり合格率とも
にレベルが悪く、特に比較例2,3では総合評価が×と
なっているのに対し、本発明実施例は位置の違いや発熱
等による磨耗度に影響されず、精度良く研磨できるとい
う良好な結果が得られた。
直径がφ230mm、厚さ25mmのアルミナセラミッ
クスからなる図1のウェーハ研磨治具11において、貼
付面11aからガイド部材16の端面16aまでの高さ
を0.7mmとし、平行度を2μmとした。この時に耐
薬品性のOリング18により接着剤21の両側をシール
したものと、Oリング18を使用せず接着剤21で接着
のみ行ったものとを準備し、耐食性の比較を行った。
の入った容器内に浸け貼付面11aとガイド部剤16の
端面16aとの平行度を各時間毎に電気マイクロメータ
を使用し、測定した。その結果を表2に示す。
でシールされたウェーハ研磨冶具11は各薬液に浸漬し
ても貼付面11aとガイド部材16の端面16aの平行
度は大きな変化が見られなかったが、Oリング18でシ
ールされていない接着剤21のみで固定された冶具は長
時間の浸漬では精度が劣化し、接着剤21が剥がれるも
のもあった。
においてOリング18を用いれば高い耐食性が示され、
シリコンや化合物半導体等の半導体ウェーハの研磨に限
らず、石英基板やガラス基板あるいは磁気ディスク基板
といった高精度を要求される板状ワークの研磨にも用い
ることが可能である。
貼付面を有するセラミックス製貼付板の外周に、上記ウ
ェーハの仕上がり厚みと同じ突出高さのセラミックス製
ガイド部材を接合し、上記ウェーハ貼付面と、ガイド部
材の上面の平行度を2μm以下とすることにより、研磨
時に発生する研磨ムラをなくすことができ、ウエーハの
平坦度を向上させることができる。
接合するとともに、Oリングを介在させてシールする構
造とすることにより、上記分割部が直接薬液やスラリー
が接着剤に触れない構造とすることにより、研磨時に使
用されるスラリー等により接着剤が剥がれたり、腐食し
たりして、ウェーハ貼付部とガイド部との接着が外れた
り、接着剤の一部が研磨中に出てきてウェーハにキズを
付けたりするのを防止することができる。
は、セラミックス製貼付板の貼付面とその裏面との平行
度が1μm以下となるように加工した後、上記貼付板の
外周にセラミックス製ガイド部材を接合し、このガイド
部材の端面と貼付板の裏面との平行度が1μm以下とな
るように加工することにより、ウェーハ貼付面とガイド
部材の端面との平行度を2μm以下に仕上げることが可
能となる。
ハ研磨治具を配置してウェーハ研磨装置を構成したこと
により、高精度なウェーハ研磨冶具を提供することがで
きる。
れば、ウェーハの研磨精度を向上させ、歩留りの高いウ
ェーハ加工を行うことができる。
磨装置の概略分解斜視図である。
磨装置の概略断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】ウェーハ貼付面を有するセラミックス製貼
付板の外周に、上記ウェーハの仕上がり厚みと同じ突出
高さのセラミックス製ガイド部材を接合してなるウェー
ハ研磨治具。 - 【請求項2】上記ウェーハ貼付面と、ガイド部材の端面
の平行度が2μm以下であることを特徴とする請求項1
記載のウェーハ研磨治具。 - 【請求項3】上記貼付板とガイド部材を接着剤で接合す
るとともに、Oリングを介在させてシールする構造とし
たことを特徴とする請求項1記載のウェーハ研磨治具。 - 【請求項4】セラミックス製貼付板の貼付面とその裏面
との平行度が1μm以下となるように加工した後、上記
貼付板の外周にセラミックス製ガイド部材を接合し、こ
のガイド部材の端面と貼付板の裏面との平行度が2μm
以下となるように加工する工程からなるウェーハ研磨治
具の製造方法。 - 【請求項5】上定盤と下定盤の間に請求項1〜3のいず
れかに記載のウェーハ研磨治具を配置してなるウェーハ
研磨装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002091212A JP3940623B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | ウェーハ研磨治具とその製造方法及びこれを用いたウェーハ研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002091212A JP3940623B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | ウェーハ研磨治具とその製造方法及びこれを用いたウェーハ研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003285263A true JP2003285263A (ja) | 2003-10-07 |
JP3940623B2 JP3940623B2 (ja) | 2007-07-04 |
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ID=29236357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002091212A Expired - Lifetime JP3940623B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | ウェーハ研磨治具とその製造方法及びこれを用いたウェーハ研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3940623B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7459397B2 (en) | 2004-05-06 | 2008-12-02 | Opnext Japan, Inc. | Polishing method for semiconductor substrate, and polishing jig used therein |
US20150348818A1 (en) * | 2013-03-14 | 2015-12-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method |
-
2002
- 2002-03-28 JP JP2002091212A patent/JP3940623B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102005001259B4 (de) * | 2004-05-06 | 2011-02-17 | OpNext Japan, Inc., Yokohama | Polierverfahren für ein Halbleitersubstrat |
US20150348818A1 (en) * | 2013-03-14 | 2015-12-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method |
US9922858B2 (en) * | 2013-03-14 | 2018-03-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method |
Also Published As
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---|---|
JP3940623B2 (ja) | 2007-07-04 |
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